автореферат диссертации по электронике, 05.27.03, диссертация на тему:Разработка минилазеров для исследования записи информации в светочувствительных материалах нелинейно-оптическими методами

На правах рукописи

Сергеев Андрей Николаевич

РАЗРАБОТКА МИНИЛАЗЕРОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛАХ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Специальность: 05.27.03 — Квантовая электроника

АВТОРЕФЕРАТ Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук

13 НОЯ 2014

Санкт-Петербург - 2014

005555361

Работа выполнена в федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего образования «Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики»

Научный руководитель: доктор технических наук, профессор,

Храмов Валерий Юрьевич

Официальные оппоненты: Страхов Сергей Юрьевич,

доктор технических наук, доцент, Балтийский государственный технический университет, декан факультета информационных и управляющих систем

Сторощук Остап Богданович,

кандидат технических наук, ОАО «НПО Карат», заместитель главного конструктора

Ведущая организация: ОАО "Государственный Оптический Институт им.

С.И. Вавилова", г. Санкт-Петербург

Защита состоится «09» декабря 2014 г. в 15 часов 30 минут на заседании диссертационного совета Д 212.227.01 при Санкт-Петербургском национальном исследовательском университете информационных технологий, механики и оптики по адресу: 190000, Санкт-Петербург, пер. Гривцова, 14, ауд. 314а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики по адресу: 197101, Санкт-Петербург, Кронверкский пр., д.49 и на сайте http://fppo.ifmo.ru.

Автореферат разослан «_»_

2014 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета Д 212.227.01, кандидат технических наук, доцент

Красавцев В.М.

Актуальность темы

Лазерные импульсы субнано- и шгкосекундного диапазона широко применяются в научных исследованиях, медицине, в промышленности дня микрообработки материалов. Для разработки мобильных устройств получили распространение компактные твердотельные минилазеры с диодной накачкой и, в частности, микрочиповые лазеры. Микрочиповый лазер с пассивной модуляцией добротности представляет собой, как правило, композитную сборку, состоящую из активной лазерной среды, пассивного затвора, а в некоторых случаях, дополнительных прозрачных теплоотводов и нелинейных преобразователей частоты. Зеркала резонатора, как правило, нанесены на торцы композитного элемента. Элементы микрочип-лазера диффузно сварены между собой или механически сопряжены через иммерсионные слои. При необходимости использовать отдельные конструктивно оформленные компоненты (например, поляризаторы или активные затворы), внутрирезонаторные элементы размещаются в жестком корпусе с минимальными воздушными зазорами. В этом случае излучатель можно отнести к классу минилазеров. Длина резонатора минимизируется с целью получения насколько возможно более коротких импульсов в приближенном к одночастотному режиму генерации. Типичная длина резонатора лежит в пределах 2-20 мм.

В компактных твердотельных лазерах с торцевой накачкой допустимый уровень вводимой в активный элемент мощности накачки определяется происходящими в нем тепловыми процессами. В этом плане ряд существенных преимуществ можно получить при использовании дополнительных торцевых теплоотводов, диффузно сопряженных с активным элементом. Представляет интерес исследование тепловых процессов, определение термонапряжений и перегрева, а также сравнение активных элементов с различными дополнительными торцевыми теплоотводами между собой и с обычными активными элементами.

Для многих прикладных целей, а также для научных исследований необходима определенная форма импульса, поэтому представляет интерес исследование особенностей пространственно-временных характеристик импульсов генерации микрочип-лазеров, а также возможностей по управлению этими характеристиками. В настоящее время для изменения формы импульса используются внешние устройства, таки как: пространственные модуляторы на жидких кристаллах, нелинейные кристаллы, волоконные усилители с насыщением. Все эти устройства характеризуются относительно низким КПД преобразования и могут быть использованы, вследствие ограниченной лучевой прочности, только для получения импульсов с малой энергией. Дополнительное сокращение длительности импульсов генерируемых микрочиповыми лазерами возможно с их преобразованием в различных внешних нелинейно-оптических устройствах. В частности, при использовании эффекта обратного вынужденного комбинационного рассеяния помимо дискретного

преобразования частоты излучения импульса лазера накачки, происходит временная компрессия импульса на комбинационной частоте с одновременным повышением пиковой мощности преобразованного импульса.

Микрочип-лазеры и мшшлазеры позволяют относительно легко получить одномодовый и одночастотный режим генерации лазера, что, в свою очередь, позволяет обеспечить высокую степень стабильности пиковой мощности. Лазеры с достаточно большими значениями пиковой мощности импульса в сочетании с ее высокой стабильностью представляют интерес для исследований, связанных с определением пороговых значений интенсивности в различных нелинейных процессах, в частности, для двухфотонного поглощения. Одним из перспективных направлений исследований в области оптической записи информации является разработка многослойных люминесцентных дисков, и в рамках этих исследований представляет интерес определение пороговых значений интенсивности, необходимых для записи люминесцентных меток в светочувствительном материале.

Цели диссертационной работы

1. Улучшение и расширение диапазона выходных характеристик микрочип-лазеров и минилазеров (частота повторения, энергия, временная структура и спектральные характеристики импульсов генерации) и их апробация в микротехнологиях.

2. Исследование особенностей многофотонной записи информации с применением излучения минилазеров в полимерных пленках с импрегнированными молекулами хромонов импульсами излучения различной длительности и спектрального диапазона.

Основные задачи диссертационной паботы

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Провести компьютерное моделирование и экспериментальные исследования влияния неоднородных тепловых процессов, возникающих для лазеров с торцевой накачкой и активными элементами с дополнительными торцевыми теплоотводами, на процессы ограничения предельных энергетических характеристик минилазеров.

2. Исследовать особенности генерации микрочип-лазеров с продольной накачкой и пассивной модуляцией добротности и возможностью управления пространственно-временными характеристиками импульсов генерации таких лазеров с помощью активного выходного зеркала.

3. Выполнить оптимизацию параметров эффективности преобразования и временной компрессии при обратном ВКР-преобразовании излучения субнаносекундного килогерцового микрочипового лазера с продольной импульсной диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности.

4. Исследовать процессы двухфотонной записи люминесцентных центров в органических молекулах класса хромонов для различных спектральных и временных параметров излучения записывающего лазера.

5. Экспериментально определить пороги двухфотонной записи люминесцентных центров в молекулах хромонов и пороги разрушения материала-матрицы, в которую импрегнированы светочувствительные молекулы хромонов.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Проведены теоретическое и экспериментальные сравнительные исследования лазеров с торцевой накачкой и активными элементами на основе Ш3+:УАО и Кс13+:УУО с дополнительными прозрачными торцевыми теплоотводами (ДПТТ) и элементы с дополнительными градиентными торцевыми теплоотводами (ДГТТ).

2. Исследованы особенности генерации микрочип лазера с продольной накачкой и пассивной модуляцией добротности в режиме генерации пачки субнаносекундных субимпульсов с интервалом между субимпульсами, сравнимым с их длительностью.

3. Изучены возможности управления длительностью и временной формой импульса, как в режиме генерации одиночного импульса, так и в режиме генерации пачки субимпульсов с помощью активного выходного зеркала на основе интерферометра Фабри-Перо с управляемым пространственно-распределенным коэффициентом отражения.

4. Экспериментально получено обратное ВКР-преобразование в кристалле нитрата бария из второй гармоники (к = 532 нм) субнаносекундных импульсов генерации микрочип-лазера Кс1:УАО-Сг:УАв с энергией в импульсе на уровне нескольких десятков мкДж при частоте повторения импульсов 1 кГц. Максимально достигнутая энергетическая эффективность обратного ВКР-преобразования составила более 50% при временной компрессии импульса в 6.5 раз.

5. Экспериментально подтверждена возможность двухфотонной записи люминесцентных меток в органических молекулах из класса хромонов, импрегнированных в полимерную матрицу полиметилметакрилата (ПММА).

6. Определены значения пороговой плотности энергии необходимой для двухфотонной записи люминесцентных меток в пленке из полиметилметакрилата, содержащей молекулы хромонов, для световых импульсов различной длительности и спектрального диапазона.

7. Определен предпочтительный диапазон длительностей импульса лазерного источника для записи люминесцентных меток в материале на основе хромонов.

8. Экспериментально обнаружено, что молекулы хромонов в люминесцирующей форме являются чувствительными к воздействию излучения в синей и фиолетовой области спектра и могут быть преобразованы в нелюминесцирующую форму.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Применение дополнительных градиентных торцевых теплоотводов (ДГТТ) в активных элементах Кс1:УАО и Ш:УУО, предназначенных для лазеров с продольной диодной накачкой, позволяет повысить максимальный уровень вводимой в элемент накачки на 20-30% при сохранении параметра качества пучка на уровне М2 = 1.2-1.4.

2. Использование активного выходного зеркала на основе сферического интерферометра Фабри-Перо в минилазерах с продольной диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности резонатора позволяет изменять длительность одиночного моноимпульса в 2 раза, а также генерировать пачки из ограниченного числа субнаносекундных импульсов с интервалом времени между ними, регулируемым от 25-30 наносекунд до наложения импульсов.

3. Для исследованных образцов светочувствительных полимерных пленок, содержащих соединения класса хромонов, экспериментально доказана возможность двухфотонной записи стабильных флуоресцентных меток без светоиндуцированного нарушения структуры матрицы или распада внедренных соединений при использовании импульсов излучения видимого диапазона с длительностью в пределах 10"13-7-10"9 с.

4. Пороговые значения интенсивности излучения импульсов наносекундной длительности, необходимые для двухфотонной записи флуоресцентных меток с одинаковым контрастом относительно фона, существенно ниже, чем соответствующие значения, характерные для фемтосекундных импульсов излучения в результате ступенчатого характера двухфотонного поглощения через промежуточные уровни для наносекундных импульсов.

5. Экспериментально обнаружено, что молекулы хромонов в люминесцирующей форме являются чувствительными к воздействию излучения в синей и фиолетовой области спектра и могут быть преобразованы в нелюминесцирующую форму. Экспозиция, необходимая для снижения сигнала люминесценции в е раз при воздействии излучением аргонового лазера с длиной волны 488 нм, составляет порядка 102-103 Дж/см2.

Практическая значимость диссертационной работы

Разработанный лазерный излучатель на основе микрочипового лазера обеспечивает генерацию коротких одномодовых и одночастотных субнаносекундных импульсов с длительностью порядка сотен пикосекунд, энергией в десятки микроджоулей и пиковой мощностью около ста киловатт. Такой лазер позволяет исследовать процессы двухфотонной записи люминесцентных меток в материалах на основе светочувствительных молекул хромонов, представляющих интерес, прежде всего, для создания многослойных флуоресцентных дисков высокой емкости, предназначенных для архивного хранения информации. Результаты этих исследований позволяют сформировать требования к параметрам полупроводникового лазерного источника, пригодного для использования в серийных устройствах записи информации.

Реализация результатов диссертационной работы

1. Результаты исследования активных элементов с ДГТТ использованы в прототипах лазеров с диодной накачкой, предназначенных для применения в микротехнологиях.

2. В результате исследования двухфотонного метода записи в фотоактивных соединениях хромонов выявлены типы, наиболее пригодные для дальнейших исследований и оптимизации.

Степень достоверности и методы исследования

Достоверность результатов работы обеспечивается подтверждением результатов моделирования экспериментальными данными, а также использованием современных приборов и методов измерения параметров лазерного излучения и исследуемых образцов.

Апробация работы и публикации

Результаты диссертационной работы докладывались на конференциях: Всероссийская межвузовская конференция молодых ученых, 2009, Санкт-Петербург, Россия (2009), Научная и учебно-методическая конференция СПбГУ ИТМО (2010, 2011, 2012, 2013, 2014), International Conference on Advanced Optoelectronics & Lasers (2013), Laser Optics (2014), The XXVth IUPAC Symposium on Photochemistry (2014).

Основные результаты, изложенные в диссертации, опубликованы в 6 статьях в печатных изданиях, входящих в перечень ВАК и иностранных изданиях, включенных в меяодународные базы цитирования:

Личный вклад автора

Цели и задачи диссертационной работы сформулированы совместно с научным руководителем. Основные результаты работы получены либо автором лично, либо при его непосредственном участии. Во всех случаях использования результатов других исследований приведены ссылки на соответствующие источники.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Диссертация изложена на 102 страницах, в том числе 3 таблицы, 54 рисунка и список литературы, содержащий 82 наименования.

Краткое содержание работы

Во введешш обоснована актуальность диссертационной работы, сформулированы цель работы, решаемые в ней задачи и научная новизна работы. Представлены выносимые на защиту положения и показана практическая значимость полученных результатов. Определена структура диссертациошгой работы.

В первой главе диссертации представлен литературный обзор, в котором рассмотрены основные свойства микрочиповых лазеров, их конструкция,

особенности генерации, сферы применения. Рассмотрен вопрос обратного ВКР-преобразования в твердотельных ВКР-активных средах, в частности, вопросы конкуренции прямого и обратного ВКР и временной компрессии лазерного импульса при обратном ВКР-ггреобразовании. Также рассмотрены основные направления исследований в области современных методов оптической записи и хранения информации, в том числе, многослойные флуоресцентные оптические диски. Описаны основные свойства материала на основе светочувствительных молекул хромонов, которые представляют интерес для разработки таких дисков.

Во второй главе приводятся результаты исследования тепловых процессов в активных элементах (АЭ) Ыс1:УАО и Т\с1:УУО для лазеров с продольной диодной накачкой. Рассмотрены АЭ с дополнительными прозрачными торцевыми теплоотводами (ДПТТ), АЭ с дополнительными градиентными торцевыми теплоотводами (ДГТТ), а также обычные АЭ без дополнительных теплоотводов. Проведено сравнение продольных термоиндуцированных напряжений, возникающих в кристалле, а также максимальный перегрев кристалла АЭ. Выявлено, что для элементов с ДПТТ величина максимального перегрева элемента уменьшается на несколько десятков градусов, однако при этом возрастают продольные напряжения в элементе, а максимум напряжений смещается вглубь кристалла к границе между активным элементом и прозрачным теплоотводом. Использование элементов с ДГТТ позволяет дополнительно снизить величину максимального перегрева, а также уменьшить величину наводимых в АЭ напряжений до уровня, соответствующего АЭ без дополнительных торцевых теплоотводов (Рисунок 1).

Рисунок 1 - Температура (а) и продольные напряжения на оси (б) активного элемента Ш:УУ04 - а-ст без ДТТ (1), активного элемента с ДПТТ (2,2') и активного элемента с ДГТТ (3,3',4). \Vpabs = 16 Вт, \у0 = 0.5 мм, общая длина теплоотвода 4 мм, толщина переходного градиентного слоя 1 мм (3,3') и 4 мм (4)

Также рассмотрено влияние использования дополнительных торцевых теплоотводов на наводимую в АЭ тепловую линзу и на пространственные

характеристики излучения. Показано, что использование неодимсодержащих АЭ с дополнительными градиентными теплоотводами позволяет существенно (на 20-30 %) увеличить диапазон вводимой в АЭ мощности накачки без дополнительных изменений в оптической схеме резонатора и поднять средний уровень выходной мощности излучения лазера при сохранении высокого оптического качества излучения

В третьей главе исследуются особенности пространственно-временной структуры импульсов излучения генерации микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности и продольной импульсной диодной накачкой. Рассматривается зависимость режимов генерации такого лазера от размера прокаченной области в активном элементе и от поперечного распределения потерь и усиления в резонаторе. Одномодовый режим реализуется при мощности накачки, соответствующей порогу генерации, и при небольшом превышении размера прокаченной области относительно размера основной моды.

При увеличении поперечного размера прокаченной области в активном элементе с одновременным увеличением энергии импульса накачки генерация из одномодового режима переходит в режим, при котором в пространственно-временной структуре импульсов можно выделить первый лидирующий субимпульс с одночастотным спектром, соответствующий основной моде резонатора, и один или более отстающих по времени субимпульсов (Рисунок 2).

о 1

Ма^ог-РозЩоп :тш;

а) б)

Рисунок 2 - Временная структура (а) и поперечное распределение (б) импульса генерации микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности в режиме генерации пачки

субимпульсов

Для исследования возможностей по управлению длительностью и временной структурой импульсов генерации было использовано активное выходное зеркало с пространственно распределенным коэффициентом отражения на основе интерферометра Фабри — Перо с неплоскими зеркалами. Продемонстрирована возможность управления длительностью одиночного импульса генерации, а также возможность получения последовательности пачек из ограниченного числа импульсов с управляемым интервалом между субимпульсами в пачке. Временной интервал между субимпульсами

определяется конфигурацией резонатора и накачки, и может изменяться от 2530 не до полного перекрытия субимпульсов.

Г= 12,07 НС

Г,=7,4; Г2=10,9 не

Рисунок 3 - Временные профили импульсов генерации при последовательном изменении базы интерферометра и соответствующие значения временного интервала Т между

имт<льсами

Т=0 не

7^3,41 не

Исследуется также эффективность преобразования и временная компрессия лазерного импульса при обратном ВКР-преобразовании лазерных импульсов генерации микрочип-лазера с частотой повторения импульсов 1 кГц при энергии в импульсе до 50 мкДж. Достигнутая эффективность преобразования составила более 50%. Длительность обратной стоксовой компоненты ВКР-преобразования (Рисунок 4) составила 0,135 не, что соответствует значению коэффициента временной компрессии больше 6.

1.0

I аа

С

| 0.6 ®

I 0,4

а.

I 0.2

0.0 0.8 1.0 1.5 2.0 2.5 3,0 3.5 4,0 I. не

Рие)-нок 4 - Фотохронограмма стоксова импульса экрана стрик-камеры и соответствующий временной профиль при обратном ВКР-преобразовании

Четвертая глава посвящена исследованию двухфотонной записи люминесцентных меток в светочувствительных материалах на основе молекул хромонов. Экспериментально была подтверждена возможность двухфотонной записи люминесцентных меток в материале, представляющем собой полимерную матрицу полиметилметакрилата (ПММА), в которую внедрены светочувствительные органические молекулы из класса хромонов.

Для различных спектральных диапазонов и длительностей лазерного импульса определены пороговые значения интенсивности (1,ыьит) и плотности энергии в импульсе, необходимые для двухфотонной записи стабильных флуоресцентных меток (Таблица 1).

Таблица 1 — Пороговые значения интенсивности и плотности энергии в импульсе,

Длительность 7 не 200 пс 120 фс

импульса

Длина волны, нм 532 563 620

Средняя по пятну 1.2 0.1 3-10"4

плотность

энергии, Дж/см"

Пиковое значение 2.6 0.22 6.9-Ю-4

плотности

энергии, Дж/см2

Пиковая 0,35 1 5,4

интенсивность,

ГВт/см2

Существенно более низкие значения пороговой плотности мощности для наносекундных импульсов по сравнению с фемтосекундными при двухфотонной записи люминесцентных меток в молекулах хромонов свидетельствуют о том, что в случае наносекундных импульсов двухфотонное поглощение происходит через промежуточные уровни.

Также для различных длительностей импульса и спектральных диапазонов были измерены пороговые значения плотности энергии и интенсивности (1ц,г1_ю), необходимые для необратимых макроскопических изменений в материале на основе молекул хромонов либо для распада внедренных соединений, импрегнированных в полимерную матрицу. Пороговая средняя по пятну плотность энергии для длительности импульса т = 7 не и длины волны 532 нм составила 1,7-1,9 Дж/см2 (соответствующее пиковое значение плотности энергии для гауссова поперечного распределения в импульсе — 3,4-3,8 Дж/см", соответствующее значение пиковой интенсивности ~0,45-0,5 ГВтсм"2). Соотношение порогов записи к порогу разрушения материала для приведенных параметров импульса составило -80%. Для длительности импульса 120 фс значение 1щгьт превысило соответствующее значение Г^гьит лишь на несколько процентов и также составляет около 5 ГВтсм"2 (соответствующие значения средней плотности энергии —

360 мкДж / см2, пиковой плотности энергии — 720 мкДж / см2). Измеренное соотношение порогов IthrLum / IthrUD для импульсов фемтосекундной длительности — 96%. Из полученных соотношений Ia,rLum / IthrLiD видно, что диапазон допустимых значений плотности мощности довольно узок, особенно для импульсов фемтосекундного диапазона, что, с одной стороны, накладывает ограничения на стабильность параметров импульса лазерного источника. Однако, с другой стороны, это означает высокую степень локализации воздействия лазерного излучения, таким образом уменьшая опасность паразитной засветки соседних информационных слоев при использовании хромонов для записи информации в многослойных люминесцентных дисках. На Рисунок 5 представлены изображения записанных люминесцентных меток для различных значений энергии в импульсе и длительности импульса.

7 нс 200 пс 120 фс

Рисунок 5 - Характерный вид записанных люминесцентных меток при различных значениях

энергии в импульсе

Оценки количества выделяемого тепла в области воздействия на материал лазерного импульса при условии адиабатичности процесса показали, что для импульсов излучения наносекундного диапазона длительностей механизм разрушения материала носит термический характер. Для импульсов фемтосекундного диапазона длительностей при небольшом превышении уровня интенсивности над пороговым происходит разрушение либо трансформация молекул хромонов в нелюминисцирующую форму, при этом в области записанной метки с характерной кольцевой формой не наблюдается каких-либо макроскопических изменений структуры материала. При

существенном превышении интенсивности импульса над пороговым для записи значением происходит необратимое разрушение материала в результате лазерной абляции.

Выявлено, что молекулы хромонов в люминесцирующем состоянии являются фоточувствительными и способны к фазовому переходу при воздействии излучением в области спектра 400-500 нм, однако для наблюдения этого эффекта требуются довольно высокие значения экспозиции порядка килоджоулей на см2. При этом в области воздействия происходит стирание люминесцентного сигнала (Рисунок 6), однако, поскольку вместе с записанным сигналом люминесценции уменьшается и уровень шума, значение соотношения сигнал/шум меняется незначительно.

Дж/сы* 0 500 1000 , 50° 2000 2500 Е. Дж/см* б) ~ В)

Рисунок 6 - Стирание люминесцентного сигнала в образцах хромонов (а), зависимость сигнала люминесценции от экспозиции для различных длин волн (б) и зависимость паразитного фонового сигнала (1„0;5е) от экспозиции для длины волны 488 нм (в)

Также выявлено, что при монохроматическом возбуждении люминесценции в молекулах хромонов спектр люминесценции зависит от длины волны возбуждения. При увеличении длины волны возбуждения

максимум спектра люминесценции также сдвигается в более длинноволновую область (Рисунок 7).

0,8-

о.е -

0,4

0,2-

0,0

я exitationtt §488 пт

[ ' А exitation(ç §458 nm

! • # exitationS S405 nm

л

400

—г-450

500

—г~ 600

Ча

**»-. »ги,

650

700

—I

750

л, rim

Рисунок 7 — Спектры люминесценции молекул хромонов KSR15 для различных длин волн

возбуждения

В заключении формулируются основные результаты, полученные в работе.

Список публикаций по теме диссертации

Основные результаты, изложенные в диссертации, опубликованы в следующих статьях в печатных изданиях, входящих в список ВАК, и иностранных журналах, включенных международные базы цитирования:

1. Татарский C.B., Ермолаев B.C., Сергеев А.Н., Пузык М.В., "Исследование лучевой прочности диэлектрических покрытий, нанесенных на оптическую поверхность" Известия высших учебных заведений. Приборостроение., Т. 55, № 7, 2012. с. 80-85, 0.38/0.1 п.л.

2. Гагарский C.B., Назаров В.В, Сергеев А.Н., Юревич В.И., "Исследование неодимсодержащих кристаллических активных элементов с дискретным и градиентным изменением концентрации активатора в направлении накачки" Оптический журнал, Т. 79, №. 6, 2012. с. 20-30., 0.69/0.17 п.л.

3. Гагарский С.В, Гнатюк П. А., Сергеев А.Н., Храмов В.Ю., "Твердотельные лазеры с диодной накачкой для Зё-маркировки в объеме прозрачных диэлектриков" Известия высших учебных заведений. Приборостроение., Т. 56, № 9, 2013. с. 12-17, 0.38-0.1 п.л.

4. Гагарский C.B., Кийко В.В., Кондратьев В.А., Подвязников В.А., Сергеев А.Н., Чевокин В.К., "Управление временными характеристиками

излучения nd+3:yag:cr+4-Mffimna3epa с использованием активной внутрирезонаторной оптики" Известия высших учебных заведений. Приборостроение., Т. 56, № 9,2013. с. 18-25,0.5/0.08 пл.

5. Татарский С.В., Кийко В.В., Кондратьев В.А., Сергеев А.Н., Храмов В.Ю., Якобсон В.Э., «Компрессия импульсов микрочип-лазера с диодной накачкой при встречном ВКР-преобразовании» Известия высших учебных заведений. Приборостроение., Т. 56, № 9,2013. с. 31-36,0.375/0.06 п.л.

6. V.V. Kiyko, S.V. Gagarsky, V.I. Kislov, V.A. Kondratyev, E.N. Ofitserov, A.N. Sergeev, International Conference on Advanced Optoelectronics & Lasers (CAOL) // The control of energy, temporal and spatial characteristics a microchip laser with active output mirror. Sudak, Ukraine. 2013. pp. 93-94,0.125/0.02 п.л.

Тиражирование и брошюровка выполнены в учреждении

«Университетские телекоммуникации»

197101, Санкт-Петербург, Саблинская ул., 14

Тел. (812) 233 46 69.

Объем 1,0 у.пл. Тираж 100 экз.