автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения

Страницы

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ (Введение).

1. ПРЕДПОСЫЛКИ И ПОСТАНОВКА РАБОТЫ (Концепция)

1.1. Классы материалов и эволюция их применения в термоэлектрической технике.

1.2. Термоэлектрические преобразователи как тепловые машины.

1.3. Плёночные термопарные термоэлектрические устройства и их эволюция.

1.4. Устройства на поперечном термоэлектрическом эффекте и их эволюция.

1.5. Аспект метрологии и постановки разработок на производство.

2. РАЗВИТИЕ ПРИНЦИПОВ ВЫБОРА МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

2.1. Модельные представления и критерии для выбора, разработки и совершенствования термоэлектрических материалов.

2.2. Модельные представления для определения критериев выбора материалов термоэлектрических преобразователей измерительного назначения.

2.3. Модели для оптимизации свойств плёночных термоэлектрических материалов.

2.4. Методы повышения термоэлектрической эффективности конденсированных плёнок.

3. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ И ГЕОМЕТРИЧЕСКИЙ ОБРАЗ ПО ТЕОРЕТИКО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ АНИЗОТРОПНО-ТЕКСТУРНОЙ МОДЕЛИ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ПЛЁНОЧНЫХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

3.1. Монокристаллы и поликристаллы, их структура и свойства, изотропия и анизотропия, монотекстура и политекстура.

3.2. Текстура формы кристаллитов.

3.3. Кристаллографическая текстура.

3.4. Взаимосвязь пространственных распределений кристаллографических направлений в поликристаллических плёнках с аксиальной текстурой.

3.5. Экспериментальное исследование текстуры плёночных поликристаллических материалов.

4. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

КОНДЕНСИРОВАННЫХ ПЛЁНОК И ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ ВИСМУТА И СПЛАВОВ НА ЕГО ОСНОВЕ

4.1. Особенности зарождения и формирования, структурные и размерные эффекты и свойства плёнок висмута.

4.2. Особенности испарения, структура и свойства плёнок сплавов висмута с сурьмой, свинцом и теллуром.

4.3. Размерные и контактные явления в тонкоплёночных композициях на основе висмута.

5. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

КОНДЕНСИРОВАННЫХ ПЛЁНОК СУРЬМЫ, ТЕЛЛУРА И ГЕРМАНИЯ

5.1. Структура и термоэлектрические свойства плёнок сурьмы.

5.2. Структура и термоэлектрические свойства плёнок теллура.

5.3. Структура и термоэлектрические свойства плёнок германия.

6. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КОНДЕНСИРОВАННЫХ ПЛЁНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА И ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА

6.1. Структура и термоэлектрические свойства плёнок теллурида свинца.

6.2. Структура и термоэлектрические свойства плёнок теллурида висмута и твердых растворов на его основе.

6.3. Исследование условий модифицирования плёнок термоэлектрических материалов осаждением на их поверхность островковых покрытий металлов.

7. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАННЫХ ПЛЁНОК ВИСМУТА, ТЕЛЛУРА И ХРОМА

7.1. Обоснование выбора материала плёнок для термопреобразователей на эффекте поперечной термоэдс.

7.2. Влияние условий получения на структуру и термоэлектрические свойства плёнок.

7.3. Поведение плёнок при нагреве, отжиге и лазерном облучении.

8. СОЗДАНИЕ МАКЕТОВ ПЛЁНОЧНЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРИЁМНО-ПРЕОБРАЗУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ДОКУМЕНТОВ

НА ПОСТАНОВКУ И СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПРОИЗВОДСТВ 8.1 Реализация плёночных термоэлектрических преобразователей типа «мозаика» в виде контактных контроллеров температуры и широкоапертурных приёмников излучения.

8.2. Реализация плёночных термоэлектрических преобразователей типа «звёздочка» в виде радиационного контроллера температуры.

8.3. Реализация плёночных теплоэлектрических преобразователей резистивно-термоэлектрического типа в виде контроллеров давления газа и вакуума.

8.4. Реализ ация плёночных наклонноконденсиров анных термоэлектрических преобразователей в виде контроллеров лазерного излучения.

8.5. Реализация плёночных резистивных измерительных схем для автоматических электронных потенциометров.

8.6. Создание лабораторных измерительных методик для плёночных материалов.

8.7. Постановка задачи о показателе качества динамических систем.

ВЫВОДЫ.

Введение)

Проблемы научно-технического прогресса успешно разрешались с привлечением метода термодинамики, сначала - феноменологической (классической), затем - статистической и, наконец, с привлечением термодинамики необратимых процессов. Первоначальным триумфом термодинамики стало практическое освоение многообразных тепловых машин, осуществляющих взаимные превращения между теплотой и механической работой. Следующим триумфом можно считать освоение многообразных термоэлектрических устройств, осуществляющих взаимные превращения между теплотой и электрической энергией. Особая техническая комфортность использования электрической энергии пробудила особый интерес к термоэлектрическим генераторам, холодильникам и стабилизаторам температуры, включая устройства не только на традиционно известных термоэлектрических эффектах, но и на более сложных гальванотермомагнитных и термомагнитных эффектах1.

В истории термоэлектрической техники (как и в истории тепловых машин) изобретательское конструирование устройств опережает материаловедческие и технологические разработки. При этом целевую эффективность промышленных термоэлектрических устройств обеспечивают достаточно сложные материалы и технологии (в соответствии с существовавшими на то время научными концепциями и существовавшими практическими возможностями).

В ходе научно-технической деятельности происходит дальнейшее усложнение требований, в частности выдвигаются требования в связи с успехами в электронике и информатике, провозглашается необходимость большей эффективности, миниатюризации и быстродействия.

Специалистами всё более осознаётся необходимость разработки плёночных измерительных термоэлектрических преобразователей. В этом направлении накоплен большой и разнообразный опыт физических экспериментов и технического конструирования, однако, поискового характера, и без желательного обобщённого

1 Рассмотрение электрохимических устройств, также имеющих теоретическое термодинамическое обоснование, здесь опущено. материаловедческого и технологического подхода, приводящего к достаточно рациональному практическому решению проблем.

Главными намерениями в ходе поисковых экспериментов и при формировании физико-технологической базы данных являлось:

- не прибегать к использованию более сложных физических эффектов;

- использовать более простые материалы (например, элементарные вещества);

- использовать более простые технологии (например, термическое испарение с последующей конденсацией в вакууме).

Однако, при этом повышая или не снижая быстродействие, обнаружительную способность и чувствительность. Предпосылки возможности такого решения проблем складывались, но не сразу.

Фундаментальные научные основы термоэлектричества были заложены А.Ф. Иоффе в 30-х гг. XX века. Исследования были развиты А.Р. Регелем, Н.С. Лидоренко, JI.C. Стильбансом, Е.К. Иорданашвили и др.

Для поперечных термоэлектрических эффектов и анизотропных термоэлементов теоретические и экспериментальные основы термоэлектричества, главным образом, развили А.Г. Самойлович, И.М. Пилат, Л.И. Анатычук, Э.В. Осипов и др.

Важными вехами термоэлектрических исследований стали: библиографическое обобщение (В.П. Жузе и Е.И. Гусенкова, 1963 г.), обобщающие монографии (Б.С. Позднякова и Е.А. Коноплёва, 1974 г.; А.С. Охотина и др., 1971 и 1977 гг.;

A.Л. Вайнера, 1976 г.; Э.В. Осипова, 1972 г.), монография по термоэлектрическим материалам (Б.М. Гольцмана, В.А. Кудинова и И.А. Смирнова, 1972 г.), монография по плёночным термоэлементам (Б.М. Гольцмана, З.М. Дашевского, В.И. Кайданова и Н.В. Коломойца, 1985 г.), монография по расчёту термоэлектрических генераторов (О.В. Марченко и др., 1995 г.) и, особенно, справочники (Р.В. Бычковского,

B.Н. Вигдоровича, Е.А. Колесника и др., 1978 г.; Л.И. Анатычука, 1979 г.).

Тематически данной работе непосредственно предшествовали теоретические и экспериментальные разработки ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ИМЕТ им. А.А. Байкова (оба института АН СССР, ныне РАН), ИТТФ АН УССР и ИПФ АН МССР, НПО «Квант», ВНИИ ОФИ и др., в том числе А.Г. Самойловича с сотр. (Черновицкий государственный университет, г. Черновцы), Р.В. Бычковского, В.И. Лаха, Б.И. Стадника, П.Г. Столярчука и др. (НПО «Термоприбор», НПО «Львовприбор» и

Львовский политехник», г. Львов), В.Н. Вигдоровича, Г.А. Ухлинова, Ф.В. Маркова и др. (МИЭТ, г. Зеленоград). Анализ этих разработок с очевидностью указывал на необходимость их продолжения, предстоящую их реализацию через технологические разработки с единым подходом для физико-технологического обоснования постановки на производство и метрологические испытания.

Преобразователи теплового действия в настоящее время занимают прочное место в измерительных приборах и системах, и аналогичные разработки ведутся многими ведущими приборостроительными фирмами с соответствующими производствами («Сименс», «Хьюлетт Паккард», «Маркони», «Ультракаст», «Антехника», «Хитачи» и др.).

Технический интерес привлекала возможность развития плёночного термоэлектрического материаловедения. Естественно, что разработки плёночных резистивных схем и плёночных измерительных термоэлектрических преобразователей так называемого термопарного типа в значительной мере могли иметь характер воспроизведения предшествующих исследований, но были необходимы из-за неполноты сведений или не совпадения условий. В то же время разработки плёночных измерительных термоэлектрических преобразователей так называемого наклонноконденисированного типа и другие разработки в значительной мере могли быть оригинальными и обязательно соответствующими ранее освоенным технологическим условиям (для преобразователей термопарного типа).

Целью работы является построение модельных представлений о функционировании плёночных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения для материаловедческого (химический состав, физическая структура) и технологического (механизм и кинетика кристаллизации из пара) управления их свойствами, согласованными с параметрами электроизмерительных приборов и систем, и экспериментальное создание макетных образцов (и конструкторско-технологической документации) для постановки на производство и метрологические испытания.

Достижение поставленной цели складывалось из решения следующих задач: - развить и обобщить теоретические принципы выбора материалов плёночных измерительных термоэлектрических преобразователей для обоснованного привлечения (по критериям) к разработкам новых классов материалов;

- исследовать взаимосвязь параметров испарения и конденсации в вакууме различных материалов на различных подложках и разработать режимы плёночной технологии измерительных термоэлектрических преобразователей

- - термопарного типа и

- - наклонноконденсированного типа;

- моделировать и экспериментально создать макет чувствительного термоэлектрического преобразователя [термопарный тип]

- - контроллера температуры с плёночными элементами и

- - теплоэлектрического (резистивно-термоэлектрического) контроллера вакуума, давления или расхода газа;

- моделировать и экспериментально создать макет чувствительного термоэлектрического преобразователя [наклонноконденсированный тип]

- - на основе изотропного материала и

- - на основе анизотропного материала; моделировать и оптимизировать параметры микроструктуры наклонноконденсированных плёнок;

- моделировать роль гребенчатости поверхности плёнок;

- исследовать роль межкристаллитных и поверхностных явлений в плёнках;

- составить экспериментальную базу данных для постановки производства плёночных приёмно-преобразующих элементов термоэлектрических преобразователей измерительного назначения.

Научная новизна. Развиты и обобщены принципы выбора материалов для термоэлектрических преобразователей. Расширена номенклатура комплексных термоэлектрических критериев, и привлечены к разработкам новые классы материалов. Уточнены оптимальные параметры термоэлектрических материалов по критериям целевой эффективности.

Предложены модельные представления для конденсированных плёнок с аксиальной формразмерной и кристаллографически текстурированной микроструктурой и наклонноконденсированных плёнок с косотекстурированной микроструктурой, устанавливающие взаимосвязь между параметрами микроструктуры и функциональными свойствами плёнок.

Показаны, что плёночные терморезисторы и термопары являются «секундными», а наклонноконденсированные плёночные композиции -«микросекундные».

По развиваемой концепции используются вещества без ухудшения приборных характеристик. При этом:

- упрощены используемые термоэлектрические материалы, выражающееся в уменьшении компонентности используемых материалов (с четырёх-трёх до двух-одного);

- снижены температуры плавления и кипения используемых материалов и возможность конструирования термоэлектрических устройств, предусматривающих несложные технологии, в том числе технологию обыкновенного термического испарения и конденсации в вакууме;

- показаны возможность применения высокопроизводительных групповых технологий.

К завершению работа приобрела желательную форму и содержание, состоялись решения материаловедческих и технологических задач, отчасти конструкторских и метрологических задач, в трех направлениях, которые можно рассматривать как три новых современных плёночных термоэлектрических материалов:

- плёночные резистивные материалы (низкоомные)

Это - антиподы терморезистивных материалов, так как их функции основаны не на значительной температурной зависимости электросопротивления, а на их температурной стабильности, важной для применения в измерительной технике.];

- плёночные термопарные материалы

Эти материалы применимы в «термозондах» (термометры погружения), «термощупах» (контактные термометры) и «термоскопах» (пирометры).];

- плёночные наклонноконденсированные материалы (косотекстурированные) [Эти материалы применимы для измерения энергетических, пространственных и временных характеристик лазерных излучений.].

Практическая значимость. Выполнена широкая программа технологических, структурных и термоэлектрических исследований плёнок по единой концепции, включая приёмы повышения их эффективности и ориентацию на применение в измерительной технике. Осуществлены конструкторско-технологические разработки макетов контроллера температуры с плёночными элементами, теплоэлектрического (резистивно-термоэлектрического) контроллера вакуума давления или расхода газа, плёночного термоэлектрического преобразователя для широкоапертурных приёмников лазерного излучения и измерения энергетических параметров мощного лазерного излучения с большой частотой следования импульсов, многоэлементного матричного приёмника лазерного излучения и плёночной резистивной измерительной схемы для электронных автоматических потенциометров, опытные образцы которых подтверждают физико-технологическую концепцию вплоть до постановки на производство и метрологических испытаний. Составлена Экспериментальная база данных («Физико-технологическая справочная информация» - ЭБД-2002) для постановки производства плёночных приёмно-преобразующих элементов термоэлектрических преобразователей измерительного назначения.

Автор выносит на защиту вклад в современное плёночное термоэлектрическое материаловедение в виде нового научного направления «Создание физико-технологических основ получения и применение модифицирования микроструктуры, в том числе границ кристаллитов и поверхности конденсированных термоэлектрических материалов для повышения их эффективности», а также разработки плёночных преобразователей и измерительных приборов на их основе.

На защиту выносятся:

-графоаналитический метод определения параметров термоэлектрических преобразователей, обеспечивающих измерительным системам заданные точность (чувствительность) и/или обнаружительную способность при измерении входной величины при токометрическом и потенциометрическом измерении выходной величины электрического сигнала;

-обоснование критериев эффективности материалов для термоэлектрических преобразователей различного назначения с учётом типа и параметров вторичного преобразования и понятий о принципиальной пригодности, практической пригодности и предпочтительности материалов для плёночных термоэлектрических преобразователей;

-оптимизацию свойств и параметров термоэлектрических материалов по различным критериям, в том числе при легировании и различном характере рассеяния носителей зарядов;

-модели конденсированных плёнок с аксиальной формразмерной и кристаллографической текстурой, устанавливающие количественную взаимосвязь между параметрами микроструктуры и свойствами плёнок;

-результаты технологических исследований конденсированных плёнок висмута (и его сплавов с сурьмой, свинцом или теллуром), сурьмы, твёрдых растворов висмут-сурьма, теллура, германия, теллурида свинца, теллурида висмута и твёрдых растворов на основе теллурида висмута, а также плёночных композиций висмут/монооксид германия, висмут/теллур и висмут/свинец и твёрдый раствор висмут-сурьма/теллур (в структурном и термоэлектрическом аспекте);

-модель плёнок после наклонной конденсации с типичной для них косотекстурированной микроструктурой, устанавливающая количественную характеристику анизотропии свойств плёнок;

-результаты технологических исследований плёнок висмута, теллура и хрома после наклонной конденсации (в структурном и термоэлектрическом аспекте);

-экспериментальное использование для повышения эффективности плёнок термоэлектрических материалов таких явлений, существенных для тонких плёнок, как контактное легирование и/или контактное модифицирование поверхности плёнками инородных материалов, декорирующим осаждением на поверхность малоактивных металлов и др.;

-конструкторские и технологические разработки макетов контроллера температуры с плёночными элементами, теплоэлектрического (резистивно-термоэлектрического) контроллера вакуума, давления или расхода газа, плёночного термоэлектрического преобразователя для широкоапертурного приёмника лазерного излучения и измерения энергетических параметров мощного лазерного излучения с большой частотой следования импульсов, многоэлементного матричного приёмника лазерного излучения и плёночной резистивной измерительной схемы для электронных автоматических потенциометров.

выводы

1. Развиты и обобщены принципы выбора, разработки и совершенствования материалов для термоэлектрических преобразователей в связи с их назначением и обстоятельствами применения. Это позволило:

-Расширить номенклатуру комплексных критериев выбора, разработки и совершенствования материалов термоэлектрических преобразователей по их назначению.

-Привлечь к разработкам и совершенствованию термоэлектрических преобразователей новые классы материалов (и их технологий).

-Достичь согласованности между практическими потребностями машиностроения и приборостроения, требующими удовлетворения, и физико-химической (природной) возможностью материалов реализовать эти потребности.

-Придать целенаправленность освоению термоэлектрических явлений и материалов в измерительной технике.

2. Предложены модельные представления для выбора, разработки и совершенствования материалов, используемых в термоэлектрических преобразователях. Это позволило;

-Учитывать и анализировать эффективность термоэлектрических преобразователей в отношении критерия по целевому назначению (термоэлектрические устройства: для охлаждения, для стабилизации температуры, для генерации электроэнергии, для измерения неэлектрических величин или радиации).

-Учитывать и анализировать теплоэнергетические и экологические факторы работы преобразователя (степень доступности, дороговизны и/или дефицитности используемой теплоты, автономность и/или комфортность устройства).

-Выбирать материалы для преобразователей измерительного назначения в согласии с параметрами электроизмерительной системы по точности (чувствительности) и/или обнаружительной способности и по токометрическому или потенциометрическому способу измерения выходного сигнала преобразователя.

-Выбирать материалы для преобразователей измерительного назначения с достаточной точностью (чувствительностью) и достаточной обнаружительной способностью.

-Выбирать материалы для преобразователей измерительного назначения с определением принципиальной пригодности, практической пригодности, предпочтительности при практической пригодности и, наконец, использовать количественную графоаналитическую методику расчётов.

3. Предложены модели оптимизации термоэдс материалов, обосновывающие расширяющее представление о реализуемых значениях комплексных критериев эффективности материалов при термоэлектрическом преобразовании.

4. Предложены теоретико-экспериментальные и анизотропно-текстурные аналитические приёмы и соответствующие геометрические образы описания структуры и свойств плёночных поликристаллических материалов. Для этого упрощены и уточнены две методики:

-математический аппарат описания текстур и

-процедура применения рентгеновской дифракции к плёночным материалам (применительно к аксиальным азимутально-неограниченным текстурам плёночных материалов).

5. Выполнен анализ тенденций эволюции плёночных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения на термопарном эффекте и на эффекте поперечной термоэдс.

6. Выполнена широкая программа физико-технологических исследований разнообразных материалов в плёночном состоянии на разнообразных подложечных материалах и проведено сравнение их свойств в массивном (компактном) состоянии:

-Висмут и его сплавы с сурьмой, свинцом и теллуром - на подложках из стекла, слюды, сколах поваренной соли, полированных пластинах полупроводникового высокоомного кремния и «брокерита», анодированных пластинах алюминиево-магниевого сплава, полиимиде и и гетинаксе.

-Плёночные композиции висмут / монооксид германия (аморфная структура), висмут / теллур (взаимной диффузии висмута и теллура или образования теллурида висмута не наблюдалось), вимут / свинец (свинец «зеркализовал» поверхность висмута и дополнительно рассеивал электроны) и висмут-сурьма / теллур (трёхслойные «сэндвичи»),

-Сурьма - на подложках из слюды и полиимида.

-Теллур - на подложках из слюды и полиимида (имеет место размерный эффект и эффект поля).

-Германий - на подложках из ситалла (в том числе после диффузионного легирования из гидроксополимерных плёнок двуокиси кремния).

-Теллурид свинца - на подложках из слюды и полиимида.

-Теллурид висмута, теллурид сурьмы-висмута и селенид-теллурид висмута

- на слюде.

7. Выполнена широкая программа экспериментальных физико-технологических исследований разнообразных наклонноконденсированных (косотекстурированных) плёнок на электроизолирующих теплопроводных подложечных материалах. Установлено:

-Висмута, теллура и хрома - на пластинах оксида бериллия и анодированных пластинах алюминиево-магниевого сплава.

-Для плёнок теллура характерны крупноволокнистая текстура и отставание угла наклона текстуры от угла наклона подложки (относительно плёнок висмута).

-Для плёнок хрома - мелкокристаллическая структура и слабо выраженная волокнистость (относительно плёнок висмута).

-Для получения наклонноконденсированных плёнок висмута и теллура рациональный приём испарения - из кварцевого тигля в рабочей зоне цилиндрического графитового нагревателя.

-Для получения наклонноконденсированных плёнок хрома рациональный приём испарения - с поверхности прямонакального вольфрамового проволочного нагревателя.

-Максимально наблюдаемая поперечная термоэдс в наклонноконденсированных плёнках висмута и теллура значительно превышает возможное значение анизотропной термоэдс в их монокристаллическом состоянии.

8. Выполнена широкая программа экспериментальных физико-технологических исследований для установления закономерностей проявления эффекта поперечной термоэдс в наклонноконденсированных плёнках. Установлено:

-Температура испарителя и скорость конденсации связаны между собой и при оптимальном текстурировании для реализации поперечной термоэдс имеют значение.

-Поперечная термоэдс с увеличением толщины наклонноконденсированных плёнок возрастает и достигает стационарного уровня при некоторой толщине, что может трактоваться как результат развития пористой микроструктуры.

-Собственная анизотропия кристаллитов и кристаллическая текстура не являются основными факторами, определяющими поперечную термоэдс в наклонноконденсированных плёнках. Создание условий для эффекта поперечной термоэдс и его увеличение с помощью размерного эффекта возможны в случае наклонноконденсированных плёнок висмута из-за большой длины свободного пробега носителей заряда в висмуте. Основным фактором, определяющим поперечную термоэдс в наклонноконденсированных плёнках являются формразмерная текстура и контактное электросопротивление между кристаллитами.

9. Для наклонноконденсированных плёнок висмута электросопротивление при нагреве и последующем охлаждении на воздухе меняется с гистерезисом, минимум которого приходится на обратимую адсорбцию кислорода. Увеличение температуры и длительности отжига поперечная термоэдс возрастает, а электросопротивление сначала снижается, после чего повышается, что связано с «прокислением» границ кристаллов и ростом контактного сопротивления.

Для наклонноконденсированных плёнок теллура нагрев с последующим охлаждением или вакуумирование свидетельствуют о необратимой адсорбции кислорода на поверхности и в порах плёнки, захвате дырок из валентной зоны, вследствие чего электросопротивление и поперечная термоэдс при отжиге уменьшаются.

Для наклонноконденсированных плёнок хрома термоциклирование свидетельствует о существовании критической температуры нагрева, ниже которой свойства стабилизируются.

10. Выполнена широкая программа экспериментальных физико-технологических исследований по преобразованию при действии лазерного излучения. Показано:

-При действии непрерывного лазерного излучения (ЛГ-701, 10,6 мкм) наклонноконденсированные плёнки деградации не претерпевают, изменения характеристик плёнок связаны только с нагревом плёнок вместе с подложкой. В стационарном состоянии зависимость поперечной термоэдс от мощности падающего излучения практически линейная. Время выхода в стационарное состояние 15 . 20 с. Линейность вольт-ваттной зависимости для висмута и теллура сохраняется до мощности 60 Вт (температуры подложки достигает 353 К) (подложка - «брокерит») и 200 Вт (подложка - пластина анодированного алюминия, водоохлаждаемая), а для хрома - до мощности 100 Вт (температура подложки достигает 403 К) (подложка -«брокерит»).

При действии импульсного лазерного излучения (ЛТИПЧ-5, режим модулированной добротности, 1,06 мкм, длительность импульса - 15 не, энергия импульсов - 1 мДж, частота следования импульсов - 100 Гц) наклонноконденированные плёнки реагируют устойчиво воспроизводимо вплоть до плотности излучения 5-105 Вт/см2 (висмут и теллур) и МО6 Вт/см2 (хром), выдерживая до 105 импульсов.

11. Составлена Экспериментальная база данных («Физико-технологическая справочная информация» - ЭБД-2002) для постановки производства плёночных приёмно-преобразующих элементов термоэлектрических преобразователей измерительного назначения.

12. Созданы макеты нового поколения приёмно-преобразующих элементов измерительных средств и сопровождающие макеты конструкторско-технологические документы на метрологию, а также развитие, совершенствование и постановку производств.

13. Реализованы плёночные висмут(п)-сурьмяные(р) термоэлектрические преобразователи типа «мозаика» в виде:

- контактных контроллеров температуры (макеты ККТ) в двух вариантах: в едином корпусе и с разделением измерения и индикации. Интервал измерения - 20 (±0) . +120 (+150)°С, погрешность ±2%, время измерения 5 с. Предложен также вариант контроллера (макеты ИТП), соответствующего настройке на измерение температуры плоской и достаточно гладкой поверхности твёрдых тел.

- широкоапертурных приёмников излучения (макеты ШПИ), в том числе с насадкой, имеющей расфокусирующую кварцевую линзу. Вольт-ваттная чувствительность 0,2 В/Вт, постоянная времени 1 с.

14. Реализованы плёночные висмут(п)-сурьмяные(р) термоэлектрические преобразователи типа «звёздочка» в в и д е радиационного контроллера температуры (макеты РКТ) [Вольт-ваттная чувствительность и электросопротивление соответственно: 2 В/Вт и 0,3 кОм - висмут-сурьма, 9 В/вт и 15 кОм - висмут-теллур при постоянной времени 0,5 с]. В том числе реализованы макеты: с комбинированными ветвями плёночных термопар висмут (n-тип) - теллур (а=шах)/сурьма (а2/р=тах) (р-тип) (8,5 В/Вт и 0,5 с) и

- с блендовыми диафрагмами и конусным конденсатором излучения, световодным приёмно-передающим трактом и переносного варианта на диапазон 50. 80°С.

15. Реализованы плёночные висмут/висмут(п)-сурьмяные(р) теплоэлектрические приёмно-преобразующие элементы резистивно-термоэлектрического типа в в и д е контроллеров давления газа и вакуума (макеты РТП). В том числе реализованы макеты на диапазоны:

- для технических вакуумных установок - на диапазон от 760 до 10~5 Тор;

- для установок выращивания монокристаллов кремния - на диапазон от 50 до 1 Тор и

- для измерения вакуума в ионно-плазменных установках - на диапазон от Ю-1 до 10~3 Тор.

16. Реализован теплоэлектрический (резистивно-термоэлектрический) приёмно-преобразующий элемент для объемного (барического) озоноанализа. Это позволило комплектовать встраиваемую в систему мониторинга, управления и защиты пневмоэлектрохимического озоногенерирующего моноблока.

17. Реализованы макеты плёночных висмутовых, теллуровых и хромовых наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей «пятачкового», «меандрового» и «спирального» типов в виде контроллеров лазерного излучения (макеты КЛИ):

- В виде одноэлементных термоэлектрических преобразователей «пятачковой» л топологии для импульсного излучения плотностью до 0,5 МВт/см с электросопротивлением, вольт-ваттной чувствительностью, временем нарастания и спада сигнала соответственно: 10 . 30 кОм, 5 В/Дж, 0,2 и 10 мкс (висмут), 3 . 10 кОм, 12 в/Дж, 0,5 и 50 мкс (теллур) и 0,5 . 1 кОм, 20 В/Дж, 0,2 и 5 мкс (хром).

- В виде плёночного хромового 100-элементного термоэлектрического преобразователя (хром) (подложка - «брокерит») для пространственно-временного контроля энергии и мощности лазерного излучения на площади 60x60 (см) с размером элементов 4x4 (мм), имеющих два независимых вывода на типовой разъём и воспроизводимостью от элемента к элементу в пределах ±10%.

Термоэлектрические преобразователи наклонноконденсированного типа (висмут) (подложка - кремний) нашли подтверждение в разработках ВНИИ ОФИ.

18. Реализованы плёночные резистивные измерительные схемы для автоматических электронных потенциометров (сплав висмут-0,8 ат.% свинца) (плата -гетинакс).

Изготовлена опытная партия плёночных измерительных схем для испытаний в составе автоматических потенциометров типа КСП-2. Испытаниям подвергались 9 приборов, прошедших предварительную технологическую наработку в течение 100 ч, по полной программе периодических испытаний на соответствие требованиям ТУ 25-1610.001-82. Как показали результаты испытаний метрологические характеристики приборов соответствуют требованиям нормативно-технической документации и не выходят из заданных пределов при изменении температуры окружающей среды от 5 до 50 °С, воздействии нормированных электромагнитных помех, транспортной тряски и воздействии влаги.

19. Созданы и переданы для использования в исследовательскую и технологическую практику методики:

- измерения теплопроводности плёночных материалов;

- многозондового контроля электросопротивления плёночных материалов. Концепции разработанных методик представлены общими и частными формулами для плёночных материалов.

20. Поставлена задача о показателе качества динамических систем. К разработкам преобразователей измерительного назначения и систем телеуправления привлечён метод математического моделирования, в шуме выделена детерминированная составляющая - хаос - и разработчики измерительной техники нацелены на более совершенные конструкторско-технологические решения.

Метод выявления хаотической составляющей шума в измерительных системах предложен в качестве критерия их оценки, сравнения и совершенствования. Предложены решения, делающие возможным формулировку должностных инструкций и компьютерных программ. Это открывает путь для обмена опытом в области повышения качества измерительных систем.

1. Основные достижения научных школ - М.: ИПЦ при МИТХТ, 2000. - 360 с. Юбилейный сборник к 100-летию Московской государственной академии тонкой химической технологии им М.В. Ломоносова..

2. Научные школы МИСиС. 75 лет. Становление и развитие. М.: МИСиС, 1997.-628 с.

3. Биография вуза. 35 лет. Годы, люди, события. М.: МИЭТ, 2000. - 240 с. Справочно-библиографическое издание.

4. Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге XXI века. Монография в 4-х тт. Т.4. Актуальные проблемы технологии полупроводниковых материалов / Под ред. М.Г. Мильвидского и В.Б. Уфимцева. М.: РАЕН, ИХПМ, 1998.- 264 с.

5. Проблемы новых материалов и технологий. Сб. статей / Под ред. В.Н. Вигдоровича. -М.: НПО ЦНИИ «Волна», 1989 (Вып.1); М.: Научно-производственное ассоциация, 1990 (Вып.2), 1991 (Вып.З)и 1992 (Вып.4).

6. Иоффе А.Ф. Избранные труды. В 2-ч тт. Т.Н. Излучение. Электроны. Полупроводники. Л.: Наука, 1975. - 471 с.

7. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1960.- 148 с.

8. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1957.492 с.

9. Иоффе А.Ф., Стильбанс Л.С., Иорданишвили Е.К., Ставицкая Т.С. Термоэлектрическое охлаждение. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1956. - 108 с.

10. Фистуль В.И. Физика и химия твёрдого тела. В 2-х тт. М.: Металлургия, 1995. - Т. 1. - 480 е.; Т.2. - 320 с.

11. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. 2-е изд., перераб. и доп.- М.: Высшая школа, 1984. 352 с.

12. Фистуль В.И. Новые материалы: Состояние. Проблемы и перспективы. -М.: МИСиС, 1995.- 142 с.

13. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Под ред. В.М. Глазова. 3-е изд., испр. и доп. - М.: Высшая школа, 1982.-528 с.

14. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: МИСиС, 1995. - 493 с.

15. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // Физика и техника полупроводников. 1998. Т.32.№5. С.513-522.

16. Грибов Б.Г., Логинова Л.В., Румянцева С.М. Проблемы материаловедения в создании нового поколения приборов электронной техники // Перспективные материалы. 1995. №3. С.38-43

17. Самойлович А.Г. Термодинамика и статистическая физика. М.: Гостехиздат, 1955. -388 с.

18. Самойлович А.Г., Коренблит JI.JI. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках // Успехи физических наук. 1953. Т.49. №2. С.243-272.

19. Самойлович А.Г., Слипченко В.Н. Исследование кпд анизотропных элементов // Физика и техника полупроводников. 1975. Т.9. №10. С. 1897-1901.

20. Осипов Э.В. Твёрдотельная криогеника. К.: Наукова думка, 1977. - 234 с.

21. Мойжес Б.Я. Влияние температурной зависимости параметров материалов на эффективность термоэлектрических генераторов и холодильников // Физика твёрдого тела. 1960. Т.2. №4. С.728-737.

22. Бур штейн А.И. Физические основы расчёта полупроводниковых термоэлектрических устройств. -М.: Физматгиз, 1962. 136 с.

23. Иорданишвили Е.К. Термоэлектричекие источники питания. М.: Сов. радио, 1968.-184 с.

24. Охотин А.С., Ефремов А.А., Охотин B.C., Пушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы. М.: Атомиздат, 1971. - 288 с.

25. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1964. - 351 с.

26. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука. 1964,- 488 с.

27. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В1гТез. М.: Наука, 1972. - 320 с.

28. Чопра K.JI. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. А.Ф. Волкова, Е.И. Гиваргизова, П.И. Петрова и В.И. Покалякина, под ред. Т.Д. Шермергора. М.: Мир, 1972. -436 с.

29. Палатник JI.C. Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных плёнок. — М.: Наука, 1972. 318 с.

30. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Основы плёночного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973. - 296 с.

31. Палатник JI.C., Черемской П.Г., Фукс МЛ. Поры в плёнках. М.: Энергоиздат. 1982. -216 с.

32. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Кокора А.Н. Лазерная обработка материалов. -М.: Машиностроение, 1975. 296 с.

33. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Химико-термическая обработка в тлеющем разряде. М.: Атомиздат, 1975. - 175 с.

34. Бычковский Р.В. Контактные датчики температуры. М.: Металлургия, 1978.-240 с.

35. Поскачей А.А., Чарихов Л.А. Пирометрия объектов с изменяющейся излучательной способностью. М.: Металлургия, 1978. - 200 с.

36. Современная кристаллография: В 4-х томах / Б.К. Вайнштейн, Чернов А.А., Шувалов Л.А.-М.: Наука, 1979-1981.

37. Т1. 1979.-384 с.;Т2. 1979.-360 е.; ТЗ. 1980.-408 с.;Т4. 1981.-496 с.

38. Комник Ю.Ф. Физика металлических плёнок: Размерные и структурные эффекты. М.: Атомиздат, 1979. - 263 с.

39. Вишняков Я.Д., Бабарэко А.А., Владимиров С.А., Эгиз И.В. Теория образования текстур в металлах и сплавах. М.: Наука, 1979. - 343 с.

40. Кулаков М.В., Макаров Б.И. Измерение температуры поверхности твёрдых тел. М.: Энергия. 1979. - 96 с.

41. Линевег Ф. Измерение температур в технике / Пер. с нем. Т.И. Киселевой и В.А. Федоровича, под ред. Л.А. Чарихова. -М.: Металлургия, 1980. 544 с.

42. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Текстурированные высокотемпературные покрытия. М.: Атомиздат, 1980. - 176 с.

43. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Б.Я. Бердяев, Р.А. Валитов, М.А. Винокур и др. Под ред. А.Ф. Котюка. М.: Радио и связь, 1981.-286 с.

44. Термодинамика и материаловедение полупроводников / Под ред. В.М. Глазова. М.: Металлургия, 1982. - 392 с.

45. Тонкие плёнки: Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982. - 576 с.

46. Симонов Б.М., Заводян А.В., Грушевский A.M. Конструкторско-технологические аспекты разработки интегральных схем и микросборок. М.: МИЭТ, 1998.- 167 с.

47. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Радиационно-стимулированная химико-термическая обработка. М.: Атомиздат, 1982. - 96 с.

48. Кириллов А.И., Морсков В.Ф., Устинов Н.Д. Дозиметрия лазерного излучения. М.: Радио и связь, 1983. - 191 с.

49. Мощные газоразрядные СО2 -лазеры и их применение в технологи / Г.А. Абильсиитов, Е.П. Велихов, B.C. Голубеев и др. М.: Наука, 1984. - 106 с.

50. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение / Под ред. Н.С. Лидоренко. М.: Наука, 1985.232 с.

51. Методы и средства измерений параметров лазерного излучения / Под ред. А.А. Абгаряна. М.; ВНИИФТРИ, 1985. - 142 с.

52. Методы точных измерений лазерного излучения / Под ред. В.М. Нестеренко. -М.: ВНИИФТРИ, 1985. 142 с.

53. Куинн Т. Температура / Пер. с англ. под ред. Д.Н. Астрова. М.: Мир. 1985.448 с.

54. Углов А.А., Анищенко Л.М., Кузнецов С.Е. Адгезионная способность плёнок. М.: Радио и связь. 1987. - 104 с.

55. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: В 10-ти книгах. Кн.6. Нанесение плёнок в вакууме / Минайчев В.Е. М.: Высшая школа, 1989.- 110 с.

56. Анатычук Л.И., Семенюк В.А. Оптимальное управление свойствами термоэлектрических материалов и приборов. Черновцы: Прут, 1992. -264 с.

57. Датчики измерительных систем: В 2 кн. / Ж. Аш и др.; Пер. с фр. ;Под ред. А.С. Обухова. М: Мир, 1992. - Кн.1. 480 е.- Кн. 2. 424 с.

58. Марченко О.В., Кашин А.П., Ложбин В.И., Максимов М.Ж. Методы расчёта термоэлектрических генераторов. Новосибирск: Наука. 1995. -221 с.

59. Материалы в приборостроении и автоматике: Справочник / Под ред. Ю.М.Пятина. М.: Машиностроение, 1969.-632 с.

60. Справочник по электротехническим материалам: В 3-х томах / Под ред. Ю.В.Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. Изд. 2-е, исп. и доп. М.: Энергия, 1974.-Т.1. 584 С.-Т.2. 616 с.; 1976.-Т.З. 896 с.

61. Таблицы физических величин: Справочник /Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. - 1006 с.

62. Майсел JI, Глэнг Р. Технология тонких плёнок: Справочник: В 2-х томах / Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. М,: Сов. Радио, 1977. - Т. 1, 662 с. - Т.2, 768 с.

63. Инженерный справочник по космической технике. М.: Воениздат, 1977.430 с.

64. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Колесник Е.А., Моспанченко Р.С., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А. Приборы для измерения температуры контактным способом: Справочник / Под общей ред. Р.В. Бычковского. Львов: Вища школа, 1978. - 208 с.

65. Лыков А.В. Тепломассообмен: Справочник. М.: Энергия. 1978. - 480 с.

66. Крикунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. Радио, 1978.-400 с.

67. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник. Киев: Наук, думка, 1979. 768 с.

68. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528.

69. Смитлз К.Дж. Металлы: Справочник / Пер. с англ. под ред. С.Г. Глазунова. Изд. 5-е. -М.: Металлургия, 1980.-447 с.

70. Охотин А.С., Боровиков Р.П., Нечаева Т.В., Пушкарский А.С. Теплопроводность твердых тел: Справочник / Под ред А.С. Охотина. М.: Энергатомиздат, 1984. -320 с.

71. Температурные измерения: Справочник / Под ред. О.А. Геращенко. Киев: Наукова думка, 1989. - 702 с.

72. Приборы для измерения и регулирования давления, перепада давления и разрежения: Номенклатурный каталог / ЦНИИТЭИ приборостроения, средств автоматизации и систем управления. М.: 1984. - 124 с.

73. Приборы для измерения и регулирования давления, перепада давления и разрежения: Номенклатурный каталог. М.: ЦНИИТЭИ приборостроения, средств автоматизации и систем управления, 1984. - 124 с.

74. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Зуев И.В., Кокора А.Н. Лазерная и электроннолучевая обработка материалов: Справочник. М.: Машиностроение, 1985. - 496 с.

75. Справочник по лазерной технике / Пер. с нем. Под ред. А.П. Напартовича. -М.: Энергоиздат, 1991. 544 с.

76. Абильсиитов Г.А., Голубев B.C., Гонтарь В.Г. и др. Технологические лазеры: Справочник: В 2-х т. /Под общ. ред. Г.А. Абильсиитова. М.: Машиностроение, 1991. -Т.1.432 с.-Т.2. 544 с.

77. АО «Манометр». Номенклатурный каталог изделий общепромышленного применения. М.: Манометр, 1995. - 188 с.

78. ГП Редакция журнала «Стандарты и качество». Справочник: Система сертификации ГОСТ Р: Органы сертификации и испытательные центры. М.: Госстандарт, 1998. -272 с.

79. Козырев Б.П. Регистрация предельно малых радиаций термическими индикаторами, дисс. д.т.н. (3 тома). Л, 1948. 801 с.

80. Геращенко О.А. Теоретические и прикладные вопросы теплометрии, дисс. д.т.н. Киев, 1969. 318 с.

81. Сажина С.А. Теплометрические приборы для измерения лучистой энергии, дисс. к.т.н. Киев, 1978. 172 с.

82. Зельцер М.С. Термоэлементы для приема лучистой энергии // Журнал технической физики. 1936. Т.6. № 2. С. 195-216.

83. Geling L. Das Thermoelement als Strahlungsmesser. Kritische Betrachtung und Uberblik uber den derzeitigen Stand der Entwicklung // Z. fur angew. Physik. 1951. Bd.3. H.12. S.467-477.

84. Stevens N.B. Radiation Thermopiles // Semiconductors and Semimetals. N. Y. -Lnd.: Acad. Press, 1970. Vol.5: Infrared Detectors, chap.7. P.287-318.

85. Хребтов И.А. Быстродействующие термоэлементы и болометры // Оптико-механическая промышленность. 1974. №11. С.55-64.

86. Ильин А.С., Весельницкий И.М., Степанов Б.М., Фромберг А.В. Термоэлектрические и болометрические приемники излучения // Измерительная техника. 1979. №3. С.74-75.

87. Harris L., Johnson Е.А. The technique of sputtering sensitive thermocouples //Rev. Sci. Instr. 1934. Vol.5, N4. P.153-158.

88. Harris L. Thermocuples for the measurement of small intensities of radiations // Phys. Rev. 1934. Vol.45. N9. P.635-640.

89. Johnson E.A. The measurement of temperature of soud fiels // Phys. Rev. 1934. Vol.45. N9. P.641-645.

90. Harris L., Scholp A.C. The response of sputtered thermocouples to iterrupted radiation//J. Opt. Soc. Am. 1940. Vol.30. N11. P.519-522.

91. Harris L. Rapid response thermopiles // J. Opt. Soc. Am. 1946. Vol.36. N10. P.597-603.

92. Зельцер М.С. Получение термоэлементов для приема лучистой энергии путем испарения // Журнал технической физики. 1938. Т.8. №10. С. 920-923.

93. Patent N 2 381 819 USA (cl. 136-225). Thermocouple / Graves A., Tomes G.A.R.

94. Сагу H., George K.P. A sensitive high speed radiation thermocouple // Phys. Rev. 1947. Vol.71. N4. P.276-277.

95. Chopra K.L., Bahl S.K., Randlett M.R. Thermopower in thin-film copper-constantan couples // J. Appl. Phys. 1968. Vol.39. N3. P. 1525-1528.

96. Day G.W., Gaddy O.L., Ivarsen R.J. Detention of fast infrared laser pulses with thin-film thermocouples// Appl. Phys. Lett. 1968. Vol.13. N9. P.289-290.

97. Васильев Б.В. Плёночные радиационные термоэлементы с подложкой из оксидной плёнки алюминия // Изв. Ленинградского электротехнического ин-та. Вып. 142: Вопросы оптической электроники и вакуумной техники. 4.7. JL: Изд. ЛЭТИ, 1974. С.8-11.

98. Barlow Н.Е.М., Fukuda Y., Koike R., Tajima I. Thin-film thermoelectric transducer for accurate measurements of power between 0 and 6 GHz // Proc. IEEE. 1971. Vol.118. N3/4. P.626-629.

99. Koike R., Tajima I. Thin-film thermoelectric transducer for measurements of low-level power between 0 and 11 GHz //Proc. IEEE. 1974. Vol.121.Nl. P.28-32.

100. Иванюк А.П., Малыгин Е.А., Мельникова Н.А. и др. Малоинерционный термоэлектрический приемник ИК-излучения на основе халькогенидов висмута //Космическое материаловедение и технология. М.: Наука, 1977. С.168-170.

101. Roess L.C., Dacus E.N. The design and construction of rapid-response thermocouples for use as radiation detectors in intra-red spectrographs // Rev. Sci. Instrum. 1945. Vol.16. N7. P.164-172.

102. Patent N 2 519 786 USA (cl. 136-212). Thermopile / Okolicsanyi F.

103. Astheimer R.W., Weiner S. Solid-basked evaporated thermopile radiation detectors // Applied optics. 1964. Vol.3. N4. P.493-500.

104. Jean M. Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements oder einer Thermosaule. Патент ФРГ №1205598. кл.21в 27/02, заявл.21.06.58., опубл. 16.06.66.

105. Левин Ю.З., Маслов В.А., Чернова Л.Ф. О термоэлементах для спектральных приборов // Тепловые приемники излучения. Матер. Всесоюз. симпоз. Киев: Наук, думка, 1967. С.132-145.

106. Statsudd О., Stevens N. Thermopile performance in the far infrared // Appl. Opt. 1968. Vol.7. N11. P.2320-2322.

107. Chase S.C. Infrared radiometer for the 1969 Mariner mission to Mars //Appl. Opt. 1969 Vol.8. N3. P.639-643.

108. Чудновский А.Ф. Шиндеров Б. Л. Полупроводниковые плёночные термоэлементы в качестве датчиков радиационных температур // Инж.-физ. журн. 1971. Т.20. №4. С.633-641

109. Bessonneau С., Lebrun J. Thermopiles en couches minces // L'Onde electrique. 1973. Vol.53, N4. P.145-149.

110. Sharp L.E., Holmes L.S., Stott P.E., Aldoroft D.A. A thin-film thermopile for neutral particle beem measurements // Rev. Sci. Instrum. 1974. Vol.45. N3. P.378-381.

111. Якашвили Д.В., Колесников В.П., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Плёночные висмут-сурьмяные термобатареи для радиационной пирометрии // Приборы и техника эксперимента. 1976. № 6. С. 207-208.

112. А.с. № 455 702 (СССР), кл. Н 01 L 21/02. Плёночный элемент (термобатарея) / Дашевский З.М., Каллер Я.А., Коломоец Н.В., Сгибнев И.В. Заявлено 6 декабря 1973 г. Опубликовано: БИ. 1976. №29. С.223.

113. Гельфгат Д.М., Дашевский З.М., Коломоец Н.В., Сгибнев И.В. Создание приемников инфракрасного излучения на основе плёночных термоэлектрических материалов // Термоэлектрические материалы и плёнки. Матер. Всесоюз. совешания. Л.: Наука, 1976. С.240-246.

114. Тимофеев Ю.В. Приемник излучения для целей актинометрии // Научно-технический бюллетень по агрономической физике. JL: Изд-во Агрофиз. науч.- исслед. ин-та, 1974. С.50-54.

115. Тимофеев Ю.В., Кондратов А.В., Чудновский А.Ф. Приемник излучения на основе плёночной термобатареи // Термоэлектрические материалы и плёнки. Матер. Всесоюз. совешания. JL: Наука, 1976. С.247-250.

116. Иванюк А.П., Малыгин Е.А., Милонов В.П., Охотин А.С. Увеличение разрешающей способности процесса фотолитографии при изготовлении многоспайных термоэлементов // Получение и поведение материалов в космосе. М.: Наука, 1978. С.143-147.

117. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Чиботару Н.И. Высокоэффективные комбинированные ветви для плёночных термобатарей // Приборы и техника эксперимента. 1978. №2. С.240-241.

118. Бородин В.В., Гельфгат Д.М., Дашевский З.М. Плёночные термоэлектрические и термомагнитные датчики теплового излучения и их выходные параметры// Инж,- физ. журн. 1983. Т.44. №4. С.573-580.

119. Вигдорович В.Н., Марков Ф.В., Ухлинов Г.А. Плёночные термоэлектрические преобразователи для измерительной техники и приборостроения //Электронная промышленность. 1985. №2(240). С.10-13.

120. Стильбанс JI.C. Термоэлектричество в РТИ. Прошлое, настоящее, будущее / Физика: проблемы, история, люди. Д.: Наука, 1986. С.27-52.

121. Геращенко О.А. Основы теплометрии. Киев: Наук, думка, 1971. - 191 с.

122. Вигдорович В.Н. О чистом веществе // Природа. 1960. №9. С.88-90.

123. Вигдорович В.Н. Получение химических веществ высокой чистоты (обзор иностранных патентов). М.: ЦНИИПИ, 1964. - 28 с.

124. Вигдорович В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией. -М.: Металлургия, 1969. -296 с.

125. Сахаров Б.А., Вигдорович В.Н., Маслов В.Н., Нашельский А.Я., Соколов Е.Б., Фистуль В.П., Шашков Ю.М. металлургия и технология полупроводниковых материалов / Под ред. Б.А. Сахарова. М.: Металлургия, 1972. - 544 с.

126. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М.: Металлургия, 1974. - 200 с.

127. Вигдорович В.Н., Углов А.А. Температурное поле и теплопередача при выращивании кристаллов из расплава по методу Чохральского // Электротермия (ВНИИЭМ). 1966. Вып.52. С.55-57.

128. Сажин Н.П., Вигдорович В.Н., Дулькина Р.А., Нашельский А.Я. Физико-химические особенности поведение примесей при направленной кристаллизации висмута //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1965. №8. С.11258-1266.

129. Шулешко Г.И., Вигдорович В.Н. К вопросу очистки теллура кристаллизационными методами // Цветные металлы. 1968. №12. С.64-67.

130. Вигдорович В.Н., Самсон Ю.У., Шавга В.А. Электрохимические методы рафинирования висмута. -М.: ЦНИИ «Цветметинформация», 1969. 20 с.

131. Вигдорович В.Н., Вольпян А.Е., Шулешко Г.И. Зонная очистка в активной газовой среде // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т.6. №6. С.1041-1046.

132. Шавга В.А., Вигдорович В.Н., Самсон Ю.У. Об анодном рафинировании висмута//Известия АН СССР. Металлы. 1970. №5. С.101-109.

133. Вигдорович В.Н., Селин А.А. Физико-химические особенности поведения примесей в CdTe // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1971. Т.7. №11. С.1918-1921.

134. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Долинская Н.Ю., Марычев В.В. Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма // Известия АН СССР. Металлы. 1973. №6. С.57-63.

135. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Исследование текстуры роста в плёнках висмута // Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. Химическая серия. -М.: 1974. Вып.ХГХ. С.101-104.

136. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч. Структура и поперечная термоэдс косонапылённых плёнок хрома // Электронная техника. Материалы. 1985. вып.6(205). С.75-77.

137. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я., Вигдорович В.Н. Структура и термоэлектрические свойства косонапылённых плёнок висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1986. Т.22. №6. С.938-941.

138. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Краснов Д.М. Природа анизотропного термоэлектрического эффекта в наклонноконденсированных плёнках // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. №7. С.1081-1085.

139. Вигдорович В.Н., Марков Ф.В. Координатно-чувствительные измерители энергии и мощности лазерного излучения // Тез. докл. Всес. конф. «Применение лазеров в народном хозяйстве» (4-8 декабря 1989 г., Шатура). Шатура: НИЦ TJI АН СССР. С.244-245.

140. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Резистометрическое и электронномикроскопическое исследование механизма роста плёнок висмута // Физика твёрдого тела. 1972. Т.14. №9. С.2744-2747.

141. Вигдорович В.Н., Якашвили Д.В. Исследования в области получения кристаллических плёнок висмута / Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. Химическая серия. Вып.ХШ. МИЭТ. 1972. С. 112-123.

142. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Зарадышеобразование при конденсации плёнок висмута на кристаллах NaCl // Физика твёрдого тела. 1973. Т. 15. №6. С.1888-1891.

143. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Структурные особенности плёнок висмута, конденсированных на NaCl из паровой фазы в вакууме // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. №11. С. 115-117.

144. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Способ исследование кристаллических поверхностей // А.с. №396604 от 24 апреля 1972 г. (кл. G 01 N 23/04); опубликовано: БИ. 1973. №36. С.93.

145. Долидзе Г.Ф., Якашвили Д.В., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Испаритель для нанесения многокомпонентных плёнок // А. с. №544711 от 30 июня 1975 г. (кл. С 23 С 13/12; опубликовано: БИ. 1977. №4. С.74.

146. Полубояринов А.Г., Вигдорович В.Н., Заводян А.В., Газеев И.И. Опыт организации производства тонкоплёночных ГИС специального применения для аналитического приборостроения // Приборы и системы управления. 1980. №11. С.36-37.

147. Бессонов В.А., Вигдорович В.Н. Легирование проводящего плёночного материала БрНМцТ 5-2-0,1 с целью повышения его терм о стабильности / В кн.: Новые материалы для микроэлектроники. Киев-Фрунзе: Институт проблем материаловедения АН УССР, 1983. С. 83-87.

148. Бочвар Н.Р., Вигдорович В.Н., Леонова Н.П., Лысова Е.В. Электросопротивление сплавов систем Cu-Mn-Ge, Cu-Mn-Sn и Cu-Ge-Sn // Материаловедение и термическая обработка металлов. 1984. №2. С.61-64.

149. Бочвар Н.Р., Вигдорович В.Н., Лысова Е.В. Задачи и принципы разработок в области плёночных металлов и сплавов для микроэлектроники // Известия АН СССР. Металлы. 1985. №6. С. 180-186.

150. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Методика изучения закономерностей формирования структуры и изменения свойств плёнок многокомпонентныхметаллических сплавов при их вакуумной конденсации // Заводская лаборатория. 1976. Т.42.№12. С.1475-1478.

151. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Влияние примесей и легирующих элементов на зёренную структуру конденсированных в вакууме металлических плёнок // Физика металлов и металловедение. 1978. Т.45. Вып.З. С.563-568.

152. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Влияние легирующих элементов на электрофизические свойства конденсированных плёнок сплавов меди // Известия АН СССР. Металлы. 1979. №6. С.47-53.

153. Вигдорович В.Н., Попов В.И., Пинчук В.Н. Металлы и сплавы микроэлектроники (классификация, методы получения плёнок, их применение и контроль качества) // Электронная техника. Серия 6. Материалы. 1980. Вып.1(138). С.3-17.

154. Бессонов В.А., Вигдорович В.Н. Структура и напряжения фракционированных плёнок сплава Cu-Ni-Mn-Ti // Известия АН СССР. Металлы. 1984. №5. С.212-214.

155. Арешкин А.А., Афанасьев А.А., Вигдорович В.Н., Пинчук В.Н. Комбинирование однородных и фракционированных материалов в термически нанесённых в вакууме проводящих плёночных структурах // ДАН. 1985. Т.280. №3. С.610-613.

156. Бессонов В.А., Вигдорович В.Н. Адгезия фракционированных плёнок сплава Cu-Ni-Mn-Ti к ситалловым подложкам // Известия АН СССР. Металлы. 1985. №1. С.185-187.

157. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А., Андронова Е.Н. Структура и электрические свойства конденсированных плёнок сплавов висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. №6. С.905-909.

158. Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Аксиальная текстура в металлах: аналитическое описание и расчет свойств // Заводская лаборатория. 1988. №8. С.70-72.

159. Якашвили Д.В., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Температурная зависимость удельного сопротивления и коэффициента термоэдс плёнок висмута // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. №6. С. 123-124.

160. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Чиботару Н.И. Расчет плёночных термобатарей // Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники: Технология спецматериалов интегральных схем. М.: МИЭТ, 1976. Bbin.XXVIII. С.235-240.

161. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Чиботару Н.И. Плёночные термоэлектрические батареи для измерительной техники КС // Тезисы докл. VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике (14-16 марта 1978 г.). М.: МИЭТ, 1978, С.189.

162. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Чиботару Н.И., Шавга В. А. Низкотемпературные исследования конденсированных плёнок теллура КС // Тезисы докл. VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике (14-16 марта 1978 г.). М.: МИЭТ, 1978. С. 188.

163. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Чиботару Н.И. О термической ширине запрещенной зоны в тонких плёнках теллура // Физика и техника полупроводников. 1978. Т.12. №9. С.1816-1820.

164. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г. А., Чиботару Н.И. Структура и электрофизические свойства конденсированных плёнок теллура // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т.15. №1. С.49-55.

165. Ухлинов Г.А., Гаранин В.П., Вигдорович В.Н. Исследование многослойных тонкоплёночных структур висмут-теллур // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. №12. С.2323-2326.

166. Вигдорович В.Н., Гаранин В.П., Ухлинов Г.А. К методике измерения теплопроводности тонких плёнок // Заводская лаборатория. 1979. Т.45. №5. С.435-437.

167. Фрумкин В.Д., Косаковская З.Я., Ухлинов Г.А., Вигдорович В.Н. Многоэлементный бесконтактный термопреобразователь. А.с. № 716 006 от 9 марта 1979 г. (кл. G 01 R 19/24); опубликовано: БИ. №6. С.203.

168. Нестеренко В.М., Косаковская З.Я., Казанджан JI.B., Ухлинов Г.А., Вигдорович В.Н., Чиботару Н.И. Приемник лучистой энергии / А.с. №721683 от 1 апреля 1976 г. (кл. G 01 J 5/12); опубликовано: БИ. 1980. №10. С.157.

169. Ухлинов Г.А., Колесник Е.А., Вигдорович В.Н. Исследование температуры плавления тонких плёнок как метод определения их упругой энергии // Заводская лаборатория. 1982. Т.48. №12. С.38-40.

170. Вигдорович В.Н., Лебедев Ю.П., Ухлинов Г.А. Структура и электрофизические свойства тонких плёнок германия на неориентированных подложках / В кн.: Полупроводниковые материалы. М.: МИЭТ, 1983. С.67-71.

171. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Термоэлемент. А.с. СССР №230915, кл. Н 01 L 37/00, заявл. 14.02.63, опубл.15.11.68, БИ № 35.

172. Самойлович А.Г., Пилат И.М., Анатычук Л.И. Термоэлектрический генератор, состоящий из монокристалла анизотропного антимонида кадмия. Патент США №3530008, кл.136-200, заявл. 26.01.67, опубл. 22.09.70,.

173. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Анизотропный термоэлемент. Патент ФРГ № 2 000 088, кл. 21в 27/06, заявл. 02.01.70, опубл. 29.11.73.

174. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Способ генерации электродвижущей силы. Патент Японии 46-43422, кл. 99(5)032, заявл. 25.10.67, опубл. 5-46-1086(1971 г.).

175. Анатычук Л.И., Богомолов П.А., Купчинский О.И. и др. Анизотропный радиационный элемент// Оптико-механическая промышленность. 1971. №1. С.27-29.

176. Снарский А.А., Пальти A.M., Ащеулов А.А. Анизотропные термоэлементы. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31.№11. С.1281-1298.

177. Crystea P., Popescu J.M. Infrared photovoltaic radiation detector with anisotropic tellurum film // Opt. Communications. 1970. V.2. N2. P.81-83.

178. Ciura A.J., Popescu J.M., Stancin G.A. Study of the photovoltaic detector with thin anisotropic tellurum film // rev. Roum. Phys. 1973. V. 18. N1. P. 119-121.

179. Gheorgita-Oancea C., Crystea P. Study of tellurum anisotropic layers structure and photovotaic effect. Bull. Inst. Politechn. «Gh. Gheorgiu-Dej», Bucurest. 1975. T.37. N3. P.11-17.

180. Тесленко А.И. Фотовольтаический эффект в плёнках теллура // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. №6. С.1214-1216.

181. Takahashi М., Kou F., Tada О. The mechanism of the photovoltaic effect of Ge film obliquely deposited in vacuum // Japan. J. Appl. Phys. 1968. V.7. N12. P. 1446-1452.

182. Pancove I.I. The anomalous photovoltaic effect // Phys. Stat. Sol. 1980. V.A61. N1. P.127-132.

183. Dietmar G. Dember-effect und photon-drag in anisotropen Halbleitern. Wiss. Z. Techn. Univ. Dresden. 1984. T.33. №2. S.15-19.

184. Gutfeld R.J. Laser-induced anisotropic thermoelectric voltages in thin films // Appl. Phys. Lett. 1973. V.23. N4. P.206-208.

185. Gutfeld R.J., Caswell H.L. Enhancement of transverse thermoelectric voltage in thin metallic films //Appl. Phys. Lett. 1974. V.25. N12. P.691-693.

186. Tunan E.E., Gutfeld R.J. Light detector for nanosecond-dc pulse width range. Патент США№ 3851174, кл. 250-336, заявл. 04.05.73, опубл. 26.11.74.

187. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я., Карачун В.Н. Плёночные термоэлектрические приемники излучения // В кн.: Методы и средства измерения параметров устройств квантовой электроники. Труды ВНИИФТРИ. Вып.39(69). М.: ВНИИФТРИ, 1978. С.41-46.

188. Косаковская З.Я., Епихина Т.Е., Нестеренко В.М., Ухлинов Г.А. Новые тепловые преобразователи импульсного оптического излучения // В кн.: Импульсная фотометрия. 1983. Вып.8. С.118-120.

189. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л. Плёночные анизотропные термоэлементы // Электронная промышленность. 1985. Вып.2(14). С.8-10.

190. Ухлинов Г.А., Марков Ф.В., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л. Плёночные анизотропные датчики излучения // Опт.-мех. Промышленность. 1985. №6. С.50-52.

191. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Марков Ф.В. Поперечная термо-ЭДС в косонапыленных плёнках хрома // В кн.: Материалы электронной техники. М.: МИЭТ, 1985. С.165-170.

192. Шелемин Е.Б., Андреев В.И., Рукман Г.И., Заславский В.Я. Способ регистрации оптического излучения / А.с. №1010594 от 19 сентября 1981 г. (кл. G01 J 5/12); опубликовано: БИ. 1983. №13. С. 157.

193. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выявление структуры на металлографических шлифах при воздействии озонированным воздухом // Заводская лаборатория. 1994. Т. 60. № 1. С. 27-28.

194. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Наклонноконденсированные плёночные материалы как наклоннотекстурированнные термоэлектрические преобразователи измерительного назначения // Конденсированные среды и межфазные границы. 2001. ТЗ. №1. С.5-13, 91 и 95.

195. Каримбеков М.А., Вигдорович В.Н. Аналитическое описание анизотропии свойств пленочных поликристаллических материалов с различной текстурой // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2001. № 1. С.70-75 и 78.

196. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Садыков Э.С. Совершенствование зондового метода контроля электросопротивления плёночных материалов // Прикладная физика. 2001. №1. С. 24-30.

197. Каримбеков М.А. Поперечная термо-э.д.с. в наклонно конденсированных плёнках металлов, полуметаллов, полупроводников. Модель и реализация // Вестник Российской академии естественных наук, Санкт-Петербург, 2001. Т5. №1. С.45-53.

198. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выбор пленочных термоэлектрических материалов // В кн.: Перспективные материалы, технологии и конструкции, С. 15-18 / Под ред. В.В. Стацуры. Красноярск: САА, 1998. Вып. 4. - 790 с.

199. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Модель, материалы и параметры наклоннотекстурированных термопреобразователей измерительного назначения // Перспективные материалы. 2001. №1. С.5-13.

200. Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Теплоэлектрический преобразователь в пленочном исполнении // В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред.

201. B.Н. Вигдоровича. -М.: Научно-производственная ассоциация, 1992. Вып. 4. С. 14-24.

202. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Структурирование информационных потоков в области получения и применения озона // Российский химический журнал Журнал Российского химического общества им. Д.И. Менделеева. 1993. Т.37. №4.1. C.81-83.

203. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Направления развития методов озоноанализа и их классификация. Шатура: Предприятие «Экоинформсистема», 1993.-32 с.

204. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Озонопроизводство и озонирование как комплекс мониторинга и управления. Шатура: Предприятие «Экоинформсистема», 1993.-52 с.

205. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Пленочные резисторы для электронных измерительных приборов // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 1.С. 194-196.

206. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Манометрический термопарный преобразователь в пленочном исполнении // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 2. С. 170 174.

207. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Пленочные резисторы для вторичных электронных измерительных приборов // Приборы и системы управления. 1994. № 2. С. 38.

208. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Пленочный аналог манометрического термопарного преобразователя // Приборы и системы управления. 1994. №5. С. 46.

209. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Разработка пленочных термоэлектрических преобразователей как средств технологического контроля и измерения. Шатура: Экоинформсистема, 1995. - 52 с.

210. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Контроллер температуры с плёночными элементами // Приборы и техника эксперимента. 2001. № 5. С. 129-131.

211. Каримбеков М.А. Термопреобразователь лазерного излучения на наклонноконденсированных плёночных материалах // Прикладная физика. 2001. № 1. С. 31-40.

212. Каримбеков М.А. Приёмы легирования плёночных материалов и структур для термоэлектрических преобразователей // Прикладная физика. 2002. № 2. С. 83-92.

213. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выбор, разработка и совершенствование материалов термоэлектрических преобразователей // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002. № 2. С 23-28.

214. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Графо-аналитическое определение пригодности и предпочтительности материалов для термоэлектрических преобразователей измерительного назначения // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002. № 3. С.3-11.

215. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Наклонноконденсированные плёнки висмута, теллура и хрома. В кн.: Материалы X Национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (г. Москва 24-29 ноября 2002 г). - М: Ж РАН, 2002. С. 534.

216. Pazik John С. Thermoelectric science and technology An overview // Nav. Res. Rev. 1996. V.48. N4. P.2-3.

217. Chen Jincan ,Wu Chih. Analysis on the performance of a thermoelectric generator // Trans. ASME. J. Energy Resour. Technol. 2000. У.122. N2. P61-63.

218. Булат JI.П. Термоэлектрическое охлаждение: состояние и перспективы

219. И Холодильная техника. 1999. №7. С. 12-14.

220. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1972. - 352 с.

221. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967.415 с.

222. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Модельные представления и критерии для выбора, разработки и совершенствования термоэлектрических материалов // Цветные металлы. 1990. №9. С.70-73.

223. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Выбор, разработка и совершенствование материалов для термоэлектрической техники // Цветные металлы. 1990. №12. С.71-74.

224. Вигдорович В.Н. Теоретические и практические оптимальные значения коэффициентов термо-ЭДС материалов // Доклады Академии Наук. 1991. Т.316. № 2. С.351-354.

225. Сухов И.В. Шумы электрических цепей. М.: Связь, 1975. - 352 с.

226. Справочник по электроизмерительным приборам / Под ред. К.К. Илюнина. -Л.: Энергия, 1977.-832 с.

227. Физика: Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. A.M. Прохоров. -4-е изд. М.: Большая Российская энциклопедия, 1999. - 944 с. Репринтное издание 1983 года.

228. Электроника: Энциклопедический словарь / Гл. ред. В.Г. Колесников. М.: Сов. Энциклопедия, 1991. - 688 с.

229. Вигдорович В.Н., Волик Н.Н., Коледова Т.Н., Селин А.А., Ухлинов Г.А. Проблемы разработки и применения материалов электронной техники. М.: МИЭТ, 1984.- 100 с.

230. Эдельман B.C. Свойства электронов в висмуте // Успехи физических наук. 1977. Т.123. № 2. С. 257-287.

231. Иванов Г.А. К расчету концентрации и подвижности носителей тока в висмуте // Физика твердого тела. 1964. Т.6. № 3. С. 936-940.

232. Шульце Г. Металлофизика. М.: Мир, 1971. - 503 с.

233. Ухлинов Г.А., Шварц Б.А., Пинчук В.Н., Дарашкевич В.Р. Термоэлектрические и резистивные свойства пленок сплавов висмута // Электронная техника. Материалы. 1983. №12(185). С. 19-23.

234. Коломец Н.В., Лигер В.В., Полников В.Г., Рябошапко В.А. Термоэффективность тонких неоднордных полупроводниковых образцов // Труды Моск. физ.-техн. ин-та. Серия: Радиотехника и электроника. 1974. №7. С.110-114.

235. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. - 584 с.

236. Schrieffer J.R. Effective carrier mobility in surface space charge layers // Phys. Rev. 1955. V.97. N3. P.641-646.

237. Горкун Ю.И. К теории электропроводности приповерхностных слоев объемного заряда в полупроводниках // Украинский физический журнал. 1967. Т. 12. №7. С.1144-1151.

238. Полников В.Г. Термо-ЭДС тонкого слоя полупроводника при сильном изгибе зон у поверхности // Физика и техника полупроводников. 1973. Т.7. №8. С.1657-1659.

239. Ухлинов Г.А., Пащенкова Н.И., Пинчук В.Н. Диэлектрические свойства конденсированных пленок моноокиси германия // Электронная техника. Материалы. 1980. №2(139). С.101-104.

240. Декорирование поверхности твердых тел / Г.И. Дистлер, В.П. Власов, Ю.М. Герасимов и др. М. Наука, 1976. - 112 с.

241. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2-е изд., перераб. М.: Наука, 1979. - 640 с.

242. Шермергор Т.Д. Теория упругости микронеоднородных сред. М.: Наука, 1977.-400 с.

243. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Ориентационно-статистическая модель текстурированных образцов металлов с одноосной симметрией // Физика металлов и металловедение. 1980. Т.49. Вып.4. С.797-803.

244. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Электропроводность поликристаллических образцов металлов с формразмерной текстурой // Физика металлов и металловедение. 1983. Т.55. Вып.1. С.61-64.

245. Ухлинов Г.А., Лебедев Ю.П. Распределение ортогональных кристаллографических направлений в поликрисгаллических материалах с аксиальной текстурой // Физика металлов и металловедение. 1984. Т.58. Вып.2. С.355-359.

246. Шермергор Т.Д., Яковлев В.Б. Концентрация механических и электрических полей на поверхности эллипсоидального пьезоэлектронного включения в изотропной матрице // В сб.: Теоретические основы функциональной электроники, С. 77-86. М.: МИЭТ, 1990. - 182 с.

247. Вальтер К., Иванкина Т.И., Никитин А.Н. и др. // Доклады Академии наук СССР. 1991. Т. 319. № 2. С. 310-314.

248. Shermergor T.D., Yakovlev V.B. Electroelastic field's consentration on elliptic pore in textured media //Texture and Microstructures. 1996. N1. P.237-244.

249. Васильев B.A., Митин B.C., Пашков И.Н. и др. Высокоскоростное затвердевание расплава (теория, технология, материалы). М.: СП Интермет инжиниринг, 1998. -400 с.

250. Fuche К. The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals// Proc. Cambr. Phill.Soc. 1938. V.34. N1. P.100-108.

251. Mayadas A.F., Shatzkes M.Janak J.F. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of specular reflection at external surfaces. Appl. Phys. Lett. 1969. V.14. N11. P.345-347.

252. Warkusz F. Grain boundary electron scattering in the total film conduction model. 1979. V.62. N2. P.247-253.

253. Cottey A.A. The electron conductivity of thin metal films with very smooth surface // Thin Solid Films. 1968. V. 1. N4. P.297-307.

254. Tellier C.R., Tosser A.J. Approximate expression for electrical resistivity of thin polycrystalline metallic films // Thin Solid Films. 1976. V.33. N2. P. 119-126.

255. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.J. Statistical model of electrical conduction in polycrystalline metals// Thin Solid Films. 1979. Y.61. N3. P.349-354.

256. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.J. A three-dimensional model for grain boundary resistivity in metal film // Thin Solid Films. 1979. V.62. N2. P. 189-194.

257. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.J. Approximate expressions for the product of the resistivity with its TCR in very thin polycrystalline films // J. Phys. F. Metal Phys. 1979. V.9.N12. P.2377-2380.

258. Tellier C.R., Pichard C.R., Vatamanyuk V.I., Tosser A.J. Electrical conductivity of thin metal films grown in a columnar fashion // J. Mater. Sci. Lett. 1983. V.2. N10. P.579-582.

259. Pichard C.R., Bedda M., Tosser A.J. Limits for the isotropy of the Mayadas-Shatzkes conduction model // J. Mater. Sci. Lett. 1984. V.3. N8. P.743-744.

260. Tellier C.R. Review effect of derect stucture on the electrical conduction mechanism in metallic thin films // J. Mater. Sci. 1985. V.20. N6. P. 1901 -1919.

261. Pichard C.R., Bedda M., Vatamanyuk V.I., Tosser A.J., Tieller C.R. Alternative analytical forms of the Fuchs-Soudheimer function // J. Mater. Sci. 1985. Y.20. N11. P.4185-4201.

262. Блатт Ф.Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах. M.-JL: Физматгиз, 1963. - 224 с.

263. Бородкина М.М., Спектор Э.Н. Ренгеноструктурный анализ текстуры металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1981. - 272 с.

264. Адамеску Р.А., Гельд П.В., Митюшов Е.А. Анизотропия физических свойств металлов. М.: Металлургия, 1985. - 136 с.

265. Новые методы исследования текстуры поликристаллических материалов // Сб. статей. Пер. с англ. под ред. И.И. Папирова и Т.И. Савеловой. М. Металлургия, 1985.-312 с.

266. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.Ю. Интегралы и ряды. М.: Наука, 1977.-344 с.

267. Янке Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции: Формулы, графики, таблицы. М.: Наука, 1977. -344 с.

268. Вигдорович В.Н. Исследование условий получения синтетических магниточувствительных электросопротивлений из эвтектических сплавов // Доклады Академии наук СССР. 1969. Т.187. №4. С.842-845

269. Сомов А.И., Тихоновский М.А. Эвтектические композиции. М.: Металлургия, 1975. - 303 с.

270. Вигдорович В.Н., Г.А., Долинская Н.Ю., Марычев В.В. О кристаллизации твёрдых растворов Bi-Sb в капиллярах // Известия АН СССР, Металлы. 1978, №1, С. 96-99.

271. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Зародышеобразование при конденсации плёнок висмута на кристаллах NaCl // Физика твердого тела. 1973. Т.15. №6. С.1888-1891.

272. Дистлер Т.И. Кристаллизация как матричный репликационный процесс //В кн.: Рост кристаллов. Ереван: ЕрГУ, 1975. Т.Н. С.47-64.

273. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Марычев В.В. Некоторые проблемы роста монокристаллов висмута // Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Химико-технологическая серия. М.: МИЭТ, 1972. Вып.УШ. С.24-37.

274. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. О декорировании поверхностей ионных кристаллов висмутом // Заводская лаборатория. 1973. Т.39. №8. С.284-286.

275. Кобзарева С.А. Ориентированное зарождение антрахинона на слюде // Физика кристаллизации. Калинин: КГУ, 1984. Вып.7. С.60-66.

276. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Структурные особенности плёнок висмута, конденсированных на NaCl из паровой фазы в вакууме // Известия вузов. Физика. 1973. № 11. С.119-121.

277. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Резистометрические и электронномикроскопические исследования механизма роста плёнок висмута // Физика твердого тела. 1972. Т.14. № 9. С.2744-2747.

278. Salkovitz E.J. Crystallographic angles for bismuth and antimony // J. Metals. 1956. V.8.N2. P.176-177.

279. Свойства элементов / Под ред. Г.В. Самсонова; 4.1: Физические свойства. -М.: Металлургия, 1976. 599 с.

280. Якашвили Д.В., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Температурная зависимость удельного сопротивления и коэффициента термоЭДС плёнок висмута // Известия вузов. Физика. 1976. №6. С. 122-123.

281. Кайданов В.И., Регель А.Р. О влиянии толщины плёнок висмута на их электрические свойства // Журнал технической физики. 1958. Т.28. № 2. С.402-411.

282. Абросимов В.М., Егоров Б.Н., Карандышев В.А. Влияние температуры полимерной подложки на кинетические коэффициенты и структуру плёнок висмута // Теплофизика высоких температур. 1972. Т. 10. № 4. С.891-894.

283. Бурчакова В.И., Гицу Д.В., Козловский М.И. Особенности термо-ЭДС тонких плёнок висмута // Физика твердого тела. 1972. Т.10. №3. С.907-909.

284. Бивол В.Г., Бурчакова В.И. Плёночные структуры висмута и его аналогов. -Кишенев: Штиинца, 1978. 62 с.

285. Mayadas A.F., Shatzkes М. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of arbitrary reflection at external surface // Phys. Rev. B: Solid State. 1970. V.l. N4. P.1382-1389.

286. Абросимов B.M., Егоров Б.Н., Карандышев B.A., Крыкин М.А. Температурные зависимости кинетических коэффициентов плёнок висмута / Труды Моск. физ.-техн. ин-та. Серия: Радиотехника и электроника. 1973. Т.18. № 7. С.1449-1458.

287. Гольцман Б.М., Комиссарчук М.Г. Методика определения тепло- и электропроводности образцов малого поперечного сечения в интервале температур 80-400 К// Инженерно-физический журнал. 1971. Т.20. № 3. С.528-533.

288. Смирнов А.И., Тамарченко В.И. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. JL: Наука, 1977. - 150 с.

289. Michon P. Properties thermoelectiques du bismuth en couche mince II C. r. Acad. Sci. Paris. 1967. V.264. N25. P.1743-1746.

290. Issi J.P., Luycx A. Size effect in the thermopower of bismuth // Phys. Letters. 1966. Y.23. N1. P.13-14.

291. Kolike R., Kurokawa H., Jijima Y. Thickness dependence of the thermoelectromotive force in evaporated Bi and Sb films // Jap. J. Appl. Phis. 1968. Y.7. N3. P.293.

292. Mikrolajczak P., Piasek W., Subotowicz M. Thermoelectric power in bismuth thin films // Phis. stat. sol. 1974. V.25. N 2. P.619-628.

293. Thornburg D.D., Wayman C.M. Quantum and classical size effect in the thermoelectric power of thin bismuth films // Phil. Mag. 1969. V.20. N168. P.l 153-1161.

294. Бычковский P.B., Колесник E.A., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А. Резистивные свойства тонких плёнок висмута // Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. М.: МИЭТ, 1976. Вып.28. С.53-56.

295. Бычковский Р.В., Колесник Е.А., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А., Чиботару Н.И. Исследование резистивных свойств тонких плёнок висмута // Электронная техника. Материалы. 1978. Вып.1. С.19-22.

296. Abeles В., Meiboom S. Galvanomagnetic effects in bismuth // Phys. Rev. 1956. V. 101. N2. P.544-550.

297. Ma G.Q., Tseng P.K., Chang P.K.Z. Low-field galvanomagnetic effects of bismuth from 80 К to 300 К // Nuovo cimento. 1974. V.218. N1. P.l 17-128.

298. Иванов Г.А., Регель A.P. Электрические свойства сплавов висмута.

299. Растворимость примесей и характер воздействия на электрические свойства висмута //Журнал технической физики. 1955. Т.25. №1. С.39-48.

300. Иванов Г.А., Регель А.Р. Электрические свойства сплавов висмута.1.. Зависимость электрических свойств сплавов висмута от концентрации примеси // Журнал технической физики. 1955. Т.25. №2. С.49-65.

301. Мокиевский Л.И., Иванов Г.А. Электрические свойства сплавов висмута.

302. I. Тройные сплавы. "Возвращение" к свойствам висмута // Журнал технической физики. 1957. Т.27. №8. С.1695-1706.

303. Иванов Г.А. Электрические свойства сплавов висмута. IV. К расчету электрических свойств двойных сплавов висмута // Физика твердого тела. 1959. Т.1. №10. С.1600-1608.

304. Иванов Г.А., Попов A.M., Чистяков Б.И. Электрические свойства двойных сплавов висмута в широком температурном интервале. I. Твердые растворы Sn, Sb и Те в висмуте (поликристаллы) // Физика металлов и металловедение. 1963. №2. С. 184-192.

305. Гицу Д.В., Иванов Г.А. Электрические свойства монокристаллов висмута и его сплавов. II. Гальваномагнитные свойства сплавов висмута с теллуром (твердые растворы) // Физика твердого тела. 1960. Т2. №7. С. 1464-1476.

306. Иванов Г.А. Электрические свойства монокристаллов твердых растворов Те и Bi в интервале температур 77-300 К // Физика твёрдого тела. 1963. Т.5. №9. С.2409-2419.

307. Гицу Д.В. Комплексные исследования явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных донорными и акцепторными примесями: Автореферат докторской диссертации. Кишинев, ИПФ АН МССР, 1972.

308. Jain A.L. Electrical properties of Bi-Sb alloys // Phys. Rev. 1959. V.114. N6. P.1518-1528.

309. Smith G.E., Wolf R. Thermjelectric properties of bismuth-antimony alloys //J. Appl. Phys. 1962. V.33. N3. P.841-846.

310. Земсков B.C., Гусаков В.П., Бородин П.Г. Термоэлектрическая эффективность твердых растворов Bi-Sb и сплава Bi92,4Sb76, легированного оловом // Электронная техника. Материалы. 1976. №5. С.94-97.

311. Осипов Э.В., Рождественская В.В., Земсков B.C., Варич Н.И., Микитей П.П. Гальваномагнитные свойства монокристаллов твердых растворов системы Bi-Sb //Доклады АН СССР. 1971. Т.201. №6. С. 1338-1341.

312. Грабов В.М., Иванов Г.А., Попов A.M., Яковлева Г.А. К определению параметров сплавов Bi-Sb // Уч. записки ЛГПИ им. А.И.Герцена. 1966. №303. С.193-203.

313. Брандт Н.Б., Диттманн X., Пономарев A.M., Чудинов С.М. Переход полупроводник "квазиметалл" - полупроводник в сплавах Bii-xSbx под действием давления // Письма ЖЭТФ. 1970. Т. 11. №5. С.250-253.

314. Брандт Н.Б., Диттманн X., Пономарев A.M. Переходы металл-полупроводник в сплавах Bii-xSbx под действием давления // Физика твердого тела. 1971. Т.13. №10. С.2860-2873.

315. Брандт Н.Б., Чудинов С.М., Караваев И.Г. Исследование бесцелевого состояния, индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1976. Т.70. №6. С.2296-2317.

316. Алексеев В.Г., Заец Н.Ф., Кудряшов А.А., Ормрнт А.Б. Зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниковых твердых растворах висмут-сурьма от концентрации сурьмы // Физика и техника полупроводников. 1976. Т. 10. №12. С.2243-2247.

317. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Иванов Б.А., Андропова Е.Н. Структура и электрические свойства конденсированных плёнок сплавов висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. №6. С.905-909.

318. Хансен М., Андреко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургиздат,1968. -608с.

319. Zinsmeister G. Die direkte Verdampfung von legierungen // Vakuum technik. 1964. Heft 8. S.233-240.

320. Пазухин В.А., Фишер А.Я. Вакуум в металлургии. М.: Металлургиздат, 1956.-520 с.

321. Huijer R., Langendom W.T., Lely J.A. Electrical transport properties of thin bismuth films // Philips Techn. Rev. 1963. V.24. P. 144.

322. Белов Г.Д., Серова Ф.Г. Температурная зависимость энергии Ферми, концентрации носителей и анизотропии термо-ЭДС висмута // Известия вузов. Физика.1969. №6. С.139-141.

323. Uher С., Goldsmid J. Separation of the electronic and lattice thermal conductivity in bismuth crystals // Phys. Stat. Sol. B: Solid State. 1974. V.65. N2. P.765-772.

324. Gallo C.F., Chandrasekhar B.S., Sutter P.H. Transport properties of bismuth single crystals//J. Appl. Phys. 1961. V.34. N1. P.144-152.

325. Фоменко B.C., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов: Справочник / Под ред. Г.В.Самсонова. М.: Атомиздат, 1975. -320 с.

326. Ухлинов Г.А., Гаранин В.П. К вопросу о природе рассеяния заряда на поверхности плёнок висмута// Письма ЖЭТФ. 1978. Т.28. №3. С.160-164.

327. Видгорович В.Н., Ухлинов Г.А., Гаранин В.П. Исследование многослойных плёночных структур висмут-теллур. // Физикам техника полупроводников. 1979. Т.13. №12. С.2323-2326.

328. Болотов И.Е., Кожин А.В. Образование аморфных плёнок при конденсации теллура на Au, Ag и Си // Физика твердого тела. 1973. Т.15. №2. С.620-622.

329. Куров Г.А., Пинскер З.Г. О природе аморфной сурьмы // Кристаллография. 1956. Т.1. №4. С.407-409.

330. Татаринова Л.И. Электрические исследования кристаллической и аморфной сурьмы // Тр. института кристаллографии. 1955. №11. С.101-104.

331. Палатник Л.С., Косевич В.М. Исследование кристаллизации сурьмы в тонких плёнках, а и р - превращения // Кристаллография. 1958. Т.З. №6. С.709-715.

332. Палатник Л.С., Косевич В.М. Исследование кристаллизации сурьмы в тонких плёнках. Влияние различных подложек // Кристаллография. 1959. Т.4. №1. С.42-46.

333. Палатник Л.С., Косевич В.М. Исследование диффузионного и бездиффузионного превращений в аморфных плёнках сурьмы // Доклады Академии наук. 1958. Т.121. №1. С.97-100.

334. Бунтарь А.Г., Тхоривский A.M. Кинетика кристаллизации тонких плёнок сурьмы//Физика твердого тела. 1971. Т. 13. №12. С.3481-3487.

335. Ухлинов Г.А., Марков Ф.В., Андронова Е.Н. Структура и термоэлектрические свойства конденсированных плёнок сурьмы на слюде // В кн.: Материалы электронной техники. М.: МИЭТ, 1984. С.54-57.

336. Barua К., Ваша D.C. Thickness dependence of thermoelectric power of antimony films // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1976. V.14. N6. P.496-498.

337. Abou El Ela A.H., Mahmoud S. The influence of the structure of thin antimony films of their electrical conductivity // Appl. Phys. 1975. V.7. N1. P.45-47.

338. Maki K. Thickness-dependence of electrical resistivity in antimony films deposited in oil-pumped and ion-pumped evaporators // Jap. J. Appl. Phys. 1973. V.12. N1. P.146-147.

339. Pal Arun K., Sen P. Size-dependence of electrical resistivity of vacuum-evaporated antimony films // J. Mater. Sci. 1975. V. 10. N11. P. 1879-1882.

340. Veno Т., Odajima A. Growth of trigonal Se and Те films on glass // Jap. J. Appl. Phys. 1971. V.10. N11. P.1657.

341. Okuyama K., Yamamoto H., Kumagai Y. Effect of Au nucleation centers and deposition rate on crystallinity and electronic properties of evaporated Те films // J. Appl. Phys. 1975. V.46.N1. P.105-111.

342. Okuyama K., Kumagai Y. Grain growth of evaporated Те films on heated and cooled substrates//J. Appl. Phys. 1976. V.46.N4. P.1473-1477.

343. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Теллур и теллуриды. М.: Наука, 1966.297с.

344. Абакаров Д.А. Дислокации источники акцепторов в чистом теллуре // Физика и техника полупроводников. 1973. Т.7. №23. С.579-585.

345. Chaudhuri А.К. Electrical conductivity of evaporated tellurium films // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1974. V.12. N4-6. P.399-403.

346. Kubovy A., Janda M. Effects of annealing on some transport properties of Те thin films // Phys. stat. sol. (a). 1976. V.37. N2. K127-K129.

347. Okuyama K., Yamashita Т., Chiba M., Kumagai Y. Annealing effect in Те films //Jap. J. Appl. Phys. 1977. V.16.N9. P.1571-1575.

348. Fain I.P. The influence of gas adsorption on electrical resistance of thin films of Те // Proc. Nucl. Phys. And solid state Phys. Symp. Calcutta. 1975. V. 18. SI. P.79-81.

349. Szaro L., Hruzik M., Klincewics J. Influence of atmosphere composition on electrical surface properties of Те thin films // Acta Univ. Wratisl. 1977. N380. P.l 15-120.

350. Okuyama K., Tsunako J., Kumagai Y. Behavior of metal contacts to evaporated tellurium films// Thin Solid Films. 1975. Y.30. N1. P.l 19-126.

351. Silberman R., Landwehr G., Kohler H. Field effect in tellurium // Solid State Commun. 1971. V.9. N13. P.949-951.

352. Weiner P.K. A p-type tellurium thin films transistor // Proc. IEEE. 1964. V.52. N5. P.608-609.

353. Wilson H.L., Gutierrez W.A. Tellurium TET's exceed 100 MHz and one-watt capabilities // Proc. IEEE. 1967. V.55. N3. P.415-416.

354. Yoshizumi Y., Honsuke H., Toyo M. Те thin films field-effect transistor deposited on TGS crystal // Jap. J. Appl. Phys. 1977. Y.16. N7. P. 1195-1201.

355. Шалимова K.B., Солдатов B.C., Смотраков A.A., Титов В.Б., Сапожникова О.В. Влияние поверхностного рассеяния на подвижность дырок в тонких плёнках теллура // Физика и техника полупроводников. 1973. Т.7. №8. С. 1457-1460.

356. Березовед В.А. Исследование поверхностных состояний в МОП-структурах на теллуре // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. №7. С.1343-1349.

357. Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские) состояния. М.: Мир, 1973.-232 с.

358. Davey J.E., Tiernan R.J., Pankey Т., Montgomery M.D. The effect of vacuum evaporation parameters on the structural, electrical and optical properties of thin germanium films // Solid State Electronics. 1963. Y.6. N1. P.205-216.

359. Емцев B.B., Матовец T.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / Под ред. С.М. Рывкина. М.: Радио и связь, 1981. - 248 с.

360. Дефекты в кристаллах полупроводников // Сб. статей /Сост. и перев. С.Н. Горин. Мир, 1969. - 376с.

361. Лебедев Ю.П., Ухлинов Г.А. Термоэлектрические свойства конденсированных плёнок германия на неориенирующих подложках // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т.20. №1. С. 156-157.

362. Вигдорович В.Н., Заводян А.В. Плёнки гидролизно-поликонденсационной двуокиси кремния в технике больших интегральных схем // Электронная промышленность. 1978. Вып. 1(61). С.51-55.

363. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Исследование эпитаксиальных плёнок РЬТе //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1968. Т.4. №2. С.337-341.

364. Egerton R.F., Juhasz С. Epitaxial films of РЬТе, PbSe and PbS, grown on mica substrates // Brit. J. Appl. Phys. 1967. V.18. N7. P. 1009-1011.

365. Egerton R.F. The structure and growth of the PbTe films on mica substrates // Phil. Mag. 1969. V.20. N165. P.547-559.

366. Ракова Е.В., Семилетов С. А. Некоторые особенности отжига эпитаксиальных плёнок теллурида свинца на слюде а парах теллура // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1974. Т. 10. №11. С.2371-2376.

367. Пикалев А.П., Полистанский Ю.Г., Кандыба Г.И. Вдияние условий конденсации на структуру и термоэлектрические свойства плёнок теллурида свинца // В сб.: Термоэлектрические материалы и плёнки- JL: Наука, 1976. С.126-129.

368. Фрейк Д.М., Солоничный Я.В., Масляк П.Т. Исследование плёнок РЬТе, полученных в квазиравновесных условиях // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т.13. №12. С.2165-2168.

369. Гудков Л.А., Дашевский З.М., Коломец Н.В. и др. Исследование совершенных монокристаллических плёнок РЬТе стехиометрического состава // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т.16. №9. С.1676-1679.

370. Boichot S.J. The structure and growth of thin films of lead telluride and lead selenide condensed in vacuum on the amorphous substrates // J. Phys: D. 1978. V.ll. N18. P.2553-2558.

371. Бойков Ю.А., Гольцман Б.М., Кутасов В.А. Теплопроводность плёнок РЬТе // Физика твердого тела. 1978. Т.20. №5. С. 1548-1550.

372. Бойков Ю.А., Гольцман Б.М., Гудкин Г.С. и др. Об аномальном росте коэфициента термо-ЭДС в плёнках п-РЬТе // Физика твердого тела. 1980. Т.22. №4. С.1226-1228.

373. Vijay Kumar A., Chaudhuri А.К. Thermoelectric power of vacuum evaporated PbTe films//Czech. J. Phys. 1981. Y.831. N3. P.302-308.

374. Porter R. Stabilities of gaseous molecules in the Pb-Se and Pb-Te systems // J. Chem. Phys. 1961. V.34. N2. P.583-587.

375. Любимов А.П., Беспальцева И.И. Определение давления и состава пара теллурида свинца масс- спектроматрическим методам // Журнал физической химии. 1967. Т.41. №6. С.1500-1502.

376. Матвеенко А.В., Медведев Ю.В., Берченко Н.Н. Термическое вакуумное1. А IV™ VIнапыление эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединении А В // Зарубежная электронная техника. 1982. №11. С.54-115.

377. Mokimo Yoshimi, Hoshina Taruhco. Electrical properties of evaporated single crystal thin films of n-type PbTe // J. Phys. Soc. Jap. 1964. V.19. N7. P.1242-1243.

378. Кондратов A.B., Тимофеев Ю.В., Смирнов H.K. и др. Исследование плёнок теллурида свинца, полученных методом замкнутого объема // Физика и техника полупроводников. 1973. Т.7. №1. С. 178-180.

379. Кондратов А.В., Тимофеев Ю.В. Свойства плёнок n-РЬТе полученных методом взрывного испарения в замкнутом объеме // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т.13. №1. С.38-41.

380. Parker Е.Н., Williams D. Electrical properties of uncontaminated PbTe films on mica substrate prepared by molecular beam deposition // Solid State Electron. 1977. V.20. N7. P.567-577.

381. Williams D., Parker E.H. The measurement of electrical properties of uncontaminated PbTe films prepared by molecular beam deposition // J. Phys.: E. 1977. V. 10. N11. P.l 176-1179.

382. Воронина И.П., Семилетов С.А. Структура и электрические свойства монокристаллических плёнок РЬТе // Физика твердого тела. 1964. Т.6. №6. С. 1898-1900.

383. Воронина И.П., Семилетов С.А. Структура и электрические свойства монокристаллических плёнок РЬТе //Кристаллография. 1964. Т.9. №4. С.486-489.

384. Раевич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe и PbS М.: Наука, 1968.-384с.

385. Гудкин Т.С., Драбкин И.А., Кайданов В.И., Стерлядкина О.Г. Особенности рассеяния электронов в тонких плёнках РЬТе // Физика и техника полупроводников. 1974. Т.8. С.2233-2235.

386. Бытемский Л.И., Гудкин Г.С., Иорданишвюш Е.Л. и др. Влияние потенциальных барьеров на термоэлектрические свойства халькогенидов свинца // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.П. №8. С.152-1526.

387. Фрейк Д.М. Получение плёнок соединенийaivbvi ц приборыи техникаэксперимента. 1976. №5. С.7-17.

388. Petritz R.Z. Theory of photoconductivity of semiconductor films // Phys. Rev. 1956. V.104.N6. P.1508-1516.

389. Petritz R.Z. Theory of experiments for measuring the mobility and density of carriers in the spacecharge region of a semiconductor surface // Phys. Rev. 1958. V.110. N6. P.1254-1262.

390. Parker E.H., Williams D. The kinetics and electrical effects of oxygen sorption on uncontaminated PbTe thin films // Thin Solid Films. 1976. V.35. N3. P.373-395.

391. Rogalsky A. Influence of air on the electrical properties of Pbi-xSnxTe layers on a mica substrates // Thin Solid Films. 1980. V.74. N1. P.59-68.

392. Egerton R.F., Juhasz C. The effect of oxygen on epitaxial PbTe, PbSe and PbS films // Thin Solid Films. 1969. V.4. N4. P.239-253.

393. Горбачев В.В., Дашевский З.М., Ерусалимская Т.М. и др. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических плёнках р-РЬТе //Физика и техника полупроводников. 1984. Т.18. №6. С.1118-1120.

394. Бойков Ю.А., Кутасов В.А. Изменение концентрации и подвижности носителей заряда в плёнках РЬТе после завершения процесса конденсации // Физика твердого тела. 1981. Т.23. №8. С.2507-2529.

395. Бойков Ю.А., Кутасов В.А. Температурная зависимость подвижности электронов в свежеосаждённых плёнках РЬТе // Физика твердого тела. 1982. Т.21. №1. С.311-314.

396. Григорьев А.В., Казьмин С.А., Кайданов В.И. Влияние ИК-подсветки на кинетические коэффициенты в плёнках РЬТе с потенциальными барьерами // Физика и техника полупроводников. 1983. Т.17. №5. С.934-936.

397. Лидоренко Н.С., Гудков Л.А., Дашевский З.М. и др. Размерные эффекты в монокристаллических плёнках РЬТе // Доклады АН СССР. Т.250. №7. С.82-85.

398. Vaya P.R., Majhi J., Gopalam B.S.V., Dattatreyan С. Thickness dependence of Holl mobility of HWE grown PbTe films // Phys. Stat. Sol. 1985. V.87. N1. P.341-350.

399. Muiser H.A., Muth A., Queisser H.T. Charge transfer to surface states in PbTe films//Phys. Lett. 1964. V.ll. N4. P.283-284.

400. Кремнев B.A., Леонтьев П.А., Платов А.И. Характер распределения и ориентации различных сред в структуре плёнок на основе теллуридов Bi и Sb //Кристаллография. 1971. Т.16. №2. С.411-414.

401. Дашевский З.М., Жемчужина Е.А., Каллер А.Я. и др. Получение и исследование свойств монокристаллических плёнок системы Bi2Te3-Sb2Te3 // Электронная техника. Материалы. 1973. №8. С.74-78.

402. Дашевский З.М., Ерусалимская Т.М., Каллер Я.А. и др. Получение и некоторые свойства плёнок твердых растворов системы Bi2Te3xSex // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т.13. №6. С.936-965.

403. Арифов У.А., Эрзин Н.И., Кулагин А.И. и др. Электрофизические параметры термоэлектрических плёнок на основе Bi-Te-Se // Гелиотехника. 1974. №5. С.62-63.

404. Арифов У.А., Эрзин Н.И., Кулагин А.И. и др. Влияние температуры и времени отжига на кинетические коэффициенты плёнок твердого раствора Bi2Te2,4Seo;6 //Гелиотехника. 1975. №1. С.3-4.

405. Гельфгат Д.М., Дашевский Х.М. Влияние отжига на воздухе на электрофизические свойства плёнок твердых растворов п-типа в системе Bi2Te3-Sb2Te3 //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т.19. №8. С.1307-1308.

406. Лахно И.Г., Жеребов В.Ю., Ухлинов Г.А. Термоэлектрические свойства теллуридов свинца и висмута // В кн.: Полупроводниковые материалы. М.: МИЭТ, 1983. С.63-66.

407. Abouwitz G., Levy М., Lancaster Е. et al. The electrical properties of Bi:Sb:Se:Te films // Electrochem. Technol. 1966. V.4. N7/8. P.426-430.

408. Smith M., Knight R., Spencer C. Properties of Bi2Te3-Bi2Se3 alloys // J. Appl. Phys. 1963. V.34. N5. P.1398-1400.

409. Дашевский 3.M., Жемчужина E.A., Коломец H.B. и др. Исследование процесса получения плёнок В1гТез с различной концентрацией носителей тока // В кн.: Структура и свойства термоэлектрических материалов. -М.: МИСиС, 1973. С.79-85.

410. Атакулов Ш.Б. Термоэлектрические свойства плёнок халькогенидов свинца и висмута с неоднородным потенциальным рельефом. Автореф. канд. дис. Ташкент, 1981.

411. Atakulov Sh.B., Shamsiddinov A.N. The problem of transport phenomena in polycrystalline semiconductor thin film with potential barriers in the case where the carriers gas degenerated // Solid State Communs. 1985. V.56. N2. P.215-219.

412. Ухлинов Г. А., Лахно И.Г. Влияние металлических покрытий на термоэлектрические свойства плёнок теллурида свинца // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т.20. №5. С.765-768.

413. Видгорович В.Н., Ухлинов Г.А., Жеребов В.Ю., Лахно И.Г. Изменение электрических свойств плёнок полуметаллов и полупроводников в процессе конденсации металлов на их поверхность // Доклады АН СССР. 1987. Т.292. №4. С.845-848.

414. Устинов В.В. Вклад плоских дефектов в электросопротивление металлов // Физика металлов и металловедение. 1980. Т.49. №1. С.31-38.

415. Волков Ю.А., Волкова Р.П., Пугачев А.Т. Влияние малых концентраций серебра и золота в межзерённых границах плёнок золота и серебра на величину зернограничного рассеяния электронов // Физика металлов и металловедение. 1986. Т.62. №2. С.298-302.

416. Видгорович В.Н., Ухлинов Г.А., Жеребов В.Ю., Марков Ф.В. Метод идентификации типа границ зерен в конденсированных плёнках декорированными металлами // Заводская лаборатория. 1985. Т.51. №9. С.44-46.

417. Ухлинов Г.А., Терентьева JI.M., Лахно И.Г. Электрофизические свойства тонкоплёночных структур Cu/РЬТе // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т.20. №4. С.648-685.

418. Грановский А.Б. Яковлев В.А. Неохлаждаемые приемники лазерного СО2 -излучения / В кн.: Вопросы методологического обеспечения измерительных параметров технологических лазеров. М.: ВНИИФТРИ, 1984, С.5-21.

419. Андреев В.И., Бендицкий А.А., Грановский А.Б., Рукман Г.И., Степанов Б.М. Термоэлектродвижущая сила островковых металлических плёнок // Физика металлов и металловедение. 1983. Т.55. Вып.2. С.407-409.

420. Андреев В.И., Грановский А.Б., Яковлев В.А. Малоинерционный неохлаждаемый преобразователь ИК-излучения на основе косонапылённых плёнок висмута // В кн.: Методы и средства измерения параметров лазерного излучения. М.: ВНИИФТРИ, 1985. С.49-54.

421. Термоэлектрическая сила металлов / Пер. с англ. под ред. Д.К. Белащенко. -М.: Металлургия, 1980 248 с.

422. Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур. М.: Наука, 1982.-296 с.

423. Thomas P., Alais М. Патент США № 3969149, класс 136-225. -Thermoelectric microgenerator. - Опубликовано: 13 июля 1976 года, приоритет: 13 сентября 1973 года.

424. Chiks C.L., Mellon М.К. Optical power measurements made easi // Hewlett Packard Journal. 1971. Y.22. N11. P. 10-16.

425. Геращенко О.А., Сажина С.А. Быстродействующие приемники для измерения потоков теплового излучения высокой плотности // В кн.: Тепловые приемники излучения. Л.: ГОИ, 1980. С. 125-126.

426. Малыгин Е.А., Милонов В.П., Козорезов М.П. Исследование свойств пленочных термоэлементов // В кн.: Нитевидные кристаллы и тонкие плёнки,-Воронеж, 1975. 4.2. С.255-360.

427. Гаранин В.П., Лебедев Ю.П., Ухлинов Г.А. Термоэлектрические пленочные радиометры РТП-12//Электронная промышленность. 1982. Т.9. 115. С.60.

428. Каплун И.М., Лебедев Ю.П., Марков Ф.В., Ухлинов Г.А. Световодный радиометр для контроля высоких температур // Измерительная техника. 1983. Т.7. С.38-39.

429. Вакуумная техника: Справочник / Е.С. Фролов, В.Е. Минайчев, А.Т. Александрова и др. М.: Машиностроение, 1985. - 360 с.

430. Розанов Л.Н. Вакуумная техника. М.: Высшая школа, 1982. - 207 с.

431. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Мир, 1964. - 715 с.

432. Грошковский Я. Техника высокого вакуума. М.: Мир, 1975. - 622 с.

433. Гордов А.Н. Основы пирометрии. М.: Металлургия. 1971. - 447 с.

434. Ухлинов Г.А., Жеребов В.Ю. Оптимизация параметров термоэлектрических преобразователей для измерительных систем II Измерительная техника. 1984. №3. С.10-12.

435. Мгалоблишвили К.Д., Рухадзе Т.Г. Образцовый газоанализатор на озон. II Метрология и точные измерения. 1977. № 3. С.З.

436. Мгалоблишвили К.Д., Рухадзе Т.Г. Установка для измерения концентрации озона. // Метрология и измерительная техника. 1975. № 8. С. 1-3.

437. Андреев В.И., Грановский А.Б., Яковлев В.А. Малоинерционный неохлаждаемый приемник импульсного лазерного излучения // Квантовая электроника. 1985. Т.12. №6. С.1295-1297.

438. Андреев В.И., Грановский А.Б., Зубенко В.В., Степанищев С.В., Яковлев

439. B.А. Анизотропия термо-ЭДС и микроструктура косонапыленных плёнок висмута II Физика металлов и металловедение. 1986. Т.61. №3. С.532-535.

440. Andreev V.I., Rukman G.I. Tow-Inertia IR Laser Radiation Receiver // Journal of Soviet Laser Research. 1986. V.7. N1. P. 14-15.

441. Gutfeld R.J., Zory P. The correlation between light-induced metallic film voltages and time-dependent temperature gradients // Thin solid films. 1974. V.23. N2. P.215-219.

442. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. Б.А. Введенский, Б.М. Вул. В 5-ти томах. М.: Сов. Энциклопедия, 1962. Т.2. С.83-84.

443. Физическая энциклопедия / Гл. ред. A.M. Прохоров. В 4-х томах. М.: Сов. Энциклопедия, 1992-1998 Репринтное издание 1983 года.

444. Фистуль В.И., Мейер А.А. Зондовые методы исследования удельного сопротивления полупроводников. М.: Гиредмет, 1968. - 88 с.

445. Германий монокристаллический. ГОСТ 16 153-80 (Приложение 4, С.13-17); Германий зонноочищенный. ГОСТ 16 154-80 (Приложение 1 и 2, С.6-17); Кремний монокристаллический. ГОСТ 19 658-81 (Приложение 3, С.17-22).

446. F 43-93: Standard Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials /Annual Book of ASTM Standards. 1993. V.10.05. P.37-42.

447. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа, 1987. -239 с.

448. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.

449. Акимов Г.В. Метод микро тэдс // Доклады академии наук. 1946. Т.51. №3.1. C.205-207.

450. Новогрудский В.Н., Факидов И.Г. Определение знака термо э.д.с. для отдельных микрокристаллов на микрошлифах с помощью микротвёрдомера ПМТ-3 // Физика металлов и металловедение. 1959. Т.7. Вып.6. С.903-905.

451. Глазов В.М., Крестовников А.Н Исследование термоэлектрических свойств материалов в микрообъёмах // Заводская лаборатория. 1961.1.21. №4. С.416-419.

452. Арешкин А.А., Афанасьев А.А., Вигдорович В.И., Гогохия В.Г. Анализ и совершенствование четырёхзондового метода контроля сопротивления тонких проводящих плёнок // Электронная техника. Серия 6. Материалы. 1991. Вып.2 (256). С.61-66.

453. Харламов А.Г. Измерение теплопроводности твёрдых тел. М.: Атомиздат, 1973.- 152 с.

454. Янкелев Л.Ф., Гусева Л.И. Метод одновременного определения коэффициента теплопроводности и объёмной теплоёмкости, зависящих от температуры //Инженерно-физический журнал. 1975. Т.28. №4. С.653-656.

455. Сергеева Л.А., Сергеев В.Л. Простой метод измерения переменного теплового потока // Инженерно-физический журнал. 1977. Т.38. №1. С.111-115.

456. Chopra K.L., Prem Nath. Thermal conductivity of ultrathin metal films in multilayers structures // J. Appl. Phys. 1974. Y.45. N4. P.1923-1925.

457. Арнольд В.И. Теория катастроф. 3-е изд. доп. - М.: Наука, 1990. - 128 с.

458. Современные проблемы математики. М.: ВИНИТИ, 1983. Т.22. - 244 е.; 1988. Т.33. - 236 с. Итоги науки и техники.

459. Современные проблемы математики: Фундаментальные направления. -М.: ВИНИТИ, 1986. Т.5. 284 е.; 1988. Т.6. - 256 е.; 1989. Т.39. - 256 с.

460. Неймарк Ю.И., Ланда П.С. Стохастическое и хаотические колебания. -М.: Наука, 1987.-424 с.

461. Жигальский Г.П. Шум вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических плёнках //Успехи физических наук. 1997. Т.167. №6. С.623-648.

462. Хакен Г. Синергетика: Иерархии неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах / Пер. с англ. Ю.А. Данилова; под ред. Ю.Л. Климонтовича. -М.: Мир, 1985.-423 с.

463. Труды института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (ТИИЭР). 1987. Т.75. №8. - 184 с.

464. Рейнфельд В.А. Разработка малошумящих входных цепей на транзисторах. -М.: Связь, 1967.-234 с.

465. Розанов Ю.А. Теория вероятностей, случайные процессы и математическая статистика. М.: Наука, 1985. - 320 с.

466. Джилмор Р. Теория катастроф для учёных и инженеров. М.: Мир, 1983.200 с.

467. Углов А.А., Селищев С.В. Автоколебательные процессы при воздействии концентрированных потоков энергии. -М.: Наука, 1987. 150 с.

468. Васильев В.А., Романовский Ю.М., Яхно В.Г. Волновые процессы (Серия: Современные проблемы физики) М.: Наука, 1987. Вып.73. - 240 с.

469. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Технологические и конструкторские пленки и включения оксидов // В кн.: Материалы IV Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (г. Ивано-Франковск, 3-8 мая 1993 г.). В 2-х томах. -1993. Т. 1.С. 28.

470. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А.(составители) Озоногенераторная установка «Озонит»: ТУ 3614-001-29447399-95. М.: НТЦ «Озон», 1995. - 15 с.

471. Вигдой фяё1рович В.Н., Гогохия В.Г., Каримбеков М.А. Эффект тепловой эффузии и регулирование давления насыщенного пара // В кн.: Доповщ1 VII М1жнародно1 конференцп «Фьзика i технолопя тонких шпвок». 1вано-Фрашивск, 1999. С. 20-21.

472. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Гогохия В.Г. Плёночный преобразователь для измерения давления // В кн.: Доповщ. VII М1жнародно'1 конференцп «Ф1зика i технолопя тонких пл1вок». 1вано-Фрашавск, 1999. С. 32-33.