автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Толстые пленки YBa2Cu3O7-8 на подложке Y2BaCuO5: получение, свойства, применение

РГ6 ОД

1 .:>

17-96-129

На правах рукописи

РАСПОПИНА Екатерина Владиславовна

ТОЛСТЫЕ ПЛЁНКИ УВа2СизС>7-5 НА ПОДЛОЖКЕ У2ВаСи05: ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ

Специальность: 05.27.06 — технология полупроводников и материалов электронной техники

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва 1996

Работа выполнена в Объединенном Институте Ядерных Исследований и Институте физико - технических проблем, (г.Дубна).

Научные руководители - доктор физико-математических наук Васильев Б.В., кандидат физико-математических наук Выонг Н.В.

Официальные оппоненты: доктор химических наук, профессор Сергиевский В.В.; кандидат физико-математических наук, доцент Головашкин А.И.

Ведущая организация - Институт радиотехники и электроники РАН.

Защита диссертации , состоится 1996 г.

в / _.час. на заседании диссертационного совета

Д 053.34.12 в РХТУ им.Д.И.Менделеева (125047, Москва, А-47, Миусская пл. д.9), в ъуъ-^^&Рщ

С диссертацией можно ознакомиться в Научно-информационном центре РХТУ имД.И.Менделеева.

Автореферат разослан-^^^^^^^^И^ 1996г.

Ученый секретарь IJ

диссертационного совета З.Б.Мухаметшина

Актуальность проблемы.

Высокотемпературные сверхпроводящие материалы (ВТСП) со времени их открытия и по настоящий момент являются объектом активных исследований во всем научном мире. Приборы созданные на их основе уже находят применение в кардиологии, магнит оэнцифало-графии, изучении физических свойств твердого тела и других областях. Естественно, большой интерес к таким приборам стимулирует развитие ВТСП технологий. К настоящему моменту разработаны многочисленные методики получений ВТСП керамических образцов а также тонких и толстых пленок. Однако, в создании технологий толстых пленок произвольной формы с регулируемыми сверхпроводящими свойствами остаются пробелы, устранение которых является актуальной задачей.

Цель работы.

Цель данной работы состояла в следующем:

1. Выбор материала химически активной подложки и разработка способа получения пленок УВа2СщО-;_^ в структуре этой подложки. исследование их структуры, морфологии, сверхпроводящих свойств и влияния на них взаимодействия с парами воды.

2. Разработка способа получения пленок УВа^Сщ07_6 на выбранной подложке, содержащих центры пиннинга для улучшения сверхпроводящих свойств.

3. Разработка способа формирования микромостика в структуре пленки для создания СКВИДов на ее основе.

Научная новизна.

Разработана оригинальная методика получения пленок УВа^СщОт-ь на подложке УъВаСиОс, методом активной подложки. Данная методика позволяет получать пленки любой конфигурации, в том числе и цилиндрической, что невозможно во многих других методах. С помощью физических методов исследования изучены структурные и сверхпроводящие свойства полученных пленок, а также влияние на них деградации в водяных парах. Определено, что в отличие от

образцов, полученных стандартным твердофазным синтезом, процесс деградации в этих пленках происходит послойно, благодаря их повышенной плотности, и не влияет на сверхпроводящие свойства оставшейся непродеградировавшей части образца. Впервые сделан СКВИД (от англ. SQUID - superconducting quantum interference device) на толстой пленке YВа^СщОт^, причем, при формировании микромостика на пленке также впервые было применено травление в водяных парах.

Практическая значимость.

С помощью разработанного способа можно получать пленки любой топологии, что является явным преимуществам перед известными методами. Данные пленки имеют Тс = 91К и плотность критического тока порядка 103 А/см2. Способ позволяет регулировать сверхпроводящие свойства пленок путем введения в их структуру микровключений несверхпроводящей фазы У^ВаСиО^, что повышает плотность критического тока в найденных технологических условиях примерно в 5 раз. Предложенная в данной работе методика получения толстых пленок YBa^CusOj-s может использоваться для изготовления пленок с дальнейшим их применением в СКВИДах, что подтверждено экспериментально. Кроме того, с помощью такого метода можно изготавливать сверхпроводящие магнитные экраны.

Апробация работы.

Основные результаты, изложенные в диссертации, докладывались на XVI Семинаре по прикладной сверхпроводящей электронике и биомагнетизму (Киев, Украина, июнь 1993), Симпозиуме по слабой сверхпроводимости (Смоленица, Словакия, июнь 1994), XVII семинаре по прикладной сверхпроводящей электронике и биомагнетизму (Киев, Украина, июль 1994), 30-м Всероссийском Совещании по физике низких температур (Дубна, Россия, 1994).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 4 научные работы.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы и двух приложений. Объем работы изложен на 120 листах машинописного текста, включает 36 рисунков, 3 таблицы и библиографию из 85 наименований.

На защиту выносится.

1. Способ получения толстой сверхпроводящей пленки ¥ВаъСщ07_6 на химически активной подложке У^ВаСиО^, позволяющей получать пленки любой конфигурации со сверхпроводящими параметрами не хуже, чем у известных образцов, полученных технически более сложными методами, образцы, в которых пленка и подложка представляют единое целое, отсутствует проблема адгезии и химического взаимодействия между пленкой и подложкой.

2. Способ создания центров пиннинга - частиц фазы УчВаСиО5 в пленке УВа^СщО^^ в процессе ее плавления и последующего охлаждения, проходящего через область перитектики, позволяющий воспроизводимо регулировать силу пиннинга, по крайней мере в 5 раз.

3. Способ формирования микромостика в структуре толстой пленки УВа.2СщОт-Б для создания СКВИДа на ее основе.

4. Применение синтезированных изделий из толстых пленок УВа,2Сщ07„1 на У^ВаСиО^ химически активной подложке с микромостиком, полученным травлением пленки в парах воды, для изготовления СКВИДов на их основе.

Основное содержание работы. Глава I.

В главе I представлен обзор и анализ литературных данных по пленкам УВа^СщОт^- Рассмотрена кристаллическая структура этого соединения, фазовые равновесия в системе У-Ва-Си-О, основные

методы получения пленок УВа2Сщ07_^ и их параметры. Выбраны основные направления и цепи работы.

Епава II.

В главе II описан новый способ получения толстых пленок УВа2Си307_б и их свойства.

Исходя из анализа диаграммы фазового равновесия системы У203-ВаО-СиО соединение структуры УВа2Сщ07_6 можно получить по следующим химическим реакциям:

1. Реакцией прямого синтеза из исходных компонент:

У203 + ВаО + СиО -» УВа2Сщ07_в

2. Реакцией синтеза из двух прекурсоров:

У2Си2Оь + ВаСи02 УВа2Си307_6

3. Реакцией синтеза из трех прекурсоров:

У2ВаСи05 + ВаСи02 + СиО УВа2Си307_6.

Первый путь является стандартным твердофазным синтезом, широко применяемым при синтезе керамик, а так же при получении пленок методами напыления печати и окраски. Если нет специальных требований к материалу подложки, применимы второй и третий пути для получения УВа2Си307_6 - пленок на У2Си205 или У2ВаСи05 - подложках. В данной работе была выбрана третья реакция синтеза УВа2Сщ07_б на подложке из "зеленой" фазы У2ВаСиО$. Получение пленки УВа2Сщ07_( состоит из следующих операций [1]:

1. Приготовление подложки У2ВаСиО$ - первой компоненты реакции синтеза УВа2Сщ07_& с помощью стандартного твердофазного синтеза (Т = 950°С, 24 часа) с последующим прессованием и заключительным спеканием. Плотность получаемой подложки р = 5.6г/см3, средний размер гранул около 5 мкм.

2. Приготовление смеси (3ВаСи02 + 2СиО) - второй компоненты реакции синтеза У Ва2Сиз07_(.

Процедура получения ВаСи02 аналогична получению У2ВаСиО5 и включает в себя приготовление шихты из исходных компонент и синтез в течение 24 часов при температуре 950° с двумя промежуточными перетираниями. Затем порошок ВаСи02 смешивается с СиО в мольном соотношении 3:2.

3. Нанесение смеси (3ВаСи02 + 2СиО) на подложку У2ВаСиО-0.

Было использовано два метода нанесения смеси. Первый, наиболее простой, когда смесь впрессовывается на плоскую поверхность спрессованной неотожженной подложки. Этим способом можно получать пленки планарной формы.

Другим методом нанесения такой смеси на подложку является окрашивание. Он более предпочтителен при получении пленок сложных форм, например, цилиндрической. Для этого случая на подложку наносится паста следующего состава: порошок (ЗВаСи02 + 2СиО), смешанный с растворенным в те-трахлорметане полиметилметакрилата ( плексиглас) в следующей пропорции:

1т{ЗВаСи02 + 2Си0) : 0.02г поли(С5Я802) : 2мл СНС13. Такая паста быстро сохнет, имеет необходимую вязкость, позволяющую наносить любое количество слоев пасты на подложки любой формы.

4. Синтез пленки УВа2Сщ07_6 на подложке У2ВаСиО^ состоит из следующих стадий:

- образец нагревается от Тком до 200°С со скоростью 1,50/мпн. Выбор такой скорости обусловлен тем, что в это время происходит удаление или выгорание органического наполнителя и при таком нагреве не происходит разрушение целостности нанесенного на подложку слоя;

- образец нагревается до Т = 975°С со скоростью 8"/мин. Такая температура чуть выше точки плавления смеси 3ВпСи()2 + 2СиО (определенной экспериментально), но ниже температуры плавления подложки;

- выдержка образца при Т = 975"С в течение 5 мин. В это

время нанесенная смесь (3ВаСи02 + 2СиО) плавится и впитывается в пористую подложку У2ВаСиОь на небольшую глубину, которая при данной температуре определяется плотностью подложки и вязкостью расплава и которая в конечном результате определяет толщину пленки. Фаза У^ВаСиО*, растворяется в этом расплаве;

- после пятиминутной выдержки температура понижается со скоростью 20°/мин до Т = 950"С. Расплав насыщается фазой У2ВаСи05;

- от Т = 950°С до Т = 920°С температура снижается со скоростью 1°/мин, при этом начинается зарождение фазы УВй2Сщ01_1,. Данная стадия является лимитирующей стадией всего процесса, поскольку именно в этот момент растут гранулы фазы УВа2Си^От_^]

- образец выдерживается при Т = 920°С в течение трех часов для стабилизации образовавшейся фазы УВа2Си307_^;

- охлаждение образца с 920°С до 400°С со скоростью 0.5°/мин и выдержка при 400°С около 20 часов для повышения содержания кислорода в образце с последующем охлаждением до комнатной температуры в режиме остывания печи.

Морфология образцов исследовалась на сканирующем электронном микроскопе ЛБМ-840. По полученным микрофотографиям была определена толщина пленок (50 - 100 мкм), а также толщина переходного слоя между подложкой и пленкой (~ 10 мкм). На полученных снимках четко прослеживается монолитная структура пленки, что обеспечивается процессом плавления и абсорбции расплава (3ВаСи02+ 2СиО) вглубь пористой подложки.

Рентгеновский фазовый анализ образцов проводился на дифрак-тометре ДРОН-3. Результаты фазового анализа показали, что в основном на дифракционных спектрах присутствуют пики, соответствующие орторомбической фазе с пространственной группой Рттт. Параметры ячейки равны а = 3.83(3)А, Ь = с/3 = 3.88(б)Л. Содержание кислорода, вычисленное по параметру с = 11.66 А равно 6.94.

Результаты измерений удельного сопротивления образцов от температуры и динамической магнитной восприимчивости показали, что полученные пленки имеют хорошие сверхпроводящие свойства:

(1). Температуры начала и конца перехода в сверхпроводящее состояние (Тнач) ?кон) пленки имеют значение 91 и 90К, значение р пленки при комнатной температуре равно р ~ 1.7-Ю_40мсм, что еще раз доказывает однофазность пленки и соответствует результатам рентгеновского дифракционного анализа.

(2). Пленки хорошо экранируют магнитное поле.

Изучено влияние деградации пленок в водяных парах на их сверхпроводящие свойства. Для исследований были взяты толстые пленки УВа,2СщОт_(, на подложке У2ВаСиО^ цилиндрической, формы [2]. Пленки помещалась в насыщенный водяной пар над поверхностью кипящей воды при нормальном атмосферном давлении. После 15-минутной выдержки (/0) в таких условиях проводились измерения динамической магнитной восприимчивости пленки, которые повторялись после выдержек этих же пленок в аналогичных условиях в течение еще одного и трех часов.

Анализ полученных полевых и температурных зависимостей магнитной восприимчивости позволил установить следующее:

1. Деградациониый процесс в образце цилиндрической формы происходит послойно.

2. В результате такого процесса сверхпроводящие свойства оставшейся непродеградировавшей части образца практически не меняются (плотность критического тока ,/с = 650А/ст2).

Глава III.

В главе III описан способ получения и свойства толстых пленок УВа,2Си307_1 на подложке У^ВаСиО^ с центрами пиннинга.

Как было сказано выше подложка У2ВаСиО5 является одной из трех компонент в реакции формирования пленки, а пленка как бы продолжением подложки и вместе они выдерживают термическую обработку, по крайней мере условия синтеза. Отсюда вытекает очевидный вывод, что для таких пленок можно применить высокотемпературный процесс для выделения фазы У^ВаСиО*, в матрице УВй2Сщ07_6, когда она медленно охлаждается после плавления и проходит через температуру перитектики. Такие включения У2ВаСиО$ в У Ва2Си307_6 являются центрами пиннинга и должны повышать 7С.

В данной части представлена технология изготовления так называемых MG (melt- growth) толстых пленок УВа2Сщ07_g на подложке У2ВаСиО^ [3]. Влияние включений У2ВаСиОь в матрице У Ва2Сщ07__ь на свойства образцов определялось с помощью изучения мнимой и реальной частей магнитной восприимчивости, измеренной на АС-магнитометре.

В отличие от теплового режима синтеза, описанного выше, для изготовления MG-пленки YВа2Си307_6 применяется другой температурный режим, который можно разделить на два основных этапа. Первый- это формирование пленки УВа2СщОв,5, который завершается охлаждением образца с 985°С до 920°С со скоростью 1°С/мин и его стабилизацией при 920° С в течение трех часов. На втором этапе происходит формирование MG-пленки. Сначала образец, имеющий фазу УВаъСщОб.ъ быстро нагревается с 920° С до 985° С и выдерживается при этой температуре в течение t0. Данная температура выше температуры устойчивости фазы YBa2Cu307_s и в течение времени t0 фаза УВа2Сщ07_6 начинает перитектически разлагаться по реакции:

УВа2Сщ07_6 -> У2ВаСиОъ + ВаСи02 + СиО;

после чего идет охлаждение со скоростью 1°С/мин до 920° С. На этих двух стадиях формируется заново фаза УВа2СщО§ъ с включениями фазы У^ВаСиО*,, размер, объемная доля и распределение которых зависит от времени выдержки и скорости охлаждения. В отличие от керамических MG-образцов, которые все-таки имеют некоторую пористость, данные пленки по окончании первого этапа синтеза имеют высокую плотность благодаря впитыванию смеси (ЗВаСи02+2Си0) в пористую подложку, поэтому пористость в MG-пленках сводится к минимуму. Фаза УВа2СщО^,ь с включениями У2ВаСиОь стабилизируется при 920° С в течение трех часов и медленно охлаждается до 400° С со скоростью 0.5°С/мин. При таком медленном охлаждении кислород из окружающей атмосферы (Ро2 = 1атм) успевает диффундировать в образец, повышая тем самым содержание кислорода в элементарной ячейке до равновесного значения (7 - <5 и 6.93).

Фазовый состав образцов проверялся с помощью рентгеновской

дифракции. Все полученные спектры в основном имеют пики, характерные для фазы YBa,2Cu307_6, которая в среднем для всех образцов обладает следующими параметрами элементарной ячейки: а = 3.825(5), b = с/3 = 3.879(5)Ä, содержание кислорода (7 - 6), определенного по параметру с равно ~ 7. Исключение составляют некоторые пики (20 = 23.89°), принадлежащие остатку непрореаги-ровавшей нанесенной смеси на поверхности подложки. Кроме пиков YBa2Cu307_s на рентгенограммах присутствуют пики фазы YiBaCuOb, что является ожидаемым результатом. Данные рентгенограмм подтверждают то, что при помощи описанных выше технологических процессов формируются пленки сверхпроводящей фазы YBü2Cu307_s, несмотря на то, что время их синтеза гораздо меньше чем время синтеза в стандартном твердофазном методе изготовления керамических образцов.

Полученные на электронном микроскопе фотографии образцов хорошо иллюстрируют структуру MG-пленок. Pix зерна имеют пластинчатую форму, они плотно прилегают друг к другу. Длинные осп зерен почти параллельны оси цилиндра, хотя они располагаются относительно друг друга с малой степенью упорядоченности. На поперечном сечении пленки, подвергнутой частичному плавлению в течение трех минут отмечена монолитная структура, на фоне которой выделяются мелкие частицы, которые мы идентифицируем как мп-кровключения фазы Y2BaCuO5 и которые имеют размер около 2-3 мкм.

Представленные выше результаты рентгеновской дифракции и исследования на электронном микроскопе позволяют сделать вывод о том, что применяя предложенный термический режим, были выделены частицы фазы Y^BaCuO5 в матрице сверхпроводящей фазы YВа2Сщ07_(,. Влияние этих включений на сверхпроводящие свойства пленок изучались с помощью изучения зависимостей р(Т), х'(Т,Н), х"(Т,Н).

Температурные зависимости Я(Т)/Я(300Л') полученных образцов изучались четырехконтактным методом. Для образцов у которых t0 > 4мин все кривые при Т > Тс имеют металлическое поведение, величины удельного сопротивления р{ТКОм) этих образцов близки и лежат в интервале десятков мОм • см. Для образцов с ta < 4мин при Т >ТС ход кривых р(Т) имеет полупроводниковый характер, причем

ширина перехода ДТ меняется в широком диапазоне. По-видимому, такое поведение связано с тем, что с увеличением времени увеличиваются объемные доли включений в матрицу УВа.2Сщ07_£.

Анализ температурных и полевых зависимостей динамической магнитной восприимчивости для образцов с различными значениями ¿о ^ 4мин (то есть с различной объемной долей включений) позволил оценить силу пиннинга, линейно связанную с плотностью критического тока. Оказалось, что для образцов с ¿„ = Змин коэффициент а, характеризующий силу пиннинга в пять раз больше чем у других образцов. То есть технологический параметр ¿0 = Змин является оптимальным и позволяет повысить плотность критического тока почти на порядок.

Глава IV.

В главе IV рассматривается одноиндуктивный ВЧ-СКВИД, изготовленный на основе толстой пленки УВй2Сщ07_^ с непосредственной проводимостью (т.е. структура типа 5 - N - 5).

Нашей целью в данном случае было доказать принципиальную возможность применения полученных пленок в СКВИДах. Методика изготовления ВЧ-СКВИДа на основе толстой пленки УВа,2Си307_6 заключается в следующем [4]:

- в керамических таблетках фазы У2ВаСиОь плотностью ~ 5.6г/см3 и размерами 5 х 5 х Змм были просверлены отверстия диаметром 0.8 мм;

- обычным механическим путем были изготовлены мостики 50 х 50 х ЮОмкм3; на образец наносилась смесь ВаСи02 + СиО;

- образец спекался по тепловому режиму, описанному в главе II;

- после синтеза с образца удалялись остатки смеси 3ВаСи02+Си0) и образец подвергался вышеописанному процессу деградации. Поскольку деградация в таких пленках идет послойно, то с помощью травления в водяных парах уменьшалась ширина мостика, но не ухудшались свойства самой пленки. По мере деградации проверялись сигналы СКВИДа, таким образом можно было плавно следить за формированием микромостика и выбрать оптимальное отношение сигнал/шум СКВИДа.

Резонансный контур, связанный со СКВИДом, возбуждался от

внешнего генератора на частоте около 19 МГц и имел добротность близкую к 40. Коэффициент связи контура со сквидом к ~ 0.14. Полученный СКВИД имел индуктивность Ь$ ~ 2.97 • 10~иГн.

Было исследовано несколько СКВИДов с параметром ¡3 ~ 2 -г 40, которые практически не менялись при рециклировании даже для десятков циклов отогрев-охлаждение. Следует отметить, что наименьшим уровнем белого шума (5ф ~ 2 • Ю^Фо/Гц1/2 для частот выше 1 Гц и наименьшей частотой среза избыточного (1//) шума меньше 1Гц) обладали СКВИДы с наибольшим значением параметра ¡3. слабая связь которых была сформирована травлением в парах воды без последующей механической обработки. Полевая чувствительность в области белого шума ~ Ю^Тг/Гц1/2, энергетическое разрешение е- = е ~ 2.9 • 10~27 Дж/Гц.

Отмечены следующие особенности толстой пленки VВа-2СилО-(_(, в пользу изготовления СКВИДов на их основе:

1. Возможность создания контура квантования СКВИДа любой конфигурации.

2. Высокие критические параметры пленки.

3. Высокая плотность (или высокая степень монолитности) толстой пленки, которая коренным образом меняет картину процесса деградации в этом образце. В пористой структуре деградация образца происходит как результат одновременной деградации отдельных гранул. Напротив, в монолитном образце деградация происходит послойно. Поскольку при этом сверхпроводящие свойства оставшейся непродеградировавшей части не сильно меняются, то можно применить этот послойный процесс для создания слабой связи в СКВИДс.

4. В результате процесса деградации на поверхности пленки создается защитный слой, предохраняющий пленку от внешних воздействий.

Выводы.

1. Разработан способ получения толстой пленки 1 ~Ва2С^ методом химически активной подложки толщиной десятков мкм на

подложке У2ВаСиОъ. Пленка встроена в структуру подложки, что снимает вопрос об адгезии пленки к подложке. Данная технология может быть применена для получения пленок на подложках любой формы.

2. Полученные пленки сдержат орторомбическую УВа2Сщ07_( фазу с <5 ~ 0.1. Пленки имеют хорошие сверхпроводящие свойства: р(300К) = 0.7 х 10~3 для планарных пленок и 4 х 10_3Омсм для цилиндрической пленки. Температура перехода в сверхпроводящее состояние Тс ~ 90Л', АТ ~ 1 К. Пленки имеют хорошие экранирующие свойства.

3. Изучен процесс деградации в парах воды толстых пленок УВаъСщОт-ь- Он происходит послойно и слабо влияет на сверхпроводящие свойства оставшейся части образца после деградации. Это свойство использовано при разработке нового способа изготовления микромостика в конструкции ВЧ-СКВИДа.

4. Разработан процесс создания центров пиннинга в толстой пленке УВа2СщО-1_ь- Такими центрами являются частицы фазы У2ВаСиО5, выделенные в матрице УВа2Сщ07_6 в процессе ее плавления при 985° С и последующем охлаждении, проходящем через точку перитектики. Пленки, изготовленные этим методом, можно представить как сочетание двух систем, регулярно встроенных друг в друга: сильная область сверхпроводящих гранул и слабая область, связывающая гранулы. Слабую область можно рассматривать как сверхпроводник второго рода. Ее свойства регулируются с помощью описанного процесса создания центров пиннинга и в оптимальном режиме сила пиннинга увеличивается в 5 раз. Такие пленки цилиндрической формы с регулируемыми свойствами области слабых связей представляют собой интересный объект для применения их в СКВИДах.

5. Были впервые изготовлены одноиндуктивные толсто-пленочные ВЧ-СКВИДы с использованием разработанного способа создания мостика (деградация в парах воды) со следующими параметрами: 5Ф ~ 2 • Ю-^Фо/Гц1/2, б ~ 2.9 • 10-27Дж/Гц, избыточным шумом {!/{) ниже 1Гц.

Результаты диссертации опубликованы в работах:

1.N.V.Vuong, E.V.Raspopina, В.Т.Ну: Thick films of YBa2Cu:iO prepared on У^ВаСиО?, substrates. // Superconductor Scicnce and Technology, N6, 1993, 453-459.

2.N.V.Vuong, E.V.Raspopina, V.V.Skugar, N.M.Yladiinirova, N.A.Yakovenko, I.A.Stepanova. Pinning centers in the УВа2Си^07_(, thick films prepared 011 the У2ВаСиОь substrates by paint-011 method.// Physicn C, vol.223, N3,4, 1994,p.263-272.

3.Н.В.Выонг, Е.В.Распоиина. Толстые пленки YBa2Cu307^f наготовленные на подложке'У2ВиСиОь методом окраски: технология, свойства, применение. // Тезисы докладов 30-го Совещании по (¡ш:шкс низких темнерпту}). Дубна 1994, ч. 1, ст]).73-74

l.B.V.Vasilie\;, N.V.Vuong, E.V.Iiitspoj)iiiii, A.V.Sonnyagin. Degradation of YBaiCu$01_fl- thick films prepared 011 Y2BaCuO\substrates by paint-on method and its use in forming One-hole RF-SQUIDs. // Physicn С, vol.250, N1,2, 1995,p.l-G.

Рукопись поступила н издательским отдел 12 апреля 1996 года.

Макет Н.А.Киселевой

Подписано в печать 15.04.96 Формат 60 х 90/16. Офсетная печать. Уч.-изд. листов 1,10 Тираж 100. Заказ 49049

Издательский отдел Объединенного института ядерных исследований Дубна Московской области