автореферат диссертации по машиностроению и машиноведению, 05.02.01, диссертация на тему:Выращивание профилированных кристаллов сапфира с пространственными структурами переменного состава

ОБЩИЕ выводы

1. На основе вариантов способа Степанова разработана лабораторная методика выращивания профилированных кристаллов сапфира с пространственными структурами переменного состава.

2. Разработана автоматизированная система управления с использованием датчика веса для выращивания профилированных кристаллов с пространственными структурами переменного состава, позволяющая контролировать состояние фронта кристаллизации и предотвращать образование дефектов в процессе получения кристаллов.

3. Модифицированным методом Степанова/ЕРО впервые получены волокна сапфира с легированной титаном центральной областью. Установлены оптимальные режимы выращивания волокон сапфира переменного состава без газовых и твердофазных включений. Исследован характер распределения включений в волокнах сапфира в зависимости от степени переохлаждения на фронте кристаллизации.

4. Впервые модифицированными методами Степанова/ЕРО и некапиллярного формообразования с использованием весового контроля выращены профилированные кристаллы сапфира в виде лент, труб и стержней с различными вариантами пространственных структур переменного состава А12О3-А120Л:71ЛЛ.

5. В результате проведенного анализа распределения примеси в выращенных волокнах с легированной центральной областью установлена зависимость размера переходного участка между легированной и нелегированной областями от скорости вытягивания кристаллов.

6. Методом выращивания из элемента формы получены модулированные регулярные структуры в кристаллах сапфира, легированных титаном А12О3 - А120з:ТЛЛ, с периодом 5200 мкм и разницей в концентрации Г/АА составляющей несколько порядков.

7. Разработанная методика позволяет получать регулярные структуры различных типов: изменять период в процессе выращивания кристалла; осуществлять переход от периодических структур к однородно легированным или нелегированным участкам кристалла; управлять характером распределения примеси в структуре, изменять соотношение высот слоев различных составов в периоде.

В заключении автор выражает благодарность кандидату технических наук В.Н.Курлова за научное руководство и поддержку в работе, сотрудникам ИФТТ РАН С.Н.Россоленко, Г.С.Медько, П.А.Гуржиянцу, А.Б.Ермолаеву, М.Ю.Старостину, Т.Н.Яловец и другим коллегам, принимавшим участие в настоящей работе.

1. Рубин и сапфир. М.В.Классен-Неклюдова, Х.С.Багдасаров и др. - М.: Наука, 1974, с.236.

2. P.F.Moulton. TiiAbOs а new solid state laser. - Solid State Res. Per., Lincoln Lab., Mass. Inst. Technol., 1982,p.l5-2L

3. P.F.Moulton. Spectroscopic and laser characteristics of Т1:А120з. J. Opt. Soc. Am. B, January 1986, v.3,№ 1.

4. Г.С.Круглик, Г.А.Скрипко, А.П.Шкадаревич, Н.В.Кондратюк, Э.А.Жданов. Генерационные характеристики лазера на кристалле А120з:Т1 при когерентной накачке. -Квантовая электроника, 1986, 13, № 6, с. 1207-1213.

5. M.J.F.Digoimet, C.J.Oaeta. Theoretical analysis and optical fiber laser lamplifiers and oscillators. -J. Appl. Opt., v.24, № 3, 333, February 1985.

6. T.Y.Fan, A.Cordova-Plaza, M.J.F.Digonnet, R.L.Byer, H.J.Shaw. Nd:MgO:LiNb03 spectroscopy and laser devices. J. Opt. Soc. Am. B, 1986, v.3, № 1, p.140-148.

7. C.A.Burrus, L.A.Goldren. Growth of single-crystal sapphire-clad ruby fibers. Appl.Phys.Lett., 1977, v.31,p.383.

8. P.Rudolph, K.Shimamura, T.Fukuda. The radial selectivity of in-situ core-doped crystal rods grown by the double die EF G method. Cryst.Res.Technol., 1994, v.29, N 6, pp. 801-807.

9. S.Van Vaerenbergh, J.C.Legros, M.Hennenberg. Oscillations induced by purely diffusive processes in planar directional solidification from the meU.- J. Crystal Growth, 1996, v. 158, p.369-376.

10. Armin Rauber. Doping modulation by electric cmrents in lithium niobate during crystal growth. Mat. Res. Bull, 1976, v.ll, p.497-502.

11. W.Wang, Q.Zou, Z.Geng and D.Feng. Study of LiTaOs crystals grown with a modulated structure. J. Crystal Growth, 1986, v. 79, p.706-709.

12. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. А.А.Каминский, Л.К.Аминов и др. -М:"Наука", 1986, 272 с.

13. M.A.Vemeuil. Memoire sur la reproduction artificielle du rubis par fusion (Artificial reprodution of rubies by fusion). Ann.Chim.Phis., 1904, v.3, № 8, p.20-48.

14. С.К.Попов. Выращивание и некоторые применения кристаллов драгоценного корунда. -В кн.: Рост кристаллов, т.2. М.: Издательство АН СССР, 1959, с.140-210.

15. Czochralski J. Measurement of velocity of crystallization of metals. Z.Physik.Chem., 1917, v.92,p.219.

16. Ч.Барта. Монокристаллы корунда большой площади. В кн.: Рост кристаллов, т.6. М.: Наука, 1965,0.181-184.

17. A.E.Paladino, B.D.Roiter. Czochralski growth of sapphire. J. Amer. Ceram. Soc, 1964, v.47, p.465.

18. B.Cockaine, M.Chesswas, D.B.Gasson. Single-crystal growth of sapphire. J. Mater. Sci., 1967, v.2,№ l,p.7-ll.

19. Г.К.Гераничева, И.И.Афанасьев, Т.Г.Агафонова. Морфология кристаллов рубина, выращенных по методу Чохральского. В кн.: Рост кристаллов, т. 9. М.: Наука, 1972, с. 145148.

20. S.Kimura and K.Kitamura. Growth of oxide crystals for optical applications. J. Ceram. Soc. Japan, 1993, v.lOl, № 1, p.22-37.

21. T.Fukuda, Y.Okano, N.Kodama, F.Yamada, S.Hara, D.H.Yoon. Growth of bubble-firee Ti-doped AE2O3 single crystal by Czochralski method. Cryst.Res.Technol., 1995, v.30, № 1, p.l85-188.

22. P.Lacovara, L.Esterowitz and M.Kokta. Growth, spectroscopy and lasing of titanium-doped sapphire. IEEE J. Quantum Electron., 1985, v.QE-21, № 10, p. 1614-1618.

23. M.R.Kokta. Effects of growth conditions and post-growth thermal treatment on the quality of titanium-doped sapphire. Opt.Lett., 1985, v.lO, p.89-93.

24. Современная кристаллография. А.А.Чернов, Е.И.Гиваргизов, Х.С.Багдасаров и др. М.: Наука, 1980, т.З, Образование кристаллов, с.408.

25. F.Schmidt, D. Viechnicki. Growth of sapphire disks from the meh by gradient furnace technique. J. Amer. Coram. Soc, 1970, 53, № 9, p.528-529.

26. F.Schmidt, D.Viechnicki. Crystal growth using the heat exchanger method (HEM). J. Crystal Growth, 1974, v.26,p.l62-164.

27. C.P.Khattak, F.Schmidt. Growth of high-quality: Ti^'^.-AhOs crystals for solid-state laser applications. ACCG/East-4, Atlantic City, NJ, 1991.

28. М.И.Мусатов. Крупные кристаллы оптического корунда нулевой ориентации. В сб.: Тезисы докладов 5 Всесоюзного совеш;ания по росту кристаллов, т.2.- Тбилиси, 1977, с.281-282.

29. М.И.Мусатов, Л.И.Белевцева. Крупные кристаллы корунда высокого оптического качества. Изв. АН СССР, Неорг. мат., 1976, т. 12, № 12, с. 358-359.

30. A.Horowitz, S.Biderman, G.Ben-Amar, M.Weiss, A.Stem. The growth of singl crystald of optical materials via the gradient solidification method. J.Cryst.Growth, 1987, v.85, p.215-222.

31. A.Horowitz, S.Biderman, D.Gazit, Y.Einav, G.Ben-Amar, M.Weiss. The growth of dome-shaped sapphire crystals by the gradient solidification method (GSM). J.Cryst.Growth, 1993, v.l28,p.824-828.

32. Х.С.Багдасаров. a) Тезисы докладов на IV Всесоюзном совещании по росту кристаллов. Часть II. Ереван, Изд-во Арм. ССР, 1972, с.6; б) Х.С.Багдасаров, Е.Р.Добровинская и др., там же, С.26.

33. BagdasarovKh.S. Br.Pat.l383400,1975.

34. А.В.Степанов. Будущее металлообработки. Д.: Лениздат, 1963.

35. А.В.Степанов. Способ непрерывного получения изделий из расплавленного металла. ac.JVb 429880. Бюл. изобрет., 1976, № 20, с.27.

36. А.В.Степанов. Выращивание монокристаллов определенной формы. В кн.: Проблемы современной кристаллографии. Под ред. Б.К. Вайнщтейна и А.А. Чернова. М.: Наука, 1975, с.66-79.

37. А.В.Степанов. Новый способ получения изделий (листов, труб, прутков, разного профиля и т.п.) непосредственно из расплава. I. ЖТФ, 1959, т.29, вып.З, с.381-393.

38. А.Л.Шах-Будагов и А.В.Степанов. Новый способ получения изделий (листов, труб, прутков, разного профиля и т.п.) непосредственно из расплава. П. ЖТФ, 1959, т.29, вып.З, с.394-405.

39. H.E.La Belle, Jr., A.I.Mlavsky. Growth of sapphire filaments from the melt. Nature, 1967, v.216,№3 115 ,p. 574-575.

40. H.E.La Belle. Growth of sapphire filaments. US Patent № 3, 527, 574, 8 Sept.1969.

41. H.E.La Belle, Jr. Growth of inorganic filaments, US Patent № 3, 471, 266, Oct.1969.

42. H.E.La Belle, Jr., et.al. Method and apparatus for growing inorganic filaments, ribbon from the melt. US Patent № 3, 650, 703, 21 Mar. 1972.

43. H.E.La Belle, Jr. Method of growing crystalline materials. US Patent № 3, 591, 348, 6 Jul. 1971.

44. H.E.La Belle, Jr., A.I.Mlavsky. Growth of controlled profile crystals from the melt. Part I. Sapphire filaments. Mat. Res. Bull, 1971, v.6, № 7, p.571-580.

45. H.E.La Belle, Jr. Growth of controlled profile crystals fi-om the melt. Part II. Edge-defined, film-fed growth (EFG). Mat. Res. Bull, 1971, v.6, № 7, p.581-590.

46. B.Chalmers, H.E.La Belle, Jr., A.I.Mlavsky. Growth of controlled profile crystals fi-om the melt. Part III. Theory. Mat. Res. Bull., 1971, v.6, Jfo 7, p.681-690.

47. B.Chalmers, H.E.La Belle, Jr., A.I.Mlavsky. Edge-defined, film-fed crystal growth. J. Crystal Growth, 1972, v.l3/14,p.84-87.

48. H.E.La Belle, Jr. EFG, the invention and application to sapphire growth. J. Crystal Growth, 1980, v.50,p.8-17.

49. R.E.Novak, R.Metzl, A.Dreeben and S.Berkman and D.L.Patterson. The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrates. J. Crystal Growth, 1980, v.50, p.143-150.

50. K.Wada and K.Hoshikawa. Growth and characterization of sapphire ribbon crystals. J. Crystal Growth, 1980, v.50, p. 151-159.

51. В.Ф.Перов, В.С.Папков, И.А. Иванов. Дефекты в лентах сапфира, полученных способом Степанова. Изв. АН СССР, сер. физ., 1979, т.43, № 9, с. 1922-1981.

52. E.A.Loytty. А new arc tube for HPS lamps. Light. Design and appL, February 1976, p.14-17.

53. W.R.Campbell. Design of pulsed alkali vapor lamps utilizing aluminia, yttria and sapphire envelopes. J. Ilium. Eng. Soc, 1972, v.l, p.281-284.

54. N.C.Anderson. Basal plane cleavage cracking of synthetic sapphire arc lamp envelopes. J. Amer. Ceram. Soc, 1979,

55. Е.П.Андреев, П.А.Литвинов и В.В.Пищик. Устройство для выращивания профилированных монокристаллов. Авторское свидетельство, 29.12.1981, № 1031259.

56. V.N.Kurlov, S.N.Rossolenko. Growth of shaped sapphire crystals using automated weight control. J.CrystGrowth, 1997, v. 173, p.417-426.

57. Б.Б.Пельц, Л.М.Затуловский, Д.Я.Кравецкий, В.А.Рафиев, М.Я.Гинзбург и В.Г.Гукасов. Формообразователь для получения кристаллических толстостенных трубок выращиванием из расплава. Авторское свидетельство, 21.05.1984, № 1256471.

58. В.В.Аверьянов, В.Б.Браиловский, Л.М.Затуловский, Д.Я.Кравецкий, А.Е.Рыжков и В.А.Сотников. Устройство для выращивания профилированных кристаллов. Авторское свидетельство, 04.12.1984, № 1282584.

59. Е.П.Андреев, П.А.Литвинов и В.В.Пищик. Устройство для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью. Авторское свидетельство, 10.04.1985, № 1313027.

60. Л.П.Егоров, Л.М.Затуловский и Д.Я.Кравецкий. Устройство для выращивания кристаллов переменного сечения. Авторское свидетельство, 30.12.1985, № 1358483.

61. В.А.Бородин, Т.А.Стериополо, В.А.Татарченко, Т.Н.Яловец. Совершенствование процесса выращивания профилированного сапфира. Изв.АН СССР, сер.физ., 1983, т.47, № 2, с.368-374.

62. V.A.Borodin, T.A.Steriopolo, V.A.Tatarchenko. The variable shaping technique a new method of sapphire growth. - Cryst.Res.Tech., 1985, v.20, № 6, p.833-836.

63. В.А.Бородин, Т.А.Стериополо, В.А.Татарченко. Выращивание профилированных кристаллов сапфира способом вариационного формообразования. В кн.: Рост кристаллов, Т.15, М.: Наука, 1986, с.170-175.

64. V.A.Borodin, V.V.Sidorov, T.A.Steriopolo, V.A.Tatarchenko. Variable shaping GrovH;h of refractory oxide shaped crystals. J. Crystal Growth, 1987, v.82, № 1, p.89-94.

65. В.А.Бородин, В.В.Сидоров, Т.А.Стериополо и В.А.Татарченко. Устройство для получения кристаллических изделий с переменным сечением. Авторское свидетельство, 1988, № 1547388

66. В.А.Бородин, В.В.Сидоров, Т.А.Стериополо. Устройство для выращивания профилированных кристаллов. Авторское свидетельство, 23.03.1990, № 1723849.

67. В.А.Бородин, В.В.Сидоров, Т.А.Стериополо. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из расплава. Авторское свидетельство, 05.04.1990, № 1729147.

68. П.И.Антонов, Ю.Г.Носов, С.П.Никаноров. Формообразование кристаллов из элемента формы расплава. Изв. АН СССР, сер. физ., 1985, т.49, № 12, с.2295-2297.

69. Ю.Г.Носов, ПИ.Антонов и С.П.Никаноров. Способ получения монокристаллических трубок и устройство для его осуществления. Авторское свидетельство СССР № 1306173, СЗО В15/34, 1985.

70. А.В.Никифоров, Ю.Г.Носов, О.В.Клявин, Антонов П.И., МухамеджановаМ.Б. Слоистые монокристаллы LiF-LiF.MgA"*A. ПолААение, пластические свойства и дислокационная структура. Изв. АН СССР, сер.физ., 1988, т.52, № 10, с.2025.

71. В.А.Бородин, В.В.Сидоров, Т.Н.Яловец. Выращивание сапфировых труб способом локального формообразования. Препринт, Черноголовка, 1988, 12 с.

72. ВАБородин, В.В.Сидоров, Т.АСтериополо, В.А.Татарченко, Т.Н.Яловец. Исследование процесса кристаллизации способом локального формообразования и создание установки "Кристаллизационный центр". Изв. АН СССР, сер. физ., 1988, т.52, № 10, с.2009-2016.

73. В.АБородин, В.В.Сидоров, Т.Н.Яловец. Выращивание сапфировых труб способом локального формообразования. Кристаллография, 1990, т.35, вып.1, с. 185-189.

74. V.A.Borodin, V.V.Sidorov, S.N.Rossolenko, T.A.Steriopolo, V.A.Tatarchenko, T.N.Yalovets. Local shaping technique and new growth apparatus for complex sapphire products. J. Crystal Growth, 1990, V.104, p.69-76.

75. Theodore F., DufiEar Т., Santailler J.L., Pesenti J., Keller M., Dusserre P., Louchet F., Kurlov V.N. Crack generation and avoidance during the grovAh of sapphire domes from an element of shape. J.Cryst.Growth, 1999, v.204, p.317-324.

76. V.N.Kurlov, F.Theodore. Growth of sapphire crystals of complicated shape. -Cryst.Res.Technol., 1999, v.34, № 3, p.293-300.

77. Ф.Теодор, Т.Дюффар, Ж.-Л.Санталье, Ж.Песенти, М.Келлер, П.Дюссер, Ф.Люше,

78. Н.Курлов. Выращивание сапфировых полусфер GES-методом. Изв.АН, сер.физ., т.63, №9, с. 1686-1692.

79. В.Н.Курлов. Выращивание профилированных кристаллов с использованием некапиллярной подпитки. Изв. РАН, сер. физ., 1994, т.58, № 9, с.5-11.

80. V.N.Kurlov. The Non Capillary Shaping (NCS) method a new method of the crystal growth. - J. Crystal Growth, 1997, v. 179, p. 168-174.

81. V.N.Kurlov, B.M.Epelbaum. Fabrication of near-net-shaped sapphire domes by non capillary shaping method. J. Crystal Growth, 1997, v.l79, p.175-180.

82. Л.Н.Дмитрук. О выращивании волокон галогенидов тяжелых металлов переменного состава методом Степанова. Изв. АН СССР, сер. физ., 1985, т.49, № 12, с.2432-2434.

83. А.Н.Белая, Е.Р.Добровинская, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик, Л.И.Фисун, Э.И.Черняков. Примесная полосчатость в монокристаллах AI2O3. Кристаллография, 1977, т.22, вьга.2, с.411-413.

84. А. Rauber. Doping modulation by electric currents in lithium niobate during growth. Mat. Res. Bull, 1976, v.l 1, p.497-502.

85. W.Wang, Q.Zou, Z.Geng and D.Feng. Study of ЫТаОз crystals grown with a modulated structure. J. Crystal Growth, 1986, v.79, p. 706-709.

86. Ю.М.Шашков. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. М.: Металлургия, 1982, С.312.

87. Б.С.Редькин, В.Н.Курлов, В.А.Татарченко. Получение профилированных кристаллов ниобата лития с регулярной доменной структурой. Изв.АН СССР, сер.физ., т.49, №12, 1985, С.2412.

88. B.S.Red'kin, V.N.Kurlov, V.A.Tatarchenko. The Stepanov Growth of LiNb03 Crystals. J. Crystal Growth, 1987, v.82, p. 106-110.

89. С.В.Беленко, В.А.Бородин, А.В.Горбунов, В.В.Сидоров, Т.Н.Яловец, С.А.Зверьков. О природе полос в корундовых изделиях, выращенных методом локального формообразования. Изв. РАН, сер. физ., 1994, т.58, № 9, с.52-56.

90. В.Н.Курлов, С.В.Беленко. Получение периодических структур в профилированных кристаллах сапфира, активированных ионами TiA"A, G4^ . Неорг. материалы, т.34, 1998, № 6, с.697-699.

91. V.N.Kwlov, S.V.Belenko. Growth sapphire shaped crystals with continuously modulated dopants. J. Crystal Growth, 1998, v. 191/4, p.779-782.

92. V.N.Kurlov, S.V.Belenko. In situ preparing of bulk crystals with regularly doped structures. -Advanced Materials, 1998, v.7, p.539-541.

93. В.Н.Курлов, С.В.Беленко. Заявка на изобретение «Устройство для выращивания кристаллов в виде стержней и трубок из расплава», № 2000103861 от 18.02.2000.

94. P.Rudolph, T.Fukuda. Fiber crystal growth from the meh. Cryst.Res.TechnoL, 1999, v.34, p.3-40.

95. Poplawsky R.P. Ferreite crystals using an arc image furnace. J.Appl.Phys., 1962, v.33, p.1616-1617.

96. Haggerty J.S. Final Report NASA-CR-120948, 1972.

97. M.Fejer, R.L.Byer, R.Feigelson, W.Kway. Growth and characterization of single crystal refractory oxide fibers. Ibid. 1982, vol.320, p.50-55.

98. J.A.Harrington, A.G.Standlee, A.C.Pastor, L.G.DeShazer. Single crystal infrared fibers fabricated by travelling zone melting. SPIE Proc.1984, vol.484, p. 125-127.

99. M.Fejer., J.L.Nightingale, A.Magel., R.L.Byer. Laser assisted growth of optical quality single crystal fibers. Ibid. 1984, vol.460, p.26-31.

100. L.G.DeShzer, S.C.Rand. Fabrication of fiber systems for nonlinear optics. Ibid.1986, v.618, p.95-102.

101. R.S.Feigelson. Pulling optical fiber. J.Cryst.Growth,1986, v.79, p.669-680.

102. B.M.Tissue, L.Lu, L.Ma, W.Jia, M.L.Norton, W.M.Yen. Laser-heated pedestal growth of laser and IR-upconverting materials. J. Crystal Growth, v. 109, 1991, pp.323-328.

103. C.A.Burrus, J.Stone. Room-temperature continuous operation of a ruby fiber laser. J.Appl. Phys., 1978, V.49, № 6, p.3118-3122.

104. J.H.Shaф, T.J.P.Han, B.Henderson, R.Illingworth. Instability in the growth of Т1:А120з single-crystal fibres. J.Cryst.Growth,1994, v.l40, p.79-83.

105. В.А.Татарченко. Устойчивый рост кристаллов. M.: Наука, 1988, 240 с.

106. K.Shimamura, N.Kodamo, T.Fukuda. A New Crystal Growth Method for in Situ Core Doping. J. Crystal Growth, 1994, v. 142, p.400-402.

107. H. Oguri, H. Yamamura, T. Orito Growth of MgO doped LiNbOs single crystal fibers by a novel drawing down method. J. Crystal Growth, 1991, v. 110, p.669-676.

108. K.M. Kim, S. Berkman, M.T.Duffy, A.E. Bell, H.E. Temple, G.W. Cullen, SiUcon Sheet Growth by the Inverted Stepanov Technique. DOE/JPL-954465. Final report, June 1977.

109. D-H.Yoon, M.Hashimoto, T.Fukuda. Growth and characterization of KsLii-xNbs+xOis+ax micro single crystals formed by the m-puUing down method for blue SHG application. Jpn. J. Appl. Phys., 1994, V.33, Pt. 1, № 6A, p.3510-3513.

110. D.-H.Yoon, T.Fukuda. Recent progress in research of optoelectronic materials. J. Kor. Assoie. Crystal Growth, 1994, v.4, J^o 1, p.1-10.

111. S.T.Mileiko, V.L.Kazmin. Crystallization of fibers inside a matrix: a new way of fabrication of composites. J.Mater.ScL, 27, 1992, p.2165-2172.

112. S.T.Mileiko. Metal and ceramic based composites. Elsevier, Amsterdam, 1997.

113. V.N.Kurlov, V.M.Kiiko, A.A.Kolchin and S.T.Mileiko. Sapphire fibers grown by a modified internal crystallization method. J. Crystal Growth, 1999, v.204, 499-504.

114. Л.Н.Дмитрук и В.Н.Перминова. Распределение примеси при выращивании легированных монокристаллических волокон способом Степанова. Изв. АН СССР, сер. физ., 1988, Т.52, № 10, с.2017-2020.

115. В.А.Татарченко, Е.А.Бренер. Устойчивость процесса кристаллизации из расплава при капиллярном формообразовании. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 7, с. 1456-1467.

116. K.Chikuma, S.Umegaki. New focusing optics for second-harmonic waves radiated from crystal-cored fiber. Optical Engineering, v.33, N 10, Octoberl994, pp.3461-3467.

117. V.N.Kurlov, S.N.Rossolenko, S.V.Belenko. Growth of sapphire core-doped fibers. J. Crystal Growth, 1998, v. 191, p.520-524.

118. W.C.Dash. The growth of silicon crystals free from dislocations. In: growth and perfection of crystal. N.Y.: Jonh Wiley & Sons, Inc., London: Chapman & Hall, Lim., 1958, p.361-382. Discuss, p.382-385.

119. B.Cockayne. The melt growths of oxide and related single crystals. J. Crystal Growth, 1977, v.42,№ 1, p. 413-426.

120. Т.Н.Яловец. Влияние физико-химических условий кристаллизации на совершенство профилированных кристаллов сапфира. Кандидатская диссертация ИФТТ АН СССР, Черноголовка, 1987 г.

121. Т.П.Мархолия, Б.Ф.Юдин, Н.И.Воронин. Сб. Химия высокотемпературных материалов. Труды II Всесоюзного совещания по химии окислов при высоких температурах. М.-Л.: Наука, 1967, с.203.

122. V.A.Tatarchenko, T.N.Yalovets and G.A.Satunkin and L.M.Zatulovsky, L.P.Egorov and D.Ya.Kravetsky. Defects in shaped sapphire crystals. J. Crystal Growth, 1980, v.50, p.335-340.

123. Т.Н.Яловец, Л.В.Бондаренко, В.А.Бородин, Т.А.Стериополо. Основные типы пор в профилированном сапфире и механизмы их образования (препринт). Черноголовка, 1988.

124. W.W.MuUins, R.F.Sekerka. "Stability of a planar interface during solidification of a dilute binary alloy". J. Appl. Phys., 1964, v.35, № 2, p.444-451.

125. В.Н.Курлов, С.Н.Россоленко. Выращивание крупногабаритных сапфировых лент для использования в оптике. Изв.АН, сер.физ ,т.63 № 9, 1999, с.1711-1718.

126. В.Н.Курлов, Б.М.Эпельбаум, С.Н.Россоленко. Эффективные приемы выращивания крупногабаритных сапфировых труб. Изв.АН, сер.физ ,т.63 № 9, 1999, с. 1705-1710.