-
2000
Антоненко, Константин Иванович
Не менее сложной проблемой является диагностика плазменного потока, без которой невозможно получить стабильность параметров плазмы, воспроизводимость результатов, нужное качество обработки [8-11
-
2000
Сорокин, Константин Викторович
Влияние поверхности сказывается в тем большей мере, чем более вы-сокоомный кремний используется при производстве фотодиодов. Это и определяет тот факт, что современные технологии изготовления фотодиодов и, в частности, pin-фотодиодов на основе высокоомного p-Si обеспечивают выход годных приборов на уровне единиц процентов или менее. В связи с этим
-
2000
Шагаров, Борис Анатольевич
Свойства современного арсенида галлия во многом определяются наличием дислокаций и остаточными термонапряжениями после выращивания. Поэтому отжиг f пластин, а не слитков, позволяет, кроме внутренних источников перераспределения дефектов, использовать также и внешние, а именно поверхность пластины. При этом эффективность поверхности можно
-
2000
Макаров, Антон Сергеевич
В первой главе проведен аналитический обзор литературных данных о процессе химико-механического полирования и о влиянии дефектов структуры на электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сформулированы задачи исследования
-
2000
Вотинцева, Елена Евгеньевна
Основная причина термической нестабильности кремния, полученного методом Чохральского, - распад пересыщенного твёрдого раствора кислорода. Поведение кислорода в кремнии исследовалось на протяжении последних 40 лет. Тем не менее многие вопросы, касающиеся поведения кислорода ИуВ частности^ низко- и высокотемпературных доноров^ остаются неясными
-
2000
Богуш, Вадим Анатольевич
Повышенные уровни электромагнитных полей оказывают отрицательное влияние на биологические объекты, организм человека, усложняют функционирование маломощного высокоточного измерительного оборудования. Тенденции к увеличению количества радиотехнических средств и усилению мощности их передающих устройств остро ставит проблему электромагнитной
-
2000
Борисова, Ирина Владимировна
Однако лазеры на основе фосфида индия имеют ряд преимуществ: острота направленности когерентного излучения в два-три раза лучше, чем типичное значение для ПКГ из арсенида галлия, кроме того значительно меньше коэффициент потерь. Относительная простота регулирования концентрации электрически и оптически активных примесей, особенно при уровнях
-
2000
Громов, Дмитрий Геннадьевич
Часть из указанных проблем, включая проблему стабильности, в том или ином виде уже возникала в истории развития систем металлизации и находила свое решение. Однако на субмикронном уровне они проявились в новом аспекте. Факт повторяемости проблем и анализ литературных данных указывает на то, что решение проблем металлизации носит чисто эмпирический
-
2000
Корнеева, Валерия Владиславовна
Исследование механизмов процессов испарения сурьмы из соединений Оа-ЭЬ и 1п-8Ь позволяет получить новые, важные сведения о системе «раствор сурьмы в расплавах галлия (индия) - паровая фаза», а именно: о лимитирующей стадии процесса испарения; о влиянии атомов сурьмы на кинетику испарения; о процессах, протекающих на поверхности испарения и в
-
2000
Алфимова, Диана Леонидовна
В первой главе проведен обзор литературных данных по свойствам и методам эпитаксиального выращивания Bi-coдержащих твердых растворов на подложках InSb и GaP. Рассмотрены особенности фазовых превращений в соответствующих гетеросистемах. Описаны свойства пленок и многослойных гетероструктур InAsSbBi/InSb[6], Приведены данные о перестройке зонной
-
2000
Алфимова, Диана Леонидовна
ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ: 1. Выращены варизонные слои 1пОа8ЬВ1 и 1пСаАх8ЬВ1 с убывающим содержанием мышьяка толщиной до 200 мкм, а также однородные слои пятнкомпонентных твердых растворов (П'ГР) 1пСаА55ЬВ1 толщиной до 150 мкм, пригодные в качестве фоточувствительных элементов оптоэлектронных устройств в диапазоне 7+14 мкм. На подложках ОаР вырашены
-
2000
Савченко, Владислав Анатольевич
Особенно привлекательными в практическом плане в настоящее время являются процессы ЖФЭ полупроводников, протекающие при постоянной температуре, то есть в изотермических условиях, в которых обеспечивается возможность получения однородных по составу эпитаксиальных слоев субмикронной толщины. Методы изотермической ЖФЭ характеризуются очень широким
-
2000
Емельянов, Владимир Васильевич
-
2000
Середин, Лев Михайлович
Отмеченные выше проблемы могут быть в значительной степени преодолены при использовании в технологии получения базовых структур ИС и дискретных приборов метода жидкофазной эпитаксии в поле температурного градиента (ЖЭГТ) на основе зон линейной и точечной форм. Этот метод позволяет получать как многослойные структуры, так и структуры со встроенными
-
2000
Шевченко, Анатолий Дмитриевич
До моменту виконання робота були в'щеутш також експериментальш вщомосп про закономерное™ ЗМ1НИ ¡нтенсивност! I форми \ТС(!2,5 - смуги В зразках Zr1.jHf.tV2, ¡нтенсчвност! \ форми МЬ„1,2 - смуги в зразках МШ, ¡нтенсивностт1 форми Си1ии - смуги в зразках УВазСизСЬ-в при структурному перетворенш 1 переход1 в надпровшний стан у цих матер1алах. Кр1м
-
2000
Смолин, Александр Юрьевич
Таким образом наблюдается две тенденции развития солнечной энергетики. К первой можно отнести изготовление солнечных батарей большой площади из дешевых материалов (в частности, из кремния) с низким коэффициентом преобразования. Вторым направлением является усложнение конструкции солнечных элементов, использование дорогих материалов (например
-
2000
Нефедов, Александр Сергеевич
Известные исследования и разработки физико-технологических основ получения слоев полупроводниковых материалов методом термомиграции выявили существенную зависимость качества и, в конечном счете, параметров получаемых структур от условий роста кристалла. Так, периодическое изменение температуры ЗПГТ, даже на непродолжительное время по сравнению с
-
2000
Плющев, Дмитрий Юрьевич
Применение метода ЗСП в настоящее время ограничивается использованием плоских однородных сплошных источников, создание которых для ряда материалов затруднено технически или по каким-либо причинам не выгодно. Поэтому является актуальной разработка и исследование методов, свободных от указанного ограничения. В настоящей работе в качестве
-
2000
Тюрнев, Николай Валерьевич
Однако, наряду с явными преимуществами этого метода существуют и проблемы с его применением. Основная проблема заключается в том, что исследуемый фотоотклик от полупроводниковой структуры не несет непосредственно информации о концентрации содержащихся внутри дефектов или сведений о поверхностных состояниях на границах раздела. Сложный характер
-
2000
Мустафинов, Эдуард Николаевич
Основные результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ НГТУ, проблемной лаборатории микроэлектроники НГТУ, в НИИ атомного машиностроения; Третьей и Четвертой Всероссийских конференциях с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г. Таганрог, 1996 и
