автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.13, диссертация на тему:Метод и измерительная система оперативного контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод

Введение.

1. ОБЗОР И АНАЛИЗ ВОПРОСОВ КОНТРОЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ В ВОДНЫХ РАСТВОРАХ СЕЛЕКТИВНЫМ МЕТОДАМИ.

1.1 Общая характеристика проблемы контроля концентрации ионов тяжелых металлов на основе ионоселективных методов.

1.2 Краткий обзор и анализ ионоселективных материалов и средств измерения концентрации ионов тяжелых металлов в водных растворах

1.3 Постановка задачи исследования и пути ее решения.

Выводы.

2. МЕТОД КОНТРОЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ ТЯЖЕЛЫХ ME- 26 ТАЛЛОВ ПРОМЫШЛЕННЫХ СТОЧНЫХ ВОД.

2.1 Разработка математической модели электрохимических и электрофизических процессов в измерительной ячейке.

2.2 Исследование и анализ влияния температуры на выходные характеристики измерительной ячейки.

2.3 Разработка ионоселективного метода контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод на основе разработанной модели.

Выводы.

3 РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ЯЧЕЙКИ КОНТРОЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ ПРОМЫШЛЕННЫХ СТОЧНЫХ ВОД.

3.1 Разработка и исследование ионоселективных мембран на базе оксидных полупроводников.

3.1.1 Анализ материалов оксидного типа по критерию их чувствительности и селективности к контролируемым ионам.

3.1.2 Разработка методик, позволяющих синтезировать ионоселек-тивные мембраны с требуемыми селективными свойствами.

3.1.2.1 Методика определения катионного состава.

3.1.2.2 Методика дериватографического анализа определения катионного состава ионоселективных мембран и режимов синтеза.

3.1.2.3 Методика определения типа проводимости оксидных полупроводников.

3.1.2.4 Методика поиска состава материала.

3.1.3 Разработка технологии синтеза ионоселективных мембран.

3.1.4 Определение селективных свойств ионоселективных мембран и исследование влияния температуры на их выходные параметры

3.2 Разработка ионоселективного полевого транзистора и реализация измерительной ячейки контроля концентрации ионов тяжелых металлов на его основе.

3.2.1 Формирование исходных параметров для разработки ионоселективного полевого транзистора.

3.2.2 Алгоритм определения оптимальных параметров ионоселективного полевого транзистора.

3.2.3 Технология изготовления ионоселективного полевого транзистора.

3.2.4 Разработка измерительной ячейки контроля концентрации ионов в растворе.

Выводы.

4. МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА КОНТРОЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ ПРОМЫШЛЕННЫХ СТОЧНЫХ ВОД И АНАЛИЗ ПОГРЕШНОСТИ РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЯ.

4.1 Структурная схема микропроцессорной системы и алгоритм ее работы.

4.2 Анализ погрешности результатов измерения.

4.2.1 Адекватность математической модели электрохимическим и электрофизическим процессам, протекающим в измеритель- ^ ной ячейке.

4.2.2 Анализ методической погрешности косвенных измерений концентраций ионов тяжелых металлов промышленных ^ сточных вод.

Выводы.

В настоящее время проблема загрязнения природной среды становится наиболее актуальной. Одним из факторов загрязнения являются промышленные сточные воды, которые в большинстве случаев в своем составе содержат вредные для природной среды примеси, намного превышающие свои предельно допустимые концентрации. Сложность методов контроля концентрации примесей в водах и их трудоемкость требует как совершенствования традиционных, так и создания новых эффективных методов и средств контроля.

Актуальность работы

В практике определения концентрации ионов в растворах наибольшее развитие получили ионоселективные методы контроля, характеризующиеся оперативностью и экономичностью проведения измерения. Однако достоверность и точность результатов измерений такими методами зависят от применяемого типа материала, используемого в качестве ионоселективных мембран, температурной стабильности исследуемого раствора и т.д.

Таким образом, разработка новых ионоселективных методов, позволяющих учитывать влияние температуры раствора на результаты измерения, и реализующих их средств, использующих новый тип материалов ионоселективных мембран с повышенной чувствительностью и селективностью, является одной из актуальных задач контроля концентрации ионов в растворах и, в частности, промышленных сточных вод.

Связь с государственными программами и НИР

Диссертационная работа выполнялась в рамках реализации следующих государственных программ: программа Минвуза РФ "Комплексные системы измерений, контроля и испытаний в народном хозяйстве" на 1998 - 2001 гг.; программа министерства образования РФ "Инновации высшей школы и введение интеллектуальной собственности в хозяйственный оборот" по разделу "Инновационные научно-технические проекты" 2001 г.

Цель работы

Разработка, исследование и внедрение в практику нового ионоселек-тивного метода контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных, сточных вод и реализующей его микропроцессорной системы, позволяющих повысить оперативность и точность контроля концентрации ионов тяжелых металлов.

Основные задачи работы

Для достижения поставленной цели необходимо:

- разработать математическую модель, описывающую электрохимические и электрофизические процессы в измерительной ячейке и устанавливающую взаимосвязь этих процессов с конструкторско-топологическими и электрофизическими параметрами ячейки;

- разработать и исследовать на основе полученной математической модели новый, более эффективный в метрологическом отношении, ионоселек-тивный метод контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод;

- разработать новый состав материалов ионоселективных мембран, используемых в качестве основного элемента первичного преобразователя в системах контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод, а также разработать технологию синтеза ионоселективной мембраны, обладающей высокими селективными свойствами и чувствительностью к контролируемым ионам;

- разработать измерительную ячейку контроля концентрации ионов тяжелых металлов, включающую ионоселективную мембрану с новым составом материалов и высокими селективными свойствами, полевой транзистор, преобразующий потенциал ионоселективной мембраны с увеличением уровня выходного сигнала, датчик температуры и электрод сравнения;

- создать микропроцессорную систему, реализующую разработанный метод и позволяющую в автоматическом режиме произвести измерение концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод, внести необходимую коррекцию влияния температуры на результаты измерений;

- осуществить экспериментальную проверку и оценить погрешность измерения разработанной микропроцессорной системы.

Методы и методики исследования

Результаты исследований, включенные в диссертацию, базируются на аналитической теории электрохимических и электрофизических процессов в измерительной ячейке, математической физике, математическом моделировании и метрологии.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем: на основе математической модели электрохимических и электрофизических процессов в измерительной ячейке разработан новый ионоселектив-ный метод, отличающийся высокой производительностью измерений и точностью, обусловленной в первую очередь учетом влияния температуры раствора на результат измерения концентрации; разработан новый тип ионоселективных мембран, обладающих высокими селективными свойствами и чувствительностью к контролируемым ионам; разработано алгоритмическое, программное и метрологическое обеспечение для созданной микропроцессорной системы контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод.

Практическая ценность работы заключается в том, что на основе разработанного ионоселективного метода контроля концентрации ионов тяжелых металлов промышленных сточных вод создана и внедрена микропроцессорная система с соответствующим алгоритмическим, программным и метрологическим обеспечением, позволяющая оперативно и с достаточной для контроля природной среды точностью контролировать концентрацию ионов тяжелых металлов.

Реализация результатов работы заключается в создании и внедрении при непосредственном участии автора измерительной системы контроля концентрации ионов в растворах. Результаты диссертационной работы приняты к использованию в ГНУ ВИИТиН.

Апробация работы

Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации докладывались на XV-ой Российской научно-технической конференции "Неразрушающий контроль и диагностика" (г. Москва, 1999г.), на международной научно-технической конференции "Новые материалы и технологии на рубеже веков", (г. Пенза, 2000 г.), на международной научно-практической конференции "Окружающая природная среда и медицинская эколощя" (г.Пенза, 2001 г.).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 10 научных работ, получено два патента РФ на изобретения.

Личный вклад автора

Во всех работах, опубликованных в соавторстве, при непосредственном участии автора были разработаны основные идеи метода, получены аналитические выражения и теоретические результаты, предложено математическое обеспечение алгоритмов измерения и структур аппаратных средств, проведены эксперименты по измерению концентрации ионов тяжелых металлов в водных растворах и осуществлено доказательство достоверности получен9 ных результатов и эффективности использования предложенного метода и микропроцессорной системы.

Структура работы Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и трех приложений. Работа изложена на 132 страницах, содержит 21 рисунок, 10 таблиц и 87 наименований библиографического указателя.

Выводы

1. Разработана микропроцессорная система, реализующая разработанный метод контроля и позволяющая проводить контроль ионов в растворах в диапазоне > 10" моль/л с необходимой для охраны природной среды точностью, причем точность контроля разработанной микропроцессорной системы практически не зависит от температуры и не хуже 5 %.

2. Разработано алгоритмическое и программное обеспечение для микропроцессорной системы контроля концентрации ионов в растворах, позволяющее максимально автоматизировать весь процесс измерения.

3. Проведены экспериментальные исследования метода и средства контроля концентрации ионов в растворе, подтвердившие корректность и работоспособность разработанного метода и средства контроля концентрации ионов, а также эффективность их практического применения в области охраны природной среды и лабораторных исследованиях.

4. Для разработанного метода контроля концентрации ионов получены структуры полной методической погрешности измерений, проведена оценка вклада каждой компоненты в соответствующую характеристику указанной погрешности и выделены доминанты в составе полной погрешности, что позволяет целенаправленно воздействовать на составляющие общей погрешности с целью повышения метрологического уровня системы в целом.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Проведены теоретические и экспериментальные исследования электрохимических и электрофизических процессов, протекающих в измерительной ячейке при изменении концентрации ионов в растворе. На основе проведенных исследований получены аналитические зависимости, устанавливающие связь между основными конструкторско-технологическими, электрохимическими и электрофизическими параметрами разработанной измерительной ячейкой. Полученные зависимости являются основой для создания математической модели, описывающей электрохимические и электрофизические процессы в измерительной ячейке.

2. На основе полученных зависимостей разработана математическая модель, описывающая электрохимические и электрофизические процессы в измерительной ячейке, а также устанавливающая взаимосвязь этих процессов с конструкторско-топологическими и электрофизическими параметрами ячейки. Исследование этой модели показало большое влияния температуры раствора на концентрацию ионов, так изменение температуры раствора на 10 градусов приводит к увеличению погрешности измерения не менее чем на 30%.

3. На основе созданной модели разработан метод оперативного контроля концентрации ионов в растворах, отличающийся высокой производительностью измерений и точностью, обусловленной в первую очередь учетом влияния температуры раствора на результат измерения концентрации.

4. Разработан новый тип материалов ионоселективных мембран, обладающих высокими селективными свойствами и чувствительностью к контролируемым ионам и создана технология их синтеза, использующая химический анализ катионного состава оксидных полупроводников, методику дериватографического анализа, позволяющую определить соотношение фаз и режимы синтеза мембраны, методику определения типа проводимости по величине термо-э.д.е. материала, методику поиска состава с необходимым значением установленного свойства.

5. Разработан алгоритм определения параметров ионоселективного полевого транзистора, при которых транзистор обладает наибольшей передаточной характеристикой для контролируемого типа ионов и заданного диапазона концентраций и даны рекомендации по выбору его эксплуатационных параметров.

6. Проведены экспериментальные исследования технологии изготовления ионоселективного полевого транзистора. Экспериментально определены абсолютные погрешности выполнения топологических размеров. На этой основе выявлены доминирующие технологические этапы, влияющие на точность выполнения конструкционных размеров ионоселективного полевого транзистора. Даны рекомендации по осуществлению этих операций и выбору технологического оборудования и оснастки.

7. Разработана измерительная ячейка контроля концентрации ионов в растворах, включающая электрод сравнения, полевой транзистор, ионосе-лективную мембрану, датчик температуры. Вследствие применения нового типа ионоселективных мембран измерительная ячейка обладает лучшими селективными свойствами и чувствительностью к контролируемым ионам, а применяемая структура полевого транзистора позволяет сделать электрическую развязку и увеличить уровень выходного сигнала.

8. Разработана и внедрена в производство микропроцессорная система, реализующая новый метод оперативного контроля концентрации ионов в растворах, позволяющая в автоматическом режиме произвести измерение концентрации ионов в растворах, выполнить расчет искомой концентрации ионов, внести необходимую коррекцию в результаты измерений и представить эти результаты в удобной для восприятия форме.

1. Морф В.Е. Принципы работы ионоселективных электродов и мембранный транспорт. -М: Мир, 1985. -280 с.

2. А. с. 842547 СССР, МКИ GO IN 27/30. Пленочный мембранный ионосе-лективный электрод / А.Б. Малиновский, И.А. Зайденман, A.M. Капустин и др. (СССР), № 2819288/18-25; Заявл. 21.09.79; Опубл. 30.06.81, Бюл. № 24.

3. А. с. 1599752 СССР, МКИ G01N 27/416. Способ Блаженко-Дубров-ского измерения химического состава среды и устройство для его осуществления / М.П.Блаженко, В.В.Дубровский (СССР), № 4314422/31-25; Заявл. 05.08.87; Опубл. 15.10.90, Бюл. № 38.

4. А. с. 1658062 СССР, МКИ G01N 27/414. Устройство для измерения электрохимического потенциала активности ионов в растворах / А.В.Грибунин (СССР), № 4487701/25; Заявл. 30.08.88; Опубл. 23.06.91, Бюл. №23.

5. А. с. 1775658 СССР, МКИ G01N 27/414. Устройство для регистрации изменения потенциала мембраны химического сенсора на основе полевого транзистора/ Ю.Г.Власов, А.А.Кручинин, Ю.А.Тарантов (СССР), -№4902077/25; Заявл. 11.01.91; Опубл. 15.11.92, Бюл. № 42.

6. Пат. 2097755 РФ, МКИ G01N27/414. Ионоселективный полевой транзистор / Н.Г.Ванифатова, Н.В.Исакова, Н.В.Колычева и др. (РФ).- № 95106578/25; Заявл. 25.04.95; Опубл.29.11.97.

7. А. с. 1509719 СССР, МКИ G01N 27/30. Устройство для измерения концентрации ионов в растворах электролитов / Б.И.Подлепецкий, С.В.Фоменко, В.Д.Селиванов и др. (СССР), № 4155702/31-25; Заявл. 04.12.86; Опубл. 23.09.89, Бюл. № 35.

8. Моррисон С. Р. Химическая физика поверхности твердого тела. -М: Мир, 1980.-488 с.

9. Эйзенман Дж. Теория мембранных электродных потенциалов: Пер. с англ. М.: Мир, 1972.-312 с.

10. Королев А.П. Разработка интегральных полупроводниковых термочувствительных элементов для приборов неразрушающего контроля теплофизических свойств материалов: Дис. канд. техн. наук. Тамбов., 2000. - 157 с.

11. Баршутин С.Н., Шелохвостов В.П., Макарчук М.В. Анализ материала для изготовления ионселективной мембраны // Труды ТГТУ: Сборник научных статей молодых ученых и студентов. Вып.5. -Тамбов, 2000. -С. 187-190.

12. Электроаналитические методы в контроле окружающей среды: Пер. с англ./ Кальвода Р., Зыка Я., Штулик К. и др.; Под ред. Е. Я. Неймана. -М.: Химия, 1990.-240 с.

13. New Thermiston materials / Takuoky H.,etc. Nationale Technical Report.-1982.-v.28-N6.-Pl 123-1134.

14. Новик Ф.С. Планирование эксперимента на симплексе при изучении металлических систем . -М: Металлургия, 1985.-256с.

15. Блудов А.Ю., Шелохвостов В.П., Авдеева В.Г., Баршутин С.Н. Методы исследования и анализа катионного состава марганцевых терми-сторов // Труды ТГТУ: Сборник научных статей молодых ученых и студентов.- Вып.З. Тамбов, 1999. - С. 177-182.

16. Ю.Г. Власов, Е.А. Бычков, А.В. Легин Сенсоры на основе халькоге-нидных стекол для анализа жидких сред: исследование материалов, электродные характеристики, аналитические применения. // Журнал аналитической химии, № 11, Т52, 1997, с 1184-1191.

17. Пат. 2035733 РФ, МКИ G01N27/27. Способ контроля параметров жидких сред / В.А.Стрелов, М.Ю.Петров, М.В.Уланов и др. (РФ).- № 95011137/25; Заявл. 21.10.92; 0публ.20.05.95

18. Пат. 2073236 РФ, МКИ G01N30/00. Способ определения токсичных элементов в водах/ Р.А.Юсупов, М.А.Даутов, В.С.Цивунин др. (РФ).-№ 94026988/04; Заявл. 18.07.94; Опубл. 10.02.97.

19. Пат. 2167416 РФ, МКИ G01N27/416. Способ и устройство для определения концентрации ионов водорода/ И.К.Гвоздев, Б.И.Герасимов, В.Ф.Калинин и др. (РФ).- № 99107791/28; Заявл. 07.04.99; Опубл. 20.05.2001.

20. А. с. 1516933 СССР, МКИ G01N 27/30. Способ потенциометрического определения концентрации ионов/ Ю.И.Урусов, А.М.Цыганков, В.В.Золотарев и др. (СССР), № 4159285/31-25; Заявл. 11.12.86; Опубл. 23.10.89, Бюл. № 39.

21. Пат. 2017146 РФ, МКИ G01N27/333. Мембрана ионоселективного электрода / Ю.А.Буслаев, Е.Г.Ильин, А.В.Копытин и др. (РФ).- № 5039432/25; Заявл. 01.04.92; Опубл. 30.07.94.

22. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М: Мир, 1984. 455с.

23. Баршутин С.Н., Шелохвостов В.П., Чернышов В.Н. Ионоселективный метод контроля катионного состава промышленных сточных вод // Вестник ТГТУ.- 2001.- Т. 7, №2.- С. 185-194.

24. Шефтель И.Т. Терморезисторы. -М: Наука, 1973. 416 с.

25. Глазов В.М., Вигдорович В.Н. Микротвердорсть металлов. -М.: Ме-таллургиздат, 1962. -224 с.

26. Коренман И.М. Новые титриметрические методы. -М.: Химия, 1983. -176 с.

27. Хейванг В., Биркхольц У., Айнцингер Р. и др. Аморфные и поликристаллические полупроводники. -М: Мир, 1987. 160 с.

28. Рего К. Г. Метрологическая обработка результатов технических измерений: Справочное пособие. -К.: Техшка, 1987.-128 с.

29. Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. -М.: Энергоатомиздат, 1990. -576 с.

30. Коледов J1.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. -М.: Радио и связь, 1989. -400 с.

31. Тилл У., Лаксон Дж. Интрегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. -М.: Мир, 1985. -501 с.

32. Бриндли К. Измерительные преобразователи. М.: "Энергоатомиздат", 1991,- 143 с.

33. Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений. -Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985. 248 с.

34. Коленко Е. А. Технология лабораторного эксперимента. СПб.: "Политехника", 1994. - 647 с.

35. Латимер В.М. Окислительные состояния элементов и их потенциалы в водных растворах. М.: ИЛ, 1954. 434 с.

36. Удалов Н. П. Полупроводниковые датчики. М.: "Энергия", 1965. -435 с.

37. Волькштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. М.: Физматгиз, 1960. 284 с.

38. Тугов Ч. М. Полупроводниковые приборы. М.: "Энергоатомиздат", 1990. - 576 с.

39. Волькштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973.-510 с.

40. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий приборов и схем. М: "Высшая школа", 1990. - 320 с.

41. Парфёнов О. О. Технология микросхем. М.: "Высшая школа", 1986. -320 с.

42. Никифорова Денисова С. Н., Любушкин Е. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Термические процессы. - М: "Высшая школа", 1989. - 96 с.

43. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: "Высшая школа", 1979.

44. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники. М.: "Радио и связь", 1991. -287 с.

45. Козырь И.Я. Горбунов Ю.И. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. М.: "Высшая школа", 1989. - 222 с.

46. Новицкий П.В., Зограф И.А., Лабунец B.C. Динамика погрешностей. -Л.: "Энергоатомиздат", 1990. 188 с.

47. Корн Г.Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. -М.: "Наука", 1974. 832 с.

48. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем и микропроцессоров и микросборок. Учебник для вузов. М.: "Радио и связь", 1989. -400 с.

49. Гусев А.И, Ремпель А.А. Структурные и фазовые переходы в несте-хиометрических соединениях. -М.: Наука, 1988. 350 с.

50. Еремеев B.C. Диффузия и напряжение. М.: Мир, 1984. - 243 с.

51. Литовченко В.Г., Попов В.Г. Физика поверхности и микроэлектроника. -М.: Энергоатомиздат, 1990. 356 с.

52. Давыдов А.С. Теория твердого тела. М.: Наука, 1976.-520 с.

53. Блейкмор Дж. Физика твердого тела.-М.: Мир, 1988.-411 с.

54. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: "Мир", 1989.- 630 с.

55. Стриха В.И. Физические основы надежности контактов металл-проводник в интегральной электронике. М.: "Радио и связь", 1987. -256 с. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. - М.: "Высшая школа", 1981. -431 с.

56. Чистяков Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: "Металлургия", 1979. - 408 с.

57. Бонч-бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: "Наука", 1990.- 688 с.

58. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М.: "Радио и связь", 1987. 464 с.

59. Авдеев Б.Я., Антошо Е.М., Душен Е.М. Основы метрологии и электрические измерения. Л.: "Энергоатомиздат", 1987. - 480 с.

60. Кулаков М.В. Технологические измерения и приборы для химических производств. М.: "Машиностроение", 1983. - 424 с.

61. Туричин A.M., Новицкий П.В., Левшина Е.С. электрические измерения не электрических величин. Л.: "Энергия", 1975. - 576 с.

62. Рогельберг И.П., Бейлин В.М. Сплавы для термопар. М.: "Металлургия", 1983. - 360 с.

63. Зи С. Технология СБИС, т.1. М.: "Мир", 1986. - 404 с.

64. Зи С. Технология СБИС, т.2. М.: "Мир", 1986. - 453 с.

65. Белоус Ю. Т., Мунин П. И., Шер Ю. А. Методы проектирования индуктивных и резонансных пленочных элементов. М.: "МИЭТ", 1977. -52 с.

66. Березин А. С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. М.: "Радио и связь", 1983. - 232 с.

67. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ./ Под ред. А. В. Шальнова. М.: "Мир", 1985. - 494 с.

68. Валиев К. А., Раков А. В. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: "Радио и связь", 1984. - 350 с.

69. Гуськов Г. Я., Блинов Г. А., Газаров А. А. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. М.: "Радио и связь", 1986. - 175 с.

70. Достанко А. П. Технология интегральных схем. Минск: "Вышэйшая школа", 1982.-206 с.

71. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М.: Высшая школа, 1986.-464 с.

72. Конструирование и расчет больших гибридных интегральных схем, микросборок и аппаратуры на их основе / Под ред. Б. Ф. Высоцкого. -М.: "Радио и связь", 1981. 216 с.

73. Ильин В. Н., Коган В. J1. Разработка и применение программ автоматизации схемотехнического проектирования. М.: "Радио и связь", 1984. - 368 с.

74. Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1969.-326 с.

75. Справочник конструктора РЭА: Общие принципы конструирования/Под ред. Р. Г. Варламова. М.: "Советское радио". 1980. - 478 с.

76. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: "Советское радио", 1969. - 592 с.

77. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: "Энергоатомиздат", 1985.- 392 с.

78. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела. -М.: Энергоатомиздат, 1982.-528 с.115

79. Линевег Ф. Измерение температур в технике: Справочник. М.: Металлургия, 1980. 544 с.

80. Пасынков В. В., Чиркин JI. К. Полупроводниковые приборы. М.: "Высшая школа", 1987. - 479 с.

81. Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: "Энергия", 1977. - 423 с.

82. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. М.: "Советское радио", 1980.- 423 с.

83. Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. М.: "Энергия", 1971. -272 с.

84. Екимов А.В., Ревяков М.И. Надежность средств электроизмерительной техники.-JI.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние. 1986. - 208 с.program Projectl;uses Forms,

85. Unitl in 'Unitl.pas' {Forml}; {$R *.RES}begin

86. Application.Initialize; Application.CreateForm(TForml, Forml); Application.Run; end.unit Unitl;interfaceuses

87. Windows, Messages, SysUtils, Classes, Graphics, Controls, Forms, Dialogs,1. StdCtrls, math;type

88. Private declarations } public

89. Public declarations } end;var

90. Zj:= varZmax-varZmin; varZi:=varZmin+0.382*Zj ;end;1. varldmax > varldmin thenvarZi:=varZmaxelsevarZi:=varZmin; { Конец Z }

91. Vdj:= varVdmax-varVdmin; varVdi:=varVdmin+0.382*Vdj;end;1. varldmax > varldmin thenvarVdi:=varVdmaxelsevarVdi:=varVdmin; { Конец Vd }

92. Unitl in 'Unit 1.pas' {Forml};$R *.RES}begin Application.ini tialize; Application. CreateForm(TForm 1, Form 1); Application.Run; end.unit Unitl;interfaceuses

93. Windows, Messages, SysUtils, Classes, Graphics, Controls, Forms, Dialogs, StdCtrls, math;type

94. Private declarations } public

95. Public declarations } end;var

96. Утверждаю» Главный инженерпо научноовжедъ^'кой и инновационной lf£f\ \ де^тейЙности ТГТУ lliV.K^^V?,) Калинин В.Ф.1. Утверждаю»

97. Завод подшипников \ скольжения»1. Колмаков А.В.2001г.2001г.1. АКТ о внедрении

98. Разработанная микропроцессорная система контроля концентрации ионов в растворах по завершении научно-исследовательской работы успешно внедрена в ОАО «Завод подшипников скольжения».

99. Планируемый экономический эффект при использовании метода и средства контроля концентрации ионов в растворах составит 80 тыс. рублей в год.

100. От ОАО «Завод подшипников От ТГТУскольжения» Начальник ЦЗЛ1. Зимин Н.Н.2001 г.1. Начальник НИСа»1. Утверждаю»ffSS^mктор по научнои инновационномV1. Явности ТГТУ1. Калинин В.Ф.1. АКТ о внедрении

101. В разработке микропроцессорной системы контроля концентрации ионов в растворах, а также в испытании и внедрении ее в производство принимал активное участие аспирант кафедры "Материалы и технологии" ТГТУ Баршутин Сергей Николаевич

102. Разработанная микропроцессорная система контроля концентрации ионов в растворах по завершении научно исследовательской работы внедрена в

103. Планируемыкэкономический эффект при использовании метода и средства контроля концентрации ионов в растворах составит 100 тыс. рублей в год.1. ГНУ ВИИТиН.1. От ГНУ ВИИТиНра по науке1. От ТГТУ1. Начм^ник НИСаЛ1. Зазуля А.Н. 2001 г.ыгин В.Е. 2001 г.