автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра

Введение.Л.

Глава I. Литературный обзор. Особенности дефектообразования в монокристаллах ДЛВЛ.

1.1. Введение.

12. Кристаллическая структура и дефекты в монокристаллах

А°ЛЛ.

1.2.1. Кристаллография решетки сфалерита.

1.2.2. Точечные дефекты и их кластеры.

1.2.3. Дислокащш.9.,,

1.2.4. Скольжение и переползание дислокаций.(?:.

1.3. Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида и фосфида галлия.

1.4. Взаимодействие примесей с дислокациями в монокристаллах

А Л Л.ГЪ,

1.4.1. Распределение точечных дефектов и примесей вокруг дислокаций.•? .'1.

1.4.2. Возникновение дефектов в процессе выращивания монокристаллов арсенида галлия.

1.4.3. Мшфо дефекты в монокристаллах арсенида галлия, выращенных из расплавов с резким отклонением от стехиометрии.

1.5. Выводы и постановка задачи.^.8.

Глава П. Изучение дефектов структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия, выращенных методом Чохральского.л1.

11.1. Методы исследования структурного совершенства монокристаллов арсенида и фосфида галлия.

П. 1.1. Металлографриеские методы контроля.

П. 1.2. Метод фотоухфугости.Т.

ПЛ .3. Метод мйкротвердости.

ИЛА. Метод прецизионного измерения периода решетки

П. 1.5. Метод интегральной фотолюминесценции.

П.2. Получение промышленных кристаллов А™ВА (на примере фосфида галлия). .Фл.?.

11.2.1. Синтез фосфида галлия.•^.Я.

11.2.2. Рост монокристаллов фосфида галлия. из. Результаты исследований.а.5*

П.3.1. Полуизолирующий арсенид галлия.

II. 3.2. Арсенид галлия, легированный кремнием.Т.?.

П.З.З. Фосфид галлия, легированный серой.а.'г

П.4. Выводы по главе П.

Глава Ш. Исследование влияния условий выращивания на процессы формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида и фосфида галлия./.Рл.

Формирование формы фронта кристаллизации в процессе роста монокристаллов арсенида и фосфида галлия./а(?а.

Ш.2. Влияние отклонения диаметра от его нолошала в процессе роста на распределение плотности дислокаций в монокристаллах арсенида и фосфида галлия.л/г./.

Ш.З. Влияние формы и угла разрапщвания верхнего конуса на структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия.а.а.а

Ш.4. Совершенствование технологии получения промышленных монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5 мм100 мм.

III. 4.1. Исследование причин двойникования и поликристаллического роста в моно1фисталлах арсенида и фосфида галлия./¡А

Ш.4.2. Разработка способов снижения плотности дислокаций в монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра.

Ш.4.3. Разработка способов снижения внутренних напряжений в монокристаллах фосфида галлия.Ш

Ш.5. Выводы по главе Ш.

Глава IV. Исследование влияния концентрации легирующей примеси на структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия.Л.

IV. 1. Изучение особенностей поведения кремния в арсениде галлия.

142. Изучение особенностей поведения серы в фосфиде галлия./АА.

IV 3. Выводы по главе IV./гг

Выводы.А.7А.

Применение монокристаллов арсенида и фосфида галлия при изготовлении приборов оптоэлектроники в качестве подложечного материала предъявляет жесткие требования к структурному совершенству. Поиск путей управления структурой и свойствами кристаллов в процессе выращивания является актуальной задачей при разработке промышленной технологии получения монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 76 и 100 мм. Установление основных закономерностей изменения структурного совершенства кристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра при легировании различными примесями, определение влияния режимов вырапщвания на особенности формирования дислокационной структуры позволяет увеличить экономическую эффективность производства монокристаллов.

Кроме того, весьма актуальным является изучение структурных свойств малодислокационных кристаллов арсенида галлия, легированных кремнием и полученных методом Чохральского. В данных кристаллах присутствует в значительном количестве фоновая примесь - бор, влияние которой на свойства монокристаллов арсенида галлия до сих пор достоверно не определено.

Целью настоящей диссертационной работы было установление современного уровня технологии выращивания монокристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра с точки зрения достижения необходимых потребителям характеристик материалов, определение факторов, определяющих структурное совершенство кристаллов для повышения экономической эффективности производства, а также формирование практических рекомендаций по получению монокристаллов с заданными электрофизическими и структурными свойствами.

При этом решались следующие задачи:

1. Анализ основных закономерностей изменения структурного совершенства промыпшенных кристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра при легировании различными примесями.

2. Определение влияния режимов выращивания и термообработок на особенности формирования дислокационной структуры монокристаллов арсенида и фосфида галлия.

3. Отработка методик металлографического контроля дефектов структуры монокристаллов арсенида и фосфида галлия, оценка возможности применения метода интегральной фотолюминесценции для однородности распределения структурных параметров в объеме кристаллов.

4. Установление путей управления структурным совершенством кристаллов арсенида и фосфида галлия при изменении технологических параметров процесса выращивания и концентрации лепфующей примеси.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, общих выводов, содержит 77 рисунков, 31 таблицу и список используемой литературы из 127 наименований. Полный объем диссертации 188 страниц.

Выводы

1. Проведено исследование структурного совершенства промышленных монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия диаметром 52,5-ь76мм с удельным сопротивлением М0Л5 10л0мсм и монокристаллов арсенида галлия, легированных кремнием в диапазоне концентраций от 210 см" до 4-10 см"*, диаметром 52,5-г76мм. Показано, что монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия большого диаметра (более 76 мм) имели высокое структурное совершенство (средняя плотность дислокаций не щ)евышала 5-10"л см"л) и равномерное распределение дефектов во всем объеме слитков. Для монокристаллов арсенида галлия, легированных кремнием, обнаружено, что с увеличением концентрации свободных носителей с 210лЛсм*л до 440ллсм"л изменяется характер радиального и осевого распределения дислокаций, снижается среднее значение плотности дислокаций с МО"* см"л до 5 1СЛ см*Л

2. В результате проведенных исследований структурного совершенства монокристаллов фосфида галлия, легированных серой в диапазоне концентраций от 2-10*Лсм'л до 2-10лл"л, диаметром 52,5-г 100мм установлено, что характер радиального распределения плотности дислокаций зависит от ориентации и диаметра полученных слитков. Показано, что среднее значение плотности дислокаций возрастает от 410'лсм"л до МОЛсм'л при увеличении диаметра 1фисталла с 52,5мм до 100мм. Обнаружено, что для монокристаллов фосфида галлия диаметром 52,5 мм, выращенных вдоль насфавдения <111>, характерно "V"- образное радиальное распределение дислокаций при средней плотности, равной 2,5 10'Лсм"л. Монокристаллы фосфида галлия диаметром 52,5-Л76мм, выращенные вдоль направления <100>, имели. как правило, ,А,А-образное радиальное распределение дислокаций при средней плотности 5-10А см'А

3. Определены технологические параметры роста, которые в значительной степени определяют структурное совершенство монокристаллов арсенида и фосфида галлия большого диаметра. Анализ экспериментальных данных по влиянию условий выращивания на особенносга формирования дислокационной структуры показал, что наиболее благоприятной для роста монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5-г76мм, длиной 804-120мм является плоская или слегка выпуклая в расплав форма фронта кристаллизации. Замечено, что флуктуации дааметра 1фисталла (±10мм) от его номинала, значительное изменение (±15°) угла конуса разрашивания приводят к локальному увеличению плотности дислокаций (до 110А' и к неравномерному их распределению в объеме слитков арсенида и фосфида галлия.

4. Установлено, что для получения малодислокационных монокристаллов (Мд<ЫОА см'А) арсенида галлия, легированных кремнием, диаметром 76мм необходимо снизить осевые и радиальные градиенты температуры в расплаве и в слое флюса до ЗОА'С/см и 7°С/см соответственно. Для снижения плотности дислокаций до ЗЮ'Асм'А и равномерного их распределения по длине слитка в монокристаллах фосфида галлия, легированных серой, диаметром 76мм были использованы фоновые нагреватели.

5. Определен 1фитический уровень остаточных нагфяжений в нелегированных и легированных серой монокристаллах фосфида галлия диаметром 52,5-А76 мм, при котором велика вероятность растрескивания слитков при их дальнейшей обработке. Для нелегировашшх монокристаллов фосфида галлия диаметром 52,5мм эта величина составляет 41кг/см'', для легированных серой монокристаллов фосфида галлия диаметром 76мм - 35-38 кг/смА. Обнаружено, что введение процедуры дополнительного постростового отжига (Т=900°С в течение 24 часов в атмосфере азота), тщательный контроль за изменением диаметра растущего кристалла позволяет снизить уровень остаточных напряжений с 40 кг/смА до 20 кг/смА.

6. Обнаружено, что в изучаемых кристаллах арсенида галлия, легированных кремнием, содержалось значительное количество бора (до 1,2-10ААат/смА). Увеличение концентрации легирующего кремния (с 510*''ат/смА до 3-10ААат/смА) сопровождалось возрастанием содержания бора (3-10ААат/смА до 1,2'10аа/см'*). Показано, что изменение параметра решетки моно1фисталлов арсенида галлия, легированных кремнием, с 0,565361нм до 0,565335нм обусловлено совместным присутствием кремния и бора. Эти данные подтверждаются теоретическими расчетами и экспериментальными результатами прецизионного измерения периода решетки.

7. Замечено, что с увеличением концентрации свободных носителей в диапазоне от 2-10*Асм"А до 210Алсм"А в монокристаллах арсенида галлия, легированных кремнием, наблюдается снижение плотности дислокаций с МО^см^ до 5-10Асм'А. Установлено, что снижение плотности дислокаций в монокристаллах арсенида галлия может быть связано с эффектом примесного упрочнения решетки легирующей примесью (кремнием) и фоновой примесью (бором).

8. Установлено, что с увеличением концентрации свободных носителей с 2-10ллсм"А до 2-10ллсм", в монокристаллах фосфида галлия, легированных серой, возрастает величина микротвердости с 5,8ГПа до 8ГПа.

9. На основании результатов проведенных исследований были выработаны практические рекомендации по получению монокристаллов арсенида и фосфида галлия диаметром 52,5-г 76 мм с заданными электрофизическими и структурными свойствами. Их применение в сзодествующей на сегодняшний день технологии вырапщвания монокристаллов арсенида и фосфида галлия позволило увеличить выход годной продукции на 10% Ю.Благодаря использованию экспериментальных данных по влиянию условий выращивания на особенности формирования дислокационной структуры были получены опытные образцы моно1фисталлов фосфида галлия диаметром более 100 мм, не имеюпще аналогов на мировом рынке.

1. Mills А., Ш-Vs Review. The advanced semiconductor magazine, v. 14, #1, 2001

2. Telford M., Ш-Vs Review. The advanced semiconductor magazine, v. 13, #5,2000

3. Flade Т., Miisch M., Kleinwechter A., Kohler A., J. Crystal Growth, 198/199(1999)336-342

4. Сангвал К., Травление кристаллов. Теория, эксперимент, хфименение, М. Мвр, 1990, с. 496

5. Tan L. Н., Vanderwater D.A., Huang Y-W., Holfer G.E., Kish F.A., Chen E.J., Ostentowski T.D., J. ofElectron. Mat., v29, #2,188-194 (2000)

6. Haasen P. Acta Met., 5,598 (1957)

7. Frank F.C., Nicholas J.F., Phil. Mag., 44.1213 (1953)

8. Homstra J., J. Phys. Chem. Solids, 5,129 (1958)

9. Вахрамеев C.C., Освенский В.Б., Шифрин C.C., Известия Академии наук ССР, 1980, т. 44, серия физическая, №2, стр. 289-294.

10. Djemel А., Castaing J., Burle-Durbec N., Pichaud В., Revue Phys. Appl., 1989,24, pp. 779-793

11. I.Alexander M., Radiation effects and defects in solids, 1989, v 111/112, #1/2, pp. 1-12

12. Motakef S., J. Crystal Growth, 1991,114, pp. 47-58

13. SiethoffH., Volkl J., Gerthsen D., Brion H. G., Phys. Stat. Sol. (a), 1987, 101,K13-K18

14. Miyazaki N., Kuroda Y., Sakaguchi M. J. of Cr. Growth 218 (2000) 221231

15. Miyazawa S., Prog. Crystal Growth and Charact., 1991, #23, pp. 23-71

16. Amon J., Berwian P., MuUer G., J of Cr. Growth 198/199 (1999) 361-366

17. Hashio K., Sawada S., Tatsumi M., Fujita K., Akai S., J. Crystal Growth, 1997, 173,pp.33-411..Guruswamy S., Rai R., Faber K.T., Hiröi J.P., J. Appl. Phys., 1987,62 (10),pp. 4130-4134

18. Yonenaga L, Sumino K., J. Appl. Phys., 1989,65 (1), pp. 85-93

19. Sawada S., Yoshida H., BCiyama M., Nakai R., J. Appl. Phys., 1998, v. 37, pp. 5457-5464

20. Шифрин C. C., Марков A.B., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Изв. АН СССР, серия физика, 1983, т. 47, вып. 2, с.295-301

21. Abrahams M.S., Buiocchi C.J. Etching of dislocations on the low-index faces of GaAs, J. iApl. Phys., 1965, v.36, #9, p. 2855-286323.0tsuboM., Murotani Т., Phys. Lett., 1983, v. 22, #6, p. 345-347

22. MapKOB A.B., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., ФТП, 1986, т.20, вып. 4, с. 634-640

23. Марков A.B., Гришина СП., Мильвидский М.Г., Шифрин С.С., ФТП, 1984, Т.18, вып. 3, сс. 465-470

24. Tower J.P., Tobin R., Pearach P. J., Ware R.M., J. Crystal Growth, 114, (1991)665-675

25. Мильвидский MX., Пелевин O.B., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М., «Металлургия», 1974,392с.

26. Nakajima М., Katsmnata Т., Terashima К., Ishida К. Japanese Jomnal of Appl. Phys., V. 24, #1,1985, pp. L65-L68

27. Molva E., Bmidon P., Chabli A., Lombardot A., Dubois S., Bertin F. J. Crystal Growth, 103 (1990) 91-101

28. Rasp M., Birkmann В., Muller G., J. Crystal Growth, 222 (2001) 88-95

29. Yamada K., Kohda H., Nakanishi H., Hoshikawa K., J. Crystal Growth, 78 (1986)36

30. Sumino K. Взаимодействие вримесей с дислокациями в арсениде гашшя. «Оё буцури», 1987, т. 56, №7, с.860-872

31. ЗЗ.СЬепN. F., Не П., Wang У., Lin L., J. Crystal Growth, 173 (1997) 32532934.0kada H., Ohmoto S., Kawanaka Т., J of Appl. Physics, v. 88, #11, 2000, pp. 6943-6944

32. Van Vechten J. A., J. Electrochem. Soc. 122 (1975) 419

33. Sumino K., Defects in Semiconductors, Materials Reseach Society Symposia Proceedings, v. 14,1983, p. 409.

34. Sumino К and Imai M., Philos. Mag. A47 (1983) 753

35. Cottrell A. H., Dislocations and Plastic Flow in Crystals (Clarendon Press, Oxford, 1953) p.56

36. Weber E. R., Ennen H., Kaufman V., Windshief J., Schnider J., Wosinski Т., J of Appl Physics, 53, (1982) 6140

37. Meyer B. K. and Spaeth J.-M., J. Phys. C-Solid State Physics, 18 (1985) L99

38. H. J. von Bardeleben, Stievensrd D., Bourgoin J.C., J of Appl. Phys. Lett., 47(1985)970

39. Wada K. and Inoue N.,, J of Appl. Phys. Lett., 47 (1985) 945

40. Lagowski J., Gatos H. C, Parsey J.M., J. of Appl. Phys. Lett., 40 (1982) 341

41. Gullis A.G., Augusts O.D., Stirland D. J., J .of Appl. Physics, 51 (1980) 255645.0gawa Т., Jpn. J. of Appl. Physics, 25 (1986) L316

42. Barret D.L., Mc Guigan S., Hobgood H.M., Eldridge G. W., J. Crystal Growth, 70 (1984) 179

43. Miyazaki N., Okuyama S., J. Crystal Growth, 183 (1998) 81-88

44. Elliot A. G., Vanderwater D., Wei C, Materials Science and Eguieering, Bl (1988) 23-27

45. Brozel M.R., Grant I.,. Ware R. M, Stirland D. J. and Skohiick M.S., J. of Appl. Physics, 56 (1984) 1109

46. SO.Stirland D. J., Grant I., Brozel M.R.,. Ware R. M, bist. Phys. Conf. Ser., 67 (1983)285

47. Fujimoto I., Jpn. J of Appl. Physics, 23 (1984) L287

48. H. J. von Bardeleben, Stievensrd D., Deresmes D., Huber A., Bourgoin J.C., Phys. Rev., B34 (l986) 7192

49. Wenzl H., Dahlem A., Fattah A., Petersen S., Mika К., Henkel D., J. Crystal Growth, 109 (1991) 191

50. Hurle. D. T. J. Semi-Insulating III-V materials, Proc. Conf, Malmo, 1988

51. Dobrilla P. DPIP П Monterey, CA, 1987

52. Wurzinger P., CApolzer H., Pongrats P., in Microscopy of Semiconducting Materials 1989, Proc. 6a Oxford Conf, 1989

53. Kamejima Т., Shimura F., Matsumoto Y., Watanabe H., J. Matsui, Jpn. J. of Appl. Physics, 21 (1982) L721

54. Chin A. K., A. R. Von Neida and Caruso R., J. Electrochem. Soc. 1291982) 2386

55. Miyazawa S., Ishii Y., Ishida S., Nanishi Y., J. of Appl. Phys. Lett, 431983)853

56. Bunod P., Molva E., ChabU A., Bertin F., DPIP, Monterey, CA, 1987

57. Bunod P., Molva E., Chabh A., Bertin F., Bletry J. in Proc. 14*a Intern. Conf On Defects in Semiconducting Materials, Science Forum, v. 10, p. 1229

58. Bunod P., Molva E., Chabli A., Bertin F. Semi-Insulating III-V materials, Proc. 5* Conf., Mahno, 1988

59. Hunter A. Т., DRIP П Monterey, CA, 1987, p.l37

60. Marioton B.P.R., Tan T.Y. ,Gosele U., J of Appl. Phys. Lett, 54 (1989) 849

61. Dobrilla P., J. Appl. Phys. 64 (1988) 6767

62. Bugajskj M., Ко K.H., Lagowski J., Gatos H. C, J of Appl. Phys., 65 (1989) 596

63. Williams G. M., Gulhs A. G. J of Appl. Phys. Lett, v.59,1991, p. 2585

64. Matsumo V, Watanable H., Japan J of Appl. Phys. Lett, 1982, v. 21 #8 p.515

65. Марков A.B. Особенности взаимодействия дислокаций с точечными дефектами в монокристаллах арсенида галлия, вьфащиваемых из расплава. Автореферат к диссертациии, М., 1984,22 с.

66. Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2001, №2, с. 87-91

67. Бублик В.Т., Воронова М.И., Марков A.B., Щербачев, Кристаллография, 2000г., т.45, XsS, с.893-898

68. Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Кристаллография, 1994, т. 39, Ш с. 1105-1121

69. Morozov A.N., Bublik V.T., Morozova О. Y., Cryst. Res. Technol., 1986, v. 21, #6, p. 749

70. Moro2ov A.N., Bublik V.T., Morozova O. Y., Cryst. Res. Technol, 1986, v. 21, #7, p. 858

71. Бублик B.T., Мильввдский М. Г., Освенский В.Б,, Изв. Вузов Физика, 1980,Ш,с.7

72. Бублик В.Т., Морозов А.Н., Зайцев A.B., ФФТ 1982, т. 24, Ш, с. 2153

73. Grabmaier IG., Watson СВ. Phys. Status Solidi, 1969, Bd 32. H. I, s. K13-K15

74. Kuhn-Kuhnenfeld F., J. Electrochem. Soc, 119,1063 (1972)

75. White J.W., Roth W. C, J. Appl Phys., 1959, v.30, p. 946

76. SO.Faust J.W. Compounds Semiconductors, v. 1, Preparation of III-V Compounds, Willardson R.K. Goering HL, chap 50, Reinhold Publ Corp., N.Y., 1962, p. 445-468

77. Richards J. L., Crocker A.J., J. Appl. Phys., 31,611 (1960)

78. Gottshalch V., Krist. and Tech., 14,939 (1979)

79. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур, М. : Радио и связь, 1982, с. 239

80. Yain S.C., Pinardi К., Maes Н. Е., R. Van Overstraeten, Willander Н., Semiconductor. Sei. Technol, 13 (1998) p. 864-870

81. Бублик B.T., Дубровина А.Н., Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М., Металлургия, 1978,272 с.

82. Лахов В.М., Митюхляев В.Б., Правдивцев А.Е., Тодуа П.А., Файфер В.Н. Измерительная техника, №5, с.47-48 (2000)

83. Hovel H.Y., Guidotti D., ШЕЕ Transactions on Electron Devices, v. ED-32, #11 (1985)

84. BCressel H., Ettenberg M., J. Appl Phys. Lett, v.23, #9, pp. 511-513

85. Alexander H., Kisielowski Kemmerich С, Defects in crystal, 1988, p. 393-414

86. Frigerio G. Mucchino, J. of Crystal Growth (99) 1990,685-691

87. Elbert P., Domke C, Urban K., J. Appl Phys. Lett., v. 76, #4, 2001, pp. 480-482

88. Картушина A.A., Маркова Т.И., Соколов B.B., Гончарова Н.В., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, Ш, 2001г., с.6293.0kada П., Kawanaka Т., Ohmoto S., J. Appl. Phys.,v. 86, #6, 1999, pp. 3015-3019

89. Beppu Т., Iwamoto M., Naito M., Kasami A., ШЕЕ Trans. Electron Devices ED-24,951 (1977)95.1izuka T, J. Electrochem. Soc. 118,190 (1971)

90. Rozgonyi G. A., lizuka T, J. Electrochem. Soc. 120,673 (1973)

91. Белоусова Ю.Е., Ольховикова Т.И., Хашимов Ф.Р., Окунев Ю.А., Электронная техника. Серия Материалы, №8 (229), 1987, с. 16-20

92. Стрельченко С.С., Лебедев В.В,, Соединения АЗВ5. Справочник, М. Металлургия, 1984,144с.99.111ифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Кристаллография, Т.27, вып. 4,1982, с. 712-721

93. Chen N., Не Н., Waag Y., Pan К., Lin L,

94. Johansen Т., J. of Crystal Growth, 118 (1992) pp. 353-359

95. Schvezov C, Samarasekera I, Weinbeng F., J. of Crystal Growth, 85 (1987) pp. 142-147

96. Buzynin A., Antonov V., Osiko V., Tatarintzev V., Izv. Akad. Nauk, SSSR, Ser. Fiz., 52 (1988) 1889

97. Antonov v., BletskanN., Gribov В., ICCG-9,1989,20, Sendai, Japan

98. Hurle D in Sir Charles Frank 80 th Birthday Tribute Eds R.G. Chambers, J. Enderly, A. EUer, A. R. Lany and J.V. Steeds (Hilyer, 1991) p. 188

99. Hurle D. J., J. of Crystal Growth, 147 (1995) pp. 239

100. Markova T. I., Goncharova N. V., ICSC-2001, Obninsk, 2001, pp. 582584

101. Литвинова М.Б., Шутов СВ., Борискин И.В., Неорганические материалы, 2001, т.37, №2, с.146-148

102. Amon J., Hartwig J., Ludwig W., Muller G, J. of Crystal Growth, 198/199 (1999) pp. 367-373

103. Flat A., J. of Crystal Growth, 109 (1991) p. 224

104. Elliot A., Flat A., Vanderwater D., J. of Crystal Growth, 121 (1992) p. 349

105. Carlson D., Witt A., J. ofCrystal GrovAh, 108 (1991), p. 508

106. Kuwamoto H., Hohnes D., J. of Crystal Growth, 91 (1988), pp. 567-575

107. Orioto F., Okada H., Nakajima N., Fukuda Т., J. Electr. Materials 15 (1986) p. 87

108. Brantley W., Lorimor O., Dapkus P.,Maszko S., Saul R., J. Appl. Phys., 46,2629(1975)

109. Nygren S., J. of Crystal Growth, 19 (1973) p. 21

110. Takahama K., Ishii Т., Yamaguchi Т., Motakawa S., Sasano E., Otsuka S., Kawamura K., Sanyo Tech. Rev., 6 (1974) p. 3

111. Kotake H., Hihahara K., Watanabe M., J. of Crystal Growth, 50 (1980) pp. 743-751

112. Bassignana I., Macquistan D., Hiller G., Streater R., Beckett D., Majeed A, Miner C, J. of Crystal Growth, 178 (1997) pp. 445-458

113. Бублик B.T., Жевнеров E. В., Щербачев К.Д., Марков A.B., Кригедь В.Г., Орлов П.Б., Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2001, №10, с. 60-64

114. Gates W.A. Wenzl Н., J. of Crystal Growth, 191 (1998), p.303

115. Jordan A, Monberg E., J. Appl. Phys., v. 73, #8,1993

116. Jordan A., Caruso R., Von Neida A., J. Apl. Hiys., v. 52, #5,198187

117. Rudolf P., Jurisch M., J. of Crystal Growth, 198/199 (1999)

118. Quadbeck P., Ebert P., Urban K., X Appl. Phys. Lett., v. 76, #3, 2000, pp. 300-302

119. Отчет no теме «Множество-2», 1543 дсп, НИИМВ, Москва, 1988г,

120. Отчет по теме «Множество-3», 676 дсп, НИИМВ, Москва, 1991г.