автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование структурных свойств приповерхностного слоя кремния, имплантированного высокими дозами углерода
Автореферат диссертации по теме "Исследование структурных свойств приповерхностного слоя кремния, имплантированного высокими дозами углерода"
ИЛЦГО^ЧЛЬИлЛ ЛЧЛ'1К"НШ/ОЛЛ ^ЛГК.ШГШ ХЛЯЛ£СТЛИ
Г Г Б О Д }»'стйгут -íü-'ii шсохнх эиш nit
í 9 СЕН mh
УДХ »ШЛ5,cn-.s?.%31 lïs Щ.-ÍVÍX pywtmn«
íl'iñciiíxniií!:: Ну\гл-ла Бейссдзлжишч
нсслкдо«лпт: стр ncrmmx amücn» ИгМИОтгРЗДЮСПЮГО СЛОИ КРЕаШШ
угд!:1'од\
Сяе«;:зяьять € *.27.0Î - гаезд'ггс.'Ег.нйя але'ягрлглпса и г.иролттреиниа
Л UTO PE EP AT
."'fcccpr.'ífí'í'j ça соискание ученой crencin« кандидата физнго-вдтсмзтичссгиа паук
ЛЛМЛШ 1<М4
Работа выполнена в Нлототум'физики ыяоиыс кгзрпй HAH КС.
НаучиыЯ руководители ' «ыдадемг фазжочагсхагичзокцх юув
Нуоупоз К.Х.
Офщиалыю «яаокоигш . доктор ^ясазочатситячгокиг тук,
прс£згсср Uopp:oz¡¡4 D.U. кацдоод Ç:i3iu«Huaïe«Kcct:j» iayu Цаодаоа Х.Р,
Вздугал сртнямция: ^ »»«яуу а. •П.И.Яо&г.зм.
РАН
сс-зго;;гся ¿>¿¿№¿<^1 Ií jí го;,л ь/û !..
саседлшш сс;:у.л К.СОЗ.СЭ.ОХ np:s П^з^п^.з
РАН ко адроауг R"/.22, Kor,;::ai;OvO рдПс:^, "s3j;cs-
cr,o;¡ o&aqki, ВШ РАН.
G ;r,.:.o:y;>tл..;,,:.. r. .....
V*îT.¿Ч"«. IíUIJ-^Jli < ÎJ СОúDO'í/iJ itJri,
i:z':c.pyjir,os РАН.
Asïopcispv JÜCOOC.»! « fp" Учашй секретарь -
оп2Цгдллв1»"роБаг»нсго сопота,
Кй!Ш,И.? ХШИЧООННХ 1'О.уг. . . Н.В.Личкоы.
ещш ЖРИЕЕЕгИПЕШ- PASOS!.
АЕтутносгь рабсш. Цзтшв для по^горозоднш'-овой олектро-шисп ®Я32-«)-22«Еге8СЕ2в свсйс?Е5 гкзрбяда гсргышгя (високая подвий-еооть еоспто.*гс£ гота, хорстая гггипчосвая к гагмнчэекая стойкость , высокая твердость, Еяротеал зспрецоппая sena, погыоггпооть получеши материала о оламрепноЛ и дорсчпаЯ проводгаюстьв я ■г.д.) ответ основой как для шрокого применения в пряборсстроа-шз, тш: и для плтепсгДш'шсл: помздовангй по получении киоска-кзчествопшк структур SiO-Si.
Поспо.чы:7 характеристика полущюводягковше щяборез опрэдо-дяагоя авсЗоявеш самого шгоркола, проблема анрагзгоашя jazcoso-качесгвопплх амор$Ш2» поликрзедаллачвекяз: и ыоаокгяеталяэте с:аz плело:? пграег ооповнузэ рол> прз их изготовлении.
Проблема гэхшлоггя получения карбида кргышл заключается та только в трудности пзготовленяя слоев о заданной структурой, по я в паовхедакоепх кентрохщхтагь тает» процесса, как даойкнкогандо, образованно парзгятзыг зародагей, еозшкяовешв той ши иной кряогалхпчешссЗ структура я т.д. В связи о аата необходимы к&и дальнойзао усоворЕснетвсвапяэ ок&ствущ-сс , нзтодов выридиванкя пленок S10 (газо- или ггидкефззная вшггакезя), так и развитие коти методов их получения. Больетаа вегмекаоетгат в ртом нгдравле-дан обладает метод ионной гаяшиташа.
Синтез соединений о использованием ионпой имштк-ецил поэво-ляег управлять глубиной и количеством внедренного елемэнта прд озиоситолько низкой теьтературе и высокой степени чистота процел- ■ са. создавать необходимую стехиометрию, а такке дефицит аэд иябы--гок компонента в твердой фазе кг» гтоверхнисти или в объеме кристаллической рзаетка. Мотод ионv.cti чзаамшии поз»ог«ар ees-
давать гатвроотруктуры jJ-SIO - SI (ширина запрещенной золы 2.39 в
1.1t вВ при кошатаой тетера-тура, соотвэгствеяно), хотя иэзду
расвткаш крешая и карбида крзшшя оущеотвуе? значительное нзоо-
о
сягветогша (параметра flele 5.431 а а„, » 4.3596 А). Везаше свой-
S* Б IС
отва карбида крошшя'дела»? истуалыгаш исследования по взучопиа выасгшооти свойств ошггогирозелшх слозв SÍO от условий впэдрэ-*шя, гшюх jia« вкергая сяодряоша частиц, доза шпдашгащга, роиш последувдой торуообрабогка и т.д.
Актуальи&а тдшгоя такко иосишдовшшя, каоиздкося оовор-венотвовашш штодов ДЕйгооагащ отрукзуры нолно-кшдштхразгшша олобв. Из кзваочких ыагодоз, щгзаовлоглп дал еналззз поз&рхпоогс: (олоктродогра^ш, Ш'.-слиггр-омхпил, Розорфордаэакио сбрагноо рассадит, оллаюештрая в я.д.), йот од рснгголозсглС дпфракцка хегк прайса истод косладоваквя сгрукгура йог du багь одзэд аз вагшл; ири иоолодовашп сгруетура иояао-ЕШдажгароз^ятси - олаэз. Одкако малая ^ояцкда олоя (обычно ионоо 1 uicj), й зкааю шзкга втоуныЗ; Boa а?шоа Si к 0, входаада в состав Едшицшгразишого слоя, дэ-лаат вооша вагрудадгедышу щедоншзю егогс иэюда. Нащкиор, среда 38 кауодоз Еоасодозгшя поноргпоогл, подробна опаолЕниг в [1], штод poHiTOHoaoiMÜ: ^poiac^ I3ji2i:xs400ia so упешнаоуся. Tei¿ во Ы2деэ к нсогоедсуу 'вреизли спубдпкодгял дло-грд работа о iíocojibsoaaiEieii градлдмшюй рсаггопссоюЗ даСрззщпл к соаяздога-ада ЕхплаыкхровгяЕш; углародси ахозв крекзя. Поогсод дадьшзСгзо расшрааао uoscosaoosoS дшкого коуодо >дяа вэу«мш ^сарувада. 1:01Ш0-12.г1Л£Ш'трсаалпо:чз :чол }:рсз£пл прэдЬ?аса;йт са^оотоа-
телыш2 isi'íopac.
Ell В.Т.Чорегош, М.а.Васильев. Методы и прабора для анализа по- . ¿oprnourií мэтерлслоь, Справочник.- Киев. Наукоаа дунка, 1932.
Наяь настоящей работа заключалась и кс&яиексяои исследоваши процеоесз, прсгекаищих в прлпозерхяостной области гз0*-тшлзнтй-рсвшщого кришпд в аштеишюти от различии уолоанй внедрения. Раосмо'грены шшяшш тшата параметров так концентрация» форма профиля распределения тодрептх атомов, температура отгагэ гш процессы тфлстзллазацпн ¿гремим л карбида крештя.Прн пточ отвиплзпь а рог&яясь слодуггдяэ вздатл;
1. Конструярозатта расчетный способом пряноугольного, дя-дййно-сяадж",з1Ю п гауссовою про?даай распределения 420+ а крем-гптл. Эксттершоптальная проверка ссотвзтсгвзл расчетных и вкспергс-шнтальнш: крншх.
2. Ештаяониэ закокеызрвостеЗ влияния кенцелтрзцаз внедренного углерода я тешге-ратурп окнга по процесса крзтаалетзощЕ! 810 а 81 в кяьтоптщювштсм сдоэ.
3. йссле довели» влияния форш прсфия распределения 1а0 в 01 па процзосн краояаллязацпя, структурой и фзаоенл соогпв го.-гх-лашгаровашого сдоя.
4. Аплетз структурного состоят пэрэходной области "плеяка-подлогиа" посла оттяга.
5. Исследование вогмсетостей метода рентгепозсжоЗ дифракции о щязмэпевиец паклоишх и скользяазгх пучков в традиционней гео-цйтрги Брэгга для акшшза 1аО*на^антаровагта елеов ирештая.
Пвутаая постзв» работа есс?с::з в той, что в еэй згшршв:
1. Показало, что образовали^ ползиряотавлствек а: фаз 31 и ,а-8Ю в процесса озетга вдэ* различат» образом а $&виси? от от-нсшениЗ концентрации. утлэрода к нонценгрвдаи хроинид,
С 31
Предлагай доханигм образован«! я роо?а обета: фаз, объяснят®^ пол учетные результаты.
2. Приведены подученный распзтшм /тем л :хроворек?ти> окопе-
{яшеэталшо величины внергий в доз для конструирования прямоугольных распределений ía0 в 81 о различный кяачепиеы ковцаа«ра-цгн Nc/Het s пределах os 0.01 до 1.4. Определены уолошш шашв-тации для получения в 1фвмаии олоя оо огежисшатдаащаш соогавом S1-0. Драозводопа оценка крзтпчаокой дозы еморфазацвз крвшш углеродом.
3. Показана зашсшоогь процаооов »ддеояшшюздаи, отруетур-пого s (разового ооотаза аиплсатароашша слоев крешая от ©ор«и профиля распрадэлехшя вводреаного углерода.
4. Предлагая ыа^од опрадэлеягя ооогагяолея объецов подшфно-тйлшчосяш £йз Si г ¿№10, образугащхся в штвцтпротввш сдоэ, в sûiœô юмячестаешой оцеша дола объема шла-Б1, поресадаэго в c-Si _ процоооэ шоскотешературного отаага.
5. Првдяоаеп ыохашюы ойразовашхя и нзизавздя шогооло&шз структур в шшшггрова^нсЙ о&шшг о csmoatoogg о? vmmepaïypu отзяга.
6. Показана цршешаюоть фогогрьфзчоысэго ш5ода ренттюз-ской двфракцаа в традшщонноЗ dporroacKcû гешэ^рщ о сспользова-шгеа наклонзшс н сколъзязпх: у^кадаггзрогшшз: пучгсз для ссола-дсгглгя comas („0.1 1.23.1 ) 0Х05В Егиаглг^зровахшого углародои КрСи-ЕгЯ. '
Гг'-.г-ктгдаспгл дедчакгогггь рг.ботп вшушзгггеяг '
- D lOMCHíisa уояоввй солучоная однородного s качественного слоя пс^дряетадитаесвего pSlQ доз кузд ira^ooJMispaEniaj
- s спрадолгасш pmwoa оЗлучсякя для получения сдаздкдшшш* ■ слоев кратны о дрлиоугольшай! про^ая&и распродохоапя в зэдез-. гг^а ъелгсннама ьсздедарацпл Езедргягаго углерода{ -
- в определении кригичесвоЗ дма capfrrestsra двя' прямоугольного ЯрСдйДЛ. KOïOpSâ ДЛЯ ПСПСЛЬЗЗГбЦОГО .ДиЕПйэОНД GtiûpPîiS - (3-40
;r:B) гжпвя {30 дочс» n щъг.хл?, (0.9-2.7) ИО,йе:Га* -- n сггр-детепг;.? ктрсц'сапсл nsuiciiíT"»:« If //»' »• ?¿,vx.i-
о :¡ ovo; ¡¡ ушгоугем-гд:« lipc^'jen
г : с • i> o-;- -J. J. ï .vy;:;/v u:\-.y i i'."t- jm.v:;
- n :'••> vcvvev с i-.-íí. ; nr.v.ev, .us:-vf.;<ei:ej:vv:,4;:: rn:i;i:r:!;í ;•/.'..{!•..■> -.-п'j tí v ¡^..'¡^.'..^^'г-.'си.^л! (iv^CJovv
! '-.ЧД.) i! i i.'.'/.:. - '. i J.4 JVv": " ÍH.': TC.'U- -'W w
— '> < \: v: vá v, : ,¡,■ v'vj ' : i'í '¡'>::í:'-'-.гv v;Oívk.v > vvvv .■; .v.v.J.' i V 'J.n'<■ i"
HV ùf:i.-'ÏÏU'àJViiyi < «
vil^vi' cwv>>•■• e v:v:v ч::-" ;¡j'':v:v¡mí
1. vïvev-v'ii ;-*.VÍ¿ v-
OVfv v;v:;»..',v>í :¡i ' X :iO>Vr~>Vi V'4;Vs e/'JVHlVI frjvs
.'■•'> is V vrvv.vítvvvi vuvv;:.;.;,.1.' ¡ г4л,
:"ï,r/-"v; ¡:Я VVÍ V-JCVJÍ rvTc-b-iv.;/n: ; :;íf0f0 ь « Ï: C;...VÏLI3-
J. j'v v""-; vv- ' •;.".'■•■ ni v ¡.'-'ПО
г'";"; í^vvrv, *..- ; v-w"vvj.. :::v -..v.: 1: oj
прс-Г''*-- r^cir:?"«;;"*;^ * vi ¡i Ri» 3. Г^С-'З^РТХОО^Й »Г8С0Д CCCTUOSSKTÍS ОЙ С-УСЗ ÏÎO-
¡¿мз 3Î ¡' "-319 г^:~^"'Нтрс::зднс'5 глс9» 8 toi«» гагяпосгггЕпеЗ сценки доха обмеми bojk-Sí, аерчгвдогро » c-Gri s процесса eJ2ôoico5eOTop3i'naîoro сятр-и
6. уэзетге;; ¡tpac^jsfwxuti« по"1-,,-. обь-к-гге» орйютл-
• - в -
шоть процессов кзсоюоштет от коэдспгращл caospsssá D t^-ca- •
вий qicwob уггородо. * •
7. Шшиа образозгзшя к кшзаззаа tccrewustes сурухд'ур ¿ша воаздз2чй в saaacseoss: ог «гьагхйгш! d Сйзяг •
крошек с ïzûoœojasûkî расарэдзяспййа уг«о|ьгдэ.
S. öovorp&5u40QS23 иод î?s2ïrôBcs<&s2 s çjj&œi-
сашзй ' йреггсоокаЗ гвсазхрзз о ксплзааосагг^у ir^ac^szs ß «юааза-да пугкоэ, щетазшоз» ям mecisœaœrû в lassssosscasOTO огрцяурмто скализа згсаяхг («0.1 шм) слззз каоигадсгушия»
УТДОРОДСИ ííp5'.in¿íí.
/.ггообглуг-л рзбОУЯ. . -
."саудатйза сагагао;о2 рсЗоха Cwoj^aJEisb' с ¿саяэд^аиЕЬ • ¿:л B00CC8X?Eû2 «KiXIUa-vTï^iSSiS USSC-^U-a ^2Ï5SS2X5D9
(Чзр^оголжм, 1S57 г) I Ecaccjx^áJ 4-2 ÇÔOKCS шфорссцга «Прогзпс^хл zoszszstïm IÎ 'юлшшсхсл» 1SÔ7)ï 2-й йжгацгияЛ *Lzr.
SCÎA ' КОр^ЗГО t'CXa E EC2S0 CÔ ï^L-V1"rJ ' fö-Si^P»
ISSOxói Beecsssucs ссд Eü^p:
в
jZcüzzRczzzsiixí i-zôsïù. n^r^zz с J cr-> ■
ш paöoy. ' ' v"- ..-' . /■ - '':.' . '■;-'
сгг^-'-тп к ¡Mfogv: ^^гта'-г-и *•. ' V л- \V: ; ' ' -V .Ддооершщд coaccsi ез. çiajpsii» s£5¿ rçp» '
Bsiopsîîici. ¿5» 'cc^tia'if' -122$3 ' . страницы иа&ано1ПС£ЗгоА~0^ ctp^ac?»;'G JÇ&H'
ou S 'OÉHCÛS
Ca&spssvzn рабски So гащотлз* обогнсашлозоя «нсуадатос*:!» xtaororatsft рдбсхй, фэ^гзрушея цель з аодгли, осясвшгв яглет^звя, адвосамив па оа-езпу» оикчаогея нпучкая шкзявпа и цраштосхая сначияхт» 11057-
рззуякг&тов.
nspggg глзоа £аещзг?еа? еовреысрлог ссаздшао врсбяш, рлз-РКгр^яглЕ в даео^гглпи. В перссй trsen! ГЛЛВУ хгрж-сп сплсуов ;.ц>;ода ккшсй ггтаткацшп УОНЛ^Л к iij-ome-
т i.aiüD'í х^гташтлк"» погсжпш ».•с./^пол
сосйчгтс'.'Ш рскп^азйЛ5Л1з«:ц:п :*ротс:л п иод^оеа courra» Го куорой »иста гляш pscaiûvptnwïôfi npedïxm сгзлвз* кзр-ÎÇO«,CTÎÎ)ï » Kp-isin: иогодсу кзялштцлк. Пгк>,ггда.?й
1фзвгггс;;.<Л обзор лямрзтур:!, кьоеи'З&сА яепр.;ссэ
яргЛллл рясвряд&яатя г-яодг-^зш дтсьов yjy:opi\2ß в «psiœaa коал* ^мп.гля'шг.тл tí oíktra, смцопя н хзргллора релуиоряясчс-тт r.jrovv.i «решая пооло кишййьша углерод-.», струмурэхх хорзкзер-'.ечдй кгзкяшсрозшюго слоя ггоолв изчдрошя я восдадзтеэго ог.'-тгга, п-л ¡nix yomnü wmcmaxx к рзгзксз ЕООЯЭДУ1С5£ SSJWSCS-
psJcKor.
В кеяц» глг&яи за слясвчигд презодеттого обзора Еедэлол ряд зш«яс:.;зрпос5ой, неблядасшх в тгосцоесо обраг-овыкя Sí О,
Во кгаук! глазе! деосоргшп ошюсш еодошге эксперл-сонтадь-пкз шгодага, пеиользуешо в рабо-т-а к приведена уолсша гпед&з-отя» а пася- деш харшягаргшякка обраггцов.
ПахЕештация донов iSC* о штртгсел 2 ярэдвлах от > до 40 чь'й в пластаны крошил щюгаводадаоь n.-j уокадатоло яда* а ус-
ловиях полной безиасляной; о-екачка. Для идоддозрвдашя кгл'р^-зз а-равцов прв облучаииа окозвоот* сошюго тока адплагдокрА wtm ■ вались iuííío 3 ¡¿УА/'сы2.
Дяя ясслодавашш цоггодлзоволсоь образца исдоаргстшгтагггго ?5рзш5т » шдй хштташ рзмэрсу ? лад х 12 ш S 0.3 UÍ врисахацаз (100) о уделышу осяротавланяеи 4-10 0:;*е.;, ©Зрйзвд вгрод eéou в ыпЕоинуэ всаору ушюраяелл баяз сйасйдрона а црезрзавоет с Есяальаоаагиа« егсадартоаг прсцодл». СоогддйшгаградцД сх;^ образцов в шаерзалв гсаазраяур £00-1250*0 о carca 50 'шз 10D°0 проводился а опюс^эрз ергонл в еочохко 30 tare.
Исасадозазге сязкодгиохч? сэозага ордадоршостцсго с::о::, с «ааю 1фофахоЗ ргещядзякдш тдроаж огшга a 1$гшзх Epa^sso-далош» ивгодаа Csa-BícusFocssS еззэдроадавзг в coaoseáii о пзсяэ-дозаге-ш^л расотсЕ^у ио^архлаак^: шюей issoa oy¿r.cu: tssea Лг о еноргиай 1 хаЗ. •
ЛОЛОДЗПйЯЦЯ CrjyiíT^» &Ж32i¿S Е. KQglIOQgESSS:^ сидз
лелтцровхтаого сдоя ярегодяйх е .
традэдцсагсЛ гоецмфзз о ткшяссексц Ciii^cxzs: и
czí<waBC5Eí уакскмг&Еродазшх 'ржгелозодп- д^геЗ. В- «pí>s?a>c3 saosn. rv^sa краггеэ . окрепла p«s£nc2io ccssaiu tsz^zz-xza efc2 uo-íí сосдэдозсгса рчел tensas кжд^к^ойг^да сдаю t^cu-ш. цраютчао;г;о ргд^агкздз e вак^ц tica •
оглдькз^, Ейгояц.цзма uo^raaivopa»' ехгдедхго cSpicrut. врс^дл океяездгзд да сра^од-^л ш^аоташпаз о ¿оеаякчрзЗ
о7опс1шй vo4.;aoi;:. Дка дсусасарзЬз «»«áosseweü извода адедэда-Еа рваулмюяг акайздоадядя ' едз^ж^апйга: слсИщ is^-sut о css- ■; гам в тхжка содзр^ш^ой.12ходрг2Ео1ч>_увз1зрг1да.
Г. таугд црздствввёаа осиовага результат вкедэраша-/
•гакьша васледмзашз структура, и oiswesíEoro qoosaSü
ЕШлахготроаанного опоя цеюхо шедрэ'аия к отссга,. вд^швтя: кездащ;-рацаи и форса прсфмя распрадлжщия шадрешшж, uicmos ira продао- " са криэтьдтазацж!» я гаке вштбргшаета m, ододедшэ'.. решка-'.
одткггшгп лдя получения елосв е задгшлой формой про^ляи раопрэ-дадашл вкадрзяшЕ йчсхлсп.
Парная оэс?ь глаш посвящена епрэдоленж рз.'.гз'св гсяншлацш для построения прямоугольного щс~;л*л рзенрздолешзя атсиоэ углероде в кг-;."1пт-л. Ргспрэдолокяо птрегг."ооь с цольв иапучшкд след со от$та:о>гщччшп1 составом атс\:ов уг^ородз п крепгся д.чя сбргг.о-810, й'.о. 1»гщоагрэдгш ягемов углерода ргшоа г^тадентрыж »«уюа храма* (II /13 ). Используя нзтод гаогскратяеЗ: «кссиуа-цгш бчпо ЕУбр-лно & ввергая (40,'20, 10, 5 и 3 п с-о~
оггоуссэукгазг ¡-л доз яоиоа ;>акш сЗ^азои, чюби яездеяздаздя .'томов углерода по глублко ржлялась 5 2 10ааеа~э. Нрг ВиСгег-а иопольэогши кэлгвдя й , лй и 8, из работа [2]. Путей уиявзгпзд
р г>
тгта.и-глт. волнчш доз иезоа на кос^фйцдогпш О 8, 0.5» О.Э п г.д. били получена олол о поотопппоЛ по глубже ютщазгрсу'с-Д О.й, 0.5, 0.3 п т.д. Йкошрхшегггадшая проварка ыйтодсм Огв-влвкгронноа тийроокопаи полазала, «кто шлучспсыо елся хкзкя почта? прямоугольную фориу профиля распределена? о некоторой лрз-внлйшем (20-403) коицектрашта углерода в ерашшга с рзсчстаюЗ. Для окснврмдрнтилытого наследования процессов 1:расяаляияЕЦЩ1 бнля получены одой с концентрацией Нс/Н3,в 1.4(1.0), 1.0(0.0), ОЛ (0.5), 0.4(0.3), 0.25(0.2), 0.125(0.1), 0.06(0.05), 0,04(0.03) « 0.01. В скобках указаны соответегвукяко рьсчетпио зпапанпя концентрации углерод«.
Во второй чести глвви рассматривается процаас- криотал/лъь-они слои 81:0 на крр»«тш в зависююотя от температуры глк;гв и
[2] А.Ф.Буренком, Ф.Ф.Кгмчров, М.Л.Кугтсп, ?'.М.Т0(Я&:п. Прэс.рйн
странное доопределение екериет, шделоиноа л лаеаздо «?•■?/. ал а-голкнотькИ в ммэдшх тедач. Уиаргоатсшздат (Мсзква), -1935, 10+ о, „
кояценгрзцик углерода. Установлено, что ишшлгедзя углерода в кремний сухарной дозо2 0.9 2 10,ааГа, досгс<?очш2 для дооге^о-ная концентрации Н./У« 0.01 с позэряюотноц слоо яасрлйЗ
( с
е
л.1000 1, не привода? к полной п^ыспкфссазюго слал.
Учжгизая фонт пояалашл из рсп^геиог^^э оразу посла Еуалаггош даЕФуаной смор£зого краашя ог слоя Б1 о 1ксц:::1'грщ51с2 углерода 1ГСЛ;Е(" 0.0-}, исжо ошютагь, чго 1.члхичсо;:ал доза £1яр-£лзащш кргшшя для прямоугольного проСзля к сспальсгуеиого диапазона епоргпй полов углерода (3-40 изВ) лгьд? в пр-эдолазс (0.9 -а.7) 2 ю,есм"с.
После огаага щп сеглюратураг £00°С но саЗладалооз» о еоващш кглога-л^бо полш{рлогалллчоо!32 Саа. Отгл1 прл Сола о епоо-кшс теш&ратурзг водо? I: шгзлеылз полпх^огаылчеохгг Саз пробная н хгарбида хсрс^ы. ознарусопо, что ффлрозгапа 61 к Д-£10 вдег раздгчакм образам в ааагоЕТ ог О7ЕОС1ггольп0Д кги-цеп'сращш углерода в 1фе«нна 1<СА70{ • ■
Чеу визе кощонтрацля углерода, с си шзэ подала-'-
- - ' " ' ! . - ' шя круотелкиов 61. Найдццаотся почти лилейная псдзсгыоогь гси-
порагура пояаланлл крлотелллгоз 51 о? селгсзш ис/Нс, .. ',
цс-атрац^и Ь*/И. >0.7 образозснхя х.'рясгогшггоз Б1 по пролонодл?,
С СI
кхлогапшзахуш соцровоздаогел гекстурарогаиисм 1фешЕЯ ь пороход- . бом сдое'"шюнкв-водеркхз».• • с'-....'.;-
Лсит.гкрлйа1 й.'Ш1Ч001^с: «нВЮ'как' поело обдучсззя,. ®шг , п ,е' процесса отшто с*яярутаво ■ не. что. ,еорузровшаго ■. солигрютадс:-; чеокого р-£1С адог бодро 'олоэвд овразои. о срггзеакй о ползсрло- ; • юимтсквы 61. Еа^изньсоя '.тешоратура появдсяш! '(ДО'С^ЦДОСДОЧ V лпгов 510 наблвдаотоя прл кмщолтраццяг углйрода в креишш
мозду 0.4 и 0.7. Ког. уыьньпеше.тшг : пуводаченио шацептрахш уг^ероло приводят к увелкченя» температура их пояплсшя. Для про-
СзязЗ рзслрэжшзгш-о ïïc/!7n|=» 1.4 п O.OS хппггл, ссотвоФствугг^э Еоггггпсгаллпчоскгг'у 010, появляется прз ге»2гзра?урэ4 óxxsiсоЗ 1250"С.
Пэ гарзггору поязжяпя глтЭ испо зкетгсяъ» что пзгболоэ nrrcscnr::o сбразозглпо прзкгмллатоз 0-S1O ддз? п елояз о псгцстгг-рапоЭ 0.4<Пв/Па,<0.7. Прз ïïc/îïns<0.4 п ПСЛ 1а1>0.7 ::зрблд крестя г^гзтадлггзуогоя прп болаэ г^сс'пз сс'.згорэтурзх. Избнтоигл! уг.то-рзд а oseas о ткстпярацпеИ я M образуем, по-гдсзгсму, слсггз-'э яаияври готор:» гфепяиязует образовать зрзозалгстоз цргсз»» п карвлда крсжпя а олсэ. ПОЯЗЯКЕ» xsnä патаггпо^апгз-чскжо ß-SiO лсалэ ornara щгз есшорзяуро 1250вС укапывав* и рзспзд Gtrs глгсгорез щп отс1 газгзрггурэ л пзлячгп глгспсзгггсЗ: !"ггсрод^5")узгп мсмоз a orea, щжэг^сЯ'п плотзягаамстг схсгг. 7я~
оЗрсзстл, узагэтсгпго гсглоргтуря ттрзагзжг-эетя: ¡3-310 (а я 01) щя îï /П >0.7 «сжо «$аясгг» кяраотгп«« пглгсзатз Gl-О с^гсЗ a сэслгогзэ' багеэ oxcrss jrcajejs» кггагсргл о рост
ПСКЯСПгрзЦПТ ЕЗЭДрСТЮТО 5ГЛ5РОДЗ.
В crom о Пя/В ,<0.4 ccfecri А~510 сггоет-
гзлн» 1*2Л аояздеггэ кадсЗ якцгзгрмсз rrr^crrrroro угстгрола» Дг-Т ебразсзжя áte^i углэрсдз n . osea esgtü» .
пссбЭДЕЗ» -'са багзо- спгг^эхкпл paooresrm.
ДсСегпгамапо» кгяагэлЕя? язргдез ггрс:спгя смюагрза» nrí tsapacitecá, raresii eorsp^?. егвягс^т^оегй' ееогаэ ûwâj Ol ■ я 0, V.e,;Hc/ïîQ1« 1.Q. В aot>stx".o- ïïcAî9î<1.0 сЗрзсйгспза ггргсгал-' rrra 010 ' togyr^'^a • ггсоташп? , -
е&когсЗ углероде.!.- .Чсц'ккагэ О в слоз, тем овачян •
«вшгсэ. _пЬ, 'npo5ffi3Cüodrj oá çcà из Cááreo расотел- ■
им»" долг» продп^фундпрозагь стсп угдзрода для ЪбразсзЬзя ярзс-
кшатоз гах-сэ'раетзров; ;Дзш 'отого- веЫйюдаа-'.болзо ' ешгсзсзшоя *•
дв^уавя üvg!¿33-x¡ о£йзш & smmi ®робуогоя болао- еисшэя шшзра-гуьа о^агс. Scäü образен, згшяшмш вмзщейой кшш о слаб!:: t£3*pa«soa2s£ озоообаосга сясаов 0 » ßi, ихдо сд&шя. псод, ч*о ща у^адаааш гкзщзгжрацш утя-зрода до цгдад взазчаа (lí^/ü 4< 0.4) садал. увыыиешд сошорагурц волвде-кш хзаогихазоа ßiO, что в вабдадазуса в скою^сихо. П12: osnsí в сбвддаяшк yiiiS родс-л оЗягогдг» огот^вда щяояадЕсг ßiO, о ушса£ыши шщбст-r-aîçsi 0 обр^зушсл щ&а-геязыъа xpzxsm ща «сашрагур« богага ctecsaac к sicjmpasypo цроошашсца: слзйлого (кицра.;ор,
COQ"С д."/; I¡c/¿'{.j» 0.125).
Еэола «тага ща 1250°0 какаагахыай сблед гт^ф^сзгадтзо-кого C-S10 шбдвдаскея для.II /iL.« 0.7-1.0» ща smj
С и &
ббът хша-SlO ща ы^аалшсй sfiaaoimypa цроа=оаа ucso гаду-ш-л» да Íífi/Iíss- 0.7.
Ibeso oreara ща 1250* »етс^ашаЗ eise« ccœ-Si в коыгэ-дувгма oaoq в&&щ©шся ща ft/tL.^O.Sä. í^s&ücsso ÎL/iL. ща-
с» £1 i с ы i
водар к слпжмло обьега eseß . fssa. Bs» тхогзя
s-
игаеиопшого лрацэсоа рощаочгадаюедл -стая с калаЗ «адцетара-дааЗ углерода щл bîoS «гк^шрагда» s««» caoos imc$o ороджзка nojoi-Si о esaasssü игичццоЗ. Для 0.04 дгбдвдзоазл пмаая
ро1зао?аллдэащш о вочезеозмаса ддвзй дояа-Ш.. Игл ÎIC/KSI>0.25 sais» ваблгш.ййтоя ^гаыгетш обь&уа полз-ßt в олоо до полного во-чепдавешя взаогошетяз ßl ща .'К /Вв|>0.7 в&водаташ того, чго едйчнтельаея часть огшоз крешадя вошла в состав «ргезеллягов ßiO. Рс.очетшш способом ш шшпе$адедтаяьда {Т»1250°С) яоказаао, что в слоях о Nç/MgjO 0.33 образуется полакраоталличоышо фазц Si г £-£10, врцблзьнтельно равные по количеству атсыоэ.
В третьей чооти глевв рассматриваема влияние Форш профала распределения внедренных ьтоыоэ углерода на процессы криоташша-
цтгя а кре.чшш л сбъс::и сбрязуггдаоя фаз, различшз о спили создавая таогоолойанк структур о образованно« чэрэдугцотся елоеа, от-лгпохздяоя по составу п'омпоез структурного соворзонства. В ::а-чеотвэ примера рассмотрена алой о гЕаейпо-сподппщв! я гаусоояш пробил: п распродолспая *а0 в 51.
ЛипеЯно-спадзэдй профиль получен породой гаюгскрзтпо.1 п?яг-лаптацпп тагззл образом, чтоби гкзщгтгтрзцдя углерода Сала блззкей г; отол!е?.:зтрп:1 вблизи поверхности и уиопьсалась лппоКсо вглубь (!1 ЛГ»1->0). ГаусеовиЯ профиль распределения получен гамдрзяаеи
С и!
1!сгтоэ углерода о анэргией 40 коВ, дозой 2.6 * 10,7ся"а» когцопт-рзцяя о?с:.'оп углэрода а шлю еоетовяла полевззу от ксщеж'рацга
ПТСГ.ОВ крвШИЯ.
Экспврвмомгальная кртпзоя лкнзйпо-спздзгдэго про&хля рзспрз-долешл, полученная методеи СЕгэ-элзктрегпхсЗ аюктрзггяопт поолч отглгч прл }250°С, показала соответсгспз о рзсчотасЗ согласна работе [2] в глубшю образца, где концентрация углерода отяоеггаль-ио невысока <7Ге/Ив,«М). Бл:г,э « позэрзпэсгл, гда гмзцоптред^л углерода отиоеатальпо сиеспая, сксперязжгссиаязя 1гргшзя блпзхга п расчетной по С]. Ог,спзр:г10СТ2ЛЬцая крпззя гауессаого про£зл;| рзспрздзлзкня. по вэягглгз ковдеатрзцка о сам пззпз'тптзльео (10,1) кровное*? рзопотооз аеатонйэ, пэдучошюо па основа далшсс ря<5оты [21. ?о'шоз поведоннэ океперпцгптзяьпых щгяяж у осиеа .тз-пйрхнотш !:епйе"Р уотаковать огзгешй еле!!, образумься ■ по врзэд, отгмга ¡трй температурах шла 1200°С.
■ Исол'едозспйо структуру слоев, ярообдешоа и;?сд«1 рояетоЕов?^"' ; оттой дн^ракщм, пегазоло ишо,- папягфясталЕггосггх фаз" £1 1/' |?-51П после .отйц-в яр;{ тй-йхера^урах."900*0 я пахе. С ростом телте-
11-¥у1«|/°0*«и'Ра П|«иеярди®'1№Пр8"рипа08' СЭ38р20Л0?ЁСЗв?ШЗ структура;
1т й росш их сродного -'разггерз,з тэя» ноцро-
рлтний рож объема обеих далжрасталличвских фаз,
Аншшз гюлучшиых рэзулъм'к® проведан с аспаивзоважеа арц-аедошиг дашш. о шашшш коЕцентрвдк угхерода ел щицасоц
Вдйс^йлгаюы^й: Б 1фС!ЯСШ.
Продйигаб'г-оя авала'ГйчемтЙ и геоыатргчокжС ис-года одета кадтооаа ьтомов, шшкешшх в сослав едзогонягтов я £10 поо-дг охвата при з-енпаратура! достатачно блазках. к ^-сшорзгуро за-ьбраекиа кристаллизации. Получевше оцэша: оравзйвзш'сй с дщшаа реадт&новокоЛ дафр&кияи. лнйлвютеекй! штод основан на ооогвосз-шд; юаппооод а*омо& углерода и крошил в вк^аг^оваыйо;* яшкьи-яацпвЗ слоо. Гесмзтричвоккй иоч'оя, основав: ыа шалаоо (Х^-ирь&ахк раопрпдедйная ко гдуейшо Ы0Л/„$ц Н0/Нв|» яещучеших от образцов, юошамшх щи 1250° й 1270°С для лгнсйно-сиадзщоге к гаусаового расгцк>деяй1ыя, ооотвзяотвзшэ. Гсоиог^яоск:^! кс®од кио-¿1? В|хгш4иа05-В0 й оуаьцйш'. о а'люштлчсайЕЛ* гак как хшеоля»* уиоств ташо фанюри как йЬяздвязе на яовор:агоетн одол В10а, А «¿него рвкдемшшазшдодгша цроцаоеи со ото$опц подг»л<Е, *£фиьодй-в целом я измаявши» объеаов лолаафазкагсгеоша £зз £1 к 610. Для учета первого фактора - п^лвлсыва одой ЕЮ., -сгрангея кразая (Н0* Н /г)/Ив|, опродеяяад&я распределена© .етсизз хгрша^!» вокзд-«як в ооотаь 830 £10.,. Для учета второго фактора - цорэход паш-В1 ь с-£1 со оторо»ш нсдаосдси - егрдаяся к^лвел
), определкюцая распределсято ататлов крашш, во во-ьчх^-.'.к а еао-гав о-£1, где ' И « в (. - число атоуоп
С-В 1 & V ц> 1 Д'
ни ¡щбшт X, вддедеих в состав с-81; а -коеф|цщшт, «гродо-лоупый ми основ« 1и«.'иеритй!чш.иои зазкоцуастн, покссываяцой долы «?сн."Ь ьоли-З!., в оседав о-&1 после отжига для участка
врл&им о но.ш.ыщти/.*И углерода ЙДИ
Эдодордоодгпльыи!.' носл»лоьинк1! методе;» рентгеновской дифрак-
írtnt пекзаэлл соотос^еиэ объемов таотсряоталгпэсзяг фаз BiO и Bi fi-JSiO) ' i, . (si) и О.бО ! 0.23 » 1 » 0.34 дал етгеПло - cna-
} 7»% Iflt
"г>!г;<эго щуу"['1лр. 11
» i(sl) я Q-29 ! 0.265 м 1 i 0.91 дял rayoccaoro
inv 1 fie.
ЗГС1ЛЯЯ. Иптогрэлыгал кптекеявяоезъ I, , n O.S3{ 0.23} 0.29 :t
Int
0.265 щгшоджгоа о отпоовтолшк одашцаз. Гос^отрзпскта »»оходсм
:^орзяпя шетддей, подробно спноанотгц в рйОою» получено s
Иа|в 5 Пв( « 2Sn í(1-ee)Sf » 133.2 t 43.0 - 1 i 0.33
для ¿гзгойгсо-еггэда^эго яро^аля а
1Г31С 1 Па! " ае„ i< * 09 ! 70.0 я 1 ; O.G0
длл гауососого npc-Jxnu. Во;пчтхи !Já * 133.2 и 89 я II t » 43.Й п
70.0 орягодя-гся в отлоеттолылк едянцпх» cja*o?ca аг-итщп i 4
15>г!гя «сяаалхиизэ тлйчоогзу п?«.*оз гз?жз в едгэ cor~rt:o.?,, 1 г*.? - 5*1013е.»"а.
ftwífcasen* <у n#<<e|/0í » 0.454 да лпгс^о-
авдявдго проезда я 0.335 для гяуосезого прс-плл, s.¡>. сгогэ ог-гж» щя «1250*0 п®<яо1од^г чззгппзя гогггю-гзл-глзпцря . одел бо cíopetm подлежа о пэггеодем ti cí~,oro о'Лсггп naci-Sl
a a~3i для г^гГло-«г?дг^г;сго л rqrceeroro про^агзЗ, реога««-
. _ , -
П5зг.зякг:э еаэягга e^pjrejprcro сосгсгггя г^зтлг.'гсгр^тзг'^гаг^ слоя для тогмрззур errara a гзэдагзх ССа-ИСО^С ' пасприздсп- ■ rrjri есоесбс*.oat^gstamn/ít, 'в?згог,ягпгза-\
пдя слоя пхп сгег пэ пзлдозся к оедаркапэ я саатагелыая'-
пасть, пгегжз- 01. я О i» садяя з ссзтоз sio a Si.Тел ••
'са ?.-':"зэ едлллть секогдряэ илэода о хедз ярззтаяяазецга , а'*-
сбргзопаш1Я!/!.Ейгоолй2т£Х: огрудаур тала' о'• едоях :а'вв0^орояш*:.распрвдвлеязен штодавппого угле-рг>дз.; Доводи; базируйте«• из установленной загясяшаетя тлхяоратуру
шгчшш oï шядеп^рацаи углородй » крог'глсаац сдай.
'-ка и 0J¡0¡r-. о и Pûyпра^шт«:
рдапрлз'июшд »иедгкншро углерод «¡с-дкой* с.икыь s прсцэзоо oí."
кии дольки. сход^ух-иои; tíccr., с^чк^Л-ОП с» «•yra ш voaïbijy, '¿.а: и по сз'опбки cx-p^iiuaro csuei^cjotaíi.
о&дездв ршхшод ш<ки н г:ьоди
Д],к ЩШЫй^1ШШ)ГО t&C&îr,r. '"С R Cl:
t.. Kyio'io:; njoroi:/!ùii;ci ка сR „¿1;
s- г
л-' О ¡¡.v.<¡4í-;-:i о::ач i:^ г. с
^..'-.Í.ÍIOÍV ST:.. и,./л,,, i¡ KCSÜу-;л;:ллх c:c,;Í: И, ЛГ,1
1.4(1.0)i 1.C{0.a)j 0.7(0.5){ 0.4(0.3)5 0.25(0.2); 0.13(0,1)! 0.03(0.05) j 0.f;-î(ûaï?) i: (hûi. üVbtíí.vt; y¿sc^c иль aife'ij-¿f - i;
SiO h îij £Ь\::.;1\ " с ^cviv-'^j-v^cS
до г; 0..; 0,?, у^иагчгл^ц сйр^зусзь Щ-' S33''0,
aaafe? зэд^здрг» cïp^fT^jv ES«* tcjwCß «ssiöpii-jfpa 1C00°C» гордо i«« s émis о тщшя;;>йцг.ей îî ЛЦ« 1.4 и 0.05 о?рггс223Г*> îqjhût/cuwtoa и&&дедао?аа только еооя-з оггягд eis 1250UC. кзззсл&-ослам flttBKtQ4«?ü&Ba4«oí<oro p-SiO для огаячг
1250°С исйледао^оя для wsoaa о кснцонграцде2 В0/%1 в прадеды ОЛ - 1,0.
<t. Яокьаань длннйная зависимость *емзорз?па Еаяькепся igs:o~ ViMUüi-i'on si от величия« yc6jui4cisí0 кссщеотредаи углерода
зривело к увеличении температуры появления кристаллитов Si от аво'с для Ii/1Г,» 0.04 до 1000вС для ff„/H„,*0.7. Для образцоз о
С ЯI С Ja 1
концентрацией углерода Nc/N31>0.7 процесса кристаллизации в порэ-юдасА! алое сопровождаются текстуряроваплеи крошил пря виооках температурах (1150-1250°С). Наблюдается рекристаллизация кремния н уменьшение объема поли-Si при высоких температурах оиога для злоав о низким содержанием углерода (iic/i/Ql <0.С.Ь). ИаксйтяышЗ эбьем поли-Si после отгяга при 1250°С наблюдается для И„ЛI «
С 61
3.25. Критическая доэа амортизации крешпя понаш углорода легат з пределах (0.9-2.7)*10,4см"а для испсльзовашгс волячаа вяертпз ,1 температуры кмплентзцки.
5. Полученные денные объяснятся влшшисы Si-О связей и С-¡•лаотеров на диффузию oto?job в шгшнткрозшпгоы олоо.
Для лннеАио-спадащего профаля расггредэлонгя 1а0 в Si!
6. Прэдлояен гешетрэтескяЗ метод сцепка копчоства атсиов, эключенных в состав кристаллитов SIC и Si.
7. Образовенио ярцоталлптоа пачяззотся вря тсшэратуро 900°С 0-SiC и 1000°С для Si. С ростом то!лгорзтури оттяга вплоть до
1250°С происходят непрзрцвгшй рост обгона погякраствллгиссют £зз 51 м Д-SiC и утюрядочехшо структуру крясталлзтоп.
О. Показспо, что ь^ютаятязсцкя /J-SiO пастшотся в срэдзой ¡ести слоя и идет о ростом температуру отг;ггз к позорсшел: зглубь. Куис-т&Л'птцн/з с«ор£гяйровагаюго пиалоатедкй крсмштл адет из глубины к поверхности. Поело отзагз црл тегяюрзтурз 1250ЭС около -15-501 серого объема полйкргсяолличоспого S1 перегоди'? В O-Si со стороны ПОДЛОТгЗГ. '
9. S температурном интервала 1000°-1100°0 пабдвдзотея замед-чсвио темпов роет я рагмеров кркстадлгтоз Si л SIC, ос:д;;го слеыа и упорядочения структур» крчг.'Тзлл:«тоз. Имеет vcсто увеличите
Убшов роста разшроа крас^оиштов и отрукгурзой уторядочашоотя
щи тешоратура 1250°0 в связи о штепаишшм процессе« распада
кластеров углерода. Прз стой тешаратуре наблюдалось образование
сдоя Е10„ у вовэрхвоои!. Срадаа размер щаочйлхтаа Б10„ аос~ э а
а
тавляог ссгадо 60 А.
Для гауссовою проф&кя расврздаладая ,а0 в 811
10. Образования• ирааталдатсв 01 и р-81С аачкнаатоя прп '¿аппаратура $00°С. Окат в интервала «емпаратур 800й-1250°С дркводая к рсогу обвеиов фаз. Показало, чао образованна иристаллгссв БЮ пачкааомя в средаай части слоя к о рсетои еешхорздура о¡млч» распространяется и иовархлосао! ж вглубь образца. 1{£кстеявизацай с.\:ср£аого 1фсмшш вдет ог подсака: и о? паворгваотд к центральной частя СЛОЙ.
11. В тсшзра^урвса вдтарзадо 1200°-1й70°0 пабдздается ва-ч ыатЕое улучзашо структура кфготадвдов £10 и вначЕТздьшй рост объема фази взд&догвда распада кластеров ^дэрода. С'дхгг пр:£ 1270°С привода? к сядаша» к&петазтва 61 В ^результате ебрааовщш Б10а у поворшойтн. Окодо 35& оставззгойа обьсиа шдввщотадлв-чоового 81 парездщ а о-£1 со егораиц шдлсвяеи
12. Негзбазла щиоутотвао краа^алигов чайная посла оуггге а 1«*рс15ши о ооцряиоугодьнш (гаусосшщ, лнвайяо-спадаадш ы т.д.} просты раоврададешй: Евадршаого углерода.
13. Условием отсутствия деюталшкез 51 8 юотшщфозгзном углерадоа крашвд {шола озвага) тм&тся НсЛЗа<>0.7» Для получения качиотвень'ого одаородеого алов подадазтедигсеского ¡3-Б10 длл нуад гаофовлбК9рав!вш необходимо соаучетв прямоугольный чрофвль рэоцредэлаьяя углерода в кредаия о коздешрацвеа 0.7<ЙС/ЙВ1<1.0 а водв«ргауть оташгу в уечаша „30 деда щи температура в предела! 1150-1250*0 а выше.
14. Показана щитнимость фотогрвфэтоогозго штода рвптгопоа-
окоА дифракция л традиционной брегговской гооыётргя о шаюльзова-
наем наклонных и окользяпра уетадкодлинарозеппш: вучкоа для нсола-
довання тонких U0.1 ш») олоов пыгатнтароагашого углэродся кргм-
Ш!Я.
. Оеповшэ розульгату дг-ееортацпя 'опубяпюзани з слздугг'да. работах?
1. Нуоупов К.л., Сиглв В.О., Ахштов М.Д. Байсопханоа Н.В. "Структдашэ изманенля в Si о большой концептрадыош гонно-внедренного углерода". Тез.докл. Веосотз.копф. "Иошо-лучовал модификация материалов." Черноголовка, 1S87, о.34. ■
2. Нуоупов К.Х., Спглв В.О., Ашэтов U.Á., Бейоапхапов Н.В. "Применение рентгеновского цэтода еяаяиза дая изелвдозеыи яонно-юлглан'Пфовбшшх слоев". Too.докл. IV отраслевой п-тэхп. конф. "Рром. технология я оборудование пошей шяшшт/щвл", Г.Нальчик, 1988, 0.182.
3. X.Kh.lîuDsupov, Y.О.Sigla, îi.A.Aoteetov and K.B.Bo^ncx&hano?. "Stmotural tronaforsationa in carbon inplantcd ailioon". "i-tericile of "6-th International Conference on Ion Всаз Modifi cation of UatorialB", 5?ойуо, Japan, ,1933, p.33.
4. Нуоупов K.X., В.О.Сиглв, Еейсегаянов Н.Б., Токбакоз Дз. Нэрзз-руогамдий метод измерения концентрация олоктрячаока акзтапих центроа в облйстн р-n перехода.- Злоктрояяпя тэлнжз, "1990, е«?ряя 7j-"зап.5 (162).
5. Нуоупов К.Х., Счглэ В.О. Еейоегшлюв И.Б. "Анализ всворхпост-HOt'O МОЯ Крем.ЧИН ге/ПЛйНТЯроКйИНОГО углероде« йстодси роптго-ноиской ди^ряк'чия". Тез.докл. 2 регион,кая£. "tscsKa тзердого
■ тела if HOHU0'оЗл'зеги ■ ее ярто/ен ?ния г.Карсгс.тда, 1990, c.iV5.
6. Нуоупоь К.Х., Сигла В.О.. Бейоенханов Н.Б. "ИсследоБошо про-цооcos криетчлиэадга шплантированного • углерода! крешия".
. Те».докл. Воьоойзной коиф. "Модкфякация твердых тел иошшмп лучкыш", г.Новосибирск, 1991, о.11б.
7. Нусупов К.Х., Сагле В.О., Бойоенхапов Н.В. : "Структурные пра-аращонни в кремнии, шяленщравеняоу углородш.в Тез. дохед. Всесоюзной koilS- "Ыодафякзцпя твердых ?ел каж&а пучкашн, г.Новооибирск, 1991, о.37.
8. K.Kh.Nussupov, V.o.Siglo arid II.В.BeJaanlOumov. "Application оt X-ray diifraotion mathod to Investigation of ion-icplantcd eilioon layers". Preprint о 1 HEPI oi Aoadecy of Solenoes of КС, Alaa-Ata, 1991, PP-1-21.
9. HycyxroB K.X., Сыгле Б.С»., Бейс&шшав Н.Б. "Опрздолопво сатан-мадышх yciioBiili при исолодоаанш! тонких соиао-тяхлантщзоБсншй слоев кремния методом < рентееновоиой дефракцая". Изв. АН FK, 1992, Но2, 0.17-21. ' .
Ю.К.ЯНЛЛшвироу, V.o.sigie, and y.B.Bejsenimanov. "Investigation of the iOHaation of 61 and S10 Crystalline Phaaea in Room Tez-peratur« 0* Implanted Si". liuol.Instrra. and Moth. In Phyo. Лев., В 82 (1993), pp.69-79.
11 .NuusupoT? K.Kh., Be^aenkhanov H.8. end Sokbakov J. Investigation oi Structure and Phase Sranaformatlom In Silicon Ioplan-twd by iS0* at Room femparaturo. ~ Alrnty, Pr-t, HEPY, 1994,
pp.i-за.
-
Похожие работы
- Физико-технологические основы управления процессами дефектообразования в кремниевых полупроводниковых структурах
- Феноменологическая теория начальной стадии достехиометрического ионного синтеза новой фазы в кремнии
- Влияние имплантации галогенов на электрофизические свойства и процессы в монокристаллическом кремнии
- Разработка и исследование технологии формирования активных диффузионных слоев элементов твердотельной электроники методом импульсной имплантации
- Кинетические закономерности твердофазных процессов на поверхностях и межфазных границах
-
- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах
- Вакуумная и плазменная электроника
- Квантовая электроника
- Пассивные радиоэлектронные компоненты
- Интегральные радиоэлектронные устройства
- Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
- Оборудование производства электронной техники