автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

1.1. Физико-химические свойства соединений АВ

1.2.Преимущества пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А В

1.3.Совершенство гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов.

1.4.Определение ширины запрещенной зоны пятикомпонентных твердых растворов.

1.5.Обоснование и постановка задачи исследования.

2. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ ПТР МЕТОДОМ

ЗПГТ.

2.1.Преимущество методов жидкофазной эпитаксии.

2.2.Аппаратурное оформление процесса ЗПГТ.

2.3.Методика проведения процесса ЗПГТ.

2.4.Получение ПТР с заданным распределением компонентов.

2.5.Влияние механизма легирования на электрофизические свойства ПТР, выращенных методом ЗПГТ.

2.6.Вывод ы.

3. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В ПТР.

3.1.Модель зависимости плотности дислокаций ПТР по толщине слоев от состава.

3.2.Распределение плотности дислокаций ПТР АЮа1пА8Р(1пР) и 1пАЮаРА8(ОаА8).

3.3.Температурно-концентрационная зависимость плотности дислокаций ПТР.

3.4.Зависимость плотности дислокаций от толщины зоны и градиента.

3.5.Построение обобщенной модели распределения плотности дислокаций ПТР по толщине слоев.

3.6.Вывод ы.

4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПТР.

4.1.Концентрационная зависимость подвижности носителей заряда ПТР.

4.2.Определение "легирующих" коэффициентов для ПТР

AlGalnAsP(InP).

4.3.Применеие методики множества возможных составов к ПТР AlGalnAsP(InP) и InAlGaPAs(GaAs).

4.4.Анализ методик расчета ширины запрещенной зоны.

4.5.Сравнение результатов моделирования и экспериментальных данных

4.6. Выводы.

Интерес к полупроводниковым материалам на основе соединений А3В5 в значительной мере определяется их большими возможностями для развития базы оптоэлектронной техники. Уже сейчас они нашли применение при создании оптического волокна, полупроводниковых лазеров, солнечных батарей и т.д. Наиболее перспективными среди них являются пятикомпонентные твердые растворы (ПТР), применение которых позволяет независимо регулировать период решетки, ширину запрещенной зоны и коэффициент теплового расширения. Это создает предпосылки для повышения совершенства гетерограницы эпитаксиальных структур за счет одновременного согласования данных параметров сопрягающихся материалов и создания, таким образом, гетероструктур с характеристиками, удовлетворяющими качеству современных высокоэффективных приборов.

Одним из наиболее эффективных методов получения пятикомпонентных твердых растворов является метод зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ), который обладает рядом важных преимуществ перед другими методами жидкофазной эпитаксии и позволяет получать слои с заданным распределением компонентов. Значительный экспериментальный материал по твердым растворам более низкого порядка позволяет наиболее точно исследовать влияние пятого компонента на электрофизические свойства и структурное совершенство получаемых гетероструктур. Сложности, связанные с большими материальными и временными затратами на проведение экспериментальных исследований, направленных на совершенствование технологии получения полупроводниковых материалов на основе ПТР, делают актуальной данную диссертационную работу, в которой рассматриваются возможности получения гетероструктур такого класса с заданными характеристиками основных параметров ПТР.

Целью настоящей работы является моделирование и получение пятикомпонентных твердых растворов 1пАЮаРА$ на подложках СаАя и 1пР с заданными электрофизическими свойствами и высоким структурным совершенством.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

- анализ возможности получения полупроводниковых материалов на основе ПТР с высокотехнологичными характеристиками;

- построение математической модели зависимости плотности дислокаций по толщине слоев от состава ПТР;

- получение формулы температурно-концентрационной зависимости плотности дислокаций ПТР;

- получение зависимости плотности дислокаций в слоях ПТР от толщины зоны и градиента;

- построение обобщенной модели распределения плотности дислокаций ПТР по толщине слоев;

- анализ методик определения ширины запрещенной зоны рассматриваемых пятикомпонентных твердых растворов с уточнением параметров нелинейности модифицированной интерполяционной формулы расчета для ПТР 1пАЮаРАз на подложке 1пР;

- представление уточненной методики определения "легирующих" коэффициентов для абстрактного ПТР и определение их значений для А Юа1пАзР(1пР);

- сравнение результатов моделирования и экспериментальных данных.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1.На основе экспериментальных данных построена математическая модель зависимости плотности дислокаций по толщине слоев от состава ПТР N¿=N¿1% х,у, г).

2.Представлен метод интерполяции плотности дислокаций от бинарных соединений и показаны возможности его применения для ПТР ШЮаРАя^аАз).

3 .Представлена формула температурно-концентрационной зависимости плотности дислокаций ПТР.

4.Получены зависимости плотности дислокаций в слоях ПТР от толщины зоны N¿¡=N¿1 (I, х, у, 2) и градиента температур N¿¡=N¿1 (О, х, у, г).

5.Построена обобщенная модель распределения плотности дислокаций ПТР по толщине слоев. Получены зависимости вида Л^—Л^ (к, Т, I, С, х, у, г) для экспоненциальной и линейной зависимости плотности дислокаций ПТР А Юа1пА,чР(1пР) от толщины слоев.

6.Пред ставлена уточненная методика определения "легирующих" коэффициентов для абстрактного ПТР, с помощью которой были определены их значения для АЮаЫАзР на подложке 1пР.

7.Уточнены значения параметров нелинейности для ряда диапазонов состава ПТР АЮа1пАзР на подложке 1пР. Представлена модифицированная формула расчета ширины запрещенной зоны с учетом уточненных значений.

8.Рассмотрена система зависимостей для составов, близких к

А1о,08^а0< 12^0,О, 4()РО, 60

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Математическая модель зависимости плотности дислокаций по толщине слоев от состава ПТР N¿¡=N¿1 (к, х, у, г) позволяет прогнозировать процесс распределения плотности дислокаций. Сравнение экспериментальных и расчетных данных позволяет сделать вывод об их хорошем согласии (~1,00%) и возможности применения полученных результатов при моделировании ряда свойств рассматриваемых твердых растворов.

2. Представленная формула температурно-концентрационной зависимости плотности дислокаций ПТР на основании сделанного сравнительного анализа дает возможность сделать вывод о влиянии температуры процесса ЗПГТ на структурное совершенство твердого раствора АЮаЫАзР на подложке 1пР.

3. Полученные зависимости плотности дислокаций в слоях ПТР от толщины зоны N¿=N¿1 (I, х, у, г) и градиента температур N¿¡—N¿1 (С, X, у, г) позволяют оценить вклад данных параметров, влияющих на процесс получения эпитаксиальных слоев с заданным распределением плотности дислокаций.

4. Построенная обобщенная модель распределения плотности дислокаций N^=N¿(17, Т, I, С, х, у, г) для экспоненциальной и линейной зависимости плотности дислокаций твердого раствора АIСа!пАяР(IпР) от толщины слоев дает возможность управления рассмотренными параметрами путем их программированного изменения и получения гетероструктур с высоким структурным совершенством и заданными основными электрофизическими свойствами, позволяющими использовать их в оптоэлектронной технике.

5. Рассмотренная уточненная методика определения "легирующих" коэффициентов для абстрактного ПТР, с помощью которой были определены их значения для АЮсхЫАбР на подложке 1пР, позволяет получить зависимость подвижности носителей заряда от их концентрации и состава, которая может быть использована при построении теоретических моделей данного твердого раствора.

6. Полученная модифицированная формула расчета ширины запрещенной зоны с учетом уточненных значений параметров нелинейности может быть использована при проведении теоретических исследований, в связи с возможностью интерполяции значений Eg с достаточной точностью.

Практическое значение работы.

Использование разработанных моделей ПТР позволяет прогнозировать получение пятикомпонентных эпитаксиальных слоев с высоким структурным совершенством и заданными основными электрофизическими параметрами без проведения дорогостоящих экспериментов.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на семинарах кафедры физики ЮРГТУ(НПИ), проблемной лаборатории микроэлектроники ЮРГТУ(НПИ), Четвертой Всероссийской научно-технической конференции с международным участием по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники (г.Таганрог, 1997г.), Шестой международной научно-технической конференции по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники (Дивноморское, 1999г.), международной научно-практической конференции "Моделирование. Теория, методы и средства" (г.Новочеркасск, 2001г.)

Публикации и вклад автора.

По результатам исследования опубликовано 7 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации [42,93,101,102,105,106,107]. Одна работа находится в печати [108]. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, содержит 157 страниц машинописного текста, 23 иллюстрации, 21 таблицу. Библиография включает 117 наименований.

Общие выводы работы.

1. На основе экспериментальных данных построена математическая модель зависимости плотности дислокаций ПТР по толщине слоев от состава. Показаны возможности ее применения для ПТР АЮаЫАяР(1пР). Представлен метод интерполяции плотности дислокаций от бинарных соединений и рассмотрены возможности его применения для ПТР ¡ПАЮоРАЗ^ОАБ).

2. Представлена формула температурно-концентрационной зависимости плотности дислокаций ПТР. Получена функциональная зависимость N¿=N¿(1; х; у; г) для ПТР А Юа1пАзР(1пР). Анализ результатов показал, что отличие расчетных и экспериментальных данных в среднем не превышает 3%.

3. Получены зависимости плотности дислокаций в слоях ПТР от толщины зоны и градиента температуры таким образом, чтобы абсолютные величины погрешностей были наименьшими. Для ПТР АЮаЫАяР на подложке 1пР представлена система зависимостей N¿¡—N¿¡(1; х; у; г) и N¿=N¿(0; х; у; 2) и получена оценка погрешностей.

4. Построена обобщенная модель распределения плотности дислокаций ПТР по толщине слоев. Получены зависимости вида N¿=N/¡1; Т; I; С; х; у; г) в случае экспоненциальной и линейной зависимости Л^ от к. Рассмотрена система зависимостей для составов, близких к А1о,о8Сао,121по,8оА*о,4оРо,бо

5. Представлена уточненная методика определения "легирующих" коэффициентов для абстрактного ПТР, с помощью которой были определены их значения для АЮаЫАяР на подложке 1пР.

6. Проведен анализ методик расчета ширины запрещенной зоны для ПТР 1пАЮаРАя на подложках СаАя и 1пР. Проведенный анализ показывает, что полученные формулы и таблицы для определения ПТР 1пхА1уСа]х.уР2А8¡ЛСгаАл) могут быть применены при построении теоретических моделей данного ПТР. Сравнение экспериментальных данных с теоретическими результатами показали хорошее согласие практически для всех рассмотренных составов.

7. В связи с тем, что формулы расчета ширины запрещенной зоны для ПТР АЮа1пАзР на подложке 1пР не обладают достаточной точностью, были найдены новые значения параметров нелинейности. Модифицированная формула расчета данного параметра была представлена с учетом вновь определенных значений .

8. Сравнение результатов моделирования и экспериментальных данных для ширины запрещенной зоны и плотности дислокаций показало их хорошее согласие («2,5-3%), что позволяет использовать их при построении теоретических моделей и практическом получении рассмотренных ПТР с заданными свойствами.

1. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворыо гсоединений А В //Ростов-на-Дону, 1992, 191 с.

2. Овчинников В.А. Разработка физико-химических основ получения ПТР InAlGaAsSb в поле температурного градиента // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1994. С. 178.

3. Долгинов В.Н., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах // Квантовая электроника. 1976. Т.8. № 7. С.1381-1383.

4. Долгинов В.Н., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных твердых растворов // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. Т.21. С.3-115.

5. А. Милис, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Под ред. Вавилова В.С.,М., 1975. 432 с.

6. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы / Под ред. Гуляева. Ю.В., М., 1979. 227 с.

7. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов // М., 1975. 320 с.

8. Богданкевич О.В., Даранок С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры // М., 1976.416 с.

9. Данилин Б.С. Интегральная оптоэлектроника. Современное состояние и перспективы развития // Итоги науки и техники. Сер. Электротехника. 1986. Т.18. С.89-132.

10. Kressel Н., Nuese С. J., Olsen G.H. Red-emitting GaAsP/InGaP heterojunction lasers // J. Appl. Phys. 1978. V.49. № 6. P. 140.

11. Nuese C. J., Olsen G.H., Ettenberg H., Gannon J.J., Zamerowsky T.J. C-W room -temperature InxGai.xAs/ InyGaiyP l,06(im lasers // Appl. Phys. Lett. 1976. V.29. № 12. P.387.

12. James L., Moon R., Antypas G. Photoemission from cesium oxide-activated InGaAsP // Appl. Phys. Lett. 1973. V.22. № 6. P.270.

13. Moon R., Antypas G. Surface irregularities due to spralgrowth in LPE layers of AlGaAs and InGaAsP // J. Cryst. Growth. 1973. V.19. № 2. P. 109.

14. Moon R., Antypas G., James L. Growth and characterisation of InP-InGaAsP lattice-matched heterojunction // J. Electron. Mater. 1974. V.3. № 3. P.635.

15. Батура В.П., Вигдорович В.Н., Селин А.А. Четырехкомпонентные твердые растворы соединений А3В5 перспективные материалы оптоэлектроники // Зарубежная электронная техника. М., 1980. С.3-52.

16. Казаков В.В. Твердые растворы AlGalnAsP на основе GaAs и InP полученные в поле температурного градиента и их свойства // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1996. 188 с.

17. Долгинов С.Г., Ильин М.А., Михайлова Н.Г., Рашевская Е.П. Электрические и оптические свойства твердых растворов GaxInixAsyPiy, легированных Те, Sn, Ge // ФТП. 1978. Т. 12. № 2. С.343-346.

18. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., Хитова Л. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах // М., 1987. 137стр.

19. Аскарян Т.А. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентныхл ствердых растворов А В // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1988. С.112-187.

20. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. // М., 1985. С.160.

21. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г. и др. Структурное совершенство эпитаксиальной гетерограницы GaAs-AlxGa1.xAs // Научные труды Гиредмета. М., 1974. Вып. 56. С.8.

22. Бублик В.Т., Долгинов JI.M., Дружинина JI.B. и др. Исследование кристаллического совершенства гетероструктур в системе твердых растворов GaAs-AlAs и его влияние на характеристики инжекционных лазеров // ЖТФ. 1974. Т.44. № 7. С. 1499.

23. Говорков А.В., Долгинов JI.M., Дружинина JI.B. и др. Дефекты структуры и люминесценция в эпитаксиальных слоях GaAsxSbix // Кристаллография. 1977. Т.22. № 5. С.1060.

24. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии // М. 1983. 221 с.

25. Гапоненко В.Н., Лунин Л.С., Лунина О.Д., Ратушный В.И. Совершенство эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных в поле температурного градиента // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 11. С.1839-1842.

26. Лунин Л.С. и др. Планирование процесса выращивания совершенных варизонных гетероструктур GaAs-AlxGai.xAs // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 7. С.1098-1102.

27. Rozgonyi G.A., Petroff Р.М., Pfnish М.В. Eliminotion of Dislocations in Heteroepitaxial layers by the controlled Introductions of Interfaciel Misfit Dislocations Appl // Phys. Lett. 1974. V.24. P.251-254.

28. Лозовский B.H., Лунин Л.С. и др. Влияние условий выращивания на совершенство толстых эпитаксиальных слоев AlxGai.xAs // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т.15. № 11. С.1913-1918.

29. Дружинина Л.В., Бублик В.Т., Долгинов Л.М. и др. Исследование кристаллического совершенства гетероструктур в системе твердых растворов AlAs-GaAs и его влияние на характеристики инжекционных лазеров//ЖТФ. 1974. Т.44. № 7. С. 1503-1510.

30. Cheung D. T., Andrews A.N., Gertner F.R., Williams С. S. etal. // Sacrside-illuminated InAs,.xSb-InAs narrowand // Ibid. 1977. V.30. № 11. P.587.

31. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Особенности эпитаксии GaxIni.xAs на фосфиде индия в поле температурного градиента // Кристаллография. 1987. Т.32. Вып.4. С.989-993.

32. Petroff J.E., Sanvage M. Misfit dislocations caracteristics in quaternaty heterojunctions Gai.xAlxAsi.yPy/GaAs analysed by synchrotron radiotion white beam topography // J. Cryst. 1978. V.43. № 5. P.628-632.

33. Лунин Л.С., Аскарян T.A., Ратушный В.И. и др. Дефекты в четырехэпитаксиальных композициях InP-InGaAsP, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Известия СКНЦ ВШ. Естественные науки. 1988. № 2. С. 80-85.

34. Hurle D.G.I., Mullin I.B., Pike E.R. Thin Alloy zone Crystallisation // J. Mat. Science. 1967. №2. P.46.

35. Глушков E.A., Измайлов E.A., Измайлов H.B. и др. О механизмахл 3 Sобразования микровключений компонента А в полупроводниках A B // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 12. С.2003.

36. Богатов A.B., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В. и др. Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIni.xAsi.yPy и AlxGaixSbyAsiyGaSb // Квантовая электроника. 1974. Т.1. № 10. С.2294-2297.

37. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Аскарян Т.А. Перспективы применения пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений А3ВЭ в интегральной оптоэлектронике // Тезисы доклада XII Всесоюзной конференции по микроэлектронике. Тбилиси. 1987. 4.7. С.45-46.

38. Лунин Л.С., Столярова В.В., Столяров С.М. Определение ширины запрещенной зоны пятикомпонентных твердых растворов А3В5 // Известия вузов. Сер. Техн. науки. Ростов-н-Д. 2001. № 2. С.85-86.

39. Вигдорович В.Н., Селин A.A., Ханин В.А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1982. Т. 18. № 10. С. 1697-1699.

40. Столяров С.М. Построение модели гетероструктуры InxAlixGai.xyAszSb|z/ GaAs путем изменения величин периода решетки, ширины запрещенной зоны и КТР //Сборник статей НГТУ, посвященный 100-летию университета. Новочеркасск. 1997. С.120-127.

41. Stringfellow G. В. Calculation of energy gap in quarternary 3/5 alloys // J. Electron Mater. 1981. V.10. № 5. P.919-939.

42. Glisson Т.Н., Hauser J.R., Littlejoin M. A., Williams C.K. Energy dandgap and lattice constant contours of 3-5 quarternary alloys // Ibid. 1978. V.7. № 1. P.l-16.

43. Литвак A.M., Чарыков H.A. Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых3 5растворов на основе соединений А В // Физика и техника полупроводников. 1990. Т.24. Вып. 12.

44. Мильвидский М.Г , Пелевин О.В., Сахаров В.Б. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений // М., 1968. 392с.

45. Грачев В.М., Сабанова Л.Д. Методы и аппаратура жидкостной эпитаксии // М., 1974. 41с.

46. Woodall J. М. Isothermal solution mixing growth of thin GaxAlixAs layers // J. Electrochem. Soc. 1971. V.118. № 1. P.150-152.

47. Rode D.L. Isothermal diffusion theory of LPE: GaAs, GaP bubble // J. Cryst. Growth. 1973. V.20. № 1. P.13-23.

48. Hsieh J.J. Thickness and surface morphology of GaAs LPE laser growth by supercolling, step-cooling, equilibring-cooling and twophase solution techniques // Ibid. 1977. V.27. № 1. P.49-55.

49. Иоффе А.Ф. Два новых применения явления Пельте //ЖТФ. 1956. Т.26. С.478-482.

50. Геворкян В.А. и др. Электрожидкостная эпитаксия -1,11 // ЖТФ. 1977. Т.47. Вып.6. С.1306-1313, 1314-1318.

51. Демин В.Н. и др. Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок //Новосибирск. 1981. С.67-73.

52. Хачатурян О.А., Авакян М.С., Аракелян В.Б. Влияние постоянного тока на процессы жидкофазной эпитаксии // Ереван. 1987. С.57.

53. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры // М., 1972. С.3-115.

54. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов // М., 1987. 232 с.

55. Долгинов Л.М., Нашельский А.Я. Зонная плавка с градиентом температуры и ее применение в технологии полупроводниковых приборов // М., Цветметинформация. 1966. 36 с.

56. Пфанн В. Зонная плавка // Пер. с англ. М.: Мир. 1970. 366 с.

57. Лунин Л.С., Кеда А.И. Исследование свойств эпитаксиальных слоев, полученных при зонной плавке с градиентом температуры в системах на основе арсенида галлия // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1972. Т.259.С.50-58.

58. Буланникова Н.Д., Лозовский В.Н., Лунин Л.С. и др. Выращивание однородных эпитаксиальных слоев AlxGaixAs из жидкой фазы // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1973. № 8. С.3-6.

59. Казаков В.В., Шевченко А.Г., Сысоев И.А. Исследование гетероструктур3 5изготовленных на основе твердых растворов AB // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1996. № 3. С.26.

60. Казаков В.В., Шевченко А.Г., Сысоев И.А. Распределение компонент и электрофизические свойства в твердых растворах А3В5 // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1996. № 3. С. 15.

61. Лунин Л.С. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентных твердых растворов А3В5 // Докт. диссертация. Новочеркасск. 1992. С. 112-187.

62. Жовнир Г.И., Захленюк H.A. К теории равновесной электрожидкофазной эпитаксии твердых растворов А,.ХВХС // ЖТФ.1985. Т.55. Вып.7.С.1406-1413.

63. Хачатурян O.A., Геворкян В.А. Влияние условий эпитаксиального роста на структуру и морфологию пленок антимонида галлия // Молодой научный работник. 1975. № 2. С.81-85.

64. Abul-Fade A., Stefanakos Е.К., Collis W.J. Curren controlled LPE Growth of InxGa,.xAs // J. Cryst. Growth. 1981. V.54. № 1. P.279-282.

65. Ends R. Preparation and proportions of Vapor-Phase-epitaxial-grown GalnAsP // Jap. J. Appl. Phys. 1979. V.18. № 11. P.2183.

66. Гуляев Ю.В., Дворянкина Г.Г., Дворянкин В.Ф. Молекулярно-лучевая эпитаксия перспективный метод получения интегрально-оптических устройств //Квантовая электроника. 1979. Т.6. № 1. С.5.

67. Eiller В. I., Мс Pec J.R., Martin R.J., Tien P.K. Room temperature operation of lattice-matched InP/ Gao^Ino^As / InP double-heterostructure lasers growth by MPE // Appl. Phys. Letters. 1978. V.33. № 1. P.44.

68. Лунин Л.С., Алфимова Д. Л., Столяров С.М., Чарихов А.Ю. Пятикомпонентные гетероструктуры соединений А3В5 // Труды четвертой всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. С.7.

69. Жукова Л.А., Гуревич М.А. Интерпретация электронограмм, получаемых методом отражения // Научные труды Гиредмета. М. 1969. Т.20. С.32.

70. Гапоненко В.Н., Лунин Л.С., Лунина О. Д. Управление процессом выращивания варизонных гетероструктур GaAs-AlxGaixAs в поле температурного градиента // Изв. вузов СССР. Физика. 1984. №11. С.44-47.

71. Лозовский В.Н. и др. Распределение легирующих примесей в варизонных слоях AlxGai.xAs, выращенных в поле температурного градиента // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 2. С.189-193.

72. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Лунина О.Д. Перераспределение собственных примесей в варизонных слоях AlxGa¡.xAs в процессе зонной перекристаллизации // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 5. С.752-755.

73. Лунин Л.С. и др. Выращивание совершенных варизонных слоев AlxGaixAs с увеличивающейся к поверхности шириной запрещенной зоны // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 8. С. 1247-1250.

74. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Распределение арсенида галлия в эпитаксиальных слоях GaxInixAs, растущих на подложках из фосфида индия //Изв. Вузов СССР. Физика. 1987. № 12. С.1127.

75. Коноров П.П. Электрофизические свойства и некоторые проблемы практического исследования МДП-структур на основе широкозонных1. J сполупроводников AB// Материалы 12-й Всесоюз. научной конф. Тбилиси. 1987. С.199-210.

76. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединении А3В5 // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1993. С.120.

77. Мильвидский М.Г., Долгинов Л.М. Гетерокомпозиции на основе многокомпонентных твердых растворов // В книге "Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок". Новосибирск. "Наука". 1981. С.41-52.

78. Пригожин И., Дефей Р. Химическая термодинамика // Пер. с англ. Новосибирск. "Наука". 1966. 510 с.

79. Mukai S., Yajima Н., Mitsuhashi Y., Yanagisawa S. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs // Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. № 9. P.904-906.

80. Лунин Л.С., Столярова В.В., Столяров С.М. Температурная и концентрационная зависимость коэффициента сегрегации алюминия вэпитаксиальных слоях InAlGaPAs(GaAs) // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2001. № 3. С.94-96.

81. Лунин JI.C. Возможности управления концентрационным распределением в твердых растворах AlxGa.xAs в процессе зонной перекристаллизации градиентом температуры // Химия и химическая технология. Новочеркасск. 1976. Т.320. С.41-45.

82. Cusano D. A. Radiative recombination from GaAs directly excited by electron beams. // Sol. St. Commun. 1964. V.2. P.353-358.

83. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3В5 с заданными свойствами // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1998. 150 С.

84. Воднев В.Т. и др. Основные математические формулы // Минск. "Вышэйшая школа". 1988. С.54.

85. Лунин Л.С., Столяров С.М. Моделирование пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений А3В5 с заданными свойствами // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1998. № 2. С.34-39.

86. Столяров С.М. Возможности прогнозирования электрофизических характеристик пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 // Новочеркасск. НГТУ. 1997. Деп. в ВИНИТИ 19.05.98.

87. Лунин Л.С., Столярова В.В., Столяров С.М. Моделирование множества возможных составов многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Технич. науки. 2002. № 2. С.90-93.

88. Лунин Л.С., Столяров С.М., Столярова В.В. Моделирование процесса изменения ширины запрещенной зоны пятикомпонентной гетероструктуры InAlGaPAs/GaAs // Сборник научных трудов. Новочеркасск. 1997.С.56-61.

89. Лунин Л.С., Ратушный В.И., Разумовский П.И. Предотвращение травления подложки GaAs при получении гетероструктур InAlGaAsSb/ GaSb // Труды четвертой всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. С.46.

90. Математическая теория планирования эксперимента // Под редакцией Ермакова С.М. М. "Наука". Главная редакция физ.-мат. литературы. 1983. 392 с.

91. Лунин Л.С., Столярова В.В., Столяров С.М. Моделирование электрофизических параметров пятикомпонентного твердого раствора InAlGaPAs/GaAs // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2001. № 4. С.86-87.

92. Лунин Л.С., Столяров С.М., Столярова В.В., Алфимов A.B. Управление электрофизическими свойствами пятикомпонентных гетероструктур наоснове соединений А В // Труды шестой международной научно-технической конференции. Таганрог. 1999. С.20.

93. Лунин Л.С., Столярова В.В. Математическое моделирование распределения плотности дислокаций в пятикомпонентных твердых растворах // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2002. № 4. (в печати)

94. Ермолаева Н.В. Выращивание многокомпонентных твердых растворов1. J £соединений А В в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры // Канд. диссертация. Новочеркасск. 2001.

95. Литвин Н.В. Математическое моделирование диффузии в-5 смногокомпонентных твердых растворах А В // Канд. диссертация. Новочеркасск. 2000.

96. Кочковая Н.В. Математическое моделирование роста3 5многокомпонентных твердых растворов А В // Канд. диссертация. Новочеркасск. 2001.

97. Разумовский П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента // Канд. диссертация. Новочеркасск. 2000.

98. Алфимова Д.Л., Благин А.В., Благина Л.В., Сысоев И.А. Особенности кристаллизации и морфология эпитаксиальных пленок GalnSbBi/InSb // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2001. № 3. С.82-85.

99. Ратушный В.И., Мышкин А.Л. Особенности технологии получения многокомпонентных твердых растворов AlGaPAs и AlInGaPAs методом зоной перекристаллизации градиентом температуры // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2001. № 2. С.86-88.

100. Ермолаева Н.В., Казаков В.В. Влияние различных факторов и состава твердого раствора в системе Al-Ga-In-P-As на формирование дислокационной структуры эпитаксиальных слоев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2001. № 2. С.88-90.

101. Ратушный В.И., Олива Э.В. Влияние кристаллографической ориентации подложки на эпитаксиальный рост // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2001. №2. С.90-91.