-
2000
Дьячков, Сергей Александрович
В рамках данной работы установлено, что при анодном сращивании на границе полупроводник или металл/стекло протекает электрохимическое окисление анода с образованием новой фазы на основе оксида полупроводника или металла, скорость образования которой, первоначально, лимитируется процессами зарядо- и массопереноса через стекло, а затем через
-
2000
Чикирякин, Алексей Анатольевич
Среди большого количества методов получения тонких пленок самым широко используемым и весьма универсальным является метод испарения и конденсации материалов в вакууме. Он позволяет получить тонкие пленки практически любых материалов и практически незаменим при формировании многослойных композиций (МК). Возможность контроля большинства параметров
-
2000
Чикирякин, Алексей Анатольевич
Объектами исследования являются ориентированные металлические многослойные композиции с ГЦК и (или) ОЦК типом кристаллических решеток компонент, а также вакуумные технологические процессы их получения
-
2000
Харламов, Роман Валентинович
Монокристаллический кремний является основным материалом для изготовления приборов сильноточной (силовой) электроники. Номенклатура сильноточных приборов расширяется с каждым годом: к мощным диодам и тиристорам добавилась широкая гамма мощных транзисторов, а так же разнообразных силовых интегральных схем. Последние особенно существенно расширяют
-
2000
Стук, Алексей Афанасьевич
Ускоренное развитие микроэлектроники и силовой полупроводниковой техники, которое сопровождается ужесточением требований к качеству их элементной базы, вызвало необходимость совершенствования технологии получения полупроводниковых материалов, и, в первую очередь, монокристаллического кремния, который является основным материалом для производства
-
2000
Юзвишин, Виктор Францович
Тема дисертацп безпосередньо пов'язана з дос.шдженнями i реалЬашао технолопчних npcujecie (TIT) гальванотехнжи при обробщ друкованих плат (ДП), багатошарових друкованих плат (БДП) i тдкладок MÍKpo36ipoK, а також в обласл регенеряци та утишзацн технолопчних розчишв, промисиових вадхо/рв i промивних вод
-
2000
Даниленко, Светлана Григорьевна
Актуальність теми. Для виготовлення фотоприймачів, чутливих в ГЧ-області спектра, використовують такі сполуки, як Hgi.xCdxTe, Si, Ge, напівпровідники типу AmBv та тверді розчини на їх основі. Незважаючи на високу якість матеріалу Hg!.xCdxTe (KPT) та виготовлених на його основі приладів, існують деякі технологічні проблеми, зумовлені нестабільністю
-
2000
Разумовский, Павел Иванович
Одним из основных методов получения оптоэлектронных гетероструктур является жидкофазная эпитаксия. Очевидны ее преимущества: дешевизна технического оснащения технологического цикла; технологическая чистота; многофункциональность. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ) наиболее технологичен среди жидкофазных эпитаксиальных
-
2000
Четвергов, Михаил Владимирович
Широта применения нитрида алюминия определяет многообразие гребований к его структурно-морфологическим, электрофизическим и штическим параметрам, что непосредственно связано с технологией толучения данного материала. Наибольшее развитие в настоящее время юлучили методы ионно-плазменного и газофазного осаждения (CVD) слоев штрида алюминия. Известны
-
2000
Мельник, Виктор Иванович
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Харківського державной технічного університету радіоелектроніки (61166, м. Харків-166, пр-т. Леніна, 14
-
2000
Косушкин, Виктор Григорьевич
Объекты и методы исследования. Выбор в качестве объекта исследований монокристаллов полупроводниковых соединений АШВУ обусловлен определяющим значением этой группы материалов для развития таких перспективных направлений как оптоэлектроника, СВЧ-техника, микроэлектроника в части сверхскоростных интегральных схем. Основой исследований служил
-
1999
Железный, Сергей Владимирович
-
1999
Фоминых, Максим Валентинович
-
1999
Большепаев, Олег Юрьевич
-
1999
Викулина, Лидия Федоровна
Актуальшстъ том!г. Нашвпрошдииков! мпппточутлигл сенсори (дал! магштоприлади) знаходять широко використання в сучаснш ви.ш-рювальнш техшш та автоматиш. На ?х основ)" створеш електронш компаси, пристрси зчитування магншшх записав, датчики р1зних величин (тиску, перемещения, швидкосп обер-пв 1 т.д.) , безконтактш псремикач), безколекторш
-
1999
Фролов, Андрей Михайлович
Миниатюризация аппаратуры, потребность в охлаждающих и . термостабшшзирующих устройствах малых габаритов, возможность работы при динамических и статических нагрузках требуют совершенства термоэлектрических устройств. Эти условия могут быть достигнуты только при производстве термоэлектрических материалов (ТЭМ), имеющих высокий коэффициент
-
1999
Лютецкая, Ирина Геннадиевна
Наряду с физико-технологической совместимостью SiC и' A1N, к достоинствам композиции "SiC-AIN" относится возможность ее получения на подложках кремния и сапфира (А120з) большой площади, что позволяет создавать приборные структуры на стандартном технологическом оборудовании микроэлектронного производства
-
1999
Попов, Александр Афанасьевич
По результатам исследований были сделаны доклады на YII всероссийской научно-технической конференции "Датчики и преобразователи информации систем измерения контроля и управления" ("Датчик-95"). -Крым 1995г, Всероссийских научно-технических конференциях "Электроника и информатика" МЙЭТ, Зеленоград, 1995г, 1997г., межвузовских научно-технических
-
1999
Царева, Светлана Юрьевна
-
1999
Зиновьев, Дмитрий Валерьевич
Г^лп^агтггллт'г гл ллгголпгчп гггллгт ггггтпл £~\хг ггт гггтгл птогг/уг п^лгто'гд ггг ггогг питргпатта шт лтотлг^тп: илгл тт ¿'»л^ллт.т папвгшилт! л^чпо^лтш-г хин VI рид-цт I^ оV х ии 1 у^ллдПих V ^^х^или хх vл.vшш иу^дли тип ^ирииинхл гт/ггияттй ий лттит* гтдгтйгттг^ гшяи^ ир шК^атг. та ГИГТ^^ЯУ ГП/ТЯШЛШ
