автореферат диссертации по электронике, 05.27.03, диссертация на тему:Лазерно-индуцированная генерация периодического рельефа на поверхности конденсированных сред при пиролитических и фотохимических реакциях

российская ак научно-исследовательский центр отделение перспективных

РГ8 00 - 1 ГШ 1993

АДЕМИЯ НА У- К ПО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ ЛАЗЕРАМ ЛАЗЕРНЫХ технология

На правах рукописи УДК [535:621.373.81:533

ХУДОБЕНКО АЛЕКСАНДР ИГОРЕВИЧ

ЛАЗЁРНО-ИИДУЦИРОВАННАЯ ГЕНЕРАЦИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД ПРИ ПИРОПИТИЧЕСКИХ И .ФОТОХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЯХ специальность 05.27.03 - квантовая электроника (физ.-мат. науки)

АВТОРЕФЕРАТ Диссертации на срискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКВА - 1 992

Работа выполнена в Научно-исследовательском центр« оо технваэт-ческич лазерам Российской АН.

Научные руководители: доктор физико-математических наук Панченко В.Я.

кандидат физико-математических наук Семиногое В.Н.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук Емельянов Владимир Ильич доктор физико-математических наук Сударкин Александр Николаевич

Ведущая организация: Институт общей физики РАН

Защита состоится -26- 0.3 1993 г. в часов на

заседании Специализированного Ученого Совета К200.14.01 НИЦТЛ РАН (специальность 05.27.03 - квантовая электроника •(фиэ.-мат. науки)) по адресу: Московская обл., г.Шатура НИЦТЛ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИЦТЛ РАН. Автореферат разослан " /2 •• 0. 2 1993 г.

Ученый секретарь Совета, доктор технических наук, профессор

io.oz.ds ■

Л.А.Новицкий

Актуальность исследований

В настоящее время значительно возрос интерес к важнейшим с технологической точки зрения процессам травления поверхности и осаждения пленок на подложку, инициированным лазерным излучением. Исследовательская активность в этой области обусловлена перспективами создания новых лазерных методов изготовления полупроводниковых приборов, нанесения различных структур и рисунков, лазерного легирования, получения поверхностей с заданными свойствами [см. обзоры 1-4].

Для стимулирования химических реакций лазерный луч фокусируется оптической системой на поверхность образца, который находится в контакте с реагентом или направляется параллельно поверхности. В зависимости от химических свойств реагента и натериала может происходить либо осаждение продуктов реакций на подложку, либо травление поверхности. Различают три основных механизма активации химических реакций:

а) нагрев поверхности, приводящий к термическому возбуждению или диссоциации молекул реагента и, таким образом, к общому ускорению химических процессов вблизи границы (пиролиз);

Б) нетермичэское возбуждение подложки, влияющее на скорость протекания поверхностных • химических процессов. Примером такого нетермического возбуждения* является лазерная генерация электрон-дырочных пар, способствующая увеличению скорости травления поверхности полупроводника (в дальнейшем такие процессы будем называть фотохимическими);

•в) поглощение лазерного излучения молекулами реагента. При этом стимуляция поверхностных химических реакций осуществляется за счет либо колебательного, электронного возбуждения молекул реагента или благодаря их диссоциации, предиссоциации • (фотолиз).

Казалось бы, при равномерной лазерной засветке поверхности должно происходить пространственно-однородное вдоль границы ускорение химических реакций. При этом, если первоначальный профиль поверхности был плоским, то и результирующий рельеф должен бы Быть плоским. Однако в ряде работ экспериментально показано, что при лазерно-индуцированном фотохимическом травлении полупроводников [ 6—3 3 -и пиролитическом осаждении пленок на подложку [9,10] возникают поверхностные периодические структуры (ППС) в виде пространственных модуляций рельефа. Период (порядка длины волны падающего излучения) и ориентация доминирующих ППС определяются поляризацией и углом падения лазерного излучения.

Для технологических процессов, в которых предъявляются повышенные требования к компланарности поверхности, генерация ППС крайне нежелательна. С другой стороны это явление может быть использовано для разработки перспективной ' одноступенчатой безмасочной лазерной технологии записи дифракционных решеток, в частности, брэгговских решеток для полупроводниковых лазеров .с распределенной обратной связью. Явление генерации ППС можно использовать для создания хорошо развитых поверхностей катализаторов химических реакций [11], а также границ раздела сред с повышенной износостойкостью благодаря пространственно-неоднородному осаждению пленок и^ газовой фазы [10].

Известно, что в условиях резонансного возбуждения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) мотет существенно изменяться физическая картина взаимодействия света с поверхностью [17, 18, 26-28]. Такие резонансные ПЭВ могут возбуждаться, в частности, на рельефе с периодом порядка длины волны падающего излучения. Пр^ - этом могут проявляться эффекты полного подавления зеркального отражения и аномально высокого поглощения света, если глубина рельефа близка к оптимальной [11-25]. Эти эффекты имеют весьма общий характер.

поскольку аномальная дифракция света на рифленой поверхности наблюдается для самых разнообразных материалов - как металлов, так и диэлектриков в широком диапазоне длин волн падающего излучения. Возникает естественный вопрос: может ли существенно измениться коэффициент зеркального отражения в процессе вынужденной генерации ППС, возможно ли под действием лазерного излучения создание такого рельефа, который обладал Вы ЮОХ-ной поглощательной способностью? Ответ на этот вопрос на тривиален. Во-первых, оптимальная амплитуда модуляции рельефа может оказаться недостижимой из-за наличия различного рода нелинейностей (электродинамических, гидродинамических, теллофизических). Во-вторых, параметры генерируемого лазерным излучением рельефа отличаются от параметров, требуемых для проявления эффекта полного подавления зеркального отражения. Поэтому представляет большой интерес рассмотрение задачи, описывающей нелинейный режим генерации ППС, в связи с появляющейся в этом случае возможностью повышенного самосогласованного энерговвода излучения через поверхность. Последнее решающим образом будет влиять на важнейшие процессы взаимодействия лазерного излучения с веществом.

Изложенное выше характеризует несомненную актуальность теоретических и экспериментальных исследований лазернс-индуци-рованной генерации ППС, позволяющих углубйть уже имеющиеся и развить новые представления о физике взаимодействия излучения с веществом. Кроме того, данные исследования представляют интерес с точки зрения возможности создания новой технологии формирования субмикронных периодических структур на пЬверхности- различных материалов.

Целью данной работы явняется

1. Рассмотрение конкретных механизмов образования поверхностных структур и получение аналитических выражений, описывающих динамику

развития произвольной Фурье-компоненты поверхностного рельефа на линейной (начальной) стадии роста при пиролитических реакциях и фотохимическом травлении . полупроводников в зависимости от интенсивности, поляризации и угла падения лазерного излучения, а также от оптических констант обрабатываемого образца.

2. Теоретическое описание нелинейной стадии образования поверхностного микрорельефа при действии непрерывного и импульсного ¿-поляризованного лазерного излучения, а также исследование временной эволюции отражательной и поглощательной способностей поверхности в процессе генерации ЛПС.

3. Экспериментальное исследование генерации периодического рельефа в процессе фотохимического травления п-ваАв с целью проверки попученных теоретических результатов, а также выяснения возможностей данного метода для развития одноступенчатой безмасочной технологии получения дифракционных решеток.

Защищаемые положения

1. Механизм генерации поверхностного периодического рельефа. Образование периодического поверхностного' рельефа при лазерно-индуцированном фотохимическом травлении полупроводников обусловлено дифракцией падающего излучения на начальном рельефе, приводящей к возбуждению резонансных поверхностных электромагнит-, ных волн. Интерференция этих ПЗВ и преломленной в среду френелевской волны обеспечивает пространственно-неоднородное распределение интенсивности и . концентрации электрон-дырочных пар вдоль поверхности. Это обуславливает пространственно-неоднородное ускорение фотохимической реакции вдоль поверхности и углубление затравочных шероховатостей, что, в свою очередь, ведет, к усилению дифракции и возникновению положительной обратной связи, приводящей к экспоненциальному во времени нарастанию определенных Фурье-компонент затравочного рельеф*).

2. Под действием лазерного излучения при определенных условиях йа нелинейной стадии генерации ППС возможно создание такого рельефа, на котором осуществляется полное подавление зеркального отражения и ЮОЯ-ное поглощение падающего на поверхность излучения.

3. Явление лазерно-индуцированной генерации ППС может быть использовано для записи субмикронных периодических структур с профилем штриха, близким- к синусоидальному, в частности, для изготовления поверхностей с периодическим профилем в процессе фотохимического травления п-ваЛв.

Научная новизна

В результате проведенных исследований впервые:

- предложен механизм образования периодического микрорельефа при лаэерно-индуцированном фотохимическом травлении полупроводников, пиролитическом травлении и осаждении пленок на подложку. Создана аналитическая теория, описывающая явление генерации ППС при таких процессах лазерохимической модификации поверхности и дано экспериментальное обоснование ее адекватности;

- теоретически изучена временная динамика отражательной и поглощательной способностей поверхности на нелинейной стадии генерации ППС;

- изморены инкременты экспоненциального роста доминирующих структур непосредственно в процессе лазерно-индуцированного травления п-ваАв;

- изучено влияние свойств травитепей на динамику роста и спектр генерируемого микрорельефа при фотохимическом травлении п-ваА5.

Практическая ценность работы заключается в том, что полученые результаты важны:

- для прогнозирования качества поверхности при лазерохимической обработке материалов;

для развития физических представлений' о взаимодействии

лазерного излучения с веществом в режиме генерации ППС;

- . для разработки и совершенствования новых лазерных Безмасочных технологий получения поверхностей с субмикронным периодическим рельефом.

Апробация работы

Материалы, включенные в диссертацию, докладывались на семинарах Научно-исследовательского центра по технологическим лазерам РАН. МГУ им. М.В. Ломоносова, на 13-й и 14-й Международных конференциях по когерентной и нелинейной оптике (КиНО, Минск - 1S88, Ленинград -1991), на 1-й Международной конференции по лазерной никротехноло-гии и лазерной диагностике поверхности (LAMILADIS, Черновцы -1991), на Международной конференции по квантовой электронике и физике лазеров (QELS, U.S.A., Anaheim - 1992).

Вклад автора. Изложенные в диссертации результаты исследований получены лично автором или в соавторстве при непосредственном его участии.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и-заключения.

Во введении обоснована актуальность выполненных исследований, показана научная новизна и практическая ценность полученных результатов. Сформулирована цель работы и защищаемые положения,, описывается распределение материала по главам.

Глава 1. Дается обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных »следованию линейной и нелинейной стадиям формирования ППС при лазерно-индуцированных модификациях поверхности.

В главе 2 развита строгая аналитическая теория лазерной генерации рельефа при фотохимическом травлении полупроводников в .условиях незначительного нагрева поверхности. В п. 2.1 рассмотрена дифракция ппоской электромагнитной волны на синусоидальном рельефе с фурье-амппитудой В линейном по приближении (k0/|e|tg « 1;

р

где ко - волновой вектор падающего излучения, с = (п + ?'т) -диэлектрическая проницаемость образца) поля в вакууме и в среде вычислены в работе [17]. В данном разделе приведены обобщенные выражения для полей в случае, когда поверхность материала граничит со средой с диэлектрической проницаемостью ео, отличной от 1. Из приведенных выражений видно, что амплитуды дифрагированных в среду полей обладают резонансной зависимостью от периода поверхностной решётки. Именно наличие этих резонансов и обеспечивает выделение доминирующих решеток при лазерной генерации поверхностного рельефа.

В п. 2.2 рассмотрен конкретный механизм генерации ППС при травлении полупроводника п-типа в кислотном травителе ( п-ввЛв в НдСОд : М^О^ : (^О). В этом случае на скорость травления влияет концентрация дырок вблизи поверхности. □ данном раздепй с использованием результатов п. 2.1 решена задача, описывающая распределение дырок в условиях лазерной генерации носителей заряда вблизи неплоской границы, и выписано дисперсионное уравнение для инкремента уд экспоненциального роста затравочной пространственной фурье-компоненты рельефа 5д0> определяющее временную эволюцию произвольной фурье-амплнтуды начального рельефа = <:довхр(Тд1;)).

В п. 2.3, -2.4 вычислены геометрические характеристики доминирующих поверхностных структур при .9- и р-поляризациях индуцирующего лазерного излучения. В случае г-поляризованного излучения (вектор напряженности электрического поля перпендикулярен плоскости падения) доминирует резонансная решетка с параметрами

3 и г,, д = х0сУ2(п*2 - 31"2(,]1/2' 2 = 1 ^ - (п *т)2

" (п'+ т ) 0° < 0 с 45°, (1 )

а при р-поляризации падающей волны - две решетки

«1,2 М гН' э1,2 = коЕУ2(п* * 81п 0)' (2>

где д -. вектор обратной решетки, д = 2и/Л, с) - период решетки, кс=

о

= 2я/х, X - длина волны света в вакууме, е= (п + '• т) , ео > 0 -диэлектрические проницаемости материала и травителя, в - угол падения излучения на материал в травителе, - проекция ■ на

сред мою границу раздела сред.

В п. 2.5 показано, что результаты развитой теории находятся в хорошем согласии с имеющимися в литературе данными экспериментов [5-8].

Глава 3 посвящена теоретическому изучению линейной стадии образования периодического микрорельефа при лазерно-индуцированных пиролитических реакциях травления поверхности и осаждения материалов на подложку. Рассмотрен механизм образования ППС и получены выражения для периода, ориентации и инкрементов экспоненциального роста доминирующих поверхностных решеток. Вычислены характеристики доминирующи* ППС при е- и р-поляризациях лазерного излучения, проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными [9-10].

Глава 4. В соответствии с развитой в главах 2, 3 линейной по теорией на поверхности нарастает континуум пространственных фурье-гармоник рельефа. Наличие доминирующей фурье-компоненты приводит к воэникновен'-о синусоидального профиля поверхности на фоне первоначальных хаотических шероховатостей. Однако, при увеличении длительности воздействия лазерного излучения происходит переход от линейной к нелинейной стадии развития ППС. В работах [29-36] экспериментально было показано, что в случае е-поляризации волны накачки наряду с доминирующими на линейной стадий решетками с волновым вектором д генерируется вторая гармоника рельефа с волновым числом 2д, а при р-поляризации - решетки с суммарной и

разностной пространственными частотами (д^ ± д2). Регистрировались ППС и с более сложным фурье-спектром рельефа [34-36], например структуры типа ячеек Бенара [35].

Совершенно очевидно, что обогащение спектра генерируемого рельефа происходит благодаря непинейностям - тепловой, гидродинамической, электродинамической. Под электродинамической нелинейностью понимается нелинейная зависимость амплитуд дифрагированных электромагнитных волн от глубины рельефа. В работа [37] введены понятия внутримодовой и межмодовой электродинамических нелинейнсстей. Внутримодовая нелинейность связывается с перерассоянием между резонансной поверхностной электромагнитной волной и нерезонансными электромагнитными волнами нулевого и второго порядков дифракции на резонансной решетке (1) или (2). Межмодовая нелинейность возникает благодаря перерассеянига между различными резонансными ПЗВ, например, на решетках 2д или (9, + 9г).

В главе 4 развита аналитическая нелинейная теория образования поверхностных периодических структур при действии непрерывного и импульсного а-полприэованкого лазерного излучения, падающего на поверхность под произвольным углом. Детально рассмотрены процессы фотохимического травления полупроводников, лазерной сублимации, пиролитического травления и осаждения металлов, полупроводников, диэлектрикоз. Получено аналитическое решение задачи дифракции света на возникающем рельефе с учетом как межмодовей, так и внутримодовой электродинамических нелинейностэй, приведен строгий вывод уравнений для перечислаяных процессов, описывающих линейный и • нелинейный режимы формирования ППС, исследована временная динамика генерации' первой и второй пространственных гармоник поверхностной->

рельефа. Детально изучена относительная роль межмодовой и внутримодовой нэлинейностей, в частности нелин-зйности, связанной с

измененийм закона дисперсии резонансных ПЗЗ с ростом амплитуд первой и второй гармоник рельефа из-за перерассеяний резонансной ПЭВ на решетках g и 2д во второй и третий порядки дифракции. Учтено влияние реактивной нелинейности, возникающей благодаря интерференции между полам резонансной ПЭВ и волной второго порядка дифракции. Впервые выявлено важное значение топологических нелинейностей, обусловленных перорассеянием температурных волн и ьолн концентрации электрон-дырочных пар на генерируемом рельефе. Определена роль эволюционирующих во времени дифракционных затравок, порождаемых интерференцией волны третьего порядка с волнами резонансной ПЭВ и второго порядка дифракции. Исследована временная эволюция отражательной R и поглощательной способностей поверхности, (см. рис. 1). Показано, что под действием лазерного излучения возможно создание такого рельефа, на котором осуществляется полное

Рис. 1 . Временная эволюция £д, ?2д и н°РмиРованк°го на коэффициент Френеля коэфициента отражения II в процессе лазерно-индуцированного испарения германия .(т - нормированное время, т =

подавление зеркального отражения и ЮОЖ-ное поглощение падающего на поверхность излучения.

В главе- 5 представлены результаты экспериментальных исследований генерации ППС в процесое фотохимического жидкофазного травления rt-GaAs под действием излучений Аг+лазера. Рассматривается химический аспект процесса растворения полупроводников, описываются свойства различных растворов, используемых для травления кристаллов SaAs. Приводятся профили сечений (0Í7) и (01Т) грани (100) образца ' GaAs при травлении в различных средах. Представлены результаты экспериментальных исследований генерации ППС в процессе фотохимического травления грани (.100) кристалла n-GaAs в кислотном травите-ле при различных поляризациях и интенсивности стимулирующэго лазерного излучения. Экспериментально показано, что на начальной стадии индуцированная решетка растет экспоненциально (см.рис.2, где I -интенсивность дифрагированного пробного пучка, измеренная в процессе генерации рельефа с параметрами (1)). Получены сфазированные дифракционные решетки с профилем, близким к синусоидальному и периодами 0.35-0.5 мкм с глубиной модуляции от 200 до 1000 Ä. Определены и найдены условия и режимы процесса, при которых может происходить как пространственно-однородное травление поверхности, так и формирование периодического рельефа с заданным

профилем. Инкременты, измеренные непосредственна в процессе-генерации микрорельефа, а также периоды и ориентации полученных микроструктур находятся в хорошем соответствии с результатами развитей в главах 2, 4 теории, что подтверждает адекватность предложенного нами механизма генерации ППС при лазерно-стимулированном травлении полупроводников. Полученные закономерности позволили нам целенаправленно формировать спектр поверхностного рельефа и улучшить качество микроструктур путем подбора' оптимальной комбинации травителя, интенсивности и угла падения лазерного излучения. Тем самым были заложены физические основы для развития новой однолучевой безмасочной технологии формирования субмикронных периодических структур на поверхности б¿¡Ав.

В заключении представлены основные результаты диссертационной работы.

1. Предложен новый механизм и на его - основе развите аналитическая теория лазерно-индуцированной генерации периодического поверхностного рельефа при фотохимическом травление полупроводников в условиях незначительного нагрова поверхности, г также при пиролитических реакциях травления поверхности и осажденш пленок, поглощающих лазерное излучение. Вычислены ■ инкремент! экспоненциального во времени нарастания доминирующих структур, и: периоды и ориентации в зависимости от интенсивности, угла падения поляризации падающего излучения и параметров обрабатываемо! поверхности.

2. Развита аналитическая нелинеиная по амплитуде модуляцш рельефа теория образования поверхностных периодических структур пр действии в-поляризованного ' лазерного излучения. Рассмотрен: процессы лазерного испарения материалов и фотохимического травлени полупроводников. На основе чаленного решения системы уравнений описывающих осцилляторный режим генерации первой и второ

пространственных гармоник поверхностного профиля, показано, что под действием лазерного излучения возможно создание такого рельефа, на котором осуществляется 100*-ное поглощение падающего на поверхность излучения.

3. Создана экспериментальная' установка для исследования лазерно-индуцированного формирования периодического рельефа на поверхности полупроводниковых материалов при жидкофазном травлении, позволяющая по дифракции пробного пучка контролировать основные параметры этого процесса (инкремент нарастания доминирующих структур, их период, ориентацию, глубину модуляции) в реальном масштабе времени.

4. Впервые измерены инкременты экспоненциального нарастания амплитуд доминирующих структур при лаэерно-индуцированном жидкофазном фотохимическом травлении п-ваАв. Дано экспериментальное подтверждение адекватности предложенного нами механизма формиррвания периодического микрорепьефа.

5. Исследовано влияние параметров индуцирующего лазерного излучения и свойств различных травителей на спектр генерируемого рельефа. Сформулированы основные условия повышения монохроматичности генерируемых структур.

6. Получены сфазированные дифракционные решетки с заданным периодом в диапазоне 0.35-0.5 мкм и глубиной модуляции свыще 1000 Л на поверхности (100) п-ваАэ. Продемонстрирована принципиапьная возможность использования данного метода для технологии нанесения субмикронного периодического рельефа на поверхность полупроводниковых материа>.ов.

Основные результаты диссертации опубликованы в статьях:

1. Панчэнко В.Я., Семиногов В.Н., Худобенко А. И. Лазерно-индуци-рованная генерация поверхностного микрорельефа при пироли-тическом травлении и осаждении металлов, полупроводников.

диэлектриков и фотохимическом травлении полупроводников. Препринт НИЦТЛ АН СССР N 37. Троицк: 1987. 32 С.

2. Семиногов В.П., Худобенко А.И. Взаимосвязанная - генерация первой и второй гармоник поверхностного рельефа в процессах испарения, фотохимического и пиролитического травления и лиролитического осаждения, индуцированных в-поляризованкым лазерным излучением. Препринт НИЦТЛ АН СССР, N 56, Троицк: 1988. 42 С.

3. Панченко В. Я., Семиногов В.Н., Худобенко А. И. Теория лазерно-индуцированной генерации периодического рельефа поверхности при фотохимическом травлении полупроводников. // Квант, электрон. 1989. Т.16. С.1226-1237.

4. Семиногов В.П., Худобенко А.И. Нелинейный режим генерации первой и второй гармоник поверхностного рельефа под действием е-поляризованного лазерного излучения. // КЭТФ. 1989. Т.96. В.2(8). С.504-524.

5. Панченко В. Я., Попов В. К., Семиногов В.Н., Худобенко А. И. Управление спектром лазерно-индуцированного рельефа поверхности ваАв в процессе фотохимического травления // Известия РАН. Сер.физическая. 1992. Т. 56. N 4. С. 91-99.

6. Панченко В. Я., Семиногов В.Н., Худобенко А.И. "Вынужденная генерация периодического рельефа, инициированная лазером непрерывного действия в процессе фотохимического травления полупроводников". Тезисы докладов 13-й Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Минск -1988). 4.1. С.57-58.

7. Панченко В. Я., Попов В. К., Семиногов В.Н., Худобенко А.И. "Генерация периодического рельефа с заданными характеристиками пр.) лазерно-индуцироввнном фотохимическом травлении ваАв: ' теория, эксперимент". Тезисы докладов 14-й Международной

конференции по когерентной и нелинейной оптике (Санкт-ПетерВург - 1991). Т.1. С.Эв-97.

8. Khudobenko A.I., Panchenko V.Ya., Popov V.K., Semlnogov V.N. "Generation of sinusoidal- submicron structures on the GaAs surface by laser-Induced maskless photochemical etching". Abstr. Quantum Electr. and Laser Science Conf., Anaheim, USA, p.109, 1992

9. Khudobenko A.I., Panchenko V.Ya., Popov V.K., Seminogov V.N. "Control of the spectrum of laser-induced periodical relief upon the GaAs surface in photochemical etching". In "Laser Microtechnology and Laser Diagnostics of Surfaces", SPIE, V.1723, P.7-13, 1991.

Цитированная в автореферате литература

1. Rytz-Froldevaux Y., Salathe R.P., Gilgen H.H. Laser Generated ' Microstructures. // Appl. Phys. A. 1985. V. 37.' P. 121-138.

2. Bauerle D. // Surface Studies with Lasers / Eds F.R. Auss^negg, A. Leitner, M.E. Lippitsch. Berlin: SpringerVerlag, 1983. P. 178-188.

3. Houle F.A. Basic mechanisms in.laser etching and deposition //Appl. Phys A. 1986. V.41. P. 315-330.

4. Ахманов А. С. Лазерная и традиционная полупроводниковая технология - сравнительный анализ. Применение лазерографии в технологии интегралы.ых схем. // Итоги науки и техники. Сер. "Физические основы лазерной и пучковой технологии". Москва: ВИНИТИ. 1989.- Т.З. - С. 3-39.

5. Tsukada N., Sugata S., Saitoh П., Mita Y. Surface ripples in laser-photochemical wet etching of gallium arsenide. // Appl.

Phys.Lett. 1983. V.43. P.189-191.

6. Сычугов В.А., Тулайкова Т. В. Волноводный эффект в процессе фототравления полупроводников.// Квант, электрон. 1984. T.9l, С.437 - 438.

7. Прохоров A.M., Сычугов В. А., Тулайкова Т.В. Влияние жидкого волновода на процесс образования решеток при формировании, полупроводников. // Физ. и техн. полупроводн. 1984. Т.18. С. 2125 - 2129.

8. Гопубенко Г.А. Прохоров A.M., Сычугов В.А., Тулайкова Т.В. Процесс формирования дифракционных решеток при воздействии лазерного излучения на поверхность полупроводника в травителв // Поверхность. Физ., хим., мех. 1985. N 1. С.88-92.

9. Ehrllch D.J., Osgood R.M., Jr., Deutsch T.F. Laser microreac-tion for deposition of doped silicon films.// Appl.Phys.Lett. 1981. V.39. P.957-959.

10. Shaapur F., Allen S.D. Growth of periodic structures in pyrolitic laser-deposited S 1С.// J, Appl.Phys. -' 1986. V.60.-P.470-472.

11. Панченко В. Я., Семиногов В.H., Соколов В. И. Роль дифракции света на модуляциях поверхностного рельефа в процессах лазерной микротехнологи^'. // Итоги науки и техники. Сер. "Физические основы лазерной и пучковой технологии". Москва: ВИНИТИ, 1989. Т.З. С.92-161.

12. Maystre D., Petit R. Brewster incidence for metallic gratings. //Opt. Commun. 1976. V.17. P.196-200.

13. Huttley M. , Maystre D. The total absorption of light by a diffraction grating. // Opt.Commun. 1986. V.19. P.431-436.

14. Гандельман Г.М., Кондратенко П.С. Полное подавление металлического отражения при резрнансном возбуждении поверхностных плазменных волн. // Письма в ЖЭТО. 1983. V.38. С.246-248.

15. Yamashita M., Teuji M. Sirplo theory for surface-plasmon-polari ton resonance on sinusoidal metal surface: Application to SERS. // J.Phys.Soc. Jap. 1983. V.52. P.24B2-2471.

16. Емельянов В.И., Свминогов• В.Н. Самоиндуцированный резонанс локального поля и аномально высокая поглощательная способность на поверхности конденсированных сред. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. Т.50. С.2273-2279.

'17. Емельянов 8. И., Свминогов В. И., Соколов В. П.- Дифракция света на поверхности с большой амплитудой модуляции рельефа и поверхностные нелинейно-оптические эффекты.//Квант, электрон. 1987. Т.14. С.33-46..

18. Емельянов В.И., Свминогов В.Н. Аномально высокая поглощательная способность и аномально быстрый нагрёв шероховатой поверхности конденсированных сред электромагнитным излучением

•// Квант, электрон. 1987. Т.14. С.47-53.

19. Емельянов В. И., Свминогов В.Н., Соколов В.И. Влияние дифракции второго порядка на линейные и нелинейные оптические эффекты вблизи поверхности с периодическим профилем.// Квант, электрон. 1987. Т.14. С.2028-2037.

20. Ахманов С.А. , Свминогов В.Н., Соколов В.И. Дифракция света на шероховатой поверхности с "глубоким" произвольным профилем; взаимодействие дифрагированных волн, аномальное поглощение, максимально достижимые локальные поля. // ЖЭТФ. 1987. Т.93. С.1654-1670.

21. Беляков Л.В., Горячев Д.Н. , Емельянов В.И., Свминогов В.Н. , Сресели О.Н., Ярошецкьй И. Д. Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на немёталлических периодических структурах. // Письма в ЖТФ. - 1987. Т.13. С.693-697.

22. Ковалев A.A., Кондратенко П. С., Левинский Б.Н. Аномалии Вуда

при дифракции излучения на металлических гофрированных 'Структурах малой амплитуды с конечной проводимостью.//Радиотехн. й электрон. - 19вв. Т.зз; С.1610-1616.

23. Конов В.И., Токарев В.Н. Размерные эффекты при лазерном облучении периодических поверхностных струк тур. Препринт ИОФ АН СССР, N 70. Москва: 1986, Ursu I., Mihailescu I.N., . A.M.Prokhorov, V.N.Tokarev, V.I.Konov. High-Intensity laser Irradiation of metallic surfaces covered by periodic structures.// J.Appl.Phye. 1987. V.67. P.2445-2457.

24. Ursu I., Mihailescu I.N., Popa AI., Prokhorov F.V., Konov V.l., Agesv V.P., Tokarev V.N. COg-laser radiation absorption by metal gratings. // Appl.Phys.Lett. 1984. V.45. P.365-367.

25. Емельянов В.И., Семиногов В.Н. Лазерно-индуцированные неустойчивости рельефа поверхности и изменение отражательной и поглощательной способностей конденсированных сред.// Итоги науки и техники. Сер. "Физические основы лазерной и пучковой технологии". Москва: ВИНИТИ, 1989. Т.З. С.57-88.

26. Шеи Н.Р. Принципы нелинейной оптики. Москва: Наука. 1989.

27. Поверхностные поляритоны./ Под ред. Аграновича В.М. и Миллса Д.П., Москва:Наука, 1985.

28. Сударкнн А.Н. Нелинейные оптические эффекты с участием поверхностных электромагнитных волн. Препринты Института проблем механики АН СССР. Москва. 1989: N 396, 41С; N 413, 41С.

29. Аксенов В.П., Журкин Б. Г. Образование периодической структуры при воздействии мощного когерентного излучения на поверхность полупроводников. Препринт ФИАН СССР, Москва, 1982. NN 56,194.

30. Прохоров A.M., Сычугов В.А., Тищенко A.B., Хакимов A.A. Кинети- а образования гофрз.> на поверхности германия при облучении мощным лазерным излучением.// Письма в ЖТ®. 1982. Т.8.

С. f<(09-1413.

31. Keilwann F., Bay Y.H. Periodic surface structures frozen into COg-laser - melted quartz.//Appl .Ph/s. A. 1982. V.29. P.9-18.

321 Санохин A.A., Сычугов B:A., Тищенко A.B., Хакимов A.A. Особенности формирования периодической структуры при поглощении монохроматического излучения на поверхности твердого тепа. // Квант, электрон. 1983. Т.10. С.1039-1040.

33. Анисимов В.Н., Саранов В.Ю., Большое П.А. и др. О развитии периодических структур на поверхности металлов и полупроводников под действием излучения импульсного СО^-лазера. // Поверхность. 1983. Вып.7. С.138.

34. Прохоров A.M., Свахин A.C., Сычугов В. А. и др. Возбуждение и резонансные преобразования поверхностных электромагнитных волн при облучении твердого тела мощным лазерным излучением. // Квант, электрон. 1983. Т.10. С.906-912.

35. Fauchet P.M., Siegman А.Е. Observation of hight-order laser-induced surface ripples on <111> germanium. // Appl. Phys A. 1983. V.32. P.135-140.

36. Баженов B.B., Бонч-Бруевич A.M., Либенсон M.H., Макни B.C. Интерференция поверхностных электромагнитных волн и периодические структуры, формирующиеся при воздействии интенсивного света на поверхность полупроводника. // Письма в ЖТФ. 1984. Т.10. С.1520-1526.

37. Емельянов В. И., Семиногов В.Н. Нелинейный режим лазерной генерации капиллярных волн и образование упорядоченных поверхностных структур. Препринт НИЦТЛ АН СССР, N 15. Троицк: 1986. 23 С.