автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии

Введение.

Глава 1. Литературный обзор по методам получения и свойствам керамических структур.

1.1. Свойства высокотемпературной сверхпроводящей

ВТСП) керамики.

1.1.1. Особенности ВТСП материалов.

1.1.2. Сведения о фазовых равновесиях в системах Y-Ba-Cu-0 (YBCO) и Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 (BPSCCO).

1.1.3. Сведения о структуре ВТСП материалов.

1.2. Свойства керамики цирконата-титаната свинца (ЦТС).

1.3. Технология получения соеданений ВТСП и ЦТС.

1.3.1. Методы синтеза соединений ВТСП и ЦТС.

1.3.2. Особенности оксидно-карбонатной технологии синтеза ВТСП соединений.

1.4. Получение пленок ВТСП и ЦТС методом магнетронного напыления.

1.4.1. Характеристика магнетронных распылительных систем.

1.4.2. Технологические параметры напыления пленок.

1.4.3. Пленки YBCO с а-осевойориентацией.

1.4.4. Пленки YBCO с с-осевой ориентацией.

1.4.5. Пленки BPSCCO.

1.4.6. Пленки ЦТС.

1.5. Применение керамических структур ВТСП и ЦТС.

1.5.1. Применение ВТСП материалов.

1.5.2. Применение ЦТС керамики.

Краткие выводы по главе 1.

Глава 2. Моделирование параметров спекания керамических материалов.

2.1. Моделирование этапа непосредственного спекания керамики.

2.2. Моделирование этапа роста зерен керамики.

Краткие выводы по главе 2.

Глава 3. Разработка процессов получения объемных и пленочных керамических структур YBCO, BPSCCO и ЦТС.

3.1. Синтез объемных образцов ВТСП.

3.1.1. Система YBCO.

3.1.2. Система BPSCCO.

3.1.3. Ускоренная технология синтеза.

3.1.4. Изучение возможности применения стадии плавления при синтезе.

3.2. Получение пленочных образцов ВТСП на буферных слоях ЦТС.

Краткие выводы по главе 3.

Глава 4. Методы измерения параметров керамических структур.

4.1. Измерение толщины пленочных образцов.

4.2. Рентгенофазовый анализ (РФА) образцов.

4.3. Измерения сверхпроводящих характеристик ВТСП образцов.

Краткие выводы по главе 4.

Глава 5. Исследование керамических структур.

5.1. Исследование свойств объемных образцов ВТСП.

5.1.1. Система YBCO.

5.1.2. Система BPSCCO.

5.2. Исследование свойств пленочных образцов BPSCCO на буферных слоях ЦТС.

Краткие выводы по главе 5.

Глава 6. Практическая реализация полученных результатов.

6.1. Разработка компаратора постоянного тока азотного уровня охлаждения.

6.2. Разработка высокочастотного (БЧ) сквида.

Краткие выводы по главе 6,.

Открытие в 1986 году явления высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) дало мощный толчок развитию работы по созданию криогенной аппаратуры азотного уровня охлаждения. В настоящее время применение ВТСП в областях техники, требующих слабых токов, является реальной задачей ближайших лет.

Постоянная тенденция повышения точности радиоизмерительных приборов и увеличение их парка делает актуальной разработку средств калибровки и поверки, основанной на новых принципах и технологиях. Большой интерес представляет использование таких квантовых явлений, как эффекты Джозефсона и квантование магнитного потока для создания прецизионных измерителей ослабления, напряжения и мощности тока. Научно-исследовательские работы по разработке таких устройств на основе сверхпроводящих материалов гелиевого уровня охлаждения, проведенные в различных метрологических организациях, в том числе и во ВНИИФТРИ, показали, что их точности не уступали точности существующих эталонов, а по такому параметру, как минимально измеряемая мощность, существенно их превосходили. Однако необходимость применения дорогостоящего в эксплуатации криогенного оборудования на уровне температур жидкого гелия, а также некоторая усложненность процедуры измерений, связанная с бесселеобразной зависимостью входного и выходного сигналов, существенно ограничивали работы в этой области. Прогресс в области производства и использования персональных компьютеров сделал вторую причину несущественной, а открытие ВТСП керамических материалов позволяет надеяться, что будет преодолена и первая причина.

В нашей стране ведутся работы по созданию одно- и многоканальных сквидов с уровнем шумов до 10"4 Фо/Гц. Такие устройства могут найти применение при измерении слабых магнитных полей, прецизионных измерений электрического напряжения и тока, величины затухания высокочастотных (ВЧ) колебаний в радиочастотном диапазоне.

Таким образом, разработка технологии получения ВТСП материалов для приборов метрологии является актуальной задачей. Из ВТСП материалов в настоящее время наиболее изучены системы Y-Ba-Cu-O (YBCO) и Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0

BPSCCO). Для их практического применения необходимо разработать стабильные технологии получения объемных и пленочных структур.

Основными параметрами технологического процесса, влияющими на воспроизводимость ВТСП свойств получаемых объемных образцов YBCO и BPSCCO, является качество исходного сырья, температура и длительность спекания, состав атмосферы при спекании.

Для получения пленочных образцов ВТСП в настоящее время широко используется метод магнетронного распыления на постоянном или ВЧ токе, который обеспечивает высокие сверхпроводящие параметры и кристаллическое качество пленок. На свойства получаемых пленок YBCO и BPSCCO оказывают влияние различные технологические параметры: температура подложки в процессе нанесения пленки, состав и давление рабочего газа в камере, мощность разряда, положение подложки относительно мишени, последующий отжиг пленки и другие.

Одной из основных проблем при напылении ВТСП пленок является получение высококачественных буферных слоев между подложкой и пленкой. Буферные слои позволяют исключить взаимную диффузию веществ подложки и пленки, повысить адгезию пленки, сделать соразмерными термические коэффициенты расширения.

Целью работы является разработка технологии синтеза и оптимизация параметров синтеза объемных и пленочных ВТСП керамических структур на основе систем YBCO и BPSCCO для приборов метрологии.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые получены положительные результаты синтеза ВТСП соединения в системе YBCO по технологии без применения стадии отжига в кислороде.

2. Впервые проведены работы по методу ускоренного синтеза ВТСП соединения на основе системы BPSCCO. Представлен механизм синтеза ВТСП фазы 2223 в висмутовой системе по этому методу, который позволяет снизить время отжига в 5-6 раз по сравнению с традиционным синтезом.

3. Впервые получены образцы ВТСП пленок системы BPSCCO на буферных слоях пьезоэлектрического материала с перовскитной кристаллической структурой цирконата-титаната свинца (ЦТС) методом ВЧ магнетронного напыления.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработаны математические модели, учитывающие влияние размеров зерен, коэффициентов диффузии и поверхностных энергий исходных компонентов, температуры и времени спекания на размер зерен и усадку получаемой керамики.

2. Проведены работы по синтезу ВТСП соединений в системе YBCO и BPSCCO по традиционной технологии и разработанным методам.

3. Определены методики исследования фазового состава и сверхпроводящих характеристик объемных и пленочных керамических образцов ВТСП.

4. Разработана технология ВЧ магнетронного напыления ВТСП пленок на буферных слоях из пьезокерамики ЦТС.

5. Разработаны конструкции и изготовлены установки для измерения магнитных характеристик объемных и R-T характеристик пленочных образцов ВТСП при комнатных и низких температурах.

6. На основе полученных ВТСП керамических структур разработаны и изготовлены макеты компараторов напряжения постоянного и переменного токов азотного уровня охлаждения.

Совокупность представленных в диссертации данных позволяет сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты математического моделирования процесса спекания керамики.

2. Технология синтеза ВТСП соединения в системе YBCO без применения стадии отжига в кислороде.

3. Метод ускоренного синтеза ВТСП фазы на основе системы BPSCCO.

4. Технология ВЧ магнетронного напыления пленок системы BPSCCO на буферных слоях ЦТС с последующим отжигом.

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. Проведен анализ литературных источников по свойствам, методам получения и областям применения высокотемпературной сверхпроводящей (ВТСП) и пьезоэлектрической керамике.

1.1. Показано, что важнейшее направление внедрения ВТСП керамики систем Y-Ba-Cu-0 (YBCO) и Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 (BPSCCO) - это применение ряда устройств, работа которых основана на реализации макроскопических квантовых эффектов, в первую очередь эффекта Джозефсона. Работающие при температуре жидкого азота ВТСП приборы позволят существенно (на 1-2 порядка) поднять уровень чувствительности в области электрических и магнитных измерений, который в настоящее время обеспечивается полупроводниковыми элементами. В первую очередь следует отметить создание образцовой аппаратуры для автономного воспроизведения размера единицы ЭДС, изготовление сквидов и сверхчувствительных магнитометров на их основе, сверхмалошумящих операционных усилителей, высокочувствительных компараторов, преобразователей ряда физических величин в электрические и т.п.

1.2. Рассмотрены свойства и области применения пьезоэлектрической керамики на основе цирконата-титаната свинца (ЦТС). Этот материал находит широкое применение в радиоэлектронных устройствах, основанных на взаимном преобразовании механической и электрической энергии. Рассмотрено влияние различных легирующие добавок для улучшения пьезоэлектрических свойств ЦТС керамики.

1.3. Обзор исследований свойств ВТСП керамики YBCO и BPSCCO и пьезо-керамики ЦТС показал, что наиболее оптимальным методом их получения является оксидно-карбонатная технология.

Выявлены параметры технологического процесса, влияющие на воспроизводимость ВТСП свойств получаемых объемных образцов YBCO и BPSCCO методом твердофазного синтеза: качество исходных оксидов и карбонатов металлов, скорость нагрева и охлаждения, температура и длительность отжигов, парциальное давление кислорода на всех этапах термической обработки материала. Рассмотрено влияние каждого из этих параметров на свойства получаемой «ерамики.

1.4. Показано, что на свойства пленок YBCO, BPSCCO и ЦТС, получаемых методом магнетронного напыления, влияют различные технологические параметры: материал подложки, температура подложки при напылении, состав и давление атмосфера в камере, положение подложки относительно мишени, температура и время отжига пленки. Также большое влияние оказывают состав и толщина буферных слоев между пленкой и подложкой.

2. Разработаны математические модели, учитывающие влияние размеров зерен, коэффициентов диффузии и поверхностных энергий исходных компонентов, температуры и времени спекания на размер зерен и усадку получаемой керамики. Выявлено, что процесс спекания проходит в два этапа: непосредственно спекание и рост зерен.

2.1. Установлено, что на первом этапе спекания центры зерен сближаются, при этом радиусы зерен возрастают незначительно. Размер спекающегося зерна достигает определенного значения. Наблюдается интенсивная усадка материала до неизменнрго значения.

2.2. Показано, что на втором этапе спекания керамики система зерен стремится к минимуму поверхностной энергии, происходит уменьшение поверхностных границ зерен. Это означает, что зерна с большим радиусом укрупняются, а зерна с меньшим радиусом уменьшаются и сливаются между собой, образуя крупные зерна кристаллитов, что подтверждается экспериментальными данными.

3. Проведен синтез ВТСП соединения в системе YBCO по традиционной технологии и по технологии без применения стадии отжига в кислороде. Впервые получены положительные результаты по синтезу ВТСП соединения в иттриевой системе без применения стадии отжига в кислороде.

4. Впервые проведены работы по методу ускоренного синтеза и методу с применением стадии плавления при синтезе сверхпроводящей фазы на основе системы BPSCCO.

4.1. Представлен механизм синтеза ВТСП фазы 2223 в висмутовой системе по ускоренному методу синтеза, который позволяет снизить время отжига при температуре 850°С до 60-70 часов вместо 300-400 часов при традиционном синтезе. Для этого необходимо вместе с исходаой шихтой, состоящей из смеси В12Оз, РЮ, СиО,

122

СаСОз, SrCCb, взятых в необходимых стехиометрических соотношениях, ввести в состав смеси готовый (уже просинтезированный) ВТСП материал того же состава.

4.2. Попытки ускорения процесса синтеза с использованием стадии плавления показали бесперспективность этого направления работы.

5. Определены методики исследования фазового состава и сверхпроводящих свойств объемных и пленочных керамических образцов.

Разработаны конструкции и изготовлены установки для измерения магнитных характеристик объемных и R-T характеристик пленочных образцов ВТСП при комнатные и низких температурах.

6. Разработана технология ВЧ магнетронного напыления ВТСП пленок на буферных сдоях. Впервые получены образцы ВТСП пленок системы BPSCCO на подслоях ЦТС.

Проведен анализ состава и сверхпроводящих свойств пленок BPSCCO и буферных слоев ЦТС. Выявлено, что пленки с ВТСП свойствами можно получить только при напылении на ненагретые подложки с подслоями ЦТС, нанесенных также при комнатной температуре, с последующим отжигом не менее 16 часов при температуре 850°С на воздухе. Температура ВТСП перехода составляет 78 К.

7. На основе полученных ВТСП керамических структур разработаны и изготовленье макеты компараторов напряжения постоянного и переменного токов азотного уровня охлаждения. Описан принцип действия этих устройств.

Заключение

1. Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования. Под ред. А.А.Киселева. Л., «Машиностроение», 1990, Т.1, 686 е.

2. D.G.Hings, L.Soderholm, D.W.Capone et al. Phase diagram and superconductivity in the Y-Ba-Cu-0 system // Appl.Phys.Lett., 1987, V.50, N 23, pp. 1688-1690.

3. Y.Oka et al. // Jap.J.Appl.Phys, 1989, V.28, p.L213.

4. N.Kijima et.al. // Jap.J.Appl.Phys., 1988, V.27, p.L1852.

5. H.Napio et al. // Jap.J.Appl.Phys., 1989, V.28, p.L364.

6. В.Д.Горабченкр и др. // СФХТ, 1989, Т.2, N 12, с. 136.

7. Е.К.Казенас, Д.М.Чижиков. Давление и состав пара над окислами химических элементов. М., Наука, 1976, с. 116.

8. Y.HaJpjraku etal. // Jap.J.Appl.Phys., 1989, V.28, p.L67.

9. Y.Hakuraku et al. // Jap.J.Appl.Phys, 1989, V.28, p.L402.

10. S.Royama et al.JJ Jap.J.Appl.Phys., 1988, V.27, p.L1861.

11. A.Tanaka et al. // Appl.Phys.Lett., 1989, V.55, N 12, p. 1252.

12. A.Ono et al. // Jap.J.Appl.Phys, 1989, V.28, p.L54.

13. H.M.Hsu et al. // Appl.Phys.Lett, 1989, V.54, p.957.

14. А.Я.Фетисов, А.А.Фотиев. Особенности синтеза (BiPb)2Sr2Ca2Cu30x в больших объемах // СФХТ, 1993, Т.6, N 7, е. 1552.

15. J.Karphinski, C.Beeli, E.Kaldis et al. Crystallization of YBaCuO from nearly stoichiometric and non-stoichiometric melts under oxygen pressures up to 2800 bar // PhysicaC, 1988, V.153-155, pp.830-831.

16. G.Roth, G.Heger, P.Schweiss et al. Copper deficiency in YBaCuO // Physica C, 1988, V. 152, N 4, pp.329-334.

17. S.L.Swartz, T.R.Shrout, T.Takenaka. Electronic ceramics R&D in the U.S., Japan // Amer.Ceram.Soc.Bull, 1997, V.76, N 7, pp.59-65 {part 1), N 8, pp.51-55 (part 2).

18. S.M.Gupta, J.F.Li, D.Viehland. Coexistence of relaxor and normal ferroelecti ic phases in morphotropic phase boundary compositions of lanthanum-modified lead zirco-nate-titanate //J.Amer.Ceram.Soc, 1998, V.81, N 3, pp.557-564.

19. С.A.Randall, N.Kim, J.-P.Kucera, W.Cao, T.R.Shrout. Intrinsic and extrinsic size effects in fine-grained morphotropic phase boundary lead zirconate titanate ceramics //J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N 3, pp.677-688.

20. K.G.Brooks, I.M.Reaney, R.Klissurska, Y.Huang, L.Bursill, N.Setter. Orientation of rapid thermally annealed lead zirconate titanate thin films on (111) Pt substrates // J.Mater.R^s., 1994, V.9, N 10, pp.2540-2553.

21. A.P.Wilkinson, J.S.Speck, A.K.Cheetham, S.Natarajan, J.M.Thomas. In situ x-ray diffraction study of crystallization kinetics in PbZi ixTix03 (PZT, x=0.0, 0.55, 1.0) // Chem.Mater., 1994, V.6, N 6, p.750.

22. A.Seifert, F.F.Lange, J.S.Speck. Epitaxial growth of РЬТЮ3 thin films on (001) SrTi03 solution precursors// J.Mater.Res., 1995, V.10, N 3, pp.680-690.

23. H.J.Hwang, T.Nagai, T.Ohji, M.Sando, M.Toriyama. Curie temperature anomaly in lead zirconate titanate / silver composites // J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N 3, pp.709-712.

24. K.Kenji, K.Hiromitsu, Y.Toshinobu. Preparation of lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) fibers by sol-gel method // J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N5, pp. 11891196.

25. L.Li, X.Zhang, J.Chai. Low temperature sintering of PZT ceramics // Ferroelec-trics, 1990, V.IOI.p. 101-108.

26. Z.Gui, L.Li, S.Gao, X.Zhang. Low temperature sintering of lead-based piezoelectric ceramics // J.Amer.Ceram.Soc., 1989, V.72, N 3, p.486-491.

27. C.-H. Wang, L. Wu. Effect of sintering and poling conditions on the properties of 0.125Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 0.875Pb(Zr0.5Ti0.5)O3 ceramics doped with 4Pb0-B203 // Ce-ram.Int., 1993, V.19, p.391-398.

28. S.Kaneko, D.Dong, K.Murakami. Effect of simultaneous addition of BiFe03 and Ba(Cuo.5Wo,5)03 on lowering of sintering temperature of Pb(Zr,Ti)03 ceramics // J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N 4, p,1013-l(HS.

29. C-Jeong-Ho, P.In-Kil, K.Ho-Gi, C.Hoon-Taek. Sintering behavior of cadmium-doped Pb(Mii/3Nb2/3)03 PbZr03 - PbTi03 ceramics // J.AmervCeram.Soc., 1997, V.80, N 6, p.1523-1534.

30. A.Ayerbe, C.Blanco, L.Cosin. Synthesis and characterization of PZT modified with strontium, PSZT, using commercial products // Afmidad Liv, 1997, Y.54, N 470, p.272-278.

31. M.Cerqueira, R.S.Nasar, E.Longo, J.A.Varela, A.Beltran, R.Llusar, J.Andres. Piezoelectric behavior of PZT doped with calcium: a combined experimental and theoretical study// J.Mater.Spi., 1997, V.32, N 9, p.2381-2386.

32. Seok-Jin Yoon, Moon Jong H., Kim Hyun-Jai. Piezoelectric and mechanical properties of Pb(Zr0.52Tio.48)03 Pb(Y2/3W1/3)03 (PZT-PYW) ceramics // J.Mater.Sci., 1997, V.32, N 3, p.779-782.

33. Hyu-Bum Park, Chan Young Park, Young-Sik Hong, Keon Kim, Si-Joong Kim. Structural and dielectric properties of PLZT ceramics modified with lanthanide ions // J.Amer.Ceram.Soc., 1999, V.82, N 1, p.94-102.

34. Y.Liu, P.P.Phule. Sequence of phase formation in chemically derived ferroelectric lead zirconate titanate Pb(Zro.4Tio.6)03 thin films // J.Amer.Ceram.Soc., 1997, V.80, N9, p.2410-2412.

35. C.K.Kwok, S.B.Desu. Low temperature perovskite formation of lead zirconate titanate thin films by a seeding process // J.Mater.Res., 1993, V.8, p.339.

36. T.Fukui, C.Sakurai, M.Okuyama. Chemical structure of a complex alkoxide as a precursor of Pb(Mgi/3Nb2/3)03 // J.Ceram.Soc.Jpn., 1994, V.102, N 4, p.395-398.

37. T.J.Boyle, H.N.A1 Shareef. A new and rapid process for production of solution-derived (Pb,La)(Zr,Ti)03 thin films and powders // J Mater.Sci., 1997, V.32, N 9, p.2263-2266.

38. M.A.Akbas, W.E.Lee. Characterization and densification of PLZT powder co-precipitated from chloride-nitrate solutions // Brit.Ceram.Trans, and J., 1996, V.95, N 2, p.49-52.

39. S.K.Saha, P.Pramanic. Novell route to PLZT powder synthesis starting from aqueous solution // Brit.Ceram.Trans. and J., 1997, V.96, N 1, p.21-24.

40. J.Zeng, S.Song, L.Wang, M.Zhang, L.Zheng, C.Lin. Sol-gel preparation of Pb(Zr0.5T10 s)03 ferroelectric thin films using zirconium oxynitrate as the zirconium source // J,Amer.Ceram.Soc., 1999, V.82, N 2, p.461-464.

41. M.Hammer, C.Monty, A.Endriss, M.J.Hoffmann. Correlation between surface texture and chemical composition in undoped, hard, and soft piezoelectric PZT ceramics // J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N 3, p.721-724.

42. M.Kobune, A.Mineshige, S.Fujii, Y.Maeda, J.Fummoto. Preparation and py-roelectric properties of (Pb,La)(Zr,Ti)03 ceramics// J.Ceram.Soc.Jpn., 1997, V.105, N 4, p.312-316.

43. А.Ю.Мусатенко, Н.А.Козловская, Я.М.Муковский и др. Особенности кинетики образования УВа2Сиз07х при Т=950°С из прессованной смеси порошков Y203, CuO и ВаС03 или ВаО // СФХТ, 1989, Т.2, N 8, с.95-100.

44. F.Zhanguo, J.Chunlin. Kinetics of formation of superconducting YBCO from constituent compounds BaCu02 and Y2Cu205 // Journal of the Less-Common Metals, 1989, V.152, pp.L5-L10.

45. H.-U.Kiebs. On the kinetics of superconducting phase formation YBCO // Journal of the Less-Common Metals, 1989, V.150, pp.269-275.

46. T.W.Huang, N.C.Wu, Y.H.Chou, W.T.Lin et al. The formation of superconducting YBCO through solid state reaction II J.Cryst.Growth, 1988, V.91, pp.402-409.

47. N.P.Bansal. Effect of processing parameters on the characteristics of high-Tc superconductors YBa2Cu3Gy//J.Mater.Res., 1988, V.3, N 6, pp.1304-1310.

48. A.Noznc, H.Nasu, K.Tanaka et al. Processing dependence on microstructure and superconducting properties in the {Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-0 system // Jap.J.Appl.Phys., 1989, V.2§, N 12, pp.L2161-L2164.

49. W.Herkert, H.W.Neumeuller, M.Wilhelm. Preparation and magnetic properties of high-Tc 130 К Bi-Sr-Ca-Cu-oxide superconductors // Solid State Commun., 1989, V.69,N 2, pp. 183-185.

50. M.Nakajima, S.Kawarabuki, T.Saski et al. Synthesis of a 110 К superconducting phase in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system // Jap.J.Appl.Phys., 1989, V.28, N 6, pp.L943-L945.

51. C.Xianhui, X.Jiansheng, C.Zuyao et al. Preparation of the high-Tc phase of Fb-doped Bi-Sr-Ca-Cu-0 superconductor // Solid State Commun., 1989, V.71, N 2, pp. 117119.

52. G.Calestani, C.Rizzoli, G.Andreetti. Composition effects on the formation and superconducting character of c~31A phases in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 and Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 systems X-ray and ESR analysis // Physica C, 1989, V. 158, pp.217-224.

53. Y.Mei, S.Green et al. Preparation of a single-phase fBio^PbojbSriCazCujOy ceramic superconductor // J.Appl.Phys., 1989, V.66, N 4, pp. 1777-1781.

54. J.Jianyi, S.Jupin et al. Preparation and properties of the single 110 К phase Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-0 superconductor // Z.Phys.B Cond.Mater., 1989, V.77, pp. 193-195.

55. B.L.Ramakrishna, J.C.Barry. Synthesis, properties and microstructure of the -110 К Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-0 oxide superconductor // Physica C, 1989, V.158, pp.203-210.

56. J.D.Jorgensen, H.Shaked, P.F.Hinks et al. Oxygen vacancy ordering and superconductivity in YBCO // Physica C, 1988, V.153-155, pp.578-581.

57. W.E.Farneth, R.K.Bordia, E.M.McCarron et al. Influence of oxygen stoi-chiometry on the structure and superconducting transition temperature of YBCO // Solid State Commun., 1988, V.66, N 9, pp.953-959.

58. R.J.Cava, B.Batlogg, S.A.Sunshine et al. Studies of oxygen-deficient Y-Ba-Cu-O and superconductivity Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-0 // Physica C, 1988, V.153-155, pp.560-565.

59. S.Nakanishi, M.Kogachi, H.Sasakura et al. The orthorhombic to tetragonal transition under controlled oxygen content in high Tc superconductor YBCO // Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2, 1988, V.27, N 3, pp.329-332.

60. C.Namgung, J.T.S.Irvine, J.H.Binks, A.R.West. Orthorhombic-tetragonal transition in YBCO//Supercond.Sci.Technol., 1988, V.l, pp. 169-172.

61. И.Э.Грабой, И.В.Зубов, Ф.С.Илюшин и др. Влияние кислородной нестехиометрии на структуру и физические свойства YBaCuO // Физ.тв.тела, 1988, Т.ЗО, N 11, с.3436-3443.

62. В.И.Путляев, Ю.Д.Третьяков, А.М.Теснер. Процессы фазообразования при синтезе Bi-содержащих высокотемпературных сверхпроводников // Тез.докл. I Всес.совещ. по ВТСП, Т.З, с. 128.

63. H.Endo, J.Tsuchiya, N.Kijima etaL Thermal stability of the high-Tc superconductor in the Bi-Sr-Ca-Cu-O system // Jpn.J.Appl.Phys. 1988, V.27, N 10, pp.L1906-1909.

64. U.Endo, S.Koyami et al. Composition dependence of the superconducting properties of Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 // Jap. J.Appl.Phys., 1989, Y.28, N 2, pp.L190-192.

65. Y.Ykeda, M.Takano, Z.Hiroi et al. The high-Tc phase with new modulation mode in the Bi,Pb-Sr-Ca-Cu-0 system // Jap.J.Appl.Phys., 1988, V.27, N 11, pp.L20-L70.

66. B.Grogia, S.C.Kashyap, D.R.Pandya et al. Stability of high-Tc phase in Bi2Pbo,4Sr2Ca2Cu3Oy superconductor // Solid State Commun., 1990, V.73, N 8, pp.573576.

67. Y.Nishi, S.Moriya et al. Effect of annealing on Tc liquid-quenched BiojPbo^SrCaCui 8Ox // J.Appl.Phys., 1989, V.65, N 6, pp.2389-2391.

68. E.Moraitakis, M.Anagnostou, M.Pissas, V.Psyharis, D.Niarchous, G.Stratakos. Deposition of YBa2Cu307.8 thin films over large areas with a simple sputtering technique for microwave applications // Supercond.Sci.Technol., 1998, V. 11, N 7, pp.686-691.

69. P.G.Quigley, R.A.Rao, C.B.Eom. Time dependence and spatial distribution of the deposition rate of YBa2Cu307 thin films in 90° off-axis sputtering // J.Vac.Sci.Technol., 1997, V.15, N 6, pp.2854-2858.

70. S.S.Nathan, G.M.Rao, S.Mohan. Transport of sputtered atoms in facing targets sputtering geometry: a numerical simulation study // J.Appl.Phys., 1998, V.84, N 1, pp.564-571.

71. V.A.Marchenko, A.G.Znamenskii, U.Helmersson. Plasma characteristics at off-axis high pressure magnetron УВа2Сиз07-5 sputtering // J.Appl.Phys., 1997, V.82, N 4, pp. 1882-1889.

72. L.M.Wang, H.W.Yu, H.C.Yang, H.E.Horng. Optimum sputtering conditions on the in-situ growth of superconducting YBa2Cu3Oy films with an off-axis RF sputtering configuration // Physica C, 1996, V.256, N 1-2, pp.57-63.

73. J.Tsujino, Y.Shiohara. Growth process of YBa2Cu307.x films prepared by RF thermal plasma evaporation // Physica C, 1996, V.262, N 3-4, pp.236-242.

74. W.C.Tsai, T.Y.Tseng. A-axis YBCO thin films deposited by DC magnetron sputtering//Jpn.J.Appl.Phys., 1997, V.36, N 1A, pp^.76-83.

75. M.Konishi, J.G.Wen, Y.Matsunaga, Y.Enomoto, S.Koyama, Y.Shiohara. Ho-moepitaxial growth of a-axis oriented YBa2Cu307-<i thin films on single crystals // J.Cryst.Growth, 1997, V.179, N 3-4, pp.451-458.

76. A.Sarkar, S.K.Ray, A.Dhar, D.Bhattacharya, K.L.Chopra. In situ grown superconducting YBCO films on buffered silicon substrates for device applications // J.Supercond., 1996, V.9, N 2, pp.217-222.

77. A.Di Chiara, F.Lombardi, F.M.Granozio, U.S.Uccio, M.Valentino, F.Tafuri, A.Del Vecchio, M.F.De Riccardis, L.Tapfer. Structure and morphology of MgO/YBCO bilayers for biepitaxial junctions // Physica C, 1996, V.273, N 1-2, pp.30-40.

78. Y.Hakuraku, K.Maezono, H.Ueda. Epitaxial MgO buffer layers for YBCO thin films on R-plane A1203 // Supercond.Sei.Technol., 1996, V.9, N 9, pp.775-778.

79. J.Kim, S.Oh, D.Youm. Growth conditions of c-axis normal YBa2€u307-s films on 20° tilted crystalline substrates // Thin Solid Films, 1997, V.305, N 1-2, pp.304-308.

80. P.Schneider, G.Linker, R.Schneider, J.Reiner, J.Geerk. The effect of Y and Ba content on the properties of YB aCuO thin films // Physica C, 1996, V.266, N 3-4, pp.271-277.

81. S.P.Chowdhury, V.V.Rao. High-pressure DC sputtering of High-Tc BPSCCO thin films with Tc(0) above 100 К // J.Supercond., 1996, V.9, N 2, pp. 171-174.

82. С.И.Волков, Ю.Е.Григорашвили, И.JI.Сотников, В.Т.Мингазин. Пленки высокотемпературного сверхпроводника с критической температурой выше 100 К // Известия вузов. Электроника, 1998, N 3, с. 14-18.

83. Y.Li, B.Yang, X.Liu. Highly orientated Bi(Pb)SrCaCuO superconducting thin film by magnetron sputtering of three targets // J.Mater.Sci.Lett, 1996, V. 15, N 6, pp.531-533.

84. K.Harada, S.Kishida, T.Matsuoka, T.Maruyama, H.Tokutaka, K.Fujimura. Efл i ifeet of 0ZT and O" on the growth of Bi2Sr2CaniCunOy superconducting films in RF magnetron sputtering // Jpn.J.Appl.Phys., 1996, V.35, N pp.4297-4301.

85. А.Г.Шарин, Л.П.Батюня, А.А.Раскин. Получение высокотемпературных сверхпроводящих пленок систем YBaCuO и BiPbSrCaCuO методом магнетронного напьшения // Зарубежная электронная техника, 2000, N 1, с.88-103.

86. В.Н.Децик, Е.Ю.Каптелов. Исследование кинетики фазового превращения пирохлора в перовскит в пленках Pb(ZrxTi | х)Оз. полученных высокочастотным магнетронным распылением//Поверхность, 1998, N 12, с.56-59.

87. S.M.Nam, H.Kimura, N.Ohashi, T.Tsurumi. Improvement of quality and electrical properties of sputtered PZT films by wet-oxidation process // Jpn.J.Appl.Phys.Ptl, 1999, V.38, N 9B, pp.5383-5387.

88. T.S.Kim, D.J.Kim, J.K.Lee, H.J.Jung. Fabrication of excess PbO-doped PZT thin films using RF magnetron sputtering method // J.Vac.Sci.TechnoL, 1997, V.15, N 6, pp.2831-2835.

89. Y.Fukuda, K.Aoki. Effects of excess Pb and substrate on crystallization processes of amorphous PZT thin films prepared by RF magnetron sputtering // Jpn.J.Appl.Phys.Ptl, 1997, V.36, N 9B,pp.5793-5798.

90. L.X.Cao, B.R.Zhao, Y.L.Qin, L.Li, T.Yang, Z.X.Zhao. Electric field effect of YBCO film modulated by PZT gate layer // Physica C, 1998, V.303, pp.47-52.

91. B.R.Zhao, L.X.Cao, J.H.Jiang, Y.Xu, K.Ma et al. Physical properties of PZT/YBCO integrated films // Physica C, 1997, V.282, pp.713-714.

92. T.Hioki, M.Akiyama, T.Ueda, Y.Onozuka, K.Suzuki. Preparation of PZT thin films by plasma-assisted sputtering // Jpn.J.Appl.Phys.Ptl, 1999, V.38, N 9B, pp.53755377.

93. C.J.Lu, H.M.Shen, Y.N.Wang, J.H.Gu. Surface morphology and surface chemical states of epitaxial PZT thin films grown on STO (100) by sputter deposition // Appl.Phys.A, 1998, V.66, N 4, pp.445-449.

94. K.Suu, A.Osawa, Y.Nishioka, N.Tani. Stability control of composition of RF-sputtered PZT ferroelectric thin film // Jpn.J.Appl.Phys.Ptl, 1997, V.36, N 9B, pp.57895792.

95. S.Fujii, I.Kanno, T.Kamada, R.Takayama. Preparation of c-axis oriented PZT thin films by RF-magnetron sputtering and their dielectric and piezoelectric properties // Jpn.J.Appl.Phys. Pt 1, 1997, V.36, N 9B, pp.6065-6068.

96. H.S.Lee, K.H.Auh, M.S.Jeon, W.S.Um, I.S.Lee, G.P.Choi. Imprint of oriented PZT thin films with oxygen atmosphere in cooling process // Jpn.J.Appl.Phys.Ptl, 1998, V.37, N 10, pp.5630-5633.

97. M.Kobune, H.Ishito, A.Mineshige, S.Fujii, R.Takayama, A.Tomozawa. Relationship between pyroelectric properties and electrode sizes in PLZT thin films // Jpn.J.Appl.Phys.Ptl, 1998, V.37, N 9B, pp.5154-5157.

98. В.М.Мухортов, Г.Н.Толмачев, Ю.И.Головко, А.И.Мащенко. Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов // Журнал технической физики, 1998, V.68, N 9, с.99-103.

99. В.И.Полушкин. Основы для обработки высокотемпературных сквидов-ских систем в интегральном исполнении // СФХТ, 1993, Т.6, N 5, с.895-946.

100. Д.Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. М., Мир, 1970, 352 е.

101. И.А.Глозман. Пьезокерамика. М., Энергия, 1972, 288 е.

102. M.Hammer, M.J.Hoffman. Sintering model for mixed-oxide-derived lead zir-conate titanate ceramics // J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N 2, p. 1013-1018.

103. А.Г.Щарин, Л.П.Батюня, А.А.Раскин. Керамика на основе цирконата-титаната свинца (ЦТС) и цирконата-титаната свинца-лантана (ЦТСЛ) // Зарубежная электронная техника, 1999, N 2, с.99-118.132

104. К.Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. М., Энергия, 1976, 336 с.

105. И.Каур, В.Густ. Диффузия по границам зерен и фаз. М., Машиностроение, 1991, 446 е.

106. Л.С.Палатник, В.К.Сорокин. Материаловедение в микроэлектронике. -М„ Энергия, 1978, 280 с.

107. H.Tanaka. Simulation of initial-stage sintering with two-sphere model // J.Ceram.Soc.Jpn., 1997, V.105, N 4, p.294-298.

108. H.Tanaka. Normal and abnormal grain growth rates in a spherical grain matrix // J.Ceram.SocJpn., 1996, V.104, N 4, p.253-258.

109. C.A.Randall, N.Kim, J.P.Kucera, W.Cao, T.R.Shrout. Intrinsic and extrinsic size effects in fine-grained morphotropic-phase-bonndaTy lead zirconate titanate ceramics // J.Amer.Ceram.Soc., 1998, V.81, N 3. p.677-688.

110. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. -М., Советское радио, 1977, Т.2, 768 е.

111. Г.С.Жданов, А.С.Илюшин, С.В.Никитина. Дифракционный и резонансный структурный анализ. М., Наука, 1980, 256 е.