автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения

ВВЕДЕНИЕ (предпосылки и постановка работы).

1. МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ВЫБОРА И ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ (литературный обзор)

1.1. Классы материалов и эволюция их применения в термоэлектрической технике.

1.2. Термодинамика и модели термоэлектрических преобразователей.

1.3. Измерения лазерного излучения и термоэлементы на поперечном термоэлектрическом эффекте.

1.4. Геометрический образ анизотропно-текстурной модели структуры плёночных материалов и его экспериментальное определение.

1.4.1. Изотропия, анизотропия и текстура.

1.4.2. Текстура формы кристаллитов.

1.4.3. Кристаллографическая текстура.

1.4.4. Взаимосвязь пространственных распределений кристаллографических направлений в поликристаллических плёнках с аксиальной текстурой.

2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЛЁНОЧНЫХ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАН-НЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (теоретическая часть)

2.1. Особенности термоэдс в анизотропных средах.

2.2. Модель наклонноконденсированных плёнок.

2.3. Оптимальные параметры микроструктуры наклонноконденсированных плёнок и комплексные критерии оптимизации эффективности материалов при термоэлектрическом преобразовании для наклонноконденсированных плёнок.

2.4. Выбор и свойства материалов плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей.

2.5. Оценка чувствительности приёмно-преобразующего элемента при непрерывном излучении (зонная характеристика).

2.6. Оценка формы выходного сигнала роли гребенчатости поверхности приёмно-преобразующего элемента при действии короткоимпульсного излучения.

3. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАННЫХ ПЛЁНОК ВИСМУТА, ТЕЛЛУРА И ХРОМА (экспериментальная часть) 3.1. Материалы, оборудование, методики получения плёнок и их исследования.

3.2. Исследование микроструктуры и термоэлектрических свойств наклонноконденсированных плёнок висмута.

3.3. Исследование и сравнение полученных наклонноконденсированных плёнок висмута, теллура и хрома.

4. РЕАЛИЗАЦИЯ ПЛЁНОЧНЫХ НАКЛОННОКОНДЕНСИРОВАННЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В ВИДЕ КОНТРОЛЛЕРОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ испытание опытных образцов в лабораторных и промышленных условиях)

4.1. Контроллеры лазерного излучения и обоснование перспективности их разработки.

4.2. Материаловедческий и конструкторско-технологический аспект плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей.

4.3. Основные параметры созданных и исследованных плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей.

ВЫВОДЫ.

В связи с расширением использования оптоэлектронных приборов в науке и технике возникает необходимость на более высоком уровне контролировать их основные параметры - мощность, энергию, направленность и т.д., - и специалистами всё более осознаётся необходимость разработки этих излучателей. В этом направлении накоплен большой и разнообразный опыт физических экспериментов и технического конструирования, однако, поискового характера, и без желательного обобщённого материаловедческого и технологического подхода, приводящего к достаточно рациональному практическому решению проблем.

Традиционно используемые системы измерения, активной частью которых являются чувствительные приёмно-преобразующие элементы - преобразователи, имеют недостаточную эффективность, что приводит к необходимости использовать сложные схемотехнические решения и включать в систему дополнительные прецизионные усилители. Низкое быстродействие и нелинейные статические и динамические характеристики преобразователей затрудняют их использование в современных системах автоматического регулирования, стабилизации и измерения «in sity» параметров излучения. Исходя из этого, возникает, по существу, новая задача для техники и для традиционной метрологии - создание высокоэффективных и быстродействующих инновационных систем измерения лазеров (когерентного излучения) и светодиодов (некогерентного излучения) с новыми функциональными характеристиками.

Высокую надёжность, воспроизводимость и точность измерений позволяют достигать методы, использующие термоэлектрические преобразователи.

Главными намерениями в ходе поисковых экспериментов и при формировании физико-технологической базы данных являлось использование более простых:

- физических эффектов (например, не использовать гальванотермомагнитных и термомагнитных эффектов);

- материалов (например, элементарные вещества);

- технологий (например, термическое испарение с последующей конденсацией в вакууме). Однако, при этом повышая или не снижая чувствительность и быстродействие.

Преобразователи теплового действия в настоящее время занимают прочное место в измерительных приборах и системах, и аналогичные разработки ведутся многими ведущими приборостроительными фирмами («Сименс», «Хьюлетт Паккард», «Маркони», «Ультракаст», «Антехника», «Хитачи» и др.).

Фундаментальные научные основы термоэлектричества были заложены академиком А.Ф.Иоффе и развиты А.Р.Регелем, Н.С.Лидоренко, Л.С.Стильбансом, Е.К.Иорданашвили и др. Для анизотропных термоэлементов теоретические и экспериментальные основы термоэлектричества, главным образом, развили А.Г.Самойлович, И.М.Пилат, Л.И.Анатычук и др.

Лазерное излучение характеризуется уникальными характеристиками: широким спектральным диапазоном (0,2. 1 мм) и динамическим диапазоном (120. 200 дБ), малой длительностью импульсов (до 1 пс) и высокой плотностью мощности (до 109 Вт/см2) и т.п.

Теоретический и конструкторско-технологический анализ параметров плёночных термоэлектрических преобразователей, использующих эффект поперечной термоэдс, показывает перспективность создания на их основе контроллеров для измерения энергетических, координатно-чувствительных и пространственно-временных характеристик импульсного лазерного высокочастотного излучения большой мощности. Однако теория и практика их создания к настоящему времени развиты недостаточно.

Конструкторско-технологический анализ плёночных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения {без источника питания) выявил перспективность двух направлений:

- для термопарного эффекта - контроллеры температуры (предусматривающие настройку на измерение температуры поверхности) и теплоэлектрические преобразователи «резистивно-термоэлектрического» типа для измерения давления (предусматривающие настройку на измерение вакуума);

- для эффекта поперечной термоэдс - контроллеры для измерения энергетических, координатно-чувствительных и пространственно-временных характеристик импульсного лазерного излучения с большой мощностью и большой частотой следования импульсов, многоэлементные матричные преобразователи лазерного излучения.

Интерес к термоэлектрическим измерительным устройствам пробудился в связи со становлением инфракрасной и лазерной техники, развитием космической и военной техники и оказался подготовленным благодаря прогрессу высоких технологий («hightech» - «хайтек»), таких как глубокая очистка веществ и получение тонких плёнок, очистка поверхностей и «поверхностный монтаж», «субмикронное» и «наномикронное» формирование материалов и другие.

Современный измерительный преобразователь, выполняющий функции первичного (с этими характеристиками связано первичное преобразование, находящееся в материаловедческой и технологической компетенции) и вторичного преобразования сигнала (с этими характеристиками связано вторичное преобразование, которое относится к метрологии, приборной и системной компетенции). Поэтому разработки чувствительного приёмно-преобразующего элемента сливаются с разработкой информационно-измерительной системы.

Как следствие, измерительное устройство становится целостным. Оно стало называться «актюатор» («actuator» - в смысле «активатор»), «измерительный преобразователь» («transduser» - в смысле «измеритель») или «измерительный контроллер» («controller» - в смысле «управление»). Распространенный термин «сенсор» («sensor») в отечественной литературе соответствует термину «первичный преобразователь» (например, «термоэлектрический преобразователь»), а в зарубежной литературе, например, в США, - совокупности первичного и вторичного преобразователей. Термин «датчик» («gage» или «gange») - стал не рекомендуемым. Приобрели хождение также комбинации терминов «transduser», «actuator» и «sensor», как, например, «acsensor», «senactur», «plyacsensor».

Известно, что, если вырезать пластинку из монокристалла анизотропного полупроводника (например, антимонида кадмия) под углом и облучать её, то возникает термоэдс в поперечном направлении. Такие преобразователи были названы анизотропными термоэлементами.

Как выяснилось в ходе работы, в тонких плёнках образуется «армированная текстура», позволяющая использовать не только анизотропные, но и изотропные материалы.

Неизвестно было можно ли создать вакуумотермическим испарением и последующей конденсацией под углом подобные преобразователи в виде тонких плёнок анизотропных материалов или изотропных материалов. Такие преобразователи были названы термоэлементами на наклонноконденсированных плёночных материалах («плёночными наклонноконденсированными термоэлементами»).

Неизвестно было можно ли создать такие термоэлементы на анизотропных полуметаллах, например, на висмуте, и на анизотропных полупроводниках, например, на теллуре, а также на изотропных металлах, например, на хроме (никеле и на тантале).

Усмотрена смена поколений преобразователей по быстродействию: «секундные» (например, терморезисторы и термопарные преобразователи) => «микросекундные» (например, на эффекте поперечной термоэдс).

Целью работы было разработка, а также исследование технологии получения и свойств наклонноконденсированных плёнок висмута, теллура и хрома для высокоэффективных и быстродействующих термоэлектрических контроллеров лазерного излучения.

Достижение поставленной цели складывалось из решения следующих задач:

- обобщить теоретические принципы и разработать критерии выбора материалов для наклонноконденсированных плёночных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения;

- моделирование и оптимизирование параметров микроструктуры плёнок после наклонной конденсации;

- моделирование неравномерность зонной характеристики чувствительного приёмно-преобразующего элемента (для непрерывного излучения) и гребенчатости поверхности плёнки (для короткоимпульсного излучения);

- исследование взаимосвязи параметров испарения и конденсации на различных подложках в вакууме для различных материалов и разработать режимы плёночной технологии наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения;

-разработка и изготовление макетов наклонноконденсированных плёночных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе анизотропного и изотропного материала.

Сформулированы принципы выбора материалов для наклонноконденсированных плёночных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения. Предложены новые материалы (висмут, теллур и хром) (не только полуметалл - висмут и полупроводник - теллур, но и металл - хром) в качестве наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения. В наклонноконденсированных плёнках анизотропных материалов (висмут и теллур) и изотропных материалов (хром, никель и тантал) получены «армированные текстуры».

Выполнена программа технологических, структурных и термоэлектрических исследований наклонноконденсированных плёнок, включая приёмы повышения их эффективности и ориентацию на применение в лазерной технике.

В случае полуметаллов и полупроводников достигнуто высокое быстродействие (малая инерционность) плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения (уменьшается постоянная времени и время остывания, увеличивается предельная частота следования импульсов). В случае изотропных металлов удалось перейти к более высокой лучевой стойкости (устойчивости против «вжигания» и «прокисления»).

Осуществлены конструкторско-технологические разработки макетов одно- и многоэлементных контроллеров плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей для измерения лазерного излучения.

Составлена в составе творческого коллектива «Экспериментальная база данных» («Физико-технологическая справочная информация») для постановки производства плёночных чувствительных приёмно-преобразующих элементов термоэлектрических преобразователей измерительного назначения.

На защиту выносятся:

- модели наклонноконденсированных плёнок с «армированной текстурой» (аксиальной формразмерной и кристаллографической текстурой), устанавливающие количественную взаимосвязь между параметрами микроструктуры и свойствами плёнок;

- результаты технологических исследований плёнок висмута, теллура и хрома после наклонной конденсации (в структурном и термоэлектрическом аспекте);

- конструкторские и технологические разработки макетов плёночного термоэлектрического преобразователя для измерения энергетических параметров мощного лазерного излучения с большой частотой следования импульсов и для многоэлементных матричных приёмников лазерного излучения.

Основные научные положения, выводы и рекомендации подтверждаются материаловедческими и технологическими экспериментами, проверкой контроллеров на лабораторных и промышленных стендах, показавшими удовлетворительное согласование теоретических и экспериментальных результатов исследований.

выводы

1. Сформулированы принципы выбора материалов для плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения. Расширена номенклатура комплексных термоэлектрических критериев и привлечены новые материалы к разработкам наклонноконденсированных плёнок для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения (не только полупроводники, но и полуметаллы и металлы).

2. Достигнуто высокое быстродействие (малая инерционность) плёночных наклонноконденсированных термоэлектрических преобразователей лазерного излучения (уменьшается постоянная времени и время остывания, увеличивается предельная частота следования импульсов).

3. Получены в наклонноконденсированных плёнках анизотропных (висмут и теллур) и изотропных (хром, никель и тантал) материалов «армированные текстуры» и в случае изотропных материалов удалось перейти к более высокой лучевой стойкости (устойчивости против «вжигания» и «прокисления»).

4. Реализованы макеты плёночных висмутовых, теллуровых и хромовых наклонноконденсированных термоэлектрических приёмно-преобразующих элементов «пятачкового», «меандрового» и «спирального» типов в виде контроллеров лазерного излучения:

- в виде одноэлементных термоэлектрических преобразователей «пятачковой» топологии для импульсного излучения плотностью до 0,5 МВт/см2 с электросопротивлением, вольт-ваттной чувствительностью, временем нарастания и спада сигнала соответственно: 10 . 30 кОм, 5 В/Вт, 0,2 и 10 мкс (висмут), 3 .10 кОм, 12 В/Вт, 0,5 и 50 мкс (теллур) и 0,5 . 1 кОм, 20 В/Вт, 0,2 и 5 мкс (хром).

- в виде плёночного хромового 100-элементного термоэлектрического преобразователя (хром) (подложка - «брокерит») для пространственно-временного контроля мощности лазерного излучения на площади 60x60 (см) с размером элементов 4x4 (мм), имеющих два независимых вывода на типовой разъём и воспроизводимостью от элемента к элементу в пределах ±10%.

5. Экспериментальное усреднённое сравнение плёночных приёмно-преобразующих элементов из наклонноконденсированных изотропных металлов никеля и тантала и анизотропного полупроводника антимонид кадмия (CdSb) (толщина плёнки 1 мкм на сновании из анодированного алюминиево-магниевого сплава толщиной 20 мм с защитным слоем диоксида кремния 30 мкм) показало, что при вольт-ваттной чувствительности 10 мВ/кВт лучевая прочность может быть повышена с 0,4 кВт/см до 2,2 кВт/см ; для никеля (Ni) - в 3 раза и для тантала (Та) - более, чем в 5 раз.

1. Основные достижения научных школ - М.: ИПЦ при МИТХТ, 2000. - 360 с. Юбилейный сборник к 100-летию Московской государственной академии тонкой химической технологии им М.В. Ломоносова..

2. Московский энергетический институт (технический университет). 1930-2005. 75 лет МЭИ. М.: Издательство МЭИ, 2005. - 456 с.

3. Проблемы новых материалов и технологий. Сб. статей / Под ред. В.Н. Вигдоровича. М.: НПО ЦНИИ «Волна», 1989 (Вып.1); М.: Научно-производственное ассоциация, 1990 (Вып.2), 1991 (Вып.З) и 1992 (Вып.4).

4. Иоффе А.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1960.-148 с.

5. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1957.492 с.

6. Иоффе А.Ф., Стильбанс Л.С., Иорданишвили Е.К., Ставицкая Т.С. Термоэлектрическое охлаждение. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1956. -108 с.

7. Фистуль В.И. Физика и химия твёрдого тела. В 2-х тт. М.: Металлургия, 1995.-Т.1.-480 е.; Т.2.-320 с.

8. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 1984. - 352 с.

9. Фистуль В.И. Новые материалы: Состояние. Проблемы и перспективы. -М.: МИСиС, 1995.- 142 с.

10. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Под ред. В.М. Глазова. 3-е изд., испр. и доп. - М.: Высшая школа, 1982.-528 с.

11. Най Дж. Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1964. - 351 с.

12. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука. 1964.- 488 с.

13. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В1гТез. М.: Наука, 1972. - 320 с.

14. Чопра К Л. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. А.Ф. Волкова, Е.И. Гиваргизова, П.И. Петрова и В.И. Покалякина, под ред. Т.Д. Шермергора. М.: Мир, 1972. - 436 с.

15. Палатник JI.C. Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных плёнок. М.: Наука, 1972. - 318 с.

16. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Основы плёночного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973. - 296 с.

17. Палатник JI.C., Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в плёнках. М.: Энергоиздат. 1982.-216 с.

18. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Кокора А.Н. Лазерная обработка материалов. -М.: Машиностроение, 1975.-296 с.

19. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Химико-термическая обработка в тлеющем разряде. М.: Атомиздат, 1975. - 175 с.

20. Бычковский Р.В. Контактные датчики температуры. М.: Металлургия, 1978.-240 с.

21. Поскачей А.А., Чарихов Л.А. Пирометрия объектов с изменяющейся излучательной способностью. М.: Металлургия, 1978. - 200 с.

22. Современная кристаллография: В 4-х томах / Б.К. Вайнштейн, Чернов А.А., Шувалов Л.А. М.: Наука, 1979-1981. Т1. 1979. - 384 е.; Т2. 1979. - 360 е.; ТЗ. 1980. -408 с.;Т4.1981.-496 с.

23. Комник Ю.Ф. Физика металлических плёнок: Размерные и структурные эффекты. М.: Атомиздат, 1979. - 263 с.

24. Вишняков Я.Д., Бабарэко А.А., Владимиров С.А., Эгиз И.В. Теория образования текстур в металлах и сплавах. М.: Наука, 1979. - 343 с.

25. Кулаков М.В., Макаров Б.И. Измерение температуры поверхности твёрдых тел. М.: Энергия. 1979. - 96 с.

26. Линевег Ф. Измерение температур в технике / Пер. с нем. Т.И. Киселевой и В.А. Федоровича, под ред. Л.А. Чарихова. М.: Металлургия, 1980. - 544 с.

27. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Текстурированные высокотемпературные покрытия. М.: Атомиздат, 1980. - 176 с.

28. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Б.Я. Бердяев, Р.А. Валитов, М.А. Винокур и др. Под ред. А.Ф. Котюка. М.: Радио и связь, 1981.-286 с.

29. Термодинамика и материаловедение полупроводников / Под ред. В.М. Глазова. М.: Металлургия, 1982. - 392 с.

30. Тонкие плёнки: Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982. - 576 с.

31. Симонов Б.М., Заводян А.В., Грушевский A.M. Конструкторско-технологические аспекты разработки интегральных схем и микросборок. М.: МИЭТ, 1998.-167 с.

32. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Радиационно-стимулированная химико-термическая обработка. -М.: Атомиздат, 1982. 96 с.

33. Кириллов А.И., Морсков В.Ф., Устинов Н.Д. Дозиметрия лазерного излучения. М.: Радио и связь, 1983. -191 с.

34. Мощные газоразрядные СО2 -лазеры и их применение в технологи / Г.А. Абильсиитов, Е.П. Велихов, B.C. Голубеев и др. М.: Наука, 1984. -106 с.

35. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение / Под ред. Н.С. Лидоренко. М.: Наука, 1985.232 с.

36. Методы и средства измерений параметров лазерного излучения / Под ред. А.А. Абгаряна. М.; ВНИИФТРИ, 1985. - 142 с.

37. Методы точных измерений лазерного излучения / Под ред. В.М. Нестеренко. -М.: ВНИИФТРИ, 1985. 142 с.

38. Куинн Т. Температура / Пер. с англ. под ред. Д.Н. Астрова. М.: Мир.1985.448 с.

39. Углов А.А., Анищенко Л.М., Кузнецов С.Е. Адгезионная способность плёнок. М.: Радио и связь. 1987. - 104 с.

40. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: В 10-ти книгах. Кн.6. Нанесение плёнок в вакууме / Минайчев В.Е. М.: Высшая школа, 1989.-110 с.

41. Анатычук Л.И., Семенюк В.А. Оптимальное управление свойствами термоэлектрических материалов и приборов. Черновцы: Прут, 1992. - 264 с.

42. Датчики измерительных систем: В 2 кн. / Ж. Аш и др.; Пер. с фр.; Под ред. А.С. Обухова. М: Мир, 1992. - Кн. 1.480 е.-Кн. 2.424 с.

43. Марченко О.В., Кашин А.П., Ложбин В.И., Максимов М.Ж. Методы расчёта термоэлектрических генераторов. Новосибирск: Наука. 1995. - 221 с.

44. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: МИСиС, 1995. - 493 с.

45. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // Физика и техника полупроводников. 1998. Т.32. №5. С.513-522.

46. Грибов Б.Г., Логинова Л.В., Румянцева С.М. Проблемы материаловедения в создании нового поколения приборов электронной техники // Перспективные материалы. 1995. №3. С.38-43

47. Самойлович А.Г. Термодинамика и статистическая физика. М.: Гостехиздат, 1955. - 388 с.

48. Самойлович А.Г., Коренблит Л.Л. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках // Успехи физических наук. 1953. Т.49. №2. С.243-272.

49. Самойлович А.Г., Слипченко В.Н. Исследование кпд анизотропных элементов // Физика и техника полупроводников. 1975. Т.9. №10. С.1897-1901.

50. Осипов Э.В. Твёрдотельная криогеника. К.: Наукова думка, 1977. - 234 с.

51. Мойжес Б.Я. Влияние температурной зависимости параметров материалов на эффективность термоэлектрических генераторов и холодильников // Физика твёрдого тела. 1960. Т.2. №4. С.728-737.

52. Бурштейн А.И. Физические основы расчёта полупроводниковых термоэлектрических устройств. М.: Физматгиз, 1962. - 136 с.

53. Иорданишвили Е.К. Термоэлектричекие источники питания. М.: Сов. радио, 1968.-184 с.

54. Охотин А.С., Ефремов А.А., Охотин B.C., Пушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы.-М.: Атомиздат, 1971.-288 с.

55. Материалы в приборостроении и автоматике: Справочник / Под ред. Ю.М.Пятина. -М.: Машиностроение, 1969. 632 с.

56. Справочник по электротехническим материалам: В 3-х томах / Под ред. Ю.В.Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. Изд. 2-е, исп. и доп. М.: Энергия, 1974. -Т.1. 584 с. -Т.2. 616 е.; 1976. -Т.З. 896 с.

57. Таблицы физических величин: Справочник /Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. -1006 с.

58. Майсел Л, Глэнг Р. Технология тонких плёнок: Справочник: В 2-х томах / Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. М.: Сов. Радио, 1977. - Т.1, 662 C.-T.2,768 с.

59. Инженерный справочник по космической технике. М.: Воениздат, 1977.430 с.

60. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Колесник Е.А., Моспанченко Р.С., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А. Приборы для измерения температуры контактным способом: Справочник / Под общей ред. Р.В. Бычковского. Львов: Вища школа, 1978. - 208 с.

61. Лыков А.В. Тепломассообмен: Справочник. М.: Энергия. 1978. - 480 с.

62. Крикунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. Радио, 1978.-400 с.

63. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: Справочник. Киев: Наук, думка, 1979. 768 с.

64. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528.

65. Смитлз К.Дж. Металлы: Справочник / Пер. с англ. под ред. С.Г. Глазунова. Изд. 5-е. М.: Металлургия, 1980. - 447 с.

66. Охотин А.С., Боровиков Р.П., Нечаева Т.В., Пушкарский А.С. Теплопроводность твердых тел: Справочник / Под ред А.С. Охотина. М.: Энергатомиздат, 1984. - 320 с.

67. Температурные измерения: Справочник / Под ред. О.А. Геращенко. Киев: Наукова думка, 1989. - 702 с.

68. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Зуев И.В., Кокора А.Н. Лазерная и электроннолучевая обработка материалов: Справочник. М.: Машиностроение, 1985. - 496 с.

69. Справочник по лазерной технике / Пер. с нем. Под ред. А.П. Напартовича. -М.: Энергоиздат, 1991.-544 с.

70. Абильсиитов Г.А., Голубев B.C., Гонтарь В.Г. и др. Технологические лазеры: Справочник: В 2-х т. /Под общ. ред. Г.А. Абильсиитова. М.: Машиностроение, 1991. -Т. 1.432 С.-Т.2. 544 с.

71. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. Б.А. Введенский, Б.М. Вул. В 5-ти томах. М.: Сов. Энциклопедия, 1962. Т.2. С.83-84.

72. Электроника: Энциклопедический словарь / Гл. ред. В.Г. Колесников. М.: Сов. Энциклопедия, 1991.-688 с.

73. Физическая энциклопедия / Гл. ред. A.M. Прохоров. В 4-х томах. М.: Сов. Энциклопедия, 1992-1998 Репринтное издание 1983 года..

74. Физика: Большой энциклопедический словарь / Гл. ред. А.М. Прохоров. -4-е изд. М.: Большая Российская энциклопедия, 1999. - 944 с. Репринтное издание 1983 года..

75. Каримбеков М.А. Физико-технологические основы пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения, дисс. д.т.н. М, 2003.396 с.

76. Геращенко О.А. Теоретические и прикладные вопросы теплометрии, дисс. д.т.н. Киев, 1969.-318 с.

77. Сажина С.А. Теплометрические приборы для измерения лучистой энергии, дисс. к.т.н. Киев, 1978. 172 с.

78. Вигдорович В.Н. О чистом веществе // Природа. 1960. №9. С.88-90.

79. Вигдорович В.Н. Получение химических веществ высокой чистоты (обзор иностранных патентов). М.: ЦНИИПИ, 1964. - 28 с.

80. Вигдорович В.Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией. -М.: Металлургия, 1969. 296 с.

81. Сахаров Б.А., Вигдорович В.Н., Маслов В.Н., Нашельский А.Я., Соколов Е.Б., Фистуль В.И., Шашков Ю.М. металлургия и технология полупроводниковых материалов / Под ред. Б.А. Сахарова. М.: Металлургия, 1972. -544 с.

82. Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М.: Металлургия, 1974. - 200 с.

83. Вигдорович В.Н., Углов А.А. Температурное поле и теплопередача при выращивании кристаллов из расплава по методу Чохральского // Электротермия (ВНИИЭМ). 1966. Вып.52. С.55-57.

84. Сажин Н.П., Вигдорович В.Н., Дулькина Р.А., Нашельский А.Я. Физико-химические особенности поведение примесей при направленной кристаллизации висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1965. №8. С.11258-1266.

85. Шулешко Г.И., Вигдорович В.Н. К вопросу очистки теллура кристаллизационными методами // Цветные металлы. 1968. №12. С.64-67.

86. Вигдорович В.Н., Самсон Ю.У., Шавга В.А. Электрохимические методы рафинирования висмута. М.: ЦНИИ «Цветметинформация», 1969. - 20 с.

87. Вигдорович В.Н., Вольпян А.Е., Шулешко Г.И. Зонная очистка в активной газовой среде // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1970. Т.6. №6. С.1041-1046.

88. Шавга В.А., Вигдорович В.Н., Самсон Ю.У. Об анодном рафинировании висмута//Известия АН СССР. Металлы. 1970. №5. С.101-109.

89. Вигдорович В.Н., Селин А.А. Физико-химические особенности поведения примесей в CdTe // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1971. Т.7. №11. С.1918-1921.

90. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Долинская Н.Ю., Марычев В.В. Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма //Известия АН СССР. Металлы. 1973. №6. С.57-63.

91. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Исследование текстуры роста в плёнках висмута // Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. Химическая серия. -М.: 1974. Вып. XIX. С.101-104.

92. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч. Структура и поперечная термоэдс косонапылённых плёнок хрома // Электронная техника. Материалы. 1985. вып.6(205). С.75-77.

93. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я., Вигдорович В.Н. Структура и термоэлектрические свойства косонапылённых плёнок висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1986. Т.22. №6. С.93 8-941.

94. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Краснов Д.М. Природа анизотропного термоэлектрического эффекта в наклонноконденсированных плёнках //Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. №7. С.1081-1085.

95. Вигдорович В.Н., Марков Ф.В. Координатно-чувствительные измерители энергии и мощности лазерного излучения // Тез. докл. Всес. конф. «Применение лазеров в народном хозяйстве» (4-8 декабря 1989 г., Шатура). Шатура: НИЦ TJI АН СССР. С.244-245.

96. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Резистометрическое и электронномикроскопическое исследование механизма роста плёнок висмута // Физика твёрдого тела. 1972. Т.14. №9. С.2744-2747.

97. Вигдорович В.Н., Якашвили Д.В. Исследования в области получения кристаллических плёнок висмута / Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. Химическая серия. Вып.ХШ. МИЭТ. 1972. С.112-123.

98. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Зарадышеобразование при конденсации плёнок висмута на кристаллах NaCl // Физика твёрдого тела. 1973. Т. 15. №6. С.1888-1891.

99. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Структурные особенности плёнок висмута, конденсированных на NaCl из паровой фазы в вакууме // Известия высших учебных заведений. Физика. 1973. №11. С.115-117.

100. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Способ исследование кристаллических поверхностей // А.с. №396604 от 24 апреля 1972 г. (кл. G 01N 23/04); опубликовано: БИ. 1973. №36. С.93.

101. Долидзе Г.Ф., Якашвили Д.В., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Испаритель для нанесения многокомпонентных плёнок // А. с. №544711 от 30 июня 1975 г. (кл. С 23 С 13/12; опубликовано: БИ. 1977. №4. С.74.

102. Полубояринов А.Г., Вигдорович В.Н., Заводян А.В., Газеев Н.И. Опыт организации производства тонкоплёночных ГИС специального применения для аналитического приборостроения // Приборы и системы управления. 1980. №11. С.36-37.

103. Бессонов В.А., Вигдорович В.Н. Легирование проводящего плёночного материала БрНМцТ 5-2-0,1 с целью повышения его термостабильности / В кн.: Новые материалы для микроэлектроники. Киев-Фрунзе: Институт проблем материаловедения АН УССР, 1983. С. 83-87.

104. ИЗ. Бочвар Н.Р., Вигдорович В.Н., Леонова Н.П., Лысова Е.В. Электросопротивление сплавов систем Cu-Mn-Ge, Cu-Mn-Sn и Cu-Ge-Sn // Материаловедение и термическая обработка металлов. 1984. №2. С.61-64,

105. Бочвар Н.Р., Вигдорович В.Н., Лысова Е.В. Задачи и принципы разработок в области плёночных металлов и сплавов для микроэлектроники // Известия АН СССР. Металлы. 1985. №6. С.180-186.

106. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Методика изучения закономерностей формирования структуры и изменения свойств плёнок многокомпонентных металлических сплавов при их вакуумной конденсации // Заводская лаборатория. 1976. Т.42. №12. С.1475-1478.

107. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Влияние примесей и легирующих элементов на зёренную структуру конденсированных в вакууме металлических плёнок // Физика металлов и металловедение. 1978. Т.45. Вып.З. С.563-568.

108. Вигдорович В.Н., Попов В.И. Влияние легирующих элементов на электрофизические свойства конденсированных плёнок сплавов меди // Известия АН СССР. Металлы. 1979. №6. С.47-53.

109. Вигдорович В.Н., Попов В.И., Пинчук В.Н. Металлы и сплавы микроэлектроники (классификация, методы получения плёнок, их применение и контроль качества) // Электронная техника. Серия 6. Материалы. 1980. Вып.1(138). С.3-17.

110. Бессонов В. А., Вигдорович В.Н. Структура и напряжения фракционированных плёнок сплава Cu-Ni-Mn-Ti // Известия АН СССР. Металлы. 1984. №5. С.212-214.

111. Арешкин А.А., Афанасьев А.А., Вигдорович В.Н., Пинчук В.Н. Комбинирование однородных и фракционированных материалов в термически нанесённых в вакууме проводящих плёночных структурах // Доклады академии Наук. 1985. Т.280. №3. С.610-613.

112. Бессонов В.А., Вигдорович В.Н. Адгезия фракционированных плёнок сплава Cu-Ni-Mn-Ti к ситалловым подложкам // Известия АН СССР. Металлы. 1985. №1. С. 185-187.

113. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Шварц Б.А., Андронова Е.Н. Структура и электрические свойства конденсированных плёнок сплавов висмута // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. №6. С.905-909.

114. Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Аксиальная текстура в металлах: аналитическое описание и расчет свойств // Заводская лаборатория. 1988. №8. С.70-72.

115. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Термоэлемент. А.с. СССР №230915, кл. Н 01 L 37/00, заявл.14.02.63, опубл. 15.11.68, БИ № 35.

116. Самойлович А.Г., Пилат И.М., Анатычук Л.И. Термоэлектрический генератор, состоящий из монокристалла анизотропного антимонида кадмия. Патент США №3530008, кл.136-200, заявл. 26.01.67, опубл. 22.09.70,.

117. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Анизотропный термоэлемент. Патент ФРГ № 2 000 088, кл. 21в 27/06, заявл. 02.01.70, опубл. 29.11.73.

118. Пилат И.М., Самойлович А.Г., Анатычук Л.И. Способ генерации электродвижущей силы. Патент Японии 46-43422, кл. 99(5)032, заявл. 25.10.67, опубл. 5-46-1086 (1971 г.).

119. Анатычук Л.И., Богомолов П.А., Купчинский О.И. и др. Анизотропный радиационный элемент // Оптико-механическая промышленность. 1971. №1. С.27-29.

120. Снарский А.А., Пальти А.М., Ащеулов А.А. Анизотропные термоэлементы. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31. №11. С.1281-1298.

121. Якашвили Д.В., Колесников В.П., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Плёночные висмут-сурьмяные термобатареи для радиационной пирометрии // Приборы и техника эксперимента. 1976. № 6. С. 207-208.

122. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Чиботару Н.И. Высокоэффективные комбинированные ветви для плёночных термобатарей // Приборы и техника эксперимента. 1978. №2. С.240-241.

123. Вигдорович В.Н., Марков Ф.В., Ухлинов Г.А. Плёночные термоэлектрические преобразователи для измерительной техники и приборостроения //Электронная промышленность. 1985.№2(240).С.10-13.

124. Якашвили Д.В., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Температурная зависимость удельного сопротивления и коэффициента термоэдс плёнок висмута // Известия высших учебных заведений. Физика. 1975. №6. С.123-124.

125. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Чиботару Н.И. Расчет плёночных термобатарей // Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники: Технология спецматериалов интегральных схем. -М.: МИЭТ, 1976. Вып. XXVIII. С.235-240.

126. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Чиботару Н.И. Плёночные термоэлектрические батареи для измерительной техники КС // Тезисы докл.

127. VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике (14-16 марта 1978 г.). М.: МИЭТ, 1978, С.189.

128. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Чиботару Н.И., Шавга В. А. Низкотемпературные исследования конденсированных плёнок теллура КС // Тезисы докл. VIII Всесоюзной конференции по микроэлектронике (14-16 марта 1978 г.). М.: МИЭТ, 1978. С. 188.

129. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Чиботару Н.И. О термической ширине запрещенной зоны в тонких плёнках теллура // Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12. №9. С.1816-1820.

130. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Чиботару Н.И. Структура и электрофизические свойства конденсированных плёнок теллура // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т.15. №1. С.49-55.

131. Ухлинов Г.А., Гаранин В.П., Вигдорович В.Н. Исследование многослойных тонкоплёночных структур висмут-теллур // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13.№12. С.2323-2326.

132. Вигдорович В.Н., Гаранин В.П., Ухлинов Г.А. К методике измерения теплопроводности тонких плёнок // Заводская лаборатория. 1979. Т.45. №5. С.435-437.

133. Фрумкин В.Д., Косаковская З.Я., Ухлинов Г.А., Вигдорович В.Н. Многоэлементный бесконтактный термопреобразователь. А.с. № 716 006 от 9 марта 1979 г. (кл. G 01 R19/24); опубликовано: БИ. №6. С.203.

134. Нестеренко В.М., Косаковская З.Я., Казанджан Л.В., Ухлинов Г.А., Вигдорович В.Н., Чиботару Н.И. Приемник лучистой энергии / А.с. №721683 от 1 апреля 1976 г. (кл. G 01 J 5/12); опубликовано: БИ. 1980. №10. С.157.

135. Ухлинов Г.А., Колесник Е.А., Вигдорович В.Н. Исследование температуры плавления тонких плёнок как метод определения их упругой энергии // Заводская лаборатория. 1982. Т.48. №12. С.38-40.

136. Вигдорович В.Н., Лебедев Ю.П., Ухлинов Г. А. Структура и электрофизические свойства тонких плёнок германия на неориентированных подложках / В кн.: Полупроводниковые материалы. М.: МИЭТ, 1983. С.67-71.

137. Crystea P., Popescu J.M. Infrared photovoltaic radiation detector with anisotropic tellurum film // Opt. Communications. 1970. V.2. N2. P.81-83.

138. Ciura A.J., Popescu J.M., Stancin G.A. Study of the photovoltaic detector with thin anisotropic tellurum film//rev. Roum. Phys. 1973. V.18. N1. P.119-121.

139. Gheorgita-Oancea C., Crystea P. Study of tellurum anisotropic layers structure and photovotaic effect. Bull. Inst. Politechn. «Gh. Gheorgiu-Dej», Bucurest. 1975. T.37. N3. P.ll-17.

140. Тесленко А.И. Фотовольтаический эффект в плёнках теллура // Физика и техника полупроводников. 1979. Т. 13. №6. С. 1214-1216.

141. Takahashi М., Kou F., Tada О. The mechanism of the photovoltaic effect of Ge film obliquely deposited in vacuum 11 Japan. J. Appl. Phys. 1968. V.7. N12. P.1446-1452.

142. Pancove I.I. The anomalous photovoltaic effect // Phys. Stat. Sol. 1980. V.A61. N1. P.127-132.

143. Dietmar G. Dember-effect und photon-drag in anisotropen Halbleitern. -Wiss. Z. Techn. Univ. Dresden. 1984. T.33. Nr2. S.15-19.

144. Gutfeld R.J. Laser-induced anisotropic thermoelectric voltages in thin films //Appl. Phys. Lett. 1973. V.23. N4. P.206-208.

145. Gutfeld R.J., Caswell H.L. Enhancement of transverse thermoelectric voltage in thin metallic films //Appl. Phys. Lett. 1974. V.25. N12. P.691-693.

146. Tunan E.E., Gutfeld R.J. Light detector for nanosecond-dc pulse width range. Патент США № 3851174, кл. 250-336, заявл. 04.05.73, опубл. 26.11.74.

147. Ухлинов Г. А., Косаковская З.Я., Карачун В.Н. Плёночные термоэлектрические приемники излучения // В кн.: Методы и средства измеренияпараметров устройств квантовой электроники. Труды ВНИИФТРИ. Вып.39(69). М.: ВНИИФТРИ, 1978. С.41-46.

148. Косаковская З.Я., Епихина Г.Е., Нестеренко В.М., Ухлинов Г.А. Новые тепловые преобразователи импульсного оптического излучения // В кн.: Импульсная фотометрия. 1983. Вып.8. С.118-120.

149. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л. Плёночные анизотропные термоэлементы // Электронная промышленность. 1985. Вып.2(14). С.8-10.

150. Ухлинов Г.А., Марков Ф.В., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л. Плёночные анизотропные датчики излучения// Опт.-мех. Промышленность, 1985. №6. С.50-52.

151. Ухлинов Г .А., Каримов Ф.Ч., Марков Ф.В. Поперечная термо-ЭДС в косонапылённых плёнках хрома // В кн.: Материалы электронной техники. М.: МИЭТ, 1985. С.165-170.

152. Шелемин Е.Б., Андреев В.И,, Рукман Г.И., Заславский В.Я. Способ регистрации оптического излучения / А.с. №1010594 от 19 сентября 1981 г. (кл. G 01 J 5/12); опубликовано: БИ. 1983. №13. С.157.

153. Грановский А.Б., Яковлев В.А. Неохлаждаемые приемники лазерного СОг -излучения / В кн.: Вопросы методологического обеспечения измерительных параметров технологических лазеров. -М.: ВНИИФТРИ, 1984, С.5-21.

154. Андреев В.И., Бендицкий А.А., Грановский А.Б., Рукман Г.И., Степанов Б.М. Термоэлектродвижущая сила островковых металлических плёнок // Физика металлов и металловедение. 1983. Т.55. Вып.2. С.407-409.

155. Андреев В.И., Грановский А.Б., Яковлев В.А. Малоинерционный неохлаждаемый преобразователь ИК-излучения на основе косонапылённых плёнок висмута // В кн.: Методы и средства измерения параметров лазерного излучения. М.: ВНИИФТРИ, 1985. С.49-54.

156. Андреев В.И., Грановский А.Б., Яковлев В.А, Малоинерционный неохлаждаемый приемник импульсного лазерного излучения // Квантовая электроника. 1985. Т.12. №6. С.1295-1297.

157. Андреев В.И., Грановский А.Б., Зубенко В.В., Степанищев С.В., Яковлев В.А. Анизотропия термо-ЭДС и микроструктура косонапылённых плёнок висмута // Физика металлов и металловедение. 1986. Т.61. №3. С.532-535.

158. Andreev V.I., Rukman G.I. Low-Inertia IR Laser Radiation Receiver // Journal of Soviet Laser Research. 1986. V.7. N1. P.14-15.

159. Каримбеков М.А., Корнилов В. А. Классификация и критерии совершенствования пленочных термоэлектрических преобразователей измерительного назначения // В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред.

160. B.Н. Вигдоровича. М.: НПО ЦНИИ «Волна», 1989. Вып. 1. С. 25-35.

161. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выявление структуры на металлографических шлифах при воздействии озонированным воздухом // Заводская лаборатория. 1994. Т. 60. № 1. С. 27-28.

162. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Наклонноконденсированные плёночные материалы как наклоннотекстурированнные термоэлектрические преобразователи измерительного назначения // Конденсированные среды и межфазные границы. 2001. ТЗ. №1. С.5-13,91 и 95.

163. Каримбеков М.А., Вигдорович В.Н. Аналитическое описание анизотропии свойств пленочных поликристаллических материалов с различной текстурой // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2001. № 1.1. C.70-75 и 78.

164. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Садыков Э.С. Совершенствование зондового метода контроля электросопротивления плёночных материалов // Прикладная физика. 2001. №1. С. 24-30.

165. Каримбеков М.А. Поперечная термо-э.д.с. в наклонно конденсированных плёнках металлов, полуметаллов, полупроводников. Модель и реализация // Вестник Российской академии естественных наук, Санкт-Петербург, 2001. Т5. №1. С.45-53.

166. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Приёмы легирования плёночных материалов и структур для термоэлектрических преобразователей // Прикладная физика. 2002. № 2. С. 83-92.

167. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Технологические и конструкторские пленки и включения оксидов // В кн.: Материалы IV Международной конференции по физике и технологии тонких пленок (г. Ивано-Франковск, 3-8 мая 1993 г.). В 2-х томах. -1993. Т. 1.С. 28.

168. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выбор пленочных термоэлектрических материалов // В кн.: Перспективные материалы, технологии и конструкции, С. 15-18 / Под ред. В.В. Стацуры. Красноярск: САА, 1998. Вып. 4. - 790 с.

169. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Модель, материалы и параметры наклоннотекстурированных термопреобразователей измерительного назначения // Перспективные материалы. 2001. №1. С.5-13.

170. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Выбор, разработка и совершенствование материалов термоэлектрических преобразователей // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002. № 2. С 23-28.

171. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Графо-аналитическое определение пригодности и предпочтительности материалов для термоэлектрических преобразователей измерительного назначения // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2002. № 3. С.3-11.

172. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Гогохия В.Г. Плёночный преобразователь для измерения давления // В кн.: Доповщ VII М1жнародно! конференцй' «Ф1зика i технолопя тонких гопвок». 1вано-Франювск, 1999. С. 32-33.

173. Каримбеков М.А. Термопреобразователь лазерного излучения на наклонноконденсированных плёночных материалах // Прикладная физика. 2001. № 1. С. 31-40.

174. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Наклонноконденсированные плёнки висмута, теллура и хрома. В кн.: Материалы X Национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (г. Москва24-29 ноября 2002 г). -М: Ж РАН, 2002. С. 534.

175. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Термоэлектрическая эффективность пленочных наклонноконденсированных преобразователей из изотропных и анизотропных материалов. // Прикладная физика. 2005. №3. С. 109-112.

176. Опаричев А.Б., Каримбеков М.А. Разработка контроллера для измерения температуры, в том числе температуры поверхности. // Прикладная физика. 2005. №4. С. 115-120.

177. Опаричев А.Б., Опаричев Е.Б., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Марков Ф.В. Выбор материалов и разработка технологии для пленочных преобразователей. // Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. -2005. №3. С. 40-47.

178. Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Теплоэлектрический преобразователь в пленочном исполнении // В кн.: Проблемы новых материалов и технологий / Под ред. В.Н. Вигдоровича. М.: Научно-производственная ассоциация, 1992. Вып. 4. С. 14-24.

179. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Пленочные резисторы для электронных измерительных приборов // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 1.С. 194-196.

180. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Манометрический термопарный преобразователь в пленочном исполнении // Приборы и техника эксперимента. 1994. № 2. С. 170 -174.

181. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Пленочные резисторы для вторичных электронных измерительных приборов // Приборы и системы управления. 1994. № 2. С. 38.

182. Бычковский Р.В., Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Пленочный аналог манометрического термопарного преобразователя // Приборы и системы управления. 1994. №5. С. 46.

183. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А., Корнилов В.А. Разработка пленочных термоэлектрических преобразователей как средств технологического контроля и измерения. Шатура: Экоинформсистема, 1995. - 52 с.

184. Вигдорович В.Н., Каримбеков М.А. Контроллер температуры с плёночными элементами // Приборы и техника эксперимента. 2001. № 5. С. 129-131.

185. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. 2-е изд., перераб. М.: Наука, 1979. - 640 с.

186. Шермергор Т.Д. Теория упругости микронеоднородных сред. М.: Наука, 1977.-400 с.

187. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Ориентационно-статистическая модель текстурированных образцов металлов с одноосной симметрией // Физика металлов и металловедение. 1980. Т.49. Вып.4. С.797-803.

188. Ухлинов Г.А., Косаковская З.Я. Электропроводность поликристаллических образцов металлов с формразмерной текстурой // Физика металлов и металловедение. 1983. Т.55. Вьш.1. С.61-64.

189. Ухлинов Г.А., Лебедев Ю.П. Распределение ортогональных кристаллографических направлений в поликристаллических материалах с аксиальной текстурой // Физика металлов и металловедение. 1984. Т.58. Вып.2. С.355-359.

190. Шермергор Т.Д., Яковлев В.Б. Концентрация механических и электрических полей на поверхности эллипсоидального пьезоэлектронного включения в изотропной матрице // В сб.: Теоретические основы функциональной электроники. С. 77-86. -М.: МИЭТ, 1990. -182 с.

191. Вальтер К., Иванкина Т.И., Никитин А.Н. и др. // Доклады Академии наук СССР. 1991. Т. 319. № 2. С. 310-314.

192. Shermergor T.D., Yakovlev V.B. Electroelastic field's consentration on elliptic pore in textured media // Texture and Microstructures. 1996. N1. P.237-244.

193. Васильев B.A., Митин B.C., Пашков И.Н. и др. Высокоскоростное затвердевание расплава (теория, технология, материалы). М.: СП Интермет инжиниринг, 1998. - 400 с.

194. Fuche К. The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals // Proc. Cambr. Phill.Soc. 1938. V.34. N1. P.100-108.

195. Mayadas A.F., Shatzkes M.,Janak J.F. Electrical resistivity model for polycrystalline films: the case of specular reflection at external surfaces. Appl. Phys. Lett. 1969. V.14. N11. P.345-347.

196. Warkusz F. Grain boundary electron scattering in the total film conduction model. 1979. V.62. N2. P.247-253.

197. Cottey A.A. The electron conductivity of thin metal films with very smooth surface // Thin Solid Films. 1968. V.l. N4. P.297-307.

198. Tellier C.R., Tosser A.J. Approximate expression for electrical resistivity of thin polycrystalline metallic films // Thin Solid Films. 1976. V.33. N2. P.l 19-126.

199. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.J. Statistical model of electrical conduction in polycrystalline metals // Thin Solid Films. 1979. V.61. N3. P.349-354.

200. Pichard C.R., Tellier C.R., Tosser A.J. A three-dimensional model for grain boundary resistivity in metal film // Thin Solid Films. 1979. V.62. N2. P.l89-194.

201. Tellier C.R., Pichard C.R., Tosser A.J. Approximate expressions for the product of the resistivity with its TCR in very thin polycrystalline films // J. Phys. F. Metal Phys. 1979. V.9.N12. P.23 77-23 80.

202. Tellier C.R., Pichard C.R., Vatamanyuk V.I., Tosser A.J. Electrical conductivity of thin metal films grown in a columnar fashion // J. Mater. Sci. Lett. 1983. V.2. N10. P.579-582.

203. Pichard C.R., Bedda M., Tosser A.J. Limits for the isotropy of the Mayadas-Shatzkes conduction model // J. Mater. Sci. Lett. 1984. V.3. N8. P.743-744.

204. Tellier C.R. Review effect of derect stucture on the electrical conduction mechanism in metallic thin films // J. Mater. Sci. 1985. V.20. N6. P.1901-1919.

205. Pichard C.R., Bedda M., Vatamanyuk V.I., Tosser A.J., Tieller C.R. Alternative analytical forms of the Fuchs-Soudheimer function // J. Mater. Sci. 1985. V.20. N11. P.4185-4201.

206. Блатт Ф.Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах. M.-JL: Физматгиз, 1963. - 224 с.

207. Бородкина М.М., Спектор Э.Н. Ренгеноструктурный анализ текстуры металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1981. - 272 с.

208. Адамеску Р.А., Гельд П.В., Митюшов Е.А. Анизотропия физических свойств металлов. М.: Металлургия, 1985. - 136 с.

209. Новые методы исследования текстуры поликристаллических материалов // Сб. статей. Пер. с англ. под ред. И.И. Папирова и Т.Н. Савеловой. М. Металлургия, 1985.-312 с.

210. Янке Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции: Формулы, графики, таблицы. М.: Наука, 1977. -344 с.

211. Харламов А.Г. Измерение теплопроводности твёрдых тел. М.: Атомиздат, 1973.-152 с.

212. Янкелев Л.Ф., Гусева Л.И. Метод одновременного определения коэффициента теплопроводности и объёмной теплоёмкости, зависящих от температуры //Инженерно-физическийжурнал. 1975. Т.28.№4. С.653-656.

213. Сергеева Л.А., Сергеев В.Л. Простой метод измерения переменного теплового потока // Инженерно-физический журнал. 1977. Т.38. №1. С.111-115.

214. Абросимов В.М., Егоров Б.Н., Карандышев В.А., Крыкин М.А. Температурные зависимости кинетических коэффициентов плёнок висмута / Труды Моск. физ.-техн. ин-та. Серия: Радиотехника и электроника. 1973. Т.18. № 7. С.1449-1458.

215. Chopra K.L., Prem Nath. Thermal conductivity of ultrathin metal films in multilayers structures //J. Appl. Phys. 1974. V.45. N4. P.1923-1925.

216. Дистлер Г.И. Кристаллизация как матричный репликационный процесс // В кн.: Рост кристаллов. Ереван: ЕрГУ, 1975. Т.11. С.47-64.

217. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Зародышеобразование при конденсации плёнок висмута на кристаллах NaCl // Физика твердого тела. 1973. Т. 15. №6. С.1888-1891.

218. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Марычев В.В. Некоторые проблемы роста монокристаллов висмута // Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Химико-технологическая серия. М.: МИЭТ, 1972. Вып.VIII. С.24-37.

219. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. О декорировании поверхностей ионных кристаллов висмутом // Заводская лаборатория. 1973. Т.39. №8. С.284-286.

220. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Структурные особенности плёнок висмута, конденсированных на NaCl из паровой фазы в вакууме // Известия вузов. Физика. 1973. № И. С.119-121.

221. Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А., Якашвили Д.В. Резистометрические и электронномикроскопические исследования механизма роста плёнок висмута // Физика твердого тела. 1972. Т.14. № 9. С.2744-2747.

222. Свойства элементов / Под ред. Г.В. Самсонова; 4.1: Физические свойства. -М.: Металлургия, 1976. 599 с.

223. Якашвили Д.В., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Температурная зависимость удельного сопротивления и коэффициента термоЭДС плёнок висмута // Известия вузов. Физика. 1976. №6. С.122-123.

224. Кайданов В.И., Регель А.Р. О влиянии толщины плёнок висмута на их электрические свойства // Журнал технической физики. 1958. Т.28. № 2. С.402-411.

225. Абросимов В.М., Егоров Б.Н., Карандышев В.А. Влияние температуры полимерной подложки на кинетические коэффициенты и структуру плёнок висмута // Теплофизика высоких температур. 1972. Т. 10. № 4. С.891-894.

226. Бурчакова В.И., Гицу Д.В., Козловский М.И. Особенности термо-ЭДС тонких плёнок висмута // Физика твердого тела. 1972. Т.10. №3. С.907-909.

227. Бивол В.Г., Бурчакова В.И. Плёночные структуры висмута и его аналогов. -Кишенев: Штиинца, 1978. 62 с.

228. Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Эффект поля в конденсированных плёнках теллура // Известия АН Молдавской ССР, серия физико-технических и математических наук. 1988, №3, С.21-25.

229. Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Поверхностные явления и размерные эффекты в конденсированных плёнках теллура // Известия АН Молдавской ССР, Серия физико-технических и математических наук. -1988, №2, С.61-63.

230. Бондарчук Н.Ф., Вигдорович В.Н., Ухлинов Г.А. Структура конденсированных плёнок теллура и их свойства // Известия АН СССР, Неорганические материалы. 1989, Т.25, №2, С. 189-194.

231. Термоэлектрическая сила металлов / Пер. с англ. под ред. Д.К. Белащенко. -М.: Металлургия, 1980 248 с.

232. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1972. - 352 с.

233. Эдельман B.C. Свойства электронов в висмуте // Успехи физических наук. 1977. Т. 123. №2. С. 257-287.

234. Иванов Г.А. К расчету концентрации и подвижности носителей тока в висмуте // Физика твердого тела. 1964. Т.6. № 3. С. 936-940.

235. Ухлинов Г.А., Каримов Ф.Ч., Резников Б.Л., Марков Ф.В. Матричные приёмники излучения на основе плёночных анизотропных термоэлементов // В кн.:

236. Координатно-чувствительные фотоприемники и оптико-электронные приборы на их основе. Барнаул, Алтайский политехнический институт им. И.И. Ползунова, 1985. 4.2, с. 19-20.

237. Gutfeld R.J., Zory P. The correlation between light-induced metallic film voltages and time-dependent temperature gradients // Thin solid films. 1974. V.23. N2. P.215-219.