-
2008
Балабанов, Владимир Тарасович
Существующие известные технологии, направленные на создание планарных конструкции бесконтактных идентификаторов посредством проволочного монтажа кристалла, либо монтажа кристалла «лицом» вниз (flip-chip), не учитывают многие конструктивно-технологические факторы, обеспечивающие как прочность микросоединенин кристалла с антенной, так и планаризацию
-
2008
Матузов, Антон Викторович
Несмотря на очевидность перспектив применения кубического карбида кремния для создания приборов электронной и микросистемной техники, промышленного технологического оборудования для CVD-эпитаксии 3C-SiC на кремниевые подложки в России не существует. Отсутствие оборудования для эпитаксиального роста, обеспечивающего возможность проведения процесса
-
2008
Полунина, Алиса Александровна
Одной из особенностей условий работы геттера является возможное наличие в вакуумном объеме электрических и магнитных полей относительно высокой напряженности
-
2007
Чеботарев, Сергей Николаевич
Объекты и методы исследования. Объектами теоретических исследований являлись закономерности массопереноса при сублимационном нанесении слоев металлов и полупроводников в микроразмерных ростовых ячейках различной конфигурации
-
2007
Субботин, Кирилл Анатольевич
В настоящей работе предлагаются три новых лазерных кристалла, активированные ионами четырехвалентного хрома: Cr:CaMgSi04, Cr:LiAlGe04 и Cr:LiGaSi04. Первый из них был известен ранее, предварительные исследования некоторых люминесцентных характеристик этого материала были проведены на порошкообразных и поликристаллических образцах, однако в виде
-
2007
Коновалов, Владимир Вячеславович
Теоретические исследования проводились на основе теории теплопроводности, теории адсорбции, теории диффузии в металлах, базировались на основных положениях тепло- массопереноса. Экспериментальные исследования включали методы вторично-ионной масс-спектроскопии (ВИМС) и ОЖЕ-анализа для исследования химического состава поверхности и распределения
-
2007
Аккулов, Руслан Иршатович
Транспортирующие агрегаты ТС микроэлектроники должны обладать работоспособностью, в том числе в вакуумированных объемах, и функциональной пригодностью, простотой конструкции и легкостью в обслуживании, иметь исчезающее малую интенсивность пылегенерации и низкую стоимость, возможность обеспечения гибкого маршрута. Таким качеством в большей мере
-
2007
Алексейчук, Андрей Владимирович
-
2007
Ивлева, Людмила Ивановна
Известно, что выращивание кристаллов представляет собой сложную технологическую проблему, в которой тесно взаимосвязаны многие научные дисциплины и самые современные технические достижения. В основе большинства технологий выращивания кристаллов лежат представления о фазовых равновесиях, растворимости, тепловых полях, процессах тепломассопереноса и
-
2007
Алексеев, Николай Игоревич
Фуллерены и углеродные нанотрубки (УНТ) являются новыми углеродными материалами, замечательными как своим структурным совершенством, так и разнообразием технологических возможностей, в частности, в электронике
-
2007
Козлов, Александр Николаевич
Создание современного элионного (электронно- и ионно-лучевого) технологического оборудования связано с решением целого ряда научных и технических задач таких, как оптимизация электронно-оптических элементов и систем для формирования электронных и ионных пучков с требуемыми геометрическими и энергетическими параметрами, решение проблемы
-
2007
Локтев, Дмитрий Викторович
Объектом настоящей работы выбраны газы, играющие огромную роль в жизнедеятельности человека и подавляющем большинстве технических устройств. Поэтому при измерении их параметров с помощью МЭМС необходимо учитывать и аэродинамические особенности сенсора, чему до сих пор не отводилось должного внимания
-
2007
Железнякова, Анастасия Вячеславовна
В последнее время интерес к наноматериалам возник со стороны разработчиков солнечных элементов, в частности, активно развивается концепция фотоэлектрических преобразователей на основе гетеропереходов с ультратонким абсорбером. Накопленный теоретический и экспериментальный опыт продемонстрировал перспективность применения метода молекулярного
-
2007
Падерин, Евгений Михайлович
-
2007
Гайстер, Александр Владимирович
Основой для новой лазерной среды должен стать материал, обладающий широкополосной люминесценцией в районе 1000 нм. Поскольку для изготовления лазерных элементов необходимы крупные кристаллы высокого оптического качества, желательно, чтобы этот материал обладал конгруэнтным характером плавления. В этом случае крупные лазерные кристаллы можно
-
2006
Субботин, Кирилл Анатольевич
В настоящей работе предлагаются три новых лазерных кристалла, активированные ионами четырехвалентного хрома: Cr:CaMgSi04, Cr:LiAlGe04 и Cr:LiGaSi04. Первый из них был известен ранее, предварительные исследования некоторых люминесцентных характеристик этого материала были проведены на порошкообразных и поликристаллических образцах, однако в виде
-
2006
Воронина, Ирина Сергеевна
Исследования спектров спонтанного комбинационного рассеяния вольфраматов стронция и бария [6] показали, что данные материалы, как и вольфрамат кальция, обладают высокими значениями интегрального сечения рассеяния. Вольфрамат бария обладает малой шириной ВКР-линии (1.6 см"1), что приводит к высокой пиковой интенсивности рассеяния (63% по отношению
-
2006
Семенин, Сергей Николаевич
В современных условиях комплексной микроминиатюризации приборов электронной техники определяющим фактором успешной реализации таких шлейфов является повышение технологических возможностей по реализации ( высокой плотности коммутационных дорожек (шаг до 0,15мм и менее) и повышение их механической устойчивости к многократным перегибам с минимизацией
-
2006
Опаричев, Александр Борисович
Преобразователи теплового действия в настоящее время занимают прочное место в измерительных приборах и системах, и аналогичные разработки ведутся многими ведущими приборостроительными фирмами («Сименс», «Хьюлетт Паккард», «Маркони», «Ультракаст», «Антехника», «Хитачи» и др
-
2006
Бритвин, Альберт Александрович
Однако пока процесс МПР не до конца изучен и после его внедрения в производство были обнаружены существенные присущие этому методу недостатки. Так предварительные исследования и литературные данные показывают, что после многопроволочной резки монокристаллов кремния на пластины на последних остается макрорельеф, амплитуда которого достигает 10 мкм
