автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Феноменологическое моделирование процессов осаждения нитридов алюминия и галлия из газовой фазы

СТр.

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. ПОЛУЧЕНИЕ, ПРИМЕНЕНИЕ И

СВОЙСТВА НИТРИДОВ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ.

1.1. НИТРИД АЛЮМИНИЯ .:.

1.1.1. СВОЙСТВА НИТРИДА АЛЮМИНИЯ.

1.1.2. ПРИМЕСИ В НИТРИДЕ АЛЮМИНИЯ.

1.1.2 Л .НЕКОНТРОЛИРУЕМОЕ ЛЕГИРОВАНЙЕ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ.

ЛЛ.2Л.К СИСТЕМА А1*Г:0.

1.1.2.1.2. СИСТЕМА А1Ы:Н.,.

V1Л .2.1.3. Д1РИМХЕСИ И НЕСТЕХИОМЕТРИЧНОСТЬ (А1Ых).31 1/

1.1.2Л .4. СИСТЕМА А1И:С.

1; 1.2.2.КОНТРОЛИРУЕМОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ. - '\Л22Л. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЛЕГИРОВАННОГО А1Ы.

1.1.2.2.2. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛЕГИРОВАННОГО А1М37 1 Л.2.2.3. МЕЛКИЕ ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ.

1.2. , НИТРИД ГАЛЛИЯ

1.2 л.; СВОЙСТВ А НИТРИДА ГАЛЛИЯ

1.2.2. ПРИМЕСИ В НИТРИДЕ ГАЛЛИЯ

1.2.2.1 .НЕКОНТРОЛИРУЕМОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ.

1.2.2.1.1. СИСТЕМА Са№0.

1.2.2.1.2. СИСТЕМА ОаЫ:С.,,. 1.2.2.1.3. СИСТЕМА ваКШ.

1.2.2.2.СОБСТВЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ваИ .!.

1.2.2.3.ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

1.2.2.3.1. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НЕЛЕГИРОВАННОГО ваИ.,.

1.2.2.3.2. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМЕ Са^Кве).:.

1.2.2.3.3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМЕ СаМ:гп.

1.2.2.3.4. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМЕ ва^Са.

1.2.2.3.5. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМЕ Са№8е.

1.2.2.3.6. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМЕ Оа№ Mg.

1.2.2.3.7. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИСТЕМАХ Оа№Ре,Сг,У.

1.2.2.4.КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В ваЫ

1.2.2.4.1. КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В СИТЕМЕ ОаЫ:2п.

1.2.3. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ ваИ 1.2.3.1.ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ В СИСТЕМЕ Оа№

1.2.3.2.ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ В СИСТЕМЕ ваТ^е

1.2.3.3.ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ В СИСТЕМАХ Оа№М& СаИ^п, Оа№Са и СаЫ:Ве

1.2.3.4.ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТБ В СИСТЕМЕ СаИ:С

1.2.4. ГЛУБОКИЕ И МЕЛКИЕ ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ваИ.

1.3. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ НИТРИДОВ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ

1.3.1. МОС-ГИДРИДНЫЙ МЕТОД

1.3.2. ХЛОРИДНО-ГИДРИДНЫЙ МЕТОД

1.3.3. ТРАНСПОРТНЫЕ МЕТОДЫ

1.3.4. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ

1.3.5. ПРОЧИЕ ВАКУУМНЫЕ МЕТОДЫ ОСАЖДЕНИЯ

1.3.6. ЛАТЕРАЛЬНЫЙ РОСТ И ПЕНДЕОЭПИТАКСИЯ.

1.4. ПРИМЕНЕНИЕ НИТРИДОВ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ

1.5. ВЫВОДЫ

Глава 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ОСАЖДЕНИЯ НИТРИДОВ.

2.1. ОСАЖДЕНИЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ НИТРИДОВ

2.1.1. СИСТЕМА A1-C1-N-H

2.1.2. СИСТЕМА Al-Br-N-H

2.1.3. СИСТЕМА Ga-Cl-N-H

2.1.4. СИСТЕМА Ga-Br-N-H

2.1.5. СИСТЕМА In - Cl(Br) - N-H .Л.

2.2. ОСАЖДЕНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ.

2.2.1. СИСТЕМА AIN - GaN

2.2.2. СИСТЕМА Al - In - N i 2.2.3. СИСТЕМА Ga - In - N .:. 2.3. КВАЗИБИНАРНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ НИТРИДОВ С

ОКСИДАМИ

2.3.1. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ (AlN)x(A1203)l-x

2.4. 1 КВАЗИБИНАРНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ (GaN)x(Ga203)1-х.

2.5. ВЫВОДЫ

Глава 3. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ТВЕРДЫХ

РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ

3.1.РАСЧЕТ ПАРАМЕТРА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ.

3.1.1. МЕТОДЫ РАСЧЕТА ПАРАМЕТРА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ

3.1.2. РАСЧЕТ ОБЪЕМНОГО МОДУЛЯ УПРУГОСТИ ВТВЕРДОМ^

-— - РАСТВОРЕ- ------ — 7.".777. >7.

3.1.3. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ БИНАРНЫХ НИТРИДОВ

3.1.4. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ НИТРИДОВ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ А3В5.

3.1.5. РАСТВОРИМОСТЬ ПРИМЕСЕЙ ЗАМЕЩЕНИЯ В НИТРИДАХ. 3.2. ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ

3.3.УЧЕТ ИЗМЕНЕНИЯ ДЛИНЫ СВЯЗЕЙ ПРИ НАГРЕВЕ ДО ТЕМПЕРАТУРЫ ОСАЖДЕНИЯ НА РАСТВОРИМОСТЬ ПРИМЕСЕЙ.

3.4. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ПО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДВУХЗОННОЙ МОДЕЛИ ВАН ВЕХТЕНА.

3.5 ВЫВОДЫ

Глава 4.ТЕПЛОМАССООБМЕН В РЕАКТОРЕ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ НИТРИДОВ

АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ .:.

4.1 .ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ

УСТАНОВКИ .!.

4.2.ГАЗОДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗОНЫ ИСПАРЕНИЯ. 189 4.2.1 .ГАЗОДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗОНЫ ОСАЖДЕНИЯ. 192 4.2.2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛООБМЕНА В

ГОРИЗОНТАЛЬНОМ РЕАКТОРЕ.

4.3 .МАССООБМЕН В ЗОНЕ ИСТОЧНИКА

4.3.1.МАССОБМЕН В ИСТОЧНИКЕ ДЛЯ ПИРОЛИТИЧЕСКОГО МЕТОДА.

4.3.1 .МАССОБМЕН В ИСТОЧНИКЕ ДЛЯ ХЛОРИДНО-ГИДРИДНОГО

МЕТОДА

4.4.МАССООБМЕН В ЗОНЕ ОСАЖДЕНИЯ

4.4.1 .ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ НИТРИДОВ.

4.4.2 .МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОМАССООБМЕНА В ЛАМИНАРНОМ И

ТУРБУЛЕНТНОМ РЕЖИМАХ ТЕЧЕНИЯ ГАЗА

4.5. ВЫВОДЫ

Глава 5.ИССЛЕДОВАНИЕ СОСТАВА ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ЭПИТАКСИИ

НИТРИДОВ

5.1 .ИК СПЕКТРОСКОПИЯ.

5.1.1.ОБЩИЕ ЗАМЕЧАНИЯ.

5Л.2.СПЕКТРОСКОПИЯ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ.

5.1.3.СПЕКТРОСКОПИЯ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ.

5.2.МАСС-СПЕКТРОСКОПИЯ

5.3. СПЕКТРОСКОПИЯ КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕИЙ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ИСПАРЕНИИ.

5.4. СРАВНЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИК СПЕКТРОСКОПИИ И МАСС-СПЕКТРОСКОПИИ. ЦИКЛИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ, i.

• ~ 5.5. ВЫВОДЫ

Глава 6. СВОЙСТВА СЛОЕВ НИТРИДОВ, ОСАЖДЕННЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ.

6.1 .МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ СЛОЕВ НИТРИДОВ.

6.2. СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДОВ.264 6.2.1 .СТРУКТУРА СЛОЕВ НИТРИДОВ НА РАЗОРИЕНТИРОВ АННЫХ

ПОДЛОЖКАХ. ДВОЙНИКОВАНИЕ

6.3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СОСТАВА СЛОЕВ.

6.4. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДОВ.

6.4.1.ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

ЭПИТАКСИЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДОВ.

6.4.2. АКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИЛЬНЫХ И ТЕКСТУРИРОВ АННЫХ СЛОЕВ НИТРИДОВ.

6.5. МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ЭПИТАКСИЛЬНЫХ СЛОЯХ НИТРИДОВ.

6.5.1. ПРИМЕНИМОСТЬ ФОРМУЛЫ СТОНИ ДЛЯ РАСЧЕТОВ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В СЛОЯХ И ПОКРЫТИЯХ.

6.5.2. "Z-СИСТЕМА" НАПРЯЖЕНИЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ.

6.6. УСТОЙЧИВОСТЬ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ НА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОСНОВАНИЯХ.

6.7. ВЫВОДЫ .,.

Нитриды алюминия и галлия являются перспективными материалами электронной техники. Уникальный комплекс свойств позволяет применять их в оптоэлектронике и акустоэлектронике. Открытая сравнительно недавно возможность создавать р-п-переход позволяет создавать принципиально новые полупроводниковые приборы для силовой электроники. Высокоэффективные светоизлучающие приборы на основе твердых растворов нитридов в совокупности # • с люминофорами открывают возможность создавать новую базу для электроосветительного оборудования специального и даже бытового применения. Нитрид алюминия хорошо зарекомендовали себя в качестве защитных диэлектрических покрытий для электронной техники, атомной промышленности, в производстве режущего инструмента. Мировые капиталовложения в области нитридов III группы составляют несколько сотен миллионов долларов ($) в год и постоянно растут. Однако недостаточное финансирование аналогичных российских программ сдерживает развитие технологии нитридов в нашей стране.

Объемные монокристаллы нитридов удается выращивать с очень большими трудностями и пока малых размеров из-за высокого равновесного давления азота. Поэтому основные усилия технологов сосредоточены на эпитаксии нитридов. Основными методами изготовления эпитаксиальных слоев являются МОС-гидридная технология и молекулярно-лучевая эпитаксия. С ними успешно конкурируют хлоридно-гидридный метод (которому посвящена настоящая работа) и методы пересублимации: термическая и лазерное испарение. Осаждение в хлоридно-гидридной системе отличается максимально высокой скоростью (до 80----

100 мкм/мин в коротких процессах), что открывает возможность создания -подложек для гомоэпитаксии: Широкому внедрению в промышленность"^ технологии эпитаксиальных нитридов препятствует отсутствие отечественного специализированного оборудования и высокие цены на зарубежное (в частности немецкой фирмы А1Х8'ПЮМ). Качество эпитаксиальных слоев, определяемое -очень большим количеством технологических параметров и приемов, постоянно совершенствуется. Так например, вслед за нитридизацией поверхности сапфировой подложки и созданием низкотемпературного буферного слоя появились и стали широко применяться новые приемы: тангенциальная эпитаксия ("латеральный" рост и "пендеоэпитаксия"), буферные слои, осажденные при температуре несколько ниже основного процесса и их чередование. Многочисленны попытки найти более подходящие подложки, чем сапфир и карбид кремния. В силу бурного развития и постоянного усовершенствования технологии нитридов и отсутствия достаточного финансирования автор обратил основное внимание не на организацию производства или разработку оборудования, а на фундаментальные основы эпитаксии, определяющие в конечном итоге ее дальнейшее развитие.

Среди наиболее значимых проблем технологии эпитаксиальных нитридов определены следующие: кристаллографические основы эпитаксиалыюго срастания, энергетические аспекты зародышеобразования при наличии различных ориентаций слоя на одной подложке, термодинамические аспекты осаждения "индивидуальных нитридов / й их твердых растворов: бинарных и с соответствующими оксидами; кристаллохимические основы легирования нитридов и устойчивости | твердых растворов, получающихся при легировании; тепломассообмен при эпитаксии из газовой фазы, исследование, тонких химических процессов в газовой фазе с целью выяснения механизмов реакций, сопровождающих пиролиз моноаммиакатов и наблюдаемых в хлоридно-гидридном методе; проявление деформаций несоответствия на границе с подложкой и релаксация соответствующих напряжений за счет образования дислокаций; релаксация термоусадочных напряжений за счет изгиба и разрушения гетероструктур. Из всего массива проблем выделено, как связующая нить, различные аспекты легирования нитридов кислородом и влияние последнего на физико-химические свойства эпитаксиальных слоев. Диссертационная работа является прямым продолжением диссертации на соискание степени кандидата технических наук, в ней продолжены термодинамические исследования, существенно пересмотрены взгляды на тепломассообмен ( в частности в турбулентном режиме), впервые обнаружена полимеризация аддуктов в газовой фазе^ дан прогноз растворимости большинства используемых примесей замещения.

В отличие от предыдущей работы рассмотрены проблемы возникновения и релаксации напряжений в гетероструктурах и керамических покрытиях.

Целью работы являлось феноменологическое моделирование процессов, сопровождающих эпитаксию (то есть моделирование на основе данных многочисленных экспериментов, проведенных и самим автором, и известных из литературы) для дальнейшего совершенствования технологии нитридов алюминия и галлия и получения в итоге высококачественных приборов на их основе.

В ходе работы потребовалось решить следующие задачи:

1. Оптимизация условий осаждения слоев из газовой фазы в хлоридно-гидридной системе и совершенствование конструкции реактора.

2. Разработка технологии получения исходных неорганических комплексных соединений (МеХп" №!„, где Ме -А1,Оа ,Х-С\, Вг или I, п = 3 или 4).

3. Исследование состава газовой фазы при эпитаксии нитридов в хлоридно-гидридной системе.

4. Комплексное исследование теплол(}:сообмена в реакторе и построение модели этих процессов в различных режимах течения.

5. Термодинамическое моделирование процессов в газовой фазе и на поверхности растущего слоя с учетом неизотермичности и влажности газа.

6. Легирование слоев кислородом и анализ его влияния на физико-химические свойства нитридов и получение нелегированных слоев.

I, Исследование состава, структуры, габитуса, оптических, электрических и акустических свойств гетероэпитаксиальных слоев и покрытий из нитридов.

8. Исследование кристаллохимических основ легирования нитридов и устойчивости твердых растворов замещения.

9. Исследование кристаллографических основ эпитаксии и зародышеобразования нитридов на Л-плоскости сапфира.

10. Изготовление тестовых структур и опытных серий приборов на поверхностных и объемных акустических волнах и изделий с керамическими покрытиями для электронно-вакуумных приборов, изучение оптических и акустических свойств слоев.

II. Исследование остаточных напряжений в покрытиях и эпитаксиальных структурах и анализ причин их возникновения.

В диссертационной работе получен ряд экспериментальных и теоретических результатов, составляющих суть научной новизны работы, в том числе:

1. Определены основные критерии поиска оптимальных с точки зрения качества слоев условий осаждения в хлоридно-гидридной системе. Найден способ получения монокристаллических слоев (ll2o) и (112б)с зеркально-гладкой; поверхностью. Получены комплексные соединения типа А1С14 " NH4, найден способ получения из них высококачественных слоев нитридов. Найден способ интенсификации источника в хлоридно-гидридном процессе. Найден способ создания керамических покрытий из нитрида алюминия. Все эти способы защищены авторскими свидетельствами.

2. Исследовано влияние разориентации подложки относительно R-плоскости и нитридизации сапфира на эпитаксиальное соотношение слоя и подложки. Определена связь состава и структуры поверхности сапфира с ориентацией слоев и их структурным совершенством. В частности исследован механизм смены азимутальной ориентации полярной оси в слоях (п2б) и образования слоев той или иной ориентации на R-плоскости сапфира.

3. Построена термодинамическая модель осаждения индивидуальных нитридов, учитывающая не полное разложение аммиака, моноаммиакатов и других аддуктов за счет разницы температур стенок реактора (и подложки) и температуры газовой фазы, показавшая, что в реальных условиях основной реакцией образования нитридов алюминия и галлия в отличие от нитрида индия является пиролиз моноаммиаката. В основе модели - результаты расчета равновесных состояний парогазовой смеси в ядре потока и в пограничном слое, результаты расчета изотермического потенциала для отдельных реакций и результаты анализа теплообмена в реакторе.

4. Построена термодинамическая модель осаждения нитридов, содержащих соответствующий оксид, показано что концентрация оксида уменьшается при увеличении скорости осаждения, концентрации аммиака и при снижении влажности газа-носителя; с ростом температуры осаждения концентрация оксида в A1N уменьшается, а в GaN - увеличивается.

5. С помощью ИК спектроскопии и масс-спектроскопии проанализирован . состав газовой фазы при эпитаксии, в частности показано, что вещества с донорно-акцепторной связью Мс- N наблюдаются при относительно высоких температурах в газовой фазе, где происходит постепенное отщепление атомов водорода и галогена и образуются промежуточные аддукты, их линейные и кольцевые полимеры, например, (А1С1ЫН2)з.

6. С помощью различных спектроскопических методов проанализирован состав слоев, определены зависимости уровня легирования кислородом и состава твердых растворов от условий осаждения, которые подтвердили правильность термодинамической модели.

7. На основе теории пограничного слоя смоделированы условия тепломассообмена в реакторе проточного типа, найдены аналитические выражения для расчета тепловых потоков и потоков масс в ламинарном и турбулентном режимах и с учетом химических реакций на поверхности. В частности подложка рассматривалась, как пористое тело с вдувом газа через нее в количестве, эквивалентном выделяющимся по реакции.

8. Развиты представления о нелинейных эффектах при образовании твердых -растворов на основе нитридов. В частности даны оценки параметра смешения П для бинарных нитридов, растворов нитридов с оксидами; растворов, получающихся при введении в качестве примесей элементов групп; растворов, содержащих донорно-акцепторные комплексы примесей. Даны оценки равновесных значений концентрации носителей в нитридах при различных видах легирования.

9. Исследованы деформации в гетероэпитаксиальных структурах и покрытиях на основе нитридов, вызванные несоответствием параметров решеток и неэквивалентными термическими усадками. Показано, что эпитаксия на II-плоскости сапфира протекает в поле напряжений растяжения, с ростом толщины слоя растет степень релаксации напряжений за счет дислокаций, а при охлаждении структуры растяжению подвергается подложка, в которой могут возникать трещины, переходящие в слой. Показано, что известная формула Стони имеет большие ограничения в применении к толстым слоям. Рассчитаны напряжения, возникающие в керамических покрытиях на неплоских основе.

ШщШШШШ

10. Проанализированы литературные источники по проблемам нитридов алюминия и галлия, составлен обзор, включающих наиболее значимые и достоверные сведения о свойствах (более 50 параметров) , методах получения и тенденциях развития технологии, а так же областях применения. Показаны противоречия в данных и проблемы, наиболее сдерживающие развитие технологии нитридов.

Практическая ценность работы и реализация результатов:

1. Разработана технология получения синтеза и очистки исходных комплексных соединений моноаммиакатов галогенидов алюминия и галлия и более сложных тетрагалогендоалюминатов(галлатов) аммония, а также методика их применения для осаждения индивидуальных нитридов и их твердых растворов.

2. Усовершенствована конструкция проточного реактора для осаждения нитридов на подложках диаметром 76мм для хлоридно-гидридного и пиролитического методов. . Разработана . методика осаждения монокристаллических слоев нитридов и их твердых растворов на подложках из сапфира с ориентацией (0001) и (01Т2), текстурированных слоев на кремниевых окисленных подложках, на металлическом подслое и на молибдене толщиной до 400 мкм. .

3. Построенная модель срастания нитридов с К-плоскостью сапфира позволила /сформулировать основные принципы выбора и подготовки подложек для получения монокристаллических слоев с заданными свойствами. Указанные принципы могут быть применены для подложек других ориентации и материалов.

4. Показана функциональная пригодность эпитаксиальных слоев для приборов на поверхностных и объемных акустических волнах на частотах до нескольких ГГц, слоев твердых растворов для оптоэлектронных устройств, керамических покрытий для использования в качестве опорных элементов в электронно-вакуумных приборах.

5. Термодинамическая модель процессе позволяет подбирать условия осаждения твердых растворов на * основе нитридов и в частности снижать концентрацию кислорода в слоях. адйКЩЩШ

6. Результаты расчетов напряжений по предложенным моделям позволяют избегать напряжений выше допустимых пределов за счет правильного выбора формы основы для керамических покрытий и условий осаждения для эпитаксиальных слоев. Гетероэпитаксиальные структуры с нитридом алюминия с ориентациями (i 12о) и (112б) были использованы на предприятии п/я В-2584и В/8828, а технология их изготовления внедрена на предприятии п/я А-1819 для создания ПАВ приборов, а текстурированные слои .на кремнии и на сапфире с подслоем ванадия и керамические покрытия на молибдене- на предприятии "Исток" для устройств СВЧ-диапазона. Эпитаксиальные с!ои нитридов использовались в Институтом физики полупроводников СО РАН, Черновицким Государственным университетом, Рижским Государственным университетом и другими организациями.

Результаты использования указанных структур подтверждены актами и свидетельствуют о положительном экономическом эффекте

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Республиканском семинаре "Физика и технология тонких пленок" (Ивано-Франковск, 1982г.), II Всес. конф. "Физика и технология тонких пленок" (Ивано-Франковск, 1984г.), V Всес. семинаре "Методы получения, свойства и области применения нитридов" (Рига, 1984г.), XII Всес. конф. по квантовой акустике и акустоэлектронике (Саратов, 1983г.), II, III, IV, V Всес. конф. "Термодинамика и полупроводниковое материаловедение" (Москва,

1983г, 1986г., 1989г., 1997г.), VII Всес. конф. по тепломассообмену (Минск,

1984г.), Всес. совещание молодых ученых "Диагностика поверхности ионными пучками" (Ужгород, 1985г.), Всес. конф. "Применение колебательных спектров исследованию неорганических и координационных соединений" (Москва,

1985г.), II Всес. семинар "Термодинамика поверхности монокристаллических жущэоводников" (Владивосток, 1985г.), VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986г.), III

Всес. совещание "Физика и технология широкозонных полупроводников"

Махачкала, 1986г.), XIII Всес. конф. по квантовой акустике и акустоэлектронике (Черновцы, 1986г.), Всес. конф. "Моделирование роста

11

Всес, совещание "Физика и технология широкозонных полупроводников" (Махачкала, 1986г.), XIII Всес. конф. по квантовой акустике и акустоэлектронике (Черновцы, 1986г.), Всес. конф. "Моделирование роста кристаллов" (Рига, 1987г.), VII Всес. конф. по росту кристаллов (Москва, 1988г.), VI Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1988г.), Всес. конф. "Акустоэлектронные устройства обработки информации" (Черкассы, 1988г.), XIV Всес. конф, по квантовой акустике и акустоэлектронике (Кишинев, 1989г.), Всес. конф. "Актуальные проблемы информатики, управления радиоэлектроники и лазерной техники" (Москва, 1989г.), Всес. конф. по люминесценции (Москва, 1991г.), Всерос. конф. "Электроника и информатика-95" (Москва, 1995г.), V Intern. Symp. "Diamond Materials" (Paris, 1997), Всес. н.-техн. конф. "Новые материалы и технологии" (Москва, 1998г.), III Всерос. совещание "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы" (Москва, 1999г.), IV Intern. Symp. on Diamond and related films (Kharkov, 1999), VI Междунар.' конф. "Высокие технологии в промышленности России" (Москва, 2000г.), IX национальная конф. по росту кристаллов (Москва, 2000г.) Материалы диссертационной работы использовались в научно-технических отчетах по НИР в МИЭТе, опубликовано: 21 статья, 60 тезисов докладов, получено 5 Авторских свидетельств на изобретение, получено положительное решение о выдаче А.С.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, общих выводов, изложенных на 337 страницах, иллюстрированных рисунками и таблицами, включает список литературы из 827 наименований на 53 страницах и приложений.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Анализ литературы обозначил наименее исследованные проблемы эпитаксии нитридов алюминия и галлия, имеющие фундаментальный характер: процессы зарождения, двойникования, релаксации напряжений, неконтролируемого легирования и их влияние на свойства слоев.

1. Разработаны основы технологии получения синтеза и очистки исходных комплексных соединений моноаммиакатов галогенидов алюминия и галлия и более сложных соединений аммония, а также методика их применения для осаждения индивидуальных нитридов и их твердых растворов в виде эпитаксиальных слоев на подложках до 76 мм и в виде керамических покрытий толщиной до 200 мкм.

2. На основе кинетических и газотранспортных экспериментов построена модель осаждения нитридов из газовой фазы, позволяющая определять оптимальные условия осаждения в хлоридно-гидридной системе. Установлено, что процесс лимитирован кинетически. Впервые рассчитаны скорости осаждения нитридов с одновременным учетом тепловыделения и газовыделения на поверхности растущего слоя. Показана возможность повышения однородности состава слоя по длине за счет турбулизации потока обтекателями, хотя в турбулентном режиме растет разброс толщины . за счет более интенсивного прогрева газов.

2. Впервые определена связь состава и структуры поверхностного монослоя и разориентации подложки из сапфира с ориентацией слоев, их структурным и морфологическим совершенством. В частности исследован механизм смены азимутальной ориентации полярной оси в слоях (] 12б) и образования слоев той или иной ориентации на Я-плоскости сапфира. Показано, на границе слой/подложка сопрягаются псевдоячейки (испытывающие деформацию сдвига) в виде параллелограмма с различными углами а. Расчет суммарной энергии зародышей, состоящих из таких псевдоячеек, учитывающий упругую и пластическую деформацию, показал, что ос может быть 45°, 63° и др. Указанные принципы могут быть применены для подложек других ориентации и материалов.

3. Впервые построена термодинамическая модель осаждения индивидуальных нитридов, учитывающая не полное разложение аммиака, моноаммиакатов и других аддуктов за счет разницы температур стенок реактора (и подложки) и температуры газовой фазы, показавшая, что в реальных условиях основной реакцией образования нитридов алюминия и галлия в отличие от нитрида индия является пиролиз моноаммиаката. В основе модели - расчет изотермического потенциала для отдельных реакций.

4. Впервые построена термодинамическая модель осаждения растворов нитридов, содержащих соответствующий оксид и получены численные зависимости концентрации оксида от основных технологических параметров, в частности от увеличения скорости осаждения, концентрации аммиака и от снижения влажности газа-носителя и роста температуры осаждения, что позволяет выбрать условия необходимые и достаточные для осаждения слоев заданного состава и, в частности, с низким содержанием оксида.

5. На основе полученных данных ИК спектроскопии и масс-спектроскопии смоделирован состав газовой фазы при эпитаксии, в частности показано, что вещества с донорно-акцепторной связью Ме-Ы (где Ме - А1 и ва, но не 1п)наблюдаются при относительно высоких температурах в виде различных аддуктов. Впервые обнаружены линейные и циклические полимеры, например, (А1СШН2)з и выявлено влияние вида галогена и металла на состав пара.

6. С помощью различных спектроскопических методов проанализирован состав слоев, определены зависимости уровня легирования кислородом и состава твердых растворов от условий осаждения, которые подтвердили правильность термодинамической модели. Обнаружено влияние кислорода на оптические и акустические свойства нитридов, напряжения, морфологию и структуру слоев.

7. С помощью геохимического метода (с учетом деформационных и электростатических составляющих) впервые рассчитан параметр смешения для твердых растворов на основе нитридов: растворов нитридов с оксидами; растворов, получающихся при введении в качестве примесей элементов IWI групп; растворов, содержащих донорно-акцепторные комплексы примесей, в частности Ве-0 в GaN до 25%ат. и А^ОС в A1N до 17%ат. Определены равновесные растворимости более 20 различных примесей замещения, в частности для кислорода 0,2 и 0,02%ат. в A1N и GaN.

9. По температурным зависимостям изгиба структур определены деформации в гетероэпитаксиальных структурах, установлен механизм образования и релаксации напряжений в слоях и покрытиях на основе нитридов, вызванные несоответствием параметров решеток и неэквивалентными термическими усадками. Показано, что эпитаксия на сапфире протекает в поле напряжений растяжения, которые почти полностью релаксируют за счет дислокаций с ростом толщины слоя, а при охлаждении структуры растяжению подвергается подложка, в которой могут возникать трещины, переходящие в слой. Показано, что известная формула Стони имеет большие „ограничения в применении -к толстым слоямг Рассчитаны напряжения, возникающие в различных частях керамических покрытий и в структурах с локально нанесенным эпитаксиальным слоем.

10. Показана функциональная пригодность эпитаксиальных слоев для приборов на поверхностных й объемных акустических волнах на частотах до нескольких ГГц, слоев твердых растворов для оптоэлектронных устройств, керамических покрытий для использования в качестве опорных элементов в электронно-вакуумных приборах. Полученные структуры • были использованы на предприятиях п/я В-2584 и В-8828, НПФ "Радиус" и ФГУП НПП "Исток", а технология AIN/AI2O3 внедрена на предприятии п/я А-1819.

1. G.A.Slack Nonmetallic crystals with high thermal conductivity// J.Phys. Chem. Solids., 1973,V.34,N.2,p.321-335

2. JANAF Tables of Thermochemical Data/ by D.R.Stull, H.Prophet, NBS,1971. 549 p.

3. W.M.Yim, R.J.Paff Thermal expansion of A1N, sapphire, and silicon// J. Apli.Phys., 1974, V.45 ,N3,p. 1456-1457

4. K.Miwa, A.Fukumoto First-principles calculation of the structural, electronic, and vibrational properties of gallium nitride and aluminum nitride// Physical review,B,1993,V.48, N1 l,p.7897-7902

5. M.E.Shewrin, T.J.Drumond Predicted elastic constants and critical layer thiknesses for cubic phase A1N, GaN, and InN on p-SiC// J.Appl.Phys., 1991 ,V.69,N 12,p.8423-8425

6. A.F.Wright,J.S.Nelson Consistent structural properties for AIN, GaN and InN//Physical review,B,1995,V.51, N12,p. 7866-7869

7. K.Kim, W.R.L.Lambrecht, B.Segall Elastic constants and related properties of tetrahedrally bonded BN, AIN, GaN, and InN // Physical review,B,1996,V.53, N24,p. 16310-16326

8. I.PetrovJE.Mojab,R.C.Powell et al. Synthesis of metastable epitaxial zink-blendë-structure AIN by solid-state reaction// Appl.Phys.Letters,1992,V.60,N2 ,p.2491-2495 ;

9. E.Janczak-Bienk,H.Jensen,G.Sorensen The influence of the reactive gas flow on the properties of AIN sputter-deposited films// Materials Sci.Eng.A,1991, V140,p.696-701

10. W.J.Meng Crystal structure, mechanical properties, thermal properties and refractive index of AIN// EMIS DATA Review Ser., 1994,V. 11 ,p.22-29

11. N.Q.Danh,K.H.Monz,H.K.Pulker Reactive low voltage ion plating of aluminum nitride films and their characteristics// Thin Solid

12. Films,1995,V.257,Nl,p.l 16-124 :

13. B.Matthes,E.Broszeit, O.Zucker et al. Investigation of thin AIN films for piezolayer-field effect transistor applications// Thin Solid Films, 1993, V.226, . N1 , p. 178-184 '

14. J.H.Edgar,C.A.Carosella,C.R.Eddy et al. Effect of beam voltage on the properties of aluminum nitride prepared by ion beam assisted deposition, J.Mater.Sci. .Mater. Electron., 1996, V.7,N4 ,p.247-253

15. S.Dreer, R.Krismer, P.Wilhartitz et al. Statistical evaluation of refractive index, growth rate, hardness and Young's modulus of aluminum oxynitride films// Thin Solid Films, 1999, V.354, N1, p.43-49

16. T.Liu, M.R.Notis,Y.T.Chou Interfacial failure in titanium/silicon dioxide and titanium /aluminum nitride system and temperature dependence of hardness of AIN//Mater.Res.Soc.Proc.,1990, V. 167, p.301-306

17. J.A.Van Vechten in : Handbook on Semiconductors/ by S.P.Keller,North Holland,Amsterdam,! 980,V.l,Chap.3,p. 1-111

18. О.Ambacher,M.S.Brandt,R.Dimitrovetal. Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition// J.Vac. Sci.TechnolJB, 1996,V. 14,N6,p.3 532-3542

19. J.Pelletier A1N: a solid Al+ ion source// Vacuum; 1986,V.36,N 1 ,p.977-980

20. C.B.Vartuli,S.J.Pearton,C.R.Abernathy et al. High temperature surface degradation of III-V nitrides// J.Vac.Sci.Technol.B,1996,V.14,N6,p.3523-3531

21. A. V.Kostanovsky, A. V.Kirrilin, The melting parameters of high-temperature nonmetallic nitrides// Intern J.Thermophys., 1996,VI7, N2, p.507-513

22. Л.А.Жиляков, А.В.Костаноэский Использование фотоактивации для подавления диссоциации и достижения плавления нитрида алюминия в условиях воздействия электрической дуги// Теплофизика выс.темпер., 1999, т.37, №1, с.71-77

23. K.H.Jack Sialons and related nitride ceramics// J.Mat.Sci.,1976, V.l 1N6, p.l 135-1158: ■ ■ . ' ■ ■ , J

24. G.A.Slack,S.F.Bartram Thermal expansion of same diamond-like crystals// J. Appl.Phys., 1975,v.46,N ,p.89-98

25. Y.S.TouIoukian,R.K.Kirby,R.E.Taylor et al. Thermophysical properties of matter/ 1977 Plenum Press,N.Y.,V. 13,p. 1127-1130

26. И.И.Тимофеева,П.А.Клочков,Д.С.Яковлева Влияние высоких давлений и низких температур на кристаллическую решетку нитрида алюминия/ В кн. Изменение свойств материалов под действием высоких давлений, Киев, 1986,с.111-114 . . .

27. K.Tsubouchi,K.Sugai,N.Mikoshiba A1N material constants evaluation and SAW properties on A1N/A1203 and A1N/Si// Ultrasonic Symp.Proc.,IEEE„ 1981 ,V. l,p.375-3 80

28. E.Ruiz,S.Alvarez,P.Alemany Electronic structure and properties of A1N// Physical Review B, 1994,V.49,N1 l,p.7115-7123

29. S.Timoshenko Theory of elasticity/ 1969 McGraw-Hill,N.Y.

30. A.F.Wright Elastic properties of zinc-blende and wurtzite A1N, GaN, and InN //J.Appl.Phys.Letters, 1997,V.82,N6,p.2833-2839

31. А.А.Мармалюк,Р.Х.Акчурин, В.А.Горбылев Расчетная оценка постоянных упругости нитридов алюминия, галлия и индия// неорганический материалы, 1998, т.34,№7,с.833-837

32. D.Gerlch,S.L.Dole,G.A.Slack Elastic properties of aluminum nitride// J.PHys. Chem.Solids, 1986,V.47,N5,p.437-441

33. Y.Sato, T.Usami Basic study on the oscillation of a homogeneous elastic — sphere// Geophysic Magazine, 1962, V.31 ,N 1 ,p. 15-24 ——

34. Q. H.Xia, A.L.Ruoff Pressure-induced rocksalt phase of aluminum nitridei-a,^ metastable structure at ambient condition// J.Appl.Phys.,1993,V.73,N12,p.819S-~ 8200 • .

35. K.Tsubouchi,K.Sugai,N.Mikoshiba Zero temperature coefficient surface-acoustic-wave devices using epitaxial aluminum nitride films// Ultrasonic, Symp.Proc.IEEE, 1982,V.l,p.340-345

36. H.Vollstadt,E.Ito,M.Akaishi et al. High pressure synthesis of rocksalt type, of A1N// Proc Japan Acad. В, 1990,V.66,N1 ,p.7-9

37. I.Gorczyca,N.E.Christensen,P.Perlin et al. High pressure transition in aluminum nitride// Solid State Comm.,1991,V.79,N12,p.l033-1034

38. P.E.Van-Camp,V.E.VanDoren,J.T.Derreese High-pressure properties of wurtzite- and rocksalt-type aluminum nitride// Physical Review B,1991,V.44,Nf6,p.9056-9059

39. K.Kondo,A.Sawaoka,K.Sato et al. Shock compression and phase transformation of A1N and BP// Shock waves in condensed matter, 1981,p.325-329 •

40. Z.Rosenberg, N.S.Brar Comment on "Equation of state of aluminum nitride and its shock response"// J.Appl.Phys., 1995,V.78,N9,p.5854-5858

41. M.Billy,J.C.Labbe,Y.M.Lee et al. Resistance du nitrire d'aluminium d'Г irradiation par neutrons rapides// Revue Intern.Haut.Temp. Refract., 1984,"V.21 ,N2, p. 19-25

42. R.H.Goulding,S.J.Zinkle,D,A.Rasmussen et al. Transient effects of ionizing and displacive radiation on the dielectric properties of ceramics// J.Appl.Phys., 1996, V.79, N6,p.2920-2933

43. R.Lindau,A.MoesIand Electrical conductivity of the ceramic A1N under irradiation// J.Nucl.Mater., 1996, V.233/23 7(Pt.B)p. 1294-1298

44. E.E.CokoJiob,E.Ф.Уваров,А.П.Храмцов и др. Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев нитрида галлия и нитрида алюминия, облученных быстрыми электронами//ФТП, 1982,т. 16,№5,с.933-935

45. K.Atobe,M.Honda,N.Fukuoka et al. F-type centers in neutron-irradiated AIN// Jpn. J.Appl.Phys., 1990,V,29,N1 p. 150-152

46. L.Cartz, F.G.Karibris, K.A.Fournelle Heavy ion bombardment of silicates and nitrides// RadiaiEffects,1981,V.54,Nl/2,p.57-64

47. В.Е.Кочурихин,|к).А.Василенко,В.П.Авдошин Влияние ионной обработки на структуру пленок нитрида алюминия/ Физика и технол. тонких пленок,тез||цокл.,Ивано-Франковск, 1984,4.2,с.398

48. S.J.Pearton, C.R.Abernathy, F.Ren et al. Ar+-ion milling characteristics of III-V nitrides// J.Appl.Phys., 1994, V.76,N2,p. 1210-1215

49. C.Carlone,K.M.Lakin,H.R.Shanks Optical phonons of aluminum nitride// J.Appl.Phys.,1984,V.55,Nl,p.4010-4014

50. Д.В.Федосеев,Г.Н.Хрусталева,А.В.Лаврентьев Окисление порошка нитрида алюминия при импульсном лазерном нагреве// Ж.Неорг.Химии, 1987,т.32, №10, с.2576-2577

51. R.D.Vispute,J.Narayan,J.D.Budai High quality optoelectronic grade epitaxial A1N films on а-А120з, Si, and 6H-SiC by pulsed laser deposition// Thin Solid Films, 1997,V.299,Nl/2,p.94-103

52. B.N.Chichkov, C.Momma,S.Nolte et al. Femtosecond, picosecond and nanosecond laser ablation of solids// Appl.Phys.A, 1996,V.63 ,N1,p. 109-1 15

53. T.M.DiPalma,S.Orlando,A.Giardini-Guidoni et al. Composition and gas dynamics of laser ablated A1N plumes// Appl.Surf.Sci., 1995,V.86,N ,p.68-73

54. И.Д.Кащеев, Б.П.Романов, С.В.Смирнов Автоколебания отражающей способности алюмонитридной керамики при воздействии лазерного облучения// Неорганические материалы, 1990, т.26, №4 ,с.883-884

55. H.Yabe,A.Takahashi, T.Sumiyoshi et al. Direct writing of conductive aluminum line on aluminum nitride ceramics by transversely excited atmospheric C02 laser// Appl.Phys.Letters,1997,V.71,N19,p.2758-2760

56. J.H.Harris,R.C.Enck,R.A.Youngman Photoinduced thermal-conductivity changes in aluminum nitride// Physical Review B, 1993, V.47,N9, p.5428-5431

57. J.C.Kaplan,R.A.Gerhardt Effect of trace impurities on UV irradiation induced changes in aluminum nitride substrates// SP1E Proc. 1994, V.2369,p. 415-420

58. G.A.Slack, R.A.Tanzill,R.O.Pohl et al. The intrinsic thermal conductivity of A1N// J.Phys.Cem.Solids, 1987,V.48,N7,p.641 -647

59. P.K.Kuo,G.W.Auner,Z.L.Wu Microstructure and thermal conductivity of epitaxial A1N thin films// Thin Solid Films, 1994,V.253,Nl,p.223-227

60. У.М.Кулиш Энтальпия образования вакансий и энергия активации самодиффузии в полупроводниковых нОтридах третьей группы// Неорганические материалы, 1990,'т.26,11,с.2430-2431

61. M.Sternitzke, G.Muller EELS study of oxygen diffusion in aluminum nitride// J. Amer.Ceram.Soc., 1994, V.77,N3,p.732-742

62. V.L.Richards High temperature electrical conductivity of aluminum nitride/ Dissertation.USA,Univ.Michigan, 1982.-206p.

63. V.L.Richards ,T.Y.Tien,R.D.Pehlke High-temperature electrical conductivity of aluminum nitride// J.Mater.Sci.,1987,V.22,N9,p.3385-3390

64. J.W.Soh,W.J.Lee Привилегированная ориентация и характеристики ПАВ на пленках A1N, осажденных с помощью ВЧ -реактивного магнетронного распыления//Hanguk Chaiyo Haknoechi, 1997,V7, N6, p.510-516

65. Р.П.Лесунова,С.Ф.Пальгуев,Е.И.Бурмакин О влиянии кислорода и влаги на электрохимические свойства нитрида алюминия// Неорганические материалы, 1998,т.34,№1,с.47-51

66. М.И.Глазов, А.А.Пимошин Электропроводность слоя нитевидных кристаллов// Электронная обработка материалов,1987,№1,с.77-79

67. V.V.Lopatin,A.V.Kabyshev,L.S.Busknev Modification of polycrystalline boron mononitride, aluminum nitride, and silicon nitride surface by ion beams// Phys.Status Solidi A,1989, V.l 16,Nl,p.k68-k72

68. F.Liu,X.Qu Электрические свойства тонких пленок A1N , ориентированных по с-оси, в сильных электрических полях// Yabiao Cailiao,1989,V.20,N6,p.343-346

69. G.Radhakrishnan Properties of A1N films grown at 350 К by gas-phase excimer laser photolysis// J.AppLPhys.,195,V78,N10,p.6000-6005

70. A.G.Randoph,S.K.Kurinec Morphology and dielectric properties of reactively sputtered aluminum nitride thin films//

71. Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,1997,V.449, p.295-300

72. N.E.Christensen, I.Gorczyca Optical and structural properties of III-V nitrides under pressure// Physical Review B, 1994,V.50,N7,p.4397-4409

73. J.Misec, F.Srobar Fyzikalni vlastnosti nitridu hlinku, galia a india a perspektivy jejich pouziti v integrovane optice// Electrotechn.cas.,1979,V.30,N9,p.690-696

74. K.Wongchotigul, N.Chen,D.P.Zhang Low resistivity aluminum nitride: carbon films grown by metal organic chemical vapor deposition// Mat.Res. Soc.Symp. Proc., 1996,V.395,p.279-282

75. V.W.Chin,B.Zhou,T.L.Tansley et al. Alloy-scattering dependence of electron mobility in the ternary gallium, indium, and aluminum nitrides// J.Appl.Phys., 1995,V.77N1 l,p.6064-6066

76. J.D.Albrecht,R.P.Wang,P.P.Ruden et al. Monte Carlo calculation of electron transport properties of bulk A1N// J.Appl.Phys., 1998,V.83, N3, p. 1446-1449

77. A.Kawabata Fabrication techniques and properties of piezoelectric thin films ofZnO and A1N// Jpn.J.Apl.Phys.,1984, Supplements23-l,p.l7-22

78. J.Chen,Z.H.Levine,J.W.Wilkins Calculated second-harmonic susceptibilities of BN, A1N, and GaN// Appl.Phys.Letters,1995, V.,66,N9.p.l 129-1131

79. A.Nakayama,S.Nambu,M.Inagaki et al. Dielectric dispersion of polycrystalline aluminum nitride at microwave frequencies// J.Amer.Ceram.Soc., 1996,V.79, N6,p. 1453-1456

80. V.Dimitrova, D.Manova, E.Valcheva Optical and dielectric properties of dc magnetron sputtered A1N thin films correlated with deposition conditions// Mater.Sci.Eng., 1999, V.B68, N1, p. 1-4

81. G.J.Hill,G.P.Pells,M.A.Barnett Dielectric properties of neutron irradiated insulators// Radiation effects, 1986,V.97,N ,p.221-225

82. T.Wethkamp, K.Wilmers, C.Cobet et al. Dielectric function of hexagonal A1N determined by spectroscopic ellipsometry in the vacuum-UV spectral range// Phys. Rev. B, 1999, V.59, N3, p. 1845-1849

83. X.Li,Z.He,E.Wang et al. Dielectric properties of aluminum nitride films grown by nonortogonal magnetic field low-temperature reaction and RF sputtering// Huazhong gonxueyuan xuebao, 1983,V.l l,N2,p.23-28

84. M.Gonzalez, A.Ibarra The dielectric behaviour of commercial polycrystalline aluminum nitride// Abstr.book 10-th Europ.conf.Diamond, Diamond-like mater., 1999, Prague,Czech.Republic, Abstr.N 15.108

85. C.M.Lueng, H.L.W.Chan, C.Surya et al. Piezoelectric cooefficient of aluminum nitride and gallium nitride// J.Appl.Phys., 2000, V.88< N9, p.5360-5363 "

86. I.L. Guy,S.Muensit, M.Goldys Extensional piezoelectric coefficients of gallium nitride and aluminum nitride// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N26,p.4133-4135

87. H.Okano,N.Tanaka,Y.Hirao et al. Characteristics of AIN thin films deposited by electron cyclotron resonance dual-ion-beam sputtering and their application to GHz-band surface acoustic wave devices// Jpn.J.Appl. Phys. Pt 1,1994, V.33,N5B,p.2957-2961

88. P.J.Hagon, F.B.Micheletti, R.N.Seymour Integrated programmable analog matched films for spread spectrum applications// Ultrasonic Symp.Proc., IEEE,1973,p.333-335

89. Y.-J.Yong,J.-Y.Lee Characteristics of hydrogeneted aluminum nitride films prepared by radio frequency reactive sputtering and their application to surface acoustic wave devices//J.Vac.Sci.Technol.A, 1997,V. 15,N2,p.390-393

90. J.C.Wang, K.M.Lakin Sputtered A1N films for bulk-Acoustic-Wave Devices// Ultrasonic Symp.Proc.,IEEE, 1981 ,V. 1 ,p.502-505

91. K.Kaya,Y.Kanno,H.Takahashi et al. Synthesis of A1N thin films on sapphire substrates by chemical vapor deposition of AICI3-NH3 system and surface acoustic wave properties// Jpn.J.Appl.Phys.Ptl ,1996, V.35, N5A, p.2782-2787

92. T.Shiosaki,M.Hayashi,A.Kawabata Audio-frequency characteristics of a piezoelectric speaker using an aluminum nitride films deposited on polymer of metal membrane// Ultrasonic Symp.Proc.,IEEE, 1982,V.l,p.529-532

93. P.B.Legrand, M.Wautelet, B.Dugnoille et al. Optical properties of sputter-deposited aluminum nitride films on silicon// Thin Solid

94. Films, 1994, V.248,N1 ,p.220-223

95. X.Tang,Y.Yuan,K.Wongchotigul et al. An optical waveguide formed by aluminum nitride thin film on sapphire// Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1997,Vi449,p.817-821

96. A.Cachard,R.Fillit,I.Kadad et al. Magnetron sputtering deposited A1N waveguides : effect of the structure on optical properties//

97. Vacuum, 1990, V.41 ,N4/6,p. 1151-1153

98. X.S.Miao,Y.C.Chan,Z.Y.Lee Optical properties and reactive sputtering conditions of A1N and AlSiN thin films for magneto-optical applications// J.Electron.Mater., 1997,V.26,N 1 ,p.21 -24

99. H.Y.Joo, H.J.Kim, S.J.Kim et al. The optical and structural properties of A1N thin films characterized by spectroscopic ellipsometry// Thin Solid Films, 2000, V.368,N1, p,67-73

100. C.Caliendo,E. Verona,G.Saggio An integrated optical method for measuring the thickness and refractive index of birefringent thin films// Thin Solid Films,1997, V.292,Nl/2,p.255-259

101. D.Blanc, A.M.Bouchoux,C.Plumereau et al. Phase-matched frequency doubling in an aluminum nitride waveguide with a tunable laser source// Appl.Phys.Letters, 1995,V.66,N6,p.659-661

102. T.Suzuki, H.Yaguchi, H.Okumura et al. Optical constants of cubic GaN, A1N, and AlGaN alloys//Jpn,J.Appl.Phys.,Pt.2, 2000, V.39, N6A, p.L497-L499

103. Y.Zhiqiang,G.L.Harding Optical properties of DC reactively sputtered thin films// Thin Solid Films, 1984,V. 120,N1,p.81 -108

104. A.Itoh,T.Sugita,S.Konda et al. Preparation and doping of thin films.II./ In: Chikkabutsukey Yudentai Maku ni kansuru Sogo Kenkyu, Tokyo, 1979,p.41-62

105. C.Carlone,K.M.Lakin,H.P.Shanks Optical phonons of aluminum nitride// J,Appl.Phys., 1984,V.55,N11 ,p.4010-4014

106. J.A.Sanjurjo,E.Lopez-Cruz,P.VogI et al. Dependence on volume of phonon frequencies and their effective changes of several III-V semiconductors// Physical Review B,1983,V.28,N8,p.4579-4584

107. M.F.MacMillan,R.P.Devaty,W.J.Choyke Infrared reflectance of thin aluminum nitride films on varios substrates//Appl.Phys.Letters, 1993,V.62, N7,p.750-752

108. L.E.McNeil Raman and IR reflection spectra of AIN// EMIS Data review Ser., 1994,VJ 1 l,p.249-251

109. I.Gorczyca,N.E.Christensen,E.L.Peltzer y Blanca Optical phonon modes in GaN and AIN//Physical Review B, 1995,V.51,N17,p.l 1936-11939

110. C.M.BaIkas,Z.Sitar,T.Zheleva et al. Growth of bulk AINand GaN single crystals by sublimation. Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1997,V.449,p.41 -46

111. Г.Г.Цебуля,Г.К.Козина, А.П.Захарчук Колебательные спектры нитрида алюминия //Порошковая металлургия, 1990,№2,с.80-82

112. L.Bergman, D.Alexson, P.L.Murphy et al. Raman analysis of phonon lifetimes in AIN and GaN of wurtzite structure// Phys.Rev. B< 1999, V.59, N20, p.12977-12982

113. J.M.Hayes, M.Kuball, Y. Shi et al. Temperature dependence of the phonons of bulk AIN//Jpn.J.Appl.Phys., Pt.2, 2000, V.39, N 7B, p.L710-L712

114. U.Mazur Infrared study of AIN films prepared by ion beam deposition. 1 // Langmur,ASC, 1990,V.6,N8, p. 1331 -1337

115. W.J.Meng,G.L.Doll Ion energy in AIN thin films grown on Si(l 11) // J.Appl. Phys.,1996,V.79,N3, p. 1788-1793

116. P.Perlin,A.Polian,T.Suski Raman-scattering studies of aluminum nitride at high pressure // Physical Review B,1993,V.47, N5, p.2874-2877

117. M.David,S.V.Babu,I.Chaudhry et al. Ultraviolet reflectance of AIN, diamond-like carbon, and SiC thin films //Appl.Phys.Letters, 1990, V.57, N11, p.1093-1095

118. M.David,S.V.Babu,D.H.Rasmussen RF plasma synthesis of amorphous AIN powder and films //AIChE J.,1990,V36,N6, p.871-876

119. Y.Sakuragi,Y,Watanabe,Y.Nakamura et al. Changes in optical transmittance of aluminum nitride thin films exposed to air // Mater. Res.Soc.Symp.Proc., 1997,V.449, p.811-816

120. T.Shiosaki,T.Yamamoto,T.Oda et ai. Low temperature RF-reactive planar magnetron sputtering growth of piezoelectric films // Jpn.J. Appl. Phys. 1981, Supplement 20-3, p. 149-152

121. X.Tang, Y. Yuan,K.Wongchotigul et al. Dispersion properties of aluminum nitride as measured by an optical waveguide technique // Appl.Phys.Letters,!997,V.70,N24, p.3206-3208

122. S.Maekawa, Y.Fujii,K.Tomoo Study of nonlinear optical and UV-high exiton Optical properties // Ghikkabutsukey Yudentai Maku ni kansuru Sogo Kenkyu, Tokyo, 1979, p.98-110

123. Z.Chen, H.Chen Calculation of multifrequency coefficients of AB-type crystals using equivalence orbital method // Wu Li Hsueh Pao,1982,V.31,N8, p.l 046-1055

124. W.P.Lin,P.M.Lundquist,G.K. Wong et al. Second order optical nonlinearities of radio frequency sputter-deposited A1N thin films

125. Appl.Phy s.Letters, 1993, V.63 ,N21, p.2875-2877

126. P.M.Lundquist, W.P.Lin,Z.Y.Xu et al. Ultraviolet second harmonic generation in radio-frequency sputter-deposited aluminum nitride thin films //Appl.Phys.Letters, 1994,V.65,N9, p. 1085-1087

127. D.Blanc,A.Cachard,J.C.Pommier etj al . Characterization of aluminum nitride thin film structure using second-harmonic generation //Optical

128. Mater.,1994,V.3,Nl,p.41-45

129. J.Pelletier,D.Gervais, C.Pomot Application of wide-gap semiconductors to surface ionization: work functions of A1N and SiC single crystals //J.Appl.Phys.,1984, V.55, N4, p.994-1002

130. K.Koto,H.Schulz X-ray diffuse scattering from wurtzite-type compounds //Acta Cryst.A,1979, V.35,N6 , p.97I-974

131. V.Kumar Interatomic force constants of semiconductors// J.Phys. Chem. Solids, 2000, V.61,Nl,p.91-94 . „

132. Н.И.Тимофеева,О.А.Мордовин,В .Н.Грибков и др. Химические свойства нитевидных кристаллов нитрида алюминия //Ж.прикл. химии, 1972, т.45,№8,с. 1858-1860

133. T.Sato, Y.Kanno,M.Shimada Corrosion of SiC, Si3N4 and A1N in molten K2S04 -K2CO3 salts// Int.J.High Technology Ceramics, 1986, V.2, N4 ,p.279-290

134. Z.Lapinski,S.Podsiadlo Formation and thermal decomposition of aluminum nitroxy compound// J.Thermal Anal.,1987,V.32,N1 ,p.49-53

135. C.Toy, W.D.Scott Wetting and spreading of molten aluminum against A1N surfaces// J.Mater.Sci., 1997,V.32,N12 ,p.3243-3248

136. А.Д.Панасюк,А.Б.Белых Исследование контактного взаимодействиянитрида алюминия с жидкими медью, кремнием, алюминием и никелем// Адгезия расплавов-и пайка материалов, 1980,№6,с.73-76

137. Д.Ф.ЧернегаДО.Я.Готвянский, А.И.Полукаров О выборе материалов . для экспрессного определения газов в железоуглеродистых расплавах//

138. Вестн.Киевск.Политех. инст.,сер. Машиностроение, 1983,Вып.20,с.93-95 .135 T.Sota,T.Urano Реакция между тугоплавкими металлами и изолирующими нитридами при высокой температуре //Yogyo ^Kyokaishi,l970,V.78,N1, р.21-29

139. T.Yasumoto,K.Yamakawa,N.Iwase et al. Reaction between A1N and metal —thin films during high temperature annealing// J.Ceram.Soc.Japan, 1993, V. 101 ,N9, p.969-973

140. R.Dronskowki, B.Eck, S.Kikkawa Chemical reactions within Fe/A1N layered nanocomposites: a simulation study based on crystal-chemical atomic dynamics// Jpn.J.Appl. Phys. Ptl, 2000, V.39, N 6A, p.3326-3329

141. H.A.Wriedt The Al-N (aluminum-nitrogen) system// Bull.Alloy Phase Diagrams, 1986, V.7,N4, p.329-332

142. A.N.Cormack Intrinsic disorder in aluminum nitride //J.Amer.Ceram. Soc., 1989, V.72,N9, p.1730-1732

143. А.П.Гаршин,В.Е.Швайко-Швайковский,В.А.Шварц Точечные дефекты и процессы разупорядочения в нитриде алюминия // Неорганические материалы, 1996,т.32,№ 11 ,с .1306-1318

144. D.WJenkins,J.D.Dow Electronic structures and doping of InN,InxGai.xN, and InxAl,.xN//Physical review ВД989,V.39,N5, p.3317-3329

145. I.Gorczyca,A.Svane,N.E.Christensen Calculated defect levels in GaN and ,A1N and their pressure coefficients //Solid State Comm., 1997, V.101, N10, p.747-752 .

146. E.P.Harris Superconductivity in A1N bistable resistance devices // Appl. Phys. Letters, 1974,V.24,N 10, p.514-516

147. T.Niihara,N.Ohta,K.Kaneko et al. Kerr enhancement by SiO and films sputtered on plastic substrates // IEEE Trans.Magnet.,1986,V.Mag-22,N5, . p.1215-1217

148. M,Y.A.Raya,D.W.Reicher,S.R.J.Bruëck et al. High-sensitivity surface-photoacoustie spectroscopy // Optics Letters, 1990,V.15,N1, p.66-68

149. Y.Someno Оптический прибор волноводного типа //Выложенная заявка Японии JP 06-289348 (G02 f 1/035) 18.04.1994. 9с.

150. С.К.Тихонов,Н.И.Сушенцов, В.Ю.Рудь Слоистые структуры на основе A1N для магнитоуправляемых ПАВ устройств // Письма в : ЖТФ,1995,т.21,№5, с.49-54

151. J.Shi Типы проводимости полупроводниковых нитридов // Zhonguan Kuangue Xueyuan Xuebao,1983,V.38,N 4, p.121-125 1

152. S.Kumar, T.L.Tansley Low-temperature growth and measurement of ; oxygen in reactively sputtered A1N thin films // Jpn.J.Appl.Phys., 1995,Pt.l,. V.34,N8A,p.4154-4158

153. M.Penza, M.F.De Riccardis, L.Mirenghi et al. Low temperature growth of r.f. reactively planar magnetron-sputtered A1N films // Thin Solid

154. Films,1995,V:259, N2, p.154-162

155. J.Jokinen, P.Haussalo, J.Keinonen et al. Analysis of AIN thin films by combining TOF-ERDA and NRB techniques // Thin Solid Films,, 1996,V.289, N1, p. 159-165

156. J.-W.Soh, S.-S.Jang, I.-S. Jeong et al. C-axis orientation of A1N films prepared by ECR PECVD // Thin Solid Films, 1996,V.279,N 1 /2, p. 17-22

157. H.Demiryont,L.R.Thompson, G.J.Collins Optical and electrical ehera'cterizations of laser-chemical-vapor-deposited aluminum oxynitride films //J.Appll.Phys., 1986, V.59,N9, p.3235-3240

158. J.D.Targove,L.J.Lingg,J.P.Lehan et al.Preparation of aluminum nitride and oxynitride thin films by ion-assisted deposition // Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1987,V.93, p.311-316

159. W.Dehuang, G.Liang An aluminum oxynitride film // Thin .Solid Films,1991,V.198,N1/2, p.207-210

160. F.Ansart, J.Bernard Infrared optical properties of aluminum oxynitride films // Physica Status Solidi A,1992,V.134,N2, p.467-473

161. V.Grafe,D.Schalch,A.Scharmann Hydrogenetion of reactively sputtered AlNxOy films // Physica Status Solidi A, 1990,V. 117,N 1, p.k23-k27

162. L.E.McNeil,M.Grimsditch,R.H.French Vibrational spectroscopy of aluminum nitride//J.Amer. Ceram.Soc., 1993,V.76,N5, p. 1132-1136

163. E.K.Chang,M.J.Kirschner Aluminum nitride defect chemistry dependence on sintering atmosphere // J.Mater.Sci.Letters, 1996,V. 15,N 18, p. 15 80-1581

164. T.Mattila,R.M.Nieminen Ab initio study of oxygen point defects in GaAs, GaN and A1N // Phys.Rev.B,1996,V.54,N23, p. 16676-16682

165. S.Abadia,V.Serin,G.Zanchi An EELS investigation of oxygen localization in the A1N structure // Philosoph. Magazin A,1995,V.72,N6, p.l657-1670

166. A.D.Westwood,R.A.Youngman,M.R.McCartney etal. Oxygen . incorporation in aluminum nitride via extended defects: part 1,2 // J.Mater.Sci., 1995, V. 10,N5, p. 1270-1300

167. H.-D.Wang,K.W.Hipps,U.Masur Infrared and morfological studies of hydrogenated A1N thin films // Langmuir, 1992,V.8,p. 1347-1353

168. J.M.Zavada,R.G.Wilson,C.R.Abernathy et al. Hydrogénation of GaN, AIN, and InN // Appl.Phys.Letters, 1994, V.64,N20, p.2724-2726

169. X.D.Wang,U.Mazur,K.W.Hipps et al. Chemical stability of laminated A1N/A1N:H films // Thin Solid Films, 1994,V.240,N 1/2, p.45-51

170. J.C.Loretz,B.Despax,P.Marti et al. Hydrogenated aluminum nitride thin films prepared by r.f. reactive sputtering. Infrared and structural properties // Thin Solid Films,1995,V.265,N1/2, p.15-21

171. T.Merle-Mejan,M.-I.Baraton,P.Quintard et al. Fourier-transform infrared characterization of an aluminum nitride surface // J.Chem.Soc. Faraday Trans., 1993 ,V .89,N 16, p.3111-3115

172. T.Fujihava,K.Kobayashi,S.Namba et al. The optical properties of nitrogen implanted aluminum nitride films // Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1988,V. 128, p.231-236

173. K.Kobayashi,S.Namba,T.Fujihana et al. Relation between composition and structure of N-implanted A1NX //Nuclear Instrument. Methods in Phys. Res. B,1990, V. 46, p.60-63

174. К.В.Шалимова Физика полупроводников,M.:Энергия, 1976.-416с.

175. G.P.Pells,M.J.Murphy,F.L.Culien et al. Color centers in neutron irradiated aluminum oxy-nitride//J.Physics: Condens.Mater.,1990,V.2,N47, p.9257-9268

176. К. Wongchotigul,N.Chen,D.P.Zhang et al. Low resistivity aluminum nitride: carbon (A1N:C) films grown by metal organic chemical vapor deposition // Mater. Letters, 1996,V.26, N4/5, p.223-226

177. P.Boguslawski,J.Bernholc Doping properties of C, Si, and Ge impurities in GaN and A1N // Physical Review B,1997,V.56,N15, p.9496-9505

178. Y.Zhiqiang,G.L.Harding Optical properties of D.C. reactively sputtered thin films // Thin Solid Films, 1984,V.120,N1, p.81-108

179. Y.Uemura,M.J.Iwata A1N films containing Si // J.Mater.Sci.,1978, V.13, N1, p.208-209

180. J.Pastrnak,F.Karel,J.Oswald Surface and volume excitation, energy passing and recombination in Mg doping aluminum nitride // J. Luminescence, 1979, Y.18/19j p.805-808

181. F.Karel,L.Souckova Cathodoluminescence of aluminum nitride // Phys. Status Solidi, 1963,V.3,N.2,p.k78-k81

182. Д.И.Беднарчук,Н.А.Власенко,П.В.Зеленчук Люминесценция пленок нитридов алюминия и галлия // Известия АН СССР, сер. Физич., 1985, т.49, №10, с. 1929-1933

183. F.Karel,J.Pastrnak Kathodoluminesz6nz von Aluminiumnitride // Czech.J. Phys. B, 1970,V.20,Nl,p.46-55 .

184. В.А.Красноперов,И.А.Миронов,Г.А.Хоменок Исследование свойств люминесцирующего нитрида алюминия // Известия АН СССР,сер. Фйзич.,1966}т.ЗО, №9, с. 1430-1432 .

185. M.Borowski,A.Traverse X-ray аЬзоф11оп study of Ti, Cu, and Fe implanted A1N //Acta Physica Polonica A, 1994,V.86,N5, p. J13-719,

186. M.Borowski,A.Traverse High fluence implantatiop of Cu, Fe and Ti in A1N: depth profiling by RBS and RNRA // Nuclear Instirum.Methods Physics Res., 1996, V.B 114, p.269-275 jj

187. S.Yoshida,S:Misawa,S.Gonda Cathodoluminescence of impurity-doped aluminum nitride films produced by reactive evaporation // Thin Solid Films, 1979,"V.58, N1, p.55-59

188. J.Baur,M.Kunzer,K.Maier et al. Determination of GaN/AIN band discontinuities via the (-/0) acceptor level of iron // Mater.Sci.Engineer.B, 1995, V.29, N1, p.61-64

189. J.Kubatova,J.Pastrnak The influence of dopants on optical properties of A1N// Intern.Wiss.Kollq.,Ilmenau, 1978,23th, Heft7,C2, p.63-65

190. R.G.Wilson,R.N.Schwartz,C.R.Abernathy et al. 1,54-f.im photoluminescence from Er-implanted GaN and A1N // Appl.Phys.Letters,1994, V.65,N8, p.992-994

191. J.D.MacKenzie,C.B.Abernathy,S.J.Pearton et al.Er doping of AIN during growth by metalorganic molecular beam epitaxy //Appl.Phys. Lett., 1996, V.69,N14, p.2083-2085

192. J.C.Schuster,H.Nowotny Phase relationships in the ternary systems (V,Cr,Mo,W,Re,Mn) -Al-N //J.Mater.Sci.,1985,V.20,N8, p.2787-2793 J.C.Schuster Compatibility of A IN with group VIII transition metals // J.Amer.Ceram.Soc., 1985, V.68, N12, p.c329-c330

193. J.H.Harris,R.A.Youngman Photoluminescence and cathodoluminescence of A1N // EMIS Datarev.Ser.,1994,V.l 1, p.203-221

194. S.Pacesova,L.Jastrabic The energy spectrum of a deep impurity oxygen in AIN // Physica Status Solidi B, 1979,V.93,N9, p.kl 11-kl 14

195. K.Pressel, R.Heitz,S.Nilsson et al.Transition metal luminescence in AIN crystals // Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1996, V.395, p.613-618

196. А.Е.Шило Взаимодействие нитридов с оксидами / Процессы взаимодействия на границе раздела фаз, Киев, 1982, с.44-51

197. C.Kunisch,H.Holleck Design of piezoelectric thin films in the system A1N-ZnO//Surface CoatTechn.,1995,V.74-75, N1/3, p.1028-1032

198. X.Tang,F.R.B.Hossain,K.Wongchotigul et al. Observation of near bandedge transition in aluminum nitride thin film grown by MOCVD // Mater.Res.Soc. Symp. Proc., 1997,V.449, p.l 19-122 ^

199. Y.G.Cao, X.L.Chen, Y.C.Lan et al. Synthesis and photoluminescence^ ,J characteristics of AIN nanocrystalline solids// Appl.Phys. A, 2000, V.71, isf3, p.351-352

200. J.A.Van Vechten Asymmetry in the displacement energy for Frenkel-pair production in semiconductors and the conversion of n-type AIN to p-type //Inst.Phys.,Conf.Ser.,1977,V.31, p.441-447

201. J.A.Van Vechten,J.M.P.Woodall Способ изготовления полупроводниковых радиодеталей из полупроводникового материала смешанного типа/Патент Германии, №2728711 (НО 1L21/26), 1978. 14с. 60

202. W.A.Groen,J.G.Van Lierop,A.Roosen Electrical and thermal conductivity of AIN ceramics doped with beryllium and oxygen// J.Mater.Sci.Letters, 1993,V.12, N10, p. 1224-1226

203. Y.-X.Li,L.Salamanca-Riba,M.G.Spencer et al. Structural characteristics of MOCVD growth AIN films with different carbon concentration // Mater.Res. Soc. Symp. Proc., 1997,V.449, p.555-560

204. P.Boguslawski,E.L.Briggs,J.Bernholc Amphoteric properties of substitutional carbon impurity in GaN and AIN //Appl.Phys.Letters,1996, V.69,N2, p.233-235

205. C.R.Abernathy,S.I.Pearton,J.D.MacKenzie et al. Role of С, О and H in III-V nitrides // Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1996,V.395, p.685-690

206. O.Lagerstedt, B.Monemar Variation of lattice parameters in GaN with stoichiometry and doping// Physical Review B,V. 19,N6,p.3064-3070

207. C.Liu,B.Mensching,K.Volz et al. Lattice expansion of Ca and Ar ion implantated GaN// Appl.Phys.Letters, 1997,V.71 ,N16,p.2313-2315

208. И.Ф.Четверикова,М.И.Чукичев, Л.Н.Расторгуев Рентгенофазовый анализ и упругие свойства нитрида галлия// Неорганические материалы, 1986,т.22,№1,с.63-66

209. В.А.Савастенко Рентгенографичекое исследование тепловых колебаний атомов в кристаллических решетках нитридов бора, галлия и индия//Автореф.дисс. .канд.ф.-м.наук, 1979,Минск,ФТТиПП АН БССР.

210. S.Strite,M.E.Lin,H.Morkoc Progress and prospects for GaN and the IH-V nitridé semiconductors// Thin Solid Films,V.231 ,N 1 ,p. 197-210

211. V.M.Chin,T.L.Tansley,T.Osotchan Electron mobilities in gallium, indium, and aluminum nitrides// J.Appl.Phys.,1994,V.75,Nl l,p.7365-7372

212. M.Leszczynski,T.Suski,P.Perlin et al. Lattice constants, thermal expasionand compressibility of gallium nitride// J.Phys.D,1995,V.28,N, p.A149-A153

213. M.Leszczynski,H.Teisseyre,T.Suski et al. Lattice parameters of gallium nitride// Appl.Phys.Letters,1996,V.69,Nl,p.73-75

214. F.A.Ponce,D.P.Bour, W.T.Young et al. Determination of lattice polarity for growth of GaN bulk single crystals and epitaxial layers// Appl.Phys.Letters, 1996,V.69, N3, p.337-339

215. R.Pandey, J.E.Jaffe, N.M.Harrison Ab initio study of high pressure phase transition in GaN//J.Phys.Chem.Solids, 1994,V.55N11,p. 1357-1361

216. A.Munoz,K.Kunc High-pressure phase of gallium nitride// Physical Review В,-1991,V.44,N 18,p. 10372-10373

217. M.Mizuta, S.Fujieda, Y.Matsumoto et al. Low temperature growth of GaN and A1N on GaAs utilizing metalorganics and hydrazine// Jpn.J.Appl.Phys., 1986, V.25, N12,p.L945-L948

218. Ф.П.Кесаманлы Нитрид галлия: зонная структура, свойства и перспективы применения// Физика и техника полупр., 1974,т.8,№2,с.225-241

219. E.E.Ejder Thermal expansion of GaN// Phys.Stat.Solidi A, 1974, V.23, N1, p.k87-k90

220. V.Kirchner, H.Heinke, D.I lommel et al. Thermal expansion of bulk and homoepitaxial GaN//Appl.Phys.Letters, 2000, V.77, N10, p.1434-1436

221. O.Madelung Semiconductors Basic Data, 1996, Springer, Berlin.317 p.

222. M.Leszczynski, T.Suski, H.Teisseyre et al. Thermal expansion of gallium nitride// J. Appl.Phys., 1994, V.76,N8,p.4909-4911

223. A.Pollian,M.Grimsditch,I.Grzegory Elastic constants of gallium nitride// J. Appl.Phys., 1996, V.79,N6,p.3343-3344

224. R.B.Schwarz,K.Khachaturyan,E.R.Weber Elastic moduli of gallium nitride// Appl.Phys.Letters, 1997,V.70,N9,p. 1122-1124

225. I.Yonenaga, T.Hoshi, A.Usui Hardness of bulk single-crystal gallium nitride at high temperatures// Jpn.J.Appl.Phys., Pt2, V.39, N 3A/B, p.L200-L201

226. S.O.Kucheyev, J.E.Bradby, J.S.Williams et al. Nanoindentation of GaN films// Appl. Phys. Letters, 2000, V.77, N21, p.3373-3375

227. R.Novak, M.Pessa, M.Suganuma et al. Elastic and plastic properties of GaN determined by nano-indentation of bulk crystal// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N14, p.2070-2072

228. H.Xia,Q.Xia,A.L.Ruoff High-pressure structure of gallium nitride: wurtzite-to-rocksalt phase transition//Physical Review B, 1993,V.47,N19,p. 12925-12928

229. W.Lu,K.Zhang,X.Xie B and structures and pressure dependence of the band gaps of GaN// J.Phys.Cond.Mater.,1998,V.5,N7,p.875-882

230. I.Gorczyca,N.E.Christensen Band structure and high pressure phase transition in GaN//Solid State Gomm., 1991,V.80,N5,p.335-338

231. Г.А.Ададуров,О.Н.Бреусова,А.Н.Дремин и др. Воздействие ударных волн на тугоплавкие соединения// Порошковая металлургия,1971 ,Вып.З,с.71-73

232. V.Mitra, J.I.Pankove,N.B.Urli et al. In: Радиационная физика полупроводников и родственных материалов,Труды межднарод. конф., Тбилиси,(1979) 1980,с.649-653

233. А.Ю.Дыбань,И.А.Косско,А.Н.Пилянкевич и др. Ионно-стимулированная сорбция азота при термоионном осаждении нитрида галлия//Поверхность, 1990, Вып.2,с.67- 72

234. A.Namiki,K.Katoh,Y.Yamashita et al. Dynamics of laser sputtering at GaN, GaP, and GaAs surfaces//J.Appl.Phys., 1991,V.70, N6,p.3268-3274

235. W.S. Wong,T.Sands,N.W.Cheung Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates// Appl.Phys.Letters, 1998,V.72,N5,p.599-601

236. R.J.Molnar,R.Aggarwal,Z.L.Liau et al. Optoelectronic and structural properties of high-quality GaN grown by hydride vapor phase epitaxy// Mater.Res.Soc. Symp. Proc.,1996,V.395,p. 189-194

237. И.А.Каретников,Л.С.Мироненко,А.Г.Бурунов и др. Оптические и электрические свойства эпитаксиальных слоев нитрида галлия, облученных электронами с энергиями 0,1-1,0 МэВ//Труды МЭИ,1981 ,Вып.328бс.50-53

238. Г.А.Перловский, С.К.Обыден, Г.В.Сапарин и др.Об аномальной кинетике катодолюминесценции в GaN:Zn //Вестник МГУ,сер.Физика, астрономия, 1983,т.24, №2, с.56-59

239. H.Amano, I.Akasaki,T.Kozawa et al. Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN// J.Lumenesc., 1988, V.40/41 ,N 1,p. 121 -122

240. S.Nakamura,M.Senoh,T.Mukai Highly p-typed Mg-doped GaN films grown with GaN buffer layers// Jpn.J.Appl.Phys.,1991,V.30,N10A,p.L1708-L1711

241. Z.-Q.Fang,J.W.Hemsky,D.C.Look et al. Electron-irradiation-induced deep level in n-type GaN// Appl.Phys.Letters, 1998,V.72,N4,p.448-449

242. E.K.Sichel,J.I.Pankove Thermal conductivity of GaN, 25-r360K// J.Phys.Chem. Solids,1977,V.38,N3,p.330

243. D.Florescu, V.M.Asnin, F.H.Pollak et al. Thermal conductivity of fully and partially coalesced lateral epitaxial overgrown GaN/ sapphire (0001) by scattering thermal microscopy// Appl.Phys.Letters, 2000, V.77, N10, p. 14641466

244. E.Lakshmi Dielectric properties of reactively sputtered gallium nitride films// Thin Solid Films, V.83,N ,p.L137-L139

245. R.Carin Qualité diélectrique de couches mines isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique rective// Revue Phys.Appl.,1990,V.25,N ,p.489-497

246. A.D.Bykhovski,V.V.Kaminski, M.S.Shur et al. Piezoresistive effect in Wurtzite n-type GaN// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N6,p.818-819

247. C.Wetzel,T.Suski,J.W.Ager et al. Pressure induced deep gap state of oxygen in GaN// Physical Review Letters, V.78,N20,p.3923-3926

248. P.Das,D.K.Ferry Hot electron microwave conductivity of wide bandgap semiconductors// Solid State Electron., 1976,V.19,N10,p.851-855

249. M.W.Cole,F.Ren,S.J.Pearton Appl.Phys.Letters, 1997,V.71 ,N20,p.3004-3006

250. S.Fung,X.Xiaoliang, Z.Youwen Gallium/aluminum interdiffusion between n-GaN and sappire// J.Appl.Phys.,1998,V.84,N4,p.2355-2357

251. Q.Lin-Hong, Y.Kai,Z, Yon-Don et al. Photoreflectance study of GaN films on sapphire substrate// Chim.Phys.Letters,!996,V. 13,N2, p. 153-156

252. M.Д.Шагалов,А.Г.Дрижук Спектры возбуждения голубой полосы люминесценции в нитриде галлия// Оптика и спектроскопия, 1986,т.61, №5, с. 1034-1036

253. W.Shan,R.J.Hauenstein,A.J.Fischer et al. Strain effects on excitonic transitions in GaN// Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,1997,V.449, p.841-846

254. K.P.Korona,A. Wysmolek,K.Pakula et al. Exciton region reflectance of homoepitaxial GaN layers// Appl.Phys.Letters, 1996,V69, N5,p.788-790

255. S.Chichibu,T.Azuhata,T. Sota et al. Optical properties of tensile-strained wurtzite GaN epitaxial layers// Appl.Phys.Letters, 1997,V.70,N16,p.2085-2087

256. J.A.Majewski,M.Strodele,P.Vogl Electronic structure of biaxially strained wurtzite crystals GaN,A1N and InN// MRS Internet J. Nitride Semicond.Res.,1996,V. 1

257. M.Rubin,N.Newman,J.S.Chan et al. P-type gallium nitride by reactive ion-beam molecular beam epitaxy with ion implantation, diffusion, or coevaporation of Mg// Appl.Phys.Letters, 1994,V.64,N 1 ,p.64-66

258. O.Brandt,H.Yang,H.Helman High p-type conductivity in cubic GaN/GaAs-(113)A by using Be as the acceptor and О as the codopant// Appl.Phys.Letters, 1996,V.69, N18, p.2707-2709

259. C.Y.Hwang, M.J.Schurman, W.E.Mayo et al. Effect of structural defects and chemical impurities on Hall mobilities in low pressure MOCVD grown GaN// J.Electron. mater., 1997, V.26, N1,243-251

260. P.A.Grudowski, A.L.Holmes, C.J.Eiting et al. The effect of substrate misorientation on the optical^ structural, and electrical properties of GaN grown on sapphire by MOCVD// J.Electron. Mater., 1997, V.26,N3, p.257-261

261. E.Frayssinet, W.Knap, P.Lorenzini et al. High electron mobility in AlGaN/ GaN heterostructures grown on bulk GaN substrates// Appl.Phys. Letters, 2000, V.77, N16, p.2551-2553

262. M.E.Lin,G.Xue,G.L.Zhou et al. p-type zinc-blende GaN on GaAs substrates// Appl.Phys.Letters,! 993,V.63,N7, p.932-933

263. LShiota,N.Miyamoto, J.Nishizawa Passivation of GaAs surfaces by GaOxNy films and by multilayers// Surface Science, 1979,V.86,N 1 ,p.272-279 '

264. G.Martin,A.Botchkarev,A.Rockett et al. Valence-band discontinuities of wurtzite GaN, A1N and InN heterojunctions measured by X-ray photoemission spectroscopy// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N p.2541-2543

265. S.Muensit,I.L.Guy The piezoelectric coefficient of gallium nitride thin films//Appl.Phys.Letters, 1998,V.72,N15,p.l896-1898

266. M.Yamaguchi,T.Yagi,T.Azuhata et al. Brillouin scattering study of gallium nitride: elastic stiffness constants// J.Phys.rCondens.Mater., 1997,V.9,N 1 ,p.241 -248 .

267. G.D.O'Clock,M.T.Duffi Acoustic surface wave properties of epitaxially grown aluminum nitride and gallium nitride on sapphire// Appl.Phys.Letters, 1973,V.23, N2, p.55-56

268. A.D.Bukhovsky,V.V.Kaminski,M.S.Shur et al. Pyroelectricity in gallium nitride thin filrhs// Appl.Phys.Letters, 1996,V.69,N.21 ,p.3254-3256

269. H.Y.Zhang,X.H.He,Y .H.Shin et al. Study of nonlinear optical effects in GaN:Mg epitaxial film// Appl.Phys.Letters, 1996,V.69,N20,p.2953-2955 ~

270. E.Ejder Refractive index of GaN// Physica Status Solidi A,1971,V.6, N2, p.445-448

271. A.Cingolani,M.Ferrara,M.Lugara et al. First order Raman scattering in GaN// Solid State Commun., 1986,V.58,N1 l,p.823-824

272. T.Kozawa,T.Kachi,H.Kano et al. Raman scattering from LO phonon-, plasmon coupled modes in gallium nitride// J.Appl.Phys.,1994,V.75,N2,p.l098-1101

273. T.Azuhata,T.Matsunaga,K.Shimada et al. Optical phonons in GaN// Physica B, 1996, V.219/220,NI ,p.493-495

274. F.A.Ponce,J. W.Steeds,C.D.Dyer et al. Direct imaging of impurity-induced Raman scattering in GaN//Appl.Phys.Letters, 1996,V.69,N18,p.2650-2652

275. P.R.Chalker, T.B.Joyce, T.Farnell et al. Raman and reflection anisotropy spectroscopic studies of GaN and A1N grown on GaAs(lOO)// Thin Solid Films, 1999, V.343/344, p.575-578

276. B.Gil,O.Briot,R.L.Aulombard et al. Effects of strain fields on exitons and phonons inTwurtzite GaN epilayers// Mater.Res.Soc.Symp.Proc .,1997,V.449, p.745-756 -------

277. W.Rjeger,T.Metzger,H.Angerer et al. Influence of substrate-induced biaxial compressive stress on the optical properties of thin GaN films// Appl.Phys. Letters, 1996,V.68,N7,p,970-972

278. M.T.Eremets,V.V.Struzhkin,A.M.Shirokov et al. Raman scattering in gallium mononitride up to 16""Gpa//.Acta Physica Polonica A,1989,V.75,N6,p.875-877

279. M.A.Khan,J.N.K'Uznia,D.T.01sQCLet^I. Schottky barrier phootodector based on Mg-doped p-type GaN films// AppLPhys.Letters, 1993,V.63,N 18,p.2455-2456 '

280. P.Kung,A.Saxler,X.Zhang et al. GaN, Ga A IN and A1N for use in UV detectors for astrophysics: and update// SPIE Proc.,1996,V.2685,p.l26-131

281. H.M.Chen,Y.F.Chen,M.C.Lee et al. Yellow luminescence in n-type GaN epitaxial films// Phys.Review В, 1997,V.56,N 11 ,p.6942-6946

282. C.H.Qui,C.Hoggatt,W.Melton et al. Study of defect states in GaN films by photoconductivity measurement// Appl.Phys.Letters, 1995,V.66,N20,p.2712-2714

283. S.Yagi Ultraviolet photoconductive hydrogenated amorphous and microcrystalline GaN// Jpn.J.Appl.Phys., Pt.2,1999,V.38, N7B, p.L792-L794

284. H.Esrom,J.Y.Zhang,A.J.Pedraza Eximer laser-induced decomposition of aluminum nitride// Mater.Res.Soc.Symp.Proc.,1992,V.236,p.383-388

285. M.A.Jacobson,D.K.Melnik,A.V.Selkin Some new fundamental properties of GaN single-crystal films on SiC and sapphire substrates// Nuovo Cimento Soc. Ital. Fis.D, 1995, V17,NU/12,p.l509-1512

286. В.М.Андреев, В.Л.Оплеснин,М.Н.Петров Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики// Квантовая электроника,1978;т.5,№1,с. 135-138

287. T.Ishidate,K.Inoue,M.Aoki Second harmonic generation of epitaxially-: grown GaN crystal// Jpn.J.Appl.Phys., 1980,V.19,N9,p. 1641-1645

288. J.Miragliotta,D.K. Wickenden Optical third-harmonic studies of the dispersion in x(3) for gallium nitride thin films on sapphire// Phys.Review B,I994,V.50, N20, p. 14960-14964

289. Q.Bao^F .Zhang,K.Shi et al. The dispersion of BED in unintentional doped . GaN crystals//Solid State Comm., 1986,V.59,N9,p.599-602

290. А.Г.Дрижук Исследование поляризованной люминесценции в нитриде галлия//Автореф.канд.ф.-м.наук, С.П6./1997

291. C.J.Sun,P.Kung,A.Saxler et al. Thermal stability of GaN thin films grown on (0001) A1203, (0112) A1203 and (0001) Si, 6H-SiC substrates// J.Appl.Phys., 1994, V.76,Nl,p.236-241

292. S.M.Gasser, E.Kolawa, M.A.Nicolet Thermal reaction of Pt film with (110) GaN epilayer// J.Vac.Cci. Technol. A, 1999, V.17, N5,p.2642-2646

293. М.Д.Лютая,Г.В.Самсонов Нитриды редких рассеянных и редкоземельных металлов// Редкие и редкоземельные элементы в технике, Киев, Наукова думка, 1964,с.118-126

294. S.W.King,L.L.Smith,J.P.Barnak et al. Ex situ and in situ methods for oxide and carbon removal A1N and GaN surface// Mater.Res.Soc.Symp. Proc., 1996, V.395, p.739-744

295. E.D.Readinger, S.D.Wolter, D.L.Waltemyer et al. Wet thermal oxidation of GaN// J.Electron.Mater., 1999, V.26, N3, p.257-260

296. J.Karpinski,S.Porowski High pressure thermodynamics of GaN// J. Crystal Growth, 1984, V.66,Nl,p.ll-20

297. J.Leitner,J.Stejskal,P.Vonka Thermodinamic aspects of the GaN deposition from the gaseous phase// Materials Letters, 1996,V.28,N1,p. 197-201

298. С.П,.Гордиенко, Б.В.Феночка Давление пара нитрида индия// Физическая химия,1976, Депонированная статья № 3698-76

299. Л.И.Марина, Л.Я.Нашельский,Б. А.Сахаров Теплоты атомизации и некоторые термохимические константы соединений АШВУ// Химическая связь в кристаллах, 1969, Минск, 232-238

300. N.Newman,J.Ross,M.Rubin Thermodynamic and kinetic processes involved in growth of epitaxial GaN thin films// Appl.Phys.Letters, 1993, V .62, N11,p. 1242-1244

301. A.Koukiti,H.Seki Thermodynamic analysis on molecular beam epitaxy of GaN, InN, and A1N// Jpn.J.Appl.Phys.Pt2,1997,V.36,N6B,p.L750-L753

302. P.Hacke,G.Feuillet,H.Okamura et al. Monitoring surface stoichiometry with the (2x2) reconstruction during growth of hexagonal-phase GaN by molecular beam epitaxy// Appl.Phys.Letters, 1996;V.69,N17^.2507-2509

303. P.Zapol,R.Pandey,J.D.Gale An interatomic potential study of the properties of gallium nitride// J.Phys.Condens.Mater.,1997,V.9,N44,p.9517-9535

304. C.G.Van de WalleJ.Neugebauer Theory of point defects and interfaces// Mater. Res.Soc.Symp.Proc.,1997,V.449,p.861-869

305. J.Hedman,N.Maartensson Gallium nitride studied by electron spectroscopy// Physica Scripta, 1980,V.22,N2,p.l76-178

306. В.С.Кравченко,М.З.Грайфер,М.А.Стариков и др.О существовании сверхпроводимости в нитриде галлия//Неорганические материалы ,1982, т.18, №8, с.1308-1311

307. A.Ishibashi,H.Takeishi,M.Mannoh et al. Residual impurities in GaN/AbCb grown by metalorganic vapor phase epitaxy// J.Electron.Mater., 1996, V.25,N6,p.799-803

308. J.Baur,U.Kaufmann,M.Kunzer et al. Photoluminescence of residual transition metal impurities in GaN// Appl.Phys.Lett.,1995,V.67,N8,p.l 140- 1142

309. P.Hacke,H.Nakayama,T.Detchprohm et al. Deep level in the upper band-gap region of lightly Mg-doped GaN// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68, N10, p.1362-1364

310. D.C.Look,Z.-Q.Fang,W.Kim et al. Thermally stimulated carrent trap in GaN// Appl.Phys.Letters,1996,V.68,N26,p.3775-3777

311. С.ЕАлександров,А.М.Жуков,В.А.Крякин и др. Кинетические характеристики образования оксинитрида галлия в системе бромид галлия-аммиак -вода // Ж.Прикл.химии, 1988,тб 1 ,№7,е. 1454-1459

312. C.J.Sun, M.Razeghi Comparison of the physical properties of gallium nitride thin films deposited on (0001) and (0112) sapphire substrates// Appl.Phys.Letters, 1993, V.63, // N7,p.973-975

313. R.Franzheld,H.Sobota,W.Seifert et al. Carrier concentration profile of GaN layers bei using additional dried NH3// Crystal Res.Technol., 1986, V.21,N5,p.k71-k73

314. K.Prabhakaran,T.G.Andersson,K.Nozawa Nature of native oxide on GaN surface and its reaction with A1 // Àppl. Phys.Letters, 1996,V.69,N21,p.3212-3214

315. G.Popovici, W.Kim,A.Botchkarev et al. Impurity contamination of GaN epitaxial films from the sapphire, SiC and ZnO substrates// Appl.Phys.Letters, 1997,V.71, N23, p.3385-3387

316. T.Mattila,R.M.Nieminen Point-defect complexes and broadband luminescence in GaN and A1N// Phys. Rev. B,i997,V.55,N15,p.9571-9576

317. J.Neugebauer,G.G.Van de Walle Gallium vacancies and yellow luminescence in GaN// Appl.Phys.Letters, 1996,V.69,N4,p.503-505

318. G.Dang, X.A.Cao, F.Ren et al. Oxygen implant isolation of n-GaN field, effect transistor structures//J.Vac.Sci.Technol.B, 1999, V.17, N5, p.2015-2018

319. X.A.Cao, S.J.Pearton, G.T.Dang et al. Creation of high resistivity GaN by implantation of Ti, O, Fe, or Cr// J.AppI.Phys.,2000, V.87, N3, p. 1091-1095

320. D.Meister, M.Bohm, M.Topf et al. A comparision of the Hall-effect and secondary ion mass spectroscopy on the shallow oxygen donor in unintentionally doped gaN films// J.Appl.Phys., 2000, V.88, N4, p. 1811-1817

321. J.Kouvetakis,D.B.Beach Chemical vapor deposition of gallium nitride from diethylgallium azide// Chem.Mater.,1989,V.l,N4,p.476-478

322. P.Boguslawski, J.Bernholc Doping properties of amphoteric C,Si, and Ge impurities in GaN and A1N// Acta Physica Polonica A,1996,V.90,N4,p.735-738

323. M.O.Manasreh, J.M.Baranowski, K.Pakula et al. Localized vibrational modes of carbon-hydrogen complexes in GaN//Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N5, p.659-661

324. M.Sato Highly resistive CH-doped GaN grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68, N10,p.935-937

325. W.H.Sun, S.T.Wang, J.C.Zhang et al. Formation and dissolution of microcrystalline graphite in carbon-implanted GaN// J.Appl.Phys., 2000, V.88, N10, p.5662-5665

326. M.S.Brandt,J.W.AgerIII,W.Gotz et al. Local vibrational modes in Mg-doped gallium nitride// Phys.Rev.B,1994,V.49,N20,p.l4758-14761

327. W.Gotz,N.M.Johnson D.P.Bour et al. Local vibrational modes of the Mg-H acceptor complex in GaN// Appl.Phys.Letters,!996,V.69,N24,p.3725-3727

328. J.Neugebauer, C.G.Van de Walle Hydrogen in GaN: novel aspects of a common impurity// Physical Review Letters,1995,V.75,N24,p.4452-4455

329. F.A.Redorelo, S.T.Pantelides Novel defect complexes and their role in the p-type doping of GaN// Phys.Rev. Letters, 2000, V.82, N9, p. 1887-1890

330. S.M.Myers, A.F. Wright, G.A.Petersen et al. Equilibrium state of hydrogen in gallium nitride: Theory and experiment// J.Appl.Phys., 2000, V.88, N8, p.4676-4687

331. C.G.Van de Walle Interactions of hydrogen with native defects in GaN// Physical Review B,1997,V.56,N16,p.R10020-R10023

332. M.S.Brandt,N.M. Johnson,RJ.Molnar et al.Hydrogenation of p-type gallium nitride//Appl.Phys.Lett.,1994,V.64, N17, p.2264-2266

333. P.Perlin,T.Suski,H.Teisseyre et al. Towards the identification of the dominant donor in GaN // Phys.Rev.Lett., 1995,V.75,N2,p.296-299

334. S.C.Binari,H.B.Dietrich,G.Kelner et al. H,He, and N implant isolation of n-type GaN// J.Appl.Phys.,1995,V.78,N5,p.3008- 3011

335. S.J.Pearton,C.B.Vartuli,J.C.Zolper Ion implantation doping and isolation of GaN// Appl.Phys.Letters, 1995,V.67,N 10, p.1435-1437

336. J.C.Zolper,S.J.Pearton,C.R.Abernathy Nitrogen and fluorine ion implantation in Inx Ga,xN// Appl.Phys.Lett.,1995,V.66,N22, p.3042-3044

337. S.J.Pearton,C.R.Abernathy,P.W.Wisk et al. Reversible changes in doping of InGaAIN alloys induced by ion implantation or hydrogénation// Appl. Phys. Lett., 1993, V.63,N8, p.l 143-1145

338. S.N.Mohammad,A.E.Botchkarev,A.Salvador et al. Proposed explanation of the anomalous doping characteristics of III-V nitrides// Philosoph. Magazine, 1997, V.76,N2,p. 131-143

339. P.Boguslawski,E.L.Briggs,J.Bernhoic Native defects in gallium nitride// Phys.Rev.B, 1995,V.51, N23, p.l7255- 7258

340. D.J.Chadi Atomic origin of deep levels in p-type GaN: theory// Appl.Phys. Letters, 1997, V.71 ,N20,p.2970-2971

341. D.C.Look,D.C.Reynolds,J.W.Hemsky et al. Defect donor and Acceptor in GaN// Physical Review Letters, 1997,V.79,N 12,p.2273-2276

342. G.Y.Zhang,Y.Z.Tong,Z.J.Yang et al. Relationship of background carrier concentration and defects in GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy// Appl.Phys.Letters,1997,V.71,N23,p.3376-3378

343. J.I.Pankove,J. A.Hutchby Photoluminescence of ion-implanted GaN// J.Appl. Phys, 1976,V.47, N12, p.5387-5390

344. L.Eckey,J.-C.H.Holst,P.Maxim et al. Dynamics of bound-exciton luminescences from epitaxial GaN// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N3,p.415-416

345. F.Calle,F.J.Sanchez,J.M.G.Tijero et al. Excitation and donor-acceptor recombination in undoped GaN on Si(l 11)/7 Semicond.Sci.Technol, 1997, V.12,N,p. 1396-1403

346. M.Topf,S.Koynov,S.Fischer et al.Low pressure CVD of GaN from GaCl3 and NH3 //Mater.Res.Soc.Symp.,V.449,1997,p.307- 312

347. S.Chichibu,T.Azuhata,T.Soda et al. Optical properties of tensile-strained wurtzite GaN optical layers// Appl.Phy s.Lett, 1997, V.70,N16,p.2085-2087

348. C.Wetzel,S.Fischer,J.Kruger et al. Strongly localized excitons in gallium nitride//Appl.Phys.Letters,1996,V.68,N18,p.2556-2558

349. S.KimJ.P.HermanjJ.A.Tuchman et al. Photoluminescence from wurtzite GaN under hydrostatic pressure// Appl.Phys.Letters,1995,V67,N3,p.380-382

350. С.И.Власкина, А.Ю.Дыбань, Н.В.Кицюк и др. Эпитаксиальные пленки нитрида галлия на сапфире: электрические и оптические свойства// Поверхность, 1991 ,№9, с.40-44

351. L.Balagurov,P.J.Chong Study of deep level defects in n-GaN by the optical transmission method// Appl.Phys.Letters,1996,V.68,Nl ,p.43-45

352. E.F.Schubert,I.D.Goepfert,J.M.Redwing Evidence of compensating centers as origin of yellow luminescence in GaN//,

353. Appl.Phys.Letters, 1997, V.71,N22,р.3224^226.

354. J.C.Zolper,M.H.Crawford,AJ.Howard et al. Morfology and photoluminescence improvements from high-temperature rapid thermal annealing of GaN// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N2,p.200-202

355. F.A.Ponce, D.P.Bour,W.Gotz et al. Spatial distribution of the luminescence in GaN thin films// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N1 ,p.57-59

356. C.Trager-Cowan,K.P.O'Donnell,S.E.Hooper et al. Morphology of luminescent GaN films grown by molecular beam epitaxy// Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N3,p.355-357

357. S.H.Cho,U.Tanaka,T.Maruyama et al. Cathodoluminescence of GaN films grown under Ga and N rich conditions by radio-frequency-molecular beam epitaxy// J.Crystal Growth,l?97,V.175/I76,Nl,p.l 12-116

358. J.Liu,N.R.Perkins,M.N.Horton et al. A near-field scanning optical microscopy study of the photoluminescence frome GaN films// Appl.Phys.Letters, 1996,V69,N23,p.3519-3521 \

359. T.W.Weeks,J.M.D.Bremser,K.S.Ailey et al. GaN thin films deposited via organometallic vapor phase epitaxy on a(6H)-SiC(0001) using high-temperature monocrystalline A1N buffer layers// Appl.Phys.Letters, 1995,V.67,N3,p.401-403

360. M.R.H.Khan,Y.Ohshita,N.Sawaki et al.Effect of Si on photoluminescence of GaN// Solid State Comm., 1986,V.57, N 6,p.405-409

361. W.Gotz,N.M Johnson,C.Chen Activation energies of Si donors in GaN// Appl.Phys.Letters,1996,V.68,N2,p.3144-3146

362. P.Bergman,G.Ying,B.Monemar et al.Time-resolved spectroscopy of Zn-and Cd-doped GaN// J.Appl.Phys., 1987,V.61 ,N9,p.4589- 4592

363. S.Nakamura,G.Fasol The blue laser diode/ 1997,Springer, Berlin. 343p.

364. A.Munkholm, C.Thompson, M.V.R.Murty et al. Layer-by-layer growth of GaN induced by silicon// Appl.Phys.Letters, 2000, V.77, N11, p. 1626-1628

365. E.Calleja, M.A.Sanchez-Garcia, F J.Sanchez et al. Growth of Ill-nitrides on Si(l 11) by molecular beam epitaxy//J.Cryst. Growth, 1999, V.201/202, p.296-317

366. J.I.Pankove,J.E.Berkeyheiser,E.A.Miller Properties of Zn-doped GaN.l/ Photoluminescence// J.Appl.Phys.,1974,V.45,N3,p. 1280-1288

367. B.B.Малиновский, А.Н.Пихтин,А.В. Сол омонов Особенности кинетики излучательной рекомбинации в нитриде галлия, легированным цинком// Физ.Техн.Полупр., 1980,Т. 14, №8,с. 1550-1554

368. H.Teisseyre,P.Perlin,T.Suski et al. Photoluminescence in doped GaN bulk crystal// J.Phys.Chem.Solids, 1995,V.56,N3/4,p.353- 355j ■■■ ■

369. B.Monemar,H.P.Gislason,Q.Lagerstedt Properties of Zn-doped VPE-grown GaN.II. Optical cross sections//!Appl.Phys.,1980,V.51,Nl,p.640-649

370. В.В.Малиновский, Л.А.Марасина,И.Г.Пичугин и др. Структура спектров излучения люминофоров на основе нитрида галлия// Известия ЛЭТИ,1983, (322), с. 10-12

371. M.R.H.Khan,Y.Koide,N.Sawaki et al. Behavior of Zn as dopant in the photoluminescence of AlxGa,.xN// Solid State Comm., 1986,V.57, N1,p. 17-20

372. N.I.Kuznetsov, A.E.Nikolaev, A.S.Zubrilov et a. Insulating GaN:Zn layers grown by hydride vapor phase epitaxy on SiC substrates// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N20, p.3138-3140

373. O.Lagerstedt,B.Monemar Luminescence in GaN:Cd// J.Appl.Phys., 1974, V.45, N5, p.2266-2272

374. G.-C.Yi, B.W. Wessels Compensation of n-type GaN// Appl.Phys.Letters, 1996, V.69, N20, p.3028-3030

375. X.A.Cao, R.G. Wilson, J.C.Zolper et al. Redistribution of implanted dopants in GaN// J.Electron.Mater., 1999, V.26, N3, p.261-265

376. AJ.Winser, S.V.Novikov, C.S.Davis et al. Strong blue emission As doped grown by molecular beam epitaxy// Appl.Phys.Letters, 2000, V.77, N16, p.2506-2508

377. M.Ilegems,R.Dingle Luminescence of Be- and Mg-doped// J.Appl.Phys., 1973, V.44, N.9, p.4234-4235

378. M.Smith,G.D.Chen,J.Y.Lin et a 1.Acceptor-bound exciton xecombination dynamics in p-type GaN// Appl.Phys.Letters, 1995,V.67, N22,p.3295-3297

379. M.Smith,G.D.Chen,J. Y.Lin et al.Mechanisms of band-edge emission in Mg-doped p-type GaN//Appl.Phys.Letters, 1996,V.68,N14,p.l883-1885

380. W.Kim,A.Salvador,A.E.Botehkarev et al. Mg-doped p-type GaN grown by reactive molecular beam epitaxy// Appl.Phys.Letters, 1996,V.69,N4,p.559-561

381. E.Oh, Y.Park,S.Kang et al. Mg concentration dependence of optical properties in GaN:Mg// J.Cryst.Growth, 1998, V.189/190, N1/2, p.537-540

382. J.Baur, K.Maier,M.Kunzer et al. Infrared luminescence of residual iron deep level acceptors in gallium nitride (GaN) epitaxial layers// Appl.Phys.Letters, 1994, V64, N7, p.857-859

383. E.R.Glaser,T.A.Kennedy,K.Doverspike et al. Optically detected magnetic resonance of GaN films grown by organometallic chemical-vapor deposition// Physical Review B, 1995, V.51,N 19,p. 13326-13336

384. W.Gotz,N.M. Johnson,D.P.Bour Deep level defects in Mg-doped, p-type GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Letters, 1996, V.68,N24,p.3470-3472

385. F.B.Naranjo, M.A.Sanchez-Garcia, J.L.Pau et al. Study of the effects of Mg and Be co-doping in GaN layers// Phys. Stat. Solidi, 2000, V.180, N1, p.97-102

386. B.Kaufmann,A.Dornen,V.Harle et al. New near-infrared defect luminescence in GaN doped with vanadium by ion implantation// Appl.Phys.Letters, 1996, V.68,N2,p.203-204

387. А.С.Гуляева,М.В.Чукичев,Э.С.Копелиович и др. Катодолюминесценция нелегированного GaN в температурном интервале 78-300 К // Физика Техн.Полупр., 1977,Т11,№6, с.1210-1212

388. C.H.Qiu,M.Leksono,J.I.Pankove et al. Cathodoluminescence study of erbium and oxygen coimplanted gallium nitride thin films on sapphire substrates//Appl. Phys. Lett., 1995/V.66, N5, p.562- 564

389. И.Ш.Хасанов,А.В.Кузнецов,А.А.Гиппиус и др. Катодолюминесценция GaN, легированного методом ионной имплантации//Физика Техн.Полупр., 1983,т.17,№2, с.294-298

390. И.Ш.Хасанов,А.А.Гиппиус,А.В.Кузнецов и др. Катодолюминесценция GaN, легированного Zn в процессе эпитаксиального роста и методом ионной имплантации// Неорганические матер., 1984, Т.20,№11,с.1784-1786

391. J.Menninger,U.Jahn,O.Brandt-et al. Optical transitions in cubic GaN investigated by spatially resolved cathodoluminescence// Appl.Phys.Letters,1996,V.69,N6,p.836-838

392. K.Hiramatsu,H.Amano,I.Akasaki Cathodoluminescence of MOVPE-grown GaN layer on a-Al203// J.Crystal Growth,1990, V.99,Nl/4,p.375-380

393. V.M.Andreev, M.N.Petrov,I.G.Pichugin Luminescence properties of i-n, i-n-i and n-i-n structures made of epitaxial layers GaN/a-АЬОз// J. Luminescence, 1986, V.35, N1, p.9- 16

394. T.S.Cheng,L.C.Jenkins,S.E.Hooper et al. Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии// Физика Техн.Полупр., 1996, Т.30,Т2,с.296-300

395. K.Itoh,H.Amano,K.Hiramatsu et al. Cathodoluminescence properties of undoped and Zn-doped AlxGai.xN grown by metalorganic vapor phase epitaxy// Jpn.J.Appl. Phys., 1991 ,V:30,N8,p. 1604-1608

396. U.V.Desnica,N.Ravi,H.Andreasen et al. "Antisite" incorporation of Sb dopant in GaN// Solid State Comm., 1986,V.60, N1 ,p.59-62

397. U.V.Desnica "Antisite" incorporation of Sb dopant in GaNSolid State Comm., 1989, V.69,N4,p.411-414

398. M.F.Khan,D.T.Olson,J.N.Kuznia The nature of donor conduction in n-GaN// J.Appl.Phys.Lett.,1993,V.74,N9,p.5901 5903

399. N.H.Karam,T.Parodos,P.Colter et al. Growth of device quality GaN at 550°C by atomic layer epitaxy// Appl.Phys.Lett.,1995,V.6,Nl,p.94-96

400. D.Volm,K.Oettinger,T.Streibl et al. Exciton fine structure in undoped GaN epitaxial films//Phys.Rev.B, 1996,V.53,N24,p. 16543-16550

401. C.H.Park,D.J.Chadi et al. Stability of deep donor and acceptor centers in GaN, A1N, and BN// Phys.Rev.B, 1997,V.55,N 19,p. 12995-13001

402. D.C.H. Wang Photoluminescence and stimulated emission from GaN//Dissertation,Univ.South California, 1978

403. R.D.Dupuis, C.J.Eiting, P.A.Grudowski et al. Activation of silicon ion-implanted gallium nitride by furnace anneal'ng// J.EIectron Mater., 1999, V.26, N3,p.319-324

404. J.C.Zolper, H.H.Tan,J.S.Williams et al. Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in 'GaN// Appl.Phys.Letters,1997,V.70,N20,p.2729-2731

405. A.E.Wickenden,D.K.Gaskill,D.D.Koleske et al. On compensation and impurities in state-of-the-art GaN epilayers grown on sapphire// Mat.Res.Soc. Symp. Proc., 1996, V.395,679-683

406. J.C.Zolper,R.G. Wilson,S J.Pearton et al. Ca and О ion implantation doping of GaN// AppLPhys.Letters, 1996,V.68,N14,p. 1945-1947

407. H.R-Kuo,M.S.Feng,J.D.Guo et al.Raman scattering of Se-doped gallium nitride films// Jpn J. Appl.Phys.Pt2,1995, V.34 N10, p.5628-5632

408. D.Seghier, H.P.Gislason Electrical characterization of Mg-related energy 1 levels and the compensation mechanism in GaN:Mg//J.Àppl.Phys., 2000, V.88, N11, p.6483-6487

409. C.Wang,R.F.Davis Deposition of highly resistive, undoped, and p-type, magnesium-doped gallium nitride films by modified gas source molecular beam epitaxy// Appl.Phys.Lett., 1993, V.63,N7,p.990-992

410. Z.Yang,L.K.Li,W.I.Wang High-quality GaN and A1N grown by gas-source molecular beam epitaxy using ammonia as the nitrogen source// J. Vac. Sci. Technol. B, 1996,V.14,N3,p.2354-2356

411. Я.Д.Лебедев,М.Д.Шагалов Модель электропроводности для n-i-структур из GaN:Zn //Деп.статья Вологда, 1984, №3826-84

412. J. W.Lee,S. J.Pearton,J.C.Zolper et al. Hydrogen passivation of Ca acceptors in GaN// AppLPhys.Letters, 1996,V.68,N15,p.2102-2104

413. F.Bernardini, V.Fiorentini Incorporation, diffusion, and electrical activity of Li in GaN// Phys. Rev. B, 2000, V.61, N19, p. 125984 2601

414. S.Fisher,C.Wetzel,E.E.Haller et al. On p-type doping in GaN-accèptor binding energies//Appl.Phys.Lett.,1995,V.67,N9,p.1298-1300

415. T.Ogino,M.Aoki Mechanism of yellow luminescence in GaN// Jpn. XAppl. Phys., 1980, V. 19,N12,p.2394-2405 —

416. A.Bosin,V.Fiorentini,D.Vanderbilt Hydrogen, acceptors, and H-acceptors complexes,in GaN// Mater.Res.Soc.Symp.Proc.,V.395,1996,p.503-508~^^ .

417. T.L.Tansley,R.J.Egan Point-defect energies in the nitrides of aluminum, gallium, and indium// Physical Review B,1992,V.45,N19,p.10942-10950

418. Y.Takahashi,K.Yamashita,S.Motojima et al .Low temperature deposition of a refractory aluminum compound by the thermal decomposition of aluminum dialkilamides// Surface Sci.,1979,V.86,Nl,p.238-245

419. M.J.Cook, P.K.Wu,N.Patibandla et al. Deposition and properties of AIN films prepared by low pressure CVD with a metalorganic precursor// Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 1994, V.335, p. 101-106

420. A- G .Jones,S. A.Rush word,D J.Houlton et al. Deposition of aluminum nitride thin films by MOCVD from the trimethylauminum-ammonia adduct//

421. Chem.Vapor Deposition, 1996, V.2,Nl,p.5-8

422. С Jimenez,S.Gilles,P.Doppelt et al. Preparation of aluminum nitride films by low pressure organometallic chemical vapor deposition// Surf.Coat.Technol.,1995, V.76 / 77, p. 372-376

423. F.Takeda, T.Shiosaki,A.Kawabata High velocity and high coupling surface acoustic wave using zinc oxide films on ceramic substrates with high acoustic velocity// JpnJ.Appl. Phys., 1984,Suppl.24-l ,p. 124-126

424. U.Rensch,G.Eichhorn Investigation on the structure of MOCVD A1N layers on silicon//.Physica Status Solidi A,1983,V.77,Nl,p:'l 95-199

425. U.Rensch,G. Enchhorn // Phys.Status Solidi A, 1985,V.90,Nl,p.l35-141

426. D.A.Nèumayer, J.G.Ekerdt Growth of group III nitrdes. A review of precursors ¡and techniques// Chem. Mater., 1996, V.8, p.9-25

427. E.S.He'llman,C.D.Brandle, L.F.Schneemeyer et al. ScAlMg04: an oxide substrate fjpr GaN epitaxy// MRS Internet J.Nitride Semicon.Res., 1996,V. 1

428. T.Detchprohm, K.Hiramatsu, N.Sawaki et al. The hoepitaxy of GaN by metalorganic vapor epitaxy using GaN substrates// J.Crystal Growth, 1994, V.137, Nl,p.l70-174

429. K.Tsubouchi,N.MikoshibaZero temperature coefficient SAW delay line on aluminum nitride epitaxial films /Ultrason.Symp.Proc.IEEE, 1983,V.l,p.299-310

430. S.Yamazaki Aluminum niride film deposition/ Выложенные заявки Японии № 61-113771,61-143585, 61-159724,1986. -4p.

431. K.Masu,Y.Nakamura,T.Yamazaki et al. Transmission electron microscopic observation of AlN/a-ЛЬОз heteroepitaxial interface with initial-nitriding A1N layer//Jpn.J.Appl.Phys.Pt.2,1995, V.3, N6B, p.L760-L763

432. T.Suetsugi, T.Yamazaki, S.Tomabechi et al. AlNepHtaxial growth on atomically flat initially nitrided a-Al203 wafer// Appl.Surface Sci.,1997, V.117/118, p.540- 545

433. X.H.Wu,P.Fini,S.Keller et al. Morphological and structural transitions in -GaN films grown on sapphire by metal-organic chemical vapor deposition// Jpn.J.Appl. Phys. Pt2, 1996, V.35, N12B, p.L1648-L1651

434. I.Akasaki, H.Amano Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters// JpnJ.AppLPhys.Ptl, 1997,V.36, N9A, p.5394-5408

435. T.J.Kistenmacher,D.K.Wickenden, M.E.Hawley et al. Real and reciprocal space mapping of the mosaic dispersion in self-nucleated Al^Ga/JM thin films on (0001) sapphire// Appl.Phys.Letters, 1995, V.67 N25, p.3771-3773

436. H.Liu,D.C.Bertolet,J. W.Rogers The surface chemistry of aluminum nitride MOCVD on alumina using trimethylaluminum and ammonia as precursors// Surface Science, 1994,V.320,Nl/2. P.145-160

437. Y.Ohba,A.Hatano Growth of high-quality A1N and AlN/GaN/AlN heterostructure on sapphire substrate// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2, 1996, V.35, N8B, p.L1013-L1015

438. R.C.Buggeln, M.Meyyappan, CJ.Shamroth Analysis of aluminum nitride epitaxial growth by low pressure metal organic chemical vapor deposition// J.Vac. Sci.Technol. A, 1996, V.14, N4, p.2257-2262

439. L.J.Lauhon,S.A.Ustin,W.Ho Large area supersonic jet epitaxy of A1N, GaN, and SiC on silicon/ Mater.Res.Soc.Symp.Proc.,1997, V.449,p.277-282

440. C.C.Sun, M.Razeghi Comparision of the physical properties of GaN thin films deposited on (0001) and (01T2) sapphire substrates//Appl.Phys.Letters, 1993, V.63, N7, p.973-975 n

441. M.Morita, S.Isogai,N.Shimizu et 4; Aluminum nitride epitaxially grown on silicon: orientation relationships// Jpn J. Appl.Phys., 1981,V.20,N3, p.L173-L175

442. L.Wang,X.Liu, Y.Zan et al. Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using %-А120з as an intermediate layer//Appl.Phys.Letters, 1998, V.72,Nl,p.l09-l 11

443. S.Fujeda, M.Mizuta,Y.Matsumoto Improvement of the electrical properties of AIN/GaN MIS system and their thermal stability by GaAs surface stoichiometry control// Jpn.J.Appl.Phys.,Pt.2, 1988,V.27,N3, p.L296-L299

444. S.A.Safvi,J.M.Redwing, A.Thon et al. MOVPE GaN gas phase chemistry for reactor design and optimization// Mater.Res.Soc.Symp.Proc.,I997,V.449, p.101-106

445. D.Riihela,M.Ritala,R.Matero et al. Low temperature deposition of A1N films by an alternate supply of trimethylaluminum and ammonia// Chem. Vapor Deposition, 1996,V.2, N6, p.277-283

446. F.Bugge,A.N.Efimov,I.G.Pichugin et al. Growth kinetics, structure and surface morphology of AlN/a-Al203 epitaxial layers// Crystal Res.Technol., 1987, V.22, N1, p.65-73

447. M.P.Callagham, E.Patterson, B.P.Richard et al. Growth, crystallographic and electrical properties of epitaxial A1N layers on corundum substrates// J. Crystal Growth, 1974, V.22,N 1 ,p.85-98

448. T.L.Chu Aluminum nitride films and processes for producing the same/ Патент США № 3565704, 1971

449. Y.Pauleay, A.Bouteville,J.J.Hantzpergue et аГ Composition, kinetics and growth mechanism of aluminum nitride layers by chemical vapor deposition// J. Electrochem. Soc., 1982,V. 129, N5, p.1045-1052

450. Y.Suzuki,H.Matsuda,A.Aoki Эпитаксиальное выращивание из газовой фазы кристаллов нитрида галлия// Осака фуритцу когё гидзицу кэнкюсё хококу, 1979, № 75, с.25-31

451. Y.J.Liu,H.J.Kim,Y.Egashira et al. Using simultaneous deposition and rapid growth to produce nanostructured films of A1NVTiN by chemical vapor deposition// J.Am.Ceram.Soc., 1996, V.79, N5, p. 1335-1342

452. Ceramikyssy, 1991,V.26,N8, p.759-763

453. Y.Furukawa Chemical vapor deposition of insulating films using nitrogen trifluoride//Jpn.J.Appl.Phys.Pt. 1,1984, V.23,N3, p.376-377

454. C.Georgi,H.Arnold Organometallic gas-phase epitaxy and crystallographic characterization of aluminum nitride on sapphire// Intern. Wiss.Kolloq.-Teschn.Hoch.Ilmenau,! 984 V.29,N5, p.47-49

455. G J.Collins Photodeposition of nitride insulators on 3-5 substrates/ Technical Repot, NASA,-CR,-173393, 1984.-17p. . .

456. J.S.Hwang,A.V.Kuznetsov,S.S.Lee et al. Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (T012) and (loTo) sapphire surfaces//J. Crystal Growth, 1994, V.142,N1, p.5-15

457. E.B.Sokolov,B.A.Malukov,U.D.Kudakov et al. Orientation relationships of aluminum nitride on sapphire// Crystal Res.Technol.,1983,V.18, N1, p.53-59

458. A.Kimura, A.A.Yamaguchi, A.Sakai et al. Surface morphology study for hexagonal GaN grown on GaAs(l 00) substrates by hydride vapor phase epitaxy// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2,1996,V.35, N1 IB, p.L1480-L1482

459. Y.V.Melnik,LP.Nikitina,A.S.Zubrilov et al. High-quality GaN grown directly on SiC by halide vapor phase epitaxy// Inst.Phys.Conf.Ser.,1996,V.142, Ch.5,p.863-866

460. V.V.Bel'kov, V.M.Botnaryuk, L.M.Fedorov et al. Gallium nitride thick layers: epitaxial growth and separation from substrates// Mater.Res.Soc.Symp. Proc.,1997, V.449, p.343-346

461. D.D.Koleske, M.E.Twigg, A.E. Wickenden et al. Properties of Si-doped GaN films grown using multiple AIN interlayers// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N20, p.3141-3143

462. N.R.Perkins, M.N.Horton,Z.Z.Bandie et al. Halide vapor phase epitaxy of gallium nitride films on sapphire and silicon substrate // Mater.Res.Soc.Symp. Proc.,1995, V. 378, p.

463. R .J.Molnar,P.Maki,R.Aggarwal et al. Gallium nitride thick films grown by hydride vapor phase epitaxy// Mater.Res.Soc.Symp.Proc., 1996, V.423, p.

464. В.П.Кобяков Взаимосвязь морфологии и химического состава покрытий из нитрида алюминия, полученных осаждением из газовой фазы//Неорганические Материалы, 1994, т.30, № 5 ,с. 642-645

465. В.П.Кобяков Связь термодинамических и технологических параметров процесса получения нитрида алюминия газофазным методом со структурой и свойствами продукта//Неорганические Материалы, 1994, т.30,№3 ,с. 371-374

466. Y.Egashira, H.-J.Kim, H.Komiyama Claster size determination in the chemical vapor deposition of aluminum nitride// J. Amer.Ceram.Soc, 1994, V.77, N8, p.2009-2016

467. А.О.Лебедев, Ю.В.Мельник, А.М.Царегородцев Определение энергии активации процесса осаждения нитрида алюминия в хлоридно-гидридной системе// Ж.Прикл. химиии,1994, т.67, № 1, с. 146-149

468. S.E.Alexandrov Chemical vapor deposition of gallium nitride films based on pyrolysis of ammonia halide complexes// EUROCVD-11, Paris,1997,Abstract N 1838

469. S.E.Alexandrov, D.M.Krasovitskiy,A.Yu.Kovalgin Reaction scheme for the deposition of gallium nitride based on pyrolysis of ammonia chloride complex// EUROCVD-11, Paris, 1997, Absract N 2227

470. C.Georgi On the origin of the (1216) orientation in epitaxial A1N layers on R-plane sapphire// Crystal.Res.Technol, 1987, v.22,N6, p.777-781 477-T.Y.Sheng, Z.Q.Yu, G.J.Collins Appl.Phys.Letters,1988, v.52, N7,p.576-578

471. P.M.Dryburg The estimation of maximum growth rate for aluminum nitride crystals grown by direct sublimation// J.Crystal Growth, 1992,V.125,Nl/2, p.65-68

472. T.L.Chu,H.F.John Formation de films isolants/Патент Франции, 1966, № 1433751

473. P.M.Dryburg Factors affecting the growth of aluminum nitride layers on sapphire by the reaction of nitrogen with aluminum monoselenide// J.Crystal Growth, 1989, V.94, N1/2, p.23-33

474. Л.А.Жиляков, А.В.Костановский, А.В.Кириллин Роль фотоактивации в процессе образования пленок A1N//Доклады АН, 1994,Т.335,№5,с.606-608

475. T.Ogawa,M.Okamoto,H.Yagi et al. A1N thin films grown by pulsed laser deposition- effect of growth ambient// Diamond Films Technol., 1996, V.6, N2, p.87-93

476. W.T.Lin,L.C.Meng,G.J.Chen et al. Epitaxial growth of cubic A1N films on (100) and (111) silicon by pulsed laser ablation// Appl.Phys.Letters, 1995, V66, N16, p.2066-2068

477. J.D.Mackenzie,C.RAbernathy,J.D.Stewart et al. Growth of group III nitrides by chemical beam epitaxy// J.Crystal Growth, 1996, V.164, p. 143-148

478. S.Tanaka,R.S.Kern;J.Bentley et al. Defect formation during hetero-epitaxial growth of aluminum nitride thin films on 6H-silicon carbide by gas-source molecular beam epitaxy// Jpn.J.Appl.Phys.Ptl,!996, V.35,N3,p.l641-1647

479. H.Morkoc, A.Botchakarev, A.Salvador et al. GaN based III-V nitrides by molecular beam epitaxy// J. Crystal Growth, 1995, V.150, p.887-891

480. J.M.Van Hove, GJ.Cosimini, E.Nelson et al. GaN growth by a controllable RF-excited nitrogen source// J.Crystal Growth, 1995, V.150, p.908-911

481. W.Kim,M.Yeadon,A.E.Botchkarev et al. Surface roughness of nitrided (0001) А120з and A1N epilayers grown on (0001) AI2O3 by reactive molecular beam epitaxy// J.Vac.Sci.Technol. B, 1997, V.15, N4, p.921-927

482. N.Grandjean,J.Massies, M.Leroux Nitridation of sapphire. Effect on the optical properties of GaN epitaxial overlayers// Appl.Phys.Lettres,1996, V.69, N14, p.2071-2073

483. M.J.Paisley,R.F.Davis Photoassisted growth of gallium niride by gas source molecular beam epitaxy// J.Vac.Sci.Technol. A, 1993, V.l 1, N1, p. 18-24

484. D.B.Obérman,H.Lee, W.K.Gotz et al. Molecular beam epitaxy of gallium nitride by electron cyclotron resonance plasma and hydrogen azide// J.Crystal Growth, 1995, V.150, p.912-915

485. G.W.Auner,P.K.Kuo,Y.S.Lu et al. Characterization of aluminum ntride thin films grown by plasma source molecular beam epitaxy// SPIE Proc., 1995, V.2428,p.362-369

486. K.Iwata,H.Asahi,K.Asami et al. Gas source molecular beam epitaxy growth of GaN on C-,A-,R- and M-plane sapphire and silica glass substrates// Jpn.J.Appl. Phys. Pt.2, 19997, V.36,-N6A, p.L661-L664 . • .

487. D.Freundt, D.Holz, H.Lutz et al. Microstructure, vibrational and electronic properties of GaN grown by molecular beam epitaxy on A1203 (0001) and 6H-SiC(0001)// J.Vac.Sci.Technol.B, 1997, V.l5,N4, p.l 121-1127

488. M.E.Lin,S.Strite,A.Agarwal et al. GaN grown on hydrogen plasma cleaned 6//-SiC substrates// Appl.Phys.Letters, 1993, V.62, N7, p.702-704

489. J.R.Jenny,R.Kaspi,K.R.Evans Growth kinetics of GaN grown by gas-source molecular beam epitaxy// J.Crystal Growth, 1997, V. 175/176, N1, p.89-93

490. H.Fujii,C.Kisielowski,J.Krueger et al. Impact of growth temperature, pressure and strain on the morphology of GaN films// Mater.Res. Soc.Symp. Proc., 1997, V.449, p.227 232

491. Z.Sitar, L.L.Smith, R.F.Davis Interface chemistry and surface morphology in the initial stages of growth of GaN and A1N on a-SiC and sapphi re// J. Crystal Growth, 1994, V.l41, N1, p.l 1-21

492. A.Kikuchi, H.Hoshi, K.Kishino Effects of V/III ratio on improvement of crystal quality of zincblende GaN grown by gas source molecular beam epitaxy using RF-radical nitrogen source//J. Crystal Growth, 1995, V.150, p.897-901

493. T.S.Cheng, L.C.Jenkins,S.E.Hooper et al. Selective growth of zinc-blende, : wurtzite, or a mixed phase of gallium nitride by molecular beam epitaxy// Appl.Phys. Letters, 1995, V.66,N12, p.1509-1511

494. N.Tanaka, H.Okano,T.Usuki et al. Preparation of aluminum nitride epitaxial films by electron cyclotron resonance dual-ion-beam sputtering// Jpn.J.Appl.Phys. Ptl, 1994, V.33, N9b, p.5249-5254

495. L.Huang,X.-D. Wang,K.W.Hipps et al. Chemical etching of ion beam deposited A1N and A1N:H// Thin Solid Films, 1996, V.279,N1, p.43-48

496. П.М.Слуцкий, А.Н.Шкляр,А.А.Тер-Маркарян Изучение напряжений в монокристаллической корундовой подложке с плЬнкой A1N методом рентгеновской топографии// Техника Средств Связи, сер. ТПО, 1987, Вып.1, с.58-60

497. T.Mori, T.Takeda Preparation of two-layer A1-A1N structure by DC magnetron sputtering// Toyama Kogyo Koto Semmon Gakko Kiyo, 1981, V.15,N 1, p. 85-89

498. J.C.Wang,K.M.Lakin, A.R.Landin Piezoelectric shear-wave resonators and their preparation/ Патент США № 4640756, 1987.-37c.

499. C.C. Cheng, Y.-C. Chen, H.-J. Wang et al. Morphology and structure of----aluminum nitride thin films on glass substrates// Jpn.J.Appl.Phys.

500. Ptl,1996,V.35,N3, p.1880-1885

501. H.C.Lee,K. Y.Lee,Y.J.Yong et al. Effect of hydrogen addition on the prefered orientation of A1N films prepared by reactive sputtering// Thin Solid Films, 1995,V.271,N1, p.50-55

502. M.Matsuoka, Y.Hoshi, M.Naoe High rate preparation of c-axis oriented aluminum nitride films by reactive sputtering// Denshi Tsushin Gakkai Ronbunshi С, 1985, J68-C, N7, p.548-555

503. K.Tominaga, K.Kusaka,M.Chong et al. Film degradation in AIN preparation by facing target system// Jpn.J.Appl.Phys. Pt 1, V.33, N9b, p.5235-5239

504. G.Este, W.D.Westwood Stress control in reactively sputtered AIN and TiN films//

505. J.Vac.Sci.Technol. A, 1987,V.5, N3, Pt.3, p. 1892-1897

506. J.R.Siettmann, C.R.Aita Growth of Al and Al nitride films in N2- Ne and-N2-(Ne-Ar) discharges: construction of ternary gas phase diagram// J.Vac.Sci. Technol. A, 1988, V.6, N3, p.1712-1716

507. Н.В.Баровский,Е.Р.Райцин, Е.Б.Соколов Гетероструктуры нитрида алюминия на сапфире, полученные методом реактивного термического осаждения// Физика и технология широкозонных полупроводников, 1986, Махачкала,ДГУ, с. 180-181

508. M.Dinescu, P.Verardi,F.Craciun Reactive pulsed laser deposition a tool for obtaining high quality piezoelectric thin films// SPIE Proc, 1997, V.3093, p.249-255

509. J.Yang, C.Wang, X.Yan et al. A structural study of polycrystalline A1N films prepared by ion-beam-assisted deposition// J.Phys. D, 1994, V27,N5, p.1056-1059

510. M.Ishihara,H.Yumoto,T.Tsuchiya et al. Effect of bias voltage on A1N thin films prepared by electron shower method// Thin Solid Films, 1996, V.281/282, N1, p.321-323

511. J.Shigeta, Y.Iwamura, M.Migazaki Aluminum nitride passivation films for compound semiconductor integrated circuits/ Выложенная заявка Японии № 62-71236,1987

512. F.S.Ohuchi, P.E.Russell Aluminum mononitride thin films with controlled crystallographic orientations and their microstructure// J.Vac.Sci.Technol. A, 1987, V.5;N3,p.l630-1634 . ' ~

513. Y.Someno,M.Sakai,T.Hirai Preparation of aluminum nitride aluminum oxide composite films by microwave plasma chemical vapor deposition// Jpn.J.Appl.Phys, Pt.l, 1991, V.30,N8, p.1792-1798

514. G.Meng, X.Liu,S.Xie et al. {0001}-oriented growth of A1N films on Si(l 11) by microwave plasma CVD with AlBr3-NH3-N2 system// J.Crystal Growth, 1996, V.163,p.232-237

515. F.Hasegawa, T.Takahashi,K.Kubo et al. Passivation properties of CVD aluminum nitride films for gallium arsenide// Jpn.J.Appl.Phys., 1987, V.26, N9, Pt.2, p.L1448-L1450" j

516. P.Gapmann,J.Boysen,G.Schmitz et al. Growth of ultra-thin A1N(0001) films on NiAl(l 11)// Solid State Communications, 1996, V.97, N1, p. 1-5

517. H.L.Lu,W.F.Sommer,M.J.Borden et al. The microstructure and properties of a buried A1N layer produced by nitrogen implantation into pure aluminum// Thin Solid Films, 1996, V.289, N1, p. 17-21

518. M.Haino, M.Yamaguchi, H.Miyake et al. Bured tungsten metal structure fabricated by epitaxial-lateral overgrown GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2,2000, V.39, N5B, p.L449-L452

519. R.S.Q.Fareed, S.Totton, T.Inaoka et al. Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method// J.Cryst.Growth, 1999, V.207.N1, p.174-178

520. P.Fini, L.Zhao, B.Morgan et al. High-quality coalescence of laterally overgrown GaN stripes on GaN/sapphire seed layers// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N12, p.1706-1708

521. X.Zhang, P.D.Dapkus,, D.H.Rich Lateral epitaxy overgrowth of GaN with NH3 flow rate modulation// Appl.Phys.Letters,2000, V.77, N10, p. 1496-1498

522. A.Sakai, H.Sunakawa, A.Kimura et al. Self-organized propagation of dislocations in GaN films during epitaxial lateral overgrowth//, Appl.Phys.Letters, 2000, V. 76, N4, p.442-444

523. I.Kidoguchi, A.Ishibashi, G.Sugahara et al. Air-bridged lateral epitaxial overgrowth of GaN thin films// Appl.Phys.Letters, 2000, V.76, N25, p.3768-3770

524. X.Li, A.M.Jones, S.D.Roh et al. Characteristics of GaN stripes grown by selective-area metalorganic chemical vapor deposition// J.Electron.Mater., 1999, V.26, N3, p.306-310

525. K.Hiramatsu, H.Matsushima, T.Shibata et al. Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy and hydride vapor phase epitaxy// Mater.Sci.Eng.B, 1999, V.59, N1/3, p. 104-111

526. Q.Liu, A.Hoffmann, A.Kaschner et al. Local stress analysis of epitaxial laterally-overgrown GaN// Jpn.J.Appl.Phys.,

527. G.Nataf, B.Beaumont, A.Bouille et al. High quality ELO-GaN layers on GaN/A^Os patterned substrates by halide vapor phase epitaxy// Mater.Sci.Eng.B, 1999, V.59, N1-3, p.l 12-116

528. I.Kidoguchi, A. Ishibashi, G.Sugahara et al. Improvement of crystalline quality in GaN films by air-bridged lateral epitaxial growth // Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2, 2000, V.39, N5B, p.L453-L456

529. J.A.Smart, E.M.Chumbes, A.T.Schremer et al. Single step process for epitaxial later overgrowth of GaN on SiC and sapphire substrates// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N24, p.3820-3822

530. I.H.Kim, C.Sone, O.H.Nam et al. Ciystal tilting in GaN grown by pendoepitaxy method on sapphire substrate// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75, N26, p.4109-4111

531. K.Lithicum, T.Gehrke, D.Thomson et al. Pendeoepitaxy of gallium nitride thin films// Appl.Phys.Letters, 1999, V.75,N2, p. 196-198

532. H.Onodera A high-transconductance self-aligned gallium arsenide MESFET fabricated by through-aluminum nitride// IEEE Trans., Electron Dev., 1984, V.ED-31,N12,p. 1808-1813

533. I.G.Teremetskaya,V.P.Varnin, V.I.Polyakov et al. Characterization of diamond films grown on AIN/silicon substrates and of heterostructures with such films// Appl.Diamond Film.Rel.Mater.,IIIth Int.Conf.Proc.,1995,p.469-472

534. J.B.Cui,Y.R.Ma,J.F.Zhang et al. Growth and characterization of diamond film on aluminum nitride// Mater.Res.Bull.,1996, V.31,N7,p.781-785

535. V.P.Godbole, J.Narayan Aluminum nitride buffer layer for diamond film growth// J.Mater.Res., 1996, V.l 1 ,N7, p. 1810-1818

536. В.В.Лучинин,Ю.М.Таиров Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния 2Н на изолирующей подложке: нитрид алюминия -сапфир// Письма вЖТФ, 1984, т.10,№14, с.873-876

537. Y.Shibata,T.Kaya Piezoelectric wafers for surface-acoustic^wave (SAW) devices/Выложенная заявка Японии, №07-94800, 1995

538. А.В.Добрынин, Н.П.Казаков, Г.А.Найда и др. Нитрид алюминия в электронной технике// Зарубежная электронная техника, 1989, Вып.4, с.44-84

539. К.Кауа, H.Takahashi, Y.Shibata et al. Experimental surface acoustic wave properties of A1N thin films on sapphire substrates// Jpn.J.Appl.Phys. Ptl, V.36,N la, p.307-312

540. Y.Kobayashi, N.Tanaka, H.Okano et al. Characteristics of surface acoustic wave on A1N thin films// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.l, V.34, N5b, p.2668-2673

541. R.Asai,T.Okamoto,T.Minagawa Akustische Oberflachenwelleu ausbilden des Bauelement/ Заявка ФРГ, 1984, DE 3422*108

542. K.Giannelli, L.Giovanini,E.Verona et al. Surface acoustic wave channel, waveguides by A1N films// IEEE Ultrason. Symp.,1996, V.l, p.289-292

543. S.Yamamoto,A.Tahi,T.Gounji SAW propagation characteristics on piezoelectric layer/ diamond substrate structure// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.l, 1989, Suppl.28-2,p.209-212

544. С.К.Тихонов, Н.И.Сушенцов, В.Ю.Рудь Слоистые структуры на основе A1N для магнитоуправляемых ПАВ устройств// Письма в ЖТФ, 1995, т.21, Вып.21, с.49-54 j ' '

545. J.C.Wang,K.M.Lakin,A.R.Landin Piezoelectric shear-wave resonators and their preparation/ Патент США № 4719383, 19р. 37c.

546. T.Shiosaki Piezoelectric thin films// AppLphys. (Japan), 1982, V.51,N8, p.954-958 J

547. T.Inoue, Y.Miyasaka Piezoelectric composite thin film resonator/ Патент США №4456850, 1984 j

548. G.R.Kline,К.M.Lakin 1.0-GHz thin-films bulk acoustic wave resonators on gallium arsenide// Appl.Phys.Letters, 1983, V.43, N8, p.750-751

549. R.Ruby,P.Merchant Micromachined thin film bulk acoustic resonators// IEEE Freq. Contr. Symp. Proc.,1994,48th, p. 135-138

550. M.-A.Dubois, P.Muralt Properties of aluminum nitride thin films for piezoelectric transducers and microwave filter applications// Appl.Phys.Lett.,1999, V.74, N20, p.3032-3034

551. А.В.Добрынин Новые керамические материалы из нитрида алюминия// Неорганические материалы, 1992,т.28, №7, с. 1349-1359

552. K.Tsubouchi, S.Utsugi, T.Futatsuya et al. Theoretical analysis for a new package concept: high-speed head removal for VLSI using an A1N heat-spreading layer and microchannel fin// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2, 1990, V.30, N18, p.L88-L91

553. Toshiba Co. Композиционное покрытие для высокой теплопроводности/ Выложенная заявка Японии, № 60-128262, 1985

554. H.Tanji, M.Suzuki Подложкодержатель для осаждения полупроводников из газовой фазы/ Выложенные заявки Японии №№ 62-■124732 62-124733, 62-124734, 62-124735, 1987

555. T.Hayashi,T.Hirao,T.Ohashi Изготовление тиглей для метода Чохральского/ Выложенные заявки Японии № №01-87591,01-87594, 1989

556. N.Hashimoto Термопроводящие подложки для подложкодержателей/ Выложенные заявки Японии № №63-45195, 63-45189,1988

557. В.П.Кобяков Длительная термическая и коррозионная устойчивость трубчатых пакетов Mo-AIN-Mo// Атомная энергия, 1995, т.79, №6, с.449-451

558. K.Natesan Fabrication and perfomance of A1N insulator coatings for application in fusion reactor blankets//J.Nucl.Mater., 1996, V.233/237, p. 14031410

559. A.Hamano, K.Terao, I.Uchiyama et al. Highly reliable covering technologies of A1N PGA type packages// SPIE Proc., 1994, V.2369, p.619-624

560. S.Albanna, J.K.Lumpp Electroless copper plating on laser patterned aluminum nitride// SPIE Proc., 1997, V.2920, p.371-375

561. K.Azuma Оптический диск, содержащий отражающую пленку нитрида алюминия/Выложенная заявка Японии № 01-44785,1989

562. Y.F.Wu Measured microwave power performance of AlGaN/GaN/ i MODFET// IEEE Electron Device Letters, 1996, V.17, N9, p.455-4574-'

563. G.R.Borsuk Recent progress in GaN devices// SPIE Proc., 1996, , p.l 54161

564. S.Fuzita Широкозонные полупроводники и их применение в светодиодах голубого свечения// Appl.Phys.(Japan), 1985, V.54,N1, р.39-47

565. S.Nakamura,M.Senoh,T.Mukai p-GaN/«-InGaN/«-GaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2, Nla/b, p.L8-Lll

566. J.Wang, J.B.Jeon,Y.M.Sirenko et al. Piezoelectric effect on optical properties of pseudomorphically stained wurtzite GaN quantum wells// IEEE Photon.Technol. Letters, 1997,V.9,N6, p.728-7330

567. А.И.Волков,И.М.Котелянский,А.М.Филимонова Термодинамика процесса получения A1N аммонолизом AICI3// Неорганические материалы, 1975, Т.11,№8, с.1518-1519

568. Y.Pauleau, A.Bouteville,J.J.Hantzpergue et al. Thermodynamics and kinetics of chemical vapor deposition of aluminum nitride films// J.Electrochem.Soc.,1980, v.127, N7, p.1532-1537

569. H.Arnold,L.Biste,Th.Kaufmann Thermodynamics of A1N deposition by means of the aluminium-trichloride-ammonia process// Kristall und Technik, 1978,b.l3.N8, s.929-937

570. V.S.Ban Mass-spectrometric studies of the CVD of some 1II-V compounds. II GaN //J.Electrochem.Soc.,1972, V.l 19. N p.761-765

571. С.В.Гуров, В.Н.Троицкий, В.И.Чукалин и др. Термодинамический анализ высокотемпературных процессов получения нитридов В, Si, AI при водородномвосстановлении соответствующих хлоридов// Депонир. статья, ВИНИТИ, №6276-83.

572. A.Koukitu, S.Hama,T.Taki et al. Thermodynamic analysis of hydride vapor phase epitaxy of GaN// Jpn.JAppI.Phys. Ptl,1998, V.37,N3a, p.762-765

573. H.Juskowiak,A.Pajaczkowska Crystallization of Оа2Оз in the GaN-0-NH4Cl system// Zeszyty Naukowe Politechniki Lodzkiej, Fizyka, 1989,z.l0,N538,p.73-78

574. С.И.Макаров,Л.М.Журавлева,А А.Матяш и др. Термодинамический анализ и экспериментальные исследования процесса синтеза нитрида галлия в системе Ga+ НС1 + NH3 + Н2// Электронная техника, сер. Материалы, 1976, Вып.7,с.37-43

575. R.Franzheld,W.Seifert,E.Butter Influence of predeposition on the properties of GaN// Cryst.Res.Technol., 1986, V.21, N7, p.951-958

576. Y.Pauleau,A.BouteviIle,J.J.Hantzpergue et al. Composition, kinetics, and mechanism of growth of chemical vapor-deposited aluminum nitride films// J.Electrochem.Soc. 1982. V.129, N5, p. 1045-1052

577. A.Y.Timoshkin,H.F.Bettinger,H.F.Schaefer The chemical vapor deposition of aluminum nitride: unusual claster formation in the gas phase// J.Am.Chem.Soc.,1997, V.119,N,p.5668-5678

578. A.Koukitu,N.Takahashi,H.Seki Thermodynamic study on metalorganic vapor-phase epitaxial growth of group III nitrides// JpnJ.Appl,Phys.- Pt2, 1997, V.36,N9, p.Ll 136-L1138

579. А.В.Суворов Химия неорганических молекулярных комплексов в газовой фазе/ Дисс. на соискание уч.ст.док.хим.наук,Л. ЛГУ, 1979

580. Термодинамические свойства индивидуальных веществ/ под ред. Н.В.Гурвича, 1978,М.:АН СССР, т.1-3

581. С.А.Семенкович Моногалогениды алюминия/Дисс. на соискание уч.ст.док. хим. наук, Л.: ЛТИ, 1959.-160с.

582. О.Г.Поляченок Некоторые вопросы энергетики и устойчивости парообразных галогенидов/ Дисс. на соискание уч.ст.док.хим.наук, Л.:ЛГУ, 1972. 502с.

583. А.С.Болгар,В.Ф.Литвиненко Термодинамичекие свойства нитридов/ К.:Наукова думка, 1980.-282с.

584. Н.В.Баровский, А.Т.Герцен, А.В.Добрынин Термодинамические аспекты получения эпитаксиального нитрида алюминия// Тр.2-й Всес.конф.'Термодинамика и полупроводниковое материаловедение",!983, М.:МИЭТ, с.246-248

585. А.Н.Шинкарев,Н.И.Андреева,Г.С.Песоцкий и др. Термодинамические функции газообразного нитрида галлия// Деп.статья, ВИНИТИ, №6112-73, 5с.

586. А.В.Добрынин, В.В.Нечаев, Е.Б.Соколов Термодинамичекая модель неравновесного осаждения нитрида алюминия в системе Al-Cl-N-H-Ar// Неорганические материалы, 1986, т.22, №86 с.1303-1307

587. K.J.Sladek The role of homogeneous reactions in chemical vapor deposition// J.Electrochem. Soc., 1971, V.,118, N 4, p.654

588. Л.В.Кожитов,В.В.Крапухин,В.В.Нечаев, В.А.Улыбин Компьютерное моделирование процесса парофазной эпитаксии химическим осаждением// Материалы электронной техники, 1998, №1, с.53-56

589. В.А.Киреев Краткий курс физической химии/ М.Химия, 1978. 624с.

590. А.В.Добрынин Хлоридно-гидридный метод осаждения нитрида алюминия// Сб.научн.труд. МИЭТ,сер.Технол. полупроводн. соёдин.,М.:МИЭТ,1982,с.9-15

591. Н.И.Баровский,У.Д.Кудаков, Г.А.Найда Гетероэпитаксия нитрида алюминия на сапфире// Сб.научн.труд.МИЭТ,сер.Технол. полупроводн. соедин., М.МИЭТ, 1982,с. 106-108 "

592. Е.Б.Соколов,Е.Н.Подденежный,В.А.Леви Использование радиационного нагрева для кристаллизации полупроводников// Сб.научн.труд.МИЭТ, сер.Физико-химическая, М.гМИЭТ, 1972, вып.8, с.113-116

593. В.П.Чегнов, А.С.Малкова, А.С.Пашинкин и др. Термодинамический анализ методов получения GaN//Неорганические материалы, 1979, т. 15, №3, с.462-464

594. T.L.Chu, D.W.Ing,A.J.Norejka Epitaxial growth of aluminum nitride// Solid State Electron., 1967, V.10,N9, p. 1023-1026

595. Ф.Ф.Греков, Д.М.Демидов,А.М.Зыков Получение нитрида алюминия пиролизом моноаммиаката хлорида алюминия// Журн.прикл.химии, 1978,т.51 ,№ 10, с.2171 -2173

596. В.Г.Богданов,А.В.Добрынин, А.А.Додонов Комплексное исследование эпитаксии нитридов Ш-В подгруппы из газовой фазы// Тез.докл. VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1986, т.1, с.

597. W.Seifert,G.Fitzl,E.Butter Study of growth velocity at the CVD of GaN// J.Crystal Growth, 1981,V.52,Nl,p.257-262

598. S.S.Liu,D.A.Stevenson Growth kinetics and catalysis effect on CVD gallium nitride// J.Electrochem.Soc., 1978, V. 125,N7,p. 1162-1169

599. V.V.Malinovsky, L.A.Marasina, I.G.Pichugin et al. The growth kinetics and surface morfology of gallium nitride epitaxial layers on sapphire// Crystal Res.Technol,1982, V.17, N7, p.835-840

600. ЛА.Марасина Получение и исследование эпитаксиальных пленок и нитевидных кристаллов нитрида галлия// Дисс. . к.т.н, Л.:ЛЭТИ, 1974

601. J.Zytecky, R.Lappa Growth of epitaxial layers of GaN from GaBr3 4NH3 complex// Kristall undTechnik, 1974,v.9,N10,p.l089-1094

602. З.А.Метонидзе,О.Л.Колесник,В.Л.Оплеснин и др. Некоторые результаты по исследеованию оптических слоев нитрида галлия // Сб.научн.тр.МИЭТ,1976, №24,

603. T.L.Chu Gallium nitride films //J.Electrochem.Soc,1971, V.l 18. N7, p.1200-1203

604. W.Seifert, G.Fitzl, E.Butter Study of the growth velocity of GaN photodiode structure// Intern.Conf.Crystal Growth 6th, 1980, V.l, p.350-351

605. М.Д.Шагалов Электрофизические и оптические свойства нитридов-галлия и бора/ Дисс. к.ф.-м.н. Л.ЛЭТИ, 1975 .

606. A.Shintani, S.Minagawa Kinetics of GaN epitaxy from Ga; HC1, and NH3// .¡.Crystal Growth, 1974, V.22,Nl,p.l-5'

607. G.Y.Mcng Термодинамика, кинетика и механизм газо-фазной эпитаксии нитрида галлия(кит.)// Chung-kuo Ко Hsuech Chi Shu Та Hsueh Pao, 1980, V.10,N1, p.69-77

608. Л.А.марасина, И.Г.Пичугин, Ч.Т.Бинь Анфлиз влияния основных технологических факторов на рост нитрида галлия из жидкой фазы// Известия ЛЭТИ, 1985, №350, р.3-6

609. И.Г.Пичугин Методы получения, свойства и области применения нитридов типа AniBv// Материалы II Всес.совещ. по широкозон.полупровд. Л, 1979, с. 103-121

610. А.М.Царегородцев Разработка методики получения эпитаксиальных слоев нитрида алюминия и твердых растворов нитрид алюминия нитрид галлия// Дисс. . к.т.н., Л.:ЛЭТИ, 1982.-162с.

611. G.Meng Термодинамический анализ процесса химического осаждения GaxAl i .XN в парогазовой системе Ga-Al-HCl-NH3-H2// Шисуаньцзи юй Итон Хуасюэ, 1984, т.1,№2, с.127-139

612. А.В.Добрынин.В.В.Смирнов Термодинамический анализ осаждения из газовой фазы псевдобинарных растворов нитридов алюминия-галлия// Сб.тез.докл.ГУ^ Всес.конф.по термодинамике и материаловедению полупроводников, М.: МИЭТ, 1989, Ч.1,с.148-149

613. B.C.Chung,M.Gershenzon The influence of oxygen on the electrical and optical properties of GaN crystals grown by metalorganic vapor phase epitaxy // J.Appl.Phys. 1992. V.72. N2. P.651-659

614. В.Ф.Веселов, А.В.Добрынин, Г.А.Найда и др. Оптические свойства-эпитаксиалБных слоев нитрида алюминия, легированных кислородом// Неорганические материалы, 1989, Т.25, № 9,с.1477-1481

615. А.В^Добрынин,Е.Б.Соколов,А.Т.Герцен,В.В.Нечаев Термодинамический анализ газофазного осаждения твердых растворо^ на основе нитрида алюминия// Нитрид!»!: методы получения; свойства и области применения, Тез.докл.У Всес.семинара, Рига, 1984,с.

616. А.В.Добрынин Термодинамическая модель осаждения твердых растворов (AlN)x(AI203)1 -х и (GaN)x(Ga203)l -х// Известия ВУЗов, Материалы Электронной техники, 2000, №2, с.55-58

617. В.С.Урусов, В.Л.Таусон, В.В.Акимов Геохимия твердого тела/ М.ТЕОС, 1997, 500с.

618. V.A.EIyukhin, E.L.Portnoi, E.A.Avrutin et al. Miscibility gap of ternary alloys of binary compounds with zinc-blend and wurtzite structures using the cluster variation method//J. Crystal Growth, 1997, V. 173,N 1, p.69-72

619. I.H.Ho, G.B.Stringfellow Incomplete solubility in nitride alloys// Mat.Res.Soc.Symp. Proc.,1997, V.449,p.871-880

620. H.Katayama-Yoshida, T.Nishimatsu, T.Yamamoto Comparison between the theoretical prediction of codoping and the recent experimental evidences in p-type GaN, A1N, ZnSe, CuInS2and «-type diamond//Phys.Status Solidi В 1998 V.210. N 2. P.429-436

621. J.Neugebauer, C.G.Van de Walle Chemical trends for acceptor impurities in GaN // J.Appl.Phys. 1999 Vi85. N5. P.3003-3005

622. F.Mireles, S.E.Ulloa Acceptors binding energies in GaN and A1N // Mat.Res.Soc.Symp.Prop. 1998 V.482rP-.858*844

623. E.A.PenlaIeri, V.A.Gubanov, C.Boekema First-principles band structure calculations of p- and n-type substitutional impurities in zinc-blend aluminum nitride // Phys.Status Solidi В 1997 V.203. N1. P Л 49-168 " "ZHT^"

624. P.K.Davis, A.Navrotsky Quantitative correlations of deviations from ideality in binary and pseudobinary solid solutions // J. Solid State Chem.,1983,V.46, p.1-22

625. А.В.Добрынин Термодинамическая устойчивость псевдобинарных растворов на основе нитридов A,nBv// Тез.докл. 3-го Всерос. совещ. "Нитриды галлия, индия и алюминияструктуры и приборы", МГУ, 1999, с. 14-16

626. AV.Dobrynin Solubility of impurities group nonisomorphous substituted in III nitrides// Proc. 4- Intern.Symp. on Diamond and related films, Kharkov, 1999, p.285-289

627. A.B. Добрынин Термодинамическая устойчивость растворов на основе нитридов элементов А1" // Известия Высших Учебных Заведений, сер. Материалы электронной техники, 2000, №3, с.48-53

628. G.B.Stringfellow Calculation of regular solution interaction parameters in semiconductor solid solutions// J.Phys.Chem. Solids, 1973,V/73,N 10, p. 1749-1751

629. Б.Ф.Ормонт Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников/ М.:Высшая школа, 1982. 488с.

630. J.Hietala Alkali halide solid solutions. III. Heat of formation of cesium chloride type // Ann. Acad. Sci.Fenn. A VI, 1963, N123,18p.

631. L.Pauling The nature of the chemical bond/ N.Y.,3dn ed.,1960

632. V.Kumar.G,M.Prasad,A.R.Chetal et al. Microhardness and bulk modulus of binary tetrahedral 'semiconductors//J.Phys.Chem.Solids, 1996, V.57;N4, p.503-506

633. J.Haglund,A.F,Guillenuent,G.Grimvallet et al. Theory of bounding in transition-metal carbides' and nitrides//Phys.Rev. B, 1993,V.48,N16,p.l 1685-11691

634. Р.А.Андриевский Прочность тугоплавких соединений/ М.: Металлургия, 1974.

635. И.Н^Францевич,Ф.Ф.Воронов,С.А.Бакута Упругие постоянные и модули упругости металлов и неметаллов/ Киев.: Наукова думка, 1982.

636. Физико-химические свойства окислов/ под ред. Г.В.Самсовова,М.-Металлургия, 1978. 472с.

637. И.Хидиров,Т.Хайдаров Исследование характеристик упругости нитрида титана в области гомогенности методом ультразвукового резонанса// Неорганические материалы, 1995, т.31,№1, с. 134-137

638. В.П.Жуков, В.А.Губанов Исследование энергетической зонной структуры и химической связи в TiCx, TiNx, TiOx, VCX, VNX, VOx, x=l,0; 0,75, методом JTMTO//Ж.Неорг. химии, 1988, т.ЗЗ №4, c.823-832 ,

639. M.Cohen Calculation of bulk moduli of diamond and zinc-blende solids//Phys.Rev. B, V.32, N12, p.7988-7991r

640. E.Wang, Y.Chen, L.Guo Synthesis and characterization of C3N4 crystals// Science in Chine A, 1997, V.40, N9, p.967-970 ;

641. Landolt-Bornstein, New Serie (Elastic properties of solids),-1992, V.29. 743p. : ;

642. B.Hajek,V.Kohout, V.FIemv Note on thermodynamic instability of MUCj-type carbides of gallium group metals// Monatshefte Chemie,1986,V.l 17,N10, p.l 157-1164

643. T.Ito Empirical interatomic potentials for nitride compound semiconductors // Jap.J.Appl. Phys.,Pt.2,1998,v.37, N5B, p. L574-L576

644. M.van Schifgaarde,A.Sher,A.B.Chen Theory of A1N, GaN, InN and their alloys// J.Crystal Growth, 1997, V.178, N1/2, p.8-31

645. J.Leitner Binary A1" nitride solid solutions: estimation of the excess Gibbs energy// J.Phys.Chem. Solids, 1997, v.58, N 9, p. 1329-1334

646. K.Osamura, S.Naka, Y.Murakami Preparation and optical properties of Gai.xInxN thin films// J.Appl.Phys. 1975, V.46,N8, p.3432-3437

647. M.Shimotomai, A.Yoshikawa Simultaneous phase separation and basal-plane atomic ordering in InxGai.xN// Appl.Phys.Letters, 1998, v.73,N22, p.3256-3257

648. N.A.El-Masry,E.L.Piner,S.X.Liu et al. Phase separation in InGaN grown by metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Letters, 1998, V.72, N1, p.40-42

649. H.Sato, T.Sugahara, Y.Naoi et al. Compositional inhomogeneity of InGaN grown on sapphire and bulk GaN substrates by metalorganic chemical vapor deposition//

650. Jpn.J. Appl.Phys.,Pt.l ,1998,v.37,N4A, p.2013-2015

651. A.Yu.Polyakov,M.Shin,W.Qian et al. Growth of A1BN solid solutions by organometallic vapor-phase epitaxy//J.Appl.Phys., 1997, v.81,N4,p,1715-1719

652. Q.Guo, H.Ogawa, A.Yoshida Growth of AlxGal-xN single crystal films by microwave-excited metalorganic vapor phase epitaxy// J.Crystal Growth, 1995, v.l46,Nl, p.462-466

653. S.Strite, H.Morkoc GaN, A1N, and InN: a review// J.Vac.Sci.Technol. B,1992, v.I0? N4, p. 1237-1277

654. M.Kariya, S.Nitta, S.Yamaguchi et al. Structural properties of Ah.xInxN ternary alloys on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy// Jap.J.Appl.Phys.,Pt.2,1998, v.37, N 6B, p/L697-L699

655. V.Vezin, S.Yatagai, H.Shiraki et al. Growth of Ga|.xBxN by molecular beam epitaxy// Jap. J.Appl.Phys.,Pt.2,1997,v.46, N1 IB, p.L1483-L1485

656. N.Takahashi, R.Matsumoto, A.Koikitu, H.Seki Vapor-phase epitaxy of InxGai.xN using chloride sources// J.Cryst.Growth, 1998, V.l89/190, N1/2, p.37-41

657. R.Kuroiwa,H.Asahi,K.Asami et al. Optical properties of GaN-rich side of GaNP and GaNAs alloys grown by gas-source molecular beam// Appl.Phys.Letters, 1998, v.73,N18, p.2630-2632

658. H.Weinert,A.GIismann,J.Voigt "Memory" effect of bound exciton luminescence in GaP:N// Physica Status Solidi, B, 1986, v.135, N1, p.K133-K138

659. R.Kuroiwa, H.Asahi,K.Iwata et al. Gas source molecular beam epitaxy growth of GaN-rich side of GaNP alloys and their observation by scanning tunneling microscopy// Jpn.J. Appl.Phys.,Ptl, 1997, V.36,N6B, p.3810-3813

660. L.Beflaiche,S.-H.Wei,A.Zunger Composition dependence of interband transition intensities in . GaPN, GaAsN, and GaPAs alloys// Physical Rev.,B, 1997, v.56,N16,p.10233-10240

661. C.T.Foxon,T.S.Cheng, S.V.Novikov et al. The growth and properties of group III nitrides// J.Crystal Growth, 1995,v. 150,N2,p.892-896

662. J.V.Thordson,0.Zseboek,U.Socderval 1 et al. Molecular beam epitaxy growth and characterization of GaAsi.xNx layers// Mater.Sci.Forum,1998,v.264-268,Pt.2,p.l 185-1188

663. Y.Qui,S.A.Nikishin,H.Temkin et al. Thermodynamic considerations in epitaxial growth of GaAS|.xNx solid solutions// Appl.Phys.Letters, 1997,v.70,N21, p.2831-2833

664. Г.Суханек,Ю.М Таиров,В.Ф.Цветков Оценка важнейших параметров твердых растворов карбид кремния нитриды AniBv //Письма в ЖТФ, 1983,т.9,вып. 12, с.737-741

665. К. Wongchotigul,M.G.Spencer,N.Chen et al. Crystal structure of (SiC)x(AlN)i.x grown on 6H-SiC by MOCVD//Materials Letters,1994,v.21,N12,p381-385

666. Н.В.Офицерова,М.К.Курбанов,И.П.Никитина и др. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SiC)i-x(AlN)v // Неорганические материалы, 1992,т.28,№9,с.2011-2012 < '

667. А.Л.Ивановский, А.И.Гусев, Г.П.Швейкин Квантовая химия в материаловедении, Екатеринбург, 1999. 174 с.

668. А.Н.Жуков Исследование взаимодействия в системе AlN-Mg3N2 при атмосферном и высоком давлениях // Журнал Общей Химии, 1996,т.66,№7,с.1073-1077

669. J.I.Pankove, J.T.Torvik, C.-H.Qiu et al. Molecular doping of gallium nitride// Appl.Phys.Lett., 1999, V.74,N3, P. 415-417

670. T.Sakai Hot-pressing of the A1N-A1203 system // J.Ceram. Assoc. Jap. 1978 V.86. N3. P.l 25130

671. J.Eisner, R.Jones, M.I.Heggie et al. Deep acceptors trapped at threading-edge dislocations in GaN // Phys.Rev. В 1998. V.58.N19. P.12571-12574

672. M.Zhou, N.P.Perkins, E.Rehder et al. The effect of growth temperature on the microstructure of MOVPE AIN/ Si (111)// Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1998 V.482 P.185-190

673. A.Fara, F.Bernardini, V.Fiorentini Theoretical evidence for the semi-insulating character of A1N// J.Appl.Phys. 1999. V.85. N3. P.2001-2003

674. L.B.Rowland, K.Doverspike, D.K.Gaskill Silicon doping of GaN using disiiane Appl.Phys.Lett. 1995 V.66. N12. P.1495-1497

675. M.D.McCluskey, N.M.Johnson,C.G. Van de Walle et al. Metastability of oxygen donors in AlGaN // Phys.Rev. Lett. 1998 V.80. N18. P.4008-4011

676. V.A.Joshkin, G.A.Parker, S.M.Bedair et al. Effect of growth temperature on point defect density of unintentionally doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition and hydride vapor phase epitaxy//J.Appl.Phys. 1999, V.86. N1. P.281-288

677. D.H.Youn, M.Lachab, M.Hao et al. Investigation on the p-type activation mechanism in Mg-doped GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition // Jap.J.AppLPhys. Pt.l 1999 V.38.N2A. P.631-634

678. I.D.Brown,A.Dabkowski,A.McCleary Thermal expansion of chemical bonds// Acta cryst. B, 1997, v.53, N6„p.750-761

679. I.D.Brown,D.Altermatt Bond-valence parameters obtained from a systematic analysis of the inorganic crystal structure database// Acta Cryst. B,1985, v.41,N3,p.244-247

680. N.E.Brese,M.O'Keeffe Bond-valence parameters for solids// Acta Cryst. B, 1991, v.47, Nl„p. 192-197

681. J.C.Phillips, J.A.Van Vechten Spectroscopic analysis of cohesive energies and heat of formation of tetrahedrally coordinated semiconductors// Phys.Rev. B, 1970, V.2, N6, p.2147-2160

682. S.R.Lee, A.F.Wright, M.H.Crawford et al. The band-gap bowing of AlxGai-xN alloys// Appl.Phys.Lett., 1999, V.74, N22, p.3344-3346

683. T.Takeuchi, H.Takeuchi, S.Sota et al. Optical properties of strained AlGaN and GalnN on GaN// Jpn.J.Appl.Phys. Pt.2, V.36, N2B, p.L177-L179

684. W.Shan, W.Walukiewicz, E.E.Haller et al. Optical properties of InxGai.xN alloys growtn by metalorganic chemical vapor deposition//J.Appl.Phys., 1998, V.84, N8, p.4452-4458

685. A.F.Wright, J.S.Nelson First-principles calculations for zinc-blende AlInN alloys// Appl.Phys.Lett., 1995, V.66, N25, p.3465-3467

686. J.C.Phillips Ionicity of the chemical bond in crystals// Rev. Modern Physics, 1970. V.42. N3. p.317-356

687. J.A.Van Vechten, J.C.Phillips New set of tetrahedral covalent radii// Phys.Rev. В, 1970, V.2,N6, p.2160-2167

688. U.V.Desnica Factors influencing site selection of dopants in binary semiconductors// Solidэпитаксии GaN в реакторе струйного типа// Электронная техника, сер. Материалы, 1978, Вып.9, с.41-45

689. H.Moffat, K.F.Jensen Complex flow phenomena in MOCVD reactors// J.Crystal Growth, 1986, V.77, N1, p.108-119

690. А.ИАйдаров, А.С.Кузнецов, Б.Т.Майзанов, А.Г.Салтыков Расчет геометрииэпитаксиального реактора// Исследования в области полупроводниковых материалов, М, 1983, с.125-131

691. А.П.Митрофанов, А.М.Царегородцев G влиянии газодинамических факторов на процесс синтеза и эпитаксиального роста полупроводниковых нитридов AIIIBV// Известия ЛЭТИ, 1981,№281, с.69-73

692. М.Н.Петров, В.М.Андреев, О.В.Степченкова и др. Исследование процесса наращивания слоев нитрида галлия в условиях форсированного массообмена// ; Электронная техника; Сер.Материалы,1981, Вып.7,с.29-31

693. J.Han, T.-B.Ng, R.M.Biefeld et al. The effect of H2 on morphology evolution during GaN metalorganic chemical vapor deposition// Appl.Phys.Lett., 1997, v.71 ,N21, p.3114-3116 r

694. N.V.Barovskii, A.V.Dobrynin, A.T.Gertzen et al. Heat and mass transfer in gas-transport reactor for multi-component solid phase deposition// Cryst.Res.Technol.,1985, V.20, N8,p. 1041-1046 ' • " • ■ ■ • ■ • :

695. S.Berkman, V.S.Ban, N Goldsmith An analysis of gas-flow dynamics in horizontal CVD reactor.-In: Heteroepitaxial semiconductors for electronic devices/ By G.W.Cullen, C.C.Wang-Springer-Verlag, 1978, p.264-281

696. Г.Шлихтинг Возникновение турбулентности/ M.: Наука, 1962.

697. И.Е.Идельчик Справочник по гидравлическим сопротивлениям/ М.: Энергия, 1975.400с.

698. Э.Р.Эккерт, Р.М.Дрейк Теория тепломассобмена, М.Наука, 1964.

699. H Kreisinger, J.F.Barkley Measuring the temperature of gases in boiler settings/ US Bureau of Mines Bulletin, 1918,N145

700. F.Lieneweg Handbuch der technischen temperaturmissung/ Braunschweig,Vieweg, 1976.-432p.

701. А.В.Добрынин О кинетике испарения моноаммиакатов хлоридов алюминия и галлия// Сб. научн.трудов "Полупроводниковые материалы", М.: МИЭТ, 1983, с.17-19

702. А.В.Добрынин Разработка физико-химических основ получения эпитаксиальныхслоев нитрида алюминия и твердых растворов на его основе/Диссканд.техн.наук,1. М.гМИЭТ, 1986.

703. А.В.Добрынин Хлоридно-гидридный метод осаждения нитрида алюминия/ Сб. трудов МИЭТ по проблемам микроэлектроники, 1982 , с. 9-15.38i

704. Н.В.Баровский, А.В.Добрынин, Г.А.Найда и др. Способ подготовки источника алюминия/А.С. СССР, №1205710,1985

705. А.В.Добрынин, Г.А.Найда, В.Ф.Нечеталенко Влияние технологических параметров на процесс осаждения слоев нитрида галлия/ В еб.научн.труд. МИЭТ, Технологические процессы микроэлектроники, 1989, с.60-67

706. Н.В.Баровский Газофазная кристаллизация соединений III-V с использованием гидридов (на примере GaAs и A1N)/ Дисс. . . канд.техн.наук, М.МИЭТ, 1996.-277с.

707. H.Komiyama, Y.Shimogaki, Y.Egashira Chemical reaction engineering in the design of CVD reactors// Chem. Engineer.Sci.,1999, v.54,N13-14,p.1941-1957

708. B.B. Смирнов Разработка метода получения гетероструктур на основе нитридов элементов третьей группы и их применение в электронной технике// Дисс. . канд.техн.наук., М.:МИТХТ, 1990.

709. Теория тепломассобмена /М.: Высшая школа, под ред. А.И.Леонтьева, 1979. -495с.

710. R.Beccard, D.Schmitz, E.G.Woelk et al. High temperature CVD systems to grow GaN or SiC based structures// Materils Sci. Engineer., В, 1999, V.61 -62, p.314-319

711. А.Смит Прикладная ИК спектроскопия / М.: Мир, 1982. -328с.

712. К.Накамото ИК спектры и спектры КР неорганических.икоординационныхсоединений/ М.:Мир, ,1991. -536с.

713. F.C.Sauls, W.J.Hurley, L.V.lnterrante et al. Effects of ammonia on the pyrolytic decomposition of alkylaluminum amides to aluminum nitride//Chem; Mater , 1995, V.7,N7, P.1361-1368 ( '

714. B.S.Sywe, J.P.Schlup, J.H.Edgar Fourier transform infrared spectroscopic study of predeposition reactions in metallorganic chemical vapor deposition of gallium nitride// Chem.Mater., 1991, V.3, N4, P.737-742,1093-1097

715. D.Mazzarese, A.Tripathi, W.C.Conner et al. In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium ana ammonia//J.Electron. Mater., 1989, V18,N3, P.369-377

716. С.Е.Александров, А.Ю.Ковалгин, Д.М.Красовицкий Исследование влияния добавления аммиака на процесс пиролиза моноаммиаката хлорида галлия методом

717. УФ спектроскопии// Ж.Прикладн.Химии, 1995, Т.68,№ 1, с.9-13

718. С.Е.Александров, А.Ю.Ковалгин, Д.М.Красовицкий Исследование пиролизааддукта GaC^NHj методом УФ спектроскопии//Ж.Прикладн.Химии, 1994, Т.67, № 5, с.742-747

719. M.C.Johnson, K.Poochinda, N.L.Ricker et al. In situ monitoring and control of multicomponent gas-phase streams for growth of GaN via MOCVD// J. Crystal Growth, 2000, V.212,N1, p.l 1-20

720. C.E.Sj0gren, E Rytter High temperature infrared vapor spectra, molecular orbital calculations and vibrational analysis of AICI3NH3 and AICI3ND3// Spectrochimica Acta,1985, V.41A, N11, P.1277-1286

721. A.Sebestyen Vibrational spectroscopic calculations for AICI3NH3 and AICI3ND3 molecules// Acta Chimica Hungarica, 1987, V.124, N6, P.845-850

722. T.Ostvold, E.Rytter, G.N.Papatheodorou Vibrational spectra and structure of A1C13NH3 and molten mixtures with MC1-A1C13 (M = Li, Na, K, or Cs)// Polyhedron,1986, V.5, N3, P.821-832 .

723. J.Hvistendahl, P.Klaeboe, E.Rytter el al. Infrared emission spectra of alkali chloroaluminates and related metals// Inorg. Chem., 1984, V.23, N6, P.706-715

724. T.Tomita, C.E.Sjogren, P.Klaeboe et al. High-temperature infrared and Raman spectra of aluminium chloride dimer and monomer in the vapor phase// J.Raman ■.-, Spectrosc., 1983, V. 14, N6, P.415-425

725. P.Hassnzadeh, A.Citra, L.Andrews et al. Laser-evaporated aluminum atom reactions with halogen molecules. Infrared spectra of AlXn (X= F, CI, Br, I; n=l-3) 9n solid argon// J.Phys.Chem., 1996, V. 100, N18, P.7317-7325

726. R.D.Davy, K.L.Jaffrey Aluminum-nitrogen multiple bonds in small A1NH molecules: structures and vibrational frequencies of AINHj, A1NH3, and A1NH4// J.Phys.Chem., 1994, V.98, N 36, P.8930-8936

727. К.Н.Семененко, Э.Б.Лобковский, В.Б.Полякова и др. Строение и колебательные спектры моноаммиаката хлорида, алюминия// Координационная химия, 1978, Т.4,№ 11, С.1649-1652

728. M.JAlmond, M.G.B.Drew, C.E.Jenkins, D.A.Rice Organometallic precursors for the formation of GaN by metal-organic chemical vapor deposition: a study of (CH3)2GaNH2.3// J.Chem.Soc. Dalton Trans., 1992, N1, P.5-9

729. R.Ochoa, H.M.Haendler The reaction of ammonia with indium bromide in methanol. Indium bromide amines// Inorg. Chimica Acta. 1969. V.3,N3. P.441-442

730. R.H.Bradley, P.N.Briner, D.E.Jones Vibrational spectra and force constants of the tetrachloroaluminate, tetrabromoaluminate, and bromochloroaluminate ions// J.Chbm.Soc.,A, 1971, N10, P.1397-1400

731. W.C.Laughlin, N.W.Gregory Equilibrium vapor pressures, and vapor-phase dissociation ofmonoammine of aluminum chloride//J.Chem.Eng.Data, 1975, V.20,N2, P.137-140 ( ■ " '

732. M.Hargittai, I.Hargittai, J.Tamas et al. A1C13NH3 es Cl3GaNH3 molekuiakomplex elektrondiffraktios es tomegspektrometeres vizsgalata// Magyar Kemiai Follyoirat, 1974, As.80, Cz. 10/10, P.442-449

733. М.И.Кондаков, С.А.Неустроев, В.В.Кондрин и др. Масс-спектроскопическое исследование разложения моноаммиаката хлористого алюминия/ Сб.научн.трудов по проблемам микроэлектроники, М.:МИЭТ, 1976, с.74-77 '

734. А.В.Добрынин, Н.Ю.Горшкова Масс-спектроскопические исследования испарения тетрахлоралюмината аммония/ в сб. Материалы электронной техники, М.: МИЭТ, 1984, с.3-7

735. K.Nakamura, T.Ostvold, Н.А.Оуе Vapor pressure of molten acidic potassium chloride- aluminium chloride- aluminium chloride monoammine mixtures// Ber.Bunsenges. Phys. Chem. 1986, V.90, N2, P.141-150

736. T.A.Dang, RJ.Day, D.M.Hercules Laser mass spectrometry of diquaternary ammonium salts// Anal.Chem., 1984, V.56, N3, P.866-871

737. T.P.Martin, J.Diefenbach Aluminum bromide clusters// J.Amer.Chem. Soc, 1984, V.106, N4, P.623-624

738. Y.Okamoto Theoretical study on the precursors of group-Ill nitrides// J.Crystal Growth, 1998. V. 191, NI, P. 405-412

739. D.A.Neumayer, J.G.Ekerdt Growth of group III nitrides. A review of precursors and techniques// Chem. Mater., 1996, V.8, N1, P.9-25 ------

740. J.-W.Hwang, S.A.Hanson, D.Britton et al. Cyclotrigallazane, H2GaNH2. Its preparation, structure, and conversion to cubic gallium nitride at 150°.Q// Chem. Mater, 1990, V.2, N2, P.342-343 ----

741. F.C.Sauls, C.L.Czekaj, L.V.Interrante Effects of ring subStituents, preferential solvation, and added amine on the trimer-dimer equilibrium in .cyclic dialky 1 ahiminurn^ amide compounds//Inorg. Chem, 1990, V.29, N23, P.4688-4699 . -------^

742. M.Yoshimoto, T.Maeda, T.Onishi et al. Atomic-scale formation of ultrasmooth surfaces on sapphire substrates for high-quality thin-film fabrication// Appl.Phys.Lett., 19951, V.67, N18, P.2615-2617

743. Н.В.Баровский, А.В.Добрынин, Б.А.Малюков и др. Особенности кристаллизации сложных гетероструктур нитридов алюминия и галлия// Тез. 3 го Всерос.совещ. по нитридам, М.:МГУ, 1999, С.21-22

744. T.Yuasa, Y.Ueta, Y.Tsuda et al. Effect of slight misorientation of sapphire substrate on metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN// Jpn.J. Appl.Phys., Pt.2, 1999, V.38, N7A, P.L703-L705

745. Л.А.Благинина .Микроструктура и свойства керамики A1N после термообработки на • воздухе// Неорганические материалы, 1996, Т.32,№1,С.113-114

746. А.В.Добрынин, Н.В.Баровский, Г.А.Найда и др. Исследование механизма двойнико^ания в структурах нитрида алюминия на сапфире// Средства Связи, Сер.ТПО, 1989, Вып. 1, с.63-70

747. R.Nolaer, I.Cadoff Heteroepitaxial silicon-aluminum oxide interface// Transact, of theI

748. Metallurgical Soc. of AIME, V.65,N3, p.549-556

749. T.Lei, K.F.Ludwig, T.D.Moustakas Heteroepitaxy, ро1утофЫ5т and faulting in GaN thin films on silicon and sapphire substrates// J.Appl. Phys., 1993,V.74, N4, p.4430-4437

750. H.Okano, N.Tanaka, M.Kobayashi et al. Epitaxial A1N thin films grown on а-АЬОз substrates ECR dual ion beam sputtering// Jap. J. Appl. Phys., Ptl, V.34, N9B, p.5172-5177

751. Б.А.Малюков, Б.М.Балац, В.Е.Королев Индексация плоскости ромбоэдра г в сапфире//Электронная техника, сер. Материалы, 1981, Вып.4(153), с.44-47

752. М.П.Шаскольская Кристаллография// М.:Высшая школа, 1976. -391 с.

753. А.А.Чернов и др. Современная кристаллография, т.3,1980, М.:Наука. -408с.

754. Г.В.Чаплыгин, С.А.Семилетов Явление кристаллографической разориентации при эпитаксии//Микроэлектроника, 1982, т. 11, вып.4, с.337-342

755. A.Sasahara, H.Uetsuka,K.Onishi Noncontact-mode atomic force microscopy observation of а-АЬОз (0001) surface// Jap J.Appl.Phys., Pt.l,.39,N.6b, p.3773-3776

756. Y.Koide, N.Itoh, K.Itoh et al. Effect of A1N buffer layer on AlGaN/a-Al203 heteroepitaxial growth by metalorganie vapor phase epitaxy// Jap.J.Appl.Phys., 1985, V,22, .N7, p.l 156-1161

757. J.Griesche, R.Enderlein, D.Schikora Orientation and strain in heteroepitaxial growth// Phys. Stat Sol., A, 1988, V.109,N11, p.l 1-38

758. S.D.Wang Energy of an array of dislocations in a strained epitaxial layer deposited on a finite substrate// J.Appl.Phys.,2000,V88, N12, p.7089-7094

759. А.В.Кузнецов, Б.А.Малюков, О.С.Сотникова и др. Явление многопозиционности в гетероэпитаксиальных структурах GaN/АЬОз// Кристаллография, 1989, Т.34, № 1, с.

760. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy/ By G.D.Wagner, W.M. Riggs, L.E.Davis et al. Eden Prairie, 1979. - 190p.

761. Н.В.Баровский, A.B.Добрынин, Г.Д.Найда Спектральные исследования тонких" окл. II Всес.конф. по физике и технологии

762. Н.В. Баровский, В.Ф.Веселов, А.В Добрынин и др. Исследование состава гетероэпитаксиальных слоев нитрида алюминия на сапфире и кремнии //Нитриды, Тез.докл.V Всес. семинара, Рига, 1984, 4.2, с. 12-13

763. В.Ф.Веселов, А.В.Добрынин, Е Б.Соколов О влиянии электронной бомбардировки на результаты Оже-электронной спектроскопии нитрида алюминия// Тез.докл.Всес.совещ.-семинара "Диагностика поверхности ионными пучками", 1985, Ужгород,УжГУ, с.213-214

764. S.Pacesova, L.Jastrabic The energy spectrum of a deep impurity oxygen in A IN// Phys.Stat. Solidi, B, 1979, V.93,N9,p.Klll-Kl 14

765. А.В.Добрынин, М.М.Слетов, В.В.Смирнов Люминесцентные свойства нитридов галлия и галлия-алюминия// Ж.Прикл.Спектр.,1991, Т.55,№5, с.861-863

766. А.В.Добрынин, Г.А.Коркоташвили, А.Н.Пихтин и др. Примесная люминесценция широкозонных твердых растворов// Тез.докл. 111 Всес.совещ. Физика и технология широкозонных полупроводников, Махачкала, ДГУ, 1986, с.178-179

767. А.В.Добрынин, И.И.Кугенко, M М.Слетов Получение и свойства слоев твердых растворов нитридов алюминия-галлия// Тез.докл.Всес.конф. по росту кристаллов,187.1901. Москва, 1988, Т.1,с.60-61

768. Н.В.Баровский, А.В.Добрынин, ПА.Найда Пьезоакустические свойства гетероструктур нитрида алюминия на сапфире// Тез.докл.Всерос. конф."Электроника и информатика-95", М.:МИЭТ, 1995, с. 120

769. А.В.Добрынин, А.Н.Кривоспицкий, А.П.Сидоров Создание ПАВ-преобразователей гигагерцового диапазона на нитриде алюминия// Тез.докл.

770. Всесжонф;"Акустоэлектронные устройства обработки информации", Черкассы, 1988,. с.236-237

771. M.A.Dubois, P.Murall Properties of aluminum nitride thin films for piezoelectric transducers and microwave filter applications// Appl.Phys.Letters, 1999,V.74,N20, p.3032

772. DJ.Dunstan Review strain and strain relaxation in semiconductors// J. Mater.sci.: Mater, in Electronics, 1997, V.8,N1, p.337-375

773. R.A.Budiman, H.E.Ruda Relaxation model of coherent island formation in heteroepitaxial thin films// J.Appl.Phys., 2000, V.88,N8, p.4586-4594

774. S.Einfeldt, V.Kirchner, H.Heinke et al. Strain relaxation in AlGaN under tensile plane stress// J.Appl.Phys., 2000, V.88, N1, p.7029-7036

775. С.Н.Воронков,У.Д.Кудаков,С.К.Максимов и др Исследование напряжений в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия //Тр.1 Всес. конф. по физике и технологии тонких пленок, Ивано-Франковск, 1981, с. 112

776. K.Hiramatsu, T.Detchprohm, I.Akasaki Relaxation mechanism of thermal stresses in the heterostructure of GaN grown on sapphire by vapor phase epitaxy// Jpn.J.Appl.Phys:,Pt. 1, 1993, V.32,N4, p.l 528-1533

777. Il.Windischmann Intrinsic stress in A1N prepared by dual-ion-beam sputtering //Thin Solid Films 1987, V.154,N 1 ,р.159-170

778. O.Gfrorer, T.Schlusener, V.Harle et al. Relaxation of thermal strain in GaN epitaxial layers grown on sapphire// Mater. Sci. Engineer. B, 1997, V. 43, N1, p.250-252

779. D C.Reynolds, D.C.Look, В Jogai et al. Strain variation with sample thickness in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy// J.Appl.Phys., 2000, V.88, N3, p.1460-1463

780. A.R.Woll, R.L.Headrick, S.Kycia et al. GaN nucleation and growth on sapphire (0001): incorporation and interlayer transport//Phys.Rev.Letters, 1999, V.83,N21, p.4349-4352

781. R.Langer, A.Barski, A.Barbier et al. Strain relaxation in AIN epitaxial layres grown on ; GaN single crystals// J,Cryst.Growth, 1999, V.205,N 1, р.31 -35

782. N.V.Edvards, A.D.Batchelor, I.A.Buyanova et al. Relaxation phenomena in GaN /AlN/6H-SiC heterostructures// MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1999, V.4S1, art.3.78,

783. J.Domagala, M.Leszczynski, T.Suski et al. Changes in the microstructure of GaN layers on sapphire upon annealing at high pressure// Thin Solid Films, 1999, V.350, N1, p.295-299

784. Y.Ishihara, J.Yamamoto, M.Kurimoto et al. Dependence of crystal quality on residual strain in strain-controlled thin AlN layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy// Jpn.J.AppI.Phys., Pt2,1999, V.38, N1 IB, p.L1296-L1298

785. A.Usikov, V.V.Ratnikov, R.Kyutt et al. Macro- and microstrains in MOCVD-grown GaN// MRS Intern.J.Nitr. Semicond.Res.,1998, V.3,art.3-42

786. J.W.Ager III, G.Conti, L.T.Romano, et al. Stress gradients in heteroepitaxial gallium nitride films// MRS Symp. Proc., 1998, V.482,pJ69-774

787. T.Cozawa, T.Kachi, H.Kano et al. Thermal stress in GaN epitaxial layers grown on sapphire substrates// J.App.,Phys.,l995, V.77,N9, p.4389-4392

788. W.J.Meng, J.A.Sell, T.A.Perry et al. Growth of aluminum nitride thin films on Si(l 11) and Si(001): Structural characteristics and development of intrinsic stresses// J.Appl.Phys.,1994, V.75, N7,p.3446-3455

789. B.C.Bell, D.A.Glocker In situ measurements of film stress in AIN sputtered onto moving substrates// J.Vac. Sci. Technol. A, 1991, V.9,N4, p.2437-2441

790. S.Heame, E.Chason, J.Han et al. Stress evolution during metalorganic chemical vapor deposition of GaN// Appl.Phys.Letters, 1999, V.74,N3, p.356-358

791. SJ.Hearne, J.Han, S.R.Lee et al. Brittle-ductille relaxation kinetics of strained AlGaN/GaN heterostructures// Appl.Phys.Letters, 2000, V.76,N12,p. 1534-1536

792. M.D.Thouless, K.P.Rodbell, C.Cabral Effect of surface layer on the stress relaxation of thin films// J.Vac. Sci. Technol. A, 1996, V.14,N4, p.2454-2461

793. M.Kurimoto, T.Nakada, Y.Ishihara et al. Tensile strain introduced in AIN layer growth by metal-organic vapor-phase epitaxy on (0001) 6H-SiC with (GaN/AIN) buffer// Jpn.J.Appl.Phys.,Pt.2,1999, V.38, N5B, p.L551-L553

794. D.Cherns, W.T.Young, J.W.Steeds et al. Observation of coreless dislocations in a-GaN// J.Cryst.Growth, 1997, V.178, N.l, p,201-206

795. И.В.Вербило, С.Н.Воронков, А.В.Добрынин Исследование механических напряжений в гетероэпитаксиальных структурах AIN/AI2O3, легированных кислородом// Дефекты структур, Сб. трудов МИЭТ, 1984, с.42-45

796. G.S.Stoney The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proc.Royal Soc.A ,1909, V.82, N A553, p.172-175

797. A.B.Добрынин О применимости формулы Стони для расчета механических напряжений в толстых пленках и покрытиях// Письма вЖТФ, 1997, т.23, №18, с. 32-36

798. С.П.Тимошенко Устойчивость стержней, пластин и оболочек, М. .Наука, 1971

799. А.В.Добрынин Упругие и пластические деформации в гетероэпитаксиальной структуре нитрид алюминия на сапфире// Тез.докл.Всерос.н.-техн. конф. Новые материалы й технологии,М.:МАТИ, 1998, с.60-61

800. M.Mynbaeva, A.Titkov, A.Kryganovskii et al. Structural characterization and strain relaxation in porous GaN layers// Appl. Phys. Letters, 2000, V.76,N9, p. 1113-1115

801. A.K.Sinha, H.J.Levinstein. T.E.Smith et al. Thermal stresses and cracing resistance of dielectric films (SiN, Si3N4 and Si02) on silicon substates //J.Appl.Phys., 1978, V.49,N4 , p. 2423-2426

802. N.Itoh, J.C.Rhee, T.Kawabata et al. Study of cracking mechanism in GaN/a-A1203 structure//J.Appl.Phys., 1985, V.58, N5", p. 1828-1837 " " ' " "

803. A.V.Dobrynin Thermoelastic strain and plastic yielding in aluminum nitride on sapphire// J.Appl.Phys., 1999, V.85,N3,p. 1876-1882

804. C.Kim, I.K.Robinson, J.Myoung et al. Critical thickness of GaN thin films on sapphire (0001)// Appl.Phys.Letters, 1996, V.69,N 16, p.2358-2360

805. П.Л.Крупкин, А.А.Перескоков, Е.М.Гаврищук Устойчивость тонкопленочных покрытий в условиях сжимающих напряжений// Поверхность, 1991, №2, с.83-85

806. А.В.Добрынин Устойчивость керамических покрытий на молибдене// Неорганические материалы, 1999, Т.34, №2, С.241 -246

807. Б.Л.Пелех, В.А.Лазько Слоистые анизотропные пластины и оболочки с концентраторами напряжений, Киев, Наукова думка, 1982. -296с.

808. Н.М.Беляев Сопротивление материалов, М.:Наука, 1976. 608с.

809. А.В.Добрынин Новые керамические материалы из нитрида алюминия// Неорганические Материалы, 1992, т.28, №7, с. 1349-13 59

810. F.Vacandio, Y.Massiani, P.Gergaud et al. Stress, porosity measurements and corrosion behaviour of A1N films deposited on steel substrates// Thin Solid Films, 2000, V.359, N2, 221-227389

811. И.Г.Неизвестный dp^-Л/ 1986 года1. О Т 3 U Во разработке материала для СВЧ-акустоэлектроники

812. Указанные структуры были использованы при выполнении хоздоговорной работы НИР "Акция".

813. УТВЕРЖДАЮ" ЗАМ.ДИРЕКТОРА ПО НАУЧНОЙ РАБОТЕм