автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Толстые пленки YВа2СuзО7-б на подложке Y2BaCuO5: получение, свойства, применение

1-7-96-129

На правах рукописи

РАСПОПИНА Екатерина Владиславовна

ТОЛСТЫЕ ПЛЁНКИ УВа2Сиз07-8 НА ПОДЛОЖКЕ У2ВаСи05: ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ

Специальность: 05.27.06 — технология полупроводников и материалов электронной техники

Автореферат диссертации на соискание ученой степени

кандидата технических наук

Москва 1996

Работа выполнена и Объединенном Институте Ядерных Исследований и Институте фионко - технических проблем, (г.Дубна).

Научные руководители - доктор физико-математических нау: Васильев Б.В., кандидат физико-математических наук Выснг Н.В.

Официальные оппоненты: доктор химических наук, профессо Сергиевский В.В.; кандидат физико-математических наук, доцен Головашкин A.Pl.

Ведущая организация - Институт радиотехники и электроник РАН.

Залциъ диссертации состоится _199G

_час. на заседании диссертационного совет

Защ!

Д 053.34 J2-B РХТУ им.Д.И.Менделсева (125047, Москва, А-47, Мну екая пл. д.9), в ауд.

С диссертацией можно ознакомиться в Научно-информационно центре РХТУ им.Д.И.Менделсева.

Автореферат разослан^2 1996г.

Ученый секретарь

диссертационного совета

тУз.в.

Мухаметшин

в

Актуальность проблемы.

Высокотемпературные сверхпроводящие материалы (ВТСП) со времени их открытия и по настоящий момент являются объектом активных исследований во всем научном мире. Приборы созданные на их основе уже находят применение в кардиологии, магнитоэнцифало-графин, изучении физических свохтетв твердого тела и других областях. Естественно, большой интерес к таким приборам стимулирует развитие ВТСП технологий. К настоящему моменту разработаны многочисленные методики получений ВТСП керамических образцов а также тонких и толстых пленок. Однако, в создании технологий толстых пленок произвольной формы с регулируемыми сверхпроводящими свойствами остаются пробелы, устранение которых является актуальной задачей.

Цель работы.

Цель даннох! работы состояла в следующем:

1. Выбор материала химически активной подложки и разработка способа получения пленок УВа^СщОч^ в структуре этой подложки. исследование их структуры, морфологии, сверхпроводящих свойств и влияния на них взаимодействия с парами воды.

2. Разработка способа получения пленок УВа^СщО-;^ на выбранной подложке, содержащих центры пиннинга для улучшения сверхпроводящих свойств.

3. Разработка способа формирования микромостика в структуре пленки для создания СКВИДов на ее основе.

Научная новизна.

Разработана оригинальная методика получения пленок У Ва,2Сщ07_6 на подложке У^ВаСиО^ методом активной подложки. Данная методика позволяет получать пленки любой конфигурации, в том числе и цилиндрической, что невозможно во многих других методах. С помощью физических методов исследования изучены структурные и сверхпроводящие свойства полученных пленок, а также влияние на них деградации в водяных парах. Определено, что в отличие от

образцов, полученных стандартным твердофазным синтезом, процесс деградации в этих пленках происходит послойно, благодаря их повышенной плотности, и не влияет на сверхпроводящие свойства оставшейся непродеградировавшей части образца. Впервые сделан СКВИД (от англ. SQUID - superconducting quantum interference device) на толстой пленке УВа^СщО^^^ причем, при формировании микромостика на пленке также впервые было применено травление в водяных парах.

Практическая значимость.

С помощью разработанного способа можно получать пленки любой топологии, что является явным преимуществам перед известными методами. Данные пленки имеют Тс = 91К и плотность критического тока порядка 103 А/см2. Способ позволяет регулировать сверхпроводящие свойства пленок путем введения в их структуру микровключений несверхпроводящей фазы Y^BaCuO^, что повышает плотность критического тока в найденных технологических условиях примерно в 5 раз. Предложенная в данной работе методика получения толстых пленок УВа^Сг^С^^ может использоваться для изготовления пленок с дальнейшим их применением в СКВИДах, что подтверждено экспериментально. Кроме того, с помощью такого метода можно изготавливать сверхпроводящие магнитные экраны.

Апробация работы.

Основные результаты, изложенные в диссертации, докладывались на XVI. Семинаре по прикладной сверхпроводящей электронике и биомагнетизму (Киев, Украина, июнь 1993), Симпозиуме по слабой сверхпроводимости (Смоленица, Словакия, июнь 1994), XVII семинаре по прикладной сверхпроводящей электронике и биомагнетизму (Киев, Украина, июль 1994), 30-м Всероссийском Совещании по физике низких температур (Дубна, Россия, 1994).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 4 научные работы.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырехглав, выводов, списка литературы и двух приложений. Объем работы изложен на 120 листах машинописного текста, включает 36 рисунков, 3 таблицы и библиографию из 85 наименований.

На защиту выносится.

1. Способ получения толстой сверхпроводящей пленки УВа2Сщ07_й на химически актившж подложке У^ВаСиО5, позволяющей получать пленки любой конфигурации со сверхпроводящими параметрами не хуже, чем у известных образцов, полученных технически более сложными методами, образцы, в которых пленка и подложка представляют единое целое, отсутствует проблема адгезии и химического взаимодействия между пленкой и подложкой.

2. Способ создания центров пиннинга - частиц фазы У^ВаСиО^ в пленке УВа^СщОт^ь в процессе ее плавления и последующего охлаждения, проходящего через область перитектики, позволяющий воспроизводимо регулировать силу пиннинга, по крайней мере в 5 раз.

3. Способ формирования микромостика в структуре толстой пленки УВа<1Сщ01_б для создания СКВИДа на ее основе.

4. Применение синтезированных изделий из толстых пленок УВа2Сщ07_^ на У2ВаСиО5 химически активной подложке с микромостиком, полученным травлением пленки в парах воды, для изготовления СКВИДов на их основе.

Основное содержание работы. Глава I.

В главе I представлен обзор и анализ литературных данных по пленкам УВа^СщОт^. Рассмотрена кристаллическая структура этого соединения, фазовые равновесия в системе У-Ва-Си-О, основные

методы получения пленок УВа2Сщ07_& и их параметры. Выбраны основные направления и цели работы.

Глава II.

В главе II описан новый способ получения толстых пленок УВа2Сщ07 и их свойства.

Исходя из анализа диаграммы фазового равновесия системы У20%-ВаО-СиО соединение структуры У Ва2Сщ07_ь можно полунить по следующим химическим реакциям:

1. Реакцией прямого синтеза из исходных компонент:

У203 + ВаО + СиО УВа2Си307_6

2. Реакцией синтеза из двух прекурсоров:

У2СщОъ + ВаСиО% УВа2Сиг07^

3. Реакцией синтеза из трех прекурсоров:

У2ВаСи05 + ВаСи02 + СиО УВа2Си307_ь.

Первый путь является стандартным твердофазным синтезом, широко применяемым при синтезе керамик, а так же при получении пленок методами напыления печати и окраски. Если нет специальных требований к материалу подложки, применимы второй и третий пути для получения УВа2Сщ07_6 - пленок на У2Си20^ или У2ВаСиО5 - подложках. В данной работе была выбрана третья реакция синтеза УВа2Сщ07_$ на подложке из "зеленой" фазы У2ВаСиО5. Получение пленки УВа2Сщ07_( состоит из следующих операций [1]:

1. Приготовление подложки У2ВаСиО5 - первой компоненты реакции синтеза У Ва2Сщ07_& с помощью стандартного твердофазного синтеза (Т = 950°С, 24 часа) с последующим прессованием и заключительным спеканием. Плотность получаемой подложки р = 5.6г/см3, средний размер гранул около 5 мкм.

2. Приготовление смеси (ЗВаСиО2 + 2СиО) - второй компоненты реакции синтеза УВа2Си3От_6.

Процедура получения БаСиОг аналогична получению УуВаСиОь и включает в себя приготовление шихты из исходных компонент и синтез в течение 24 часов при температуре 950" с двумя промежуточными перетираниями. Затем порошок ВаСиОч смешивается с СиО в мольном соотношении 3 : 2.

3. Нанесение смеси (3ВаСиОг + 2СиО) на подложку У^ВаСиОъ-

Было использовано два метода нанесения смеси. Первый, наиболее простой, когда смесь впрессовывается на плоскую поверхность спрессованной неотожженной подложки. Этим способом можно получать пленки планарной формы.

Другим методом нанесения такой смеси на подложку является окрашивание. Он более предпочтителен при получении пленок сложных форм, например, цилиндрической. Для этого случая на подложку наносится паста следующего состава: порошок (ЗВаСи02 + 2Си0), смешанный с растворенным в те-трахлорметане полиметилметакрилата ( плексиглас) в следующей пропорции:

1т{2>ВаСи02 + 2СиО) : 0.02г поли(С5#802) : 2мл СЯС73. Такая паста быстро сохнет, имеет необходимую вязкость, позволяющую наносить любое количество слоев пасты на подложки любой формы.

4. Синтез пленки УВа-^СщОт^ь на подложке У^ВаСиО^ состоит из следующих стадий:

- образец нагревается от Тком до 200°С со скоростью 1,5"/мин. Выбор такой скорости обусловлен тем, что в ото время происходит удаление или выгорание органического наполнителя и при таком нагреве не происходит разрушение целостности нанесенного на подложку слоя;

- образец нагревается до Г = 975"С со скоростью 8"/мнн. Такая температура чуть выше точки плавления смеси 3ВаСиО^ + 2СиО (определенной экспериментально), но ниже температуры плавления подложки;

- выдержка образца при Т = 975"С в течение 5 мин. В это

время нанесенная смесь (3ВаСиО^ + 2СиО) плавится и впитывается в пористую подложку У^ВаСиОъ на небольшую глубину, которая при данной температуре определяется плотностью подложки и вязкостью расплава и которая в конечном результате определяет толщину пленки. Фаза УуВаСиО5 растворяется в этом расплаве;

- после пятиминутной выдержки температура понижается со скоростью 20°/мин до Т = 950°С. Расплав насыщается фазой У2ВаСиОь,

-от Т = 950°С до Т = 920°С температура снижается со скоростью 1°/мин, при этом начинается зарождение фазы УВачСщОт^^. Данная стадия является лимитирующей стадией всего процесса, поскольку именно в этот момент растут гранулы фазы УВачСщО-[_ь\

- образец выдерживается при Т = 920°С в течение трех часов для стабилизации образовавшейся фазы УВачСщОт^^

- охлаждение образца с 920°С до 400°С со скоростью 0.5°/мин и выдержка при 400°С около 20 часов для повышения содержания кислорода в образце с последующем охлаждением до комнатной температуры в режиме остывания печи.

Морфология образцов исследовалась на сканирующем электронном микроскопе Л8М-840. По полученным микрофотографиям была определена толщина пленок (50 - 100 мкм), а также толщина переходного слоя между подложкой и пленкой 10 мкм). На полученных снимках четко прослеживается монолитная структура пленки, что обеспечивается процессом плавления и абсорбции расплава (3ВаСиОч 2СиО) вглубь пористой подложки.

Рентгеновский фазовый анализ образцов проводился на дифрак-тометре ДРОН-3. Результаты фазового анализа показали, что в основном на дифракционных спектрах присутствуют пики, соответствующие орторомбической фазе с пространственной группой Рттлг. Параметры ячейки равны а = 3.83(3)Л, Ь = с/3 = 3.88(6)Л. Содержание кислорода, вычисленное по параметру с= 11.66Л равно 6.94.

Результаты измерений удельного сопротивления образцов от температуры и динамической магнитной восприимчивости показали, что полученные пленки имеют хорошие сверхпроводящие свойства:

(1). Температуры начала и конца перехода в сверхпроводящее состояние (Т„ач,ТКон) пленки имеют значение 91 и 90К, значение р пленки при комнатной температуре равно р ~ 1.7-Ю-40мсм, что еще раз доказывает однофазность пленки и соответствует результатам рентгеновского дифракционного анализа.

(2). Пленки хорошо экранируют магнитное поле.

Изучено влияние деградации пленок в водяных парах на их сверхпроводящие свойства. Для исследований были взяты толстые пленки УВа2Сиз07_^ на подложке У^ВаСиО-, цилиндрической, формы [2]. Пленки помещалась в насыщенный водяной пар над поверхностью кипящей воды при нормальном атмосферном давлении. После 15-минутной выдержки (¿о) в таких условиях проводились измерения динамической магнитной восприимчивости пленки, которые повторялись после выдержек этих же пленок в аналогичных условиях в течение еще одного и трех часов.

Анализ полученных полевых и температурных зависимостей магнитной восприимчивости позволил установить следующее:

1. Деградационный процесс в образце цилиндрической формы происходит послойно.

2. В результате такого процесса сверхпроводящие свойства оставшейся непр о деградировавшей части образца практически не меняются (плотность критического тока Зс = 650А/ст2).

Глава III.

В главе III описан способ получения и свойства толстых пленок УВа^СщОт^ь на подложке У^ВаСиО^ с центрами пиннинга.

Как было сказано выше подложка У^ВаСиО^ является одной из трех компонент в реакции формирования пленки, а пленка как бы продолжением подложки и вместе они выдерживают термическую обработку, по крайней мере условия синтеза. Отсюда вытекает очевидный вывод, что для таких пленок можно применить высокотемпературный процесс для выделения фазы У^ВаСиО^ в матрице УВа<2,СщОт_ь, когда она медленно охлаждается после плавления и проходит через температуру перитектики. Такие включения У^ВаСиОс, в УВа2Сиг01_ь являются центрами пиннинга и должны повышать Зс.

В д&нной части представлена технология изготовления так называемых MG (melt- growth) толстых пленок УВа^СщО-]^ на подложке У2ВаСиО^ [3]. Влияние включений У2ВаСиО-й в матрице УВа2Сщ07_( на свойства образцов определялось с помощью изучения мнимой и реальной частей магнитной восприимчивости, измеренной на АС-магнитометре.

В отличие от теплового режима синтеза, описанного выше, для изготовления MG-пленки УВа2Си^07^ применяется другой температурный режим, который можно разделить на два основных этапа. Первый- это формирование пленки УВа2СщО^,5, который завершается охлаждением образца с 985°С до 920°С со скоростью 1°С/мин и его стабилизацией при 920° С в течение трех часов. На втором этапе происходит формирование MG-пленки. Сначала образец, имеющий фазу УВа2СщО^^ быстро нагревается с 920° С до 985° С и выдерживается при этой температуре в течение t0. Данная температура выше температуры устойчивости фазы УВа2Сщ07_6 и в течение времени t0 фаза У Ва2Сщ07^ начинает перитектически разлагаться по реакции:

УВа2Сщ07_6 -» У2ВаСиОь + ВаСи02 + СиО;

после чего идет охлаждение со скоростью 1°С/мин до 920° С. На этих двух стадиях формируется заново фаза УВа2СщОе.ь с включениями фазы У2ВаСиОь, размер, объемная доля и распределение которых зависит от времени выдержки и скорости охлаждения. В отличие от керамических MG-образцов, которые все-таки имеют некоторую пористость, данные пленки по окончании первого этапа синтеза имеют высокую плотность благодаря впитыванию смеси (ЗВаСи02+2Си0) в пористую подложку, поэтому пористость в MG-пленках сводится к минимуму. Фаза УВа2Си306^ с включениями У2ВаСиОь стабилизируется при 920° С в течение трех часов и медленно охлаждается до 400° С со скоростью 0.5°С/мин. При таком медленном охлаждении кислород из окружающей атмосферы (Ро2 — 1атм) успевает диффундировать в образец, повышая тем самым содержание кислорода в элементарной ячейке до равновесного значения (7 - <5 и 6.93).

Фазовый состав образцов проверялся с помощью рентгеновской

дифракции. Все полученные спектры в основном имеют пики, характерные для фазы УВа2Си307_ь, которая в среднем для всех образцов обладает следующими параметрами элементарной ячейки: а = 3.825(5), Ь = с/3 = 3.879(5)А, содержание кислорода (7 - 6), определенного по параметру с равно ~ 7. Исключение составляют некоторые пики (20 = 23.89°), принадлежащие остатку непрореаги-ровавшей нанесенной смеси на поверхности подложки. Кроме пиков УВа2Сиз07_^ на рентгенограммах присутствуют пики фазы У^ВаСиО^, что является ожидаемым результатом. Данные рентгенограмм подтверждают то, что при помощи описанных выше технологических процессов формируются пленки сверхпроводящей фазы У Ва2Сщ07_6, несмотря на то, что время их синтеза гораздо меньше чем время синтеза в стандартном твердофазном методе изготовления керамических образцов.

Полученные на электронном микроскопе фотографии образцов хорошо иллюстрируют структуру Мв-пленок. Их зерна имеют пластинчатую форму, они плотно прилегают друг к другу. Длинные оси зерен почти параллельны оси цилиндра, хотя они располагаются относительно друг друга с малой степенью упорядоченности. На поперечном сечении пленки, подвергнутой частичному плавлению в течение трех минут отмечена монолитная структура, на фоне которой выделяются мелкие частицы, которые мы идентифицируем как мн-кровключения фазы У^ВаСиО^, и которые имеют размер около 2-3 мкм.

Представленные выше результаты рентгеновской дифракции и исследования на электронном микроскопе позволяют сделать вывод э том, что применяя предложенный термический режим, были выделены частицы фазы У2ВаСгЮ5 в матрице сверхпроводящей фазы У Ва2Сщ01_6. Влияние этих включений на сверхпроводящие свойства пленок изучались с помощью изучения зависимостей р{Т), к'(Т,Н), х"(Т,Н).

Температурные зависимости Я(Т)/Е(300К) полученных образцов изучались четырехконтактным методом. Для образцов у которых \0 > 4мин все кривые при Т > Тс имеют металлическое поведение, величины удельного сопротивления р(Ткои) этих образцов близки и гежат в интервале десятков мОм ■ см. Для образцов с 1„ < 4мин при Г >ТС ход кривых р(Т) имеет полупроводниковый характер, причем

ширина перехода АТ меняется в широком диапазоне. По-видимому, такое поведение связано с тем, что с увеличением времени to увеличиваются объемные доли включений в матрицу УВа2Сщ07_{,.

Анализ температурных и полевых зависимостей динамической магнитной восприимчивости для образцов с различными значениями £0 ~ 4мин (то есть с различной объемной долей включений ) позволил оценить силу пиннинга, линейно связанную с плотностью критического тока. Оказалось, что для образцов с = Змин коэффициент а, характеризующий силу пиннинга в пять раз больше чем у других образцов. То есть технологический параметр /0 = Змин является оптимальным и позволяет повысить плотность критического тока почти на порядок.

Глава IV.

В главе IV рассматривается одноиндуктивный ВЧ-СКВИД, изготовленный на основе толстой пленки УВа2Сщ07_6 с непосредственной проводимостью (т.е. структура типа 5 - N - й).

Нашей целью в данном случае было доказать принципиальную возможность применения полученных пленок в СКВИДах. Методика изготовления ВЧ-СКВИДа на основе толстой пленки УВа2Сщ07_^ заключается в следующем [4]:

- в керамических таблетках фазы У2ВаСиО5 плотностью ~ 5.6г/см3 и размерами 5 х 5 х Змм были просверлены отверстия диаметром 0.8 мм;

- обычным механическим путем были изготовлены мостики 50 х 50 х ЮОмкм3; на образец наносилась смесь ВаСиОу +СиО\

- образец спекался по тепловому режиму, описанному в главе II;

- после синтеза с образца удалялись остатки смеси 3ВаСи02 + Си0) и образец подвергался вышеописанному процессу деградации. Поскольку деградация в таких пленках идет послойно, то с помощью травления в водяных парах уменьшалась ширина мостика, но не ухудшались свойства самой пленки. По мере деградации проверялись сигналы СКВИДа, таким образом можно было плавно следить за формированием микромостика и выбрать оптимальное отношение сигнал/шум СКВИДа.

Резонансный контур, связанный со СКВИДом, возбуждался от

внешнего генератора на частоте около 19 МГц и имел добротность близкую к 40. Коэффициент связи контура со сквидом к ~ 0.14. Полученный СКВИД имел индуктивность ~ 2.97 ■ 10~иГн.

Было исследовано несколько СКВИДов с параметром /? ~ 2 -г 40. которые практически не менялись при рециклировании даже для десятков циклов отогрев-охлаждение. Следует отметить, что наименьшим уровнем белого шума (5ф ~ 2 • Ю^Фо/Гц1/2 для частот выше 1 Гц и наименьшей частотой среза избыточного (1//) шума меньше 1Гц) обладали СКВИДы с наибольшим значением параметра 3. слабая связь которых была сформирована травлением в парах воды без последующей механической обработки. Полевая чувствительность в области белого шума ~ КГ |2Т:г/Гц1/2, энергетическое разрешение е = Бф/2Ь„ е ~ 2.9 • 10"27 Дж/Гц.

Отмечены следующие особенности толстой пленки УВа^Си^О^^^ в пользу изготовления СКВИДов на их основе:

1. Возможность создания контура квантования СКВПДн любой конфигурации.

2. Высокие критические параметры пленки.

3. Высокая плотность (или высокая степень монолитности) толстой пленки, которая коренным образом меняет картину процесса деградации в этом образце. В пористой структуре до-градация образца происходит как результат одновременной деградации отдельных гранул. Напротив, в монолитном образце деградация происходит послойно. Поскольку при этом сверхпроводящие свойства оставшейся непродограднровавшей части не сильно меняются, то можно применить этот послойный процесс для создания слабой связи в СКВИДе.

4. В результате процесса деградации на поверхности пленки создастся защитный слой, предохраняющий пленку от внешних воздействий.

Выводы.

1. Разработан способ получения толстой пленки \ 'Ва1Сил()-;_1, методом химически активной подложки толщиной десятков мкм на

подложке У^ВаСиО^. Пленка встроена в структуру подложки, что снимает вопрос об адгезии пленки к подложке. Данная технология может быть применена для получения пленок на подложках любой формы.

2. Полученные пленки сдержат орторомбическую УВаъСщОт^ь фазу с <5 ~ 0.1. Пленки имеют хорошие сверхпроводящие свойства: />(300Л') = 0.7 х 10~3 для планарных пленок и 4 х Ю~3Омсм для цилиндрической пленки. Температура перехода в сверхпроводящее состояние Тс ~ 90Л', АТ ~ 1 К. Пленки имеют хорошие экранирующие свойства.

3. Изучен процесс деградации в парах воды толстых пленок УВа^СщОт-ь. Он происходит послойно и слабо влияет на сверхпроводящие свойства оставшейся части образца после деградации. Это свойство использовано при разработке нового способа изготовления микромостика в конструкции ВЧ-СКВИДа.

4. Разработан процесс создания центров пиннинга в толстой пленке УВаъСщОт^ь. ' Такими центрами являются частицы фазы УзВаСиО?,, выделенные в матрице УВаъСщОу-ь в процессе ее плавления при 985° С и последующем охлаждении, проходящем через точку перитектики. Пленки, изготовленные этим методом, можно представить как сочетание двух систем, регулярно встроенных друг в друга: сильная область сверхпроводящих гранул и слабая область, связывающая гранулы. Слабую область можно рассматривать как сверхпроводник второго рода. Ее свойства регулируются с помощью описанного процесса создания центров пиннинга и в оптимальном режиме сила пиннинга увеличивается в 5 раз. Такие пленки цилиндрической формы с регулируемыми свойствами области слабых связей представляю' собой интересный объект для применения их в СКВИДах.

5. Были впервые изготовлены одноиндуктивные толсто-пленочные ВЧ-СКВИДы с использованием разработанного способа создания мостика (деградация в парах воды) со следующими параметрами: 5Ф ~ 2 - 10^4Ф„/Гц1/2, е ~ 2.9 • 10-27Дж/Гц, избыточным шумом (1Д) ниже 1Гц.

Результаты диссертации опубликованы в работах:

1.N.V.Vuong, E.V.Raspopina," В.Т.Ну. Thick films of У Ва2Си-л07_„ prepared 011 У^ВиСиОг, substrates. // Superconductor Science and Technology, NG, 1993, 453-159.

2.N.V.Vuong, E.V.Raspopina, V.V.Skugar, N.M.Vlaclimirova, N.A.Yakovcnko, I.A.Stepanova. Pinning centers in the }'Ba2Citi()7_l, thick films prepared on the Y2BaCiiO5 substrates by paint-on method.// Physica C. vol.223, N3,4, 1994,p.263-272.

3.Н.В.Выонг, Е.В.Расиошша. Толстые пленки Ba2Cui07^f, изготовленные на подложке У^ВоСчО^ методом окраски: технология, свойства, применение. // Тепнсы докладов 30-го Совещании по фппнкс пнокпх темиерптур. Дубин 1994, ч.1, стр.73-74

4.B.V.Vasiliev, N.V.Vuong, E.V.Raspopina, A..V.SoiTiiyagiu. Degradation of УBa2Cui07_/t thick films prepared on У2ВаСи05 substrates by paint-on method and its use in forming tme-hole RF-SQUIDs-. // Physica C, vol.250, N1,2, 1995,p.l-G.

i

Рукопись поступила n издательским отдел 12 апреля 1996 юла.