автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники

Введение

Глава 1. Теоретические основы топографической диагностики газофазных процессов

1.1. Диагностика газовой фазы в осесимметричных фазовых объектах

1.2. Топографическая диагностика низкотемпературной динамической плазмы

1.2.1. Двухдлинноволновая интерферометрия плазмы

1.2.2. Чувствительность интерференционных измерений

Рост сложности интегральных схем и соответствующее ужесточение технологических требований, связанных с увеличением количества стадий технологического цикла изготовления интегральных схем, увеличением диаметра пластин, микроминиатюризацией элементов, повышением однородности и качества слоев, стимулируют разработки новых технологий и совершенствование традиционных. В значительной мере это относится к газофазным процессам реакционной конденсации, низкотемпературной динамической плазменной обработки, широко использующимся в микроэлектронике для осаждения эпитаксиально-пленочных структур и подготовки поверхности подложек.

Потенциал развития этих процессов существенно зависит от уровня оптимизации газодинамических условий в рабочей зоне реактора. Особое значение оптимизация газодинамических условий имеет в гетерогенных процессах реакционной конденсации, макроскопическая скорость которых лимитируется диффузионной стадией, и при обработке материалов в струйной плазме при атмосферном давлении.

В связи с тем, что для газофазных процессов реакционной конденсации характерны:

- взаимосвязанное развитие профилей скоростей, температур и концентраций;

- существенная неизотермичность;

- переменность состава многокомпонентной парогазовой смеси как в объеме реакционной камеры, так и на поверхности подложки; взаимосвязанность (сопряженность) концентраций компонентов на горячей поверхности с процессами тепло- и массообмена в объеме газовой фазы;

- влияние свободной конвекции;

- влияние диффузии и теплопроводности в направлении течения парогазовой смеси;

- методы расчета газодинамических условий очень сложны [1 - 7], причем, точность вычислительных алгоритмов во многом определяется уровнем экспериментальной техники, используемой при определении параметров газовой фазы.

Не менее сложной проблемой является диагностика плазменного потока, без которой невозможно получить стабильность параметров плазмы, воспроизводимость результатов, нужное качество обработки [8-11].

Наиболее достоверные сведения при диагностике газовой фазы дают прямые экспериментальные методы визуализации прозрачных сред, среди которых особое место занимает топографическая интерферометрия [12 - 15]. К преимуществам методов голографической интерферометрии можно отнести отсутствие инерционных погрешностей, что дает возможность выполнять точные измерения быстро протекающих процессов, голографические измерения не искажают истинной картины объекта, поскольку энергия, поглощаемая средой, мала по сравнению с энергией, передаваемой в процессе теплообмена.

Целью настоящей работы является исследование методами голографической интерферометрии газодинамических течений в гетерогенных процессах реакционной конденсации и низкотемпературной динамической плазме при групповой и индивидуальной обработке пластин, оптимизация технологических режимов этих процессов и реакционного пространства.

В качестве объектов исследования выбраны осесимметричные фазовые объекты - многопозиционный реактор с резистивным нагревом подложек для эпитаксии GaAs из МОС, однопозиционный реактор для химического осаждения из газовой фазы эпитаксиально-пленочных структур при воздействии некогерентного ИК - излучения (RTCVD, Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition), а также реактор для обработки пластин в низкотемпературной динамической плазме.

Выбор осесимметричных реакторов в качестве объектов исследований среди большого многообразия используемых в настоящее время типов реакторов обусловлен следующими преимуществами каждого из них: в многопозиционных осесимметричных реакторах парогазовая смесь проходит только над одной подложкой во время осаждения, это обеспечивает низкое автолегирование формирующихся слоев, все подложки при обработке находятся в одинаковых газодинамических условиях, конструкция реактора допускает возможность увеличения диаметра подложек;

- однопозиционные осесимметричные реакторы имеют небольшие размеры, что позволяет быстро менять состав технологических сред, интегрировать различные процессы в едином технологическом цикле или интегрировать однопозиционные модули, упрощает контроль процесса в реальном времени. Использование в однопозиционных реакторах для термического воздействия некогерентного ИК -излучения примерно на три порядка сокращает термический бюджет процесса.

Результаты, полученные автором при достижении поставленной цели, представлены в главах диссертации.

В первой главе рассматриваются теоретические основы методов голографической интерферометрии, специфика исследований осесимметричных фазовых объектов, особенности голографической диагностики динамической струйной плазмы. Определены методы визуализации газовой фазы в исследуемых объектах - двухэкспозиционная голографическая интерферометрия и голографическая интерферометрия в реальном времени.

Вторая глава посвящена описанию техники и аппаратуры для проведения исследований. В ней изложены принципы построения оптических схем, способы их юстировки, приведено описание голографического измерительного комплекса, методик двухэкспозиционной голографической интерферометрии и голографической интерферометрии в реальном времени.

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований течений водорода, аргона и их смесей в многопозиционном осесимметричном реакторе с резистивным нагревом. Приведены результаты расчета газодинамических параметров реактора, дан прогноз состояния газовой фазы в реакторе. Обсуждается влияние высоты свободного пространства над пьедесталом, скорости и способа подачи газа на характер газодинамических течений и температурных полей в реакторе.

Четвертая глава посвящена исследованиям газовых потоков в быстрых термических процессах. Дано описание конструкции однопозиционного осесимметричного реактора с быстрым термическим воздействием и приведены его газодинамические параметры. Изложена специфика диагностики быстрых термических процессов. Представлены результаты экспериментальных исследований температуры подложки, газодинамических течений водорода и аргона и температурных полей в газовой фазе при изменении скорости и способа подачи газа в реактор, диаметра подложки и высоты свободного пространства над подложкой. Приведены результаты исследований переходных процессов в газовой фазе при изменении продолжительности термического воздействия и влияния "термической памяти".

Результаты комплексных исследований позволили дифференцировать технологические факторы по степени влияния их на газодинамику. Показана возможность оптимизации и контроля газодинамических и температурных условий при протекании быстрых термических процессов.

Пятая глава содержит результаты исследований низкотемпературной динамической плазмы. Анализируется специфика диагностики плазмы. Представлены результаты экспериментальных исследований режима течения и состава динамической плазмы.

Научная новизна полученных и изложенных в диссертационной работе результатов заключена в следующем:

1. Показана возможность использования методов голографической интерферометрии для визуализации картин течения водорода и аргона в осесимметричных реакторах и низкотемпературной динамической плазме.

2. Получено экспериментальное подтверждение возможности оценки газодинамических условий в осесимметричных реакторах по безразмерным критериям Яе и Яа, показано, что оценка газодинамических течений по величине комплекса Ог/Яе является неправомерной.

3. Представлены результаты параметрических исследований газодинамики и температурных полей в осесимметричных реакторах проточного типа для групповой и индивидуальной обработки пластин в процессах реакционной конденсации и низкотемпературной динамической плазме.

4. Экспериментально установлено влияние теплопроводности газов (Н2, Аг) на распределение температуры в газовой фазе.

5. Изучена роль естественной и вынужденной конвекции при формировании газодинамических течений.

6. Обнаружено явление рециркуляции аргона в однопозиционном осесимметричном реакторе в условиях смешанной конвекции.

7. Изучены переходные процессы в газовой фазе при изменении продолжительности воздействия некогерентного ИК-излучения и влияние "термической памяти" в быстрых термических процессах.

8. Исследована газодинамика низкотемпературной струйной плазмы, определено распределение ее основных компонентов.

Практическая значимость работы определяется следующим:

1. Выполнены параметрические исследования газодинамических течений в осесимметричных реакторах для газофазных процессов микроэлектроники методами двухэкспозиционной голографической интерферометрии и интерферометрии в реальном времени, результаты которых могут быть использованы при оптимизации технологических режимов и конструировании оборудования.

2. Определено влияние технологических параметров процессов, геометрических характеристик реакционной зоны на температурные поля газовой фазы и подложки. Показана взаимосвязь температур подложки и газовой фазы.

3. Дифференцированы по степени влияния на газодинамические течения технологические параметры газофазных процессов, определены параметры, которые могут наиболее эффективно использованы для оптимизации и контроля газовых потоков в быстрых термических процессах.

4. Разработан метод оптимизации и контроля газодинамических течений по оптической плотности газовой фазы. Показано, что основным критерием оптимальности газодинамических условий в реакторе является постоянство оптической плотности газовой фазы над поверхностью подложки в радиальном направлении, для контроля оптической плотности газовой фазы может использоваться визуализированная интерференционная картина потока.

5. Установлены оптимальные условия, определяющие стабильность низкотемпературной динамической плазмы и однородность ее параметров.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты параметрических исследований газодинамики в осесимметричных реакторах различной конструкции для процессов реакционной конденсации и низкотемпературной динамической плазменной обработки.

2. Результаты измерений температурых полей в газовой фазе, полученные методами голографической интерферометрии, исследование влияния газовой фазы на температуру подложки, корреляция температурного режима с технологическими параметрами процессов и геометрическими характеристиками реакционной зоны.

3. Влияние теплопроводности газов на распределение температуры в газовой фазе.

4. Результаты исследований переходных процессов в газовой фазе при изменении продолжительности воздействия Р1К-излучения и влияния "термической памяти".

5. Метод оптимизации и контроля газодинамических течений по плотности газовой фазы.

Заключение

Таким образом, результаты исследований свидетельствуют, что в изученной области экспериментальных условий параметрами, оказывающими максимальное влияние на характер течения плазменной струи, являются:

- соотношение расходов плазмообразующего и стабилизирующего газов, оптимальное значение 1 : 6;

- расходы плазмаобразующего и стабилизирующего газов, оптимальные значения 0,5 л/мин и 3 л/мин соответственно;

- тока дуги плазмотрона, оптимальное значение составляет 10А; Стабильный уровень концентрации электронов в плазменной струе

18 -3

1,5 10 см ) устанавливается на расстоянии 2 мм от среза сопла плазмотрона.

Рис. 5.9. Микронеоднородности течения плазменной струи. Расход стабилизирующего газа 4,0 л/мин.

Рис. 5.10. Нарушение осевой симметрии плазменной струи.

Основным содержанием работы явилось проведение исследований газодинамических течений и температурных полей методами топографической интерферометрии в газофазных процессах микроэлектроники, широко применяющихся в технологии изготовления интегральных схем - гетерогенных процессах реакционной конденсации и процессах низкотемпературной динамической плазменной обработки, протекающих в одно- и многопозиционных осесимметричных реакторах.

1. На основе анализа перспективности и характеристик газофазных процессов микроэлектроники в качестве объектов исследований были выбраны быстрые термические процессы, основанные на использовании некогерентного ИК - излучения, процессы эпитаксии ваАэ из металлоорганических соединений и процессы, протекающие при воздействии на полупроводник струйной плазмы при атмосферном давлении.

2. Показана необходимость разработки новых методов диагностики и контроля газофазных процессов, продемонстрированы преимущества методов голографической интерферометрии, взятых за основу в настоящей работе и позволяющих визуализировать газодинамические течения быстропротекающих процессов в реальном времени без искажения истинной картины объекта.

3. Реконструирован голографический измерительный комплекс, разработаны методики визуализации и записи голографических интерферограмм газовых потоков методами двухэкспозиционной голографической интерферометрии и в реальном времени с учетом специфики плазменной обработки, воздействия некогерентного ИК -излучения, резистивного нагрева.

4. Выполнен анализ динамического поведения транспортирующих газов (Н2 , Аг) в исследуемых фазовых объектах. Показано, что формирование газодинамических течений происходит в соответствии с прогнозами по значениям критериев Яа и Яе. Для потоков водорода в изучаемой области экспериментальных условий характерно ламинарное течение, для аргона - смешанная конвекция.

5. В ходе проведения экспериментов по визуализации газовых потоков:

- установлена корреляция между технологическими параметрами процессов, геометрией реакционной зоны и температурными полями в газовой фазе; показана необходимость оптимизации соответствия температуры подложки, скорости потока и параметров реакционной зоны. показано, что наиболее эффективно воздействует на газодинамическую ситуацию в реакторе скорость газового потока; получена эмпирическая зависимость влияния расхода водорода на распределение температуры и плотности газовой фазы в реакторе для быстрых термических процессов.

- дифференцировано влияние естественной и вынужденной конвекции. Показано, что в условиях смешанной конвекции в водороде возникают 11а-нестабильности, в аргоне - зоны турбулентности и рециркуляционные области. В условиях вынужденной конвекции потоки аргона и водорода ламинарные, причем, для аргона характерно возникновение рециркулярных областей.

- показано влияние теплопроводности газов на распределение температуры. В аргоне, вследствие его низкой теплопроводности, вблизи подложки в ламинарном слое возникает зона повышенной температуры. В водороде распределение температуры более равномерно.

- изучены переходные процессы в газовой фазе и эффект "термической памяти" при протекании быстрых термических процессов. Показано, что влияние "термической памяти" приводит к временной нестабильности температуры подложки и газовой фазы.

- впервые визуализированы краевые эффекты и развитие потока по длине реакционной зоны при протекании гетерогенных процессов реакционной конденсации в осесимметричных реакторах в условиях воздействия вынужденной и смешанной конвекции; показано, что уменьшение высоты свободного пространства и увеличение скорости газового потока стабилизирует течение и уменьшает протяженности начальных участков.

6. Исследования газодинамики низкотемпературной динамической плазмы позволили определить условия стабильного состояния плазмы с контролируемой концентрацией компонентов и показали, что главным стабилизирующим фактором является соотношение стабилизирующего и плазмаобразующего газов.

7. Разработана модель оптимизации газодинамических течений при протекании гетерогенных процессов кристаллизации из газовой фазы, представлен механизм ее реализации. В основе модели лежит принцип постоянства оптической плотности газовой фазы в рабочей зоне реактора, в качестве наблюдаемой переменной в системе контроля оптической плотности используется смещение интерференционных полос на голографической интерферограмме от оптимального, визуализируемого методом голографической интерферометрии в реальном времени.

8. Полученные результаты использовались при создании программно-аппаратного комплекса для автоматизированного управления газовыми потоками в реакторах для быстрых термических процессов (программа Министерства образования РФ "Конверсия и высокие технологии").

9. Ряд результатов работы внедрен в учебный процесс (курсы "Физико-химические основы технологии микроэлектроники", "Новые технологические процессы микроэлектроники", "Быстрые термические процессы").

1. Mori Y. Buoyancy. Effects in Forced Convection Flow over a Horizontal Flat Plate. II J. Heat Transfer, 1961, V.83, N4, p.p. 479-482.

2. Gill W.N., Delcassal E.A. Theoretical Juvestigation of Natural Convection Effects in Forced Horizontal Flows. II A. J. Cn. E Journal, 1962, V.8, N4, p.p. 513-518.

3. Hwaug G.J., Gheng K.C. Convection Instability in the Thermal Entrance Region of Horizontal Parallel- Plate Channel Heated from Below. II J. Heat Transfer. Trans. ASME, 1973, V. 95, N1, p.p. 72-77.

4. Kamotani Y., Ostrach S. Effects of Thermal Instability on Thermally Developing Laminar Channel Flow // J. Heat Transfer Trans. ASME, 1976, V.98, N1, p.p. 6266.

5. Райнов Ю.А., Турилин C.M., Райнова Ю.П., Чистяков Ю.Д. Тепло- и массоперенос при газофазной эпитаксии кремния // Обзоры по электронной технике, серия 7 «Технология, организация производства и оборудование», 1987, с.64.

6. Шлихтинг Г. Возникновение турбулентности / перевод с английского. М.: ИИЛ, 1962, с. 203.

7. Джалурия И. Естественная конвекция. Тепло- и массообмен / перевод с английского. М.: МИР, 1983, с. 400.

8. Evans D.E. Conference Report of Fourth International Symposium on Laser -Aided Plasma Diagnostics // J. Nuclear Science and Technology, 1990, V. 27, N3, p. 281.

9. Лазерные методу исследования плазмы / под ред. Зайдель А.Н., Островская Г.В, Л.: Наука, 1977, с. 386.

10. Кулик П.П., Агриков Ю.М. и др. Метод измерения тепловых потоков в низкотемпературной плазме//ПТЭ, 1988, №2, с. 131.

11. П.Алехин З.В., Боровиков В.В., Воронин В.В. Интерференционные исследования пучковой плазмы в инертных газах // ЖТФ, 1990, т. 60, №4, с. 176.

12. Sparrow Е.М., Eichhorn R., Gregg I.L. Combined forced and free convection in a boundary layer flow // Phys. Fluids, 1959, V.2, N 3, p.p. 319-328.

13. Райнова Ю.П., Бархоткин А.В Диагностика и контроль быстрых термических процессов // Известия ВУЗов. М.:МИЭТ, 1999, №4, с. 59-71.

14. Gilling L.I. Flow patterns in horizontal epitaxial reactor cells observed by interference holography // J Electroch. Soc., 1982, V. 129, N3, p.p. 634-644.

15. Gilling L.I. Temperature and flows in horizontal EPI reactors // J. De Physique, 1982, V. 5, N12, p.p. 235-246

16. Dilavary A.H. Shekely J. Computer results for an MOSCVD system with a conical rotating substrate // J. Crystal Growth, 1989, V.97, p.p. 777-791/

17. Dilhac I.M. Temperature and process control in Rapid Thermal Processing. Advanced in Rapid Thermal and Integrated Processing. F. // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 143-162.

18. Williams I.E., Peterson R.W. The application of holographic to the visualization of flow and temperature profiles in a MOCVD reactor cell // J. Crystal Growth, 1986, Y.77, N13, p.p. 128-135.

19. Guidotti D. Optical Reflectance Thermometry for Rapid Thermal Processing // J. of Vacuum Science and Technology, 1998, V.16, p.p. 609-612.

20. Голографическая интерферометрия фазовых объектов / под ред. А.И. Бекетова. JL: Наука, 1979, 216 с.

21. Хауф В., Григуль У. Оптические методы в теплопередаче / перевод с английского. М.: МИР, 1973, -276 с.

22. Вест Ч. Голографическая интерферометрия / перевод с английского. М.:МИР, 1977, 178 с.

23. Островский Ю.И. Голография. М.:Наука, 1971, 342 с.

24. Агриков Ю.М., Антропов A.M. и др. Динамическая плазменная обработка поверхности твердого тела // Сб Плазмохимия 89 Ч 1, М.: Наука, 1989, с. 131151.

25. Alpher R.A., White D.R. Optical refractivity of high temperature gases. II: Effects from ionization of monoatomic gases // Phys. Fluids., 1959, V.162, N2, p.p. 153.

26. Leith E.N., Upatniecs I. Reconstructed wavef rants and communication theory // J. Opt.Soc.Am., 1962, V.52, p.p. 1123-1136.

27. Строук Дж. Введение в когерентную оптику и голографию / перевод с английского. М.:МИР, 1967, 426 с.

28. Merzkirch W. Flow Visualization. New York.: Academic Press, 1974, 324 p.

29. Бурмаков А.П., Островская Г.В. Интерференционно топографическое исследование плазменной струи с помощью лазера // ЖТФ, 1970, т.40, с. 660.

30. Бурмаков А.П., Авраменко В.Б. и др. Применение топографической интерферометрии для диагностики эрозионных импульсных плазменных ускорителей // Проблемы голографии, вып. 3. М.".Наука, 1973, с. 426.

31. Бурмаков А.П., Зайков B.JL, Новик Г.М. Исследование импульсной плазменной струи методом топографической интерферометрии // Теоретическая физика. Минск: Изд. ИФАН БССР, 1975, с. 391.

32. Бархударов Э.М., Березовский В.Р. и др. Голография в области 10,6 мкм и возможность ее применения для диагностики плазмы // Письма в ЖТФ, 1976, т. 2, вып. 23

33. Hugenshmidt M., Vollrath К. Optics and Laser Technics // Сотр. Lend., 1971, N3, p.p. 93-107.

34. Collier R.I., Doherty E.T., Pennington K.S. Application of moiré techniques to holography//Appl. Phys. Letts, 1965, V.7, N8, p.p. 157-163.

35. Iahoda F.C. Submicrosecond holographic cine-interferometry of transmission objects // Appl. Phys. Letts, 1969, V.14, N14, p.p. 231-239.

36. Fitziong I.L., Holstain W.L. Devergent flow in chemical vapour deposition reactor //J. Electrochem. Soc., 1990, V.137, N2, p.p. 699-703.

37. Holstain W.L., Fitziong I.L. Mathematical modelling of cold-wall channel CVD -reactors//J. Crystal Growth, 1989, V.94, p.p. 131-144.

38. Jensen K. Transport phenomena and chemical reaction issues in OMVPE of compound semiconductors // J. Crystal Growth, 1989, V.89, p.p. 148-166.

39. Yeckel A., Middleman S. Stratgies for the control of deposition uniformity in CVD //J. Electrochem. Soc., 1988, V.92, p.p. 33-36.

40. Jackson D. Influence of carrier gases on pyrolisis of organometallics // J. Crystal Growth, 1989, V.94, p.p. 459-468.

41. Holstein W.L., Fitzjohn I.L. Effect of Buojance Forces and Reactor Oreintetion on Fluid Flow and Growth Rate Uniformiti in Cold Wall Channel CVD Reactors // J. Crystal Growth, 1989, V.94, p.p. 145-158.

42. Chen К., Chen M. Thermal instability in forced convection boundary layer // J. Heat Transfer. Trans ASME, 1984, V.106, p.p. 284-189.

43. Rainova J.P., Turilin S.M., Sorokin I.N., Antonenko K.I. An Investigation of Gas Flow in the Epitaxy of Silicon // Inorganic Materials, 1995, V.31, p.p. 137-144.

44. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя / перевод с английского. М.% Наука, 1974,- 711 с.

45. Азизов А. Переход от ламинарного к турбулентному режиму течения в пограничном слое // Тепло- и массоперенос, т.9, Минск: Наука и техника, 1969, с. 131-132.

46. Roozenboom F. Manufacturing Equipment Issues in Rapid Thermal Processing. Rapid Thermal Processing. Science and Technology / Eg. Richard B. Fair: Academic Press.

47. Saraswat K.C. Rapid Thermal Multiprocessing for a programmable factory for manufacturing of LCS. Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing. Ed. Roosenboom // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 375-414.

48. Moslehi M.M., Paranjpe A., etc. RTP-key to Future Semiconductor Fabrication // Solid State Technology, 1994, Y.318, p.p. 375-414.

49. Borisenko V.E., Hesketh P.I. Rapid Thermal processing of Semiconductor. Microdevices Physics and Fabrication technologies. Series Editors / I. Brodie and A. Sher. SRI International Menlo Park. C.A. 1997, p. 225.

50. Schietinger C. Wafer temperature measurement in RTP. Advances in Rapid Thermal and Integration Processing. Ed. Roosenboom F. // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 103-124.

51. Timans P.I. Temperature Measurement in Rapid Thermal Processing // Solid State Technology, 1997, V.40, Iss. 4, p.p. 63-68.

52. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. M.: Изд. АН СССР, 1957, 437 с.

53. Олейник Б.Н., Лаздина С.И. и др. Приборы и методы температурных измерений. М.: Изд-во стандартов, 1987, 296 с.

54. Wagner I., Boebel F.G. Temperature Measurement at RTP Facilities. An Overview. Rapid Thermal and Integrated Processing MRS Symposium Proc., 1996, V.429, p.p. 303-308.

55. Lee Y.K., Khuriyakub В.Т., Saraswat К.С. Temperature Measurement in Rapid Thermal Processing Asoustic Techniques // Review of Scientific Instuments, 1994, V.65, Iss. 4, p.p. 974-976.

56. Degerkin F.L., Khuriyakub B.T., Saraswat K.C. In situaconstic Temperature Tomography of Semiconductor Wafers // Appl. Phisics Letters, 1994, V.64, Iss 11, p.p. 1338 1340.

57. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федоров Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур М.: Радио и связь, 1985, с. 117132.

58. Conrad К.A., Sampson R.K., etc. Design and Construction of a Rapid Thermal Processing System for in sity Optical Measurement // Review of Scientific Instruments, 1996, Y.67, p. 3954.

59. Peters L. Semiconductor International. 1991, V.14(9), p. 56.

60. Voorthes D.W., Hall D.M. Soc Photo Optic Instruments // Eng. Symp. Proc., 1991, V.1595, p.p. 61-64

61. Ionqste I.F., T.G.M.O.G.C. Bart, G.C.A.M. Jaussen, S. Radellaar Deformation if Si (100) Wafers during rapid thermal annealing // L. Appl. Phys., 1994, V.75, p.p. 2830-2836.

62. Moslehi M.U., Lee Y.J., etc. Single wafer process integration and process control techniques. Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing. Ed. Roozeboom F. // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 103-124.

63. Rainova Y.P., Pezold J., Antonenko K.I., Eichhorn G. Application of Holographic Interferometry to Flow Ratteru Visualization in an RTCVD reactor // Rapid Thermal and Integrated Processing. V. MRS Symposium Proc., 1996, V. 429, p.p. 65-70.

64. Шорин C.H. Расчет и конструирование высокотемпературных реакторов. М.: Энергия, 1978.- 196 с.

65. Hill С. Laser and Electron Beam Solid Interactions and Materials Processing. Ed. Gibbous I.F. // Elsevier North Holland, New York, 1981, p.p. 361-374.

66. Райнова Ю.П., Турилин C.M., Сорокин И.Н. Антоненко К.И. Исследование газовых потоков при эпитаксии кремния. Неорганические материалы, 1995, т.31, №2, с. 151-159.

67. Yu. Rainova, K.I. Antonenko, etc. On the entrance effects and the influence of buoyancy forces on the fluid flow in RTP reactors // J/ Electrochem. Soc., 1997, V. 97, p.p. 717-719

68. K.I. Antonenko, A.A. Arendarenko, Yu.P. Rainova etc Investigation of Gas flows in a radial tupe reactor for Ga As epitaxy // Fluid Dynamics, 1996, V.31, p.p. 897-902.

69. К.И. Антоненко, А.А. Арендаренко, Ю.П. Райнова и др. Исследование газовых потоков в реакторе радиального типа для эпитаксии Ga As // Механика жидкости и газа, 1996, №6, с. 118-124.

70. Rainova Y.P., Antonenko K.I., K.I Peroldt J., etc On the entrance effects and the influence of buoyancy forces on the fluid flow in RTP reactors. Mater Res Symp Proc // Rapid Thermal and Integrated Processing VII, 1998, V. 525, p.p. 39-44.

71. Evans D.E. Conference Report of Fourth International Symposium on Laser -Aided Plasma Diagnostics // J/. Nuclear Science and Technology, 1990, V. 27, p. 281.

72. Жиглинский А.Г., Кунд Г.Г. и др. Голографическая установка для диагностики плазмы на многих длинах волн одновременно // ПТЭ, 1988, №6, с. 142.141

73. Юндев Д.Н. Лазерная диагностика низкотемпературной плазмы в дальней инфракрасной области спектра // Теплофизика высоких температур, 1991, т. 29, №4, с. 806.

74. Ковалев A.A., Тюшкевич Б.Н. и др Двухэкспозиционный импульсный голографический интерферометр на базе рубинового лазера // Журнал прикладной спектроскопии, 1998, т. 48, №2, с. 330.

75. Апостол Д., Барбулеско Д., Комиссарова И.И. Безаберационный интерференционно голографический метод диагностики плазмы низкой точности//ЖТФ, 1988, т. 58, №11, с. 215.

76. Игнатов А.Б., Комиссарова И.И, Островская Г.В., Шапиро Л.Л. Двухдлинноволновая одноэкспозиционная интерферометрия плазмы // ЖТФ, 1971, т. XLI, вып. 2, с. 417-423.

77. Александров А.Ф., Исаев К.Ш., Черников В.А. Излучение и химический состав плазмы истекающей в воздух // Теплофизика высоких температур, 1990, т.28, вып. 5, с. 833-842.

78. Александров А.Ф., Исаев К.Ш. и др. Особенности и временные характеристики излучения плазмы, ударно истекающей в воздух // Теплофизика высоких температур, 1991, т. 32, вып. 2, с. 1086-1092.1. УТВЕндщо'

79. ПРОРЕКТОР МЕЗТ (ТУ) (Ута^-—? В. А. Бархотк ин1. ООО г1. АКТвнедрения результатов диссертационной работы К.Н.Антоненко на соискание степени кандидата технических наук "ГодограФическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники*

80. ЧЙ|^~111Г|ТГИТТГИ11Т-ГУ'П^1Т' "II Т1ПППТ1. С „Поспеловв ХАо1. С ч/ V,1. А К Т:;использования в учебном процессе, кафедры МЕГЭ научных результатов кандидатской диссертации

81. К.Й.Антоненко 'Томографическая днашостикагазофазных процессов микроэлектроники"

82. В учебном процессе кафедры МПГЭ используются следующие результаты кандидатской диссертаций К.Й.Антокекко 'Тодографичее-кая диагностика газофазных процессов микроэлектроники":

83. Оценка газодинамических течений в осестметричных реакторах для проведения газофазных процессов»

84. Расчет энергетической облученности ЗЖ-излучением скорости нагрева и температуры подложки в реакторе для быстрых термических процессов.

85. Получение голографических интерферограмм газовой фазы.

86. Вышеперечнеденные результаты легли в основу 5 лабораторных работ по дисциплинам "Новые технологические процессы микроэлектроники"!, "Быстрые термические процессы".

87. Материал диссертации использовался студентами ФХФ при выполнении 10 дипломных проектов,1. Декан» к.т.н.

88. Завкафедрой МЯГЗ проф.д.Ф.-м.н.

89. С.П.Тшошенков Ю.Н.Коркишко