-
2003
Патаридзе, Зураб Гивиевич
При получении эпитаксиальных слоев (ЭС), используемых в качестве эмиттера, методом ЖЭ, ограниченный запас кристаллизуемого вещества и высокий коэффициент распределения алюминия в этой системе, приводят к необходимости многократного повторения процесса со сменой растворов-расплавов [2], что не экономично и не технологично
-
2003
Драка, Оксана Евгеньевна
Технологические трудности выращивания висмутсодержащих твердых растворов до последнего времени замедляли их широкое практическое внедрение. Однако недавние достижения в данной области [1] открывают новые перспективы его получения и применения. Вследствие этого возрастает интерес к фундаментальным свойствам - таким как электронная зонная структура
-
2003
Тарасов, Роман Юльевич
Согласно статистическим данным около 40% всех измерений составляют температурные измерения. В энергетике доля температурных измерений доходит до 70% от общего числа измерений [6
-
2003
Копейкин, Андрей Николаевич
Одним из основных контролируемых и регулируемых параметров чистых комнат, используемых в микроэлектронике, является относительная влажность. Измерение относительной влажности в чистых комнатах и окружающей среде — задача решенная. Существует большое количество отечественных и зарубежных фирм производителей выпускающих приборы для измерения
-
2003
Шермагина, Елена Юрьевна
В последние десятилетия достигнут значительный прогресс в применении устройств на ПАВ в технике средств связи. Однако, непрерывное совершенствование современной радиоэлектронной аппаратуры предъявляет все более высокие требования к электрическим параметрам фильтров на ПАВ. В настоящее время остается актуальной задача комплексного подхода к
-
2003
Баранник, Алексей Анатольевич
Из различных технологических методов получения приборов на основе МТР АШВУ в силу ряда преимуществ - относительная простота, многофункциональность, дешевизна -широко распространенными являются методы жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ)[2
-
2003
Каратунов, Юрий Владимирович
Химическое осаждение тонких пленок из газовой фазы для большого числа материалов электронной техники получило широкое распространение лишь в последние годы в производстве различных типов изделий микро- и оптоэлектроники, сенсоров, детекторов, и высокотемпературных защитных покрытий. Существенное запаздывание с внедрением процессов химического
-
2003
Малибашев, Александр Владимирович
Этот метод в литературе получил также и другие названия: метод движущегося растворителя, метод зонной плавки с градиентом температуры, кристаллизация из тонкой зоны расплава, термомиграция жидкого включения. системах, формировать гетероструктуры и материалы с изменяющейся шириной запрещенной зоны [3
-
2003
Русаков, Демьян Николаевич
В настоящее время направление по разработке и изготовлению приборов на основе ГС SiGe/Si в России ограничиваются в основном академическими исследованиями в области изготовления светочувствительных матриц инфракрасного диапазона. В последние годы наметилась тенденция к исследованию возможности изготовления приборов наноэлектроники на основе Si, Ge
-
2003
Епимахов, Игорь Дмитриевич
Интенсивное развитие современных автоматических систем управления технологическими процессами в совокупности с методами математического моделирования выращивания монокристаллов кремния позволяют совершенствовать тепловые узлы, оптимизировать условия выращивания для получения монокристаллов высокого качества
-
2003
Фейгельсон, Борис Николаевич
Попытки применения синтетических кристаллов алмаза в электронной технике дали наиболее значимые результаты в области производства высокочувствительных твердотельных термодатчиков с повышенным рабочим диапазоном температур. Совсем недавно было получено первое предварительное сообщение из Японии об успешной попытке создания спектрометрического
-
2003
Капустин, Евгений Николаевич
Для получения тонких плёнок материалов сложного состава во избежание фракционирования и диссоциации сложных композиций используется ионно-лучевое распыление, получившее, к настоящему времени, широкое распространение в отечественной и мировой практике [2-4
-
2003
Апраксин, Дмитрий Васильевич
-
2003
Рыжов, Максим Вадимович
Можно говорить и о синтезе новых ВТСП в виде пленок [12-15]. В ряде случаев такой метод синтеза может оказаться: во-первых, дешевле и эффективнее, чем синтез керамики; во-вторых, позволит синтезировать новые многослойные структуры, что при синтезе материалов в керамической форме сделать невозможно
-
2003
Зорин, Андрей Владимирович
Во всех вышеперечисленных изделиях первостепенное значение имеет фазовый состав, включая нестехиометрический состав бинарных фаз. Хорошо известно, что халькогениды кадмия и цинка относятся к соединениям с узкой областью гомогенности. Существует большое количество исследований, в которых рассматриваются проблемы легирования халькогенидов кадмия и
-
2003
Каримбеков, Мырзамамат Арзиевич
В ходе научно-технической деятельности происходит дальнейшее усложнение требований, в частности выдвигаются требования в связи с успехами в электронике и информатике, провозглашается необходимость большей эффективности, миниатюризации и быстродействия
-
2003
Гурьянов, Андрей Валерьевич
Создание трехмерных высокоупорядоченных (на уровне кристаллических структур) наносистем оказалось довольно трудным, поскольку имелся разрыв между размерами структурных пустот (в кристаллических системах <1,0-1,5 нм), и пористыми системами различного типа, в которых размер пустот можно регулировать, но невозможно создать высокоупорядоченные
-
2002
Белянин, Алексей Федорович
И алмаз, и A1N при определенных условиях обладают отрицательным электронным сродством. Применение этих материалов дает возможность понизить порог эмиссии при изготовлении ненакаливаемых катодов устройств эмиссионной электроники и плоских дисплеев с высокой яркостью и малым энергопотреблением. Известно использование слоистых структур
-
2002
Шерченков, Алексей Анатольевич
Применение гетероструктур аморфный/кристаллический кремний (a-Si:H/c-Si) позволяет совместить высокую эффективность приборов на основе c-Si с низкой стоимостью получения a-Si:II. В тоже время практическая реализация приборов на их основе затруднена из-за отсутствия ясных представлений о закономерностях формирования и свойствах гетероструктур на
-
2002
Фролов, Андрей Михайлович
Структура и свойства материалов в значительной степени определяются технологией их получения. В последние годы, наряду с оптимизацией состава сплавов и легирования, изыскиваются новые технологические способы производства полуэлементов повышенной эффективности (зонное выравнивание, экструзия, зонная плавка с использованием различного типа
