автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Магнетронные методы выращивания пленок AIN для устройств электронной техники

ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт

"ТЕХНОМАШ"

На правах рукописи

ПАЩЕНКО Павел Владимирович

1АГНЕТРОННЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНОК AIN ДЛЯ УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

пециапьность: 05.27.01 — Твердотельная электроника, микроэлектроника

и наноэлектроника 05.11.14 — Технология приборостроения

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва — 1998

Работа выполнена п лаборатории ионно-плазменнои технологии и вакуумных процессов ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт "ТЕХНОМАШ".

Н а \'ч н ы й р\' к о во д 11 те л ь:

кандидат химических наук, ст.н.с. Белянин А.Ф.

Нлучнып консультант: Лауреат Государственной премии,

доктор технических наук, профессор Глотов В.Г. Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Блохин В.Г.

кандидат технических наук Митрофанов Е.А.

Ведущая организация Институт микроэлектроники РАН, г. Ярославль

Защита состоится 8 октября 1998 г. в 14 часов на заседании диссертационного совета К 110.02.02 в ОАО ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" по адресу: 121351, Москва, ул. Ив. Франко, д. 4.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ОАО ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ".

Автореферат разослан "5 { " й^ПзСТд 1998 г.

Отзывы просим направлять в двух экземплярах, заверенные печатью, по адресу: 121351, Москва, ул. Ив. Франко, д. 4, ученому секретарю диссертационного совета.

Ученый секретарь

диссертационного совета К 110.02.^2,

к.т.н, ст.н.с

Сахно Э.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В настоящее время А1\ является одним из самых ектпвных материалов электронном техники. Интерес к A1N для применения в ээлектронике вызван прежде всего такими его свойствами, как сравнительно aie теплопроводность (100—170 Вт/м • К при комнатной температуре) и ость (S—10 по шкале Мооса). Эти параметры A1N позволяют использовать его в :тве теплоотводов мощных транзисторов, диодов и др.. а также теплопередаюшего житного слоя в устройствах термопечати. На основе керамических и шических подложек и диэлектрических кристаллических пленок A1N возможно "овление теплоотводяших подложек с характеристиками, превышающими сгеристики высокотоксичной керамики на основе ВеО. AIN обладает высокой скоростью распространения поверхностных акустических (ПАВ) (5,67 км/с) и сильным пьезоэлектрическим эффектом (коэффициент тромеханическои связи -0,8%), что делает его перспективным для тоэлектроники. Технология изготовления элементов устройств акустоэлектроники ПАВ с использованием пленок A1N с упорядоченным строением и слоев 1кристаллического алмаза (скорость ПАВ ~9 км/с) позволяет снизить расход окристаллических пьезоэлектрических материалов, а с применением обычной гактной печати для формирования электродов встречно-штыревых збразователей — расширить диапазон функционирования устройств на ПАВ в асть СВЧ (> 1 ГГц).

Легированный соответствующей примесью A1N является широкозонным проводником (ширина запрещенной зоны 6.2 эВ). На основе слоистых структур (аз/AlN, где A1N выполняет роль полупроводника n-тппа проводимости, трудно лизуемой у алмаза, возможно изготовление температуро- и радиационностойких нзисторов и интегральных схем. Недавно в вакуумной электронике определился герес к использованию источников электронов на основе широкозонных гериалов (алмаз. AIN, c-BN), поверхности которых при определенных условиях laaaiOT отрицательным сродством к электрону, то есть дно зоны проводимости же уровня электронов в вакууме. Применение указанных материалов, среди торых AIN наиболее доступен в виде пленок большой площади, дает возможность изить порог эмиссии при изготовлении на их основе ненакаливаемых катодов тройств эмиссионной электроники.

Диссертационная работа посвящена разработке научных основ и технической .зы, промышленного и исследовательского оборудования для выращивании шьнотекстурированных пленок A1N методами магнетронного распыления на

подложках из аморфных и кристаллических материалов и использования этих гслек в различных устройствах электронной техники.

Актуальность темы определяется тем, что к началу выполнения работы имел; большая потребность в устронстнах на основе пленок A1N и вместе с i отсутствовали промышленное оборудование и технологические процео обеспечивающие производительное выращивание пленок AIN' с упорядоченн строением п воспроизводимыми свойствами на подложках различных материалов.

Целью работы является разработка технологии и оборудования выращивания тонких пленок A1N с упорядоченным строением, пригодных . изготовления тонкопленочных термопечатающих матриц, фильтров и линий задерл на поверхностных акустических волнах, иенакативае.мых катодов.

Поставленная иель достигнута:

- Созданием элементов конструкции и новых вакуумных устано магнетронного распыления для выращивания снльнотекстурированных пленок A1N поверхности подложек из аморфных и кристаллических материалов при низ (< 573 К) температурах.

- Исследованием взаимосвязи конструкции установок ВЧ-магнетронн распыления и параметров процесса получения пленок A1N с особенностямп строения.

- Разработкой, изготовлением и испытанием устройств электронной техники основе пленок A1N.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые:

1. Разработан и изготовлен магнетрон, исключающий загрязне выращиваемых пленок материалами несущих конструкций.

2. Проведены комплексные исследования процесса роста пленок реактивным ВЧ-магнетронным распылением и изучены их структурные особенное'

3. Созданы тонкопленочные термопечатающне матрицы, в конструк! которых входит многослойное защитное покрытие на основе A1N, выдерживаю воздействие ударных нагрузок.

4. Изготовлены и испытаны ненакаливаемые катоды на основе Si-острий структур с покрытием из AIN и фильтры на поверхностных акустических волна; частоту 1,52 ГГц на основе слоистого звукопровода: поликристаллический алмаз/А

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Конструктивно-технологические решения применения магнетрон! распыления для выращивания пленок A1N, по строению близких монокристаллическим, при низких (< 573 К) температурах подложек из аморфш кристаллических материалов.

2. Результаты экспериментальных исследовании влияния условии осаждения на 1ень кристалличности и строение кристаллической фазы пленок A1N.

3. Результаты испытании тонкопленочных термопечатаюших матриц, фильтров иний задержки на поверхностных акустических волнах, ненакаливаемых катодов, этовленных на основе пленок A1N.

Практическая ценность работы

1. Разработаны и внедрены узлы и блоки (магнетроны. ВЧ-генераторы, очники постоянного тока и др.), предназначенные для модернизации серийных уумных установок, с целью их использования для выращивания пленок.

2. Разработано и внедрено несколько типов промышленных и ледовательских установок магнетронного распыления, предназначенных для зашивания пленок A1N.

3. Разработаны и внедрены тонкопленочные термопечатающие матрицы очного и точечного типов, в конструкцию которых входит многослойное защитное срытие на основе A1N.

4. Разработаны, изготовлены и испытаны фильтры и линии задержки на зерхностных акустических волнах, а также острииные ненакаливаемые катоды на гове пленок A1N.

Внедрение результатов работы

Материалы диссертационной работы использованы в следующих организациях:

]. Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств Калуга) — использование термопечатаюших матриц строчного и точечного типов с цитным покрытием на основе A1N в телетайпных устройствах;

2. Научно-производственное объединение "ЭЛЕКТРОНПРИБОР" (г. Ярославль) использование термопечатаюших матриц с защитным покрытием на основе AIN в гройствах вывода информации ЭВМ;

3. В/ч 35533 (г. Москва) — использование магнетронов, блока питания и снологической оснастки при модернизации установки ЭРА;

4. Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры РОГРЕСС" (г. Москва) — использование ВЧ-генератора в установках ионно-азменного травления и распыления;

5. Закрытое акционерное общество Центр новых технологий "ОПТРОН" Москва) — использование магнетрона и блока питания при модернизации

тановки КАТОД-1M с целью выращивания пленок A1N и их применение для »вышения теплопроводности керамических подложек;

6. Научно-производственная фирма "МИКРОС" (г. Москва) — использова! магнетрона при модернизации установки ШАБЛОН-1 для получения фотошаблон пспользуемых в производстве больших интегральных схем;

7. Акционерное общество закрытого типа "ТЕХНОМАП" (г. Москва) использование специально разработанной и изготовленном устано плазмохимического травления;

S. Институт физической химии РАН (г. Москва) - использование специал разработанной и изготовленной установки ВЧ-магнетронного распыления выращивания пленок A1N;

9. Физико-техничеекий институт Уральского отделения РАН (г. Ижевск) использование магнетрона и ВЧ-генератора при модернизации установки КАТОД-для выращивания пленок A1N;

10. Научно-исследовательский институт вакуумно-электронного машиност^ ния (г. Ижевск) — использование магнетрона и ВЧ-генератора при модерниза установок для выращивания пленок A1N и их применение в качестве защите покрытия термопечатающих матриц;

11. Завод "ПРОТОН" (г. Зеленоград) — использование магнетрона л бл питания при модернизации установки УВН-71П-3;

12. Государственное предприятие Учебно-научно-производственный це "ПОИСК" (г. Йошкар-Ола) — использование магнетрона для выращивания пле AIN и их применение как пьезоэлектрика при создании устройств на поверхност акустических волнах и в качестве защитного покрытия тонкопленоч; термопечатающих матриц.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались XII научно-технической конференции, посвященной Дню радио, Москва (19 111 Всесоюзном межотраслевом совещании "ВТСП в электронике", Киев, Укра (1990); 1 Всесоюзном межотраслевом совещании "Применение различных мете распыления для выращивания тонких пленок", Йошкар-Ола (1990); XII Hay* техническом совещании подсекции "Новые материалы для микроэлектрон! Применение традиционных и разработка новых пленочных материалов сенсоэлектропике", Кацивели, Украина (1991); I Международном семинаре алмазным пленкам, Улан-Удэ (1991); II—VIII Международных симпозиумах "Тон пленки в электронике": Ижевск (1991), Йошкар-Ола (1992, 1994, 1996), Улан-(1993). Херсон, Украина (1995), Харьков, Украина (1997); V Межрсгиональ совещании "Новые материалы в ВТСП-электронике", Клев, Украина (1994); HayL практической конференции "Вакуумная техника и вакуумные технологии", Харь Украина (1995); V] Российской конференции с участием зарубежных сиециалт

ика и технологии алмазных материалом", Москва (1996); I Научно-практической кремнии "Новые высокие технологии производства радиоэлектронной ратуры", Москва (1996): 2, 3 и 4 Российских конференциях "Высокие технологии юмышленности России", Москва (1997. 1998); Международной конференции азы в технике и электронике", Москва (1998); Всероссийском симпозиуме рфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург (Î99S); 9ih pean Conference on Diamond, Diamond-Like Materials. Nitrides and Silicon Carbide. Greece (1998).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 25 печатных работ (22 статьи, 2 :ов докладов и 1 информационный листок), получено 4 авторских свидетельства зобретения. Структура и объем диссертаиии

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из наименований и приложений. Работа содержит 187 страниц основного текста, тющих 32 таблицы и 77 рисунков.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы; сформулированы цель работы, ее реализации, основные защищаемые положения; показана научная новизна, .тическая ценность; предстаатены результаты внедрения разработанного ологпческого процесса выращивания пленок AIN, оборудование для тествления процесса и устройства микроэлектроники на основе пленок A1N.

В первой ¿лаве обсуждаются физические свойства пленок A1N, которые дают южность улучшить характеристики и расширить рабочий диапазон параметров ойств микроэлектроники, акустоэлектроники и других областей электронной ики. Представлен обзор методов (эиптаксиальные методы, методы вакуумного ¡рения и нонно-плазменного распыления) и условий (состав, давление и расход в; температура подложки и др.) получения, строения, некоторых свойств и icTeii применения пленок AIN. Из анализа литературных данных показана :пективность ионно-плазменных методов, в частности магнетронного распыления, выращивания пленок A1N, по строению близких к монокристаллическим. ' Всесторонне рассмотрены установки магнетронного распыления мышленного и исследовательского назначения; конструкции использованных в источников постоянного тока и ВЧ-генераторов; а также конструкции планарных миндрических магнетронов, которые могут применяться для выращивания пленок

AIN. Проведен анализ требовании к магнитным материалам, условиям формирова и крепления мишеней.

Показаны перспективы использования пленок AIN при изготовле различных устройств микроэлектроники.

На основе анализа существующих подходов и технических реше сформулированы требования, выполнение которых необходимо при разрабс технологического оборудования для выращивания пленок A1N. В конце гл обосновываются этапы работы для достижения поставленной цели: разработк изготовление магнетронных распылительных систем; проведение экспериментов выращиванию пленок A1N и исследование их строения; испытание пленок AI! конкретных устройствах электронной техники.

Вторая глава посвящена описанию разработанных узлов л элемеь высоковакуумного оборудования (магнетронов, источников постоянного "л ВЧ-генераторов), а также установок в целом. Рассмотренные устанс использовались для выращивания тонких пленок различных материалов, в том 41 пленок A1N.

Представлены разнообразные конструкции магнетронов: для модерниза установки ВУП-5; цельнометаллические магнетроны; магнетроны, применяемые модернизации промышленных вакуумных установок серии УВН (размеще магнетронов в смотровые окна и основание вакуумных камер) и др.

Рассмотрены установки катодного ВЧ-распыления УВН-62П-3 и магнетрош ВЧ-распыления КАТОД-1М, модернизированные путем монтажа в вакуум камерах пленарных магнетронов, разработанных специально для выращива пленок A1N, и установка ПЛАЗМА-ЗМЦ, созданная на базе вакуумного модуля ли непрерывного действия ПЛАЗМА и оснащенная цилиндрическим магнетроном.

Показаны особенности конструкции магнетронов, примененных в работе выращивания пленок A1N реактивным ВЧ-распылением алюминия в газовой ск Ar + Ni в составе модернизированных промышленных установок КАТОД-1М, У 62П-3, установке ПЛАЗМА-ЗМЦ и др. (рис. 1). В разработанных магнетрс использовались планарные А!-мишени прямоугольной формы размером 232 х 96 (установка КАТОД-1М); 180 х 100 мм (УВН-62П-3) и круглые — диаметром 68 (специально разработанные установки, ВУП-5). Кроме того, применя; цилиндрическая А1-мишень — наружный диаметр 135 мм, высота 70 мм (ПЛАЗ! ЗМЦ). Толщина использованных А1(99,99%)-мишеней 6—12 мм. В разработан магнетронах применялись Со—Sm-магииты КС-37 (остаточная магнитная индук — не менее 0,77 Тл, коэрцитивная сила 1300 кА/м, магнитная энергия 55 кДж/ Мажнтная индукция на поверхности А1-мишени толщиной 6 мм составляла -0,25

Уплотнение Мишень

Магниты / Держатель магнитопровод

Экран Корпус

Фланец

Экран

Изолятор ц| Магниты Твода Мишень i Вода

а

± И N N H

• 5 / S s S s

<г> К H К N к к

Рис. 1. Конструкции магнетронов, используемых для выращивания пленок A1N в установках: а) КАТОД- 1М; б) УВН-62П-3; в) ПЛАЗМА-ЗМЦ.

©

Газопровод Экран Рамка Магнитопровод Мишень Корпус Магниты

©

Магнит

Магнитопровод \ Мишень

од \ Мише

Вода

В разработанных и модернизированных установках использовались ышленные ВЧ-генераторы (]3,56 МГц) мощностью 4 и 2,Я кВт. а также 1ально разработанные генераторы мощностью до 1.5 кВт.

Рассмотрены конструкции разработанных и использованных источников 1ия магнетронов постоянного тока (с электронно/! лампой, с магнитным ггелем, бестрансформаторный источник питания); ВЧ-генераторов ■контурные по схеме емкостной трехточки и двухконтурный).

Третья глава посвящена изучению влияния особенностей конструкт установок п параметров процесса получения на строение и свойства пленок A1N.

Пленки AIN получали методом реактивного магнетронного ВЧ- и постоянном токе распыления Al в газовой смеси Ar + Ni. На постоянном то получены текстурированные по <0001 > пленки A1N со скоростью осаждения 2,5 мкм/ч.

В данной работе основное внимание уделено ВЧ-магнетронному распылени Показана возможность получения пленок AIN из порошковых и керамическ мишеней со скоростью осаждения -0,2 мкм/ч. Наибольшая скорость роста и лучш структурные характеристики пленок A1N достигнуты при ВЧ-магнетронИ' реактивном распылении Al-мишеней. Продемонстрирована возмохоюс выращивания пленок A1N с . упорядоченным строением на подлохсках аморфн (ситалл СТ-50-1; плавленый кварц С-5-1; стекло К-8; пленки Та, Al и Cr, осажденн электронно-лучевым и термическим испарением; слои АЬОз, сформированн электролитическим окислением Al) и кристаллических (сапфир ((X-AI2O3), ориентац (0001) и (01 12); Si{lll}; полнкристаллический алмаз; поликор (поликристаллическ а-АЬОз)) материалов. Адгезия пленок AIN. выращенных на неподвижных подлож» указанных материалов, более 2 кгс/мм2.

Строение пленок A1N исследовалось методами pacTpoBoii и просвечиваюш электронной микроскопии; рентгеновской дифрактометрией и топографт электронографией; а элементный состав аморфных пленок — оже-электронн спектроскопией. Показано, что пленки A1N, осахеденные с использован» разработанных магнетронов, состоят из аморфной и кристаллической ф Кристаллическая фаза пленок аксиально текстурирована по <0001 > и им столбчатое (волокнистое) строение с направлением оси текстуры вдоль направлен волокон, образующих пленку. Волокна состоят из кристаллитов — област когерентного рассеяния рентгеновских лучей — размером 10—60 им. Аморфная ф заполняет промежуток между волокнами. Степень кристалличности, т.е. количес-кристаллической фазы в объеме пленки, меняется в зависимости от усло£ осахсдения: от 0 (аморфная пленка) до 100%. Кристаллическая фаза пленок fi характеризуется параметрами кристаллической решетки, размерами кристаллитов, формой и ориентированием. Установлено, что тип текстуры <0001 > пленок Alb широком диапазоне не зависит от условий процесса осаждения и матери; подложки.

На рис. 2 представлены сколы пленок A1N, выращенных на подложках моно поликристаллического сапфира, а также дифрактограмма пленки A1N, осажденной слое поликристаллического алмаза, выращенного на Si-подложке.

Рис. 2. Строение сколов пленок A1N, выращенных ВЧ-магнетронным распылением на подложках: а) а-А120з(0112); на врезке представлена электроно-фамма пленки, полученная на отражение; б) поликристаллический AI2O3 (поликор); в) дифрактограмма (Си ka-излучение) слоистой структуры Si/ajiMa3/AlN.

Было показано, что один из основных факторов, определяющих строение металлической фазы пленок, — это положение подложек в процессе осаждения енки относительно источника распыления, а следовательно, относительно правления потока пленкообразующих частиц. Последнее зависит от конструкции 1гнетронном распылительной системы, используемой для выращивания пленок, усмотрено влияние конструкции планарных и цилиндрического магнетронов на роение выращиваемых пленок. Исследовалось изменение степени кристалличности

(.1). скорости роста (V), размера кристаллитов (областей когерентного рассеян рентгеновских лучей, Ь), наклона оси <0001 > текстуры относительно нормали плоскости подложки (а), разориентации зерен относительно оси <0001 > текстуры I и параметра решетки вдоль оси "х" (С) в зависимости от положении анализируемс участка пленки относительно плаиарных и цилиндрического магнетронов (рис. 3,а на котором / — расстояние от проекции центра мишени на подложкодержатель анализируемого участка пленки).

ПЛАНАРНЫЕ МАГНЕТРОНЫ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ МАГНЕТРОН

Модернизированная установка УВН-62П-3

10 30 50 /, ММ

Модернизированная установка КАТОД-1М

Установка ПЛАЗМА-ЗМЦ

10 30 50 /, мм -30 -10 ,10 30 /, мм

. . , Подложки ^Область распылени*

ASTM

©

0 20 40 60 80 100 I. ММ

0 20 40 60 80 100 /, ММ

б '

100 -50

©

50 100 /, мм

Рис. 3. Зависимости скорости роста, степени кристалличности и строения кристаллической фазы пленок A1N, выращенных на подложках из плавленого кварца, от положения анализируемого участка пленки относительно мишени пленарных и цилиндрического магнетронов.

При перемещении подложек в процессе выращивания пленок относитель магнетрона (скорость вращения подложек на иодложкодержателс карусельного тг 30—90 об/мил. скорость осаждении пленки 1.08 мкм/ч) осажденные пленки име

шическне напряжения, что выражается в увеличении параметров кристаллической етки (с — 0.50027—0,50298 нм) ио сравнению с пленками той же толщины, пленными при тех же условиях на неподвижные подложки (с < 0,4995 им). С эяженнъгм состоянием пленок AIN, выращенных на перемешающихся подножках, ¡ана их слабая (< 1 кгс/мм2) адгезия. Для пленок, выращенных на вмещающихся подложках, характерно слоистое строение. Степень сталлнчности пленок A1N, осажденных на подложках, перемещающихся эсительно области распыления, составляла 10—50%.

Образование кристаллической фазы связано со скоростью осаждения пленки. )ростъ осаждения пленки ь ВЧ-процессе зависит от мощности, подаваемой на нетрон с ВЧ-генератора. Минимальная скорость осаждения пленки, при которой Зильно формируется кристаллическая фаза, составляет 0,8 мкм/ч.

Было показано, что тип текстуры выращиваемых методами ионно-плазменного пыления пленок связан с наличием атомной шероховатости ростовой поверхности, "ласно этому, текстурирование A1N (пространственная группа Рбзшс) может »¡сходить по направлениям вдоль винтовых осей симметрии 63 — <0001 > или 2t — 120>. На основе расчетов показано, что формирование A1N происходит на ¡ерхности подножки. Ориентирование оси текстуры относительно подложки зеделяется напра&тением потоков пленкообразующих частиц.

Изучено влияние концентрации N2 в газовых смесях Ar + Ni, Не + Ni. + Не + N2 и давления газовой смеси на тип формирующейся текстуры и строение тсталлической фазы пленок A1N, выращенных на неподвижных подложках из ивленого кварца. Пленки A1N выращивались при следующих диапазонах раметров: концентрация азота в газовой смеси Аг + N2 (С\'2) — 10—100 ьемных %; давление газовой смеси в вакуумной камере (Р) — 13,3—1,33- 10"2 Па; ¡¡стояние между мишенью и подложкой (Нм.п) — 60—90 мм; напряжение ВЧ-зряда — 200—350 В; величина электрического смешения на подложке (UCM) — 20— В; температура подложки (Т„) — 373—773 К; ток анода — 1 — 1,4 А; полезная щность — 2,5—3 кВт.

Установлено, что тип формирующейся текстуры не зависит от концентрации Ni газовой смеси и его парциального давления в вакуумной камере. Влияние менения концентрации азота в газовой смеси Ar + Ni на строение кристаллической 13ы пленок A1N показано в таблице 1. При концентрации Ni в газовой смеси ■ + Ni менее 50% процесс осаждения пленки A1N сопровождается осаждением AI, о м свидетельствуют его отражения (111). (200), (311) и (222) на дифрактограммах.

Таблии

Влияние концентрации азота в газовой смеси Ar+N2 на CTpoei кристаллической фазы пленок A1N

Состав газовой Скорость Толщина Параметры кристаллической

смеси , об. % осаждения пленки, h, фазы пленки a1n

пленки. V, мкм

аг n2 мкм/ч J, % L. нм с. нм а, град

50 50 3,6 0,9 3,0 12,5 0,49826 6,2

40 60 3,2 0.8 52,8 54,8 0,49840 2,7

30 70 2,6 0,65 49.8 43,2 0,49840 2.6

20 80 2,4 0,6 11,6 31,3 0,49920 9,0

10 90 2.3 0,57 30,9 38,7 0,49893 5,4

0 100 2.2 0.55 10,6 27.7 0.49933 9.1

При использовании для распыления А1-мншени ионизированного- > (Р = 0,8 Па, Нм_„ = 90 мм, Ти = 573 К, UCM = 30 В) образуются рентгеноаморф} пленки A1N. Скорость их осаждения не превышала 0,8 мкм/ч.

Было изучено влияние давления газовой смеси (40% Аг + 60% N2) на строе] пленок. Пленки, выращенные при давлении > 10 Па. характеризуются ма степенью кристалличности. На дифрактограммах пленок, полученных при различ! давлениях газовой смеси, присутствуют только отражения (OOOn) A1N.

При введении гелия в газов\то смесь Аг + NS уменьшается скорость рост изменяются параметры, характеризующие кристаллическую фазу выращенных плег

Пленки, полученные в газовой смеси Не + N2, были рентгеноаморф Пленки, осажденные при использовании газовых смесей Не + Аг + N2 (40:40:20 Не + Аг + N2 (20:60:20), содержали в виде второй фазы алюминий.

При некоторых условиях осаждения пленок на монокристалличес подложках возможно проявление эпитаксиального роста. Например, на подложка) AI2O3CO] 12) при ВЧ-магнетронном распылении А1 в газовой смеси Аг + N2 ; температуре 473—873 К рост пленок A1N происходит одновременно по нормальн (нетангенциальному) (0112)а-А120з/(0001)А1К и эпитаксиальн

(01 12)а-АЬОз/(1120)A1N механизмам. При этом в зависимости от уело проведения процесса в пленке A1N могут преобладать зерна, выросшие эпитаксиально, или по нормальному механизму роста, с соответствуюи изменением на дифрактограммах интенсивности отражении (0002) и (112 0).

Дополнительные, помимо (ОООп), отражения на дифрактограммах наблюдак также у пленок A1N, легированных различными элементами. Для получе легированных пленок использовались керамические, порошковые и состав мишени. Керамические мишени были изготовлены горячим прессованием с\'

рошков: 69—S9 вес.% AIN; 10-30% Al, 0.2-5% SmF3 (EuF3, Eu203. TbFj, ErF3). |рошковые мишени имели тот же состав, что и керамические, и изготавливались годом нанесения в углубление магнетрона лабораторной установки суспензии из рошка заданного состава в этиловом спирте и ее просушивания. Навеска порошка 1 магнетрона, разработанного для работы с мишенью диаметром 6S мм, составляет 0 г. Составные мишени состояли из фрагментов двух металлов: основной — А! + талл — источник легирующей примеси (Mo пли Сг). В составной мишени площадь тапла — источника легирующей примеси, занимала 0.1—0,5% площади области :пыления мишени, что обеспечивало введение в пленку AIN до 25 вес.% примеси.

Скорость роста зависит от состава газовой смеси, полезной мощности ВЧ-зряда и положения подложки относительно мишени, но вид кривых V(f) (рис. 3) и любых условиях проведения процесса не меняется. Скорость роста не зависит от . териала подложки и не влияет на ориентирование волокон, составляющих пленку, следовательно, на ориентирование оси <0001 > текстуры пленки. Наибольшая чшина пленки и максимальная скорость роста наблюдаются на подложке, гановленной напротив центра мишени, и уменьшаются при перемещении подложки оль радиуса мишени.

В зависимости от условий получения пленки имеют различные механические пряжения. Механические напряжения (а„) в пленках A1N рассчитывались по ношению интегральной интенсивности рентгеновских лучей, дифрагированных 1ДЛОЖКОЙ без пленки, на рентгенограммах, снятых по методу Фудживара (анализ флексов (2202) и (224 3), и интенсивности отражений рентгенограмм, снятых с даожкн а-А)20з(0112) с пленкой A1N. Область пониженного контраста на нтгенограммах соответствует области формирования пленки A1N. Для анализа тряжении использовались пленки A1N, выращенные при следующих условиях: = 0,8 Па, С№ = 60%, Нм.„= 90 мм, UCM = 30—70 В. Для пленок толщиной 6,1; 8; 4; 6,3 мкм, выращенных при Т„ = 373; 573; 673; 773 К, оц=3,0; 4,9; 1,5; 3,6 ответственно. Данные рентгеновской топографии показывают, что с ростом лщины пленки механические напряжения при различных температурах могут как еличиваться, так н уменьшаться. Это указывает на то, что изменение параметров щетки пленки A1N с ростом ее толщины связано не только с напряжениями.

В четвертой главе представлены условия изготовления и результаты испытаний □личных устройств электронной техники на основе выращенных ВЧ-магнетронным юпылением пленок A1N. Пленки A1N использованы в качестве: а) защитного жрытия тонкопленочных термопечатающих матриц устройств связи; пьезоэлектрика устройств на поверхностных акустических волнах; в) материала с р/шательным сродством к электрону ненакаливаемых катодов.

Тонкопленочные термопечатающис матрицы (ТТМ). Рассмотрены конструкт разработанных ТТМ, технология изготовления защитного покрытия, приводят! резул ьтаты и сп ытан и й.

Показано, что материал слоев защитного покрытия, их строение, толщина последовательность нанесения определяются конструкцией ТТМ и условия» эксплуатации. Многослойные защитные покрытия получены путем последовательно нанесения слоев аморфных A1N и АЬОз, а также кристаллического A1N с внугренш волокнистым строением. Слой кристаллического AlNr (2,5—4,5 мкм) защищает ТТ от механического воздействия, а слой аморфного A1N (~0,2 мкм) обеспечива адгезию многослойного защитного покрытия л защиту Та-резисторов от окислен при осаждении слоя АЬОз. Слой аморфного AI2O3 (-0,2 мкм) наносился д регулирования тепловых потоков от термопечатающих элементов (ТП5 представляющих Та-резистор с защитным покрытием. Управление механически] напряжениями защитного покрытия и его износостойкостью осуществлялось пут изменения степени кристалличности выращиваемого слоя A1N и ориентирован зерен кристаллической фазы относительно направления воздействия механическ нагрузок в процессе эксплуатации ТТМ. Концентрацией кристаллической фазы пленках A1N управляли напряжением смещения на подложкодержателе, ориентированием зерен кристаллической фазы — положением подло» относительно области распыления мишени. Суммарная толщина защитного покрыт ТТМ определялась условиями формирования резисторов и проводников и составл,' ~3—5 мкм.

Защитное покрытие с кристаллической структурой на основе A1N получали г следующих условиях: Р = 0,8 Па; С]м2 = 60%; Нм.„ = 90 мм; Т„ = 573 К и 473 UCM = 45 В, а аморфные пленки A1N — при Р = 0,8 Па; С^2 = 60%; Нм.„ = 90 j Т„ = 573 К и 473 К; UCM = -50 В.

Слой аморфного АЬОз осаждался распылением А1 в газовой смеси Аг + О С0, = 60—70%) при тех же параметрах процесса, что и для осаждения аморфн A1N. Осаждение многослойного покрытия AlNaMop(i, + AI2O3 аморф. + А1Ыкрист. велос непрерывном технологическом цикле.

Показано, что при формировании Та-резисторов и проводников (А1 Cr + Си + Ni + Сг) химическим травлением или анодированием (электролитичес селективное окисление Та н А1) получается ступенчатая поверхность. На рис. 4 приведены поперечные разрезы тонкопленочных термопечатающих матриц, резнет и проводники которых изготовлены методами травления и анодирова! Экспериментально установлено, что при осаждении пленок A1N мето магнетронного ВЧ-распыленпя при различных условиях проведения проц

ошенпе скоростей роста защитного покрытия на плоскости рельефной ерхности матрицы, параллельной (Vu) поверхности подложки, и на плоскости, пендикулярной (Vj) подложке (торцевые поверхности рельефа), составляет 'V, = 7—9 (рис. 4,а). Исходя из этого следует, что сглаживания рельефа ерхности, обусловленного проведением процесса литографии, при нанесении ночного покрытия из AlNr не происходит. Это подтверждает профилограмма ьефа поверхности ТТМ (рис. 4.г).

Применение процесса анодирования позволяет уменьшить, по сравнению с цессами травления, высоту ступеней на поверхности матрицы до 0,3—0.5 мкм при марной толщине А1-проводников и Та-резпстивного слоя, равной 2 мкм (h| — на . 4,б,в), а следовательно, минимально необходимую толщину защитного покрытия

Рис. 4. а) Зависимость скорости осаждения пленки A1N от угла наклона под-[ОЖЮ1 из плавленого кварца к поверхности мишени; б, в) фрагменты поперечных >азрезов тонкопленочных термопечатающнх матриц, в которых резисторы и провод-шки сформированы методами химического травления (б) и анодирования (в); -е) профилограммы поверхности защитного покрытия на основе A1N в процессе 1ксплуатации матрицы: г) до начала эксплуатации; д) через 100 ч; е) через 600 ч.

Были изготовлены тонкопленочные термопечатающне матрицы строчнс (ТТМ-28) и точечного (ТТМ-85) типов. ТТМ точечного типа имели разм 3,4 х 19,2 мм и содержали 35 (7 х 5) танталовых ТПЭ размером 0,3 х 0,3 м сформированных на площади 2,7 х 1,9 мм. Матрица строчного типа имела разм 60 х 30 мм и содержала расположенные в ряд 80 танталовых ТПЭ размер 0,5 х 0,4 мм. В ТТМ-28 использовались Та-резпсторы и многослойные проводники Cr + Си + Ni + Сг, в ТТМ-85 — Та-резпсторы и А1-проводннкп. Толщи тонкопленочных проводников (А1 или Cr + Си + Ni +. Сг) составляла 1—2 мкм, резисторов — 30—50 им. Выращивание слоев (AIN^,^,. + А^Оз аморф. + AlNKpH защитного покрытия ТТМ-28 проводилось при Тп < 473 К из-за применения спл; Sn—Bi (температура плавления ~503 К), наносимого на контактные площадки ; распайки навесных элементов (бескорпусные диоды) на плате ТТМ. В услов] воздействия ударных нагрузок работала ТТМ-85.

Эксплуатация ТТМ точечного типа осуществлялась при следующих услови частота ударов головки 20 Гц, давление на поверхность головки в момент ее конта с теплочувствительной бумагой 3 ■ 102 кПа, длительность импульса печати 10 Эксплуатация ТТМ строчного типа осуществлялась при следующих услов! скорость печати 21 знак/с; давление прижима 0,3 • 102 кПа; длительность импул печати 15 мс. Разогрев ТПЭ в процессе эксплуатации матриц достигал 573 К.

В результате испытаний тонкопленочной термопечатающей матрицы ТТМ-резисторы и проводники которой выполнены методом анодирования, б) обнаружено, что после эксплуатации в течение 600 часов уменьшение толщ1 защитного покрытия составляло не более 15%. Изменение электрическ сопротивления ТПЭ в конце испытаний не превышало +10%. После 600 чс (4,3 • 107 циклов печати) эксплуатации матрица осталась работоспособной (рис. 1 Ресурс работы ТТМ-85 с защитным покрытием из A1N толщиной 2,5—3 мкм бс чем в 200 раз превышает ресурс работы ТТМ-85, выполненной с двухслош защитным покрытием на основе SiCb (-2,5 мкм) и AI2O3 (-2,5 мкм). Чт тонкопленочные термопечатающне матрицы ТТМ-85, резисторы и проводи которых формировались методом травления, обладали таким же ресурсом, необходимо изготавливать с защитным покрытием, толщина кристаллического с A1N которого составляет -4,5 мкм.

Термопечатающне матрицы ТТМ-28 эксплуатировались при воздействии то; истирающих нагрузок. За время испытаний (> 600 часов) изменений в защит покрытии не обнаружено.

, Испытания показали, что ТТМ обоих типов с защитным покрытием на oci AIN работоспособны в диапазоне температур от 213 до 355 К и влажности 80—9091

Устройства на поверхностных акустических волнах. Звукопровод устройств на 5 на слоистых средах представляет подложку непьезоэлектрического материала с ¡сенной пьезоэлектрической пленкой. Была показана возможность применения [стых структур подложка/А^-пленка для изготовления линий задерх<ки (ЛЗ) и ьтров на ПАВ. В устройствах на ПАВ A1N является пьезоэлектрпком, рируюшим ПАВ и преобразующим их в электрический сигнал посредством ечно-штыревых преобразователей (ВШП).

Эквидистантные ВШП изготавливались из пленки А1 толщиной ~200 нм езионныи подслой — ванадий толщиной ~30 нм) методом контактной и жционной (для фильтров на частоту 1.52 ГГц) литографии. Во всех конструкциях ойств толщина звукопровода больше длины ПАВ рэлеевского типа (X).

В таблице 2 представлены результаты исследования влияния материала южки на частоту' акустического синхронизма (f) и вносимые потери (Г) огласованный режим) фильтров, сформированных на слоистых звукопроводах южка/А1М-пленка. Все фильтры, приведенные в таблице 2, имели одинаковые шетры ВШП: число пар электродов, M = 20; период решетки, 2S = S0 мкм, где шаг решетки; расстояние между группами ВШП, В = 5 мм; длина электродов, 5 мм.

Таблица 2

Параметры фильтров на ПАВ с использованием звукопровода подложка/AlN-тка

Подложка Параметры фильтров

Г, дБ f, МГц

1вленый кварц 43 42,0

шкор (поликристаллич. а-А^Оз) 42 72,0

1203{0001} 35 74,9

шкристаллич. алмаз - 111.4

Наиболее высокие частоты при одинаковых размерах ВШП достигаются на ложках с высокой скоростью ПАВ: а-А^Оз (Vr « 6 км/с) и алмаз (Vr ~ 9 км/с).

Помимо указанных в таблице 2 на слоистых звукопроводах i2)a-Ab03/(0001)AlN и (0001)a-Al203/(0001)AlN были изготовлены ЛЗ на частоты ,9 и 504,8 МГц (толщина пленок A1N 3,2—5,6 мкм). Направление возбуждения В — | 2 110]. Указанные ЛЗ имели время задержки 0,465, 0,493, 0,930 и 0,986 мкс; ффициент электромеханической связи, к2 =0.1—0,12%; скорость ПАВ = 5,680—5,996 км/с; вносимое затухание Г = 33—44 дБ.

Наличие пленки A1N толщиной 5 мкм на поверхности а-АЬОз приводит к тичению затухания от 0,35 дБ/см до 1,25 дБ/см на частоте 150 МГц.

Следовательно, применение толстых пленок A1N нецелесообразно. При увеличен рабочей частоты необходимо совершенствовать строение кристаллической фа пленок AIN с момента их зарождения.

Для создания устройств на ПАВ СВЧ-диапазона (> 1 ГГц) nan6oj перспективна пара алмаз/AlN. Это связано с тем. что алмаз имеет максимальн среди существующих материалов скорость распространения ПАВ, AIN Han6oj близок к алмазу по этому параметру, а частота обработки сигнала пря пропорциональна скорости ПАВ: f = VR/4d. где d — ширина электродов BLI (d = S/2).

Для создания фильтров на ПАВ СВЧ-диапазона использовались слоист структуры Si/aflMa3/AlN и W/arcMa3/AlN, на поверхности которых были сформирова ВШП (рис. 5). В этих структурах звукопроводом является поликристаллический алл со слоем A1N. На слоистых структурах Si/ariMa3/AlK изготовлены фильтры на П. для частот 0,8149 ГГц (М = 20, 2S = 11,25 мкм, В = 2,8 мм, А = 3 мм) (Г = 46 ; к2 = 0,09%, h = 3,2 мкм, VR = 9,17 км/с) и 1,52 ГГц (М = 10, 2S = 6 мкм, В = мм, А = 0,2 мм) (li = 1,5 мкм, Vr = 9,2 км/с).

Длмаз/AIN AIjOyAIN

AIN""3 | 0,75 [ \ V^UNbO,

Пл.кварц/AIN

0.25 L ~

Слой поликристал- ~V пического алмаза

3 1,5

1,25

ш" 1

н о 0,75

м т 0,5

0,25

81(У\0-лодложка

Рис. 5. Конструкция фильтра на поверхностных акустических волнах на слоистой структуре ал-маз/АШ.

1 2 3 4 5 Ширина электродов ВШП, с!, МКМ

Рис. 6. Зависимость рабочей частоты фильтров на поверхностных акустических волнах от ширины электродов для различных звуко-проводов.

Для создания фильтров на ПАВ с f > 500 МГц использовались механичес полированные (перепад высот рельефа слоя Rz < 0,04 мкм) слон алмаза толщиной мкм и неполированные (среднеарифметическое отклонение профиля ростоЕ поверхности Ra = 0,2085—0,4280 мкм) слои алмаза толщиной 12—14 мкм.

Пьезоэлектрические пленки A1N на поверхности алмаза выращивались л следующих условиях: Р = 0,6 Па; Т„ = 573 К; UCM = 25 В. При выращиван пьезоэлектрической пленки A1N на полированных слоях алмаза для увеличен адгезии осаждался переходный слой аморфного A1N толщиной 0,1 мкм.

Таким образом, применение слоистого звукопровода из слоев (кристаллического алмаза и A1N позволяет достигнуть частоты 1.52 ГГц с эщыо широко распространенных методов контактной печати с разрешением а км.

Рис. 6 демонстрирует преимущество применения многослойной структуры 13/AIN. обладающей наивысшей среди известных материалов скоростью ПАВ. для товления СВЧ-устройств акустоэлектроники (> 1 ГГц) по сравнению с окристаллическими пьезоэлектриками (LiNb03) и слоистыми структурами на эве звукопроводов с меньшими скоростями ПАВ (плавленый кварц/AlN и )3/AlN).

Ненакаливаемые катоды. Основным элементом приборов вакуумной роэлектроники является ненакаливаемый катод. Были изготовлены и испытаны 1зцы ненакаливаемых катодов на основе пленок A1N, осажденных на выращенные гаксиально кремниевые микроострия. Изображение Si/AlN-эмптгера, полученное астровом электронном микроскопе, показано на рис. 7. Исследование полевой ссии было проведено в вакуумной системе с ионной откачкой при давлении • 10"6 Па. Расстояние от острий до анода составляю 200 мкм.

ю-6

Ю"7

; юв 1 о9 10""

1

А M / Si

/;' Si/AIN 4

и\

Рис. 7. Снимок Si/AlN-эмит-тера, сделанный на растровом электронном микроскопе.

200 300 400 500 600 700 800 и, В

Рис. 8. Вольт-амперные характеристики ненакаливаемых катодов.

Были исследованы Si-острийные структуры с AlN-покрытиями толщиной 0,1 — км. В качестве острийных автокатодов использовались нитевидные кристаллы Si, :ющие радиус кривизны при вершине < 25 нм. В экспериментах использовались оды. содержащие только один остринный элемент. Si-острия выращивались одом "пар-жидкость-кристалл". Высота нитевидных кристаллов составляла )0 мкм.

Максимальный ток, получаемый с Si-эмиттера. как правило, не превышал мкА. Эмиссия с Si-острий, покрытых A1N толщиной более 1 мкм. при анодных

напряжениях до 5 кВ отсутствовала. При толщинах A1N менее 0.5 мкм обнаружь увеличение эмиссионной способности по сравнению с Si-остриями без A1N. Воль амперные характеристики (ВАХ) Si-эмиттера. на поверхности которого была осажде пленка AIN толщиной 0,5 мкм, представлены на рис. S. Кривые даны для дв направлений измерения: "вверх" от нуля до соответствующей максимальной величш и "вниз" (от соответствующей максимальной величины до нуля). Порог эмиссии сравнению с Si-катодо.м снизился на -200 В. Наблюдался воспроизводим! гистерезис ВАХ. Для сравнения на том же рисунке приведены ВАХ Si-эмитгера £ покрытия.

Использование пленок A1N, легированных Mo или Сг. уменьшает пор эмиссии по сравнению с нелегированными пленками. На воспроизводимость В/ катодов со слоем A1N влияет неконтролируемое содержание примесей, в частност кислорода.

Основные результаты работы

1. Анализ методов получении тонких пленок A1N показал, что магнетронн распыление может быть использовано для выращивания пленок A1N упорядоченным строением кристаплпческой фазы.

2. Разработаны технологические условия выращивания сильнотекстурированн: по <0001 >, близких по строению к монокристаллическим, тонких пленок А методом ВЧ-магнетронного реактивного распыления А1 в газовой смеси Аг + N2 подложках из аморфных и кристаллических материалов при температурах < 573 К.

3. Изучено строение пленок A1N полученных методом ВЧ-магнетроннс реактивного распыления. Установлено, что пленки A1N состоят из аморфной кристаллической фаз. Кристаллическая фаза пленок A1N имеет волокнистое строен и ее рост происходит по нормальному (нетангенциальному) механизму.

Показано, что направление оси текстуры пленок A1N (пространственная груп Pôjinc), выращиваемых магнетронным распылением, связано с наличием атомн шероховатости ростовой поверхности. Согласно этому, текстурирование А происходит преимущественно по <0001 >.

Ориентирование оси <0001 > текстуры A1N относительно подложки зависит направления потока пленкообразующих частиц в процессе осаждения пленки.

4. Исследовано влияние конструкций планарных и цилиндрическс магнетронов, а также параметров процесса получения пленок AIN методом В магнетронного распыления А1 в азотсодержащей газовой смеси на степе кристалличности и строение кристаллической фазы.

5. Разработаны принципиально новые конструкции тонкопленочных мопечатаюших матриц строчного (ТТМ-28) и точечного (TTM-S5) типов, защитное :рытие от механических повреждений которых содержит слон ткристаллического текстурированного A1N. Показано, что в условиях воздействия рных нагрузок ресурс работы ТТМ с защитным покрытием на основе AIN более I в 200 раз превышает ресурс работы матриц с защитным покрытием, состоящим 3iCb и АЬОя.

6. Показана возможность использования слоистой структуры подложка/AlN-нка, где подложка — плавленый кварц, поликор. сапфир и алмаз, для отовления линий задержки и фильтров на поверхностных акустических волнах в тотиом диапазоне до 1,52 ГГц. Впервые на основе слоистых структур Si/aiMa3/AlN, ючающих в качестве звукопровода слои поликристаллического алмаза и стурированные по <0001 > пленки AIN, изготовлены фильтры на частоты 0,8149 и I ГГц.

7. Впервые изготовлены и испытаны ненакаливаемые катоды на основе [готовленных из нитевидных кристаллов кремния острийных структур, покрытых нкой A1N. Использование AlN-покрытия приводит к снижению порога эмиссии на >0 В.

8. Разработаны, изготовлены и внедрены не имеющие аналогов:

а) Установки для выращивания пленок A1N методом ВЧ-магнетронного ктивного распыления:

- с цельнометаллическим планарным магнетроном, корпус которого изготовлен распыляемого материала (А1). Основное достоинство магнетрона — отсутствие эязнения выращиваемых пленок материалом несущих конструкций.

- с цилиндрическим магнетроном. Основное достоинство установки — можность выращивания на неподвижных подложках пленок A1N на большей, по внению с известными, площади.

б) Планарные магнетроны, предназначенные для модернизации серийных уумных установок серий УВН, КАТОД и ВУП с целью использования их для )ашивания пленок A1N.

9. Выращенные с использованием разработанного оборудования по дложенным технологическим условиям пленки AIN рекомендуется использовать в естве износостойкого материала, пьезоэлектрика и материала, обладающего ицательным сродством к электрону в микро-, акусто- и эмиссионной электронике.

Основные положения диссертации опубликованы в работах:

1. Беляпмм А.Ф., Бульенков H.A.. Корсун Г.И., Пащенко П.В. Изуче взаимосвязи парамет1юв процесса и конструкции установки для получении пле нитрида алюминия методом высокочастотного магнетронного реактивн распыления с особенностями их строения // Техника средств связи. Сер. ТПО. Е 1. 1985. С.87-95.

2. A.c. 1349140. МКИ4 В 41 J 3/20. Термографическая печатающая матрии Белянин А.Ф., Бульенков H.A., Казарьян В.К., Корсун Г.И., Пащенко П.В., 1 Маркарян A.A., Рыженков А.И. № 3997177/28; заявл. 27.12.1985.

3. A.c. 1361884. МКИ4 В 41 J 3/20. Тонкопленочная термопечатающая матр / Белянин А.Ф., Тер-Маркарян A.A., Казарьян В.К., Корсун Г.И., Рыженков А Пащенко П.В., Спмеонова И.С., Семенов А.П. № 3997177/28; заявл. 29.12.1985.

4. A.c. 1702046. МКИ5 F 16 К 3/04. Дросселирующий клапан / Пащенко Г Бесогонов В.В., Белянин А.Ф., Симеонова И.С. № 4624332/29; заявл. 21.12.1988.

5. Белянин А.Ф., Зеленчук П.В., Казарьян В.К., Пастощук О.Б., Пащенко 1 Люминесценция пленок A1N, активированных РЗЭ // Техника средств связи. < ТПО. Вып. 1. 1988. С.57-60.

6. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Евсеев В.З., Симеонова И.С. Вакуум установка ВЧ-магнетронного распыления для получения пленок высокотел ратурных сверхпроводников // Информационный листок № 90-1799. "Экое". 1990.

7. A.c. 1780344. МКИ5 С 23 С 14/35. Устройство для нанесения диэлект ческих пленок в вакууме / Белянин А.Ф., Бесогонов В.В., Корсун Г.И., Пащенко 1 № 4785031/21; заяач. 28.05.1991.

8. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Семенов А.П. Устройство высокочастот? магнетронного распыления для выращивания тонких пленок // Приборы и техн эксперимента. № 3. 1991. С.220-222.

9. Белянин А.Ф., Бесогонов В.В., Елисеев А.Ю., Житковский Е Пащенко П.В. Применение ВЧ-автогенераторов в установках распыления и травле // Материалы 11 Всесоюзного межотраслевого совещания "Тонкие пленкг электронике". Ижевск. 1991. С.47-52.

10. Пащенко П.В., Глотов В.Г., Белянин А.Ф., Романов Д.В. Нанесение пле сложного состава методом магнетронного ВЧ-распыления // Материалы 11 Всесс ного межотраслевого совещания "Тонкие пленки в электронике". Ижевск. 1991. С 53.

11. Белянин А.Ф., Пащенко П.В. Конструкции магнетронных распылитель систем (обзор) // Техника средств связи. Сер. ТПО. Вып. 1, 2. 1992. С.6-27.

12. Белянин А.Ф., Пашепко П.В. Конструирование магнетронных распыли-шх систем, используемых для производства ГИС и устройств функциональной юэлектроники //Техника средств связи. Сер. ТПО. Вып. 1, 2. 1992. С.28-47.

13. Белянпн А.Ф.. Корсун Г.И.. Романов Д.В., Пащенко П.В., Етпсеев А.Ю., wob Е.В., Крикун Е.А. Монтаж магнетронов в смотровые окна серийных )'.мных установок // Материалы III Межрегионального совещания "Тонкие ки в электронике". 4.1. Йошкар-Ола. 1992. C.3S-40.

14. Белянин А.Ф., Богомолов А.Б., Пащенко П.В., Сушеннов Н.И.. >явцев Т.Л., Одинцов М.А. Магнетронные распылительные системы для отемпературного выращивания пьезоэлектрических пленок AIN // Материалы Межрегионального совещания '"Тонкие пленки в электронике". Ч.П. Йошкар-Ола. . C.78-S4.

15. Белянин А.Ф., Богомолов А.Б., Пащенко П.В., Филатов В.Н., Абакумов Е.В. менение пленок A1N в качестве теплоотводящего и износостойкого покрытия эйств микроэлектроники // Материалы III Межрегионального совещания (кие пленки в электронике". Ч.П. Йошкар-Ола. 1992. С.121-123.

16. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Житковский В.Д. Планарные магнетронные ылптельные системы в технологии ГИС // Материалы IV Межрегионального шания "Тонкие пленки в электронике". Улан-Удэ. 1993. С.30-42.

17. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Житковский В.Д., Елисеев АЛО. Блок 1ния постоянного тока для магнетронных распылительных систем // Материалы ежрегионального совещания "Тонкие пленки в электронике". Йошкар-Ола. 1994. -47.

18. Белянин А.Ф., Найда С.М., Пащенко П.В. Магнетронная распылительная жочастотная система на основе вакуумного поста ВУП-5 // Труды Украинского умного общества. Т.1. Киев. 1995. С.217-220.

19. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Буйлов JT.J1., Спицын Б.В., Елисеева Н.П. эойства на поверхностных акустических волнах для частоты выше 1,5 ГГц с эльзованием слоистой структуры алмаз/AlN // Материалы VI конференции зика и технология алмазных материалов". Москва: "Полярон", 1996. С.62-65.

20. Пащенко П.В., Найда С..М., Елисеев А.Ю., Житковский В.Д. Высоко-зтный источник питания постоянного тока для магнетронных распылительных гем с падающей характеристикой на основе магнитного усилителя // Труды айнского вакуумного общества. Т.З. Харьков: 1997. С.470-473.

2). Пащенко П.В. Тонкопленочные термопечатаюшие матрицы ударного типа "руды Украинского вакуумного общества. Т.З. Харьков: 1997. С.525-527.

22. Пащенко П.В., Найда С.М., Житковский В.Д.. Комаров Д.; Залав\тдпнов Р.Х.. Елисеев A.IO. Система магнегронного распыления на ВЧ постоянном токе на базе ВУП-5 // Материалы 2 Российской конференции "Высок технологии в промышленности России (Техника средств связи)". Москва. 1997. С. I 24.

23. Кузьмичев А.И., Пащенко П.В.. Илюшечкин А.Ю. Бестрансформаторн источник постоянного тока для магнетронных распылительных систем // Материа 2 Российской конференции "Высокие технологии в промышленности Росс (Техника средств связи)"- Москва. 1997. С.31-35.

24. Бундов Л.Л., Пащенко П.В., Сшшын Б.В. Блок питания постоянного т< для магнетронных распылительных систем и устройств дугового разряда Материалы 2 Российской конференции "Высокие технологии в промышленно России (Техника средств связи)". Москва. 1997. С.50-52.

25. Пащенко П.В.. Житковский В.Д.. Найда С.М., Елисеев А. Перевозчиков Б.Н., Сушениов Н.И., Илюшечкин А.Ю. Двухконтурный автогенера для магнетронных распылительных систем // Материалы 3 Российской конфереш "Высокие технологии в промышленности России". Москва. 1997. С.15-21.

26. Spitsyn B.V., Zhirnov V.V., Blaut-Bachev A.N., Bormatova L.V., Belyanin A Pashclienko P.V., Bouilov L.L.. Givargizov E.l. Field emitters based ou Si tips with . coating // Diamond and Related Materials. 1997. № 7. p.6'92-694.

27. Белянин А.Ф., Пащенко П.В., Семенов А.П., Шулунов В.Р. О двух ti планарных магнетронов // Материалы 4 Российской конференции "Высс технологии в промышленности России". Москва. 1998. С.31-39.

28. Алексенко А.Е., Буйлов Л.Л., Пуряева Т.П., Спицын Б.В., Белянин А Пащенко П.В., Сушениов Н.И. Алмазные пленки — активные компоненты устро функциональной и эмиссионной микроэлектроники // Труды Междунаро; конференции "Алмазы в технике и электронике". Москва: "Полярон", 1998. С.107-

29. Белянин А.Ф., Буйлов Л.Л., Жирнов В.В., Каменев А.И, Ковальский 1 Пащенко П.В.. Спицын Б.В. Пленки A1N: получение, строение и применен] электронной технике // Тезисы докладов Всероссийского симпозиума "Аморфш микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург. 1998. С.78.