автореферат диссертации по металлургии, 05.16.01, диссертация на тему:Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания

ВЫВОДЫ

1. Проведено комплексное исследование условий формирования структуры и фазового состава и влияния последних на свойства поликристаллических Sic -материалов высокой плотности получаемых методом реакционного спекания в расплаве или парах кремния заготовок, прессованных из шихты, состоящей из смеси зерна карбида кремния и углеродистого материала, увлажненной жидким бакелитом, вводимым в шихту в качестве связующего компонента.

2. Экспериментально установлена взаимосвязь между составом шихты, плотностью прессованных заготовок, режимом си лидирующего обжига и структурой и фазовым составом реакционноспеченного siO-материала. Показано, что по мере увеличения плотности прессованных заготовок и повышения содержания углерода в шихте в процессе сияицирующего обжига заготовок, растет содержание основной фазы ( Sic) в готовом продукте.

3. Методом рентгеновского анализа и микроскопического исследования в проходящем свете прозрачных шлифов образцов реакционно-спеченных Sic -материалов установлено, что образующийся при си-лицирующем обжиге углеродеодержащих заготовок вторичный карбид кремния представляет собой кубическую модификацию jS-SiC , которая по мере повышения температуры до 2000°С переходит в гексагональную форму - oC-SiC . Политипный состав карбида кремния в реакционноспеченном SiC-материале близок к политипному составу технического карбида кремния, получаемого в промышленности на абразивных заводах России: доминирующую часть составляет cC-SiCII(6H) - 85$,. ~I0%c^-siCr(I5R)H 5%cL-SiCIIl(4H).

4. Методом металлографического анализа полированных шлифов, приготовленных из реакционноспеченных sic-материалов, установлен механизм реакционного спекания углеродсодержащих заготовок в распяаве и парах кремния, определяемый сведущими идущими параллельно процессами: а) взаимодействием углерода, содержащегося в заготовке, с кремнием с образованием вторичного карбида кремния; б) диффузионным переносом растворенного в расплаве кремния углерода через расплав и эпитаксиальным осаждением из расплава кремния вторичного карбида кремния на зерна первичного с последующим их прорастанием друг в друга и образованием каркасной структуры; в) дозировкой кремния при силидирующем обжиге заготовок и регулировкой режима обжига, позволяющими регламентировать структуру, фазовый состав и пористость реак-ционноспеченного Sic -материала.

5. Путем варьирования технологическими параметрами (рецептура шихты, плотность прессованных заготовок, дозировка силидирующего агента и его химический состав, введение в шихту легирующего компонента, режим и среда силицирующего обжига) получены образцы реакционноспеченных siö-материалов разного класса, отличающихся структурой и фазовым составом, и изучены их теплофи-зические, физико-механические свойства, определена коррозионная стойкость в химически активных средах, стойкость к абразивному износу и некоторые трибологические характеристики. Показано, что свойства реакционноспеченных Siö-материалов улучшаются по мере увеличения содержания siG-фазы в материале и уменьшения крупности зерен Sic, составляющих его карбидный каркас.

6. Установлено, что легирование реакционноспеченногоsic -материала бором изменяет морфологию растущих в процессе силицирующего обжига кристаллов карбида кремния в материале и способствует повышению его механической прочности при воздействии изгибающих и ударных нагрузок, а также повышает сопротивление абразивному износу.

7. Впервые предложен метод "реакционной сварки" для изготовления изделий сложной конфигурации из прессованных заготовок простой формы, соединенных друг с другом специально разработанной кле-ющей пастой, с последующим силицирующим обжигом смонтированных из заготовок изделий. Технологические возможности этого метода позволяют значительно расширить номенклатуру изделий сложных конфигураций из реакционноспеченного sic -материала.

8. Предложен способ получения изделий из реакционноспеченных sic-материалов с многослойной структурой, заключающийся в силици-рующем обжиге заготовок, прессованных из шихты разного состава, загружаемой в прессформу равномерно распределенными слоями. Таким образом, в разных частях одного и того же изделия формируются различные структуры и фазовые составы материала, что расширяет диапазон функционального использования такого рода Sic-изделий в технике.

9. Разработана технология механической обработки реакционноспеченных Si С -материалов алмазным инструментом.

10. Предложена аналитическая зависимость износостойкости двухфазного беспористого реакционноспеченного Sic -материала при абразивном воздействии от содержания в нем sic- и si-фаз. Показано, что износостойкость таких материалов в абразивной струе зависит от соотношения их твердости ( Нм ) с твердостью абразива ( На). При нм/&а^10,7 зависимость износостойкости siC-материала от величины нм/на носит линейный характер, а при HM/Hg>0,7 она принимает вид экспоненты, что может быть объяснено изменением механизма износа Sic-материала при переходе от воздействия абразива с меньшей твердостью к воздействию абразива с более высокой твердостью.

11. Изучены трибологические свойства реакционноспеченного sic-материала состава 88% Sic, 11% Si, 0,5% С и 0,5% примеси. Пока

250 зано, что пары трения, изготовленные из такого материала, при суком трении могут надежно работать при удельных давлениях 0,098-0,196 МПа и скоростях скольжения 1-3 м/с. Б случае применения в качестве смазок воды, четыреххлористого углерода, 10%-го раствора Жаон и 5%-го раствора НС1 диапазон применяемых удельных давлений и скоростей скольжения возрастает до 4,9 МПа и 10 м/с соответственно, а коэффициент трения изменяется от 0,02 до 0,2. В парах трения $1Срс- металл наблюдается высокий коэффициент трения (0,72-0,85 для стали и 0,3 для бронзы) и интенсивный износ металла.

12. Проведены стендовые испытания одноименных пар трения из реакционноспеченного БЮ-материала, выполненных в виде уплотни-тедьных колец, и конических подшипников скольжения при удельных давлениях 0,098-0,335 МПа и скоростях скольжения 1,0-15,9 м/с. Показано, что оптимальный режим работы достигается при удельных давлениях 0,098-0,198 МПа и скоростях скольжения 8 м/с для уплотнительных колец, износ которых при таком режиме работы и смазке водой за 717 часов работы составляет 0,006о

-0,009 г/см . Пара трения, выполненная в виде конического подшипника, вполне работоспособна при скорости скольжения 5 м/с, смазке водой и удельных давлениях до 3,14 МПа.

13. Методом микровдавливания алмазной пирамиды исследованы механические свойства монокристаллов карбида кремния с различным содержанием в них примесей (азота и алюминия) и собственных дефектов, введенных при облучении или росте в нестехиометри-ческих условиях. Показано, что в монокристаллах имеющих нестехиометрические и радиационные дефекты, а также в

20 -Ч образцах с высоким уровнем легирования азотом (с^ = 10 см ) наблюдается повышенная склонность к трещинообразованию, приводящая к ухудшению микропрочностных характеристик монокристадлов. Проведен теоретический анализ процесса дефектообразо-вания в монокристаллах Sic в рамках квазихимического приближения и получены зависимости концентрации точечных дефектов от парциального давления паров кремния в газовой фазе в процессе роста кристаллов Sic в условиях равновесия.

14. На основании проведенных исследований разработан и внедрен в промышленность технологический процесс изготовления изделий из износостойких карбидкремниевых материалов, получаемых методом реакционного спекания, и предложены режимы механической обработки этих изделий алмазным инструментом, что позволяет существенно расширить спектр их практического использования в различных областях техники. Внедрение такой технологии решает проблему успешной замены изделий из дорогостоящих вольфрамовых сплавов на изделия из реакционноспеченногозю-материала, обладающего существенно более высокой износостойкостью в условиях воздействия химически активных и абразивных сред при отсутствии ударных и вибрационных нагрузок.

15. Проведены производственные испытания ряда изделий из реакци-онноспеченных беспористых Sic-материалов с высоким содержанием в них карбидной фазы (80-90% по массе) в различных отраслях промышленности, по результатам которых внедрены в производство следующие изделия: дюзы и защитные донышки в распылительных головках сушилок двойного суперфосфата (Воскресенский химкомбинат и Волховский алюминиевый комбинат), решетки для отсасывающих ящиков бумагоделательных машин (Кондопожский и Архангельский целлюлозно-бумажные комбинаты), пресеформы для горячего прессования ферритов (институт магнитодиэлектриков, СПб), различного вида пары трения, работающие в условиях хи-мическиактивных и абразивеодержащих сред (ЛЕШШШШАШ), диски для исжрателей типа ИДИ (Лаборатория Северо-Западного Геологического Управления).

1. Nowotny Н., Parthe Е., Kieffer R. und Benesovsky F. Das Dreistoffsystem: Molybd an-Silizimn-Kohlenstoff//Monathefte fur chemie. 1954., B.85, S.255-272.

2. Брохин И.С., Функе В.Ф. Исследование растворимости и фазового состава в системе кремний-углерод. В кн.: Твердые сплавы. М.: Металлургиздат. 1959. Вып. 1. С.226-239.

3. Брохин И.С., Функе В.Ф. Исследование растворимости и фазового состава в системе кремний-углерод //ЖНХ. 1958. Т.З. Вып.4. С.847-853.

4. Knippenberg W.F. Growth Phenomena in Silicon Carbide // Philips Research Reports. 1963. Vol.18. No.3. P.161-170.

5. Scace R.I., Slack G.A. In book: Silicon Carbide - a High Temper. Semicond., «Pergamon Press», L. - N.Y. 1960. P.64.

6. Drowart J., Maria G.de. In book: Silicon Carbide - a High Temp. Semicond. «PergamonPress», L.-N.Y. I960: P. 16.

7. Кайнарский И.С., Дегтярева Э.В. Карборундовые огнеупоры. Металлургиз- ' дат. М. 1963.252 с. I

8. Olesinski R.W., Abbaschian G.J. // Bull Alloy Phase Diagrams. 1984. Vol.5. No.5. ^ P.486-489.

9. Scace R.I., Slack G.A. Solubility of Carbon in Silicon and Germanium // J. Chem. Phys. 1959. Vol.30. No.6. P.1551-1555.

10. Гнесин Г.Г., Курдюмов A.B., Олейник F.C. Рентгенографическое исследование взаимодействия кремния с углеродом // Порошковая металлургия, 1972. №5. С.78-81.

11. Nozaki Т., Yatsurugi Y., Akiyama N., Concentration and Behavior of Carbon in Semiconductor Silicon//J. Electrobhem. Soc. 1970. Vol. 117.No. 12. P.1566-1568.

12. Haas E., Brandt W., Martin J. Über das verhalten von Kohlenstoff beim Zonenziehen von Silicium // Solid-State Electronics. 1969. .Vol. 12. No. 11. S.915-921.

13. Bean A.R., Newman R.C. The solubility of carbon in pulled silicon crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1971. Vol.32. P.1211-1219.

14. Юдин Б.Ф. Исследования в области термодинамики и кинетики высокотемпературных твердофазных процессов // Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. Ленинград, ЛЭТИ. 1972. 259 с.

15. Baumhaner Н. Uber die Kristalle des Carborundums // Zeitschrift fur Krystallographie und Mineralogie. 1972. B.50. S.33-39.

16. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир, 1969, 274 с. '253

17. Олейник Г.С., Даниленко Н.В. Политипообразование в неметаллических веществах // Успехи химии. 1997. Т.66. №7. С.615-640.

18. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высш.шк. 1990, 422 с.

19. Knippenberg W.F. Growth phenomena in Silicon Carbide // Philips Research Reports. 1963. Vol.18. No.3. P.161-274.

20. Dunbar P., Birney P., Kingery W.D. The limit of non-stoichiometry in Silicon Carbide // J. of Mater. Sci. 1990. Vol.25. No.6. P.2827-2834.

21. Водаков Ю.А., Мохов E.H., Роенков А.Д., Аникин М.М. Влияние примесей на политипизм карбида кремния // Письма в ЖТФ. 1979. Т.5. Вып.6. С.367-370.

22. Карбид кремния. Сборник статей. Под ред. Г.Хениша и Р.Роя. М.: Мир, 1972, 386 с.

23. Silicon Carbide 1973. Proceedings of the 3rd International Conference, Miami Beach, Fl., 1973 (Eds. R.C. Marshall, J.W.Faust, C.E.Ryan). Univ. S.C. Press, Columbia, SC, 1974.

24. Tairov Yu.M., Tzvetkov V.F. // Crystals. Vol.10. Springer-Verlag. Berlin. 1984.

25. Adamsky R.F., Merz K.M. Synthesis and crystallography of the wurzite form of Silicon Carbide // Zeitschrift fur Kristallographie. 1959. B.l 11. S.350-361.

26. Сохор М.И., Глухов В.П. О карбиде кремния вюрцитной структуры // Кристаллография. 1965. Т.10. Вып.З. С.418-421.

27. Li J., Peng G., Chen S., Chen Z., Wu J. Formation and Morphology of 2H-SiC Whiskers by the Decomposition of Silicon nitride // J. Amer. Ceram. Soc. 1990. Vol.73. No.4. P.919-923.

28. Nobuo Setana, Koichi Ejiri. Influence of Oxygen of 2H-SiC Whiskers // J. Amer. Ceram, Soc. 1969. Vol.52. No.l. P.60-61.

29. Кальнин A.A., Пецольдж И., Таиров Ю.М. Экспериментальное наблюдение неравновесных фазовых переходов в SiC под влиянием термомеханического воздействия // ФТТ. 1987. Т.29. №2. С.575-577.

30. Hase Т., Suzuki Н., Iseki Т. // J. Ceram. Soc. Jpn. 87. 576 (1979).

31. Gulter R.A., Rigtrup K.M., Vorkar A.V. Synthesis, Sintering, Microstructure, and mechanical Properties of Ceramics made by Exothermic Reactions // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. Vol.75. No.l. P.36-44.

32. Powell J.A., Will H.A. Low-Temperature Solid-State Phase Transformation in 2H Silicon Carbide // J. Appl. Phys. 1972. Vol.43. No.4. P.1400-1416.254

33. Shinozaki S., Williams R.M., Juterbock B.N., Donion W.T., Hangas J., Peters C.R. Microstructural Developments in Pressureless-Sintered ß-SiC Materials with Al, B, and С Additions // Amer. Ceram. Soc. Bull. 1985. Vol.64. No.10. P.1389-1393.

34. Williams R.M., Juterbock B.N., Shinozaki S.S., Peters C.R., Whalen T.J. Effects of Sintering Temperatures on the Physical and Crystallographic Properties of ß-SiC // Amer. Ceram. Soc. Bull. 1985. Vol.64. No.10. P.1385-1389.

35. Sakai Т., Watanabe H., Aikawa T. Effects of carbon on phase transformation of ß -SiC with А120з// J. of Mater. Science Letters. 1987. Vol.6. No.7. P.865-866.

36. Sakai Т., Aikawa T. Phase Transformation and Thermal Conductivity of Hot-Press Silicon Carbide Containing Alunina and Carbon // J. Amer. Ceram. Soc. 1988. Vol.71. No.l. P.C7-C9. 1 ' ' ' '

37. Tajima Yo, Kingery W.D. Solid Solubility of Aluninum and Boron in Silicon Carbide // J. Amer. Ceram. Soc. 1982. Vol.65. No.2. P.C-27-C-29.

38. Rijswtik W., Shanefield D.J. Effects of Carbon as a Sintering Aid in Silicon Carbide // J. Amer. Ceram. Soc. 1990. Vol.73. No.l. P.148-150.

39. Власкина С.И., Кравец В.А., Назаренко К.В., Сергеев А.Т. Твердофазный переход 6H-3C-SiC // Докл. АН УССР. 1981. Сер. А (физико-математические и технические науки). 1981. №3. С.50-53.

40. Adamiano A., Staikoff L.S. TECHNICAL NOTES. Stabilization of cubic Silicon Carbide // J. Phys. Chem. Solid. 1965. Vol.26. P.669-672.

41. Jepps N.W., Page T.F. The 6H-»3С «Reverse» Transformation in Silicon Carbide Compact// J. Amer. Ceram. Soc. 1981. Vol.64. No. 12. P.C-177-C-178.

42. Kieffer R., Gugel E., Ettmayer P., Schmidt A. Beitrag zur Frage der Phasenstabilit at von Siliziumkarbid//Ber. Dtseh. Keram. Ges. 1966. В.43. No.10. S.621-623.

43. Рамм М.Г., Мохов E.H., Веренчикова P.C. О кинетической зависимости растворимости азота в карбиде кремния // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1979. Т.15. №12. С.2233-2234.

44. Болдырев В.В., Аввакумов Е.Г. Механохимия твердых неорганических веществ//Успехи химии. 1971. T.XL. Вып. 10. С.1835-1856.

45. Nakamura Т., Shimizu К., Osugi J. Chemical reaction at high temperature and high pressure VII. Solid State Reaction of Silicon with Graphite to Form Silicon Carbide and Stability//Rev. Phys. Chem. of Japan.1969. Vol.39. No.2. P.104-109.

46. Sochor M.I., Kalinina A.A., Feldgun L.I., Frank-Kamenezkij V.A. Uber den polymorphen Ubergang a-ß-SiC bei hohen Drucken // Kristall und Technik. 1972.B.7. No.4. S.445-456.

47. Whitney E.D., Shaffer P.Т.В. Investigation of the phase transformation between a-and p-silicon carbide at high pressures .// High Temperatures High Pressures. 1969. Vol.1.P. 107-110.

48. Бритун В.Ф., Олейник Г.С., Пилянкевич А.Н. Механизмы структурных перестроек в гексагональном карбиде кремния при высоких давлениях и температурах // Укр. Физ. Журн. 1988. Т.ЗЗ. №5. С.791-794.

49. Суворов А.В., Морозенко JI.B., Макаров В.И., Иванов П.А. В кн. Тез. докл. III Всесоюзн. совещ. «Физика и технология широкозонных полупроводников» // Дагестанский государственный университет. Махачкала. 1986.

50. Burton W.K., Cabera N., Frank F.C., Wills H.H. The growth of crystals and the equilibrium structure of their surfaces // Philosophical Transactions. Series A. 1951. Vol.243. A.866. P.299-358.

51. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Чернов M.А. Структурные исследования монокристаллов карбида кремния а- и р-модификаций // Кристаллография. 1979. Т.24. №4. С.772-777.

52. Ogbuji L.U. Origin of Long-Period Polytypism in Polycrystalline SiC // Phys. Status Solid. A. 1982. Vol.72. No.2. P.455-461.

53. Heuer A.H., Frybung G.A., Ogbuji L.U., and Mitchell Т.Е., Shinozaki S. p-a Tansformation in Polycrystalline SiC: I, Microstructural Aspects // J. Amer. Ceram. Soc. 1978. Vol.61. No.9-10. P.406-412.

54. Stevens R. Defects in Silicon Carbide // J. Mat. Sci. Vol.7.P.517-521.

55. Griffits L.B. Defect structure and polytypism in silicon carbide // J. Phys. Chem. 1966. Vol.27. No.2. P.257-266.

56. Костикова К.П. Энергия дефектов упаковки и пластическое течение в карбиде кремния в интервале температур 20-1200°С // Изв. АН СССР. Неорг. материалы 1991. Т.27. №6. С.1218-1221.

57. Пилянкевич А.Н., Бритун В.Ф., Котко В.А. Энергия дефектовв упаковки в карбиде кремния // Укр. Физ. Журн. 1988. Т.ЗЗ. №7. С.1085-1088.

58. Павлов В.А. Носкова Н.И., Кузнецов Р.И. Влияние дефектов упаковки на механические свойства металлов// Физика металлов и металловедение. 1967. Т.24. №5. С.947-965.

59. Сохор М.И. О взаимосвязи упаковок сфалеритного и вюрцитного типа в карбиде кремния // Высокотемпературные карбиды. Киев: Наукова думка. 1975. С.35-40.

60. Ramsdell L.S., Kohn J.A. Developments in Silicon Carbide Research // Acta Cryst. 1952. Vol.5, No.2. P.215-224.256

61. Dubey M., Singh G. Use of Lattice Imaging in the Electron Microscope in thee Structure Determination of the 126R Polytype of SiC // Acta Cryst. 1978. A34. No.l. P.116-120.

62. Rai R.S., Singh G. Lattice imaging studies on 201R polytype of silicon carbide // J. Mater. Sci. Lett. 1984. Vol.3. No.6. P.528-532.

63. Cheng C., Needs R.J., Heine V. Inter-layer interactions and the origin of SiC polytypes // J. Phys. C: Solid State Phys. 1988. Vol21. No.6. P.1049-1063.

64. Cheng C., Needs R.J., Heine V., Jones I.L. // Phase Transit. 16(7), 263(1989).

65. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости. M., наука. 1977, 251 с.

66. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Семеновв В.В., Соколов В.И. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. ЛИЯФ. 1979.

67. Олейник Г.С., Даниленко Н.В. Актуальные проблемы в материаловедении. Киев. ИПМНАН. 1996.

68. Олейник Г.С. Самоармированные керамические материалы. (Препринт ИПМНАН Украины, №9), Киев. 1993.

69. Евстропов В.В., Стрельчук A.M. Нейтронно-облученные SiC (6Н) р-п-структуры: токопрохождение // ФТП. 1996. Т.30. №1. С.92.

70. Данишевский A.M., Рогачев Ю.А. Разрешенная во времени импульсная эк-ситонная фотолюминесценция чистых кристаллов и пленок 6H-SiC // ФТП. 1996. Т.30. №1. С.17.

71. Санкин В.И., Столичнов И.А. Электронный транспорт в условиях ванье-штарковской локализации в политипах карбида кремния // ФТП. 1997. Т.31. №5. С.577-583.

72. Vodakov Yu.A., Girka A.I., Konstantinov A.O., Mokhov E.N., Roenkov A.S., Semenov V.V., Sokolov V.I., Shishkin A.V. The Light Emitting Diodes on the Basis of Fast Electron Irradiated SiC-Springer Proceed, in Phys. 1992. V.71. P.374-379.

73. Андреев A.H., Аникин M.M., Лебедев A.A., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Связь «дефектной» электролюминесценции в 6Н-SiC с глубокими центрами // ФТП. 1994. Т.28. №5. С.729-735.

74. Соболев В.В., Шестаков А.Н. Оптические спектры и электронная структура кубического карбида кремния // ФТП. 2000. Т.34. №4. С.447-451.257

75. Иванов П.А., Челноков В.Е. Полупроводниковый карбид кремния технология и приборы // ФТТП. 1995. Т.29. №11. С.1921-1943.

76. Полубелова A.C., Крылов В.Н., Карлин В.В., Ефимова И.С. Производство абразивных материалов. Л.: Машиностроение, 1968, 179 с.

77. Гаршин А.П., Гропянов В.М., Лагунов Ю.В. Абразивные материалы. Л.: Машиностроение, 1983, 231 с.

78. Lely J.А. Darstellung von Einkristallen von Silicium-carbid und Beherrschung von Art und Menge der eigebauten Verunreinigungen // Berichte Deutschen Keramischen Geselschaft e.v. 1955. B.32. No.8. S.229-231.

79. Campbell R.B., Chang H.C. Silicon Carbide Junction devices // Semiconductors and Semimetals. 1971. Vol.7B. P.625-683.

80. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Epitaxial Growth of Silicon Carbide Layers by Sublimation «Sandwich method» (I) // Kristall und Technik. 1979. B.14. No.6. S.729-740.

81. Мохов E.H., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., Изд-во ЛИЯФ, 1979) с. 136.

82. Левин В.И., Таиров .М., Траваджян М.Г., Цветков В.Ф., Чернов М.А. Исследование процесса выращивания монокристаллических слитков SiC из газовой фазы //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. №6. С. 1062-1066.

83. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. General principles of growing large-size single crystals of various Silicon Carbide polytypes // J. Cryst. Growth. 1981. Vol.52. Part 1. P.146-150. •

84. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F.Investigation of kinetic and thermal conditions of Silicon Carbide epitaxial layer growth from the vapor phase // J. Cryst. Growth. 1979. Vol 46. No.3 .P.403-409.

85. Райхель Ф, Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Механо-химическая активация процессов роста кристаллов карбида кремния // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. №.19. Т.12. С.67-72.

86. Barrett D.L., McHung J.P., Hobgood Н.М., Hopkins R.H., McMullin P.G., Clarke R.C., Choyke W.J. Growth of large SiC single crystals // J. Cryst. Growth. 1993. Vol.128. P.358-362.

87. Davis R.F., Carter C.H., Hunter C.E. USA Patent No.4, 866,005 (Sept.12, 1989).258

88. Аникин М.М., Гусева Н.Б., Дмитриев В.А., Сыркин A.JI. Рост и структурное совершенство эпитаксиальных слоев SiC при их выращивании «сэндвич»-методом в открытой системе // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1984. Т.20. №10. С.1768-1772.

89. Konstantinov А.О., Ivanov P.A. In: Silicon carbide and Related Materials, ed. By Spenser M.G., Devaty R.P., Edmond J.A., Asif Khan M., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. No.1137, Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1997), P.37.

90. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Коркин И.В., Морозенко Я.В., Попов И.В., Сидорова Т.А., Стрельчук A.M., Челноков В.Е. Карбидкремниевые р-п-структуры, полученные жидкостной эпитаксией // Письма в ЖТФ. 1985. Т.П. №4. С.238-241.

91. Бритун В.Ф., Дмитриев В.А., Емельянова И.В., Иванова Н.Г., Попов И.В., Чернов М.А., Циунемс В.Г. Эпитаксиальные слои карбида кремния, полученные из раствора-расплава // ЖТФ. 1986. Т.56, №1. С.214-217.

92. Davis R.F., Kelner G., Shur M.; Palmour J.W., Edmond J.A. // Proc. IEEE, 79, 677 (1991).

93. Бакин A.C., Дорожкин С.И., Таиров Ю.М. О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации // ФТП. 1994. Т.28. №10. С.1849-1851.

94. Liaw P., Davis R.F. Epitaxial Growth and Characterization of (3-SiC Thin Films // J. Electrochem. Soc. 1985. Vol.132. No.3. P.642-648.

95. Kong H.S., Glass J.Т., Davis R.F. Chemical vapor deposition and characterization of 6H-SiC thin films on off-axis 6H-SiC substrates // J. Appl. Phys. 1988. Vol.64. No.5. P.2672-2679.

96. Powell J.A., Larcin D.J., Matus L.G., Choyke W.J., Bradshaw J.L., Henderson L., Yoganathan M., Yang J., Pirous P. Growth of high quality 6H-SiC epitaxial films on vicinal (0001) 6H-SiC waters // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol.56. No.15. P.1442-1444.

97. Matsunami H. In: Silicon Carbide and Related Materials, ed. by Spencer M.G., Devaty R.P., Edmond J.A., Asif Khan M., Rahman M. (Inst. Phys. Conf. Ser. No.137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993). P.45.

98. Larkin D.J., Neudeck P.G., Powell J.A., Matus L.G. // In the same place. P.51.

99. Neudeck P.G., Petit J.B., Salupo C.S. // Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994). P.X-23.

100. Chezzo M., Brown D.M., Downey E., Kretchmer J., Hennessy W., Polla D.L., Barkhru H. // IEEE El. Dev. Lett., 13, 639 (1992).259

101. Chezzo M., Brown D.M., Downey E., Kretchmer J. Boron-implanted 6H-SiC diodes // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol.63. No.9. P.1206-1208.

102. Kamimura К., Tanaka H., Miyazaki S., Homma Т., Yonekubo S., Omuma Y. // In the same place. P. 109.

103. Юб.Гусев B.M., Демаков К.Д., Касатонова М.Г., Рейфман М.Б., Столярова В.Г. Исследование люминесценции кристаллов a-SiC, ионно-легированных бором, алюминием и галлием // ФТП. 1975. Т.9. №7. С.1238-1941.

104. Вишневская Б.И., Дмитриева В.А., Коган JI.M., Морозенко Я.В., Челноков

105. B.Е., Черенков А.Е. Зеленые карбид-кремниевые бН-светодиоды // Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. №23. С.56-59.

106. Вишневская Б.И., Дмитриев В.А., Коваленко И.Д. и др. Синие SiC-6H-светодиоды // ФТП. 1988. Т.22. №4. С.664-669.

107. Edmond J.A., Waltz D.G., Brueckner S., Kong H.S., Palmour J.W., Carter C.H. // Proc. 1st High Temperature Electronics Conference (Albuquerque NM, USA, 1991). P.499.

108. Ю.Лебедев A.A., Мальцев A.A., Полетаев Н.К., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Стрельчук A.M., Челноков В.Е. Диоды на основе 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии // ФТП. 1996. Т.30. №10.1. C.1805-1808.

109. Anikin М.М., Ivanov P.A., Lebedev A.A., Pytko S.N., Strelchuk A.M., Syrkin A.L. In: Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C.Feng (World Scientific, Singapore, 1992). P.280.

110. Glasov P.A. Springer Proc. In Phys., ed. by Harris G.L., Yang C.Y.-W. (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1989, Vol.34). P. 13.

111. Brown D.M., Downey E.T., Ghezzo .M., Kretchnjer J.W., Saia R.J., Liu Y.S., Edmond J.A., Gati G., Pimbley J.M., Schneider W.E. Silicon Carbide UV Photodiodes // IEEE Trans. Electron Dev. 1993. Vol.40. P.325-333.

112. Edmond J.A., Kong H.S., Calvin H., Carter C.H. Blue LEDs, UV photodiodes and high-temperature rectifiers in 6H-SiC // Physica B. 1993. Vol.185. P.453-460.

113. Kordina O., Bergman J.P., Henry A., Janzen E., Savage S., Andre J., Rambetg L.P.,Lindefelt U.,Hermansson W.,Bergman K.//Submitted to Appl.Phys.Lett.260

114. Пб.Иванов П.А., Царенков Б.В. SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота-мощность // ФТП. 1991. Т.25. №11. С. 1913-1921.

115. Лебедев A.A., Аникин М.М., Кузнецов А.Н., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Сыркин А.Д., Челноков В.Е. Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шотгки // ФТП. 1995. Т.29. №7. С. 1231-1236.

116. Palmour J.W., Kong H.S., Waltz D.G., Edmond J.A. // Proc. 1st High Temperature Electronics Conference (Albuquerque NM, USA, 1991) p.511.

117. Иванов П.А. Полевой транзистор на основе 6H-SiC: температурная зависимость проводимости n-канала// ФТП. 1994. Т.28. №7. С. 1161-1171.

118. Аникин М.М., Иванов П.А., Растегаев В.П. и др. Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4Н // ФТП. 1993. Т.27. №1. С.102-107.121 .Bhatnagar М., Baliga B.J. // IEEE Trans. Electron. Dev.40, 645 (1993).

119. Palmour J.W., Edmond J.A., Kong H.S., Carter C.H. // Proc. 28th Intersociety Energy Conversion Conf. (Amer. Chem. Soc., 1993). P. 1.249.

120. Palmour J.W., Larkin L.A. // Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) P.XI-3.

121. Palmur J.W., Edmond J.A., Kong H.S., Carter C.H. In the same place. P.499.

122. Gardner C.T., Cooper J.A., Jr., and Melloch M.R. Dynamic charge storage in 6H silicon carbide//Appl. Phys. Lett. 1992. Vol.61. No.10. P.1185-1186.

123. Кац И.С. Основные закономерности процесса получения карбида кремния в промышленной электропечи сопротивления // Труды ВНИИАШ. JL: 1975. С.44-51.261

124. Mehrwald K.N. SiC-Patentübersicht // Ber. Dtsch. Ges. 1969. B.46. No.10. S.593-600.

125. Абразивные материалы и инструменты. Отраслевой каталог / Под редакцией к.т.н., С.А.Молчанова. М.: ВНИИТЭМР. 1991, 320 с.

126. Огнеупоры и футеровки / Перевод с японского С.И.Жужи и Б.В. Крылова под научной редакцией д.т.н., профессора И.С.Кайнарского. М.: Металлургия. 1976,416 с.

127. Самсонов Г.В., Казаков В.К. Огнеупорные материалы из нитрида бора-нитрида кремния и нитрида бора-карбида кремния // Огнеупоры. 1965. №7. С.30-35.

128. Карбидокремниевые нагреватели, излучатели, резисторы: Каталог / М-во черной металлургии СССР, ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. черной металлургии. М.: Черметинформация, . 1978, 40 с.

129. Гнесин Г.Г. Карбид кремния, свойства и области применения. Киев : Нау-кова думка. 1975, 80 с.

130. Beck R.R., Vander, O'Connor//J.Ceram. Ind. 1957. Vol.68. P.96.

131. Vasiiis T., Kingery W.D. //J. Amer. Ceram. Soc. 1954. Vol.37. P.409.

132. Mark S.D., Emannuelson R.C. // J. Amer. Ceram. Soc. Bull. 1958. Vol.37. P.193.

133. Никитина Т.П., Филоненко H.E. Микроскопическое исследование рекри-сталлизованного карбида кремния// Огнеупоры. 1967. №4. С.51-56.

134. Кайнарский И.С. Процессы технологии огнеупоров. М.: Металлургиздат. 1969,350 с.141 .Alliegro R.A., Coffin L.B., Tinklepaugh J.K. // J. Amer. Ceram. Soc. 1956. Vol.39. P.386.

135. Патент США №5591685 МКИбС04В 35/569. Заявка Японии опубл. 07.01. 1997.

136. Ceram. Forum Int. 1997. 74. No.4. P.199-203. 144.Inorg. Mater. 1997. 4. N.269. P.367-371 (Япония). 145.Amer. Ceram. Soc. Bull. 1998. Vol.77. No.12. P.20.

137. Заявка 19634794, Германия МПС6С04В 35/571 от 29.08.1996, опубл.05.03.1998.

138. Заявка 19528525, Германия МКИ6С04В 35/577. Заявлено 03.08.1995, опубл.06.02.1997.

139. Самсонов Г.В., Ковальченко М.С. Информ. письмо института металлокерамики и спецсплавов АН УСССР. Изд-во АН УСССР. 1957. С.28.262

140. Alliegro R.A., Tinklepaugh T.R., U.S. Air Force, Air Research and Development, WADC, Techn. Rept. 1953. P.53-55.

141. Кайнарский И.С., Дегтярева Э.В., Кухтенко В.А. Горячепрессованные ультраплотные карборундовые изделия // Огнеупоры. 1960. №12. С.562-566.

142. Антонова И.Д., Калинина А.А., Кудрявцев В.И. Получение и некоторые свойства материалов на основе карбида кремния с добавками бора и алюминия //Порошковая металлургия. 1962. №6. С.544-546.

143. Brown A.R.G. Silicon Carbide // A.Review Royal Aircraft Establ., Aug., 1960.

144. Whittemore O.I. Special Refractories for use above 1700°C // Industr. and Eng. Chem. 1955. Vol.47. P.2510-2516.

145. Bor-Wen Lin, Musamitsu Imai, Toyohiko Yano, Takayoshi Iseki. Hot-Pressing of p-SiC Powder with A-B-C Additives // J.Amer. Ceram. Soc. 1986. Vol.69. No.4. P.667-669.

146. Гаршин А.П., Гропянов B.M., Зайцев Г.П., Семенов С.С. Машиностроительная керамика. СПб.: СПбГТУ, 1997, 726 с.

147. Prochazka S. Special Ceramics 6. pp.171-182. Edited by P.Popper. British Ceramic Research Association, Stoke-on-Trent, England. 1975.

148. Mitomo M., Kim Y.W., Hirotsuru H. Fabrication of Silicon Carbide // J. Mater. Res. 1996. Vol.11. No.7. P.1-48.

149. Greskovich C., Rosolowski J.H. Sintering of Covalent Solids // J. Amer. Ceram. Soc. 1976, v.59, No.7-8, p.336-343.

150. Hase Т., Suzuki H. Initial-Stage Sintering of p-SiC with Concurrent Boron and Carbon Additions (in Jpn.) // Yogyo Kyokaishi. 1980. Vol.88. No.5. P.258-264.

151. Kim Y., Mitomo M., Hirotsuru H. Microstructural Development of Silicon Carbide Large Seed Grains // J. Amer. Ceram. Soc. 1997. Vol.80. No.l. P.99-105.

152. Hannink R.H.J., Bando Y., Tanaka H. Inomata. Microstructural Investigation and Indentation Response of Pressureless-Sintered a- and p-SiC // J. Mater. Sci. 1988. Vol.23. No.6.P.2093-2101.

153. Elder P., Krstic V.D. Effect of Surface Area on Densification of p-SiC Powders in the Presence of В and С.// Br. Ceram. Trans. J. 1992. Vol.91. No.3. P.67-71.

154. Helle A.S., Easterling K.E., Ashby M.F. Hot-Isostatic-Pressing Diagrams // Acta Metall. 1985. Vol.33. Pp.2163-2174.

155. Kawahara K., Tsurekawa S., Nakashima H. Effect of Sinterring Aids Boron and Carbon on High Temperature Deformation Behavior of (3-Silicon Carbide // J. Jpn. Inst. Met. 1998. Vol.62. No.3. P.246-254.

156. Vassen R., Kaiser A., Forster J., Buchkremer H.P., Stoker D. Densification of Ultrafine SiC Powder // J. Mater. Sci. 1996. Vol.31. No. 14. P.3623-3637.

157. Shinoda Y., Nagano Т., Wakai F. Fabrication of Nanograined Silicon Carbide by Ultra-Pressure Hot Isostatic pressing // J. Amer. Ceram. Soc. 1999. Vol.82. No.3. P.771-773.

158. Sakai Т., Hirosaki N. Hot-Pressing of SiC with Additions of BaO and С // J. Amer. Ceram. Soc. 1985. Vol.68. No.8:P.C-191-C-193'.

159. Вильк Ю.Н., Гаршин А.П. Некоторые свойства материалов на основе самосвязанного карбида кремния и возможности их применения // Огнеупоры и техническая керамика. 1996. №7 .С. 11-14.

160. Британский Патент, № 828211, апрель 1956.

161. Патент США, № 2938804 от 13.8.1957.

162. Патент США, № 2907972 от 6.10.1959.

163. Патент США, № 3205043 от IV. 1962.

164. Popper P.Ber. Dtsch. Keram. Ges. 1960. 37, 297.

165. Popper P. Special Ceramics Heywood: London. 1961, 1, 1.

166. Popper P. The Preparation of Dense Self-Bonded Silicon Carbide // Special Ceramics Academic Press, New York. 1960. P.209-219.

167. Taulor K.M. Materials and Methods. 1956. 44. 92.

168. Forrest C.W., Kennedy P., Shenman I. The Fabrication and Properties of Self-Bonded Silicon Carbide Bondies // Special Ceramics 5. British ceramics Research Association, Stoke-on-Trent. U.K. 1972. P.99-123.

169. Dutta S. Microstructure and Property Characterization of Sintered SijNi, SiC, and SiAlON// Comm. Amer. Ceram. Soc. 1982. Vol.65. No.l. P.C-2-C-3.

170. Гаршин А.П., Карлин В.В., Михайлов В.М. Материал С2 в промышленности // Абразивы. 1968. №4. С.1-3.

171. Гаршин А.П., Карлин В.В., Олейник Г.С., Островерхов В.И. Конструкционные карбидокремниевые материалы. 1975, 152 с. ,

172. Гаршин А.П., Никитина Т.П. Микроструктура, фазовый состав и некоторые свойства материалов на основе SiC-Si // Огнеупоры. 1972. №4. С.47-50.264

173. Гаршин А.П., Олейник Г.С., Старшинская JI.B. Исследование структуры, поликристаллического карбида кремния// Абразивы. 1975. №2. С. 1-6.

174. Гаршин А.П., Олейник Г.С. О влиянии бора на микроструктуру и микротвердость фазовых составляющих поликристаллического карбида кремния // Абразивы. 1975. №9. С.4-9.

175. Гаршин А.П., Олейник Г.С. О механизме формирования структуры самосвязанного карбида кремния // Абразивы. 1976. №4. С. 14-17.

176. Гаршин А.П., Вильк Ю.Н. Влияние некоторых технологических параметров на формирование структуры материалов на основе реакционноспеченного карбида кремния // Огнеупоры и техническая керамика. 1996. №8. С.2-8.

177. Гнесин Г.Г., Пилянкевич А.Н., Кузнецова О.В., Олейник Г.С. О структуро-образовании поликристаллического карбида кремния // Порошковая металлургия. 1970. №4. С.49-53.

178. Олейник Г.С., Шипилова JI.A. Подвижность внутрикристаллитных границ в самосвязанном карбиде кремния //Порошковая металлургия. 1981.№5. С.35-38.

179. Пилянкевич А.Н., Олейник Г.С., Смирнов В.П. Сравнительное исследование микроструктур хрупкого разрушения методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии по репликам // Порошковая металлургия. 1981. №6. С.69-74.

180. Гаршин А.П., Карлин В.В., Копыт В.Э., Новиков A.A. Об эрозионной износостойкости самосвязанного карбида кремния // Абразивы. 1970. №3. С.12-15.

181. Гаршин А.П., Тененбаум М.М. Абразивная износостойкость керамического материала С-2 // Вестник машиностроения. 1972. №6. С.40-42.

182. Гаршин А.П. Износостойкость пар трения из самосвязанного карбида кремния // Абразивы. 1974. Вып.5. С. 15-18.

183. Гаршин А.П., Экслер Л .Я. Применение, дисков из реакционноспеченного SiC для истирателей типа ЛДИ // Абразивы. 1976. №2. С.16-18.

184. Гнесин Г.Г., Шипилова Л.А. Электрофизические характеристики самосвязанного поликристаллического карбида кремния // Порошковая металлургия. 1978. №8. С.33-38.

185. Шипилова Л.А., Дыбань Ю.П. Влияние некоторых факторов на структуру и электрические характеристики реакционноспеченного карбида кремния // Порошковая металлургия. 1982. №4. С. 49-55 ■

186. Гнесин Г.Г., Шипилова Л.А., КасьяненкО A.A. Электропроводность самосвязанного карбида кремния, легированного бором // Порошковая металлургия. 1983. №12. С.69-73.- . 265: : —г:- ^ ::>>

187. Шипилова Л.А., Дыбань Ю.П., Петровский В.Я. Влияние состава исходной шихты на структурообразование и электрофизические характеристики самосвязанного карбида кремния // Порошковая металлургия. 1994. №3/4. С.57-62.

188. Гнесин Г.Г., Шипилова Л.А., Дыбань Ю.П. Объемное электросопротивление технического карбида кремния в композиции SiC-Si // Порошковая металлургия. 1977. №11. С.61-66.

189. Олейник Г.С., Шипилова Л.А. О влиянии условий спекания на микроструктуруи электрические свойства самосвязанного карбида кремния // Порошковая металлургия. 1975. №9. С.30-34,

190. Шипилова Л.А., Олейник Г.С. Влияние термообработки на электрические свойства материала на основе карбида кремния // Порошковая металлургия. 1975. №10. С.76-80. . . .

191. Гриднева И.В., Мильман Ю.В., Гнесин Г.Г. Влияние размеров кристаллов самосвязанного карбида кремния на его механические свойства // Порошковая металлургия. 1981. №2. С.75-79.

192. Власова М.В., Барбачук С.И., Каказей Н.Г. и др. Особенности разрушения поликристаллического карбида кремния по данным ЭПР // Порошковая металлургия. 1985. №2. С.73-76.

193. Гнесин Г.Г., Гриднева И.В., Дыбань Ю.П. и др. Влияние структуры на механические свойства реакционноспеченных карбидокремниевых материалов // Порошковая металлургия. 1987. №9. С.61-67.

194. Власова М.В., Каказей Н.Г., Ковтун В.И. Разрушение самосвязанного карбида кремния при динамических давлениях // Порошковая металлургия. 1988. №4. С.78-83.

195. Ковтун В.И., Тимофеева И.И. Действие динамических давлений на самосвязанный карбид кремния//Порошковая металлургия. 1988. №8. С.92-94. ~

196. Гнесин Г.Г'. Бескислородные керамические материалы. Киев: Техника. 1987, 152 с.

197. Олейник Г.С., Горб М.Л. Исследование прочности поликристаллического карбида кремния //Порошковая металлургия. 1974. №12. С.79-83.

198. Пилянкевич А.Н., Олейник Г.С., Островская Н.Ф. О структуре разрушения поликристаллического карбида кремния // ДАН УССР. 1976. Сер.А. №11. С.1038-1041.

199. Ткаченко Ю.Г., Пилянкевич А.Н., Бритун В.Ф. и др. Структурные изменения в поверхностных слоях самосвязанного карбида кремния при высокотемпературном трении // Порошковая металлургия, 1987. №1. С.79-81.266

200. Еременко В.Н., Гнесин Г.Г., Чураков М.М. Кинетика растворения поликристаллического карбида кремния в жидком кремнии // Порошковая металлургия. 1972. №6. С.55-59.

201. Гнесин Г.Г., Райченко А.И. Кинетика жидкофазного реакционного спекания карбида кремния // Порошковая металлургия. 1973. №5. С.30-35.

202. Карлин В.В., Гаршин А.П., Новиков А.А. В кн. Тугоплавкие карбиды. Киев.: Наукова думка. 1970. С.226.

203. Винокур Э.Я. Дыбань Ю.П. Оценка результатов определения свободного кремния в самосвязанном карбиде кремния методом химического анализа и отгонкой // Порошковая металлургия. 1984. №10. С.66-67.

204. Дыбань Ю.П., Шипилова JI.A. Теплопроводность самосвязанного поликристаллического карбида кремния1// Порошковая металлургия. 1981. №9. С.76-78.

205. Яворский И.А., Елчин В.И., Гнесин Г.Г. Взаимодействие карбида кремния с окислительными газовыми средами // Порошковая металлургия. 1978. №7. С.65-69.

206. Лавренко В.А., Гогоци Ю.Г. Коррозия конструкционной керамики. М.: Металлургия. 1989, 198 с.

207. Юпко В.Л., Гнесин Г.Г., Дыбань Ю.П. Смачивание самосвязанного поликристаллического карбида кремния кремнием // Порошковая металлургия. 1977. №9. С.81-84.

208. Гнесин Г.Г., Шипилова Л.А., Верховодов П А. Распределение примесей в поликристаллическом самосвязанном карбиде кремния //"Порошковая металлургия. 1983. №7. С.51-54.

209. Sonntag A. Verbesserter R-SiC Werkstoff fur den zyklischen Einsatz bei hohen Temperaturen: Halsic-RX // Ceram. Forum intern. 1997. B.74. No.4. S.199-203.

210. Chakrabarti O.P. Influence of Free Silicon Content on the Microhardness of RB SiC // Ceram. Forum intern. 1997. B.74. No.2. S.98-101.

211. Chakrabarti O.P., Ghosh S., Mukerji J. Influence of Grain Size, free Silicon content and temperature on the Strength and Toughness of Reaction-Bonded Silicon Carbide // Ceramic International. 1994. Vol.20. P.283-286.

212. Evans A.G., Zok F.M., Davis J. The Role of Interfaces in Fibre-Reinforced Brittle Matrix Composite // Composite Sci. And Techn. 1991. Vol.42. P.3-24.

213. Chakrabarti O.P., Mukerji J. Effects of fabrication parameters in controlling the ultimate properties of reaction Bonded Silicon Carbide (RB SiC) // Proc. Techn. Session, Indian Ceram. Soc., Madras. 1996. P.487-493.267

214. Kennedy P. Effect of Microstructural features on the Mechanical Properties of REFEL Self Bonded Silicon Carbide // S. Hampshire (ed.) Non-oxide Technical and Engineering Ceramics, Elsivier Sei., London.

215. Guo-Dong Zhan and Mamoru Mitomo. Microstructural Control for Strengthening of Silicon carbide ceramics // J.Amer.Ceram. Soc. 1999.' Vol.82. No. 10. P.2924-2926.

216. Robert Vassen and Detlev Stören. Processing and Properties of nanogram Silicon Carbide//J. Amer. Ceram. Soc. 1999. Vol.82. No.10. P.2585-2593.

217. Fitzer E., Gadov R. Fiber-Reinforced Silicon Carbide // J. Amer. Ceram. Soc. 1986. Vol.65. No.2. P.326-335.

218. Kuthra K., Singh R., Brun M. «SiC Fiber Reinforced Silcomp (Si-SiC) Composites», pp.429-436 in High Tempeature ceramic Matrix Composites. Edited by R.Naslain, J.Lamon, and D.Doumeingts. Woodhead Publishing, Abington, Cambridge, U.K. 1993.

219. Tani E., Shobu K., Watanabe T. Carbon Fiber-Reinforced SiC Composites Produced by Reaction-Bonding // J. Ceram. Soc. Jpn. 1992. Vol.100. No.4. P.596-598.

220. Tani E., Shobu K. Fabrication of Carbon Fiber-Reinforced SiC/C Composites by Reaction-Bonding//J. Ceram. Soc. Jpn. 1997. Vol.105. No.8. P.703-706.

221. Силенко П.М., Копань T.B. Композиционный материал на основе нанокри-сталлического SiC, армированного непрерывными волокнами SiC // Порошковая металлургия. 1997. №5/7. С.69-75.

222. Dong-Woo Shin and Sam Shik Park. Silicon/Silicon Carbide Composites Fabricated by Infiltration of a Silicon Melt into Charcoal // J. Amer. Ceram. Soc. 1999. Vol.82. No.ll. P.3251-3253.

223. Кютт P.H., Лепнева A.A., Ломакина Г.А., Мохов E.H., Трегубова A.C., Щеглов М.М., Юлдашев Г.Ф. Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния // ФТТ. 1988. Т.30. №9. С.2606-2611.

224. Mokhov E.N., Radovanova E.I., Sitnikova A.A. // Abstracts of III Iner. Conf. On SiC (ICACSC'90). Washington, D.C. 1990. P.6.

225. Dunbar P. A Model for Silicon Self-Diffusion in Silicon Carbide: Anti-Site Defect Motion//J. Amer. Ceram. Soc. 1986. Vol.69. No.2. P.C-33-C-35.

226. Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Люминесценция карбида кремния в связи с отклонениями от стехиометрии // ФТП. 1984. Т.18. №7. С.1194-1198.

227. Кютт Р.Н., Мохов E.H., Трегубова A.C. Деформация решетки и совершенство слоев карбида кремния, легированных алюминием и бором // ФТТ. 1981. Т.23. №11. С.3498-3499.

228. Кулиш У.М. Энтальпия образования точечных дефектов в соединениях AV // Неорганические материалы. 1988. Т.24. №4.С.563-566.

229. Современная кристаллография. М.: Наука. 1981, т.4, 496 с.

230. Бердиков В.Ф., Бабанин A.B., Богомолов Н.И. Изучение механических свойств различных абразивных материалов в зерне методом микровдавливания //Абразивы. 1975. №8(134). С.1-11.

231. Microhardness, its Theory and Practice with the Reichert Microhardness Tester. Wien, 1950.

232. Мотт Б.В. Испытание на твердость микровдавливанием. M., 1960, 338 с.

233. Цветков В.Ф. Методика расчета концентрация собственных дефектов и отклонений от стехиометрии в карбиде кремния. Известия ЛЭТИ. 1979. Т.250. С.54-61.

234. Honig J. Vapour Pressure Data for the More Commom Elements, Radio Corporation of America, Prinston, New Jersey, 1957.

235. Stull and Sinke. Thermodynamic Properties of the Elements // Amer. Chem. Soc., Washington, D.C. 1956.

236. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир. 1969, 590 с.

237. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир; 1975, 396 с.

238. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высш.шк. 1993, 396 с.

239. Швайко-Швайковский В.Е. Ионные процессы, энергетика дефектов и нестехиометрия в тугоплавких оксидах переходных металлов / Диссертация на соискание ученой степени доюх^ химических наук. Л. 1988, 455 с.

240. Прочность материалов при высокой температуре / Г.С.Писаренко, В.Н.Руденко, Г.Н.Третьяченко, В.Т.Трощенко. Киев: Наукова думка. 1966, 759с.

241. Melaren J.R., Tappin G., Davidge R;W., Proc. Brit. Ceram. Soc. 1972. No.20. P.259-274.

242. Яворский И.Я., Елчин В.И., Гнесин Г.Г., Олейник Г.С. Поведение беспористого карбида кремния в различных газовых средах при высоких температурах // Порошковая металлургия. 1968. №1. С.77-82.