автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.13, диссертация на тему:Релаксационные методы контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ, ПРОТЕКАЮЩИХ НА ГРАНИЦЕ ТВЕРДЫХ ТЕЛ И ГАЗОВ.

1.1 Электрические и оптические методы.

1.2 Спектроскопические методы.

1.3 Эффекты, используемые для динамического контроля поверхностных процессов.

ГЛАВА 2 КОНТРОЛЬ СОСТОЯНИЯ МОЛЕКУЛ И РАДИКАЛОВ ГАЗА, УЧАСТВУЮЩИХ В ГЕТЕРОГЕННЫХ ХИМИЧЕСКИХ ПРЕВРАЩЕНИЯХ, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ПУЛЬСАЦИЙ ПОТОКА АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ НАД ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА.

2.1 Математическое описание гетерогенных химических процессов, протекающих на поверхности твердых веществ.

2.2 Метод контроля состояния молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях, с использованием периодических пульсаций потока активных частиц газа над поверхностью твердого тела.

2.3 Способ реализации метода в случае реакций гетерогенной рекомбинации молекул и радикалов газа.

2.4 Погрешность измерений интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров.

2.5 Примеры применения разработанного метода контроля.

ГЛАВА 3 КОНТРОЛЬ СОСТОЯНИЯ МОЛЕКУЛ И РАДИКАЛОВ ГАЗА, УЧАСТВУЮЩИХ В ГЕТЕРОГЕННЫХ ХИМИЧЕСКИХ ПРЕВРАЩЕНИЯХ, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОГРАНИЧЕНИЯ ДИФФУЗИОННОГО РАСПЛЫВАНИЯ «ПАКЕТА» АКТИВНЫХ ЧАСТИЦ ГАЗА, ДВИЖУЩЕГОСЯ В ГАЗОВОЙ СТРУЕ, И ЗОНДИРОВАНИЯ ЭТИМ

ПАКЕТОМ» ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА.;.

3.1 Введение.

3.2 Метод контроля состояния молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях, с использованием ограничения диффузионного расплывания «пакета» активных частиц газа, движущегося в газовой струе, и зондирования этим «пакетом» поверхности твердого тела.

3.3 Способ реализации метода для реакций гетерогенной рекомбинации на поверхности люминофоров.

3.4 Технические средства для реализации метода.

3.5 Погрешность измерений интенсивности радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров.

3.6 Примеры применения разработанного метода контроля.

Физические явления на поверхностях конденсированных сред изучались с древности. Возможно самое раннее письменное упоминание сведений из этой области, датированное периодом правления Хммурани, появилось в клинописной форме в Вавилоне. Определенная форма гадания, известная сегодня как ле-каномантия, основывалась на анализе свойств масла, вылитого в чашу с водой. Наблюдая поведение расширяющейся пленки масла, прорицатель предсказывал исход военных компаний и течение болезней. В более поздние времена был известен тот факт, что морские волны можно успокоить, выливая масло в море. В частности Бенджамин Франклин проводил такие опыты с помощью полой бамбуковой палочки, заполненной маслом. Масло, хотя его было не больше чайной ложки, мгновенно успокоило волнение на площади несколько ярдов. Затем, постепенно распространяясь, достигло подветренной стороны пруда. В результате, четвертая часть пруда, площадью примерно в половину акра, стала гладкой, как стекло. Интересно, что Франклин не выполнил простейших вычислений, которые привели бы его к заключению, что толщина пленки составляет всего около 1 мм.

В 19 веке были надежно разработаны методы научного анализа, благодаря чему получены три важных результата, имевшие большое значение для науки о поверхности.

1833г. — М. Фарадей обратил внимание на таинственное явление: в присутствии платины реакция водорода с кислородом начиналась при значительно более низкой температуре, чем обычное горение. В типичной для него манере М. Фарадей разработал серию экспериментов, которые привели к созданию качественной теории каталитического действия (термин, введенный в 1836г. Бер-делидсом). Эта теория не претерпела изменений по сей день.

1874г. - Карл Фердинанд Браун (Нобелевский лауреат), проводя электрические измерения на сульфидах металлов, заметил отклонение от закона Ома при пропускании тока через сандвич из Си и РеБ. Несколькими годами позже он предположил, что причина' такого необычного асимметричного сопротивления, называемого сегодня выпрямлением, связана с тонким слоем на границе раздела двух фаз.

1877г. - Дж. Уилард Гиббс опубликовал вторую часть своей работы "Равновесие гетерогенных веществ". Эта работа заложила математический фундамент термодинамики и статической механики. Как часть этой программы, Гиббс полностью описал термодинамику поверхности фаз.

В первые годы 20-го века, благодаря усилиям Ирвина Ленгмюра, наука о поверхности вылилась в обширную область исследований (Ленгмюр работал под руководством Нернста в Геттингенском университете). В дальнейшем, работая в "Дженерал электрик", Ленгмюр мог свободно удовлетворять свои широкие научные интересы. Он был пионером в разработке экспериментальных методов, необходимых для высоковакуумных исследований; ввел понятие адсорбционной химической связи, поверхностной адсорбционной решетки, коэффициента аккомодации; выполнил фундаментальные исследования работы выхода металлов, гетерогенного катализа и адсорбции и вывел законы термоионной эмиссии (Лауреат Нобелевской премии 1932г. за "Выдающиеся открытия и разработки в области химии поверхности".)

1921г. - Нобелевская премия была вручена Эйнштейну за объяснение внешнего фотоэффекта.

1937г. - Клинтон Девиссон - Нобелевская премия за работы по электронной дифракции.

Хотя все эти ученые отдавали себе отчет, что изучали поверхностный слой кристаллов, только через 30 лет фотоэмиссионная спектроскопия и дифракция медленных электронов стали широко применяться для анализа электронной и геометрической структуры поверхности.

В 30-е годы Тамм, Лауэ, Гудвин и Шокли установили существование и свойства электронных состояний, локализованных на поверхности кристалла. Тогда же Бардин разработал основную теорию свободной металлической поверхности, которая оставалась без изменений более 30 лет.

Естественно, что фундаментальные исследования поверхностных свойств полупроводника сосредотачивались на границе металл-полупроводник. Почти одновременно Мотт, Шотки, Давыдов предложили теорию выпрямляющего перехода.

Первые практические применения полупроводников - до 1945г. - селеновые выпрямители и точечные детекторы из сульфида свинца, в основе которых лежат свойства раздела полупроводника и металла.

Далее - транзистор (первоначальная неудача при создании полевого транзистора связана с поверхностными состояниями в запрещенной зоне германия). Усилия в борьбе с поверхностными состояниями привели к созданию биполярных транзисторов с точечными контактами. Полевой же транзистор удалось создать лишь в начале 60-х годов на основе 57 с инверсионным слоем или на основе МОП - структуры. В его работе решающую роль играет граница - Я/

1949г. - создание прибора, о котором "Нью-Йорк Тайме" сообщила как о "названном транзисторном приборе, который имеет ряд применений в радиотехнике, где обычно используются вакуумные лампы" (транзистор с точечными контактами — Бардин и Бриттайн). Затем последовали интенсивные исследования поверхностей и границ раздела фаз.

Во введении к своей классической монографии "Поверхность полупроводников" Мэни, Голдстейн и Гровер говорят об интересном различии между "реальной" и "чистой" поверхностью. Первую получают обычной лабораторной обработкой; вторую — в особых, тщательно контролируемых условиях. К сожалению, тогда не существовало надежных экспериментальных методов определения химического состава "чистой" поверхности и, как результат, почти совсем не были исследованы атомарно чистые поверхности.

Подлинное рождение физики поверхности приходится на вторую половину 60-х годов в результате совпадения трех событий:

1. Установление того факта, что электронная спектроскопия, в частности электронная оже-спектроскопия, позволяет регистрировать химические соединения, находящиеся на поверхности твердого тела, с чувствительностью до малых долей монослоя.

2. В связи с космическими программами, была разработана технология промышленного производства сверхвысоковакуумных (СВВ) камер, позволяющих сохранять образец чистым в течение значительного периода времени. Вследствие этого появилась возможность выполнять контролируемые эксперименты на надежно охарактеризованных поверхностях твердых тел и проводить их сопоставление с теоретическими моделями.

3. Появление и широкое распространение высокоскоростных компьютеров позволило проводить теоретическое моделирование.

Развитие исследований в последнее десятилетие свидетельствует о том, что физика поверхности вышла из периода своего детства. Тем не менее, во многих случаях мы не располагаем фундаментальными принципами и единым подходом, мы все еще движемся на ощупь.

Так же как поверхность является границей между твердым телом и газовой фазой, так и физика поверхности занимает промежуточное положение между физикой твердого тела и каталитической химией. Она является связующим элементом этих двух отраслей знаний, внося свой вклад в каждую из них. С одной стороны, свойства поверхности определяют свойства всего твердого тела, поэтому физику поверхности можно причислить к физике твердого тела. С другой стороны, в настоящее время поверхность твердого тела (твердая стенка) является одним из лучших катализаторов (ускорителей) химических реакций. По этой причине физика поверхности является областью интересов гетерогенного (реагенты находятся в разных фазах) катализа.

Известно, что исследования гетерогенных химических реакций, протекающих на границе твердых веществ и газов, с применением раз личных методов контроля проведены в основном в стационарных условиях. Немногочисленные исследования в нестационарных условиях позволили выявить участие в таких реакциях частиц, захваченных поверхностью в короткоживущее пред-сорбционное состояние (precursor state). При исследовании механизмов гетерогенных химических реакций основные результаты получены с использованием малых потоков реагирующих на поверхности твердых тел молекул газа (техника высоковакуумного эксперимента). Методические проблемы изучения механизмов гетерогенных реакций при «больших» давлениях реагирующих на поверхности катализатора газообразных веществ (область технического катализа) обусловлены тем, что применение наиболее информативного релаксационного метода исследований затруднено в связи с малыми характерными временами кинетических процессов. Кроме того, полученные кинетические данные не имеют однозначной интерпретации из-за изменения состояния поверхности твердого тела в ходе опытов вследствие неконтролируемых поверхностных процессов, роль которых возрастает при увеличении давления газовой смеси (диффузия молекул газа в объем твердого тела и т.п.). Для устранения этой неопределенности необходимо в опытах контролировать состояние участвующих в химических превращениях молекул. Однако такие методы наблюдений не разработаны.

Целью работы является разработка методов и технических средств контроля состояния активных частиц газа, участвующих в гетерогенных химических процессах. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: разработать методы контроля состояния активных частиц газа, участвующих в гетерогенных химических реакциях в условиях, когда влияние поверхностных процессов на изменение состояния поверхности пренебрежимо мало;

- разработать технические средства для регистрации физических параметров, характеризующих химические превращения на поверхности.

Научная новизна.

1. Разработан метод контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических реакциях, заключающийся в создании периодических пульсаций потока активных частиц над поверхностью твердого тела с одновременной регистрацией концентрации адсорбированных молекул веществ, реагирующих на поверхности, и скорости гетерогенной химической реакции по величине динамического эффекта реакции. 2. Разработан метод контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических реакциях, заключающийся в ограничении диффузионного расплывания «пакета» активных частиц газа, движущегося в газовой струе, и зондировании этим «пакетом» поверхности твердого тела.

Достоверность полученных результатов.

Особое внимание при проведении экспериментов уделялось защите средств измерений от воздействия электромагнитных полей. Объектами исследования служили вещества, состав которых был определен с точностью не хуже 10" %. Применялись химические средства очистки и пассивация стенок реактора и разрядных трубок. Отсутствие примесей в используемых газах контролировали по спектру свечения высокочастотного разряда в газе. Большое внимание уделялось очистке используемых газов, в опытах использовали спектрально чистые газы. С целью проверки экспериментальных данных проводили "холостые" опыты, в которых образцы не наносили на подложку. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых кинетических кривых интенсивности РРЛ 1(1). Вспышки РРЛ контролировали визуально. При неоднократной смене образцов в различной последовательности (например, 2п8-Сиь СаО-Мп, 2п$-Тть ХпЪ-Сщ

СаО-Мп) с целью проверки воспроизводимости экспериментальных данных были получены идентичные результаты для одних и тех же образцов. При варьировании параметров, влияющих на условия формирования «пакета» активных частиц, наблюдались воспроизводимые кинетические кривые интенсивности РРЛ. Полученные экспериментальные результаты согласуются с известными теоретическими положениями.

Практическая значимость.

1. Разработаны технические средства, предназначенные для создания периодических пульсаций потока активных частиц газа над поверхностью твердого тела с помощью пульсирующего и стационарного высокочастотных газовых разрядов.

2. Разработаны технические средства, предназначенные для формирования «пакета» активных частиц газа с длительностью нарастания их концентрации над поверхностью твердого тела равной 10 мс и длительностью прохождения «пакета» через реактор с образцом ~ 0,1 с.

3. Разработанные методы исследований могут найти широкое применение при экспериментальном изучении физических и химических процессов, протекающих на границе твердых тел и активных газов в случае «больших» давлений (область технического катализа). Их использование в научных исследованиях имеет многообещающие перспективы и позволит решать приоритетные научные задачи.

Реализация работы.

Создана экспериментальная установка, позволяющая исследовать процессы взаимодействия активной газовой среды с поверхностью твердых тел. Разработанные методы контроля и созданные технические средства апробированы при исследовании нестационарных процессов на поверхности твердых веществ (ультрадисперсных порошков меди и никеля и мелкодисперсных кристалло-фосфоров ХпБ-Си, Хп8-Тт, СаО-Мп), помещенных в среду диссоциированных углекислого газа или водорода. Результаты работы внедрены на кафедре физики Орловского государственного технического университета при проведении научных исследований, а также в ЗАО «Кинескоп» при проведении ОКР.

Положения, выносимые на защиту. 1. Метод контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических реакциях, заключающийся в создании периодических пульсаций потока активных частиц над поверхностью твердого тела с одновременной регистрацией концентрации адсорбированных молекул веществ, реагирующих на поверхности, и скорости гетерогенной химической реакции по величине динамического эффекта реакции.

2. Технические средства, предназначенные для создания периодических пульсаций потока активных частиц газа над поверхностью твердого тела с помощью пульсирующего и стационарного высокочастотных газовых разрядов.

3. Метод контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических реакциях, заключающийся в ограничении диффузионного расплыва-ния «пакета» активных частиц газа, движущегося в газовой струе, и зондировании этим «пакетом» поверхности твердого тела.

4. Технические средства, предназначенные для формирования «пакета» активных частиц газа с длительностью нарастания их концентрации над поверхностью твердого тела, равной 10 мс, и длительностью прохождения «пакета» через реактор с образцом -0,1 с.

Структура и объем диссертации.

Диссертация изложена на 124 страницах машинописного текста, иллюстрируется 30 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения, списка использованных источников, включающего 92 наименование, и приложений.

Выводы

Предложен метод контроля состояния молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях, с использованием ограничения диффузионного расплывания «пакета» активных частиц газа, движущегося в газовой струе, и зондирования этим «пакетом» поверхности твердого тела. Разработаны технические средства, предназначенные для формирования «пакета» активных частиц газа с длительностью нарастания их концентрации над поверхностью твердого тела равной 10 мс и длительностью прохождения «пакета» через реактор с образцом ~ 0,1 с. Разработана автоматизированная система измерений интенсивности свечения газового разряда и радикалорекомбинационной люминесценции. Предложенный метод контроля применен при изучении атомно-молекулярных и электронных процессов, возникающих при взаимодействии атомарного водорода с поверхностью кристаллофосфоров 2п8-Си, 2пБ-Тт, СаО-Мп. Приведены результаты экспериментальных исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Разработан метод контроля состояния молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях, с использованием периодических пульсаций потока активных частиц газа над поверхностью твердого тела.

2. Разработаны технические средства, предназначенные для создания периодических пульсаций потока активных частиц над поверхностью твердого тела с помощью пульсирующих высокочастотных газовых разрядов.

3. Разработан метод контроля состояния молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях, с использованием ограничения диффузионного расплывания «пакета» активных частиц газа, движущегося в газовой струе, и зондирования этим «пакетом» поверхности твердого тела

4. Разработаны технические средства, предназначенные для формирования «пакета» активных частиц газа с длительностью нарастания их концентрации над поверхностью твердого тела, равной 10 мс, и длительностью прохождения «пакета» через реактор с образцом ~ 0,1 с.

5. Разработанные методы контроля и созданные технические средства апробированы при исследованиях элементарных процессов на поверхности твердых веществ (ультрадисперсного порошка меди и мелкодисперсных кристалло-фосфоров ХпБ-Си, 2п8-Тт,- СаО-Мп), помещенных в среду диссоциированных углекислого газа или водорода.

6. Установлено, что при концентрации атомов водорода в газовой среде п = (1014 - 1015) см'3 реакция их гетерогенной рекомбинации протекает с участием физически адсорбированных атомов.

7. На примере гетерогенных реакций Н + Н ^ Н2 и СО + О —> С02 обнаружено влияние хемосорбированных атомов и молекул реагирующих веществ на скорость гетерогенных реакций, в которых участвуют физически адсорбированные частицы. Эффект обусловлен энергообменом в слое адсорбированных частиц, приводящим к стабилизации высокореакционных промежуточных веществ или молекул продукта реакции, вследствие которой происходит рост скорости гетерогенной реакции, либо участием хемосорбированных атомов в химических превращениях.

8. Установлено уменьшение выхода РРЛ кристаллофосфора ХпБ-Си (люминофор марки ФКП-03), возбуждаемой атомарным водородом с ростом концентрации п атомов водорода в газовой среде при п~ 1014 см'3. Дана интерпретация этого эффекта.

9. Время жизни т3 атомов водорода, захваченных в состояние физической адсорбции, на поверхности люминофоров СаО-Мп, 2п$-Си, 2п&-Тт по отношению к ответственной за возбуждение РРЛ реакции Н + Н Н2 удовлетворяет условию: Тц « Юме.

Ю.Обнаружено уменьшение интенсивности РРЛ кристаллофосфора ZwJS'-Cм при увеличении уровня электронного возбуждения его поверхности атомами водорода при концентрации атомов водорода в газовой среде п » 1015 см'3, что связано с конкуренцией каналов излучательной и безызлучательной релаксации электронно-возбужденных состояний кристалла.

1. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1989. - 440 с.

2. Харламов В.Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. - 207 с.

3. Гранкин В.П. // Ж. прикл. спектроскопии. 1996. Т. 63. № 3. С. 444 451.

4. Гранкин В .П., Тюрин Ю.И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 4. С. 608 -612.

5. Харламов В.Ф., Горбачев А.Ф., Клыков О.И. // Хим. физика. 1986. № 5. С. 708-710.

6. Морисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А .Я. Шульмана под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980. - 315 с.

7. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.

8. Л.В.Вилков, Ю.А.Пентин. Физические методы исследования в химии. Структурные методы и оптическая спектроскопия: Учеб. М.: Высш. шк., 1987.366 с.

9. Барковский В.Ф., Горелик С.М., Городенцева Т.Б. Физико-химические методы анализа. М.: Высшая школа, 1972. - 253 с.

10. Экспериментальные методы химической кинетики. / Под ред. Эмануэля

11. Н.М., Кузьмина М.Г. // Изд-во Московского университета, 1985. 214 с. П.Томас Дж. и др. Методы исследования катализаторов: Пер. с англ. / Под ред.

12. Дж. Томаса., Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. - 304 с. 12.Эткинс П. Физическая химия: Пер. с англ. К.П. Бутина. - М.: Мир, 1980. -584 с.

13. Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл-газ. М.: Мир, 1981.-351 с.

14. Жданов В.П. Скорость химической реакции. М.: Наука, 1986. - 196 с.

15. Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. -Новосибирск: Наука, 1988. 279 с.

16. Р.Драго. Физические методы в химии: в 2 т. М.: Мир, 1981. т. 1, 2.

17. Л.В.Вилков, Ю.А.Пентии. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы. М.: Высш. шк., 1989. 288 с.

18. Н.Е.Кузьменко. Гл. 11. Спектроскопические методы/ в кн.: Основы аналитической химии. Кн. 2. Методы химического анализа. М.: Высш. шк., 1996. с. 199-352.

19. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М: Наука, 1985. 200 с.

20. Шульман А.Р., Фридрихов. С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977. 551 с.

21. Фридрихов С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники: Учебник для вузов. М.: Высшая школа, 1982. 608 с.

22. Андронов А.Н., Пронина H.A. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ): Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПб ГТУ, 1997.-45 с.

23. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Наука, 1983. 296 с.

24. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. 600 с.

25. Davis L.E., MacDonald N.C. et al., Handbook of Auger Electron Spectroscopy, 2nd edition, Physical Electronics inc., Eden Prärie, Minn, 1976. 373 p.

26. Еловиков С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок: Учеб. пособие. М.: Изд-во МГУ, 1992. 94 с.

27. Л.Н.Сидоров, М.В.Коробов, Л.В.Журавлева. Масс-спектральные термодинамические исследования. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1985. 208 с.

28. Н.С.Вульфсон, В.Г.Заикин, А.И.Микая. Масс-спектрометрия органических соединений. М.: Химия, 1986. 311 с.

29. Luth Н. Surfaces and Interfaces of Solids, Second Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1993.-487 p.

30. Харламов В.Ф. // Журн. физ. химии. 1997. Т. 71. № 4. С. 678.

31. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M., Злоткин Е.А. Оборудование для безынерционного контроля за процессами на границе твердого тела и активного газа. // Тезисы докладов межвузовской конференции «Микроэлектроника и информатика- 98». Москва, МИЭТ. 1998 С. 231.

32. Ф.Ф.Волькенштейн. Физико-химия адсорбционных и каталитических процессов на поверхности твердых тел. М.: Наука, 1991. 216 с.

33. Птушинский Ю.Г., Чуйков Б.А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов // Поверхность. 1992. № 9. С. 5 26.

34. Малов В.В. Пьезорезонансные датчики. М: Энергоатомиздат, 1989. 272 с.

35. Гранкин В.П., Гранкина Н.Д., Климов Ю.В., Стыров В.В. // Ж. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. № 3. С. 210 214.

36. Тюрин Ю.И., Гранкин В.П. // Хим. физика. 1982. № 11. С. 1529 1538.

37. Горбачев А.Ф., Стыров В.В., Толмачев В.М., Тюрин Ю.И. // ЖЭТФ. 1986. Т. 91. С. 172-189.

38. Тюрин Ю.И. // Поверхность 1986. № 9. С. 115 125.

39. Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.

40. Волькенштейн Ф.Ф., Горбань А.Н., Соколов В.А. Радикалорекомбинацион-ная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1973. 399с.

41. Шварце X., Хольцгрефе Г. .В. Использование компьютеров в регулировании и управлении: Пер. с нем. А. П. Фомина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 173 с.

42. Краус М., Кучбах Э., Вошни О.-Г. Сбор данных в управляющих вычислительных системах: Пер. с нем. М.: Мир, 1987. 294 с.

43. Пузырев В. А. Самонастраивающиеся микропроцессорные регуляторы. М.: Энергоатомиздат, 1992.-215 с.

44. Фритч В. Применение микропроцессоров в системах управления: Пер. с нем. М.: Мир, 1984.-464 с.

45. Бесекерский В. А., Изранцев В. В. Системы автоматического управления с микроЭВМ. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. лит., 1987. 169 с.

46. Микропроцессорные автоматические системы регулирования. Основы теории и элементы: Учебное пособие. / В. В. Солодовников, В. Г. Коньков, В. А. Суханов, О. В. Шевяков; Под ред. В. В. Солодовникова. М.: Высш. шк., 1991.-255 с.

47. Instrumentation. Reference and catalogue. National Instruments, 1999.

48. Steven W. Smith. The Scientist and Engineer's Guide to Digital Signal Processing / Second Edition San Diego, CA: California Technical Publishing.

49. Digital Signal Processing Applications Using The ADSP-2100 Family / The Applications Engineering Staff of Analog Devices, DSP Division. Edited by Amy Mar. Englewood Cliffs, N.J.: Prentice-Hall.

50. Г.М.Панченков, В.П.Лебедев. Химическая кинетика и катализ. М.:Химия, 1974.-287 с.5 5. Сергиевская А.Л., Ковач Э.А., Лосев С.А. Опыт информационно-математического моделирования в физико-химической кинетике.// Изд-во Моск. ун-та. 1995. 311 с.

51. Харламов В.Ф. // Хим. физика. 1994. Т. 13. № 6. С. 83 88.

52. Харламов В.Ф. //Поверхность. 1993. № 11. С.122.

53. Лукс Г. Экспериментальные методы в неорганической химии: Пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой.-М.: Мир, 1965.-246 с.

54. Харламов В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами: Дис. канд. физ.-мат. наук. Томск., 1976.- 177 с.

55. Харламов В. Ф. Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1990. -31 с.

56. Райзер Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов. М.: Наука, 1980.-287 с.

57. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М.: Высшая школа, 1991. 622 с.

58. Аксененко М.Д. Приемники оптического излучения. Справочник. М.: Наука, 1993.-147 с.

59. Измайлов Ш.Л., Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 1982. Т. 23. № 5. С. 1179.

60. Стыров В.В. // Кинетика и катализ. 1968. Т. 9. № 1. С. 124.

61. Стыров В.В., Ягнова Л.И., Измайлов Ш.Л. // Кинетика и катализ. 1975. Т. 16. № 3. С. 705.

62. Kisliuk P.J. // J. Phys. Chem.Soc. 1957. V. 3. P. 95; 1958. V. 5. P. 78.

63. Matsushima Т., Almy D.B., White J.M. // Surf. Sei. 1977. V. 67. № 1. P. 89; P. 122.

64. Харламов В.Ф., Рогожина T.C. // Журн. физ. химии. 2003. Т. 77. № 4. С. 1.

65. Харламов В.Ф., Рогожина Т.С. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4. № 2. С. 162.

66. Киперман С.Л., Гайдай H.A. // Кинетика и катализ. 1999. Т. 40. № 5. С. 705.

67. Мартинсон Л.К., Малов Ю.И. Дифференциальные уравнения математической физики. М.: Изд-во МГУ, 1996. 368 с.

68. Будак Б.М., Самарский A.A., Тихонов А.Н. Сборник задач по математической физике. М.: Наука, 1980. 688 с.

69. Справочник по точным решениям уравнений тепло- и массопереноса. / Полянин А.Д., Вязьмин А.В, Журов А.И., Казенин Д.А. М.: Факториал, 1998. -368 с.

70. Зайцев В.В. // Оптика и спектроск. 1992. Т. 72. № 4. С. 859.

71. Физические основы электрического пробоя газов / Дьяков А.Ф., Бобров Ю.К., Сорокин A.B., Юргеленас Ю.В.; Под ред. А.Ф.Дьякова. М.: Издательство МЭИ, 1999. 400 е.; ил.

72. Бонч-Бруевич A.M. Радиоэлектроника в экспериментальной физике. М.: Наука, 1966.-767 с.

73. Окунь E.JI. Расчет и проектирование радиопередатчиков. М.: Наука, 1962. -359 с.

74. Райзер Ю.П., Шнейдер М.Н., Яценко H.A. Высокочастотный емкостный разряд. Физика. Техника эксперимента. Приложения. М.: Наука, 1995. 310 с.

75. Радиопередающие устройства / Шахгильдян В.В. и др. М.: Радио и связь, 1996.-560 с.

76. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM PC Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера. М.: Мир, 1992. 592 с.

77. П. Гелль, Как превратить персональный компьютер в измерительный комплекс: пер. с франц. 2-е изд. Испр. М.: ДМК, 1999. - 144 с

78. Фролов A.B., Фролов Г.В. Microsoft Visual С++ и МРС:(Программирование для Windows 95 и Windows NT ): В 2 ч. М.:АО "Диалог МИФИ".Ч. 1. 1997. -288 с.

79. Харламов В.Ф., Макушев И.А., Бармин A.B., Рогожина Т.С., Быковский М.И., Ануфриев K.M. Элементарные процессы при взаимодействии «пакета» активных частиц газа с твердым телом. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. № 7. С. 87 96.

80. Стыров В.В., Толмачов В.М. // ДАН СССР. 1974. Т. 218. С. 1150- 1155.