автореферат диссертации по энергетике, 05.14.05, диссертация на тему:Изучение тепловых свойств и спектральных характеристик аморфных и пленочных материалов

Введение

Глава I. Теплоемкость аморфных материалов

1. Модели теплоемкости

2. Теплоемкость аморфных халькогенидных полупроводников

3. Обсуждение моделей теплоемкости аморфных материалов

Глава II. Теплопроводность аморфных материалов

1. Модели теплопроводности конденсированных сред

2. Теплопроводность аморфных халькогенидов

3. Анализ и обобщение экспериментальных значений 110 теплопроводности аморфных материалов

4. Перспективы термоэлектрического применения аморфных 115 полупроводников

Глава III. Спектральные характеристики разупорядоченных 121 халькогенидов

1. Характеристики поликристаллических и аморфных пленочных 121 полупроводников

2. Влияние ультразвуковой обработки и на спектральные 138 характеристики пленочных материалов

3. Влияние лазерного облучения на спектральные характеристики 151 полупроводниковых пленок

Выводы

Аморфные материалы находят все большее применение в самых разных областях техники. Это в полной мере относится и к аморфным полупроводникам. Уже в настоящее время они применяются для изготовления солнечных батарей, тонкопленочных транзисторов, устройств для сканирования изображения, оптической записи информации, приборов с зарядовой связью и газовых индикаторов. Аморфные халькогенидные полупроводники применяются в электрофотографии, оптической записи литографии, электрических переключателях, запоминающих устройствах и устройствах оптической памяти. Они также применяются в акустооптических модуляторах, ультразвуковых линиях задержки, многослойных ИК-фильтрах. В физике сформировалось достаточно обоснованное мнение, что следующий "виток развития" микроэлектроники и оптоэлектроники произойдет именно на базе аморфных полупроводников. Эта уверенность основана на следующих очевидных преимуществах аморфных полупроводников над кристаллическими структурами. Во-первых, применение аморфных полупроводников снимает ограничение площади микросхемы размерами кристалла. Уже сейчас известны технологии получения тонкопленочных многослойных аморфных структур площадью до 106 см2, и это далеко не предел. Во-вторых, возможность применения при изготовлении микросхем литографии более высокого разрешения, что основано на много меньшей (на три порядка у аморфного кремния) плотности микродефектов аморфных материалов по сравнению с аналогичными монокристаллами. При этом сплошность слоев в аморфных пленках достигается далее при толщине до 50 ангстрем. В-третьих, выход годных тонкопленочных структур на основе аморфных полупроводников при серийном производстве доходит до 98 - 99%, что позволяет изготавливать трехмерных структуры путем поэтапного нанесения слоев. И наконец, в-четвертых, широкий набор термо- и фотоструктурных модификаций и электрических неустойчивостей позволяет создавать устройства адаптивной памяти для самообучающихся нейросетевых компьютеров и изготавливать такие компьютерные системы с полным комплектом периферийных устройств из тонкопленочных аморфных полупроводников.

Сказанное выше предопределило стремительное развитие физики и техники аморфных полупроводников. К настоящему времени достаточно глубоко исследованы электрические и оптические свойства аморфных материалов. Стало очевидным, что физика аморфных полупроводников является самостоятельным разделом общей физики полупроводников, оставаясь в то же время частью физики неупорядоченных систем. Последнее позволяет установить несомненную зависимость свойств и поведения аморфных полупроводников от их структурных особенностей, включая прежде всего степень разупорядоченности. А поскольку структура аморфных веществ определяется технологией их изготовления (этот несомненно важный вопрос не является предметом обсуждения в данной работе), то хотя бы укажем основные технологические способы получения аморфных полупроводников.

Так как все области их применения, перечисленные выше, требуют использования тонкопленочных структур, то и методы получения основаны на технологиях, обеспечивающих необходимые физические характеристики. Ярким примером удачной разработки такой технологии "является метод тлеющего разряда. Известно, что тлеющий разряд в газе возбуждается постоянным или переменным электрическим полем. В тлеющем разряде в постоянном поле, при столкновении с ним положительных ионов, создаются электроны. Они ускоряются этим полем в область тлеющего разряда, где, соударяясь с материалами газа, ионизируют их. В переменном поле происходит высокочастотное плазменное разложение вещества. После его разложения в плазме ионизированные атомы или молекулы осаждаются на подложку. Этот метод позволяет регулировать плотность локализованных электронных состояний в аморфном полупроводнике, чего не удавалось достичь методами испарения или распыления. Последние создавали всегда высокую плотность локализаций, что затрудняло применение таких материалов. Нужно отметить, что метод тлеющего разряда сейчас является основой наиболее распространенной технологии получения аморфных кремниевых солнечных батарей и микросхем с требуемыми параметрами.

Нужно также отметить, что в других целях используются такие методы, как химическое осаждение паров, усиленное плазмой, реактивное расширение (особенно при изготовлении аморфных халькогенидных полупроводников) и реактивное испарение. Все эти методы, естественно, позволяют получать самые разнообразные аморфные структуры. Все они классифицируются самыми различными способами. Например, это классификация по типу химической связи, ответственной за первое координационное число (считается, что наиболее часто у аморфных полупроводников имеет место ковалентная связь). В физике неупорядоченных систем их классификация чаще основана на моделях беспорядка. Наиболее распространенными являются: а) беспорядок замещения, если в узлах происходит замещение атома одного элемента атомом другого и если узлы не образуют регулярную решетку; Ь) магнитный беспорядок, при котором локализованный /-узлом кристалла магнитный момент случайно изменяется от узла к узлу; с) "ледовый" беспорядок, являющийся по существу беспорядком протонов, который в свою очередь можно классифицировать как почти идеальный ячеистый беспорядок; (1) спектральный беспорядок, когда статистические свойства удобно представлять переменными в обратном пространстве, а не в пространстве узлов. Часто эти случаи (а, Ь, с, с!) рассматриваются как разновидности одного ячеистого беспорядка. Другой группой беспорядка принято считать континуальный беспорядок, при котором игнорируется атомная структура вещества. Это правомерно делать при рассмотрении макроскопических процессов, когда материал рассматривается как непрерывная среда, состав которой определяют параметры волнового уравнения. Этот подход оправдан, если при возмущениях длина волны значительно превышает расстояние между атомами. И наконец, топологический беспорядок, основой модели которого являются системы, где расположение атомов не соответствует упорядоченной решетке, и которые основаны на произвольных предположениях, позволяющих определить различные особенности поведения этой системы без детального анализа совокупности физических условий, которые реализуются в окрестности каждого атома.

Понятно, что при описании тех или иных свойств аморфных материалов необходимо прежде всего опираться на тип их структуры или соответствующую модель беспорядка. Проблема, ввиду ее многообразия, могла бы показаться неразрешимой, если бы не были определены общие для всех неоупорядоченных систем идеи. Среди первых идей нужно назвать предположение о доминирующей роли в физике неупорядоченных систем "ближнего порядка", высказанное в 1960 году А. Ф. Иоффе и А. Р. Регелем. Для описания электронного спектра неупорядоченных систем основополагающей стала работа Н. Мотта (1961 год) о локализации нормальных колебаний и собственных функций. И, наконец, для описания теплофизических свойств неупорядоченных систем следует отметить удачное применение достаточно старой идеи Дебая о модели, описывающей свойства переноса тепла фононами.

Здесь нужно подчеркнуть, что если физика электронных и оптоэлектронных свойств и процессов в аморфных полупроводниках разработана достаточно подробно (во всяком случае, ее уровень позволяет обеспечивать создание указанных выше устройств), то теплофизические свойства (прежде всего, теплоемкость и теплопроводность) изучены совершенно недостаточно. Известны только единичные экспериментальные данные по отдельным веществам, относящиеся, как правило, или к очень низким, или к комнатным температурам. Модели, описывающие их поведение, несмотря на наличие общих основополагающих идей, не были доведены до детального решения. Причина этого в малом количестве экспериментов и в какой-то степени в отсутствии достаточной практической востребованности. Новые задачи по практическому применению аморфных полупроводников приходится решать в достаточно широком температурном диапазоне и увеличивающемся тепловыделении. А это требует специальных тепловых расчетов для определения длительной преобразователях и в солнечных батареях, работающих при повышенных температурах. Последнее может иметь место в космических аппаратах или в известных схемах "солнечная батарея - концентратор лучистой энергии" Эффективность же термоэлектрических преобразователей, как известно, в значительный степени определяется теплопроводностью полупроводниковых материалов. Возможность же получения в аморфных структурах высоких значений термоэдс и электропроводности определяется уже достаточно разработанными различными методами их легирования.

Основная литература по изложенному во введении материалу дана в ссылках [1-22 ]

Вышесказанное позволило определить основную цель настоящей работы. Она состоит в экспериментальном изучении основных тепловых свойств и спектральных характеристик аморфных и поликристаллических халькогенидных полупроводниковых материалов наиболее перспективных в термоэлектрических преобразователях, солнечных фотобатареях и в микро и оптоэлектрических устройствах работающих в условиях большого тепловыделения. В качестве таких тепловых свойств выбраны теплоемкость и теплопроводность.

Научная новизна работы состоит в следующем:

Научная новизна диссертации заключается в впервые проведенных экспериментальных и теоретических исследованиях теплотехнических и спектральных свойств широкого класса аморфных полупроводников, перспективных в установках прямого преобразования тепловой энергии в электрическую и в оптоэлектронных датчиках различного типа, работающих при низких и повышенных температурах. Впервые проведены экспериментальные исследования теплоемкости и теплопроводности 24-х аморфных полупроводников на основе серы, селена и теллура в диапазоне температур 50-И ООО К. Отработаны технологические режимы получения экспериментальных образцов сложной конструкции толщиной 1000-2000 А фиксированной аморфной структуры, обеспечивающие применимость выбранных экспериментальных методов. Проведен обобщенный анализ температурных зависимостей теплоемкости, в результате которого установлено, что все они подчиняются зависимости ~ Т1 при низких температурах и С ~ Т0'5 при температурах выше дебаевской. Показано, что такой характер температурной зависимости теплоемкости аморфных полупроводников удовлетворительно описывается андерсоновской моделью для описания теплоемкости стекол. Диссертантом в основу модели теплоемкости аморфных полупроводников положено число туннельных состояний в потенциальной структуре софтона, которое прямо пропорционально величине теплоемкости. Это позволило впервые определить для аморфных полупроводников численные значения числа туннельных состояний и их температурную зависимость. Исходя из температурных зависимостей теплоемкости для исследованных аморфных полупроводников были определены их температуры Дебая, а на их основе рассчитаны максимальные значения основных мод частот колебаний атомов и соответствующих длин волн. На основе этих расчетов было показано, что для всех исследованных аморфных полупроводников превалирующими являются длинноволновые акустические колебания. Это позволило автору построить модель температурной зависимости теплопроводности аморфных полупроводников в общем виде X ~ Тп исходя из определяющего положения X ~ С. Согласно этой модели показано, что при температурах ниже дебаевской теплопроводность подчиняется закономерности типа Т+1 , а отклонения от этой закономерности предложено объяснять наличием рамановского и релеевского рассеяний. Установлено, что при температурах выше дебаевской и до ~ 0,7 от температуры плавления основным видом отклонения от X ~ Т+0,5 являются рассеяния на ближнем порядке, X ~ Т+0'5, а выше ~ 0,7ТШ наблюдается появление фотонной составляющей теплопереноса, что приводит к зависимостям, близким к X ~ Т2, а отклонения от нее объяснены наличием неупругого рассеяния. На основе этой модели предложено в известной формуле теплопроводности рассматривать в качестве определяющего комплекса (V1), где величина V принята скоростью звука на основании определенной превалирующей роли в аморфных полупроводниках акустических колебаний. Такой подход позволил рассчитать значения средних длин свободного пробега фононов и их температурную зависимость, характер которой подтвердил предложенные механизмы рассеяния. Проведено комплексное исследование характеристик фотопроводимости, фотолюминистенции и термостимулированной проводимостей высокоомных аморфных слоев халькогенидов кадмия и цинка, установлены механизмы управления структурой и регулирования фотоэлектрических и оптических характеристик аморфных и пленочных полупроводников путем сложного дефектообразования и воздействия ультразвуком и импульсным лазерным излучением. Экспериментально установлено повышение фоточувствительности и подвижности носителей заряда в этих материалах за счет ультразвуковой обработки допороговой мощности или импульсным лазерным воздействием наносекундной длительности с плотностью мощности ниже порога расплавления.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Впервые экспериментально получены значения теплоемкости и теплопроводности двадцати четырех аморфных материалов в диапазоне температур 50 1000 К, что позволяет рекомендовать эти значения в качестве справочных данных.

2. На основе измерений теплотехнических свойств установлена перспективность ряда аморфных полупроводников в качестве эффективных термоэлектрических материалов.

3. Предложен и апробирован метод изменения электрических свойств и фоточувствительности пленочных полупроводников путем ультразвукового воздействия.

4. Предложен и реализован метод улучшения электрических и фото- и оптоэлектрических свойств аморфных полупроводников путем импульсного лазерного воздействия.

5. Показана перспективность применения аморфных материалов на основе теллурида кадмия в качестве высокотемпературного фотоэлектрического преобразователя.

Апробация работы. Основные результаты докладывались и обсуждались на:

VII республиканской научно-практической конференции молодых ученых (Ашхабад, 1984 г.),

Международной научно-методической конференции "Проблемы и перспективы развития нефти, газа, энергетики и химии в Туркменистане " (Ашхабад 1995 г.),

Межвузовской научной конференции "Актуальные проблемы физики твердого тела радиофизики" (Ашхабад 1995 г.),

International conference on solar cecrgy and Islamic Countries (Tehran 1995 У-),

Всесоюзной научной конференции "Фотоэлктрические явления в полупроводниках" (Ташкент 1989 г.),

Международной конференции по проблемам физической метрологии (Москва 1998 г.),

XI Всесоюзной конференции по сегаето-электрикам-полупроводникам (Ростов-на-Дону 1987 г.),

На научных конференциях профессорско-преподавательского состава Туркменского политехнического института (Ашхабад 1980-1998 гт.), На научно-технических конференциях Туркменского государственного института транспорта и связи (Ашхабад 1995-1998 гг.), На объединенном семинаре кафедр "физики и электротехники" и "автоматики и электросвязи" Туркменского государственного института транспорта и связи,

На семинаре научного центра Туркменского государственного института им. Магтымгулы.

Публикация. По работе опубликовано 15 статей, из них 2 монографии.

Выводы.

1. Впервые экспериментально получены значения теплоемкости двадцати четырех аморфных халькогенидов в диапазоне температур 50-1000 К с погрешностью ±10%.

2. Показано, что все температурные зависимости теплоемкости аморфных халькогенидов хорошо описываются андерсоновской моделью. Определяемое ей число туннельных состояний изменяется в предсказанных теорией значениях (1.4-0.37) 1043 (Дж-см3)"1.

3. Температурная зависимость теплоемкости аморфных халькогенидов до температуры Дебая - описывается уравнением вида С~Т 36*14>.

4. На основе темературных зависимостей теплоемкости аморфных халькогенидов определены значения температуры Дебая в этих материалах.

5. Впервые экспериментально измерены значения теплопроводности двадцати четырех соединений аморфных халькогенидов в диапазоне температур 50-1000 К с погрешностью, не превышающей 10%.

6. Анализ температурных зависимостей теплопроводности всех изученных аморфных халькогенидов показал, что при температурах ниже дебаевской характер теплопроводности определяется тешюемкостной составлящей и описывается уравнением вида А.-Т. При этом установлено, что основными носителями тепла являются акустические фононы, их ангармонизм определяется влиянием неупругого рассеяния.

7. При температурах выше дебаевской роль неупругого рассеяния становится доминирующей и характер темпратурной зависимости теплопроводности определяется уравнением типа Я~Т°5.

8. Установлено, что при высоких (больших 600-700 К) температурах наблюдается резкое увеличение теплопроводности. Однако, зависимость Генцеля А,~Т3 подтверждена только у селена, а у других материалов степень температурной зависимости менялась от 2 до 0.62. Это отличие от теории объясняется различным соотношением коротко-и длинноволновых фононов и наличием неупругого рассеяния.

9. Анализ теплотехнических характеристик аморфных полупроводников, наряду с известивши электрофизическими свойствами, позволил рекомендовать эти соединения в качестве перспективных материалов для термоэлектрических преобразователей и наметить основные пути получения в них высоких значений добротности и кпд.

Ю.Экспериментально изучены спектральные и температурные зависимости фотопроводимости, фотолюминесценции, а также оптоэлектрические характеристики пленочных поликристаллических и аморфных материалов.

169

11.Установлено, что пленочные материалы на основе теллурида кадмия являются наиболее перспективными материалами для высокотемпературных солнечных фотоэлементов и фотодатчиков различного назначения .

12. Показано, что аморфные полупроводники обладают более высокой интегральной чувствительностью фотопроводимости по сравнению с поликристаллическими и монокристаллическими аналогами. Показано, что основным направлением улучшения оптоэлектрических характеристик аморфных и пленочных полупроводников является технология сложного дефектообразования, что подтверждено спектрами с краевой и примесной фотолюминесценцией, примесной фотопроводимости и спектрами оптического поглощения. Можно предположить, что разработка специально построенных разупорядоченных структур позволит еще более улучшить эти характеристики.

13.Экспериментально изучено воздействие ультразвука на дефектную структуру ряда аморфных и пленочных полупроводников. Обнаружено изменение под воздействием ультразвука акустических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств этих соединений, показана возможность управления указанными характеристиками с помощью этого метода.

14.Изучение воздействия лазерного излучения на оптоэлектронные свойства аморфных и пленочных полупроводников позволило установить и объяснить возникающие при этом процессы дефектообразования, получение аномально больших значений коэффициентов диффузии некоторых примесей. Выявлено изменение фотоэлектрических и оптических свойств (фоточувствительности, спектров фотолюминесценции, оптического отражения и электропроводимости) этих материалов при облучении импульсным лазерным излучением.

1. Займан Д. Модели беспорядка. М., Мир, 1982, 591 стр.

2. Захаров В. П., Герасименко В. С. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев, 1976.

3. Минаев В. С. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. М., Металлургия, 1991.

4. Золотухин П. Р., Калинин Ю. Е. Способы получения и структура аморфных материалов. Воронеж, 1986.

5. Хейванг В., Биркхольц У., и др. Аморфные и поликристаллические полупроводники. М., Мир, 1987.

6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. Под ред. А. В. Новоселовой. М., Наука, 1979, 340 стр.

7. Тарасов В. В. и др. ЖФХ. 1968. Т. 11, №8, стр 2118-2120.

8. Регель А. Р., Глазов В. М. Физические свойства электронных расплавов. М., Наука, 1980. 295 стр.

9. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1974. 472 стр.

10. Ю.Бонч-Бруевич В. JI. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. УФН, т. 140, вып. 4, стр. 593637.

11. П.Губанов А. И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М. -J1. АН СССР, 1963, 250 с.

12. Бродски М, Карлсон Д, Фрицше и др. Аморфные полупроводники. М., Мир, 1982.

13. Аморфный кремний и родственные материалы. Сборник обзоров. М., Мир, 1991.

14. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М., Мир, 1991 г., 670 с.

15. Модуль солнечного элемента из аморфного кремния. Photovoltaic Insiders Rept. 1993. 12, №8 р 2.

16. Солнечные элементы на основе аморфного кремния. Technol. Jap. 1992 25, №1 р 77.

17. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М., Мир, Выпуск 1, 1987 г.

18. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М., Мир, Выпуск 2, 1988 г.19.3айман Д. Электроны и фононы. М., ИИЛ, 1962, 488 с.

19. Стильбанс Л. С. Физика полупроводников. М. Сов. Радио, 1967, 451 с.21.0хотин А. С., Жмакин Л. И., Иванюк А. Н. Модели теплопереноса в конденсированных средах. М., Наука, 1990, 200 с.

20. Киттель Ч., Статистическая термодинамика. М., Наука, 2 РФМЛ., 1977, 336 с.

21. Yu С. С., Freeman J. J. Therman conductivity and specific heat of glasses. Phys. Rev. В., 1987, v. 36, no. 14, p. 7620-7624.

22. De Neufvill. J. Non-Cryst. sol. 1972, v. 8 no. 10, p. 86-106.25.3игель В. В., Орлова Г. М., ЖНХ., 1975, т. 48, №4, с. 756-761.

23. Тарасов В. В. и др., ЖФХ., 1968, т. 11, №8, с. 2118-2120.

24. Zeller R. С., Pohl R. О. Thermal Conductivity and Specific Heat of Noncrystalline Solids. Phys. Rev. B, 1971, v. 4, no. 6, p. 2029-2041.

25. Anderson P. W. et. al. Anomals Low-temperature Thermal Properties of Glasses and Spin Glasses. Phil. Mag., 1972, v. 25, p. 1-9.

26. Phillips W. A. Tunneling States in Amorphous Solids., J. Low Temp. Phys. 1972, v. 7, no. 3/4, p. 351-360.

27. Bagot D. et. al. Semicond. Sci. and Technol., 1993, v. 8, no. 5m p. 638642.

28. Ahmad N., Adktus C. J. Phys. Condens. Matter. 1993, v. 5, no. 24m p. 4007-4012.

29. Кржижановский P. E., Штерн 3. Ю. Теплофизические свойства кристаллических материалов. Д., Энергия, 1973 г., 333 с.

30. ЗЗ.Охотин А. С., Пушкарский А. С., Горбачев В. В. Теплофизические свойства полупроводников. М. Атомиздат. 1972 г. 200 с.

31. Кириллин В. А., Сычев В. В., Шейндлин А. Е. Техническая термодинамика. М, Энергоатомиздат., 1983 г., 416 с.

32. Смирнов И. А., Тамарченко В. И., Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. Л., Наука, 1977 г., 151 с.

33. Крокстон К., Физика жидкого состояния. М., Мир, 1978 г., 400 с.

34. Фшшппов Л. П. Исследование теплопроводности жидкостей. М., МГУ, 1970 г., 239 с.

35. Цедерберг Н. В. Теплопроводности газов и жидкостей. М. -ЛК. Госэнергоиздат. 1963, 408 с.

36. Могилевский Б. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. М., Наука, 1972 г., 536 с.

37. Берман Р. Теплопроводность твердых тел. М., Мир, 1979 г., 286 с.41 .Мисиар Д. Тсилопронодность тнердмх тол, жидкостей, гакж н их композиций. М., Мир, 1968, 464 с.42.0хотин А. С. и др. Теплопроводность твердых тел. Ml, Энергоатомиздат, 1992 г., 493 с.

38. Morgan G. J., Smith D. Thermal conduction in glasses and polymers at low temperatures. J. Phys. C. Solid State Phys. v. 7, 1974, p. 649-664.

39. Эмиров С. H. Экспериментальные исследования теплопроводности полупроводников и горных пород при высоких давлениях и температурах. Автореферат докт. дисс. М., МЭИ, 1997 г.

40. Коломиец Б. Т. и др. ФТТ, 1965, т. 7, с. 1285.46.3игель В. В., Орлова Г. М., ЖПХ, 1975, №4"с", с. 756-761.

41. Бойков Ю. А. и др. ПТЭ. 1975 №2, с. 230.

42. Нечаев В. Г., Охотин А. С. Измерение теплопроводности тонких пленок. В сб. "Материалы и процессы космической технологии". М., Наука, 1980 г., с. 138-143.

43. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М., Наука, 1979 г., с. 339 с.

44. ЗО.Охотин A.C. и др. Термоэлектрические генераторы. М., Атомиздат, 1976 г.

45. Увдиев Д. Я. Теплоемкость аморфных халькогенидов цинка. Изв. АНТ Сер. физ. -техн., хим. и геол. Наук, 1998, №1, с. 63-65.

46. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел // Пер. с англ.-М.:Иностран. лит. 162-530 с.

47. Роуз А. Основы теории фотопроводимости //Пер. с англ.- М.: Мир. 1966.- 192 с.

48. Ге оргобиани А.Н. Ширкозонные полупроводники А2В6 и перспективы их применения // УФН.-1974.-Т.-113.В. 1 .-С. 129-155.61 .Физика и химия соединений А2В6. Под ред. Медведева С.Д. // Пер. с англ.- М.: Мир.- 1970.- 624 с.

49. Физика соединений А2В6. Под ред. Георгобиани, М.К. Шейнкман. -М.:Наука. 1979 -320 с.

50. Анисимов И.Д., Викулов И.М., Заитов Ф.М., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые приемники ультрафиолетовой, видимого и ближнего инфракрасного диапазона спектра // М.: Радио и связь.-1984.-216 с.

51. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов. Под ред. Р.Дж. Киеса. Пер. с англ. под ред. В.И.Стафеева // М.гРадио и связь. 1985.-328 с.

52. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике // М.: Наука.-1986.-144 с.

53. Георгобиани А.Н., Лепнев JI.C., Панасюк Е.И., Туницкая В.И. Инфракрасная фотолюминесценция сульфида кадмия Н Труды ФИАН СССР. -М.: Наука.-1987.-Т. 182.-С.З-68.

54. Георгобиани А.Н., Котляровский М.Б. Проблемы управления составом точечных дефектов в соединениях А2В6 // Физика соединений А2В6 Под ред. А.Н.Гергобиани и М.К.Шейнкмана / М.: Наука. -1986. с.72-108.

55. Дякин В.В., Сальков В.А., Хвостов В.А. Междуиримесные дырочные переходы в сульфиде кадмия // ФТП.-1975.-Т.9.В.9.-С.1812-1816.

56. Дякин В.В., Сальков В.А., Хвостов В.А., Шейнкман М.К. Оже-механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА-парами в сульфиде кадмия // ФТП.-1976.-Т. 1 O.B. 12.-С.2288-2292.

57. Вавилов B.C., Плотников А.Ф., Соколова A.A., Фотопроводимость дырочного теллурида кадмия и ее связь с экситонным поглощением // Теллурид кадмия / М.гНаука. -1968.-с.69-77.

58. Иванов B.C., Стопчинский В.В., Чапнин В.А. Дифференциальная спектроскопия локальных центров в CdTe // ФТП.-1973. -Т.5.В.1.-С.101-105.

59. Любченко A.B., Потыкевич И.В., Борейко JI.A. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа // ФТП,-1970.-Т.4.В.9.-С. 1704-1707.

60. Чапнин В.А. Электрические свойства CdTe, содержащего многозарядные акцепторы // ФТ11.-1969.-Т.З.В.4.-С.566-570.

61. Паносян K.P. Излучательная рекомбинация в кристаллах теллурида кадмия // Труды ФИАН СССР.-М.:Наука. -1973.-Т.68Г с. 147-202.

62. Агринская H.A., Аркадьева E.H., Матвеев O.A., Рудь Ю.В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия // ФТП.-1968.-Т.2.В.7.-С.932-938.

63. Шейнкман М.К., Корсунская Н Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Механизмы излучательных и безизлучательных переходов в соединениях А2В6 и природа центров свечения // Изв. АН СССР. Сер. физ.-1976.-Т.40. N11.-С.2290-2297.

64. Агринская Н.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A. Оптические поглощения, связанные с дефектами решетки в кристаллах CdTe/^Tn.-l970.-Т.4. В.2.-С.370-372.

65. Киреев П.С., Мартынов В.Н, Ванюков A.B. Влияние температуры на спектр фоточувствительности тонких слоев теллурида кадмия // ФТП.-1969.-Т.З. В.2.-С.173-182.

66. Гринь В.Ф, Любченко А.В., Сальков Е.А., Шейнкман М.К. Об излучательной рекомбинации через донорно-акцепторные пары в CdS при низких температурах // ФТП.-1975.-Т.9. В.8.-С. 1507-1511.

67. БО.Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // М.:Наука. -1987.-200 с.

68. Giles-Toylor N.C., Bicnell P.N., Blanks D.K., Myers T.N., Sehetzina J.F. Photoluminescence of CdTe: A comparison of bulk and epitaxial material // J.Vac.Sci, Fechnol 1985. a 3(1). Jan. Feb. - P.76-82.

69. Вайтзсус Ю.Ю., Вищакас Ю.К. Фотопроводимость монокристаллов CdSe при высоком уровне возбуждения // ФТП.-1967.- Т.1.В.12.- С. 1763-1768.

70. Павелец A.M., Пашенко Г.А., Сальков Е.А., Фридрих Е.И. Фотопроводимость и люминесценция спеченных слоев ZnS // ЖПС. -1986.-Т.49. N1.-C.47-51.

71. Suzuki A., Shionoya S. Polarization characteristics of the Red Luminescence in ZnSe//J.Phys.SocJap. -1971. -v.31. P.1719-1725.

72. Title R.S, Mandel G. and Marehead F.F. Self, Compensation-limited conductivity in binary semiconductors 11 n-ZnTe // Phys.Rev. 1964. -v. 136, N1 (a). - P. A 300-A. 302.

73. Бородин M.C., Гоер Д.Б., Мацко М.Г. Ассоциация дефектов в ZnTe//ФТП.- 1973.- Т.5.В.5. С.

74. Larsen D.L., Admittance Spectroscopy of deep impurity levels ZnTe Schottky Barriers //Appl.Phys. Lett. 1972. v. 21 . N2. - P.54-56.

75. Magnea N. and Pautrat J.L. Iradiation induced radiative centrs in ZnTe// Sol.StatCommun. 1980. - v.34. N4 - P. 261- 263.

76. Lehman W. Emission spectra of activated (Zn, Cd) (S, Se, Те) phosphors I Copper activated phosphors //Electrochem.Sos. 1966. -B.13. N5 . - P. 449-455.

77. Ермолович И.В., Витриховский H.M., Георгиева и др. Фотолюминесценция твердых растворов на осиовв сульфидов и селенидов кадмия // ФТП.- 1981.- Т. 15 В.5. С.907-914.

78. Киселюк А.А., Остапвнко С.С., Шейнкман М.К. Поляризационная лазерная спектроскопия возбуждения "краевого" излучения в CdS // Оптика и спектроскопия. 1987. - Т.62. N5 - С. 1113-1121.

79. Мартынов В.Н., Медведев С.А., Шогенов Э.ГТ., Славин М.Б. Фотопроводимость и фотолюминесценция теллурида кадмия дырочной проводимости // Кристаллография. 1970.- Т.24. N6. -С. 1287-1288.

80. Балтрамеюнас Р. Жукаускас А., Куокитис Э. Особенности краевой люминесценции кристаллов CdTe при мощном оптическом возбуждении//ФТП,- 1982.- Т.16.В.9.-С. 1610-1614.

81. Мазин М. А., Павелец A.M., Сыпко С.А., Фрусенко В.Д. Фотоприемники широкого спектрального диапазона на основе поликристаллического слоя CdTe // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 1985. В.8.- С.93-95.

82. Павелец A.M., Федорус Г.А., Шейнкман М.К. Получение фоточувствительных слоев CdS с большим значением подвижностиэлектронов // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. -1973.- В.12.- С. 71-75.

83. Соколов A.A., Вабилев B.C., Плотников А.Ф., Чыйнин В.А. Фотоэлектрические свойства теллурида кадмия, содержащего акцепторы с глубокими уровнями // ФТП.-1969.-Т.З.В.5.- С. 720725.

84. Сенокосов Э.А., Усатый А.Б. Особенности рекомбинационных процессов в эпитаксиальных фотопроводящих слоях ZnTe // ФТП.-1985.-Т. 19. В.З.-С. 28-32.

85. Макаренко В.В., Потыкевич И.В., Рыбалко В.В., Шнейдер А.Д. Фотопроводимость легированных кристаллов ZnTe // ФТП. 1970.-Т.4. В.9.-С. 1250-1259.

86. Балтрамеюнас Р., Вайткус Ю., Куокштис Э. Краевое излучение монокристаллов ZnSe в температурном интервале 77-300 К при сильном оптическом возбуждении // Литовский физ.сбор. 1979.-Т.19. N6.-C. 809-816.

87. ЮО.Островский И.В., Рожко А.Х., Лысенко В.Н. Ультразвуковая люминесценция монокристаллов CdS // Письма в ЖТФ.-1979. Т.5. N15.- С. 910-913.

88. Островский И.В., Лысенко В.Н. Генерация ультразвуком точечных дефектов в CdS // ФТТ.-1982.-Т.24. N4.- С. 1206-1208.

89. Громашввский В.Л., Дякин В.В., Сальков Е.А., Скляров С.М., Халимова Н.С. Акустохимические реакции в CdS // УФЖ. 1984.-Т.29. N4,- С. 560-554.

90. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Механизмы фотохимической реакции в чистых и легированных кристаллах CdS//УФЖ.-1973. Т.18. N10.-C. 1675-1679.

91. Юб.Бородин М.С., Городецкий И.Я., Корсунская И.Ж., Шаблий И.Ю. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства монокристаллов CdS //УФЖ.-1979.-Т.24. N10.- С.- 1539-1544.

92. Ю7.Бродин М.С., Романенко И.Л., Шаблий Ю.И. Изменение фотоэлектрических свойств монокристаллов CdS после действия лазерных импульсов света/ФТП. 1975. - Т.9 В8. - С. 1418 - 1419

93. Бродин М.С., Давыдова H.A., Шаблий Ю.И. Действие лазерного излучения на оптические спектры монокристаллов CdS // ФТП. -1976.-Т. 16. В. 4.-С. 625-628.

94. Давыдова Н.А., Шаблий И.Ю. Образование низкоомного приповерхностного слоя в кристаллах CdS при лазерном облучении // Доклады АН УССР.- 1982.- Сер.А. N14.-С. 52-54.

95. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Моин М.Д., Танатар М.А., Шаблий И.Ю. Образование дефектов решетки в кристаллах CdS под действием излучения азотного лазера // ФТТ. 1982. - Т.24. N11.-С. 223-3228.

96. ПЗ.Давыдова Н.А., Корсунская Н.Е., Моин М.Д., Шаблий И.Ю. Распределение дефектов, образованных лазерным излучением в монокристаллах CdS // ФТТ,- 1985.Т.27. N3.-C. 767-771.

97. Гарягдыев Г.Г., Увдиев Д.Я. Неравновесные процессы в соединения А2В6 при лазерном и акустическом воздействии. Ашхабад. Ылым 1996, 375 с.

98. Увдиев Д.Я., и др. Исследование структуры центров свечения в CdSxSei-x методом поляризационной спектроскопии.- Изв. АНТ. 1996. N5 с. 18-22.

99. Пб.Увдиев Д.Я. и др. Электромеханические эффекты в кристаллах CdS и CdSxSei-x с дислокациями.- Изв. АНТ., сер. 1996, N5, с. 2427.

100. Увдиев Д.Я., и др. Исследование процесса уменьшения интенсивности фотолюминесценции пористого кремния со временем. Изв. АНТ. 1996, N6, с. 29-33.

101. Увдиев Д.Я. и др. Причина изменения фотолюминесценции пористого кремния со временем. Изв. АНТ, 1997, N1, с. 25-32. '

102. Увдиев Д.Я. и др. Влияние режима лазерного облучения кристаллов CdTe на их электрические и фотоэлектрические свойства. Изв. АНТ, 1996, N6, с.23-28.

103. Hilsch R., Steglich F. Z. Phys., 1969, 226, N 2, S. 182.

104. Окунь И.З., Фрайман Б.С., Чудновский А.Ф. ИФЖ, 1969, 16, N2, 334.

105. Абросимов В.М., Егоров Б.Н. Теплофизика высоких температур, 1972, 9, N2, 448.

106. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М., "Наука", 1974.

107. Gustaffson S.E. et. al. Thermal properties of thin insulating layers using pulse transient hot strip measurements. J.Appl. Plys. 55(9) 1984, p. 33483353.

108. Увдиев Д.Я., Гарягдыев Г. Теплофизические свойства аморфных полупроводников. Ашхабад. Ылым. 1998, 172 с.