автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Неравновесный транспорт электронов проводимости в чистых металлических микромостиках

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

На правах рукописи ВДОВИН Евгении Евгеньевич

УДК 539.292.

НЕРАВНОВЕСНЫЙ ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ В ЧИСТЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ МИКРОМОСТИКАХ

Специальность 05.27.01 — твердотельная электроника и микроэлектроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка 1992

Работа выполнена в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочпстых материалов.

Научные руководители:

доктор физико-математических наук Тулин В. А., кандидат физико-математических паук Касумов А. Ю.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук В. В. Кведер, кандидат физико-математических наук И. Н. Жиляев

Ведущее предприятие: Институт физических проблем им. С. II. Вавилова РАН

Защита состоится 199Х-г. в час.

па заседании специализированного совета К.003.90.01. при Институте проблем технологии микроэлектроники и особочпстых материалов по адресу: 142432, Московская обл., Ногинский р-н, п. Черноголовка, ИПТМ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИПТМ РАН.

Аптпррф^рпт рпч^рттян « № » ¿¿'¿(-/¿¿ЖЛ- 1 С|С)9 года,

Ученый секретарь специализированного совета

кандидат . « ^

физико-математических наук ШУ^ь Айзенберг И. А.

© Институт проблем технологии микроэлектроники и особочпстых материалов Российском Академии наук

Взсдоиме.

'ЖМ.Шь'ЗЯСХ'лЛХМ'^

'лектрячаскиа контакты между двумя мзталлзмя *гзсто привлекали яимряив исследо! :т«лей. В ун-крозяеетронипч пря создамся ■якросхсм металлы I 1рохо используются для формирования пектрическо;! раазодки, обеспечивающей передачу сигналов между пэме.чтеми (I подсоединения входных и пыходньг выводов. Поэтому эздеиио омических эл«т.тр№'эск!гх колтяктез ггалязтел важной щач;;Л. Но когда размеру контакта становятся сравнимы с длиной зобегз электрона, гсогаггяются свойства коятсхта.свяэзннь^з с греткязсностьо электронной системы. ТгкоД ¡ссмтглт, воз размеры >тсрого малы лэ ергзнанка с длиной свободного пробега ^ектронея, назызвзтея баллистичзским.

Хорошо что ноблядеккв 'иалкнгйньх в

п.о:строгрозодкэсти мэталлоз с^ществс! ¡¡:о затруднено из-за звогмо;-.'.! гости создания достаточно бопьаоЯ скорости. ¿гитея!»й( з лштпбо скорости Ферм» Ор ), пз-за 'большой пелнчшм

ггсетропрсзодноста мзтаппз, а тех «е -из-за нгсогмохшостм лргнгкмя теплой.« зфОе:ггоэ, пзс*эяь;;у ¡при увег./чсн;;и тогя !а'"1тал;но ра ыг» кготупазт ргаогрга• ргтзтк;чем разогрсмотси таггрс^л1"» газ, и прогалгг.тгся нэп-'чсйгг.'З'^пгг-г.те, сбуслозлггт».--!

.'ОС^МГ.НС.С'?ОСТЬ?3 ЗЯС'СГрСЗ^ЧО")

»г^рж.оиигпм из-гл кояаатргик'1 тска в капом попг.р^ччен i уд?.-этой д«отйчъ Сзльеем плотнеете?! то,":л н, ти;-?м сирагэ". езлнчкиы хргг'.то-оЛ спорости ( и г .•Лфс^сстглз /Sf.sy.rero ;

0.1 • fim при силе тока в несколько милиемпер плотность тока i области сужения достигает до 10 А/см2), причем разогрева решетк не происходит, тл массивные берега слу ат зффек1.,аным поглотителями фононоэ.

Конфетное изготовление микромостиков представляло собой либ точечную сварку, либо экструзию (вдавливание) металла в трещины окисном слое. В обоих случаях повреждения кристаллическс структуры и загрязнение металла примесными атомами могли бы значительным. Следовательно, возникает сомнение в возможное" баллистического пролета электронов через подобные контакты, сожалению, этот вопрос не очень ясен, поскольку мало что известно размерах контакта, его геометрии и о состоянии металла в облас контакта. Единственный размер, который можно прямо измерить, 3' , верхний предел длины контакта равный толщине окисной плёнки. I учитькмя неоднородность пленки и то, что неизвестно в каком имен; ' мзс1с произошел, еа пробой, об этом размера текме нужно суди очень осторожно. Обычно производят соотеетотеупщкй отб контактов, пригодных яла дальнейших исследований. Но прадстааля и 1 герое изучение зла'аричоевдх свойста микроконтаггос с извести . геометрией в условиях прямого коитронироошия степс

»^»¡отшшичзского ссагршаютва металла в облети ионтааа. ■ йтшМшы. '

ü ziüs дан ;zu рей эти Ü'myj иосяодсвякиз слгктрнческях сбсйс •з^л^ссякдав с гднгрсгорусмой гссмотриеЯ н структурой, тучен сгрукт'урн'л« дс^-гтез ' на snsKfpir-oc:?» ccoiioi

/ - t; чр С i■■ b 1* 11 3,

шшашшкыа

*

В результате исследований получены следующие новы о ультаты, еыноснмые ав ¿ром на защиту. ;

1. Экспериментально изучены электрические свойства новых объектов- микромос; икос, изготовленных из массивных чистых металле 'еских монокристаллов. Обьект представлял собой сверхчистый массизный кристалл, непрерывнь * образом переходящий в микрс юстик.

2. Впервые прозедена экспериментальная проверка формула Шарвинп лля различных металлов. В работа приводится обьяснение обнаруженному отклонения сопротивления микромостиков от сопротивления идеального микроконтакта, сычесленного по формуле Шгрзина.

3. Обнарумены разто нелинейности на ВАХ на связанные с перегревом микр-:мостиков.

4. Экспериментально исследоьано и качественно об- чснено влияние магнитного поля на электрические свойства микромостиков.

5. Обнаружено новое явление - электрический пробой в металле.

6. Экспериментально исследовано влиинио дефектов кристаллической структуры на электрические свойства микромостикоз.

7. Впервые проводилось прямое наблюдение переноса . дислокаций потоком элэктромоз непосредствен«) в коллойз . -4 злек1ронтго миироскопа.

3

Пай

тем, что был зшгсркмент&льно обнаружен к. исследован новый механизм зяектродеградедии моталлизыиЯ. Поскольку в конструкциях интегральных схем металлы широко примзнйатся для (^рмиройаиия электрической раззодки, об&слеч«2~ш,ей передачу сигналов между элеметами и подсоедлнеккя аутд^их и гыходных сыаодсЕ, понимание природы деградации металлизации необходимо при создания приборов микроэлектроники. В работе исслздсгыы свойства баллмстичаск < микроконтектса, на оекзье которых еозмомно соаяаниэ носых криоэ лсктроннык приборов.

Результаты роботы доклядь'заяись на Международном симпозиума "Чйстиз лещаства б науке н технике" < Дразден, 1985 г.), на Всесоюзном семинаре по мжрожптшп~£.м( Черноголовка, 1883 г, V на Всесоюзном со2е<цы«:>! по физике иг.зг^к т еглчьратур (Тбилиси, 1823 г ), не Всесоюзном совещаний по физика низких температур (Лвюмгрва, ПШг.).

Г,., результате** диссартешш опубш гласно четырз работы, Дмсссртсция состоит из введенлк, чаткрех глаз и вшодсвРебота

содержа? 103 стрш&ад текста, 34 рлсун;» и список цитируемой штсрст>ри ш 64 нгзадний,.

Научная »з практическая ценное ¡ь проделанном работы состоит в

В первой главе рассмотрены имеющиеся теоретические и кспериментальныеработы, посвященные исследованию траекторных рфектов в электропроводности металлических микрок^нтектов.

Простейшей моделью такого контакта является круглое тверстиа диаметра <1 в бесконечно тонкой, не прозрачной для

пектронов перегородке. В зависимости от соотношения между с£ и

редней длиной свободного пробега электрон-1 по импульсам и нергипм {(¿и1,£ соответственно) различают три режима протекания

ока через микроконтакт.

В тепловом режиме ( Л» , ) протекание тока носит чисто

иффузный характер и сопротивление контакта пределяется ормулой Максвела:

В баллистическом режиме ( ^ X I ^, 1е ) траектории движения

лектро» --в через контакт представляют собой прямые линия, первые такие контакты были рассмотрены Шарзиным. По Шсрвину, опротивлениэ контакта а чистом пределе не зсписит от дл!«ы робега я епредоляотся формулой:

37Г п 0г¿ 2

В диффузионном режиме траектория движения электрона удобна траектория движения-броумозской частицы, сохраняющей зся энергию при многач^слэкнкх столкнсаегагк, гтоскогыо/ размер

контакта остается меньше диффузионной длины энергетической релаксации; I £ I £

В работе Сухорукова Е.В. иХаецкого А.В. было рассмотрено сопротивление баллистического микромостика в металлах с анизотропной поверхностью Ферми. Оно было вычесленно с учетом зеркального рассеяния носителей тока на стенках канала при их движении от одного массивного берега к другому.

В случае сферической поверхности Ферми и зеркально рассеянии на берегах канала сопротивление баллистическог микроконтакта не зависит от длины канала, и определяется формуле Шарвина. Это связано с тем, что электрон, попал в канал, не може вылететь обратно и неизбежно попадает в другой берег. В случг анизотропной поверхности Ферми ситуация иная. Показано, т анизотропия поверхности Ферми при частных ориентациях кана1 относительно осей кристалла приводит к отличию сопротизлсн микромостика от' сопротивления Шарвина. Причем сопротиален! микромостика становится зависящим от длины канала.

Нелинейности на ВАК микромостикоа набладались в работ Шарвина Ю.В., Броневого И.Л. и Хайкина М.С., Краснополина И. В обоих случаях применялись контакты тип.- "игла-наковальня" повреждения области контакта могЛи быть значительными. К тшо; сыподу и лркшли азтора вышеназванных работ' - от обьясни сютпт сопротивления сверхпроводимость». 8 работах Асса Е. Грибова НН также быт обнаружены сверхпровод!го«й мквтсри блести ки^роконтеттоз В!-Си и ЯЬ-Си.

И

Теоретическое рассмотрение траекторных эффектов ектропроводности металлических микроконтактов в магнитном ле выполнено Богачек м Э.Н., Куликом И.О. и С'зхтером Р.И, линейные свойства микроконтактов обусловлены неравноеесностыо ектронной системы вблизи микросужения в пространственной ластн порядка диаметра контакта. !'менно здесь формируется противление микроконтакта. Наложение магнитного поля приводит изменению пространственной концентрации неравновесных ;ектроноз. Характер растекания тока в области микросуженип :ределяется соотношением между величиной поля Н циклотронным радиусом гн), диаметром контакта сI и длиной

!о6одного пробега электронов. Однако о случае металлических чкроконтактов реализовать ситуация, при которой циклотронный щиус был 6« сравним с диаметром контакта в достижимых на »актике полях, крайне трудно. Исключение составляют полуметаллы

В случае слабых (гн» ¿ )н сильных (Гц« £) полей растекание

>ка в с 'ласти микросужения различно. В сильных полях движение пектронов становится квазиодномерным, и переход к трехмерному аижении может являться только результатом их упругого рвЬсеянн?, взывающего дрейф электронных орбит в поперечном направлении, ри этом величина области растекания оказывается зависящей чт

¿и

липы свободного пробега и имеет характерный размер —

гн

|ри I ¡>>гн. В слабь« полях в результат® закручивания электронных раекторий на расстояниях г»гн нормальное трехмерное уменьшение леетронной неравновесности сменяется осцигируещкм, которое з

7

сбою очередь становится обычным при г > { >> гн . Сопро гивлеьие

миироконтакта в магнитном пола может быть записано в виде: iv(0>= R(H) ( 1+ ti I гн причем в обр'ти слабых полей

AR(H)

относительное увеличение сопротивления контакта

квадратично по поли, е в сильных - линейно. Оба эти режима наблюдались для вис-утовых ммкроконтахтов с работах Асса Е.И., Грибова H.H. и др. Отклонение от квадратичного закона в слабых полях говорило о загрязнении микроконтакта в приграничной области. Поэтому, изучая магнитссопротивление, можно был о определить длину пробега электронов в микрокотасге, его размер и область загрязнения.

Во второй главе

описг 'а методика приготовлении образцов и методика проведения злектрокомикроскспических исследований, а также схема измерений. Образцы изготавливались из различных металлов, но наиболее исследованными были медь, вольфрам, висмут. Образец вырезался на" , электроискровом станке из монокристалла ( Ycu.w ~ 40000, Ybi - 8°° )• Размеры его Сипи 1 «1*15 мм. Он протравливался для удаления наляепанного слоя и зажимался в специапыг 1 держатель. Затем образец локально утоньшапеп до образовании перемычки диаметром «коло \{1т и длимой около 10 /im, соединяющей два массивных зпохтреда,

Конструкция держателя позволяла исследовать структуру образца fia зпеа.трошом м^:;,роакат JEM-1Û00. Это дат»

' 1 О

возможность разделив мжроконтакты со структурными дефектами и без них, изучить влияние структурных дефектов на электрические свойства мостиков. В работе тек же использовались баллистические контакты на п* зерхности монокристала металла { висмута ). На зеркальную поверхность монокристалла В1 напылялся спой ЗЮз- В слое ЗЮ2 с помощью лазера вытравливались отверстия. Диаметр вершмны конуса ( который собственно и является диаметром контакта) 6ул 0,1 -0,8^ т, диаметр основания конуса примерно 2р1т. После очистки поверхности поверх слоя БЮ;? напылялась пленка ЫЬ.

Измерения сопротивления проводились при температуре 1,6-4,2К обычным четырехконтактным методом, образцы находились в жидком гелии или в • го парах. Для создания магнитного поля использовался обычный сверхпроводящий соленоид из ¡МЬТ« проволоки, позволяющие создавать поля до 32 Кэ.

В третьей и четвертой главах представленны экспериментальные результаты, полученные при изучении бездефектных мккроконтсктов и мнгчжонтачтсв со структурными дефектами. ВлшшейхязЕЭ

рассматриваются три главных результата полученных на бездефектных мостиках:

1) отклонение от формулы Шврвина,

2) нелинейности на ВАХ,

3) аномально сильное воздействие магнитного поля на сопротивление мкфсмостикоз.

Многочисленные измерения сопротивления длинных ¡-'¡Гфскснтгктоа, такими что 1_ » ¿доказали, что их сопротивление

сссгда несколько пресотгвт гычиспеннов по формула Шервнна и на

зависит от длины канала. Обнаруженное отклонение не может быть объяснено ошибкой в измерении диаметра мостика, который определяется при большом увеличении в электронном микроскопе. Объемные столкновения электронов также но могут привести к увеличению сопротивлет-т мостика, поскольку его длина на два порядка меньше, чем длина свободного пробега электронов. Анизотропия сопротивления Шарвина, связанная с анизотропией Ферми поверхности, дает для меди поправку всего в несколько процентов. Остается одна видимая причина способная объяснить отклонение от формулы Шарвина в баллистическом режиме пролета электронов - поверхностное рассеяние электронов. Хотя рассеяние электрона от ясжерхности металла близко к зеркальному, а зеркальное р&ссеяже, по-существу, является псевдорассеянием, но благодаря процессам переброса, возможно отражение назад, в результате чего появляется дополнительный вклад в сопротивление, В зтом случае весь канал надо рассматривать как рассеивающий объект, причем при \-yxL дополнительное сопротивление не зависит

от длины канала. Сбой фазы, превращающий псевдорассе.. ;ние в истинное рассеяние, происходит только в массивных берегах.

При работе с баллистическими контактами на поверхности монокристаллов В1, такйх что и« ¿, ©казалось, что сопротивление

микроконтактов соответствовало сопротивлению Шарвина.

При изучении непинейностей ВАХ м* помостиков установление, что скачок при напряжении 1-2 мВ не зависит от условий теппоотвода и обусловлен электронами малых групп поверхности Ферми. В Си и V/ носители заряда малых груш занимают 0,1 от общей площади

10

поверхности Ферми , но их фермиевский импульс тоже приблизительно на порядок меньше рР носителей заряда основной группы, следовательно добавочная скорость, приобретаемая носителями ?аряда в результате свободного ускорения в электрическом поле, будет на порядок больше у носителей заряда малых групп и создававемый ими ток сопоставим с током основной группы.

При напряжении 1 мВ электроны малых групп поверхности Ферми приобретают скорость1,5-3 105 см/с, которая сравнима со скоростью звука в меди и вольфраме, и начинают спонтанно излучать дебаевские срононы, что и приводит к рассеянию электронов. При напряжении 10 - 50 мВ происходит второй скачок на ВАХ, связанный с превышением скорости звука электронами основной группы. Причиной третьей особенности ВАХ при 0,1В является нагрев мостика.

Впервые было обнаружено сильное влияние магнитного поля на могнитосопротивпение микроконтактов. Аномально большое могнитосопротивпение Си и V/ микромостиков объясняется учетом влияния электронов малых групп и тем, что микромостик представляет с?5оЙ единый рассеивающий сбьект. Ларморовский радиус в данном случае порядка длины мостика уже в поле около 1 Кэ.

При изучении проводимости Е) мостиков обнаружено новое явленив-гукктричзский пробой в металле, ВАХ образцов практически не зависит 'от температурь! и имели одну и ту ив особенность - при и "пряжении на мостике примерно 0,1 В они начинали отклоняться от о;.:;;<гаспег0 поведения, Нелинейная добш>к-э к току д! упеличиаапась

11

пропорциональна ехр (- V ), Величина У0 возрастала с увеличением <1 мостика - 0,5 В дляс^»1 Цпл и Э 8 для образца с ¿=8 [Хт. В продольном магнитном поле \/0 увеличивалось, причем наклон 70 от цЗ/2 различных образцов приблизительно совпадал.

Наиболее вероятной причиной такого поведения могло быть межзонное тунелирование.Лроаоднмость начинала увеличиваться при еУ > Ер {Е "ЗОмьВ - энергий Ферми е ЕИ). В этом случае состояния на

дне зоны проводимости частично опустошены и туда могли тужелировать носители с края валентной зоны. Вероятность тукнелирования, оцененная по формуле Зинера, будет заметной величиной: Р = ехр( - жт*1/2 Ед3/2 23/2 к Р) - 0.1

где Р= е\//г0 - эффективное электрическое поле, а плотность туизльного Тока достигает плотности тока основных носителей. ЗимероЁскйй механизм пробоя качественно подтверждается и измерениям ¡а магнитном поле, Ы0 ~ -Н^/й 'объясняется тем, что из

ЭпектричёЪкйй пробой наблюдался также в образцах ¿п - не в 2п Зф^екТ был очень незначительным.

\

'расо^атрнаалась вликниз ка злсхтрические свойства мостнкоа структурных дефектов (дислокаций). В мостиках со структурном дефектами средняя плотность дислокац ;й < стазпяла 1хоти о дкелокеционних скоплениях она била несколько сыша. Дислокации сводились в мости« случайным образом, преимущественно при монтаже. Дгже ти;оГ? небольшой деформации оказало«/ достаточно,

12

чге-Л. ютсстъя подгзять Н8линей»к>сти 8АХ и узаяичить ссг!р<<7кзлйни9 мостша более чем в 2 раза. Ее пи исходить га данных, полученных на массивных образцах, то плотность дислокаций 109 см-2 практически не голжна влиять на сопротивление мостикоз. Пр:1 этой пгс^ыс- сти дчслокаииД р.ремя релаксации из-за эяектрои-дисяокгцясшых стопкнозенцй состсглгат 10*8 -Ю"10 с, что много больше пролета злектроноо через мостик ,10"11 с. Причина столь енльннего влияния дислокздий состоит ¡¡особенности прохождения злрктроноа чер-зз мостик. Электроны иопытыгиот многскснальное зеркальное отражения на пзерхкости мостика т.о. волнозей п«;ат расщепляется чаете, которые интср^ж'рутот между собоЯ при отражении от поверхности. Дислокации ' рпзрушшт это интерференционное состояние электронов и пряэодят к заметному росту сспротизления. Столь же сильное действие оказывала деформация и на поведение мзгннтссогтротмзпення. Наличие дислскешЛ роэто • уманьшлло отнасяталъньгй прирост ма-чпосол^стизлания, а то грамя как в мсседанем криотелло сн увзличяваотся.

Как иззестнэ, Брега расслянип на диелок-зщпк злэ.-ггропоз "шеСки" меди на порядок меньше времени ркссезния ссиоексЯ группы злсктрснса. Поэтому ш-га сильного ргсссякня на дислскгциях Салтстк режим дни малг? групя поверхности Ферми из дсстигеятся и у дефермировенньы мосте,чоз не обянруи-'скы илтд«-Юности ВАХ н мглтноа попе слабо вгапзет на • угтосспроткзгвнпе.

При совтежетом дсстптсчг.о ексопсЯ ппотягстн тока (107 А/ска)

'п?дг.яэ. 5Ьл»я'.а

• имело пороговый по плотности тока характер и прекращалось сразу после снижения тока ниже порогового значения. Сопротивление уменьшалось скачком после включения тока, затем сопротивление падало медленен, и чтобы вызвать следующий скачок сопротивления, надо было увеличить ток. Падение сопротивления не всегда носило гладкий характер и иногда наблюдался неожиданно резкий рост сопротивления, но затем сопротивление снова уменьшалось. Были проведены специальные эксперименты, чтобы исключить возможное влияние на сопротивление злектродифсрузии точечных дефектов. Наблюдаемое уменьшение сопротивления надо связывать с Перемещением под действием электромеханичеате сил дислокаций, движение которых, в отличие от движения точечных дефектов, из требует термической активации. То есть происходило вымыоамиз потоком электронов дислокаций из микромостика.

Нами наблюдался и электроперенос одиночных дислокаций непосредственно в колонне электронного микроскопа JEM -1000. Для проведения эксперимента был изготовлен специальный держатель, позволяющий подводить ток к микромостику. Эксперимент проводился при комнатной температура. Электрический тек протекал Через образец о течении вето времени наблодемя и $0Tcrp«.$f.pc3SHiffl, что составляло несколько минут. При плотности' тока t,5«1Q7 А/см2 неподвижные вначалэ дислокации начинали

перемашдтьок с сснйзисм п .гтовер"но ти образца. Направленно fiSHWCKun дкелскацкй ссстезпаяо о цефрзпадоИ ч«« угол 30» и рркзлаеглтелшэ совпадало о непрсг»л»цгй» Рра^сватсльно

<4

проекция движения дислокаций направленна к аноду, как и предсказывает теория для металлов о электронной проводимостью.

1. В работе исследованы электрические свойства новых обьектоз - микромостиков, изготовленных из массивных сверхчистых металлических монокристаллов,Обьект представлял собой сверхчистый массивный монокристалл, непрерывным образом переходящий в микромостик.

2. Изготовлены баллистические микроконтакты на поверхности металлических монокристаллов.

3. Обнаружены резкие нелинейности на ВАХ,но связанные с перегревом микромостикоа.

4. Впервые проведена экспериментальная проверка формулы Шарвина для различных металлов.

5. Объясняется обнаруженное отклонение сопротивления микромостикоз от сопротивления идеального микромостика, вычесленного по формуле Шарвина.

6. Исследовано влияние дефектов кристалической структуры на электрические свойства мшромостгаов.

7. Изучено впияние мсгниткого поля на электрические свойства митгомостикоа.

8. Обиеружено новое явление - злекрнческий пробей в металла.

9. Осуществлено прямоо ноб/шден.чэ элоятроперсноса одиночных диспскециЯ п металла.

Сл'огтэ результаты диссертации ояуЗяжозама а слэдутарзс р^тея •

10 '

1. Вносим Е.Е., КесумозАЮ., Копсцклй Н.В., Лзэянссн И.Б. Электросопротивление металлических микромсгтикоа прп беллиспгческоми квазибаллизтическсм режима;« пролета электронов. ЖЭ7Ф, 1937, S2, с.1026-1041.

2. Вдозин£.Е., Касумов, \.Ю. Электричзский пробой в висмуте. Письма в ЖЭТФ, 1987, 48, с.440-443.

3. Вдсвин£.Е., КасумозА.Ю. Прямое наблюдение электропереноса дислоглиий в металле. Физика твердого тела, 1023,30, с.311-Э14,

4. Борисенко И.Ю., Вдозин Е.Е., Кясумоо А.Ю., Кис лее НА, Кохснчик Л.С.,МатЕесв В.Н, Экспериментальное обнарукекиз нелокальности сопротезясний Ш^рзина Физика твардогс 7 зга, 18S9,3l,c.1275-1277.

7".;. >. iñír-.

In.

iaup¿»-;m iiXvH Pi'.íi