автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Процессы электрохимического формирования твердотельных наноструктур

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРО-, НАНО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ.

1.1. Пористый кремний; Получение, свойства и применение.

1.1.1. Механизм образования пористого кремния.

1.1.2. Реакции, протекающие в системе БШР при анодной поляризации.

1.1.3. Многослойные и периодические структуры на основе рог-81.

1.1.4. Технологические проблемы, сдерживающие промышленное применение рог-Б! в нано- и оптоэлектронике.

1.2. Пористый анодный оксид алюминия - перспективный наноструктурированный материал.

1.2.1. Способы создания твердотельных наноструктур с использованием маски пористого анодного оксида алюминия.

1.2.2. Создание упорядоченных ПАОА.

1.2.3. Другие области применения ПАОА.

1.3. Электрохимический синтез полупроводниковых соединений.

1.4. Методы локального электрохимического наноструктурирования поверхности материалов с помощью СЗМ.

1.5. Проблемы и перспективы внедрения электрохимических процессов в технологию нано- и оптоэлектроники.

Глава 2. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССА

АНОДНОГО ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ.

2.1. Термодинамические свойства границы раздела - водный раствор ОТ.

2.1.1. Зонная энергетическая диаграмма системы

81 - водный раствор ОТ.

2.1.2. Механизм окислительно-восстановительного процесса, определяющего состояние кремниевого электрода в растворах ОТ.

2.1.3. Начальные стадии формирования пор.

2.1.4. Экспериментальное подтверждение механизма зарождения por-Si.

2.1.5. Термодинамическое равновесие на границе

раздела Si - водный раствор HF.

2.1.6. Зависимость периода пористой структуры от режимов анодирования.

2.2. Особенности кинетики формирования слоев por-Si.

2.2.1. Диффузионные ограничения массопереноса в системе por-Si - электролит.

2.2.2. Исследование явления изменения механизма растворения

Si при анодной поляризации.

2.2.3. Изменение механизма растворения кремния в процессе гальваностатического формирования пористого кремния.

2.2.4. Особенности кинетики формирования пористого кремния в потенциостатическом режиме.

2.3. Механизмы химических процессов, протекающих на поверхности кремниевых нанокристаллов.

2.3.1. Стабилизация свойств por-Si в растворах HF, содержащих дополнительно НО.

2.3.2. Окисление пористого кремния в атмосферных условиях. Диссоциативная адсорбция воды как основной механизм естественного окисления.

2.3.3. Закономерности гальванического восстановления на поверхности por-Si ионов металлов из водных растворов солей.

2.4. Выводы.

Глава 3. АНОДНЫЕ ОКСИДНЫЕ ПЛЕНКИ

В ТЕХНОЛОГИИ НАНОСТРУКТУР.

3.1. Закономерности метода формирования наноразмерных оксидных пленок с помощью сканирующего зондового микроскопа.

3.1.1. Модель образования анодных оксидных пленок при воздействии зонда сканирующего зондового микроскопа.

3.1.2. Экспериментальное подтверждение разработанной модели.

3.1.3. Локальное формирование нанометровых оксидных областей.

3.2. Пористый анодный оксид алюминия - наноструктурированная диэлектрическая матрица для формирования нанокристаллов.

3.2.1. Процессы формирования нанокристаллов на поверхности твердого тела.

3.2.2. Электрохимический анализ строения и кинетики образования пористого анодного оксида алюминия.

3.2.3. Механизм образования упорядоченной структуры пор в анодном оксиде алюминия.

3.3. Выводы.

Глава 4. ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ.

4.1. Закономерности катодного осаждения соединений А2В6.

4.1.1. Катодное формирование CdS из водных растворов.

4.1.2. Краткое описание алгоритма расчета диаграмм рН-потенциал.

4.1.3. Применение диаграмм потенциал-рН для определения механизма катодного осаждения CdS.

4.1.4. Электрохимический синтез наноразмерных нитей CdS в матрице пористого анодного оксида алюминия.

4.2. Диаграммы электрохимического равновесия других халькогенидов металлов в водных растворах.

4.2.1. Диаграмма электрохимического равновесия системы CdSe-H20.

4.2.2. Диаграмма электрохимического равновесия системы ZnS-H20.

4.2.3. Система PbSe-H20.

4.3. Общие закономерности процессов осаждения халькогенидов металлов из водных растворов.

4.4. Некоторые технологические особенности процесса заполнения нанометровых пор анодного оксида алюминия халькогенидами металлов.

4.5. Выводы.

Актуальность работы. Современное развитие физики и технологии материалов и приборов электронной техники сделало возможным качественный скачок данной области науки и техники от микро- к наноэлектронике. Уникальные физические свойства низкоразмерных электронных систем уже продемонстрированы на примерах наноразмерных аналогов микроэлектронных приборов и функциональных слоев. Характерные размеры отдельных элементов названных структур не превышают 10-20 нм. Наблюдаемое влияние размеров отдельных кристаллов, составляющих наноструктурированный материал, на его физико-химические и физические свойства открывает возможность создания приборов и структур с новыми функциональными характеристиками. Темпы развития этого направления непосредственно связаны с техническим уровнем применяемых технологий. В настоящее время проводятся исследования возможностей молекулярно-лучевой эпитаксии, осаждения из газовой фазы, ионной бомбардировки и имплантации, методов молекулярного наслаивания для применения их в нанотехнологии. Не последнее место в нанотехнологии занимают электрохимические методы, интерес к которым существенно возрос в связи с открытием фотолюминесценции пористого кремния (рог-БО и объяснением этого явления квантово-размерными эффектами в кремниевых нанокристаллах.

Можно выделить два основных класса электрохимических процессов создания твердотельных наноструктур: 1) самоорганизация при анодном формировании пористых слоев 81 и пленок А1203, 2) искусственная локализация процессов осаждения и растворения с использованием наностру ктурированн ых масок на поверхности электрода. При этом часто маска, обеспечивающая реализацию процессов второго типа, изготавливается с помощью методов первого типа. Т.е. на настоящий момент можно говорить о перспективах создания комплексной электрохимической технологии наноструктур.

К началу постановки данной работы, исследования процессов электрохимического формирования твердотельных наноструктур в плане регулирования размерности, состава и структуры нанокристаллов носили полуэмпирический характер. Кинетике и термодинамике таких процессов уделяли недостаточно внимания. Большинство работ об электрохимически сформированных нанокристаллах связаны только с изучением их физических свойств, а проблемы синтеза, как правило, носили описательный характер и оставались за рамками рассмотрения. Этим вызваны несоответствия и противоречивость многих результатов по исследованию взаимосвязи между технологическими режимами электрохимического формирования и свойствами наноструктур.

Несмотря на то, что большинство электрохимических процессов, применяемых в технологии наноструктур, подробно исследованы для макросистем, особенности формирования наноразмерных материалов на поверхности твердых электродов к настоящему времени остаются мало изученными. В то же самое время, классические законы электрохимии достаточно строго выполняются при реализации электродных процессов. Это было наглядно продемонстрировано отечественными основоположниками электрохимии металлов, анодных оксидов и полупроводников Ю.В.Плеековым, В.А.Мямлиным, А.Ф.Богоявленским, достижения которых позволили С.О.Изидинову, В.А.Лабунову, В.А.Соколу, В.Ф.Сурганову, И.Н.Сорокину, Л.Н.Кравченко, А.В.Емельянову осуществить успешное внедрение электрохимических процессов в технологию микроэлектроники. Развитие этой области науки привело к созданию нового направления - электрохимии наноструктур, ведущими специалистами в которой стали В.П.Бондаренко, В.Е.Борисенко, С.Лазарук и др. Следует отметить несомненный вклад научных школ П.К.Кашкарова и В.С.Днепровского в понимание природы новых физических явлений, протекающих в электрохимически создаваемых наноструктурах. Накопленный теоретический и экспериментальный опыт продемонстрировал перспективность применения электрохимии для создания новых материалов. Поэтому одним из эффективных направлений развития основ процессов электрохимического формирования наноструктур является разработка научно обоснованного подхода к решению проблем управления размерностью, химическим составом и структурой нанокристаллических электродов.

Целью диссертационной работы является развитие физико-технологических основ электрохимического формирования твердотельных наноструктур для создания новых приборов микро-, нано- и оптоэлектроники с контролируемыми и воспроизводимыми параметрами. В рамках этой проблемы установить основные закономерности электрохимических процессов управляемого формирования наноструктурированных материалов.

В основу работы положены следующие теоретические и практические задачи:

- исследование механизма и кинетики анодных процессов, протекающих при формировании пористых полупроводниковых слоев на кремнии, которые определяют геометрические размеры пор, период пористой структуры и химический состав поверхности нанокристаллов;

- исследование механизмов и кинетики процессов анодного формирования диэлектрических, наноструктурированных пленок и разработка новых методов создания металлических низкоразмерных нитей и точек, основанные на применении таких масок;

- изучение новых катодных процессов формирования пленок халькогенидов металлов и установление взаимосвязи технологических параметров осаждения со структурными и оптическими характеристиками нанокристаллов;

- определение возможностей и направлений рационального практического применения электрохимических процессов в технологии создания структур пониженной размерности для микро-, нано- и оптоэлектроники.

Научная новизна диссертационной работы:

1. Экспериментально определены зависимости электродных потенциалов реакций, протекающих при анодном растворении Б!, от состава электролита, режимов анодной поляризации, типа и степени легирования кремния.

2. Установлен механизм электродных реакций, протекающих в системе -водный раствор НР, определяется параметрами пассивированной водородом поверхности кремния, Впервые предложены уравнения электродных реакций, которые описывают диапазоны потенциалов образования рог-81 (ф=-0,4.0,6 В) и электрополирования (ф>0,7 В), при которых в растворах НР образуются Н281Р6 и БЮг соответственно.

3. Впервые рассчитана диаграмма электрохимического равновесия потенциал-рН (диаграмма Пурбе) системы - водный раствор ОТ, с помощью которой определены технологические условия создания (кислые растворы НР, рН<2) пассивированных кислородом слоев рог-81, характеризующихся повьппенной стабильностью химических и люминесцентных свойств.

4. Установлена зависимость концентрации и размеров пор в слоях пористого кремния толщиной до 1000 нм от степени легирования кремния, концентрации и кислотности электролита.

5. Впервые показано, что при формировании толстых (>1000 нм) слоев пористого кремния происходит самопроизвольное изменение механизма анодного растворения, приводящее к определенному изменению структурных и люминесцентных свойств рог-Бт

6. Предложена модель образования анодных оксидных пленок под действием зонда атомно-силового микроскопа, определяющая взаимосвязь между технологическими параметрами локального окисления (напряжение между зондом и поверхностью, сопротивление металлической пленки) и геометрическими размерами образующегося в металлической пленке оксида.

7. Разработан новый электрохимический метод определения структурных параметров пористого анодного оксида алюминия с помощью потенциодинамических поляризационных кривых, измеряемых на анодно окисленных алюминиевых электродах. Установлены зависимости концентрации и диаметров пор в анодном оксиде алюминия от плотности тока анодирования и концентрации электролитов.

8. Определен механизм самоорганизации упорядоченной пористой структуры в оксидах, формируемых на наноструктурированной поверхности алюминия. Установлено, что начальные стадии окисления и параметры наноструктурированной поверхности алюминия определяют геометрию упорядоченного пористого анодного оксида алюминия. Разработан метод создания упорядоченных пористых анодных оксидных пленок алюминия с нанометровыми размерами пор и концентрацией 109-Ю!0 пор/см2.

9. Рассчитаны и построены диаграммы Пурбе для электродных систем СёБ-Н20, С<Бе-Н20, гп$-Н20, 2п8е-Н20, РЬБе-Н20, с помощью которых определены: а) последовательность протекания конкурирующих электродных реакций осаждения элементарных компонентов и полупроводниковых соединений; б) технологические режимы осаждения стехиометрических пленок в зависимости от кислотности и компонентного состава водных электролитов; в) зависимости фазового состава пленок от величины катодного потенциала, кислотности и концентрации водных растворов* содержащих соли металлов, тиосульфат натрия или селенистую кислоту;

10. Разработана технология изготовления нового типа материалов на основе сульфидов и селенидов кадмия, сформированных в наноразмерных порах анодного оксида алюминия. Впервые синтезированы люминесцирующие квантовые нити СсШ иСс18е, осажденные в ПАОА.

11. Разработан способ формирования волноводных структур на основе термически окисленного пористого кремния, в которых впервые обнаружено и объяснено явление двулу чепре лом ления. Создана методика изучения кинетики образования и строения слоев рог-81, основанная на анализе профилей показателя преломления волноводных структур.

Практическая значимость результатов работы состоит в следующем:

1. Разработаны технологические методы создания пористых материалов (пористый кремний и пористый анодный оксид алюминия) с заданными геометрическими размерами пор для фотоприемников ИК-диалазона и датчиков метана, которые использованы в работах, выполненных в 1996-2000 гг. в ГосНИИФП им.Ф.В.Лукина по государственному оборонному заказу Министерства обороны Российской Федерации.

2. Разработанный процесс электрохимического осаждения полупроводниковых соединений А2В6 в порах анодного оксида алюминия использован в технологии изготовления плоского катодолюминесцентного экрана в ГосНИИФП.

3. Разработанный технологический процесс формирования оксидных областей под действием зонда атомно-силового микроскопа использован при создании новых типов наноэлементов (в т.ч. нанотранзисторов и наноламп) в ГосНИИФП в работах, выполненных в 1999-2000 г. по государственному оборонному заказу МО РФ.

4. Выработанные технические требования к нанотехнологическим комплексам на базе атомно-силового микроскопа для формирования запоминающих устройств терабитной емкости использованы в ЗАО НТ-МДТ.

5. Результаты исследований использованы в учебном процессе при чтении автором в МНЭТ курса «Компоненты электронной техники», при создании специализированного курса «Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники», при разработке и постановке ряда новых лабораторных работ по соответствующим курсам.

Публикации и апробация работы. В ходе выполнения работы опубликованы 58 научных работ, из них 17 статей в отечественных и 10 статей в зарубежных научных журналах, в том числе в "Электрохимия", "Поверхность", "Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики", "Электронная промышленность", Известия вузов "Электроника", "Квантовая электроника" "Физика и техника полупроводников", "Apply Physics Letters", "Journal of Crystal Growth", "Nanotechnology", "Apply Physics А". Получено 1 авторское свидетельство на изобретение.

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на:

- Всероссийской научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1994);

- VIII научно-технической конференций с участием зарубежных специалистов "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления", (Гурзуф, 1996);

Второй международной научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика", (Москва, Зеленоград, 1995);

- Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 95", (Москва 1995);

- Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 96", (Москва 1996);

- 10th International Conference on Thin Films", (Salamanca, Spain 1996, p.86);

- Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика", (Москва 1997);

Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика - 97", (Москва, 1997);

Третьей международной научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика" (МФИ-97), (Москва, 1997);

- 7th International Workshop on Laser Physics (LPHYS'98), (Berlin, Germany,

1998);

- Integrated Photonics Research, (Victoria, Canada, 1998);

- Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и нано-электроника - 98", (Звенигород, 1998);

- 2-й Международной конференции "Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии", (Санкт-Петербург, 1998);

- Nanomeeting '99 (Minsk, Belarus, 1999) и Nanomeeting 2001 (Minsk, Belarus,

2001);

- E-MRS 2000 Meeting, (Strasbourg, France, 2000);

- 25th International Conference on Physics of Semiconductors, (Osaka, Japan,

2000);

- 9th Int. Syrnp. "Nanostructures: Physics and Technology (St.Petersburg, Russia,

2001);

- The Tenth Int. Conf. on II-VI Semicond (Bremen, Germany, 2001);

Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника - 2001", (Звенигород, 2001).

Результаты работы использованы при выполнении 3 грантов РФФИ, 3 грантов ФЦП "Физика твердотельных наноструктур", ФЦП "Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки на 19972000 годы", гранта 1NTAS.

Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование способов их осуществления, непосредственное выполнение значительной части экспериментов, расчетов, систематизация и анализ результатов. Исследования комплексного характера проводились по инициативе автора в рамках сотрудничества с кафедрой физики полупроводников Физического факультета МГУ им.М.В.Ломоносова, Центром естественной научных исследований института общей физики РАН, ГИРЕДМЕТ, корпорацией ИТ-МОТ (Зеленоград, Россия). В работах, выполненных в соавторстве, автору принадлежит технологическая реализация изученных структур и активное участие в анализе получаемых результатов. Рад результатов, вошедших в диссертацию, получен в соавторстве с И.Н.Сорокиным, Ю.Н.Коркишко, В.С.Днепровским, А.В.Емельяновым, Е.А.Жуковым, А. И. Белогороховым, В. А. Караванским, Л. И.Белогороховой, Н.Н.Мельником, В.И.Шевяковым, которым автор благодарен за плодотворное сотрудничество.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Физико-химические и физико-технологические основы электрохимических процессов растворения 81, определяющие выбор условий получения наноструктурированных слоев (толщиной менее 1000 нм) с заданными геометрическими размерами пор и состоящие в том что:

- определены зависимости электродных потенциалов реакций, протекающих при анодном растворении 81, от состава электролита, режимов анодной поляризации, типа и степени легирования кремния;

- механизм электродных реакций, протекающих в системе 81 - водный раствор НЕ, определяется параметрами пассивированной водородом поверхности кремния, и устанавливает диапазоны потенциалов образования рог-81 (ф=-0,4. .0,6 В) и электрополирования (ф>0,7 В);

- рассчитана диаграмма электрохимического равновесия потенциал-рН (диаграмма Пурбе) системы 81 - водный раствор НЕ, с помощью которой определены технологические условия создания пассивированных кислородом слоев рог-81, характеризующихся повышенной стабильностью химических и люминесцентных свойств;

- определена взаимосвязь механизма растворения и условий проведения электродного процесса с геометрией пор, образующихся на начальных стадиях формирования рог-81, установлена зависимость концентрации Мрог и размеров пор от степени легирования 81 р-типа в слоях толщиной до 1000 нм.

2. Физико-химические принципы получения толстых (>1000 нм) слоев рог-определяющие выбор режимов формирования заданного профиля распределения размеров нанокристаллов по толщине слоя:

- скорость образования слоев рог-81 большой толщины определяется диффузией реагентов к фронту электрохимических реакций;

- определены граничные условия, при которых происходит изменение механизма растворения от образования пор к полированию поверхности;

- на основании этих установленных зависимостей определены режимы и разработан процесс формирования толстых (> 1000 нм) однородных по толщине и многослойных пористых слоев для мембранных сенсоров и оптических световодов.

3. Закономерности окисления поверхности металлов и полупроводников под действием зонда сканирующего атомно-силового микроскопа, определяющие условия формирования в локальных областях оксидов для наноэлектронных элементов и запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, включающие:

- модель образования оксидных пленок, определяющая взаимосвязь между технологическими параметрами локального окисления и геометрическими размерами образующегося в металлической пленке оксида;

- оптимальные режимы локального формирования оксидных областей с нанометровыми размерами на поверхности тонких (до 10 нм) пленок титана.

4. Метод и закономерности формирования пористых пленок анодного оксида алюминия для формирования упорядоченных структур типа наноразмерных нитей и точек на поверхности полупроводников и в объеме самого оксида для газовых сенсоров и люминесцентных экранов, состоящие в том, что:

- предложен новый электрохимический метод определения структурных параметров пористого анодного оксида алюминия;

- установлены зависимости концентрации и диаметров пор в анодном оксиде алюминия от плотности тока анодирования и концентрации электролитов;

- определен механизм самоорганизации упорядоченной пористой структуры в оксидах, формируемых на наноструктурированной поверхности алюминия;

16

- разработан метод создания упорядоченных пористых анодных оксидных пленок алюминия с нанометровыми размерами пор и концентрацией 109-1010 пор/см2,

5. Физико-химические закономерности процессов катодного синтеза пленок полупроводниковых халькогенидов металлов, определяющие выбор условий формирования материалов с контролируемыми составом и структурой для люминесцентных экранов и основанные на рассчитанных диаграммах Пурбе для электродных систем СЛБ-НгО, С<18е-Н20, 7п8-Н20, гп8е-Н20, РЪ8е-Н20, с помощью которых определены:

5. Технологические процессы формирования наноразмерных оксидов с использованием сканирующего зондового микроскопа для создания наноэлектронных элементов (в т.ч. нанотранзисторов и наноламп) с активной областью нанометровых размеров.

Основные выводы по работе заключаются в следующем:

1. Для выбора условий получения наноструктурированных кремниевых слоев (толщиной менее 1000 нм) с заданными геометрическими размерами пор для газовых сенсоров и фотоприемников определены следующие основные закономерности электрохимических процессов растворения

- впервые доказано, что реакции - БМ; +6НР -^¡Н* + 8Шб2~ +Н2 +4Н+ +2е~ и вМ* + 2Н20 = 8Ю2 + 4Н+ + Н2 + 4е~ описывают механизм анодного растворения 81 в НР и определяют диапазоны потенциалов образования рог-81 (ф=0,1-0,6 В) и электрополирования (ф>0,7 В);

- впервые рассчитана диаграмма Пурбе системы 81 - водный раствор Б3% определяющая зависимости электродных потенциалов реакций, протекающих при анодном растворении 81, от состава электролита, режимов анодной поляризации, типа и степени легирования кремния;, на основании диаграммы определены механизм и технологические условия создания (кислые растворы НР, рН<2) пассивированных кислородом слоев рог-81, характеризующихся повышенной стабильностью химических и люминесцентных свойств.

- впервые определена зависимость потенциала плоских зон для контакта 81-водный раствор Ш, на основании которой установлена взаимосвязь концентрации Ыро,- и размеров пор от степени легирования 81 р-типа в слоях толщиной до 1000 нм,

2ее ( кТ' которая описывается уравнением N = N. ' 0

А еНА у

Фя, -Ф где фа - потенциал плоских зон, ф - приложенный к электроду потенциал.

2. Впервые обнаружено явление и объяснено самопроизвольное изменение механизма анодного растворения 81 в гальваностатическом режиме. Этот процесс обусловлен уменьшением предельного тока диффузии НР при увеличении толщины пористого слоя. Изменение механизма приводит к увеличению пористости, уменьшению размеров нанокристаллов и возможному разрушению пористого слоя при достижении определенной толщины рог-81. Определены граничные условия, при которых происходит изменение механизма растворения, граничная толщина слоя рог-81 прямопропорционально увеличивается с повышением концентрации НЕ и уменьшается обратно пропорционально плотности тока анодирования и площади поперечного сечения пор. На основании полученных результатов разработан процесс формирования толстых (> 1000 нм) однородных по толщине и многослойных пористых слоев для мембранных сенсоров и оптических световодов.

3. Установлены закономерности окисления поверхности металлов и полупроводников под действием зонда сканирующего атомно-силового микроскопа, определяющие условия формирования в локальных областях оксидов для наноэлектронных элементов и запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, включающие:

- модель образования оксидных пленок, определяющую взаимосвязь между технологическими параметрами локального окисления (напряжение между зондом и поверхностью, сопротивление металлической пленки) и геометрическими размерами образующегося в металлической пленке оксида;

- экспериментально определенные оптимальные режимы (напряжение и длительность процесса) локального формирования оксидных областей с нан о метровыми размерами на поверхности тонких (до 10 нм) пленок титана.

4. Разработан метод создания упорядоченных пористых анодных оксидных пленок алюминия с нанометровыми размерами пор и концентрацией 109-1010 л пор/см . Определен механизм самоорганизации упорядоченной пористой структуры в оксидах, формируемых на наноструктурированной поверхности алюминия. Установлено, что начальные стадии окисления и параметры наноструктурированной поверхности алюминия определяют геометрию упорядоченного пористого анодного оксида алюминия;

5. Предложен новый электрохимический метод определения структурных параметров пористого анодного оксида алюминия с помощью потенциодинамических поляризационных кривых, измеряемых на анодно окисленных алюминиевых электродах.

6. Впервые рассчитаны и построены диаграммы Пурбе для электродных систем С<18-Н20, С(18е-Н20, £п8-Н20, 7п8е-Н20, РЬ8е-Н20, с помощью которых определены: а) последовательность протекания конкурирующих электродных реакций осаждения элементарных компонентов и полупроводниковых соединений; б) технологические режимы осаждения етехиометрических пленок в зависимости от кислотности и компонентного состава водных электролитов; в) зависимости фазового состава пленок от величины катодного потенциала, кислотности и концентрации водных растворов, содержащих соли металлов, тиосульфат натрия или селенистую кислоту.

7. На основе установленных зависимостей разработана технология изготовления нового типа материалов люминесцентных экранов на основе сульфидов и селенидов кадмия, сформированных в наноразмерных порах анодного оксида алюминия.

8. Разработан способ формирования волноводных структур на основе термически окисленного пористого кремния, в которых впервые обнаружено и объяснено явление дву луче преломления. Создана методика изучения кинетики образования и строения слоев рог-81, основанная на анализе профилей показателя преломления волноводных структур.

9. Разработаны технологические методы создания пористых материалов (пористый кремний и пористый анодный оксид алюминия) с заданными геометрическими размерами пор для фотоприемников ИК-диапазона и датчиков метана.

10. Разработан процесс электрохимического осаждения полупроводниковых соединений А2В6 в порах анодного оксида алюминия для изготовления плоского катодолюминесцентного экрана.

11. Разработан технологический процесс формирования оксидных областей под действием зонда атомно-силового микроскопа для изготовления новых типов наноэлементов (в т.ч. нанотранзисторов и наноламп).

12. Сформулированы технические требования к нанотехнологическим комплексам на базе атомно-силового микроскопа для формирования запоминающих устройств терабитной емкости.

13. Результаты исследований использованы в учебном процессе при чтении курсов по специальным дисциплинам, при разработке ряда новых лабораторных работ по соответствующим курсам.

242

В целом в результате выполнения диссертационной работы развиты физико-технологические основы процессов электрохимического формирования твердотельных наноструктур, позволившие разработать технологические решения по созданию ряда оригинальных приборов на основе наноструктурированных материалов, внедрение которых вносит значительный вклад в развитие микро-, нано- и оптоэ лектроники.

Однако стабильность оптических свойств модифицированного рог-81 не может быть объяснена только удалением с поверхности -8Ш3. В этом смысле, выводы об образовании кремний-кислородных соединений, приведенные в [52,156], более приемлемы. На первый взгляд, такое заключение может вызвать справедливое сомнение. Известно, что оксиды кремния растворяются при взаимодействии с ОТ. Это противоречие снимается, если обратиться к рассчитанной в настоящей работе диаграмме потенциал-рН (рис.2.13).

Согласно построенной диаграмме, при низких рН и умеренных концентрациях ОТ в растворе электролита создаются условия для термодинамической стабильности оксидных соединений кремния. Как следует и результатов ИК-фурье спектроскопии, эти оксидные соединения обнаруживаются непосредственно после извлечения рог-81 из электролита, содержащего НС1, и отсутствуют в случае обычно применяемого однокомпонентного раствора (рис. 2.28). Интересно, что максимум поглощения связей 81-0-81 расположен в области 1075 см"1, что соответствует структуре стехиметричного 8Юг, а сдвиги максимума в сторону меньших волновых чисел обычно связывают с высокой концентрацией кислородных вакансий в диоксиде кремния [157]. Такая пассивация приводит к изменению механизма окисления при комнатной температуре. Обычно, процесс образования естественного оксида протекает через стадию

Рис.2.26. Схематическое представление процесса удаления тригидрида кремния при электрохимическом взаимодействии с ионами хлора o-Si • "Н

С1 h

С1 ф: *

HF

Рис.2.27. ИК спектр пропускания слоев por-Si, сформированных в электролите не содержащем (1) и содержащем (2) HCl.

2300 2200 2100 2000 1900

2300 2200 2100 2000 1900

Волновое число, см"1

Рис.2.28. ИК фурье спектры пропускания слоев рог-Эх, сформированных в растворе без добавления НС1 (1) и в электролите, содержащем НО (2). Измерение проводили в вакууме непосредственно после изготовления слоев, длительность выдержки на воздухе не превышала 2 мин.

400 600 800 1000 1200

Волновое чило, см^ диссоциативной адсорбции паров Н20 [158]. Образующаяся при таком окислении граница раздела Si/Si02 характеризуется высокой концентрацией поверхностных состояний.

1. Canham L.T., Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl.Phys.Lett., Vol.57, №10, 1990, p. 1046-1048.

2. Bayliss S., Zhang Q., Harris P. Network dimensionality of porous Si and Ge // Appl.Surf.Sci. Vol.102, 1996, p.390-394.

3. Parkhutik V.P., Namavar F., Andrade E. Photoluminescence from thin porous films of silicon carbide // Thin Solid Films. Vol.297, 1997, p.229-232.

4. Li N.-S., Wu X., Liao L.S., Bao X.-M. The electroluminescence from porous p-SiC formed on C+ implanted silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В Vol. 142, 1998, p.308-312.

5. W.H. Lubberhuizen, D. Vanmaekelbergh, E. Van Faassen, Recombination of Photogenerated Charge Carriers in Nanoporous Gallium Phosphide // J. Porous Materials Vol.7, 2000, p. 147-152.

6. Schoisswohl M., Cantin J.L., Chamarro M., von Barderleben H.J., Morgenstern Т., Bugiel E., Kissinger W., Andreu R.C. Structure and visible photoluminescence of porous SiixGex // Phys.Rev.B. Vol.52, No.16, 1995, p. 11898-11903.

7. Oskam G., Natarajan A., Searson P.C., Ross F.M. The formation of porous GaAs in HF solutions // Appl.Surf.Sci. Vol.119, 1997, p. 160-168.

8. A. Hamamatsu, C. Kaneshiro, H. Fujikura, H. Hasegawa, Formation of <001>-aligned nano-scale pores on (001) n-InP surfaces by photoelectrochemical anodization in HC1 // J. Electroanal. Chem. Vol.473, 1999, p.223-229.

9. Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Л.: Энергия, 1967. 232 е.

10. Францевич И.Н. Анодные оксидные покрытия на металлах и анодная защита. Киев: Науж>ва думка, 1985. 280 с.

11. Thompson G.E. Porous anodic alumina: fabrication, characterization and applications // Thin Solid Films. Vol.297, 1997, p. 192-201.

12. Chakarvarty S.K., Vetter J. Template synthesis a membrane based technology for generation of nano-/micro materials: A review // Radiation Measurements. Vol.29, No.2, 1998, p. 149-159.

13. Greeg S.J., W.Sing K.S., Adsorption, Surface Area and Porosity (Academic, New York, 1982)

14. Nishida A., Nakagawa K., Kakibayashi H., Shimada T. Microstructure of visible light emiting porous silicon // Jpn.J.Appl.Phys. Vol.31, 1992, p. L1219-L1222,

15. IVlorisaki H., Above-band-gap photoluminescence from Si fine particles // Manotechnology, No.3, 1992, p. 196-201.

16. Kanemitsu Y., Uto H., Masumoto Y. Microstructure and optical properties of freestanding porous silicon: Size dependence of absorption spectra in Si nanometer-sized crystallites // Phys.Rev.B, Vol.48, No.4, 1993, p.2827-2830.

17. Gardelis S., Hamilton В., The effect of surface modification on the luminescence of porous silicon // J.Appl.Phys., Vol.76, No.9, 1994, p.5327-5333.

18. Maruyama Т., Ohtani S. Photoluminescence of porous silicon exposed to ambient air // Appl.Phys.Lett., Vol.65, No. 11, 1994, p. 1346-1348.

19. Parkhutik V. Porous silicon-mechanisms of growth and applications // Solid-State Electronics. Vol.43. 1999, p. 1121-1141.

20. John G.C., Singh V.A. Diffusion-induced nucleation model for the formation of porous silicon // Phys.Rev.B. Vol.52, No. 15, 1995, p. 11125-11131.

21. Карарванский B.A., Гаврилов C.A., Ломов A.A., Ракова Е.В., Мельник Н.Н., ЗаварицкаяТ.Н., БушуевВ.А. Диагностика субмикронных люминесцентных пленок пористого кремния // Поверхность. 1999, №12, с.32-39.

22. Valance A. Porous silicon formation: Stability analysis of the silicon-electrolyte interface // Phys.Rev.B. Vol.52, No.l 1, 1995, p.8323-8336.

23. Valance A. Theoretical model for early stages of porous silicon formation from n-andp-type silicon substrates // Phys.Rev.B. Vol.55, No. 15, 1997, p.9706-9715.

24. He Z.J., Huang Y.P., Kwor R. A modified computer model for the formation of porous silicon // Thin Solid Films. Vol.265,1995, p.96-100.

25. Turner D.R. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J.Electrochem.Soc., Vol.105, No.7, 1958, p.402-408.

26. Arita Y. Formation and oxidation of porous silicon by anodic reaction // J.Cryst.Growth, Vol.45, 1978, p.383-392.

27. Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Сосновских Ю.Н. Механизм образования слоев пористого кремния // Тез. докл. Всероссийской научно-технической конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Таганрог 1994, ч. 1, с.53.

28. Гаврилов С.А. Кинетические параметры процесса формирования пленок пористого кремния // Тез. докл. межвуз. научно-технической конф. "Микроэлектроника и информатика". Москва 1995, с. 109-110.

29. Гаврилов С.А., Караванский В.А., Сорокин И.Н., Чегнова О.И. Механизм формирования геометрической структуры нанопористого кремния // Труды отделения микроэлектроники и информатики Международной академии информатизации. Вып.2, 1997. С.269-273.

30. Гаврилов С.А., Заварицкая Т.Н., Караванский В.А., Мельник Н.Н., Подзоров В.В., Сорокин И.Н. Изменение механизма формирования слоев пористого кремния при анодной поляризации // Электрохимия, 1997, т. 33, № 9, с. 1064-1068.

31. Rappich J., Lewerenz H.J. Photo- and potential-controlled nanoporous silicon formation on n-Si (111): an in-situ FTIR investigation // Thin Solid Films. Vol.276, 1996, p.25-28.

32. Watanabe S. In-situ infrared investigation of a chemically oxidized silicon surface dissolving in aqueous hydrofluoric acid// Surf.Sci. Vol.341, 1995, p.304-310.

33. Cerofolini G.F., Meda L. Chemistry at silicon crystalline surfaces // Appl.Surf.Sci. Vol.89, 1995, p.351-360.

34. Cerofolini G.F. A study of the ionic route for hydrogen terminations resulting after Si02 etching by concentrated aqueous solutions of HF // Appl.Surf.Sci. Vol.133, 1998, p. 108-114.

35. Trucks G.V., Raghavachari K., Higashi G.S., Chabal Y.J. Mechanism of HF etching of silicon surface: A theoretical understanding of hydrogen passivation // Phys.Rev.Lett. Vol.65, No.4, 1990, p.504-507.

36. Reddy A.J., Chan J.V., Burr T.A., Mo R„ Wade C.P., Chidsey C.E.D., Michel J., Kimerling L.C. Defect states at silicon surfaces // Physica В Vol.273-274, 1999, p.468-472.

37. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf.Sci.Rep. Vol.38, 2000, p. 1-126.

38. Ranke W. Precursor kinetics of dissociative water adsorption on the Si(001) surface // Surf.Sci. Vol.369, 1996, p. 137-145.

39. Niwano M., Terashi M., Shinohara M., Shoji D., Miyamoto N. Oxidation processes on the H20-chemisorbed Si(100) surface studied by in-situ infrared spectroscopy // Surf.Sci. Vol.401, 1998, p.364-370.

40. Dittrich Th., Schwartzkopff M., Hartmann E., Rappich J. On the origin of the positive charge on hydrogenated Si surfaces and its dependence on Hie surface morphology // Surf.Sci. Vol.437, 1999, p. 154-162.

41. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. - 327 с.

42. Yamashita Y., Asano A., Nishioka Y., Kobayashi H. Dependence of interface states in the Si band gap on oxide atomic density and interfacial roughness // Phys.Rev.B Vol.59, No.24, 1999, p. 15872-15881.

43. Mazzara C., Jupille J., Zheng W.-Q., Tanguy M., Tadjeddine A., Dumas P. Hydrogen-terminated Si(lll) and Si(100) by wet chemical treatment: linear and nonlinear infrared spectroscopy//Surf.Sci. Vol.427-428, 1999, p.208-213.

44. He Y., Thiry P.A., Yu L.-M., Caudano R. The chemical etching mechanism of H-terminated Si(lll) surfaces in different pH solutions studied by HREELS // Surf.Sci. Vol.331-333, 1995, p.441-446.

45. Гаврилов С.А., Киреева Е.В., Назаренко И. Исследование поверхности пористого кремния методом контактного угла смачивания // Тезисы докл. Всероссийской НТК "Электроника и информатика", Зеленоград, 1995, с. 159.

46. A.I.Belogorokhov, R.Enderlein, A.Tabata, J.RXeite, V.A.Karavanskii, L.I.Belogorokhova Enhanced photoluminescence from porous silicon formed by nonstandard preparation // Phys.Rev.B Vol.56, No. 16, 1997, p. 10276-10282.

47. J.L.Gole, J.A.DeVincentis, L.Seais, P.T.Lillehei, S.M.Prokes, D.A.Dixon Chloride salt enhancement and stabilization of the photoluminescence from a porous silicon surface // Phys.Rev.B. Vol.61, No.8. 2000, p.5615-5631.

48. S.Zangooie, RJansson, H.Arwin Microstructural control of porous silicon by electrochemical etching in mixed HCl/HF solutions // Appl.Surf.Sci. Vol.136. 1998, p. 123-130.

49. Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Караванский В.А. Влияние состава электролита на свойства слоев пористого кремния // Электрохимия. Т. 35, № 7, 1999, с. 817-822.

50. De Cesare G., Maiello G., Masini G., Bondarenko V., Ferrari A Amorphous silicon sensors for oxidised porous silicon optical waveguides buried in silicon wafers // J.Non-Cryst.Solids. Vol.227-230, 1998, p. 1354-1358.

51. Arrand H.F., Benson T.M., Loni A., Arens-Fischer R., Krueger M.G., Thoenissen M., Lueth H., Kershaw S., Vorozov N.N. Solvent detection using porous silicon optical waveguides // J.Luminesc. Vol.80, 1999, p.119-123.

52. Hunkel D., Butz R., Ares-Fisher R., Marso M., Luth H. Interference filters from porous silicon with laterally varying wavelength of reflection //J.Luminesc. Vol.80, 1999, p. 133-136.60. http://www.canon.со.jp/Eltran/

53. Sendova-Vassileva M., Dimova-Malinovska D., Kamenova M., Kakanakova-Georgieva A., Marinova Ts. Depth dependence of photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // J.Luminesc. Vol.80, 1999, p. 179-182.

54. Arita Y., Sunohara Y. Formation and properties of porous silicon film // J.Electrochem.Soc., Vol. 124, No. 2, 1977, p. 285-294.

55. Гаврилов C.A. Механизм образования слоев пористого кремния (ПК) // Тез.докл. Московской конф. "Студенческая научная осень 94", Москва 1994. Ч.З, с. 42-44.

56. Beale M.I.J., Chew N.G., Uren M.J., Cullis A.G., Benjamin J.D. Microstructure and formation mechanism of porous silicon // Appl.Phys.Lett, Vol.46, No.l, 1985, p. 86-88.

57. Sugiyaina H., Nittono O. Microstructure and lattice distorsion of anodized porous silicon layers // J.Cryst.Growth, Vol.103, 1990, p. 156-163.

58. Chuang S.-F., Collins S.D., Smith R.L. Preferential propagation of pores during the formation of porous silicon: A transmission electron microscopy study // Appl.Phys.Lett., Vol.55, No.7, 1989, p.675-677.

59. Di Francia G., Menna P., Falconieri M. Effect of substrate roughness on porous silicon light emission // J.Luminesc., Vol.57, 1993, p.95-99.

60. Doan V.V., Penner R.M., Sailor M.J. Enchanced photoemission from short-wavelength photochemically etched porous silicon. // J.Phys.Chem. Vol.97, 1993, p. 4505-4508.

61. Di Francia G., Turchini S., Prosperi Т., Martelli F., Amato G., De Santis M. Structural and optical properties of porous silicon at different porosities // J.Appl.Phys. Vol.76, No.6, 1994, p.3787-3790.

62. Kanemitsu Y., Uto H., Masumoto Y. Microstructure and optical properties of freestanding porous silicon: Size dependence of absorption spectra in Si nanometer-sized crystallites // Phys.Rev.B, Vol.48, No.4, 1993, p.2827-2830.

63. Redman D.A., Follstaedt D.M., Kelly M.J. Photoluminescence and passivation of silicon nanostructures // Appl.Phys.Lett. Vol.65, No. 19, 1994, p.2386-2388.

64. Larre A., Halimaoui A., Glowacki F., Ferrieu F., Campidelli Y., Bensahel D. In situ spectroscopic ellipsometry of porous silicon layers annealed under ultrahigh vacuum // Appl.Phys.Lett. Vol.65, No. 12, 1994, p. 1566-1568.

65. Grosman A., Ortega C., Sleika J., Chamarro M. A quantitative study of impurities in photoluminescent and nonphotoluminescent porous silicon layers // J.Appl.Phys. Vol.74, No.3, 1993, p. 1992-1996.

66. Karanovich A.A., Romanov S.I., Kirienko V.V., Myasnikov A.M., Obodnikov V.I. A secondary ion mass spectrometry study of p+ porous silicon // J.Phys.D Appl.Phys. Vol.28, 1995, p.2345-2348.

67. Skryshevsky V.A. Thin film PV module // Thin Solid Films Vol.368, 2000, p. 125129.

68. Dimova-Malinovska D. Application of stain-etched porous silicon in light emitting diodes and solar cells // J.Luminesc. Vol.80, 1999, p.207-211.

69. H.Masuda, M.Satoh Fabrication of gold nanodot array using anodic porous alumina as an evaporation mask. Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35 (1996) p. L 126-L 129.

70. Гаврилов С.А., Лемешко C.B., Шевяков В.И. Самосовмещенное формирование наноразмерных цилиндрических кластеров палдадця на кремнии // Тез. докл.всероссийской НТК "Микро- и наноэлектроника 98" (МНЭ-98), Т.2, Звенигород, 1998 г. РЗ-26.

71. Gavrilov S., Lemeshko S., Shevyakov V., Roschin V. A study of the self-aligned nanometre scale palladium clusters on silicon formation process // Nanotechnology. Vol.10, No.2, 1999, p.213-216.

72. Лабунов В.А., Сокол В.А., Воробьева А.И., Паркун В.М. Исследование процесса анодирования двухслойных структур с помощью электронной микроскопии // ДАН БССР. 1989. Т.ЗЗ, №10. С.891-894.

73. Сурганов В.Ф., Мозалев A.M. Особенности электрохимического анодирования двухслойных тонкопленочных систем А1-Та и AlSi(l%)-Ta // ДАН БССР. 1990. Т.34, №4, с.234-237.

74. Vorobyova A.I., Sokol V.A., Outkina Е.А. SEM investigation of pillared microstructures formed by electrochemical anodization // Appl.Phys.A Vol.67, 1998, p.487-492.

75. Vorobyova A.I., Outkina E.A. Study of pillar inicrostructure formation with anodic oxides // Thin Solid Films Vol.324, 1998, p. 1-10.

76. Mozalev A., Surganov A., Magaino S. Anodic process for forming nanostructured metal-oxide coatings for large-value precise microfilm resistor fabrication // Electrochim. Acta. Vol.44, 1999, p.3891-3898.

77. Davydov D. N., Haruyama J., Routkevitch D., Statt B. W., Ellis D., Moskovits M., Xu J. M. Nonlithographic nanowire-array tunnel device: Fabrication, zero-bias anomalies, and Coulomb blockade // Phys.Rev.B. Vol.57, No.21, 1998, p. 13550-13553.

78. Schlottig F., Textor M., Spencer N. D., Sekinger K., Schnaut U„ Paulet J.-F. Characterization of nanoscale metal structures obtained by template synthesis // Fresenius J. Anal. Chem. Vol.361, 1998, p.684-686.

79. Sun L., Searson P.C., Chien C.L. Finite-size effects in nickel nanowifb arrays // Phys.Rev.B.,Vol.61, No. 10, 2000, p.R6463-R6466.

80. Bachtold A., Terrier C., Krager M„ Henny M., Hoss Т., Strunk C,, Huber R., Birk H., Staufer U., Schonenberger C. Cjntacting single template synthesized nanowires for electric measurements // Microelectronic Engineering Vol.41/42, 1998, p.571-574.

81. Liu K., Nagodawithana K., Searson P.C., Chien C.L. Perpendicular giant magnetoresistance of multilayered Co/Cu nanowires // Phys.Rev.B. Vol.55, No.l 1, 1995, p.7381-7384.

82. Khan H.R., Loebich O., Rauscher G. Crystallografic and magnetic investigations of the cobalt columns electrodeposited in the pores of anodic alumina // Thin Solid Films. Vol.275, 1996, p.207-209.

83. Routkevitch D., Bigioni Т., Moskovits M., Xu J.M. Electrochemical fabrication of CdS nanowire arrays in porous anodic aluminium oxide // J.Chem.Phys. Vol.100. 1996, p. 14037-14047.

84. Гаврилов C.A., Гусев B.B., Днепровский B.C., Жуков E.A., Муляров Е.А., Сырников А.Н., Яминский И.В. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (CdS) диэлектрик // Письма ЖЭТФ, 1999. Т.70, вып.З, с. 216-220

85. Amalnerkar D.P. Photoconducting and allied properties of CdS thick films // Mat.Chem.Phys. Vol.60, 1999, p. 1-21.

86. Jessensky O., Muller F., Gossele U. Self organized formation of hexagonal pore structures in anodic alumina // J.Electrochem.Soc., Vol. 145, No. 11, 1998, p.3735-3740.

87. Yuzhakov V.V., Chang H.-C., Miller A.E. Pattern formation during electropolishing // Phys.Rev.B. Vol.56, No. 19, 1997, p. 12608-12624.

88. Masuda H., Yamada H., Satoh M., Asoh H., Nakao M., Tamamura T. Highly ordered nanochannel-array architecture in anodic alumina // Appl.Phys.Lett. Vol.71, No. 19, 1997, p.2770-2772.

89. Jessensky O., Muller F., Gossele U. Self-organized formation of hexagonal pore arrays in anodic alumina // Appl.Phys.Lett. Vol.72, No. 10, 1998, p. 1173-1175.

90. Moon S.-M., Pyun S.-I. The mechanism of stress generation during the growth of anodic oxide films on pure aluminium in acidic solutions // Electrochim. Acta, Vol.43, No.21-22, 1998, p.3117-3126.

91. Patermarakis G., Moussoutzanis K. Mathematical models for anodisation conditions and structural features of porous anodic A1203 films on aluminium // J.Electrochem.Soc. Vol.142, No.3, 1995, p.737-743.

92. Закгейм Л.И. Электролитические конденсаторы. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1963.

93. Аверьянов Е.Е. Справочник по анодированию. М.: Машиностроение, 1988.

94. Подлипецкий Б.И., Симаков А.Б. Микроэлектронные датчики влажности: "Зарубежная электронная техника". 1987. Вып.2. С.64-97.

95. Shawaqfeh А.Т., Baltus R.E. Fabrication and characterization of single layer and multi-layer anodic alumina membranes // J.Membr.Sci. Vol.157, No.2, 1999, p. 147-158

96. Schwartz G.C., Platter V. Anodic processing for multilevel LSI // J.Electrochem.Soc. Vol.123, No.l, 1976, p.34-37.

97. Ross C.A., Drewery J.S., Somekh R.E., Evetts J.E. Electromigration and mechanical stress in aluminium conductor track passivated by anodization // J.Electron.Mat. Vol. 19, No.9, 1990, p.911-918.

98. Nahar R.K., Khanna V.K. Ionic doping and inversion of the characteristic of thin film porous A1203 humidity sensor // Sensors and Actuators B, Vol.46, 1998, p.35-41.

99. De Laet J., Terryn H., Vereecken J. Development of an optical model for steady state porous anodic films on aluminium formed in phosphoric acid // Thin Solid Films Vol.320, 1998, p.241-252.

100. Suzer S., Kutun S., Kadirgan F. Electron spectroscopic investigations of CdS and CdTe electrochemically coated on glass // Fresenius J. Anal. Chem. Vol.355, 1996, p.384-386.

101. Lippkow D., Strehblow H.-H. Structural investigations of thin films of copper-selenide electrodeposited at elevated temperatures // Electrochimica Acta, Vol.43, No. 1415, 1998, p.2131-2140.

102. Streltsov E.A., Osipovich N.P., Ivashkevich L.S., Lyakhov A.S. Effect of Cd(II) on electrodeposition of textured PbSe // Electrochimica Acta. Vol.44, 1999, p.2645-2652.

103. Streltsov E.A., Osipovich N.P., Ivashkevich L.S., Lyakhov A.S., Sviridov V. Electrochemical deposition of PbSe films // Electrochimica Acta, Vol.43, No.8, 199& p. 869-873.

104. Streltsov E.A., Osipovich N.P., Ivashkevich L.S., Lyakhov A.S. Electrochemical deposition of PbSeixTex solid solutions // Electrochimica Acta. Vol.44, 1998, p.407-413.

105. Al-Bassam A.A.I. Electrodeposition of CuInSe2 thin films and their characteristics // Physica B Vol.266, 1999, p. 192-197.

106. Raffaelle R.P., Forsell H., Potdevin T., Friedfeld R., Mantovani J.G., Bailey S.G., Hubbard S.M., Gordon E.M., Hepp A.F. Electrodeposited CdS on CIS pn junctions // Solar Energy Materials & Solar Cells Vol.57, 1999, p. 167-178.

107. Saloniemi H., Kanniainen T., Ritala M., Leskela M. Electrodeposition of PbTe thin films // Thin Solid Films Vol.326, 1998, p.78-82.

108. Kale S.S., Lokhande C.D. Preparation and characterization of HgS films by chemical deposition // Mat.Chem.Phys. Vol.59, 1999, p.242-246.

109. Kumaresan R., Babu S.M., Ramasamy P. Investigations on electrochemical growth and properties of mercury cadmium telluride semiconductor thin films for device fabrication // J. Crystal Growth. Vol. 198/199, 1999, p. 1165-1169.

110. Torane A.P., Rajpure K.Y., Bhosale C.H. Preparation and characterization of electrodeposited Sb2Se3 thin films // Mat.Chem.Phys. Vol.61, 1999. p.219-222.

111. Fujiwara T., Igasaki Y. The effects of pulsing the current in galvanostatic electrodeposition technique on the composition and surface morphology of In-Se films // J.Crystal Growth, Vol.178, 1997, p.321-334.

112. Ichimura M., Takeuchi K., Ono Y., Arai E. Electrochemical deposition of SnS thin films // Thin Solid Films Vol.361-362, 2000, p.98-101.

113. Subramanian B., Mahalingam T., Sanjeeviraja C., Jayachandran M., Chockalingam M.J. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films // Thin Solid Films Vol.357, 1999, p. 119-124.

114. Goto F., Ichimura M., Arai E. A new technique of compound semiconductor deposition from an aqueous solution by photochemical reactions // Jpn.J.Appl.Phys. Vol.36. Pt. 2. №9A/B, 1997, p.Ll 146-L1149.

115. Sugimura H., Uchida T., Kitamura N., Masuhara H. Nanofabrication of titanium surface by tip-induced anodization in scanning tunneling microscopy // Jpn.J.Appl.Phys. Vol.32. Pt.2, No.4A, 1993, p.L553-L555.

116. Ehrichs E.E., de Lozanne A.L. Etching of silicon (111) with the scanning tunneling microscope // J. Vac.Sci.Tech.A. Vol.8, No.l, 1990, p.571-573.

117. Ehrichs E.E., Yoon S., de Lozanne A.L. Direct writing of 10 nm features with the scanning tunneling microscope // Appl.PhysLett. Vol.53, No.23, 1988, p.2287-2289.

118. Matsumoto K. Room temperature operated single electron transistor made by STM/AFM nano-oxidation process // Physica B. Vol.227, 1996, p.92-94.

119. Dubois E., Bubbendorff J.-L. Nanometer scale lithography on silicon, titanium and PMMA resist using scanning probe microscopy // Solid-State Electronics Vol.43, 1999, p. 1085-1089.

120. Morimoto K., Perez-Murano F., Dagata J.A. Density variations in scanned probe oxidation // Appl.Surf.Sci. Vol.158, 2000, p.205-216.

121. Vullers R.J.M., Ahlskog M., Van Haesendonck C. Titanium nanostructures made by local oxidation with the atomic force microscope // Appl.Surf.Sci. Vol. 144-145, 1999, p.584-588.

122. Luna M., Colchero J., Gil A., Gomez-Herrero J., Baro A.M. Application of non-contact scanning force microscopy to the study of water adsorption on graphite, gold and mica// Appl.Surf.Sci. Vol.157, 2000, p.393-397.

123. Held R., Heinzel Т., Studerus P., Ensslin K. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope // Physica E Vol.2, 1998, p.748-752.

124. Гаврилов C.A., Лемешко СВ., Рощин B.M., Соломатенко Р.В., Шевяков В.И. Исследование особенностей процесса локального окисления пленок титана на основе сканирующей зондовой микроскопии // Изв. вузов. Электроника, №3, 2000, с. 27-33.

125. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников. М/. Наука, 1983. - 312 с.

126. Мямлин В.А., Плесков Ю.В. Электрохимия полупроводников. М.: Наука, 1965. - 338 с.

127. Ottow S., Popkirov G.S., Foil Н. Determination of flat-band potentials of silicon electrodes in HF by means of ac resistance measurements // J.Electroanal.Chem. Vol.455, 1998, p.29-37.

128. Tsuboi Т., Sakka Т., Ogata Y.H. Chemical etching of porous silicon in diluted hydrofluoric acid // Solid State Commun. Vol.109, 1999, p. 195-199.

129. Saiz-Pardo R., Perrez R., Garcira-Vidal F.J., Whittle R., Flores F. Systematic theoretical studies of the Schottky barrier control by passivating atomic intralayers // Surf.Sci. Vol.426, 1999, p.26-37.

130. Pourbaix M., Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions. National Asssociation of Corrosion Engineers. Houston. USA. 1974. 644 c.

131. Fukidome H., Matsumura M. Electrochemical study of atomically flattening process of silicon surface in 40% NH4F solution // Appl.Surf.Sci. Vol. 130-132, 1998, p. 146-150.

132. Da Fonseca C., Ozanam F., Chazalviel J.-N. In situ infrared characterisation of the interfacial oxide during the anodic dissolution of a silicon electrode in fluoride electrolytes // Surf.Sci. Vol.365, 1996, p. 1-14.

133. Bailes M, Bohm S., M.Peter L., Riley D.J., Greef R. An electrochemical and ellipsometric study of oxide growth on silicon during anodic etching in fluoride solutions // Electrochimica Acta, Vol. 43, No. 12-13, 1998, p. 1757-1772.

134. У.Д.Верятин, В.П.Маширев, Н.Г.Рябцев, В.И.Тарасов, Б.Д.Рогозкин, И.В.Коробов, Термодинамические свойства неорганических веществ: Справочник. М.: Атомиздат. - 1965. - 460 с.

135. Бондаренко В.Б., Кузьмин М.В., Кораблев В.В. Анализ естественных неоднородностей у поверхности примесного полупроводника // ФТП, 2001, т.35, вып.8, с. 964-968.

136. Unno Н., Imai К., Muramoto S. Dissolution reaction effect on porous silicon density // J.Electrochem.Soc., Vol.134, No.3, 1987, p.645-648.

137. Сорокин И.Н., Гаврилов C.A., Сосновских Ю.Н. Механизм образования слоев пористого кремния // Тез.докл.ВНТК «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Таганрог 1994. Ч. 1, с.53.

138. Кинлок Э. Адгезия и адгезивы: Наука и технология: Пер. с англ. М.: Мир, 1991.-484 с.

139. Гаврилов С.А., Киреева Е.В., Назаренко И. Исследование поверхности пористого кремния методом контактного угла смачивания // Тезисы докл. Всероссийской НТК "Электроника и информатика", Зеленоград, 15-17 ноября 1995, с. 159.

140. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике. ЗЭТ 1985, No. 15, с.4-48.

141. Энгельгардт Г.Р., Давыдов А.Д., Жукова Т.Б., Штреблов Х.-Х. Новый метод описания массопереноса при электрохимической реакции на дне цилиндрического канала // Электрохимия. Т.28, №2, 1992, с.251-264.

142. Сокол В.А. Особенности движения электролита при росте пористого анодного оксида алюминия // Вести АН БССР. Сер. физ-техн. 1983, №3, с. 107-112.

143. S.M.Prokes, W.E.Carlos, L.Seals, J.L.Gole Defect study of light-emitting HC1-treated porous silicon // Phys. Rev. B. Vol.62, No.3, 2000, p. 1878-1882.

144. R.C.Newman, Infra-red Studies of Crystal Defects, Teylor and Francis, London, P. 187.

145. M.Niwano, M.Terashi, M.Shinohara, D. Shoji, N.Miyamoto, Oxidation processes on the H20-chemisorbed Si(lOO) surface studied by in-situ infrared spectroscopy // Surf. Sci. Vol.401, 1998, p.364-370.

146. T.Arigane, K.Yoshida, T.Wadayama, A.Hatta, In situ FT-IR and photoluminescence study of porous silicon during exposure to F2 ,H20, and D20 // Surf. Sci. Vol. 427-428. 1999, p. 304-308.

147. W.Ranke, Precursor kineticsof dissociative water adsorption on the Si (001) surface // Surf. Sci. V. 369, 1996, p. 137-145.

148. K.Akagi, M.Tsukada, Interaction of H20 with hydrogen-terminated and clean Si (001) surfaces // Thin Solid Films. V. 343-344, 1999, p. 397-400.

149. J.-H.Cho. K.S.Kim S.-H.Lee, M.-H.Kang, Dissociative adsorption of water on the Si (001) surface: A first-principles study // Phys. Rev. B, V.61, No.7, 2000.

150. Горячев Д.Н., Полисский Г., Сресели О.М. Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой//ФТП, т. 32, №8, 1998, с. 1016-1018.

151. Каменев Б.В., Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды // ФТП, т.34, вып.6, 2000, с. 753-756.

152. S.Watanabe Isotopic shift and broadening of Si-D bending vibration on Si (111) // Appl. Surf. Sci. Vol. 162-163, 2000, p. 146-151.

153. T.Matsumoto, A.I.Belogorokhov, L.I.Belogorokhova, Y.Masumoto, E.A.Zhukov, The effect of deuterium 011 the optical properties of free-standing porous silicon layers // Nanotechnology V. 11,2000, p. 340-347.

154. L.M.Struck, J. Eng Jr., B.E.Bent, G.W.Flynn, Y.J.Chabal, S.B.Cristman, E.E.Chaban, K.Raghavachari, G.P.Williams, K.Radermacher, S.Mantl, Vibrational study of silicon oxidation: H20 on Si (100) // Surf.Sci. V.380, 1997, p. 444-454.

155. N.Zamanzadeh-Hanebuth, M.S.Brandt, M.Stutzmann, Vibrational properties of siloxene: isotope substitution studies // J. Non-Crystalline Solids Vol.227-230, 1998, p. 503-506.

156. W.R. Wampler, S.M.Mayers, D.M.Follstaedt, Surface silicon-deuterium bond energy from gas-phase equilibration // Phys.Rev.B, Vol.47, No.7, 1993, p. 4492-4497.

157. H.Noda, T.Urisu, Assignments of bending and stretching vibrational spectra and mechanisms of thermal decomposition of SiH2 on Si (100) surfaces // Chem. Phys. Lett. Vol.326, 2000, p. 163-168.

158. Ипатова И.П., Чикалова-Лузина О.П., Хесс К. Влияние локальных колебаний на концентрацию атомов Н и D на поверхности кремния // Физика и техника полупроводников, т.ЗЗ, вып.9, 1999, с. 1100-1101.

159. М.С.Flowers, N.B.H. Jonathan, A.Morris, S.Wright, The adsorption and reactions of water on Si(100) 2x1 and Si(lll)-7x7 surfaces // Surf.Sci. Vol.351, 1996, p.87-102.

160. I.C.Kizilyalli, J.W.Lyding, K.Hess, Deuterium post-metal annealing of MOSFET's for improved hot carrier reliability // IEEE Electron Device Lett. Vol.18, No.3, 1997, p.81-83.

161. J.W.Lyding, K.Hess, I.C.Kizilyalli, Reduction of hot electron degradation in metal oxide semiconductor transistors by deuterium processing // Appl. Phys. Lett. Vol.68, No. 18, 1996, p. 2526-2528.

162. C.Rossiter, I.I.Suni Atomic force microscopy of Au deposition from aqueous HF onto Si(lll) // Surf. Sei. Vol.430, 1999, p.L553-L557.

163. M.Wittmer, J.L.Freeouf, Ideal Shottky diodes on passivated silicon // Phys.Rev.Lett. Vol.69, No. 18, 1992, p.2701-2704.

164. I.Coulthard, T.K.Sham, Morphology of porous silicon layers: image of active sites from reductive deposition of copper onto the surface // Appl. Surf. Sei. Vol.126, 1998, p.287-291.

165. T.Tsuboi, T.Sakka, Y.H.Ogata, Effect of dopant type on immersion plating into porous silicon layer //Appl.Surf.Sci. Vol.147, 1999, p.6-13.

166. V.Polishchuk, E.Souteyrand, J.R.Martin, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon // Analytica Chimica Acta Vol.375, 1998, p.205-210.

167. A.J.Reddy, J.V.Chan, T.A.Burr, R.Mo, C.P.Wade, C.E.D.Chidsey, J. Michel, L.C.Kimerling Defect states at silicon surfaces // Physica В Vol.273-274, 1999, p.468-472.

168. F.Runkel, J.W.Shultze, R.Arens-Fisher, Electrical contact to porous silicon by electrodeposition of iron // Thin Solid Films. Vol.276. 1996, p.40-43.

169. A.Asano, T.Kubota, Y.Nishioka, H.Kobayashi, Dependence of interface states for ultra-thin SiO 2 /Si interfaces on the oxide atomic density determined from FTIR measurements // Surf.Sci. Vol.427-428, 1999, p.219-223.

170. D.Saluel, J.Daval, B.Bechevet, C.Germain, B.Valon Ultra high density data storage on phase change materials with electrical micro-tips // J. Magnetism and Magnetic Materials, Vol.193, 1999, p.488-491.

171. R.K.Workman, C.A.Peterson, D.Sarid Current-dependent growth of silicon nitride lines using a conducting tip AFM // Surf.Sci. 423 (1999) L277-L279.

172. J.A.Dagata, J.Schneir, H.H.Harray, C.J.Evans, M.T.Postek, J.Bennett, Appl.Phys.Lett Vol.56, 1990, p 2001.

173. L.A.Nagahara, T.Thundat, S.M.Lindsay, Nanolitography on semiconductor surfaces under an etching solutions. //Appl.Phys.Lett Vol.57, No.3, 1990, p.270-272.

174. T.Thundat, L.A.Nagahara, P.I.Oden, S.M.Lindsay, M.A.George, W.S.Glaunsinger, Modification of tantalium surfaces by scanning tunneling microscopy in an electrochemical cell. // J. Vac. Sci. Technol., A Vol.8, No.4, 1990, p.3537-3541.

175. Garcia R, Calleja M and Perez-Murano F // Appl.Phys.Lett Vol.72, 1998, p.2295.

176. Гаврилов C.A., Щербачев Д.Р., Сорокин И.Н., Левченко В.М., Гулидов Д.Н. Анодное окисление поверхности арсенида галлия, нарушенной абразивной обработкой//Электрохимия, т.28, 1992. С. 1806-1811.

177. Гаврилов С.А., Сорокин И.Н. Электрохимический анализ строения и кинетики образования пористого анодного оксида алюминия // Электрохимия. 2000, т. 36, №5, с. 618-622.

178. Гаврилов С.А., Сорокин И.Н., Щербачев Д.Р. Электрохимический анализ структуры слоев пористого анодного оксида алюминия // Сб. науч. тр. МИЭТ, 1993, с.39-46.

179. J.Marsh, D.Gorse, A photoelectrochemical and ас impedance study of anodic titanium oxide films // Electrochim. Acta. V.43, N7, 1998, p.659-670.

180. G.C.Jain, A.Pasad, B.C.Charkravarty On the mechanism of the anodic oxidation of Si at constant voltage // J.Electrochem.Soc. V.126, No.l, 1979, p.89-92.

181. Черненко В.И., Снежко Л.А., Папанова И.И. Получение покрытий анодно-искровым электролизом. Л.: Химия, 1991. 128 с.

182. X.Xu, J.Cesaranolll, E.Burch, G.P.Lopez, Template-assisted electrochemical deposition of ultrathin films of cadmium sulfide // Thin Solid Films, Vol.305, 1997, p.95-102

183. T.Yukawa, K.Kuwabara, K.Kuomoto, Electrodeposition of CuInS2 from aqueous solution: Part I. Electrodeposition of Cu-S film // Thin Solid Films, Vol.280, 1996, p. 160162.

184. D.N.Upadhyay, V.Yegnaraman, Effect of thiourea and substituted thioureas on copper underpotential deposition on gold // Mat.Chem.Phys. Vol.62, 2000, p.247-253.

185. Streltsov E.A., Osipovich N.P., Ivashkevich L.S., Lyakhov A.S. Effect of Cd(II)on electrodeposition of textured PbSe // Electrochiin.Acta. 1999. Vol.44. N 15. P.2645-2652.

186. Streltsov E.A., Osipovich N.P., Ivashkevich L.S., Lyakhov A.S., Sviridov V.V. Electrochemical deposition of PbSe films // Electrochim.Acta. 1998. Vol.43. N 8. P.869-873.

187. Streltsov E.A., Osipovich N.P., Ivashkevich L.S., Lyakhov A.S. Electrochemical deposition of PbSeixTex solid solutions // Electrochim.Acta. 1998. Vol.43.

188. Стрельцов E.A., Осипович Н.П., Ивашкевич Л.С., Ляхов А.С. Структура пленок сульфида кадмия, полученного методом электроосаждения // Неорганические материалы. 1998. Т.34. № 7. С. 1-4.

189. Стрельцов Е.А., Осипович Н.П., Ивашкевич Л.С., Ляхов А.С. Электросинтез ориентированных пленок РЬТе // Доклады Национальной академии наук Беларуси. 1999. Т.43, №.2. С.52-55.

190. Стрельцов Е.А., Осипович Н.П., Ивашкевич Л.С., Ляхов А.С. Электрохимическое формирование текстурированных халъкогенидов свинца PbSe и PbSel-xTex из водных растворов // Журнал прикладной химии. 1998. Т.71, № 10. С. 1651-1653.

191. Murase К., Watanabe Н., Hirato Т., Awakura Y. Potential-pH diagram of the Cd-Te-NH3-H20 system and electrodeposition behavior of CdTe from ammoniacal alkaline baths. J. Electrochem. Soc. V.146. № 5. P. 1798-1803.

192. Suzer S., Kutun S., Kadirgan F. Electron spectroscopic investigations of CdS and CdTe electrochemically coated on glass. Fresenius J. Anal. Chem. V.355. P. 384-386.

193. M. Bouroushian, J. Charoud-Got, Z. Loizos, N. Spyrellis, G. Maurin, Structure and properties of CdSe and CdSexiTex electrolytic deposits on Ni and Ti cathodes: influence of the acidic bath pH // Thin Solid Films, Vol.381, 2001, p.39-47.

194. C. Lepiller, P. Cowache, J.F. Guillemoles, N. Gibson, E. Ozsan, D. Lincot, Fast electrodeposition route for cadmium telluride solar cells // Thin Solid Films, Vol.361-362,2000, p. 118-122.

195. D. R. Johnson, Microstructure of electrodeposited CdS/CdTe cells // Thin Solid Films Vol. 361-362, 2000, p. 321-326.

196. F. Jackson, L.E.A. Berlouis, P.Rocabois, Layer-by-layer electrodeposition of cadmium telluride on silicon // J.CrystGrowth Vol.259, 1996, p.200-204.

197. F. Zenia, C. Levy-Clement, R. Triboulet, V. Munoz, K. Ernst, I. Kaiser, M.Ch. Lux-Steiner, R. Konenkamp, Surface texturisation of ZnTe crystals and thin films // Thin Solid Films Vol.361-362, 2000, p.49-52.

198. J. Nishino, S. Chatani, Y. Uotani, Y. Nosaka, Electrodeposition method for controlled formation of CdS films from aqueous solutions // J. Electroanal. Chem. Vol.473, 1999, p. 217-222.

199. J. Toushkova, D. Kindl, J. Toushek, Preparation and characterization of CdS/CdTe thin film solar cells // Thin Solid films, Vol.293, 1997, p. 272-276.

200. M. I. Schimmel, N. R. de Tacconi, K. Rajeshwar, Anodic electrosynthesis of Cu2S and CuInS2 films // J. Electroanal. Chem. Vol. 453, 1998, p. 187-195

201. Томов A.B., Филиппов B.B., Бондаренко В.П. Волноводные свойства оптических структур, полученных окислением пористого кремния. Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. № Ю. С. 86-89.

202. Loni A., Canham L.T., Berger M.G., Arens-Fischer R., Munder H., Luth H., Arrand H.F., Benson T.M. Porous silicon multilayer optical waveguides. Thin Solid Films, 1996. Vol. 276. P. 143-146.

203. Lugo J.E., Del Rio J.A., Taguena-Martinez J., Ochoa-Tapia J.A. Effective dielectric function of porous silicon: The transverse component. Mat. Res. Soc. Symp. 1995. Vol. 358. P. 45-48.

204. Basmaji P., Bagnato V.S., Grivickas V., Surdutovich G.I., Vitlina R. Determination of porous silicon film parameters by polarized light reflectance measurements. Thin Solid Films. 1993. Vol. 233. P. 131-136.

205. Mihalescu I., Lerondel G., Romestain R. Porous silicon anisotropi investigated by guided light. Thin Solid Films. 1997. Vol. 297. P. 245-249.

206. Korkishko Yu.N., Fedorov V.A., Gavrilov S.A., Karavanskii V.A., Birefringent oxidized porous silicon based optical waveguides. Proc. Integrated Photonics Research. Victoria. Canada. 1998. March 30-April 3. IMC3-1. P.30-32.

207. Дикаев Я.М., Копылов Ю.А., Котелянский И.М. Простой метод определения профиля показателя преломления в градиентных волноводах. Квантовая электроника. Т. 8. С.378-381, 1981.262

208. Ландау Л.Д., Лнфшнц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Сер. Теоретическая физика. Т. 8. М.: Наука. 1982. 620 с.

209. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. М.: Мир. 1986. 404 с.

210. Unagami Т. Rate Determing Step of Anode Charge-Transfer Process during Porous Silicon Formation in HF Solution // Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 (1997) pp. 5421-5424.

211. Лебедева B.B. Экспериментальная оптика. М.: Изд.-во Моск. ун-та, 1994. -352 с.

212. Томас Дж., Томас У., Гетерогенный катализ, пер.с англ.,М., 1969.

213. Крылов О.В., Кисилев В.Ф., Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах., М.,1981.

214. Беклемышев В.И., Гонтарь В.М., Левенец В.И., Махонин И.И., Шокин А.Н., Электронная промышленность. 1994. N 2.

215. S. Lemeshko, S. Gavrilov, V. Shevyakov, V. Roschin, R. Solomatenko, Investigation of tip induced ultrathin Ti film oxidation kinetics // Nanotechnology (in press).

216. Настоящий акт составлен в том, что при выполнении государственного оборонного заказа использованы следующие результаты диссертационной работы Гаврилова С.А.:

217. От в/ч 34416 От ГосНИИФП им.Ф.И.Лукина1. Зам. нач. отделаздадеетщель1. УТВЕР)учно^-работе к им. Ф.В.Лукина С.Н.Мазуренко 2001 г.1. АКТ

218. Использования результатов диссертационной работы

219. В течение 1996 2001 гг. В ГНЦ НИИФП им.Ф.В.Лукина при выполнении ряда НИР использованы следующие результаты диссретационной работы С.А.Гаврилова на тему ^Процессы электрохимического формирования твердотельных нанбструктур»:

220. Оптимизированные режимы создания диэлектрических мембран на основе окисленного пористого кремния использованы при разработке новых типов интегральных мембранных структур для газовых сенсоров взрывоопасных газов.

221. Руководитель лаборатории №852 профессор, д.т.н.1. А.В.Емельянов1. УТВЕРЖДАЮ»1. АКТиспользования результатов диссертационной работы

222. Основы нано- и оптоэлектроники», лекционный курс для магистров по программе 550705 -Квантовая и оптическая электроника;

223. Электрохимические процессы в микро- и нанотехнологии» и «Оптоэлектроника» лекционные курсы для специалистов по программе 200100 Микроэлектроника и твердотельная электроника.

224. По результатам работы подготовлены 4 лабораторные работы, 3 из которых включены в Лабораторный практикум по курсу «Технология электронных компонентов»/Под ред. И.Н.Сорокина. -М.:МИЭТ, 1999. 100 с.1. Заведующий кафедрой

225. Материалы и процессы твердотельнойэлектроники», профессор, д.ф.-м.н.1. Ю.Н.Коркишко