автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Разработка и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы

На правах рукописи

Мьо Хейн Зо

К

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКАХ НЕКРУГЛОЙ

ФОРМЫ

Специальность 05 27 06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной

техники

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва-2008 г 003445250

003445250

Работа выполнена на кафедре «Микроэлектроника» в Московском Государственном Институте Электронной Техники (Техническом университете)

Научный руководитель Доктор технических наук, профессор

Тимошенков Сергей Петрович.

Официальные оппоненты Доктор технических наук, профессор

В П Лаврищев

Доктор химических наук, профессор В.С Минаев

Ведущая организация: Акционерное общество открытого типа

"Институт точной технологии и проектирования" (АО ИТТиП)

Защита состоится «оз» |о 2008 года в 14 30 на заседании диссертационного совета Д 212 134 03 при Московском Государственном Институте Электронной Техники (Техническом университете) по адресу 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, МИЭТ

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ.

Автореферат разослан« Ц » 2008г.

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физико-математических наук, профессор

В.Б Яковлев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

В настоящее время в технологии микро-, нано- и опто-электроники при изготовлении мастер-шаблонов, наноштампов, СБИС, датчиков различного назначения широко используются тонкие (менее 1мкм) фоторезистивные покрытия с неоднородностью по толщине, не превышающей ± 5% Слои этих покрытий необходимы для создания фотомасок, определяющих топологию микросхем и обеспечивающих высокую разрешающую и маскирующую способность, а также хорошую воспроизводимость

Создание и массовое производство ИС и других электронных приборов, имеющих высокое быстродействие, минимальные размеры и вес, обусловлено высокой разрешающей способностью, которая определяется совершенством фотомаски, получаемой в литографическом процессе

Известно, что в литографическом процессе при формировании пленок резистов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил образуются утолщенные области по углам подложки, которые приводят к заметному снижению разрешающей способности и полезной площади фотомаски.

Имеется достаточно большое количество публикаций, посвященных исследованию процесса формирования покрытий в поле центробежных сил на подложках круглой формы Но, до сих пор очень мало работ, исследующих нанесение тонких полимерных пленок на некруглые подложки. При этом разные авторы неоднозначно интерпретируют процесс центрифугирования на подложках некруглой формы

Кроме того, практически отсутствуют работы рассматривающие не отдельные этапы процесса нанесения полимерных покрытии, а в их совокупности. Такой подход позволил бы наметить пути оптимизации конструктивно-технологических параметров процесса и разработать единую программу управления им.

Поэтому появилась настоятельная необходимость рассмотрения процесса с единых позиций, которые бы способствовали разработке методик оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий

Данная работа посвящается исследованию процесса формирования резистивных покрытий на подложках некруглой формы в поле центробежных сил, разработке методик оптимизации и управления процессом и разработке конструктивных схем центрифуг, обеспечивающих высокое качество покрытий, наносимых на подложки некруглой формы.

Цели и задачи работы:

1. Исследование процессов формирования пленок из растворов полимеров при нанесении их на подложки некруглой формы в поле центробежных сил

2 Исследование закономерностей, определяющих толщину, равномерность толщины покрытия на подложках некруглой формы.

3 Разработка модели формирования полимерных покрытий, учитывающей как гидродинамические, так и тепло-массообменные особенности процесса

4 Определение оптимальных режимов центрифугирования для получения однородных и воспроизводимых по толщине покрытий на подложках некруглой формы.

5 Разработка схем и рекомендаций по проектированию конструкции установок, обеспечивающих нанесение равномерных покрытий на подложки некруглой формы в поле центробежных сил

Методы исследования:

Теоретические исследования основаны на анализе гидродинамики и тепло-массообмена при течении тонких слоев жидкости на вращающемся диске

Экспериментальные исследования проводились на специально созданном стенде в лаборатории кафедры «Микроэлектроника» МГИЭТ (ТУ)

Для измерения геометрических параметров покрытий на подложках некруглой формы были использованы: универсальный оптический микроскоп VISTEC INM100, профилометр Alpha step 200, МИЙ - 4 и сканирующий электронный микроскоп

Научная новизна диссертации:

1 Созданы физическая и математическая модели процесса нанесения покрытий из растворов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил

2 Впервые получены зависимости, описывающие различные этапы (нанесение, испарение, сушка, полимеризация) формирования слоя полимера

3 Впервые получены обобщенные зависимости, учитывающие влияние различных факторов (гидродинамики, тепломассообмена, физики полимеров) на процесс формированию покрытии

4 Разработана методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий, способствующие повышению эффективности процесса нанесения покрытия на подложки

5 Разработан новый способ формирования покрытий

б. Разработаны технические предложения для проектировании центрифуг и схемы центрифуг, позволяющие устранять или уменьшать утолщенные области и обеспечивать более равномерное покрытие на подложках некруглой формы

Практическая значимость работы

Результаты могут быть использованы при проектировании центрифуг и отработки технологических процессов для нанесения пленок из растворов полимеров как в электронной технике, например, при изготовлении фотошаблонов, нанесении полимерных покрытий на подложки некруглой формы для МЭМС и НЭМС применения и при изготовлении наноштампов для нано-литографических (№по-ипрппПг^) процессов, так и в других отраслях, а также в учебном процессе ВУЗ-ов по специальности "Технологические процессы и оборудование электронной техники".

Достоверность результатов

Сопоставление теоретических и экспериментальных исследований, разработанных математических и физических моделей с результатами экспериментов, проведенных на специально разработанном стенде и промышленном фотолитографическом оборудовании, свидетельствуют об их адекватности

Внедрение

Учебный методический комплекс (УМК) по дисциплине «Технохимические и литографические процессы и оборудование», МИЭТ, 2007г

УМК по дисциплине «Физические основы формирования топологии микросхем», МИЭТ, 2007г

НИР «Изготовление макетов нано и микроэлектромеханических и оптоэлектромеханических элементов», 2007 г (по государственному контракту №02 513 11 3228 от 17 мая 2007, шифр «2007-3-1 3-11-03041»).

Внедрение подтверждено соответствующими актами. На защиту выносится следующее:

1 Физическая и математическая модели процесса формирования полимерной пленки на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

2 Обобщенные зависимости, характеризующие влияние различных факторов (гидродинамики, тепло-массообмена, физики полимеров) на процесс формирования покрытий

3. Методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и устройство, способствующие повышению эффективности процесса нанесения полимерных покрытий на подложки.

4 Методика и компьютерная программа для определения оптимальных динамических характеристик (времени разгона и конструктивных размеров элементов привода) быстроразгонной центрифуги

5 Новая конструкция центрифуги, способствующая повышению эффективности процесса нанесения полимерной пленки на подложках некруглой формы в поле центробежных сил

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях

1. КРЕМНИЙ-2008, V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе Черноголовка, 1-4 июля 2008

2. Всероссийский смотр научных и творческих работ иностранных студентов и аспирантов, Томский политехнический университет (Институт международного образования), 2007

3 13, 14 и 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, "Микроэлектроника и информатика". Москва, Зеленоград, МИЭТ

4 Научная сессия МИФИ-2008. Т.8 Автоматика и электроника в атомной технике «Микро и наноэлектроника». Москва

Публикации по работе.

Основное содержание работы отражено в 12 печатных работах

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов по работе, библиографического списка использованной литературы, приложения и актов о внедрении результатов работы Общий объем диссертации - 170 страницах, включая 9 таблиц, 65 рисунков, 5 приложений и список литературы из 104 наименований

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность работы, поставлена цель и сформулированы основные научные положения, которые выносятся на защиту

В первой главе, являющейся обзорной, проанализированы существующие различные методы нанесения пленок полимера, технологические аспекты и схемы оборудования, используемые для получения тонких пленок из растворов полимеров, в частности фоторезистов Обсуждаются научно-технические проблемы, связанные с формированием пленок на некруглых подложках методом центрифугирования Определены задачи формирования равномерных и воспроизводимых резистивных пленок из растворов в поле центробежных сил на подложках некруглой формы

Из анализа тенденций развития и совершенствования производства интегральных микросхем (ИС) и соответствующего уменьшения минимального топологического размера атш, установлено, что дальнейшее уменьшение ат,„ тесно связано с повышением требований к фоторезистивным покрытиям и, в особенности, с повышением равномерности их толщины

Исходя из выше изложенного и учитывая особенности нанесения пленок полимеров на некруглые подложки методом центрифугирования, определены место и значимость дальнейшего изучения процесса формирования качественных покрытий на подложках некруглой формы.

Во второй главе приводится теоретическое обоснование формирования пленок на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

Предварительная оценка показывает, что процесс нанесения покрытия из полимерного раствора на подложку методом центрифугирования протекает в ламинарном режиме

Рассматриваются особенности гидродинамики для физической модели процесса нанесения пленки из раствора на подложку прямоугольной формы методом центрифугирования.

В центральную область подложки подается доза раствора полимера, и затем подложка приводится во вращение с постоянной угловой скоростью со. Под действием возникающих центробежных сил

раствор растекается по подложке в виде радиально расширяющегося потока, при этом фронтом потока является утолщенный круговой валик, обусловленный действием поверхностного натяжения. При этом, валик по мере его радиального расширения подпитывается из «внешнего слоя» растекающегося раствора, (под внешним слоем подразумевается слой, движущийся с большей скоростью чем пограничный слой).

Толщина жидкостной пленки, формируемой позади расширяющегося валика, соизмерима с толщиной ламинарного пограничного слоя и может быть определена следующим выражением:

5 = 2,1% Е, (1)

V со

где v - вязкость раствора, м2/с; со - угловая скорость, с"1.

Из уравнения видно, что толщина пленки зависит от соотношения между силами вязкостного трения и силами инерции и обратно пропорционально числу Рейнольдса

' Л- 1 I У о ~г- .—= = г■ -.

^Кец \р{а>-г)-г

При достижении краев подложки внешний слой сбрасывается с неё, однако на краях подложки сохраняется краевой валик (рис.1).

на прямоугольной подложке.

На краю подложки в точке А (рис 1), вследствие проявления сил поверхностного натяжения в жидкости, ограниченной валиком, возникает внутреннее давление

ГПН

^ i 1 1 R

где а - коэффициент поверхностного натяжения, Н/м; г -радиус валика, м, Я - радиус подложки, м.

и внешнее давление, производимое центробежной силой Рц и равное

Рц = ра2Я 2г,

где р - плотность жидкости, кг/м3, со - угловая скорость, с"1 Для условия равновесия можно записать Р^ц = /ц или

2а

г R

= 2pm¿Rr

(2)

Действующую в той же точке А, центробежную силу

/ \ zr 2 о 2 а

Рц = peo R- рсо -

\2с05(р

разложим на две составляющие.

- проекцию центробежной силы на ось X, влияющей на геометрический размер валика

гчг J-, 2а

= cos (Р = Р® 2'

(3)

' - проекцию центробежной силы на ось У, вызывающей движение жидкости в валике вдоль стороны Ь

F¡[ = FU sin<p = pco2^tg(p

(4)

Из выражения (3) следует, что значение /<ц не меняется при перемещении точки А вдоль стороны Ь Следовательно, диаметр равновесного валика с1\ъ - 2г на стороне Ь при Рпн = Рц является

постоянной величиной и определяется выражением, получаемом из уравнения (2)

рт а

По аналогии с (5) можно определить диаметр равновесного валика с1а на стороне а, т е

8ст

рсо2Ь

(6)

Таким образом, на разных сторонах прямоугольной подложки величина валика будет различаться, причем на длиной стороне величина больше, чем на короткой

Очевидно, на подложке в форме квадрата величина валика будет одинакова по всему контуру.

В валике, образующемся на краях прямоугольной подложки, действуют составляющие центробежных сил ^ц Под действием силы

/<ц возникает движение жидкости со скоростью иотн от середины

каждой из сторон прямоугольника к его углам (рис 2)

Рис 2 Схема сил, обуславливающих образование утолщенной области покрытия в углу подложки

Очевидно, что на жидкость, движущуюся с относительной скоростью иоти в валике будет действовать сила Кориолиса 7*^,

= 2р(а х иотн)

(7)

Под действием этой силы жидкость из валика натекает внутрь подложки в направлении вектора

По мере перемещения жидкости вдоль валика к углам подложки величина силы Кориолиса будет возрастать пропорционально скорости Уотн, которая в свою очередь, увеличивается пропорционально составляющей центробежной силы (4)

Относительная скорость иотн определяется из следующего выражения-

ити=ра"цЬ, (8)

" ^Ц со2а

где оц =—=-tgcp - ускорение жидкости при течении в

Р 2

валике, L-^tg(p - отрезок ОА (рис2), те расстояние, пройденное жидкостью от середины стороны Ь до точки А в валике,

н

Подстановка Ь и ац в (8) приводит к окончательному выражению для относительной скорости

С учетом (9) выражение для силы Кориолиса (7) имеет следующий вид

^ ащ((р) (10)

Движению жидкости под действием силы Кориолиса будет противодействовать сила трения жидкости о поверхность подложки , определяемая из следующего выражения

^ТР Л

д1и

(И)

Ядтдх

ч >

где и = - скорость натекания жидкости из валика под

действием силы , х - путь натекания жидкости из валика в точке А

под действием ; =

г \ а

2 со $<р

- радиальная координата точки А;

/

ак = — = л/2 со2 а tg(p - ускорение жидкости под действием силы Р

Скорость натекания и может быть вычислена по формуле

и = ^2а^х =2 (12)

Подстановка выражений для и, Я, ак, в (11) дает окончательное выражение для силы трения.

Р _ 1 п,ч

-У2 -созр-д:

Величина х в выражении (13) определяется из условия равновесия (в точке А) сил трения и Кориолиса.

Рц^Рк, (14)

Численные значения определяются из расчета на единицу

объема жидкости и имеют размерность [н/м3].

Таким образом, равнодействующая между силой Кориолиса и силой внутреннего трения является силой, формообразующей профиль границы утолщенных областей по углам подложки при натекании из валика

Подстановка выражений для и Гц в (14) приводит к следующему уравнению

л[2р(и2 а = 1 (15)

Ц2 этр. сох

Функциональную зависимость х-/($?), определяющую форму границы утолщенной области, определим из (15)

\2

(16)

1

дг = -

У* а

3

{р-а-ъхпср

Для вычисления площади, занимаемой утолщенными областями на подложке, необходимо уравнение (16) проинтегрировать в пределах

О <ср<аг^—-а

КР ) БШ(р2 С0Б(2>

<1<р

(17)

В различных четвертях прямоугольной подложки вдоль ее сторон образование утолщенных областей будет определяться направлениями векторов Кориолисовой силы и вращения подложки (по часовой стрелке или против часовой стрелки), как показано на рис 3.

При вращении подложки по часовой стрелке утолщенные области образуются на сторонах подложки с размером Ь в I и III четвертях и на сторонах с размером а во II и IV четвертях рис.За

При вращении против часовой стрелки наблюдается зеркальное отражение картины утолщенных областей, как показано на рис 36

Рис 3 Размещение утолщенных областей в углах подложки в зависимости от направления её вращения1 (а) по часовой стрелке, (б) против часовой стрелки

С физической точки зрения процесс нанесения резиста на подложки методом центрифугирования может быть охарактеризован двумя параллельно идущими процессами, удалением растворителя из формируемой пленки резиста, и движением границы раздела резист-воздух Для оптимизации этого процесса необходимо решить задачу диффузии растворителя из пленки резиста в полупространство, занимаемое воздухом. Для определения скорости перемещения границы раздела О следует решить гидродинамическую задачу о вращении затопленного диска с постоянной угловой скоростью со в

а

б

резисте с кинематической вязкостью ур, с учетом испарения растворителя в процессе центрифугирования

ур (18)

где = К1 / ув -2 - безразмерная переменная, -

кинематическая вязкость воздуха Я - радиус подложки; 2-{7.1 К) -

относительная координата перпендикулярная плоскости подложки, Ъ -ось координат перпендикулярная плоскости подложки

Формирование окончательной толщины пленки резиста происходит в результате его полимеризации Процесс полимеризации может быть разбит на два этапа первый - сопровождается процессом нанесения, второй - в процессе специальный термообработки Толщина наносимой жидкой пленки резиста £жр и окончательного слоя ее

могут быть связаны условным коэффициентом полимеризации е, т е

Кроме того, при нанесении резиста происходит сжатие пленки в одном направлении - по оси Ъ, а расширение происходит в радиальном направлении

Третья глава диссертации посвящена экспериментальным исследованиям процесса нанесения полимеров на подложки некруглой формы и анализу их результатов

Из вышеизложенного ясно, что слой полимера, наносимый на подложку, может быть разбит на две зоны центральную, занимающую основную часть подложки и краевую Поэтому экспериментальные методики и измерительная аппаратура были разделены на две группы

Исследование слоя, нанесенного на основную часть подложки

Для измерения геометрических параметров покрытий были использованы:

- микроинтерферометр МИИ - 4,

- сканирующий электронный микроскоп

Измеренные геометрические параметры покрытий были использованы для обобщения результатов процесса нанесения Обобщение опытных данных проводилось с широким привлечением методов теории подобия

Поскольку процесс формирования слоев полимеров на подложке сопряжен с одновременно протекающими гидродинамическими и тепло-массообменными процессами в качестве критериев - аргументов были приняты

- число Ренойльдса (Яе),

- число Шмидта (Йс),

- условный коэффициент полимеризации (в).

При обработке результатов процесса нанесения слоев полимеров на подложке в качестве критериев - функции были выбраны

- ^тр

- относительная толщина пленки полимера - 8 = ——;

КЭ

- коэффициент использования раствора полимера - ;

- эффективная площадь нанесенного слоя 5;

еэф

„ (а + Ь) „

где йэ =-- - эквивалентный радиус, £то = —---

Л X

скорость образования слоя, х - время формирования слоя;

¡¡аз *

<Уср = —- - средняя толщина пленки по всей подложке; Сэф -

скорость дозирования раствора, - площадь подложки; -

площади краевых зон

Таким образом, полученные экспериментальные результаты могут быть представлены в виде следующих критериальных уравнении.

£ = у{Ке,Бс,£), 5=/(Re.fi)

где 11е = ——— - число Рейнольдса, 5с = — - число Шмидта; V Б

е - коэффициент полимеризации

Как правило, обобщение результатов экспериментов с использованием критериальных уравнений проводится в логарифмических координатах. Это дает возможность линейной аппроксимации представляемых результатов.

На рис.4, представлены обобщенные зависимости относительной толщины нанесенного слоя негативного фоторезиста ФН-103 и позитивного фоторезиста ФП-383

-17 -1 8 -1 9

~ -2 щ

Г -21 & -2 2 -2 3 -2 4 -2 5

-0 6 -0 4 -0 2 0 02 04 06 08 1 12

13 (Эс)

Рис 4 Зависимости относительной толщины нанесенного слоя для фоторезистов ФН-103 и ФП-383.

Полученные зависимости обобщаются следующими уравнениями-

для негативного

фоторезиста - 8 =0.00388 Яс"*

для позитивного фоторезиста - <5" = 0.0182-^- зи • -0

Из представленных уравнений видно, что показатель степени при числе Шмидта у негативного фоторезиста в два раза меньше. Это свидетельствует о меньшем влиянии процесса переноса массы на формируемую толщину пленки негативного фоторезиста

• ФП - 383 ■ ФН -103 —Ипеаг (ФН-103) — Ьпеаг (ФП - 383)

/ |

1 /

I/ 1 У = 0 6098Х- 1 7587 у = 0 ^ = 0 9544

| —

1 1

Зависимости коэффициентов использования материала от физических свойств (число Sc) различных фоторезистов представлены на рис.5

-1

-1 2 -1 4 -1 б

--18

им "2

-2 4 -2 6 -2 8 -3

-0 6 -0 4 -0 2 0 02 04 06 08 1 12

«а (Эс)

Рис 5 Зависимости коэффициента использования материала от числа Бс для фоторезистов ФН-103 и ФП-383

Представленные результаты обобщаются зависимостями со средним квадратичным отклонением, не превышающим ±5%

для позитивного фоторезиста -

_о 7

для негативного фоторезиста -

^ = 0.007-е Ке '-Бс

Как видно, коэффициент использования фоторезиста ничтожно мал и близок к величине 7x10"5 %.

Следует так же отметить, что процессы массообмена не столь существенно влияют на эффективность использования материала резистов.

• ФП-383 ■ ФН-103 —Linear (ФП-383) —Linear (ФН-103)

у = -0 5025Х- 1 2846 R2 = 0 9496

у = -0 /46х-1 9631 R2 = 0 993

Из анализа зависимости эффективной площади нанесенного слоя резиста £ (рис.б.) следует, что она слабо зависит от гидродинамики потока и увеличивается с ростом числа оборотов процесс центрифугирования.

Обобщение результатов, представленных на рис 6, приводит к следующему критериальному уравнению.

5=0.63-г-Ле0039

-О 020 -О 025

-0 030 -О 035

О!

-0 040 -0 045 -О 050

4 40 4 50 4 60 4 70 4 80 4 90 5 00

lg (Re)

Рис. 6 Зависимость эффективной площади нанесенного слоя резиста от числа Ренойльдса

Если в качестве характерной величины (масштаба отнесения) выбрать толщину наносимого слоя резиста при минимально принятом числе оборотов центрифуги, то обобщенные результаты, для различных фоторезистов обобщаются единой зависимостью (рис.7).

Так в анализируемых результатах, приведенных на рис 7, за масштаб отнесения была принята толщина пленки, полученной при скорости вращения 50с"1.

Обобщение результатов привело к следующему уравнению-

8 = 85,2 • е • Re~0,50 • Sc~~® 52,

где 5 — (S0J / ¿5о) - относительная толщина пленки.

2.4

2.2

1.8

1.4

1.2

у = -0.521х + 1.9776 Я2 = 0.9978

-0.6 -0.4 -0.2

0.2 0.4 0.6 0.8

|д Ос)

1.2

Рис. 7 Зависимость толщины нанесенного слоя различных фоторезистов от их физических свойств.

Исследование краевых эффектов

Экспериментальные исследования краевого валика проводили с помощью микроинтерферометра МИИ - 4 и Е - микроскопа. С помощью последнего были получены оцифрованные изображения. Результаты представлены рис.8а. и рис.8б. Можно заметить (рис.8а), что в сечении валик имеет форму вытянутой полукапли.

Рис. 8а. Микрофотография интерференционной картины на валике, полученная в поле зрения окуляра МИИ - 4.

Рис. 86. Микрофотография валика на краю подложки, полученная с увеличением в 300 раз на Е-микроскопе

Полученные с помощью микроскопов микроизображения и измерения размеров краевого валика свидетельствует о корректности принятой физической модели.

На рис.9а. и рис.9б. приведены фотографии, иллюстрирующие конфигурацию утолщенных областей покрытия в углах подложек.

Полученные результаты экспериментальных исследований подтверждают предложенную физическую модель образования утолщенных областей в углах подложки.

ШШШш^

шшшШк

рви ■

(а)

Рис. 9 Фотографии подложек, иллюстрирующие конфигурацию утолщенных областей покрытия в углах при вращении подложки по часовой стрелке (а) и против часовой стрелке (б).

Измерение профиля утолщенной области покрытия' в угле подложки проводили на профилометре Alpha Step - 200.

Точки локализации измерений и цифровые значения толщины слоя представлены на рис. 10а.

профиля покрытия на профилометр Alpha Step - 200)

а1=2мм а2=4 мм аЗ=6мм а4=8мм а5=10мм b 1=2,5мм Ь2=5 мм Ь3=7,5 мм Ь4=10мм Ь5= 12,5мм

Результаты измерения [мкм] профиля утолщенной области, представлены на рис.1 Об.

Рис. 1 Об.Трехмерное изображение профиля утолщенной области.

Четвертая глава посвящена разработке принципиальной схемы центрифуги, позволяющей минимизировать влияние краевых эффектов при нанесении покрытия на подложках некруглой формы.

Результаты теоретического и экспериментального исследований однозначно приводят к выводу, что для уменьшения утолщенных областей на некруглых подложках при центрифугировании необходимо в процессе формирования покрытия использовать реверсивное вращение центрифуги С этой целью был разработан модуль быстроразгонной центрифуги, позволяющий осуществлять реверсивное вращение (рис.11).

Рис 11 Конструктивная схема центрифуги с реверсивным вращением

1 - шпиндель; 2 - подшипники; 3 - крышка, 4 - маховик, 5 -подшипники; 6 - корпус, 7 - малоинерционный диск, 8 - фрикционные кольца; 9 - кольцевая мембрана; 10 - толкатель; 11 - наружные кольца подшипников, 12 - полость; 13- клапан, 14 - клапан, 15 - клапан, 16 -вакуумная камера; 17 - пружина, 18 - тормозные кольца, 19 - полость, 20 - клапан; 21 - маховик; 22 - малоинерционный диск, 23 - полость, 24 - кольцевая мембрана, 25 - полость, 26 - толкатель; 27 - пружина, 28 - наружные кольца подшипников; 29 - клапан

При проектировании центрифуги с приводом, обеспечивающим быстрый разгон, были рассмотрены переходные процессы в электроприводе и решена задача по определению времени разгона до требуемой скорости вращения подложки

Разработаны методика, алгоритм и программа расчета времени разгона подложек различных размеров

С помощью разработанной программы может быть рассчитано время разгона центрифуги с заданными конструктивными и технологическими параметрами или решена обратная задача, т.е. определены конструктивные и технологические параметры

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Впервые получены зависимости, описывающие различные этапы (нанесение, испарение, сушка, полимеризация) формирования слоя полимера.

2. Впервые получены обобщенные зависимости, характеризующие влияние различных факторов (гидродинамики, тепло-массообмена, физики полимеров, механики) на процесс формирования покрытий

3. Разработана методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий

4. Разработана модель, описывающая краевые особенности формирования слоя полимерного покрытия методом центрифугирования на подложках некруглой формы

5. Разработаны компьютерная и анимационные программы для вычисления толщины полимерной пленки и величины краевого валика на различных сторонах прямоугольной подложки при центрифугировании

6. Даны рекомендации по оптимизации конструктивно-технологических параметров процесса нанесения слоя полимерного покрытия на подложках некруглой формы методом центрифугирования

7 Разработаны методики и программа, минимизирующие время разгона подложки до заданной частоты вращения Полученные результаты могут быть использованы при проектировании центрифуг.

Опубликованные работы по теме диссертации

1. Мьо Хейн Зо, Физическая и математическая модели утолщенных зон, возникающих в углах подложек некруглой формы при нанесении на них фоторезистов в поле центробежных сил. 13-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. - М . МИЭТ, 2006 г, с. 53

2. Мьо Хейн Зо., Физическая и математическая модели валика, образующегося по краю подложки при центрифугировании. 13-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. - М„ МИЭТ, 2006 г., с 54.

3 Мьо Хейн Зо, Ануфриенко В.В. Исследование формирования пленок фоторезиста в поле центробежных сил. "Элементы микросистемной техники, оборудование и технология их производства", Сб трудов под ред. С.П Тимошенкова. - М. МИЭТ, 2007. - с.97-102.

4. Мьо Хейн Зо, Ануфриенко В В Физическая и математическая модели утолщенных областей, возникающих в углах подложек некруглой формы при нанесении на них полимерных покрытий в поле центробежных сил "Элементы микросистемной техники, оборудование и технология их производства", Сб трудов под ред. С П Тимошенкова - М. МИЭТ, 2007. - с 102-107.

5 Мьо Хейн Зо, Ануфриенко В В Исследование параметров валика, образующегося на краях подложек при нанесении фоторезиста на центрифуге, ж. Естественные и технические науки № 6 (26) ,2006 , изд - во «Компания Спутник +», с 278-282.

6. Мьо Хейн Зо., Исследование процесса нанесения на центрифуге пленок из растворов фоторезиста и других полимерных покрытий на подложках некруглой формы. 14-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов - М • МИЭТ, 2007 г, с 52

7. Тимошенков С П, Ануфриенко В.В , Мьо Хейн Зо, Особенности формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы, Научно-технический журнал "Известия высших учебных заведений Электроника" - М . МИЭТ, 2007. № 6, с 71-74.

8. Мьо Хейн Зо, Ануфриенко В.В., Исследование границ и площади утолщенных областей, возникающих в углах подложек некруглой

формы при нанесении на них полимерных покрытий в поле центробежных сил ж Естественные и технические науки № 6 (32 ) ,2007 г, изд- во «Компания Спутник +», с. 264-266

9 Мьо Хейн Зо, Исследование процесса нанесения тонких полимерных пленок в поле центробежных сил на некруглых подложках для МЭМС применения, Научная сессия МИФИ-2008. Т 8 Автоматика и электроника в атомной технике Микро- и наноэлектроника, с 114 — 116.,

10 1 имошеиков СП, Ануфриенко В В, Мьо Хейн Зо, Разработка компьютерной модели и программных средств для определения параметров покрытий, формируемых из растворов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил "Микросистемная техника. Моделирование, технология, контроль", Сб. трудов под ред. С П Тимошенкова. - М : МИЭТ, 2007 - с. 19 -25

11 Мьо Хейн Зо, Исследование формирования тонких полимерных покрытий на некруглых подложках методом центрифугирования для наноимпримт литографических процессов 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов -М.. МИЭТ, 2008 г, с 53

12 Мьо Хейн Зо., "Формирование пленок из полимерных растворов на некруглых подложках по методу центрифугирования в нанотехнологиях", Ср-14, КРЕМНИЙ-2008, V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Черноголовка, 1-4 июля 2008.

Подписано в печать-

Заказ А"» 74. Тираж 85 экз. Уч -изд л.1,35. Формат 60x84 1/16. Отпечатано в типографии МИЭТ (ТУ). 124498, Москва, МИЭТ (ТУ)

1.1. Научно-технические проблемы формирования пленок на некруглых подложках.

1.2. Технологические аспекты и оборудование, применяемое для получения тонких пленок из растворов.

1.2.1. Методы и особенности нанесения пленок фоторезиста.

1.3. Цель и задачи выполняемой работы.

Глава 2. Анализ и теоретические исследования процесса формирования пленок в поле центробежных сил.

2.1. Течение слоев жидкости под действием центробежных сил.

2.2. Теоретическое решение задачи по определению толщины тонкой пленки, образующейся из растворов под действием центробежных сил.

2.3. Физическая модель процесса формирования пленки при центрифугировании.

2.4. Исследование процесса формирования покрытия на подложках некруглой формы.

2.4.1. Особенности формирования покрытия на подложках некруглой формы.

2.4.2. Разработка физической и математической моделей, определяющих параметры утолщенных областей в углах подложки некруглой формы.

2.4.3. Разработка компьютерной модели и программных средств для определения параметров покрытий, формируемых из растворов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

2.5. Результаты и выводы.

Глава 3. Экспериментальные исследования конструктивно-технологических параметров процесса формирования полимерных покрытий на подложках некруглой формы.

3.1. Методика исследования конструктивно-технологических параметров процесса нанесения полимерных покрытий.

3.1.1. Методики определения режимов центрифугирования.

3.1.2. Методика определения физических величин растворов полимеров

3.1.3. Методика измерения геометрических параметров покрытий на подложках некруглой формы.

3.2. Описание экспериментальной установки и информационно-измерительных систем.

3.3. Результаты исследований и их анализ.

Глава 4. Разработка и исследование технологических и конструктивных решений для устранения или значительного уменьшения утолщенных зон в пленках резистов на некруглых подложках.

4.1. Модернизация установки нанесения полимерных пленок.

4.2. Конструкция и принцип работы модуля центрифуги, обеспечивающего быстрый разгон и реверсивное вращение подложки.

4.3. Переходные процессы в электроприводе.

4.4. Пример расчета времени разгона центрифуги до заданной частоты вращения подложки с заданными размерами.

4.5. Программа расчета времени разгона центрифуги до рабочей частоты вращения.

4.6. Результаты и Выводы.

Результаты исследования и основные выводы по работе.

Актуальность проблемы

В настоящее время в технологии микро-, нано- и опто- электроники при изготовлении мастер-шаблонов, наноштампов, СБИС, датчиков различного назначения широко используются тонкие (менее 1мкм) фоторезистивные покрытия с неоднородностью по толщине, не превышающей ± 5%. Слои этих покрытий необходимы для создания фотомасок, определяющих топологию микросхем и обеспечивающих высокую разрешающую и маскирующую способность, а также хорошую воспроизводимость.

Создание и массовое производство ИС и других электронных приборов, имеющих высокое быстродействие, минимальные размеры и вес, обусловлено высокой разрешающей способностью, которая определяется совершенством фотомаски, получаемой в литографическом процессе.

Известно, что в литографическом процессе при формировании пленок резистов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил образуются утолщенные области по углам подложки, которые приводят к заметному снижению разрешающей способности и полезной площади фотомаски.

Имеется достаточно большое количество публикаций, посвященных исследованию процесса формирования покрытий в поле центробежных сил на подложках круглой формы. Но, до сих пор очень мало работ, исследующих нанесение тонких полимерных пленок на некруглые подложки. При этом разные авторы неоднозначно интерпретируют процесс центрифугирования на подложках некруглой формы.

Кроме того, практически отсутствуют работы рассматривающие не отдельные этапы процесса нанесения полимерных покрытии, а в их совокупности. Такой подход позволил бы наметить пути оптимизации конструктивно-технологических параметров процесса и разработать единую программу управления им.

Поэтому появилась настоятельная необходимость рассмотрения процесса с единых позиций, которые бы способствовали разработке методик оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий.

Данная работа посвящается исследованию процесса формирования резистивных покрытий на подложках некруглой формы в поле центробежных сил, разработке методик оптимизации и управления процессом и разработке конструктивных схем центрифуг, обеспечивающих высокое качество покрытий, наносимых на подложки некруглой формы.

Целью данной работы является:

1. Исследование процессов формирования пленок из растворов полимеров при нанесении их на подложки некруглой формы в поле центробежных сил.

2. Исследование закономерностей, определяющих толщину, равномерность толщины покрытия на подложках некруглой формы.

3. Разработка модели формирования полимерных покрытий, учитывающей как гидродинамические, так и тепло-массообменные особенности процесса.

4. Определение оптимальных режимов центрифугирования для получения однородных и воспроизводимых по толщине покрытий на подложках некруглой формы.

5. Разработка схем и рекомендаций по проектированию конструкции установок, обеспечивающих нанесение равномерных покрытий на подложки некруглой формы в поле центробежных сил.

Методы исследования:

Теоретические исследования основаны на анализе гидродинамики и тепломассообмена при течении тонких слоев жидкости на вращающемся диске.

Экспериментальные исследования проводились на специально созданном стенде в лаборатории кафедры «Микроэлектроника» МГИЭТ (ТУ).

Для измерения геометрических параметров покрытий на подложках некруглой формы были использованы: универсальный оптический микроскоп VISTEC INM100, профилометр Alpha step 200, МИИ - 4 и сканирующий электронный микроскоп.

Научная новизна

1. Созданы физическая и математическая модели процесса нанесения покрытий из растворов на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

2. Впервые получены зависимости, описывающие различные этапы (нанесение, испарение, сушка, полимеризация) формирования слоя полимера.

3. Впервые получены обобщенные зависимости, учитывающие влияние различных факторов (гидродинамики, тепло-массообмепа, физики полимеров) на процесс формированию покрытии.

4. Разработана методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий, способствующие повышению эффективности процесса нанесения покрытия на подложки.

5. Разработан новый способ формирования покрытий.

6. Разработаны технические предложения для проектирования центрифуг и схемы центрифуг, позволяющие устранять или уменьшать утолщенные области и обеспечивать более равномерное покрытие на подложках некруглой формы.

На защиту выносится следующее:

1. Физическая и математическая модели процесса формирования полимерной пленки на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

2. Обобщенные зависимости, характеризующие влияние различных факторов (гидродинамики, тепло-массообмена, физики полимеров) на процесс формирования покрытий.

3. Методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и устройство, способствующие повышению эффективности процесса нанесения полимерных покрытий на подложки.

4. Методика и компьютерная программа для определения оптимальных динамических характеристик (времени разгона и конструктивных размеров элементов привода) быстроразгонной центрифуги.

5. Новая конструкция центрифуги, способствующая повышению эффективности процесса нанесения полимерной пленки на подложках некруглой формы в поле центробежных сил.

Практическая значимость

Результаты могут быть использованы при проектировании центрифуг и отработки технологических процессов для нанесения пленок из растворов полимеров как в электронной технике, например, при изготовлении фотошаблонов, нанесении полимерных покрытий на подложки некруглой формы для МЭМС и НЭМС применения и при изготовлении наноштампов для нано- литографических (Nano-imprinting) процессов, так и в других отраслях, а также в учебном процессе ВУЗ-ов по специальности "Технологические процессы и оборудование электронной техники".

Достоверность результатов

Сопоставление теоретических и экспериментальных исследований, разработанных математических и физических моделей с результатами экспериментов, проведенных на специально разработанном стенде и промышленном фотолитографическом оборудовании, свидетельствуют об их адекватности.

Внедрение результатов работы

Учебный методический комплекс (УМК) по дисциплине «Технохимические и литографические процессы и оборудование», МИЭТ, 2007г.

УМК по дисциплине «Физические основы формирования топологии микросхем», МИЭТ, 2007г.

НИР «Изготовление макетов нано и микроэлектромеханических и оптоэлектромеханических элементов», 2007 г. (по государственному контракту №02.513.11.3228 от 17 мая 2007, шифр «2007-3-1.3-11-03-041»).

Внедрение подтверждено соответствующими актами.

Апробация работы (сообщения на конференциях)

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. КРЕМНИЙ-2008, V Международная конференция и IV школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Черноголовка, 1-4 июля 2008.

2. Всероссийский смотр научных и творческих работ иностранных студентов и аспирантов, Томский политехнический университет (Институт международного образования), 2007.

3. 13, 14 и 15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика Москва, Зеленоград, МИЭТ.

4. Научная сессия МИФИ-2008. Т.8 Автоматика и электроника в атомной технике. «Микро и наноэлектроника». Москва.

Публикации по работе

Основное содержание работы отражено в 12 печатных работах.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов по работе, библиографического списка использованной литературы, приложения и актов о внедрении результатов работы. Общий объем диссертации - 170 страницах, включая: 9 таблиц, 65 рисунков, 5 приложения и список литературы из 104 наименований.

Результаты исследования и основные выводы по работе

1. Впервые получены зависимости, описывающие различные этапы (нанесение, испарение, сушка, полимеризация и.т.д.) формирования слоя полимера.

2. Впервые получены обобщенные зависимости, характеризующие влияние различных факторов (гидродинамики, тепло-массообмена, физико-химии, механики и.т.п.) на процесс формирования покрытий.

3. Разработана методика оптимизации конструктивно-технологических параметров и управления процессом нанесения полимерных покрытий.

4. Разработана модель, описывающая краевые особенности формирования слоя полимерного покрытия методом центрифугирования на подложках некруглой формы.

5. Разработаны компьютерная и анимационные программы для вычисления толщины полимерной пленки и величины краевого валика на различных сторонах прямоугольной подложки при центрифугировании.

6. Даны рекомендации по оптимизации конструктивно-технологических параметров процесса нанесения слоя полимерного покрытия на подложках некруглой формы методом центрифугирования.

7. Разработаны методики и программа, минимизирующие время разгона подложки до заданной частоты вращения. Полученные результаты могут быть использованы при проектировании центрифуг.

1. A. A. Busnaina, "Nanomanufacturing Handbook", Published CRC Press, 2007, p409.

2. Piner R.D., Zhu J., Xu F., Hong S., Mirkin C.A. Dip-Pen Nanolithography, Science. 1999. V. 283. N5402. P. 661-663.

3. Preuss P. Science Beat: http://www.lbl.gov/Science-Articles/Archive/ALS-EUVL-sidebar.html, July 14, 2004.

4. Hans-Jorg Fecht, Matthias Werner, "The Nano-Micro Interface: Bridging the Micro and Nano Worlds", Published Wiley-VCH, 2006, p 351.

5. P. Суйсян, "Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете", Ж. Технической физики, 2005, том 75, вып5, с 1-13.

6. Patrick Carlberg, Ph.D Thesis, "Development of Nanoimprint Lithography for Applications in Electronics, Photonics and Life-sciences", Lund University, Sweden, 2006, ppl 47.

7. Волков A.B., Казанский H.JI., Моисеев О.Ю.,Сойфер В.А. "Метод формирования дифракционного микрорельефа на основе послойного наращивания фоторезиста", Компьютерная оптика. -М.: МЦНТИ, 1996. Вып.16. С. 12-14.

8. A.V. Volkov, N.L. Kazanskiy, O.Yu. Moiseev & V.A. Soifer. A, "Method for the Diffractive Microrelief Formatoin Using the Layered Photoresist Growth", Optics and Lasers in Engineering, vol. 29(1998). PP.281-288.

9. Jim С. Cheng, Thomas H. Cauley, and Albert P. Pisano, "Lithographic Patterning of Immobilized Enzymes in Chitosan Thin Films For MultiLayer", Chemical/Biological Sensors, IEEE-NANO 2007 Technical Digest, P 79.

10. Аннуфриенко B.B., Неустроев С.А., Новикова E.M, "Влияние режимов центрифугирования на толщину и стабильность толщины пленок фоторезиста" — В сб : Электронная техника, сер. 10 Технология и организация производства, 1970, вып1(33).

11. Xiao-guo Feng, Lian-chun Sun: "Mathematical model of spin-coated photoresist on a spherical substrate", 5 September 2005, Vol. 13, No. 18 , OPTICS EXPRESS PP 7070-7075.

12. M. J.Madou, L. J. Lee, S. Daunert, S. Lai and C. Shih, "Design and Fabrication of CD-like Microfluidic Platforms for Diagnostics: Microfluidic Functions", Biomed. Microdev., 2001, 3:3, pp 245-254.

13. Hirotada Hondal, Keio University Japan, "Stochastic Control in the Spin Coating Systems", SICE-ICASE International Joint Conference, 2006, PP 5174-5177.

14. Аннуфриенко В.В., Кутко.П.С, Перемыщев В.А. Растекание раствора фоторезиста при центрифугировании на подложках некруглой формы. В сб.: Электронная техника, сер.7 «Технология, организация производства и оборудование», 1971, вып 3(51) ,с.64 - 69.

15. Carcano G., Ceriani, M., and Soglio F., "Spin Coating with High Viscosity Photoresist on Square Substrates," Hybrid Circuits, Vol. 32, Sept. 1993, p. 12.

16. Gregory A. Luurtsema. "Spin coating for rectangular substrates". The department of Electrical engineering and computer science, University of California, Berkeley, 1997, pp 1-39.

17. Волков A.B., Казанский H.JI., Моисеев О.Ю. Исследование процессов нанесения и травления фоторезиста с целью повышения точности формирования микрорельефа широкоапертурных ДОЭ// Компьютерная оптика. Вып. 19. С. 143-147 (1999).

18. Noriyuki Anai, Tsutae Omori, Masaaki Takizawa, Mitsuhiro Sakai, "Film forming method", Tokyo Electron Ltd. Patent № 6165552, от Dec 26, 2000.

19. Brian F. Gordon, Paul D. Shirley, "Substrate coating and semiconductor processing method of improving uniformity of liquid deposition", Patent № 6555276, Micron Technology, Inc., от Apr 29, 2003.

20. Vladimir Mitin, Viatcheslav Kochelap, Michael A. Stroscio. "Introduction to Nanoelectronics: Science, Nanotechnology, Engineering and applications". Cambridge University Press Published 2007 p 348.

21. Wada, Japanese Patent Application, № 55-02720, от 10 января 1980.

22. Yamamoto, Japanese Patent Application No, 60-143872., от 30 июля 1985.

23. Eiji Suzuki, Mizusawa, Japan, "Spin coating apparatus for forming a photoresist film over a substrate having a non-circular outer shape." United States Patent 19. Patent № 5-069-156. Date of patent Dec.3, 1991.

24. James J. Licari, Coating Materials for Electronic Applications: Polymers, Processes, Reliability, Published William Andrew Inc. 2003,p 531.

25. Sheth, A. Lasrado, V. White, M. Paranthaman, M. Tennessee Univ. Space Inst., Tullahoma, TN; "Bench scale evaluation of batch mode dip-coating of sol-gel LaA103 buffer material", IEEE Transactions on, Volume: 9, Issue: 2, Part 2, 2002, PP: 1514-1518.

26. David G. Bucknall, "Nanolithography and Patterning Techniques in Microelectronics", Published CRC Press, 2005, p 409.

27. Каталог фирмы "Zipcon corp" США.

28. Jung-Chih Chiao, "Micro- and Nanotechnology: Materials, Processes, Packaging, and Systems III", Published SPIE, 2007, p 377.

29. Jia-Chang Wang, Chang-Yi Hung, Ming-Zhe Hsieh, Chih-Hao Yen, "Apply spray coating technology to liquid based rapid prototyping system", Systems, Man and Cybernetics, ISIC. IEEE International Conference, 2007, PP 3016-3020.

30. ELECTRONIC VISION at: http://www.evg.at39."AZ4500 Series Photoresist", Technical information, Clariant Co.

31. Nga P. Pham, Pasqualina M. Sarro and Joachim N. Burghartz, "Spray Coating of AZ4562 Photoresist for MEMS applications", Delft University of Technology, DIMES Laboratory of Electronic Components, Technology and Materials,2006, The Netherlands.

32. Nitaigour Premchand Mahalik, "Micromanufacturing And Nanotechnology", Published Springer, 2006, p 468.

33. Danny Banks, "Microengineering, Mems, And Interfacing: A Practical Guide", Published CRC Press, 2006, p 326.

34. Sangjun Han Derksen, J. Jung-Hoon Chun, "Extrusion spin coating: an efficient and deterministic photoresist coating method in micro lithography", Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions, Volume: 17, Issue: 1, 2004, pp 12-21.

35. Паспорт центрифуги, модель 1201, "Censor", Швейцария.

36. Паспорт центрифуги, модель POLOS ACD 200 NPP, www.SPS-Europe.com.

37. Паспорт центрифуги, модель PWM32-PS-CB15PL SPIN COATER, http://www.headwayresearch.com/products/

38. Паспорт установки, модель maximus 806. www.sse-semi.com

39. Sergey Edward Lyshevski, "Nano- And Micro-Electromechanical Systems: Fundamentals of Nano- and Microengineering", Published CRC Press, 2005, p 772.

40. Волков A.B., Колпаков А.И. "Способ определения чистоты поверхности подложки". А.с. №1784868 от 1 сентября 1992г.

41. Абрамов Г.В., "Математических модели управления процессами в тонких аэродинамических слоях при производстве изделий микроэлетроники"., Дисс. д-р техн. наук, Воронеж, 2001.

42. Гайфдлин A.M., Механка жидкости и газа, изд-во РАН, 2005, №4, с 2935.

43. Коптев А.А., и др., "Решение задачи о движении жидкости вблизи поверхности вращающегося диска в комплексных переменных", вести, ТГТУ, 2005, 11 №2А, с 375-380.

44. Flor Jan Bert, Ungarish Marius, Bush john W.M., "Приведение во вращение стратифицированной жидкости из состояния покоя: граничные течения." Spin-up from rest a stratified fluid: boundary flows. J. Fluid Mechanic, ГПНТВ, 2002, 472c, 51-82.

45. Lumley John L., Palo Alto., Ежегодник образов по механические жидкости и газы. Т.36.,ГПНТВ,2004, 505с.

46. Dandepat B.S., Daripa P., Ray P.C., "Асимптотическое решение задачи описания процесса растекания жидкости по кольцевому вращающемуся диску". Ж. Прикланая Физика., ГПНТВ ,2003,№6, с 4144-4151.

47. Kim kyu Тае, Khayat Roger Е, "Трежмерное нестационарное вращательное пользущее течение со свободной поверности" пер. с Англиского, М, ГПНТВ, Anal Boundary Elem, 2004. 28, № 4, с 375-388.

48. Характеристики нелинейной устойчивости течение тонкой плеки Ньютоновской жидкости, стекающей вниз по вертикальнойподвижной пластине, пер. с Англиского, М,05.08-165.47. ГПНТБ, 2005. 10. №6, с 665-680.

49. Кагшап Т.Н. UBer laminar and turbulent Rcinbung ZAMM, Bd. I, №4, 1921.

50. Мухутдинов P.X. "0 влияние поверхностного натяжения на движение тонких слоев жидкости в поле центробежных сил", инж,- физ.курнал, t.IV, №4,1964.

51. Левич В,Г, физико-химическая, гидродинамика,М.: Физ.мат. ГИС, 1959,450с.

52. Лойцянский Л.Г. "Ламинарный пограничный слой", М., Физматгиз, 1962, С 479.

53. Herrmann Schlichting, Klaus Gersten, E. Krause, H. Jr. Oertel, C. Mayes "Boundary-Layer Theory" 8th edition Springer 2004, С 801.

54. Слескин H.A., Траг C.M., Донд.Акад.наук CCCP,t.IY,№3 1946.

55. Долидзе Д.Е., ПИМ, т, У1П ИМП.3,1954.

56. Sparrou Е.М., Gregg J.L., Journal aero space sciences, 27, №4, 1960, P 252-256.

57. Тригуб В.И., Польденберг Г.Л., Изв. Вузов. Материалы электронной техники, 1998, № 4, С 41-43.

58. Тригуб В.И., Польденберг Г.Л., "Диффузия растворителя через поверхность пленки резиста в процессе центрифугирования", ЖТФ,1999, том 25,вып. 23, С 91-94.

59. Ландану Л.Д., Лифшиц Е.М., Механика, М.: Наука, 1965. 203 с.

60. Georges Hadziioannou, George G. Malliaras, "Semiconducting Polymers: Chemistry, Physics and Engineering", Wiley-VCH Press, 2007, P 768.

61. Ануфриенко B.B., "Исследование процесса нанесения тонких фоторезистивних пленок методом центрифугирования применительно к технологии производства интегральных схем, Дисс.ктн, М, 1970.

62. Мьо Хейн Зо, Анкфриенко.В.В, " Исследование формирования пленок фоторезиста в поле центробежных сил ", Элементы микросистемной техники, оборудование и технология их производства" Сб. трудов под ред. С.П. Тимошенкова. -М.: МИЭТ, 2007. с.97-102.

63. Мьо Хейн Зо, "Физическая и математическая модели валика, образующегося по краю подложки при центрифугировании", Конференция «Мэ и Инф», МИЭТ, 2006, с 54.

64. Мьо Хейн Зо, Анкфриенко.В.В, "Исследование параметров валика, образующегося на краях подложек при нанесении фоторезиста на центрифуге" ж. Естественные и технические науки № 6 (26) ,2006 , изд -во «Компания Спутник +», с 278-282.

65. Тимошенков С.П., Ануфриенко В.В., Мьо Хейн Зо, "Особенности формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы", Научно-технический журнал "Известия высших учебных заведений. Электроника" М.: МИЭТ, 2007. № 6, с. 71.

66. Мьо Хейн Зо, Конференция «Мэ и Инф», МИЭТ, 2007, с 52.

67. Мьо Хейн Зо, Научная сессия МИФИ-2008. Т.8 Автоматика и электроника в атомной технике. Микро- и наноэлектроника. с 114 — 116.

68. Мьо Хейн Зо, Конференция «Мэ и Инф», МИЭТ, 2008, с 53.

69. Glatzel Т. Diploma Thesis "Hydrodynamics in Rotating Systems: Coriolis Indeed Switching and Patterning of Laminar Flows in Rotating Microchannels", 2004, IMTEK Institute for Microsystem Technology; Laboratory for MEMS Applications, Freiburg, Germany.

70. J. Ducree et al., .FlowMap . Micro- and Nanofluidics Roadmap for the Life Sciences., available at www.microfluidics-roadmap.com.

71. Thilo Brenner, Thomas Glatzel, Roland Zengerle and Jens Ducre'e: "Frequency-dependent transversal flow control in centrifugalmicrofluidics", The Royal Society of Chemistry 2005, Lab Chip, 2005, 5, pp 146-150.

72. Thilo Brenner, "Polymer Fabrication and Microfluidic Unit Operations for Medical Diagnostics on a Rotating Disk", PhD Dissertation, IMTEK Institute for Microsystem Technology Freiburg, Germany; 2005, pp 198.

73. Мьо Хейн Зо, Конференция «Мэ и Инф», МИЭТ, 2006, с 53.

74. Паспорт цифрового запоминающего тахометра, модель «Testo 465», Германия.

75. Паспорт цифрового запоминающего осциллографа, модель (TDS2000B), Китай.

76. И.Н. Евдокимов, Н.Ю. Елисеев, "Молекулярные механизмы вязкости жидкости и газа", Основные понятия. М.: РГУ нефти и газа имени И.М.Губкина,2005.-59с.

77. Сядук Г.В., Литманович Е.А., Структура и динамика молекулярных систем, 2003г., Выпуск X, Часть 1, Стр. 184-186.

78. John D Ferry, Viscoelastic Properties of Polymers, 3rd ed. Published John Wiley & Sons, Inc.,New York (1980).

79. Wolfgang Grellmann, Sabine Seidler, "Polymer Testing", Published 2007 Hanser Gardner Publications, с 647. *

80. Threlfall, T. (2003). "Structural and thermodynamic explanations of Ostwald's Rule". Organic Process Research and Development 7 (6): 1017— 1027.98. http://www.nanotec.es/99. http://www.ntmdt.com/100.http://www. vistec-semi.com/

81. Паспорт универсального оптического микроскопа, модель (VISTEC 100NM).

82. Паспорт установки прецизионной полировки, модель ALLIED MultiPrep™.

83. Паспорт профилометра Alpha step-200. http://www.nd.edu/~ndnf/processing/alphastep200.html

84. Ануфриенко В.В., В.Н. Шутилин, И.А. Стременов., Авторсое свидетельство «№ 300912» на изобретение "Устройство для нанесения тонких полимерных пленок".