автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы

Введение

1. Обзор литературы и постановка задачи исследования

1.1. Физико-химические свойства твердых растворов InGaPAsSb и AlInGaPAs

1.2. Методы выращивания многокомпонентных твердых растворов

1.3. Особенности фазовых равновесий в многокомпонентных твердых растворах по направлению трех-, четырех-, пятикомпонентных систем на основе арсенида галлия

1.3.1. Особенности фазовых равновесий в системе InGaP/GaAs

1.3.2. Особенности фазовых равновесий в системе InGaPAs/GaAs

1.3.3. Особенности фазовых равновесий в системе

А1 InGaPAs/GaAs.

1.4. Обоснование постановки задачи исследования

Выводы

2. Фазовые равновесия в пятикомпонентных твердых растворах соединений А3В

2.1. Закономерности изменения основных электрофизических свойств в зависимости от состава для пятикомпонентных твердых растворов А3В

2.2. Гетерогенные равновесия в пятикомпонентных системах

2.3. Когерентная диаграмма состояния пятикомпонентных систем

2.4. Термодинамическая устойчивость пятикомпонентных твердых растворов соединений

А3В5.

2.5. Эффект стабилизации периода решетки в пятикомпонентных системах

Выводы

3. Получение эпитаксиальных слоев твердых растворов на основе арсенида галлия в поле температурного градиента и методом ЖФЭ

3.1. Аппаратурное оформление процессов ЗПГТ и ЖФЭ и подготовка исходных материалов

3.2. Определение поверхности ликвидуса и величины критического переохлаждения в многокомпонентных системах

3.3. Методика проведения процессов ЗПГТ и ЖФЭ 117 Выводы

4. Исследование пятикомпонентных твердых растворов InGaPSbAs и AlInGaPAs на подложке GaAs

4.1. Методика исследования полученных эпитаксиальных слоев и гетероструктур

4.2. Люминесцентные свойства полученных твердых растворов InGaPSbAs и AlInGaPAs

4.3. Рентгеноструктурные исследования полученных гетероструктур InGaPSbAs/GaAs и AlInGaPAs/GaAs.

4.4. Анализ структурного совершенства

Актуальность темы. Развитие оптоэлектроники тесно связано с разработкой эффективных технологических методов получения совершенных полупроводниковых кристаллов и поиском новых материалов, позволяющих улучшать параметры оптоэлектронных приборов и устройств. Использование пятикомпонентных твердых растворов (ПТР) позволяет независимо управлять тремя параметрами полупроводниковых материалов: шириной запрещенной зоны, параметром решетки и, например, коэффициентом температурного расширения. Выращивание совершенных по структуре эпитаксиальных слоев твердых растворов позволяет получать более чувствительные фотоприемники, фотоэлектрические преобразователи с повышенным КПД, повысить срок службы приборов.

К моменту начала выполнения настоящей работы (1997 г.) из пятикомпонентных твердых растворов на подложке GaAs были получены только AlInGaPAs.

На подложке GaAs возможно получение ПТР AlInGaPAs с шириной запрещенной зоны до 2,15 эВ [1] . В то же время указанные твердые растворы с шириной запрещенной зоны более 1,92 эВ до настоящего времени получены не были [2-4].

Ранее не полученные на подложке GaAs ПТР InGaPSbAs должны позволить перекрыть диапазон длин волн от 0,8 67 до 1,0 6 мкм. Ранее для создания фотодиодов на длину волны 1,06 мкм использовались твердые растворы

GaAsSb/GaAs с содержанием сурьмы в твердом растворе порядка 15 атомных процентов [5, 6], но при таком содержании сурьмы рассогласование параметров решеток подложки и слоя достаточно велико (порядка одного процента) .

Таким образом, диссертационная работа, посвященная получению и исследованию изопериодных арсениду галлия ПТР InGaPSbAs с шириной запрещенной зоны порядка 1,168 эВ и ПТР AlInGaPAs в ранее не исследованном диапазоне изменения ширины запрещенной зоны от 1,93 до 2 эВ, является актуальной с научной и практической точки зрения.

Целью работы являлось получение твердых растворов AlInGaPAs и InGaPSbAs на подложках GaAs и исследование особенностей кристаллизации, а также свойств полученных твердых растворов.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи: расчет фазовых равновесий в системах AlInGaPAs и InGaPSbAs; расчет положения и протяженности областей несмешиваемости в системе InGaPSbAs; исследование методом прямого визуально-термического анализа (ВТА) поверхности ликвидуса, а также величины критического переохлаждения; определение влияния величины переохлаждения жидкой фазы при эпитаксии слоев твердых растворов на морфологию и на рассогласование параметров решеток получаемых слоев и подложки;

- получение пятикомпонентных твердых растворов AlInGaPAs и InGaPSbAs, исследование их кристаллических и люминесцентных свойств.

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

- Разработан новый метод получения многокомпонентных твердых растворов, совмещающий в себе методы ЖФЭ и ЗПГТ.

- Методом визуально-термического анализа впервые определена поверхность ликвидуса системы InGaPSbAs в заданной области составов жидкой фазы, соответствующих твердым растворам, изопериодным подложке GaAs.

- Определены технологические режимы получения кристаллически совершенных слоев InGaPSbAs и AlInGaPAs.

- Впервые получены пятикомпонентные твердые растворы InGaPSbAs на подложке GaAs с шириной запрещенной зоны в диапазоне от 1,168 до 1,25 эВ, изучены кристаллические и люминесцентные свойства полученных эпитаксиальных слоев.

- Получены и исследованы твердые растворы AlInGaPAs в ранее не исследованном диапазоне изменения ширины запрещенной зоны от 1,93 до 2 эВ.

Основные положения, выносимые на защиту:

- Разработанный метод, сочетающий жидкофазную эпитаксию и зонную перекристаллизацию градиентом температуры в едином процессе, позволяет получать однородные изопериодные, с прецизионным управлением толщиной, эпитаксиальные слои.

- Предложенное термодинамическое описание фазовых равновесий и методика определения величины контактного пересыщения, возникающего под действием упругих напряжений, позволяют рассчитывать исходные данные для получения твердых растворов требуемого состава.

- Оптимальная величина переохлаждения жидкой фазы при выращивании твердых растворов InGaPSbAs не превышает 0,5 К, а при выращивании твердых растворов AlInGaPAs она достигает 12 К.

- Использование пятикомпонентных твердых растворов InGaPSbAs повышает эффективность излучательной рекомбинации по сравнению с трехкомпонентными твердыми растворами GaAsSb за счет соблюдения условия изопериодичности слоя и подложки.

Практическая ценность результатов работы:

- Разработан метод получения изопериодных арсениду галлия пятикомпонентных твердых растворов AlInGaPAs и InGaPSbAs, сочетающий в себе ЗПГТ и ЖФЭ и позволяющий получать совершенные эпитаксиальные слои с равномерным распределением компонентов и заданными электрофизическими свойствами.

Определены необходимые технологические условия, при которых возможен рост изопериодных слоев AlInGaPAs и InGaPSbAs на подложке GaAs.

Получены слои твердых растворов AlInGaPAs и InGaPSbAs и исследованы их кристаллографические и фотолюминесцентные свойства.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: семинарах и конференциях кафедры микроэлектроники ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ),

Международной научно-технической конференции «Прогрессивные технологии машиностроения и современность» (г. Севастополь, 1997 г.),

Шестой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г. Таганрог, 1999 г.),

Fifth International Conference on Intermolecular Interaction in Matter IIM5 (Lublin, Poland, 1999)

Международной конференции «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 2000 г.), Fourth International conference on Single crystal growth and heat & mass transfer (r. Обнинск, 2001 г.).

Публикации и вклад автора.

По результатам исследований опубликовано 18 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты получены автором самостоятельно.

Обгьем и структура работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка используемой литературы, содержит 17 0 страниц машинописного текста, 41 иллюстрацию, 10 таблиц. Библиография включает 101 название.

Основные выводы.

1. Изучена когерентная диаграмма состояния систем InGaPSbAs и AlInGaPAs и на основе модели регулярных растворов произведен теоретический расчет составов твердых растворов на определенные длины волн и составов соответствующих им жидких фаз.

2. Расчетные данные по фазовым равновесиям уточнены методом визуально-термического анализа.

3. Исследовано влияние переохлаждения жидкой фазы относительно температуры ликвидуса при выращивании эпитаксиальных слоев методом ступенчатого охлаждения на морфологию получаемых слоев.

4. Теоретически определены положение и протяженности областей спинодального распада в пятикомпонентных системах.

5. Выращены твердые растворы AlInGaPAs с шириной запрещенной зоны 2 эВ, исследованы их люминесцентные и кристалографические свойства.

6. Впервые выращены твердые растворы InGaPSbAs изопериодные подложке GaAs, изучены их кристаллографические и люминесцентные свойства.

1. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AIi:cBv (Новые материалы оптоэлектроники). Ростов н/Д: Издательство Ростовского университета, 1992, 193 е., ил.

2. Mukai S. , Yajima Н., Mitsuhashi Y., Yanagisawa S. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs. Appl. Phys. Lett., 1984, V.44, № 9, p. 904-906.

3. Kawanishi H, Suzki T. Liquid phase epitaxial growth of (AlzGaiz) xln^ASyPi-y pentanary on (100) GaAs substrate using two-phase solution technique. Appl. Phys. Lett., 1984, V.45, № 5, p. 560-562.

4. Z.L. Xu, W.J. Xu, L. Li, C.Q. Yang, R. Liu, H.D. Liu. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs on GaAs substrates//Thin Solid Films, v. 338, 1999, p. 220-223

5. Eden R.C. Heterojunction III-V alloy photodetector for high-sensitivity 1,06 jjm optical receiver. Proc. IEEE, 1975, v. 62, № 1, p. 32-37.

6. Патент США 3995303, МКИ HOI 27/14, HOI 29/164.

7. Лозовский B.H., Лунин Л.С., Аскарян Т. А. Физико-химические равновесия в пятикомпонентных полупроводниковых системах из соединений А3В5. Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1989, - Т.25, № 11 - с. 1778-1786.

8. Лунин Jl. С., Лунина О. Д., Овчинников В. А., Ратушный В. И., Сысоев И. А. Кристаллическое совершенство и оптические свойства многослойных пятикомпонентных гетероструктур соединений А3В5. Тез. докл. I Всес. Конф. Ленинград, 1989, с. -210.

9. S. Mulai, Н. Yajima, М. Mitsuhashi, S. Yanagisawa, N. Kutsuwada, Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 904.

10. Z. Xu, W. Xu, S. Lan, L. Li, C. Yang, H. Liu, Solid State Commun. 103 (7) (1997) 417.

11. M. Kazumura, I. Ohta, I. Termoto, Jpn. J. Appl. Phys. 22 (4) (1983) 654.

12. Olsen G.H., Nuese C.J., Smith R.T. The effect of elastic strain on energy band gap lattice parameter in III-V compounds.- J.Appl. Phys., 1978, V.49, № 11, p. 5523-5529.

13. Под редакцией Калдиса Э. Актуальные проблемы материаловедения. М.: Мир, 1983. -274 с.

14. Moon R., Antypas G. Surface irregularities due to spral-growth in LPE layers of InGaAsP //J. Cryst. Growth. 1973. 19. 2. 109.

15. Moon R., Antypas G., James L. Growth and characterisation of InP-InGaAsP lattice-matched heterojunction //J. Electron. Mater. 1974. v.3. №3. p.635 .

16. Осинский В.И., Сирота Н.Н. Излучение р-n переходов на кристаллах твердых растворов фосфида индия-арсенида галлия. // Доклады АН СССР. 1966. Т. 171. №2. С. 217.

17. V. Swaminathan and A.T. Machrander, in: Material Aspects of GaAs and InP Based Structures (Prentice Hall, Englewood Cliffs, 1991) p. 325.

18. J. Diaz, H.J. Yi, M. Razeghi, G.T. Burnham, Long term reliability of Al-free InGaAsP/GaAs (Л = 808 nm) lasers at high-power hightemperature operation. Appl Phys Lett 71 (21) (1997) 3042(3044.

19. Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А. С. Эпитаксиальный рост, фотокатодные применения напряженных псевдоморфных эпитаксиальных слоев InGaAsP/GaAs //ФТП. 2001. т.35. №9. с. 1102-1110.

20. К. Nakajima. GalnAsP Alloy Semicond. ed. by T.P. Pearsall (J. Wiley & Sons, Ltd. London, 1982) p. 43 .

21. V.L. Alperovitch, Yu.B. Bolkhovityanov, A.G. Paulish and A.S. Terekhov. Nucl. Instrum. Methods A 340 (1994) 429.

22. W. Gao, P.R. Berger, J. Appl. Phys. 80 (1996) 7094.

23. Bo Baoxue, Gao Xin, Qu Yi, Zhang Xingde, Gao Dingsan InGaAsP/GaAs SCH SQWlaser arrays grown by LPE.

24. I. Eliashewich, J. Diaz, H. Yi, L. Wang, M. Razeghi, Reliability of aluminium-free 808 nm high power laser diodes with uncoated mirrors. Appl Phys Lett 66 (23) (1995) 3078-3089.

25. J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, R.F. Nabiev, M. Jansen, 5 W continuous wave power 0.81- цт-ernitting Al-free active region diode lasers. Appl Phys Lett 71 (2) (1997) 172-174.

26. Чарыков H.A., Литвак A.M., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. Твердый раствор InxGai-xASySbzP^y^: новый материал инфракрасной оптоэлектроники.//ФТП, 1997, т. 31. с. 410-415.

27. Panish M.B. and Sumski S. Ga-Al-As: phase, thermodynamic and optical properties. J.Phys. Chem. Solids., Pergamon Press., 1969 V. 30, pp. 129-137.

28. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нинуа О.Ф., Трофим В.Г. Фотолюминесценция твердых растворов п-AlxGa!xAs. ФТП, 1971, Том 5, N6, с. 1116-1121.

29. Аскаров П.А., Гутов В.В., Дмитриев А.Г., Именков А.Н., Царенков Б.В., Яковлев Ю.П. Координатное изменение люминесценции в варизонной GaixAlxAs: Si р-n структуре. ФТП, 1974, Том 8, N10, с. 1913-1917.

30. Горшков JI. И., Коваленко В.Ф., Пека Г. П., Шепель Л.Г. Особенности поведения глубоких примесных центров и примесная фотолюминесценция в варизонных твердых растворах AlxGaixAs, легированных хромом. ФТП, 1981, Том 15, N15, с. 551-556.

31. L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, L.V. Druzhinina, M.G. Melvidskii. J. Crystal Tech. (1978) 631.

32. Батура В.П., Вигдорович В.Н., Селин А. А. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений AIrrBv перспективные материалы оптоэлектроники. Зарубежная электронная техника. М. , 1980. С. 3-52.

33. Долгинов JI.M, Дружинина JI.B, Ибрагимов И., Рагулин В.Ю. Электролюминисценция гетеропереходов на основе AlyGai-yAsixSbx //ФТП, 1976. Т. 10. №5. С. 847.

34. Долгинов Л.М., Ибрахимов Н., Мильвидский М.Г. и др. Высокоэффективная электролюминисценция в GaxIrh^ASi-yPy. //ЛФТП. 1975. Т. 9. №7. С. 1319-1321.

35. Богатов А.П., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Г. Излучательные характеристики лазерных гетероструктур на основе InP-GalnAsP. //ФТП. 1975. Т. 9. №10. С. 1956-1967.

36. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Interface states in abrupt semiconductor heterojunction. //Sol. St. Electron., 1964, v.4, №2, p.513-517.

37. Tietjen J.J., Ban V.S., Enstom R.E., Richman D. The journal of vacuum science and technology, 1971, V 8, № 5, p. 5-8.

38. Груздев Ю.А., Тихоненко О.Я. Металлографические исследования пополупроводниковых слоев InxGai-xASi-yPy, выращенные методом газотранспортных реакций. Тез. докл. V Респ. конф. молодых ученых. Мн., 1978, с. 117.

39. Осинский В.И., Привалов В.И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Мн.: Наука и техника, 1981 - 207 с.

40. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов, М.: Сов. радио, 1975, 328 с.

41. Nelson Н. Solid State Device Conf. Stanford, 1961.

42. Donohue J.A., Minden H.T. Cryst. Growth, 1970, № 7, p. 221.

43. Rode D.L., Sobers R.G. J. Cryst. Growth, 1975, № 29, p. 61.

44. Cook L. Variation of the thickness and composition of LPE InGaAsP, InGaAs and InP layers growth from affinity melt by the step-cooling technique. Journal of Electronic Material, 1981, V 10, № 1, p. 119-140.

45. Daniel J.J., Michel C. Inst. Phys. Conf. Ser. Inst, of Phisics, Bristol., 1975, № 24, p. 155.

46. Карпов С.Ю., Никитин С.А., Портной E.JI., Фронц К. Токовое управление составом по толщине плавных гетероструктур AlxGaixAs. Письма в ЖТФ, 1981, Том 7, вып. 12, с. 715-718.

47. Woodal J.M. Izothermal Solution Mixing Growth of Thin Gai-xAlxAs Layers. J. Electrochem. Soc. 1971, V 118, № 1, p. 150-152.

48. Попов В.П., Марьев В.Б., Сарры П. Л. Жидкофазная изотермическая эпитаксия GaAsxP!x. Межвуз. сборник, - Новочеркасск, 1976, вып. 3, с. 49-55.

49. Лунин Л.С. Кандидатская диссертация. Ростов-на-Дону, 1975.

50. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М: Металлургия, 1987, 232 с.

51. Материалы для оптоэлектроники: Пер. с англ./Под ред. Е.И. Гиваргизова, С.Н. Горина. М.: Мир, 1976, 4 05 с. с ил.

52. J. Cryst. Growth, 1974, v. 27, №1.

53. Hsieh J.J., Finn M.C., Rossi J.A. Conditions for lattice matching in the LPE growth of GalnAsP layers on InP substrates. //Proc. 6-th Intern. Symp. Gallium Arsenide and Rel. Сотр. Conf. ser.366. Inst. Phys. Bristol-London. 1976. P. 37.

54. Т. Nakanishi, Н. Aoyagi, Н. Horinaka, Y. Kamiya, Т. Kato, S. Nakamura, T. Saka, M. Tsubata. Phys. Lett. A, 158, 345 (1991).

55. Yu.A. Mamaev, A.V. Subashiev, Yu.P. Yashin, H.-J. Drouhin, G. Lampel. Sol. St. Commun., 114, 401 (2000).

56. Jordan A.S., Ilegems M. J. Phys. Chem. Solids, 1975, v. 36, p. 329-342.

57. J. Appl. Phys., 1973, v. 44.

58. Ilegems M., Panish M.B. J. Phys. Chem. Solids, 1974, v. 35, p. 409-420.

59. Ernesto H., Rerea, Clefton d. Fonstanol. J. Appl. Phys., 1980, v. 51, №1, p. 331-335.

60. Henry G., Moulin M., Laugier A. J. Cryst. Growth., 1981, v. 51, №3, p. 387-393.

61. Васильев М.Г., Вигдорович B.H., Селин А.А., Ханин

62. B.А. Оценка положения фазовых границ "расплав-кристалл" в пятикомпонентных системах на примере системы Al-Ga-In-P-As //ЖФХ. 1983. - Т. 57, N10, - с. 2434-2435.

63. Лунин Л.С. Докторская диссертация. Кишинев. 198 9 г.

64. Nakajima К., Kamiya A., Okita К. е.а. J. Electrochem. Soc., 1980, v. 127 №7, p. 1569-1572.

65. Сорокин B.C., Рубцов Э.Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В5//Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1993. -Т.29. №1 - с. 28-32.

66. Уфимцев В.В., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М. : Металлургия, 1983. -222 с.

67. Ильин Ю.Л., Пичугин И.Г., Сорокин B.C. Полупроводниковые соединения А3В5 //Справочник по электротехническим материалам под. ред. Корицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М.

68. Л.:Энергоатомиздат. 1988. т.З. гл.20. - с.472-521.

69. Stringfellow G.W. //J. of Electronic materials. -1981. v.10. p.919-936.

70. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М., 1985. с.160.

71. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев О. А. Фазовые равновесия пятерных систем из А111 и Bv //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1998. - т. 34. - №5. -с.525-530.

72. Vieland L.J. Phase equilibria of III-V compounds //Acta Met. 1963. - v.11. - p.1377.

73. Guggengeim E.A. Mixtures. Oxford University Press. L. - 1952.

74. Селин А.А., Ханин В.А. Методы расчета составов равновесных жидких и твердых фаз в многокомпонентных полупроводниковых системах

75. Журнал физической химии. 1979. т. 53. №11. с. 2734-2740 .

76. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Термодинамическая устойчивость твердых растворов GaxInl-xPyAs1-у //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. т. 12. - с.2006-2010.

77. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 с.

78. Finch A.J., Quarrell А.С. //Proc. Roy. Soc. L. -1934. v.48. - p. 148.

79. Frank F.C., Van Der Merve J.A. //Proc. Roy. Soc. Edinburgh, A. 1949. - v.198. - №1052. - p. 205225 .

80. Тхорик Ю.А., Хазан JI.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетергенных системах. -Киев: Наукова думка. 1983. 304 с.

81. Болховитянов Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений AI:CIBV //Препринт2-82. Новосибирск. 1982. - 51 с.

82. Дорфман В.Ф., Петрущина С.А., Шупегин М.Л. //ДАН СССР. 1979. - Т.246. - №5. - с.1159-1162.

83. Воронков В.В., Долгинов Л.М., Лапшин А.Н., Мильвидский М.Г. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раствора //Кристаллография. 1977. - т. 22. - вып. 2. - с. 375-378.

84. Ishikawa M., Ito R. Substrate induced stabilization of GalnPAs epitaxial layers on GaAs and InP//Jap. J. Appl. Phys. 1984. 22. 1. L. 21-L. 22.

85. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения А3В5. М.: Металлургия. 1984. - 144. с.

86. Kuznetsov V.V., Sadowski W., Sorokin V.S. The coherent phase diagram of A3B5 ternary system //Crystal Res. Technol. 1985. - v.20. - №10. - p. 1373-1380.

87. Свелин P.А. Термодинамика твердого состояния. M.: Металлургия, - 1968. - 314 с.

88. Пригожин И., Дефэй Р. Химическая термодинамика. -Новосибирск: Наука. 1966. 509 с.

89. Казаков А.И., Кишмар И.Н. Критические явления в четырехкомпонентных системах //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. - т.23. - М. - с.12-15.

90. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams //J. Cryst. Growth. 1974. - v.27. - p. 21-27.

91. Stringfellow G.B. The importance of lattice mismatch in growth of GaxIn!xP epitaxial crystals //J. Appl. Phys. 1972. - v. 4 3. - №8. - p. 34563460.

92. Сорокин B.C. Эффект стабилизации периода решетки в четырехкомпонентных твердых растворах //Кристаллография. 198 6. - т.31. - вып.5. - с. 844-850.

93. Рубцов Э.Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкойтермодинамической устойчивостью: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. JI. 1994.

94. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5 //Кандидатская диссертация. Новочеркасск, 1993. 246 С.

95. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Клышкин В.И., Нинуа О. А., Трофим В. Г. Рекомбинационное излучение твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированных цинком. ФТП, 1971, Том 5, N7, с. 1405-1408.

96. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нинуа О.Ф., Трофим В. Г. Фотолюминесценция твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированных германием. ФТП, 1971, Том 5, N6, с. 1122-1125.

97. Feng М., Cook L.W., Tashima М.М., Windhorn Т.Н., Stillman G.E. The influence of LPE growth techniques on the alloy composition of InGaPAs. -Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, p. 292-295.

98. Feng M., Cook L.W., Tashima M.M., Stillman G.E. -J. Electron. Matter., 1980, v. 9, № 2, p. 241-280.

99. Cook L.W., Tashima M.M., Stillman G.E. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 36, № 11, p. 904-907.

100. Cook L.W., Tashima M.M., Stillman G.E. J. Electron. Matter., 1981, v. 10, № 1, p. 119-140.