автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Оптимизация методов химической подготовки и пассивации поверхности Si с применением фторсодержащих кислот

/ч Научно-Иеследовательский Институт

Физических Проблем им. Ф.В. Лукина

На правах рукописи УДК 621.315.592.

Владислав Владимирович Левенец

Оптимизация методов химической подготовки н иассизгции поверхности Я! с применением фторсодерюшцнх кислот.

Специальность - 05.27.06 (технология полупроводников и материалов электронной техники)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва 1994

Работа выполнена в НИИ Особочистых Материалов.

член-кор. РАН, доктор химических наук, профессор Б.Г. Грибов

доктор химических наук, профессор B.C. Мартемьянов

кандидат технических наук А.И. Хохлов

Ведущая организация - Научно - производственный концерн .

"Научный Центр".

Защита диссертации состоится "....." ..................1994 г. в .....

час. на заседании диссертационного совета Д 142. 05. 01 в НИИ Физических Проблем им. Ф.В. Лукина (г. Зеленоград). Отзывы на диссертацию в двух экземплярах, заверенные печатью учреждения, просим направлять по адресу: 103460, г. Москва, К-460, НИИ Физических Проблем им. Ф.В. Лукина.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИИ Физических Проблем им. Ф.В. Лукина.

Автореферат разослан " ЛА LtjOjSl 1994 г.

Зам. председателя диссертационного совета

д. т. н., профессор ^ л 1 В.Н. Сретенский

Научный руководитель -

Официальные оппоненты -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Процедура подготовки поверхности Si подложки является наиболее часто встречающимся этапом в технологической цепочке производства интегральной микросхемы . Качество эпитаксиального роста тонких пленок на Si подложке в значительной мере определяется

предэпитаксиальной подготовкой поверхности подложки. Фундаментальная задача всякой процедуры подготовки поверхности Si подложки состоит в контроле следующих параметров: шероховатость поверхности, присутствие на ней окисла, ионов металлов, органического загрязнения, микрочастиц.

Все процедуры подготовки поверхности Si, используемые в электронной промышленности на данном этапе, основаны на процедуре "мокрой" химической подготовки поверхности, предложенной в 1970 году Керном и др.. (В зарубежной литературе - процедура RCA.) В настоящее время разработка ULSI с субмикронной топологией выдвигает качественно новые требования к поверхности Si подложки: речь теперь идет об атомарно-чистой поверхности. Процедура химической подготовки поверхности подложки должна гарантировать присутствие ионов металлов - не более 10^ 1/см2, шероховатость - не более 50 А, присутствие механических частиц - не более 1 частицы диаметром 0.L мкм на 100 см2. Для достижения такой сверхчистой поверхности необходимо точное представление о процессах изменения структуры и свойств приповерхностного слоя Si подложки при различных химических обработках; для сохранения такой сверхчистой поверхности необходимо владеть методами эффективной пассивации поверхности Si и методами in-situ удаления пассивирующего слоя с поверхности подложки при низких температурах.

В настоящее время предложено несколько вариантов улучшения процедуры RCA. Во всех этих улучшенных

процедурах для пассивации подложки Бх водородом используется финишная обработка поверхности в НР кислоте. Но НР - кислота средней силы: насыщение водородом "оборванных" химических связей кристаллического Б* на его поверхности после финишной обработки в НР не является полным. В этой связи представляется перспективным применение в качестве пассивирующих агентов сред с более высокой активностью протона - кислот и суперкислот: НВРф 8ЬР5-НР, ШОзР-ЙЬРб.

заключается в оптимизации процесса химической подготовки поверхности для

улучшения структуры и химического состава приповерхностного слоя подложки и разработке нового метода защиты (пассивации) чистой поверхности подложки с использованием фторсодержадцих кислот.

В диссертационной работе можно выделить следующие

- Разработка процедуры "мокрой" химической подготовки поверхности Si с применением НВР4 кислоты.

- Разработка модели, адекватно описывающей изменение структуры приповерхностного слоя подложки 81 при различных обработках поверхности, и оптимизация процедуры подготовки поверхности с использованием фторсодержащих кислот.

1. Разработана новая процедура "мокрой" химической подготовки поверхности Эк впервые для протонирования поверхности Б! использована НВР^ кислота, что позволило достигнуть эффективной пассивации поверхности по сравнению с обработкой в НР кислоте за счет более полного насыщения водородом и фтором "оборванных" химических связей кристаллического 81.

2. Впервые с помощью туннельного микроскопа с нанометровым разрешением получено изображение пассивированной водородом поверхности Si подложки после 18

. часов хранения на воздухе.

3. Показано, что рост 8Ю2 на поверхности подложки, обработанной в НВР4 кислоте, при хранении на воздухе происходит медленнее по сравнению с ростом 8102 на поверхности Б! подложки, обработанной в НР кислоте.

4. Показано, что в особых условиях происходит травление кристаллического крелшия водными растворами НР и НВРф Впервые получены образцы пористого 8х химическим травлением монокристаллической подложки в водном растворе НР и НВР4 кислоты. Скорость формирования пленок пористого кремния при травлении в водном растворе НВР4 на порядок больше скорости формирования пористого кремния при травлении в водном растворе НР кислоты.

5. В рамках зллипсометрической модели поверхности Б! с "интерфейсным слоем" показано, что структура "интерфейсного слоя" при различных химических обработках претерпевает значительные изменения: толщина "интерфейсного слоя" увеличивается, а оптические свойства приближаются к оптическим свойствам кристаллического Бь Эти изменения модельного "интерфейсного слоя" указывают на улучшение кристаллической структуры поверхности Б!.

1. Разработанная в диссертации процедура подготовки поверхности с финишной обработкой в водных растворах НВР4 может быть использована: в технологии \JLSI для предокисяительной обработки, когда "паразитным" фактором является межоперационное время нахождения пластины 81 в атмосфере чистых помещений; при подготовке поверхности 81 для туннельно - микроскопических исследований.

2. Показано, что метод "мокрой" химической подготовки поверхности для технологии 1Л51 и зпитаксиалыюго наращивания является более технологичным, чем широко используемый метод глубокого термического окисления с последующим стравливанием.

3. Представленный способ получения пленок пористого химическим травлением монокристаллического в водных

растворах НР и НВР4 хорошо совместим с традиционной пленарной технологией производства интегральной микросхемы и позволяет формировать заданные области пористого субмикронных размеров.

1. При обработке поверхности Si подложки в НВР4 кислоте достигается более полное насыщение водородом и фтором "оборванных" химических связей кристаллического по сравнению с поверхностно, обработанной в НР. Прагонированная поверхность в обоих случаях представлена гидридами: 51-Н, Б1-Н2 и БЬНз.

2. Рост на воздухе оксидной пленки 8102 на поверхности 81, обработанной в НВР4 кислоте, происходит медленнее по сравнению с ростом вЮ2 на поверхности подложки, обработанной в НР-.

3. Двухкратное повторение цикла "мокрой" химической обработки поверхности 81 приводит к насыщению оптических параметров приповерхностного слоя подложки.

Публикации: Основные "результаты диссертации оп>бликованы в 6 печатных работах.

Структура и объем работы: Диссертация состоит из введения, четырех глав с выводами и заключения. Общий объем диссертации - 91 страница, включая 12 рисунков, 6 таблиц, список литературы (94 наименования) и приложение.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована цель исследования, перечислены научные положения, выносимые на защиту, обоснована научная новизна и практическая ценность работы.

Первая глава представляет собой аналитическому обзор последних работ в области совершенствования процедур подготовки , поверхности для технологии иЬБ1 и

предэпигаксиальной обработки.

Подготовка поверхности Б! подложки состоит из двух частей. В части 1 осуществляется обезжиривание поверхности подложки и ее обработка жидкими растворами кислот и щелочей. Целыо части 1 является удаление с поверхности загрязняющих ее элементов и формирование защитного слоя т.е. пассивация поверхности образца. В части 2 происходит удаление пассивирующей пленки (как правило, это пленка ЗЮ2) с поверхности Б1 подложки посредством термического

травления или десорбции. Основой части 1 подготовки поверхности 81 является процедура "мокрой" химической подготовки поверхности (МХПП). Основой части 2 является высокотемпературное удаление пассивирующей пленки с поверхности подложки.

В аналитическом обзоре так же рассмотрены достижения в области совершенствования процедуры "сухой" химической подготовки поверхности 81 (СХПП) и низкотемпературных методов удаления пассивирующей пленки Б102:

Во второй главе рассмотрен вопрос модификации поверхности кремния во фтор содержащих соединениях: НР и НВР4 кислоте.

Финишная обработка поверхности кремния в НР привлекла к себе большое внимание как способ защиты поверхности после её подготовки даи технологии ии>1. Финишная обработка в растворе НР удаляет "остаточный" 5102 и формирует модифицированную водородом (и фтором)

поверхность 81. Но насыщение водородом "оборванных" химических связей кристаллического Бг на его поверхности после финишной обработки в НР не является полным. В этой связи представляется перспективным применение в качестве пассивирующего агента среды с более высокой активностью протона - тетрафторборной кислоты.

Однако, качество производимой промышленностью тетрафторборной кислоты не соответствует требованиям, предъявляемым к особочистым продуктам. Поэтому, для проведения исследований пассивации поверхности 81 подложки в НВР4 кислоте из высококачественного сырья была наработана тетрафторборная кислота, категории ОСЧ.

Для приготовления образцов использовались 100 мм [100]81 подложки р-типа (легированные В, с удельным сопротивлением 12 О-см). Химикаты, использованные в данной работе, были: Н2О2 (30%), N^011 (30%), НР(49%), НВР4 (60%), Н2Б04 (98%) - категории ОСЧ; деионизованная вода - 18 МП-см

Для модификации поверхности образцов были использованы процедуры МХПП №1 и №2.

Процедура № 1.

1) Н20:Н202:Н2Б04 = 1:1:2 (10 мин. при 433 К); промывка д/в

2) Н20:Н202:ЫН40Н = 5:1:1(10 мин. при 343 К); промывка д/в

3) НР (1 мйн.); промывка д/в

Процедура № 2. 1) Н20:Н202:Н2804 = 1:1:2 (10 мин. при 433 К); промывка д/в 3) Н20:Н202^Н40Н =5:1:1(10 мин. при 343 К); промывка д/в 5) НВР4 (1 мин.); промывка д/в

Для исследования оптических свойств поверхности 81 была использована нулевая эллипсометрия (НЕ). Теоретическая величина Д для "голой" поверхности Б! составляет Дте0р.=179.26 градусов. Экспериментальные стартовые значения были: Анг^^-ОО град. (НР - обработка) и ДнвР4~173.20 град. (НВР4- обработка). Для объяснения этих результатов была использована модель, учитывающая наличие:

химсорбировенного водорода, "интерфейсного слоя" и кристаллической подложки Si. Решетка "интерфейсного слоя" содержит дислокации и напряжения, как результат обработки подложки. Оптические свойства "интерфейсного слоя" отличаются от оптических свойств идеального Si. Другой важный элемент в предложенной модели - химсорбированный Н. Оптические свойства "интерфейсного слоя" были модифицированы химсорбированным водородом (и фтором) после финишной обработки поверхности в водном растворе HF. Но HBF4 г более сильная кислота, что обеспечивает более полное насыщение "оборванных" химических связей кристаллического Si на его поверхности после финишной обработки в HBF4 кислоте, и, следовательно, большее отличие оптических свойств от теоретического значения.

Дтеор. > &HF > AHBF4 (1)

При хранении образцов на воздухе Д убывало. Это было вызвано начавшимся на поверхности Si островковым ростом Si02- Причем:

I ¿¿Wdt | > | dAHBF4/dt! (2)

Скорость окисления поверхности Si, обработанной HBF4, меньше по сравнению со скоростью окисления поверхности, пассивированной с помощью HF.

Десорбция Н и рост Si02 на пассивированной поверхности Si происходит чрезвычайно медленно. На Рис. № 1 и Рис. № 2 представлены масс - спектры вторичных ионов (SIMS, статических режим) с поверхности кремния, обработанной в HF и HBF4, соответственно, после семидневного хранения образцов to воздухе. Помимо ярко выраженного пика m:l (Н) в спектре вторичных ионов с поверхности образца (HBF4 обработка) присутствует очень сильный пик m:19 (F). Химсорбированный фтор на поверхности Si, наряду с водородом играет важную роль в процессе пассивации. Химсорбция F селективно происходит да химически активных местах поверхности Si.

For masses Fop masses 21 -

1 - 20 : I/I (Si)

35* : Ji/Ï (Si)} #10

«

№ tn

ë

r

z

o

i § 2 ®

0

01 "O

Si

OA

o

St ts

ta

a o

De» cn

CO 8JH

K-

__l

C3

><

s: m

o >■

Ln

CD 3=» X) CD

3D

-Q

cr

CAMECA 1MS4F

BARGRAPH

о

-сН

Ж

<сл

сгг

m осп ги

1

■c-f

—<ги

сп сл си си СО СП сл со га аз ЕЕ

С_ С. О о

ю -4

i 1Н

•гтгрггггр-

5 10

Рис. No 2

19F

iacSH

:гсг

15

-Ггтт

го

MASS

23S1H

28S:

30

33

SIMS спектр поверхности Si[100] обработанной в hbf4 после 7 дней хранения на воздухе.

Гладкая докрытая водородом поверхность Si или же шероховатая протонированная поверхность Si с достаточным содержанием фтора чрезвычайно стабильна к окислению на воздухе. Протонированная поверхность Si в обоих случаях представлена различными гидридами: Si-H, Si-H2 и S1-H3.

Результаты, полученные с помощью NE и SIMS, хорошо согласуются с данными сканирующей туннельной микроскопии (STM) на воздухе. Для образцов после HF-обработки было трудно получить изображение поверхности Si уже через полчаса после финишной обработки. И STM изображения были получены только на нескольких процентах от общей площади поверхности образца. Электрическое поле, локализованное в туннельном зазоре, втягивает в эту область ионы кислорода, стимулируя рост SiC>2 на ненасыщенных Н связях кристаллического Si. Возникающие таким образом островки SiC>2 являются дополнительным барьером для туннелирования электронов между иглой и Si. Индуцированный рост SiC>2 пленки на поверхности Si образца вызывает деградацию STM изображения этой поверхности. Но для образцов после HBF4 -обработки туннельный ток, а, следовательно, и STM изображение были стабильными, сканирование поверхности легко осуществлялось в любой точке образца. На Рис. № 3.1 -3.3 представлены характерные STM изображения поверхности Si после 5, 18 и 30 часов хранения на воздухе, соответственно. STM изображения поверхности Si после 5 и 18 часов хранения на воздухе были гладкие, после 30 часов рельеф STM изображения поверхности покрыт резкими выступами, что отражает индуцированный рост SiC>2Ha поверхности образца.

В конце второй главы сделан вывод о том, что обработка поверхности Si в водных растворах HBF4 может быть использована: в технологии ULSI, для предокислитеяьной обработки подложек, при подготовке поверхности Si для туннельно - микроскопических исследований.

В третьей главе описывается механизм формирования пассивированной поверхности Si и процесс травления подножек

е 21 37

2 1334 и.

Рис. N0 3

БТМ изображения • поверхности образца N0 2 (НВР4-сбрабсгпса). Рис. N° 3.1 - 5 часов хранения на воздухе: X = 3 А/дел, У = 3 А/дел, 2-2 А/дел.; Рис. N0 3.2 - 18 часов ранения на воздухе: X = 2 А/дел, У = 2 А/дел, Ъ =2 А/дел.; Рис. № 3.3 - 30 часов хранения на воздухе: X - 5 А/дел, У = 5 А/дел, 2 = 3 А/дел.

и

монокристаллического в водных растворах НР и НВРф

Процесс удаления БЮ2 с поверхности Б! подложки ведет к пассивации поверхности кремния фтором. При этом из-за высокой электроотрицательности атомов фтора происходит перераспределение электронной плотности в приповерхностной области кристалла Бь У атомов Б! первого от поверхности слоя решетки кристалла появляется положительный заряд, а у атомов второго от поверхности слоя - отрицательный заряд.

I I

-И(8-) - Б1(8+)Р

I ■ I

-Я(8-) - Б1(8+)Р

I I

- 81(8") - Б1(8+)р

II

Находящиеся в растворе ионы Н+ и Р- начинают взаимодействовать с фторированной поверхностью кремния. При этом ионы р- взаимодействуют с атомами первого слоя решетки кристалла, а ионы Н+ - о атомами второго слоя. Взаимодействие заканчивается образованием летучего соединения Б1р4, т.е. происходит травление первого от поверхности слоя атомов и образование протонированной поверхности Бь

Вышеописанный механизм пассивации поверхности кремния во фторсодержащих кислотах .объясняет тот факт, что в обычных условиях в НР и НВР4 не травится. Однако, дефекты структуры монокристаллической подложки инициируют процесс травления Б1, что приводит к формированию пористого Бь

С целью изучения этого процесса были получены образцы пленок пористого кремния травлением монокрисгалличесхой подложки Б1 в водных растворах НР и НВР4. Для контролируемого создания дефектов в приповерхностном слое Б1 подложки в данной работе был использован процесс имплантации ионов Б», Б и С1. После имплантации этих ионов и образования приповерхностного дефектного слоя травление

подложки в НР и НВР4 кислоте происходило по всей имплантированной площади с образованием пленки пористого 81. Механизм формирования пористого 51 при химическом травлении является авторегулируемым процессом. Причем, существенный вклад в этот процесс вносят силы поверхностного натяжения на поверхности пор и столбиков и связанные с ними упругие напряжения кристаллической решетки.

Скорость формирования пленок пористого кремния при травлении подложки в водном растворе НВР4 на порядок больше скорости формирования пленок пористого кремния при травлении подложки в водном растворе НР кислоты.

В конце третьей главы сделан вывод о том, что представленный способ, получения пленок пористого в! химическим травлением монокристаллической подложки в! по дефектам в водном растворе НР и НВР4 хорошо совместим с традиционной планарной технологией производства интегральной микросхемы.

Четвертая глава посвящена исследованию изменения оптических свойств приповерхностного слоя Б1 подложки после различных процедур подготовки поверхности методом нулевой эллилсометрии.

Граница раздела 8102/81 стала предметом интенсивных исследований, т.к. толщина подзатворного диэлектрика для и 1^1 уровня 64 М должна быть -54-10 нм. В этом случае, структура "интерфейсного слоя" между подложкой и 8102 пленкой является определяющей. '

Наряду с МХПП для подготовки поверхности подложки используется процедура глубокого термического окисления Бь

. Для приготовления образцов были использованы 3 процедуры:

Процедура № 1. Пункт I.

1) Нг0:Н202:Н2804 = 1:1:2 (10 мин. при 433 К); промывка д/в

2) НгОЛгО^ЯЩОН = 5:1:1(10 мин. при 343 К); промывка д/в

3) НВР4 (40 сек. при 293 К); промывка д/в

Пункт 2. (Повторение пункта 1) Пункт 3. (Повторение пункта 1) Пункт 4. (Повторение пункта 1)

Процедура № 2. Пункт I.

1) H20:H2(>2:NH40H = 5:1:1(10 мин. при 343 К); промывка д/в

2) HBF4 ( 15 сек. при 293 К); промывка д/в Пункт 2. (Повторение пункта 1)

Пункт 3. (Повторение пункта 1)

Процедура № 3. Пункт 1. . „

1) Окисление при 1273 К (толщина SÍO2 - 0.1 мкм)

2) НР.К2О = 1:10 (стравливание слоя окисла до полного скатывания при 293 К); промывка д/в

Пункт 2. .

1) H20:H202:H2S04 = 1:1:2 (10 мин. при 433 К); промывка д/в

2) H20:H202'.NH40H = 5:1:1(10 мин. при 373 К); промывка д/в

3) Окисление при 1273 К (толщина SÍO2 - 0.1 мкм)

4) НРН2О = 1:10 (стравливание слоя окисла до полного скатывания при 293 К); промывка д/в

Пункт 3. (Повторение пункта 2) Пункт 4. (Повторение пункта 2)

После каждого пункта с интервалом в 24 часа проводились эллипсометрические измерения. Рост пленки SÍO2 прекращается, когда ее толщина достигает 1 нм. Этот факт был использован при моделировании. Модель, использованная для интерпретации экспериментальных данных, состояла из воздуха (показатель поглощения Ко=0, показатель преломления Ng=l), слоя 1 (пленка S1O2: Ki=0, N 1=1.460, толщина dl=l нм), слоя 2 ("интерфейсного слоя") и слоя 3 ( подложка кристаллического Si: Кз=0.018, N3=3.865, ¿3 -> оо).

Оказалось, что состав и структура "интерфейсного слоя" между SÍO2 и Si при обработке поверхности претерпевают значительные изменения. Общая тенденция в эволюции "интерфейсного слоя": его толщина (d2) возрастает, а

оптические свойства (N2 и К2) приближаются к оптическим свойствам кристаллического Бь Если бы химическая обработка поверхности Si была идеальной, в соответствии с моделью "интерфейсный слой" приобрел бы следующие характеристики:

N2 = N3, к2 = к3, й2 = а3.

Параметры "интерфейсного слоя" достигали своего насыщения уже после пункта 2 процедуры № 1 и № 2. В случае процедуры № 1 параметры насыщеш1я были: N2™° = 3.880 и К2нас = 0.025. Насыщенные оптические функции "интерфейсного слоя" не совпадают с оптическими функциями кристаллического 81. В случае процедуры № 2 параметры насыщенного "интерфейсного слоя" были: ^нас = 3.890 и К.2тао = 0.020. Эти результаты доказывают не эффективность сложных процедур подготовки поверхности 81,

состоящих из множесгва'циклов окисления - травления.

Насыщение показателя преломления происходило уже после пункта 1 процедуры № 3, когда для подготовки поверхности использовалось глубокое термическое окисление. (Ы2ШС = 3.900) Однако, глубокое термическое окисление подложки приводит к возникновению в объеме кристалла окислительных дефектов.

В конце четвертой главы сделаны выводы о том, что "мокрая" подготовка поверхности Бь является более технологичной, чем. широко используемый метод глубокого термического окисления с последующим стравливанием.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

1. Нулевая зллипсометрия и масс-спектрометр ия вторичных ионов показали, что обработка подложек в НВР4 позволяет достичь лучшей пассивации поверхности Б! по сравнению с обработкой в НР за счет более полного насыщения водородом и фтором "оборванных" химических связей кристаллического Б!. Пассивированная в НВ?4 поверхность представлена различными гидридами - 8ьН, 81-Н2 и Бх-Нз.

2. Скорость окисления на воздухе поверхности 81, обработанной в НВР4, меньше скорости окисления поверхности обработанной в НР.

3. Полученное с помощью сканирующего туннельного микроскопа изображение обработанной в НВР4 поверхности 81 после 18 часов хранения на воздухе было стабильным, сканирование легко осуществлялось на больших площадях в любой точке поверхности образца.

4. Таким образом, обработка поверхности в водных растворах НВР4 может быть использована: в технологии иЦ31 для предокислительной обработки, когда "паразитным" фактором является межоперационное время нахождения пластины Б! в атмосфере чистых помещений; при подготовке поверхности для туннельно- микроскопических исследований.

5. Показано, что в особых условиях происходит химическое травление кристаллического водными растворами НР и НВР4. Сформированы образцы пористого 81, полученные чисто химическим травлением подложки в водных растворах НР и НВР4 кислоты. Скорость формирования пленок пористого кремния при травлении подложки в водном растворе НВР4 на порядок больше скорости роста пористого кремния при травлении в водном растворе НК

6. В рамках эллипссметрической модели поверхности с "интерфейсным слоем" показано, что структура "интерфейсного слоя" претерпевает значительные изменения при обработке поверхности: толщина "интерфейсного слоя" увеличивается, а оптические свойства приближаются к оптическим свойствам кристаллического Бь Эти изменения модельного "интерфейсного слоя" указывают на

улучшение кристаллической структуры поверхности Si.

7. Двухкратное повторение цикла "мокрой" химической обработки поверхности Si приводит к насыщению оптических параметров приповерхностного слоя. Данный метод подготовки поверхности Si является более технологичным, чем широко используемый метод глубокого термического окисления с последующим стравливанием.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ОСНОВНЫМ РЕЗУЛЬТАТАМ ДИССЕРТАЦИИ:

1. Beklemishev V.I., Gontar V.M., Levenets V.V., Maklionin I.I. Novel technique for porous Si films preparation // International Symposium on Advanced Laser Technologies Proceedings. SPIE, 1993, November 8-13 , Prague.

2. Левенец B.B., Минаждинов M.C. Предэпитаксиальная ' обработка поверхности Si // Электронная техника. Сер. 3

Микроэлектроника.. 1992, Вып. 2 (147) - 3 (148), С. 45.

3. Беклемышев В.И., Гонтарь В.М., Левенец В.В., Махонин И.И., Тимошенко В.Ю. Пористый кремний в технологии микроэлектроники // Электронная промышленность. 1994, № 2, С. 36.

4. Беклемышев В.И., Левенец В.В., Махонин И.И., Минаждинов М.С., Селецкая И.В. Исследование оптических свойств поверхности Si после различных химических процедур подготовки подложки для технологии СБИС методом нулевой эллипсометрии // Электронная промышленность. 1994, № 2, С. 39. '

5. Beklemishev V.I., Levenets V.V., Makhonin I.I., Minazhdinov M.S., Seletskaia I.V. Examination of Si substrate surface after different chemical pre-treatments by means of nulling t effipsometry // Journal of Electrochemical Society. 1994, Vol. 141, №2, p. 554.

6. Беклемышев В.И., Грибов Б.Г., Левенец B.B., Махонин И.И. Пассивация поверхности кремния в HBF4 // Микроэлектроника (статья принята к публикации)