автореферат диссертации по электронике, 05.27.02, диссертация на тему:Закономерности формирования резистивных свойств микроканальных пластин

ьл

На правах рукописи

Хатухов Асланбек Аубекирович

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ СВОЙСТВ МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН

05.27.02 - Вакуумная и плазменная электроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Владикавказ - 2003 г.

Работа выполнена в Кабардино-Балкарском Ордена Дружбы народов государственном университете им. Х.М.Бербекова на кафедре физических основ микроэлектроники

Научный руководитель - доктор физико-математических наук, профессор

Ашхотов Олег Газизович

Официальные оппоненты - доктор технических наук, профессор

Каргин Николай Иванович

кандидат технических наук, доцент Михайлова Ирина Валентиновна

Ведущая организация - Таганрогский радиотехнический университет

Защита диссертации состоится " И " декабря 2003 г. в 14:00 часов на заседании диссертационного совета К212.246.02 Северо-Кавказского горнометаллургического института (Северо-Кавказского государственного технологического университета) по адресу: 362021, Республика Северная Осетия-Алания, г. Владикавказ, ул. Николаева, 44, Северо-Кавказский горнометаллургический институт (Северо-Кавказский государственный технологический университет).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Северо-Кавказского горно-металлургического института.

Автореферат разослан " 3 " ноября 2003 г.

Ученый секретарь совета

Ширяев А.В.

2о оз-А

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Микроканальные пластины (МКП) - компоненты электронной техники, предназначенные для работы в вакууме в качестве многоканальных детекторов, преобразователей и вторично-электронных усилителей пространственно-организованных потоков заряженных частиц и излучений. Благодаря ряду уникальных свойств МКП находят все возрастающее применение в различных областях науки и техники, прежде всего, как усилители электронных изображений в электронно-оптических преобразователях (ЭОП), предназначенных для приборов ночного видения (ПНВ).

Для нормального функционирования МКП должна обладать рядом вполне определенных электрофизических параметров, определяемых спецификой работы в составе ЭОП. Любое изменение этих параметров (вследствие погрешностей в технологии, либо из-за воздействия внешних и внутренних факторов на определенной стадии изготовления) приводит к ухудшению работоспособности МКП.

Для обеспечения лучших электронно-оптических параметров МКП требуется оптимально подобранная технология обработки для используемых базовых стекол. Известно, что окончательное формирование резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов МКП происходит на этапе термоводородного восстановления (ТВВ). Варьируя параметрами температурных полок можно в большей или меньшей степени корректировать параметры МКП. Поэтому особенно актуально исследование влияния этого процесса. Однако не следует преуменьшать роль остальных операций технологической цепи, так как формирование параметров происходит на протяжении всего технологического маршрута изготовления МКП. Все электрофизические свойства стекла, в том числе и восстанавливаемость на этапе ТВВ, закладываются на стадии изготовления заготовок МКП и их последующей технохимической обработки (ТХО).

В связи с этим, решение проблемы формирования оптимальных электронно-оптических параметров МКП выдвигает требование комплексного исследования закономерностей формирования резистивных свойств на всем технологическом маршруте производства МКП.

Цель диссертации заключается в определении закономерностей формирования резистивных свойств МКП путем исследования заготовок МКП на основных этапах технологического процесса изготовления.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Изучить и проанализировать результаты исследований резистивно-эмиссионных свойств поверхности свинцовосиликатных стекол и МКП, полученные разными методами и авторами.

2. Изготовить установки и разработать методики для измерения электропроводности МКП и ее заготовок.

3. Экспериментально исследовать влияние внешних факторов и основных технологических процессов на резистивные свойства базовых стекол в виде дисков, одножильных стеклянных стержней (ОЖС), а также МКП.

4. Предложить пути оптимизации технологии производства МКП с целью минимизации воздействия резистивного фактора на формирование дефектов электронного изображения.

Методы исследований. В работе использованы разработанные автором установки и методики определения резистивных характеристик заготовок МКП, а также моделирование технологических процессов производства МКП.

Научная новизна:

1. Установлено, что химическая обработка базовых стекол С87-2(6Ба-4) и С78-4(МО-34) и, следовательно, заготовок МКП влияет на высокотемпературную ионную проводимость, при неизменной энергии активации электропроводности.

2. Показано различие в свойствах (электрическое сопротивление) пограничных каналов (ПК) и внутренних каналов (В К) микроканальных сот (МКС) МКП как на стадии ТВВ, так и при термическом отжиге в среде азота.

3. Выявлено влияние технологических процессов на сопротивление МКП18-10, единичного канала МКП18-10 и ОЖС.

Практическая ценность работы:

1. Разработаны оригинальные установки и методики оценки электрического сопротивления ОЖС и единичного канала в составе заготовки МКП.

2. Проведено моделирование технохимических процессов в единичных каналах с использованием ОЖС. Смоделированы условия процесса вытяжки многожильных стеклянных стержней (МЖС) для ПК и ВК МКП с использованием ОЖС и показана основная причина различия их электрических свойств.

3. Полученные результаты применяются в технологическом процессе производства МКП, включая стадию хранения готовой продукции на атмосфере при относительной влажности не более 55%.

На основе проведенного анализа полученных результатов по поведению электрического сопротивления на этапах технологического процесса изготовления МКП сформулированы требования к технологическим операциям, выполнение которых позволит улучшить электронно-оптические параметры МКП и решить проблемы минимизации дефектов электронного изображения, обусловленных резистивным фактором. , {'УТГ.ЛИ 0*а/.': ->

> .4! ¿М«* {

; - • . • .1 \

Положения, выносимые на защиту:

1. Оригинальные методы и методики для изучения резистивных свойств ОЖС, единичного канала МКП, заготовок МКП и МКП в целом.

2. Причины падения электрического сопротивления МКП при рабочем напряжении в условиях работы прибора применения.

3. Влияние химической обработки базовых стекол на ионную проводимость.

4. Поведение сопротивления ПК и ВК на разных стадиях ТВВ и отжига в среде азота. Причины различия электрических параметров ПК и ВК.

5. Влияние высокотемпературной обработки на сопротивление ОЖС при ТВВ.

6. Влияние ТХО на сопротивление и толщину восстановленного слоя ОЖС при ТВВ.

Апробация результатов. Основные результаты докладывались на конференции "Естествознание и перспективные технологии 21 века" (Нальчик, 2001 г.), Региональной конференции "Вакуумная электроника на Северном Кавказе" (Нальчик, 2001 г.), Российской конференции "Приборы и техника ночного видения" (Нальчик, 2002 г.), Международном научно-практическом симпозиуме "Функциональные покрытия на стеклах" (Харьков, 2003 г.), Научном семинаре факультета микроэлектроники и компьютерных технологий КБГУ "Физика поверхности и проблемы микроэлектроники" (Нальчик, 20002003 гг.), Научном семинаре Владикавказского технологического центра БАСПИК (Владикавказ, 2000-2003 гг.).

Публикации. Результаты диссертационный работы опубликованы в 7 статьях.

Объем диссертации. Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, трех глав, заключения, библиографического списка использованной литературы (145) и приложения. Общий объем диссертации 136 страниц, 56 рисунков и 9 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, поставлена и обоснована цель исследований, перечислены полученные научные результаты, сформулированы основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава диссертации посвящена обзору и анализу литературных данных исследования свинцовосиликатных стекол (ССС) - основного материала МКП.

Применимость того или иного восстановленного стекла для использования в МКП зависит, кроме технологичности, еще от двух факторов: величины удельного поверхностного сопротивления д и значения коэффициента вто-

ричной электронной эмиссии (КВЭЭ) а. В настоящее время о проводящих свойствах стекол известно многое. Подобрать значение д до величины, необходимой для реализации МКП с разными диаметрами каналов, можно, изменяя состав стекла. В литературе имеются данные о влиянии на р3 режимов восстановления и достаточно хорошо изучены вторично-эмиссионные свойства этих восстановленных стекол. Рассмотрим механизмы электропроводности, зависимость основных свойств ССС от режимов ТВВ и попытаемся экстраполировать их на случай с МКП, так как практически все исследования по формированию поверхностных и приповерхностных слоев каналов МКП моделируются на свинцовосиликатных стеклах в связи неудобством работы с МКП.

У стекол наблюдается два механизма проводимости: ионная и электронная. Ионная проводимость обусловлена активизацией диффузии ионов щелочных металлов (как наиболее подвижных) - в основном, ионов Зависимость ионной проводимости от температуры описывается соотношением (1):

1 (1)

где коэффициенты А и В определяются концентрацией проводящих ионов. На прямой зависимости электропроводности от концентрации ионов Ыа+ наблюдается излом. Рост электропроводности с изменением концентрации натрия в стеклах после излома вызван, главным образом, изменением числа движущихся поступательно ионов, в то время как у стекол до излома электропроводность меняется вследствие изменения скорости ионов, обусловленной вязкостью среды. Существует непосредственная связь между ионной проводимостью в кристалле, поляризующей способностью и поляризуемостью ионов. Электросопротивление определяется химическим составом стекла. Независимо от природы добавляемого компонента и от природы основного стекла первые порции нового компонента, не входящего в состав стекла, всегда вызывают увеличение электропроводности.

Электронная проводимость в оксидных стеклах реализуется введением оксидов V, V/, Мо, Ре, "Л, Си, Мл, во, №, №>, Се, Рг, Сг, В1, БЪ, Аб. Необходимым условием для возникновения электронной проводимости является одновременное нахождение в стекле ионов в различной степени окисления. Электронная проводимость характеризуется сравнительно низким удельным сопротивлением (104-109Ом см при комнатной температуре, энергия активации электропроводности Еа=0.35-0.50эВ), отсутствие поляризационных эффектов при прохождении через образцы постоянного тока, отрицательный знак коэффициента термо-ЭДС. Для большинства электронопроводящих оксидных стекол установлена линейная связь температурной зависимости электропроводности от 1/Т при Т выше 300К. Основное уравнение в рамках

прыжкового механизма (термически активированное движение полярона) записывается в виде

где к, Т не — соответственно постоянная Больцмана, абсолютная температура и заряд электрона; v0 — фононная частота, а — среднее расстояние прыжка; N - суммарная концентрация частиц, способных участвовать в электронном обмене; с - отношение концентраций (доля) одной из форм (Ох или Red) к суммарной концентрации редокс-системы в стекле; ср - показатель спада волновой функции с расстоянием при туннелировании электрона. С введением добавок щелочного оксида наблюдался переход от электронной к преимущественно ионной проводимости.

Увеличение проводимости (уменьшение ps) ССС по мере его обработки в водороде обусловлено восстановлением оксидов свинца в поверхностном слое и постепенным обогащением последнего атомами свинца. Однако значение ps является экстремальной функцией температуры восстановления из-за стягивания атомарного свинца в коллоидные частицы. Значения коэффициента вторичной электронной эмиссии также являются экстремальной функцией параметров восстановления. КВЭЭ стекла рассчитывается по аддитивной формуле:

где у, и а, - соответственно содержание и парциальные коэффициенты входящих в поверхностный слой оксидов. Следовательно, обогащение эмиссионного слоя оксидом с большим сг„ чем РЬО, сопровождается возрастанием КВЭЭ. При одинаковом химическом составе исходного стекла вторично-эмиссионные свойства восстановленных стекол существенно зависят от их микроструктуры, причем имеется некая оптимальная микроструктура, обеспечивающая стеклу максимум КВЭЭ после высокотемпературного восстановления в водороде. Однородность проводящего слоя нарушается после восстановления стекла, а также прогревания его на воздухе или в кислороде. При этом часть атомарного металла окисляется, причем в тонком приповерхностном слое окисление более интенсивно. В процессе восстановления оксид свинца восстанавливается в поверхностном слое до свинца, и последний, либо испаряется с другими продуктами процесса восстановления, либо диффундирует внутрь эмиттера, образуя максимум содержания оксида свинца на глубине 700А. Щелочные и отчасти щелочноземельные металлы стремятся к диффузии по образовавшимся в слое дефектам к поверхности и снижают ее энергию, в результате чего имеет место максимальное содержание этих оксидов на поверхности и минимальное - в пределах дефектного слоя. Таким образом, состав эмитирующего и проводящего восстановленного слоя свинцо-восиликатных стекол изменяется по глубине вплоть до 1500-2000// и для ряда

(2)

(3)

оксидов их распределение не монотонно. Это дает основание полагать, что слои, ответственные за а (приповерхностные) и /л (наиболее обогащены РЪ), могут находиться на разной глубине.

Сложный технологический процесс создания МКП приводит к отличиям по составу поверхности каналов МКП от ССС. Состав поверхности МКП, как и ССС, имеет слоистое строение. Как для восстановленного, так и для невосстановленного МКП на глубине около 200ли наблюдается повышенное содержание свинца. Слой с повышенным содержанием свинца у невосстановленного образца выражен слабее. При спекании и других операциях происходит специфическая перестройка модельных стекол с образованием барьерного слоя, препятствующего диффузии свинца к поверхности. Динамика изменения концентрации свинца в поверхности МКП и ССС после химической обработки и последующего прогрева на воздухе отличаются. При прогреве на воздухе свыше 200"С состав поверхности ССС приближается к объемному, тогда как состав МКП, обработанных при тех же условиях, остается неизменным. Последующий отжиг в водороде состава поверхности ССС не изменяет, а отжиг в водороде МКП приводит к возрастанию содержания свинца на поверхности. После восстановления на поверхности ССС появляется слой, близкий к БЮг, в то время как на поверхности МКП происходит восстановление до образования БЮ. Следовательно, данные по поверхностным слоям ССС надо переносить на МКП с некоторыми поправками.

Во второй главе приводятся описание объектов исследования, а также установок, методов и методик измерения резистивных свойств.

В данной работе объектами исследования были как готовые к эксплуатации МКП, так и их заготовки, извлеченные на различных стадиях технологического процесса. МКП использовались для изучения влияния внешних и технологических факторов на резистивные свойства конечного продукта. Однако в процессе изготовления МКП в ряде случаев происходит суперпозиция тех или иных факторов друг на друга, и становится практически невозможным выявление причин отклонения электронно-оптических параметров МКП от требуемых значений. В связи с этим, в работе требовалось извлечение на технологическом маршруте не только заготовок МКП, но и комплектующих до соответствующего воздействия и последующее его моделирование в лабораторных условиях. В частности, исследование резистивных свойств базовых стекол на установке диагностики МКП потребовало изготовления дисков стекол с геометрическими параметрами МКП 18 (диаметр 25мм, толщина 0.4мм). Для измерения сопротивления одиночных каналов МКП использовались восстановленные заготовки МКП без металлизации, либо с односторонней металлизацией. Более глубокий анализ процессов, происходящих при формировании свойств единичного канала МКП потребовал извлечение из технологической цепи одножильных стержней (внешний диаметр 615мкм, внутренний диаметр 472мтой) на этапе перетяжки в многожильные стержни.

Установка термоводородного восстановления изготовлена на базе электропечи СУС)Л-0,4.4/12-М2-У4.2 (ГОСТ 13474-79). Реактор изготовлен из высококачественной кварцевой трубы. Процесс ТВВ может проводится как по однополочной, так и по многополочной схеме. К основным параметрам процесса относятся время, температура полки и расход водорода. Установка позволяет проводить также отжиг в атмосферных условиях и в различных газах при контролируемых потоках.

Климатическая камера диагностики резистивных свойств микроканальных пластин представляет собой герметичный бокс, в котором устанавливается измерительная ячейка с МКП, подключенная к измерительному тракту. Требуемые климатические условия (температура и влажность) формировались с помощью нагревателя-испарителя и цеолитового осушителя (цеолит Ц5А). Нагреватель-испаритель представляет собой резистивную печь с емкостью, в которую заливается дистиллированная вода. Температура и влажность контролировалась гигрометром психрометрическим ВИТ-2.

1- манометр ОБВ1-ЮО, 2 - термопарный манометр ПМТ-2, 3- ионизационный манометр ПМИ-2, 4 - вольтметр В7-40/5, 5 - электрометрический усилитель У5-11, 6 - стабилизированный источник напряжения В1-13. 7 - форвакуумный насос ЗНВР-1Д, 8 - диффузионный насос НВД-0.15, 9 - смотровое окно вакуумной камеры, 10 - ячейка измерения сопротивления.

Установка измерения резистивных свойств микроканальных пластин и дисков базовых стекол представлена на рис. 1. Установка состоит из вакуумной камеры, на которой смонтированы смотровое окно 9 и ячейка измерения сопротивления с МКП (диском стекла) 10. Измерительная ячейка представляет собой два электрода в виде колец с геометрическими параметрами, соответствующими обрамлению МКП. Электроды ячейки с помощью экранированных тоководов подключены к стабилизированному источнику напряжения 6 В1-13 (напряжение и до 10005). Для измерения тока в цепи используется электрометрический усилитель 5 типа У5-11 (ток I до 10"12Л, погрешность -

не более 2.5%) и вольтметр 4 типа В7- 40/5. Сопротивление МКП определялось как отношение приложенного постоянного напряжения к протекающему в цепи силе тока.

Установка для исследования высокотемпературной проводимости свойств микроканальных пластин и дисков базовых стекол состоит из горизонтального реактора из кварцевой трубы с резистивным нагревом. В реакто- » ре устанавливается измерительная ячейка с МКП или диском стекла. Ячейка подключена к измерительному тракту, состоящему из стабилизированного < источника напряжения В1-13 и вольтметра В7-40/5. Температура исследуемого образца контролируется хромель-алюмелевой термопарой, установленной рядом с исследуемым образцом.

Вакуумная установка для диагностики резистивных свойств каналов микроканальных пластин изготовлена на базе установки, показанной на рис. 1. Измерение сопротивления единичных каналов проводилось в специально подготовленной ячейке (рис. 2) с помощью зонда, размер которого соизмерим с внутренним диаметром канала МКП (рис. 3). Исследуемые образцы представляли собой очувствленные (восстановленные) вытравленные заготовки (ОВЗ) МКП с односторонним напылением контактного электрода. Последний служил общим контактом для всех каналов. Зонд позиционировался на нужный канал с помощью микроскопа МБС-10 и фиксировался с помощью постоянного магнитного поля. Позиционирование зонда проводилось по разработанной методике.

2

Рис. 2. Ячейка для измерения сопротивления канала МКП

1 - система манипулирования зондом, 2 - пружина, 3 -зонд, 4 - МКП, 5 - нижний контактный электрод МКП, 6 - постоянный магнит, 7 -фланец вакуумной камеры, 8 - токовводы.

ю

щм

Рис. 3. Фотография зонда, установленного на крайний канал МКП 18-10

Установка для измерения сопротивления каналов микроканальной пластины с помощью двух зондов позволяет проводить более точную диагностику электрических свойств каналов с минимизацией возможных утечек тока по соседним каналам. Блок-схема установки и измерительного модуля приведены соответственно на рис. 4, 5. Установка позволяет позиционировать зонды с повышенной точностью, при этом положение зондов можно контролировать в ходе измерений. Другая особенность установки - возможность измерения сопротивления канала в атмосферных условиях. Для этого с помощью лампы-подогревателя 10 формировались атмосферные условия с пониженной влажностью (45-50%). В качестве регистрирующего прибора использовался вольтметр В7-45. Величина прикладываемого к каналу напряжения составляла 15В. Погрешность измерения сопротивления - не более 10%.

Рис. 4. Блок-схема установки для измерения сопротивления канала на ОВЗ с помощью двух зондов.

Latimet Automatic Датчик температуры АЦ9102

Рис. 5. Схема измерительного модуля.

1 - микроскоп, 2 - камера, 3 - система манипуляции верхним зондом, 4 - верхний зонд, 5 - держатель образца, 6 - манипулятор держателя образца, 7 -ОВЗ, 8 - нижний зонд, 9 -система манипуляции нижним зондом, 10 - электрическая лампа-подогреватель, 11 - термопара.

Измерение толщины восстановленного слоя свинцовосиликатного стекла. В настоящей работе проводилось измерение оптическим методом толщины восстановленного слоя наружной стенки ОЖС после процесса ТВВ. Методика заключалась в получении электронной фотографии торца ОЖС и последующем замере его диаметра в графическом редакторе. Для этого измерялся внешний радиус восстановленного стержня ОЖС. Далее восстановленный слой стекла стравливался в растворе плавиковой кислоты и измерялся полученный радиус. Разность полученных радиусов дает толщину восстановленного слоя. Погрешность измерений при увеличении х50 и разрешением 640x480 точек составила не более 0,5л/юи. Процесс легко контролируем за счет разной оптической прозрачности восстановленного и невосстановленного стекол. При травлении происходило отслаивание восстановленного стекла в связи с большей скоростью травления на границе раздела

В третьей главе приведены результаты исследований резистивных характеристик базовых стекол, ОЖС, одиночных каналов и МКП.

Требования к электрическим параметрам МКП. Линейный режим работы МКП соблюдается, если отношение плотности выходного тока увьцг к плотности тока проводимости]Пр удовлетворяет соотношению (4):

^ Ч„Р - 0-05. (4)

Плотность выходного тока зависит от значения плотности входного тока /Вых и коэффициента усиления МКП М:

А« =М-]Вх. (5)

Максимальное усиление МКП в составе ПНВ составляет порядка 200. При освещенности 1-10"3лк плотность входного и выходного токов составляет

2.5-10Л0А/см2 и 5-Ю"8 А/см2. В свою очередь, ток проводимости единичной площади МКП равен:

. _ и

]пР (6)

где - сопротивление МКП площадью 1 см2, и - напряжение на МКП. В ПНВ диапазон рабочего напряжения лежит в пределах 450+7505. Для типовой МКП с диаметром рабочей зоны 18.6лш площадь микроканальной вставки 5 равна 2.5см2. С учетом выражений (4), (5) и (6) оптимальное сопротивление МКП можно определить выражением:

< 0.05 Ц (7)

Подставляя в (7) £/=450.6 получаем, что Л<1.8-108О.м. Таким образом, сопротивление МКП, обеспечивающее линейный режим работы не выше что соответствует нижней границе диапазона сопротивления, определяемого в ТУ на МКП18-10.

Влияние внешних факторов на резистнвные свойства микроканальных пластин. Известно, что присутствие влаги в атмосфере приводит к образованию пленки воды на стеклянных поверхностях. Этот эффект особенно ярко выражен для МКП, имеющей достаточно развитую поверхность (около 0.5м2) и, безусловно, должен влиять на резистивные характеристики МКП. На рис. 6 приведены данные по сопротивлению МКП Я, полученные в разных условиях: от вакуумных до атмосферных с разной относительной влажностью (55%, 70%, 95%). При влажности 55% (кривая 2) сопротивление МКП во времени практически не меняется и в пределах ошибки соответствует значениям, полученным в вакууме (кривая 1).

Рис. 6. Изменение сопротивления МКП Я при разной влажности с течением времени

1 - вакуум, Г10"'Яо

2 - влажность 55%,

3 - влажность 70%,

4 - влажность 95%.

Резистивные характеристики базовых стекол микроканальных пластин. На рис. 7 приведены данные по сопротивлению МКП Л, где сплош-

ной линией показан процесс уменьшения сопротивления МКП вследствие разогрева под действием приложенного напряжения в 10005, а пунктирной линией отображен процесс охлаждения МКП путем напуска в вакуумную камеру воздуха с относительной влажностью не более 55%.

Г?. МОм

Рис. 7. Саморазогрев и охлаждение МКП.

Решение проблемы саморазогрева МКП и анализ высокотемпературной проводимости в зависимости от химической обработки требует изучения поведения в подобных условиях базовых стекол МКП. На рис. 8 приведены данные по ионной проводимости дисков стекол.

Рис. 8. Температурная зависимость удельной проводимости стекла а) С87-2(6Ба4), б) С78-4(МО-34).

Обработка стекла С87-2(6Ба4) 5% раствором ЫаОН повышает проводимость, а обработка 0,1% раствором Ш7 понижает ее. Данные для стекла С78-4(МО-34) не позволяют сделать однозначных выводов о влиянии обработки в тех же растворах. Анализ угловых коэффициентов прямых дает равенство энергий активации (Еа) для всех дисков, которая составила порядка 0,7-0,8эВ. На основании полученных результатов можно сделать вывод, что кроме процесса выщелачивания в ряде случаев происходит переход подвижных ионов из раствора в стекло.

Резистивные характеристики одиночных каналов микроканальных пластин. В ряде работ отмечалось влияние времени ТВВ на наличие дефекта сотовой структуры. На рис. 9 приводятся резистивные профили вдоль диагонали МКС для времени двухступенчатого ТВВ 60 и ИОмин. Полученные профили доказывают предположение о том, что в начале процесса ТВВ ПК характеризуются меньшим сопротивлением по сравнению с ВК (резистивный профиль вдоль диагонали МКС имеет вид выпуклой кривой). Затем ситуация постепенно меняется. С увеличением времени ТВВ сопротивление ВК становится меньше сопротивления ПК, т.е. резистивный профиль принимает вид вогнутой кривой. Наши результаты подтвердили предположение о различной восстанавливаемости ПК и ВК, которое закладывается при изготовлении заготовки МКП, например, при вытяжке МЖС. Очевидно, существует некоторое оптимальное время проведения процесса ТВВ, когда резистивный профиль всех МКС МКП будет иметь вид близкий к горизонтальной прямой. При этом должны минимизироваться вышеназванные дефекты электронного изображения МКП.

Ьк.Ю12Ом

■К'

-♦- I = 60 мин

6

8

ж -я- 1=120

•А.

4

2

точки диагонали МКС Рис. 9. Резистивный профиль МКС МКП.

Резистивные характеристики пограничных и внутренних каналов микроканальных сот МКП18-10. Сопротивление ПК и ВК может отличаться друг от друга в связи с разной их технологической предысторией. Целью данного раздела работы было нахождение разницы в сопротивлениях ПК и ВК методом двух зондов для оценки резистивного фактора в неоднородности их усиления.

Данные по сопротивлению каналов для внешней и внутренней областей МКС приведены на рис. 10-13. Здесь наблюдается уменьшение сопротивления каналов ОВЗ с увеличением времени процесса ТВВ. Следующий за ТВ В отжиг в среде азота приводит к обратному процессу. Для внешней области МКС (рис. 10, ряд 1) заметно значительное возрастание сопротивления после 90-минутного отжига вследствие роста сопротивления монолитного обрамления (МО). Этим объясняется столь большое различие в сопротивлении каналов на границе МО-МКС и МКС-МКС. Образцы, не прошедшие отжиг, характеризуются более стабильными резистивными параметрами. В частности, разница в сопротивлении между ПК (1-3 ряд) и ВК (от 3 ряда и далее) для групп ОВЗ №3 и 4 не наблюдается (рис. 10, 11).

RK,1Q14OM -»-Г

0,00-1—I—1—1—1—1—I—1—1—I—1-

1 23456789 10 № канала

Рис. 10. Сопротивление каналов Як, расположенных по диагонали во внешней области МКС

1 - группа ОВЗ №1, 2 - группа ОВЗ №2, 3 - группа ОВЗ №3, 4 - группа ОВЗ №4.

RK. Ю140м

0.10 0,08 0,06 -0,04 0.02 -I О

^овз

—?л * • • • +

—I-1-1-1-J-1-1-1-1-1-

123456789 10№ канала

Рис. 11. Сопротивление каналов расположенных по диагонали во внутренней области МКС

1 - группа ОВЗ №1, 2 - группа ОВЗ №2, 3 - группа ОВЗ №3, 4 - группа ОВЗ №4.

-5-4-3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 № канала

Рис. 12. Сопротивление каналов RK на границе МО-МКС

1 - группа ОВЗ №1, 2 - группа ОВЗ №2, 3 - группа ОВЗ №3, 4 - группа

№4.

ОВЗ

Ыв канала

Рис. 13. Сопротивление каналов Як на границе МКС-МКС

1 - группа ОВЗ №1, 2 - группа ОВЗ №2, 3 - группа ОВЗ №3, 4 - группа ОВЗ

№4.

Таким образом, использование метода двух зондов позволило приблизить измеряемые значения сопротивления канала к отметке 10йОм. При этом полученные данные о поведении электрических параметров каналов в процессе ТВВ качественно не изменились. Мы предполагали обнаружить ярко выраженное различие в сопротивлении ПК (первые 3 ряда МКС) и ВК в пределах выбранных 10 каналов диагонали МКС (рис. 10-13). Основанием для этого служило наличие сотовой структуры на электронном изображении при работе МКП. Однако это сделать не удалось, так как значительные объемная и поверхностная проводимости ОВЗ приводили к сильной электрической связи соседних каналов. Это не позволило провести детальную диагностику отдельного канала в составе заготовки МКП. К тому же, порог появления сотовой структуры на электронном изображении у МКП оказался достаточно высоким, что, в свою очередь, свидетельствует о минимальном разбросе параметров каналов. Отсюда следует, что для изучения резистивных свойств одного канала необходимо иметь электрически изолированный канал.

Влияние высокотемпературной обработки одножильных стеклянных стержней на их электрическое сопротивление. В данном разделе исследовано влияние высокотемпературного отжига невытравленных ОЖС на их последующее электрическое сопротивление. В табл. 1 приведены режимы высокотемпературной обработки (длительность I, температура обработки Т) на воздухе группы ОЖС из одного стержня, а также средние значения электрического сопротивления (Доже)- Для группы ОЖС, "играющих" роль пограничных каналов МКП. соответствовала более высокая температура отжи-

га, а для группы ОЖС, подобным внутренним каналам, соответствовала более низкая температура.

Табл. 1. Термообработка ОЖС и значения их сопротивлений

№ группы ОЖС Т,°С Ложе, Ю''Ом 1

1 2 570 0.122

2 2 600 0.430

3 2 630 0.549 |

Как известно, обеднение ССС щелочной компонентой должно приводить к лучшей восстанавливаемости (большая проводимость) при ТВВ. Используя данные по изменению резистивного профиля МКС МКП можно утверждать, что различное содержание ионов щелочных металлов в ОЖС обуславливает различную динамику восстановления. При этом изменяются и эмиссионные свойства стекла. Использованные нами в работе режимы ТХО и ТВВ дали нам более высокое сопротивление ОЖС, подобным пограничным каналам. Очевидно, что проведение технологических процессов с иными параметрами (в частности, меньшая длительность) приведет к противоположной ситуации.

Следует уточнить, что обеднение щелочной компоненты происходило только в приповерхностном слое внутренней поверхности ОЖС вследствие контакта с растворимой жилой, которая затем вытравливается при ТХО. Поэтому анализируемые процессы относятся именно к ней. Проводимость же ОЖС складывается из проводимости внешней и внутренней поверхностей. Внешняя поверхность проходила лишь отжиг на воздухе. Как известно, отжиг стекла также приводит к модификации структуры. Здесь имеют место другие процессы, вызывающие перестройку структуры стекла и, соответственно, изменение электрических свойств.

Влияние технохимической обработки одножильных стеклянных стержней на электрическое сопротивление. Известно, что электрические параметры РЭС МКП зависят от режимов ТХО. В связи с этим, определено влияние стадий ТХО на электрическое сопротивление (Ложе) и толщину восстановленного слоя (<5) ОЖС. Средние значения полученных результатов приведены в табл. 2.

Табл. 2. Толщина восстановленного слоя и электрическое

сопротивление ОЖС

[№ группы ОЖС Технологический раствор 8, мкм Коже, Ю15Ом

1 НС1 7.0 0.300

2 ЫаОН 9.0 0.287

1 3 Ш03 6.0 0.108 ]

Из этих данных следует, что ОЖС, обработанный раствором соляной кислоты, после ТВВ имеет восстановленный слой определенной толщины. Последующая обработка в щелочном растворе увеличивает толщину восстановленного слоя, снижая сопротивление ОЖС. Наличие в ТХО азотной кислоты существенно повышает проводимость ОЖС, причем образцы после полной ТХО обладают минимальным разбросом значений электрического сопротивления, а толщина восстановленного слоя уменьшилась. Отсюда следует, что проводимость ССС стекла не зависит от глубины проработки при ТВВ.

Полученные результаты подтверждают выводы о том, что соляная кислота создает пористый (капиллярный) слой, способствующий более глубокому проникновению водорода, а щелочной раствор разрабатывает эти капилляры, увеличивая удельную поверхность, тем самьм, улучшая условия доступа водорода. Это, в свою очередь, увеличивает толщину восстановленного слоя и приводит к росту проводимости. Азотная кислота эффективно снимает верхний полуразрушенный слой, улучшая параметры пористого слоя. В итоге, образуется слой меньшей толщины с повышенной плотностью и проводимостью.

Основные результаты и выводы диссертационной работы

1. Разработаны оригинальные методики, ориентированные на изучение резистивных свойств ОЖС, единичного канала МКП, заготовок МКП и МКП в целом. Показана возможность измерения электрических параметров МКП и их заготовок в атмосферных условиях с относительной влажностью не более 55%.

2. Установлены причины падения электрического сопротивления МКП при рабочем напряжении в условиях работы прибора применения. При высоких температурах (более 200°С) сопротивление МКП может уменьшиться в сотни раз вследствие ионной проводимости.

3. Показано, что химическая обработка базовых стекол и, следовательно, заготовок МКП влияет на высокотемпературную ионную проводимость при неизменной энергии активации электропроводности. Обработка в 5%-растворе №ОН и 0.1%-раствое НБ способна изменить электрическое сопротивление (1.19МОм и ЗЗ.ЗЗМОм соответственно для стекол С87-2(6Ба4) и С78-4(МО-34) при температуре 300°С) на два порядка.

4. Установлено, что пограничные и внутренние каналы МКП характеризуются различным поведением при ТВВ и отжиге в среде азота. ПК и ВК МКП с лучшими электрическими параметрами

имеют минимальный разброс сопротивлений. Различие в электрических параметрах ПК и ВК закладывается на вытяжке МЖС. Это связано с различной интенсивностью диффузионных процессов в системе жила С78-5(Х-230)-оболочка С87-2(6Ба4) на поверхности и внутри перетягиваемого пучка ОЖС, обусловленной градиентом температур при радиационном нагреве.

5. Моделирование процесса вытяжки МЖС позволяет сделать вывод о том, что разные температуры предварительного отжига не-вытравленных ОЖС вызывают разную динамику восстановления (увеличения проводимости) при ТВВ и окисления атомарного свинца (уменьшения проводимости) при отжиге в среде азота. Градиент температуры в 60"С приводит к изменению сопротивления при ТВВ ОЖС в несколько раз (от 0.122-1015Ом до 0.549-1015 Ом).

6. Отжиг в среде азота сформированного РЭС может отрицательно влиять на резистивные характеристики. Увеличение сопротивления при отжиге связано с окислением сегрегированного на внутреннюю поверхность канала свинца.

7. Показано, что соляная кислота создает пористый (капиллярный) слой в стекле С87-2(6Ба4), способствующий более глубокому проникновению водорода (1мкм), а щелочной раствор прорабатывает эти капилляры, увеличивая удельную поверхность и, тем самым, улучшая условия доступа водорода. Это, в свою очередь, увеличивает толщину восстановленного слоя (9 мкм) и приводит к росту проводимости. Азотная кислота эффективно снимает верхний полуразрушенный слой, уменьшая пористость. В итоге получается более плотный поверхностный слой меньшей толщины (бмкм) с повышенной проводимостью.

Результаты исследований диссертационной работы используются во Владикавказском технологическом центре "Баспик".

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих публикациях:

1. Аккизов Ю.А., Гонов С.Ж., Хатухов A.A. Увеличение чувствительности ЭЛТ 11Л09И. // Вестник Кабардино-Балкарского государственного университета. Серия Физические науки. Вып. 5. Нальчик: Кабардино-Балкарский государственный университет, 2000, с. 56-57.

2. Хатухов A.A., Макаров E.H., Ашхотов О.Г. Влияние отжига ОВЗ на внешний ввд и параметры МКП. // Тез. докладов Российской конференции

"Приборы и техника ночного видения", 10-15 июля 2002г. Нальчик, 2002, с. 61.

3. Хатухов A.A., Ашхотов О.Г. Сопротивление пограничных и внутренних каналов микроканальных пластин. // Вестник Кабардино-Балкарского государственного университета. Серия Физические науки. Вып. 7. Нальчик: Кабардино-Балкарский государственный университет, 2002, с. 28-29.

4. Хатухов A.A., Ашхотов О.Г. Резистивные характеристики пограничных и внутренних каналов микроканальных сот МКП18-10. // Электронный журнал "Исследовано в России", 24, 2003, с. 245-259. http://zhurnal.ape.relam.ru/articles/2003/024.pdf

5. Хатухов A.A., Ашхотов О.Г. Измерение сопротивления каналов микроканальных пластин с минимизацией токов утечки. // Прикладная физика, № 4,2003, с. 123-125.

6. Хатухов A.A., Ашхотов О.Г., Ашхотова И.Б. и др. Влияние высокотемпературной обработки одножильных стеклянных стержней на их электрическое сопротивление. // Сб. докладов Международного научно-практического симпозиума "Функциональные покрытия на стеклах", Харьковская научная Ассамблея, 21-26 апреля 2003 г. Харьков, 2003, с. 118-119.

7. Хатухов A.A., Ашхотов О.Г., Бояджиди В.Ю. и др. Влияние технохимиче-ской обработки одножильных стеклянных стержней на электрическое сопротивление. // Известия ВУЗов. Северо-Кавказский регион. №4, 2003, с. 41-43.

Подписано в печать 31.10 .03 г. Тираж 100 экз. Заказ № 3948. Полиграфическое подразделение КБГУ 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173

а^о? -а

*17б

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ АНАЛИЗ ИССЛЕДОВАНИЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ СТЕКОЛ.

1.1. Требования к свинцовосиликатным стеклам как основному материалу микроканальных пластин.

1.2. Механизмы электропроводности стекол.

1.2.1. Ионная проводимость стекол.

1.2.2. Электронная проводимость стекол.

1.3. Сопротивление и коэффициент вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол.

1.4. Особенности перехода от свинцовосиликатных стекол к микроканальным пластинам.

1.5. Выводы к главе 1.

2. УСТАНОВКИ, МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ОЦЕНКИ РЕЗИСТИВ-НЫХ СВОЙСТВ БАЗОВЫХ СТЕКОЛ, ОДНОЖИЛЬНЫХ СТЕКЛЯННЫХ СТЕРЖНЕЙ, ОДИНОЧНЫХ КАНАЛОВ И МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН.

2.1. Технология изготовления микроканальных пластин и объекты исследования.

2.2. Установка термоводородного восстановления.

2.3. Климатическая камера диагностики резистивных свойств микроканальных пластин.

2.4. Установка измерения резистивных свойств микроканальных пластин и дисков базовых стекол.

2.5. Установка для исследования высокотемпературной проводимости микроканальных пластин и дисков базовых стекол.

2.6. Вакуумная установка для диагностики резистивных свойств каналов микроканальных пластин.

2.7. Установка для измерения сопротивления каналов микроканальной пластины с помощью двух зондов.

2.8. Установка для измерения сопротивления одножильных стеклянных стержней.

2.9. Измерение толщины восстановленного слоя свинцовосиликат- 75 ного стекла.

3.0. Математическая обработка экспериментальных результатов.

3. РЕЗИСТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БАЗОВЫХ СТЕКОЛ, ОДНОЖИЛЬНЫХ СТЕКЛЯННЫХ СТЕРЖНЕЙ, ОДИНОЧНЫХ КАНАЛОВ И МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН.

3.1. Требования к электрическим параметрам МКП. Расчет электрического сопротивления МКП.

3.2.Влияние внешних факторов на резистивные свойства микроканальных пластин.

3.3. Резистивные характеристики базовых стекол микроканальных пластин.

3.4. Резистивные характеристики одиночных каналов микроканальных пластин.

3.5. Резистивные характеристики пограничных и внутренних каналов микроканальных сот МКП 18-10.

3.6. Переход от канала микроканальной пластины к одножильному стеклянному стержню. Предварительные оценки электрического сопротивления одножильного стеклянного стержня.

3.7. Влияние высокотемпературной обработки одножильных стеклянных стержней на их электрическое сопротивление.

3.8. Влияние техно-химической обработки одножильных стеклянных стержней на электрическое сопротивление.

Актуальность темы. Микроканальные пластины (МКГТ) - компоненты электронной техники, предназначенные для работы в вакууме в качестве многоканальных детекторов, преобразователей и вторично-электронных усилителей пространственно-организованных потоков заряженных частиц и излучений. Благодаря ряду уникальных свойств МКП находят все возрастающее применение в различных областях науки и техники, прежде всего, как усилители электронных изображений в электронно-оптических преобразователях (ЭОГТ), предназначенных для приборов ночного видения (ПНВ) [1-5]. МКП - особо сложное стеклянное изделие, требующее прецизионной технологии изготовления [5-9] и, поэтому на МКП налагается ряд жестких требований, таких как совершенство геометрической структуры каналов и однородность их усиления. Ситуация усложняется малыми размерами диаметра л л каналов МКП (до 5мкм) и огромной (10 м и выше) плотностью. Поэтому всего несколько производителей в мире способны выпускать качественные МКП.

Для нормального функционирования МКП должна обладать рядом вполне определенных электрофизических параметров, определяемых спецификой работы в составе ЭОП. Любое изменение этих параметров (вследствие погрешностей в технологии, либо из-за воздействия внешних и внутренних факторов на определенной стадии изготовления) приводит к ухудшению работоспособности МКП.

Для обеспечения лучших электронно-оптических параметров МКП требуется оптимально подобранная технология для используемых базовых стекол. Известно, что окончательное формирование резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов МКП происходит на этапе термоводородного восстановления (ТВВ). Варьируя параметрами температурных полок можно в большей или меньшей степени корректировать параметры МКП. Поэтому особенно актуально исследование влияния этого процесса. Однако не следует преуменьшать роль остальных операций технологической цепи, так как формирование параметров происходит на протяжении всего технологического маршрута изготовления МКП [1, 5-9]. Все электрофизические свойства стекла, в том числе и восстанавливаемость на этапе ТВВ, закладываются на стадии изготовления заготовок МКП и их последующей ТХО.

В связи с этим, решение проблемы формирования для МКП оптимальных электронно-оптических параметров выдвигает требование комплексного исследования закономерностей формирования резистивных свойств на всем технологическом маршруте производства.

Цель диссертации заключается в определении закономерностей формирования резистивных свойств МКП путем исследования заготовок МКП на основных этапах технологического процесса изготовления.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Изучить и проанализировать результаты исследований резистивных свойств поверхности свинцовосиликатных стекол и МКП, полученные разными методами и авторами.

2. Изготовить модули и разработать методики для измерения электропроводности МКП и ее заготовок.

3. Экспериментально исследовать влияние внешних факторов и основных технологических процессов на резистивные свойства базовых стекол в виде дисков, одножильных стеклянных стержней (ОЖС), а также МКП.

4. Предложить пути оптимизации технологии производства МКП с целью минимизации воздействия резистивного фактора на формирование дефектов электронного изображения.

Методы исследований. В работе использованы разработанные автором модули и методики определения резистивных характеристик заготовок

МКП, а также схема моделирования технологических процессов производства МКП.

Научная новизна:

1. Установлено, что химическая обработка базовых стекол С87-2(6Ва-4) и С78-4(МО-34) и, следовательно, заготовок МКП влияет на высокотемпературную ионную проводимость, при неизменной энергии активации электропроводности.

2. Показано различие в свойствах (электрическое сопротивление) пограничных каналов (ПК) и внутренних каналов (ВК) микроканальных сот (МКС) МКП, обусловленное градиентом температур при радиационном нагреве перетягиваемого пучка ОЖС. Различие сохраняется на стадии ТВВ и при термическом отжиге в среде азота.

3. Выявлено влияние технологических процессов на сопротивление единичного канала МКП18-10, ОЖС и МКП18-10 в целом. Практическая ценность работы:

1. Разработаны оригинальные модули и методики оценки электрического сопротивления ОЖС и единичного канала в составе заготовки МКП.

2. Проведено моделирование техно-химических процессов в единичных каналах с использованием ОЖС. Смоделированы условия процесса вытяжки многожильных стеклянных стержней (МЖС) для ПК и ВК МКП с использованием ОЖС и показана основная причина различия их электрических свойств.

3. Полученные результаты применяются в технологическом процессе производства МКП, включая стадию хранения готовой продукции на атмосфере при относительной влажности не более 55%.

4. Результаты исследований диссертационной работы используются при выполнении НИОКР по теме "Миллиард" в ВТЦ "Баспик", г. Владикавказ.

На основе проведенного анализа полученных результатов по поведению электрического сопротивления на этапах технологического процесса изготовления МКП сформулированы требования к технологическим операциям, выполнение которых позволит улучшить электронно-оптические параметры МКП и решить проблемы минимизации дефектов электронного изображения, обусловленных резистивным фактором. Положения, выносимые на защиту:

1. Оригинальные модули и методики для изучения резистивных свойств ОЖС, единичного канала МКП, заготовок МКП и МКП в целом.

2. Причины падения электрического сопротивления МКП при рабочем напряжении в условиях работы прибора применения.

3. Влияние химической обработки базовых стекол на ионную проводимость.

4. Поведение сопротивления ПК и ВК на разных стадиях ТВВ и отжига в среде азота. Причины различия электрических параметров ПК и ВК.

5. Влияние высокотемпературной обработки на сопротивление ОЖС при ТВВ.

6. Влияние ТХО на сопротивление и толщину восстановленного слоя ОЖС при ТВВ.

Апробация результатов. Основные результаты докладывались на конференции "Естествознание и перспективные технологии 21 века" (Нальчик, 2001 г.), Региональной конференции "Вакуумная электроника на Северном Кавказе" (Нальчик, 2001 г.), Российской конференции "Приборы и техника ночного видения" (Нальчик, 2002 г.), Международном научно-практическом симпозиуме "Функциональные покрытия на стеклах" (Харьков, 2003 г.), Научном семинаре факультета микроэлектроники и компьютерных технологий КБГУ "Физика поверхности и проблемы микроэлектроники" (Нальчик, 2000-2003 гг.), Научном семинаре Владикавказского технологического центра БАСПИК (Владикавказ, 2000-2003 гг.).

Публикации. Результаты диссертационный работы опубликованы в 7 публикациях [10,12, 14-18].

Объем диссертации. Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, трех глав, заключения, библиографического списка использованной литературы (145) и приложения. Общий объем диссертации 136 страниц, 56 рисунков и 9 таблиц.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Разработаны оригинальные методики ориентированные на изучение резистивных свойств ОЖС, единичного канала МКП, заготовок МКП и МКП в целом. Показана возможность измерения электрических параметров МКП и их заготовок в атмосферных условиях с относительной влажностью не более 55%.

2. Установлены причины падения электрического сопротивления МКП при рабочем напряжении в условиях работы прибора применения. При высоких температурах (более 200°С) сопротивление МКП может уменьшиться в сотни раз вследствие ионной проводимости.

3. Показано, что химическая обработка базовых стекол и, следовательно, заготовок МКП влияет на высокотемпературную ионную проводимость при неизменной энергии активации электропроводности. Обработка в 5%-растворе NaOH и 0.1%-раствое HF способна изменить электрическое сопротивление (1.19МОм и ЪЪЗЪМОм соответственно для стекол С87-2(6Ба4) и С78-4(МО-34) при температуре 300°С) на два порядка.

4. Установлено, что пограничные и внутренние каналы МКП характеризуются различным поведением при ТВВ и отжиге в среде азота. ПК и ВК МКП с лучшими электрическими параметрами имеют минимальный разброс сопротивлений. Различие в электрических параметрах ПК и ВК закладывается на вытяжке МЖС. Это связано с различной интенсивностью диффузионных процессов в системе жила С78-5(Х-230)-оболочка С87-2(6Ба4) на поверхности и внутри перетягиваемого пучка ОЖС, обусловленной градиентом температур при радиационном нагреве.

5. Моделирование процесса вытяжки МЖС позволяет сделать вывод о том, что разные температуры предварительного отжига невытрав-ленных ОЖС вызывают разную динамику восстановления (увеличения проводимости) при ТВВ и окисления атомарного свинца (уменьшения проводимости) при отжиге в среде азота. Градиент температуры в 60°С приводит к изменению сопротивления при ТВВ ОЖС в несколько раз (от 0.122-10хьОм до 0.549-1015 Ом).

6. Отжиг в среде технически чистого азота сформированного РЭС может отрицательно влиять на резистивные характеристики. Увеличение сопротивления при отжиге связано с окислением сегрегированного на внутреннюю поверхность канала свинца.

7. Показано, что соляная кислота создает пористый (капиллярный) слой в стекле С87-2(6Ба4), способствующий более глубокому проникновению водорода ('1мкм), а щелочной раствор прорабатывает эти капилляры, увеличивая удельную поверхность и, тем самым, улучшая условия доступа водорода. Это, в свою очередь, увеличивает толщину восстановленного слоя (9 мкм) и приводит к росту проводимости. Азотная кислота эффективно снимает верхний полуразрушенный слой, уменьшая пористость. В итоге получается более плотный поверхностный слой меньшей толщины (бмкм) с повышенной проводимостью.

1. Кулов С.К. Микроканальные пластины для электронно-оптических преобразователей. -Владикавказ: СКГТУ, 1998. -196 с.

2. Шаген П. ЭОП с канальным электронным умножением // Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений. -М.: Мир, 1978.-Т. 1.-С. 13-87.

3. Дмитриев В.Д., Лукьянов С.М. и др. Микроканальные пластины в экспериментальной физике (обзор) // Приборы и техника эксперимента.-1982. -№ 2.-С. 7-18.

4. Брагин Б.И., Меламид А.Е. Канальные электронные умножители и микроканальные пластины // Итоги науки и техники. Серия "Электроника и ее применение". -1977. -Т. 5. -С. 102-133.

5. Кулов С.К., Романов Г.П., Петровский Г.Т., Попов М.Н. Микроканальные пластины // Электронная промышленность. -1989. -№ 3. -С. 13-17.

6. Саттаров Д.К. Основы физики МКП, их параметры и применение // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., 1983.-С. 9-13.

7. Петровский Г.Т., Кулов С.К., Ягмуров В.Х. и др. О направлениях совершенствования конструкции и технологии МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. -М., 1990. -С. 220-224.

8. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Канчиев З.И. и др. Основные принципы технологии МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. -М., 1983. -С. 53-55.

9. Канчиев З.И., Кулов С.К., Кутасов В.А. и др. Новые направления технологии МКП // Оптический журнал. -1993. -№ 3. -С. 64-69.

10. Аккизов Ю.А., Гонов С.Ж., Хатухов А.А. Увеличение чувствительности ЭЛТ 11Л09И // Вестник Кабардино-Балкарского государственного университета. Сер. Физические науки. -Нальчик: Кабардино-Балкарский государственный университет, 2000. -Вып. 5. -С. 56-57.

11. Хатухов А.А., Ашхотов О.Г. Влияние внешних факторов на ре-зистивные свойства микроканальных пластин // Вакуумная электроника на Северном Кавказе: Тез. докл. региональной конф., 2429 сентября 2001 г. -Нальчик, 2001. С. 40.

12. Хатухов А.А., Макаров Е.Н., Ашхотов О.Г. Влияние отжига ОВЗ на внешний вид и параметры МКП. // Приборы и техника ночного видения: Тез. докл. Российской конф., 10-15 июля 2002г. -Нальчик, 2002.-С. 61.

13. Хатухов А.А., Ашхотов О.Г. Резистивные характеристики базовых стекол МКП и их одиночных каналов // Микроканальные пластины. -Владикавказ, 2002. -С. 256-262.

14. Хатухов А.А., Ашхотов О.Г. Резистивные характеристики пограничных и внутренних каналов микроканальных сот МКП18-10 //

15. Электронный журнал "Исследовано в России". -2003. -№24. -С. 245-259. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/024.pdf

16. Хатухов А.А., Ашхотов О.Г. Измерение сопротивления каналов микроканальных пластин с минимизацией токов утечки // Прикладная физика. -М, 2003. -№4. -С. 123-125.

17. Хатухов А.А., Ашхотов О.Г., Бояджиди В.Ю. и др. Влияние техно-химической обработки одножильных стеклянных стержней на электрическое сопротивление // Известия вузов. СевероКавказский регион. -2003. -№4. -С. 41-43.

18. Файнберг E.JI. Химический состав фазы, восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде //ЖПХ. -1965. -Т. 38, № 10. -С. 2192-2196.

19. Артамонов О.М., Саттаров Д.К., Смирнов О.М. и др. Исследование восстанавливающихся свинцовосиликатных стекол методом спектроскопии медленных электронов // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, №4. -С. 450-476.

20. Тютиков A.M. О режиме восстановления некоторых свинцовосиликатных стекол, используемых для изготовления микроканальных пластин // ОМП. -1974. -№ 9. -С. 41-45.

21. Гречаник JI.А.//Вопросы радиоэлектроники. Сер. 1 «Электроника». -1962. -Вып. 9. -С. 109.

22. Гречаник Л.А. //ОМП. -1973. -№ 1. -С. 41.

23. Trap J.L. // Venes et refractaires. -1969. -V. 23, № 1. -P. 28-42.

24. Щукарев C.A., Мюллер Р.Л. Исследование электропроводности стекол. Система В203 + Na20 // ЖФХ. -1930. -Т.1, вып. 6. -С.625-661.

25. Иоффе А.Ф. Физика кристаллов. -М., 1929. -100 с.

26. Muller R.L. // Z. Phys. -1932. -N 1. -P. 407.

27. Маркин Б.И., Мюллер Р.Л. Исследование электропроводности стеклообразных боратов щелочных металлов // ЖФХ. -1934. -Т. 5, вып. 7.-С. 1262-1271.

28. Lehfeldt В. //Z. Phys. -1933. -N 85. -Р. 717.

29. Samsoen et Mondain-Monval // Compt. rendu. -1926. -N 187. -P. 967.

30. Samsoen, Spaght, Parks // J. phys. Chem. -1934. -N 38. -P. 103.

31. Schonborn // Z. Physik. -1924. -N 22. -P. 305.

32. Jenkel E. // Z. Elektrochem. u. angew. phys. chem. -1934. -N 40. -P. 541.

33. Jost K. //J. chem. Physics. -1933. -N 1. -P. 466.

34. Joffe A. Tubandt. Handbuch d. Experimentalphysik // Z. Phys. -1930. -Т. I, s. 442. -P. 740.

35. Фаянс К. // Успехи физич. наук. -1926. -№5. -С. 294.

36. Lorenz R. u. Kaufler F. // Elektrochemie geschmolzener Salze. -1909. -Nl.-P. 60.

37. Eitel W. // Physik. Chem d. Silikate. Leipzig, 1929. -S. 91.

38. Schmidt A. // Z. Elektrochem. -1924. -S. 30. -P. 440.

39. Hevesy M. //Z. Elektrochem. -1933. -S. 34, -P. 464.

40. Мельникова И.Г., Кузнецов A.JI., Бринберг B.A. Влияние небольших добавок окислов на электропроводность стекол // ЖФХ. -1950.-№11.-С. 20-24.

41. Евстропьев К.С. // Изв. АН СССР. -1940. -№ 4. -С. 4-8.

42. Химия твердого тела. Л., 1965.

43. Мюллер Р.Л. Электроповодность стеклообразных веществ. Л., 1968.-251 с.

44. Леко В.К. Влияние силы поля катиона на структуру и электрические свойства силикатных стекол // Стеклообразное состояние. -М.-Л.: Наука, 1995. -С. 280-283.

45. Леко В.К. Электрические свойства и структура литиевых, натриевых и калиевых силикатных стекол // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1967. -Т. 3, № 7. -С. 1224-1229.

46. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах: В 2 ч. -М.: Мир, 1982. -Ч. 1-2.

47. Самотейкин В.В., Гладушко О.А. Особенности электропроводности щелочно-силикатных стекол // Стекло и керамика. -2002. -№ 1. -С. 7-9.

48. Мазурин О.А., Стрельцина М.В., Швайко-Швайковская Т.П. Свойства стекол и стеклообразующих расплавов: Справ.-Л.: Наука, 1973.-Т.1.-444 с.

49. Никулин В.Х., Сигаев В.Н., Айнетдинова Р.И. и др. Зависимость электросопротивления малощелочных боросиликатных стекол от их состава // Физ. и хим. стекла. -1986. -Т. 12, № 1. С. 37-41.

50. Voldan I. Vergleich der Entmischungsgebiete in den R20-Br203-Si02 Systemen // Proc. XI Intern. Congress on Glass. -Prague, 1977. -V. 2. -P. 57-67.

51. Галахов Ф.Я., Аверьянов В.И., Вавилова B.T. и др. Области ме-тастабильной ликвации в системах K20(Rb20, Cs20)-B203-Si02 // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 1. -С. 38-41.

52. Голубков В.В., Титов A.JI., Василевская Т.Н., Порай-Кошиц Е.А. О структуре щелочеборатных стекол по данным рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами // Физ. и хим. стекла. -1978. -Т. 4, № 6. -С. 633-642.

53. Василевская Т.Н., Голубков В. В., Порай-Кошиц Е.А. О ликвации и субмикронеоднородной структуре стекол системы B203-Si02 //Физ. и хим. стекла. -1980. -Т. 6,№ 1. С. 51-59.

54. Титов А.П., Голубков В.В., Порай-Кошиц Е.А. О структуре расплавов натриево-боратной системы // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, №5.-С. 544-553.

55. Porai-Koshits Е.А., Golubkov V.V., Titov А.P., Vasilevskaya T.N. The microstructure of some glasses and melts // J. Non-Crystalline Solids. -1982. -V. 49, N 1-3. -P. 143-156.

56. Соколов И.А., Мурин И.В., Мельникова H.A. и др. Электрические свойства и строение стекол системы xNa20-(l-x)2Pb0-B203 // Физ. и хим. стекла. -2002. -Т. 28, № 4. -С. 340-347.

57. Соколов И.А., Мурин И.В., Нараев В.Н. и др. О природе носителей электрического тока в бесщелочных стеклах на основе оксидов кремния, бора и фосфора // Физ. и хим. стекла. -1999. -Т. 25, №5.-С. 593-612.

58. Curtis H.K. // Bull. Bur. Standards. -1914. -N11. -P.359.

59. Fulda M. // Sprechsaal. -1927. -N60. -P. 853.

60. Гуткин Н.Г., Евстропьев K.C., Кузнецов А .Я. // ЖТФ. -1952. -№22. —С.1318.

61. Бокшаи 3., Варга М. Поверхностная проводимость выщелоченных стекол // Физ. и хим. стекла. -1975. -Т. 1, № 6. -С. 24-26.

62. Wikby A., Johansson G. // J. Electroanal. Chem. -1972. -N38. -P. 429.

63. Wikby A. // Phys. Chem. Glasses. -1974. -N15. -P. 37.

64. Denton E.P., Rawson H., Stanworth J.E. Vanadate glasses. // Nature. -1954. -V. 173, N4410. -P. 1030-1032.

65. Baynton P.L., Rawson H., Stanworth J.E. Glasses based on oxides of molybdenium, tungsten and uranium //Nature. -1956. -V. 178, N 4527. -P. 910-911.

66. Baynton P.L., Rawson H., Stanworth J.E. Semiconducting properties of some vans-date glasses // J. Electrochem. Soc. -1957. -V. 104, N 4. -P. 237-240.

67. Мазурин O.B., Павлова Г.А., Лев Е.Я., Леко Е.К. Силикатные стекла с электронной проводимостью // ЖТФ. -1957. -Т. 27, № 12. -С. 2702-2703.

68. Weyl W.A. Coloured glasses. Sheffild, 1951. 541 p.

69. Sterels J.M. Iron in glass. // Proc. Intern. Comrniss. of glasses. -1954. -V. 1, N 3. -P. 68-76.

70. Mackenzie J.D. Semiconducting glasses // In: Modern aspects of the vitreous state.- London, 1964. -P. 126-148.

71. Зерцалова И.Н., Файнберг Е.А., Гречаник JI.A. О характере изменения энергии активации и объемной электропроводности твердых стекол в связи с механизмом переноса тока // Электрические свойства и строение стекла. -M.-JI., 1964. -С. 30-35.

72. Owen А.Е. Electrical properties of glasses. // J. Non-Crystalline Solids. -1977. -V. 25, N 1-3. P. 370-423.

73. Chung C.A., Mackenzie J.D., Murawski L. Electrical properties of Semiconducting oxicle glasses // Rev. Chim. Miner. -1979. -T. 16, N8. -P. 308-327.

74. Murawski L. Electrical conductivity of iron-containing oxide glasses //J. Mater. Sci. -1982. -V. 17, N 8. P. 2155-2163.

75. Евстропьев К.К. Итоги симпозиума «Электрические свойства и строение стекла» // Стеклообразное состояние. -M.-JI., 1965. С. 273-277.

76. Евстропьев К.К., Цехомский В.А. О влиянии щелочного окисла на электронную проводимость железосодержащих стекол // ФТТ. -1962. -Т. 4, № 12. -С. 3390-3395.

77. Белюстин А.А., Писаревский A.M., Шульц М.М., Никольский Б.П. Стеклянный электрод, чувствительный к изменению окислительного потенциала раствора // ДАН СССР. -1964. -Т. 154, № 2. -С. 404-406.

78. Owen А.Е. Electronic conduction mechanism in glasses // Glass Industry. -1967. -V. 48, N 11. -P. 637-642.

79. Ершов E.C., Панус B.P., Шульц M.M. Соотношение параметров электропроводности стекла и природа носителей заряда // Изв. АН СССР. Неорган, матер. -1975. -Т. 11, №9. -С. 1681-1685.

80. Trap H.J.L., Stevels J.M. Ionic and electronic conductivity of some new types glass-like materials // Phys. Chem. Glasses. -1963. -V. 4, N 5.-P. 193-205.

81. Matt N F. Conduction in glasses containing transition metal ions // J. Non-Crystalline Solids. -1968. -V. 1, N 1. -P. 1-17.

82. Момм H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. -М., 1974. -427 с.

83. Писаревский A.M., Андреенко А.В. Электрохимия электронопроводящих оксидных стекол. Составы стекол и параметры электропроводности // Физ. и. хим. стекла. -1986. -Т. 12, № 2. -С. 129142.

84. Yoshida Т., Matsumoto К., Hirashima Н. Electric conduction and switching of the glass in the system CUO-V2O5-P2O5 // Yogyo-Kyokai-Shi. -1979. -V. 87, N 7. P. 349-355.

85. Gzowski O., Murawski L., Lizak W., Binczycka H., Sawicki J. Electrical conductivity of phosphate glasses containing two transition metal oxides//J. Phys. Appl. Phys. -1981. -V. 14. -P. 77-80.

86. Chomka W., Samatowicz D., Gzowski O., Murawski L. Internal friction and electrical conductivity of phosphate glass with two TM oxides //J. Non-Crystalline Solids. -1981. -V. 45. -P. 145-148.

87. Пронкин A.A., Коган B.E., Мясников И.А. и др. Электрическая проводимость стекол систем Ме'О-Ме'Ю-ВгОз // Физ. и хим. стекла. -1988. -Т. 14, № 5. -С. 787-789.

88. Догонадзе P.P., Кузнецов A.M., Черненко А.А. Теория гомогенных и гетерогенных электродных процессов в жидкостях // Успехи химии. -1965. -Т. 34, № 10. -С. 1779-1812.

89. Догонадзе P.P. Квантовая теория химических реакций в полярной жидкости. -М., 1973. -63 с.

90. Cannon R.D. Electron transfer reactions. -London, 1980. -351 p.

91. Мазурин O.B. Электрические свойства стекол. -Л., 1962. -162 с.

92. Hansen K.W. Semiconduction in iron phosphate glasses // J. Electro-chem. Soc. -1965. -V. 112, N 10. -P. 994-996.

93. Цехомский. B.A. Полупроводниковые стекла на основе окислов железа и титана: Автореф. дис. канд. техн. наук. -Л., 1966. -22 с.

94. Волков С.Е., Писаревский A.M., Асюнькина Т.Г., Шульц М.М. Титаносиликатные электронопроводящие стекла, включающие окислы щелочных металлов // Физ. и хим. стекла. -1975. -Т. 1, № 2. -С. 168-174.

95. Hayashi Т., Saito Н. Structure and electrical properties of Ti02-Ti203-P205 glasses // Phys. Chem. Glasses. -1979. -V. 20, N 5. -P. 108-114.

96. Nester H.H., Kingery N.D. Electrical conduction in vanadium oxide glasses // Congress on Glass. Brussels. VII Intern. -1965. -P. 106.00106.10.

97. Anderson R.A., MacCrone R.K. Electronic relaxation in the PbO-Si02-Fe203 glass system // J. Non-Crystalline Solids. -1974. -V. 14, N l.-P. 112-130.

98. Rawal B.S., MacCrone R.K. Electrical conductivity and structure of barium boro-silicate glasses, containing Ti ions // J. Non-Crystallino Solids. -1978. -V. 28, N 3. -P. 347-368.

99. Hamblen D.P., Weidel R.A., Blair G.E. Preparation of ceramic semiconductors from high vanadium glasses //J. Amer. Ceram. Soc. -1963. -V. 46, N 10. -P. 499-505.

100. Шкловский Б.И., Эфрос A.J1. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979. -416 с.

101. Волков С.Е. Электрические и электродные свойства силикатных стекол, включающих окислы железа и титана: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. -Л., 1974. -24 с.

102. Краевский С.Л., Евдокимова Т.Ф., Шишменцева Э.В. Электро-хромизм висмут-фосфатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1982. -Т. 8, №5.-С. 565-571.

103. Краевский С.Л., Евдокимова Т.Ф., Солинов В.Ф., Шишменцева Э.Ф. Электронно-ионные процессы в электрохромных стеклах // Физ. и хим. стекла. -1978. -Т. 4, № 3. -С. 326-330.

104. Вагдасарова Г.С., Белюстин А.А., Писаревский A.M. Электродные свойства литиевожелезосиликатных стекол // Электрохимия. -1968. -Т. 4, № 11. -С. 1328-1335.

105. Shun F., Zhou S., Chan F. Electrical properties of glasses in the Na20-Fe0n- B203-Si02 system // J. Non-Ciystalline Solids. -1982. -V. 52, N1-3.-P. 435-445.

106. Austin I.G., Garbett E.S. Amorphous transition metal oxides // Electronic and structure properties of amorphous semiconductors. -London, 1973. -P. 393-408.

107. Ruggieri D.J. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1972. -V.19, № 3. -P. 74.

108. Тютиков A.M., Королев H.B., Тоисеева M.H. и др. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол // ОМП. -1980. -№ 4. -С. 11-13.

109. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies on channel glass surfaces // Adv. Electronics Electron Phys. -1976. -V. 40A. -P. 153-165.

110. Саттаров Д.К. // Прикладная химия. -1978. -T.51, № 4. -С. 933935.

111. Улько Ю.Н. // Электронная техника. Сер. Материалы. -1975. -Вып. 1. -С. 87.

112. Тютиков A.M., Лобанова Н.В., Тоисева М.Н. и др. Исследование связи эмиссионных свойств свинцовосиликатных стекол с их составом и структурой // Физ. и хим. стекла. -1979. -Т. 5, № 5. -С.628-631.

113. Тютиков A.M., Шуба Ю.А. Измерение малых фототоков при исследовании фотоэлектронной эмиссии // Оптика и спектр. -1960. -Т. 9, №5.-С. 631-634.

114. Королев Н.В., Меньшикова Е.М., Гинзбург С.К. и др. Послойный спектральный анализ изломов литой стали // ДАН СССР. -1975.-№ 5. -С. 1082-1084.

115. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. -М., 1959. -223 с.

116. Trap H.F.L., Stevels F.M. Les verres a conductibilite electronique, leurs proprietes et quelques applications en electronique // Verres et Refract. -1971. -V. 25, N 4/5. -P. 176-196.

117. Тютиков A.M., Тоисева M.H., Полухин B.H. и др. Влияние окислов металлов на свойства эмиттирующего слоя свинцовосиликат-ного стекла// Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 6. -С.705-711.

118. Бабанина В.И., Гречаник Д.А., Суздальева JI.C. Влияние А120з и Na20 на свойства силикатных стекол, содержащих свинец // Физ. и хим. стекла. -1975. -Т. 1, № 3. -С. 271-275.

119. Trap H.J.L. Electronic conductivity in oxide glasses // Acta Electronica. -1971. -V. 14, N 1. -P. 41-72.

120. Blodgett K.B. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment // J. Amer. Ceram. Soc. -1957. -V. 34, N 1. -P. 14-27.

121. Леонов Н.Б., Волков Ф.С., Мурашов C.B. и др. Влияние структуры свинцовосиликатных стекол на их коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физ. и хим. стекла. -1988. -Т. 14, № 5. -С. 686-690.

122. Козаков А.Т., Никольский А.В., Мазуринский М.И. и др. Связь особенностей диффузии свинца с механизмом формирования поверхностного слоя в свинцовосиликатных стеклах и микроканальных пластинах // Письма в ЖТФ. -1991. -Т. 17, вып. 12. -С. 9-13.

123. А. С. № 202278. / Файнберг Е.А., Пановкина В.И., Дунаевская И.В. // БИ. -1967. -№ 19. -С. 69.

124. Канчиев З.И., Борина Р.П., Макарова Т.М., Исаева Е.А. Поверхность свинцовосиликатных стекол // ЖПХ. -1979. -Т. 52, вып. 8.-С. 1718-1724.

125. Татаринцев Б.А., Алаев В.Я. Структура свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1990. -Т. 16, № 2. -С. 228-233.

126. Артамонов О.М., Костиков Ю.П., Новолодский В.А. и др. Исследование эмиссионными методами поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11, № 3. -С. 326-330.

127. Козаков А.Т., Никольский А.В., Мазурицкий М.И. и др. Сравнительный анализ состояния поверхности свинцовосиликатных стекол и микроканальных пластин // Физ. и. хим. стекла. -1991. -Т. 17, №6. -С. 928-935.

128. Жуковская О.В., Канчиев З.И., Петровский Г.Т., Саттаров Д.К. Изменение свойств и структуры свинцовосиликатных стекол в ходе термического восстановления // ЖПХ. -1980. -Т. 53, № 5. -С. 977-983.

129. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Канчиев З.И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7, № 4. -С. 457-469.

130. Милованов А.И., Моисеев В.В., Портнягин В.И. Современные методы анализа поверхности при изучении стекла // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11. № 1. -С. 3-23.

131. Белюстин А.А. Свойства силикатов // Физика и химия силикатов. -Л.: Наука, 1980. -С. 282.

132. Кулов С.К. Технология микроканальных пластин: Рабочие стекла МКП и трансформация их свойств в техпроцессе изготовления МКП: В 2 ч. -Владикавказ: СКГТУ, 1999. -Ч. 2. -98 с.

133. Bulkwill J.T. Manufacturing techniques for microchannel plates and their application in night vision image intensifiers // Pros. 24 Semp. Art glassflowing. Southfield, Mich. -Toledo, 1974. -P. 68-78.

134. Кулов С.К. Технология микроканальных пластин: Системные основы технологии: В 2 ч. -Владикавказ: СКГТУ, 1999. -Ч. 1.- 89 с.

135. Алкацева Т.Д. Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин: Дисс. канд. техн. наук. -Владикавказ, 1999. -236 с.

136. Кулов С.К., Алкацева Т.Д. Механизм электропроводности МКП. -Владикавказ: СКГТУ, 1999. -17 с.

137. Кулов С.К. Газосодержание и газовыделение МКП -Владикавказ: Владикавказский технологический центр "Баспик", 2000. -С. 97.

138. Кулов С.К. Качество поверхности МКП. -Владикавказ: Владикавказский технологический центр "Баспик", 2002. -С. 99.

139. Хатухов А.А. Резистивные свойства микроканальных пластин: Дисс. магистра техники и технологии. -Нальчик, 2001. -74 с.

140. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Влияние сопротивления каналов на сотовую структуру электронного изображения МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. научн. конф. -Владикавказ, 1994. -С. 144-145.

141. Научно-технические отчеты по хоздоговорной теме № 607. Руководитель О.Г. Ашхотов. -Нальчик: Кабардино-Балкарский государственный университет, 2001-2003 г. г.

142. Антропова Т. В., Дроздова И. А. Влияние условий получения пористых стекол на их структуру // Физ. и хим. стекла. -1995. -Т.21, №2. -С. 199-209.

143. Дуброво С. К., Шныпиков А. Д. Химическая устойчивость некоторых силикатных стекол в растворах // Физ. и хим. стекла. -1976. -Т.2, №5. -С. 460-465.

144. Толмачев В. А., Окатов М. А., Пальчевский В. В. и др. Ионообменное выщелачивание свинцовосиликатного стекла в растворах азотной кислоты // Физ. и хим. стекла. -1987. -Т. 13, №3. -С. 470472.127