автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.07, диссертация на тему:Исследование процесса осаждения диэлектрических покрытий на полимерные подложки

Введение

Глава 1. Аналитический обзор литературы.

1.1.1. Внутреннее строение полимеров.

1.1.2. Структура аморфных полимеров.

1.1.3. Теплопроводность.

1.1.4. Оптические свойства полимеров.

1.1.5. Оптическая анизотропия.

1.1.6. Оптическая неоднородность.

1.1.7. Светопоглощение.

1.1.8. Светорассеяние.

1.2. Современные способы получения полимерных оптических элементов.

1.2.1. Композиционные материалы.

1.3. Лазерная стойкость полиметилметакрилата.

1.4. Покрытия на оптических деталях из полимерных материалов.

1.4.1 Антистатические и абразивостойкие покрытия.

1.4.2. Просветляющие покрытия.

Выводы по главе 1.

Глава 2. Исследование влияния технологических факторов на свойства покрытий, осажденных на детали из полиметилметакрилата.

2.1. Исследование процесса осушки ПММА.

2.2. Методика расчета конструкций интерференционных систем, отвечаю- 49 щих заданным требованиям.

2.3. Лучевая прочность.

2.4. Исследование влияния ионной обработки поверхности детали на механическую прочность покрытий на ПММА.

Выводы по главе 2.

Глава 3. Методика выбора контрольных длин волн для неравнотолщинных диэлектрических интерференционных систем.

Выводы по главе 3.

Глава 4. Перечень оборудования, используемого в экспериментах и оценка точности полученных результатов.

4.1. Использованное вакуумное оборудование.

4.2. Определение величины погрешности полученных экспериментальных результатов.

Все чаще полимеры используют в качестве заменителей традиционных для оптики материалов - стекла и кристаллов. В настоящее время широкое применение получили оптические детали: защитные стекла, линзы, растры, линзы Френеля, экраны, асферическая оптика, призмы, изготовленные из синтетических полимерных материалов - полиметилметакрилата, полистирола, поликарбоната и их сополимеров. Прозрачные полимеры используют в качестве материала для лазерной оптики. На их основе созданы пассивные лазерные затворы, активные элементы, линзы для лазерной офтальмологии, световоды, элементы интегральной оптики [1,2]. Это связано с такими их положительными свойствами, как высокая ударная прочность, малая масса, возможность изготовления отдельных узлов с составными компонентами как единого целого, а также с экономичностью производства. Применение полимерных материалов в новых научно-технических направлениях связано с их специфическими оптическими свойствами (поляроиды, фотополимеризуемые материалы для голографии и т.п.), а также со способностью полимеров легко совмещаться с разнообразными веществами, которые обладают ценными качествами, но не могут быть использованы самостоятельно из-за физико-механических особенностей (фотохромные полимеры на основе органических фотохромных веществ, полимерные активные волокна, полимерный лазер на красителе, лазер на волокне) [3]. В таких активных элементах используют полиметилметакрилат (ПММА) в качестве матрицы, и различные красители, как наполнители. Одним из факторов, не позволяющих широко использовать полимерные материалы, является временная нестабильность их оптических характеристик. Эта нестабильность связана с особенностями химического строения и способов получения полимеров (полимеризации, поликонденсации). Существуют технологические процессы позволяющие получать полимерные детали геометрические параметры и физико-механические свойства которых в течение долгого времени изменяются незначительно или остаются стабильными. В тоже время, такая оптическая характеристика как главный коэффициент поглощения начинает увеличиваться, изменяется спектральная характеристика пропускания. Нередко эти изменения выходят за допустимые рамки, заложенные при проектировании оптического элемента. Поэтому в конструкции оптических узлов, в которых используются полимерные детали, должна быть предусмотрена возможность замены, что не всегда осуществимо. При эксплуатации полимерных лазеров на красителях следует учитывать фотораспад. Степень фотораспада линейно связана с энергией накачки и характеризуется квантовым выходом фотораспада, который можно уменьшить путем отфильтровывания из спектра накачки коротковолновых компонентов [4]. Квантовый выход генерации можно увеличить, уменьшив потери на френелевское отражение. С этой целью на торцы активного элемента наносят антиотражающие покрытия. Также одним из факторов, сдерживающих применение полимеров, является их малая микротвердость. Это приводит к появлению царапин на поверхностях деталей при чистке и эксплуатации, отрицательно влияющих на оптические характеристики. Следовательно, покрытия на полимерах должны обладать помимо антиотражающих еще и защитными свойствами.

Цель работы:

Исследование и разработка электронно-лучевого метода осаждения диэлектрических интерференционных покрытий на оптических деталях из полимерных материалов.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Изучено влияние режимов очистки полимеров, скорости осаждения, температуры подложки, структуры слоев, позволяющих получать покрытия с требуемыми оптическими и эксплуатационными характеристиками.

2. Предложена методика электронно-лучевого осаждения диэлектрических покрытий на полимерные оптические детали.

3. Дана качественная оценка структуры получаемых диэлектрических покрытий.

4. Исследована возможность нанесения диэлектрических покрытий на полимерные материалы с низкомолекулярными добавками (НМД).

5. Предложены оптимальные варианты конструкций антиотражающих, просветляющих и др. типов интерференционных покрытий.

Практическая значимость работы состоит в том, что проведенные исследования позволили:

1. Разработать технологию нанесения диэлектрических покрытий на оптические детали из ПММА.

2. Создать экспериментальные образцы деталей из ПММА с покрытием, удовлетворяющим требованиям технического задания (повысить механическую прочность до первой группы, уменьшить френелевское отражение КоСТ<0.1%).

3. Разработать рекомендации по методам и приемам нанесения диэлектрических покрытий на различные полимерные материалы (в качестве первого - адгезионного слоя используется MgF2).

4. Оптимизировать процесс выбора контрольных длин волн при осаждении неравнотолщинных диэлектрических систем.

Краткое содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы работы, научная новизна и практическая значимость, коротко охарактеризовано содержание по главам.

В первой главе представлен обзор литературных данных, посвященных исследованиям структуры и строения полимеров, используемых в отечественной оптической промышленности. Приводятся их физико-механические и оптические характеристики. Изложены современные способы создания полимерных оптических элементов. Рассмотрены методы нанесения и возможные конструкции диэлектрических интерференционных покрытий на полимерных подложках.

Во второй главе рассмотрено влияние технологических факторов нанесения покрытий (режимов ионной очистки, угла поступления паров, скорости осаждения, температуры подложки и др.) на оптические и физико-механические характеристики оптической детали, изготовленной из полиметилметакрилата (ПММА).

В разделе 2.2 предложена методика расчета конструкций интерференционных систем, отвечающих заданным требованиям.

Третья глава посвящена подбору длин волн, на которых ведется контроль оптической толщины, осаждаемых слоев интерференционных покрытий. Из-за того, что в конструкцию покрытия входит адгезионный слой, становится невозможно проконтролировать осаждение последующих слоев на одной длине волны, Для каждого требуется собственная контрольная длина волны (неравнотолщинное интерференционное покрытие). Показано, что существует простой и эффективный способ выбора. Используя следующие ограничения: 7 О

F = К к т в зависимости от того по отражению или по пропусканию ведется контроль)

2(ргр,=кк, где (р1=2тт1с1/^', Р1=/(Я); п1с11 - оптическая толщина осаждаемого слоя; р1 - разность фаз между отраженной и падающей на ию границу раздела волной; £=0,1,2. на спектральной кривой пропускания или отражения выбираются длины волн соответствующие минимуму или максимуму, соответственно

Т . с^Т

-7 > 0 - шт -г < 0 - шах д[М)г д(пс1)2

Следовательно, для подбора контрольной длины волны необходимо рассчитывать спектральный коэффициент пропускания или отражения каждого слоя интерференционной системы. По данной математической модели может быть написана программа, позволяющая полностью автоматизировать данную процедуру.

В четвертой главе приводится перечень оборудования и методик проведения экспериментов. Дана оценка точности полученных экспериментальных данных.

В заключении суммированы основные результаты и выводы диссертационной работы.

Выводы.

Из-за того, что в конструкцию покрытия входит адгезионный слой, становится невозможно проконтролировать осаждение последующих слоев на одной длине волны. Для каждого требуется собственная контрольная длина волны (не-равнотолщинное интерференционное покрытие). Существует простой и эффективный способ выбора. Используя следующие ограничения: тах ! Ттт) = д иди ЗДмх 1 Кь) д д(пс1) д(пс1) в зависимости от того по отражению или по пропусканию ведется контроль) 2(р;-р;=ктг , следовательно зт(2ф;-р;)=0, а С08(2фгр^=±1 ,где ф^та^/А,, р;=С(Х), к=0,1,2,. на спектральной кривой пропускания или отражения выбираются длины волн соответствующие минимуму или максимуму. Следовательно, для подбора контрольной длины волны необходимо рассчитывать спектральный коэффициент пропускания или отражения каждого слоя интерференционной системы.

1. Показана возможность использования контроля по экстремумам пропускания (отражения) покрытия на фиксированной для всех слоев длине волны.

2. Предложен метод выбора контрольных длин волн для контроля по экстремумам пропускания (отражения) каждого из осаждаемых слоев.

3. Выбор контрольных длин волн осаждаемых слоев основан на использовании особенностей спектральных характеристик диэлектрических систем.

4. Разработана математическая модель и алгоритм контроля толщины осаждаемых слоев по экстремумам пропускания (отражения). На основании которой, может быть написана программа, позволяющая автоматизировать процесс выбора контрольных длин волн.

Глава 4. Перечень оборудования, используемого в экспериментах и оценка точности полученных результатов

Эксперименты, представленные в данной работе, были проведены на оборудовании, выпущенном промышленностью СССР до 1991 года.

4.1. Использованное вакуумное оборудование.

Для осаждения пленкообразующих веществ в вакууме использовалась вакуумная установка модели ВУ-1А. Установка предназначается для нанесения покрытий на оптические детали методом резистивного и электронно-лучевого испарения. Установка исполнена по УХЛ категории 4.2 по ГОСТ 15150-69 и обеспечивает возможность нанесения многослойных диэлектрических, полупроводниковых, металлических и комбинированных покрытий. Номинальное предельное остаточное давление в чистой, обезгаженной рабочей камере при охлаждении всех ловушек жидким азотом составляет 2,66 10"6 Па и обеспечивается работой форвакуумного агрегата и диффузионного паромасляного Н-400/7000 насоса. В состав форвакуумного агрегата входят: 1) Агрегат вакуумный ротационный АВР-50 (АВР-150) У4.2 ТУ 26-04-573-77. 2) Насос вакуумный пластинчато-роторный 2НВР-5ДМ. Давление в камере контролировалось с помощью вакуумметров: а) низковакуумного тепло-электрического ВТ 1-4; б) высоковакуумного магнитного блокировочного ВМБ1-2. Оптическая толщина осаждаемых слоев контролировалась комплексом фотометрического контроля толщины СФКТ-751В. Пленкообразующие материалы испарялись резистивным (1Накала=0^-200 А) и электронно-лучевым (испаритель электроннолучевой УЭЛИ-1: иуск= 6, 12 кВ; 1накала:=0-^50 А, 1ЭМИС =0-^400 мА) методами. Для очистки подложек перед осаждением используется блок ионной очистки (иуск =2,2; 3; 4 кВ; 1И0„ =0^-400 мА) и система контролируемого напуска рабочего газа.

Вакуумная камера снабжена следующими вводами: 1) клапаном напуска воздуха в камеру через противопылевой фильтр-осушитель, 2) клапаном-натекателем для напуска технологического газа и поддержания в камере необходимого давления во время ионизации, 3) ручным вакуумным краном. В процессе работы выяснилось, что клапан-натекатель для напуска технологического газа имеет конструктивные или технологические недостатки (из-за дребезга мембраны плавная регулировка скорости натекания, и, следовательно, тока ионизации невозможна). Поэтому этот клапан-натекатель был заменен на дифференциальный игольчатый ручной натекатель фирмы "Бальцерс". В результате появилась возможность плавной регулировки тока ионизации в широком диапазоне.

При проведении экспериментов на стенках камеры использовались следующие вводы:

1. ввод термопары для замера температуры внутри камеры;

2. четыре охлаждаемые проточной водой медных токоввода резистивных испарителей;

3. ионизатор тарелочного типа (ускоряющее напряжение иуск=2,2; 3; 4 кВ; 1ИОн =0^400 мА);

4. заслонки резистивных и электронно-лучевого испарителей, для предотвращения загрязнения подложек в начальный период и прекращения процесса испарения;

5. окно установки электронно-лучевого испарителя (электронно-лучевая пушка с поворотом электронного пучка на 180°) и охлаждаемым медным тиглем. Размер сфокусированного пучка 2x3,5 мм. Ускоряющее напряжение иуск=6, 12 кВ.; 1„акала=(Ь50 А; 1-зм„с=0^400 мА;

6. фланец и окно для установки верхнего осветителя фотометрического устройства;

7. фланец и окно нижние фотометрического контроля;

8. герметичный штепсельный разъем устройства прогрева подложек (температура прогрева регулируется от 18 до 350° С;

9. датчик низкого вакуума ПМТ 6-3;

10. датчик высокого вакуума ПММ-32-1;

11. герметичный штепсельный разъем;

12. вымораживающая азотная ловушка (криопанель) с питателем (не использовалась)

13. смотровое окно, состоящее из: быстросменного защитного стекла, иллюминатора из жаропрочного кварцевого стекла и снаружи - экран из стекла ТФ-5 для защиты оператора от рентгеновского и УФ излучения электронно-лучевого испарителя.

Для защиты внутренних стенок камеры и двери от быстрого загрязнения испаряемым веществом использовалась алюминиевая фольга. Подколпачная арматура располагается на 3-х опорах, установленных и закрепленных в двух боковых и донном вакуумных вводах. Арматура предназначена для размещения и вращения в вакуумной камере подложек. Вращение держателей подложек осуществляется от электромагнитной муфты (0-100 об./мин).

В системе ионной очистки ВУ-1А предусмотрено ступенчатое изменение ускоряющего напряжения (2,2; 3; 4) кВ. Значение тока ионизации регулируется в диапазоне от 0 до 400 мА, площадь ионизатора 120 см2. На рис. 4.1. схематично изображена конструкция ионизатора и его расположение в вакуумной камере.

Видно, что конструкция схемы позволяет изменить полярность электрода ионизатора относительно корпуса. ионизатор

Ч" изолятор

Анод 0

ЭЛИ а) б)

Рис. 4.1. Конструкция и размещение ионизатора в вакуумной камере.

Расстояние от плоскости, в которой расположен ионизатор до плоскости подложек 240 мм. Ионизационный ток регулировался изменением давления остаточных атмосферных газов в вакуумной камере. В принципе наиболее оптимально было бы использовать ионный источник с холодным катодом, имеющий апертуру 150-200 мм. Можно предположить, что ионизация в соответствующе подобранной атмосфере даст наилучшие результаты, т.е. тлеющий разряд во фторосодержащей атмосфере (фреон-14 CF4) вызовет образование активных анионов 2F", что приведет к более радикальной модификации приповерхностного слоя.

4.2. Определение величины погрешности полученных экспериментальных результатов.

В ходе экспериментов измерялись следующие величины:

1. спектральный коэффициент пропускания

2. спектральный коэффициент отражения;

3. вес;

4. температура;

5. эллипсометрические параметры Psi Delta

6. давление

7. токи: ионизации эмиссии

8. напряжения

9. линейные размеры

В измерениях существует принципиальная проблема контроля размеров единицы измерений, и эта задача решается только в мире достигнутого развития науки и техники [79]. Невозможно обеспечить абсолютную идентичность характеристик даже однотипных средств измерений, и, следовательно, при измерениях одной и той же физической величины могут получиться различные данные. Очевидно, что никакое измерение не может быть выполнено абсолютно точно или можно утверждать - при измерениях неизбежно допускаются некоторые ошибки. Поэтому результат измерений должен характеризовать не только размер исследуемого объекта, но также и допущенные отклонения экспериментальных данных от истинного значения. Попытки проводить измерения с большей точностью (меньшей ошибкой), чем это необходимо в данной технической задаче, приводит к неоправданной растрате сил и средств. Погрешности измерений классифицируют по характеру и причинам их появления. Простейшей причиной возникновения ошибок может явиться недосмотр экспериментатора, связанный с субъективными обстоятельствами или недостатком квалификации. Различают четыре основные группы - три систематические погрешности и одну случайную. Не все систематические ошибки могут быть учтены в виде поправок. Поэтому желательно так строить эксперимент, чтобы исключить погрешность в процессе измерения. При выполнении измерений необходима целенаправленная работа по выявлению систематических ошибок. Могут быть систематические ошибки, о существовании которых мы можем даже не догадываться. Случайные погрешности обнаруживаются при повторных измерениях фиксированной физической величины [81]. Причина этого разброса - многообразие и взаимосвязь физических факторов, определяющих условия измерения, невозможность их абсолютно точного воспроизведения и контроля при повторных измерениях. Изменение этих факторов, а также неинформативных параметров измеряемой физической величины и приводит к изменению итогов повторных опытов. При описании погрешностей измерений целесообразно систематическую и случайную погрешности указывать по отдельности. Измерения могут быть прямыми, когда результат выражается непосредственно в тех же единицах, что и измеряемая величина, и косвенными, когда искомая величина определяется по результатам измерений других величин, связанных с измеряемой определенными зависимостями [81].

Прямые измерения, в свою очередь, делятся на абсолютные и относительные. Абсолютные измерения дают непосредственно измеряемую величину, а относительные только отклонения измеряемой величины от эталонной.

Измерительные приборы характеризуются определенными параметрами:

1. Предел измерения - наибольшее и наименьшее значения, которые могут быть измерены на данном приборе.

2. Диапазон измерения - разность между пределами.

3. Цена деления шкалы - значение измеряемой величины, соответствующая одному делению шкалы.

4. Интервал деления шкалы - расстояние между осями двух соседних штрихов шкалы.

5. Чувствительность прибора - свойства прибора реагировать на изменение измеряемой величины.

6. Порог чувствительности - изменение измеряемой величины, способное вызывать наименьшее заметное изменение показания прибора.

За истинную величину принимают среднее арифметическое значение, полу

У> ченное за несколько повторных измерений: х = ' / Axi = xf - х , где X; - значение п отдельного измерения; п - число измерений; Ах; - случайная ошибка. Среднюю квадратическую ошибку а ряда измерений можно определить по формуле: а Вероятную погрешность Р находят из выражения Р=2а/3. Предель

V п ная погрешность 5 для большинства случаев отвечает равенству 5=3 ст. Для оценки точности среднего арифметического все указанные параметры домножаются на

4п[щ.

Измерения спектрального коэффициента пропускания проводилось с помощью спектрофотометров СФ-20, СФ-26. Перед измерением приборы были отградуированы по линейчатому спектру ртути. Точность, с которой выставлялась длина волны, составляет 0,5 нм (от 250 до 600 нм) и 1 нм (от 600 до 2000 нм), Р=0,95. Количество измерений не менее пяти. Коэффициент пропускания определен с точностью Дхслуч=1%, Дхсист=0,5%. Следует заметить, что поверхности деталей до измерений подвергались чистке по стандартной методике.

Эллипсометрические измерения выполнены на ЛЭФ-ЗМ, оборудованном АЦП, подключенного к ПК. Расчет эллипсометрических параметров осуществлялся с помощью специального программного обеспечения. В расчетах использовались следующие эллипсометрические данные, приведенные в табл. 4.1, 4.2, 4.3.

Заключение

1. Для увеличения энергии адгезии системы полимер-покрытие необходимо, чтобы его поверхность в результате предварительной обработки (облучение УФ-излучением или бомбардировка ионами химически активных элементов) приобрела структуру с максимально увеличенным числом развернутых (прямых) полимерных цепей, ориентированных перпендикулярно поверхности подложки.

2. Время между обработкой поверхности и осаждением первого слоя определяется значением постоянной времени жизни элементарного структурного релаксатора полимера.

3. Осаждение первого адгезионного слоя должно состоять из нескольких этапов, если невозможно организовать активационную или стимулирующую обработку (ионную или УФ-излучением) в ходе осаждения слоя.

4. Температура подложки определяет не только силу адгезии, но и структуру получаемой пленки. Значение температуры подложки должно обеспечивать подвижность фрагмента макромолекулы максимально возможного размера (одна две связи главной цепи).

5. Изменение внутренней структуры пленки может регулироваться скоростью осаждения (от максимальной в начальный до минимальной в конечный момент роста).

6. Разработанная математическая модель позволяет оптимизировать выбор контрольных длин волн для неравнотолщинных интерференционных покрытий , содержащих керметные слои. Выбор контрольных длин волн осаждаемых слоев основан на использовании особенностей спектральных характеристик диэлектрических систем.

7. Технологический процесс нанесения диэлектрических покрытий на полимерные подложки может быть реализован на стандартном отечественном оборудовании.

1. Сперанская Т.А., Тарутина Л.И. Оптические свойства полимеров. JL, Химия, 1976, 4с.

2. Bosshard С., Knopfle G., Pretre P., Follonier S., Serbutoviez C., Gunter P., Molecular crystals and polymers for nonlinear optics/ Optical engineering/July 1995/ Vol.34. №7. pp.1951-1960.

3. Courtesy О plus E magazine, Tokyo. Polymer liquid crystal records holograms. Laser Focus World/April 2000/ Vol.36. №4. p.50.

4. Прохоров А.И. Справочник по лазерам. М., Сов.Радио, 1978.

5. Привалко В.П. Молекулярное строение и свойства полимеров. JL, Химия, 1986, с.9.

6. Тюдзе Р., Каваи Т. Физическая химия полимеров. М., Химия, 1977, с. 296.

7. Переходы и релаксационные явления в полимерах. М., Мир, 1968. с.384.

8. Wada Y. -: Dielectric and Related Molecular Process/Ed. V. Davies. L.: Chem. Soc. Publ., 1977, p.143-175.

9. Флори П. Статическая механика цепных молекул. М., Мир, 1971. с.440. Ю.Халатур П.Г. Степаньян А.Е. Высокомолекулярные соединения. 1977, т. 19Б,10, с.754-755.1 l.Dondos F., Benoit Н. C.R.Acad. Sci., ser. С, 1970, v.271, p. 1055-1057.

10. Стражинский И.Е., Ферьеров A.M., Песецкий C.C., Осленко С.А., Брагинский В.А. Точные пластмассовые детали и технология их получения. Минск, Навука i тэхшса. 1992.

11. Кацнельсон М.Ю., Бадаев Г.А. Полимерные материалы. Свойства и применение. Справочник. Л., Химия, 1982.

12. Перепечко И.И. Введение в физику полимеров. М., Химия, 1978. с.311.

13. Годовский Ю.К. Теплофизика полимеров. М., Химия, 1982, с.280.

14. Иоффе Б.В. Рефрактометрические методы химии. Изд. 2-е. Л., Химия, 1974. с.400.

15. Wiley R.H. Ind. Eng. Chem., 1946, V.38, p.959-960.

16. Аналитическая химия полимеров. Т.2 под ред. Г.Клайна. Пер. с англ. под ред. А.А.Арест-Якубовича. М., Мир.1965.с.472.

17. Торбин И.Д., Даминов Ю.Ф. ОМП, 1974, №10, с.72-79.

18. Шепурев И.Э. Оптические свойства стеклообразных органических полимеров. ОМП, 1986, №1, с.51-55.

19. Loddi R.F., Deiker D.A. Analyt. Chem., 1960, №1, p.140-141.

20. Debye P., Bueche A.M. Appl. Phys., 1949, V.20, p.518-525.

21. Инфракрасные спектры поглощения полимеров и вспомогательных веществ. Под ред. В.М. Чулановского JL, Химия, 1969. с.356.

22. Wheeler О.Н. Chem. Rev., 1959, №4. р.629-667.

23. Miller R.G.J., Willis H.A., Appl. Chem., 1956, V.6, №9, c.385-391.

24. Yoon D. J., Flory P. J., Ibid., v.6 №2, 1976. p. 294-299.

25. Оптические исследования поверхностей и объемной трехмерной анизотропии в полимерах с высоким показателем преломления. Polum. Ehg. And Sei., №18, 1992.

26. Нелинейные оптические свойства новых термоустойчивых полимеров, Applyed Physics Letters, Т.64, №20, 1994.

27. Генералова Э.В., Носов Г.Б., Синани В.А., Сонин A.C., Шибаев А.Н., Электрооптические ЖК-компоненты на основе полиметилметакрилатов. Серия Физика, №3, 1995.

28. Анисимов И.А., Динисюк И.Ю., Мешков A.M. Создание оптических сред из композиций нанокристаллов красителей в полимерных материалах. Оптика и Спектроскопия. Т.77, №6, 1994.

29. Евстропьев С.К., Мазурина Е.К., Шелехов Н.С. и др. Оптические композиционные материалы "монолитный" кремнегель-полиал". Оптический журнал, №10, 1992.

30. Гриценко А.Е., Рюмцев Е.И., Турнов В.К. Оптические свойства и ориентационный порядок в поверхностных слоях полимеров. Оптический журнал, Т.64, №5, 1977.

31. Бебчук А.С>, Долотов С.М., Уланов С.Ф., Цаприлов A.C. ОМП, 1990, №8, с.47-48.

32. Philips Julia M., Kwo J., Thomas G.A., Carter S.A., Cava R.J., Hou.S Y., Krajewski J.J., Marshall J. H., Peck W. F., Rapnine D.H., Van Dover R. B. Transparent conducting thin films of Gain03/Appl. Phis Lett/- 1994. -Vol. 65. -№1 -P. 115-117.

33. Кузнецов А. Я., Кулешов А. П. Антистатическое просветление/УОптический журнал. 1985. - № 7.- С. 40-41.

34. Хасс Г., Фрйнкомб М., Гофман Р. Физика тонких пленок // Москва -Мир-1978 -Т.8-С.150-152.

35. Александров Г.А., Халиулина Н.З., Полежаев В.В., Анохина И.П. Антистатическое к абразивостойкое покрытие на оптических деталях из полимеров со сложным профилем поверхности //Оптический журнал. 1982 №9 -С. 38-39.

36. Хасс Г., Франкомб М., Гофман Р., Физика тонких пленок//Москва, Мир- 1978.-Т.8 С.67-69.

37. Андреев C.B., Антистатические покрытия, Дипломный проект, С-Пб. ГИТМО, 1997. с. 57. .

38. Холлэнд JI. Нанесение тонких пленок в вакууме. Перевод с англ. Н.В.Васильченко, Госэнергоиздат, M.-JL, 1963.

39. Сердюков О. Неожиданные возможности плазмы, возникающей при разряде тока в газовой среде. Изобретатель и рационализатор, №9, с.6, 1995.

40. Золотарев В.М., Морозов В.Н., Смирнова Е.В., Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник. Химия, Ленинград, 1984.

41. Регель В. Р., Слуцкер А. И., Томашевский Э. Е., Кинетическая природа твердых тел, М., Наука, 1974. с. 560

42. Нагибина И. М., Интерференция и дифракция света, Л., Машиностроение, 1885.с. 16.

43. Бубис И.Я., Вейденбах В.А., и др., Справочник технолога-оптика, Под общ. ред.

44. Кузнецова С.М., Окатова М. А. ,Л. Машиностроение, 1983. с. 414.

45. Киттель Ч., Статистическая термодинамика, М., Наука, 1977. с. 336.

46. Закис Ю.Р., Кантарович Л.Н., Котомин Е.А., Кузовков В.Н., Тале И.А.,

47. Шлюгер А.Л., Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами,1. Рига, Зинатне, 1991.

48. Закис Ю.Р., Дефекты в стеклообразном состоянии вещества, Рига, Зинатне,1984. с.202.

49. Рейф Ф., Статистическая физика, Пер. с англ., М., Наука, 1977. с. 351.

50. Ed.R.N.Haward L., The Physics of Glassy Polymère, Appl. Sci. Publ.Ltd., 1973/ p. 620.

51. Френкель Я.И., Кинетическая теория жидкостей, Л., Наука, 1975. с. 592.

52. Уббелоде А., Плавление и кристаллическая структура, М., Мир, 1970. с. 420.

53. Boyer R. F. Ruub. Chem. Technol., 1963, v.36 №12, p. 1303-1421.

54. Берштейн B.A., Егоров B.M., Степанов В.А., ДАН СССР, Т.269 №3,1983. с. 627630.

55. Рэмсден Э. Н., Начала современной химии, Пер. с англ. под ред. Барановского В. И., Белюстина А. А., Ефимова А.И., Потехина А.А., Л., Химия, 1989.

56. Бабичев А. Л., Бабушкина Н.И., Братковский А. М., и др., Физические величины: справочник под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. 3., М., Энергоатомиздат, 1991.

57. Хасс Г., Тун Р. Э., Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения, Пер. с англ. под ред. Сандомирского В. Б., М., Мир,Т.3,1968.

58. Качанов М. И., Твердое тело, Физический энциклопедический словарь, М., Сов. энциклопедия, 1986. с.115-123.

59. Zakis Yu. Thermal and radiation induced disorder in glass. Proc. 19th intern. conf. glass, Leningrad, 1989. p.240-244.

60. Закис Ю. P., Дефекты в стеклообразном состоянии вещества, Рига, Зинатне, 1984. с. 202.

61. Закис Ю. Р., Клява Я. Г., О свободном объеме в конденсированном веществе, Физика и химия стекла, Т. 13 вып. 3, 1987. с. 321-327.

62. Privalko V. P. -Ibid., v.6 №1, 1973. p. 111-113.

63. Choy С. L. Polymer, v.18 №10, 1977. p. 984-1004.

64. Привалко В. П., Структурные особенности полимеров, К., Наукова думка, 1978. с. 3-32.

65. Temperley H. N. V., J Res.Nat. Bur. Stand., v. 56 №1, 1956. p. 55-63.

66. Flory P. J., Erman В., Macromolecules, v. 15 №3, 1982. p. 800-811.

67. Слонимский Г. Л., Аскадский А.А., Китайгородский А. И., Высокомолекулярные соединения, Т 12А №3,1970. с. 494-512.

68. Александров Г. А., Халиулина И. 3., Шеяхметова P. X., Мансурова JI. И., Чистка оптических деталей из полимерных материалов, ОМП, №7, 1981. с. 26-28.

69. Путилин Э. С., Старовойтов С.Ф., Способ определения лучевой прочности оптических покрытий, A.C. СССР №1370531 от 01.10.87.

70. Миллер В. Т., Ионная обработка диэлектрических материалов, подложек и покрытий сеточным электродом на постоянном токе, Диссертация на соиск. уч. степ. K.T.H., 1996.

71. Палатник JI. С., Фукс М. Я., Косевич В.М., Механизм образования и субструктура тонких пленок, М., Наука, 1972. с. 312.

72. Kern R., Lay G. L., Metoi J.J., Curr.Top. Mat. Sei., v. 3, 1979.p. 139.

73. Sigsbee R. A. Pound G. M.,Adv. Coll. Interf. Sei., v. 1 №2, 1967. p. 335.

74. Venables A., Spiller G.D.T., Hanbucken M., Nucleation and growth of thin films. Rep. Progr. Phys.,v. 47 №47, 1984. p. 399.

75. Осипов A.B., Модель Кана-Хильярда в теории зарождения тонких пленок, Поверхность. Физика, Химия, Математика, №8, 1991. с. 34-42.

76. Трусов J1. И., Холмянский В. А., Островковые металлические пленки, М., Металлургия, 1973. с. 320.

77. Дистлер Г.И., Власов В., П., Избирательная кристаллизация на элементах электрической структуры кристаллов LiF, ФТТ, Т. 11 № 8, 1969. с. 2226-2229.

78. Жданов Гл. С., Кинетика роста островков конденсированной фазы, ФТТ, Т.26 №10,1984.с. 2937-2942.

79. Карасев А. С., Основы оценки погрешности измерений, Учебн. пособ., С-Петербург, ИПЦ СПбГТУ, 1995. с. 4.

80. Паспорт. Установка вакуумная модели ВУ-1А, 1984.00.00.000.ПС, с. 5

81. Зайдель А.Н., Погрешности измерений физических величин, JL, Наука, 1985. С.67.

82. Федотов Г. И., Ильин Р. С., Новицкий JI. А., Зубарев В. Е., Гоменюк А. С., Лабораторные оптические приборы. Учебное пособие для приборостроительных и машиностроительных вузов -2 е изд. перераб. и доп., М., Машиностроение, 1979. с. 55.