-
1996
Распопина, Екатерина Владиславовна
В главе I представлен обзор и анализ литературных данных по пленкам УВа^СщОт^- Рассмотрена кристаллическая структура этого соединения, фазовые равновесия в системе У-Ва-Си-О, основные
-
1996
Распопина, Екатерина Владиславовна
В главе I представлен обзор и анализ литературных данных по пленкам УВа^СщОт^. Рассмотрена кристаллическая структура этого соединения, фазовые равновесия в системе У-Ва-Си-О, основные
-
1996
Скоробогатова, Ольга Викторовна
Получение сверхпроводящих материалов воспроизводимого состава, а, значит, и с воспроизводимыми свойствами, требует знания нестехиометрии исходных компонентов и всех фаз, сосуществующих с рассматриваемым сверхпроводящим соединением
-
1996
Лукина, Ирина Николаевна
Имеются пьезоэлектрические кристаллы с большими КМС, однако Только некоторые из них удовлетворяют требованиям, предъявляемым к пьезоэлектрическим резонаторам (ПР). Такими пьезоэлектриками, удовлетворяющими требованиям ПР, оказались ниобат, танталат и тетраборат лития (НЛ, ТЛ, ТБЛ). Однако, в противоположность ТЛ и ТБЛ у кристаллов НЛ нельзя было
-
1996
Турилин, Сергей Митрофанович
Производство эпитаксиального кремния стало важной составляющей ехнологического цикла изготовления СБИС. Ключевыми проблемами овременной эпитаксиалъной технологии являются однородность свойств пнтаксиальных слоев и резкость концентрационного профиля на границе эастания фаз. Особое значение эта проблема приобретает с ростом роизводительности
-
1995
Тришканева, Марина Валерьевна
Поиск и разработка новых эффективных люминесцентных материалов имеет важное значение как для повышения качества традиционных электронных приборов (люминесцентных ламп, кинескопов), так и для вновь разрабатываемых приборов, а также для новых не традиционных применений. Например, создание новых индикаторных проекционных трубок, многослойных
-
1995
Мяльдун, Александр Зигмунтович
После опубликования в середине 50-х г.г. первых работ, интерес к низкочастотным вибрациям как к средству воздействия на совершенство кристаллов, выращиваемых из расплава, возобновлялся неоднократно. В ряде работ получены данные о положительном влиянии вибраций на свойства кристаллов. Однако предположения, высказанные о механизме действия вибраций
-
1995
Кочурихин, Владимир Владимирович
Галлиеиые гранаты испояьзуюгся ь-шаахм образом в кзчхчлз матриц ттердотелтных лазеров. В последние ¡ода.у различны» областей связи. и метеорологии' шишкл'» • зна'ппч';^.!!;^ иротребность и лазер;« ИК диапазона l д.:нпс:": го.лп; 2-4 т.к. Подходящей матрицей для такт лавров могли бы С.1:: i11 i ii галлиеиые ф.ишы, содержащие ионы с большими
-
1995
Ковалгин, Алексей Юрьевич
ДшМ>Щ>£'.ь.1ечы (i 1ШС10ЯЩ1Ч- нрсмя аыуп n.iioil тдапей является pnipnfioi кп шпко1с,\шсра|ур1шх (100-400 "(') мегомов нотучешш шплек-(ричгскнх материалов н нило гонких пнсококачсстпспннх пленок рагшч-и»!о функциональною нашаченпя. Иеиолыонанне ныеокотемиературпнх (6о ит 500 "с) пропсссон для спитеw подобных слоен прнподит к гепера-пии и рлишпно
-
1995
Ковалгин, Алексей Юрьевич
Приведенные выше свойства обеспечили широкое использование пленок нитрида кремния, полученных в высокотемпературных процессах осаждения, в качестве подзатворного диэлектрика в МДП-транзисторах, а также для образования масок при окислении, имплантации и диффузии в случае изготовления приборов на основе кремния
-
1995
Моргунов, Игорь Викторович
Основным материалом, на котором конструируются практически все мощные полупроводниковые приборы, является монокристаллический кремний. В настоящее время кристаллы для МВТ изготавливают по пленарной технологии на п-п+ структурах диаметром 76 мм, п+ слой которых получают диффузией или газовой эпитаксией. Недостатки Планерной технологии связаны с
-
1995
Репин, Вадим Анатольевич
В настоящее время в производстве ГИС и микросборок отсут ствуют материалы для формирования диэлектрических слоев толстопленочных конденсаторов (ТГ1К), совместимые с технологией МД-подложек н способные обеспечить необходимые электрофизические характеристики ТПК
-
1995
Галанин, Станислав Геннадьевич
Отзыв на реферат, подписанный и заверенный печатью учреждения, просим направлять по указанному адресу на имя ученого секретаря специализированного совета
-
1995
Есаулов, Николай Петрович
С развитием ЭВП принципиально новые, более жесткие и напряженные условия эксплуатации катодных материалов, особенно, ЭВП СВЧ М-типа, обусловили наряду с требованиями по уровню эмиссии и такие требования, как высока» электро-и теплопроводность, формоустойчнвость при высоких температурах, необходимые конструкционные и технологические свойства
-
1994
Сатункин, Геннадий Анатольевич
В нккраэгкгктроник^ ари сохгаияикк текдонцди ищяшватк, долш-кствзшюго 'кощукття k¿kcsssso& tca^-crcrr K8c$xu-vr„<cz;b , сог.р*цзл»я числа дсхркно.; и повшшки -шгеро,мести колскшс," ■:. , односжкенних укгякдешэд их р&зкеров. При этс-я растут грудное-г пронкщндаот яродзсодсшэ подс&гкх иококрясхлслс»! п«-всспpe-íя?о дш!ость кв'юсгсшшх харакгариоткк
-
1994
Сергеева, Ж. М.
Поиск наиболее эффективных добавок для осуществления примесного генерирования в процессе выращивания по методу Чохральского привел к идее использования для этой цели У переходные металлы ivA подгруппы, а именно цирконий и гафний
-
1994
Коростелин, Юрий Владимирович
Из других важных применений монокристаллов А2В6 следует отма титъ их использование в ЭЛТ высокого разрешения с монокристалличес ккми экранами, в фэточувствителышх элементах и модуляторах света, в электролшинесцентнн1 приборах и с вето диодах, детекторах рентгеновского излучения, датчиках электрического поля
-
1994
Ли Ден Мок
Однако решение проблемы комплексной микроминиатюризации СВЧ устройств во многом одерживается слокностко реализации в интегральном исполнении высокоэффективных пассивных устройств различного функционального назначения и прежде всего устройств частотной селекции. Как известно, среда устройств частотной селекции, обладающих различными типами АЧХ
-
1994
Левенец, Владислав Владимирович
Все процедуры подготовки поверхности Si, используемые в электронной промышленности на данном этапе, основаны на процедуре "мокрой" химической подготовки поверхности, предложенной в 1970 году Керном и др.. (В зарубежной литературе - процедура RCA.) В настоящее время разработка ULSI с субмикронной топологией выдвигает качественно новые требования к
-
1994
Нгуен Суан Нгиа
Однако, наряду с расширением возможностей получения материалов с напередзаданными свойствами, на практике возникают порой неразрешимые технологические проблемы, а трудозатраты резко возрастают. Это связано прежде всего с высокими температурами плав-пения и значительным давлением паров синтезируемых компонент при выращивании и легировании
