автореферат диссертации по электронике, 05.27.02, диссертация на тему:Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин

На правах рукописи

АЛКАЦЕВА Татьяна Даниловна

РГ5 ОД

ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И МИНИМИЗАЦИЯ ДЕФЕКТОВ ЭЛЕКТРОННОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ МИКРОКАНАЛЬНЫХ ПЛАСТИН

Специальность 05.27.02 - "Вакуумная и плазменная электроника"

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Владикавказ - 2000 г.

Работа выполнена на кафедре «Электронные приборы и устройства» Северо-Кавказского государственного технологического университета.

Научный руководитель:

доктор технических наук, профессор

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор

кандидат технических наук

Кулов С. К.

Ашхотов О. Г. Гордиенко Ю.Н.

Ведущая организация: Государственное предприятие завод "Гран" г.Владикавказ

Защита диссертации состоится «¿3» февраля 2000г. на заседании диссертационного совета К 063.12.05 Северо-Кавказского государственного технологического университета по адресу: 362021, Республика Северная Осетия - Алания, г.Владикавказ, ул. Николаева, 44, СКГТУ. (<?6¥£)99 ~

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Северо-Кавказского государственного технологического университета.

Автореферат разослан «<*/» января 2000г.

Ученый секретарь совета

Ширяев А.В.

Вззх.^оз

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Микроканальные пластины (МКП) - стеклянные вакуумные многоканальные вторично-электронные преобразователи и усилители организованных в пространстве потоков заряженных частиц и излучений - находят все возрастающее применение в науке, технике, производстве, управлении, информационных технологиях.

Основное применение МКП связано с техникой ночного видения: электронно-оптическими преобразователями и усилителями изображений (ЭОП), где МКП выполняет функцию усиления электронных изображений, и приборами ночного видения (ПНВ) на ЭОП.

Характеристики МКП, ЭОП и ПНВ взаимосвязаны и взаимообусловлены. В связи с этим весьма актуальными являются задачи улучшения чистоты поля зрения электронного изображения ( ЧТО ЭИ ) МКП, поскольку это улучшает качество выходного изображения ПНВ на ЭОП, снижает вероятность ошибок первого и второго рода при наблюдении объектов в условиях естественной ночной освещенности (ЕНО), повышает комфортность наблюдений, способствует повышению надежности и стойкости аппаратуры.

ЧПЗ ЭИ МКП - сложное комплексное свойство качества МКП, определяемое размерами, числом и характеристиками допустимых дефектов ЧПЗ. Анализ литературных данных показывает, что с развитием техники ночного видения требования к ЧПЗ ЭИ МКП неуклонно повышаются.

Изучение литературных данных показывает, что физические причины и механизмы, а также технологические факторы, ответственные за формирование дефектов ЧПЗ ЭИ МКП, изучены недостаточно. В связи с этим актуальной является проблема изучения физического механизма, физических и технологических закономерностей формирования тех или иных дефектов, определения и оптимизации отвечающих за дефекты существенных технологических факторов. Решение этой проблемы способствует углублению знаний о физике и теоретических основах технологии МКП и созданию МКП, приборов и аппаратуры новых поколений.

Целью диссертационной работы являлось: на основе исследований поведения, физико-технологических закономерностей формирования дефектов ЧПЗ ЭИ МКП, выявления и оптимизации значимых технологическим факторов осуществить мероприятия по совершенствованию технологии МКП с целью минимизации дефектов и улучшения качества МКП. Настоящая работа проводилась в связи с исследованиями и разработками, направленными на создание и промышленное освоение отечественных МКП для новейшей техники ночного видения 2 и 3 поколения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные задачи-.

1. Обобщить и критически проанализировать данные по фактическому состоянию, текущим и перспективным требованиям к ЧПЗ ЭИ МКП, режимам

'Ч ■ ' I

и условиям контроля, закономерностям формирования и поведения дефектов ЧПЗ.

2. Исследовать характеристики, условия регистрации и поведение дефектов ЧПЗ, предложить оптимальные режимы испытаний МКП на ЧПЗ. Решить классификационную задачу дефектов ЧПЗ.

3. Разработать и исследовать физические модели типовых дефектов ЧПЗ и на основе этого сформулировать требования к конструктивным, структурным и электрическим параметрам МКП, условиям ее работы в составе ЭОП.

4. Провести классификацию и анализ влияющих на ЧПЗ технологических факторов. Выявить и провести исследования существенных технологических факторов.

5. Предложить и апробировать мероприятия по оптимизации существенных технологических факторов и на этой основе улучшить характеристики ЧПЗ ЭИ МКП

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Вероятность визуальной регистрации контраста дефектов ЧПЗ ЭИ МКП определяется плотностью входного тока МКП, размером дефекта, отношением сигнал/шум в контрасте и характеристиками человеческого зрения.

2. Используемые в настоящее время режимы и условия контроля ЧПЗ ЭИ МКП, как правило, не адекватны условиям ее применения в составе ЭОП и должны быть уточнены.

3. Уточненная шаговая модель усиления канала и их групп и вытекающая из нее теория точности усиления по рабочему полю МКП позволяют сформулировать объективные требования к точностным характеристикам параметров усиления каналов и наметить пути их обеспечения.

4. Основные физические факторы разнояркости (РЗЯ) и сотовой структуры (СС) электронного изображения МКП, а также темных и светлых точек: геометрически-структурный, резистивный, эмиссионный, которые действуют относительно независимо, корпоративно и (или) конкурентно. При этом действие резистивного фактора наиболее существенно.

5. Природа токового насыщения усиления каналов МКП, определяющего влияние резистивного фактора, сложнее, чем это представлялось ранее. Она связана как с продольным, так и поперечным сопротивлением резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов.

6. Однородность усиления каналов, в конечном итоге, определяется однородностью свойств РЭС каналов. Формирование и трансформация РЭС происходит на всем протяжении техпроцесса изготовления и далее на сроке службы МКП.

7. Существенные технологические факторы дефектов СС, РЗЯ связаны с ключевыми операциями техпроцесса: изготовлением одно-многожильных стержней (ОЖС,МЖС), микроканальных блоков, технохимической и физико-термической обработкой МКП, которые должны рассматриваться и оптимизироваться только совместно.

8. Исходя из многофункциональности технологических операций и системных связей между ними, предложена методика совместной оптимизации ключевых операций с целью минимизации дефектов ЧПЗ ЭИ МКП.

Методы исследований: теоретические исследования, разработка и анализ физико-математических и экспериментально-статистических моделей, лабораторный и промышленный эксперимент, физико-техническая диагностика и неразрушающий контроль дефектов ЧПЗ. Методологические основы решения проблемы ЧТО - системный подход, когда МКП и технологический процесс их изготовления представляются в виде систем, а решение проблем исследования и совершенствования МКП и технологии основывается на методологии системного анализа.

Научная новизна:

1. Учет вероятности регистрации контраста изображений дефектов ЧПЗ, реальных режимов и условий работы МКП в составе ЭОП позволили научно обосновать оптимальные режимы и условия контроля дефектов ЧПЗ МКП в производстве.

2. Разработанная теория точности усиления каналов, позволяет определить круг основных физических факторов усиления и требования к их точностным характеристикам.

3. Предложенные физические модели СС и РЗЯ ЭИ МКП, учитывающие совокупный вклад резистивного, геометрически-структурного и эмиссионного факторов, их взаимовлияние и взаимодействие.

4.Выдвинута и обоснована новая научная гипотеза о природе электронной проводимости каналов МКП, основанная на механизме токопрохождения в системе металл-полупроводник-металл.

5. В явлении токового насыщения усиления каналов МКП важный вклад вносит зарядка верхнего почти диэлектрического слоя на основе ЗЮт РЭС каналов.

6. Определены существенные технологические факторы и условия, способствующие формированию дефектов СС и РЗЯ, решающими из которых являются факторы, приводящие к неоднородности химического состава стенок пограничных и внутренних каналов микроканальных сот.

7. Методология и конкретные методы совместной оптимизации существенных технологических факторов с целью минимизации дефектов ЧПЗ ЭИМКП.

Практическая ценность работы:

1. Разработаны и внедрены в производство классификаторы дефектов и алгоритмы анализа ЭИ МКП.

2. Разработаны и внедрены в производство оптимальные методы испытаний МКП на качество электронного изображения.

3. Сформулированы и реализованы в производстве требования к точностным характеристикам микроструктуры, узлов и комплектующих элементов МКП.

4. На основе разработанных физико-технологических моделей выявлены существенные технологические факторы дефектов ЧТО типа СС и РЗЯ.

5. Проведена множественная оптимизация ряда существенных технологических факторов и на этой основе минимизирован ряд основных дефектов, улучшено качество электронного изображения МКП.

Внедрение результатов работы. Практические результаты работы внедрены во Владикавказском технологическом центре "Баспик" и на заводе "Гран" г.Владикавказ в разработки и производство вновь освоенного в России МКП западного типоразмерного ряда новейших поколений с диаметром каналов диаметром 10-8-6 мкм ( ОКР по темам "Кот", "Кот-1", "Мираж-1", "Микро-2", Маска-1Б").

Апробация результатов работы. Основные вопросы, исследования и положения диссертационной работы докладывались на Всесоюзных научно-технических конференциях по "Волоконной оптике" ( Москва, 1990, 1993 г.г.), отчетных научно-технических конференциях Северо-Кавказского государственного технологического университета ( 1993-1997 г.г.), республиканских научных конференциях (1991-1998 г.г. ), Российской научно-технической конференции по МКП ( Владикавказ, 1997г.).

Публикации. Результаты диссертационной работы отражены в 6 научно-технических отчетах по НИОКР, 7 печатных работах.

Объем диссертации. Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, пяти глав, общих выводов, списка литературы (245 наименований). Общий объем диссертации 247 страниц, из них 40 страниц иллюстраций, 28 страниц библиографии.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во Введении дана общая характеристика диссертационной работы. Обоснована ее актуальность, определены цели и задачи работы, показана научная новизна и практическая ценность результатов, сформулированы основные положения, выносимые на защиту, приведено краткое содержание всех глав.

В Первой главе рассмотрены вопросы формирования и характеристики электронного изображения МКП. Кратко изложены и обобщены основные конструктивно-технологические, физические и параметрические особенности и проблемы современных МКП. Структура МКП формируется в ходе многоэтапного индивидуально-группового процесса. Все свойства и параметры МКП являются функциями: конструкции и степени совершенства геометрической структуры, чистоты исполнительных поверхностей, свойств резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов. Главная проблема технологии МКП заключается в обеспечение требуемой идентичности усиления ее каналов, их геометрически-структурных, резистивных и эмиссионных параметров. РЭС каналов имеет сложное неоднородную структуру, в первом

приближении состоит из двух слоев: тонкого приповерхностного эмиссионного на основе Si02, где осуществляются процессы вторичной электронной эмиссии и более толстого проводящего слоя, где сосредоточен восстановленный свинец, осуществляющего резистивную функцию проводника тока. Формирование и изменение свойств РЭС каналов осуществляется на всем протяжении техпроцесса и на сроке службы МКП. Существующие взгляды на природу проводимости РЭС полностью не соответствуют экспериментальным данным. Выдвигается новая гипотеза электронной проводимости резистивного подслоя РЭС каналов, основанная на восстановлении свинца, его агрегатировании, поверхностном окислении свинцовых агрегатов парами воды и примесями кислорода с образованием прослоек проводящего оксида свинца и реализацией механизма токопрохождения металл-полупроводник-металл. В процессе работы МКП должна неизбежно происходить зарядка поверхности каналов, верхнего высокоомного слоя на основе кремнезема. Она ответственна за известное явление "памяти" (утомление усиления каналов) и появление сетки уже при достаточно малых входных-выходных токах. Исключение этих явлений достигается оптимизацией толщины и проводимости эмиссионного слоя технологическими методами.

Электронное изображение (ЭИ) МКП - визуализированное на люминесцентном экране суммарное изображение каналов МКП при засветке входа МКП равномерной по рабочей площади плотностью электронного тока ji(x,y). Средняя яркость изображения на экране В, = jyy-U-,-104 кд/м2, где /-светоотдача экрана, кд/Вт, U, - напряжение экран-выход МКП,

j/x,y) = j2(x,y) = M-ji(x,y), М - коэффициент усиления МКП, j2 - плотность выходного тока МКП, которая равна плотности тока на экран j3. В идеальном случае (дефекты ЧТО ЭИ МКП отсутствуют) яркость изображения на экране В, = const по рабочей площади поля зрения.

Дефект ЧПЗ ЭИ МКП - любой участок ЭИ МКП, визуально или аппаратурно фиксируемый на экране вследствие иной яркости (яркостного контраста). Классификация дефектов ЧПЗ возможна по различным основаниям, по ряду реквизитов-признаков: с точки зрения применения (допустимые и недопустимые), с точки зрения технологической истории (стохастические и детерминированные технологическим методом изготовления МКП), по топологическим (размеры, форма, число, распределение по полю зрения), яркостно-контрастным (величина, знак контраста), с точки зрения поведения при изменении режимов и условий испытаний (напряжение на МКП, входной-выходной токи). Типичные стохастические дефекты - темные и светлые точки (пятна). Типичные детерминированный дефекты - сотовая структура (СС) и разнояркость (РЗЯ) микроканальных сот (МКС).

Рассматриваются общие вопросы формирования и контроля чистоты электронного изображения МКП. Изображение МКП на экране - это сумма перекрывающихся изображений ее каналов. Детали входного изображения, меньшие по размерам, чем диаметр канала, в выходном изображении теряются. Теряется также информация, связанная с электронами, которые не попадают в

каналы вследствие ограниченной прозрачности входа МКП. Вследствие неизбежной неоднородности усилительных свойств каналов изображение всегда содержит микроструктурный пространственный шум - §(В) = 6(М) -вариации яркости (усиления) изображений отдельных каналов, который ограничивает предел пространственного разрешения МКП и уменьшает диапазон регистрируемых на выходе контрастов: контрасты деталей, которые меньше примерно утроенного значения структурного шума, не обнаруживаются. В соответствии с этим величина структурного шума должна быть не более трети порогового контраста глаза, т.е. примерно 1%. Это требует аналогичной идентичности усилений отдельных каналов, причем параметры усиления должны быть идентичными с погрешностью не более (0,05-0,5)% -условие, которое превращает МКП в особо сложные изделия, а их изготовление в прецизионный процесс. Аналогичные условия накладываются и на группы каналов, ответственные за дефекты ЧПЗ, и их параметры усиления.

Условия визуальной регистрации дефектов ЧПЗ на экране'. достаточная разрешающая способность глаза с окуляром, достаточный контраст объекта, превышающий пороговый контраст глаза, достаточное время наблюдения, достаточно высокое отношение сигнал/шум в контрасте, чтобы можно было бы физически выделить полезный контраст на фоне временных шумов изображения.

Рассмотрены ограничения, связанные с временными шумами изображения. Их причины: временные шумы входного электронного изображения, внутренние шумы МКП, учитываемые фактором шума МКП К В работе получена модифицированная формула Роуза для обнаружения на фоне временных шумов с заданной вероятностью контраста фигуры из N каналов [ 4]: •

К=2,6ШйЧ'к(¥т]1)1/2,

где: Г - фактор шума МКП, у'; - плотность входного тока МКП ( А/см2), -отношение сигнал/шум в контрасте, задание которого равносильно заданию вероятности обнаружения данного по величине контраста. Основываясь на данных литературы, можно принять, что величинам Тк, равным 1,2,3 , соответствует вероятность обнаружения 0,1-0,2, 0,5-0,7 и 0,9-1. Задаваясь типичным значением = 2,5, рассмотрены условия регистрации контрастов СС и РЗЯ. СС формируют два ряда пограничных каналов МКС (всего N =76) а число каналов в МКС порядка N = 5000. Соответственно для контрастов СС и РЗЯ получаем:

К(СС) = 4,72-1 (Г7- 1К/],т, ЩРЗЯ) = 7-1<Г*•

Расчетные данные по обнаружению контраста СС с заданной вероятностью (очень слабая, слабая, отчетливая СС) приведены в табл. 1:

■ , ' ' ^

Расчетные данные по обнаружению контраста СС при различных вероятностях.

Таблица 1.

Л19 А/см2 к, %

Ук = 2 4,5 Ж II 1*>

ю-9 1,5 7,5

10-'° 4,7 14,46 23,6

5-10"" 6,6 19,8 33,0

2Т0'И 10,67 32,0 53,35

М0-" 14,9 44,7 74,5

Анализ этих данных приводит к следующим выводам: увеличение плотности входного тока минимизирует влияние временных шумов, что позволяет регистрировать с заданной вероятностью меньшие по величине контрасты, или увеличивает вероятность регистрации данного по величине контраста. Поскольку РЗ-Я связана со значительно большим числом неоднородных каналов, то чувствительность регистрации контраста РЗЯ весьма высокая, позволяя с достаточно высокой вероятностью отмечать контрасты величиной порядка 2% (здесь уже будут влиять ограничения, связанные с к пороговым контрастом глаза).

Во Второй главе рассмотрены вопросы нормирования и поведения дефектов электронного изображения МКП. Указаны основные характеристики современных инверторных и бипланарных микроканальных ЭОП 2-2+ и 3 поколения. Проведен анализ условий работы МКП в бипланарном ЭОП ( 2+ и 3 поколение) с системой автоматической регулировки яркости (АРЯ) выходного экрана. МКП работает в двух режимах: при малых входных освещенностях на фотокатоде ЭОП до (1-2) Л О"3 лк МКП работает при постоянном напряжении и г 700-800 В и постоянном усилении М ¿200-400, а яркость экрана увеличивается линейно с входной освещенностью (АРЯ не действует), в диапазоне больших входных освещенностей, вследствие действия АРЯ, средняя по площади экрана яркость. ЭОП стабилизируется на выбранном уровне 5-10 кд/м2, а напряжение на МКП, ее усиление уменьшаются при увеличении входной освещенности, причем средняя по рабочей площади плотность выходного токаостается постоянной. Плотности входного и выходного токов МКП:

= ср-Е-](Г4, А/см2, )2=М} = В/у-Ь\•///, А/см2,

где: ф - интегральная чувствительность фотокатода ( А/Лм), Е - освещенность на фотокатоде (Лк)

Если принять за типичное значение максимальной яркости экрана В = 10 кд/м2, то величина максимальной плотности выходного тока МКП (при светоотдаче 5 кд/Вт) составляет^ = 4-10"8А/см2, или для МКПО-24 с рабочим полем 5= 2,5 см" (рабочий диаметр 18 мм) максимальный выходной ток МКП будет равен величине I? = 1 -10'7А.

При работе МКП в составе инверторного микроканального ЭОП 2 поколения, которые не снабжен АРЯ, плотность выходного тока ограничивается выбранной максимальной яркостью экрана, которая обычно не превышает 15 кд/м2, так что плотность выходного тока МКП не превышает 6-10"8 А/см2, а выходной ток МКПО-25 с рабочим диаметром 25 мм, площадью поля зрения около 5см2 будет равен 3-Ю"7 А.

Необходимо особо отметить, что МКП в ЭОП во всех случаях работает в линейном режиме, когда выходной ток не превышает 5% тока проводимости, иначе невозможна правильная передача изображений. Это накладывает ограничение на величину сопротивления МКП.

Рассмотрены известные режимы контроля и способы регистрации дефектов ЧТО ЭИ МКП. Показано, что большинство нормированных в отечественных ТУ режимов не учитывают реальные условия работы МКП в составе ЭОП, которые к тому же различные для ЭОП 2, 2+-3 поколений. Предлагаются физически и эксплуатационно обоснованные режимы контроля СС, РЗЯ, иных дефектов ЧПЗ ЭИ на стадии изготовления МКП, их выходного контроля и входного контроля у потребителя: напряжение на МКП ¿7=500-800В, плотность выходного тока МКП j2 = (4-6)-10"8 А/см2, режим работы каналов - линейный.

Проведено систематическое исследование поведения дефектов ЧПЗ при изменении параметров режима работы МКП. Установлено, что в зависимости от физических причин дефектов, величина и (или) знак их контраста закономерно меняется в зависимости от напряжения и входного (выходного) тока МКП. Это в ряде случаев позволяет установить преобладающую физическую причину дефектов. Установлено, что поверхность каналов (тонкий приповерхностный эмиссионный слой на основе S1O2) заряжается при электронном облучении, что приводит к обратимым снижениям усиления, возникновению явления так называемой "памяти" и СС.

В Третьей главе рассмотрены физико-математические модели СС и РЗЯ ЭИ МКП. В составе ЭОП МКП работает в линейном токовом одноэлектронном режиме. В определенных условиях ( выходной ток больше примерно 5% тока проводимости) каналы МКП могут входит в режим токового насыщения усиления, когда усиление каналов снижается по мере возрастания входного (выходного) токов.

Рассмотрена физика токового насыщения: зарядка резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов за счет вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ), перераспределение потенциала поля в канале, снижение напряженности поля и эффективности вторично-электронного умножения на выходе каналов. Показано, что имеется универсальная характеристика насыщения M/Mg = f(ß), где ß - отношение выходного тока МКП к току проводимости ( или отношение плотностей этих токов), которая справедлива для всех МКП, отечественных и зарубежных (рис.1). Практически, насыщение становится заметным при /?> 5-10 %, которое и принимают на практике за пороговое значение.

1вых, А 1.Е-05

1.Е-06

1.Е-07

1.Е-08

1.Е-09

1.Е-12 1.Е-11 1.Е-10 1.Е-09

IBX, А

а)

М/Мо

10000

1000

100

10

1.Е-03 1.Е-02 1 ,Е-01 1.Е+00

1вых 11вх

б)

Рис. 1 . Характеристики усиления МКП:

а) проходные характеристики МКП (1-U=550B, 2-U=800B, 3-U=940B)

б) унивесальные характеристики токового насыщения

— - — — _ г - —J -

= =| .— — = =| =

\

ч

= = = = = = =

:12у"

Посколысу МКП в ЭОП должна работать в линейном режиме (режим насыщения также весьма полезен, он автоматически предохраняет прибор от случайных входных перегрузок), то сопротивление МКП должно быть не более величины, определяемой из соотношения: Л, <0,05 Щ2т. где {/-напряжение на МКП, Уля - максимальная плотность выходного тока МКП (см. выше), /?!=/{ -Бмкв - сопротивление единичной ( 1 см2) МКП, Ом-см2, которое связано с сопротивлением МКП путем умножения на площадь микроканальной вставки $мкм' Так, для }2т ~ 6-10"8 А/см2 и и = 800 В, максимальная величина Д$<6,7-Ю80м.см2. Сопротивление стандартных МКПО-24 и МКПО-32,8 с площадью МКВ 3 см2 и 6 см2 должно быть соответственно не больше 2,5-108 Ом и 1-108 Ом, что до сих пор не учитывалось в ТУ на отечественные МКП.

Резистивный фактор СС. По ряду технологических причин сопротивление ПК и ВК МКС различное, что формирует СС - резистивный фактор СС. Теоретическое рассмотрение этого вопроса показывает, что для исключения резистивного фактора необходимо, чтобы все каналы МКП ( и ВК, и ПК) работали в линейном режиме. Исследования показывают, что /?(ПК) как правило меньше Д(ВК), что формирует светлую сетку. Для минимизации резистивного фактора необходимо при работе снизить величину /? для ВК (с учетом того, что ВК составляет более 99% всех каналов, практически необходимо снизить 0 МКП). Иными словами, необходимо дополнительно снизить сопротивление примерно до (0,7-1)-108 Ом для всех типов МКП, и строго следить за обеспечением линейности работы МКП в составе ЭОП (не превышать максимально-допустимую яркость экрана в системах без АРЯ, использовать экраны с достаточно высокой светоотдачей для снижения максимально-допустимого выходного тока МКП).

В процессе исследований обнаружены, в ряде случаев, аномалии в характеристиках насыщения МКП, связанные с зарядкой верхнего высокоомного эмиссионного слоя РЭС, основу которого составляет БЮг и приводящие к усилению воздействия резистивного фактора на СС и РЗЯ МКП. Этот слой положительно заряжается при любых входных токах каналов, что приводит к появлению сильного поперечного поля в пределах РЭС канала. Изменение потенциала поверхности каналов, прежде всего на их выходном участке, приводит к искажению поля в каналах и снижению усиления. Разрядка поверхности происходит по достижению достаточной величины поперечного поля механизмами, известными из тонкопленочной электроник. При оптимальной толщине эмиссионного слоя (порядка 100 А0) изменение потенциала поверхности (до разрядки) не превышает нескольких вольт, и влияние этого эффекта на усиление отсутствует. Однако в ряде случаев толщина эмиссионного слоя может достигать 1000 А0 и более, что стимулирует значительное изменение потенциала поверхности канала на выходном участке до разрядки с уменьшением усиления. Разряда облегчается также с увеличением проводимости эмиссионного слоя. Если ПК и ВК МКС имеют

'. и

различный по толщине и проводимости эмиссионный слой, то сотовая структура может формироваться при относительно малых Д при работе МКП в линейном режиме. Это происходит, например, при прогреве МКП на воздухе с доокислением кремнеземного эмиссионного слоя, возникновением "памяти" и снижением порога появления СС. Устранение эффекта зарядки поверхности требует оптимизации технологии МКП, главным образом, на стадии вытравливания опорной жилы каналов.

Шаговая модель усиления. В работе рассмотрена уточненная шаговая модель усиления и на основе ее получено выражение для вариаций усиления в зависимости от вариаций основных параметров усиления. Показано, что усиление единичного канала (группы каналов, всех каналов МКП) есть функция параметров:

М = а-а, -(А - \/и)ьехр(-кЛ2) (1)

Здесь: а - прозрачность входа, о> - коэффициент вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) при первом соударении, Л2 - глубина запыления канала на выходе слоем контактного электрода (в диаметрах канала), к »0,5 -эмпирический коэффициент, Ь = 2а^л - число эквивалентных каскадов умножения в канале, А = Р / Ь1/2, а - калибр канала, р,у - вторично-эмиссионные параметры РЭС канала, которые вводятся выражениями: сгк = =р-икт - каскадный КВЭЭ, 11к - каскадное напряжение, 1/0 = у-ик -средняя начальная энергия эмитируемых при каждом акте умножения вторичных электронов (В).

Указанные параметры применительно к отдельным.каналам называются параметрами единичного канала, применительно к любой выделенной группе каналов - являются средними (усредненными по всем каналам группы) параметрами, применительно к МКП - усредненными по МКП ( по всем каналам МКВ) параметрами.

Исходя из (1), экспериментальные кривые усиления, перестроенные в координатах = /(1$ у£/), будут прямыми, что и наблюдается на практике (рис.2). Из них можно определить искомые значения Ь, Р,у. Обработка большого экспериментального материала по характеристикам усиления отечественных и зарубежных МКП показывает, что указанные параметры находятся в пределах: /3=0,21-0,25,/ = 0,05-0,07. Для каскадного напряжения 100В это соответствует каскадному КВЭЭ ак= 2,1-2,5 и начальной энергии ВЭ и<г 4-6В.

Укажем также, что для рассматриваемой модели эквивалентное (среднее) число каскадов Ь не зависит от напряжения на МКП.Чем больше калибр, тем больше число эквивалентных каскадов умножения. Например, для а = 30,45,55 и у= 0,05 величины Ь = 13,4, 20,2, 24,6. Расстояние между каскадами /к = 1/Ь. Например, для калибра 45, у= 0,05 величина /г = 21,28 мкм. Каскадное напряжение ик = V/Ь. Для напряжения 500 и 1000 В и Ь = 20 каскадное напряжение составляет 25-50 В - весьма малая величина, для которой каскадный КВЭЭ составляет 1.3-1.7. С уменьшением напряжения питания

М

1 - <¿=43

2 - ¿¿=52

Рис. 2 . Характеристики усиления МКПО 25-10

снижается каскадное напряжение, а вместе с ним и каскадный КВЭЭ. Когда последний достигнет единице, умножение в канале прекращается: коэффициент усиления будет равен 1. Из формулы (1) для М= 1 сразу же следует, что соответствующее напряжение питания: Щ1)=1/А2=Ь/р. Например, для Ь = 21 и р= 0,23 получаем, что С/(1) = 378 В. При этом соответствующее каскадное напряжение будет равно 1/^1) = Щ1)/Ь =19В. И действительно, КВЭЭ восстановленного свинцово-силикатного стекла равен единице при ускоряющем первичном напряжении, которое по экспериментальным данным примерно равно 18-22 В. Отметим, что контроль и(1) легко осуществим в производственной практике. Постоянство этого параметра от пластине к пластине свидетельствует о стабильности макропараметров а,Р,у, т.е. о стабильности технологии. На практике для МКПО ВТЦ "Баспик" величина ¿7(1) колеблется в пределах 250-380 В в зависимости от калибра пластины. Отметим, что калибр серийных отечественных МКП 10-34 (48-55 ) явно не оптимален с точки зрения условий применения в ЭОП.

Из всех параметров на усиление М и характеристику М(11) сильнее всего влияют изменения параметра р. (рис.3). Незначительные изменения /? сильно изменяют М и приводят к сдвигу всей характеристики М(11). Если все параметры усиления неизменны, а варьируется только параметр Д то йМ/М=ЬЛр/р, или 8 (М) = Ь. 6(Р) .Например, для Ь = 20 при 8 (Р) = 1% величина 8 (М) = 20%. Отсюда следует вывод: если необходимо стабилизировать усиление, например, в пределах 1%, то величина р должна быть стабилизирована с точностью порядка 0,05% - чрезвычайно высокая точность. Отсюда ясно, с какой очень высокой точностью должна быть обеспечена идентичность каналов МКП по параметру ¡3. Эта точность настолько высока, что может показаться невероятным, что она действительно обеспечивается технологией МКП.

Параметр у также сильно влияет на усиление. Но а отличие от ¡3 влияние вариаций по ^зависит от напряжения питания МКП. Поэтому при изменении у изменяются не только значения М, но и вид кривых М(11): увеличение у приводит к снижению усиления при малых напряжениях и увеличению при больших напряжениях питания.

Существенно влияет на усиление и калибр каналов МКП: с уменьшением калибра усиление при низких напряжениях питания увеличивается, но при высоких напряжениях питания большее усиление имеют МКП с большим калибром.

Используя формулу для коэффициента усиления, легко найти рабочее и номинальное напряжения питания МКП и также соотношение между ними: 1д\/11,/и = = 1/Ь = 1/2а/2 . Очевидно, параметры (а,р,у) существенно влияют на величину рабочего и номинального напряжения и на соотношение между ними. С увеличением Р значения напряжений существенно снижаются. Так, для р = 0,25 11р= 650 В, а {/„=820 В. Для калибра порядка 35-40 рабочее и номинальное напряжения минимальны. С увеличением калибра уменьшается также отношение номйнального напряжения к рабочему. Так, для калибра 40

а) б)

в) г)

Рис.. 3 . Расчетные характеристики усиления МКП (шаговая модель).

а) зависимость коэффициента вторичной эмиссии от напряжения при различнь значениях (3;

б) зависимость усиления от напряжения при различных значениях у; •в) зависимость усиления от напряжения при различных значениях а; г) зависимость усиления от напряжения при различных значениях р.

оно равно 1,33, а для калибра 60 отношение равно 1,2: с увеличением калибра разница между рабочим и номинальным напряжением уменьшается.

В практике производственного контроля для каждой МКП замеряют значения номинального и рабочего напряжения, соответствующих усилениям 104 и 103. Систематический контроль их отношения - удобный метод контроля точности, настроенности и стабильности техпроцесса. Если же дополнительно для каждой МКП замерять Щ1), то мы получаем удобный производственный метод постоянного контроля всех трех параметров усиления (а,Р,у) по трем измеренным напряжениям. Отношение номинального и рабочего напряжений определяет нам действительное значение числа эквивалентных каскадов b, а Ufl) дает возможность определить и Д

Анализ характеристик М(а) при ¿7= const показывает, что они имеют вид кривых с максимумом (рис.4). В зоне максимума, очевидно, влияние вариаций калибра на усиление наименьшее. Таким1 образом, для каждого напряжения питания МКП существует такое значение калибра, которое соответствует максимуму кривой М(а), причем при этом калибре малые отклонения от него мало влияют на усиление. Можно сказать и иначе. Для МКП с данным калибром можно подобрать такое напряжение питания, которое соответствует точке максимума кривой М(а), и при котором малые вариации калибра мало сказываются на усилении. Соответствующая пара значений (U,a) называется оптимальными для МКП. Соотношение между ними легко найти, определив точку максимума кривой М(а): U = e/A2 = e U(l) = е/А2 = eb//f = (e2-Jn/[?) ■а- напряжение питания, при котором для данного калибра а достигается максимум усиления на кривой М(а).

Как видно, связь между калибром и напряжением на МКП, для которого достигается максимум усиления и при котором влияние вариаций калибра на усиление минимально ( в точке максимума близко к нулю ) зависит от параметров усиления (J3,y) Для указанных выше типичных значениях этих параметров оптимальное напряжение питание равно : UonT = (18-24)-а.

Как было рассмотрено выше, МКП в составе ЭОП 2+-3 поколения работает при напряжениях 600-800 В. Поэтому целесообразно калибр подбирать к напряжению питания середины этого интервала, т.е. 700 В Этому напряжению соответствует при различных (3,у интервал калибров 30—36. Поэтому можно принять, что калибр МКП должен быть в пределах а » 33. Видимый геометрический калибр МКП определяется как отношение толщины пластины к среднему диаметру канала. Однако влетающие в каналы электроны осуществляют первое соударение не на самом входе канала, а залетают на некоторое расстояние внутрь канала, причем глубина первого соударения (расстояние его от входа канала ) зависит от траекторий входных электронов и угла наклона каналов МКП. МКП, используемые в составе бипланарных ЭОП 2+ и 3 поколения, имеют угол наклона каналов около 5° , а используемые в инверторных ЭОП 2 поколения угол наклона каналов 13°. Для углов наклона каналов 5° и 13° действительный (физический) калибр меньше геометрического на 10 и 5 единиц. Таким образом, МКП, используемые в ЭОП

Рис. 4 Зависимость коэффициента усиления от калибра каналов МКП при различных напряжениях питания.

2+ и 3 поколения, должны иметь геометрический калибр порядка 43, а используемые в инверторных ЭОП 2 поколения геометрический калибр порядка 38. При равенстве средних диаметров каналов вторые МКП будут иметь несколько меньшую толщину. На основе этих выводов была произведена оптимизация калибра (толщины) для всех МКП, выпускаемых ВТЦ "Баспик".

Физика структурного шума. Изготовление каналов с одинаковыми параметрами усиления, очевидно, невозможно. Усиление канала и его параметры - случайные величины, что приводит к структурному шуму усиления.

Считая параметры усиления независимыми случайными величинами, относительная дисперсия коэффициента усиления каналов может быть выражена как:

8*(М) = Са а) + СЦ-Зф) + С2 ■<?{■}>) + Си2 () (V) +

+ Са2-$(ю) + Са2-3?(сГ[) + ^^(Л) (2)

Здесь: 5(М =о(М)/М - искомый коэффициент вариации усиления - мера разброса усилений каналов и также мера разброса контраста яркости изображений каналов на экране (структурного шума),

= а(х)/х-, - коэффициент вариации 1-ого параметра, С, = аМ/сх1 - частная производная усиления по ¡-ому параметру - функция влияния ¡-ого параметра на усиление.

Функции влияния можно определить из выражения (1) , а результаты расчета сведены в табл. 2 :

Функции влияния параметров усиления _ Таблица 2

№№, Параметр Функция влияния

п.п.

1 а Са=Ь-( 1пАл/и - 0,5 )

2 3 с0 = ь

3 У Су = Ь/2-( 1пА^и)

4 и Си = Ь/2

5 0,= 1

6 ш Ст= 1

7 д Сд = к-Д

Можно сделать следующие выводы:

• наиболее сильно влияют на структурный шум разброс параметров ДС/, причем их влияние не зависит от величины напряжения питания и поданного на МКП,

• влияние параметров а,/также велико, вместе с тем это влияние зависит от напряжения питания и, поданного на МКП,

• влияние параметров о, а^А относительно мало и не зависит от напряжения питания и, поданного на МКП

Микроструктурный шум, как говорилось, снижает регистрируемый предел разрешения МКП, и его величина не должна превосходить 2%. Это приводит к требованиям к разбросу параметров усиления каналов:

• 5(р)< 0,001 (0,1%).

• 8(4) < 0,002 ( 0,2%),

• 5(у) <0,002(0,2%),

• 8(а>),8(А),8(а1) <0,01(1%)

Вариации в калибре каналов равны вариациям в диаметре каналов с обратным знаком ( длина каналов одинакова с высокой точностью). Для минимизации влияния разброса диаметров каналов напряжение при работе МКП должно соответствовать оптимальному для ее калибра. Иначе говоря, при работе МКП в составе ЭОП калибр должен быть оптимальным, как это уже рассмотрено выше. Этим практически сводится к нулю влияние вариаций диаметра каналов в области напряжений 700-800 В. Однако, при снижении напряжении на МКП, например, при 500В влияние фактора калибра на структурный шум резко возрастает.

Влияние различия в калибре ПК и ВК и МКС на СС и РЗЯ. Рассмотрим оптимизированные по калибру МКП со средним по пластине калибром 35. Такой калибр, в среднем, имеют все ВК во всех МКС. Пусть калибр "дефектных" каналов (ПК, средний калибр каналов в пределах дефектной МКС) равен 36. Иными словами, вариация калибра равна 6(а) = 36-35 / 35 = 2,86-10"2 (2,86%). Пусть все остальные параметры усиления каналов идентичны, причем /?= 0,24, у— 0,05. Проведем расчеты и для калибра МКП 45 при калибре дефектных каналов 46 и 5(а) = 2,22-Ю"2. Результаты расчета представим в виде табл. 3 :

Зависимость вариации усиления от напряжения при различных калибрах.

_ _ Таблица 3

и, В 5(М), %, 35 5(М),%, 45

500 -8,7 -14,2

600 -4,6 -10,2

700 -1,2 -6,75

800 + 1,8 -3,8

900 +4,4 -1,2

1000 + 6,8 +1,1

и ОПТ? ® 737 950

Как видно, для оптимального калибра 35 влияние разброса ПК и ВК по калибру практически не сказываются на контрасте СС в диапазоне рабочих напряжений 700-800В. Если же калибр МКП увеличивается, или напряжение питания снижается, то положение становится менее благоприятным,

В работе подробно проанализирован вопрос формирования разброса в диаметрах каналов при изготовлении МКП. Сделан вывод о необходимости ужесточения геометрических допусков на размеры комплектующих одно-многожильных стеклянных стержней (ОЖС, МЖС) вдвое, до ± 5 мкм. Это также гарантирует минимизацию калибрового фактора на РЗЯ МКС.

При анализе СС обращается внимание, что эквивалентный диаметр ПК всегда несколько меньше диаметра ВК, так что калибр ПК больше калибра ВК. Это должно формировать при малых напряжениях питания МКП темную сетку, которая затем исчезает в области оптимальных напряжений, а с дальнейшим увеличением напряжения вновь появляется, меняя знак на светлую. Это и наблюдается на практике.

Влияние вариаций прозрачности входа ПК и ВК на СС. Прозрачность входа может быть различной внутри МКС и по границам МКС. Действительно, внутри МКС при гексагональной укладке каналов прозрачность входа равна со(ВК) = 0,9065 (<1Лг)2. По границам МКС гексагональная укладка каналов сбивается на квадратную. Для квадратной укладки каналов оМПК)=0,785-((¡Лг)2. Таким образом, формируемый по границам МКС контраст будет равен: К(о))=со(ПК) - со(ВК) / со(ВК) = - 0,134 ( или -13,4%). Следовательно, за счет меньшей прозрачности входа в области ПК формируется темная СС, контраст которой не зависит от режима испытаний МКП. На практике, ввиду сближения ПК и уменьшения толщины стенки между ними при спекании, прозрачность структуры ПК получается несколько больше, а величина контраста из-за сбоя укладки на квадратную по границам не превышает 7-8 %, что может быть уже обнаружено как слабая темная сетка при достаточно больших входных токах МКП.

Фактор КВЭЭ при первом соударении и загрязнения входа-выхода каналов. ПК и ВК могут иметь различные значения КВЭЭ при первом соударении. Это может быть связано со следующими причинами: иной состав и структура эмиссионного слоя ПК на длине первого соударения, загрязнения ПК на входе, иные условия падения входных электронов на поверхность стенок ПК из-за деформации ПК, различная глубина и конфигурация входной металлизации КЭ. Если под действием этих факторов разброс 5(а]) будет больше 1-2%, то указанный фактор самостоятельно, и также в сочетании с другими факторами усиления будет достаточно значимо влиять на СС, которая может быть темной, или светлой, но не будет зависеть от напряжения на МКП. Зависимость от входного тока будет связана только через изменение условий обнаружения контраста.

Эти же факторы могут влиять на средний по МКС КВЭЭ при первом соударении, т.е. иметь значимое влияние на РЗЯ. Если по каким-то причинам отдельные МКС загрязнены со стороны входа, то они могут через фактор КВЭЭ при первом соударении обнаружить РЗЯ. Однако вряд ли в технологии МКП создаются где-либо условия для загрязнений индивидуальных МКС. Загрязнения обычно имеют вид стохастических пятен, в пределах которых

может быть иными КВЭЭ при первом соударении, что будет стимулировать темные (светлые) пятна на ЭИ МКП.

Гораздо более вероятно, что вследствие отклонений в организации технологического процесса в состав данного блока попали одиночные "чужие" МЖС. Под ними понимаются МЖС такого же размера, но вытянутые не из другого пучка, на другой машине вытяжки, из других варок стекол. Каналы в пределах такой МКС будут иметь иные и достаточно различные значения и КВЭЭ при первом соударении, и параметры усиления (3,у. Это с высокой вероятностью вызовет появление РЗЯ.

Указанные "псевдочужие" МЖС могут попасть в микроканальный блок и из-за отклонений в техпроцессе вытяжки блока: МЖС принадлежат одному пучку, но все же при одинаковых ( в допуске) размерах имеют различные температурно-скоростные условия вытяжки, другие параметры о}, Д/. Данный фактор весьма вероятен и должен быть специально проанализирован.

Влияние вариаций параметров р,у. Вариации этих параметров, как изложено выше, являются важнейшими факторами структурного шума, СС и РЗЯ. Требования на допустимые значения коэффициентов вариации этих параметров между ПК и ВК, или между МКС: 5(Р) < 0,05%, 8{у) < 0,1%. Эти требования касаются индивидуальных каналов ( структурный шум), и любых выделенных (ПК и ВК, каналы в пределах МКС, каналы в пятнах загрязнений) групп каналов. В последнем случае берется усредненное для группы каналов значение параметра.

Выше также подчеркивалось, что эти требования столь жесткие, что кажется невероятным, что они могут удовлетворяться в технологии МКП, как и в технологии любого многоэлементного приемника. Однако ряд фактов подтверждает, что указанные требования действительно могут обеспечиваться технологией МКП. Действительно, измеряемый предел разрешения МКП с малым разбросом диаметров каналов почти равен расчетному геометрическому пределу разрешения. Это может быть только в случае, когда вариации указанных параметров усиления малы, иначе структурный шум каналов был бы столь велик, что разрешение МКП было бы занижено. Таким образом, можно утверждать, что в пределах каждой МКС вариации параметров 8, у достаточно малы и, по-видимому, соответствуют вышеприведенным требованиям.

Однако это утверждение может быть несправедливым для усредненных по МКС значениям параметров усиления. Выше уже говорилось о "чужих" и "псевдочужих" МЖС. Эти МЖС, даже при вытяжки из одного пучка("псевдочужие"), в принципе не могут иметь совершенно одинаковой температурно-скоростной технологической истории. Напротив, следует считать, что свойства МЖС, вытягиваемых из одного пучка могут быть несколько различными:

• свойства МЖС могут монотонно меняться от начала и до конца вытяжки вследствие монотонных изменений температурного поля в зоне луковицы из-за уменьшения условий теплоотвода (срабатывается пучок), изменения температуры в помещении.

• МЖС начального этапа вытяжки, после выпадания пульки и оттяжки световода, некоторое время вытягиваются в еще неустановившемся тепловом поле и могут иметь значимые отклонения,

• МЖС, нарабатываемые некоторое время после обрыва пучка, также могут иметь значимые отклонения,

• регулярные подрегулировки режима вытяжки путем корректировки скорости вытягивания световода также приводят к определенным изменениям тепловых и скоростных условий, которые могут отражаться на свойствах вытягиваемых МЖС,

• нестабильности условий вытяжки ( сквозняки, перебои с откачкой ) также могут стимулировать выход некоторого числа значимо отличных по свойствам МЖС.

Поэтому все МЖС из одного пучка - все же не образуют, даже после калибровки по размерам, совершенно однородную совокупность: всегда будут неоднородности между МЖС, которые отразятся на РЗЯ, прежде всего, за счет неоднородности по наиболее сильно влияющим параметрам усиления ¡3,у. В этих условиях приходится прибегать к временным сборам МЖС на вытяжке с последующей комплектацией обособленных блок-партий МЖС.

Усиление каждого канала МКП, очевидно, зависит от глубины выходной и входной металлизации слоем КЭ. с увеличением глубины металлизации на выходе каналов улучшается предел разрешения и уменьшается усиление. С увеличением глубины входной металлизации увеличивается вероятность первого соударения на заметаллизированном участке входа каналов со снижением усиления и увеличением фактора шума. Оптимальные значения глубины запыления каналов на входе и выходе зависят от требований к МКП и условий применения. При определенных условиях (сильное искажение формы ПК) ПК и ВК могут иметь различную глубину и конфигурацию слоя КЭ на входе и выходе, что явится фактором СС.

В реальных условиях на СС, РЗЯ другие дефекты ЧПЗ одновременно действуют ряд относительно независимых независимых факторов:

• резистивный (Яде,1,.к. *К,юРм.к.),

• геометрически-структурный (со, а, А)

• эмиссионный (<т/,д/)

Эти факторы накладываются, действуют корпоративно, и (или) конкурентно, зависят, или не зависят от напряжения на МКП и плотности входного (выходного) тока и совместным действием определяют величину и знак контраста дефектов ЧПЗ. Исследования поведения СС и РЯ при различных напряжениях питания и выходных токах позволяют определить доминирующие в конкретном случае факторы.

В четвертой главе изложены основы методологии множественной оптимизации параметров и технологических факторов МКП. С позиций системного подхода МКП и техпроцесс ее изготовления есть целевые, сложные, динамические, частично-стохастические системы.

МКП есть единство систем: технической, которая описывается вектором технических параметров 0.^, физико-химической, которая описывается вектором внутренних (физико-химических) параметров Z{z■J, продуктом производства, определенной технико-технологической системы, влияющей через систему существенных технологических факторов Ф{ф¡} на все внутренние и технические параметры МКП. Ввиду более или менее значительной стохастичности технико-технологической системы изготовления МКП, все свойства и параметры МКП случайные величины и функции случайных величин. Это с необходимостью требует широкого и системного внедрения статистических методов управления и оптимизации техпроцессов и качества продукции.

Технические параметры МКП определяются внутренними параметрами, а последние технологическими факторами: 2 = Р@{Ф}]. Иными словами, каждый технический параметр q¡ есть функция определенного подмножества значимых технологических факторов: <к С другой стороны, каждый

технологический фактор может значимо действовать сразу на несколько технических параметров, причем в различных направлениях и с различной силой. Таким образом, параметры и факторы могут быть по-разному взаимосвязаны, действовать корпоративно и(или) конкурентно, в различных направлениях и с различной силой. Это резко усложняет решение задач оптимизации технических параметров и технологических факторов, придает таким задача характер творчества.

Технологический процесс, построенный в соответствии с логикой принятого технологического метода, есть упорядоченное множество различных взаимосвязанных технологических операций. Каждая операция выполняет предписанную ей целевую операционную функцию. Однако помимо этого она выполняет еще две важные системные функции: вносит, к сожалению, какие-то негативы в обрабатываемую продукцию, и одновременно может исправлять негативы, которые были внесены на стадии обработки предыдущих операций.

Учет системных свойств операций приводит к методологии системной оптимизации техпроцесса. Если необходимо оптимизировать какой-либо технический параметр МКП, то это с необходимостью требует рассмотрения и оптимизации существенно-влияющих факторов целого ряда технологических операций. При этом в обязательном порядке учитываются факторы, связанные со всеми тремя указанными функциями каждой операции. Оптимизированный таким образом техпроцесс должен быть в обязательном порядке тщательно исследован в отношении всех прочих параметров МКП, которые не должны ~ ухудшаться. На практике при этом приходится прибегать, как правило, к компромиссным решениям.

В пятой главе изложены практические результаты исследований оптимизации технологических факторов и минимизации дефектов ЧПЗ ЭИ МКП.

Типовые дефекты ЧПЗ: СС, РЗЯ, темные и светлые пятна - определяются определенными геометрически-структурными, электрическими и

эмиссионными параметрами соответствующих групп каналов, которые в свою очередь зависят от определенных совокупностей существенных технологических факторов, связанных с различными технологическими операциями и этапами обработки: изготовление комплектующих ОЖС и МЖС, микроканальных блоков, механообработка МКП, технохимическая обработка на вытравливании жилы, физико-термическая обработка (прокалка, термоводородное восстановление, металлизация и пр.

В связи с этим в процессе выполнения работы было спланировано и проведено большое количество технологических работ и проб по определению и оптимизации существенных для дефектов ЧПЗ технологических факторов. Основные результаты:

• оптимизация конструкции (калибра каналов), структуры, ужесточение допусков на размеры комплектующих элементов, минимизация ряда характерных структурных дефектов, . существенно снизили влияние геометрически-структурного фактора на основные дефекты ЧПЗ ЭИ МКП,

• модернизация технохимической обработки (на вытравливании опорной жилы) существенно улучшила ЧПЗ ЭИ МКП в отношении темных и светлых точек,

• совместная оптимизация ключевых операций (спекание блоков, вытравливание жилы, термоводородное восстановление) исключило дефект РЗЯ при рабочих напряжениях на МКП и обеспечило порог по СС в соответствиями с требованиями применения МКП в ЭОП 2 - 2+ и 3 поколения

• тщательное изучение характеристик усиления МКП выявило новые закономерности, связанные с насыщением усиления, эффектами памяти, поведения усиления каналов на сроке службы МКП

В связи с доминирующей ролью резистивного фактора СС было установлено, что ПК и ВК МКС обладают различной восстанавливающей способностью, поскольку стенки их имеют различный химический состав: содержание щелочной компоненты в стенках ПК всегда меньше, чем в стенках ВК. Это связано с термодиффузионными процессами в системе жила-оболочка каналов на операции вытяжки МЖС, когда периферийные каналы перетягиваются всегда при несколько более высокой температуре по сравнению с внутренними каналами МЖС. Таким образом, различие в ПК и ВК закладывается на операции вытяжки МЖС. В дальнейшем, путем оптимизации операций спекания блоков, вытравливания жилы и термоводородного восстановления это различие может быть более или менее значительно ликвидировано, что приводит к увеличению порога СС по входному (выходному) току.

Качество МКПО ВТЦ "Баспик" тщательно анализировалось в сравнении с качеством зарубежных МКП-аналогов фирмыОаШео. Исследования показали, что по уровню электрических и электронно-оптических параметров вновь разработанные отечественные МКП новых поколений не уступают новейшим зарубежным МКП. Этот вывод был подтвержден результатами использования МКП у изготовителей ЭОП.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Оптимальные режимы и условия контроля ЧПЗ ЭИ МКП должны учитывать интересы изготовителя и потребителя МКП: они должны быть, во-первых. адекватными условиям работы МКП в составе ЭОП, во-вторых, обеспечивать достаточную чувствительность обнаружения дефектов ЧПЗ на контроле МКП.

2. Все свойства и параметры МКП, как многоканального вторично-электронного усилителя электронных изображений есть функции конструкции, степени совершенства геометрической структуры, чистоты рабочих поверхностей, свойств резистивно-эмиссионного слоя каналов и степени идентичности геометрически-структурных, резистивных и эмиссионных свойств каналов.

3. Неоднородность свойств и усиления каналов заложена в принятом индивидуально-групповом технологическом методе формирования структуры МКП.

4. Минимизация структурного шума, исключение СС и РЗЯ на электронном изображении МКП требует очень высокой идентичности каналов и их групп по параметрам усиления. Такая точность в принципе обеспечивается принятой технологией.

5. Минимизация влияния фактора разброса калибра каналов достигается оптимизацией калибра и напряжения питания МКП применительно к условиям ее применения в ЭОП.

6. Резистивный фактор является преобладающим для СС и РЗЯ современных МКП. Для его минимизации необходимо снизить в допустимых пределах сопротивление МКП, принять технологические меры по обеспечению идентичности химического состава стенок соответствующих групп каналов, их однородной восстанавливаемости, идентичности эмиссионного слоя РЭС каналов, минимизации их поверхностной зарядки.

7. Формирование резистивно-эмиссионного слоя каналов происходит на протяжении всего цикла изготовления МКП. Оптимизация свойств и однородность параметров РЭС каналов достигается совместной оптимизацией существенно влияющих факторов ключевых технологических операций -спекания блоков, технохимической обработки (вытравливания жилы), термоводородного восстановления.

8. Внедрение выводов и рекомендаций проведенных исследований способствовало разработке и промышленному освоению отечественных МКП новых поколений с параметрами на уровне лучших зарубежных аналогов.

ЛИТЕРАТУРА

1. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Влияние сопротивления каналов на сотовую структуру электронного изображения МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. республик, научн. конф.-Владикавказ. 1994.-С.144-145.

2. Алкацева Т.Д., Гаврилов А.Ю., Кулов С.К. и др. Физика и поведение "сотовой структуры" электронного изображения МКП //Волоконная оптика: Тез. докл.Всесоюзной научн.конф. -М., 1993. -С.102-103.

3. Алкацева Т.Д., Гаврилов А.Ю., Кулов С.К. Методы направленного воздействия на физико-химические, структурные, электрические и эмиссионные свойства каналов МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез.респ.научн.конф.-Владикавказ. 1993. -С.139-140.

4. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Условие обнаружения дефектов чистоты поля зрения электронного изображения МКП // Волоконная оптика: Тез.докл.Всесоюз.научн.конф. -М., 1993. -С.104-105.

5. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Козырев E.H. и др. Обработка каналов МКП под действием электронной бомбардировки // Научно-техническая конф., посвященная 50-летию НИС СКГМИ (тезисы докладов). -Орджоникидзе. 1988. -С.23.

6. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Попова В.А. Эффективность тренировки каналов МКП с помощью электронной бомбардировки // Волоконная оптика: Тез.докл.Всесоюз.научн.конф.- М., 1990. -С.278.

7. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Требования к однородности каналов МКП с точки зрения исключения структурных шумов изображения // Научно-техническая конференция, посвященная 60-летию НИС СКГТУ ( сб.статей). -Владикавказ. 1999. -С.41-43.

8. Научно-технический отчет по ОКР "Кот". Разработка МКПО диаметром 24,8 мм с каналами 10 мкм (гл.констр. Кулов С.К., отв.исполн. : Алкацева Т.Д., Гаврилов А.Ю., Платов Э.А., Сланова И.Р. и др.). -Владикавказ. 1995.

9. Научно-технический отчет по ОКР "Микро 1Б". Разработка МКПО диаметром 24,8 мм с каналами 8 мкм ( гл.констр. Кулов С.К., отв.исполн.: Алкацева Т.Д., Сланова И.Р., Калоев A.B., Макаров E.H. и др.). -Владикавказ. 1998.

10. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Системные методы анализа и совершенствования ИЭТ и их технологии. -Владикавказ. 1993.

11. Алкацева Т.Д.. Исследование кинетики параметров МКП в процессе наработки (научно-технический отчет).-Владикавказ. 1995.

12. Сланова И.Р., Алкацева Т.Д., Мерзлова Е.В. и др. Сравнительные исследования МКП "Баспик" и зарубежных аналогов фирмы Galileo (сводный научно-технический отчет). -Владикавказ. 1999.

13.Научно-технический отчет по ОКР "Маска 1Б". Разработка конструкции и технологии МКПО 33-10 ( гл.констр. Макаров E.H., отв.исполн.: Алкацева Т. Д., Сланова'И.Р., Калоев A.B. и др.). -Владикавказ. 1999.

1. Характеристики электронного изображения МКП.

1.1. Конструктивно-технологические, физические и параметрические особенности современных МКП.

1.2. Формирование и особенности электронного изображения МКП.

1.3. Условия визуальной регистрации дефектов электронного изображения МКП.

1.4. Классификация дефектов электронного изображения МКП

2. Нормирование и поведение дефектов электронного изображения МКП.

2.1. Режимы и условия работы МКП в составе ЭОП.

2.2. Режимы контроля и требования к чистоте поля зрения электронного изображения МКП.

2.3. Исследование поведения дефектов ЭИ МКП.

3. Анализ физических моделей дефектов электронного изображения МКП.

3.1. Резистивный фактор неоднородности усиления каналов и их групп.

3.2. Шаговая модель усиления каналов МКП.

3.3. Теория точности усиления каналов МКП.

3.4. Геометрически-структурный и эмиссионный факторы сотовой структуры и разнояркости изображения.

3.5. Выводы по третьей главе.

4. Технологические проблемы ЧПЗ ЭИ МКП и направления их решения.

4.1. Системные взаимосвязи между МКП и техпроцессом их изготовления.

4.2. Системные свойств операций техпроцесса.

4.3. Пути технологической оптимизации МКП.

Геометрически-структурный фактор.

4.4. Технологические пути минимизации резистивного фактора сотовой структуры и разнояркости изображения.

5. Исследования технологических и эксплуатационных факторов ЧПЗ ЭИ МКП.

5.1. Исследование термоводородного восстановления МКП.

5.2. Технологические факторы процесса вытравливания опорной жилы.

5.3. Воздействие внешних факторов на параметры МКП.

Актуальность темы. Микроканальные пластины (МКП) -стеклянные вакуумные многоканальные вторично-электронные преобразователи и усилители организованных в пространстве потоков заряженных частиц и излучений. Благодаря ряду уникальных свойств (миниатюрность, компактность, высокое усиление и пространственное разрешение, самонасыщение усиления, высокое быстродействие, малое потребление мощности и так далее), МКП находят все возрастающее применение в различных областях науки и техники, прежде всего, в технике ночного видения [1-10,20].

Конструктивно типовая современная МКП представляет собой стеклянный диск, состоящий из микроканальной вставки (МКВ) и монолитного обрамления (МО). В пределах МКВ содержится несколько миллионов регулярно расположенных круглых микроканалов. Путем термоводородной обработки стенки каналов приобретают необходимую электропроводность, и на поверхности каналов формируется тонкий резистивно-эмиссионный слой (РЭС), выполняющий функции вторично-электронного эмиттера с распределенным сопротивлением. Торцы пластины металлизируют, и к ним подводится напряжение питания. Протекающий по РЭС ток проводимости создает однородное электрическое поле в каналах. При этом каждый канал превращается в сверхминиатюрный каналовый вторично-электронный умножитель (КЭУ), способный умножать попадающие в него электроны, а вся пластина становится многоканальным умножителем электронов, в частности, усилителем электронных изображений.

МКП - стеклянное изделие, причем стекло выполняет не только функции конструкционного материала, но и является материалом 5 активных элементов (вторично-электронных усилителей), что является уникальным в современной электронике. Малый диаметр каналов (до 5-6

6 2 мкм), огромная (10 см" и выше) их плотность, жесткие требования к однородности усиления каналов, к совершенству геометрической структуры каналов и качеству исполнительных поверхностей - все это делает современные МКП особо сложными изделиями электронной техники, а их изготовление прецизионным процессом [15-21]. Поэтому только несколько ведущих мировых фирм - Galileo, ITT, Varían, Ni-Tec (США)- способны выпускать высококачественные МКП.

Исторически развитие МКП было связано, главным образом, с потребностями техники ночного видения. МКП - важнейший элемент электронно-оптических преобразователей (ЭОП) и приборов ночного видения (ПНВ) новейших поколений, выполняющий функцию усиления электронных изображений. Характеристики МКП, ЭОП и ПНВ взаимосвязаны и взаимообусловлены. Прогресс в развитии ПНВ и ЭОП неразрывно связан с прогрессом в развитии МКП [1,2,8,49-51,100103,106].

В связи с этим весьма актуальной является задача улучшения чистоты поля зрения электронного изображения (ЧПЗ ЭИ) МКП, поскольку это улучшает качество выходного изображения ЭОП, снижает вероятность ошибок первого и второго рода при наблюдении объектов в условиях естественной ночной освещенности (ЕНО), способствует улучшению основного параметра ПНВ - дальности действия, повышает комфортность наблюдений, надежность и стойкость прибора и аппаратуры [1,100-103].

ЧПЗ ЭИ МКП - сложное комплексное свойство качества МКП, определяемое размерами, числом, распределением по рабочей площади поля зрения и яркостно-контрастными характеристиками допустимых 6 дефектов выходного изображения. Минимизация дефектов ЧПЗ способствует существенному улучшению технического уровня и качества МКП, ЭОП и ПНВ, повышению конкурентоспособности и ликвидности МКП на рынках сбыта. Анализ показывает, что с развитием техники ночного видения требования к ЧПЗ ЭИ МКП неуклонно повышаются[ 19,20,239-245].

Становление отечественных изделий электронной техники класса МКП в СССР осуществлялось в 70-80-х г.г. В 90-х годах новейшие поколения отечественных МКП в России разрабатывают и выпускают только Владикавказский технологический центр "Баспик" и государственное предприятие завод "Гран" г.Владикавказ.

Большой научный и практический вклад в создание основ физики и информатики МКП, теоретических и практических основ технологии, организации промышленного производства и внедрение МКП в ЭОП внесли отечественные ученые и специалисты: Петровский, Сатаров, Тютиков, Кулов, Канчиев, Кутасов, Гречаник, Полухин, Канаева, Пахомов, Романов, Платов, Гер, Бурзянцев, Попов, Макаров, Добров, Шаповал, Белоглазов, Локтионов, Солдатенков, Никитин, Гордиенко и другие.

Вместе с тем, изучение литературных данных [15,1719,21,25,27,41,42,67,68,71 и другие] показывает, что физические причины и механизмы, а также технологические факторы, ответственные за формирование дефектов ЧПЗ ЭИ МКП, изучены недостаточно, либо не известны вовсе, особенно применительно к МКП современных типов с монолитным обрамлением. Это в первую очередь относится к "родовым" дефектам, которые связаны с самой сущностью принятого технологического метода - "сотовой структуре" (СС) и "разнояркости микроканальных сот" (РЗЯ) [27]. 7

В связи с этим актуальной является научная проблема исследований физического механизма, физико-химических и технологических закономерностей формирования детерминированных технологическим методом дефектов ЧПЗ, определения и оптимизации их существенных технологических факторов [19,21,24,27].

Решение этой проблемы способствует углублению знаний о физике и технологии МКП и предопределяет успех в решении технологической задачи улучшения ЧПЗ ЭИ МКП, а вместе с этим более общих задач разработки и промышленного освоения усовершенствованных МКП новых поколений.

Предмет исследований - дефекты электронного изображения МКП "сотовая структура (СС) и "разнояркость" (РЗЯ), детерминированные принятым технологическим методом изготовления МКП.

Целью диссертационной работы являлось: на основе исследований физико-химических, технологических и эксплуатационных закономерностей формирования и поведения дефектов СС и РЗЯ, выявления и оптимизации значимых технологическим факторов, наметить и осуществить мероприятия по совершенствованию технологии МКП с целью исключения (минимизации в допустимых пределах) этих дефектов и улучшения качества МКП.

Настоящая работа проводилась в связи с исследованиями и разработками, направленными на создание и промышленное освоение отечественных МКП для новейшей техники ночного видения 2, 2+ и 3 поколения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

1. Обобщить и критически проанализировать данные по фактическому состоянию, текущим и перспективным требованиям к ЧПЗ 8

ЭИ МКП, режимам и условиям контроля, закономерностям формирования и поведения дефектов ЧПЗ.

2. Исследовать характеристики, поведение и условия регистрации дефектов ЧПЗ, обосновать и предложить оптимальные режимы испытаний МКП на ЧПЗ. Решить классификационную задачу дефектов ЧПЗ.

3. Исследовать физические закономерности, провести анализ физических моделей типовых дефектов ЧПЗ и на основе этого сформулировать требования к конструктивным, структурным и электрическим параметрам каналов МКП, условиям работы МКП в составе ЭОП, наметить принципиальные пути реализации требований.

4. Провести классификацию и анализ влияющих на ЧПЗ технологических факторов и исследовать закономерности их воздействия. Разработать факторные технологические модели дефектов ЧПЗ экспериментально исследовать поведение дефектов ЧПЗ в зависимости от технологической предыстории и воздействия внешних факторов в течение срока службы МКП.

5. Предложить и апробировать мероприятия по оптимизации существенных технологических факторов и на этой основе улучшить характеристики ЧПЗ ЭИ МКП.

Основные положения, выносимые на защиту:

1 .Вероятность визуальной регистрации контраста дефектов ЧПЗ ЭИ МКП определяется плотностью входного тока МКП, размером дефекта, отношением сигнал/шум в контрасте, условиями регистрации и характеристиками человеческого зрения. Недостаточный учет этих факторов при испытаниях приводит к ошибкам первого рода (пропуск дефекта) и может создать преувеличенное представление о качестве МКП. 9

2.Используемые режимы контроля ЧПЗ отечественных МКП не адекватны условиям их применения в составе ЭОП новейших поколений и требуют уточнения.

3. Система классификации дефектов ЧПЗ ЭИ МКП по видам и реквизитам-признакам. Дефекты СС и РЗЯ детерминированы самой принятой технологией и не могут быть полностью исключены. Их следует минимизировать применительно к режимам и условиям применения (контроля) МКП.

4.Уточненная шаговая модель усиления канала (любых выделенных их групп) и вытекающая из нее теория точности усиления по рабочему полю МКП позволяют сформулировать объективные требования к точностным характеристикам параметров усиления каналов и их групп, а также наметить пути их обеспечения

5.Основные факторы сотовой структуры и разнояркости электронного изображения МКП: геометрически-структурный, резистивный, эмиссионный, которые действуют относительно независимо, корпоративно и (или) конкурентно. При этом наиболее существенное значение имеет резистивный фактор.

5.Природа токового насыщения усиления каналов МКП, определяющего влияние резистивного фактора, сложнее, чем это представлялось ранее. Она связана как с продольным, так и поперечным сопротивлением резистивно-эмиссионного слоя каналов.

6.Однородность усиления каналов, в конечном итоге, определяется однородностью состава, структуры и свойств резистивно-эмиссионного слоя каналов. Формирование и трансформации РЭС происходят на всем протяжении техпроцесса изготовления и далее на сроке службы МКП.

7.Существенные технологические факторы дефектов ЧПЗ связаны с ключевыми операциями техпроцесса: изготовлением одно и многожильных стержней (ОЖС, МЖС), микроканальных блоков, технохимической и физико-термической обработкой МКП, которые должны рассматриваться и оптимизироваться только совместно.

8. Предложенная и апробированная методология совместной системной оптимизации технологических факторов ключевых операций техпроцесса с целью минимизации дефектов ЧПЗ, основанная на системной роли и многофункциональности технологических операций и их связей.

Методы исследований: теоретические исследования, статистические методы анализа, разработка, анализ физико-математических, экспериментально-статистических и факторных технологических моделей, лабораторный и промышленный эксперимент, специальные испытания МКП.

Методологические основы исследований - системный подход, когда МКП и технологический процесс их изготовления представляют в виде систем, а решение проблем исследований и совершенствования МКП основывается на методологии системного анализа.

Научная новизна:

1. Учет вероятности регистрации контраста изображений дефектов ЧПЗ, реальных режимов и условий работы МКП в составе ЭОП позволил научно обосновать оптимальные режимы и условия контроля дефектов ЧПЗ МКП.

2. Разработанная теория точности усиления каналов, позволяет в комплексе определить круг основных физических факторов усиления и требования к точностным характеристикам параметров усиления каналов.

3. Предложенные физические модели СС и РЗЯ ЭИ МКП, учитывают совокупный вклад резистивного, геометрически-структурного и эмиссионного факторов, их взаимодействие и взаимовлияние.

11

Установлена существенная роль резистивного фактора в формировании указанных дефектов ЧПЗ.

4. В явление токового насыщения усиления каналов МКП важный вклад вносит поперечная проводимость резистивно-эмиссионного слоя каналов, верхнего тонкого эмиссионного высокоомного слоя на основе

8Ю2.

5. Выдвинута и обоснована новая гипотеза о природе электронной проводимости каналов МКП, основанная на механизме токопрохождения в системе металл-полупроводник-металл.

6. Предложены и обоснованы модели формирования дефектов ЧПЗ в технологии МКП, установлены и экспериментально исследованы существенные технологические факторы и условия возникновения дефектов, решающими из которых является факторы, приводящие к неоднородности химического состава стенок пограничных и внутренних каналов микроканальных сот, и как следствие, различиям в продольном и поперечном сопротивлении РЭС этих каналов.

7.Методология и конкретные методы совместной оптимизации технологических факторов с целью минимизации дефектов ЧПЗ ЭИ МКП.

Практическая ценность работы:

1. Разработаны и внедрены в производство классификаторы дефектов и алгоритмы анализа ЭИ МКП.

2.Разработаны и внедрены в производство оптимальные методы испытаний МКП на качество электронного изображения.

3. Сформулированы и реализованы в разработках и производстве МКП требования к точностным характеристикам микроструктуры каналов, узлов и комплектующих элементов МКП.

4. На основе разработанных физико-технологических моделей выявлен и установлен характер влияния существенных технологических факторов дефектов ЧПЗ.

5. Проведена множественная оптимизация технологических факторов и на этой основе в рамках принятого технологического метода минимизирован ряд основных дефектов ЧПЗ, в частности, СС и РЗЯ, что позволило улучшить качество электронного изображения выпускаемых отечественных МКП.

Внедрение результатов работы. Практические результаты работы внедрены на предприятии Владикавказский технологический центр "Баспик" и на государственном предприятии - заводе "Гран" г.Владикавказ в разработки и производство вновь освоенного в России МКП международного типоразмерного ряда новейших поколений МКП (ОКР по темам "Кот", "Кот-1", "Мираж-1", "Микро-2", Маска-1 Б"). Эффективность мероприятий по улучшению качества МКП подтверждается результатами испытаний и отзывами потребителей.

Апробация результатов работы. Основные вопросы, исследования и положения диссертационной работы докладывались на Всесоюзных научно-технических конференциях по "Волоконной оптике" (Москва, 1990, 1993 г.г.), отчетных научно-технических конференциях СевероКавказского государственного технологического университета (1988-1997г.г.), республиканских научных конференциях (1993-1998 г.г.), Российской научно-технической конференции по МКП (Владикавказ, 1997г.).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы автора отражены в 5 научно-технических отчетах по НИОКР, 7 печатных работах.

Объем диссертации. Диссертация изложена на русском языке и состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Проблема ликвидации (минимизации) детерминированных дефектов ЧПЗ ЭИ МКП - "сотовой структуры" и " разнояркости" - относится к категории сложных и слабоструктуризированных проблем, решение которых с необходимостью требует применения методологии системного подхода. Основные подпроблемы: изучение и классификация дефектов ЧПЗ ЭИ МКП по видам и реквизитам-признакам (контраст, топология, поведение), нормирование требований и оптимизация условий контроля СС и РЗЯ, создание и анализ физико-математических моделей неоднородности усиления каналов и их групп, выявление и установление характера влияния физических факторов усиления каналов, теоретические вопросы технологии многозвенного формирования рабочих структур МКП, выявление существенных технологических факторов и характера их влияния на неоднородность усиления каналов, разработка оптимальных подходов множественной оптимизации параметров и факторов, ответственных за появление СС и РЗ

2. Решена классификационная задача дефектов ЧПЗ ЭИ МКП. Все дефекты делятся на стохастические и детерминированные принятым технологическим процессом изготовления МКП. Последние принципиально неустранимы, они могут быть только минимизированы применительно к определенным параметрам МКП, режимам и условиям их применения.

3. Показано, что визуальная видимость дефектов СС и РЗЯ на ЭИ МКП существенно связана с временными шумами входного электронного

211 потока и МКП. Повышение достоверности визуальной регистрации СС и РЗЯ требует достаточной плотности входного тока у'/

4. Принятые режимы контроля СС и РЗЯ МКП по ряду признаков не являются оптимальными. Предложены оптимальные режимы контроля, адекватные условиям работы МКП в ЭОП 2, 2+ и 3 поколения и учитывающие роль временных шумов.

5. Показано, что основными факторами СС и РЗЯ являются следующие: резистивный, геометрически-структурный, эмиссионный. Эти факторы действуют совместно, относительно независимо, корпоративно и(или) конкурентно. Исследование поведения дефектов при изменении режимов испытаний (напряжения на МКП, величины входного и выходного токов) позволяет выявлять в ряде случаев действие преобладающего (наиболее существенного) фактора. Применительно к исследуемым МКП для ЭОП таким преобладающим фактором является резистивный.

Показано, что указанные факторы СС и РЗЯ, как и другие свойства и параметры МКП в общем случае зависят от степени:

• оптимальности конструкции МКП,

• совершенства геометрической структуры каналов,

• чистоты рабочих поверхностей,

• оптимальности параметров и однородности РЭС каналов.

6. Показано, что МКП, должны быть оптимизированы по величине сопротивления, которая должна соответствовать линейным условиям работы МКП в ЭОП. При этом уменьшение сопротивления приводит к уменьшению влияния резистивного фактора на СС и РЗЯ ЭИ МКП. В связи с эти отмечено, что требования по сопротивлению МКП в технических условиях до сих пор задавались далекими от оптимальных.

Предложены оптимальные требования к сопротивлению МКП, используемых в ЭОП 2, 2+ и 3 поколения.

7. Рассмотрена уточненная физико-математическая шаговая модель усиления каналов в линейном режиме и выводы из нее. Установлено, что усиление канала, есть функция ряда его конструктивных, геометрически-структурных и эмиссионных параметров, являющихся физическими факторами усиления. Определены функции влияния каждого из факторов на усиление и их зависимость от напряжения на МКП. Показано, что для минимизации влияния калибрового фактора на усиление необходимо, во-первых, оптимизация среднего по пластине калибра каналов применительно к режимам использования МКП в ЭОП, во-вторых, минимизация разброса диаметров каналов и их групп. Средний по пластине геометрический калибр должен быть в интервале 35-40. Коэффициент вариации диаметров каналов не должен превосходить величины 1,5%.

8. Рассмотрены методологические вопросы анализа взаимосвязей между выходными (техническими) параметрами МКП, внутренними (физико-химическими) параметрами и технологическими факторами. Показано, что между параметрами и факторами имеются сложные неоднозначные связи и взаимовлияния, в связи с чем задача множественной оптимизации параметров и факторов не может быть формально решена в общем виде, и ее практически приходится решать на основе принятия компромиссных решений.

9. Проведен анализ системных свойств технологических операций процесса изготовления МКП. Показано, что каждая операция помимо предписанной операционной функции объективно выполняет еще две : исправляет негативы, внесенные в продукцию на предшествующих операциях, вносит новые негативы в определенные свойства обрабатываемой продукции. В связи с этим, во-первых, решение оптимизационных задач с необходимостью требует рассмотрения комплекса взаимосвязанных операций, во-вторых, любые изменения технологии должны тщательно анализироваться на предмет внесения неконтролируемых негативов.

10. Рассмотрены технологические проблемы, связанные с геометрически-структурным фактором структурных шумов, СС и РЗЯ. Показано, что введение ужесточенных допусков на размеры ОЖС и МЖС способствуют решению задачи минимизации коэффициента вариации диаметров каналов, достижению в этом отношении мирового уровня качества МКП. Эти меры приводят и к достаточной для предотвращения дефекта РЗЯ однородности средних по МКС калибров каналов.

11. Проведен анализ геометрических искажений по границам МКС: деформации сечений пограничных каналов (ПК) и сбоя пограничной структуры каналов на квадратную. Это приводит, во-первых, к некоторому увеличению калибра ПК, во-вторых, снижению прозрачности входа МКП в области ПК. Указанные факторы способствуют возникновению темной сетки на ЭИ МКП, главным образом, за счет снижения прозрачности входа в области ПК. В реальном случае вследствие ряда факторов на спекании блоков, способствующих сближению ПК между собой, фактор снижения прозрачности входа может быть ослаблен до приемлемого уровня.

12. При анализе резистивного фактора СС МКП рассмотрены характеристики насыщения усиления каналов МКП. Показано, что в ряде случаев, насыщение имеет аномальный вид, характеризуется динамикой усиления в области сравнительно малых входных-выходных токов, соответствующих линейному режиму работы каналов насыщение второго рода). Рассмотрены физические вопросы проводимости каналов. Показано, что известные гипотезы проводимости восстановленных свинцово-силикатных стекол не могут удовлетворительно объяснить электрические характеристики МКП. Предложена новая гипотеза продольной проводимости каналов, связанная с образованием оксидно-свинцовых оболочек восстановленных конгломератов дисперсной фазы свинца, обладающих электронной проводимостью.

13. Показано, что при анализе физики усиления и явления токового насыщения усиления каналов необходимо принимать во внимание и поперечную проводимость резистивно-эмиссионного слоя (РЭС) каналов, которая связана с толщиной и электропроводностью верхнего эмиссионного кремнеземного приповерхностного слоя каналов. Эти факторы определяют поверхностную зарядку каналов при их работе, эффекты "памяти" (обратимое снижение усиления) и токовое насыщение второго рода.

14. Резистивные свойства каналов и их групп определяются технологическими факторами ключевых операций: вытяжка МЖС. спекание блоков, вытравливание каналов, термоводородное восстановление. Существенное влияние на свойства восстанавливаемости МКП оказывают диффузионные явления, протекающие в системе жила-оболочка каналов на вытяжке и спекании. Эти явления приводят к снижению концентрации щелочной составляющей в оболочке (стенках) каналов, что, во-первых, изменяет вязкость и ТКЛР материалов, во-вторых, существенно влияет на свойства восстанавливаемости каналов. В связи с тем, что основные диффузионные процессы происходят на операции спекания блоков, именно эта операция требует тщательной регулировки и оптимизации по ряду критериев: обеспечению механической прочности и формоустойчивости МКПО, восстанавливаемости каналов и возможно большей однородности пограничных и внутренних каналов МКС по восстанавливаемости. На основе анализа экспериментальных данных можно заключить, что применительно к применяемым рабочих стеклам и технологическому методу принятые в настоящее время режимы спекания блоков являются оптимальными.

15. Резистивные свойства каналов МКП, в частности, однородность резистивных свойств ПК и ВК определяются также технологическими факторами операций вытравливания каналов и термоводородного восстановления МКП. Операция травления жилы является многофункциональной. В процессе этой операции формируется выщелоченный кремнеземистый приповерхностный слой на стенках каналов, который далее лишь трансформируется на восстановлении МКП. В связи с этим имеется возможность на этой операции управлять свойствами будущего эмиссионного слоя каналов и, в частности, оптимизировать этот слой по толщине, составу и структуре.

Проведенные на операции восстановления МКП исследования показывают, что, как правило, вначале быстрее восстанавливаются стенки ПК, в связи с чем на начальных стадиях восстановления МКП имеют светлую сетку. Затем снижение сопротивления ПК замедляется, в то время как сопротивление ВК снижается достаточно быстро. В результате сопротивления ПК и ВК сближаются, а при продолжении процесса сопротивление ВК оказывается ниже сопротивления ПК -фактор темной сетки. Оптимизация температурно-временных режимов восстановления позволяет, во-первых, иметь оптимальное сопротивление МКП с точки зрения ее применения и ослабления действия резистивного фактора СС и РЗЯ, во-вторых, в этом

216 оптимальном диапазоне добиться сближения сопротивлений ПК и ВК для еще большего снижения действия резистивного фактора.

16. Показано, что свойства изготовленных МКП по СС могут, в ряде случаев, ухудшаться и при воздействии технологических факторов, связанных с техпроцессом изготовления ЭОП. В частности, ухудшение порога СС в результате прогрева МКП на атмосфере связано с окислением верхнего эмиссионного слоя увеличением его сопротивления, активизации явлений зарядки второго рода. В связи с тем прогрев при температурах свыше 350 °С недопустим. Электронное облучения стенок каналов в процессе работы (тренировки) МКП может вызывать разнообразные следствия: очистка поверхности каналов (электронное обезгаживание) с ликвидацией отдельных загрязнений входа-выхода каналов и улучшением порога СС, деградация усиления вследствие снижения сопротивления на выходе каналов из-за дрейфа вглубь РЭС генерируемых электронными ударами положительных ионно-щелочных металлов. В связи с этим технология должна быть оптимизирована таким образом, чтобы минимизировать содержание щелочной составляющей на поверхности стенок каналов.

17. С учетом изложенного реализована на практике итеративная методика множественной оптимизации существенных технологических факторов СС и РЗЯ целого ряда ключевых операций техпроцесса. Оптимальная технология изготовления современных высококачественных МКП настроена весьма остро. В связи с этим встают задачи точности и настроенности управления технологическими режимами ключевых операций для удержания существенных технологических факторов этих операций на оптимальном уровне. Дестабилизация одной из ключевых операций неизбежно приводит к

217 дестабилизации всей системы "настройки" техпроцесса и, как следствие, к повышенному браку МКП.

По результатам сравнительных исследований показано, что отечественные пластины последних поколений, разработанные в ВТЦ "Баспик", в целом практически не уступают зарубежным аналогам по ЧПЗ ЭИ и с успехом могут быть использованы в новейших ЭОП 2, 2+ и 3 поколения. Этот вывод подтвержден результатами применения и эксплуатации МКП в составе указанных ЭОП.

18. Дальнейшие направления исследований с целью улучшения качества МКП в отношении ЧПЗ ЭИ МКП могут быть связаны со следующим:

• разработка нового рабочего стекла матрицы МКП с пониженным содержанием натрия и калия,

• оптимизация операции вытяжки МЖС с целью снижения интенсивности диффузионных процессов в системе жила-оболочка, сближению их интенсивности для ПК и ВК, что, в частности, требует снижения температуры вытяжки и разработки нового стекла защитных стекол с меньшей вязкостью при пониженных температурах вытяжки МЖС,

• модернизация и оптимизация операции спекания блоков с целью исключения сбоев структуры на границах спекания, минимизации искажений ПК и сближению их свойств с ВК,

• углубленное исследование влияния технологических факторов операций травления жил каналов, термопрокалки и термоводородного восстановления МКП на толщину, состав, структуру и проводимость верхнего кремнеземного эмиссионного слоя стенок каналов.

В целом следует считать, что возможности принятого базового технологического способа изготовления МКП еще далеко не исчерпаны. Дальнейшие исследования, структурная и параметрическая

218 оптимизация принятой технологии будут способствовать повышению технического уровня и качества МКП для ЭОП, разработке и освоению МКП с каналами 5 мкм и менее.

219

1. Берковский А.Г., Гаванин В. А., Зайдель И.Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы. - М.: Радио и связь. - 1988.

2. Шаген П. ЭОП с канальным электронным умножением // Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений. М.: Мир. -1978.-Т.1.-С. 13-87.

3. Айбунд М.Р., Поленов Б.В. Вторично-электронные умножители открытого типа и их применение. М.: Энергоиздат. - 1981.

4. Берковский А.Г. Электронные умножители // Итоги науки и техники. Серия "Электроника и ее применение". 1973. - Т.5. - С.43-83.

5. Дмитриев В.Д., Лукьянов С.М. и др. Микроканальные пластины в экспериментальной физике (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1982. - №2. - С.7-18.

6. Вейнберг В.Б., Саттаров Д.К. Оптика световодов. Л.: Машиностроение. - 1977.

7. Брагин Б.Н., Меламид А.Е. Канальные электронные умножители и микроканальные пластины // Итоги науки и техники. Серия "Электроника и ее применение". 1977. - Т.5. -С. 102-133.

8. Брагин Б.И., Меламид А.Е. Микроканальные электронно-оптические преобразователи. // Итоги науки и техники., Сер. "Электроника и ее применение", Т.11, ВИНИТК, -М., -1979, -С.35

9. Д.Соул. Электронно-оптическое фотографирование, пер. с англ. под ред. Базарова В.К. и Усольцева И.Ф., Военное изд. МО СССР.- М.-1972.

10. А.Роуз. Зрение человека и электронное зрение, пер. с англ. под ред. A.A. Гиппиуса, Мир.-М.-1977.220

11. А.Р.Шульман, С.А.Фридрихов. Вторичиоэмиссионные методы исследования твердого тела. -"Наука".-М.-1977.

12. Ж.Панков.Оптические процессы в полупроводниках. -МИР.-М.-1973.

13. Г.И.Епифанов. Физические основы микроэлектроники. "Сов.Радио",-М.-1971.

14. Л.Н.Добрецов, М.В.Гомоюнова. Эмиссионная электроника.-"Hay ка".-М.-1966.

15. Саттаров Д.К. Основы физики МКП, их параметры и применение // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М.,- 1983.-С.9-13.

16. Bulkwill J.T. Manufacturing techniques for microchannel plates and their application in night vision image intensifiers. Pros. 24th Semp. Art glassflowing. Southfield, Mich, 1979, Toledo, Onio, 1979, P.68-78.

17. Петровский Г.Т., Кулов C.K., Ягмуров B.X., Канчиев З.И. О направлениях совершенствования конструкции и технологии МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С. 220-224.

18. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Кутасов В.А. Основные принципы технологии МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., -41.- 1985. - С.53-55.

19. Кулов С.К. Проблемы и пути совершенствования МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, - 1994. -С.133-135.

20. Кулов С.К., Романов Г.П., Петровский Г.Т., Попов М.Н. Микроканальные пластины //Электронная промышленность. 1989. -№3. - С. 13-17.

21. Канчиев З.И., Кулов С.К., Кутасов В.А. и др. Новые направления технологии МКП // Оптический журнал. 1993. - № 1. - С.64-69.

22. Гаврилов А.Ю., Кулов С.К., Козырев E.H. Исследование влияния технологических и внешних факторов на вторично-электронную эффективность каналов МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1993. - С. 100-101.

23. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Влияние сопротивления каналов на сотовую структуру электронного изображения МКП // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, - 1994. - С. 144-145.

24. Алкацева Т.Д., Гаврилов А.Ю., Кулов С.К., и др. Физика и поведение "сотовой структуры" электронного изображения МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1993. - С. 102-103.

25. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Условие обнаружения дефектов чистоты поля зрения электронного изображения МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф., 1993.-М.-С. 104-105.

26. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Сланова И.Р. и др. Сотовая структура электронного избражения МКП (аналитический отчет), Владикавказ, 1998.

27. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Попова В.А., Козырев E.H. и др. Обработка каналов МКП под действием электронной бомбардлировки // НТК, посвященная 50-летию НИС СКГМИ (тезисы докладов). -Орджоникидзе. -1988.-С.23

28. Алкацева Т.Д., Кулов С.К. Требования к однородности каналов МКП с точки зрения исключения структурных шумов изображения // НТК,222посвященная 60-летию НИС СКГТУ (сб.статей). -Владикавказ. -1999.-С.41-43.

29. Алкацева Т.Д., Кулов С.К., Попова В.А. Эффективность тренировки поверхности каналов МКП с помощью электронной бомбардировки // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч.конф. -1990.- М.-С.278.

30. Т.А.Алкацева. Исследование влияние режимов эксплуатации на сотовую структуру электронного изображения МКП ( научно-технический отчет). -Владикавказ.-ВТЦ "Баспик".-1998.

31. Т.А.Алкацева. Исследование кинетики параметров МКП в процессе наработки ( научно-технический отчет ).-Владикавказ.-ВТЦ"Баспик".-1995.

32. Сборник технологических проб ВТЦ "Баспик" (1997-1999 г.г.). -Владикавказ. -ВТЦ "Баспик".

33. Гаврилов А.Ю., Кулов С.К. Физическая модель вторичной электронной эмиссии резистивно-эмиссионного слоя каналов МКП // К 100-летию со дня рождения профессора Агеенкова В.Г.: Тез. докл. отчетной науч.-технич. конф СКГМИ. -Владикавказ, 1993.- С. 112.

34. Гаврилов А.Ю, Кулов С.К. Состояние поверхности и вторичная электронная эмиссия восстанавливающихся свинцово-силикатных стекол // Электронные приборы и системы в промышленности: Тез. докл. Республ. науч. конф. Владикавказ, - 1994. - С. 131-133.

35. Гаврилов А.Ю., Кулов С.К., Козырев E.H. Вторичная электронная эмиссия стекол. МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М, - 1990. - С. 235-236.

36. Гаврилов А.Ю. К вопросу повышения усилительной способности микроканальных пластин // Тез. докл. отчетной науч.-технич.конф. Северо-Кавказского технолог, университета. Владикавказ, - 1995. -С.23.223

37. С.К.Кулов. Газосодержание и газовыделение МКП ( аналитический обзор), -Владикавказ. 1997.

38. С.К.Кулов. Вторичная электронная эмиссия восстановленных свинцово-силикатных стекол ( аналитический обзор). -Владикавказ, -1997.

39. С.К.Кулов,Т.Д.Алкацева. Механизм электропроводности МКП (научно-технический отчет). -Владикавказ. -1999.

40. С.К.Кулов. Физика микроканальных пластин для электронно-оптических преобразователей ( аналитический отчет). -Владикавказ. -1999.

41. С.К.Кулов. Технология микроканальных пластин. -4.1. Системные основы технологии.-Владикавказ.-1999.

42. С.К.Кулов. Технология микроканальных пластин. -4.2. Рабочие стекла МКП и трансформация их свойств в техпроцессе изготовления МКП.-Владикавказ.-1999.

43. Т.Д.Алкацева, С.К.Кулов. Системные методы анализа и совершенствования изделий электронной техники и их технологии. -Владикавказ. -1993.

44. Научно-технический отчет по ОКР "Кот". Разработка МКПО диаметром 24,8 мм с каналами 10 мкм ( гл.конструктор С.К.Кулов. отв.исполн.:Т.Д.Алкацева, А.Ю.Гаврилов, Э.А.Платов , И.Р.Сланова, А.В.Калоев и др.).-Владикавказ. -1995.

45. Научно-техический отчет по ОКР "Микро-1 Б". Разработка МКПО диаметром 24,8 мм с каналами 8 мкм (гл.констр.С.К.Кулов, отв.испол.: Т.Д.Алкацева, И.Р.Сланова, А.В.Калоев и др.) .-Владикавказ.-1997.

46. Научно-технический отчет по ОКР "Маска-1 Б". Разработка конструкции и технологии МКПО 33-10 ( гл. констр.Е.Н.Макаров,224отв.испол.: Т.Д.Алкацева, И.Р.Сланова, А.В.Калоев и др.).-Владикавказ.-1999.

47. И.Р.Сланова, Т.Д.Алкацева, Е.В.Мерзлова и др. Сравнительные исследования МКПО ВТЦ "Баспик" и зарубежных аналогов фирмы Galileo ( сводный научно-технический отчет ). -Владикавказ. -19981999.

48. Плетнева Н.И., Саттаров Д.К., Семенов Е.П. Микроканальные усилители яркости изображения // Оптико-механическая промышленность. 1976. - № 1. - С.63-71.

49. Pollehn Н.К. Image Intensifieres // Арр. Optics A. Optical engineering. -1980. Y.6.- P.342-393.

50. Fouassir M., Piaget C., Roaux E. Experimental and theoretical evacuations of 2nd and 3rd generation intensifiers viewing ranges // Photoelectric Imaging. London. - 1985. - P. 9-12.

51. Тютиков A.M., Кравчук Г.С. Микроканальные усилители яркости и методы их исследования // Приборы и техника эксперимента. 19 . -№9.-С. 193-196.

52. Семенов Е.П. Исследования коэффициента усиления потка электронов в микроканальной пластине // Оптико-механическая промышленность. 1982 . - №9. -С. 18-20.

53. Семенов Е.П. Электронно-оптические преобразователи и усилители яркости изображения // Оптико-механическая промышленность. -1987. -№ Ю.-С.48.

54. Тютиков A.M., Саттаров Д.К., Кравчук Г.С. и др. Исследование характеристик микроканальных пластин с различными диаметрами каналов // Электронная техника, серия 4. 1978. - №4. - С.33-42.225

55. Гречухо С.Н., Дунаева Т.Н., Конаева Г.Я. и др. Электрические параметры микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 1983. - С.66-68.

56. Трофимова Л.С., Саттаров Д.К., Конаева Г.Я. Электронно-оптические параметры МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - С.69-72.

57. Леонов Н.Б., Тютиков A.M. Формирование "памяти" у микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. -1980. -№8. -С.43-45.

58. Ощепков П.К., Скворцов Б.Н., Осанов Б.А., Сиприков И.В. О применении непрерывного вторично-электронного умножителя для усиления малых токов // Приборы и техника эксперимента. 1960. -№4. - С.89-91.

59. Якобсон A.M. Оценка коэффициента умножения вторично-электронного умножителя с непрерывным динодом //Радиотехника и электроника. 1986. - T.I 1., №10. - С. 1813-1825.

60. Тютиков A.M., Козырев В.К. Методика определения допустимого разброса диаметров каналов в микроканальных усилителях яркости// Оптико-механическая промышленность. 1973. - № 1. - С. 19.

61. Басяева Л.И., Моричев И.Е., Плетнева Н.И., Семенов Е.П. Методика исследования микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. 1974. - № 7. - С.21-24.

62. Плетнева Н.И., Мельникова М.М., Саттаров Д.К. Исследование темнового тока микроканальных пластин// Оптико-механическая промышленность. 1978. - № 11. -С.72.226

63. Тютиков A.M., Кравчук Г.С., Саттаров Д.К. и др. Влияние геометрии микроканальных пластин на их характеристики // Оптико-механическая промышленность. 1976. - № 11.

64. Тютиков A.M., Кравчук Г.С. Влияние условий эксплуатации на усиление и разрешающую способность систем с микроканальными пластинами // Оптико-механическая промышленность. 1974. - № 10.- С.6-9.

65. Саттаров Д.К., Тютиков A.M., Кравчук Г.С. и др. Микроканальные пластины изготовленные методом полых трубок из восстанавливающихся стекол и их характеристики // Оптико-механическая промышленность. 1976. - № 9. - С.27-30.

66. Кравчук Г.С., Тютиков A.M., Леонов Н.Б. О возможных причинах формирования "сетки" на электронном изображении систем с МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 42.- 1985. С.25-26.

67. Трофимов Л.С., Дунаева Т.Н., Чебан Г.А. Сетка на электронном изображении МКП и ее связь с режимами работы пластины // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 42.- 1985. -С.43-44.

68. Кулов С.К. Исследование факторов, определяющих разброс усиления каналов по полю МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 42. - 1985. -С.68-70.

69. Журавлева Н.В. Анализ причин появления сетки и ее элементов в процессе производства МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983. - С.59-60.

70. Кулов С.К., Макаров E.H., Еремина А.Ф. и др. Физические причины и технологические факторы сотовой структуры и светлых пятен наэлектронном изображении МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз.,. науч. конф. М., - 1990. - С.263-264.

71. Кулов С.К., Пашков В.М. , Попов М.Н. и др. Классификация и анализ причин дефектов электронного изображения МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.2, 1985, С.15-16.

72. Моричев И.Е., Плетнева Н.И. Расчет сопротивления МКП для ЭОП // Оптико-механическая промышленность. 1974. - № 12. - С.25-26.

73. Коробов М.И., Бороденко В.И., Лежник П.А. и др. Прохождение электронов через структуру доэлектронная пленка микроканальная пластина // Оптико-механическая промышленность. - 1988. - № 5. -С.9-12.

74. Бегучев В.П., Кравчук К.Д., Подгорнова Л.И. и др. Влияние барьерных пленок на усиление микроканальных пластин при энергии первичных электронов менее 1 кэВ // Электронная техника, серия 4. 1988. - №4. -С.62.

75. Смирнов Б.Н., Лещиков С.Н. Выбор оптимальной толщины барьерной пленки микроканальной пластины // Оптико-механическая промышленность. 1989. - №8. -С. 10-14.

76. Флегонтов М.А., Тютиков A.M., Кравчук Т.С. Исследование изображения малых объектов микроканальными пластинами // Оптико-механическая промышленность. -1978.-№2.-С.9-11.

77. Косида, Хособути. Энергетические спектры электронов, вылетающих из микроканальной пластины // Приборы для научных исследований (пер. с англ.) 1985. - №7. - С.23-26.

78. Косида.Влияние конструкции выходного электрода на энергетический спектр электронов, вылетающих из МКП // Приборы для научных исследований (пер. с англ.). 1986. - № 3, -С.30-34.228

79. Тютиков A.M., Цой Л.Б. Распределение электронов, выходящих из микроканальных пластин, по энергиям и направлениям// Оптико-механическая промышленность. 1976.- № 2. - С.20.

80. Бронштейн И.М., Евдокимов A.B., Стожаров В.М., Тютиков A.M. Дифференциальные вторично-эмиссионные характеристики микроканальных пластин // Радиотехника и электроника. 1979. -Т.24, №4. - С.871-874.

81. Леонов Н.Б., Тютиков A.M. Снижение фактора шума микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. 1983. - № 2. -С.10-13.

82. Леонов Н.Б., Тютиков A.M., Единова И.А. Собственные шумы микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность. -1989.-№3.-С.9-11.

83. Леонов Н.Б., Тютиков A.M., Тоисева М.Н., Черезова Л.А. Исследование шумов микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 1983. -С.73-76.

84. Евдокимов В.Н., Кудря A.A., Тютиков A.M. и др. О распределении плотности тока в изображении канала мультидина // Радиотехника и электроника. 1984,- Т.2, №2,- С.390.

85. Евдокимов В.Н., Тютиков A.M., Флегонтов Ю.А., Шиманская А. Влияние разброса координат падения электронов входного потока на усиление и фактор шума микроканального умножителя // Радиотехника и электроника. 1989. - № 3. - С.601-605.

86. Кравчук Г.С., Петрова И.Р., Тютиков A.M. и др. Оптимизация параметров электронно-оптических систем с каналовым усилением яркости // Оптико-механическая промышленность. 1988. - № 7. - С. 19-20.

87. Асламурзаев К.С., Козырев E.H., Кулов С.К. и др. Влияние разогрева МКП на электрическое поле в канале // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. M., - 1993.-С.106.

88. Козырев E.H., Кулов С.К., Асламурзаев К.С. и др. Распределение температуры в канале МКП с учетом ТКС материала // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф.-М.,- 1993.-С. 110.

89. Кулов С.К., Перепелицын В.В., Плиев A.B. Распределение температуры в канале МКП с учетом ТКС материала // К 100-летию со дня рождения профессора Агеенкова В.Г.: Тез. докл. отчетной науч.-технич. конф СКГМИ. Владикавказ, - 1993. - С. 108.

90. Асламурзаев К.С., Канчиев З.И., Канаева Г.Я. и др. Микроканальные пластины с высокой проводимостью // Оптический журнал. 1992. -№ 11.- С.79-80.

91. Канчиев З.И., Кутасов В.А., Татаринцев Б.В. и др. Термостабильные микроканальные пластины // Оптический журнал. 1992 . - № 11.-С.80-81.

92. Арчегова O.P., Еремина А.Ф., Кулов С.К. и др. Температурная зависимость сопротивления МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. -с.238-239.

93. Кулов С.К., Нечеталенко В.Ф. Воздействие технологических факторов на физико-технические параметры МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. -М„- 1990.-С. 240-241.

94. Белявский O.A., Минеев В.И., Коробочко Ю.С. Влияние стеночного заряда на работу канальных электронных умножителей // Вопросы атомной науки и техники. Серия "Общая и ядерная физика". 1988. -Вып.3(43). - С.51-53.

95. Кравчук K.JL, Нефедов М.Я., Шаманов A.A. и др. Исследование микроканальных пластин с кварцевыми прострельными пленками на230входе // Оптико-механическая промышленность. 1989. - № 12. - С.6-8.

96. Ward R. Nouse measurements on image intensifiers // Adv. Electr. and Electr. Phys. -London. 1976. - V.40A. - P.553-564.

97. Siegmund O.H.W., Vallerga J., Wargelin B. Background events in microchannel plates // IEEE Trans. Nucl. Science. 1988.- V.35.- №1. -P.521-528.

98. Айбунд M.P., Гоганов Д.А., Грудский Н.Я. и др. Моделирование процесса размножения электронных лавин в МКП // Вопросы атомной науки и техники. Серия "Общая и ядерная физика". 1988. -Вып.3(43). - С.48-52.

99. Guest A.J. A computer model of channal multiplier plate performance // Acta Electronics. -1971 .-V. 14,N? 1 .-P.79-98.

100. Manley В., Guest A., Holmshan R. Channel multiplier plate for imaging applications // Adv.Electr. and Electr. Phys. London. - 1969. - V.28A. -P.471-486.

101. Adams J., Manley B.W. The mechanism of channel electron multiplication // IEEE Trans. Nucl. Science. 1966.- №5. - P.88-99.

102. Eschard G., Manley B.W. Principle and characteristics of channel electron multipliers // Acta Electronics. 1971. - V.I 4, №1.-P. 19-39.

103. Loty C. Saturation effects in channel electron multiplier // Acta Electronics. 1971. - V.I 4, -P. 107-119.

104. Soul P.B. Opnational properties of channel plate electron multipliers // Nuclear Instruments and Methods. 1971. - V.97, № 3. - P.555-556.

105. Lampton M. The microchannal image intensifiers // Sci. Amer. 1981. -V.245, №5. - P.46-47.

106. Wiza J.L. MicroChannel plate detectors // Nuclear Instruments and Methods. 1979. -V.I 62, -P.587-601.231

107. Gatty E., Ola К., Rehak P. Study of the electric field inside microchannal plate multipliers // IEEE Trans. Nucl. Science. 1983,- V.5-30, №1. -P.461-468.

108. Корявин A.A„ Хмельницкая Г.А., Гончарова JI.H. и др. Исследование газосодержания регулярных пористых структур // Микроканальные пластины: Тез. докл Всесоюз науч-но-технич. конф. М., - 41. - 1985. -С.72-74.

109. Брагин Б.Н., Воскобойникова Е.С., Меламид А.Е. Газовыделение микроканальных пластин в процессе обезгаживания // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. ' , научно-технич. конф.-М,- 1983.-С.95-99.

110. Ш.Канчиев З.И., Кутасов В.А. и др. Содержание газов В МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С. 2 73.

111. Sandel B.R., Broadfoot A.L., Shemansky D.E. MicroChannel plate life test //J. App. Optics, 1977, v. 16, №5. P. 143 5-143 7.

112. S. Matsuara, S. Umebayashi, S. Okuyama, K. Ola. Current status of the microchannel plate // IEEE Trans. O. Nucl. Science. 1984.- V.5-31, -P.399-403.

113. Канаева Г.Я. Исследование ресурса МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С. 282-283.

114. Бессонова Э.Ю., Дунаева Т.И., Кутасов В.А. и др. Исследование возможности повышения долговечности МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990.-С.291-292.

115. Егорова Т.В., Езикова К.А., Конаева Г.Я. и др. Исследование ресурса МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990.-С.282-283.232

116. Кулов С.К., Попов М.Н., Апостол Т.Н. и др. Исследование надежности и стойкости отечественных МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 1990. -С.270-271.

117. Трофимова Л.С., Дунаева Т.Н., Конаева Т.Я. и др. Исследование кинетики параметров микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. Докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 41. - 1985. -С.70.

118. Дунаева Т.Н., Трофимова Л.С. Работа МКП во время и после облучения их электронным потоком повышенной плотности // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М,-42. 1985.-С.51-52.

119. J. Cortes, В. Laprade. Long life microchannel plate (L2 MCP). // Proc. Soc. Photo-Opt. Instr. Eng. "High Speed Photogr. Videogr. And Photonics Proc. Conf.", -1983, -V.427, P.53-57.

120. Патент США 4365150 // Gain stabilized microchannel plates and MCP treatment method. / R. Bateman. Заявлено 21.12.82.

121. Кутасов В.А. К вопросу о термовакуумной устойчивости МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С. 289-290.

122. Леонов Н.Б., Тютиков A.M. и др. Факторы, определяющие температурную устойчивость эмиссионных свойств стекла и МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С. 293-294.

123. Белов B.C., Бессонова Э.Ю., Ефремов С.К. и др. К вопросу о термовакуумной устойчивости МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С.289-290.233

124. Коробов М.И., Пономарева О.Н., Прагер И.А. и др. Исследование газосодержания МКП с ИБП // Микроканальные пластины: Сб. тезисов Всесоюз. Научно-техн. конф., М., 1985. - С.65.

125. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. -М.: Мир. -1964.

126. Гречаник Л. А., Зайдель И.И., Иванова JI.H. и др. Восстанавливающиеся стекла и микроканальные пластины для рентгеновского усилителя яркости изображения // Оптико-механическая промышленность, 1973, - № 1, - С.41-44.

127. Гречаник JT.A., Терпогосова И.З., Кутепова Р.Х. Стекла для микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М, -1983, -С.13-16.

128. Полухин В.Н., Лобанова Н.В., Тютиков A.M., Русан В.Г. Новые стекла для изготовления микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. Научно-технич. конф. М., - 1983, -С.16-19.

129. Тютиков A.M., Тоисева М.Н., Полухин В.Н. и др. Исследование стекол для МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф., М., - 1983, 41, С.19-22.

130. Гречаник Л.А., Терпогосова И.З., Кутепова Р.Х. и др. Растворимые стекла новый материал для изготовления деталей приборов электронной техники. // Электронная техника, Сер. Материалы, Вып.6(205), 1985, С.32-35.

131. Гречаник Л.А., Терпогосова И.З., Козлевский С.Ф. и др. Изменение состава и свойств стекол в процессе изготовления микроканальных пластин // Электронная техника, Сер. Материалы, 1984, №12, С.45-49.

132. Татаринцев Б.В., Полухин В.Н. Дилатометрическое исследование процессов, происходящих при изготовлении МКП // Микроканальные234пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 1985, - 42, - С.34-36.

133. Гречаник JI.A. Разработка нового комплекта стекол для МКП в монолитном обрамлении // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 41. - 1985. -С.43-44.

134. Полухин В.Н. К вопросу выбора стекла монолитного обрамления МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М.,Ч1. 1985. С. 63-65.

135. Алаев В.Я., Погодаев А.К. и др. Исследование пограничных явлении при спекании стекол, используемых для изготовления волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М,Ч1. 1985. С.69.

136. Татаринцев Б.В., Шепурев С.Э. Разработка составов стекол для двуслойного монолитного обрамления микроканальных пластин // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., 1990. С.234.

137. Татаринцев Б.В., Алаев В.Я. Диффузия щелочных ионов и кислорода на границе спеченных щелочнобариевоборатного и щелочносвинцовосиликатного стекол // Физика и химия стекла. 1990. Т. 16, №2, С.228-233.

138. Петровский Г.Т., Канчиев З.И., Саттаров Д.К. и др. Исследование неоднородности и совместимости пар стекол для коммутационных волоконных световодов и волоконноптических элементов // Журнал прикладной химии., 1980, Т.31, №5, С.1210-1216.

139. Татаринцев Б.В. Диффузия на границе между сердцевиной и оболочкой при вытягивании стекловолокна // Физика и химия стекла., 1984, Т. 10, №4, С73-82.

140. Татаринцев Б.В., Полозок Н.В., Баранова И.О. Диффузия щелочных оксидов на границе между спеченными боратными и свинцовосиликатными стеклами // Физика и химия стекла., 1988, Т. 14, №5,С.691-698.

141. Степанов С.А., Подольская Т.М., Сорокина Т.Н. Исследование возможности снижения рабочего напряжения на МКП путем модификации состава стекла матрицы // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф., М., 1990, С.232.

142. Канчиев З.И. Борина Н.П., Макарова Т.М. и др. Удаление растворимой жилы из матрицы МКП. // ЖПХ, 1979, Т.32, №8, С. 17181724.

143. Бессонова Э.Ю., Саттаров Д.К., Канчиев З.И. Удаление растворимой жилы и формирование конечной структуры МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983, -С40-42.

144. Погодаев А.К. Исследование кинетики растворения стекол, используемых для изготовления жестких волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. научно-технич. конф. М., - 41. - 1985. -С.21-22.

145. Погодаев А.К., Чигинева Н.Г., Баранова И.О. и др. Изучение механизма взаимодействия травящих растворов с поверхностью боратных стекол // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 41, - 1985, - С.71.

146. Федорова Л.В., Журавлева Н.В. Оптимизация сред, режимов, схем и приспособлений для удаления защитного стекла многожильных236стержней // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 41, - 1985, - С.58.

147. Буркат Т.М., Елисеев С.А., Мулар O.E. и др. Исследования щелочного растворения поверхности восстановленных свинцово-силикатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., -1990, -С.238.

148. Харьюзов В.А., Проскуряков М.В., Чебан Г.А. и др. Исследования по технологии чистки и очувствления МКП из свинцово-силикатных стекол // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., - 1983, -С.42-44.

149. Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Первеев А.Ф. Методы воздействия на МКП с целью формирования заданных свойств и параметров // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М,- 1983,-С.45-46.

150. R. Polaert, J. Rodier. Internal investigation of microchannel plates by scanning electron microscopy. Rev. Sei. Instrum. 44, No. 10, 1531-1536, 1973.

151. S.H. Siddiqul. Characterization and analisis of curtain types of defects in channal electron Multiplier arrays (CEMAs). Proc, ATFA 77, Los Angeles, 1977, P. 280-290.

152. Буриат T.M., Добычин Д.П., Харьюзов В.А. и др. Исследование пористости поверхности свинцово-силикатного стекла адсорбционным методом. // ОМП, 1989, №12, С.26-29.

153. Федорова JI.B., Молчанов B.C., Макарова Т.М., Тихонова З.И., Немилов C.B. Кинетика начальных стадий выщелачивания свинцово-силикатных стекол кислыми растворами // Физика и химия стекла, Т.9, №6, 1983, С.725-729.237

154. Толмачев В.А., Окатов М.А., Абакумова Р.А. и др. Взаимодействие свинцово-силикатных стекол с разбавленными растворами плавиковой кислоты // Физика и химия стекла, Т. 17, №1, 1990, С. 107-110.

155. Сегаль В.М., Болотов И.Е., Рабинович JI.B. и др. Кристаллический налет на полированных поверхностях // ОМП, №10, 1976, С.30-33.

156. Погодаев А.К. Основные физико-химические проблемы в технологии создания жестких волоконных структур // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.1, 1985, С.13.

157. J.L. Trap. Electronic conductivity in oxide glasses // Acta Electrónica, V.14, No.l, 1971, P.41-77.

158. Blodget K.B. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment // Jour. American Ceramic Society, V.34, No.l, P. 14-27.

159. Файнберг E.A. Восстановленнные в водороде стекла как материал для новых типов вторично-эмиссионных приборов и высокоомных сопротивлений сложных конфигураций//Вопросы радиоэлектроники, cep.IV, вып.8, 1964, С.43-51.

160. Файнберг Е.А. Об изменении электропроводности поверхностного слоя свинцовосиликатного стекла в процессе термообработки в водороде // Неорганические материалы, Т.11, №6, 1966, С. 1154-1156.

161. Чуйко Г.А. Якобсон Я.М. Основные характеристики высокосвинцовистого стекла как материала для вторично-электронных умножителей с непрерывным динодом // Радио и электроника, №9, 1966, С.1683-1686.

162. Тютиков A.M. О режиме восстановления некоторых свинцово-силикатных стекол, используемых для изготовления микроканальных пластин // Оптико-механическая промышленность, №9, 1974, С.41-45.238

163. Бабанина В.И., Гречаник J1.A., Суздалева J1.C. Влияние оксидов алюминия и натрия на свойства силикатных стекол, содержащих свинец // Физика и химия стекла, Т.1, №3, 1975, С.271-275.

164. Тютиков A.M., Полухин В.Н., Яковлев В.Е. и др. Исследование связи эмиссионных свойств свинцово-силикатных стекол с их составом и структурой // Физика и химия стекла, Т.5, № 5, 1979, С.628-631.

165. Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Конаева Г.Я., Трофимова JI.C. Исследование влияния термоводородного восстановления на электрические параметры микроканальных пластин // Журнал прикладной химии, №.9, 1979, С.1981-1986.

166. Жуковская О.В., Канчиев З.И., Петровский Г.Т., Саттаров Д. Изменение свойств и структуры свинцово-силикатных стекол в ходе термоводородного восстановления // Журнал прикладной химии, №5, 1980, С.977-984.

167. Артамонов О.М., Саттаров Д.К., Смирнов О.М. и др. Исследование восстанавливающихся свинцово-силикатных стекол методом спектроскопии медленных электронов //

168. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Канчиев З.И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцово-силикатных стекол // Физика и химия стекла, Т.7, № 4, С.457-469.

169. Тютиков A.M., Тоисева М.Н., Полухин В.Н., Лобанова Н.В., Яковлев

170. B.Е. Влияние окислов металлов на свойства эмитирующего слоя свинцово-силикатного стекла // Физика и химия стекла, Т.7, № 6, 1981,1. C.705-711.

171. Сорокин О.М. Исследование энергетической структуры поверхности некоторых свинцово-силикатных стекол методом фотоэлектронной спектроскопии // Физика и химия стекла, Т.9, № 6, 1983, С.704-710.239

172. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Державин C.B. Изменение параметров МКП при термоводородном восстановлении // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М, 1983, С. 103-105.

173. Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Конаева Г.Я., Печерская К.П. Исследование пропускания свинцово-силикатных стекол, подвергнутых термоводородному восстановлению // Оптико-механическая промышленность, № 1, 1978, С.932-934.

174. Саттаров Д.К., Зигель В.В., Канчиев З.И. Эллипсометрический метод контроля степени восстановления микроканальных пластин // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М., 1983, С.65.

175. Капитонова Л.Н., Харьюзов В.А. Исследование поверхностного слоя восстановленного свинцово-силикатного стекла методами оптической спектроскопии // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 1983, С.61-62.

176. Капитонова Л.Н., Харьюзов В.А. Толщина поверхностного слоя восстановленного стекла // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. М., 4.2, 1985, С.21-22.

177. Капитонова Л.Н., Харьюзов В.А., Никитин В.А. и др. Спектроскопическое исследование оптических параметров и толщины поверхностного слоя восстанавливающегося свинцовосиликатного стекла // Физика и химия стекла, Т.11, № 2, С. 13-27.

178. Артамонов О.М., Костиков Ю.П., Новолодский В.А. Исследование эмиссионными методами поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, Т.11, № 3, 1985, С.704-710.

179. Белюстин A.A., Золотарев В.М., Акопян С.Х. Изучение поверхностных слоев стекла методом ИК спектроскопии H1JLBO // Физика и химия стекла,Т.12, № 6, 1986, С.641-665.

180. Кондратьев Ю.Н., Толмачев В.А. Оптические свойства восстановленного поверхностного слоя свинцово-силикатного стекла в видимой области спектра // Физика и химия стекла, Т. 18, № 1, 1992, С. 123-129.

181. Ананич Н.И., Гречаник JI.A. К проблеме получения полупроводящей пленки в свинцово-силикатных стеклах при обработке их в водороде // Журнал прикладной химии, T.XXXI, №15, С.566-570.

182. Китайгородский И.К., Файнберг Е.А., Гречаник JI.A. Влияние некоторых окислов на восстановление в водороде свинцовосиликатных стекол // Стекло и керамика, №12, 1962, С.8-10.

183. Файнберг Е.А., Гречаник J1.A. Электрофизические свойства восстановленных в водороде высокосвинцовых стекол // В сб. "Электрофизические свойства и строение стекла", M-J1.: Химия, 1964, С.115-117.

184. Файнберг Е.А. Химический состав фазы, восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде // ЖТФ, №10, 1965, С.2192-2196.

185. Капитонова Л.И., Харьюзов В.А., Золотарев В.М. Определение концентрации металлического свинца в поверхностном слое восстановленного свинцовосиликатного стекла по ИК спектрам пропускания и НПВО // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, №2, С.232-233.

186. Храмуовский И.А., Пшеницын В.И., Мишин A.B. и др. Исследование поверхностных слоев свинцовосиликатного стекла методом эллипсометрии // Физика и химия стекла, Т. 13, №1, 1987, С. 104-111.241

187. Хенерт M., Раушенбах Б. Исследование поверхностных слоев силикатных стекол // Физика и химия стекла, 1983, Т.9, №6, С.734-740.

188. Милованов А.П., Моисеев В.В., Портнягин В.И. Современные методы анализа поверхности при изучении стекла // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, №1, С.3-23.

189. Петровский Г.Т., Тер-Нерсесянц В.Е. Ядерно-физические методы анализа приповерхностных слоев стекол // Физика и химия стекла, 1988, Т.14, №5, С.641-665.

190. Петровский Г.Т., Тер-Нерсесянц В.Е., Степанов С.А. и др. Анализ волоконно-оптических свинцово-силикатных стекол ядерно-физическими методами // Оптический журнал, 1992, №11, С.5-11.

191. Гусинский Г.М., Осеминский Т.М., Петровский Г.Т. и др. Влияние термоводородной обработки на концентрационный профиль свинца в свинцовосиликатном стекле // Физика и химия стекла, 1987, Т. 13, №5, С.732-739.

192. Елисеев С.А., Новолодский В.А., Смирнов О.М., Харьюзов В.А. Применение ОЖЕ-спектроскопии для изучения распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, №5, С.600-602.

193. Елисеев С.А., Новолодский В.А., Полухин В.П. и др. Профили распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, 1985, Т.11, №5, С.603-604.

194. Елисеев С.А., Новолодский В.А., Смирнов О.М. и др. Углерод на поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физика и химия стекла, 1986, Т.12, №4, С.461-465.

195. Артамонов О.М., Костиков Ю.П., Новолодский В.А. и др. Эмиссия восстановленных свинцовосиликатных стекол // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф., М., 1983, С.62-64.

196. Тютиков A.M., Шахмин A.JI. Исследование электронной структуры свинцово-силикатных стекол методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Физика и химия стекла, 1990, Т. 16, №6, С.834-838.

197. Гравель JI.A., Леонов Н.Б., Новиков Ю.Б. и др. Об изменении состояния поверхности восстановленных свинцово-силикатных стекол при их термообработке // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, №1, С.75-78.

198. Агеев O.A., Кравченко A.A., Чередниченко Д.И. Изменение содержания щелочных ионов в приповерхностных слоях силикатных стекол при электронно-лучевой обработке // Физика и химия стекла, 1989, Т. 15, №5, С.780.

199. Казаков А.Т., Мазурицкий М.Н., Кулов С.К. и др. Сравнительный анализ состояния поверхности свинцово-силикатных стекол и МКП // Физика и химия стекла, 1991, Т. 17, № 6. С.928-935.

200. Казаков А.Т., Мазурицкий М.Н., Кулов С.К. и др. Связь особенностей диффузии свинца с механизмом формирования поверхностного слоя в свинцовосиликитных стеклах и МКП // Письма в журнал технической физики, 1991, Т. 17, Вып. 12, С.9-13.

201. Елисеев С.А., Мулар O.E., Новолодский В.А. и др. Диффузия свинца в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол при вакуумных прогревах // Волоконная оптика: Сб. тез. Всесоюз. научн. конф., 1990, С.239.

202. Иванов В.Н., Канчиев З.И., Коревин A.A. и др. О взаимосвязи степенивосстановления и газосодержания МКП // Волоконная оптика: Сб. тезисов научн. конфер., 1993, С. 120-121.

203. Канчиев З.И., Татаринцев, Б.В. Дилатометрические исследования процессов восстановления и термостабилизации МКП // Волоконная оптика: Сб. тезисов научн. конфер., 1993, С.122-123.

204. Чуйко Г.А., Файнберг Е.А., Сиприков И.В., Гречаник JI.A. Вторичная электронная эмиссия восстановленных в водороде высокосвинцовых стекол с повышенной поверхностной проводимостью. // Известия АНСССР, серия физическая, 1964, Т.28, №9, С. 1516-1521.

205. Улько Ю.Н., Файнберг Е.А. Исследование стабильности вторично-эмиссионных характеристик восстановленных в водороде свинцовосодержащих стекол при их прогреве на воздухе и в вакууме // Электронная техника, серия X, 1966, вып. 4, С.51-57.

206. Улько Ю.Н., Файнберг Е.А. О влиянии термообработки свинцовосиликатных стекол в водороде на коэффициент вторичной электронной эмиссии // Неорганические материалы, 1998, Т.7, №2, С.345-347.

207. Улько Ю.Н., Файнберг Е.А. Исследование . вторичной электронной эмиссии некоторых стекол // в кн. "Стеклообразное состояние", Ереван, 1970, С. 186-189.

208. Ульео Ю.Н. Влияние состава на вторичную электронную эмиссию стекол // Электронная техника, сер. Материалы, 1975, вып.1, С.87-94.

209. Authinarayanak A., Dudding R.W. Changes in secondary electron yield from reduced lead glass // Adv. Electr. And Electron Phys., 1976, V.40A, P.167-181.

210. Браздниченко X.H., Пронин В.И., Тютиков A.M. и др. Вторично-эмиссионная эффективность свинцовосиликатных стекол // Тез. докл. по ЭОС и эффективным фотоэмиттерам IV Всесоюз. симп. По ВЭЭ и2441. ФЭЭ, Л., 1981, С.32-33.

211. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies on channel plate glass surfaces. Adv.Electr. Electr. Phys., 1976, v. 40A, p. 153-165.

212. Blasek G., Shmidt H. Secondary Electron Emission of Reduced Lead Glass. -Experimentelle Technik der Physik, 1979, №1, p.65-69.

213. Dawson P.H. Outgassing of Glass by 100 to 1000 volt Electron Bombardment. Supplemento al nuovo cimento, 1967, v.5, No26, p. 15671573.

214. Тютиков A.M., Тоисеева M.H. К вопросу о механизме разрушения эмиттеров при облучении их электронами. // Тр. конференций поэлектронной технике, IV Всесоюзная конференция по ЭЛП и ФЭП, 1971, вып. 5(31), т. 5, 132-147.

215. Тютиков A.M., Королев Н.В., Тоисева М.Н. и др. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Оптико-механическая промышленность. 1980, № 4, С. 11-13.

216. Леонов Н.Б., Тютиков A.M. и др. Влияние структуры свинцово-силикатных стекол на коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, № 5, С.686-690.

217. Леонов Н.Б., Тютиков A.M., Мурашов С.В. и др. Изменение эмиссионные свойств свинцово-силикатных стекол под действием ионов аргона // Физика и химия стекла, 1984, Т. 10, №1, С. 104-106.

218. Леонов Н.Б., Волков А.С., Подольская Т.М. и др. Исследование связи вторично-эмиссионных параметров стекол со свойствами МКП // Микроканальные пластины: Тез. докл. Всесоюз. научно-технич. конф. -М.,Ч1, 1985, С.24.245

219. Симеонова Ю.М., Куртев И.С. О вторичной электронной эмиссии восстановленного свинцово-силикатного стекла // Доклады Болгарской академии наук, 1988, Т.41, №11, С.57-58.

220. Гусаров А.И., Машков В.А., Тютиков A.M. Об аддитивности вторичной электронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Физика и химия стекла, 1987, Т. 13, №1, С.34-38.

221. Леонов Н.Б., Волков A.C., Мурашов C.B. и др. Влияние структуры свинцовосиликатных етекоп на их коэффициент вторичной электронной эмиссии // Физика и химия стекала, 1988, Т. 14, №5, С.686-690.

222. Артамонов A.M., Елисеев С.А., Мулар O.E. и др. Строение поверхности и механизм вторичной эмиссии восстановленных свинцово-силикатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. - С.237.

223. Гусаров А.И., Машков В.А., Мурашов C.B. и др. Современные представления о механизме вторичной эмиссии кварца и стекол МКП // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф. М., - 1990. -С.231.

224. Шульман А.Р., Македонский В.Л., Ярошецкий И.Д. Вторичная электронная эмиссия хлористого натрия, стекла и окиси алюминия при различных температурах // Журнал технической физики, 1953, Т.23, № 7, С.1152-1160.246

225. Шахмин AJL, Подольская Т.М., Сорокина Т.Н. и др. Вторичная электронная эмиссия и электронная структура свинцовосиликатных стекол // Волоконная оптика: Тез. докл. Всесоюз. науч. конф, М., 1993, С.112.

226. Бажанова Н.П., Белевский В.П, Фридрихов С.А. Вторичная электронная эмиссия окисей бария и иттрия при малых энергиях первичных электронов (1-100 эВ) // Физика твердого тела, 1961, Т.З, №9, С.2610-2619.

227. Аникеев Ю.Т., Попов Б.Н. Вторичная электронная эмиссия окиси бария // Физика тердого тела, 1961, T.I 1, № 6, С. 1769-1777.

228. Находкин Н.Г., Романовский В.А. Кинетика движения электронов при вторичной эмиссии с тонких пленок металлов и полупроводников // Радиотехника и электроника, I960, №8, С. 1275-1283.

229. Тютиков A.M. Некоторые особенности создания вторично-электронных умножителей, устойчивых к пребыванию в газообразной среде // Радиотехника и электроника, 1959, №11, С. 1884-1889.

230. McComas D.J., Ваше S.J. Channel multiplier compatible materials and lifetime test // Rev. Sei. Instrum., 1984, 55, №4, Р.463-467/

231. Дж.Л. Лайнвивер. Выделение кислорода при электронной бомбардировке стекла // в сб. Остаточные газы в электронных лампах, пер. с англ. под ред. Г.Д. Гибова, М, Энергия, 1967, С. 96-108.234. ТУ АБ 37-88 на МКП 10-34.

232. ТЗ на ОКР "Горизонт", 28.06.1991.

233. ТЗ на ОКР "Уровень", 26.01.1993.

234. ТЗ на ОКР "Микро", 26.10.1995.

235. ТЗ на ОКР, Мираж-1", 12.2.1996.247

236. Microhannel Plate Specification for 25 mm Image Intenifer, Doc.№ 47A0005, 51298, 600C00849 (Ni-Tec), 600C00340 (Varian), 600C00763 (Galileo), 9.2.1985.

237. Техническая спецификация на МКПО H33SE диаметром 32,7 мм, диаметром каналов 12 мкм, углом наклона каналов 11°, Philips, Doc: H33SE.590, 15.06. 1990.

238. Техническая спецификация на МКПО L25 диаметром 24,8 мм, диаметром каналов 10 мкм, Philips, Doc: L25.590, 23.02.1990.

239. Техническая спецификация на МКПО -18, DEEP, 120-0152АО, 1995.

240. Техническая спецификация на МКПО-18 диаметром каналов 10 мкм, Galileo, 28719, 4900033, Rev. G 1/8/93

241. Техническая спецификация на МКПО-18, диаметром каналов 10 мкм, Proxitronic, 1В009168, 1994.

242. Ni-Tec 18 mm and 25 mm MCP SPECIFICATIONS, 1995