-
1999
Ильяшева, Екатерина Владимировна
Качество и надежность толстопленочных ГИС во многом определяются характеристиками применяемых материалов. В технологии ГИС и БГИС при изготовлении подложек, формировании проводниковых, резистивных и диэлектрических (изолирующих и защитных) элементов применяют стекловидные диэлектрики
-
1999
Барамзина, Елена Анатольевна
-
1998
Фитьо, Владимир Михайлович
АКТУАЛЬНІСТЬ ТЕМИ. Значний прогрес в розвитку оптичної голографії та постійна до неї зацікавленість пов’язані з новими методами розв'язку важливих технічних проблем. До таких основних задач, які успішно розв'язує оптична голографія і в які вона принесла тишки їй властиві особливості, відносяться: вимірювання механічних переміщень (голографічна
-
1998
Кутовой, Сергей Александрович
Прогресс в области разработки и применения лазеров с диодной накачкой связан, с одной стороны, с кардинальным повышением ресурса работы лазерных диодов и улучшением их генерационных характеристик, с другой - с созданием новых лазерных сред с высокой концентрацией редкоземельных активаторных ионов. Эти среды характеризуются высоким уровнем
-
1998
Кутевой, Сергей Александрович
-
1998
Шепетюк, Владимир Андреевич
Об’єктом дисертаційного дослідження є монокристалічні та полікристалічні плівки халькогенідів свинцю , твердих розчинів (РЬ5е)і_х(5пТе) х, (РЬТе)і.х(8п5е)х, РЬх5пі_хТе , РЬі.х8пх5е при (0,0 < х < 1,0) , вирощених на сколах (111) ВаРг та поліамідній стрічці ПМ1
-
1998
Красовицкий, Дмитрий Михайлович
Анализ литературы показывает, что одним из наиболее распространенных методов получения нитридных пленок в настоящее время является химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) с использованием галогенсодержащих исходных реагентов. К числу таких реагентов относятся легко синтезируемые и удобные в работе моноаммиакаты хлоридов галлия н индия (МХГ и
-
1998
Кукоз, Виктор Федорович
Одним из таких методов, используемых в технологии полупроводниковых приборов, является зонная перекристаллизация градиентом температуры (ЗПГТ) [1], сущность которого заключается в перекристаллизации кристалла (источника) через тонкий слой расплава в растворе с осаждением новых слоев па подложке. Метод ЗПГТ пригоден для получения как тонких слоев
-
1998
Стасюк, Владимир Александрович
-
1998
Стасюк, Владимир Александрович
Монокристаллы фторидов щелочноземельных металлов М?2 со структурой флюорита используются в конструкционной оптике ИК -диапазона. Большая изоморфная емкость этих соединений, в первую очередь к трифторидам (ЧЯз редкоземельных элементов (И - 1_а - 1_и, У), приводит к образованию широких областей [1] твердых растворов М
-
1998
Мармалюк, Александр Анатольевич
Процесс получения эпитаксиальных слоев (ЭС) GaN б услов МОСГЭ характеризуется многочисленными параметрами, причем ха[ тер воздействия многих из них на скорость роста, качество структу морфологию и электрофизические свойства ЭС до конца не изучен
-
1998
Чуканов, Сергей Владимирович
Сведения, содержащиеся в информационных источниках, показывают, что в производстве интегральных схем основным материалом ближайшего десятилетия будет оставаться кремний. Увеличение объема выпуска кремниевых пластин будет обеспечиваться в основном за счет выпуска пластин кремния диаметром 150 мм, 200 мм и 300 мм. Требования к качеству пластин
-
1998
Столяров, Сергей Михайлович
-
1998
Кравченко, Константин Юрьевич
-
1998
Кравченко, Константин Юрьевич
Устранение отмеченных проблем возможно за счет использования тонких пленок сверхпроводников. Во-первых, поверхностное сопротивление сверхпроводников в СВЧ диапазоне как минимум на порядок ниже поверхностного сопротивления лучших из нормальных проводников, что приводит к соизмеримому снижению потерь. Во-вторых, глубина проникновения
-
1998
Борзистая, Екатерина Леонидовна
Основой для изготовления инжекционных излучателей с такими длинами волн $ляются многослойные гетероструктуры типа 1пР/Са*1п;.хРуАз!(1пР) В зависимости • конструкции диода многослойной структуре может придаваться различный )офиль. "Такие профилированные лазерные структуры формируют с привлечением ¡зличных методов зпитаксии (МОС-гидридной
-
1998
Циж, Богдан Романович
Захист відбудеться 12 червня 1998 р. о 14 год. на засіданні спеціа лізованої вченої ради Д 04.06.18 при Державному університет “Львівська політехніка” (290646, м.Львів-13, вулиця С.Бандери, 12
-
1998
Сорокин, Святослав Игоревич
-
1998
Лищук, Николай Вячеславович
-
1998
Часовникова, Елена Владимировна
Подложка, как правило, выполняет несущую функцию. На ее поверхности ,шруются пассивные элементы ГИС - резисторы, проводники, элементы :лойной изоляции. В соответствии с этим подложки для гибридных интегральных должны обладать высокими показателями механической прочности, ектрических свойств, хорошим теплоотводом и обеспечивать возможность их ботки
