автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера

о

На правах рукописи УДК 621.389

Колесник Леонид Леонидович

Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера

Специальность: 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата технических наук

Москва - 2009

003487899

Работа выполнена в Московском государственном техническом университете им. Н. Э. Баумана.

Научный руководитель: Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор технических наук, профессор, Панфилов Юрий Васильевич, доктор технических наук, профессор, Марахтанов Михаил Константинович; кандидат технических наук, Андросов Александр Васильевич. ОАО ЦНИТИ «Техномаш».

Защита состоится «

2009 г. в

часов на заседании

диссертационного совета Д212.14х.18 при Московском государственном техническом университете им. Н. Э. Баумана, по адресу: 105005, г. Москва, ул. 2-я Буманская, д. 5, МГТУ им. Н. Э. Баумана

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МГТУ им. Н. Э. Баумана.

Ваш отзыв на автореферат в одном экземпляре, заверенный печатью, просьба высылать по адресу: 105007, г. Москва, ул. 2-я Буманская, д. 5, МГТУ им. Н. Э. Баумана.

Автореферат разослан «__»

¿¿аек

009 г.

Телефон для справок: (499) 267-09-63

Ученый секретарь

диссертационного совета:

доктор технических наук, профессор

Цветков 10. Б.

Общая характеристика работы

Актуальность работы

Современные тенденции развития техники привели к тому, что при производстве самых различных изделий электронные технологии находят все более широкое применение. Значительную долю в этих технологиях составляет нанесение различных многофункциональных покрытий в вакууме, традиционно применявшееся при производстве изделий микроэлектроники, электровакуумных приборов, дисков памяти и т. п. Кроме того, такие покрытия используются и качестве упрочняющих, износостойких, оптических, теплозащитных, коррозионностойких и т. д. Большинство этих покрытий представляют собой многослойные композиции, состоящие из чередующихся слоев металлов и их соединений (оксидов, нитридов, карбидов и т. д.), что определяется типом и областью применения покрытия.

Одним из наиболее широко используемых вакуумных методов получения оксидов и нитридов металлов является реактивный метод нанесения. Внутри вакуумной камеры формируют поток атомов металла, движущийся по направлению к изделию, и напускают реактивный рабочий газ, который вступает в реакцию с атомами металла и образует требуемое соединение.

Технология нанесения тонкопленочных покрытий на поверхности большого размера по сравнению с технологиями, применяемыми в микроэлектронике, обладает следующими особенностями:

1. Максимальный размер изделия не ограничен размером полупроводниковой пластины и может достигать 0 метров и более, возможно использование рулонных материалов;

2. Для получения необходимых свойств покрытия необходимо наносить многослойные (до 20-ти и более слоев) покрытия, состоящие из слоев различных материалов;

3. Для обеспечения стабильности и качества покрытия необходимо наносить покрытия в едином цикле без разгерметизации оборудования.

Эти особенности технологического процесса приводят к возникновению конструктивных и технологических проблем, ранее нерешенных в рамках технологии классической микроэлектроники. Исследованиями процессов нанесения многослойных тонкопленочных покрытий вакууме занимались Ковалев Л. К. (квантовая электроника), Одиноков В. В. (микроэлектроника), Марахтанов М. К. (функциональная электроника) и другие ученые. Однако в их работах не были решены проблемы, связанные с получением заданной однородности состава и равномерности толщины слоев многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого раз-

мера.

На сегодняшний день в области получения многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера остаются открытыми вопросы выбора компоновочного варианта оборудования, размещения устройств напуска и откачки газов для получения однородной технологической среды, позволяющей обеспечить заданную стехиометрию и равномерность толщины наносимых покрытий.

Цель работы

Создание научных основ обеспечения однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий, получаемых реактивным методом на поверхностях большого размера в вакууме.

Задачи исследований

1. На основе анализа существующих решений и требований к оборудованию для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера необходимо разработать методику выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, минимальной неоднородности стехиометрического состава и неравномерности толщины наносимого покрытия.

2. Разработать методику расчета и проектирования рабочих камер установок проходного типа и вакуумных автоматических линий, позволяющую согласовывать режимы откачки и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера.

3. Провести экспериментальные исследования для проверки разработанной методики и выявления основных зависимостей между геометрическими параметрами рабочей камеры и однородностью состава вакуумной технологической среды.

4. Разработать рекомендации по размерам и форме рабочих камер, расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытия.

Научная новизна работы

1. Для проведения анализа структурно-компоновочных вариантов установок для нанесения тонких пленок в вакууме проходного типа и вакуумных автоматических линий получены зависимости, позволяющие выбирать и согласовывать по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия количество рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Выявлены взаимосвязи между геометрическими характеристиками вакуумной камеры, расположением патрубков откачки и напуска рабочих газов и однородностью состава и равномерностью толщины наносимых покрытий на поверхности большого размера.

3. На основе метода статистических испытаний Монте-Карло предложена модель и разработана компьютерная программа расчета конструктивных параметров рабочей камеры, обеспечивающих заданные стехиометри-ческий состав и равномерность толщины покрытия на изделиях большого размера.

Практическая ценность работы

1. Разработана инженерная методика выбора структурно-компоновочного варианта установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, заданной стехиометрии, однородности состава и равномерности толщины покрытий, наносимых на изделия большого размера.

2. Разработана компьютерная программа для расчета параметров вакуумной технологической среды в оборудовании для нанесения реактивным методом многослойных покрытий, позволяющая выбирать конструкторские решения, обеспечивающие заданные неравномерность стехиомет-рического состава и толщины покрытий.

3. Разработаны рекомендации по расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов в камеры нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера для установок проходного типа и вакуумных автоматических линий.

На защиту выносятся

1. Методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий и согласования количества рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорости транс-

портирования обрабатываемых изделий по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия.

2. Математическая модель расчета параметров вакуумной технологической среды для нанесения однородных по составу и равномерных по толщине покрытий реактивным методом на поверхности большого размера на основе метода статистических испытаний Монте-Карло.

3. Результаты выбора геометрических параметров рабочих камер, количества и расположения патрубков откачки и напуска рабочих газов для обеспечения требуемой однородности состава и равномерности толщины наносимых тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на III научно-технической конференции с участием международных специалистов «Вакуумная наука и техника» (Гурзуф, 1996); научно-технической конференции «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления» (Гурзуф, 1997, 1999); II, IV, V Россйской конференции «Высокие технологии в промышленности России» (Москва, 1997-1999), на «2nd International Conference on Coatings on Glass» (Saarbrucken, Germany, 1998), на тематических заседаниях кафедры «Электронное машиностроение» МГТУ им. Н. Э. Баумана (1998-2009).

Внедрение результатов работы

Материалы диссертационной работы и полученные результаты использованы:

1. В ОАО «НИИ Точного машиностроения» в виде методики расчета параметров технологической среды при реактивном нанесении тонких пленок.

2. При проведении экспертизы промышленной полуавтоматической линии по нанесению низкоэмиссионных энергосберегающих покрытий на стекло мощностью 500 тыс. кв. метров в год, проводившейся в МГТУ им. Н. Э. Баумана, тема Э4201 с.

3. В учебном процессе кафедры «Электронные технологии в машиностроении» МГТУ им. Н. Э. Баумана.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ в научных журналах, а также в материалах всероссийских и международных конференций и симпозиумов.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 77 наименований и 3 приложений. Работа содержит 129 страниц машинописного текста, в том числе 6 таблиц и 55 рисунков.

Содержание работы

Во введении обосновывается актуальность решаемых в диссертационной работе проблем, а также формируются ее цели и задачи. Определяется область распространения диссертационной работы.

В первой главе содержится обзор состояния технологии и оборудования для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера. Определены области применения многослойных покрытий, а также требования, предъявляемые к таким покрытиям, на основании которых сформулированы требования к оборудованию для их формирования.

Анализ областей применения многослойных тонкопленочных покрытий показал, что они применяются как антибликовые покрытия на экранах электроннолучевых трубок и жидкокристаллических экранов компьютеров, телевизиров и мобильных приборов, в устройствах хранения информации, в источниках альтернативной энергетики, а также как энергосберегающие низкоэмиссионные покрытия на стеклах. Все эти изделия предъявляют высокие требования к производительности оборудования ввиду массового характера выпуска, а также однородности и воспроизводимости состава и толщины наносимых покрытий. Анализ вариантов оборудования показал, что наиболее перспективными для массового производства являются установки с неподвижными источниками нанесения и подвижным изделием .

Проблемы, возникающие при получении покрытия реактивным методом можно проследить на примере оксида металла. Схема процесса нанесения слоя МеО на изделие большого размера представлена на рисунке 1(а). Большие размеры изделия приводят к тому, что один из размеров области проведения процесса нанесения оказывается существенно меньше, чем два

Рис. 1. Схема нанесения оксида металла на изделие большого размера (а) и вид зависимости (б) давления смеси аргона и кислорода (сплошная линия) и скорости осаждения металла (пунктирная линия) вдоль сечения камеры нанесения но координате I. 1 — рабочая камера, 2 — поток газа с быстротой откачки ■!?„, 3 — натекатель смеси рабочего и реактивного газов с быстротой напуска £„, 4 ■— источник нанесения покрытия (магнетрон), 5 — поток осаждаемого металла, 6 — изделие, 7 — примерная зона получения покрытия с требуемой стехиометрией.

других. Это приводит к возникновению протяженных каналов, внутри которых может наблюдаться существенный разброс давлений как полного, так и парциальных давлений газов, формирующих технологическую среду для нанесения покрытия.

Если представить структуру слоя в виде МехОу, где Ме — металл, О — кислород, а х, у — коэффициенты, определяющие их соотношение в наносимом слое, то очевидно, что для получения заданной стехиометрии должно выполнятся необходимое соотношение потоков атомов металла Л^л/е) и молекул кислорода Що2), которое составляет: хМ(Ме) = 0,5уЩо2)-

Очевидно, что поток атомов металла Щме) определяется скоростью осаждения У0, а поток молекул кислорода Л^су его парциальным давлением р(о2).

Известно, что скорость осаждения металла У0 зависит от скорости распыления Ур, площади источника, углов распыления и конденсации, расстояния от источника до изделия и коэффициента прилипания осаждаемого материала к подложке. Для изделия, расположенного параллельно поверхности источника па небольшом расстоянии, можно принять У0 ~ Ур = ¿ивр/Це атом/м2 • с, где ]и — плотность ионного тока, А/м2, Бр — коэф-

фициент распыления атом/ион, дс — заряд электрона Кл.

Поток молекул кислорода, ударяющихся о единицу поверхности в единицу времени равен Л^ = Р(о2)у/Жа/у/2лМ(0г)Ы, где р(с,2) — давление кислорода, Лл — число Авогадро, М(о2) — молекулярная масса кислорода, к — постоянная Больцмана, Т — абсолютная температура.

В итоге получим окончательное уравнение, обеспечивающее заданную стехиометрию покрытия:

р = 1 Р{0.)

Чс 2У^2жМ{о2)кТ V ;

Если параметры источника питания в процессе нанесения покрытия постоянны, то скорость распыления Ур зависит от парциальных давлений аргона и кислорода. Давление аргона определяет величину ионного тока ;}п. а избыток молекул реактивного газа приводит к окислению мишени и, как следствие, к уменьшению коэффициента распыления. Например, при энергии ионов Аг 1,0 кэВ = 1,4, а = 0,4. То есть скорость распыления, а, следовательно, и толщина пленки, может уменьшаться более чем в 3 раза.

Обобщенный вид зависимости парциального давления кислорода и скорости распыления материала показан на рисунке 1(6). Очевидно, что при рассмотренной конфигурации откачки и напуска зоны, в которых может быть получено покрытие с заданной стехиометрией, сильно ограничены. Эти особенности должны учитываться при проектировании оборудования для нанесения покрытий на изделия большого размера. Для этого должна быть решена задача обеспечения требуемого соотношения концентраций молекул рабочего и реактивного газов, а также распыляемого материала по всей поверхности изделия.

В конце главы на основе проведенного обзора определена цель работы и положения, выносимые на защиту.

Вторая глава посвящена теоретическим вопросам выбора компоновки оборудования и режимов его работы для нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

Первая ее часть затрагивает анализ вариантов компоновки оборудования с неподвижными источниками нанесения и подвижным изделием и посвещена разработке методики выбора оптимального варианта по критерию максимального быстродействия.

Особенностью оборудования нанесения многослойных покрытий на изделия большого размера является невозможность отделения друг от друга технологических сред для нанесения каждого слоя, так как размер изделия значительно больше каждой из камер нанесения.

Схема формирования многослойного покрытия на подвижном изделии с неподвижными источниками нанесения представлена на рисунке 2. Из рисунка видно, что при выборе компоновочного варианта оборудования необходимо принимать решение относительно количества и порядка расположения модулей нанесения. Проведенные исследования позволили разработать методику выбора структурно-компоновочного варианта. Предлагаемая методика рассмотрена на примере оборудования проходного типа, хотя может быть использована и для установок с возвратно-поступательным движением изделий. Состав, количество и порядок расположения модулей определяется на основании требуемой производительности, состава и количества слоев покрытия, допустимых режимов нанесения каждого слоя. Выбор компоновочного варианта производится по критерию максимальной фактической производительности оборудования.

Поскольку нанесение покрытия __ _ _ _ _ производится на подвижное изделие,

для расчетов удобно использовать динамическую скорость осаждения Уо, которая определяется как толщина пленки, формируемая в процессе

" Направление движения шдели ' ДВИЖСНИЯ ПОДЛОЖКИ, НМ ■ м/С.

В этом случае количество источ-Рис. 2. Схема формирования многослойно- ников для каждого слоя покрытия го покрытия на подвижном кзделии с непо- рассчитывается по формуле N1 — движными источниками нанесения. ЫУтр/У<Я> ГДе ъ номер слоя; Утр

— скорость транспортирования изделия, м/с, Ут ~ динамическая скорость осаждения г-го слоя, нм - м/с, }ц — толщина г-го слоя, нм.

Из формулы видно, что увеличение скорости транспортирования Утр при неизменных скоростях осаждения Уы приводит к необходимости увеличения количества источников нанесения АГ| для каждого слоя. Увеличение же количества источников (модулей нанесения слоев), в свою очередь, приводит к снижению надежности и, следовательно, к уменьшению фактической производительности оборудования. Скоростью осаждения отдельного слоя можно управлять путем изменения технологических режимов: для пленок металла — регулированием прикладываемой мощности, а для пленок соединений еще и изменением парциального давления реактивного газа.

Каждый слой покрытия характеризуется толщиной, минимальной и максимальной допустимыми скоростями нанесения. Минимальная скорость нанесения определяется исходя из требований, предъявляемых к пленке.

Известно, что от скорости нанесения пленки зависит ее структура и физические характеристики. Максимальная скорость нанесения определяется техническими характеристиками устройства, осуществляющего нанесение покрытия при обеспечении его качества.

Разработанная методика позволяет, используя набор диапазонов допустимых скоростей нанесения слоев покрытия и допустимую скорость транспортирования, выбрать компоновку линии по критерию максимальной фактической производительности.

Во второй части главы проводится анализ существующих методов расчета распределения давления внутри вакуумной камеры и производится выбор наиболее подходящей для решения поставленной задачи модели — метода статистических испытаний Монте-Карло. С использованием этого метода создана программа, позволяющая рассчитывать распределение абсолютного и парциальных давлений в процессе проведения технологического процесса нанесения оксидных, нитридных и т. п. покрытий и проводить выбор наилучших характеристик вакуумной и газовой систем по заданной неравномерности давления рабочих газов.

С целью подтверждения адекватности разработанной программы расчета проведено теоретическое исследование распределения давления в протяженной вакуумной камере прямоугольного сечения с отношением стороны сечения к длине камеры как 1 к 10. Откачка указанной тестовой камеры велась с одного торца, а напуск газа с противоположного торца.

Сравнение полученных значений парциального давления напускаемого газа в различных сечениях с данными, рассчитаиыми аналитическими методами с использованием классических методик расчета вакуумных систем, показало высокий уровень их соответствия. При этом относительная погрешность не превышала 10%, что позволяет говорить о правильно выбранной и реализованной методике расчета распределения давления.

Третья глава посвящена экспериментальному исследованию технологической среды нанесения нитридных покрытий, а также исследования полученных в процессе образцов.

Были проведены эксперименты по определению влияния соотношения потоков материала и реактивного газа в процессе нанесения покрытий нитрида титана на стеклянные образцы с использованием лабораторного от-качного поста, используемого для отладки технологических процессов нанесения тонких пленок.

Внутри вакуумной камеры в разных точках были размещены контрольные образцы как показано на рисунке 3. Геометрия вакуумной камеры такова, что давление подаваемых газов будет равномерным по всему объему камеры. Соотношение потока газа и металла в этом случае является

функцией от координаты расположенных образцов.

Как и ожидалось, цвет покрытия зависел не только от состава газа, но и от удаленности образца от источника нанесения (магнетрона). Наиболее близко к источнику находились образцы 1, 2 и 9. Цвет их покрытия получился ровным, металлическим. Так как расстояние от этих образцов до источника было минимальным, поток атомов металла, падающий на поверхность образца был максимальным. Толщина покрытия на этих образцах оказалась слишком велика и при проведении тестов на адгезию разрушающим методом по- Рнс, 3. Схема расположения образов при крытие отслаивалось полностью. На проведении процесса нанесения покрытия, остальных образцах цвет различен и

зависит от соотношения потоков атомов металла и молекул реактивного газа в данной области пространства камеры.

Полученные образцы были исследованы на акустооптическом спектрофотометре. Были получены спектральные характеристики коэффициентов пропускания и прозрачности. Результаты проведенных измерений подтвердили, что соотношение потоков материала и реактивного газа оказывает сильное влияние не только на химические, но и спектральные характеристики покрытия.

Апробация полученных методик проводилась на установке нанесения покрытий на стекла периодического действия, которая представляет собой модернизированную установку УВН-4М.

Перед проведением экспериментов были составлены расчетные схемы камеры нанесения и произведен расчет распределения давления внутри ее с учетом количества напускаемой смеси рабочих газов при различных положениях источников нанесения и напуска газа соответственно. Расчет производился со следующими параметрами: шаг разбиения - 100 мм; количество прослеженных молекул: 10000 шт. Расчетная схема и результаты расчета распределения давления представлена на рисунке 4.

В четвертой главе представлены результаты использования разработанной методики анализа и выявления причин снижения качества тонкопленочных покрытий, получаемых на вакуумных установках проходного типа.

Рис. 4. Расчетная схема отсека камеры (а) и результаты расчета распределения давления (б) в установке УВН-4М.

Анализируемая установка представляет собой полуавтоматическую линию проходного типа с горизонтальным расположением изделия (рис. 5 а.)

листового стекла размером 2250 х 3210 мм. В верхней части установки расположены 15 сдвоенных устройств нанесения покрытий, по два на каждый откачиой пост. Вакуумная система установки состоит из чередующихся камер откачки и камер нанесения покрытий. В зону нанесения покрытия подается рабочий газ: по краям источников нанесения смесь кислорода и аргона, дополнительно с внутренней стороны камеры — аргон. Откачка камеры ведется четырьмя паромасляными диффузионными насосами НВДМ-400. Откачка рабочей камеры ведется через щелевой канал. Размер щелевого канала с учетом толщины подаваемого стекла составляет 10 х 2700 мм.

Рис. 5. Общий вид полуавтоматической линии нанесения покрытий на стекла (а) и расчет ная модель для камеры откачки и нанесения (б).

С целыо получения исходных данных для моделирования были про-

ведены предварительные расчеты потоков напуска рабочих газов в зону нанесения покрытия. Расчеты проводились с помощью разработанной программы. При составлении модели было учтено следующее:

1. Откачка рабочей камеры ведется через протяженную щель.

2. Лабиринты в откачной камере не влияют на процесс, так как расстояние между нижним краем лабиринта и стеклом много больше, чем размер щели. Так как откачка через щель ведется симметрично с обеих сторон, то распределение давления симметрично относительно оси, совпадающей с направлением движения стекла.

3. Поскольку газ в зону нанесения покрытия подается через бинарную газораспределительную систему, то можно считать, что газовая нагрузка по ширине стекла не зависит от координаты.

Расчеты показали, что перепад давления по ширине стекла соответствует перепаду давления в камере откачки и согласно расчетам составляет один порядок. Так как камера нанесения откачивается симметрично через щелевой канал, то наиболее неблагоприятным фактором является подача газа в зонах наиболее удаленных от мест откачки. Расчетная схема для камеры откачки и нанесения представлена на рисунке 5 б.

Проведенные по предложенной методике расчеты показывают, что перепад давления от места подсоединения насоса до центра стекла в случае равномерной газовой нагрузки составляет около одного порядка. Графики перепада давлений в поперечном сечении камеры откачки при равномере-ной газовой нагрузке со стороны рабочей камеры и перепада давлений в продольном сечении камеры нанесения представлены на рисунке 6.

а) б)

Рис. 6. График перепада давлений в поперечном сечении камеры откачки (а) и продольном сечении камеры нанесения (б).

Проведенные расчеты позволили устанавить причины снижения качества покрытий на исследуемой установке, к которым относятся:

1. Отсутствие возможности регулировать (диафрагмировать) поток откачиваемого из рабочих камер газа, что является общепринятой мерой управления стехиометрическим составом получаемого реактивным осаждением тонкопленочного покрытия;

2. Неравномерное распределение давления на участках вакуумных камер линии, связанное с тем, что один из размеров вакуумных камер много больше двух других размеров и потоки натекающего через неплотности и выделяющихся со стенок газов на удаленных от насоса участках вакуумной камеры достаточно велики.

С помощью методов, разработанных во второй и третьей главах, были проведены расчеты и выработаны рекомендации по внесению изменений в конструкцию линии.

Так как основными причинами большого перепада давления рабочих _ газов в зоне нанесения являются перепад давления в камере откачки и невозможность регулировать поток напуска газа в зависимости от координаты изделия, то были проведены следующие дополнительные расчеты и исследования.

Для камеры откачки были выполнены расчеты перепада давления по ширине стекла в зависимости от соотношения размеров сторон камеры откачки. Полученные результаты представлены па рисунке 7. Из результатов расчета следует, что для того, чтобы перепад давления был минимален, необходимо обеспечить соотношение сторон камеры откачки не более, чем 1/5. В этом случае перепад давления по ширине стекла составит не более 20%.

Вторым шагом по выравнива- Рнс у 3ависимость перспала давлен„я в ншо давления в камере нанесения яв- камере откачки м соотпошения сторон ка_ ляется установка системы напуска га- меры за с раздельным регулированием потока по ширине стекла. Задачей является выбор необходимого и достаточного количества раздельно регулируемых секций напуска газа. Увеличение количества таких секций приводит к увеличению точности регулирования потока. Однако, чрезмерное количество таких секций усложняет систему управления.

Были проведены расчеты зависимости давления в камере нанесения

&р,%

¡00 90 80 70 60 50 40 30 20 10

Соотношение сторон, а!Ь

от количества раздельных секций напуска. Расчеты проводились для случаев использования 1 секции напуска (исходный вариант), бесконечного количества секций напуска (идеальный вариант), 3, 4 и 5 секций напуска. Для каждого случая была получена зависимость потока напуска от координаты. Эти зависимости представлены на рисунке 8. С этими исходными данным были проведены расчеты распределения давления в камере нанесения. Результаты расчета показали, что при количестве секций 3 и более, перепад давления в зоне нанесения покрытия находится в требуемых пределах. Следовательно, целесообразно выбрать количество секций равное трем.

70"

10г>

10"

д р, Па

0.25

0,75 1,0

1,25

а

7 *1б5

6 » ¡б5

1 1

1 1 11 х,м

0,25 0,5 0,75 1,0 ..... плавная рерулитюта

--1 система подачи газа

-- 3 раздельные системы подачи газа

1.25

б)

Рис. 8. Зависимость перепада давлений (а) и потока напуска реактивного газа (б) от координаты х в камере нанесения для различного количества раздельно регулируемых секций напуска.

По результатам проведенных расчетов и выявленным причинам низкого качества покрытий можно сделать следующие рекомендации по конструированию оборудования для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера:

1. При проектировании откачной системы необходимо избегать протяженных каналов с соотношением сторон более 1/5.

2. Необходимо в системе откачки рабочей камеры предусматривать диафрагмирование потока откачиваемого газа.

3. Уменьшать неравномерность давления рабочих газов по ширине изделия большого размера внесением в систему подачи рабочих и реактивных газов регулирующих элементов, которые позволят изменять подаваемый поток в зависимости от координаты места подачи газовой смеси, причем количество таких секций должно быть не менее трех.

Предложенные методы являются универсальными и могут быть применены при проектировании и исследовании любого оборудования подобного типа.

Общие выводы

1. Для обеспечения максимального быстродействия оборудования проходного типа и вакуумных автоматических линий при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом на изделия большого размера рекомендуется использовать разработанную методику выбора структурно-компоновочных вариантов оборудования, определяющую необходимое количество рабочих камер и источников нанесения покрытия, наиболее приемлемую скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Для формирования на изделиях большого размера многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом необходимо согласовывать режимы и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов для обеспечения заданного стехиометрического состава, его однородности и равномерности толщины по всей площади изделия.

3. Для согласования режимов и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов в узких, протяженных вакуумных камерах для нанесения оксидных, нитридных и т. п. тонкопленочных покрытий рекомендуется использовать предложенную методику и разработанную компьютерную программу, с помощью которых методом итераций можно добиться необходимых состава и однородности вакуумной технологической среды на всем протяжении камеры.

4. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили расчетные значения степени влияния геометрических размеров и формы рабочих камер, взаимного расположения патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов на однородность состава и неравномерность толщины тонкопленочных покрытий, а также их эксплуатационные характеристики. Это связано с тем, что скорость осаждения покрытия, его толщина и стехио-метрический состав в разных зонах рабочей камеры могут отличаться в 3 и более раз.

5. Для достижения однородности параметров технологической среды необходимо при проектировании оборудования учитывать следующие рекомендации:

• систему подачи смеси плазмообразующего и реактивного газов следует выполнять в виде отдельных секций напуска, причем состав и величину потока газовой смеси в каждой секции необходимо регулировать неза-

висимо, а количество таких секций нужно определять исходя из размеров изделия, расположения зон откачки, напуска и требуемого потока газовой смеси.

• зоны откачки необходимо проектировать таким образом, чтобы избегать протяженных каналов с соотношением сторон более 5/1, а если это невозможно, то необходимо делить протяженные каналы на секции и откачивать их параллельно.

Основные работы по теме диссертации

1. Колесник JI.JI. Математическое моделирование распределения давления в технологических вакуумных системах // Вакуумные технологии и оборудование : Сборник докладов 4-го международного симпозиума. Харьков. 2001. С. 60-61.

2. Колесник JI.JI. Использование метода Монте-Карло при анализе вариантов вакуумного оборудования для нанесения упрочняющих и энергосберегающих покрытий // Справочник. Инженерный журнал. 2008. №11. С. 61-63.

3. Панфилов Ю.В., Колесник JI.J1. Анализ вариантов оборудования для нанесения тонкопленочных тепловых фильтров // Высокие технологии в промышленности России (Техника средств связи) : Материалы 2-й российской конференции. Москва. 1997. С. 43-49.

4. Панфилов Ю.В., Колесник JI.JI., Барменкова C.B. Устройство контроля оптических характеристик теплоотражающих покрытий //' Контроль и диагностика. 1998. №5. С. 45-49.

5. Колесник JI.JI., Соколова A.B. Измерение оптических характеристик тепловых фильтров в ближнем ИК-диапазоне // Высокие технологии в промышленности России : Материалы 5-й российской конференции. Москва. 1999. С. 107-109.

6. Panfilov Y., Kolesnik L., Bulygina Б. Creation of the Equipment for Vaccum Deposition of Thin Film Heat Saving Coatings on Glass as a Complex Task // 2nd International Conference on Coatings on Glass : Abstracts of Presentations. Saarbrücken (Germany). 1998. P. 86.

7. Панфилов Ю.В., Чередниченко О.Б., Колесник JI.JI. Тонкопленочные энергосберегающие покрытия на полимерных пленках и стекле // Вакуумные наука и техника : Тезисы докладов научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов. Гурзуф. 1996. С. 64.

8. Панфилов Ю.В., Колесник JI.JI. Вакуумное нанесение тонкопленочных покрытий // Машиностроительные технологии : Тезисы докладов все-росийской научись технической конференции. Москва. 1998. С. 230-231.

Колесник Леонид Леонидович

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Подписано в печать 13.11.2009 г. Формат 60x90, 1/16. Объем 1 п.л. Тираж 100 экз. Заказ №1697

Отпечатано в ООО "Фирма Блок" 107140, г. Москва, ул. Краснопрудная, вл. 13. т. (499) 264-30-73 www.firmablok.ru

Изготовление брошюр, авторефератов, печать и переплет диссертаций.

Введение.

Глава 1. Состояние технологии и оборудования для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

1.1. Области использования многослойных тонкопленочных покрытий, нанесенных на поверхности большого размера

1.2. Современное вакуумное оборудование, применяемое для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

1.3. Современные методы и устройства нанесения многослойных покрытий

Выводы к первой главе.

Глава 2. Теоретические исследования процесса реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

2.1. Зависимость времени цикла от структурно-компоновочного варианта вакуумного оборудования.

2.2. Методика выбора структурно-компоновочного варианта оборудования

2.3. Математическая модель формирования технологической среды при реактивном нанесении тонких пленок.

Выводы ко второй главе.

Глава 3. Экспериментальные стендовые исследования процесса нанесения покрытий реактивным методом.

3.1. Исследование степени влияния геометрических параметров и условий нанесения на свойства покрытия.

3.2. Исследование оптических спектров покрытий.

3.3. Исследование установки для нанесения покрытий периодического действия.

Выводы к третьей главе.

Глава 4. Практическое использование результатов проведенных исследований при отладке технологического процесса нанесения многослойных низкоэмиссионных покрытий на стекло.

4.1. Описание и устройство линии нанесения покрытий.

4.2. Расчеты параметров технологической среды в зоне нанесения покрытия.

4.3. Модернизация конструкции камеры нанесения с целью повышения однородности и равномерности толщины получаемого покрытия.

Выводы к четвертой главе.

Современные тенденции развития техники привели к тому, что при производстве самых различных изделий электронные технологии находят все более широкое применение. Значительную долю в этих технологиях составляет нанесение различных многофункциональных покрытий в вакууме, традиционно применявшееся при производстве изделий микроэлектроники, электровакуумных приборов, дисков памяти и т. п. Кроме того, такие покрытия используются в качестве упрочняющих, износостойких, оптических, теплозащитных, коррозионностойких и т. д. Большинство этих покрытий представляют собой многослойные композиции, состоящие из чередующихся слоев металлов и их соединений (оксидов, нитридов, карбидов и т. д.), что определяется типом и областью применения покрытия.

Одним из наиболее широко используемых вакуумных методов получения оксидов и нитридов металлов является реактивный метод нанесения. Внутри вакуумной камеры формируют поток молекул металла, движущийся по направлению к изделию, и напускают реактивный рабочий газ, который вступает в реакцию с молекулами металла и образует требуемое соединение.

Технология нанесения тонкопленочных покрытий на поверхности большого размера по сравнению с технологиями, применяемыми в микроэлектронике, обладает следующими особенностями:

• максимальный размер изделия не ограничен размером полупроводниковой пластины и может достигать 6 метров и более, возможно использование рулонных материалов;

• для получения заданный свойств покрытия необходимо наносить многослойные (до 20-ти и более слоев) покрытия, состоящие из слоев различных материалов;

• для обеспечения стабильности и качества покрытия необходимо наносить покрытия в едином цикле без разгерметизации оборудования.

Эти особенности технологического процесса приводят к возникновению конструктивных и технологических проблем, ранее нерешенных в рамках технологии классической микроэлектроники. Исследованиями процессов нанесения многослойных тонкопленочных покрытий в вакууме занимались Ковалев JI. К. (квантовая электроника), Одиноков В. В. (микроэлектроника), Марахтанов М.К. (функциональная электроника) и другие ученые. Однако в их работах не были решены проблемы, связанные с получением заданной однородности состава и толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

На сегодняшний день в области получения многослойных тонкопленоч-иых покрытий на поверхностях большого размера остаются открытыми вопросы выбора оптимального компоновочного варианта оборудования, размещения устроств напуска и откачки газов, получения однородной среды, позволяющей обеспечить заданную стехиометрию наносимых покрытий.

Поэтому целью работы явилось создание научных основ обеспечения однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий, получаемых реактивным методом на поверхностях большого размера в вакууме.

Для достижения указанной цели были решены следующие задачи:

1. На основе анализа существующих решений и требований к оборудованию для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера разработана методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, минимальной неоднородности стехиометрического состава и неравномерности толщины наносимого покрытия.

2. Разработана методика расчета и проектирования рабочих камер установок проходного типа и вакуумных автоматических линий, позволяющая согласовывать режимы откачки и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера.

3. Проведены экспериментальные исследования для проверки разработанной методики и выявления основных зависимостей между геометрическими параметрами рабочей камеры и однородностью состава вакуумной технологической среды.

4. Разработаны рекомендации по размерам и форме рабочих камер, расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытия.

На защиту выносятся:

1. Методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий и согласования количества рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорости транспортирования обрабатываемых изделий по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия.

2. Математическая модель расчета параметров вакуумной технологической среды для нанесения однородных по составу и равномерных по толщине покрытий реактивным методом на поверхности большого размера на основе метода статистических испытаний Монте-Карло.

3. Результаты выбора геометрических параметров рабочих камер, количества и расположения патрубков откачки и напуска рабочих газов для обеспечения требуемой однородности состава и равномерности толщины наносимых тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Для проведения анализа структурно-компоновочных вариантов установок для нанесения тонких пленок в вакууме проходного типа и вакуумных автоматических линий получены зависимости, позволяющие выбирать и согласовывать по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия количество рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Выявлены взаимосвязи между геометрическими характеристиками вакуумной камеры, расположением патрубков откачки и напуска рабочих газов и однородностью состава и равномерностью толщины наносимых покрытий на поверхности большого размера.

3. На основе метода статистических испытаний Монте-Карло предложена модель и разработана компьютерная программа расчета конструктивных параметров рабочей камеры, обеспечивающих заданные стехио-метрический состав и равномерность толщины покрытия на изделиях большого размера.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработана инженерная методика выбора структурно-компоновочного варианта установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, заданной стехиометрии, однородности состава и равномерности толщины покрытий, наносимых на изделия большого размера.

2. Разработана компьютерная программа для расчета параметров вакуумной технологической среды в оборудовании для нанесения реактивным методом многослойных покрытий, позволяющая выбирать конструкторские решения, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытий.

3. Разработаны рекомендации по расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов в камеры нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера для установок проходного типа и вакуумных автоматических линий.

Теоретические исследования проводились в соответствии с методами расчета вакуумных систем, изложенными Розановым JT. Н., Пипко А. И., Сак-саганским Г. Л., Нестеровым С. Б.; на работах по созданию вакуумного технологического оборудования Александровой А. Т., Одинокова В. В., Ковалева JL К., Панфилова Ю. В., Деулина Е. А., Марахтанова М. К. и других авторов.

Экспериментальные исследования образцов наносимых покрытий проводились как на специально разработанном стенде для контроля качества покрытий, так и с использованием промышленного акустоспектрофотометра AOS-3.

Экспериментальные исследования технологической среды при нанесении покрытий проводились как на лабораторном оборудовании, так и в услових производства на установках различной компоновки.

Работа выполнена в МГТУ им. Н. Э. Баумана на кафедре «Электронное машиностроение».

Общие выводы

1. Для обеспечения максимального быстродействия оборудования проходного типа и вакуумных автоматических линий при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом на изделия большого размера рекомендуется использовать разработанную методику выбора структурно-компоновочных вариантов оборудования, определяющую необходимое количество рабочих камер и источников нанесения покрытия, наиболее приемлемую скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Для формирования па изделиях большого размера многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом необходимо согласовывать режимы и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов для обеспечения заданного стехиометрического состава, его однородности и равномерности толщины по всей площади изделия.

3. Для согласования режимов и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов в узких, протяженных вакуумных камерах для нанесения оксидных, нитридных и т. п. тонкопленочных покрытий рекомендуется использовать предложенную методику и разработанную компьютерную программу, с помощью которых методом итераций можно добиться необходимых состава и однородности вакуумной технологической среды на всем протяжении камеры.

4. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили расчетные значения степени влияния геометрических размеров и формы рабочих камер, взаимного расположения патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов на однородность состава и неравномерность толщины тонкопленочных покрытий, а также их эксплуатационные характеристики.

Это связано с тем, что скорость осаждения покрытия, его толщина и стехиометрический состав в разных зонах рабочей камеры могут отличаться в 3 и более раз.

5. Проведенные расчеты и исследования вакуумной полуавтоматической установки проходного типа для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на стеклянную подложку размером 2250 х 3210 мм показали, что для достижения однородности параметров технологической среды необходимо при проектировании оборудования учитывать следующие рекомендации:

• систему подачи смеси плазмообразующего и реактивного газов следует выполнять в виде отдельных секций напуска, причем состав и величину потока газовой смеси в каждой секции необходимо регулировать независимо, а количество таких секций нужно определять исходя из размеров изделия, расположения зон откачки, напуска и требуемого потока газовой смеси.

• зоны откачки необходимо проектировать таким образом, чтобы избегать протяженных каналов с соотношением сторон более 5/1, а если это невозможно, то необходимо делить протяженные каналы на секции и откачивать их параллельно.

1. Блинов И.Г., Кожитов J1.B. Оборудование полупроводникового производства : Учебное пособие для студентов вузов. М. : Машиностроение. 1986. 264 с.

2. Божко А.Н., Жук Д.М., Маничев В.Б. Компьютерная графика : Учебн. пособие для вузов. М. : Издт-во МГТУ им Н.Э. Баумана. 2007. 392 с.

3. Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05.27.07: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук / МГТУ им.Н.Э. Баумана. М., 1997. 182 с.

4. Вакуумная техника: Справочник / Под ред. Е.С. Фролова, В.Е. Минай-чева. М. : Машиностроение. 1985. 360 с.

5. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники : Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение». В 2 т. / Н.В. Василенко и др.. Красноярск. 1996. Т. 1. 256 с.

6. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники : Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение» В 2 т. / Н.В. Василенко и др.. Красноярск. 1996. Т. 2. 416 с.

7. Волчкевич Л.И. Автоматизация производства электронной техники : Учебное пособие для средних ПТУ. М. : Высшая школа. 1988. 287 с.

8. Волчкевич Л.И. Надежность автоматических линий. М. : Машиностроение. 1969. 309 с.

9. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М. : Радио и связь. 1982. 72 с.

10. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М. : Издательство «Мир». 1964. 715 с.

11. Использование ионно-лучевой обработки для увеличения фактической площади обрабатываемой поверхности / Ю.В. Панфилов и др. // Высокие технологии в промышленности России : Материалы 4-й российской конференции. Москва. 1998. С. 129-134.

12. Ковалев J1.K. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники // Обзоры по электронной технике. Сер. 11 Лазерная техника и оптоэлектроника. 1982. Вып. 2 (866). С. 83.

13. Ковалев Л.К. Особенности создания вакуумного оборудования гибкой производственной системы для изделий микроэлектроники // Электронная промышленность. 1988. Вып. 1. С. 3-14.

14. Ковалев Л.К. Расчет конструкций камер напылительных установок методами математического моделирования // Электронная техника. Сер. 10 Квантовая электроника. 1975. Вып. 1. С. 42-53.

15. Колесник J1.JL Использование метода Монте-Карло при анализе вариантов вакуумного оборудования для нанесения упрочняющих и энергосберегающих покрытий // Справочник. Инженерный журнал. 2008. №11. С. 61-63.

16. Колесник Л.Л. Математическое моделирование распределения давления в технологических вакуумных системах // Вакуумные технологии и оборудование : Сборник докладов 4-го международного симпозиума. Харьков. 2001. С. 60-61.

17. Колесник Л.Л., Соколова А.В. Измерение оптических характеристик тепловых фильтров в ближнем ИК-диапазоне // Высокие технологии в промышленности России : Материалы 5-й российской конференции. Москва. 1999. С. 107-109.

18. Кузнецов М.М., Волчкевич Л.И., Замчалов Ю.П. Автоматизация производственных процессов. М. : Высшая школа. 1978. 431 с.

19. Куркин В.И. Основы расчета и конструирования оборудования электровакуумного производства : Учебное пособие для техникумов. М. : Высшая школа. 1971. 544 с.

20. Мальгин С.Н., Панфилов Ю.В. Кластерное оборудование в микроэлектроника // Обзоры по электронной техника. Серия 7 ТОПО. 1994. Вып. 1 (1701). С. 120

21. Марахтанов М.К. Ионные распылительные установки (Основы теории и расчета) : Учебное пособие по курсу «Конструирование и расчет установок ионного напыления». М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2002. 28 с.

22. Марахтанов М.К. Магнетронные системы ионного распыления (Основы теории и расчета). М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана. 1990. 76 с.

23. Нестеров С.Б., Васильев Ю.К., Андросов А.В. Методы расчета вакуумных систем. М. : Издательство МЭИ. 2004. 220 с.

24. Никулин Е.А. Компьютерная геометрия и алгоритмы машинной графики. СПб : БХВ-Петербург. 2003. 560 с.

25. Оборудование полупроводникового производства / П.Н. Масленников и др.. М. : Радио и связь, 1981. 336 с.

26. Панфилов Ю.В., Колесник JLJI. Анализ вариантов оборудования для нанесения тонко пленочных тепловых фильтров / / Высокие технологии в промышленности России (Техника средств связи) : Материалы 2-й российской конференции. Москва. 1997. С. 43-49.

27. Панфилов Ю.В., Колесник Л.Л. Вакуумное нанесение тонкопленочных покрытий // Машиностроительные технологии : Тезисы докладов все-росийской научно-технической конференции. Москва. 1998. С. 230-231.

28. Панфилов Ю.В., Колесник Л.Л., Барменкова С.В. Устройство контроля оптических характеристик теплоотражающих покрытий. // Контроль и диагностика. 1998. № 5. С. 45-49.

29. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы : Учебное пособие для техникумов. М. : Радио и Связь. 1988. 320 с.

30. Пипко А.И., Плисковский В.Я., Пенчко Е.А. Конструирование и расчет вакуумных систем 3-е. изд., перераб. и доп. М. : Энергия. 1979. 504 с.

31. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии : Учебное пособие для вузов. М. : Высшая школа. 1988. 255 с.

32. Проников А.С. Надежность машин. М. : Машиностроение. 1978. 592 с.

33. Роджерс Д. Алгоритмические основы машинной графики : Пер. с англ. М. : Мир. 1989. 512 с.

34. Роджерс Д., Адаме Дж. Математические основы машинной графики : Пер. с англ. М. : Мир. 2001. 604 с.

35. Саксаганский Г.Л. Молекулярные потоки в сложных вакуумных структурах. М. : Атомиздат. 1980. 216 с.

36. Терентьев Ю.П., Ковалев J1.K., Суворов В.Н., Макаров В.И. Установка нонно-плазменного расныления материалов // Оптико-механическая промышленность. 1972. №5. С. 23-25.

37. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении. / Ред. совет: К.В. Фролов и др. // Машиностроение. Энциклопедия. М. : Машиностроение. 2000. Т. III-8. 744 с.

38. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JI. Майселла, Р.Глэнга: Пер. с англ. под ред. М.И. Элинсона, Г.Г. Смолко. М.: Советское радио. 1977. Т.1. 664 с.

39. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JI. Майселла, Р.Глэнга: Пер. с англ. под ред. М.И. Элинсона, Г.Г. Смолко. М.: Советское радио. 1977. Т.2. 768 с.

40. Установка для осаждения пленок в вакууме методом лазерного испарения / Б.Г. Васецкий и др. // Электронная промышленность. 1983. Вып. 4. С. 64-66.

41. Установка УВН-2 для нанесения многослойных оптических покрытий методом электронно-лучевого испарения в высоком вакууме / Шитов В.А. и др. // Электронная техника. Сер. 11 Лазерная техника и опто-электроника. 1978. Вып. 6. С. 62-66.

42. Хохлов Ю.А. Нанесение оптических покрытий методами вакуумно-плаз-менной технологии: Учебное пособие. М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана. 2004. 80 с.

43. Хруничев Ю.А. Анализ производительности оборудования для производства электронных приборов // Электровакуумное машиностроение. 1978. Вып. 2. С. 46-71.

44. Шаумян Г.А. Комплексная автоматизация производственных процессов. М. : Машиностроение. 1973. 640 с.

45. Шикин А.В., Боресков А.В. Компьютерная графика. Полигональные модели. М. : ДИАЛОГ-МИФИ. 2005. 464 с.

46. A New Layer System for Wideband Anti-Reflection Coatings Designed for CRTs / T. Oyama et all. // Proceeding SID International Symposium. Amsterdam (The Netherlands). 1998. P. 262.

47. A new layer system of anti-reflective coating for cathode ray tubes / T. Oyama et all. // Thin Solid Films. Amsterdam (The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 115.

48. Antireflective coatings on large scale substrates produced by reactive twin-magnetron sputtering / J. Szczyrbowski et all. // Journal of Non-Crystalline Solids (Amsterdam, The Netherlands). 1997. №218. P. 25-29.

49. Belkind A., Gerristead Jr W., Orban Z. Deposition rate distribution in a rotatable cylindrical cathode system // Thin Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1992. Vol. 207. P. 319-323.

50. Bosscher W., Gobin G., Gryse R. Global solution for reactive magnetron sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 59-76.

51. Brauer G., Szczyrbowski J., Teschner G. New Approaches for reactive sputtering of dielectric materials on large scale substrates // Journal of Non-Crystalline Solids (Amsterdam, The Netherlands). 1997. №218. P. 19-24.

52. Chrisite D.J., File D.M., Fros D.R. High performance pulsed currend source supplies for large area dual magnetron sputtering // Proceedingsof the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 107-118.

53. Creation of the Equipment for Vaccum Deposition of Thin Film Heat Saving Coatings on Glass as a Complex Task / Y. Panfilov // 2nd International Conference on Coatings on Glass : Abstracts of Presentations. Saarbriicken (Germany). 1998. P. 86.

54. Heister U. TwinMag II: A reliable sputter tool for large area production coaters // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 95-96.

55. High-rate deposition of Si02 by modulated DC reactive sputtering in the transition mode without a feedback system / H. Ohsaki et all. // Thin Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1996. Vol. 281/282. P. 213-217.

56. High rate sputter deposition by DC sputtering of T1O2-X target / H. Osaki et all. // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 51-58.

57. High rate sputter deposition of T1O2 from TiO^-x target. / H. Ohsaki et all. // This Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 57-60.

58. Investigating technology and properties of heat-saving thin film coatings on glass / Y. Panfilov et all. // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands), 2000. P. 775-779.

59. Ishibashi S. Display Imaging. Amsterdam (The Netherlands) : Elsivier. 1998. 177 p.

60. Kay E. Magnetic field effects on an abnormal truncated glow discharge andtheir relation to sputtered thin film grouwth // Journal Applied Physics (New York, USA). 1963. Vol. 34. P. 760-768.

61. Large scale and low resistance ITO films formed at high deposition rates / K. Suzuki et all. // Thin solid films (Amsterdam, The Netherlands). 1993. Vol. 226. P. 104-104.

62. May C., Striimpfel J., Teschner G. Balance control for high rate area reactive sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 77-78.

63. Nadel S., Greene P. Strategies for high rate reactive sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 79-94.

64. New Developments in the Field of MF-sputtering with TwinMag to Obtain Higher Productivity for Large Area Coatings / Heister U. et all. Cologne (Germany) : Leybold Systems GmbH. 1998. 6 p.

65. Nishimata T. Flat-Panel Display. Tokyo (Japan) : Nikkey Business Publications Inc. 1997. P. 122.

66. Ohsaki H., Kokubu Y. Global market and technology trends on coated glass for architectural automotive and display applications // Coatings on Glass 1998 2nd International Conference on Coatings on Glass (ICCG). Saarbriiken (Germany). 1998. P. 1-7.

67. Prado K., Wallace G. Large area glass sputtering systems. A global market outlook through 2004 // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 27-28.

68. Pulker H.K. Coatings on Glass. Amsterdam (The Netherlands) : Elsevier. 1987. 118 p.

69. Reactive d.c. high-rate sputtering as production technology / S. Schiller et all. // Surface Coating Technology (Amsterdam, The Netherlands). 1987. №3. P. 405-423.

70. Rettich Т., Weidemuth P. MF, DC and pulsed DC in use for large area coatings applications on glass // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 97-106.

71. Shigesato Y., Takaki S., Haranou T. Electrical and structural properties of low resistivity tin-doped indium oxide films // Journal of Applied Phisics (New-York, USA). 1992. №71. P. 356.

72. TwinMag-II: attempts to improve an excellent sputter tool / U. Heister et all. // Thin solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 27-31.