автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента

Введение.

1. Обзор литературы.

1.1. Особенности процесса ЗПГТ.

1.2.Физико-математические модели структурной динамики межфазных границ при ЗПГТ.

1.3.Постановка задачи исследования.

Выводы

2. Математическое моделирование Межфа^нбй4" динамики в процессах ЗПГТ.

2.1. Формулировка физико-математической модели ЗПГТ трехкомпонентной гетеросистемы.

2.2.Решения задачи структурной стабильности зоны при ЗПГТ методом асимптотических разложений.

2.3.Анализ структурной стабильности жидкой зоны при ЗПГТ гетероструктур GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/ GaP и PbSnTe/PbTe.

Выводы

3. Термодинамические и технические аспекты получения твердых растворов GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP, PbSnTe/PbTe.

3.1 .Расчет фазовых равновесий гетеросистем

GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP, PbSnTe/PbTe.

3.2.Критические явления в гетеросистемах GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP и PbSnTe/PbTe.

3.3.Теоретическое исследование устойчивости кристаллов при контакте с неравновесной жидкой фазой в гетеросистемах GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP и PbSnTe/PbTe.

3.4.Формирование исходного профиля межфазных границ методом фотолитографии

3.5.Технологические особенности процесса получения твердых растворов GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP, PbSnTe/PbTe.

Выводы

4. Свойства гетероструктур GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP,

PbSnTe/PbTe и информационно-прикладные аспекты.

4.1.Структурное совершенство гетероструктур GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP, PbSnTe/PbTe.

4.2.Электрофизические свойства и вопросы практического использования гетероструктур GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP, PbSnTe/PbTe

4.3.Спектры фотолюминесценции гетероструктур и их информационно-технический анализ

Выводы

Актуальность работы.

Важным фактором современного научно-технического прогресса является развитие новых подходов в теории и практике получения кристаллических структур с ценными для приборной реализации физическими свТТйствами. Применительно к жидкофазным методам синтеза сложных полупроводников в технологии их получения обозначилось направление, связанное с программированием характеристик приборов состоянием жидкой фазы. Изучение закономерностей эволюции межфазных границ и условий их морфологической стабильности позволяет оптимизировать технологические процессы получения существующих твердых растворов (TP) полупроводников, используя различные приемы управления их составом и структурой, а также разработать методы получения новых материалов электронной техники.

Большой интерес представляет исследование процессов структурной эволюции при зонной перекристаллизации градиентом температур (ЗПГТ) [1] материалов электронной техники. Структурные изменения в пересыщенном расплаве, как на начальных стадиях роста, так и в дальнейшем, являются фактором, определяющим формирование элементной базы приборов. Основой этих процессов являются диффузионные и кинетические явления. Исследование диффузии в гетеросистемах затруднено сложным характером взаимодействия ростовых компонентов. Уже для трехкомпонентных систем сложность моделирования заключается в необходимости учета процессов взаимной диффузии. Эти процессы имеют сугубо нелинейную динамику, однако, моделирование перекристаллизации твердых растворов так называемыми "пассивными" жидкими зонами позволяет с допустимыми упрощениями описать реакцию гетерофазной системы на малые возмущения, 5 неизбежные в процессах жидкофазной эпитаксии. Для исследований были

3 5 выбраны две гетеросистемы А В - Ga-Sb-Bi, Ga-P-Bi, при получении которых жидкие зоны формируются на основе висмута -компонента с коэффициентом распределения Квг<0,01, а также гетеросистема А4Вб - Pb-Sn-Te (с использованием свинцовых жидких зон). Кристаллизация во всех системах имеет место при относительно низких температурах (~103К), что облегчает проведение экспериментов по выращиванию соответствующих ТР.

Анализ морфологических изменений в кристаллизующейся гетеросистеме был бы неполным при рассмотрении соединений только одного

3 5 класса (например, А В ). Рассматриваемому спектральному диапазону ИК-области соответствуют также TP А4В6. Кроме того, в отношении гетеросистем Ga-Sb-Bi, Pb-Sn-Te ЗПГТ практически не исследовался. Имеется ограниченная информация по получению TP Ga-P-Bi. Исследование эволюции межфазных границ проводилось только для бинарных систем эвтектического типа [2]. Поэтому тема диссертационной работы является актуальной с научной и практической точки зрения.

Цель работы.

Целью работы является исследование структурных преобразований в ходе кристаллизации TP Ga-Sb-Bi, Ga-P-Bi, Pb-Sn-Te, определение теоретических критериев, разграничивающих различные режимы кристаллизации; экспериментальное изучение процессов получения эффективной элементной базы приборов оптоэлектроники; исследование свойств выращенных гетероструктур.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи: разработка математической модели процессов ЗПГТ, позволяющей адекватно описать характер эволюции малых возмущений фронта растворения и кристаллизации; определение начально-краевых условий на исследуемых гетерофазных границах; анализ динамики развития морфологической нестабильности фронтов растворения и кристаллизации; анализ фазовых превращений в гетеросистемах Ga-Sb-Bi, Ga-P-Bi и Pb-Sn-Te; анализ устойчивости рассматриваемых систем к спинодальному распаду; анализ начальных стадий роста эпитаксиальных слоев (ЭС), исследование устойчивости подложки при контакте с раствором-расплавом; исследование структурного совершенства полученных твердых растворов; исследование фотолюминесцентных свойств многокомпонентных полупроводников GaSb<Bi>, GaP<Bi> и PbSnTe; разработка практических рекомендаций получения приборных гетероструктур GaSb<Bi>/ GaSb, GaP<Bi>/ GaP и PbSnTe/PbTe.

Научная новизна.

Модельные представления эволюции возмущений фронта кристаллизации, перемещающегося в поле температурного градиента, развиты на основе представлений неравновесной термодинамики. 7

2. Впервые исследована устойчивость межфазных границ в тройных гетеросистемах, кристаллизующихся в поле температурного градиента.

3. Для исследованных гетеросистем экспериментально обоснована возможность квазилинейного описания структурной динамики перекристаллизации при определенном соотношении между размерами возмущений и характерным масштабом ростовой композиции.

4. Теоретически исследовано влияние величины упругих напряжений, температуры роста, химического состава TP на положение и размеры областей термодинамической неустойчивости гетероструктур GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP и PbSnTe/PbTe.

5. Исследованы технологические особенности метода ЗПГТ, разработана технологическая оснастка для проведения процессов гомогенизации и защиты подложки от термического травления.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. Разработанная модель эволюции случайных возмущений в трехкомпонентной гетерофазной системе позволяет в квазилинейном приближении адекватно описать структурную динамику процесса роста.

2. Реализованный метод ЗПГТ с подпиткой из твердого источника позволяет получать однородные эпитаксиальные слои твердых растворов GaSbbx<Bi>x/GaSb (х<0,01), GaPi.x<Bi>x/GaP (х<0,001) и Pb,x SnxTe/PbTe (х<0,2) толщиной до 200 мкм. 8

Нагревание ростовой композиции в гетеросистеме Pb-Sn-Te на конечном этапе формирования градиента температуры со скоростью, превышающей 0,15 К/с, приводит к спонтанной кристаллизации и деградации структуры.

Обогащение жидкой зоны висмутом (X1 bi~65 ат. %) при кристаллизации TP в системах Ga-Sb-Bi и Ga-P-Bi обеспечивает морфологическую стабильность межфазных границ.

При перекристаллизации антимонида галлия висмутсодержащими жидкими зонами формируются упругонапряженные (а«75 кг/см2) . твердые растворы GaSb<Bi>Ha подложке GaSb.

Нелинейный характер спектральных характеристик трехкомпонентных гетероструктур допускает возможность идентификации вариаций состава методом искусственных нейронных сетей.

Практическая значимость.

1. В рамках разработанной эволюционной модели в трехкомпонентной гетерофазной системе получена зависимость критического волнового числа гармонического возмущения, превышение которого приводит к релаксации системы. Это позволяет оценить максимальные размеры линейной неоднородности ростовой поверхности, не нарушающие ее морфологическую стабильность. Выбор висмута в качестве основного компонента жидкой зоны позволяет также понизить чувствительность системы к различного рода возмущениям на гетерофазных поверхностях.

2. Представленные инженерные методики расчета гетерогенных равновесий позволяют проводить корректировку режимов эпитаксии и осуществлять оптимизацию технологического процесса получения полупроводниковых гетероструктур.

4.

5. 9

3. В поле температурного градиента были получены упругонапряженные эпитаксиальные слои TP GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP, как варизонные, так и однородные по составу.

4. Разработаны рекомендации по технологии получения TP GaSb<Bi>/GaSb, GaP<Bi>/GaP и PbSnTe/PbTe с заданной топологией активной зоны.

5. На основе твердых растворов Pbi.xSnxTe/PbTe (х<0,2) разработана приборная структура, для которой наблюдался эффект изменения частоты

1 2 2 генерации в пределах ЮОч-ЗООО с" при пороговых токах (1^5)х10 А/см .

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских конференциях с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники"(Таганрог, 1999, 2000 гг), Международной научн.-техн. конференции "Новые материалы и технологии на рубеже веков" (Пенза, 2000г.), Международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 1999г.), Международной науч.-техн. конференции " Информационные технологии в моделировании и управлении" (Санкт-Петербург, 2000г.), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях, семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ ЮРГТУ и кафедры физики ЮРГТУ.

Публикации и вклад автора

По результатам исследований опубликовано 11 печатных работ, в которых полностью изложены наиболее важные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

10

Объем работы и ее структура.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, содержит 180 страниц машинописного текста, 61 иллюстрацию, 12 таблиц. Библиография включает 121 наименование.

Основные результаты и выводы.

1. Определены критерии, разграничивающие области релаксации малых случайных возмущений фронта кристаллизации. Возможность использования квазилинейного приближения обусловлена структурными особенностями пересыщенных расплавов на основе висмута и свинца.

2. В поле температурного градиента были получены эпитаксиальные слои твердых растворов GaSbi.x<Bi>x/GaSb с х<0,01 (Т=833.883 К); GaP<Bi>/GaP с содержанием висмута до 0,1 ат. % (Т=1253. 1323 К) и PbixSnxTe (Х<0,2) Т=753.813 К, как варизонные, так и однородные по составу.

3. На примере гетероструктуры PbSnTe/PbTe установлено, что при кристаллизации трехкомпонентных халькогенидов необходимо уменьшать скорость нагревания рабочей композиции до значений 0,15 К/с при Т>2/зТраб, при более интенсивном росте температуры происходит деградация подложки.

4. Показано что преобладание висмута в расплаве выступает фактором, стабилизирующим динамику межфазных границ, так как в силу значительного ковалентного радиуса его атомы упорядочивают перемещение атомов ростовых компонентов к подложке. Однако, при содержании висмута в жидкой зоне более 65% резко возрастает дефектность структуры, что обусловлено сложным поведением висмута в твердой фазе.

161

1. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. - 232 с.

2. Овчаренко А.Н. Нелинейные явления в процессе эволюции межфазных границ при зонной перекристаллизации в поле температурного градиента: Дисс. . канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1988. - 175 с.

3. Электрорадиоматериалы. / Б.М.Тареев, Н.В.Короткова, В.М.Петров, А.А.Преображенский. М.: Выс. шк., 1978. - 336 с.

4. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. -М.: Выс. шк., 1990. -423 с.

5. Богородицкий Н.Н., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы. Ленинград: Энергия, 1977. - 350 с.

6. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов.радио, 1975. - 328 с.

7. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы AniBv. Ростов-на-Дону: Изд-во Рост, ун-та, 1992. - 193 с.

8. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. -352 с.

9. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М., 1972. -240 с.

10. Свойства элементов: Справочник. ч.1 / Под ред. Г.В.Самсонова. М.: Металлургия, 1976. - 456 с.

11. Балюк А.В., Середин Л.М. Получение кремниевых стабилизирующих162структур для ФЭП методом ЗПГТ // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1991. - С. 130134.

12. Лозовский В.Н., Константинова Г.С. Морфология фронта перекристаллизации пересекаемого границей зерна в условиях ЗПГТ // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. -Новочеркасск: НПИ, 1991. С. 104-109.

13. Князев С.Ю., Нефедов А.С., Юрьев А.В. Условие стационарности при зонной перекристаллизации градиентом температуры // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: Новочерк. гос. техн. ун-т, 1996. - С. 11-14.

14. Lozovskii V.N., Ovcharenko A.N., Popov V.P. Liquid-Solid Interface Stability // Prog. Crystal Growth Charact. 1986. - V. 13 - P. 145.

15. Lozovskii V.N., Popov V.P. Temperature Gradient Zone Melting // Prog. Crystal Growth Charact. 1983. - V. 6 - P. 1.

16. Antony T.R., Cline Н.Е. The Stability of Migrating Droplets in Solid // ActaMet. 1973. - V.21. -P.117.

17. Antony T.R., Cline H.E. Thermomigration of aluminum rich liquid droplets in163silicon //J. Appl. Phys. -1972. -V.43., №11 P.4391-4401.

18. Лозовский B.H., Попов В.П. О стабильности фронта роста при кристаллизации методом движущегося растворителя // Кристаллография. -1970. Т.15, №1. С.149-155.

19. Antony T.R., Cline Н.Е. Interface Stability in Temperature Gradient-Zone Melting//Acta Met. 1973. - V.21. - P.541-553.

20. Гершанов В.Ю., Гармашов С.И. О кинетике процесса зонной перекристаллизации градиентом температуры при нестационарных тепловых условиях // Кристаллография. -1992.-Т.37, вып. 1. С. 34-42.

21. Майстренко В.Г., Паллий Н.Д. О влиянии нестационарных тепловых условий на кинетику и стабильность движенияжидких включений в кристаллах // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НПИ, 1985. - С. 78-83.

22. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов. М.: МГУ, 1989. - 304 с.

23. Lander J.S. Instabilities and Patten Formation in Crystal Growth // Rev. Mod. Phys.- 1980.-V. 52.-P. 1.

24. Bhatt V.P., Pandya G.R., Vyas A.R. Study of Solid-Liquid Interface of Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals // Indian J. Pure Appl. Phys. 1980. -V.I8. - P. 58.

25. Jamgotchian H., Billia В., Cappella L. Morphology of Solidification Front During Unidirectional Growth of Pb-Tl Alloys // J. Cryst. Growth. 1983. - V. 64. - P. 338.164

26. Coulet A.L. Interfacial Stability During the Growth of a Dilute Binary Alloy-Thermodynamical Approach // J. Cryst. Growth. 1982. - V. 60. - P. 381.

27. Billia В., Ahbout H., Cappella L. Stable Cellular Growth of a Binary Alloy // J. Cryst. Growth. -1981. V.51. - P. 81.

28. Venugopalan D., Kirkaldy J.S. Prediction of Configuration Parameters in Cellular Solidification of Succinonitrile-Salol // Scripta Met. 1982. - V. 16. -P. 1183.

29. Устелемов C.B., Фролов А.А., Гук В.Г. Ячеистый рост кристаллов FeGe2 // Кристаллография. 1984. - Т. 29, № 5. - С. 1014.

30. Huang S.C., Glicksman М.Е. Fundamentals of Dendritic Solidification. -I Steady-State Tip Growth // Acta Met. 1981. - V. 29. - P. 701.

31. Huang S.C., Glicksman M.E. Fundamentals of Dendritic Solidification. -II Development of Side-Branch Structure // Acta Met. -1981. V. 29. - P. 717.

32. Langer J.S., Muller-Krumbhar H. Mode Selection in a Dendritelike Nonlinear System // Phys. Rev. A. 1983. - V. 27. - P. 499.

33. Sekerka R.F., Coriell S.R., McFadden G.B. Stagnant film model of the effect of natural convection on the dendrite operating State // J. of Crystal Growth. -1995.-V. 154.-P. 370-376.

34. McFadden G.B., Coriell S.R. The Effect of Fluid Flow Due to the Crystal-Melt Density Change on the Growth of a Parabolic Isotermal Dendrite // J. of Crystal Growth. 1986. - V. 74. - P. 507-512.

35. Sekerka R.F., Coriell S.R., McFadden G.B. The effect of container size on the dendritic growth in microgravity // J. of Crystal Growth. 1997. - V. 171. -P. 303-306.

36. Верезуб Н.А., Полежаев В.И. Математическое моделирование конвекции и концентрационных полей при росте эпитаксиальных слоев // Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур: Сб. ст. М.: Наука, 1986. - С. 101-112.

37. Кулинич Н.В., Овчаренко А.Н. Физическая и математическая модель метода ЗПГТ с учетом гидродинамических эффектов / Новочерк. гос. унт. Новочеркасск, 1998. - 20 с. - Деп. в ВИНИТИ 04.08.98, №2513 В-98.

38. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb // Неорг. материалы. -1991. Т.27, №2. С.225-230.166

39. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Тарасов А.В., Уфимцев В.Б. Эпитаксиальный рост InAsi-x-ySbxBiY на подложках из InSb из висмутовых растворов // Неорг. материалы. 1992. - Т.28, №3. - С.502-506.

40. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. -540с.

41. Найфе А. Методы возмущений. -М.: Мир, 1976. 456 с.

42. Темкин Д.Е. Устойчивость плоского фронта кристаллизации // Докл. АН СССР. 1960. - Т.133. - С.174.

43. Меркин Д.Р. Введение в теорию устойчивости движения. М.: Наука,1976. - 320 с.

44. Джозеф Д. Устойчивость движения жидкости. М.: Мир, 1976. -456с.

45. Маллинз В., Секерка Р. Морфологическая устойчивость частицы, растущей за счет диффузии или теплоотвода // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968. -С. 89.

46. В.Маллинз, Р.Секерка. Устойчивость плоской поверхности раздела фаз при кристаллизации разбавленного бинарного сплава // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968.-С. 106.

47. Ляпунов A.M. Общая задача об устойчивости движения. М.: Ленгиз, 1950.-115 с.

48. Delves R.T. Theory of Interface Stability // J. of Crystal Growth. Ed. Pamplin B.R. -1974., P. 40.

49. Delves R.T. Interface Stability in Temperature Gradient-Zone Meting on Thermodynamic // Phys. Stat. Solid. -1967. -V.20, №2. -P.639.

50. Зайденстиккер P. Устойчивость поверхности раздела фаз при зонной плавке с градиентом температуры // Проблемы роста кристаллов. -М.: Мир, 1968. -С. 197.167

51. Лозовский В.Н., Попов В.П. О стабильности процесса зонной плавки с градиентом температуры // Кристаллография,- 1972. Т. 17, №6. - С. 1232.

52. Чернов А.А. Устойчивость плоского фронта роста при анизотропной поверхностной кинетике // Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. По росту кристаллов. Ереван: Изд-во АН Арм.ССР, 1972. - С. 168.

53. Wollkind D.J., Segel L.A. A Nonlinear Stability Analyses of Freezing of a Dilute Binary Alloy // Phil. Trans. Roy. Soc. -1970. V.268. -P. 351.

54. Теория ветвления и нелинейные задачи на собственные значения. / Под ред. Дж.Б.Келлера, С.Антмана. М.: Мир, 1974. - 254 с.

55. Темкин Д.Е. Об аналогии между устойчивостью фронта кристаллизации и устойчивостью метастабильной фазы // Кристаллография. 1972. - Т.17, №6. - С. 1103.

56. Sriranganathan R., Wollkind D.J., Oulton D.B. Nonlinear Stability Analyses of the Solidification a Dilute Binary Alloy in the Three-dimensional Caze // J. of Crystal Growth -1983. V.62. -P. 265.

57. Wollkind D.J., Oulton D.B., Sriranganathan R. A Nonlinear Stability Analyses of a Model Equation for Alloy Solidification // J. Physique -1984.-V.45.-P. 505.

58. Sivashinsky G.I. On Cellular Instability in the Solidification of a Dilute Binary Alloy // Physica -1983. -V.8D -P. 243.

59. Langer J.S. Instabilities and Pattern Formation in Crystal Growth // Rev. Mod. Phys.-1980.-V.52. -P.l.

60. Kerszberg M. Pattern Selection in Directional Solidification // Phys. Rev. B. -1983. V.28, №1. - P.247.

61. Ben-Jacob E., Goldenfeld N., Langer J.S., Schon G. Dynamics of Interfacial Pattern Formation//Phys.Rev.Let. 1983. - V.51, №21. - P.1930.168

62. Ben-Jacob E., Goldenfeld N., Langer J.S., Schon G. Boundary layer Model of Pattern Formation in Solidification // Phys.Rev.A. - 1984. - V.29, №1. -P.330.

63. Nara S., Haken H. An Approach Pattern Formation in Crystal Growth // J. Cryst. Growth. 1983. - V.63. -P.400.

64. Smith J.B. Shape Instabilities and Pattern Formation in Solidification: A New Method for Numerical Solution of the Moving Boundary Problem // J. Comput. Phys. 1981.-V.39.-P.112.

65. Лозовский B.H., Кукоз В.Ф., Овчаренко A.H. Зонная перекристаллизация в поле температурного градиента в системе кремний-германий // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. . Новочеркасск: НПИ, 1989. - С.131-138.

66. Овчаренко А.Н., Колесниченко А.И., Кукоз В.Ф. Морфологическая устойчивость плоских межфазных границ при выращивании кристаллов Si-Ge // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. . Новочеркасск: НПИ, 1991. - С.118-122.

67. Леусова А.И., Юрьев В.А., Кукоз И.Ф. Экспериментальные исследования морфологической устойчивости межфазных границ в системе кремний-германий // Межвуз. сб. науч. тр. НГТУ. Новочеркасск: Новочерк. гос. техн. ун-т, 1993. - С.32-35.

68. Лунин Л.С., Овчаренко А.Н., Кулинич Н.В. Эволюция межфазных границ в процессах перекристаллизации в поле температурного градиента // 17-ая Российская конференция по ЭМ'98: Тез. докл., 15-18 июня 1998г. -Черноголовка, 1998. С. 175.

69. Лунин Л.С., Кулинич В.И., Кулинич Н.В. Модель роста фрактальных объектов в процессе электрокристаллизации металлов // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: Набла, 1996.169- С.75-80.

70. Кулинич Н.В., Ревина С.В. Исследование обобщенной системы Лэнгфорда с косимметрией и без нее. / Рост. гос. ун-т -Ростов н/Д, 1996. -35 с.-Деп. В ВИНИТИ 17.01.96, №198-8-96.

71. Лунин Л.С., Овчаренко А.Н., Кулинич Н.В. Влияние конвекции на устойчивость межфазных границ в методе ЗПГТ // Юбилейный сб науч. тр. проф.-препод, состава науч. техн. конференции НГТУ, 14-18 апр. 1997 г. -Новочеркасск: НГТУ, 1997. С.7-8.

72. Владимиров B.C. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1971.512 с.

73. Чернов А.А. Процессы кристаллизации. Современная кристаллография. Т.З. М.: Наука, 1980. - С. 5.

74. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975.-256 с.

75. Федоренко Р.П. Введение в вычислительную физику. М.: Изд-во Моск. физ.-техн. ин-та, 1994. 528 с.

76. Справочник химика. / Б.П.Никольский, О.Н.Григоров, М.Е.Позин и др.170

77. T.l. Ленинград: Изд-во хим. лит., 1963. - 1072 с.

78. Справочник химика. / Б.П.Никольский, О.Н.Григоров, М.Е.Позин и др. Т.2. Ленинград: Изд-во хим. лит., 1963 - 1170 с.

79. Физические величины: Справочник. / А.П.Бабичев, Н.А.Бабушкина, А.М.Братковский и др. Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

80. Химическая энциклопедия. В 5 т. / И.Л.Кнунянц (гл. ред.) и др. М.: Сов. энцикл., 1988.

81. Штернов А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1981. - 248 с.

82. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1991. 175 с.

83. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. / А.И.Казаков, В.А.Мокрицкий, В.Н.Романенко, Л.Хитова. М.: Металлургия, 1987. - 136 с.

84. Таланов В.М. Теория изоструктурных фазовых переходов. Новочеркасск: НГТУ, 1995. 43 с.

85. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. - 384 с.

86. Onabe К. Thermodinamics of type Ai.xBxCi.yDy III-V qurternary solid solutions // J. Phis. Chem. Solids. 1982. - V.43, №11,- Pp. 1071-1086.

87. Алексеева Г.Т., Крылов E.T. Особенности теплопроводности решетки халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS // Физика твердого тела. 1983. -Т.25, №12. - С.3713-3716.

88. Д.Л.Алфимова. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих171соединений АЗВ5 в поле температурного градиента. Дис. . канд. техн. наук. Новочеркасск, 2000,- 186с.

89. Марончук И.Е., Шутов С.В., Кумоткина Т.Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута // Неорг. материалы. 1995. - Т. 31, N 12. - С.1520-1522.

90. Сидоров В.Г., Сидоров Д.В., Соколов В.И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия // Физика и техника полупроводников 1998. - Т.32. № 11. - С. 1393-1398.

91. Наумов И.И. О двойственной роли упругой энергии в спинодальном распаде твердых растворов // Физика материалов и металловедение. -1985.-Т. 60, Вып. 6.-С. 1139-1145.

92. Сорокин О.В., Моргун А.И. Изучение условий кристаллизации антимонида галлия в системе Ga-Sb-Bi // Журнал неорганической химии. 1985. - Т.ЗО, №12. - С.3174-3176.

93. Зиновьев В.Г., Моргун А.И., Уфимцев В.Б. Поведение висмута в172эпитаксиальных слоях GaSb<Bi> // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1993. - Т.29, N2. - С.177-180.

94. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твердого раствора, образующегося в слоях InSb<Bi> / А.М.Квардаков, А.Э.Волошин, А.Вермке и др. // Неорган, материалы. -1991. Т.27. - №3. - С.451-456.

95. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Жегалин В.А. Исследование условий формирования гетероструктур InAsi-xySbxBiy/InSb методом ЖФЭ // Неорган, материаллы. 1995. - Т. 31, № 11. - С. 1431 - 1436.

96. Юб.Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В., Тарасов А.В., Уфимцев В.Б. Эпитаксиальный рост InAsixySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов // Неорган, материалы. 1992. - Т.28, №3. - С. 502 - 506.

97. Акчурин Р.Х., Акимов О.В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsl-x-ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров // Физика и техника полупроводников. 1995. - Т.29, вып. 2. -С. 362 -369.

98. Сидоров В.Г., Сидоров Д.В., Соколов В.И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32. № 11. - С. 1393-1398.

99. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: Металлургия, 1973. 496 с.

100. Кольченко Т.И., Домако В.М. Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия содержащем изовалентную примесь индия // Физика и техника полупроводников. 1989. - Т.23, №4. - С. 626630.173

101. Гермоченов В.П., Отман Я.И., Челдышев В.В. Подавление "природных" акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом // Физика и техника полупроводников. 1990. - Т.24, №6. - С. 1095-1101.

102. Хоггард К. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. -М:. Мир, 1968. -350 с.

103. Галушкин А.И. Теория нейронных сетей. Кн.1. М.: Радиотехника, 2000. -415 с.

104. Колмогоров А.Н. Представление непрерывных функций мпногих переменных суперпозицией функций одной переменной и сложением // Докл. АН СССР. -1957. Т. 114. - С. 953-956.

105. Стаффорд. Многослойные обучающиеся схемы // Зарубежная радиоэлектроника. 1965. №8. - С. 58-64.

106. Розенблат Ф. Принцыпы нейродинамики. М.: Мир, 1964. - 250 с.

107. Chen S., Billings S.A., Grant P.M. Nonlinear system identification using neural networks // Int. Journal of Control. 1990. -Vol. 51. - Pp. 1215-1228.

108. Widrow В., Lehr M.A. 30 years of adaptive neural networks: perceptron, madaline, and backpropagation // Proceedings of the IEEE. 1990. - Vol. 78, №9.-Pp. 1415-1442.

109. Kinjio H., Omatu S., Yamamoto Т., Tamaki S. Suboptimal control for nonlinear system using neural networks // Proc. Of 1st Asian Control Conference. -Tokyo, 1994. Pp. 551-554.

110. Rumelhart D.E., Hinton G.E., Williams R.J. Learning Representations by Back-propagating Errors //Nature. 1986. - Vol. 323. - P. 533.

111. Нейроуправление и его приложения. Кн. 2. / Под ред. А.И.Галушкина, В.А.Птичкина. М.: Радиотехника, 2000. - 271 с.