автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Повышение оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС

Введение.

Глава I. Современное состояние проблемы обеспечения качества подзатворного диэлектрика в технологии МДП-ИС.

1.1. Анализ проблемы управления технологическим процессом производства МДП-ИС.

1.2. Методы исследования и контроля качества подзатворного диэлектрика в технологии ЩП-ИС.

1.3. Процессы зарядовой деградации подзатворного диэлектрика МДП-ИС в условиях сильнополевой инжекции заряда.

1.4. Устройства формирования ртутного электрода

Выводы к главе I.

Глава II. Методы исследования основных характеристик подзатворного диэлектрика, технологического процесса его получения и разработка приборов для их реализации.

2.1. Метод исследования зарядового состояния подзатворного диэлектрика МДП-ИС на основе дифференциального метода определения напряжения отсечки МДП-структур.

2.2. Метод исследования качества технологического процесса получения подзатворного диэлектрика на основе метода управляемой токовой нагрузки.

2.3. Зонд с ртутным электродом для формирования МДП-структур до проведения операции металлизации.

Выводы к главе II.

Глава III. Исследование технологического процесса получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС

3.1. Исследование поверхности подзатворного диэлектрика после сканирования зондом с ртутным электродом.

3.2. Исследование динамики изменения зарядового состояния подзатворного диэлектрика КМДП-ИС в партии полупроводниковых пластин

3.3. Исследование влияния технологии получения на зарядовую дефектность подзатворного диэлектрика КМДП-ИС.

3.4. Влияние материала затвора МДП-структур на процессы сильнополевой туннельной инжек

Выводы к главе III.

Глава IV. Разработка методов оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС.

4.1. Управление технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика на основе статистических измерений напряжения отсечки тестовых МДП-структур с жидкометал-лическим электродом.

4.2. Производственный метод испытаний подзатворного диэлектрика МДП-ИС в сильных электрических полях.

4.3. Моделирование допустимых границ изменения дефектности изоляции подзатворного диэлектрика КЩП-ИС.

4.4. Оптимизация режимов проведения технологической операции высокотемпературного отжига.

4.5. Схема оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика ЩЦП-ИС.

Выводы к главе IV.

Актуальность темы Современный этап развития производства интегральных схем (ИС) характеризуется широким использованием структур Si-Si02 и создаваемых на их основе структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Повышение функциональной сложности и степени интеграции МДП-ИС выдвигает новые, более жесткие, требования к их качеству и надежности, которые в значительной степени определяются качеством подзатворного диэлектрика, на долю которого приходится до 50% отказов схем. Такие отказы, с одной стороны, в основном обусловлены зарядовой нестабильностью подзатворного диэлектрика, оказывающей непосредственное влияние на рабочие характеристики МДП-приборов. Изменение зарядового состояния подзатворного диэлектрика МДП-транзистора приводит к сдвигу порогового напряжения, изменению крутизны и дрейфу характеристик прибора. С другой стороны, ужесточение рабочих режимов диэлектрических слоев МДП-ИС, вследствие уменьшения длин каналов МДП-транзисторов, обуславливает возрастание роли процессов, связанных с влиянием сильных электрических полей. Воздействие инжекции носителей в диэлектрик МДП-структур в таких полях приводит к изменению его зарядового состояния, повышению плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик, к активации деградационных процессов в электрически активных дефектах. Все вышесказанное позволяет рассматривать параметры зарядового состояния и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика в сильных электрических полях как одни из основных параметров, характеризующих его качество в технологии МДП-ИС.

Существенное влияние на зарядовое состояние подзатворного диэлектрика оказывают не только качество поверхности полупроводниковой подложки и режимы окисления, но и процессы, протекающие при проведении технологических операций, выполняемых после получения пленки окисла - стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом (ФСС), ионной имплантации, термического отжига. Поскольку качество подзатворного диэлектрика обеспечивается как выбором методов его получения и технических средств их осуществления, так и настройкой операций технологического процесса, реализуемых при помощи выбранных методов и оборудования, то управление качеством технологических операций формирования подзатворного диэлектрика представляет особый интерес. Управление операциями возможно на базе информации о временном изменении параметров зарядового состояния и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика в сильных электрических полях, позволяющей определить вклад каждой операции в формирование уровня его качества. Такая информация дает возможность выявить наиболее критичные операции и обеспечивает выбор обоснованных решений по совершенствованию технологического процесса.

Таким образом, информация об изменении параметров зарядового состояния и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика в процессе его формирования является необходимой для решения задачи оперативного управления технологическим процессом. Однако традиционное использование затвора в виде токопроводящей пленки значительно снижает оперативность управления, так как МДП-структура может быть получена только после проведения операции металлизации. В связи с этим, большое практическое значение для повышения оперативности управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС представляет применение в качестве затвора МДП-структур жидкометаллического, в частности ртутного, электрода. Использование жидкометалличе-ского электрода позволяет оперативно создавать МДП-структуру и получать информацию об изменении зарядового состояния и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика непосредственно после проведения соответствующих технологических операций его формирования .

Цель работы

Совершенствование технологического процесса производства МДП-ИС на основе повышения оперативности управления качеством технологических операций формирования подзатворного диэлектрика по параметрам зарядового состояния и зарядовой дефектности в сильных электрических полях МДП-структур с жидкометаллическим электродом. Поставленная цель вызвала необходимость решения следующих задач:

1) исследование технологического процесса получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС и определение основных информативных параметров зарядового состояния и зарядовой дефектности в сильных электрических полях для оперативного управления качеством отдельных технологических операций;

2) исследование процесса зарядовой деградации структур полупроводник- диэлектрик-жидкий электрод в сильных электрических полях и установление возможности их использования для повышения оперативности управления качеством технологических операций формирования подзатворного диэлектрика по параметрам зарядовой дефектности;

3) разработка методов и средств управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС на основе использования МДП-структур с жидкометаллическим электродом;

4) апробирование разработанных методов и средств в производстве МДП-ИС и совершенствование на их основе технологического процесса получения подзатворного диэлектрика.

Научная новизна

1. Экспериментально определена взаимосвязь зарядовых характеристик структур полупроводник-диэлектрик-жидкоме-таллический электрод с параметрами технологического процесса получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС.

2. Впервые предложен способ управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика до проведения операции металлизации на основе статистических измерений напряжения отсечки тестовых МДП-структур с жидкометаллическим электродом, расположенных на рабочих пластинах.

3. Впервые определены характеристики зарядовой нестабильности структур полупроводник-диэлектрик-жидкий электрод в условиях сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик при использовании в качестве материала жидкого электрода Нд, эвтектического соединения InGa и электролитического раствора H2S04.

4. Установлена корреляция между результатами оценки дефектности диэлектрической пленки в сильных электрических полях при использовании МДП-структур с А1 и Нд электродами и на основе этого показана возможность управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика до проведения операции металлизации по параметрам дефектности изоляции и зарядовой дефектности тестовых МДП-структур с Нд электродом, расположенных на рабочих пластинах.

Практическая ценность работы

1. Разработан метод управления качеством технологических операций формирования подзатворного диэлектрика по величине напряжения отсечки Uotc тестовых МДП-структур с жидкометаллическим электродом, расположенных на рабочих пластинах. Метод защищен авторским свидетельством.

2. Разработан производственный метод испытаний подзатворного диэлектрика МДП-ИС в сильных электрических полях и показана возможность использования МДП-структур с Нд электродом для повышения оперативности управления качеством отдельных технологических операций формирования подзатворного диэлектрика по параметрам дефектности изоляции и зарядовой дефектности.

3. Разработаны автоматизированная установка анализа зарядового состояния (АУАЗС), автоматизированная установка ин-жекционных испытаний (АУИИ) и конструкция контактирующего устройства с ртутным зондом, реализующие предложенные методы в производственных условиях.

4. Определены оптимальные способы очистки поверхности подзатворного диэлектрика от загрязнения ртутью после применения ртутного зонда.

5. Разработана схема оперативного управления базовьм технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС серии 564 до проведения операции металлизации.

6. Разработанные методы и средства оперативного управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС на основе использования тестовых МДП-структур с жидкометаллическим электродом находятся в настоящее время в опытной эксплуатации на ОАО "Восход" г. Калуга. В процессе опытной эксплуатации проведена оптимизация отдельных операций и разработаны рекомендации по совершенствованию технологического процесса получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС серий 564 и 1156.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Метод управления качеством технологических операций формирования подзатворного диэлектрика по величине напряжения отсечки и0тс МДП-структур с жидкометаллическим электродом специальных тестовых ячеек, расположенных на рабочих пластинах.

2. Результаты исследований деградационных процессов в структурах 31-ЗЮ2-ФСС-жидкий электрод в сильных электрических полях в условиях туннельной инжекции электронов в диэлектрик при использовании в качестве материала жидкого электрода Нд, эвтектического соединения InGa и электролитического раствора H2S04.

3. Производственный метод испытаний подзатворного диэлектрика МДП-ИС в сильных электрических полях, обеспечивающий при использовании МДП-структур с жидкометаллическим электродом оперативное получение информации о дефектности изоляции и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика после проведения отдельных технологических операций его формирования.

4. Схема оперативного управления базовым технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС серии 564 до проведения операции металлизации, результаты исследований технологических операций и коррекции технологических режимов получения подзатворного диэлектрика в производстве КМДП-ИС серий 564 и 1156.

Апробация работы Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Межвузовской научно-технической конференции "Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении" (Калуга, 1987), Научно-практической конференции "Молодежь и научно-технический прогресс" (Калуга, 1988), Всесоюзной научно-технической конференции "Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем" (Калуга, 1989), Региональной научно-технической конференции "Моделирование и автоматизация проектирования сложных технических систем" (Калуга, 1990), Региональной научно-технической конференции "Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем и проблемы математического моделирования" (Калуга, 1991), Научно-технической конференции "Создание прогрессивных технологий, конструкций и систем в условиях рынка" (Калуга, 1997), Научно-технической конференции "Создание прогрессивных технологий, конструкций и систем и социально-экономические проблемы производства" (Калуга, 1998), Международной научно-технической конференции "Приборостроение-99" (Ялта, 1999), III Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Минск, 1999), Юбилейной всероссийской научно-технической конференции "Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении" (Калуга, 1999), 10-ой конференции по диэлектрикам в микроэлектронике (Барселона,

1999) , Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и де-градационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва,

2000) , 1-ой Российской конференции молодых ученых по математическому моделированию (Москва, 2000) , 2-ой Международной конференции "Актуальные проблемы современного естествознания" (Калуга, 2000), X Межнациональном совещании "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 2000), Научно-технической конференции, посвященной 170 лет МГТУ им. Н.Э.Баумана (Москва,

2000), Всероссийской научно-технической конференции "Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении" (Калуга, 2000), IX Международной конференции "Физика полупроводников и диэлектриков" (С. -Петербург, 2000), XI Межнациональном совещании "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 2001), 1-ой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению (Калуга, 2001), Восьмой научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (Судак,

2001), заседании Межвузовской научной школы молодых специалистов "Концентрированные потоки энергии в космической технике, электронике, экологии и медицине" (Москва, 2001), Международной научно-технической конференции "Приборостроение -2001"(Симеиз, 2001), Всероссийской научно-технической конференции "Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении" (Москва, 2001).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 42 работы. Результаты диссертационной работы вошли в научно-технические отчеты по хоздоговорным и госбюджетным НИР, выполненным при непосредственном участии автора.

Структура и объем работы Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, библиографического списка из 149 наименований и приложения. Она содержит 172 страницы сквозной нумерации, 7 таблиц и 32 рисунка.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработан метод и автоматизированная установка анализа зарядового состояния (АУАЗС) , обеспечивающие возможность оперативного получения информации об изменении зарядового состоянии подзатворного диэлектрика после проведения отдельных технологических операций его формирования по величине напряжения отсечки МДП-структур как с традиционными, например А1, так и с жидкими электродами.

2. Разработан метод и установка исследования качества технологического процесса получения подзатворного диэлектрика МДП-ИС на основе метода управляемой токовой нагрузки, позволяющие определять параметры дефектности изоляции и зарядовой дефектности подзатворного диэлектрика в одном цикле измерения, на одной и той же МДП-структуре без перекоммутации образца.

3. Разработана новая конструкция контактирующего устройства с ртутным зондом, имеющим вакуумную схему формирования ртутного электрода на исследуемой поверхности подзатворного диэлектрика, обеспечивающая проведение измерений в автоматическом режиме и контактирование с элементами тестовых ячеек, размещаемых на рабочих пластинах.

4. Показано, что полупроводниковые пластины после измерения напряжения отсечки с применением ртутного зонда не представляют опасности для работающего персонала. Установлено, что наилучшие показатели удаления с поверхности диэлектрической пленки остатков ртути, сводящие к минимуму загрязнение производственного оборудования, обеспечивает стандартная химическая очистка полупроводниковых пластин, состоящая из последовательных обработок в смеси "Каро" и перекисно-аммиачном растворе.

5. На основе проведенных исследований динамики изменения зарядового состояния подзатворного диэлектрика КМДП-ИС в процессе его получения показана ограниченность применяемого в производстве метода проверки стабильности технологического процесса и управления зарядовым состоянием подзатворного диэлектрика в партии рабочих пластин с помощью ионного подлегирования по результатам измерения напряжения отсечки на пластинах-"спутниках".

6. Получены статистические распределения МДП-структур, изготовленных промышленным способом по различным технологиям получения подзатворного диэлектрика, по напряжению микропробоя, заряду, инжектированному до пробоя, и плотности положительного заряда, накапливаемого в диэлектрике при сильнополевой туннельной инжекции электронов из кремния. Предложена классификация МДП-структур по степени дефектности изоляции и зарядовой дефектности и разработана методика сравнения качества диэлектрических слоев при стрессовых воздействиях.

7. Установлено, что в структурах Зд-ЗЮ2-ФСС-жидкий электрод, в отличие от Si-Si02^CC-Al, при использовании в качестве материала жидкого электрода Нд, эвтектического соединения InGa и электролитического раствора H2S04, наряду с увеличением емкости образца при заряде импульсом тока в сильных электрических полях наблюдается накопление положительного заряда в объеме диэлектрика на участке инжекции при токе инжекции Ю-9 А. Показано, что жидкие электроды не вносят существенного изменения в перенос заряда через пленку Si02.

8. Установлена корреляция между результатами оценки дефектности подзатворного диэлектрика при использовании МДП-структур с А1 и жидкими электродами на основе Нд и эвтектического соединения InGa, что указывает на принципиальную возможность применения последних для оперативного получения информации и управления технологическим процессом формирования подзатворного диэлектрика по параметрам дефектности изоляции и зарядовой дефектности в сильных электрических полях.

9. Разработан метод управления качеством технологических операций формирования подзатворного диэлектрика по величине напряжения отсечки Uotc МДП-структур с жидкометаллическим электродом специальных тестовых ячеек, расположенных на рабочих пластинах, позволяющий повысить оперативность управления технологическим процессом на базе информации об изменении зарядового состоянии подзатворного диэлектрика после проведения отдельных операций.

10. Разработан производственный метод испытаний подзатворного диэлектрика МДП-ИС в сильных электрических полях, позволяющий по параметрам дефектности изоляции и зарядовой дефектности тестовых МДП-структур с жидкометаллическим электродом проводить оперативное управление качеством отдельных технологических операций.

11. Установлена корреляция между дефектностью изоляции подзатворного диэлектрика и выходом годных микросхем. Для управления технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика по результатам проведения операционного

152 контроля напряжения микропробоя тестовых МДП-конденсаторов построены теоретические кривые, определяющие с вероятностью Р = 0,9 выход годных кристаллов ИС как функцию от уровня дефектности подзатворного диэлектрика.

12. В процессе опытной эксплуатации производственного метода испытаний подзатворного диэлектрика в сильных электрических полях на ОАО "Восход" г.Калуга по результатам операционного контроля дефектности изоляции и зарядовой дефектности тестовых МДП-структур проведена оптимизация режимов операции высокотемпературного отжига, что позволило повысить стойкость диэлектрических слоев к воздействию инжекционных нагрузок. Установленные режимы отжига в настоящее время используются в производстве КМДП-ИС серий 564 и 1156.

13. На базе проведенных исследований и разработанных методов построена схема оперативного управления базовым технологическим процессом получения подзатворного диэлектрика КМДП-ИС серии 564 до проведения операции металлизации и схема аттестации данного технологического процесса.

1. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику / Пер. с яп. под ред. В.Г.Ржанова.-М.: Мир, 1988.-320 с.

2. Таруи Я. Основы технологии СБИС / Пер. с яп. под ред.

3. B.Г.Ржанова.-М.: Радио и связь, 1985.-479 с.

4. Green M.L., Gusev Е.Р., Degraeve R.R. Ultrathin (<4 rati) Si02 and Si-O-N gate dielectric layers for silicon microelectronics: Understanding the processing, structure, and physical and electrical limits // J. Appl. Phys.-2001.-Vol. 90.-№ 5.-P.2057-2121.

5. Зайцев H.A. Влияние неконтролируемых примесей на однородность свойств системы Si-Si02 // Электроника и информатика -97: Материалы II Всероссийской научно-техн. конф. с международ. участием Москва, 1997.- С. 133.

6. Управление качеством электронных средств / Под ред. О.П. Глудкина.-М.: Высшая школа, 1992.-414 с.

7. Голото И.Д., Докучаев Б.П., Холмогоров Г.Д. Чистота в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.-М.: Энергия, 1986.-168 с.

8. Гамкренаридзе С.А., Дорошевич В.К. Оценка уровня качества СБИС методом комплексной физико-технической экспертизы. // Труды Proceedings II А. Отделение микроэлектроники и информатики.- Москва, Зеленоград, НПК "Научный центр", 1997.-Вып. 2.1. C. 307-311.

9. Ченышев А.А., Араненков А.П. Развитие сотрудничества разработчиков СБИС, средств производства и контроля //Электронная промышленность.-1990.-№ 12.-С. 37-40.

10. Панасюк В.Н., Кузин С.М., Петрова А.Г. Тенденции развития методов и системы операционного контроля технологии СБИС // Электронная промышленность.-1994.-№ З.-С. 38-44.

11. Шиндовский Э., Шюрц О. Статистические методы управления качеством. Контрольные карты и планы контроля / Пер. с нем. под ред. Э.К. Лецкого.-М.: Мир, 1986.-598 с.

12. Власов В.Е., Захаров В.П., Коробов А.И. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры.-М.: Радио и связь, 1987.-160 с.

13. ОСТ 11 20.9903-86. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые . Системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства. Метод 3.8.

14. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах.-Минск: Наука и техника, 1986.-240 с.

15. Перелыгин А.И., Холомина Т.А., Лактюшкин О.Н. Электрофизические методы исследования и контроля параметров МДП-систем.-Рязань: РТТИ, 1983.-64 с.

16. ОСТ 11 20.9903-86. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые . Системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства. Метод 3.30.

17. Беспалов Г.П. Сравнительная оценка методов контроля пористости диэлектричеких пленок // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. -1982. -№ З.-С. 49-51.

18. Гриценко Н.И., Кучеров С.И. Контроль дефектности поверхности кремния нематическими жидкими кристаллами // Микроэлектроника. -1997.-Т.26.-№ 5.-С. 389-391.

19. OCT 11 20.9903-86. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые . Системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства. Метод 3.36.

20. Столяров А.А. Расширение возможностей операционного контроля инжекционностойкого подзатворного диэлектрика в производстве МДП-БИС // Перспективные материалы.-1999.-№ 1.-С. 8488.

21. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн.1 / Пер. с англ. Под ред. Р.А.Суриса.-М.: Мир, 1984.-456 с.

22. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев Si02 на кремнии.-JI. : ЛГУ, 1988.-304 с.

23. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.-М.: Высшая школа, 1987.-239 с.

24. ОСТ 11 20.9903-86. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые . Системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства. Метод 3.29.

25. ОСТ 11 20.9903-86. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые . Системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства. Метод 3.9.

26. Масловский В.М., Личманов Ю.О., Семанович Е.В. Влияние протяженных дефектов на пробой тонкопленочных МДП-структур // Письма в ЖТФ.-1993.-Т.19.-Вып. 24.-С. 11-16.

27. Андреев В.В., Барышев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров А.А. Инжекция тока в диэлектрик как метод оценки качества МДП-структур // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.- 1990.-Вып. 2.-С. 64-66.

28. Дороднев В.Н. Исследование электрофизических процессов в системе кремний-двуокись кремния методом фотоинжекции / Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Л., 1979.- 165 с.

29. DeKeersmaecker R.F., DiMaria D.J. Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted Si02 layers // J. Appl. Phys.-1980.-Vol.51.-№ 2.-P.1085-1101.

30. Lee S.M., Cahill David G. Heat transport in thin dielectric films // J. Appl. Phys.-1999.-Vol.86.-№ 4.-P.2100-2119.

31. DiMaria D.J. Defect generation under substraite-hot-electron injection into ultrathin silicon dioxide layers // Journal Info J. Appl. Phys.-1997.-Vol.81.-№ 6.-P.2591-2595.

32. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн.2 / Пер. с англ. Под ред. Р.А.Суриса. -М.: Мир, 1984.-457с.

33. Roblin P., Samman A., Bibyk S. Simullation of hot electron trapping and aging of nMOSFET's // IEEE Trans. Electron Devices.-1988.-Vol.35.-№ 12.-P.2229-2237.

34. Chen Y., Tang T. Numerical simulation of avalanche hot-carrier injection in shot-channel MOSFET's // IEEE Trans. Electron Devices.-1988.-Vol.35.-№ 12.-P.2180-2188.

35. Kamocsai R.L., Porod W. Hot electrons and traps in a-SiC>2 // Solid-State Electronics.-1989.-Vol.32.-№ 12.-P.1825-1829.

36. Hebrt K.J., Irene E.A. Fowler-Nordheim tunneling current oscillations at metal/oxide/Si interfaces // J. Appl. Phys.-1997.-Vol.82.-№ 1.-P.291-296.

37. Karulkar P.C., Hillard R.J., Heddleson J.M., Rai-Choudhury P. A pressure contact current-voltage technique for rapid characterization of thin dielectric films // Applied Surface Science.-1991.-Vol.48/4 9.-P.237-245.

38. Касумов Ю.Н., Козлов C.H. Изменение электрофизических параметров системы Si-Si02-металл при инжекционной деградации // Микроэлектроника.-1993.-Т. 22.-Вып. 2.-С. 20-26.

39. Miranda Е., Redin G., Faigon A. An effective-field approach for the Fowler-Nordheim tunneling current through a metal-oxide-semiconductor charged barrier // J. Appl. Phys.-1997.-Vol.82.-№ 3.-P.1262-1265.

40. DiMaria D.J. Degradation and breakdown of silicon dioxide films on silicon // Applied physics letters.-1992.-Vol.61.-№ 19.-P.2329-2343.

41. Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Столяров А.А. Зарядовая деградация МОП-структур при туннельной инжекции электронов из кремния // Перспективные материалы.-2000.-№ 3.-С. 49-53.

42. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. Measurement of Fowler-Nordheim tunnelling currents in MOS structures under charge trapping conditions // Solid-State Electronics.-1985.-Vol.7.-№ 8.-P.756-761.

43. Столяров А.А. Повышение качества диэлектрических слоев на основе исследования дефектности изоляции и зарядовой стабильности // J. Advanced Materials.-1997.-Vol.6.-Р.451-457.

44. Романов О.В., Урицкий В.Я., Яфясов A.M. Влияние факторов формирования структуры Si-Si02 на ее электрофизические свойства // Поверхность. Физика, химия, механика.-1983.-№ 6.-С. 70-76.

45. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление / Пер. с англ. под ред. М.В.Гальперина.-М.: Мир, 1985.-504 с.

46. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.2 / Под ред. С.М. Зи: Пер. с англ. под ред. Ю.Д.Чистякова.-М.: Мир, 1986.-453 с.

47. Heddleson J.M., Hillard R.J., Zier D.A., Rai-Choudhury P. Integrated oxide quality testing without test structure fabrication // Proceedings of the Symposium on Defects in Silicon., Wash., D.C.-1994-P.139-143.

48. Румак H.B. О влиянии металлического электрода на заряд в системе кремний-двуокись кремния // Изв. АН БССР. Сер. физ.-техн. наук.-1982.-№ 2.-С. 39-43.

49. Nakhmanson R.S., Sevastianov S.B. Investigations of metal-insulator-semiconductor structure inhomogeneities usinga small-size mercury probe // Solid-State Electronics.-1984.-Vol.27.-№ 10.-P.881-891.

50. Gupta D.C., Brown G.A. Characterization of gate dielectrics with mercury gate MOS current-voltage measurements // Gate Dielectric Integrity: Material, Process and Tool Qualification, ASTM STP 1382., West Conshohocken, PA.-1999.-P.168-174.

51. Hillard R.J., Mazur R.G., Gruber G.A., Sherbondy J.C. Monitoring of dielectric quality with mercury (Hg) gate MOS current-voltage (Hg-MOSIV) // 187th Electrochemical Society Meeting, Montreal.-1997.-P.376-390.

52. Gruber G.A., Heddleson J.M., Hillard R.J., Weinzierl S.R. Rapid interface state density measurements for MOS production control // Semicon Meeting., China., Beijing.-1994.-P.284-292.

53. Тарантов Ю.А., Булавинов В.В., Барабан А.П., Коноров П.П. Электронные процессы в диэлектрических слоях на поверхностикремния в системе злектролит-диэлектрик-полупроводник // Поверхность. Физика, химия, механика.-1982.-№ б.-С. 170-177.

54. Аристархов А.И., Карманов М.В., Урицкий В.Я. Электродные эффекты в МДП-системах // Радиотехника и электроника.-1982. -Т.27.-№ 1.-С. 178-180.

55. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П., Кручинин А.А. Изучение процессов полевой деградации структур кремний-двуокись кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник // Микроэлектроника.-1987.-Т.1б.-Вып. 4.-С. 364-371.

56. Chen Chun, Wilson William L., Smayling Michael Tunneling induced charge generation in Si02 thin films // J. Appl. Phys.-1998.-Vol.83.-№ 7.-P.3898-3905.

57. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.-М.: Энергоатомиздат, 1988.-256 с.

58. Левин М.Н., Личманов Ю.О., Масловский В.М. Изменение зарядовой стабильности МДП-структур, индуцированное импульсным магнитным полем // Письма в ЖТФ.-1994.-Т.20.-Вып.4.-С. 27-30.

59. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А. Г. Кадменский, С.Г.Кадменский, М.Н.Левин и др. // Письма в ЖТФ.-1993.-Т.19.-Вып.3.-С. 41-45.

60. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02 // J. Appl. Phys.-1983.-Vol.54.-№ 10.-P.5793-5800.

61. Avni E., Shapir J. Modeling of charge-injection effects in metal-oxide-semiconductor structures // J. Appl. Phys.-1988.-Vol.64.-№ 2.-P.734-742.

62. DiMaria D.J., Buchanan D.A., Stahlbush R.E. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface // J. Appl. Phys.-1995.-Vol.77.-№ 5.-P.2032-2051.

63. Нагин А.П., Ткшькин B.M. О механизме генерации положительного заряда в структуре Si-SiC>2 в сильных полях // Письма ЖТФ.-1982.-Т.8.-Вып. 23.-С. 1423-1427.

64. Holand S., Ни S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 // J. Electrochem. Soc.-1986.-Vol.133.-№ 8.-P.1705-1712.

65. Khosru Q.D., Yasuda N., Taniguchi K. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure // J. Appl. Phys.-1995.-Vol.77.-№ 9.-P.4494-4503.

66. Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron in silicon devices: is there a shortcut? // J. Appl. Phys.-1995.-Vol.78.-№ 2.-P.1058-1087.

67. Avni E., Shapir J. A model for silicon-oxide breakdown under high field and current stress // J. Appl. Phys.-1988.-Vol.64.-№ 2.-P.743-748.

68. Fischetti M.V., Ricco B. Hot electron-induced defects at the Si-Si02 interface at high fields at 295 and 77 К // J. Appl. Phys.-1985.-Vol.57.-№ 8.-P.2854-2859.

69. Khosru Q.D., Yasuda N., Taniguchi K. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure // J. Appl. Phys.-1995.-Vol.77.-№ 9.-P.4494-4503.

70. Arnold D., Cartier E., DiMaria D.J. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxide // Phys. Rev. B.-1994.-Vol.49.-№ 15.-P.10278-10297.

71. Chen C.F., Wu C.Y. A characterization model for constant current stressed voltage-time characteristics of thin thermaloxides grown on silicon substrate 11 J. Appl. Phys.-1986.-Vol.60.-№ 11.-P.3926-3944.

72. Гадияк Г.В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках Si02 в сильных электрических полях // ФТП.-1997.-Т.31.-№ З.-С. 257-263.

73. DiMaria D.J., Cartier Е., Arnold D. Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon // J. Appl. Phys.-1993.-Vol.73.-№ 7.-P.3367-3385.

74. Cai Jin, Sah Chih-Tang. Theory of thermally stimulated charge in metal-oxide-semiconductor gate oxide // J. Appl. Phys.-1998.-Vol.83.-№ 2.-P.851-857.

75. Hiroshi Nakatsuji, Yasuhisa Qmura. An improved theory for direct-tunneling current characterization in metal-oxide-semiconductor system with nanometer-thick silicon dioxide film // Jpn. J. Appl. Phys.-2000.-Vol.39.-№ 2A.-P.424-431.

76. DiMaria D.J. Electron energy dependence of metal-oxide-semiconductor degradation // Applied physics letters.-1999.-Vol.75.-№ 16.-P.2427-2441.

77. Электронный захват в МДП-структурах с термическим оксидом кремния при туннельной инжекции / В.С.Солдатов, Н.В.Соболев, И.Б.Варлашов и др. // Изв. вузов. Физика.-1989.-№ 12.-С. 8284.

78. Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП-структуры / В.С.Солдатов, А.Г.Воеводин, И.Б.Варлашов и др. // ФТП.-1990.-Т.24.-Вып. 9.-С. 1611-1615.

79. Михайловский И.П., Эпов А.Е. Зарядовая нестабильность кремневых МДП-структур в сильных электрических полях // Микроэлектроника. -1985. -Т. 14 .-Вып. 2.-С. 173-176.

80. Зарядовая деградация МДП-систем с термическим оксидом кремния, пассивированным фосфорно-силикатным стеклом, при высокополевой туннельной инжекции/ В.В. Андреев, Г.Г. Бондарен-ко, А.А. Столяров и др. // Микроэлектроника.-1997 ,-Т.2б.-№ 6.-С. 440-446.

81. Влияние пассивации на динамику накопления заряда в МДП-структурах при туннельной инжекции / В.С.Солдатов, Н.В.Соболев, И.Б.Варлашов, О.В.Сопов, А.А.Смотраков // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы.-1987 .-Вып. 6.-С. 25-28.

82. Nature of deforms in paned В doped Si02 / Offenberg M., Maier M., Balk P. // J. Vac. Sci. Technol.-1986.-Vol.4 .-№ 3.-P.1009-1012.

83. Зайцев H.A., Красников Г.Я., Неустроев С.А. Воздействие паров РС13 на свойства структур Si-Si02 // Изв. АН СССР: Неорган. материалы.-1989.-Т.25.-№ З.-С. 403-405.

84. Зайцев Н.А., Козлов A.M., Неустроев С.А. Влияние термообработки структур Si-Si02 в атмосфере РС13 на их электрофизические характеристики // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника . -1977 . -Вып. 6.-С. 18-23.

85. Солдатов B.C., Воеводин А.Г., Коляда В.А. Модель генерации поверхностных состояний в МДП-структурах при туннельной инжекции // Поверхность. Физика, химия, механика.-1990.-№ 7.-С. 92-97.

86. Столяров А.А. Исследование влияния пассивирующих слоев на нестабильность зарядов МДП-структур при туннельной инжекции // Известия вузов. Электроника.-1998.-№ 2.-С. 17-23.

87. Fischetti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalanche and tunnel electron injection // J. Appl. Phys.-1985.-Vol.57.-№ 8.-P.2860-2879.

88. Mikhailovskii I.P., Potapov P.V., Epov A.E. Sign of the charge accumulated in thermal Si02 films of silicon MIS structures under high electric field condition // Phys. Stat. Sol.(a).-1986.-Vol.94.-P.679-685.

89. А.с. СССР № 721729 Ртутный зонд / Э.Г. Гасилов, А.В. Зайцев.-Опубл. в Б.И. 1980, № 10.

90. А.с. СССР № 1058008 Измерительный ртутный зонд / Я.О. Ройзин, B.C. Василенко.-Опубл. в Б.И. 1983, № 44.

91. Разработка и внедрение электрофизических методик и аппаратуры автоматизированного неразрушающего контроля качества диэлектрических слоев МДП-ИС. Отчет о НИР / КФ МГТУ Рук. В.Г. Барышев. № ГР У31566.- М.:, 1989.-100 с.

92. Разработка автоматизированной установки контроля качества и надежности диэлектрических слоев. Отчет о НИР / КФ МГТУ Рук. В.Г. Барышев. № ГР У44302.- М.:, 1987.-43 с.

93. Drach V.E., Korotygin S.V., Tkachenko A.L., Chukhraev I.V. MIS structures C-V characteristics simulation subject to surface state density // Abstracts of 2-nd International conference "Advances in modern natural sciences".- Kaluga, 2000.-P. 155.

94. Барышев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров А.А., Чухраев И.В. Сравнительная оценка методов контроля дефектности диэлектрических пленок // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.-1990.-Вып. 1.-С. 72-75.

95. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А. Метод постоянного тока в контроле МДП-структур // Петербургский журнал электроники.-1997.-№ З.-С. 69-72.

96. Andreev V.V., Baryshev V.G., Loskutov S.A., Stolyarov

97. A.A., Chukhraev I.V. Investigation of MOS structures charge degradation by controlled current stress technique // Abstracts of 10-th Workshop on dielectrics in microelectronics.-Barcelona, 1999.-IV/P29.

98. Исследование зарядовой деградации МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки /

99. B.В. Андреев, В.Г. Барышев, Г.Г. Бондаренко и др. // Микроэлектроника. -2ООО.-Т.29.-№ 2.-С. 105-112.

100. Лоскутов С.А. Контроль параметров быстро релаксирующих зарядов МДП-структур, генерируемых в сильных электрических полях / / Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Труды МГТУ № 575.-М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана,1999.- С. 74-79.

101. Андреев В.В., Столяров А.А., Лоскутов С.А., Чухраев И.В. Релаксация зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях // Тезисы докл. научно-техн. конф. "170 лет МГТУ им. Н.Э.Баумана". Часть 2.- Москва, 1990.- С. 76.

102. Андреев В.В., Столяров А.А., Лоскутов С.А., Чухраев И.В. Исследование релаксации зарядового состояния МДП-структур после сильнополевой деградации // Физика полупроводников и диэлектриков: Материалы IX Международ. конф.- С.-Петербург,2000.- С. 139.

103. Чухраев И.В. Методика оценки качества диэлектрических слоев после радиационных и сильнополевых воздействий // Радиационная физика твердого тела: Труды XI Межнац. совещания.- Москва-Севастополь, 2001.- С. 330-334.

104. Барышев В.Г., Драч В.Е., Коротыгин С.В., Лоскутов С.А., Чухраев И.В. Аппаратная реализация метода управляемой токовой нагрузки // Приборостроение-99: Материалы Международ, научно-техн. конф.- Ялта, 1999.- С. 289-292.

105. Драч В.Е., Лоскутов С.А., Чухраев И.В. Автоматизированная установка для исследования параметров диэлектрических слоев МДП-структур // Приборостроение-2001: Сборник трудов Международной научно-техн. конф.- Винница-Симеиз, 2001.- С. 20.

106. Бондаренко Г.Г., Чухраев И.В. Формирование структур металл-диэлектрик-полупроводник с жидкометаллическим электродом // Вакуумная наука и техника: Материалы Восьмой научно-техн. конф. с участием зарубеж. специалистов.- Москва-Судак, 2001.-С. 157-160.

107. Шабанов А.А., Хамидуллин P.P. Контактные устройства для контроля изделий микроэлектроники.-М.: Радио и связь, 1985.128 с.

108. Рязанов М.И., Тилинин И.С. Исследование поверхности по обратному рассеянию.-М.: Энергоатомиздат, 1985.-150 с.

109. Robertson A., Prestwich W.V., Kennet T.J. An automatic peakextraction technique // Nucl. Duts Meth.-1972.-Vol.100.-№ 2.-P.317-324.

110. ГОСТ 12.1.005-76. Воздух рабочей зоны.

111. Ковчавцев А.П., Французов А.А. Пористость термического окисла кремния толщиной 30-600 А // Микроэлектроника.-1979.-Т.8.-Вып. 5.-С. 439-444.

112. Козырь И.Я. Качество и надежность интегральных микросхем. -М.: Высшая школа, 1987.-143 с.

113. Бондаренко Г.Г., Андреев В.В., Столяров А.А., Ткаченко А.Л., Чухраев И.В. Зарядовая дефектность диэлектрических слоев МДП-структур // Физика и химия обработки материалов.-2001.-№ 4.-С. 94-99.

114. А.с. СССР № 312088 Способ контроля качества технологического процесса изготовления МДП-ИС / В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, А.А. Столяров, И.В. Чухраев.- 1990.

115. Алексеев В.А., Сидоров Ю.А., Чухраев И.В. Контроль дефектности подзатворного диэлектрика и прогнозирование выхода годных МДП-ИС по результатам измерения напряжения микропробоя

116. Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении: Сборник тезисов докл. межвуз. научно-техн. конф.- Калуга, 1987,- С. 185-186.

117. Чухраев И.В. Определение выхода годных МДП интегральных схем по дефектности подзатворного диэлектрика // Сборник тезисов докл. 1-ой Российской конференции молодых ученых по математическому моделированию,- Москва-Калуга, 2000.- С. 164-167.

118. Прогнозирование выхода годных БИС по анализу дефектности / В.Т. Гаврилков, В.Н. Дерюгин, В.А. Казинов и др. // Электронная промышленность.-1989.-Вып. 8.-С. 47-48.

119. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А., Чухраев И.В. Влияние инжекции электронов в сильных электрических полях на зарядовую дефектность МДП-структур // Приборостроение-99: Материалы Международ, научно-техн. конф.- Ялта, 1999.- С. 289293.

120. Чухраев И.В. Зарядовая деградация МДП-приборов при инжекции горячих электронов // Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Труды МГТУ № 580.-М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2001.- С. 174-179.

121. Андреев В.В., Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Лоскутов С.А., Столяров А.А., Чухраев И.В. Влияние ионной имплантации на дефектность МДП-структур // Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III Международ, конф.- Минск, 1999.-С. 89-91.

122. Бондаренко Г.Г., Столяров А.А., Чухраев И.В. Модель операции термического отжига в производстве МДП-ИС // Сборник тезисов докл. 1-ой Российской конференции молодых ученых по математическому моделированию.- Москва-Калуга, 2000.- С. 147149.

123. Адлер Ю.П., Маркова Е.В., Грановский Ю.В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных решений.-М.: Наука, 1986.279 с.