-
1998
Енишерлова-Вельяшева, Кира Львовна
Бурное развитие микроэлектроники и силовой электроники, четкая гнденция к шпшатгоризации рабочих элементов, создаш!е новейших перс-екпшных, конструктивно сложных приборов, а также необходимость аличия высокоэффективного промышлешюго производства современных олуттроводшгковых приборов продолжают оставлять актуальными опросы влияния структурных
-
1998
Рябец, Сергей Иванович
Захист відбудеться "22" травня 1998 р. о ІЗ годині на засідань спеціалізованої вченої ради Д 19.01.07. при Херсонському державном технічному університеті за адресою: 325008 м. Херсон, Бериславсы шосе, 24
-
1998
Кулинич, Наталья Владимировна
-
1997
Козлов, Владимир Валентинович
В области оптоэлектроники для расширения • рабочего спектрального диапазона интенсивно ведуюя работы по созданию инжекционных лазеров и полупроводниковых лазеров с электронной накачкой на основе изопериодических гетероструктур с ультратонкими (десятки нм) слоями сверхрешеток тройных и четверных твердых растворов соединений а3в5 большой площади на
-
1997
Костромин, Сергей Викторович
Определенные ограничения на пути широкого использования гетероэпитаксиальных структур "SiC на инородной подложке" связаны с высокими температурами осаждения SiC классическим сублимационным способом, нестандартным исполнением и достаточно высокой стоимостью аппаратуры для газофазного осаждения SiC. Поэтому рассматривая современное состояние
-
1997
Попова, Елена Евгеньевна
Одно из перспективных направлений - разработка миниатюрных преобразователей физических параметров на основс ПК кремния и других полупроводниковых материалов. Они находят применение и конкурентноспособ-ны в тех областях промышленности и жизнедеятельности человека, где необходимы малые габаритные размеры и вес, высокая удельная прочность и
-
1997
Галкин, Сергей Николаевич
Захист відбудеться " 17 я грудня 1997 р. о 14 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д. 64.169.01 в інституті монокристалів HAH України (310001, Харків, проспект Леніна, 60
-
1997
Чиликина, Марина Валерьевна
Одним из перспективных применений металлодиэлектрических структур «в-ллетс* создание ыагннтопроводоа элеюрических машин. Пластинчатые магнн го-проводы являются основными узлами многих зле.стро технических устройств. Высокая проницаемость, низкие коэрцитивная сила, остаточная индукшн, а также уровень потерь от вихревых токов в пластинчатых
-
1997
Кустов, Тарас Владимирович
Использование позйсторных ограничителей тока является перспективным, так как позволяет значительно повысить надежность электро- и радиоаппаратуры.Эффективным является применение позисторов для защиты вторичных источников питания, электродвигателей .рассчитанных на рабочие токи до 5 Ампер
-
1997
Сидорин, Виктор Викторович
-
1997
Рощин, Владимир Михайлович
Тугоплавкие металлы, имея высокую температуру плавления и достаточно низкое удельное сопротивление, более стабильны с точки зрения диффузионных процессов, протекающих на границе раздела при повышенной температуре. Это позволяет использовать тугоплавкие
-
1996
Савинова, Ирина Геннадьевна
Монокристаллы алюмината иттрия УАЮз- одна ив наиболее перспективных лазерных матриц. В последнее время с нашим участием ведутся исследования, которые позволяют расширить область применения УАЮз в качестве матриц для получения новых сцинтилляционных и акустических материалов
-
1996
Бучинская, Ирина Игоревна
Фторид свинца РЬГ2 известен как оптический конструкционный материал, обладающий прозрачностью в широком диапазоне от УФ до средней ИК области. Твёрдые растворы и композиционные материалы на основе РЬР2 обладают высокой фторионной проводимостью и служат для создания химических источников тока [1
-
1996
Благин, Анатолий Вячеславович
В первой главе проводится анализ данных печати по свойствам и методам технологии получения твердых растворов на основе 1п8Ь, рассматриваются основные теоретические и модельные представления расчета термодинамического равновесия между жидкой и твердой фазами многокомпонентных полупроводников; приведены основы кинетики роста ЭС; обосновывается
-
1996
Веремьянина, Людмила Николаевна
Однако имеется ряд причин, которые затрудняют применение арсенидов галлия и индия в микро- и оптоэлектронике. Среди них трудности получения и дороговизна совершенных монокристаллов; отсутствие у арсенидов галлия и ивдия естественного, стабильного и легко -йормируемого окисла; восприимчивость поверхности к воздействиям различных химических вешеств
-
1996
Авдиенко, Клавдия Ильинична
С. Установить связь между условиями получения кристаллов, их структурой и физическими свойствами для нахождения оптимальных условий роста кристаллов с заранее веданными характеристиками
-
1996
Шевченко, Андрей Геннадьевич
При ЗПГТ возникает перераспределение собственных примесей в растущих слоях . , характеризуемое кристаллизационной очисткой и диффузионным легированием атомами элементов , содержащихся в жидкой зоне . Данная проблема практически не исследована для соединений А3 В5 на основе 1пАб и требует более полного подхода с математической и термодинамической
-
1996
Забелина, Ирина Анатольевна
Впервые исследованы фазовые равновесия и построены Т-х-диаграмму состояния систем Си1пТе2-СиЯаТе2, Си1пТе2~Си1пБэ2, уточнена Т-х-диаграмма системы Си1п32-СиА1Б2, проведен термодинамический анализ указанных систем
-
1996
Лебедева, Татьяна Анатольевна
Производство сенсоров за короткое время превратилось в мощную индустрию с многомиллиардным оборотом. Миниатюрность, широкий ассортимент и относительная дешевизна микроэлектронных сенсоров обеспечили им огромный потребительский рынок
-
1996
Казаков, Виталий Викторович
Для реализации поставленной цели решались следующие задачи: -расчетное исследование фазовых равновесий с учетом упругих напряжений и процессов упорядочения в твердых растворах и их экспериментальное подтверждение
