-
2002
Кох, Александр Егорович
В данной работе наибольшее внимание было уделено совершенствованию технологии выращивания кристаллов ВВО, как в плане совершенствования техники и методики выращивания, так и в плане поиска оптимального состава кристаллизационной среды. Первоначально, при решении одной из конкретных технологических задач нами был найден принципиально новый и
-
2002
Столярова, Валентина Вячеславовна
-
2002
Гончарова, Наталья Вячеславовна
-
2002
Чухраев, Игорь Владимирович
Существенное влияние на зарядовое состояние подзатворного диэлектрика оказывают не только качество поверхности полупроводниковой подложки и режимы окисления, но и процессы, протекающие при проведении технологических операций, выполняемых после получения пленки окисла - стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом (ФСС), ионной имплантации
-
2002
Олива, Эдуард Владимирович
Добавление пятого элемента (Ga) в четверной раствор InAsSbP дает возможность повысить структурное совершенство, снизить вероятность рекомбинационных процессов в данном материале и улучшить параметры приборов на его основе, поскольку пятикомпонентные твердые растворы (ПТР), в отличие от четырехкомпонентных, имеют три степени свободы т.е. появляется
-
2002
Мышкин, Алексей Леонидович
Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи: расчет фазовых равновесий в системах AlInGaPAs и InGaPSbAs; расчет положения и протяженности областей несмешиваемости в системе InGaPSbAs; исследование методом прямого визуально-термического анализа (ВТА) поверхности ликвидуса, а также величины критического переохлаждения
-
2002
Панфилов, Игорь Владимирович
Тепловые поля, в свою очередь, определяют термонапряженное состояние кристаллов, а также распределение и доминирующий тип СТД. Таким образом, применение методов математического моделирования позволяет совершенствовать технологический процесс и ускорить разработку новых технологий выращивания монокристаллов кремния с заданным распределением
-
2002
Казанцев, Сергей Геннадьевич
Исследована возможность повышения надежности и срока службы силовой ИК оптики за счет совершенствования конструкции лазерных окон и разработки способов улучшения равномерности подводимого к ним лазерного излучения
-
2002
Панкрашкин, Алексей Владимирович
Анализ развития современной интегральной электроники свидетельствует, что при достигнутом уровне интеграции все сильнее проявляются физические и технологические ограничения [1]. Это заставляет искать новые принципы построения микроэлектронных устройств, новые материалы для их реализации, среди которых сегнетоэлектрики по своим параметрам и
-
2002
Красников, Анатолий Сергеевич
Не менее актуальным является вопрос о выяснении механизма взаимодействия стеклокристаллических материалов и алпомооксидной керамита* с излучением различной природы и выбора оптимальных технологических режимов облучения. Компания Laser Tech Services (Дакия) - один из лидеров на мировом рынке в области лазерной обработки керамики для
-
2002
Семенова, Ирина Александровна
Достоверность и обоснованность полученных результатов подтверждается удовлетворительным согласием теоретических оценок и экспериментальных результатов; хорошим совпадением экспериментальных данных, полученных по различным методикам; непротиворечивостью полученных экспериментальных данных и выводов с результатами других исследователей
-
2001
Студеникин, Павел Алексеевич
Разработка технологии новых материалов подразумевает исследование условий тепломассопереноса в кристаллизационной системе, изучение особенностей изоморфного замещения в кристаллизуемых материалах, создание моделей адекватно описывающих процессы, происходящие при кристаллизации. Результаты таких исследований имеют не только прикладное, но и научное
-
2001
Емельченко, Александр Геннадьевич
Экспериментально установлено влияние различных физико -химических и ростовых факторов (давление и температура роста, скорость роста, ориентация затравки, состав минерализаторов.) на и распределение примеси фосфора в кристаллах кварца
-
2001
Ермолаева, Наталия Вячеславовна
-
2001
Лысенко, Любовь Николаевна
В качестве подобных примесей, на основе анализа бинарных систем кремния, можно выделить группы элементов, образующих прочные соединения силициды, обладающие дискретными характеристиками и являющиеся конгруэнтно плавящимися соединениями
-
2001
Зотова, Милена Олеговна
Объектами исследований являлись элементы электронно-оптических систем (ЭОС) специализированного электронно-лучевого оборудования для прецизионного научного, контрольно-измерительного и технологического оборудования с точки зрения влияния дефектов изготовления на их электронно-лучевые характеристики
-
2001
Калугин, Виктор Владимирович
Исследовано влияние процессов подготовки поверхности подложек на параметры структур КНИ. Установлена корреляция между уровнем загрязнений на поверхности сращиваемых подложек и размерами пор в приборном слое структур КНИ
-
2001
Талимов, Алексей Владимирович
Учитывая тот факт, что постимплантационный отжиг, применяемый в базовой технологии, требует наличия капсулирующей пленки (получаемой контролируемым низкотемпературным окислением токсичного моносилана), а также наличия восстановит ельний ашосферы, в качестве которой используется взрывоопасный водород, представляется актуальной задача поиска режимов
-
2001
Благина, Лариса Васильевна
ЛЕ = Еп-ы - Еп » 5 Е = fr/x, где х - время релаксации, т.е., среднее время между двумя последовательными актами рассеяния электрона (в противном случае все особенности спектра окажутся смазанными), и 2) -однородность пленки по толщине, чтобы возможные «ступеньки» размерных уровней были существенно меньше расстояния между ними. Толщина пленок
-
2001
Воробьев, Владимир Александрович
Решение этих задач осложняется тем, что в настоящее время отсутствует научно обоснованный подход к разработке стекловидных диэлектрических материалов для МД-подложек, учитывающий специфические особенности последних
