автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.07, диссертация на тему:Оптические свойства кристаллических материалов А4 и А2В6 в инфракрасной области спектра
Автореферат диссертации по теме "Оптические свойства кристаллических материалов А4 и А2В6 в инфракрасной области спектра"
И, ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ И ТЕХНИЧЕСКОЙ ПОЛИТИКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ЗХНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
•5
ТОЧНОЙ МЕХАНИКИ И ОПТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
На правах рукописи
НАЗАРОВА Наталия Александровна
УДК 661.7.066
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ А4 И А2В6 В ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА
Специальность: 05.11.07 - ОПТИЧЕСКИЕ И ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫЕ
ПРИБОРЫ
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
Санкт-Петербург 1995
Работа выполнена в Санкт-Петербургском Государственном институте точной механики и оптики и ВНЦГОИ им. С.И.Вавилова.
Научный руководитель - доктор технических наук, профессор Прокопенко В.Т.
Официальные оппоненты: - доктор физико-математических наук, профессор Золотарев В,М
- кандидат технических наук, старший научный сотрудник Гейдур С.А
Ведущее предприятие - НИИ "ГИРИКОНД"
Защита диссертации состоится "¡Ц - дудел £ 1996 г. в Я нас. ЪО мин, на заседании специализированного совета Д 053.26.01 Санкт-Петербургского института точной механики и оптики.
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института.
Автореферат разослан " 1996 г.
Отзыв в двух экземплярах просим направить по адресу:
197101, Санкт-Петербург, ул. Саблинская, 14.
Ученый секретарь специализированного совета Д053.25.01
-чЛ^А.'Дат техп«меслих наук, Красавцев В.М.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность проблемы. Кристаллические материалы А4 и А2В6 представляют значительный интерес для инфракрасной оптики и олтоэлектроники, в связи с чем необходимо наличие надежного банка данных по их оптическим характеристикам.
Для области прозрачности материала основной интерес представляют коэффициент поглощения ос, а также показатель преломления п и связанные с ним рефрактометрические характеристики дисперсия с1п/с1А. и температурное приращение показателя преломления <Зп/с1Т.
Опубликованные к началу работы над диссертацией результаты исследований оптических характеристик кристаллов А4 и А2В6 не удовлетворяют требованиям оптического приборостроения. Имеющиеся данные, в т.ч. вошедшие в нормативно-справочную документацию, не полны и противоречивы (напр."Акустические кристаллы" Справочник под ред. Шаскольской М.П., М.: Наука, 19В2 - 632с.).
В сравнении с традиционными оптическими материалами, такими как стекла, щелочно-галоидные кристаллы, материалы А4 и А2В5 характеризуются более высокими значениями п, 6п/$к и с!п/с1Т, зависящими от физико-химических параметров вещества. Эти материалы имеют значительную оптическую неоднородность, а также высокий уровень остаточного поглощения. Названные особенности могут во многом определять погрешность измерений оптических характеристик, а также накладывать специальные требования на применяемые методы и средства измерений. В то же время в большинстве опубликованных работ особенности рассматриваемых кристаллов, как оптических материалов, учтены не были. В имеющейся справочной литературе их оптические характеристики приведены, ::ак правило, безотносительно примесного состава, температурного режима измерений, данных по кристаллофизическим параметрам.
Цель, работы состояла в проведении на уровне требований оптического приборостроения исследований в широком спектральном диапазоне (А.=0,1 - 200 мкм), включающем как собственные ультрафиолетовые и инфракрасные полосы поглощения , так и область прозрачности, общих закономерностей и основных особенностей оптических (главным образом, рефлектометрических и рефрактометрических) свойств моно- и поликристаллических материалов А4 и А2В6 симметрии алмаза и сфалерита в зависимости от электрофизических и кристаллофизических параметров. Конкретные задачи работы состояли в:
исследовании, выявлении и сопоставительном анализе зависимостей основных оптических характеристик инфракрасных материалов, выпускаемых отраслью, от их структурных и электрофизических параметров;
- обосновании и подготовке исходных экспериментальных данных для создания банка справочных данных, обеспечивающих расчетно-конструкторские работы в области проектирования ИК-систем;
обобщении результатов рефрактометрических и рефлектометрических исследований материалов А и А В в рамках общей теории дисперсии с учетом особенностей их зонной - структуры;
применении методов и средств ультрафиолетовой и инфракрасной рефлектометрии к определению
характеристических параметров кристаллов;
разработке гониометрических методов и средств исследования рефрактометрических характеристик
высокопреломляющих сред в ИК-области спектра, а также анализе составляющих погрешности измерения п, определении пределоных
точностных характеристик и выборе оптимальных условий измерений.
Объекты и методы исследований, Исследовавшимися в настоящей работе материалами были отечественные и импортные моно-и поликристаллы германия и кремния, легированные различными
1В Э
донсрными и акцепторными примесями до концентраций ND A«10 см", а также специально нелегированные моно- и поликристаллы сульфида и селенида цинка и теллурида кадмия с различными кристаллофизическими характеристиками.
Указанный набор материалов для исследования определялся, в основном, их практическим значением для ИК-техники.
Так как для описания распространения электромагнитных волн видимого и инфракрасного диапазонов в области прозрачности материала, а также их поведения на границах раздела, достаточно задать одну оптическую постоянную - показатель преломления п, то в качестве основного метода исследований за пределами собственных полос поглощения была выбрана рефрактометрия, а проводимые экспериментальные исследования включили в себя измерения спектральных и температурных зависимостей показателя преломления в различных образцах Ge, Si, ZnS, ZnSe и CdTe в зависимости от электрофизических и кристаллофизических параметров.
В области >.=0,7 - 12 мкм, наиболее значимой в практическом отношении, измерения п были выполнены методом призменной рефрактометрии, обеспечивающей наиболее достоверное измерение п, с применением специально разработанного рефрактометра. Потребность в таком рефрактометре объяснялась отсутствием приборов, которые позволили бы получить надежные данные для высокопреломляющих сред в инфракрасной области спектра г учетом отмеченных выше их особенностей. Гониометрические установки, такие как ГСИ, ИФ-24 и ИГ-63, применяемые на оптических предприятиях для исследования стекол,
не могли использоваться в нашем случае уже потому, что в них отсутствует система термостатирования образцов и требуются образцы больших габаритов (размер преломляющей грани 50x50 мм2}.
В пределах и вблизи полос собственного поглощения основным методом исследований явилась рефлектометрия, что позволило путем дисперсионного анализа определить характеристические параметры кристаллов, такие как ширина энергетических зазоров в особых точках зоны Бриллюэна, частоты длинноволновых оптических колебаний кристаллической решетки мто и (о10, длинноволновые диэлектрические проницаемости кристаллов сл и е0 и т.п. и, таким образом, в явном виде установить особенности поликристаллических оптических материалов в сравнении с монокристаллическими, а также влияние структурно-физических особенностей вещества на перечисленные характеристические параметры.
На всех образцах в области их прозрачности были выполнены также исследования спектров остаточного поглощения с применением стандартной спектрометрической техники.
По итогам проведенных разработок и исследований на защиту выносятся следующие научные результаты и положения:
- банк экспериментальных данных по рефрактометрическим характеристикам германия, кремния, сульфида и селенида цинка, а также теллурида кадмия (в т.ч. показателю преломления, дисперсии, термооптической постоянной), сформированный на основе измерений п методом призмы в области спектра до /. = 12 мкм в широком диапазоне электрофизических и кристаллофизических параметров вещества;
полуэмпирические соотношения для расчета рефрактометрических характеристик германия, кремния, сульфида ци^ка. селег,1да цинка и теллурида кадмия в рабочем диапазоне
длин волн и температур с точностью на уровне требований оптического приборостроения ( Ап ~± 0,0002);
установленную закономерность изменения
рефрактометрических характеристик материалов А4 в зависимости от электрофизических и кристаллофизических параметров материала, состоящую в том, что в высокоомных и слаболегированных образцах рефрактометрические характеристики остаются без изменений в широком диапазоне кристаллофизических параметров (структуры, плотности дислокаций, степени компенсации, удельного сопротивления и т.п.), а также для различных технологий получения образцов; наблюдаемые приращения этих характеристик в сильнолегированных образцах полностью определяются влиянием свободных носителей заряда и точно описываются на основании теории дисперсии на свободных носителях;
- совокупность экспериментальных и расчетных данных по спектрам отражения моно- и поликристаллических материалов А2В6 в области инфракрасных полос собственного поглощения и установленное для этих материалов совпадение основных характеристических параметров (частот длинноволновых колебаний кристаллической решетки, низкочастотной и высокочастотной диэлектрических проннцаемостей) в образцах с различными кристаллофизическими свойствами;
совокупность экспериментальных данных по ультрафиолетовому отражению соединений А2Вб; результаты анализа спектров отражения методом Крамерса-Кронига и выявленные из этих спектров и короткоаолновой дисперсии показателя преломления зг.чонсмерности поведения рефрактометрических характеристик рассматриваемых
поликристаллических материалоз, состоящие в том, что в.
горячепрессоаанных поликристаллах сульфида цинка (КО-2 и К0-2В) в сравнении с монокристаллами, сублиматами ПО-2, а также СУО-материалами приращение показателя преломления отрицательно. Это приращение связано, в основном, с размерами монокристаллических зерен, составляющих поликристалл (в материалах КО-2 и КО-2В с размерами зерен не более 1 мкм приращение показателя преломления составляет величину до Дп= —0,002). В то же время в поликристаллах на основе селенида цинка, где размеры моноблоков значительны,
рефрактометрические характеристики слабо зависят (на уровне погрешности измерений) от кристаллофизических параметров вещества;
- установленное качественное влияние кристаллофизических параметров и параметров технологического процесса на прозрачность материалов;
- расчетные и экспериментальные данные сопоставительного анализа различных методов призменной рефрактометрии и экспериментальная установка, обеспечивающая возможность измерения показателя преломления высокопреломляющих сред на призмах малых геометрических размеров (площадь входной грани призмы 15x15 мм2) в области спектра 0,7...12 мкм при температурах Т = 20...70 °С с абсолютной погрешностью не хуже г0,0002. Научная новизна. Исследования оптических характеристик
материалов А4 и АгВ6, выпускаемых отраслью, на уровне требований оптического приборостроения и с учетом их особенностей, как оптических материалов, выполнены впервые.
Практическая ценность. Разработана методика и создана аппаратура для исследований рефрактометрических характеристик ао:со\опреломляющик сред в ИК-област.1 спектра и подготовлен банк
исходных экспериментальных данных, использованный при каталогизации кристаллических материалов групп А4 и А2В6.
Данные по оптическим характеристикам включены в состав действующей справочной и нормативно-технической документации (НТД) на материалы (ОСТЗ-5234-82 "Кристаллы германия оптические. Технические условия", ТУ48-0513-37-83 "Германий монокристаллический для ИК-оптики. Технические условия", ОСТ 3-6307-87 "Материал оптический поликристаллический марки ПО-4. Технические условия", ТУ 1Ф26-503-89ЯЕИЛ "Керамика оптическая КО-2В (экспериментальная партия). Технические условия", проект ОСТЗ..."Кристаллы кремния оптические. Основные параметры", а также каталог ВНЦ ГОИ "Оптические кристаллические материалы" под ред. Петровского Г.Т., Л., 1991г. и др.).
Полученные в работе результаты по технологической воспроизводимости показателя преломления позволили исключить в НТД на оптические кристаллы германия, кремния и селенида цинка марки ПО-4 выходной контроль заготовок по показателю преломления на предприятиях-изготовителях.
Предложенные простые расчетные соотношения для определения спектральной и температурной зависимостей показателя преломления с точностью Ап = ±0,0002.
Апробация___работы. Материалы диссертационной работы
докладывались и обсуждались на шести всесоюзных конференциях и семинарах.
Публикации. Материалы работы опубликованы в двенадцати научных статьях.
Обьем__и.__структура диссертации. Диссертация содержит 171
страницу машинописного текста, 38 ригунков, 13 таблиц и по своей структуре состоит из 7 разделов, в т.ч. введения, заключения, списка литературы, включающего 169 работ отечественных и зарубежных
авторов, а также приложения, где приводятся таблицы опубликованных численных данных по показателю преломления, методам измерений, а также распечатки программ, использованных при обработке результатов измерений.
СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
Первый, раздел диссертации представляет собой введение, где дается общая характеристика работы.
Второй . раздел подготовлен по результатам анализа научно-технической литературы. Здесь обобщены данные по кристаллографической симметрии и электронной зонной структуре материалов А4 и А2В6; сопоставлены опубликованные экспериментальные результаты исследований их оптических свойств, а также рассмотрены различные методы измерений и расчета оптических постоянных конденсированных сред. Здесь также представлены основные области и перспективы применения моно- и поликристаллов германия, кремния, халькогенидов цинка и кадмия в оптике и оптоэлектронике.
Из опубликованной справочной и периодической литературы следует, что изученность оптических свойств рассматриваемых материалов в диапазоне прозрачности не удовлетворяет требованиям их практического использования: данные различных авторов имеют столь низкую сходимость, что иногда она превышает погрешность измерений более, чем на порядок величины; в представленных данных имеются несоответствия качественного характера; в большинстве известных работ не определены даже основные кристаллофизические параметры исследуемых материалов, а также другие влияющие факторы; при проведении измерений не установлены требования к средствам измерений и метрологическому обеспечению, учитывающие особенности высокопреяомляющих ПК-материалов и обеспечивающие получение надежных экспериментальных данных.
Ср^нение различных методов измерения показателя преломления показало, что для решения поставленной задачи наиболее подходящими являются гониометрические методы, развитые с учетом специфики рассматриваемых материалов.
В третьем разделе рассмотрены использованные методы и средства оптических измерений. Основное внимание уделено анализу гониометрических методов измерения показателя преломления высокспреломляющих сред в инфракрасном диапазоне длин волн; выполнен анализ составляющих погрешностей измерения и влияющих факторов, установлены предельные точностные характеристики и определено! оптимальные условия измерения п на призмах. В этом же разделе описаны технологии получения и основные физико-химические свойства исследованных материалов, а также представлены спектры их оптического пропускания.
В работе использованы три гониометрических метода измерения показателя преломления - автоколлимационный, метод наименьшего отклонения и метод фиксированного угла отклонения. Для этих методов! были вычислены составляющие погрешности измерения п, обусловленные углоизмерительными операциями (включая операции измерения угпов преломления и рабочих углов призм, а также операцию установки образца-призмы в положение наименьшего отклонения а методе наименьшего отклонения), неопределенностью спектрального состава излучения (в т.ч. селективностью приемо-усилительного тракта), нестабильностью температурного режима образца, а также оптической неоднородностью и качеством оптической обработки преломляющих граней призм. Показано, что в высокопреломлягощих средах погрешности углоизмерител^ных операций по сравнению с другими составляющими дают меньший вклад в суммарную погрешность измерения п. Снижение указанных погрешностей обеспечивалось за счет термостагирования образца с абсолютной погрешностью ЛТ = ±0,2 сС,
эа счет ограничения спектрального диапазона измерений областью умеренной дисперсии с!п/с1А., специальным отбором образцов-призм по качеству оптической обработки преломляющих граней и однородности материала, а также независимым измерением углов призм с использованием высокоточных гониометров (например, ГС-1Л, ГС-!М или ГС-2).
Перечисленные меры позволили осуществить гониометрические измерения показателя преломления по методу наименьшего отклонения или фиксированного угла отклонения в области длин волн 0,7-12 мкм (основная рабочая область) и температур 15-70 °С с абсолютной погрешностью не хуже Ап=±0,0002 на образцах-призмах с размером входной грани «15x15 мм^.
Отметим, что в большинстве опубликованных работ по рефрактометрии высокопраломляющих сред использовались те же методы и средства, что и для традиционных материалов, что зо многом объясняет низкую сходимость данных различных измерений.
В заключение раздела приводятся результаты исследования спектров пропускания материалов А4 и А2В6, з т.ч. синтезированных с применением сырья различных марок, по различным технологиям {включая специальный отжиг), а также материалов с нарушенной стехиометрией состава.
Использование при выращивании поликристаллов ПО-4 сырья различных марок и разной длительности хранения приводило к изменению коэффициента пропускания, которое составляло в области прозрачности ДТтах « 8% и достигало величины ДТ и 10% в области спектра вблизи края собственного поглощения.
Специальный отжиг, в частности кристаллов С\Ю - ZnS, приводил к заметному улучшению («4%) пропускания в бесструктурной области
спектра, что принято объяснять миграцией примесей из образца (или к границам зерен) и уменьшением светорассеяния от границ зерен.
Нарушение стехиометрии состава в спектрах пропускания кристаллов и ZnSe проявляло себя в виде примесных полос
поглощения, примыкающих непосредственно к краю собственного поглощения. Эти полосы определяли наблюдаемую цветовую окраску образцоз, которая, например, в монокристаллах 2п5е, менялась от зелено-желтой при избытке Тп к лимонно-желтой в стехиометрически равнозесных образцах и к красно-коричневой в образцах с избытком Бе.
В четв*.,»том разделе изложены результаты измерений и расчетов показателя преломления, дисперсии и термооптической постоянной в германии, кремнии, сульфиде и селениде цинка, а также в теллурида кадмия. В общей сложности спектральные и температурные зависимости1 п были измерены более чем на ста образцах с различными структурно1" физическими параметрами.
В Ое и в умеренно и слаболегированных образцах 6-концентрацией свободных носителей М< 1015 см'3 рефрактометрические' характеристики слабо зависели от технологии получения, типа, концентрации и степени компенсации легирующей примеси, дефектов структуры, размеров монокристаллических зерен, кристаллографической ориентации и с точностью до Дп=±0,0002 совпали для всех исследуемых материалов при всех длинах волн.
При концентрациях свободных электронов 1013 см"3 в ве и п-типа электропроводности легирование приводило к уменьшению показателя преломления п и возрастанию дисперсии йп/с1/.. Приращение диэлгктрической проницаемости Л;:=2пЛп было пропорционально концентрации примеси и квадрату длины волны излучения и хорошо описывалось в рамках теории дисперсии на свободных носителях заряда.
Данные измерений показателя преломления в сульфиде цинка позволили выделить две группы материалов, одну из которых составили монокристаллы, сублиматы ПО-2, а также С\/0-материалы, с размерами монокристаллических зерен более 10 мкм, а другую горячепрессованные материалы КО-2 и КО-2В, где размеры зерен не превышают 1 мкм. В пределах каждой группы измеренные значения п совпали с точностью Дп=±0,0002 и в области Г.ги«Ед не зависели от цветовой окраски образцов (уровня остаточного поглощения), плотности и ориентации кристаллита в призмах, в частности, из ПО-2 (параллельно и перпендикулярно преломляющему ребру). В группе СУО-материалов ИпЭ изостатическое прессование (специальный отжиг) также не оказывал заметного влияния на показатель преломления кристаллов.
В селениде цинка, где для исследований были использованы только крупнозернистые материалы, показатель преломления не зависел от кристаллофизических параметров, марки и длительности хранения используемого при синтезе сырья и в пределах погрешности измерений был технологически воспроизводим.
Зависимости с)п/с)Т от структурно-физических характеристик материалов А4 и А2В6 не наблюдалось.
Вся совокупность полученных экспериментальных данных по п, Ьп/йТ и с1п/(Л была обобщена в рамках полуэмпирической трехосцилляторной модели, учитывающей вклады в поляркзуе^ость кристалла связанных электронов, а также колебательных состояний. Использованная модель содержала три подгоночных параметра, численные значения которых были уточнены здесь путем подгонки из данных измерений показателя преломления. Использованная модель позволила рассчитать спектральную и температурную зависимость показателя преломления Мп/с1Т и с(п/с!/1) с точностью близкой к экспериментальной погрешности во всем диапазоне длин волн, температур и физико-химических параметров.
3 пятом разделе представлены экспериментальные исследования оптических характеристик рассматриваемых материалов в области ультрафиолетовых и инфракрасных полос поглощения, где взаимосвязь оптических характеристик и структурно-физических параметров среды проявляется наиболее отчетливо. Эти исследования были выполнены с целью независимого подтверждения экспериментальных данных по дисперсии п(л) (раздел 4).
Оптические постоянные пик (или е, и е2) в области полос поглощения определялись из спектров отражения, которые измерялись в ультрафиолетовой области вплоть до >.= 100 нм, а в инфракрасной до л=200 мкм. Это позволило наблюдать все характерные резонансы £,„, определяющие поведение п(>.) в области прозрачности материала.
Анализ инфракрасных спектров отражения в соединениях А2В8 проводился в рамках одноосцилляторной модели, где высокочастотная и низкочастотная диэлектрические проницаемости и е0, частота
длинноволнового оптического фонона о)то, а также постоянная затухания 7 рассматривались в качестве подгоночных параметров и находились из условия наилучшего соответствия расчетных и экспериментальных данных. Численные значения этих параметров составили:
гпБ сото=36,5 мкм Е.,=5,12 е0=8,30
гпБе о)то=48,43 мкм Е,=5,92 Е0=8,90
Сс1Те | сото=71,2 мкм Е,=7,01 с0=9,96
Приведенные значения £,. и £0 совпали со значениями, экстраполированиями из коротковолновой дисперсии показателя преломления и слабо зависели от структурно-физических параметров среды.
Ультрафиолетовые спектры отражения анализировались численно методом Крамерса-Кронига, в результате чего были рассчитаны спектры п и к в области и на длинноволновом крае полосЭ1 поглощения. Эти
данные подтвердили наблюдавшиеся путем прямых измерений особенности поведения в зависимости от структурно-физических параметров вещества (размеров кристаллитов). Было показано, что в исследованных методом рефлектометрии материалах КО-2 и К0-2В (размер зерна не более 1 мкм), а также КО-61, приращение показателя преломления отрицательно в сравнении с монокристаллами, а в поликристаллах на основе селенида цинка этого приращения не наблюдалось.
В сульфиде цинка наблюдаемое приращение показателя преломления (см. раздел 4) может быть сопоставлено со смещением границ энергетических зон, экспериментально наблюдавшимся в спектрах отражения. Так было ¿арегисгрировано смещение характеристических пиков R(\), составившее ДЕ0«0,08 эВ. Подстановка этого значения ДЕ0 в дисперсионную формулу дает длинноволновое приращение показателя преломления Дп~0,0013, что находится в близком соответствии с результатами эксперимента.
В_шестрм__разделе представлены выводы по диссертации, в
седьм_0у_раэделе приведен список использованной литературы.
ВЫВОДЫ
1. Выполнен анализ метрологических возможностей инфракрасной призменной рефрактометрии применительно к исследованию высокопреломляющих полупроводниковых оптических сред. С учетом их основных особенностей, как оптических материалов, предложена установка для измерения показателя преломления полупроводников в широком спектральном и температурном интервалах на призмах малых геометрических размеров.
2. В области спектра от края собственного поглощения до ?.= 12 мкм при температуре 20...35 °С проведены прямые измерения показателя преломления моно- и поликристаллических материалов А4 и А2В6 с
широким набором электрофизических и кристаллофизических параметров. Получены данные по влиянию на показатель преломления структуры материала (моно- и поликристалл), типа проводимости, концентрации свободных носителей заряда {удельного электрического сопротивления), а также способа получения материала (или размера зерна), которые должны учитываться при каталогизации оптических материалов. Подготовлен банк исходных данных для составления нормативно-справочной документации. Показано, что оптические характеристики поликристаллических материалов с размерами составляющих их кристаллитов ~1 мкм и менее являются структурно-чувствительными величинами.
3. Выбрана трехосцилляорная модель для расчета показателя преломления, как функции длины волны, температуры и концентрации свободных носителей заряда. Определены численные з^чения параметров дисперсионных выражений для каждого из исследованных материалов.
4. Путем измерения и анализа спектров отражения в области ультрафиолетовых и инфракрасных полос поглощения определены оптические постоянные и характеристические параметры исследуемых материалов и независимым образом подтверждены данные прямых измерений показателя преломления в области прозрачности.
ПЕРЕЧЕНЬ ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
1. Богданов В.Б., Назарова H.A., Прокопенко В.Т., Романова Г.И., Яськов А.Д. Рефрактометрические характеристики германия в инфракрасной области спектра.- Оптика и спектроскопия, 1986, т.61, вып.5, с.1064-1069.
2. Машовец Т.В., Емцев В.В., Адилханян Г.Г., Романова Г.И., Назарова H.A., Гришин В.П., Корчашкина Р.Л., Зайцева А.И., Куликова
- 1Ь -
Л.В. Германий монокристаллический. Физические свойства. Таблицы рекомендуемых справочных данных. - ГИРЕДМЕТ, 1986.
3. Богданов В.Б., Назарова H.A., Прокопенко В.Т., Романова Г.И., Яськов А.Д. Рефрактометрические характеристики оптической керамики на основе сульфида цинка.-Журнал прикл. спектр., 1987, т.47, N2, с.318-321.
4. Богда"ов В.Б., Назарова H.A., Прокопенко В.Т., Романова Г.И., Яськов А.Д. Рефрактометрические характеристики поликристаллических материалов на основе селенида цинка и теллурида кадмия.-Олт.-мех. пром-ть., 1987, N10, с.21-24.
5. Назарова H.A., Яськов А.Д., Влияние примесей на рефрактометрические характеристики кремния. - Физ. техн. полупр.,
1987, т.21, N11, с. 2099-2101.
6. Назарова H.A., Прокопенко В.Т., Романова Г.И., Яськов А.Д. Рефрактометрические характеристики кремния. - Опт.-мех. ппом-ть.
1988, N4, с. 25-28.
7. Машовец Т.В., Емцев В.В., Адилханян Г.Г., Романова Г.И., Назарова H.A., Гришин В.П., Корчашкина Р.Л., Зайцева А.И., Куликова Л.В. Кремний монокристаллический. Физические свойства. Таблицы рекомендуемых справочных данных. ГИРЕДМЕТ, 1988.
8. Белов Н.П., Ильин С.Ю., Назарова H.A., Яськов А.Д. Оптические постоянные поликристаллических оптических материалов А4 и А2В6 в длинноволновой области спектра к~0,8-200 мкм. - Тезисы докладов VII Всесоюзного совещания "Кристаллические оптические материалы", Л-д, апрель, 1989.
9. Назарова H.A., Романова Г.И., Яськов А.Д. Влияние способа получения и некоторых параметров техпроцесса на оптические свойства кристаллических материалов на основе селенида цинка. - Тезисы докладов VII Всесоюзного совещания "Кристаллические оптические материалы", Л-д, апрель, 1989.
10. Bogdanov V., Nazarova N., Pikhtin A., Procopenco V., Yas'kov A. Refractive Index of Semiconductors and It's Temperature Coefficien. - i. Opt. Soc. Am. B, 1990, v. 7, N6, p.918-922.
11. Белов Н.П., Ильин С.Ю., Наззроза H.A., Яськсз А.Д. Диэлектрическая проницаемость селенида цинка. - Опт.-мех. пром-ть, 1991, N3, с. 56-60.
12. Назарова Н.А. Коэффициент отражения и показатель преломления моно и поликристаллических материалов на основе ZnS. -Опт.-мех. пром-ть, 1991, N7, с. 3-5.
Подписано к печати 2I.C2.96 г. Заказ 23 Тираж ICO экз.
Объег/ 1,2 п.л. Бесплатно
Ротапринт. ШЪ'О. ISCLCC, С.-Петербург, лер.Гртацова, 14
-
Похожие работы
- Изучение тепловых свойств и спектральных характеристик аморфных и пленочных материалов
- Моделирование и оптимизация процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка
- Получение и исследование свойств углеродных наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников
- Термостимулированные процессы на глубоких уровнях в полупроводниках и гетероструктурах на их основе
- Физико-химические основы технологии получения монокристаллов и поликристаллических пленок широкозонных полупроводниковых соединений группы A2B6 с управляемыми свойствами
-
- Приборы и методы измерения по видам измерений
- Приборы и методы измерения времени
- Приборы навигации
- Приборы и методы измерения тепловых величин
- Приборы и методы измерения электрических и магнитных величин
- Акустические приборы и системы
- Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
- Радиоизмерительные приборы
- Электронно-оптические и ионно-оптические аналитические и структурно-аналитические приборы
- Приборы и методы для измерения ионизирующих излучений и рентгеновские приборы
- Хроматография и хроматографические приборы
- Электрохимические приборы
- Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий
- Технология приборостроения
- Метрология и метрологическое обеспечение
- Информационно-измерительные и управляющие системы (по отраслям)
- Приборы, системы и изделия медицинского назначения
- Приборы и методы преобразования изображений и звука