автореферат диссертации по химической технологии, 05.17.08, диссертация на тему:Моделирование и оптимизация процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка

РГБ ОД

; 5 т гзпз

На правах рукописи

ГРЕДИТОВ Андрей Валерьевич

МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА

05.17.08 - Процессы и аппараты химической технологии 05.13.07 - Автоматизация технологических процессов и производств (промышленность)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Тамбов 2000

Работа выполнена на кафедре "Информационные процессы и управление" Тамбовского государственного технического университета.

Научный руководитель: Заслуженный деятель науки и техники РФ,

доктор технических наук, профессор Бодров Виталий Иванович.

Научный консультант: кандидат технических наук, доцент

Погонин Василий Александрович.

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Попов Николай Сергеевич; доктор технических наук, профессор Володин Виктор Михайлович.

Ведущая организация: Российский химико-технологический

университет им. Д. И. Менделеева.

Защита состоится " ¿¿СС^*^ 2000 года в часов на

заседании диссертационного совета К064.20.01 Тамбовского государственного технического университета по адресу: г. Тамбов, ул. Ленинградская, 1, ауд. 60.

Отзывы в двух экземплярах, скрепленные гербовой печатью, просим направлять по адресу: 392000, г. Тамбов, ул. Советская, 106, ТГТУ, ученому секретарю.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ТГТУ. Автореферат диссертации разослан 2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, доцент

В. М. Нечаев

А эяя л<(а п

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Разработка новых технологий в различны^ сферах человеческой деятельности ставит задачу получения новых материалов, позволяющих эффективно применять такие технологии. Так, например, массовое применение глобальных информационных сетей стало возможным благодаря волоконно-оптическим линиям связи. Использование лазеров в области цифровой записи информации и медицинских целях связано с появлением нсщых полупроводниковых светоизлучающих материалов, мощных лазеров в военных и технологических целях, с разработкой новых оптических материалов, способных выдерживать длительную тепловую нагрузку без заметных оптических искажений.

Практическое использование поликристаллических материалов, в частности в оптике лазеров для инфракрасного' (ИК) диапазона излучения доказало их преимущество перед монокристаллами. Поликристалличесйке изделия, не отличаясь по оптическим характеристикам от монокристаллов, значительно превосходят их по механической, эрозионной и термической стойкости. > - ■

Кроме того, время, затрачиваемое на производство поликристаллических заготовок, существенно меньше времени роста монокристаллов при получении поликристаллического материала значительно больших габаритов, что в итоге связано с экономичностью способов получения, меньшим содержанием внутризеренных дефектов,'таких как дислокации в области упругих напряжений. <

Методы газофазного осаждения обеспечили успех в создании поликристаллических покрытий и изделий из самых разнообразных материалов, в.том числе из тугоплавких металлов, карбидов, нитридов, оксидов, фторидов и халькогенидов. С применением этих методов были получены халькогениды цинка (в частности, селенид цинка) и кадмия (теллурид кадмия) с оптическими и прочностными характеристиками, близкими к теоретическим величинам.

Селенид цинка является широкрспектральньш оптическим материалом и используется в качестве элементов конструкционной оптики. Поликристаллический, селенид цинка химически стоек, не взаимодействует с водой, на воздухе окисляется очень медленно, начиная с 300 - 350 °С, стоек к радиации: изменение оптической плотности образца толщиной 5 мм после облучения дозой 107 Рентген не происходит. Этим объясняется его широкое примёнение в лазерной технике.

Таким образом,' сфера, применений селенида цинка с ускорением научно-технического прогресса расширяется, что, в свою очередь, вызывает необходимость в увеличении объёмов его производства, улучшении качества материалов, снижении себестоимости Готового продукта. > г

Сказанное выше определяет актуальность и необходимость постановки и решения задач оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка. ! . ......

Процесс производства поликристаллического селенида цинка относится к классу сложных химико-технологических процессов. Технологические и конструктивные особенности его организации и протекания (высокие температуры," сильное разрежение, фазовые превращения и массоперенос парогазовой смеси) не позволяют применять в условиях промышленного производства необоснованный технологические режимы. Используемые в настоящее время режимы не обеспечивают высокого выхода конечного продукта при удовлетворений требований к его качеству. ' /'•':

Цель работы. Целью работы является минимизация цикла осаждения заготовки поликристаллического селенида цинка при удовлетворении требований по качеству продукта путем отыскания оптимальных значений входных (управляющих) переменных технологического процесса. Достижение поставленной цели обеспечивается решением следующих задач: ■'■"■■

. - .разработкой математического описания процесса производства поликристаллического селенида цинка;

- разработкой и реализацией, алгоритма решения уравнений математического, описания; . ..

-..проведением исследования процесса производства поликристаллического селенида цинка как объекта управления;

постановкой и решением.задачи оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка;

- разработкой системы управления технологическим процессом.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- разработано математическое описание процесса производства поликристаллического селенида цинка, адекватно отражающее теплотехнические особенности процесса и'оптические'характеристики продукта и пригодная для решения задач исследования и оптимизации;

- предложен метод расчета тепловых потоков на внешней поверхности реактора при тегоюпереносегизлучением от теплового источника к реактору в вакууме с использованием "функций влияния"; -

- поставлена и решена задача оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка, обеспечивающая минимизацию цикла осаждения (увеличение. производительности) при ■ удовлетворительных оптических характеристиках,селенида цинка (коэффициент пропускания);

- предложена система оптимального управления статическим режимом.

Обоснованность научных результатов. Достоверность основных научных положений, выводов и рекомендаций подтверждена и обоснована с помощью методов системного анализа. Для получения достоверного результата в исследованиях был применен метод математического моделирования.

Научные результаты диссертации получили практическое подтверждение в ходе сравнения данных численных исследований на, базе разработанной математической модели технологического процесса с; экспериментальными данными. • ■

Практическая ценность работы заключается в следующем. Предложенный метод расчета тепловых потоков на внешней поверхности реактора и разработанные программы позволяют использовать расчетные данные ддя построения системы управления технологическим процессом.

Исследованы статические характеристики изучаемого процесса, результаты исследования оформлены в виде рекомендаций обслуживающему персоналу. . ••

Алгоритмическое и программное обеспечение достаточно универсально и может использоваться для исследования различных конструкций установки для получения поликристаллического селенида цинка РУО-методом.

Реализация работы. Результата работы используются в ФГУП "ТамбовНИХИ": •

Апробация работы. Материалы работы докладывались в период 1992 -1996 гг. на конференциях ТГТУ, "Математические методы в химии и химической технологий", г.'Тверь, конференции по вопросам получения и свойствам высокочистых материалов, г. Нижний Новгород.

Публикации. Основное содержание работы отражено в 5 публикациях. Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, списка литературы и приложения.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

| Во введении показана актуальность, сформулирована цель, определены • научная новизна и практическая ценность данной работы,'оценена достоверность полученных результатов.; 1: ^ -гу.^и. ■•; ■ •■„. .

В первой главе дано краткое описание и проведен анализ процесса производства поликристаллических материалов на основе ееленида цинка. Показано, что исследуемый процесс является сложным малоизученным химико-технологическим процессом.

Сделаны! выводы о необходимости глубокого изучения рассматриваемого процесса на основе использования методов системного анализа.

Постановка задачи исследования. В-результате проведенного литературного обзора установлено, что процесс/производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида1 цинка является сложным и малоизученным химико-технологическим процессом. Несмотря на то, что изучению и моделированию процесса осаждения поликристаллических материалов посвящается значительное'число работ,отсутствует математическое описание, позволяющее' получать и анализировать количественные и качественные показатели процесса, в особенности опгические характеристики получаемого .материала. : .. , , ;

Основываясь на результатах обзора, можно сделать вывод, о том, что не-достаточйая изученность влияния технологических режимов на количественные и качественные показатели процесса производства поликрирталлического селенида цинка определяет необходимость постановки и решения задачи оптимизации процесса' с1 целью увеличения его производительности при удовлетворительном качестве получаемого материала.

Исходя из этого.цёлыо исследования является определение технологического режима, обеспечивающего максимальную производительность процесса производства поликристаллического селенида цинка при соблюдении показателей качества дм конечного продукта. , ! ; .

Для достижения цели исследования необходимо решить следующие задачи. " ..-.•.•

1 "Разработка математического описания процесса прризводства поли-кристашшчёскбго селенида цинка, адекватного реальному технологическому процессу.

2 Разработка '¡алгоритма решения уравнений математического описания и создание программного обеспечения, позволяющего проводит^ имитационное моделирование.

3 Проведение исследований технологического процесса как объекта управления и определение области варьирования управляющих воздействий, соответствующих множеству рациональных режимов проведения технологического процесса.

4 Постановка и решение задачи оптимизации процесса производства поликристашшческих оптических материалов на основе, селенида цинка, обеспечивающей максимизацию производительности при соблюдении ограничений на качественные показатели процесса.

Во второй главе построено математическое описание процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка, дающее возможность рассчитать время цикла осаждения заготовки селенида цинка, эффективность использования исходного сырья и оценить оптические характеристики получаемого материала.

Математическая модель процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка построена как феноменологическая. При этом были приняты следующие допущения.

1 Основное допущение при построении математической модели рассматриваемого процесса - его стационарность.

2 Стенки реактора будем считать однородными и изотропными, так как они изготовлены из графита, тепловые свойства которого во всех направлениях можно считать одинаковыми.

3 Движущуюся среду будем рассматривать как парогазовую смесь, состоящую из четырех компонентов: Ъп, Бег, ве, гпБе.

4 К числу естественных предположений следует отнести гипотезу о линейной связи мощности теплового источника и тепловых потоков на внешней поверхности реактора. л

Уравнения математического описания процесса теплопереноса излучением в вакууме от теплового источника к наружной поверхности реактора имеют вид:

12

9,-=/я(Х,и,Г)/(у)аГ, где7 = 1Л, Г = £Г,.; (1)

г •! .<;■ : м

Е(Хи,Т) = г(ки,Т)Е0{Хй,Т); (2)

Е0(КЛ-—А-, (3)

Ке2МК,т)

где Т = /(№) при / = 4, 5; ■

Т/(И', Н) при / * 4, 5, 6; м

Г =/(Г, #,(?„) при /=6. 0

Уравнения математического описания связанной задачи тепломассопере-носа в реакторе с соответствующими краевыми и начальными условиями имеют вид: ..

<Цу(Х&а(1Т) = 0, (4)

дг=д(г,г)*д(г,г)-сг(Т)Т4; (5)

Г = Г] иГ2 иГ3; Г, е {Ой г й Я2; г = Л, +Н2 Г2 е{г = Я2;0<,гйИ1+Н2+Ь}},

Г3 е {о < г < R2; Z = О};

Г! _ ^ИСЛ .

г, ~~ ZnSe 9

4

Г4 е {О < г < Rx; hx Sz<. h{ + /¡2};

ar

дп

Г.-А

ж.

дп

г3+л

Г5е

0<r<R,,z^/i, +/¡2 г = Л,, й, + h2üz<h¡ + H2 О <r<Ri,z = hl + H2

àm['2 _ 2n\kRx ln

d/

- pk

1 +

срк(т-тг)

(8)

и|"2[ =0, к = 1,2,3,4; d? vlk

dffi _ nGSx. di

(9)

(10)

4=o=0;

при условии m = m3,

t' = -

m и..

(H) (12) (13)

о-,,

? = (15)

; ■'■■ , VР/л -.

Оптические характеристики будем моделировать следующими выражениями:

Я

_ (»¿-О2 . '

К + 1)2'

(п) (18)

да =

_ 290 \2Ш 1п2

с V МЫ5е

В силу декомпозиции задачи ее решение осуществляется в три этапам

1 Определение тепловых потоков на внешней поверхности реактора при теплопереиосе излучением от теплового источника в вакууме в адиабатических условиях.

2 Решение связанной задачи тепломассопереноса в реакторе и парогазовой смеси.

3 Определение оптических характеристик материала.

На первом этапе предложен подход, позволяющий рассчитывать тепловые потоки на внешней поверхности реактора при теплопереносе излучением в вакууме от теплового источника' в системе поверхностей элементов конструкции установки с использованием "функций влияния" для каждой поверхности1.'

; 1 Решение осуществляется путем предварительного вычисления "функций влияния" для поверхностей системы, составленной элементами конструкции установки. Это связано с тем, что область многосвязная, задача нелинейная (отсутствует фундаментальное аналитическое решение).

В силу геометрической симметрии конструкции установки задачу будем решать на плоскости координат (г, ¿). Для этого бьщ предложен следующий алгоритм.

1 Распределенный тепловой источник представляется в виде достаточно большого числа точечных единичных источников.

2 Все остальные части конструкции установки также представляются в виде большого числа точечных элементов.

3 Численно определяется "функция влияния" для каждой поверхности установки (для вертикального сечения по диаметру реактора).

4 Производится коррекция данного решения по повторным тепловым потокам, полученным от единичных источников в пункте 3 данного алгоритма.

5 По известной температуре теплового источника рассчитывается реальное распределение (в виде числовых массивов) тепловых потоков на внешней поверхности реактора.

Для решения связанной задачи тепломассопереноса (2 этап) был разработан алгоритм, в котором использованы стандартные численные методы решения краевых задач для дифференциальных уравнений в частных производных (метод сеток) и обыкновенных дифференциальных уравнений (метод Рунге-Кутта 4-го порядка). На третьем этапе не требуется применять никаких сложных численных методов, так как расчет проводится по уравнениям алгебраического вида и не требует итерационной процедуры вычислительного процесса, и ■ ' ;

Определейная- гибкость разработанных алгоритмов позволяет успешно использовать их для исследования производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка, с целью его дальнейшей оптимизации.

В третьей главе приводитря постановка и решение задачи идентификации параметров математической модели и результаты численного и экспериментального исследования процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка с целью оценки адекватности математического описания (1) - (18). Показано, что результаты численных и экспериментальных исследований совпадают с заданной степенью точности и поэтому сделан вывод об адекватности математического описания.

В качестве иллюстрации на рис. 1, а показаны расчетные и эксперимент тальныё кривые распределения температур по осевому сеченшо реакторй для различных температур теплового источника, а на рис. 1, б представлены Экспериментальные и расчетные зависимости скорости роста материала от разности температур между камерами реактора при различных температурах испарения. '

Анализ результатов решения задачи оценки адекватности математической модели (1) - (18) позволил сделать вывод об удовлетворительной согласованности экспериментальных и расчетных результатов, л

г, мм 250

125

V V V

\ \ (

у } г

г / /

1075

1225

<0

юи 100, г/с б

4.5

1.5

I и 2/

/' у , с......

/ /

4 /

1375 Т, К

50

100

150 Л7', К

б)

Рис. 1 Распределение температур по осевому сечению реактора (а): 1 - ГЙ= 1300К, 2 - Ги= 1350К, 3 - Т„= 1400К, и зависимость скорости роста материала от перепада температур между камерами реактора (б): 1 - Т~ 1200 К, 2-7' = 1275 К, 3-Т=1350К; (.......... эксперимент,---' расчет)

В четвертой главе проведена оценка степени значимости входньрс переменных процесса с помощью имитационного моделирования, определена область допустимых управляющих воздействий, соответствующих современным требованиям к количеству и качеству конечного продукта и поставлена и решена задача оптимизации процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка.

'"Для оценки степени значимости управляющих воздействий были проведены; следующие численные эксперименты: определение скорости роста материала (стационарный режим), эффективности использования селенида цинка, среднего размера:зерна и оптических характеристик при вариациях управляющих воздействий: ■ ./,: . .... •■■.'■ .

- мощности теплового источника;

- положения, ¡резктора по аксиальной оси относительно теплового источника; ' с.г. : ¡.

- расхода охлаждающей-вода, и возмущений: коэффициента теплопроводности подложки и ее пористости.

В результате исследований выявлено, что изменение мощности теплового источника в диапазоне 60 - 80 кВт на выходные переменные оказывает более существенное влияние, чем изменение положения реактора в диапазоне 60 - 120 мм и расхода охлаждающей воды. Несмотря на это, положение рекктора относительно теплового источнику нельзя считать несущественной вариацией, так как достаточно велико его влияние на эффективность использования селенида цинка и коэффициент поглощения материала.

На основании расчетных данных, полученных при исследовании технологических режимов данного производства на базе математической модели, построены области варьирований управляющих величин, удовлетворяющие современным требованиям к количеству и качеству конечного продукта, показанные на рис. 2.

Кривые 1 - 4, 6 представляют собой линии уровня предельных значений параметров технологического процесса, на которые наложены ограничения в соответствий с условиями рационального режима, а кривая 5 является линией уровня минимально допустимого значения температуры в зоне раздела камер испарения и осаждения. Значения указанных величин, удовлетворяющих требованиям рационального режима, будут находиться справа от кривой 1 (®м>3-10~2 г/с), слева от кривых 2 (Трг >67 %), 3 (с1 < 2,3 мм) и 4

(X < 3,5-10"3 см"1), снизу от кривой 5 (Гф > 1320 К) и сверху от кривой 6 (Р >70 %), т.е. получаем область, представленную на рисунках в виде заштрихованных многоугольников. .

Н, мм 150

120

90

60

Я, мм 150

120

90

60

в/ с/

ГУуг\1 уО

й

Н, мм 150

1" 1 2' 2

120

6 б

90

ГГ, 60

5-г Г У,

С/

У АЛ /А

60 65

70 а)

75 80 кВт 60 65

1 1' 3 2 2'

в/ V/

/ А А

60 65 70 75 80 Я', кВт

в)

70

б)

W,

75 80 кВт'

Рис. 2 Области варьирования управляющих величин при вариациях: пористости подложки (а) - П = 4 %, ГГ = 7 %; коэффициента теплопроводности подложки (б) -,.)Лп= 130Вт/(м-К),,.Л,'п= 110Вт/(мК); . расхода охлаждающейводы;(«) - 6"в= 25 м3/ч, (г,', = 28 м3/ч

Общая формализация задачи оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка имеет вид: .. .

необходима найти вектор оптимизирующих параметров и, где и = (IV, Н, Ов), при которых достигает минимума время технологического процесса

и = аг§ппп/ц(м), (19)

при удовлетворении соотношений, определяемых математической моделью .: у = м (и, х),

ограничений и выполнении в каждый момент времени условий физической реализуемости: ■ , \

. \ и,, <"^<о<со™ах; ч К

Р^РГ;

7| гр тш.

Ф Ф ' рг -1рг '

х ^хтах; ^

Ят'п <Я<Ятах; И*""'" <№<№"пах; -<Св<Сцах.

Для решения задачи оптимизации воспользуемся алгоритмом, находящим последовательность улучшающих решений и, в конечном итоге, решающий задачу приближенно в пределах разумного времени счета.

В этом алгоритме заложены следующие идеи.

1 Выбор случайного направления из некоторого множества случайных направлений. ЭтНм преодолеваются потери времени на неэффективные топтания на месте при вычислении градиента в градиентных методах.

2 Использование особенностей "модельного" алгоритма при коррекции воздействий в случае неудачного шага поиска. Основная особенность заключается в том, что предварительно вычисленные в ходе имитационного моде-

лирования с большим шагом по входным переменным массивы "функций влияния" при расчете тепловых потоков на внешней поверхности реактора позволяют существенно ограничить множество случайных направлений.

Этим метод отличается от традиционных методов случайного поиска, в которых в подобных случаях производится новый выбор случайного направления, что увеличивает время поиска.

В соответствии с результатами решения задачи оптимизации для оптимального режима наблюдается уменьшение времени цикла и улучшение коэффициента использования исходного сырья при удовлетворительных механических и оптических характеристиках.

Алгоритм оптимального управления статическим режимом, описанный в п. 4.2.2, может быть реализован в двухуровневой системе управления. На первом уровне этой системы стабилизируются заданные значения технологических параметров,, на втором в режиме супервизорного управления осуществляется расчет и коррекция заданий регуляторов первого уровня!'

В системе статической оптимизации процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка в качестве первой ступени используются АСР, стабилизирующие температуру подложки Гп и разность температур между камерами реактора АТ (отдельные контуры для Тп по расходу охлаждающей воды (?„, для АТ по мощности теплового источника IV и/или по положению реактора относительно теплового источника Н). При этом задания регуляторам корректируются .со- второго уровня на вычислительном управляющем устройстве,! при изменении значений возмущающих воздействий (перед началом технологического цикла) управляющее устройство вырабатывает сигнал коррекции задания регуляторов Тв и АТ.

выводы

Впервые с системных позиций проведен анализ процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка, который позволил получить следующие результаты.

3 Построено математическое описание процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка методом осаждения из паровой фазы, позволяющее установить связи между конструкционными параметрами оборудования, физическими условиями процесса и параметрами конечного продукта.

2 Разработан и реализован алгоритм решения уравнений математического описания. .. ■

3 Проведены исследования процесса по .математической модели. Установлены закономерности, имеющие решающее значение при расчете оптимального режима.

4 В результате проведения численного эксперимента и сравнительного анализа результатов расчета;¡¡.с-.экспериментальными данными установлена адекватность математической модели реальному технологическому процессу.

. 5 Определена область варьирования управляющих переменных, удовлетворяющая современным требованиям.

6 Поставлена и решена задача оптимизации статического режима производства по критерию максимальной производительности.

' 7 Предложена система оптимального управления статическим режимом.

УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ (

•''П.:-.,-

с1 - средний размер зерна, мм; О - расход газовой фазы через мембрану, кг/с; 0,„к - осажденное количество реагента, кг; С2к - кбличествЬ' реагента, перемещенное в верхнюю камеру, кг; Св - расход охлаждающей воды; Я, - высота нижней камеры реактора, м; Н2 - высота внутренней полости реактора, м; И - высота выращиваемого кристалла, м; 1ц - толщина нижней стенки реактора, м;7ъ - толщина слоя сырья, м; Ь3 - толщина верхней стенки реактора, м; Ср - изобарная теплоемкость, Дж/(моль-К); М - молекулярная масса, кг/моль; т - масса выращиваемого материала, кг; т - масса вещества, проходящего через мембрану, кг; т1 - масса компонента в нижней камере реактора, кг; пг'2 - масса компонента после фазового превращения, кг; пц -. заданная масса материала, кг; Рхк - парциальное давление компонентов смеси в'Нижней'камере реактора, Па; Р2 - давление в верхней камере реактора, Па;парциальное давление селенида цинка в верхней камере реактора, Па; д - тепловой поток, Вт/м2; К] - внутренний радиус реактора, м; Я2 - внешний радиус реактора, м; г - радиальная координата, м; 51 - интегральная интенсивность спектральной линии, см"2-Па"'; - площадь осаждения, м2; 5] - эффективная площадь мембраны, м2; 5осн - площадь внутренней полости реактбра, м2; г - время, с; г' - время переходного режима массопереноса, ч; t" - время установившегося режима массопереноса, ч; С„ - время цикла осаждения, ч; Т - температура, К; 7™ - температура кипения, К; Тп - температура подложки, К; V, - объем нижней камеры реактора, м3; \'гк - удельный объем компонентов смеси в верхней камере реактора, м3/кг; 2 - осевая координата, м; - коэффициент использования компонента, (%); Лу - полуширина спектральной линии, см'1; е - средний показатель рассеяния, см*1; % - показатель поглощения, см"1; X - коэффициент теплопроводности, Вт/(м К); Хи - длина волны излучения, м; ц - показатель ослабления, см"'; у0 - частота волны ИК-диапазона, для которого определяется коэффициент поглощения, см'1; р - плотность, кг/м3; &к - скорость молекул газовой смеси, м/с; <эм - скорость роста по массе в установившемся режиме, кг/с; с - скорость света, м/с; п - коэффициент потерь; Я = = 8,314 Дж/(моль К) - универсальная газовая постоянная; г| - эквивалентный коэффициент, учитывающий неправильность геометрической формы зерна материала и влияние скорости роста материала; ст= 5,67-10"8 Вт/(м2К4) - постоянная Стефана- Больцмана; у - угловые коэффициенты для случая излучения; е - степень неполноты излучения; индекс к - компонента газовой смеси.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ

1 Бодров В. И., Погонин В. А., Гредитов А. В. Математическое моделирование процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка // ТОХТ. - М.: 1997. - Т. 2. - С. 1 - 4.

2 Бодров В. И., Погонин В, Д., Гредитов А. В. Интенсификация процесса 1фошводства поликристашпгческих оптических материалов на основе селенида цинка//.Высокочистые вещества. - М.: 1996. - Т. 3. - С. 55 - 59.

<3 Бодров В.-И.,¡Погонин В. А., Гредитов А. В. Математическое моделирование процесса хфоизводства поликристаллических оптических материалов на основе седенида цинка // Сб. тезисов конференции "Математические метода! в химии и химической технологии''. Ч. 2. - Тверь, 1995. - С. 124/

4 Дзюба С. М., Погонин В- А.* Гредитов А. В. Постановка задачи, оптимизации процесса производства поликристалл ическщ оптических материалов на основе селенида цинка II Сб. тезисов конференции "Математические методы в химии и химической технологии"^ Ч. 2. - Тверь, 1995. - С. 42.

5 Бодров В. И., ПогониН'В/А^Г^едитов'А. В. Интенсификация процесса производства поликристшшиче'ски^ оптиЧёских материалов на основё селенида цинка // Сб. трудов конференции по вопросам получения и свойствам высокочистых материалов. - Нижний Новгород, 1995. - С.,85.

ВВЕДЕНИЕ.

1. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА.

1.1. Описание технологического процесса.

1.2. Анализ производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка.

1.3. Литературный обзор по вопросу разработки математического описания и оптимизации процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка. - 26 Выводы к ГЛАВЕ 1 и постановка задачи исследования.

2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ПРОЦЕССА ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА МЕТОДОМ ВАКУУМНОГО ПАРОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ.

2.1. Входные и выходные переменные технологического процесса.

2.2. Основные допущения.

2.3. Постановка задачи математического моделирования технологического процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка.

2.4. Математическое описание процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка РУБ-методом.

2.4.1. Теплоперенос излучением.

2.4.2. Теплоперенос в реакторе.

2.4.3. Массоперенос в реакторе.

2.4.4. Оптические характеристики материала. - 59 2.5. Алгоритм решения уравнений математического описания. - 63 Выводы к ГЛАВЕ 2.

3. ИДЕНТИФИКАЦИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ПРОЦЕССА ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА И ИССЛЕДОВАНИЕ АДЕКВАТНОСТИ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ РЕАЛЬНОМУ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМУ ПРОЦЕССУ.

3.1. Идентификация математической модели.

3.1.1. Постановка задачи идентификации.

3.1.2. Определение теплофизических и термодинамических характеристик для процесса тепломассопе-реноса и расчета оптических характеристик селенида цинка.

3.1.2.1. Определение степени неполноты излучения материала стенок реактора.

3.1.2.2. Определение коэффициента теплопроводности материала стенок реактора.

3.1.2.3. Определение термодинамических свойств компонентов парогазовой смеси.

3.1.2.4. Определение коэффициента теплопроводности парогазовой смеси.

3.1.2.5. Определение эффективных значений теплоемкости компонентов парогазовой смеси.

3.1.2.6. Определение парциального давления парогазовой смеси для расчета коэффициента поглощения селенида цинка. 3.2. Исследование адекватности математической модели реальному технологическому процессу.

3.2.1. Исследование теплопереноса в реакторе.

3.2.2. Исследование процесса массопереноса. Выводы к ГЛАВЕ 3.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ПО МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ И ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОПТИЧЕСКИХ МА ТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА.

4.1. Исследование технологического процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка РУБ-методом по математической модели.

4.2. Оптимизация процесса производства поликристалли ческих оптических материалов на основе селенида цинка.

4.2.1. Постановка задачи оптимизации.

4.2.2. Алгоритм решения оптимизационной задачи.

4.2.3. Результаты решения оптимизационной задачи.

4.2.4. Структура системы оптимального управления статическим режимом.

Выводы к ГЛАВЕ 4.

Разработка новых промышленных и информационных технологий ставит задачу получения новых материалов, которые позволят максимально эффективно применять такие технологии.

Практическое использование поликристаллических материалов, в частности в оптике лазеров для инфракрасного (ИК) диапазона излучения, доказало их преимущество перед монокристаллами. Поликристаллические изделия значительно превосходят их по механической, эрозионной и термической стойкости.

Кроме того, время, затрачиваемое на производство поликристаллических заготовок, существенно меньше времени роста монокристаллов при получении поликристаллического материала значительно больших габаритов, что в итоге связано с экономичностью способов получения, меньшим содержанием внутризеренных дефектов, таких как дислокации в области упругих напряжений.

Методы газофазного осаждения обеспечили успех в создании поликристаллических покрытий и изделий из самых разнообразных материалов, в том числе из тугоплавких металлов, карбидов, нитридов, оксидов, фторидов и халькогенидов. С применением этих методов были получены халькогениды цинка (в частности, селенид цинка) и кадмия (теллурид кадмия) с оптическими и прочностными характеристиками, близкими к теоретическим величинам.

Селенид цинка является широкоспектральным оптическим материалом и используется в качестве элементов конструкционной оптики, в особенности для лазеров ИК-диапазона.

Таким образом, сфера применения селенида цинка с ускорением научно-технического прогресса расширяется, что, в свою очередь, вызывает необходимость в увеличении объемов его производства, улучшении качества материалов, снижении себестоимости готового продукта.

Сказанное выше определяет актуальность и необходимость постановки и решения задач оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка.

Процесс производства поликристаллического селенида цинка относится к классу сложных химико-технологических процессов. Технологические и конструктивные особенности его организации и протекания (высокие температуры, сильное разрежение, фазовые превращения и массоперенос парогазовой смеси) не позволяют применять в условиях промышленного производства необоснованные технологические режимы. Используемые в настоящее время режимы не обеспечивают высокого выхода конечного продукта при удовлетворении требований к его качеству.

В связи с этим целью настоящей работы является минимизация цикла осаждения заготовки поликристаллического селенида цинка при удовлетворении требований по качеству продукта путем отыскания оптимальных значений входных (управляющих) переменных технологического процесса.

Достижение поставленной цели обеспечивается решением следующих задач:

- разработкой математического описания процесса производства поликристаллического селенида цинка;

- разработкой и реализацией алгоритма решения уравнений математического описания;

- проведением исследования процесса производства поликристаллического селенида цинка как объекта управления;

- постановкой и решением задачи оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка.

Достоверность основных научных положений, выводов и рекомендаций подтверждена и обоснована с помощью методов системного анализа. Для получения достоверного результата в исследованиях был применен метод математического моделирования.

Научные результаты диссертации получили практическое подтверждение в ходе численных исследований на разработанной математической модели технологического процесса.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- разработано математическое описание процесса производства поликристаллического селенида цинка, адекватно отражающее теплотехнические особенности процесса и оптические характеристики продукта и пригодная для решения задач исследования и оптимизации;

- предложен метод расчета тепловых потоков на внешней поверхности реактора при теплопереносе излучением от теплового источника к реактору в вакууме;

- поставлена и решена задача оптимизации процесса производства поликристаллического селенида цинка, обеспечивающая минимизацию цикла осаждения (увеличение производительности) при удовлетворительных оптических характеристиках селенида цинка.

Практическая ценность работы заключается в следующем.

Предложенный подход расчета тепловых потоков на внешней поверхности реактора и разработанные программы позволят использовать расчетные данные для построения системы управления технологическим процессом.

Исследованы статические характеристики изучаемого процесса, результаты исследования оформлены в виде рекомендаций обслуживающему персоналу.

Алгоритмическое и программное обеспечение достаточно универсально и может использоваться для исследования различных конструкций установки для получения поликристаллического селенида цинка РУБ- методом.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, списка литературы и приложений.

8. Результаты работы используются в ФГУП «ТамбовНИХИ».

1. Амосов В. И., Давыдов А. А. Перспективы использования кристаллов селенида цинка. М.: Электронная пр-ть, 1985. 120 с.

2. Аксеновских А .Я., Брызгалов А.Н., Мусатов В.В. и др. Структура и оптические свойства поликристаллического селенида цинка.// Неорганические материалы, 1991. Т.27. с. 1176.

3. Андрианов Л.К., Афанасьев И.И., Демиденко A.A. и др. Свойства фотоупругости поликристаллического селенида цинка.// ОМП, 1990. Т. 10. с. 36.

4. Белянко А.Е., Гаврищук Е.М., Даданов А.Ю. и др. Оптические свойства высокочистого селенида цинка.// Высокочистые вещества, 1989. №5. с. 43.

5. Петровский Г.Т., Бороздин С.Н., Демиденко A.B. и др. Оптические кристаллы и поликристаллы.// Оптический журнал, 1993. Т. 11. с. 77.

6. Карлов Н.В., Сисакян Е.В. Оптические материалы для СОг-лазеров.// Изв. АН СССР: серия физическая, 1980. Т. 8. с. 1631.

7. Петровский Г.Т., Борисов Б.А., Миронов И.А. и др. Оптические элементы из поликристаллического селенида цинка для технологических СОг-лазеров.// Квантовая электроника. Приложение, 1990. Т. 3. с. 50.

8. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки: Физика и применения/ под ред. Л.М. Казмерски. М.: Мир. 1983. 304 с.

9. Владыко М.Н., Дерновский В.И., Татарченко В.А. Поликристаллический селенид цинка.// Неорганические материалы. 1986. Т. 22. № 2. с. 208.

10. Infrared optical materials and fibers 4: Proc. of the conf., 22-24 Jan. 1986 Los Angeles, Calif. Paul Klocek, chairman/ed. Bellingham (Wash.): SPIE-Intern. soc. for optical engineering. - 1986. -213 c.

11. Бубнов Ю. 3., Филаретов Г. А. и др. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Наука, 1975. 160 с.

12. Шоу Д., Калдис Е.// Сб. Рост кристаллов / Под ред. К. Гузмана. М.: Мир, 1970. Т. 1. с. 115.

13. Селенид цинка: Получение и оптические свойства. М.: Наука. 1992. 92 с.

14. Валов Ю.А. Способы осаждения селенида цинка из пара: Обзор № 3099. М.: ЦНИИ информации. 1982. 60 с.

15. С. И. Купцов, А. С. Соловьев, В. Г. Васильченко и др. Исследование радиационной стойкости новых неорганических оптических материалов Протвино: ИФВЭ. 1994. 14 с.

16. Савушкин В.Н., Волынская С.М., Демиденко A.A. и др. Прочностные и упругие свойства поликристаллического селенида цинка.// Оптический журнал. 1992. № U.c. 22.

17. Касьян В. А. и др.// Сб. Проблемы физики соединений А2В6. Т. 1.С.31.

18. Савченко И. Г., Фадеев А. В.// Сб. Всесоюз. совещания по росту кристаллов. 1979. Т. 2. с. 175.

19. Данилейко Ю. К. Статистические закономерности лазерного разрушения оптических материалов с дефектами. 1989. 24 с.

20. Физика и химия оптических поверхностей: Сб. науч. тр. М-во высш. и сред. спец. образования СССР Редкол.: А. А. Тищенко (отв. ред.) и др. 1986. 158 с.

21. Musikant S. Optical materials. New York: Dekker. - Basel. -1985.-257 c.

22. Владыко М.Н., Колчин A.A., Татарченко В.А. и др. Исследование структуры и механических свойств высокочистого поликристаллического селенида цинка.// Высокочистые вещества. 1988. № 2. с. 217.

23. Laser damage in Optical materials. Bristol: Hilger. - Boston. -1986.- 131 c.

24. Кулаков М.П., Гринев B.H. Поглощение в селениде цинка, легированном алюминием.// Неорганические материалы 1980. Т. 16. № 2. с. 223.

25. Артамонов В.В., Валах М.Я., Лисица М.П. Особенности локализованных колебаний примеси магния в ZnSe.// ФТТ. 1976. Т. 18. № 3. с. 783.

26. Кулаков М.П., Фадеев A.B., Стельмах В.Г. Инфракрасное поглощение в селениде цинка с примесью меди.// Неорганические материалы. 1980. Т. 16. № 6. с. 976.

27. Сысоев В.К. Примесное поглощение в селениде цинка.// Журн. прикл. спектроскопии. 1985. Т. 34. № 6. с. 1152.

28. Лабораторный регламент процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка.

29. Валов Д.А., Дунаев A.A. и др. Тепломассоперенос в процессе сублимации кристаллического селенида цинка в квазизамкнутом объеме. Минск. ИТМО. 1987. 39 с.

30. Афанасьев И. И., Белевцева Л. И., Демиденко А. А. и др. Оптическая однородность поликристаллического селенида цинка.// ОМП, 1992. Т. 2. с. 51.

31. Демиденко А. А., Дунаев А. А., Колесникова С. Н. и др. Роль пассивной подложки при вакуумной сублимации поликристаллического селенида цинка.//Высокочистые вещества. 1991. Т. I.e. 103.

32. Слепченко Б.М., Мусатов В.В., Аксеновских А.Я. и др. Влияние межзеренных границ на ослабление потока излучения в поликристаллах ZnSe.// ФТТ. 1990. Т. 32. № 2. с. 310 .

33. Носов Б.В., Петровский Г.Т., Сержантова М.В., Шатилов A.B. Калориметрические измерения объемного и поверхностного поглощения ИК материалов в области спектра 5-6 мкм.// ОМП. 1989. № 4. с. 42.

34. Дудников Е. Г., Балакирев В. С. и др. Построение математических моделей химико-технологических объектов. М.: Наука, 1970. 129. с.

35. Бояринов А. И., Кафаров В. В. Методы оптимизации химической технологии. М.: Наука, 1975. 575 с.

36. Baxter D.C., Reynolds W.S. JAS, 1968. vol.25. №.6.

37. Девятых Г. Г., Крупкин П. JL, Гаврищук Е. М. Образование частиц в процессах газофазного химического осаждения.// Высокочистые вещества, 1989. Т. 4. с. 133.

38. Бессарабов А. М., Родина Г. JI. Моделирование процессов химического осаждения.// Высокочистые вещества, 1990. Т. 6. с. 283.

39. Гордиец Б.В., Шелепин JI.A., Шмоткин Ю.С. // Хим. физика. 1982. Т. 1. № 10. с. 1391.

40. Крестинин A.B.// Хим. физика. 1986. Т.5. № 2. с. 240.

41. Кнорре В.Г., Прихоженко А.И., Дубовицкий А.Я., Манелис Г.Б.// Журн. физ. химии. 1981. Т.55. № 1. с. 120.

42. Казенин Д.А., Макеев A.A., Марков A.B.// ТОХТ. 1987. Т. 21. № 6. с. 763.

43. Минкина В. Г., Попов В. П. Математическое моделирование процессов химического осаждения слоев селенида цинка.// ТОХТ, 1994. Т. 28. № I.e. 48.

44. Роенков Н.Д., Соловьев С.Н. Термодинамический анализ процессов осаждения селенида цинка. JL: ЛПИ. 1987.

45. Воробьев А. Н., Гарибин Е. А., Гугель Ю. В. и др. Численное исследование массопереноса при формировании поликристаллического селенида цинка CVD- методом.// Высокочистые вещества, 1994. Т. 4.

46. Девятых Г.Г., Гаврищук Е.М., Коршунов И.А. и др. // Высокочистые вещества. 1991.№ 6. с.52.

47. Бессарабов А. М., Бомштейн Е. В., Родина Г.Л. Моделирование процессов осаждения в условиях химической реакции.// Теорет. основы хим. технол. 1987. Т. 21. № 2. с. 268.

48. Крупкин П.Л., Гаврищук Е.М., Даданов А.Ю. Механизм осаждения селенида цинка в системе Zn + H2Se + Ar. II Высокочистые вещества. 1990. №3. с. 112.

49. Щукин В. Г., Марусин В. В.// Журн. физ. химии. 1981. Т. 55. № 5. с. 1105.

50. Гордиец Б. В., Шелепин JL А., Шмоткин Ю. С.// Хим. физика. 1982. Т. 1. № 10. с. 1391.

51. Башкиров А. Г., Новиков М. Ю.// Теорет. и мат. физика. 1972. Т. 12. №2. с. 251.

52. Лифшиц Е. М., Питаевский Л. П. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979.510 с.

53. Михайлов В. В. Оптимизация процесса выращивания поликристаллических блоков ПО-4 диаметром 200 мм методом математического планирования эксперимента.// Квантовая электроника. Приложение, 1989. Т. 4. с. 18.

54. Кулаков М. П., Фадеев А. В. Показатели преломления ZnS, ZnSe и CdS в инфракрасной области.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16. № 1. с. 159.

55. Брызгалов А. Н., Слепченко Б. М., Мусатов В. В. и др. Влияние особенностей микроструктуры поликристаллических образцов сульфида цинка на их оптические свойства.// Неорганические материалы, 1989. Т. 25. №9. с. 1430.

56. Фиалков А.С. Углеграфитовые материалы. М.: Энергия. 1979.320 с.

57. Латыев Г. Т., Петров В. А., Чеховский В. Я., Шестаков Е. Н. Излучательные свойства твердых материалов/ Под ред. А. Е. Шейндли-на. М.: Энергия, 1974. 156 с.

58. Нигматуллин Р. И. Динамика многофазных сред. ч. 1. М.: Наука, 1987. 464 с.

59. Болгарский А. В. и др. Термодинамика и теплопередача. М.: Высш. школа, 1975. 495 с.

60. Кондратьев Г. М. Тепловые измерения. М.: -Л.:, 1957. 113 с.

61. Лапин Ю.В., Стрелец М.Х. Внутренние течения газовых смесей. М.: Наука.- 1989.- 368 с.

62. Бусройд Р. Теченние газа со взвешенными частицами. М.: Мир. 1975.

63. Мелешко Л. О. Молекулярная физика и введение в термодинамику. Мн.: Вышэйш. школа, 1977. 384 с.

64. Гравель Л.А., Новиков Ю.Б., Плечко Р.Д. ИК-поглощение кристаллов селенида цинка.// Журн. прикл. спектроскопии. 1979. Т. 30. № 4. с. 707.

65. Фриш С. Э. Оптические спектры атомов. М.: Энергоатомиздат, 1967. 625 с.

66. Волков Е. А. Численные методы. М.: Наука, 1987. 248 с.

67. Шенен П., Коснар М., Гордан И. и др. Математика и САПР. В 2-х кн. М.: Мир, 1988.

68. Миснар А. Теплопроводность твердых тел, жидкостей, газов и их композиций. М.: Химия, 1968. 464 с.

69. Рид Р., Праусниц Дж., Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей. Л.: Химия, 1982. 592 с.

70. Чистяков В. С. Краткий справочник по теплотехническим измерениям. М.: Энергоатомиздат, 1990. 320 с.

71. Брайман М.П., Гаврищук Е.М. и др. Автоматизированная система управления процессом роста кристаллов из газовой фазы.// высокочистые вещества. 1989. № 1. с. 204.

72. Кулаков М.П., Негрий В.Д. Оптические свойства селенида цинка, легированного кислородом.// Неорганические материалы. 1990. Т.26. № 11. с. 2280.

73. Бережной Е. О., Козин Л. Ф. Изучение скорости испарения цинка при различных значениях температуры и давления инертного газа.// Высокочистые вещества, 1991. Т. 3. с. 196.

74. Крестинин А. В.// Хим. физика, 1986. Т. 5. № 2. с. 240.

75. Кнорре В. Г., Прихоженко А. И., Дубовицкий А. Я., Манелис Г. Б.// Журн. физ. химии, 1981. Т. 55. № 1. с. 120.

76. Янг Л. Лекции по вариационному исчислению и теории оптимального управления / Пер с англ. М.: Наука, 1974. 488 с.

77. Киреенко В. П. Измерение поглощения в оптических элементах. Bologna. 1987. 44 с.

78. Ковтуненко П.В., Майер A.A. Проблема собственных примесей в особо чистом веществе.// Исследования в области химии и химической технологии материалов для электронной техники. Вып. 120. М.: Изд-во МХТИ. 1981. с. 3.

79. Гаджиев Г.Г., Шахабудинов Я.М. Тепловые свойства оптической керамики ZnSe.// ОМП. 1991. № 5. с. 51.

80. Бодров В.И., Погонин В.А., Гредитов A.B. Математическое моделирование процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка. / ТОХТ, 1997, Т. 2, с.1.

81. Бодров В.И., Погонин В.А., Гредитов A.B. Интенсификация процесса производства поликристаллических оптических материалов на основе селенида цинка. / Высокочистые вещества, 1996, Т. 3, с.55.

82. Radiation effects in optical materials: Mar. 6-7, 1985, Albuquerque, New Mexico Ed. Paul W.Levy, E.Joseph Friebele. -Bellingham (Wash.): SPIE-Intern. soc. for optical engineering. 1985. - 180 c.

83. Infrared optical materials and fibers: 4-5 Apr. 1988, Orlando, Fla. -Bellingham (Wash.): SPIE-Intern. soc. for optical engineering. 1988. - 180 c.

84. Infrared and optical transmitting materials: 18-19 Aug. 1986, San Diego, Calif. Ed. Robert W. Schwartz. Bellingham (Wash.): SPIE-Intern. soc. for optical engineering. - 1986. - VIII, 173 с.

85. Infrared optical materials and fibers V: Proc. of the meet. 20-21 Aug. 1987, San Diego (Ca) Ed.: P.Klocek. Bellingham (Wa): SPIE. - 1988. -VI, 162 c.

86. Laser damage in Optical materials. Bristol: Hilger. - Boston. -1986.- 131 c.

87. H. С. Костюков, E. В. Щербакова, С. M. Атраш; ДВО РАН и др. Некоторые аспекты влияния нейтронного облучения на оптические и диэлектрические свойства керамических материалов в видимой, УФ и ИК-областях. Препр. - Благовещенск: АмурКНИИ. - 1997. - 85 с.

88. Photorefractive materials. Berlin: Springer. - 1992. - 120,12 с.

89. Ковтуненко П.В., Майер А.А. Проблема собственных примесей в особо чистом веществе.// Исследования в области химии и хими143ческой технологии материалов для электронной техники. Вып. 120. М.: Изд-во МХТИ. 1981. - с. 3.

90. Белова А.Н., Глазов А.И., Мельников Б.В., Соколов В.А. Исследование текстуры поликристаллов селенида цинка: Тр. ГОИ. 1983. -Т. 54. Вып. 188.-с. 119.

91. Фиалков A.C. Углеграфитовые материалы. М.: Энергия. -1979.-320 с.

92. Сысоев В.К. Примесное поглощение в селениде цинка.// Журн. прикл. спектроскопии. 1985. - Т. 34. № 6. - с. 1152.

93. Богданов В.Б., Назарова H.A., Прокопенко В.Т. и др. Рефрактометрические характеристики поликристаллических материалов на основе селенида цинка.// ОМП. 1987. - № 10. - с. 21.

94. Меланхолии Н.М., Грум-Гржимайло C.B. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: Изд-во АН СССР. 1954. - 191 с.