автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин кремния большого диаметра

ВВЕДЕНИЕ.5

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ТЕХНОЛОГИИ

МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА СВОБОДНЫМ И СВЯЗАННЫМ АБРАЗИВОМ.8

1.1. Основы механической обработки пластин кремния.9

1.2. Структура и глубина повреждений в приповерхностных слоях пластин кремния при шлифовании.18

1.3. Новые тенденции в технологии обработки пластин кремния.26

1.4. Постановка задач исследований.47

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ПРЯМЫХ И КОСВЕННЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ В ПЛАСТИНАХ КРЕМНИЯ И МЕТОДОВ ИХ ВИЗУАЛИЗАЦИИ.49

2.1. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия.49

2.2. Определение радиуса кривизны деформированных пластин кремния рентгеновским методом.56

2.3. Секционная рентгеновская топография пластин кремния.60

2.4. Методика определения приповерхностных повреждений методом «косого шлифа».64

2.5. Применение окислительного теста для характеризации вторичных дефектов - окислительных дефектов упаковки (ОДУ).67

2.6. Выводы.69

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПО ОПРЕДЕЛЕНИЮ СТРУКТУРЫ И ГЛУБИНЫ ПОВРЕЖДЕНИЙ В ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЯХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ДВУХСТОРОННЕГО ШЛИФОВАНИЯ (ДСШ) СВОБОДНЫМ АБРАЗИВОМ.71

3.1. Применение сканирующей электронной микроскопии для определения формы зерна применяемого абразива.71

3.2. Определение глубины и структуры повреждений прямыми неразрушающими методами.74

3.3. Определение глубины и структуры повреждений прямыми разрушающими методами.95

3.4. Применение косвенных методов для характеризации различий в структуре приповерхностных повреждений после ДСШ свободным абразивом с различной формой и размером зерна и для разделения влияния дефектов после двухстадийного ХМП.111

3.5. Моделирование формирования нарушений в пластинах кремния при ДСШ свободным абразивом с различным размером и формой абразивных частиц.130

3.6. Обоснование предлагаемого прецизионного способа двухстороннего шлифования пластин кремния свободным абразивом.140

3.7. Выводы.143

ГЛАВА 4. ПРАКТИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ

РАБОТЫ.147

4.1. Разработка технологии прецизионного двухстороннего шлифования свободным абразивом.

В современной микроэлектронике переход к субмикронным размерам элементов делает исключительно важной проблему совершенствования технологических процессов механической обработки монокристаллов кремния. Задача состоит в сохранении после всех этапов механической обработки качества материала в объеме полупроводниковой пластины, соответствующего качеству исходного монокристалла и получении такого качества поверхности пластин, которое отвечало бы современным требованиям микроэлектроники как по их геометрическим, так и по структурным параметрам. Механическая обработка пластин кремния на любом из этапов, начиная с этапа резки, заключается во взаимодействии абразивных частиц с приповерхностными слоями. Задача любого последующего после резки технологического процесса обработки - удаление нарушений, возникших на предыдущих этапах обработки и получение плоской, свободной от механических повреждений поверхности пластин кремния. Параметры плоскостности закладываются на операциях шлифования свободным или связанным абразивом, а остаточные приповерхностные повреждения должны удаляться на последующих операциях щелочного или кислотного травления и химико-механического полирования (ХМП). Несмотря на внедрение таких современных способов обработки, как многопроволочная резка и/или врезное шлифование связанным абразивом в перспективе способных исключить или заменить операцию двухстороннего шлифования свободным абразивом (ДСШ), возможности последнего метода обработки далеко не исчерпаны. Совершенствование способа двухстороннего шлифования пластин кремния свободным абразивом особенно актуально в связи с тем, что на стадии перехода от научных исследований способов многопроволочной резки и врезного шлифования связанным абразивом к их внедрению в б" производство обнаружены существенные, присущие этим методам недостатки и, таким образом, пока все равно требуется дополнительная операция планаризации поверхности с использованием ДСШ перед последующей операцией ХМП.

Совершенствование способа ДСШ пластин кремния свободным абразивом необходимо и с точки зрения согласования этого способа с предшествующими и последующими операциями обработки пластин кремния, чего до настоящего времени сделано не было.

Целью настоящей диссертационной работы было обоснование и разработка прецизионного способа двухстороннего шлифования пластин кремния свободным абразивом, обеспечивающего минимизацию величины приповерхностных механических повреждений.

В первой главе работы проведен аналитический обзор литературных данных: 1) о механизмах съема материала при шлифовании; 2) о состоянии современной технологии изготовления полированных пластин кремния и перспективных направлениях ее развития в будущем; 3) о структуре и глубине повреждений приповерхностных слоев после операций шлифования свободным и связанным абразивом. Также сформулированы задачи исследования.

Вторая глава посвящена анализу прямых неразрушающих методов исследования и визуализации приповерхностных повреждений в пластинах кремния после механической обработки, а также прямых разрушающих, и косвенных (по плотности окислительных дефектов упаковки) методов.

В третьей главе изложены результаты экспериментальных исследований структуры и глубины повреждений в приповерхностных слоях пластин кремния после ДСШ свободным абразивом, а также представлена модель формирования нарушений в пластинах кремния в процессе ДСШ свободным абразивом с различным размером и формой абразивных частиц, которая позволяет рассчитать глубину приповерхностного трещиноватого слоя в пластинах кремния в зависимости от вида используемого абразива и материала шлифовальника.

В четвертой главе описывается практическая реализация результатов работы в отечественном производстве полупроводниковых пластин кремния диаметром 150 мм и при разработке технологии изготовления структур для силовой электроники.

В конце диссертации приведены общие выводы по работе.

На защиту выносятся следующие результаты и положения:

1. Комплекс исследований по влиянию типа шлифовальника, размера и формы абразивных частиц и суспензионного носителя на анизотропию, глубину и однородность распределения повреждений при ДСШ пластин кремния свободным абразивом.

2. Модельные представления по влиянию размеров и формы абразивных частиц на глубину повреждений, возникающих в пластинах кремния при ДСШ свободным абразивом.

3. Разработанная технология прецизионного двухстороннего шлифования пластин кремния свободным абразивом с плоской гексагональной формой частиц с размером зерна абразива 10 мкм с применением вязкого суспензионного носителя.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Проанализированы прямые неразрушающие рентгенодифракционные методы исследования (метод двукристальной рентгеновской дифрактометрии, секционной рентгеновской топографии и др.) структурных нарушений в пластинах кремния и их применимость для анализа глубины и структуры повреждений, возникающих на различных этапах изготовления пластин кремния большого диаметра. Показано:

1) метод двухкристальной дифрактометрии (ширина кривой дифракционного отражения) применим только для характеризации повреждений, возникающих при обработках с идентичным механизмом разупорядочения кристаллической решетки в процессе обработки (например, хрупкое разрушение или пластическая деформация) и поэтому ограниченно применим в пределах одного типа обработки;

2) метод секционной рентгеновской топографии, в отличие от измерения ширины кривой дифракционного отражения в двукристальной рентгеновской дифрактометрии, практически применим во всем диапазоне процесса обработки кремния, начиная от калибрования монокристалла и заканчивая операцией химико — механического полирования при использовании двух критериев: протяженность дальнодействующих полей деформаций для грубых видов обработки (резка, шлифование) и четкость проявления интерференционной картины (картины Пенделозунга) и ее искажение вблизи локальных центов деформации в совершенном кристалле (травление, двухстадийное ХМП, термическое окисление).

3) наличие корреляции между неразрушающим методом определения протяженности дальнодействующих полей деформаций на секционных рентгенотопограммах и глубиной распространения трещин, служащих источником возникновения этих полей, определенной разрушающим методом так называемого "косого шлифа". Коэффициент корреляции составляет 5,2. Наличие такой корреляции делает метод секционной рентгеновской топографии особенно перспективным при отработке технологии обработки пластин кремния диаметром 200 мм и более, когда стоимость даже полуфабрикатов полированных пластин кремния такова, что делает невозможным применение разрушающих методов контроля. 2. При исследовании глубины повреждений в пластинах кремния после ДСШ свободным абразивом с различающейся формой зерна, размером абразива и типом применяемого шлифовальника найдено: а) при ДСШ свободным абразивом на плоских шлифовальниках:

О в первом случае при ДСШ абразивом с размером зерна 18 мкм и острой краеугольной формой- обнаружили анизотропию в протяженности дальнодействующих полей деформации на А- и В-сторонах пластины (размеры ДПД на А-стороне примерно в 1,5 раза превышает размеры ДПД на В-стороне), что объясняется неравномерным распределением абразивной суспензии по площади шлифовальников и, как следствие, различием в скорости съема материала на А- и В- сторонах пластины, и) во втором случае при ДСШ абразивом с размером зерна 10 мкм и плоской гексагональной формой - анизотропия в протяженности дальнодействующих полей деформации на противоположных сторонах отсутствует. б) при ДСШ свободным абразивом на прорезных шлифовальниках: при использовании абразивов, как с размером зерна 18 мкм, так и с размером 10 мкм, анизотропия повреждений на А- и В-сторонах обрабатываемых пластин отсутствует, что связано с особой конструкцией шлифовальников и ведущей к равномерному распределению абразивной суспензии как на верхнем, так и на нижнем шлифовальниках. Размер же ДПД при обработке абразивом с острой краеугольной формой зерна и размером 18 мкм остается примерно в 1,3 раза больше размера ДПД при обработке пластин с применением абразива с плоской гексагональной формой и размером 10 мкм. 3. Проведено качественное моделирование процесса ДСШ пластин кремния абразивом с различной формой и размером частиц абразива. В этой модели внедрение частиц абразива с острой краеугольной формой зерна в обрабатываемый материал уподоблено внедрению острого конического индентора, а для частиц абразива плоской гексагональной формы - внедрению плоского штампа. Различие в функциональной форме зависимости усилия на индентор и глубины внедрения индентора (Р ~ Ь для случая конического индентора и Б ~ Ь - для плоского индентора) ведет к различной глубине образования боковых трещин, ответственных за отслоение и съем материала. Показано: 1) глубина трещиноватого слоя при шлифовании свободным абразивом острой краеугольной формы пропорциональна коэффициенту формы частиц абразива и размеру зерна абразива, а для шлифования абразивом с плоской гексагональной формой частиц - коэффициенту формы и корню квадратному размера зерна абразива. и) с учетом соотношения твердостей шлифовальника (литой чугун -1,1 ГПа) и обрабатываемого материала (кремний - 12 ГПа) расчетное соотношение глубин трещиноватого слоя после обработки свободным абразивом острой краеугольной формы и плоской гексагональной формы равно 3,7. Экспериментальное значение этого соотношения для двух этих видов абразива, определенного по величине протяженности дальнодействующих полей деформаций составляет 1,3-1,8, а определенного методом косого шлифа, соответственно 2,6 -ь 3,6. 4. Исследован процесс релаксации остаточных внутренних напряжений в пластинах кремния после ДСШ с различным размером и формой зерна абразива в процессе удаления возникших при ДСШ повреждений кислотным и щелочным травлением, односторонним в одну стадию ХМП, а также при термическом окислении. Показано: 1) стандартный съем при щелочном травлении 15 мкм на одну сторону полностью удаляет поврежденный приповерхностный слой после ДСШ абразивом с плоской формой частиц и средним размером зерна 10 мкм и этот же съем определенно недостаточно для удаления поврежденного приповерхностного слоя после ДСШ абразивом острой краеугольной формы и средним размером зерна 18,5 мкм; в последнем случае остаются отдельные локальные механические повреждения, искажающие картину Пенделозунга; и) при удалении приповерхностных повреждений после ДСШ кислотным травлением плотность возникших в объеме пластин кремния ОДУ на 1 - 1,5 порядка величины выше в пластинах кремния, шлифованных абразивом остроугольной формы, чем в пластинах кремния, шлифованных плоскими частицами абразива. Отметим, что ОДУ не образуются на поверхности шлифованных пластин кремния при термическом окислении, а только в объеме пластин, что объяснено развитой поверхностью после шлифования и возможностью быстрой аннигиляции образующихся при термическом окислении межузельных атомов кремния на такой развитой поверхности; 111) при одностороннем удалении приповерхностных повреждений с помощью ХМП в одну стадию все измеряемые параметры (ширина КДО, радиус кривизны пластин, плотность ОДУ после

YS? термического окисления) стабилизируются на определенном уровне при меньшей величине съема материала с поверхности в случае ДСШ более мелким абразивом с плоской гексагональной формой частиц; эти характеристики не испытывают заметных колебаний при дальнейшем увеличении съема при ХМП, как это происходит в случае ДСШ более крупным абразивом с острой краеугольной формой зерна, что свидетельствует о крайне неоднородном характере распределения повреждений по глубине в последнем случае.

5. Оптической микроскопией с дифференциальным интерференционным контрастом проанализированы дефекты, возникающие при одностадийном и двустадийном ХМП до и после термического окисления.

Предложена схема секционирования пластин кремния, позволяющая разделить дефекты в ХМП-пластинах кремния, вызванные недостаточным удалением дефектов от ДСШ при ХМП, а также оценить вклад процесса ХМП в общую дефектность пластин кремния после термического окисления. Показано, что отношение плотности ОДУ, вызванных процессом ХМП к плотности ОДУ, обусловленных дефектами монокристалла составляет от 1,5 до 5.

6. Разработанная технология прецизионного и т.д. с использованием мелкого абразива с плоской гексагональной формой зерна и с применением вязкого суспензионного носителя показала свою высокую эффективность в используемом в ОАО «Элма» парке оборудования для ДСШ (станки типа Peter Wolters с плоскими и прорезными различного типа шлифовальниками). Ее применение позволило снизить глубину приповерхностных повреждений с 10-16 мкм до 5-9 мкм, улучшить параметры плоскостности пластин - снизить TTVcp. с 2,5 мкм до 1,5 мкм и повысить выход годных пластин на операции ДСШ на 0,5 - 1,0%. монокристаллического кремния. - Физика и химия обраб. материалов, 1974, №5, с.42-46.

11. Stickler R., Booker G. Surface damage on abraded silicon speciments.- Phil. Mag., 1963, 8, №89, p. 859-876.

12. Вертопрахов B.H., Зиновьева В.П. Механическое разрушение поверхности монокристаллов Si, Ge и соединений AIIIBV. -Физика и химия обраб. материалов, 1969, №4, с.97-104.

13. Richter Н., Kirscht F.-G., Brocke H.D., Weidner G. Ritzunterguchungen an Siliziumeinkristallen. - Krist. und Techn., 1975, 10, №12, s.1231-1237.

14. Татаренков А.И., Енишерлова К.Л., Русак Т.Ф., Гриднев В.Н. Методы контроля нарушенных слоев при механической обработке монокристаллов. - М.: Энергия, 1978.-64с.

15. Antony К. - Н. Die Theorie der nichtmethrishen Spanungen in Kristallen.- Acta rat. mech. Anal, 1971, 40, №1, s.50-78.

16. S.G. Roberts. Depth of cracks produced by abrasion of brittle materials. - Scripta Materialia, 1999, Vol.40, №1, pp.101-108.

17. V.F. Leavers. An active angularity factor for the characterization of abrasive particles. - Wear, 2000, Vol.239, №1, pp.102-110.

18. Большаков H.A., Литвинов Ю.М., Раскин A.A., Яковлев С.П. Новое в технологии обработки пластин кремния большого диаметра для изготовления СБИС. - Зарубежная электронная техника, 2000, выпуск 4, с. 17-29.

19. The Book of SEMI Standarts, 1999.

20. Clar R. Die Weiterentwicklung des maschinellen Lappens. -Fachberichte Oberflachentechnik, 1974, №12, s.20-22.

21. Peter Wolters. - Prospektmaterial: Ubergeben durch c. Bobsin -Verkaufsingenieur. Maschinenfabrik GmbH und Co.

22. Degner W., Bottger H. Handbuch der Feinbearbeitung. - Berlin: Verlag Technic, 1979.

23. Yasul T. Semiconductor wafers, Пат. 5.147.824 США МКИ5 H 01 L 21/304. Опубл. 15.09.1992.

24. Hauser С., Nasch P.M. Advanced slicing techniques for single crystals. Proc. of the First Internat. School of Crystal Growth Technology, Beatenberg, Switzerland, 5-16 Sept. 1998, Book of Lecture Notes. Ed. Scheel H.J. 1998, pp.204-216.

25. Kao I., Prasad V., Chiang F.P., Bhaqavat M., Wei S. Modeling and experiments on wiresaw for large silicon wafer manufacturing. In Silicon Materials Science and Technology, Eds. H.R. Huff, H. Tsuya, U.Goselle, 1998, Vol.1, pp.607-618.

26. Takada A., Yamagishi H., Minami H., Imai M. Research and development of super silicon wafers. In Silicon Materials Science and Technology, Eds. H.R. Huff, H. Tsuya, U.Goselle, 1998, Vol.1, pp.376-395.

27. Kojima M., Kuboki Т., Tasaka M., Hayashi C., Aihara T. Development of wiresawing technology for manufacturing compact heat sinks for ULSI packages. Int. J. Japan Soc. Prec. Eng., - 1998, Vol.32, №2, pp.90-97.

28. Sahoo R.K., Prasad V., Kao I., Talbot J., Gupta K.P. Towards an integrated approach for analysis and design of wafer slicing by wire saw. Trans, of ASME. J. of Electron. Pack.-1998, Vol.120, №1, pp. 35-40.

29. Li J., Kao I., Prasad V. Modelling stresses of contacts in wire saw slicing of polycrystalline and crystalline ingots: applicaton to silicon wafers production, Trans, of ASME. J. of Electron. Pack.-1998, Vol.120, №2, pp. 123-128.

30. Yang F., Kao I. Interior stress for axisymmetric abrasive indentation in free abrasive machining process: slicing silicon wafers with modern wiresaw. Trans, of ASME J. of Electron Pack.-1999, Vol.121, №3,pp.l91-195.

31. Suwable H., Ishikawa K.A. Study of the processing characteristics of a multi - wire saw: Regarding the effects of slurry composition. Int. J. Japan. Soc. Prec. Eng.-1999, Vol.33, №2, pp.120-121.

32. I. Kao, V. Prasad, J. Li, and M. Bhagavat. Wafer slicing and wire saw manufacturing technology. In NSF Grantees Conference, Seattle, Washington, 1997, pp. 239-240.

33. I. Kao, V. Prasad, J. Li, M. Bhagavat, S. Wei, J. Talbott, and K.Gupta. Modern wiresaw technology for large crystals. In Proceedings of ACCGE/east-97,1997.

34. M. Kojima, A. Tomizawa, and J. Takase. Development of new wafer slicing equipment (unidirectional multi wire-saw). Sumitomo Metals, 42:4, 1990.

35. R. Wells. Wire saw slicing of large diameter crystals. Solid State Tecnology, 1987, pp. 63-63

36. Seynhaeve G. Bekaert sawing wire: how a wire producer sees the future of sawing wire. Proc. of the Seventh Scientific and Business Conference «Silicon-2000», Nov.7-10, 2000, Roznov, Czech Republic, pp.75-78.

37. Jones J.В., Dyer L.D. Notch bevelling on semiconductor wafer edges. Пат. 5.289.661 США, МКИ5 В 24 В 9/08. 0публ.01.03.1994.

38. Fisher G.R. Challenges for 300 mm polished wafer manufacturers. Semicond. Internat. 1998, Vol.22, №9, pp.97,98,100,102.

S&z

39. Konnemann G., Eichhorn H., Petzold R. Nanogrinder for high precision machining of silicon wafers. Ind. Diamond Rev. - 1999, №1, pp.30,32,33.

40. Pahler D. Rotation grinding of silicon wafers. Proc. of the Seventh Scientific and Business Conference "Silicon-2000", Nov.7-10, 2000, Roznov, Czech Republic, pp.26-51.

41. Dietrich H., Bergolz W., Dubbert S. Three hundreed-mm wafers: a technological and an economical challenge, Microelectronic Engineering. - 1999, Vol.45, №2/3, pp. 180-183.

42. Bauer T., Fabry L., Teuschler T., Schwab G., Stadler M. Quality aspects of chemical etching of silicon. In Silicon Materials Science and Technology, Eds. H.R. Huff, H. Tsuya, U.Goselle, 1998, Yol.l, pp.619-628.

43. Zhao B., Shi F.G. Chemical mechanical polishing: Threshold pressure and mechanism. Electrochem. Solid-State Lett.-1999, Vol.2, №3, pp. 145-147.

44. Basim G.B., Adler J.J., Mahajan U., Siugh R.K., Mondgil B.M. Effect particle size of chemical mechanical polishing slurries for enchanced polishing with minimal defects. J. Electrochem. Soc.-2000, v. 147, №9, pp.3523-3528.

45. Alekseev N.M., Goldshtein R.V., Osipenko N.M. Izv. AN SSSR. Mekhanika Tverdogo Tela. - 1992, v.27, №5, pp. 134-143.

46. Goldshtein R.V., Osipenko N.M. Fracture aspects of the chemical mechanical polishing. Abstr. of the Euromech colloquium 418 "Fracture Aspects in Manufacturing", 25-29 Sept. 2000, Moscow, p. 18.

47. Winkler R., Hanke W. On the effect of edge polishing on the yield of 4Mbit DRAM's. In Silicon Materials Science and Technology, Eds. H.R.Huff, H. Tsuya, U. Goselle, 1998, Vol.1, pp.1325-1336.

48. Meyer F., White J.B. Acid etching: Chemistry characterizes silicon wafer surface metals. Semicond. Internat.-1998, Vol.22, №8, pp.137,138,140,142,144.

49. Panek P., Englisova V. Stabilization of SC-1 and SC-2 cleaning solutions. Proc. of the Seventh Scientific and Business Conference "Silicon-2000", Nov.7-10, 2000, Roznov, Czech Republic, pp. 139142.

50. Martin A.R., Baeyns M., Hub W., Mertens P.W., Kolbesen B.O. Alkaline cleaning of silicon wafers: additives for prevention of metal contamination. Microelectronic Engineering-1999, Vol.45, №2/3, pp. 197-208.

51. Loewenstein L.M., Mertens P.W. Competitive adsorption of cations onto the silicon surface: the role of the ammonium ion in ammoniaperoxide solution. J. Electrochem. Soc.-1999, Vol.146, №10, pp. 3886-3889.

52. Mertens P.W., Bearda Т., Houssa M., Loewenstein L.M., Cornelissen I., Degent S., Kenis K., Teerlinck I., Vos R., Meuris M., Heyns M.M. Advanced cleaning for the growth of ultrathin gate oxide. Microelectronic Engineering-1999, Vol.48, №1/4, pp.199-206.

53. A.M. Афанасьев, П. А. Александров, P.M. Имамов. Рентгенодифракцнонная диагностика субмикронных слоев. М., Наука, - 1989,- 152с.

54. Отчет по НИР «Разработка прецизионных рентгеновских методов контроля и мониторинг технологических процессов подготовки пластин кремния диаметром 150 мм» 4.1. ГИРЕДМЕТ, М.,1998,- с.44.

55. Еорелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев JI.H. Рентгенографический и электронно-оптический анализ: Учебное пособие для вузов. - М: МИСИС, 1994, - 328с.

56. Отчет по НИР «Контроль механических повреждений в пластинах кремния диаметром 150 мм рентгеновскими методами» (Дог.№21р-96 от 01.02.1996г.) М., ЕИРЕДМЕТ, 1996, -20с.

57. Н. Shiwaku, К. Hyodo, M.Ando. X-ray characterization of lapped surface Si and Ge single crystals at 33.17 keV. Jap. J. Appl. Phys. Pt.2, 1991, v.31, pp.2065-2067.

58. Павлов В.Ф. Отчет по НИР "Разработка неразрушающей рентгенотопографической методики оценки структурного совершенства тонких мембранных композиций". М., ЕИРЕДМЕТ- 1994, 51 с.

59. И.Л. Шульпина. Рентгеновская дифракционная плосковолновая топография. Заводская лаборатория. Диагностика материалов. №2, том 66, 2000, с.25-37.

60. X. Zhang, T.Y. Zhang, Y. Zohar, S. Lee. Investigation of subsurface damage in silicon wafers. MRS Symp. Proc.,1997, Vol.442, pp. 199204.

61. H. Yoshihiro, S. Tetsuo, I. Hidetoshi, T. Satori. Разработка процесса регенерации кремниевых пластин. Kobe Steel Eng. Repts.- 1998.-48, №3, c.47-50. - Яп.

62. I. Zarudi, L.Zhang. Subsurface damage in single-crystal silicon due to grinding and polishing. J. Mater. Sci. Lett. - 1996, Vol.15, №7, pp.586-587. У

63. J. Verney et al. The surface of machined silicon wafers: a Raman spectroscopy study. Semicond. Sci. Technol.-1994, Vol.9, №4, pp.404-408

64. F. Anthony, D. McCarter, J. Bertelsen and M.Tangedahl. McCarter superfinish for silicon. SPIE, 1999, Vol.3782, pp.51-60.

65. Annual Book of ASTM Standards 2000. Vol. 10.05.

66. ASTM Standards F950-97/

67. Гергель B.A., Зимогляд B.A., Лебедев C.B., Литвинов Ю.М., Ракитин В.В. Природа центров аномальной генерации тока утечки в динамических запоминающих устройствах //Микроэлектроника. - 1989. -т.18, №4. с.376-378.

68. ASTM Standards Book. 2000. Vol. 10.05. Standard ASTM F1727-97.

69. Купцова И.Е., Литвинов Ю.М., Макаров A.C., Яковлев С.П. Механизм генерации окислительных дефектов упаковки в пластинах кремния с различным уровнем приповерхностных повреждений и микрорельефа поверхности // Тезисы докладов IX Национальной конференции по росту кристаллов. Москва, ЖРАН, 2000 г., с.165.

70. Проспект ф. «Fujimi Corporation».

71. Y.M. Litvinov, S.P. Yakovlev. Abrasive Grain Shape and Size Effect on Structure and Depth of the Damages in Silicon Wafers During Lapping by Loose Abrasive // The Seventh Scientific and Business Conference (Silicon-2000). Roznov pod Radhostem, Czech Republic, 2000, pp. 8-11.

72. Литвинов М.Ю., Павлов В.Ф., Хохлов А.И., Чистякова С.И., Яковлев С.П. Влияние размера и формы зерна абразива на структуру и глубину повреждений в пластинах кремния при их

Y6S шлифовании свободным абразивом // Труды седьмой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» ПЭМ-2000. Таганрог, ТРТУ, 2000г., с.21-23.

73. Hua Y.N. A new chemical diagnostic method for silicon defects in wafer fabrication //ECS Proc.- Vol.99-16.-p.533-536.

74. Hua Y.N. A study of "twin" <100> square hillock silicon crystalline 155 Wright etch // ECS Proc. - Vol.2000-17.-p.677-682.

75. M.M. Светлакова, С.П. Яковлев, Ю.М. Литвинов, А.С. Макаров, С.В.Петров. Применение окислительного теста для контроля качества поверхности химико-механически полированных пластин кремния//Известия ВУЗов. Электроника. - 2002, (в печати).

76. Ogita Y., Kobayashi Н., Daio Н. Photoconductivity characterization of silicon wafer mirror-polishing subsurface damage related to gate oxide integrity // J. Crystal Growth.-2000. -Vol.210. №2-3. -p.36-39.

77. Макаров A.C., Неустроев С.А., Литвинов Ю.М., Литвинов М.Ю. Атомный механизм процесса химико-механического полирования пластин кремния // Известия ВУЗов. Электроника-2000. - №3.-с.34 - 37.

78. Лебедев С.В., Литвинов Ю.М., Литвинов М.Ю., Макаров А.С., Павлов В.Ф. Рентгенодифракционное и электронномикроскопическое исследование структуры нарушений, возникающих при химико-механическом полировании пластин кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхроторонные и нейтронные исследования. -2000. -№9. -с.90-93.

79. Litvinov Yu. M., Makarov A.S. Mechanical strenght of back-side thinning silicon device-fabricated wafers. I I Proc. of the Seventh Scientific and Business Conference (Silicon 2000), Roznov pod Radhostem, Czech Republic, 2000, -P.23-25.

80. Алехин В.П., Литвинов М.Ю., Литвинов Ю.М., Скворцов В.Н. Определение механических свойств приповерхностных слоев в полированных пластинах кремния методом непрерывного вдавливания индентора. Известия ВУЗов . Материалы электронной техники. -2000. -№3. -с.69-72.

81. Chen Z., Lee S.M., Singh R.K. Increased copper outplating from dilute HF solutions on microstructurally modified silicon surfaces // J. Electrochem. Soc. -2000. -Vol.147 -№10. -P.3889-3891.

82. Yu.M. Litvinov, A.S. Makarov, S.V. Petrov, M.M. Svetlakova, S.P. Yakovlev. Oxidation test application for chemical-mechanical polished (CMP) silicon wafers quality control // Fourth International Conference "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer" (ICSC-2001). Obninsk, 2001, pp. 605-612.

83. Lawn B. R. Partial cone crack formation in a brittl material loaded with a sliding spherical indenter. - Proc. Roy. Soc. A, 1967, 299, pp.307-316.

84. J. Lambropoulos, Yi Li, P. Funkenbusch, J.Ruckman. Non-contact estimate of grinding-induced subsurface damage. SPIE Vol.3782, pp.41-50

85. Evans A.G., Charles E.A. Fracture toughness determinations by indentation. - J. Amer. Ceram. Soc., 1976, №7/8, pp.371-372.

86. M. Buijs, K. Korpel-van Houten. Three-body abrasion of brittle materials as studied by lapping. -Wear, 166 (1993), pp.237-245.

87. М. Buijs, К. Korpel-van Houten. A model for lapping of glass. - J. Mater. Sci. Vol.28 (1993), pp.3014-3020.

88. A.E. Giannakopoulos, S. Suresh. Theory of indentation of piezoelectric materials. - Acta Mater. 1999, Vol.47, No.7, pp.21532164.

89. Kassir S.M., Walsh T.A. Grinding process and apparatus for planarizing sawed wafers: Пат. 5964646 США, МКИ6 В 24 В 1/00. Опубл. 12.10.1999.

90. Макаров А.С. Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико - механическом полировании. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 2000, с. 100.

91. Большаков Н.А., Яковлев С.П. Сравнительный анализ нарушений, возникающих в пластинах кремния после резки и двухстороннего шлифования // Тез. докл. Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и Информатика-99". Москва, МИЭТ, 1999, с. 55.

92. P. Wrigth. Double Side lapping. Moscow STEP/Wafer Seminar SEMI. Feb.1994.