автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.16, диссертация на тему:Устойчивоподобные свойства решений некоторых классов функционально-дифференциальных уравнений

рг Б од

- 8 МАЙ

Саикт - Петербургский Государственный университет

на правах'рукописи

Блистанова Лидия Дмитриевна

Устойчивоподобные свойства решений некоторых классов функционалъно-дифферэнциальннх уравнений.

Специальность 05.13.16 - применение вычислительной техники, математического моделирования и математических методов в научных исследованиях ( в отрасли фпзико - математических наук )

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата, физико - математических наук

Санкт - Петербург 1995 г.

АННОТАЦИЯ

Селья диссертационной работы является разработка эффективного метода электрофизического диагностирования интегральных схем (НС) средней степени интеграции по параметрам нелинейности их характеристик энергопотребления.

Для достижения поставленной цели решались следушке задачи:

- выбор интегрального электрофизического параметра, подлежащего регистрации и исследования при диагностировании ЙС, как носителя первичной диагностической информации;

- определение необходимой совокупности элементов ЯС, физические свойства которых должны исследоваться при опенке физического состояния диагностируемой КС;

- выбор метода регистрации интегрального физического параметра совокупности исследуемых элементов КС, а также способов и приемов наиболее эффективного получения первичной диагностической информации;

- оценка метрологических возможностей метода получения первичной диагностической информации и разработка способа уменьшения методической погрешности измерений;

- преобразование получаемой первичной диагностической информации к наиболее удобному, с точки зрения физической интерпретации, виду;

- выбор наиболее эффективного способа классификации КС по группам надежности и стабильности;

Автор вынбсит на защиту;

1. ¡¿етод электрофизического диагностирования КС, позволявший выявлять и отбраковывать изделия со скрытыми дефектами. Метод основывается на использовании диЗфэренциальных спектров зольт-ваттной (ВйгХ) и вольт-кулоьной (£Ю0 характеристик цопей питания ИС как носителей первичной диагностической информации. Определение дифференциальных спектров реализуется на основе измерений комплексных параметров комбинационной гармоники тока, генерируемой объектом диагностирования СОД) при его-активащм переменные двухчастотным и скан;;рукяцм постоянным сигналами.

2. Аналитические выражения, устанавливающие связь комплексных параметров комбинационной гармоники тока на разностной частоте в цепи питания ИС, при их диагностировании, с характеристиками нового класса - дифференциальными спектрами ЕЕтХ и ВКХ.

3. Макромсдели, устанавливающие связь параметров тест-сигнала

- г -

и сигнала-отклика с методической погрешностью оценивания дифференциальных спектров ЕВгХ и ВКХ цепей питания ис, а также способ уменьшен!«; этой погрешности.

■1. Способ классификации ИС по группам надежности, .'пользующий получаемую информацию в виде дифференшшькьк спектров ВВтХ и ВХХ и позволяющий с требуемой достоверностью принимать обоснованное решение о физическом состоянии диагностируемой КС.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Одним из важнейших условий ускорения научно-технического прогресса является повышение надежности различных технических средств, которые содержат в качестве комплектующих их элементов боль юг количество злектрорадлоизделкЛ (ЭРИ).

Надежность радиоэлектронной адпарзтуры £КЗА) прежде всего определяется надежностью элоиентов, входящих в ее состав, поэтому особое значение приобретает диагностика ЭРИ. Наиболее эффективными методами являются электрофизические методы диагностирования (Э1МД) на основе -интегральных физических эффектов нелинейности, так как они позволяет не -олько определить текуче техническое состояние ОД, ко и осуществлять прогноз надежности ЗРИ с возможностью анализа некоторых видов отказов.

Областью применения данных методов южно считать как отбраковку полуфабрикатов изделий на технологических операциях к при приемочном контроле в производстве ЗРИ, так и на входном контроле при их применении в процессе изготовления РЗД.

Процесс ЭЭД ЗРИ заключается в тем, что на ОЛ подают активирующее электрическое воздействие и фиксируют сигнал-отклик с последующим анализом и принятием решения о техническом состоянии ОД при использовании соответствующей диагностической модели.

Эффективность. ЭФМЦ 5у; "т определяться рядом требований: ин-Формагивнося»» я точностью регистрируемых данных, а также выбранным способом классификации шв: принятия ревекия о техническом состоянии ОД. 1*33ТОМУ ПрОбЛеМЗ роЗробОТКН способов СТбрЗКСВКК по" теныиалако иеяаделиьн: и доегаСилышх ЗРИ, отличающихся высокой эффе ггивноств а достоверностью отбраковки, является актуальной.

2ыие указанным требованиям удовлетворяет метод модуляционного дифференцирования (ШО, который в даняой работе принят как метод регистрации первичной диагностической информации.

Методы исследования. Лрл решении поставленных в работе задач были использованы теоретические основы электротехники и электроники, спектрально-временные методы анализа нелинейных систем, а также основные положения теории погрешностей, экспериментального анализа, теории вероятностей и математической статистики.

Научная новизна. В данной диссертационной работе получены следующие новые результаты:

-■ разработан метод диагностирования Лс, позволявший выявлять и отбраковывать изделия сс скрытыми дефектами, который основывается на использовании дифференциальных спектров вольт-ваттной (ВЕтХ) и вольт-кулонной (ВЮО характеристик цепей питания ИС как носителей первичной диагностической информации;

- получены аналитические выражения, устанавливающие сеязь параметров . омбинационной гармоники тока на разностной частоте в цепи питания ИС, при их диагностировании, с характеристиками нового класса - дифференциальными спектрами ЕБгХ и ВКХ;'

- получены макромодели, устанавливагэде связь параметров гест-сигнала и сигнала-отклика о методической погрешностью оценивания дифференциальных спектров £ВтХ и ВК'Г цепей питания КС, а такжв разработан способ уменьшения зт^й погрешности;

- разработан способ классификации КС по трупам надежное;.., использующий получаемую информацию в виде дифференциальных спектров ВВтХ и ВКХ к позволяющий с требуемой достоверностью принимать обоснованное решение о физическом состоянии диагностируемой КС;

- экспгрименталы.э подтверждена эффективность используемого подхода на примере представительной выборкй ИС типа К174ХА11;

Практическая ценность работы заключатся в следующем. Преобразование параметров комбинационной гармоники тока сигнала-отклика на разностной частоте, регистрируемых с помощью МЦП ча основе метода разностной частоты (МРЧ), в характеристики дифференциальных спектров ВВтХ и ЕКХ позволяет создать измерительное оборудование для диагностики ИС, с помощью которого удается оценить наличие в ИС локальных перегревов и неконтролируемых зарядов при достаточно малом времени измерения.

Разработанная методика классификация ИС по группам надежности может быть использована на заводах-изготовителях ЭРИ и РЭА для повышения качества выпускаемой продукции.

Внедрение результатов. Основные результаты диссертации были использованы ПО "Гравитон" (г. Чэрновцы) при анализе качества вы-

- *л ~

пускаемой продукции (КС типа К174ХА11), а также НПП "Аматек" (г.Киев) при разработке автоматизированного комплекса для контроля, разбраковки и диагностики интегральных микросхем.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следуетпх конференциях к семинарах: IV Peспубликанекой научно-технической конференции "гпзические катоды диагностирования в задачах управления качеством и надежность«. Физика отказов'ЧЧернигов,1989г.); научно-технической конференции "Бытовая ;адиоэлектрснная аппаратура: управление качеством и надежностью^ Одесса, 1990г.); Республиканской научно-технической конференции "Проблемы и спьгг внедрения автоматизированных систем управления в энергетике на основе микропроцессорной техники" •(Ташкент,1991г.); V! Всесоюзной научно-технической конференции "Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники"! Кишинев, 1991г.); научно-технической конференции "Вероятностно-физические методы исследования надежности ыасин и аппаратуры" (Киев, 1932г.У; научно-технического семинара "Дифференциальная спектроскопия изделий микроэлектроники в задачах управления качестром и надежностью" (Киев, 1992г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе олно положительное решение на изобретение.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введе.чия, четырех глав, заключения, списка литературы и приложений. Работа содержит 134 страницы машинописного текста, 38 рисунков, 9 таблиц, список литературы, вклвчаг.5ий 118 назьакий.

Ее введении обоснована актуальность теш, сформулированы цель и задачи исследования, показана новизна полученных научных результатов, а также представлены положения, вы:;оси)&;е на завдту.

В первой главе доказана возможность использования для целей диагностики величины комплексной злгк-рспроводнссти ОД. Сделан обзор суюствувд!х 3SJS КС и выбран метод фиксации параметров

коипл&ксксп 3-ü8 я1рвп?ог0дк0суи в 31;£с нтoplxí npo*ío~

водках зельт-ампзркой СНАХ) l"('Ji к вольт-кулонной (ЬКХ) Q"('J) характеристик ее иепя питания. В качестве метода регистрации этих зависимостей выбран МИД на основе МРЧ

Во второй" главе разработан способ определения методической погрешности измерения зависимостей I"(ü) и Q"(L!). по результатам многократного измерения сигнала-отклика на разностной '-астоте в каждой точке смещения при разных амплитудах переменного тест-сиг-

нала, а также способ оценки высших производных указанных характеристик. Даны рекомендации по выбору схемы вкл». ¿ения ИС как ОД.

В третьей главе проведен графо-аналитический анализ ВАХ и ее производных основных компонентов ИС. Установлена связь зависимо.-тей Г'(и) и СГ( и) с новым классом характеристик - дифференциальными спектрами ВЕтХ и ВЮС Выявлена чувствительность указанных характеристик к различным видам скрытых дефектов.

В четвертой главе разработан алгоритм обработки первичной диагностической информации с учетом использования 1ЗД. На основе дифференциальных спектров ВВтХ и ВКХ произведена классификация изделий лС типа К174ХА11 на четыре группы качества. Оценена достоверное!: проведенной классификации по выявлению ИС, имеющих известные скрытые дефект!»,' а также при сравнении с классификацией по нестабильности параметров, измеряемых в процессе электротгрмо-тренировки (ЗТТ).

В заключении сформулированы основные результаты, пол> .енныэ пы выполнении диссертационной расоты.

В прилсения вынесены: листинги программ, котирые были использованы для расчетов в данной работе; перечень скрытых дефектов в выборке ИС типа К174ХА11.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Интегральную схему, независимо от ье типа, выполняемой ею функции и уровня лтеграции, можно рассматривать как физическую систему, состоящую из совокупности физических сред, в которой до минирующим интегральным свойством является ее комплексная электропроводность.

Основные виды взаимодействий, которые могут проис-одить в ИС, имеют взаимосвязь с комплексной электропроводностью ее приборных структур. То есть, комплексная электропроводное.л является интегральным свойством физической среды, которое чувствительно ко всем основным видам взаимодействий, происходящих в ИС. Это дает основание "ыбрать ее в качестве "чформг такого параметра для о астрофизического диагностирования ИС по интегральным эффектам

Свойство комплексной электропроводности элементов или их совокупности в составе ИС лряш или опосредовано используемся при определении ее технического состояния с помощью 35ЗД, Лнавв известных методов, наиболее распространенных при оценке техническо-

го состояния .'¡г. позволяет рекомендовать методы, основанные на использовании для этих целей характеристик некоторой совокупности элементов, входящих в состав ИС. В этом случае используются различные совокупности элементов, имевшие электрическую связь с выгодами ИС, по которым производится их диагностирование. Указанное обстоятельство позволяет существенно увеличить достоверность и полноту контроля физического состояния лс.

Наиболее целесообразно для получения этих характеристик использовать выводы шин питания, по сольку в этом случае охватывается максимальное число приборных структур "С.

Рассмотрение ИС в виде физической системы с комплексной электропроводностью, как доминирующим интегральным свойством, дает возможность гредс~авить ее по выводам шин питания эквивалентной схемой в ьиде двухполюсника (ДП) с параллельной активно-емкостной схемой замещения.

Известно. что информативность производных функциональных характеристик значительно выше информативности исходно.', характеристики, постольку производные этих характеристик более чувствительны к их вариационным особенностям.

Комплексная дифференциальная электропроводность или первая проиг ->одная комплексной ВАХ параллельной активно-емкостной схемы гамешения по определена будет иметь вид:

где Ы - круговая частота, а д(0) и С9Ш) - дифферент;альяыг проводимость и емкость соответственно, как функции приложенного к НС летающего напряжения У .

Выражение для производной ксмпле;:сной дифференциальной проводимости или второй производной комплексной ВАХ цели питания КС находится дифференцированием формулы (1):

«ДО-ГМ-дОД +]о>С!,(и). (2)

Синим из методов, позволяющим фиксировать вторые производные „смпл.'кской ВАХ с достаточной для практики точность», является !"/Л основе ЯРЧ, который использовался в данной работе.

„цепк? :.ктролс-г:'л:ес!";>: вовиоиаоотеа ИРЧ г известкой автору литературе не производилась. При диагностировании ЭРИ по МРЧ с фиксацией комплексных параметров комбинационной гаи,;онп;:и тока на разностной частоте, в качестве тест-сигнала использует с;,чау г:е-

ременного Салансно-модулированного напряжения с амплитудой и» . и постоянного напряжения смещения Ц, вида:

' 3)

и (0 " Ц. СОбЫ + + + Ц, , '

где и - начальные фазы напряжения несутся СО и модулирующей Я, частот.

При представлении ЕАХ а виде бесконечного степенного ряда, коэффициенты которого однозначно определяется коэффициентами ряда Тейлора, сигнал-отклик можно представить комплекной амплитудой гармоники тока на разностной частоте:

I ¡Ь) Ц? + & \Ш + 1^)11!+..,;«

где 1"(и) ГХи), I"(0),____- высшг производные комплексной ЕАГ:

четного порядка.

При достаточно уалой амплитуде тест-сигнала составляющими ряда (4), начиная со второго, можно пренебречь и считать, что действительная и мнимая составляющие комплексной амплитуды тока сигнала-отклика на разностной частоте прслорциональны вторым производным ЬОС и ЕКХ соответственно, выражения для . которых можно запасать а ~лде:

ГЫЦ-^.-гш),

где (/>(и) - сдвиг фаз между тест-сигналом и сигналом-откликом.

Выражение для относительной методич .'той погрешности оценивания вторсй произвсдной комплексной ВАХ можно записать г виде:

Щ^Г+ Г(и) ч/ш. ¡7)

Из выражения (?) следует, что. для количественного определения методической погрешности необходимо иметь значения комплексных высших производных в каждой точке смещения.

Высшие производные определяются расчетно из системы линейных уравнений, которая получается из выражения (4), если задать несколько значений амплитуды напряжения Салансно-модулированного сигнала измерять при этом амплитуду тока сигнала-отклика

на разностной частоте .

Выбор схемы подключения КС при фиксации зависимостей Г'СШ и Q"(tt) по ШИЛ должен производиться исходя из двух факторов.

Ео-первых, схека подключения должна позволять фиксировать ыаксимальвое количество диагностической информации, то есть в ИС должны Гчть активированы практически все приборные структуры.

Во-вторых, схема йодклвченкя должна обладать высокой помехоустойчивостью, «стебы исключить или сильно ослабить влияние случайных факторов .помех) на результат измерения.

Регистрируете по зависимости ]"(U) и Q"(I!) содержат больсое количество признаков как типовых, так и индивидуальных. Возникает задача их гнтерпретацы. Один из подходов к решению этой проблемы состоит в представлении исходной диагностической информации в другом виде, характеризующем ОД с * энергетической точки аре..иа, а именно дифференциальными спектрами ВВгХ и ЕКХ.

Как известно, активную ыекке:ть, потребляемую ОД, - можно представить в след» ¿-км' виде:

P(U) = UU)U. (а)

ЗаЬисиюсть I(UJ можно получеть из зависимости второй производной ВАХ последовательным интегрированием:

Г(0) = fí"(u)dü 4- 9(0), (9)

m~$J¡"mudu + д(0)и, (10)

где яЩ - значение дифференциальной проводимости при U ~0 .

Дифференциации« спектр ЕЬгХ получается в результате дифференцирования выражения (8) и ."здетаковк;; з него формул (9-10):

Р(0) - uf[]"{U)dtidU + g(0) U* (и)

P'(új - u¡í(u)d и + Jf ftujdudu + 2gíO)U, (12)

Pu(u) = !"(uru + 2¡¡"(u4u + 2g(0), fis)

Г<и)=[Ш]и + 3Í"(U). . . (i4)

Аналогично моино получить дифференциальный спектр'для BRX:

Q(U) =l\Q"(U)dUdU + Ca(0)U ^ CIS)

Q'(U) = ¡Q"(U)dU + Ca(Oj, (IS)

Q'"(U) a [Q"(U)] '; (17)

где C3{0)- значение дифференциальной емкс.ти при U=0, а представлено ранее формулой (6).

Дифференциальные спектры ВВтХ и Ьлл являются новым классе:.; информативных характеристик при диагностировании ИС, которые отражают l себе информацию о различных скрытых дефектах и/или процессах (механизмах) дефеютобрагования.

При этом дифференциальные спектры ЕБтХ отражают информацию о дефектах, обуславгявлвквс наличие а физической среде КС локальных перегревов. К таким дефектам м^жно отнести следующие: увеличенное содержание примесей, коррозия проводников, деф.кты кристалли-ческс" решетки, перекристаллизация контактов и другие. Дифференциальные спектры ЕКХ отражают информацию о дефектах, обуслгвлшза-гдах наличие неконтролируемых зарядов на поверхность и в объем: кристалла из-за загрязнений поверхности, поверхностной рекомбинации, наличия поверхностной проводимости, а также образования инверсных кчнадсв и других.

Зависимости составляющих дифференциальных спектров ВЕтХ и ЕКХ от питающего напряжения КС названы в данной работе характеристиками нелинейности энергопотребления (ХЮ).*

Получение ХИЗ из зах дсимости! вторых производных ВАХ и ЕКХ можно осуществить на основе численнрго кнтегрироаанпя. Для негладких функций целесообразно применение методов Ньвтона-Котеса, основанных на поликомиг *ьной аппроксимации подынтегральной Фикции. Рекомендуется невысокая степень полинома 2, поэволкваая значительно упростить алгоритм интегрирование. При этом погрешность иитс-рирсзания оценивается пс формуле ?унге:

_ -ГШ -Г(клУ) R __ ; li8)

где "Ф^аи) и Y(xiU) - вычисленные значения интеграла при шаге кг. .ряжения сыепгкия AU и КйО соответственно; К - коэффициент пропорциональности.

На примере расчета составляющих мощности по известной экспоненциальной функции БАХ для р-п-лерехода установлено, что приемлемые погрешности пересчета получаются при фиксации в исходных характеристиках числа точек z>lCO.

Обработка первичной диагностической информации проводится в основном согласно стандартного алгоритма обработки регистрируемых данных. Особенностью алгоритма, используемого в данной работе, является то, что в нем осуществлено определение методической погрешности в каждой точке смешения, которая фиксируется вместе с исходными данными. Это позволяет более объективно анализировать регистрируемые данные в дальнейшем.

Выбор решающего правила производится исходя из характера постановки общей задачи классификации. Специфика задачи выявления потенциально ненадежных изделий такова, что четко можно выделить один класс - изделия повышенной кат лиссти. Это обусловлено тем, что в потенциально надежных изделиях присутствует мини-* мальное количество скрытых дефектов и параметры (характеристики) этих изделий расположены в области предопределенных значений. Причем практика показывает, что при стабильности технологического процесса, рс.-лределение этих параметров близко к нормальному.

Многообразие скрытых дефектов, присутствующих в изделии й влияющих на его параметры, не позволяет создать единый образ потенциально ненаг :жного изделия. Наиболее приемлемым при да: :юй постановке задачи сказался метод построения эллипса рассеяния. Мэтод основан на предположении, которое подтверждается практикой, что любые отклонения параметров изделий от нормальных снижают их надежность. При этом изделия, параметры которых лежат ближе к центру рассеяния, относятся к потенциально надежным, а остальные подлежат забраковке как потенциально ненадежные.

Суть метода заклк .ается в следующем. По данным обучающей выборки формируется образ эталонного изделия. Затем каждое изделие сравнивается с ним и по степени откл чения от эталона осуществляется разбраковка изделий на различные классы, Стример, если вычертить на плоскости N функциональных характеристик обучающей выборки, в которой содержится большинство потенциально надежных изделий, то криволинейная of асть, которую они займут, может считаться эталонной 'областью или областью надежных изделий.

Присутствие скрытых дефектов в изделиях приведет к образовала всевозможных отклонений функциональных характеристик с. г эта-

лонной области на различных участках изменения аргумента Степень отклонения конкретных характеристик ЙС от эталонной области количественно молно оценить различными способами: 1) - по еЕКлидоЕу расстоянию до среднестатистической кривой; 2) - по количеству точек характеристики, вышедших га эталонную область.

Перечисленные способы были опробованы на представительной выборке изделий ЙС типа К174ХА11. В результате предпочтение отдано втооому способу, суть которого заключается в следующем.

По Бьйорке изделий, которая на основании априорной информации принимается за обучающую, определяются верхняя X/ и нижняя X« границы эталонной области отдельно для дифференциальных спектров ВВгХ и ЕКХ по каллой 1-той точке смешения, как доверительный интервал указанных характеристик с заданным уровнем начимости ОС :

1-Й «Я

4 Л

где Х{., - оценки математического ожидания и среднего квадрати-ческого отклонения в 1-той точке смешения по N объектам, t -коэффициент Стьюдента. 2 - количество точек на характеристике.

Область на плоскости, полученная интерполяцией границ доверительного интервала для ХНЭ, принимается ва эталонную область. По каждому объекту, предъявленному для классификации, подсчитьтается количество выходов ва границы эталонной области. Изделие признается годным, если количество еыходое аа эталонную область Г не превышает предельно допустимого значения для заданной доверительной вероятности надежности изделия Р :

Р = С,?р(/-р)г,~г (20)

пл

где С,. - биномиальный коэффициент, р - вероятность выхода характеристики за пределы эталонной области в одной »-очке.

На рисунке представлены примеры ХНЭ на Фоне эталонной оОласти для ИС типа К174ХА11 по годному и бракованному изделиям.

Достоверность проведенной классификации ИС по группам надежности на основе ХНЭ была проверена по выборке КС, в которых содержались те или иные скрытые дефекты, выявленные в работоспособных № до герметизации их в пластмассовый корпус. В результате проверки выяснилось, что лри контроле по всем ХНЭ гарантируется выявление примерно Ж скрытых дефеотов. При контроле до вторых

Придарк ХНЗ -да ЕС типа К17-1ХА11 по годному (а) и бракованному (б) изделиям.

производных ВВтХ и ЕКХ включительно гарантируется выявление около 78Z скрытых дефектов. Если контроль проводить до первых производных ЕЕтХ и ЕКХ включительно, то гарантируется выявление приблизительно 40Х скрытых дефектов. Контроль только по нулевым произвол ным ЕВгХ и РКХ гарантирует выявление всего 20% скрытых дефектов.

Анализ выявляемости скрытых дефектов показывает, что при контроле до вторых производных £2тХ и ЕКХ включительно ке выявляются скрытые дефекты, которые связаны только со смещением мпк росварного соединения, а также мелкие царапины металлизации. hi приводящие к обрыву дорожек, поскольку они практически не отраха ются на электрических параметрах КС. Наиболее успешному Еььзвлешг:. поддаются скрытие дефекты, которые связаны о изменением электрических параметров ЯС. К таким дефектам можно отнести растрав окисла, разрыв алюминиевых дорожек металлизации, дефекты фотолитографии, приводящие к искажению геометрии окон и карманов.

Поскольку ЭТТ предназначена в основном для выявления ранних отказов, она не может считаться в полной мере испытанием на на дежность. При малом числе отказов в результате ЭТТ можно получить только приблизительное оценки параметров надежности. В связи с этим целесообразно оценить достоверность полученной классификации с помощью других методов сценки надежности, например, с пометь» прогноза потенциальной нестабильности, поскольку в этом случае имеется .■возможность приближенно определить такой показатель надежности как время наработки до отказа.

По КС К174ХА11, которые классифицировались вш?, имеется матрица основных параметров по ТУ, измерение в различные моменты времени при проведении ЭГТ в течение 6С0 часов. Данная матрица позволяет рассчитать коэффициенты нестабильности лс 31 параметру.

Поставленная задача по прогнозированию потенциальной нестабильности J1U кз основе ХЯЭ решалась следувяим образом. Во-пермгх, с одной стсрокы. ешзлялпсь те параметры ¡10, величина нестабильности «отсрых г scckcwc- З'ГТ коррелирует с параметрами иригнахг-XH?, а о - наиболее информативные з это!,; смысл.; ука-

занные характеристик.!. Во-вторых, оценивалась степень сглзи ме^лу нестабильнсипы пакя^тров, измерс-нкых э процессе ЭТТ, и признаками лКЗ с помок;' корреляционного и регрессионного анализов.

Расчет аекзэал, что информативными с точки зрения прогноза нестабильности лакав троз ИС при ЭТТ сказались только ЕВгХ и ее первая и вторая производные. Срлуи параметров из 31-го имеют зна-

<01101} информативность по указанным характеристикам согласно максимума коэффициента корреляции только 13 параметров, самими информативными иг которых являются нестабильности: длительностей выходных кадрового и строчного синхроимпульсов, амплитуды выходного строчного импульса, а также времени задержки между передним фронтом строчного синхроимпульса и передним фронтом стробимпульса цветовой подяесуаей.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ЕЫВОДЫ

1. Проведенные теоретические исследования позволили показать, что для большинства типов ЗРИ информацию об их техническом состо-

• янии можно получить на основе общего интегрального параметра В качестве такого параметра для КС предложено использовать величину к .шлекской электропроводности их цел. .2 питания как обладающую достаточной информативностью, а в качестве метода регистрации предложено использовать1 метод модуляционного дифференцирования (1&Ш, поскольку он обладает достаточной чувствительностью и точностью регистрации параметров комплексной электропроводности в виде вторы;: производных ВАХ и ВКХ.

2. Получены аналитические выражения, позволяющие экспериментально оценить величину методической погрешности определения вторых производные ВАХ и ЕКХ с использованием МЦЦ на основе метода разностной частоты (ЦРЧ) как информативных характеристик объектов диагностирования ; (ОД), а также значений гысиих производных указанных характеристик в каждой точка напряжения смешения.

3. Проведен анализ схем подключение интегральных схем в качестве ОД. Показано, что схема подключения ЯС при регистрации вторых производных ВАХ и ВКХ по цепи питания должна обеспечивать несколько основных требований. К этим требованиям южно отнести следующие: информативность регистрируемых характеристик, которая обеспечивается при активации практичи леи полноту числа приборных .структур ИС; помехоустойчивость схемы подключена и ее метрологическая согласованность с ОД, то есть обеспечение практической линейности функциональных характеристик собственно схемы подключения и ее инвариантности к дестабилизирующим факторам.

4. Теоретически и экспериментально показана, связь зависимостей вторых производных ВАХ и ВКХ с потребляемой ОД мощность» и I жапливаемым в нем зарядом в виде составляющих дифференциальных