автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Получение бесконусных нитевидных кристаллов кремния для миниатюрных преобразователей температуры

Инн № 3485 Па правах рукописи

к'ебпОГО I

Для служебного пользования

№

ПОЛУЧЕНИЕ БЕСКОНУСНЫХ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ДЛЯ МИНИАТЮРНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕМПЕРАТУРЫ

Специальность 05 21 06 - Технология полупроводников и материалом хтекфоиной техники

Анюрефераг диссертации на соискание ученой сюпени кандидата технических наук

Воронеж - 1997

Работа выполнена и проб.темно^научпо-исслсдовательской лаборатории иигевидпых кристаллов Воронежского государственного технического университета

научный руководитель

доктор физико-математических наук, ■ профессор а.д.щетинин

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ: доктор технических

наук, профессор . М.И.ГОРЛОВ

кандидат технических наук, доцент Н.К. СЕДЫХ

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ • Научно-исследовательский

институт электронной техники (г.Воронеж)

Защита состоится II марта 1997 года в 14 часов на заседании диссертационного совета К 063.81.06 при. Воронежском государст венном техническом университете (394026, г.Воронеж, Московский пр.. 14, конференц-зал).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета.

Автореферат разослан <{0» февраля 1997 года.

УЧЕНЫЙ СЕКРЕТАРЬ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕ 1 А кандидат технических наук, доцент

В П.ПАНТЕЛЕЕВ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность. Нитевидные кристаллы (ПК) известны науке более 40 лет. Многочисленными исследованиями, проведенными в США, Японии, Франции, Нидерландах, Польше, а также в России и на Украине, других странах СНГ было установлено, что, благодаря уникальному сочетанию физических свойств и габитуса, НК могут быть использованы для создания новых классов конструкционных материалов, приборов и устройств электронной техники.

Одно из перспективных направлений - разработка миниатюрных преобразователей физических параметров на основс ПК кремния и других полупроводниковых материалов. Они находят применение и конкурентноспособ-ны в тех областях промышленности и жизнедеятельности человека, где необходимы малые габаритные размеры и вес, высокая удельная прочность и чувствительность, быстродействие и стабильность параметров в динамических условиях нагружения.

Анализ данных межотраслевой информационной автоматизированной системы Всероссийского института межотраслевой информации за последние 5-7 лет показывает отсутствие в промышленности преобразователей на основе НК, изготовляемых серийно. Поэтому решение проблемы организации серийного производства датчиков на основе НК кремния является актуальной научно-технической задачей.

Очевидно, что для решения этой задачи необходимо, прежде всего, получить массовые партии самих кристаллов с идентичными и стабильными параметрами, что возможно лишь путем выращивания так называемых регулярных систем НК (т.е. групп кристаллов с заданными геометрическими размерами и определенным порядком расположения на подложке). Научные основы технологии получения таких систем заложены в термодинамике, химической кинетике, теории растворов, физике полупроводников, технологии получения интегральных схем (ИС), теории надежности полупроводниковых приборов и ИС и др.

Общие принципы управляемого выращивания НК полупроводнико», касающиеся выбора металла-растворителя, химической реакции, температуры процесса, концентрации реагентов, типа ростовой подложки, сформулированы ранее в работах Р. Вагнера, X. Боотсмы, Е. И. Гиваргизова, В. Н. Грибкова, Л. Л. Щетинина и др. и постоянно дополняются.

Однако необходимо заметить, что несмотря на многочисленность работ по росту ПК, немногие из них посвящены формообразованию кристаллов, а, между тем, программируемое профилирование является основой для создания разного типа приборов.

Кроме того, представляется интересным и актуальным рассмотрение

основных путей упрощения технологического процесса получения массовых партий НК как с точки зрения его реализации, так и снижения стоимости чувствительных элементов (ЧЭ) на их основе.

Работа выполнена в проблемной научно-исследовательской лаборатории нитевидных кристаллов Воронежского государственного технического университета в соответствии с Российской научно-технической программой создания новых видов машин, приборов и оборудования на 19881995 г. и в рамках комплексных целевых программ Министерства общего и профессионального образования РФ «Датчики» и «Высокочистые вещества» по темам «Исследование процесса получения НК полупроводниковых материалов из веществ с МКР методом газофазного транспор-та»(госбюджетная тема 86.08, № госрегистрации 01860048140); «Создание регулярных систем нитевидных кристаллов кремния и термопреобразователей на их основе» (госбюджетная тема 2.91, № госрегистрации 01910054554).

Цель работы:

На основе исследования закономерностей кинетики роста и формообразования нитевидных кристаллов кремния разработать технологический маршрут получения НК постоянного диаметра для использования в термопреобразователях.

Для достижения цели были поставлены следующие задачи:

1. Исследовать влияние технологических условий получения НК кремния (скорости потока, плотности расположения затравок на подложке) на скорость аксиального роста и конусность кристаллов.

2. Разработать методы стабилизации поперечных размеров НК в процессе роста.

3. Отработать технологический маршрут создания системы регулярно расположенных металлических затравок для роста НК кремния.

Для получения и исследования регулярных систем НК кремния применялись следующие современные методы: электрохимического осаждения, ионно-илазменного напыления, комплекс технологических операций электронного производства (фотолитография, нанесение адгезионно-барьерных покрытий, создание масок из окисла и фоторезиста, химическое и ионно-плазменное травление и др.), метод химического осаждения из газовой фазы, оптическая и растровая электронная микроскопия.

11;1учт1Пяи(1г,!П! i a

I Установлено, что

H скорость рост ПК крем мня резко возрастает при увеличении скорости потока газа, ноток, подаваемый в реактор со скоростью 4 см/с обес-псчипаег скорость роста порядка 2 мкм/с, недостижимою изменением температуры или мольного отношения реагентов;

S скороеii. росча ПК кремния не зависит от их радиуса при пдопшсти ростовых ¡aipaisoK 10-12 мм2. Характер зависимое!и У(г) при р<2 мм" и р > 20 мм " - степенной;

Я характер распределения скоростей роста и конусности получаемых ПК по длине реакционной зоны нелинейный, скорость же травления металла-инициатора в различных точках зоны реактора одинакова

2. Произведена количественная оценка скорости травления металла-инициатора в рамках модели химического испарения агента-растворителя с использованием результатов термодинамического расчета состава газовой фазы и адсорбционного слоя.

3. Установлено постоянство диаметра микронитей, образующихся на завершающей стадии роста НК кремния, определены условия перехода от матричного кристалла к нити на его вершгпгс, обнаружен вторичный рост на нитях.

4. Электрохимическое осаждение золота и ионно-плазмепное иапы-тение никеля, примененные для создания систем ростовых затравок, позволили стабилизировать разброс исходного диаметра .нитевидных кристаллов на уровне не более 2 % по партии из 101 им

5 Проведены испытания 43 на безотказность и оценены некоторые шказатсли надежности.

I Jjmктаческая^ иачи мост ь^абртьг

■ на основе проведенных исследований по кинетике и формообразование НК кремния разработан технологический маршрут, позволяющий орга-изовагь массовое производство кристаллов с воспроизводимыми парамет-ами, в части создания ростовых подложек оформлен комплект конструктор-ю-техиологической документации;

■ разработан и защищен авторским свидетельством способ управления щусностыо НК, позволяющий получать кристаллы с нулевой, отрицатель >й и положительной конусностью в интершие о г -'1 • !0 до • 6 • 10 ';

П разработан способ получения монокристаллических нитей носгоян->го диаметра в едином технологическом процессе выращивания ПК, кото-ie могут быть использованы в качестве 43 термоанемомегров.

3 выражения для скорости роста ПК и скорости травления мсталла-ициатора, полученные в рамках модели химического испарепия капли, по-

зволяют выработать программу габитусного профилирования через задание 41 определенных исходных параметров.

■ па основе полученных ПК 81" созданы партии термоэлементов (общее количество - 100 шт.), проведены испытания их на безотказность и оценены некоторые показатели надежности.

Основные положения, выносимые на защиту;

1. Скорость аксиального роста НК кремния возрастает на порядок при увеличении скорости потока газа с 1 см/с до 4 см/с и лимитируется диффузионной доставкой питающего материала.

2. Скорость росга и конусность НК распределены по длине реакционной зоны нелинейно, скорость травления металла-инициатора одинакова в различных точках реакционной зоны.

3. Диаметр монокристаллических нитей, образующихся на завершающих стадиях роста НК кремния, не зависит от диаметра матричного кристалла и составляет порядка 4 мкм.

4. Способы габитусного профилирования НК Б».

5. Технологический маршрут получения регулярных систем профилированных НК кремния, включающий электрохимическое осаждение золота на металлические подслои, позволивший получить в едином технологическом процессе I О4 кристаллов с разбросом геометрических параметров на уровне не более 2 %, электрических не более 10 %.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены и обсуждены на VII Всесоюзной конференции по росту кристаллов (г. Москва, 1988 г.), VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (г. Горький, 1988 г.), I Всесоюзной школе по росту кристаллов (г. Харьков, 1989 г.), школе по росту кристаллов (г. Ужгород, 1990 г.), Всесоюзной конференции «Получение, свойства, анализ и применение соединений с МКР для новой техники» (г. Нижний Новгород, 1991 г.), конференции по электронным материалам (г. Новосибирск, 1992 г.), Всероссийской конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1996 г.), I Всероссийской конференции по методам получения кремния (г. Москва, 1996 г.).

Регулярные системы нитевидных кристаллов кремния и термопреобразователи на их основе демонстрировались на ВДНХ СССР в рамках выставки «Научно-техническое творчество молодежи» в 1991 г.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 21 работа, получено авторское свидетельство на изобретение. Во всех работах автор принимал участие в проведении экспериментов, моделировании и обсуждении полученных результатов

Структура рабоIм. Диссертация состоит ич введении, четырех iиан, выводов и списка испольчоваииой литературы.

Диссертация содержит 138 страниц, в том числе 55 рисунком, 7 |аблнц и библиографию, включаинцую 189 наименований.

основной содкржлшн; раьоты

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, определены цель и задачи исследований, научная новизна, и практическая значимость полученных результатов, сформулированы положения, выносимые па защиту.

В первой глппе проведен темлппсагнй обзор по проблеме получения нитевидных кристаллов для их последующего использования в измеритель-пых и управляющих системах с учетом новейших публикаций в данной области.

Глава состоит из трех разделов. В первом разделе рассмотрены предпосылки для получения регулярных систем нитевидных кристаллов кремния. Отмечено, что усилиями многих исследователей в последние годы достигнут значительный прогресс в управлении ростом нитевидных кристаллов. Экспериментально изучены и обсуждены последовательные стадии кристаллизации ПК из г,-поной фаты через каплю инициирующего металла, предложены различные модели роста ПК.

Анализ литературы позволил выявить следующие нерешенные проблемы:

О в области кинетики' влияние газодинамических условий и плотности расположения ростовых затравок на скорость роста; оценка скороеiи травления металла-инициатора и влияние этого процесса на конусность получаемых ПК;

Я и области формообразования: управление поперечными размерами HK в процессе выращивания; условия образования монокристаллических нитей на завершающих стадиях роста HK Si по ПЖК механизму.

Рассматриваются имеющиеся в настоящее время лабораторные технологии создания систем затравок для роста ПК Si на монокристаллических пластинах кремния, обозначены их достоинства и недостатки. Делается вывод об отсутствии законченного технологического маршрута получения таких ;истем, предполакиощего использование сшндаргных технологических операций микроэлектроники и позволяющего организован массовое производство кристаллов в широком диапазоне диаметров и с высокой термочувстпи-ельностью.

• s

Второй и третий разделы посвящены вопросам создания мунстигельных элементов на основе [IK Si и контролю их качества. Отмечено, что, несмотря на обилие публикаций по использованию нитевидных кристаллов в измерительной и управляющей аппаратуре, актуальной остается проблема создания омических контактов к ПК Si; практически отсутствуют сведения о причинах отказов и путях повышения надежности ЧЭ.

Вторая глава посвящена описанию использованных материалов, технологии и методик исследования. Она состоит из двух разделов.

В первом разделе описаны конструкции установок и приведены параметры расходных материалов для:

И электрохимического осаждения золота;

■ ионно-плазменного напыления никеля;

И получения ПК Si на монокристаллических пластинах кремния с ориентацией {111J в проточной хлоридной системе (установка включает источник водорода, систему его очистки и осушки, лечь типа «Изоприн» с горизонтальным расположением трубчатого реактора, специальную кварцевую подставку для фиксации образцов по координате реакционной зоны).

Указано, что измереиие скорости роста НК проводилось по методике «меток времени».

Во втором разделе описаны методики создания омических контактов к НК Si (импульсная микросварка, контактно-реактивная пайка), приведены схемы установок для исследования электрических характеристик контактных соединений, температурной зависимости электросопротивления и испытаний ЧЭ на безотказность. Указаны типы использованных корпусов для ЧЭ.

Третья глава, состоящая из трех разделов, посвящена вопросам управления кинетикой и формообразованием нитевидных кристаллов кремния в процессе выращивания по механизму 11ЖК. Рассмотрены физико-химические процессы, протекающие на различных стадиях роста НК, явление образования конусности кристаллов, свойства монокристаллических нитей, образующихся па вершинах НК при их длительном выращивании в аксиальном направлении.

В первом разделе приведены результаты кинетических экспериментов по влиянию скорости потока парогазовой смеси Q (рис. 1, 2) и плотности расположения НК на подложке р (рис. 3) на скорость роста кристаллов. Установлено, что скорость роста резко возрастает с увеличением скорости потока газа, причем ноток, подаваемый со скоростью ~ 4 см/с обеспечивает скорость роста ~ 2 см/с, недостижимую изменением других технологических параметров (например, температуры или мольного отношения реагентов).

Щ 5

2 4

2

\

V

2,0 3,0 О, см/с

Рис I. Зависимость скорости роста ПК в! от скорости потока газа

13 14 15 16 28 29 30 т, С

Рис 2 Зависимость скорости роста от времени нахождения газовой смсси в реакторе: а - скорость потока газа 4 см/с; 6-2 см/с

С изменением плотности расположения ростовых затравок на подложке изменяется характер зависимости У(г) (см.

рис. ЗУ При малой поверхностной плотности (р'"5 мм"2) с ростом г скорость уменьшается по закону У~глп. При повышении р до К мм"' ско{юсгь [ххгга пс{Х"стпет зависеть от радиуса. При еще большей плотосги (р '23 мм'2) более толстые кристаллы начинают расти быстрее -гонких (У~г"(>). Проведенные исследования позволили определить оптимальные режимы (юсгового процесса, обеспечивающие его максимальную производительность и исключающие взаимное влияние растущих кристаллов, которые затем были внесены в технологический маршрут получения регулярных систем ПК кремния.

Сдииг кривых У(т) на рис 2, полученных для различных скоростей газового потока, в направлении оси г(г х'О) позволил сдел;иь вывод о диффузионном характере доставки питающего материала к поверхности растущего кристалла (в случае доставки путем принудительной конвекции чти две кривые сливаются в одну).

0,24

0,16

>- 0,08 0,00

10 20 30 г-Ю', см

Рис.3. Зависимость скорости роста 11К от радиуса: 1 - р ^ 2 мм"2;

2 - р - 8 мм"'; > - р 23 мм'

Во втором разделе для оценки скорости травления металла-инициатора разработана кинетическая модель,в рамках которой получено уравнение для скорости роста кристалла в результате реакции водородного восстановления ЗЮЬ, протекание которой предполагается возможным лишь в определенных местах на поверхности капли, занятых молекулами дихлорида:

• Р*ги

1

»1

Г0,

И, = = Ш к, -,-===-====-„«.,,

^Пт^к! 41жт>'гШ

-0

где ¿^ж,/^ - параметр Вейхера; П - удельный объем атома кремния в кристалле; 0.Ч1С12 - степень заполнения поверхности молекулами 81С]2 при данных температуре и мольном отношении; к| и кг - кинетические коэффициенты.

Степень заполнения поверхности молекулами БЮЬ рассчитывалась по изотерме адсорбции Лэнгмюра, потоки реагентов ^ определялись на основе термодинамического расчета состава газовой фазы.

Далее в предположении о травлении металла-инициатора хлористым водородом с вакантных мест адсорбционного слоя (©„) и с учетом процентного содержания металла в растворе-расплаве (Смс) получено выражение для скорости травления металла-инициатора:

Рис. 4. Распределение по координате реакционной зоны: а - скорости роста; б - конусности НК; в - скорости травления металла-инициатора

Предложенная модель дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет прогнозировать изменение скорости роста НК, скорости травления инициирующего металла и, как следствие - конусности получаемых НК, определяемой отношением Уц, к Ур.

Приведены результаты исследования характера распределения скоростей роста и конусности по длине реакционной зоны, позволившие при их сопоставлении сделать вывод о равномерном характере распределения V,р по координате реактора (рис.4).

В третьем разделе описаны способы стабилизации поперечных размерен НК в процессе выращивания. Показана возможность двоякого решения этой проблемы: либо путем управления конусностью на основе ее зависимости от параметров процесса кристаллизации (Т, т), либо получением монокристаллических нитей постоянного диаметра в едином технолог ическом процессе выращивания НК по 11ЖК механизму.

Изучение параметров нитей показало, что:

1) диаметр нити не зависит от диаметра матричного НК и составляет в наших экспериментах ~ 4 мкм (рис. 5), это значение диаметра нити с большой точностью соответствует абсциссе максимума на кривой V(d), полученной ранее Щетининым A.A.

2.) высота кристалла, на которой начинается образование нити, линейно зависит от диаметра матричного НК.

Образование конусных НК и нитей постоянного диаметра на их вершинах анализируется с точки зрения постоянства термодинамического угла роста кристалла, определяемого соотношением (см. рис. 6):

Предполагается, что при достижении значения 0Р4), поддержание равнове-;ия на периметре смачивания за счет изменения формы кристалла менозмож-то и имеет место изменение формы самой капли, которая, превращаясь в гонкую пленку либо нолностыо испаряется, либо, собираясь под действием :ил поверхностного натяжения в сферу, дает рост вторичному кристаллу рис. 7 а, б, соответственно).

V

О t-_i—,—1—.—1—,—I—,—

0 2 4 6 8 I, ММ

Рис 5. Изменение диаметра НК St по его

¿чпинс дня различных образцов

Рис. 6 Схема тфмодшхамического ¡»анноне-сия капни на вершине конусного I1K

Четвертая глава состоит из трех | разделов. Первый и второй разделы содержат подробное описание технологии получения регулярных систем НК кремния с использованием электрохимического осаждения золота и ионно-нлазменного напыления никеля. Приведены режимы и условия проведения каждой технологической операции по подготовке ростовых по.аложек, сформулированы оптимальные режимы выращивания профилированных НК 81 в открытой хлоридной системе (табл.1).

Третий раздел посвящен элементам технологии термопреобразователей на основе получаемых кристаллов. Проведено сравнение

свойств контактных соединений НК с различными металлами (Аи, Ag, р|, РИ-БЬ), показано, что наиболее приемлемым с точки зрения низкоом-ности и стабильности является использование золота в качестве контактного материала.

Таблица 1

Технологический параметр НК 81 (Аи) с конусностью ~ 1% НК & (Аи) с конусностью <1% НК 81 (Аи) с нитями постоянного диаметра

Температура Т,К 1323-1373 1323 1323-1373

Ш = -7- [И*] 0,008 0,008-0,01 0,008

Скорость потока газа О, см/с 2-4 4 2-4

Плотность затравок на подложке р, мм-2 4-12 \ 4-12 4-12

особые условия К=0 при подпитке со скоростью травления й=Т50г/-1.25 10~3, где й, </ - высота и диаметр матричного НК, м

а б

Рис. 7. Завершающие стадии роста НК в длину: а) испарение капли; б) вторичный рост

11риведен примерный перечень

оборудования и материалов, необходимых д,!я шрнусироиания 1Г) или размещения на рамке-держатеятс

Указано, что зависимости Н(Г) термоэлементов линейны в диапазоне температур 223-373 К. ТКС имеет значение - 0,55 % КГ1 и 0,2 % К1 дня кристаллов с золотом и никелем соответственно. Разброс номинального сопроптлсния по парт ии из 20ЧЭ (5 партий) не более 10 %, ТКС - 5 %.

Для определения показателей надежности ЧЭ исследовано изменение их сопротивления по времени

в условиях статической токовой нагрузки (/ ~ 2 тА) и установлено, что суммарное изменение сопротивления не превышает 5 % за 1 ООО ч (рис. 8). Зависимость К(() описывается аналитически функцией вида

Л(О = а0-V

за исключением небольшого /тачального участка (участка приработки), подчиняющегося закону

Характер зависимости Н(() позволяет сделать предположения о возможных причинах отказов ЧЭ на начальном этапе испытаний (диффузионные процессы) и затем пследстпие перераспределения заряда в слое пассивирующего окисла, адсорбции паров воды и т п

Оценены интенсивность отказов, средняя наработка до отказа и гамма-процентная наработка изготовленных ЧЭ (табл. 2).

_ _ __Таблица 2

1,4

Рис Я Изменение среднего сопротивления ЧЭ на основе ПК кремния по времени в условиях статической токовой нагрузки.

Показатели надежности Партия термо-ЧЭ

(20 шт.)

Интенсивность отказов , ч 1

(с достоверностью 0,6) 1-Ю4

Средняя наработка до отказа, ч 1 -101

Гамма - процентная наработка, ч при

у-85% 1625

у--95% 510

Г 98% 200

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Исследованы зависимости скорости аксиального роста и конусности НК от условий проведения процесса:

1.1. Установлены зависимости скорости аксиального роста Ур от плотности расположения затравок на подложке р (скорость роста не зависит от радиуса кристалла при р-10-12 мм"2, при р<2 мм"2 и р>20 мм"2 характер зависимости К(гцК) степенной) и скорости потока газа возрастает с увеличением {Л харакгер доставки питающего материала к растущему кристаллу - диффузионный).

12. Исследованы распределения скоростей роста и конусности получаемых НК по длине реакционной зоны, установлен их нелинейный характер; скорость травления металла-инициатора в различных точках реактора одинакова.

1.3. Получено выражение, позволяющее прогнозировать изменение скорости травления металла-инициатора.

1.4. Полученные результаты объяснены в рамках предложенной модели химического испарения агента-растворителя с поверхности капли.

2. Исследованы параметры монокристаллических нитей, образующихся на вершинах НК Установлено, что:

2.1. Нить имеет постоянный диаметр по всей своей длине. Конусность нити равна нулю.

2.2. Диаметр нити не зависит от исходного диаметра НК и составляет - 4 мкм.

2.3. Высота начала образования нити линейно зависит от диаметра НК.

Экспериментальные данные объяснены на основе представлений о постоянстве термодинамического угла роста кристалла.

3. На основе полученных результатов разработаны:

3.1. Способ управления конусностью, защищенный авторским свидетельством.

3.2. Технологический маршрут создания регулярных систем профилированных НК Бй предполагающий использование электрохимического осаж- I дения золота на адгезионно-барьерные покрытия ТьГЧ через маску фоторези- 1 ста.

3.3. Метод получения системы НК с использованием иопно-плазменного напыления никеля на пластину кремния со сформированным рельефом по БЮз.

На технологию создания ростовых подложек оформлен комплект кон-структорско-технологической документации.

3 4. Примерный технологический маршрут сборочных операции

4. Исследовано поведение термочувствительных элементов во времени r условиях статической токовой нагрузки. Установлено, что в течение первых 100-150 ч характер зависимости R(t) степенной, затем сопротивление уменьшается по линейному закону. Суммарное изменение сопротивления ЧЭ за 1000 ч не превышает 5 %.

Но результатам испытаний проведена оценка показателей надежности термочувствительных элементов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ:

1. Щетинин A.A., Дунаев А.И., Гиляровский A.B., Долгачев A.A., Попова Е.Е. и др. Перенос кремния, легированного бором и фосфором в закрытой бромидной системе//Получение и анализ чистых веществ: Межвуз.сб,-ГорькиЙ:ГГУ, 1987.-С.29-39.

2. Щетинин A.A., Гиляровский A.B., Попова Е.Е. Роль поверхности жидкость-газ в процессе роста нитевидных кристаллов кремния в открытой хлоридной систсме//Тез. докл. VII Всес. конф. по росту кристаллов.-М., 1988.-С.214-215.

3. Щетинин A.A., Козенков О.Д., Гиляровский A.B., Попова Е.Е. Модель аксиального роста НК кремния в открытой системе Si-11-С1//Изв. АН СССР. Неорганические матсриалы.-1989.-Т.25, № 8.--С. 1237-1239.

4. Щетинин A.A., Небольсин В.А., Гиляровский А.В , Попова Е.Е. Влияние газодинамических факторов на кинетику аксиального роста нитевидных кристаллов кремния.-Воронеж: ВПИ, 1989.-19 е.- Деп. В ВИНИТИ 01.05.89, №3010-В89.

5. Щетинин A.A., Дунаев А.И., Долгачев A.A., Попова Е.Е. и др. Датчики на основе нитевидных кристаллов кремния//Метрология-1991, № 5.-С.З-12.

6. Щетинин A.A., Долгачев A.A., Рощупкин A.M., Попова Е.Е. Модельные представления и механизм радиального роста нитевидных кристаллов кремния/ЛГез.докл. Всес. конф. «Получение, свойства, анализ и применение соединений с МКР для новой техники».-Н.Новгород,1991 -С.111.

7. Батаронов ИЛ., Долгачев A.A., Попова Е.Е., Щетинин A.A. Анализ газокинетических явлений в процессах газофазного получения нитевидных кристаллов кремния// Там же, с. 113.

8. Щетинин A.A., Дунаев А.И., Попова Е.Е. и др. 11олучение тензорези-сторов на основе нитевидных кристаллов кремния//Физ.-хим. аспекты технологии микро- и оптоэлсктроники: Межвуз. сб. науч. тр.-Воронеж: ВПИ, 1991 .-С.117-124.

9. Небольсин В.А., Корчагин В.В., Кордин O.A., Попова Е.Е., Щетинин A.A. Получение регулярных систем нитевидных кристаллов кремния//Физ. и тсхнал. МЭ'Г: Межвуз. сб. науч. тр.-Воронеж, ВПИ, 1992.-С. 53-61.

10. Щетинин A.A., Даринский Б.М., Небольсин В.А., Попова Е.Е., Корчагин В.В. Кинетические закономерности роста нитевидных кристаллов в реакторе с горячими стенками//Тез.докл. конф. по эл. материалам.-Новосибирск, 1992.-С.319-320.

11. Барамзина Е.А., Новокрещенова E.II., Попова Е.Е. Влияние структурных нарушений в НК на процессы электрощ!астичности//Тез.докл. XIV конф. по тепл. микроскопии (структура и прочность материалов).-Воронеж, 1992.-С.139.

12. Щетинин A.A., Даринский Б.М., Небольсин В.А., Попова Е.Е. Особенности кинетики и модель аксиального роста нитевидных кристаллов кремния//Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. науч. тр.-Воронеж: ВПИ, 1993.-С.80-91.

13. Небольсин В.А., Попова Е.Е., Барамзина Е. А., Кургашева А.И. Свойства точечных контактов различных металлов к нитевидными кристаллам кремния//Там же, с. 113-118.

14. Щетинин A.A., Дунаев А.И., Небольсин В.А., Корчагин В.В., Попова Е.Е. Выращивание регулярных систем нитевидных кристаллов крем-ния//Физикакристаллизации: Межвуз. сб. науч. тр.-Тверь, I994.-C.11-20.

15. Щетинин A.A., Попова Е.Е., Небольсин В.А. О конусности нитевидных кристаллов кремния//Физика и технология материалов и изделий электронной техники: Межвуз. сб. науч. тр.-Воронеж:ВПИ, 1994.-С. 43-47.

16. A.C. 1602092 СССР, МКИ5С 308 11/06. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния/А.А.Щетинин, В.А.Небольсин, А.И.Дунаев, Е.Е.Попова.-(СССР).-ДСП.

17. А.А.Щетинин, В.А. Небольсин, Б.М.Даринский, Е.Е.Попова.Ки-нетика роста нитевидных кристаллов кремния в реакторе с горячими стенками // Изв. Вузов. Физика, 1995, № 10.-С.22-27.

18. В.А. Небольсин, А.А.Щетинин, Б.М.Даринский, Е.Е.Попова.Мо-дель аксиального роста нитевидных кристаллов кремния//Изв. Вузов. Физика, 1996, № 5.-С.37-41. !

19. Небольсин В.А., Щетинин A.A., Попова Е.Е., Натарова Е.И. Матрица вертикальных нитевидных кристаллов кремния для изготовления ИС-ЗУ с повышенной смкосто/Л'сз. докл. Всеросс. конф. «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники».-Таганрог: ТГ'У, 1996.-С.50.

20. Небольсин В.А., Щетинин A.A., Попова Е.Е., Сушко Т.Н. Получение монокристаллических нитей кремния методом комбинированной

кристаллизации/Л ез. докл 1 Всеросс. конф. по методам получения крем-ния.-М., 1996.-С.63-65.

21. Небольсин ПА, Болдырев П.Ю., Сушко Т.И., Попова К.П. Капиллярный механизм формообразования конусных нитевидных кристаллов

кремния//Вестник ВГТУ. Сер. «Магериалопедсние», 1996.-Вып.1.1.-С.80-84.

ЛР № 020419 от 12.02.92. Подписано к печати 6.02.97. Наряд-заказ № I. Усл.печ.л. 1,0. Тираж 65 экз. Зак.

Воронежский государственный технический университет 394026 Воронеж, Московский проспект, 14

Участок сператинной полиграфии Воронежского государственного технического университета