автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций

На правах рукописи

ФАДЕЕВ АЛЕКСЕЙ ЮРЬЕВИЧ

ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

НА ЗАТРАВКАХ РАЗЛИЧНЫХ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ОРИЕНТАЦИЙ

специальность 05.27.06 - технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Автореферат

диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук

г я СЕН 2013

005533493

Санкт-Петербург - 2013

005533493

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В .И. Ульянова (Ленина)», кафедра микро- и наноэлектроники.

Научный руководитель: Кандидат технических наук

Лебедев Андрей Олегович, старший научный сотрудник кафедры микро- и наноэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина).

Официальные оппоненты: Доктор технических наук

Карачинов Владимир Александрович, профессор кафедры проектирования и технологии радиоаппаратуры Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого.

Кандидат технических наук Афанасьев Алексей Валентинович, заместитель директора НОЦ «Нанотехнологии» Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина).

Ведущая организация: Открытое акционерное общество «Ангстрем».

Защита состоится «10» октября 2013 г. в 16 ч. 00 мин. на заседании диссертационного совета Д 212.238.04 при Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» по адресу 197376, Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)».

Автореферат разослан «6» сентября 2013 г.

Ученый секретарь диссертационного совета д.ф.-м.н, профессор / Мошников В.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы исследования

Диссертационная работа посвящена оптимизации дефектной структуры монокристаллов карбида кремния политипа 4Н, выращенных с помощью модифицированного метода Лели на затравках различных кристаллографических ориентаций.

Дефектная структура в слитках карбида кремния является следствием многих причин. Основные из них — наследование дефектов из затравки и релаксация упругих напряжений в растущем слитке. В качестве источников напряжения в растущем слитке обычно рассматривают осевой и радиальный градиенты температуры, поликристаллическое обрамление и высокие концентрации примесей, при этом креплению затравки к держателю уделяется достаточно мало внимания. В работе рассмотрено, как влияет несовпадение параметров решетки затравки и держателя на введение напряжений в растущий слиток и, следовательно, формирование дефектной структуры. Также было рассмотрено влияние осевого градиента температур на введение упругих напряжений в слиток.

Использование небазисных граней затравки (призматических, ромбоэдрических) привлекает большое количество исследователей возможностью создания на их основе приборов с улучшенными характеристиками. Широкое распространение приборов на подложках БЮ нетрадиционных ориентаций требует налаживание монокристаллического роста на затравках нетрадиционных ориентаций. Первые попытки выращивания кристаллов Б1С на призматических гранях выявили огромное количество дефектов упаковки, формирующихся в течение роста. При этом скрупулезного описания дефектной структуры выполнено не было. Также, неизвестны зависимости генерации дефектов упаковки от ориентации затравки и преобладающего типа примеси в атмосфере ростовой камеры.

Для оптимизации дефектной структуры монокристаллов выращенных на базисной грани затравки, недавно был предложен метод многостадийного роста с использованием призматических граней, т.н. ЯАР-процесс [1]. При этом рост проводился как на грани (11-20), так и на грани (1010). Различий в дефектной структуре выявлено не было, что, однако, противоречит последующим исследованиям. Поэтому была изучена дефектная структура монокристаллов Б1С, выращенных на призматических гранях

затравки, подобрана наилучшая с точки зрения дефектной структуры грань и проведен КАР-процесс.

Вышеупомянутые направления исследований представляют несомненный научный интерес и практическую значимость.

Цель работы заключалась в оптимизации дефектной структуры монокристаллов карбида кремния политипа 4Н, выращенных на затравках различных кристаллографических ориентации.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Расчет упругих напряжений, вводимых в растущий кристалл в результате различия ТКР затравки и держателя. Подбор оптимального материала держателя.

2. Расчет упругих напряжений, вводимых в растущий кристалл под действием осевого температурного градиента.

3. Изучение особенностей дефектной структуры, как результата релаксации упругих напряжений, монокристаллов 4Н-81С, выращенных на призматических и ромбоэдрической гранях затравки.

4. Изучение особенностей дефектной структуры монокристаллов 4Н-81С в зависимости от типа легирующей примеси.

5. Проведение многостадийного процесса роста с использованием выбранной небазисной грани затравки (КАР-процесс).

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые продемонстрирована возможность подбора оптимального материала затравкодержателя на основе расчета удельной упругой энергии монокристаллов 81С, образующейся в результате различия температурных коэффициентов линейного расширения затравки и держателя. Показано, что влияние осевого градиента температуры, как источника упругих напряжений, незначительно.

2. Впервые показано, что рост на призматических гранях 4Н-8Ю характеризуется генерацией высокой плотности дефектов упаковки типа (5,2) в нотации Жданова (внутренний по Франку). Для ромбоэдрических граней наряду с этим наблюдается наследование прорастающих дислокаций из затравки.

3. Впервые продемонстрирован успешный рост политипа 4Н на кремниевой грани затравки с ориентацией (11-22).

4

4. В данной работе впервые установлена зависимость генерации дефектов упаковки от ориентации используемых затравок. Показано, что морфология дефектов упаковки в 4Н-81С п-типа изменяется при отклонении затравки от (11-20) к (10-10).

5. В данной работе впервые установлена зависимость генерации дефектов упаковки от типа нескомпенсированной примеси. Показано, что морфология дефектов упаковки в 4Н-81С, выращенном на грани (11-20) затравки, изменяется при переходе от области п-типа к области р-типа.

Научная и практическая значимость работы сводится к следующему:

1. Сформулирован метод выбора материала затравкодержателя таким образом, чтобы уменьшить упругие напряжения, вводимые в растущий слиток карбида кремния.

2. Показано, что осевые температурные градиенты менее 30 К/см являются приемлемыми и не являются причиной образования дефектной структуры в растущем слитке.

3. Определен тип дефектов упаковки, образующихся при росте на призматических гранях затравки — (5,2) в нотации Жданова, внутренний по Франку. Это значит, что такие дефекты упаковки не приводят к деградации характеристик биполярных приборов в результате механизма ЯЕОМ (движение дислокаций, вызванное рекомбинацией) [2].

4. Продемонстрирована возможность значительного улучшения дефектной структуры слитков 4Н-БЮ п-типа в результате многостадийного процесса роста (ИАР-процесса) с использованием промежуточной затравки ориентации (10-10).

5. Показано, что морфология образующихся дефектов упаковки зависит от типа нескомпенсированной примеси.

Положения, выносимые на защиту:

1. Основным фактором, определяющим уровень напряжений в растущем слитке, является крепление затравки к держателю.

2. Рост на призматических гранях 4Н-81С характеризуется генерацией высокой плотности дефектов упаковки типа (5,2) в нотации Жданова (внутренний по Франку). Для ромбоэдрических граней наряду с этим наблюдается наследование прорастающих дислокаций из затравки.

3. Морфология дефектов упаковки в гИН-БЮ зависит от ориентации призматической затравки.

4. Морфология дефектов упаковки в 4Н-8Ю при росте на грани (11-20) зависит от типа нескомпенсированной примеси.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных и данных, полученных в результате моделирования, а также имеющимися литературными данными.

Результаты работы были использованы при выполнении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ:

1. ОКР МЭ-289, «Разработка комплекса технологических базовых операций получения и обработки эпитаксиальных структур на основе карбида кремния», ОАО «Ангстрем», 2009-2012;

2. НИР ИДН/МЭ-113 «Полупроводниковый монокристаллический карбид кремния новый материал радиационно-стойкой электроники нового поколения для атомной техники», Рособразование, 2009-2011;

3. НИР ИКН/МЭ-121 «Политипизм и пути оптимизации дефектной структуры слитков карбида кремния» Минобрнауки, 2010-2012;

4. НИР ИКН/МЭ-124 «Разработки методов управления формированием политипов карбида кремния на основе наноструктурированных затравок различной ориентации» Минобрнауки, 2010-2012;

5. НИР НОЦ/МЭ-118 «Разработка методов получение пластин полупроводникового карбида кремния большого диаметра с целью применения групповых технологий микроэлектроники нового поколения» Минобрнауки, 2010-2012;

6. НИР ИКН/МЭ-120 «Получение подложек полупроводникового монокристаллического карбида кремния для экстремальной микроэлектроники» Минобрнауки, 2010-2012;

7. НИР ММУ/МЭ-119 «Поисковые научно-исследовательские работы по направлению «Естественные науки», Минобрнауки, 2010;

8. НИР ММУ/МНЭ-136/ГР «Физические экспериментальные и теоретические основы формирования и развитие современных методик диагностики структуры, электрофизических свойств полупроводниковых материалов и структур на их основе» Минобрнауки, 2012;

9. МНЭ-296 «Консалтинговые услуги с учетом оборудования Заказчика для производства полупроводниковых слитков карбида кремния диаметром 3 и 4 дюйма» Гермес Эпитек Корпорейшн, 2012;

10.НИР ИКН/МНЭ-138/ГР «Получение и исследование детектора ядерных излучений нового поколения на основе полупроводникового радиационностойкого монокристаллического карбида кремния - нового материала атомной техники» Минобрнауки, 2012-2013.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались диссертантом на следующих конференциях и семинарах:

• На международных конференциях: 6-ой Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы» (188С1Ш-2009), 27-30.05.2009, Великий Новгород, Россия; 16-я международная конференция по росту кристаллов (1СШ-16), 8-13.08.2010, Пекин, КНР; 9-я Европейская конференция по карбиду кремния и родственным материалам (ЕСЗСЯМ 2012), 2-6.09.2012, Санкт-Петербург, Россия; 17-я международная конференция по росту кристаллов и эпитаксии (1ССОЕ-17), 11-16.08.2013, Варшава, Польша.

• На региональных конференциях: 7-ая, 14-ая, конференции по твердотельной электронике, Санкт-Петербург, Россия (2006, 2013) и на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» (2008-2013).

Публикации

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, опубликованы в 12 работах, из них 5 публикаций в ведущих рецензируемых изданиях, рекомендованных в перечне ВАК, 2 патента на изобретение, 5 публикаций в трудах научно-технических конференций.

Структура диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, изложенных на 162 страницах машинописного текста. Диссертация включает 82 рисунка, 8 таблиц и список литературы из 177 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении излагается актуальность темы диссертации, определяется основная цель работы и ее задачи. Проанализированы проблемы в области выращивания бездефектных кристаллов карбида кремния модифицированным методом Лели на затравках различных кристаллографических ориентаций. Представлены основные результаты работы, обладающие научной новизной и имеющие практическую значимость. На их основе сформулированы основные научные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена обзору литературных данных об основных методах выращивания монокристаллов карбида кремния, основных дефектах в растущих слитках и их источниках. Проведен анализ современного состояния исследований, направленных на установление связи дефектной структуры с выбором исходной ориентации затравки.

В первом разделе приведены основные методы выращивания монокристаллов карбида кремния. Описаны ключевые особенности методов сублимационного роста и химического осаждения из газовой фазы. Данные два метода являются на сегодняшний день основными промышленными методами. В лабораторных условиях также используют методы сублимационной и

жидкофазной эпитаксии.

Во втором - пятом разделах описаны основные дефекты, встречающиеся в монокристаллах карбида кремния. Показано, что при температурах роста монокристалл карбида кремния насыщен углеродными вакансиями (до 10 см ), что теоретически может приводить к образованию вакансконных дисков и их последующему схлопыванию с образованием дефектов упаковки. Подробно описана дислокационная структура, характерная для слитков карбида кремния, и возможные варианты взаимодействия между дислокациями. Также рассмотрены планарные дефекты — малоугловые доменные границы, дефекты упаковки и причины их образования. Описаны возможные причины появления включений графита и кремния, а также включений политипов.

В шестом разделе описаны обычно рассматриваемые источники упругих напряжений, вводимых в растущий слиток, а также основные механизмы

релаксации упругих напряжений.

В седьмом, восьмом разделах рассмотрены литературные данные, посвященные дефектной структуре монокристаллов БЮ, выращенных на

8

призматических и ромбоэдрических гранях затравки, соответственно. Также приведены возможности использования многостадийного метода роста с использованием призматических граней затравки, т.н. НАБ-процесса для улучшения дефектной структуры кристаллов БЮ.

Вторая глава посвящена оптимизации методики процесса роста. В первом разделе подробно описана установка для выращивания и все ее составные части:

1) камера роста с водоохлаждаемым жакетом, присоединительными крышками, смотровыми окнами, системой ввода газов (Аг, и откачки, вакуумплотного ввода электродов, вакуумных регистрирующих ламп и датчиков давления;

2) резистивная система нагрева постоянного тока, включающая подводящие силовые кабели, трехфазный трансформатор, силовой выпрямительный блок, медные водоохлаждаемые токоподводы и шины, графитовый нагреватель оригинальной конструкции;

3) вакуумная система, включающая вакуумный пост двухступенчатой безмасляной откачки, высоковакуумный затвор, систему вакуумпроводов и вентилей, присоединительных фланцев с уплотнительными прокладками;

4) газовая система, включающая баллоны с высокочистыми газами, редукторы, буферные емкости, газовые магистрали и вентили;

5) система водяного охлаждения, состоящая из регулирующих напор вентилей и водоводов, резервных резервуаров с водой, водяного насоса, градирни-теплообменника, аварийной системы оповещения об отключении воды;

6) автоматизированная система управления и регистрации характеристик процесса, включающая: (а) по мощности — измерительные шунты постоянного тока, блок автоматического управления мощностью (БАУ), управляющий компьютер, соответствующее программное обеспечение; (б) по температуре — пирометр, регистрирующий температуру процесса в автоматическом режиме, с выходом на БАУ; (в) по давлению — соответствующие вакуумные лампы и датчики, с выходом на БАУ;

7) внутренняя арматура камеры роста, включающая (а) теплоизолирующую систему тепловых экранов; (б) ростовой тигель;

8) система внешнего крепления и расстановки составных частей установки

(каркас).

Во втором разделе подробно рассмотрен процесс подготовки затравки БЮ к процессу роста. Он состоит из кругления выращенных слитков, разрезания слитков, шлифования, полирования полученных пластин и их травления. Таким образом, из выращенного слитка получают затравку, обладающую атомно-шероховатой ростовой поверхностью, и задней поверхностью, подходящей для качественного крепления к крышке ростовой ячейки.

В третьем разделе описаны подготовка ростовой ячейки к процессу роста, процесс крепления затравки к держателю и параметры ростового процесса. Для крепления затравки использовали клеящие смеси оригинального состава. Параметры ростового процесса изменялись в зависимости от ориентации затравки.

Третья глава посвящена расчету упругих напряжений, возникающих в растущем слитке в результате различия температурных коэффициентов линейного расширения держателя и затравки, а также из-за наличия осевого температурного градиента.

Расчеты основываются на линейной анизотропной теории упругости. Для нахождения упругих напряжений и их минимизации вводится модель многослойной структуры. Минимизация введенных напряжений

обеспечивается возможностью изгиба структуры. Расчеты выполняются при следующих допущениях:

• упругие свойства и равновесные параметры решетки не изменяются внутри отдельного слоя;

• исходное состояние слоев - плоское;

• структура находится в псевдоморфном состоянии или напряжения имеют «температурное» происхождение.

Расчет ведется в кристаллографических координатах, так как это позволяет получить более компактный вид формул. Деформации описываются тензором деформации, ковариантные компоненты которого одинаковы в обеих координатных системах — до и после деформации:

еу = (Ои-О(0)и)/2, (1)

где Еу - тензор деформации, в - метрический тензор слоя после деформации, в10' - метрический тензор до деформации (соответствует равновесному метрическому тензору 0(еч)).

Соотношение между деформациями и напряжениями (Закон Гука) формально аналогично соотношению, записанному в кристаллофизических координатах:

ои = Срч% (2)

Инвариантное значение плотности упругой энергии может быть записано в виде:

Е = стмерс/2.

Предполагается, что изначально плоская поверхность многослойной структуры изгибается вследствие упругих напряжений, возникающих в момент послеростового охлаждения. Эта поверхность должна соответствовать Эвклидовой плоскости (т.н. развитой поверхности), которая характеризуется нулевой Гауссовой кривизной:

11(0) = 11(.)11(0) = 01 (3)

где т|(0) - Гауссова кривизна поверхности, Т1(1) и т|(0) - главные кривизны поверхности, соответствующие двум взаимно ортогональным направлениям на поверхности, для которых кривизна достигает максимальных значений. Для ясности предположим:

Т1(1)*0,Т1СО) = 0.

Используя эти допущения, двухслойная структура может рассматриваться как цилиндрически искривленная система, ограниченная двумя бесконечными параллельными поверхностями постоянной кривизны.

Деформация слоя может быть описана с помощью линейного преобразования Т, преобразующего линейный вектор пространства в самого себя:

Т'] = + г М'-, (4)

где 5'; - дельта-символ Кронекера, М - некоторое аффинное преобразование.

Матричное уравнение для преобразования метрического тензора:

в(г) = Т^г) С(г=0) Т(г), (5)

где С(г=0) - матрица метрического тензора для начальной точки с координатой ъ = О, Т - линейное преобразование, О(г) - матрица метрического тензора в заданной точке г, й - обозначение транспонированной матрицы.

(7)

=0)

Слой

Слой 2

<Зт(г-2,)

Ориентационное взаимодействие для границы раздела «слой 1 - слой 2» обычно записывается в виде

(6)

где Н1 = (Н] Н2 Н3), НК1), Н|(2) - индексы Миллера параллельных плоскостей слоев 1 и 2, соответственно, К1 = (К1 К2 К3), V = (Ь1 Ь2 Ь3), К'(и, Ь'{1), К'(2), Ь'р) -индексы Миллера направлений, лежащих в плоскости интерфейса, в системе координат слоев 1 и 2, соответственно. Для описания ориентационного взаимодействия используем линейный оператор Я:

Цо ^ = Ь)Р)>

^ к\2> = к'(1) и Яз 1\2) -1'(1)-Матрица Я связывает компоненты метрического тензора контактирующих слоев на интерфейсе:

о(2) = К№О(1)К,

где 0(1), 0(2) - метрические тензоры контактирующих слоев

Таким образом, нахождение удельной упругой энергии системы «держатель - затравка» сводится к нахождению метрических тензоров на границе раздела рассматриваемых слоев (Рисунок 1). Для минимизации удельной упругой энергии реализована процедура Монте-Карло, в которой в заданном диапазоне случайным образом генерируется значение главной кривизны.

В качестве материала затравки использовали 4Н-81С, материала держателя — экструзионный отечественный

графит марки МГ-1 и изостатический японский графит марки Е08-743. Была показано, что использование изотропной модели при составлении тензора модулей упругости экструзионных марок графита недопустимо, так как приводит к большим погрешностям при расчете упругих напряжений в системе (Рисунок 2).

Оо)(2=22)

2?

Рисунок

1 — Схема нахождения метрических тензоров на границе слоев

10 15

Толщина Б 1С, мм

-в-МГ-1 т1г- Еб5-743

Рисунок 2 — Зависимость удельной упругой энергии ЯЮ затравки толщиной 1 мм от толщины держателя.

Были продемонстрированы зависимости удельной упругой энергии

системы от толщины держателя и растущего слитка (Рисунок 2, 3). При

увеличении толщины держателя и постоянной толщине затравки удельная

упругая энергия 8Ю растет. При увеличении толщины растущего слитка при

постоянной толщине держателя удельная упругая энергия уменьшается.

При этом для характерного кристалла толщиной 20 мм, выращенного на

держателе толщиной 5 мм, соответствующие упругие напряжения составляют

~107 Па, что на порядок превышает критические напряжения, выше которых

начинается генерация дислокаций.

Была рассмотрена модель «свободной» затравки, в которой затравка не

крепится жестко, а свободно

располагается в ростовом канале.

Во избежание сублимации

материала с задней стороны

затравки на нее наносят

поликристаллический слой или

С. Показано, что при толщине слоя

~ 500 мкм, удельная упругая

энергия затравки достигает таких

же величин, что и при жестком

креплении (Рисунок 4). Поэтому

использование «свободной»

затравки является

бесперспективным.

Рассчитанная удельная

упругая энергия затравки,

находящейся в температурном

-з

градиенте 20 К/см, составляет 3-10 2

Дж/м , что соответствует

5

напряжению ~ 810 Па, т.е. ниже критического значения. Таким образом, главной причиной введения упругих напряжений в растущий слиток, длина которого обычно не превышает 30 мм,

Толщина держателя, мм

-♦-ММ изотропный -В-МГ-1 -±-Е05-743

Рисунок 3 — Зависимость удельной упругой энергии БЮ от толщины слитка при толщине держателя 5 мм.

~ 3,5

? О 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5

Толщина поли кристаллического слоя, мм -♦-Поли-5Ю -Ш-Поли-С

Рисунок 4 — Зависимость удельной упругой энергии «свободной» затравки толщиной 1 мм от толщины нанесенного на нее поликристаллического слоя.

является крепление затравки к держателю.

Экспериментально продемонстрированы зависимости упругих напряжений в растущем слитке от толщины держателя, и толщины растущего кристалла на графите марки Е08-743. Показано, что высокие напряжения в слитке могут приводить к растрескиванию кристалла и скалыванию растущего слитка с затравки.

Четвертая глава посвящена исследованию дефектной структуры монокристаллов 4Н-81С, выращенных на призматических и ромбоэдрической гранях затравки.

В первом разделе проанализирована дефектная структура монокристаллов 4Н-Б1С, выращенных на затравках с ориентацией (11-20) и (1010) с 5° отклонением в направлении [0001]. Показано, что дефектная структура характеризуется, главным образом, дефектами упаковки. Микропоры в кристаллах полностью отсутствовали. Для кристалла (10-10) также отсутствовали и прорастающие дислокации, которые, однако, были характерны для кристалла (11-20). Они наследуются из затравки ввиду наличия 5° разориентации. Плотность дефектов упаковки в исследованных кристаллах увеличивается по мере роста кристалла и, по данным оптической микроскопии, достигает значения 103 см"1. Показано что увеличение скорости роста ведет к увеличению плотности дефектов упаковки. Характер дефектов упаковки (внутренний по Франку (5,2)) и их плотность (~ 4.5x104 см4) анализировали методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Характер дефектов упаковки, говорит о том, что они не могут образоваться в результате скольжения плоскостей под действием внутренних напряжений, а образуются непосредственно в процессе роста.

Во втором разделе исследована зависимость образования дефектов упаковки от ориентации призматической затравки. Показано, что характер дефектов упаковки изменяется с отклонением от грани (11-20) к (10-10) (Рисунок 5). Рост на затравке с плоскостью (11-20) характеризуется накоплением «нераскрытых» дефектов

14

Рисунок 5 — «Закрытые» (а) и «раскрытые» (б) дефекты упаковки, (а) пластина (11-20), рост [11-20]. (б) пластина (10-10), рост [10-10].

упаковки, типичные размеры которых после травления составляют ~ 20 мкм х 2 мкм. Рост на (10-10) выявляет после травления большое количество линейных картин травления — «раскрытых» дефектов упаковки с типичными размерами ~ 20 мкм х 100 мкм. Дислокационная структура слитков выращенных на призматической грани затравки характеризуется наличием только базисных дислокаций. Причем объединение базисных дислокаций в малоугповые границы (МУГ) зависит от ориентации призматической затравки: вероятность образования МУГ увеличивается в направлении от (11-20) к (10-10). Установлено, что малоугловые границы образуются из-за наличия касательных напряжений в растущем слитке, образующихся в результате крепления затравки к держателю. Причем величина касательных напряжений для кристалла растущего на грани (10-10) максимальна

В третьем разделе исследована зависимость образования дефектов упаковки на затравке с ориентацией (11-20) от типа легирующей примеси. Показано, что «нераскрытые» дефекты упаковки, характерные для п-4Н-51С, раскрываются с увеличением концентрации р-типа примеси.

В четвертом разделе изучена дефектная структура слитков, выращенных на грани (11-22). Она характеризуется полным отсутствием микропор, а также снижением плотности дислокаций (на порядок величины), по сравнению с затравкой. В то же время для роста на плоскости затравки (11-22) характерно накопление дефектов упаковки и наследованием дислокаций из затравки.

В пятом разделе был реализован многостадийный процесс выращивания с последовательной сменой ориентации используемых затравок (по аналогии с представленным ранее в .литературе НАБ-процессом) для улучшения структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н. В качестве промежуточной стадии был выбран рост на гранях {10-10}. Дефектная структура выращенных слитков характеризовалась практически полным отсутствием периферических малоугловых границ, а также значительным (3 порядка величины) снижением, по сравнению с исходным материалом, плотности микропор. Вместе с тем, дефекты упаковки воспроизводились в том же количестве, что для исходного кристалла. Нежелательным промежуточным результатом реализованного многоступенчатого процесса роста явилось значительное (до 70%) уменьшение площади используемых затравок. Повторное разращивание полученных затравок до коммерчески приемлемых размеров (до 50-55 мм в диаметре) привело лишь к незначительному ухудшению дефектной структуры во вновь генерируемых периферических

областях слитка. Получены качественные образцы пластин карбида кремния

политипа 4Н свыше 2 дюймов в диаметре, характеризующиеся плотностью

микропор 5-40 см'2 и базисных дислокаций 103-104 см'2.

В Заключении изложены основные итоги выполненного исследования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Основным фактором, определяющим уровень напряжений в растущем слитке, является крепление затравки к держателю. Напряжения, возникающие в типичном кристалле толщиной ~ 20 мм, прикрепленном к графитовому держателю толщиной 5 мм, на порядок превышают критические значения напряжений, что приводит к генерации развитой дислокационной структуры.

2. Определен метод выбора материала затравкодержателя для уменьшения упругих напряжений, вводимых в слиток. Необходимо выбирать материал, прежде всего, с наименьшими модулями упругости и малым различием температурных коэффициентов линейного расширения держателя и затравки.

3. Типичные осевые градиенты температуры (< 30 К/см) вносят незначительный вклад в упругие напряжения в растущем слитке. Значения упругих напряжений, возникающих вследствие осевого температурного градиента, меньше критических.

4. Рост на призматических гранях 4Н-81С характеризуется генерацией высокой плотности дефектов упаковки. Для ромбоэдрических граней наряду с этим наблюдается наследование прорастающих дислокаций из затравки.

5. Тип дефекта упаковки, образующегося при росте на призматических гранях — (5,2) в нотации Жданова (внутренний по Франку). Характер дефектов упаковки свидетельствует в пользу ростового механизма его возникновения.

6. Морфология дефектов упаковки в монокристаллах карбида кремния политипа 4Н п-типа зависит от ориентации призматической затравки.

7. Морфология дефектов упаковки в монокристаллах карбида кремния политипа 4Н при росте на грани (11-20) зависит от типа нескомпенсированной примеси.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА ПО ТЕМЕ РАБОТЫ

Статьи в изданиях, рекомендованных ВАК

1. О включениях углерода при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли / Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Таиров Ю.М., Лебедев А.О., Фадеев А.Ю. // Известия вузов. Электроника. - 2008. - №2, с. 23-31.

2. Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4Н / Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М., Трегубова А.С., Фадеев А.Ю. // Физика и техника полупроводников. -2009. - том 43, вып. 9, с. 1288-1294.

3. О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4Н / Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М., Фадеев А.Ю. // Физика и техника полупроводников. - 2011. - том 45, вып. 3, с. 289-294.

4. Defect structure of 4Н silicon carbide ingots (Дефектная струкутра слитков карбида кремния политипа 4Н) / Lebedev А.О., Avrov D.D., Bulatov A.V., Dorozhkin S.I., Tairov Yu.M., Fadeev A.Yu. // Journal of Crystal Growth. — 2011. — V. 318. — P. 394-396.

5. О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (11-22) / Фадеев А.Ю., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. // Физика и техника полупроводников. - 2012. - том 46, вып. 10, с. 1368-1373.

Патенты

1. Способ получения монокристаллического SiC: пат. 2 405 071 Российская Федерация: МГЖ СЗОВ 23/00, С30В 29/36 / Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Лучинин В.В., Посредник О.В., Таиров Ю.М., Фадеев А.Ю.; заявитель и патентообладатель СПбГЭТУ. — № 2009115347/15 от 22.04.2009.

2. Способ получения монокристаллического SiC: пат. 2 454 491 Российская Федерация: МПК СЗОВ 23/00, СЗОВ 29/36, H01L 21/461 / Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Лучинин В.В., Посредник О.В., Таиров Ю.М., Фадеев А.Ю.; заявитель и патентообладатель ООО «ЛАДЛТИ-рост». — № 2010126019/05 от 25.06.2010.

Материалы конференций

1. О включениях графита при выращивании слитков карбида кремния модифицированным методом Лэли / Лебедев А.О., Фадеев А.Ю. // 11-я

научная молодежная школа по твердотельной электронике «Нанотехнологии, наноматериалы, нанодиагностика», Санкт-Петербург, 23-25 мая 2008 г. — 2008. — С. 39.

Структурная деградация слитков карбида кремния в процессе их выращивания модифицированным методом Лэли / Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М., Фадеев А.Ю. // VI международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы», Великий Новгород, 27-29 мая 2009 г. — 2009. — С. 12-13. Рост монокристаллов карбида кремния на неполярных гранях затравки / Авров Д.Д., Дорожкин С.И., Лебедев А.О., Таиров Ю.М., Фадеев А.Ю. // 64-я научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава университета, СПбГЭТУ, Санкт-Петербург, 25 января - 5 февраля 2011 г. —2011,—С. 58-61.

Growth of 4H-SiC single crystals on the non-basal planes (Рост монокристаллов 4H-SiC на небазисных гранях)/ Fadeev A.Yu., Lebedev A.O., Avrov D.D., Dorozhkin S.I., Tairov Yu.M., Tregubova A.S. // 15th Scientific Youth School "Physics and technology of micro- and nanosystems. Silicon carbide and related materials", St. Petersburg, October 08-09, 2012 — 2012,—P. 63-64.

Growth of 4H-SiC single crystals on the prismatic seeds (Рост монокристаллов 4H-SiC на призматических затравках)/ Fadeev А., Lebedev A., Avrov D., Dorozhkin S., Tairov Yu. // 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Warsaw, Poland, 11-16 August 2013—2013.—P. 94.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals (Монокристаллы карбида кремния сверхвысокого качества) / Nakamura D., Gunjishima I., Yamaguchi S., Ito Т., Okamoto A., Kondo H., Onda S., Takatori K. // Nature. — 2004. — V. 430.—P. 1009-1012.

Recombination-enhanced defect motion in forward-biased 4H-SiC p-n diodes (Движение дефектов, вызванное рекомбинацией, в прямосмещенных 4Н-SiC р-п диодах) / Skowronski М., Liu J.Q., Vetter W.M., Dudley М., Hallin С., Lendenmann Н. // Journal of Applied Physics. — 2002. — V. 92. — P. 4699-4704.

Подписано в печать 03.09.2013. Формат 60x84/16 Отпечатано с готового оригинал-макета в типографии ЗАО «КопиСервис». Печать ризографическая. Заказ № 2/0913. П. л. 1.0. Уч.-изд. л. 1.0. Тираж 100 экз.

ЗАО «КопиСервис» Адрес: 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, д. 3. тел.: (812) 327 5098

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

На правах рукописи

04201363095 ФАДЕЕВ Алексей Юрьевич

ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА РОСТА МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

НА ЗАТРАВКАХ РАЗЛИЧНЫХ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ОРИЕНТАЦИЙ

специальность 05.27.06 - технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата технических наук

Научный руководитель: кандидат технических наук, старший научный сотрудник Лебедев А.О.

/0

Санкт-Петербург 2013

Оглавление

Введение..........................................................................................................................................4

Глава 1. Методы выращивания 81С. Дефекты в вЮ................................................9

1.1. Основные методы, применяемые при выращивании монокристаллов вЮ.........9

1.1.1. Сублимационный рост (РУТ)................................................................................9

1.1.2. Химическое осаждение из газовой фазы (С\Т))................................................12

1.1.3. Сублимационная эпитаксия.................................................................................13

1.1.4. Жидкофазная эпитаксия.................................................................................14

1.2. Точечные дефекты..........................................................................................................15

1.3. Линейные дефекты.........................................................................................................19

1.3.1. Общие положения.................................................................................................19

1.3.2. Базисные дислокации...........................................................................................22

1.3.3. Прорастающие краевые дислокации...................................................................23

1.3.4. Прорастающие винтовые дислокации................................................................25

1.3.5. Микропоры............................................................................................................26

1.4. Планарные дефекты.......................................................................................................28

1.4.1. Малоугловые доменные границы........................................................................29

1.4.2. Дефекты упаковки................................................................................................30

1.5. Объемные дефекты.........................................................................................................36

1.5.1. Включения углерода и кремния..........................................................................36

1.5.2. Паразитные включения политипов.....................................................................37

1.6. Источники напряжений и релаксация напряжений в растущем слитке.............39

1.7. Рост монокристаллов вЮ на нетрадиционных гранях............................................42

1.7.1. Рост монокристаллов Б1С на неполярных (призматических) гранях...............43

1.7.2. Рост монокристаллов Б1С на квазиполярных (наклонных) гранях..................46

1.8. Постановка задачи..........................................................................................................48

Глава 2. Методика процесса роста...................................................................................50

2.1. Установка для выращивания слитков БЮ методом ЛЭТИ...................................50

2.1.1. Камера роста..........................................................................................................51

2.1.2. Резистивная система нагрева постоянного тока................................................53

2.1.3. Вакуумная система...............................................................................................55

2.1.4. Газовая система.....................................................................................................57

2.1.5. Система водяного охлаждения............................................................................59

2.1.6. Автоматизированная система управления и регистрации параметров роста. 61

2.1.7. Внутренняя арматура камеры роста....................................................................64

2.1.8. Система внешнего крепления и расстановки.....................................................67

2.2. Подготовка затравки вЮ к процессу роста...............................................................68

2.2.1. Кругление выращенных слитков.........................................................................68

2.2.2. Разрезание слитков Б1С........................................................................................69

2.2.3. Шлифование и полирование пластин БИТ..........................................................70

2.2.4. Травление пластин Б1С.........................................................................................72

2.3. Процесс выращивания слитков 8Ю методом ЛЭТИ...............................................75

2.3.1. Подготовка ростовой ячейки к процессу роста.................................................75

2.3.2. Крепление затравки к держателю........................................................................76

2.3.3. Проведение ростового эксперимента..................................................................77

2.4. Выводы..............................................................................................................................79

Глава 3. Упругие напряжения в монокристаллах SiC...........................................80

3.1. Расчет упругих напряжений..........................................................................................80

3.1.1. Основные теоретические положения..................................................................80

3.1.2. Анализ упругих напряжений...............................................................................85

3.2. Результаты расчета упругих напряжений..................................................................93

3.2.1. Двуслойная модель...............................................................................................93

3.2.2. Трехслойная модель............................................................................................100

3.2.3. Модель «свободной» затравки...........................................................................101

3.2.4. Осевой градиент температуры...........................................................................103

3.3. Проведение эксперимента...........................................................................................104

3.4. Выводы............................................................................................................................106

Глава 4. Рост SiC на нетрадиционных гранях затравки.....................................108

4.1. Рост на off-cut (Ю-Ю)-затравке...................................................................................108

4.2. Рост на off-cut (11-20)-затравке...................................................................................114

4.3. Рост на трех призматических затравках в одном процессе..................................118

4.4. Рост на on-axis (11-20)-затравке. Изменение типа примеси..................................124

4.5. Рост на (11-22)-затравке...............................................................................................126

4.6. Модифицированный RAF-процесс............................................................................131

4.6.1. Эксперимент........................................................................................................131

4.6.2. Особенности многостадийного процесса роста...............................................132

4.6.3. Исходные пластины ориентации (0001)........................................................... 133

4.6.4. Рост на пластинах с ориентацией (10-10).........................................................135

4.6.5. Финальный рост на пластинах с ориентацией (0001)..................................... 139

4.6.6. Разращивание затравок.......................................................................................142

4.7. Выводы............................................................................................................................143

Заключение...............................................................................................................................145

Список сокращений и обозначений..............................................................................146

Список литературы...............................................................................................................147

Приложение 1. Упругие модули и тензоры упругих постоянных..................160

Введение

Карбид кремния является единственным бинарным соединением, образуемым полупроводниковыми элементами IV группы периодической системы элементов и уже многие десятилетия привлекает к себе внимание исследователей из различных областей благодаря своим уникальным свойствам.

Большая ширина запрещенной зоны 3,2 эВ для 4Н-81С) и высокая теплопроводность (~ 400 Вт м '-К"1) делают карбид кремния идеальным для высокотемпературных приложений. Высокие значения пробивного напряжения (~ 4 МВ/см) позволяют использовать его в переключателях и преобразователях силовой и сильноточной электроники [1]. Практически отсутствующие при комнатной температуре обратные токи (благодаря большой ширине запрещенной зоны), высокое быстродействие, высокие рабочие температуры позволяют использовать карбид кремния при создании СВЧ-приборов — мощных диодов Шоттки и полевых транзисторов [2]. Устойчивость к агрессивным средам позволяет применять при создании МЕМБ-систем [3]. Например, газоанализаторы внутри автомобильных двигателей позволяют контролировать эффективность сгорания топлива, а значит уменьшить загрязнение окружающей среды и уменьшить расход топлива. Высокие пороговые энергии смещения атомов позволяют использовать карбид кремния в радиационностойких приборах [4], в т.ч. детекторах ядерных излучений.

Карбид кремния активно применяют при создании оптоэлектронных устройств. Еще в 1907 году была продемонстрирована электролюминесценция монокристаллов [5] — прямой путь к созданию светодиодов. Однако, - непрямозонный полупроводник, поэтому эффективность таких светодиодов невелика. Сегодня на основе создают УФ-детекторы [6]. Параметры решетки близки к параметрам решетки ваМ, это позволяет его использовать в качестве подложки в сверхярких голубых ОаК и зеленых ваАШ светодиодах [7]. В отличие от нитридных светодиодов на изолирующей сапфировой подложке, подложка позволяет создавать вертикальную структуру кристалла, которая подразумевает только один этап пайки контактов, что увеличивает скорость сборки светодиодов, снижает себестоимость и увеличивает их надежность.

В последнее время карбид кремния нашел свое применение в качестве подложки, на которой выращивают пленки графена [8] большой площади методом графитизации Бьграни (0001) изолирующей подложки в аргоновой атмосфере при атмосферном давлении. Одни из многочисленных перспективных применений графена:

одномолекульные газовые сенсоры, устройства спинтроники, микропроцессоры следующего поколения, терагерцовые генераторы.

Все вышеупомянутые применения карбида кремния требуют наличия бездефектной подложки большого размера. До начала 80-х годов не удавалось получить качественные монокристаллы SiC с размерами, достаточными для промышленного производства приборов. Доступные к тому времени кристаллы, выращенные по методу Лэли [9], составляли порядка 20 х 20 мм. Модифицированный метод Лэли, который в 1978 году был предложен Ю.М. Таировым и В.Ф. Цветковым [10], открыл новые перспективы в увеличении размеров монокристаллов SiC.

За последнее десятилетие были достигнуты выдающиеся результаты в этом направлении. Американская компания Cree, лидер по производству монокристаллического SiC и приборов на его основе, представила в 2005 году 75-мм пластины, в 2007 — 100-мм пластины, а в 2012 — 150-мм пластины 4H-SÍC [11]. Увеличение диаметра пластин до 150 мм является прорывом для карбида кремния, так как вся современная микроэлектронная технология заточена на диаметр 150 мм.

Кроме небольших размеров подложек быстрому развитию SiC приборов мешает развитая дефектная структура монокристаллов. Многие десятилетия основным дефектом, выводящим приборы из строя, считались микропоры, наличие которых резко понижало напряжение пробоя. На сегодня, когда доступны подложки с плотностью микропор менее 1 см"2, объектом исследования стали механизмы образования, развития остальных дефектов и методы борьбы с ними. Такие дефекты как базисные и прорастающие дислокации, развитая доменная структура, дефекты упаковки и включения инородных политипов уменьшают время жизни приборов и ухудшают стабильность их характеристик.

Дефектная структура в слитках карбида кремния является следствием многих причин. Основные из них — наследование дефектов из затравки и релаксация упругих напряжений в растущем слитке. В качестве источников напряжения в растущем слитке обычно рассматривают осевой и радиальный градиенты температуры, поликристаллическое обрамление и высокие концентрации примесей, при этом креплению затравки к держателю уделяется достаточно мало внимания. В работе рассмотрено, как влияет несовпадение параметров решетки затравки и держателя на введение напряжений в растущий слиток и, следовательно, формирование дефектной структуры. Также было рассмотрено влияние осевого градиента температур на введение упругих напряжений в слиток.

Использование нетрадиционных граней (призматических, ромбоэдрических) привлекает большое количество исследователей возможностью создания на их основе приборов с улучшенными характеристиками. Широкое распространение приборов на подложках Б1С нетрадиционных ориентаций требует налаживание монокристаллического роста на затравках нетрадиционных ориентаций. Первые попытки выращивания кристаллов 8 ¡С на призматических гранях выявили огромное количество дефектов упаковки, формирующиеся в течение роста. При этом скрупулезного описания дефектной структуры выполнено не было. Также, противоречивы данные о зависимости генерации дефектов упаковки от ориентации затравки и преобладающего типа примеси в атмосфере ростовой камеры.

Для оптимизации дефектной структуры монокристаллов Б1С, выращенных на базисной грани затравки, недавно был предложен метод многостадийного роста с использованием призматических граней, т.н. Г^АР-процесс. При этом рост проводился как на грани (11-20), так и на грани (10-10). Различий в дефектной структуре выявлено не было, что, однако, противоречит последующим исследованием. Поэтому в диссертационной работе была изучена дефектная структура монокристаллов БЮ, выращенных на призматических гранях затравки, подобрана наилучшая с точки зрения дефектной структуры грань и проведен КАБ-процесс.

Цель работы заключалась в оптимизации дефектной структуры монокристаллов карбида кремния политипа 4Н, выращенных на затравках различных кристаллографических ориентаций.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Расчет упругих напряжений, вводимых в растущий кристалл в результате различия ТКР затравки и держателя. Подбор оптимального материала держателя.

2. Расчет упругих напряжений, вводимых в растущий кристалл под действием осевого температурного градиента.

3. Изучение особенностей дефектной структуры, как результата релаксации упругих напряжений, монокристаллов 4Н-81С, выращенных на призматических и ромбоэдрической гранях затравки.

4. Изучение особенностей дефектной структуры монокристаллов 4Н-81С в зависимости от типа легирующей примеси.

5. Проведение многостадийного процесса роста с использованием выбранной небазисной грани затравки (КАБ-процесс).

*

Научная новизна выполненной диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые продемонстрирована возможность подбора оптимального материала затравкодержателя на основе расчета удельной упругой энергии монокристаллов 51С, образующейся в результате различия температурных коэффициентов линейного расширения затравки и держателя. Показано, что влияние осевого градиента температуры, как источника упругих напряжений, незначительно.

2. Впервые показано, что рост на призматических гранях 4Н-51С характеризуется генерацией высокой плотности дефектов упаковки типа (5,2) в нотации Жданова (внутренний по Франку). Для ромбоэдрических граней наряду с этим наблюдается наследование прорастающих дислокаций из затравки.

3. Впервые продемонстрирован успешный рост политипа 4Н на кремниевой грани затравки с ориентацией (11-22).

4. Впервые установлена зависимость генерации дефектов упаковки от ориентации используемых затравок. Показано, что морфология дефектов упаковки в 4Н-81С п-типа изменяется при отклонении затравки от (11-20) к (10-10);

5. Впервые установлена зависимость генерации дефектов упаковки от типа нескомпенсированной примеси. Показано, что морфология дефектов упаковки в 4Н-51С, выращенном на грани (11-20) затравки, изменяется при переходе от области п-типа к области р-типа.

Положения, выносимые на защиту:

1. Основным фактором, определяющим уровень напряжений в растущем слитке, является крепление затравки к держателю.

2. Рост на призматических гранях 4Н-51С характеризуется генерацией высокой плотности дефектов упаковки типа (5,2) в нотации Жданова (внутренний по Франку). Для ромбоэдрических граней наряду с этим наблюдается наследование прорастающих дислокаций из затравки.

3. Морфология дефектов упаковки в п-4Н-81С зависит от ориентации призматической затравки.

4. Морфология дефектов упаковки в 4Н-81С при росте на грани (11-20) зависит от типа нескомпенсированной примеси.

Достоверность полученных результатов подтверждается сравнительным анализом экспериментальных данных и данных, полученных в результате моделирования, а также имеющимися литературными данными.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались диссертантом на следующих конференциях и семинарах:

• На международных конференциях: 6-ой Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы» (158СЯМ-2009), 27-30.05.2009, Великий Новгород, Россия; 16-я международная конференция по росту кристаллов (1ССО-16), 8-13.08.2010, Пекин, КНР; 9-я Европейская конференция по карбиду кремния и родственным материалам (ЕСБСГШ 2012), 2-6.09.2012, Санкт-Петербург, Россия; 17-я международная конференция по росту кристаллов и эпитаксии (КХХдЕ-П), 11-16.08.2013, Варшава, Польша.

• На региональных конференциях: 7-ая, 14-ая, конференции по твердотельной электронике, Санкт-Петербург, Россия (2006, 2013) и на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» (2008-2013).

Глава 1. Методы выращивания SiC. Дефекты в SiC

1.1 Основные методы, применяемые при выращивании монокристаллов SiC

Для большинства полупроводниковых кристаллов характерным является рос�