-
2004
Самойликов, Роман Вячеславович
Состояние вопроса. Характерной особенностью технологического оборудования, обеспечивающего основное производство является большое потребление (от десятков до нескольких сотен кВТ на одну установку) электрической и большое выделение тепловой энергии (до 200-250 кВт/м ), отвод которой должен обеспечиваться эффективными системами охлаждения
-
2004
Болесов, Игорь Анатольевич
В этом смысле огромные возможности дает значительно продвинувшийся к настоящему времени метод ионной имплантации. Метод позволяет модифицировать свойства кристаллов и аморфных пленок, изменяя их в диапазоне свойств от полуметалла до диэлектрика, позволяет эффективно и в высшей степени управляемо создавать слои, выполняющие функции стоков дефектов
-
2004
Сизов, Алексей Владимирович
Наибольшего КПД СБ удалось достичь при использовании p-i-n структур. Наличие широкой собственной нелегированной области (i-области) a-Si:H для создания однородного и максимально большого внутреннего электрического поля обеспечивает поглощение света этой областью и соответственно эффективную работу элемента [2
-
2004
Артемов, Евгений Иванович
Современные тенденции в технологии некристаллических полупроводников связаны с сохранением высоких оптических и электрофизических свойств материалов при высокой скорости их роста и низкой температуре осаждения, что существенно влияет на микроструктуру. Микроструктура определяет вид распределения плотности состояний, которая, в свою очередь
-
2004
Андреев, Андрей Юрьевич
Малые толщины, характеризующие квантоворазмерные структуры, приводят к тому, что явления, имеющие незначительное воздействие на свойства обычных объемных структур, в данном случае проявляются в виде заметного изменения характеристик изготовленных на их базе приборов. При температурах роста, составляющих для МОС-гидридной эпитаксии гетероструктур
-
2004
Подгорная, Светлана Владимировна
Улучшение частотных характеристик ферритов обычно достигается введением в них определенных модифицирующих добавок, снижающих электропроводность, а, следовательно, и потери. Однако такие добавки одновременно снижают магнитную проницаемость ферритов и вызывают увеличение потерь на гистерезис. Перспективно также применение тонкодисперсных ферритовых
-
2004
Осипов, Александр Владимирович
Сегодня, многослойные тонкопленочные покрытия используются в качеф> стве элементов сверхбольших интегральных микросхем (СБИС), рентгеновских зеркал, устройств с эффектом гигантского магнитного сопротивления (ГМС), микроэлектромеханических систем (МЭМС) - микродвигатели, зубчатые микромеханизмы, микротурбины, микропинцеты и др., кантилеверов
-
2004
Косарев, Артем Михайлович
Результаты использования математической модели докладывались и обсуждались на конференции «2-ая Российская школа по кремнию» 2-4 июля 2001 года, Москва, МИСиС
-
2004
Шишков, Максим Викторович
Проведен сравнительный анализ электрофизических и структурных свойств слоев InP, GalnAsP выращенных на монокристаллических и пористых подложках фосфида индия; N
-
2004
Алкаев, Александр Николаевич
Предложен метод для расчета ППП для двухслойной структуры. Проведены систематические исследования нелинейно-оптических свойств различных фаз HxLii.xNb03 и НДл^ТаОз. Получены зависимости показателя преломления и интенсивности отраженного сигнала второй гармоники от глубины протонообменного волновода
-
2004
Ковалева, Наталья Львовна
В производстве изделий электронной техники на различных стадиях технологического процесса и для различных типов приборов используется значительное количество чистой воды. Причем в некоторых случаях вода используется на первичной стадии обработки изделия, например, в процессе производства чистых материалов, в других случаях в процессе финишной
-
2004
Простомолотов, Анатолий Иванович
Особенно остро необходимость широкого использования моделирования ощущается для технологий с длительным периодом выращивания, а также в очень дорогих экспериментах по космическому материаловедению, где моделирование сегодня является неотъемлемой частью наземной отработки ростовых процессов, осуществляемых на борту космических аппаратов
-
2004
Климовицкий, Анатолий Григорьевич
Другой проблемой перехода к медным межсоединениям в совокупности с тенденцией к уменьшению размеров является большая диффузионная подвижность Си в различных материалах. Это вынуждает окружать медные межсоединения со всех сторон диффузионно-барьерным слоем (ДБС). Поскольку уменьшение размеров пробора приводит к утонению ДБС, то проблема
-
2004
Мальвинова, Ольга Валерьевна
-
2004
Масленников, Евгений Ильич
Разработка и исследование особенностей технологического процесса формирования планарных протонообменных волноводов в кристаллах ниобата лития легированных 5% оксида магния. , - Разработка и оптимизация технологических параметров процесса формирования одномодовых на длине волны 0.83мкм канальных протонообменных волноводов в кристаллах ниобата лития
-
2004
Малышев, Константин Васильевич
Поэтому для выполнения вышеперечисленных задач актуальна разработка технологического процесса, обеспечивающего улучшение характеристик такого нелинейного преобразователя. Он состоит из смесителя и гетеродина. Основной характеристикой смесителя является его частотный спектр, то есть зависимость мощности от частоты на выходе смесителя, когда на его
-
2004
Хлопов, Борис Васильевич
Значительное увеличение объема хранимой информации и сокращение временных ресурсов, требуемых для ее обработки, обусловило необходимость применения наряду с бумажными носителями информации и иных носителей, сопрягаемых с ЭВМ. К таким носителям следует отнести магнитные носители, применяемые в системах магнитной записи, входящими в состав
-
2004
Адамов, Григорий Евгеньевич
Большие перспективы в плане создания элементов устройств обработки информации связаны с биоорганическим полимером бактериородопсином (БР), получение которого освоено в промышленных масштабах. В Сиракузском университете США на действующих макетах проверены принципы и показана возможность построения на основе БР объемных модулей оперативной памяти с
-
2004
Авдиенко, Александр Андреевич
Проблема оснащения производства приборов МЭ высокоэнергетичными имплантерами ещё более обострилась в связи с повышением степени интеграции ИС и СБИС, созданием радиационно-стойких приборов и стремлением к сокращению технологического цикла и стоимости производства Наличие высокопроизводительного оборудования высокоэнергетической имплантации
-
2004
Мазуров, Александр Вячеславович
Поскольку характеристики гетероструктур аморфный/кристаллический полупроводник во многом определяются особенностями переноса носителей в ^ них, изучение механизмов токопереноса в подобных гетероструктурах является важной научно-практической задачей. Ее решение способствует оптимизации технологии получения гетероструктур аморфный/кристаллический
