автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.14, диссертация на тему:Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства

На правах рукописи

□03052087 АВЕРИН Игорь Александрович

УПРАВЛЯЕМЫЙ СИНТЕЗ ГЕТЕРОГЕННЫХ СИСТЕМ: ТЕХНОЛОГИЯ И СВОЙСТВА

Специальности: 05.11.14 - Технология приборостроения; 01.04.10 - Физика полупроводников

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

ПЕНЗА 2007

003052087

Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет» на кафедре микроэлектроники.

Научный консультант - доктор технических наук,

профессор Печерская Р. М.

Официальные оппоненты: доктор технических наук,

профессор Смогунов В. В.;

доктор технических наук, профессор Воротилов К. А.;

доктор технических наук, профессор Гуляев А. М.

Ведущая организация - ФГУГТ «Научно-исследовательский институт физических измерений», г. Пенза.

Защита диссертации состоится 26 апреля 2007 г., в 14 часов, на заседании диссертационного совета Д 212.186.02 в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет» по адресу: 440026, г. Пенза, ул. Красная, 40.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет» и на сайте

ВАК.

Автореферат разослан « -Г » Л/стр2007 г.

Ученый секретарь диссертационного совета доктор технических наук, профессор

Светлов А. В.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Актуальность темы. Интенсивное развитие микро-, нанотехно-логии предъявляет новые требования к расширению функциональных возможностей приборов и повышению их надежности. Реализовать это возможно при использовании многокомпонентных систем, синтезированных при различной степени неравновесности метода получения, с заранее заданными свойствами за счет выбора технологических режимов синтеза и дозированного действия внешних факторов. Применение термодинамики фаз переменного состава к условиям квазиравновесных методов получения позволяет установить физико-химические закономерности получения многокомпонентных гетерогенных систем с управляемыми свойствами.

Большой вклад в развитие теоретических основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных гетерогенных систем внесли научные школы, руководимые такими учеными, как С. А. Се-милетов, Л. С. Палатник, Б. Ф. Ормонт, В. В. Крапухин, Ю. М. Таиров, А. С. Сигов, Р. М. Печерская, А. С. Сидоркин, В. Б. Уфимцев, А. Е. Панич и др.

Важной задачей приборостроения является повышение выхода годных изделий и временной стабильности эксплуатационных характеристик приборов, решение которой достигается за счет отработки технологии материалов с управляемыми, воспроизводимыми и стабильными во времени свойствами. К настоящему времени кинетические и термодинамические закономерности получения материалов не систематизированы. В то же время технология управляемого и воспроизводимого синтеза многокомпонентных систем требует как глубоких кинетических исследований, так и разработки качественных и количественных моделей свойств материалов, конденсируемых при различных термодинамических условиях. Научное направление формулируется в данной работе как развитие технологических основ получения гетерогенных систем с заданными выходными параметрами на основе общих физико-химических закономерностей синтеза различных многокомпонентных систем с управляемыми и стабильными во времени свойствами.

Тематика работы соответствует «Перечню приоритетных направлений развития науки, технологий и техники РФ», утвержденному Президентом РФ (Индустрия наносистем и материалов) и «Перечню

приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденному президиумом РАН (Физика конденсированных состояний и вещества).

Целью диссертационной работы является развитие основ технологии создания многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических систем, фотоэлектрических преобразователей на базе соединений А*В6 и пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными параметрами, позволяющих повысить эффективность технологии приборостроения и имеющих важное хозяйственное значение.

Задачи исследований:

1. Сформулировать методологию технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов на базе анализа свойств материалов и выходных параметров гетерогенных систем.

2. Разработать и практически реализовать методы получения многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем с управляемыми свойствами на основе применения термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям их получения.

3. Установить общие для многокомпонентных систем закономерности: условия конденсации - состав - свойства, для чего:

- исследовать кинетику процессов испарения и конденсации многокомпонентных систем;

- исследовать действие внешних дестабилизирующих факторов на свойства многокомпонентных систем;

- смоделировать процессы формирования пленок и свойства многокомпонентных систем в зависимости от условий конденсации и действия внешних дестабилизирующих факторов.

4. Разработать и практически реализовать методы временной стабилизации выходных параметров пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин.

5. Установить физико-химические закономерности управляемого синтеза многокомпонентных систем при различных условиях конденсации и внешних дестабилизирующих факторах; разработать технологию и изготовить фотоэлектрические преобразователи с использова-

нием соединений А*В6 и пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин.

Объект исследования: проводниковые (Ы^Сг^, Х20Н75Ю); полупроводниковые (РЬБ , РЬБе , РЬБ^^Бе^) и диэлектрические ( РЬТц^г/Зз) бинарные соединения и твердые растворы.

Методы исследования. Сформулированные задачи решались с использованием современных экспериментальных неавтоматизированных и автоматизированных методов, реализованных на отечественном и зарубежном оборудовании; численных и аналитических методов и средств вычислительной техники, а также теоретических методов исследования.

Достоверность полученных результатов и выводов подтверждена теоретическими доказательствами, численным и аналитическим моделированием свойств материалов и параметров гетерогенных систем; комплексными экспериментальными исследованиями, выполненными в объеме и с точностью, достаточными для получения достоверных сведений; многовариантной постановкой экспериментов с изменением условий конденсации, режимов обработки, характера воздействия; совпадением рассчитанных значений в пределах разработанных моделей с экспериментальными данными и известными из литературных источников.

Научная новизна результатов, полученных в диссертационной работе, заключается в следующем:

1. На основании анализа свойств и методов получения материалов, относящихся к различным классам веществ, предложена методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, обеспечивающая эффективность создания и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем.

2. Впервые систематизирован экспериментальный материал на основе комплексных исследований по управлению свойствами многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем, синтезированных в квазиравновесных условиях, за счет выбора условий конденсации и действия внешних дестабилизирующих факторов, включая рентгеновские лучи, отжиг. Получены эпитаксиальные пленки твердых растворов РЬБ^Бе^. с широким

диапазоном изменения состава по х из исходной загрузки РЬБ с применением дополнительного источника, содержащего селен, и исследованы их свойства.

3. Впервые установлены физико-химические закономерности получения многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов в квазиравновесных условиях с управляемыми свойствами вида: режимы синтеза - состав - внешние факторы - свойства на основе комплексного подхода, включающего исследования кинетики конденсации и испарения, равновесия твердая -газовая фаза, процессов, протекающих в твердых телах при действии дестабилизирующих факторов, и применения термодинамики фаз переменного состава для квазиравновесных условий.

4. Впервые на базе физико-химических закономерностей управляемого синтеза различных многокомпонентных материалов развиты обновы технологии гетерогенных систем, включая фотоэлектрические преобразователи на диэлектрических подложках с использованием соединений А4В6, чувствительные элементы на основе пленочных хромоникелевых резисторов для преобразователей физических величин.

5. Получены новые экспериментальные данные и разработаны модели временной стабилизации параметров чувствительных элементов на основе пленочных хромоникелевых резисторов для преобразователей физических величин за счет технологических режимов синтеза и дозированного воздействия рентгеновских лучей и отжига.

6. Разработаны алгоритмы расчетов кинетики роста пленок и их электрофизических свойств, позволяющие прогнозировать электрические и механические характеристики многокомпонентных систем и параметры приборов на их основе, что актуально при моделировании свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем.

Практическая ценность работы заключается в развитии основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов, гетерогенных систем различных видов, в исследовании свойств широкого класса веществ, включающих многокомпонентные проводниковые, полупроводниковые и диэлектрические материалы, и параметров приборов с их использованием. Основные теоретические положения применяются на практике в виде конкретных методик.

1. Предложенный в диссертационной работе научный подход к формированию различных многокомпонентных материалов с контролируемыми свойствами и разработанная методология управляемого синтеза обеспечивают повышение эффективности технологии гетерогенных систем и улучшение их выходных параметров за счет выбора технологических режимов синтеза, дозированного рентгеновского воздействия и отжига.

2. Установлены технологические режимы синтеза и обработки многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, позволяющие управлять их электрическими и механическими свойствами. Получены эпитаксиальные пленки сульфида свинца и твердых растворов сульфид свинца-селенид свинца на диэлектрических подложках высокого структурного совершенства со свойствами, близкими к свойствам монокристаллов.

3. Разработана технология и изготовлены многоэлементные матрицы фотоэлектрических преобразователей на основе /ь-и-гомопере-ходов и барьеров Шоттки с использованием эпитаксиальных пленок соединений с высокими выходными параметрами, близкими к мировым.

4. Разработаны технологические основы и изготовлены пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными выходными параметрами.

5. Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ: «Исследование и разработка технологических процессов микроэлектроники»; «Разработка методов и средств исследования материалов и элементов электронной техники», координационным планом АН СССР, научно-техническими и научно-отраслевыми программами Министерства образования и науки РФ, грантами Министерства образования и науки РФ.

6. Теоретические и практические результаты диссертационной работы использованы в производстве на предприятии ФГУП НИИФИ (г. Пенза) и в научно-исследовательских работах, выполненных в рамках координационного плана АН СССР по проблеме 2.21.3.5 «Исследование свойств полупроводниковых пленочных материалов и физико-химических процессов на поверхности полупроводников»; проблеме 2.21.3.4 «Изучение структурных дефектов в полупроводни-

ках» (г. Ленинград); по грантам Министерства образования и науки РФ: «Исследование деградационных процессов в сегнетоэлектриках на автоматизированном комплексе»; «Влияние дестабилизирующих факторов на свойства сегнетоэлектриков» (Пенза, 2001-2004); по научно-техническим, научно-отраслевым и аналитической ведомственной целевой программам Министерства образования и науки РФ: «Научное, научно-методическое, материально-техническое обеспечение развития технологий информационного общества и индустрии образования» (Пенза, 2003); «Развитие научного потенциала высшей школы» (Пенза, 2004-2008); по трем госконтрактам в рамках научно-отраслевой программы Федерального агентства по образованию РФ: «Развитие информационных ресурсов и технологий. Индустрия образования» (Пенза, 2004) и НИР «Исследование методов прогнозирования стабильности параметров тонкопленочных резисторов», № Г.Р. 01.89.0056842 (Пенза, 1989); «Исследование методов повышения стабильности тонкопленочных структур для ДПА», № Г.Р. 01.91.0045750 (Пенза, 1991). Это подтверждается актами.

7. Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе и научных исследованиях Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (ЛЭТИ), Казанского государственного технологического университета, Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Московского государственного технического университета имени Н.Э.Баумана, Ростовского государственного университета, Санкт-Петербургского государственного института точной механики и оптики, Пензенского государственного университета, Воронежского госуниверситета, ФГУП РНПО «Росучприбор», Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения, Северо-Кавказского государственного технического университета, что подтверждается соответствующими актами.

На защиту выносятся:

1. Методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, обеспечивающая эффективность технологии приборостроения и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем.

2. Термодинамика фаз переменного состава, применимая к квазиравновесным условиям получения многокомпонентных систем: диа-

граммы условия конденсации - состав - свойства многокомпонентных систем, являющиеся основой технологии управляемого синтеза многокомпонентных систем.

3. Физико-химические закономерности управления свойствами многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов при различных условиях конденсации и дозированного действия внешних дестабилизирующих факторов.

4. Экспериментальные зависимости вида: технологические режимы синтеза - состав - внешние дестабилизирующие факторы - свойства многокомпонентных материалов - выходные параметры гетерогенных систем для фотоэлектрических преобразователей и преобразователей физических величин.

5. Методики и результаты временной стабилизации выходных параметров пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей информации.

6. Результаты моделирования кинетики роста многокомпонентных систем, их электрофизических свойств и выходных параметров гетерогенных систем для фотоэлектрических преобразователей и преобразователей физических величин.

7. Технологические режимы и процессы получения фотоэлектрических преобразователей на основе соединений А*В6 с использованием диэлектрических подложек с высокими выходными параметрами и пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными параметрами.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на всесоюзных, всероссийских и международных конференциях, семинарах, симпозиумах: VI Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогени-дов (Тбилиси, 1983); II Всесоюзная конференция по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1984); III Всесоюзная конференция по физико-химическим основам сегнетоэлектриков и родственных материалов (Звенигород, 1988); XII, XIII, XVII Всесоюзные конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1989; Тверь, 1992; Пенза, 2005); The International conference «Electronic ceramics - production and properties» (Riga, 1990); International symposium «Domain structure of ferroelectric and related materials»

(Volgograd, 1989); Nordic Symposium on mesoscopic electron systems (Fuglsocentret, Denmark, 1992); Six International seminar on ferroelectric physics (Voronezh, 1994); International Seminar on relaxor ferroelectrics (Dubna, 1996); VII Международный семинар по физике сегнетоэлек-триков (Казань, 1997); международные симпозиумы «Надежность и качество» (Пенза, 1998, 2001 - 2004, 2006); международные научно-методические конференции «Университетское образование» (Пенза, 1996, 2001 - 2006); V Международная конференция «Вакуумные технологии и оборудование», XIV Международный симпозиум «Тонкие пленки в оптике и электронике» (Харьков, 2002); VII-th Russia/ CIS/Baltic/Japan Symposium on ferroelectricity (StPeterburg, 2002); международные конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002, 2003); международные научно-технические конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (пос. Дивноморское, 2002, 2004, 2006); Международная научно-техническая конференция «Тонкие пленки и слоистые структуры» (Москва, 2002); Международная школа-семинар по электронным приборам и материалам (Эрлагол, Горный Алтай,

2003); X-th European Ferroelectricity Conference (Cambridge UK, 2003); Международная научно-техническая конференция «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2003); The XXI International Conference on Relaxation phenomena in solids (RPS-21) (Voronezh,

2004); IV Международная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2004); VI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск - Сочи, 2004); Международная научно-техническая конференция «Материалы для пассивных радиоэлектронных компонентов» (Пенза, 2005); Международная научная конференция «Тонкие пленки и наноструктуры» (Москва, 2005), Всероссийская научно-техническая конференция «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники» (Пенза, 2006).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 120 работ, в том числе монография, два учебных пособия (одно с грифом УМО), получено 2 авторских свидетельства и патент РФ на изобретение. Отдельные результаты отражены в 14 отчетах по НИР, зарегистрированных в ВНИТЦ. Основные положения диссертации полностью представлены в опубликованных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, семи глав, заключения, списка литературы из 323 наименований, четырех приложений. Общий объем диссертации - 381 страница машинописного текста, включая 157 рисунков и 23 таблицы.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цель работы и основные задачи исследования, приведены научная новизна, ее практическая значимость, сведения о практической реализации и апробации диссертационной работы, а также основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе показано, что создание эффективной технологии многокомпонентных систем с управляемыми, воспроизводимыми и стабильными во времени свойствами требует комплексного подхода, включающего разработку физико-химических закономерностей, связывающих как технологические режимы синтеза для различной степени неравновесности метода получения, способы и режимы обработки, с одной стороны, так и состав, свойства, выходные параметры гетерогенных систем, с другой.

На основе обобщения данных установлено, что свойства многокомпонентных систем определяются типом, концентрацией собственных дефектов, составом, которые задаются условиями конденсации и режимами обработки, включая облучение рентгеновскими лучами и отжиг.

Развитие технологии управляемого синтеза многокомпонентных систем наряду с экспериментальными исследованиями включает теоретический подход, являющийся общим при рассмотрении свойств различных классов веществ, и базируется на исследовании кинетики конденсации материалов на различных стадиях роста пленок при изменении степени неравновесности метода получения, термодинамики фаз переменного состава. Процесс образования и заполнения собственных дефектов кристаллической решетки описывается с помощью квазихимических реакций. Тип и концентрация дефектов, задаваемые технологическими режимами, определяют электрофизические свойства многокомпонентных систем, а следовательно, и параметры гетерогенных систем в целом.

Вторая глава посвящена разработке основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых систем с использованием соединений А*Б6.

Впервые предложен способ получения эпитаксиальных пленок твердых растворов PbS^Se^ с диапазоном изменения состава по X от 0 до 1 на монокристаллических подложках в виде свежих сколов по плоскости (111) BaF2 на базе метода «горячей стенки», что позволяет формировать монокристаллические пленки в условиях, близких к равновесным.

Приведены результаты кинетических исследований условий метода «горячей стенки» и диаграмма условий конденсации для получения эпитаксиальных пленок с различным составом и свойствами, близкими к монокристаллам. Таким условиям конденсации отвечают 580 К < Т„ < 750 К и FK= (10"ш- 10~8) м/с. Разброс электрофизических свойств по поверхности пленок составлял 3-5 %. Холловская подвижность при комнатной температуре находилась в диапазоне 450-500 см2/В-с.

Установлены качественные и количественные закономерности между скоростью конденсации, с одной стороны, и температурами испарения исходной загрузки, подложки, давлением пара селена, составом исходной загрузки, с другой. Скорость конденсации пленок от температуры испарения исходной загрузки хорошо описывается уравнением Герца - Кнудсена.

Минимальная полуширина линии рефлекса от плоскости (444) PbS,_jSet для пленок твердых растворов, синтезированных из

исходной загрузки х = 0 и х = 0,3, составляла 0,16° и 0,24° соответственно. Получены зависимости между структурным совершенством пленок, составом исходной загрузки и режимами синтеза.

Построена диаграмма условий равновесия твердая фаза-пар для пленок сульфида свинца, которая расширяет Р-Г-х-диаграмму по Крегеру в сторону более низких температур (рисунок 1). Она является основой для определения термодинамических параметров реакций образования собственных дефектов в пленках твердых растворов и для разработки технологии многокомпонентных систем с заданными концентрациями носителей заряда и электрически активных собственных дефектов.

Установлено закономерное изменение типа электропроводности и концентрации носителей заряда, а также коэффициента термоЭДС от давлений пара халькогена и температур испарения исходной загрузки и подложки.

Изучено влияние состава исходной загрузки х = 0 и х = 0,3 на электрофизические свойства и состав синтезированных твердых растворов РЬБ^Бе^. В качестве примера на рисунке 2 приведены

Рисунок 1 — Диаграмма условий равновесия твердая фаза - пар для эпитаксиальных пленок сульфида свинца

при Гисп.К

/и

ч

/

///

10° .О"2 10"' 10° ^.Па

темный символ - и-тип; светлый символ -р-тип

Рисунок 2 - Зависимости состава эпитаксиальных пленок от давления пара селена для трех температур испарения исходной загрузки

зависимости типа электропроводности состава твердых растворов, сформированных из исходной загрузки х = 0, от температур испарения исходной загрузки и подложки. Минимальное содержание сульфида свинца в слоях твердых растворов ограничено составом исходной загрузки. Из исходной загрузки х = О формируются эпитаксиаль-ные пленки РЬЗ^^е^с составом в диапазоне 0<лг<1. Разработана теоретическая модель, основанная на реакциях замещения атомов серы атомами селена, описывающая процесс образования многокомпонентных систем с диапазоном изменения состава по х от 0 до 1 из исходной загрузки х = 0 и х = 0,3.

На основе термодинамических расчетов показано, что реакции замещения атомов серы атомами селена протекают во всем диапазо-

не составов твердых растворов как в твердой, так и в газовой фазе, причем последнее более вероятно из-за более высокого отрицательного значения свободной энергии Гиббса.

Квазиравновесность условий метода «горячей стенки» оценена сравнением энтальпий и энтропий реакций образования собственных дефектов в монокристаллах, полученных в равновесных условиях, и пленках, синтезированных этим методом. Показано, что термодинамические параметры реакций образования собственных дефектов в монокристаллах и пленках сульфида и селенида свинца имеют близкие значения, что указывает на квазиравновесность условий получения в варианте метода «горячей стенки».

Термодинамические параметры реакций образования собственных дефектов в пленках твердых растворов РЬБ^^е,. определяются из значений энтальпий и энтропий реакций образования собственных дефектов в пленках сульфида и селенида свинца с учетом коэффициентов активности в твердой фазе и параметра взаимодействия в рамках модели дельта-параметра решетки. Дня твердого раствора на основе РЬЗ-РЬБе параметр взаимодействия в твердой фазе равен 400 кал/моль.

Произведен расчет концентраций собственных дефектов и носителей заряда, инверсных давлений пара халькогена, отвечающих области термодинамического /р-н-перехода, при использовании квазихимического метода (рисунок 3). При пересчете высокотемпературного равновесия от Т= 773 К до комнатной температуры необходимо учитывать сужение ширины запрещенной зоны полупроводников при уменьшении температуры. Известно, что высокотемпературное равновесие дефектов при закалке сохраняется, а электроны распределяются по энергетическим состояниям в соответствии с температурой.

Инверсное давление пара халькогена рассчитывалось из условия равенства концентраций заряженных вакансий в подрешетке металла

и неметалла = (рисунок 4). Для твердых растворов различного состава определены температурные зависимости давлений пара халькогена, отвечающих термодинамическому /^-«-переходу.

Исследована кинетика диффузии электрически активных собственных дефектов, определяемая самодиффузией атомов свинца и халькогена в пленки твердых растворов РЬБ^Бе^. Показано, что

• -эксперимент; — расчет эксперимент; — расчет

„ „ 1= 0; 2= 0,07; 3= 0,4;4-л:~1

Рисунок 3 - Зависимости концентрации

собственных дефектов и носителей Рисунок 4 - Зависимости инверсных заряда в пленках сульфида свинца давлений пара халькогена для РЬЭ, ^е^ от давления пара серы при Г„сп = 773 К от температуры испарения исходной

загрузки

диффузия электрически активных собственных дефектов не влияет на образование резкого />-л-перехода, полученного в едином технологическом цикле. Это дает возможность изготавливать в едином технологическом цикле /?-и-гомопереходы на основе твердых растворов РЬБ^Бе^ и использовать их в качестве фотоэлектрических преобразователей.

В третьей главе приведены особенности управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых систем на основе хромоникеле-вых соединений.

Разработана и применена методика получения пленок из исходной загрузки №08Сг02, Х20Н75Ю. Определены условия, обеспечивающие получение пленок с заданными свойствами.

Разработана модель управления свойствами многокомпонентных пленок на стадии роста. На основе атомной теории зародышеобразо-вания определены основные параметры роста пленок: энергии активаций диффузии Ег1, адсорбции Еа, адгезии атомов к подложке Еас1, критическая температура Ткр и установлена их взаимосвязь с технологическими режимами по экспериментально полученным для N1 ^.Сг,.^ зависимостям концентраций компонентов от условий конден-

сации. Энергия адгезии Еа(1 адсорбированных атомов никеля и хрома к поверхности подложки изменяется от 0,18 до 0,92 эВ, что соответствует Ван-дер-Ваальсовому взаимодействию между атомами. Определение значений Еа(1 атомов пленки к подложке сводится к вычислению функции распределения Ер(Тисп,Тп) различных сортов атомов в зависимости

от режимов синтеза, найденной с помощью метода статистических испытаний и специально разработанной программы.

С учетом правила Трутона разработана модель для нахождения основных параметров роста для любых компонентов, входящих в состав пленки в зависимости от температуры кипения химических элементов и их порядкового номера в периодической таблице Д. И. Менделеева. В качестве примера на рисунке 5 представлена зависимость энергии адсорбции различных сортов атомов от их порядкового номера для пленок на основе хромоникелевого сплава, включающего хром - 20 ат. %, никель - 74 ат. %, алюминий - 3 ат. %, медь - 1,5 ат. %, железо - 1,5 ат.%. Для аналитического описания зависимостей Еа,Ес1, Еь,Еай, Гкр от порядкового номера, температуры

кипения установлены функции распределения, которые наиболее максимально удовлетворяют экспериментальным данным (см. рисунок 5). Для анализа начальных стадий роста, определяющих структурное совершенство, электрофизические и механические свойства пленок, рассчитаны концентрации зародышей, их критический радиус для различных режимов синтеза.

Установлено качественное и количественное влияние условий конденсации на состав пленок многокомпонентных систем на основе хромоникелевых сплавов (рисунок 6). Показано, что соотношение парциальных давлений компонентов, входящих в состав исходной загрузки, является доминирующим фактором при формировании состава пленки.

Состав многокомпонентных пленок в зависимости от режимов синтеза рассчитывался с учетом коэффициентов активности атомов компонентов, определенных из экспериментальных данных. Коэффициент активности никеля и хрома меньше единицы, что соответствует отрицательному отклонению от закона Рауля.

12 14 16 18 20 22 24 26 28 д^

• — эксперимент; — расчет

Рисунок 5 — Зависимость энергии адсорбции атомов для многокомпонентных систем при Т„сп =1430 К от их порядкового номера

тт, к

• - эксперимент; — расчет

Рисунок 6 - Зависимость содержания хрома в пленках №хСг1_г от температур испарения исходной загрузки и подложки

Установлены зависимости скорости конденсации пленок от технологических режимов. Так как условия формирования пленки отличаются от равновесных, то в расчете скорости конденсации при использовании уравнения Герца - Кнудсена учитываются фактор неравновесности и температурная зависимость коэффициента конденсации, определяемая из энергии адсорбции атомов пленки. В области низких температур испарения исходной загрузки скорость конденсации пленки определяется в основном плотностью потока атомов хрома. Как следствие этого, пленки максимально обогащены хромом. По мере увеличения температуры испарения исходной загрузки вклад скорости испарения атомов хрома в скорость конденсации пленки уменьшается, а значит, содержание хрома в пленках падает. При температуре испарения исходной загрузки, равной 1582 К, вклад скоростей испарения хрома и никеля одинаков.

Энергия адгезии пленок , полученных при различных технологических режимах, к поверхности подложки определяется с использованием модели формирования пленок многокомпонентных систем:

где Eadl,Ead2,...,EadJ\ щ,пг,...,пj - соответственно энергии адсорбции

и концентрации атомов первого, второго, j-го сортов, входящих в состав пленки и приходящихся на единицу площади поверхности пленки. Для численного решения данного уравнения рассчитаны концентрации атомов разного сорта, приходящихся на заданную площадь поверхности пленки, и функции /, и /2, учитывающие размеры атомов разного сорта, межатомное расстояние и коэффициент компактности. Наибольшее значение энергии адгезии достигается в области высоких пересыщений газовой фазы. Так, например, для температур испарения исходной загрузки 1600-1650 К и подложки

около 400 К значение достигает 2,6-10"4 Дж/м2. Анализ рассчитанных E"d рас и полученных экспериментальным путем E"d экс значений энергии адгезии пленок, сформированных при различных условиях синтеза, показал их хорошее совпадение для вакуумного зазора /= 1,5-10-11 - 6,0-10_| 1 м.

Разработаны алгоритмы расчета свойств, основных параметров роста пленок и пакет программ в среде Delphi 7 и Mathcad.

Четвертая глава посвящена развитию основ технологии управления свойствами многокомпонентных диэлектрических систем на базе сегнетоэлектрических твердых растворов цирконата-титаната свинца.

Приведена модель контролируемого изменения электропроводности многокомпонентных систем за счет варьирования состава и режимов синтеза, в рамках которой электропроводность твердых растворов PbTibj.Zrt03B зависимости от их состава при действии электрического поля постоянной напряженности определяется как

о = а0 • ехр(ам • х), (2)

где а0 = 4,3-10"14 (Ом-м)-1 - электропроводность при х, стремящемся к

нулю; ам = 13 - коэффициент, характеризующий свойства материала.

. Зависимость электропроводности от состава связана с процессами замещения титана цирконием (и наоборот), которые протекают при синтезе твердых растворов при соответствующих режимах.

Если технологические режимы синтеза вызывают заполнение вакансии в подрешетке титана ионами циркония, то происходит обогащение твердого раствора цирконием и, как следствие этого,

уменьшение электропроводности. В противном случае увеличиваются значения х и электропроводность. Изменение состава твердого раствора выражается через параметры реакций замещения.

Впервые обоснован способ управления электрофизическими свойствами твердых растворов РЬТ1,_Л2г^03 различного состава посредством дозированного облучения рентгеновскими лучами, которое вызывает изменение числа, размеров доменов, образование дефектов в структуре материала. Происходит изменение внутреннего электрического поля, обусловливающего ток сквозной проводимости твердых растворов.

Анализ экспериментальных данных позволил системно оценить влияние однократного рентгеновского излучения с различной поглощенной дозой В на свойства твердых растворов РЬИ^^г^Оз состава от 0,40 до 0,60. Установлено существование трех характерных областей зависимости а = /(Л). Под действием однократного рентгеновского облучения диапазон изменения значений электропроводности твердых растворов снижается в три - семь раз в зависимости от поглощенной дозы излучения.

Установлены качественные и количественные закономерности в виде цепочки: состав - действие рентгеновского излучения -свойства (рисунок 7). Так, например, для электропроводности эта цепочка записывается в виде

-¡^ В >10", рад

• -эксперимент; — расчет

Рисунок 7 - Зависимость электропроводности РЬТ1, гХгх03 от состава и величины поглощенной дозы облучения

а(х, П) = 9,92 • 10"31 ехр(133,52х)П

10,41-0,82*

ехр(-

0,85-2,83* кТ

), (3)

где А: - постоянная Больцмана; Г-температура.

Для морфотропной границы уравнение электропроводности имеет вид

а(Т, £>) = 9,92-10"31 ехр

9,23-103 ехр(-

-4,58-10 кТ

-20

0,41-

56,62ехр(-

-4,5&10~'

кТ

— 4 SR • 1 ft-20 0,85+ 195,58 exp( ' )

kT

x exp(-

kT

A).

(4)

На основе установленных закономерностей произведено аналитическое и численное моделирование методом Монте-Карло свойств твердых растворов с различными значениями х в зависимости от величины поглощенной дозы при однократном рентгеновском облучении в интервале от 5-107 до 5-109 рад. Программное обеспечение разработано в среде программирования Delphi 7.

Обобщены результаты влияния многократного облучения рентгеновскими лучами с суммарной поглощенной дозой Dz на свойства твердых растворов PbTi1_JZrJC03 и на основе этого определены закономерности управления свойствами многокомпонентных сегнето-электриков с учетом условий синтеза и действия многократного рентгеновского излучения. Электропроводность твердых растворов Oj. закономерно увеличивается с ростом суммарной поглощенной дозы £>£ по закону

где А^ - коэффициент, равный (3-10 ,3-8-10 13) (Ом-м)"' - рад 0,23.

Проведенное сравнение экспериментальных и теоретических значений указывает на возможность прогнозирования электропроводности РЬТ^^г^Оз в зависимости от суммарной поглощенной дозы излучения.

Установлено, что с течением времени электропроводность многократно облученных твердых растворов РЬТ1Ьх2гл03 уменьшается по экспоненциальному закону, который характеризуется временем релаксации процесса, равным 300-420 суток, и стремится к значению электропроводности твердых растворов после первого облучения.

Исследованы диэлектрические характеристики е, и их температурные зависимости для необлученных и облученных твердых растворов РЬТ1 х_^ххОг в температурном диапазоне от 77 до 683 К, включая точку Кюри. Облучали твердые растворы как однократно, так и многократно. Показано изменение диэлектрических свойств

0.23

(5)

■z^z

сегнетоэлектриков при облучении, что связано с влиянием дефектов на движение доменных и межфазных границ. Облучение приводит к увеличению времени переполяризации.

В пятой главе рассматривается технология изготовления пленочных резисторов на основе многокомпонентных проводниковых систем с управляемыми и стабильными во времени параметрами с использованием физико-химических закономерностей, приведенных в третьей главе.

Разработаны, применены методики формирования резистивных пленок на основе хромоникелевых сплавов различного состава и стабилизации выходных параметров за счет условий синтеза, введения защитного слоя, отжига и облучения рентгеновскими лучами.

Установлены физико-технологические закономерности управления как выходными параметрами пленочных резисторов, , так и „ их временной стабильностью, включающие теоретические и аналитические модели, взаимосвязанные друг с другом.

Результаты исследования показали, что сопротивление пленочных резисторов R растет в зависимости от времени эксплуатации t, причем R = f(t) имеет две характерные области. Деградация сопротивления пленочных резисторов вызвана процессами окисления пленки, протекающими в два этапа. Уравнение изменения сопротивления во времени пленочных резисторов, синтезированных из исходной загрузки NixCr,_x составах = 0,8, имеет вид

Wncn '^п'^нап'') ~

с^к (Тисп' Тп Хшп

! Л&пхс т(Тнсп,Тп) ^

(ТЖП7ТП)

ели

V '

где р№, рСг - соответственно удельное сопротивление никеля и хрома; с,Ь - соответственно ширина и длина пленочного резистора. Толщина пленок определяется условиями синтеза и задается в виде произведения VK(T„cn,Tn)tmn; Аак = 1,1-10б (Ом/м.д.7); Ат = = 38880 (с-м.д.1'3).

Количественно временная стабильность сопротивления пленочного резистора оценивается коэффициентом старения сопротивления Ка. Оптимальными режимами получения пленочных резисторов для достижения минимальных значений коэффициента старения сопротивления (от 0,003 до 0,004 %/сутки) являются температуры испарения исходной загрузки и подложки, соответственно равные 1600 и 560 К (рисунок 8). Приведено описание физико-математической модели

Рисунок 8 - Влияние технологических резисторов с защитным слоем режимов синтеза на Кст пленочных хорошо описываются уравнени-резисторов, рассчитанный на 1000 суток ем (6). Совпадение эксперимен-

разработанной модели и ее универсальность: она справедлива для пленочных резисторов с различными исходными данными. Коэффициент старения сопротивления пленочных резисторов с защитным слоем на 50 % меньше по сравнению с Кст пленочных резисторов без него.

Разработаны методика и модель стабилизации сопротивления пленочных резисторов во времени за счет отжига в воздушной среде при температурах от 350 до 550 К. Показано, что термообработка, с одной стороны, приводит к отжигу дефектов, что снижает сопротивление пленок, а с другой стороны, вызывает окисление компонентов пленки, приводящее к росту их сопротивления. Сопротивление пленочных резисторов, подвергшихся отжигу, в процессе эксплуатации хорошо описывается системой уравнений: до отжига - (6), а после -выражением вида

стабилизации сопротивления пленочных резисторов во времени за счет введения в конструкцию резистора защитного слоя из БЮ2 или ВаР2 толщиной от 0,1 до 0,8 мкм, наносимого после формирования электрических

боог» к контактов. Экспериментальные зависимости R=f(t) пленочных

эксплуатации

тальных и рассчитанных значений указывает на правомерность

^отж ^'отж ) |/^кон

(ГНСП,ГП) + Кт ехр(яг + 6ГГ0ТЖ)]+

Л Оы>,ХСг (^исп Д'п^, ехр

__-^^й/^СгУ исп» п/х отж

ЛО^Сг' (7'„сп> )^отж

V

где ЛК0И, Лотж - сопротивление пленочного резистора до и после отжига соответственно; = 23,5 Ом/(м.д.7 -К); Т01Ж - температура отжига, = 36,3 (с-м.дЛ^К4), Кт = 1 Ом; ат = -18,6; Ът = = 0,04 К-1. Временная стабильность сопротивления пленочных резисторов существенно зависит от режимов синтеза и термообработки (рисунок 9). После отжига значения коэффициента старения сопротивления уменьшаются в 103—1,5-104 раз, причем наилучшие результаты достигаются при использовании температур отжига, близких к 600 К.

Представлена методика временной стабилизации сопротивления за счет облучения рентгеновскими лучами пленочных резисторов с поглощенной дозой облучения /) = МО7- 2-10й Дж/кг. Сопротивление пленочного резистора описывается системой уравнений: до облучения - (6), а после облучения рентгеновскими лучами — выражением

Яобл (^ксп > 7*1,»А 0 = {Якон (Гисп, Гп) + {ехр(ас1) ехр[^ 1п(£>)]}} +

V 1

где АВ^ = 4-Ю6 (Ом •кг0да)/(м.д.10-Дж0'083); 1 Ом; аа =-4,0...-6,3;

Ъл = (0,14-0,40); АРХ - 5,2-107 (с-кг°'083/м.д.3 -Дж0'083).

Облучение рентгеновскими лучами приводит к стабилизации выходных параметров пленочных резисторов; так, коэффициент старения сопротивления облученных образцов в 15-100 раз меньше, чем у необлученных. Наилучшие результаты достигаются при использова-

нии высоких температур испарения исходной загрузки. Так, напри-

мер, для Т1КП = 1600 К КС1 = (4-6)-10'5 %/сутки (рисунок 10).

Рисунок 9 - Зависимость Кст от Рисунок 10 - Зависимость К„ от темпера-температур испарения исходной туры испарения исходной загрузки и загрузки и отжига при Тп = 515 К поглощенной дозы облучения при Т„ = 550 К

В шестой главе описана технология управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых систем и приведены результаты исследования выходных параметров фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов сульфид-селенид свинца различного состава.

Технология изготовления фотоэлектрических преобразователей с применением соединения А4 В6 позволяет синтезировать как отдельные пленки для барьеров Шотгки, так и р-и-переходы с заранее заданными концентрациями носителей заряда в р- и «-областях необходимой толщины в едином технологическом цикле.

Установлены закономерности между электрофизическими свойствами эпитаксиальных пленок, на базе которых сформированы фотоэлектрические преобразователи, и их выходными характеристиками. На этой основе найдены режимы синтеза, обеспечивающие высокие выходные параметры фотоэлектрических преобразователей.

Впервые предложен способ получения />-и-гомопереходов на диэлектрических подложках с использованием эпитаксиальных пленок PbS, PbS с высокими выходными характеристиками, сравнимыми с ведущими российскими и зарубежными производителями.

Исследованы параметры />-и-гомопереходов и барьеров Шоттки, сформированных по нескольким вариантам топологических схем, предложенных в работе, для выявления оптимальных выходных параметров. Разработанная технология фотоэлектрических преобразо-

вателей позволяет получать многоэлементные матрицы фоточувствительных структур на основе /т-и-гомопереходов и барьеров Шоттки.

Произведено моделирование свойств барьеров Шоттки на основе контакта In - р - PbS . Показана инверсия типа электропроводности полупроводника в приконтактной области.

Описаны результаты исследования механизмов токопрохождения через /wz-гомопереходы и барьеры Шоттки в диапазоне температур от 90 до 300 К на основе анализа температурных зависимостей дифференциального сопротивления при нулевом смещении , прямого и обратного токов. Для лучших /?-я-гомопереходов на основе эпитак-сиальных слоев PbS и PbS,_^Se ^ дифференциальное сопротивление

при нулевом смещении равнялось 1,5-104—2,5-104 Ом при температуре измерения 95 К. При больших прямых токах через /т-и-переход характер вольт-амперных характеристик определяется последовательным сопротивлением Rs, которое для PbS и PbS^Se^ при температурах 95, 180, 250 К соответственно составляет 0,3-0,8 Ом, 1,3-1,5 Ом, 1,4-1,7 Ом.

Для фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки для температур измерения, больших 155 К, механизм токопрохождения связан с диффузионным током.

Установлено, что для рабочих температур фотоэлектрических преобразователей и концентраций примесных атомов, используемых для изготовления приборов, токопрохождение через потенциальный барьер обусловлено термополевой эмиссией. Определены условия максимального снижения высоты потенциального барьера Шоттки (рисунок 11).

Вольт-амперные характеристики барьеров Шоттки представлены уравнением в рамках диодной теории, учитывающим зависимость высоты барьера Шоттки от электрического поля из-за наличия промежуточного слоя и зависимость членов уравнения от температуры:

Рисунок 11 - Снижение высоты барьеров Шоттки в зависимости от температуры и концентрации примесных атомов

/>гч 28Ак{Т){итЩ^в{Т)-а{Т)Ет{Т)+и0,р -ЕР{Т)^дЕю{Т) 1о6рЦ)- . -х

..-..-[ д{щ(Т)-а(Т)Ет(Г)) д%в(Т)~а(Т)ЕпХфи^-ЕР(Г)^Т)} д

" кТ 3 {кТ? у

где Я - площадь структуры; Ет(Т)~ напряжённость электрического поля в барьере Шоттки; Ап(Т) - квазипостоянная Ричардсона; а(Т) - параметр, характеризующий толщину промежуточного слоя. Параметр а = 1-10 нм соответствовал максимальному совпадению экспериментальных результатов и данных модели.

Прямые ветви вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки описываются с учетом коэффициента неидеальности ун и последовательного сопротивления, равного 0,5-0,9 Ом, для температур измерения от 95 до 300 К. Величина дифференциального сопротивлб-ния при нулевом смещении для лучших барьеров Шоттки соответствовала 5-104-10 104 Ом при Т = 95 К.

Определена зависимость коэффициента неидеальности от температуры и приложенного напряжения.

Исследования вольт-фарадных характеристик /?-и-гомопереходов показали существование резкого /т-л-перехода, что подтверждает предположение о возможности получения его в едином технологическом цикле, сделанного на основе расчётов диффузии электрически активных собственных дефектов.

Максимум фоточувствительности /т-«-гомопереходов на основе РЬБ соответствовал длинам волн X = 3,7-3,8 мкм, а на основе 9з$ео,о7 ~ 3,85—3,95 мкм. Для фотоэлектрических преобразователей на основе /7-я-гомопереходов спектральная чувствительность составляла

(45-50)-103 В/Вт при квантовой эффективности,

равной 25-35 %.

Значения обнаружительной способности В* фотоэлектрических преобразователей на основе /т-л-гомопереходов находились в диапазоне (0,7-1,4)-10й см-Гц,/2-Вт~' при Т= 95 К, что сравнимо с лучшими мировыми данными.

Максимум спектральной фоточувствительности барьеров Шотгки смещается в сторону более длинных волн с увеличением состава эпитак-сиальных слоев по х, что связано с зависимостью ширины запрещённой зоны от состава пол (рисунок 12).

Вольт-ваттная чувствительность лучших фотоэлектрических преобразователей на основе диодов Шоттки составляла (50-60)-103 В/Вт, а квантовая эффективность находилась на уровне 20-40 % при Т= 90 К. Величина обнаружительной способности D* соответствует (8,5-1010 -- 2,3-1011) см-Гц'^-Вт"1, что отвечает лучшим известным значениям выходных параметров фотоэлектрических преобразователей.

Рассчитанное значение постоянной времени фотоэлектрических преобразователей на основе диодов Шоттки - (0,4^1,5)-10"5 с.

Седьмая глава посвящена методикам неавтоматизированных и автоматизированных исследований свойств многокомпонентных материалов и выходных параметров гетерогенных систем.

Фазовый состав и состав по х многокомпонентных систем определялся на промышленной установке ДРОН с использованием стандартной методики. Рентгеновские рефлексы эпитаксиальных пленок PbS и PbS^Se^ отвечают кристаллографической ориентации подложек. Структурное совершенство эпитаксиальных пленок оценивалось по полуширине линии рефлекса (444) PbS и (444) PbS^Se^. Период идентичности эпитаксиальных пленок вычислялся по точному положению линии рефлекса от плоскости (444).

Для исследования качественного и количественного состава многокомпонентных систем применялись электронно-зондовый микроанализатор "SuperProbe" японской фирмы Jeol и флуоресцентный рентгеновский анализатор ФРА-20Р производства «.Carl Zeiss Jena».

Л)

1

•

1 - РЬ8; 2 - PbS0.93Se0.07; 3 - РЬ50,65е0,4

Рисунок 12 - Спектральное распределение фотоответа, приведённое к равному числу падающих квантов, для барьеров Шоттки при 7= 90 К

Диапазон исследуемых элементов для микроанализатора варьируется от Ве до и, а для ФРА-20Р - от № до Бш. Разработана методика анализа химического состава пленок на ФРА-20Р, обеспечивающая погрешность определения концентрации элементов с гпор >11,

равную 0,2-0,8 %.

Для исследования влияния рентгеновского излучения на электрофизические свойства твердых растворов РЬТ],„х2г^03 и многокомпонентных проводниковых систем проводилось облучение образцов на установке рентгеновского флуоресцентного анализа ФРА-20Р с использованием жесткого рентгеновского излучения от трубки с вольфрамовым анодом.

Электрофизические свойства многокомпонентных полупроводниковых систем анализировались путем исследования эффекта Холла и измерения коэффициента термоЭДС методом «горячего зонда». Для исключения влияния на результаты измерений побочных термо- и гальваномагнитных эффектов использовалась методика четырех измерений. Относительная погрешность определения коэффициента Холла и подвижности носителей заряда не превышала 5 % и 11 % соответственно.

Электропроводность твердых растворов РЬТ1,_х2г;сОз измерялась при постоянном напряжении и контролировалась по значению тока сквозной проводимости.

Исследование вольт-амперных характеристик р-«-гомопереходов и барьеров Шоттки осуществлялось на постоянном токе в диапазоне температур от 95 до 300 К. Погрешность измерения тока и напряжения при исследовании вольт-амперных характеристик />-и-гомопере-ходов и барьеров Шоттки составляла 5 %.

Вольт-фарадные характеристики измерялись в парах жидкого азота на фиксированной частоте 1 МГц. Погрешность измерения емкости составляла 0,1 пФ.

Исследования оптических параметров фотоэлектрических преобразователей осуществлялись на основе измерения фотоответа в спектральном и интегральном режимах при Т= 90 К инфракрасным спектрографом ИКС-14 А.

Исследование свойств гетерогенных систем выполнено по автоматизированным методам, реализуемым на специализированном

оборудовании, разработанном и изготовленном в Центре АЛП УД при кафедре микроэлектроники ГОУ ВПО «Пензенский государственный университет». Стенды на основе современных информационных технологий позволяют в автоматизированном режиме исследовать температурные, частотные и полевые зависимости основных электрофизических свойств многокомпонентных систем и параметров приборов на их основе. Применение автоматизированного режима во время эксперимента обеспечивает исследование динамических процессов с многоканальными измерениями.

Каждый автоматизированный лабораторный стенд включает: специализированный измерительный блок; ПК; сетевую карту; программируемую плату интерфейса для подключения измерительного оборудования; программное обеспечение для проведения исследований и тестирования измерительного блока; методическое обеспечение.

Программное обеспечение стендов разработано для операционной системы Windows. Оно включает совокупность программ драйверов управления стандартными и специально разработанными средствами обмена информацией между узлами автоматизированного лабораторного стенда, поддерживающими протоколы сетевого обмена TCP/IP; программное обеспечение сервера; программное обеспечение рабочих мест пользователей.

Автоматизированный лабораторный стенд для исследования проводящих свойств многокомпонентных систем измеряет удельное сопротивление, электропроводность и их зависимость от температуры, осуществляет обработку полученных результатов.

Автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств многокомпонентных полупроводниковых систем методом эффекта Холла позволяет измерять температурные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда в диапазоне 293 - 373 К при индукции магнитного поля до 0,2 Тл.

Автоматизированный лабораторный стенд для исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем служит для измерения тока от приложенного напряжения в диапазоне от -100 до+10 В при температурах от 293 до 373 К.

Автоматизированный лабораторный стенд для исследования параметров гетерогенных систем методом вольт-фарадных характеристик обеспечивает диапазон измерения емкости от 1 до 1 ООО пФ на частоте 1 МГц при варьировании напряжения смещения от -10 до +10 В.

Использование многофункционального оборудования зарубежного и отечественного производства в сочетании с оригинальными методиками, реализованными на автоматизированных лабораторных стендах, позволило осуществить комплексные исследования свойств многокомпонентных материалов и выходных параметров гетерогенных систем.

В приложении приводятся акты об использовании результатов диссертационной работы, программы расчета и моделирования свойств различных многокомпонентных систем.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработана методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов и систематизированы экспериментальные результаты на основе комплексных исследований свойств, кинетики испарения и конденсации многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем, полученных при различных условиях конденсации и действии дестабилизирующих факторов.

2. Разработан метод конденсации многокомпонентных полупроводниковых систем на основе А4В6, осажденных на диэлектрических подложках из ВаР2, для квазиравновесного метода получения. Определены условия эпитаксии и изготовлены эпитаксиальные пленки сульфида свинца и твердых растворов РЬБ^^е^ состава по х от О до 1 высокого структурного совершенства со свойствами, близкими к свойствам монокристаллов. Впервые показано, что из исходной загрузки состава х = 0 можно получать эпитаксиальные пленки РЬБ^Бе^ с управляемыми свойствами и составом.

3. Разработан метод получения и изготовлены многокомпонентные хромоникелевые материалы с управляемыми свойствами за счет выбора условий конденсации, облучения рентгеновскими лучами и отжига. Определены основные параметры, характеризующие процесс формирования пленок многокомпонентных проводниковых систем на начальных стадиях роста, а также установлена их взаимосвязь с температурами испарения исходной загрузки, подложки, с порядковым номером элемента в периодической таблице Д. И. Менделеева и температурой кипения.

4. Разработана и применена методика управления свойствами многокомпонентных диэлектрических систем различного состава с помощью условий конденсации и при действии рентгеновских лучей. Установлено различное действие однократного и многократного рентгеновского облучения на электропроводность твердых растворов РЬТл^^г^Оз. Однократное облучение приводит к уменьшению разброса электрических параметров сегнетоэлектриков, что подтверждается сокращением диапазона изменения значений электропроводности твердых растворов РЬТц^г^Оз в 3-7 раз в зависимости от величины поглощенной дозы облучения. При многократном облучении величина электропроводности сегнетоэлектриков закономерно увеличивается с ростом суммарной поглощенной дозы для твердых растворов РЬТц. ^г^Оз.

5. Разработаны алгоритмы расчета и произведено моделирование процессов формирования пленок многокомпонентных систем и их электрофизических и механических свойств в зависимости от технологических режимов синтеза и действия внешних дестабилизирующих факторов. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими указывает на корректность алгоритмов расчета и моделирования.

6. Разработаны физико-химические закономерности управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем для различных условий конденсации на основе исследования кинетики процессов испарения и конденсации; построены диаграммы твердая фаза - газовая фаза, условия конденсации - состав - свойства. Показана применимость термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям получения многокомпонентных систем.

7. С учетом физико-химических закономерностей управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых систем разработана технология и изготовлены многоэлементные матрицы фотоэлектрических преобразователей с использованием /ь-и-гомопереходов и барьеров Шоттки с близкими к мировым выходными параметрами и пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными параметрами. Установлены закономерности между электрофизически-

ми свойствами пленок, на базе которых сформированы преобразователи, и их выходными характеристиками. На этой основе найдены режимы синтеза, обеспечивающие высокие выходные параметры гетерогенных систем.

8. Доказано, что диффузия электрически активных собственных дефектов в эпитаксиальных слоях PbS, PbS1_JCSex р- и я-типа электропроводности не оказывает влияния на формирование р-п-перехода в едином технологическом цикле и позволяет использовать его в качестве фотоэлектрического преобразователя; это подтверждается теоретическими расчетами и результатами исследования вольт-фарадных характеристик.

9. Разработаны и внедрены методы временной стабилизации выходных параметров пленочных резисторов на основе хромоникеле-вых сплавов для чувствительных элементов преобразователей физических величин, снижающие коэффициент старения сопротивления на один - четыре порядка. Эффективнее стабилизация выходных параметров пленочных резисторов происходит при использовании высоких температур испарения исходной загрузки и дозированного действия внешних факторов, включая отжиг и облучение.

10. Результаты теоретических и экспериментальных исследований использованы в производстве при изготовлении многокомпонентных систем и преобразователей физических величин на их основе с высокостабильными параметрами, а также в учебном процессе и научных исследованиях 12 организаций и вузов.

Таким образом, в результате выполнения диссертационной рабо-. ты решена важная научно-техническая проблема: развиты основы технологии гетерогенных систем с заданными выходными параметрами на основе общих физико-химических закономерностей синтеза различных многокомпонентных систем с управляемыми и стабильными во времени свойствами, обеспечивающие повышение эффективности технологии приборостроения и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ Статьи в журналах, рекомендованных ВАК

1. Аверин, И.А. Исследование свойств полупроводников методом катодолюминесценции / И.А. Аверин, А.В. Белов, P.M. Печерская //

Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки. - 2002. - № 1. - С. 144-149.

2. Аверин, И.А. Информационные технологии при многоуровневой подготовке специалистов / И.А. Аверин, В.А. Мещеряков, P.M. Печер-ская II Педагогическая информатика. - 2005. - № 2. - С. 19-27.

3. Аверин, И.А. Управление свойствами твердых растворов PbTiI_jrZr^03 посредством внешних воздействий / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48. - № 6. -С. 1096-1098.

4. Аверин, И.А. Кинетика процессов самодиффузии в структурах на основе твердых растворов сульфид свинца - селенид свинца / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки.-2006.-№5.-С. 178-183.

5. Аверин, И.А. Управление составом многокомпонентных систем / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки. - 2006. - № 5. - С. 184-190.

6. Аверин, И.А. Исследование электрических характеристик барьеров Шоттки на основе эпитаксиальных слоев сульфид свинца - селенид свинца / И.А. Аверин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Технические науки. - 2006. - № 6. - С. 5-11.

7. Аверин, И.А. Стабилизация характеристик пленочных резисторов на основе хромоникелевых соединений / И.А. Аверин, P.M. Печерская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Технические науки. - 2006. - № 6. - С. 12-19.

8. Аверин, И.А. Контролируемое изменение эксплуатационных характеристик чувствительных элементов и их временной стабильности / И.А. Аверин, P.M. Печерская // Нано- и микросистемная техника. - 2007. - № 1.-С. 20-23.

Монография и учебное пособие

9. Аверин, И.А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография / И.А. Аверин. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006. - 316 с.

10. Аверин, И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца: учеб. пособие / И.А. Аверин. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 1999. - 63 с.

Публикации в других изданиях

11. Аверин, И.А. Исследование инверсии типа электропроводности в эпитаксиальных слоях сульфида свинца квазихимическим методом / И.А. Аверин, О. Ф. Луцкая, Д.А. Ясъков II Электронная техника. Сер. Материалы. - 1984. - Вып. 11(196). - С. 34-37.

12. Особенности синтеза слоев твердых растворов на основе сульфида свинца / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая, C.JI. Ми-лославов, М.А. Николова II Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. - Л.: ЛЭТИ,

1984.-Вып. 338.-С. 75-79.

13. Исследование электрофизических свойств эпитаксиальных слоев сульфида свинца в зависимости от условий получения / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая, С.Л. Милославов, Д.А. Ясъков И Электронная техника. Сер. Материалы. -1985. - Вып. 1(200). - С. 64-65.

14. Исследование структур с выпрямляющим контактом между индием и эпитаксиальным слоем сульфида свинца / И.А. Аверин, О.Ф. Луцкая, С.Л. Милославов, Л.К. Чиркин, ДА. Ясъков, C.B. Гладкий // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. -

1985.-Вып. 2(175).-С. 31-38.

15. Аверин, И.А. Применение квазихимического подхода к условиям метода «горячей стенки» при получении слоев твердых растворов / И.А. Аверин, О.Ф. Луцкая II Электронная техника. Сер. Материалы. - 1986. - Вып. 10. - С. 45-49.

16. Аверин, И.А. Исследование свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов на основе сульфида свинца / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая // Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. - Л.: ЛЭТИ, 1986. - Вып. 365. - С. 47-51.

17. Аверин, И.А. Термодинамическое исследование условий синтеза слоев твердых растворов PbS,_^Ser / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1988. - Т. 24. - № 2. - С. 219-222.

18. Влияние дестабилизирующих факторов на электропроводность сегнетокерамики / И.А. Аверин, P.M. Печерская, В.В. Коршунов, С.Е. Телъпов II Электронная техника. Сер. Материалы. - 1988. -Вып. 3(289).-С. 17-18.

19. Релаксационные процессы в сегнетокерамике на основе цир-коната-титаната свинца / И.А. Аверин, P.M. Печерская, С.Е. Телъпов, Н.И. Перфильева II Производственно-технический сборник: Технический прогресс в отраслевой промышленности. Сер. Организация

производства и прогрессивная технология в приборостроении. -1989.-Вып. 12(227).-С. 19-21.

20. Averin, I.A. Degradation processes in PZT ferroelectric ceramics International symposium / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya И Domain structure of ferroelectric and related materials. - Volgograd, 1989. - P. 114.

21. Averin, LA. Properties of irradiated ferroelectric ceramics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Electronic ceramics - production and properties: Proceedings of the International conference. - Riga, 1990. - P. 46.

22. Изготовление диэлектрических, полупроводниковых и проводниковых структур, контроль качественного и количественного состава с высокой точностью на ФРА-20Р и управление электрофизическими свойствами материалов микроэлектроники / И.А. Аверин, P.M. Печерская, А.И. Ворожбитов, В.Е. Глухое, С.П. Медведев II Производственно-технический сборник: Технический прогресс в атомной промышленности. Сер. Организация производства и прогрессивная технология в приборостроении. - 1990. - Вып. 7-8. - С. 15-19.

23. Аверин, И.А. Автоматизированная система для исследования сегнетоэлектриков на базе ДВК, предназначенная для исследования влияния температуры на диэлектрические свойства любых материалов / И.А. Аверин, P.M. Печерская, С.П. Медведев И Производственно-технический сборник: Технический прогресс в атомной промышленности. Сер. Организация производства и прогрессивная технология в приборостроении, - 1990.-Вып. 7-8.-С. 15-18.

24. Аверин, И.А. Автоматизированная система на базе ДВК / И.А. Аверин, P.M. Печерская, С.П. Медведев // Производственно-технический сборник: Технический прогресс в атомной промышленности. Сер. Организация производства и прогрессивная технология в приборостроении. - 1991. - Вып. 8. - С. 30.

25. Аверин, И.А. Контролируемое управление электропроводностью керамики ЦТС / И.А. Аверин, P.M. Печерская И XIII Всесоюз. конф. по физике сегнетоэлектриков: тез. докл., Тверь, 15-19 сентября 1992 г. - Тверь, 1992. - С. 128.

26. Averin, I.A. External factors effect upon ferroelectric ceramics properties / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya, A.N. Golovyashkin II Six International Seminar on ferroelectric physics. - Voronezh, 1994. - P. 103.

27. Averin, I.A. Complex investigation of ferroelectric ceramics properties / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya, V.F. Titles // International Seminar on relaxor ferroelectrics. - Dubna, 1996. - P. 35.

28. Аверин, И.А. Исследование влияния рентгеновского излучения на стабилизацию свойств тонкопленочных резисторов / И.А. Аверин,

A.Н. Головяшкин, P.M. Печерская // Элементы и приборы систем измерения и управления автоматизированных производств. - Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1997. - Вып. 3. - С. 66-69.

29. Аверин, И.А. Получение и исследование свойств пленочных резисторов со стабильными электрическими характеристиками / И.А. Аверин // Надежность и качество тр. Междунар. симп., Пенза, 21-31 мая 2001 г.-Пенза, 2001.-С. 346-348.

30. Аверин, И.А. Исследование процессов дефектообразования в полупроводниковых материалах и структурах на основе соединений АЪВ и АаВ6 / И.А. Аверин, А.В. Белое, P.M. Печерская II Электроника и информатика-2002: тез. докл. IV Междунар. науч.-техн. конф., Москва, 19-21 ноября 2002 г. - М., 2002. - С. 168.

31. Averin, I.A. Peculiarities of the dynamic measurements of ferro-electrics characteristics / LA. Averin, R.M. Petcherskaya, V.F. Tilles И 7-th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on ferroelectricity: Book of abstracts. - St. Peterburg, 2002. - P. 139.

32. Аверин, И.А. Исследование свойств резистивных пленок, обработанных рентгеновскими лучами / И.А. Аверин, P.M. Печерская,

B.В. Пряничникова I/ Тонкие пленки и слоистые структуры. Пленки-2002: сб. материалов Междунар. науч.-техн. конф., Москва, 26 - 30 ноября 2002 г.-М., 2002.-С. 100-101.

33. Аверин, И.А. Моделирование процессов формирования пленок многокомпонентных систем / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Межфазная релаксация в полиматериалах. Полиматериалы-2003: сб. материалов Междунар. науч.-техн. конф., Москва, 26 - 30 ноября 2003 г. -М., 2003.-С. 121.

34. Averin, I.A. Electro-physical characteristics of PZT irradiated ferroelectric ceramics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya I I 10-th European Ferroelectricity Conference. - Cambridge, UK, 2003. - P. 65.

35. Аверин, И.А. Чувствительный элемент твёрдотельного преобразователя информации в тонкоплёночном исполнении / И.А. Аверин, P.M. Печерская И Перспективные технологии в средствах передачи информации: материалы V Междунар. науч.-техн. конф., Владимир, 1-4 июля2003 г.-Владимир, 2003.-С. 171.

36. Аверин, И.А. Материалы для чувствительных элементов преобразователей физических величин / И.А. Аверин, P.M. Печерская Н Проблемы автоматизации и управления в технических системах: тр. Междунар. науч.-техн. конф., Пенза, 12 - 14 мая 2004 г. - Пенза, 2004.-С. 137-139.

37. Аверин, И.А. Электрофизические и структурные свойства пленок на основе соединений АаВ6 / И.А. Аверин, Р.М Печерская // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: тез. докл. IV Междунар. конф., Кисловодск, 19-24 сентября 2004 г. -Кисловодск, 2004. - С. 24.

38. Аверин, И.А. Управление качеством резистивных пленочных структур на стадии роста / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 24-31 мая 2004 г. -Пенза, 2004.-С. 315-317.

39. Аверин, И.А. Оптоэлектронные приборы на основе соединений А*В6 / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: тр. VI Междунар. конф., Сочи, 4-8 октября 2004 г. - Ульяновск, 2004. - С. 203-204.

40. Аверин, И.А. Управление свойствами сегнетокерамики ЦТС с различным составом / И.А. Аверин, P.M. Печерская // XVII Всерос. конф. по физике сегнетоэлектриков: тр., Пенза, 26 июня - 1 июля 2005 г. - Пенза, 2005. - С. 215.

41. Аверин, НА. Научно-исследовательский комплекс для фундаментальных физико-химических исследований свойств микро-, нано-магериалов и гетероструктур на их основе / И.А. Аверин, P.M. Печерская // Университетское образование: сб. статей IX Междунар. науч.-метод. конф., Пенза, 14 — 15 апреля 2005 г. - Пенза, 2005. - С. 52-53.

42. Автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств полупроводниковых приборов на их основе методом вольт-фарадных характеристик / И.А. Аверин, P.M. Печерская, С.П. Медведев, О.В. Карпанин, A.M. Металъников, C.B. Мурашкин, В.А. Соловьев, Е.С. Соловьева // Свидетельство об отраслевой регистрации разработки от 08.04.2005. 4587.

43. А.с. 1445278 СССР, МКИ4 С 30 В 23/02, 29/46. Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов / И.А. Аверин, О.Ф. Луцкая. - № 4249794; заявл. 26.05.87; опубл. 15.08.87. Бюл. № 46.

44. А.с. 1455947 СССР, МКИ4 H 01 L 21/363. Способ получения диодных полупроводниковых структур на основе соединений А^Вт / Аверин И.А., Луикая О.Ф. - № 4271223; заявл. 29.06.87; опубл. 01.10.88; Бюл. №4.

45. Пат. 2043316 РФ, МКИ6 С 04 В 35/491. Способ управления электрофизическими параметрами сегнетокерамики на основе цир-коната-титаната свинца / И.А. Аверин, С.Е. Телъпов, P.M. Печерская, С.П. Медведев. -№ 4463109; заявл. 18.07.88; опубл. 10.09.95. Бюл. № 25.

Аверин Игорь Александрович

Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства

Специальности: 05.11.14 - Технология приборостроения; 01.04.10 - Физика полупроводников

Редактор Т. В. Веденеева Технический редактор Н. А. Вьялкова

Корректор Ж. А. Лубенцова Компьютерная верстка С. П. Черновой

ИД №06494 от 26.12.01 Сдано в производство 15.02.07. Формат 60x84'/16. Бумага писчая. Печать офсетная. Усл. печ. л. 2,09. Заказ № 101. Тираж 100.

Издательство Пензенского государственного университета. 440026, Пенза, Красная, 40.

Введение.

1 Методология технологии управляемого синтеза гетерогенных систем.;.

1.1 Многокомпонентные системы и их свойства.

1.2 Основные методы получения многокомпонентных систем и приборов на их основе.

1.3 Влияние облучения на свойства многокомпонентных систем.

1.4 Концепция создания гетерогенных систем с управляемыми свойствами.

Выводы.

2 Основы технологии управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А*В6.

2.1 Использование метода «горячей стенки» для получения эпитаксиальных пленок сульфида, селенида свинца и твердых растворов на их основе в квазиравновесных условиях.

2.2 Выбор условий получения эпитаксиальных йленок сульфида свинца и PbS^Se^ высокого структурного совершенства на основе кинетических исследований.

2.2.1 Кинетическая диаграмма условий конденсации пленок сульфида свинца и твердых растворов PbS^Se^ на диэлектрических подложках из фтористого бария.

2.2.2 Влияния условий получения на скорость конденсации и структурное совершенство эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца.

2.3 Зависимость электрофизических свойств многокомпонентных материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца от условий получения.

2.3.1 Зависимость концентрации носителей заряда и коэффициента термоЭДС от давления пара серы.

2.3.2 Влияние температуры подложки на значения коэффициента термоЭДС и тип электропроводности многокомпонентных полупроводниковых материалов.

2.4 Зависимость состава и электрофизических свойств многокомпонентных систем на основе эпитаксиальных пленок твердых растворов сульфид-селенид свинца от условий получения.

2.5 Физико-химические закономерности получения многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца с контролируемыми свойствами.

2.5.1 Расчет термодинамических параметров реакций образования собственных дефектов в многокомпонентных материалах на основе эпитаксиальных пленок PbS и твердых растворов PbS^Se^.

2.5.2 Расчет концентраций собственных дефектов, носителей заряда и инверсных давлений пара халькогена квазихимическим методом.

2.5.3 Термодинамический расчет условий протекания реакций замещения атомов серы атомами селена.

2.5.4 Кинетические расчеты процессов самодиффузии в полупроводниковых материалах на основе А4В6.

Выводы.

3 Управляемый синтез многокомпонентных проводниковых материалов.

3.1 Получения пленок многокомпонентных проводниковых материалов методом термического испарения в вакууме.

3.2 Процессы формирования пленок проводниковых многокомпонентных материалов.

3.3 Влияние условий конденсации пленок многокомпонентных материалов, полученных методом термического испарения в вакууме, на их состав.

3.4 Исследование скорости конденсации пленок многокомпонентных материалов.

3.5 Исследование адгезии пленок к поверхности ситалловой подложки.

3.6 Моделирование процесса формирования плёнок многокомпонентных проводниковых материалов.

Выводы.

4 Управление свойствами многокомпонентных материалов на основе сегнетоэлектрических твердых растворов цирконата-титаната свинца.;.

4.1 Влияние состава твердых растворов цирконата-титаната свинца на их электропроводность.

4.2 Влияние однократного рентгеновского излучения на электропроводность сегнетоэлектрических твердых растворов на основе цирконата-титаната свинца.

4.3 Моделирование электропроводности твердых растворов цирконата-титаната свинца.

4.4 Влияние многократного рентгеновского излучения на электропроводность твердых растворов цирконата-титаната свинца.

4.5 Влияние рентгеновского излучения на диэлектрические свойства твердых растворов цирконата-титаната свинца.

Выводы.

5 Получение пленочных резисторов на основе многокомпонентных проводниковых материалов с управляемыми и стабильными во времени параметрами.

5.1 Исследование параметров пленочных резисторов на основе хромоникелевых сплавов в процессе хранения.

5.2 Влияние защитного слоя на параметры пленочных резисторов с использованием хромоникелевых сплавов в процессе хранения.

5.3 Управление параметрами пленочных резисторов посредством отжига.

5.4 Управление параметрами пленочных резисторов за счет облучения рентгеновскими лучами.

Выводы.1.

6 Получение и выходные параметры фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца.!.

6.1 Выбор материалов омического и выпрямляющего контактов.

6.2 Получение фотоэлектрических преобразователей на основе эпитаксиальных пленок сульфида свинца и твердых растворов сульфид-селенид свинца.

6.3 Расчёт зонной диаграммы барьеров Шоттюгна основе In-/>-PbS./.

6.4 Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-П-гомопереходов и барьеров Шоттки.

6.4.1. Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов.

6.4.2 Исследование вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки.

6.5 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов и барьеров Шоттки.

6.5.1 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе р-п -гомопереходов.

6.5.2 Исследование вольт-фарадных характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе барьеров Шоттки.

6.6 Исследование фотоэлектрических характеристик р-п-гомопереходови барьеровШоттки.

6.6.1 Исследование фотоэлектрических характеристик р-п -гомопереходов.

6.6.2 Исследование фотоэлектрических характеристик барьеров Шоттки.1.

6.7 Влияние условий получения на выходные параметры фотоэлектрических преобразователей.

Выводы.

7 Методики исследования свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем.

7.1 Методика проведения рентгеновского фазового анализа.

7.2 Методика исследования качественного и количественного состава многокомпонентных систем.

7.3 Методика измерения коэффициента термоЭДС полупроводниковых многокомпонентных материалов.

7.4 Методика исследования эффекта Холла полупроводниковых многокомпонентных материалов.

7.5 Методика исследования электропроводности диэлектрических многокомпонентных материалов.'.

7.6 Методика исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем.!.

7.7 Методика исследования вольт-фарадных характеристик гетерогенных систем.:.

7.8 Методика исследование фотоэлектрических характеристик гетерогенных систем.

7.9 Аппаратное обеспечение автоматизированных исследований свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем на их основе.

7.9.1 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования проводящих свойств многокомпонентных систем.

7.9.2 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств многокомпонентных полупроводниковых материалов методом эффекта Холла.:.

7.9.3 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования вольт-амперных характеристик гетерогенных систем.

7.9.4 Автоматизированный лабораторный стенд для исследования параметров гетерогенных систем методом вольт-фарадных характеристик.

Выводы.

Основные результаты работы.

Фундаментальная задача технологии приборостроения заключается в получении материалов и приборов функциональной электроники на их основе с заданными и стабильными во времени параметрами.

Актуальность диссертации обусловлена разработкой технологии управляемого синтеза многокомпонентных систем с использованием различных материалов микро-, наноэлектроники на основе физико-химических и технологических закономерностей цепочки: режимы синтеза - состав -внешние факторы - электрофизические свойства материалов и выходные параметры приборов на их основе. t

Интенсивное развитие микро-, нанотехнологии предъявляет новые требования к расширению функциональных возможностей приборов и повышению их надежности. Реализовать это возможно при использовании многокомпонентных систем, синтезированных при различной степени неравновесности метода получения, с заранее заданными свойствами за счет выбора технологических режимов синтеза и дозированного действия внешних факторов. Многокомпонентные системы, как правило, являются соединениями переменного состава, поэтому их применение, с одной стороны, обеспечивает требуемые эксплуатационные характеристики, а с другой стороны, затрудняет создание приборов с управляемыми и стабильными параметрами. Это характерно для многокомпонентных материалов, принадлежащих к различным классам веществ. В соединениях переменного состава небольшие девиации состава фазы вызывают изменения электрофизических свойств материалов и соответственно параметров приборов на их основе. Исследованием взаимосвязи между составом и свойствами монокристаллов, выращенных в равновесных условиях, занималась голландская школа во главе с Ф. Крёгером [1]. Однако современная электроника базируется на использовании не только объемных материалах, но и пленок, конденсация которых происходит в неравновесных условиях. При этом эффекты и явления, характерные для пленок, не проявляются в объемных материалах и наоборот.

Перспективными материалами для создания приборов функциональной электроники являются многокомпонентные системы, путем изменения состава которых удается управлять электрофизическими свойствами материалов, а следовательно, параметрами приборов щ их основе. В данной работе к ним относятся следующие материалы: проводниковые (Ni^Cr,^,

Х20Н75Ю); полупроводниковые (PbS, PbSe, PbS^Se^) и диэлектрические (PbTi xxZxxOz) бинарные соединения и твердьде растворы.

Основы технологии контролируемого и управляемого синтеза многокомпонентных систем базируются на квазихимическом подходе. В литературе не описано применение термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным и неравновесным условиям получения материалов. Однако t это существенно для микро-, наноэлектронной технологии, так как обоснование, подтверждение возможности и применение термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям позволяет установить физико-химические закономерности получения многокомпонентных гетерогенных систем с управляемыми свойствами.

Проблемам разработки технологии управляемого синтеза многокомпонентных систем уделяется большое внимание во всем мире. Существенный вклад в развитие теоретических основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных гетерогенных систем внесли научные школы, руководимые такими учеными, как С.А. Семилетов, JI.C. Палатник, Б.Ф. Ормонт, В.К. Сорокин, В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов, Ю.М.Таиров,

A.С. Сигов, В.И. Волчихин, P.M. Печерская, В.В.Смогунов, А.С. Сидоркин,

B.В. Леманов, В.Б. Уфимцев, А.А. Лобанов, А.Е. Панич, В.А. Исупов, К.А. Воротилов и другие.

Важной задачей приборостроения является првышение выхода годных изделий и временной стабильности эксплуатационных характеристик приборов, решение которой достигается за счет отработки технологии материалов с управляемыми, воспроизводимыми и стабильными во времени свойствами, К настоящему времени кинетические и термодинамические закономерности получения материалов не систематизированы. В то же время технология управляемого и воспроизводимого синтеза многокомпонентных систем требует как глубоких кинетических исследований, так и разработки качественных и количественных моделей свойств материалов, конденсируемых при различных термодинамических условиях. Научное направление формулируется в данной работе как развитие технологических основ получения гетерогенных систем с заданными выходными параметрами на основе общих физико-химических закономерностей синтеза различных многокомпонентных систем с управляемыми и стабильными'.во времени свойствами.

Таким образом, работа является актуальной как с точки зрения теоретического подхода для описания многовариантных равновесий прй синтезе многокомпонентных систем и действии на них внешних дестабилизирующих факторов, так и с точки зрения практического использования этих результатов для создания технологии приборов с заданными выходными параметрами.

Тематика работы соответствует «Перечню приоритетных направлений развития науки, технологий и техники РФ», утвержденному Президентом РФ (Индустрия наносистем и материалов) и «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденному президиумом РАН (Физика конденсированных состояний и вещества).

Целью диссертационной работы является развитие основ технологии создания многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических систем, фотоэлектрических преобразователей на базе соединений А4В6 и пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин с. высокостабильными параметрами, позволяющих повысить эффективность технологии приборостроения и имеющих важное хозяйственное значение.

Для достижения заданной цели необходимо решить следующие задачи: г

1. Сформулировать методологию технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов на базе анализа свойств материалов и выходных параметров гетерогенных систем.

2. Разработать и практически реализовать методы получения многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем с управляемыми свойствами на основе применения термодинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям их получения.

3. Установить общие для многокомпонентных систем закономерности: условия конденсации - состав - свойства, для чего:

- исследовать кинетику процессов испарения и конденсации многокомпонентных систем;

- исследовать действие внешних дестабилизирующих факторов на свойства многокомпонентных систем;

- смоделировать процессы формирования пленок и свойства многокомпонентных систем в зависимости от условий конденсации и действия внешних дестабилизирующих факторов.

4. Разработать и практически реализовать методы временной стабилизации выходных параметров пленочных хромоникелевых резисторов для чувствительных элементов преобразователей физических величин.

5. Установить физико-химические закономерности управляемого синтеза многокомпонентных систем при различных условиях конденсации и внешних дестабилизирующих факторах; разработать технологию и изготовить фотоэлектрические преобразователи с использованием соединений Л4В6 и пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин.

Методы исследования. Сформулированные задачи решались с использованием современных экспериментальных неавтоматизированных и автоматизированных методов, реализованных на отечественном и зарубежном оборудовании; численных и аналитических методов и средств вычислительной техники, а также теоретических методов исследования.

Достоверность полученных результатов и выводов подтверждена теоретическими доказательствами, численным и аналитическим моделированием свойств материалов и параметров гетерогенных систем; комплексными экспериментальными исследованиями, выполненными в объеме и с точностью, достаточными для получения достоверных сведений; многовариантной постановкой экспериментов с изменением условий конденсации, режимов обработки, характера воздействия; совпадением рассчитанных значений в пределах разработанных моделей с экспериментальными данными и известными из литературных источников.

Научная новизна результатов, полученных в диссертационной рабоt те, заключается в следующем.

1. На основании анализа свойств и методов получения материалов, относящихся к различным классам веществ, предложена методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, обеспечивающая эффективность создания и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем.

2. Впервые систематизирован экспериментальный материал на основе комплексных исследований по управлению свойствами многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем, синтезированных в квазиравновесных условиях, за счет выбора условий конденсации и действия внешних дестабилизирующих факторов, включая рентгеновские лучи, отжиг. Получены эпитаксиальные пленки твердых растворов

PbS^Se^ с широким диапазоном изменения состава по х из исходной заt грузки PbS с применением дополнительного источника, содержащего селен, и исследованы их свойства.

3. Впервые установлены физико-химические закономерности получения многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов в квазиравновесных условиях с управляемыми свойствами вида: режимы синтеза - состав - внешние факторы - свойства на основе комплексного подхода, включающего исследования кинетики конденсации и испарения, равновесия твердая - газовая фаза, процессов, протекающих в твердых телах при действии дестабилизирующих факторов, и применения г термодинамики фаз переменного состава для квазиравновесных условий.

4. Впервые на базе физико-химических закономерностей управляемого синтеза различных многокомпонентных материалов развиты основы технологии гетерогенных систем, включая фотоэлектрические преобразователи на диэлектрических подложках с использованием соединений А*В6, чувствительные элементы на основе пленочных хромоникелевых резисторов для преобразователей физических величин.

5. Получены новые экспериментальные данные и разработаны модели временной стабилизации параметров чувствительных элементов на основе t пленочных хромоникелевых резисторов для преобразователей физических величин за счет технологических режимов синтеза и дозированного воздействия рентгеновских лучей и отжига.

6. Разработаны алгоритмы расчетов кинетики роста пленок и их электрофизических свойств, позволяющие прогнозировать электрические и механические характеристики многокомпонентных систем и параметры приборов на их основе, что актуально при моделировании свойств многокомпонентных материалов и параметров гетерогенных систем.

Практическая ценность работы заключается в развитии основ технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов, гетерогенных систем различных видов, в исследовании свойств широкого класса веществ, включающих многокомпонентные проводниковые, полупроводниковые и диэлектрические материалы, и параметров приборов с их использованием. Основные теоретические положения применйются на практике в виде конкретных методик.

1. Предложенный в диссертационной работе научный подход к формированию различных многокомпонентных материалов с контролируемыми свойствами и разработанная методология управляемого синтеза обеспечивают повышение эффективности технологии гетерогенных систем и улучшение их выходных параметров за счет выбора технологических режимов синтеза, дозированного рентгеновского воздействия и отжига.

2. Установлены технологические режимы синтеза и обработки многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических материалов, позволяющие управлять их электрическими и механическими свойствами. Получены эпитаксиальные пленки сульфида свинца и твердых растворов сульфид свинца-селенид свинца на диэлектрических подложках высокого структурного совершенства со свойствами, близкими к свойствам монокристаллов.

3. Разработана технология и изготовлены многоэлементные матрицы фотоэлектрических преобразователей на основе /?-я-гомопереходов и барьеров Шоттки с использованием эпитаксиальных пленок соединений А4В6 с высокими выходными параметрами, близкими к мировым.

4. Разработаны технологические основы и; изготовлены пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными выходными параметрами.

5. Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планом госбюджетных научно-исследовательских работ: «Исследование и разработка технологических процессов микроэлектроники»;. «Разработка методов и средств исследования материалов и элементов электронной техники», координационным планом АН СССР, научно-техническими и научно-отраслевыми программами Министерства образования и науки РФ, грантами Министерства образования и науки РФ.

6. Теоретические и практические результаты диссертационной работы использованы в производстве на предприятии ФГУП НИИФИ (г. Пенза) и в научно-исследовательских работах, выполненных в рамках координационного плана АН СССР по проблеме 2.21.3.5 «Исследование свойств полупроводниковых пленочных материалов и физико-химических процессов на поверхности полупроводников»; проблеме 2.21.3.4 «Изучение структурных дефектов в полупроводниках»; по грантам Министерства образования и науки РФ: «Исследование деградационных процессов в сегнетоэлектриках на автоматизированном комплексе»; «Влияние дестабилизирующих факторов на свойства сегнетоэлектриков» (2001-2004 гг.); по научно-техническим, научно-отраслевым и аналитическим ведомственным целевым программам Министерства образования и науки РФ: «Научное, научно-методическое, материально-техническое обеспечение развития технологий информационного общества и индустрии образования» (2003 г.); «Развитие научного потенциала высшей школы» (2004-2008 гг.); по трем госконтрактам в рамках научно-отраслевой программы Федерального агентства по образованию РФ: «Развитие информационных ресурсов и технологий! Индустрия образования» (2004 г.) и НИР «Исследование методов прогнозирования стабильности параметров тонкопленочных резисторов», № Г.Р. 01.89.0056842 (1989 г.); «Исследование методов повышения стабильности тонкопленочных структур для ДПА», № Г.Р. 01.91.0045750 (1991 г.). Это подтверждается актами, приведенными в приложении А.

7. Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе и научных исследованиях Ленинградского электротехнического инстатута имени В.И.Ульянова (Ленина) (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), Казанского государственного технологического университета, Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Московского государственного технического университета имени Н.Э.Баумана, Ростовского государственного университета, Санкт-Петербургского государственного института точной механики и оптики, Пензенского государственного университета, Воронежского госуниверситета, ФГУП РНПО • «Росучприбор», Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения, Северо-Кавказского государственного технического университета, что подтверждается соответствующими актами (приложение Б).

На защиту выносятся: >

Основные результаты работы

1. Разработана методология технологии управляемого синтеза многокомпонентных материалов и систематизированы экспериментальные результаты на основе комплексных исследований свойств, кинетики испарения и конденсации многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем, полученных при различных условиях конденсации и действии дестабилизирующих факторов.

2. Разработан метод конденсации многокомпонентных полупроводниковых систем на основе А4В6, осажденных на диэлектрических подложках из BaF2, для квазиравновесного метода получения. Определены условия эпитаксии и изготовлены эпитаксиальные пленки сульфида свинца и твердых растворов PbS^Se^ состава по х от 0 до 1 высокого структурного совершенства со свойствами, близкими к свойствам монокристаллов. Впервые показано, что из исходной загрузки состава х = 0 можно получать эпитаксиальные пленки PbS^Se^ с управляемыми свойствами и составом.

3. Разработан метод получения и изготовлены Многокомпонентные хромо-никелевые материалы с управляемыми свойствами за счет выбора условий конденсации, облучения рентгеновскими лучами и отжига. Определены основные па. раметры, характеризующие процесс формирования пленок многокомпонентных проводниковых материалов на начальных стадиях роста, а также установлена их взаимосвязь с температурами испарения исходной загрузки, подложки, с порядковым номером элемента в периодической таблице Д. И. Менделеева и температурой кипения.

4. Разработана и применена методика управления" свойствами многокомпонентных диэлектрических систем различного состава с помощью условий конденсации и при действии рентгеновских лучей. Установлено различное действие однократного и многократного рентгеновского облучения на электропроводность твердых растворов PbTi1JCZrJC03. Однократное облучение приводит к уменьшению разброса электрических параметров сегнетоэлектриков, что подтверждается сокращением диапазона изменения значений электропроводности твердых растворов PbTi^Zr^Oj в 3-7 раз в зависимости от величины поглощенной дозы облучения. При многократном облучении величина электропроводности сегнетоэлектриков закономерно увеличивается с ростом суммарной поглощенной дозы , для твердых растворов PbTi^Zr^Oj.

5. Разработаны алгоритмы расчета и произведено моделирование процессов формирования пленок многокомпонентных систем и йх электрофизических и механических свойств в зависимости от технологических режимов синтеза и действия внешних дестабилизирующих факторов. Сравнение экспериментальных результатов с теоретическими указывает на корректность" алгоритмов расчета и моделирования.

6. Разработаны физико-химические закономерности управляемого синтеза многокомпонентных проводниковых, полупроводниковых и диэлектрических систем для различных условий конденсации на основе исследования кинетики процессов испарения и конденсации; построены диаграммы твердая фаза - газовая фаза, условия конденсации - состав - свойства. Показана применимость терI модинамики фаз переменного состава к квазиравновесным условиям получения многокомпонентных систем.

7. С учетом физико-химических закономерностей управляемого синтеза многокомпонентных полупроводниковых систем разработана технология и изготовлены многоэлементные матрицы фотоэлектрических преобразователей с использованием /т-и-гомопереходов и барьеров Шоттки с близкими к мировым вы, ходными параметрами и пленочные хромоникелевые резисторы для чувствительных элементов преобразователей физических величин с высокостабильными параметрами. Установлены закономерности между электрофизическими свойствами пленок, на базе которых сформированы преобразователи, и их выходными характеристиками. На этой основе найдены режимы синтеза, обеспечивающие высокие выходные параметры гетерогенных систем.

8. Доказано, что диффузия электрически активных собственных дефектов в эпитаксиальных пленках PbS, PbSj^Se^ р- и и-типа электропроводности не оказывает влияния на формирование р-и-перехода в едином технологическом цикле и позволяет использовать его в качестве фотоэлектрического преобразователя; это подтверждается теоретическими расчетами и результатами исследования вольт-фарадных характеристик.

9. Разработаны и внедрены методы временной стабилизации выходных параметров пленочных резисторов на основе хромоникелевых сплавов для чувствиt тельных элементов преобразователей физических величин, снижающие коэффициент старения сопротивления на один - четыре порядка. Эффективнее стабилизация выходных параметров пленочных резисторов происходит при использовании высоких температур испарения исходной загрузки и дозированного действия внешних факторов, включая отжиг и облучение.

10. Результаты теоретических и экспериментальных исследований использованы в производстве при изготовлении многокомпонентных систем и преобразователей физических величин на их основе с высокостабильными параметрами, а также в учебном процессе и научных исследованиях Ленинградского электротехt нического института имени В.И.Ульянова (Ленина) (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет), Казанского государственного технологического университета, Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ), Московского государственного технического университета имени Н.Э.Баумана, Ростовского государственного университета, Санкт-Петербургского государственного института точной механики и оптики, Пензенского государственного университета, Воронежского, госуниверситета, ФГУП РНПО «Росучприбор», Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения, Северо-Кавказского государt ственного технического университета.

Таким образом, в результате выполнения диссертационной работы решена важная научно-техническая проблема: развиты основы технологии гетерогенных систем с заданными выходными параметрами на - основе общих физикохимических закономерностей синтеза различных многокомпонентных систем с управляемыми и стабильными во времени свойствами, обеспечивающие повышение эффективности технологии приборостроения и совершенствование эксплуатационных параметров гетерогенных систем. t

1. Крёгер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крёгер. М.: Мир, 1969.-654 с.

2. Технология тонких пленок / Под ред. JI. Майссел, Р. Глэнг. М.: Сов. Радио, 1977. - Т. 2. - 768 с.

3. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.В. Шур. Д.: Наука, 1971. - 476 с.

4. Jaffe, В. Piezoelectric ceramics / В. Jaffe, W.R. Cook, H. Jaffe. London: Academic Press, 1971. - 136 p.

5. Томашполъский, Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю.Я. Томашполъ-ский. М.: Радио и связь, 1984. - 192 с.

6. Lappalainen, J. Lazer-ablation deposition and characterization of polycrystal-line Nd-modified Pb(Ti,Zr)03 thin films//. Lappalainen. -Oulu, 1999.-63 p.

7. Свистунова, T.A. Коррозионностойкие сплавы на основе никеля для сред особо высокой агрессивности / Т.А. Свистунова II Перспективные материалы, 2003.-С. 98-104.

8. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, JI.B. Порецкая и др.-Ы.: Наука, 1967. 176 с.

9. Оптические материалы для ИК-техники / Е. М. -Воронкова, Б. Н. Грачуш-ников, Г. И. Дистлер и др. М.: Наука, 1965. - 335 с.

10. Igarki, К. Controlled deviation from stoichiometry in PbSe / K. Igarki, N. Ohashi II J. Phys. Soc. Japan. 1963. - V. 18.-Cuppl. 2.- P. 143-147. ;

11. Dale, R. The binary system PbS-PbSe / R. Dale, D. Simpson II J. Economic Geology.-1964.-V. 59.-№ l.-P. 150-153.t

12. Ilegens, M. Phase studies in III-V, II-VI and IV-VI compound semiconductor alloy system / M. Ilegens, C.L. Perarson II Ann. rev. mater, sci. 1975. - V. 5. -P. 345-351.

13. Harman, T.C. Control of imperfections in crystal of Pb^Se^Te, Pb^Sn^Se and PbSJS^/r.C. Harman II J. Nonmetals. 1973. - V! l.-P. 183-194.

14. Nevelmann, R. The growth of epitaxial single crystal PbS^Se^ films by hot wall evaporation / R. Nevelmann, A. Marino, K. Reichelt II J. Cryst. Growth. 1983.1. V. 64.-№3.-P. 609-612.

15. Равич, Ю. И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И.'А. Смирнов. М.: Наука, 1968.-383 с.

16. Цидилъковский, И. М. Зонная структура полупроводников I И. М. Ци-дильковский. М.: Наука, 1978. - 328 с.г

17. Hsiao, С. М. Volatility and stability of metallic sulphides I С. M. Hsiao, A. W. Schlechten. J. Metals. - 1952. - Sect. 1. - № 1. - P. 65^69.

18. Волков, В. А. Зонная структура полупроводников группы AIVBVI в приближении сильной связи на /?-орбиталях / В. А. Волков, С. А. Панкратов, А. В. Сазонов II Физика и техника полупроводников. 1-982. - Т. 16. - № 10. -С.1729-1734.

19. Вяткин, К. В. Оптические свойства эпитаксиальных плёнок PbSe / К В. Вяткин, А. П. Шотов II Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. -№7. -С. 1331-1334.

20. Механизмы рассеяния носителей тока в халькогенидах свинца / Ю. И. Равич, Е. А. Гуриева, И. Н. Дубровская и др. II Физика твердого тела. 1970. -Т. 12.-№3.-С. 917-919.

21. Кучеренко, Н. В. Подвижность носителей тока в кристаллах PbSe в интервале температур 4,2 300 К / Я. В. Кучеренко, Ю. Н. Королев, А. П. Шотов II Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т. 5. - № 5. - С. 982-984.

22. Пляцко, С. В. Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллу-рида свинца / С. В. Пляцко // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32. -№3.-С. 299-302.

23. Пляцко, С. В. Особенности роста и физических свойств PbTe/BaF2, полученного в неравновесных условиях / С. В. Пляцко II Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32. -№ 3. - С. 257-260.

24. Щенников, В.В. ТермоЭДС халькогенидов свинца при высоком давлении / В.В. Щенников, С.В. Овсянников, А.Ю. Деревсков II Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - Вып. 10. - С. 1762-1765.

25. Диаграммы состояния двойных металлических систем / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1997. - Т. 2. - 1024 с.

26. Циммерман, Р. Металлургия и материаловедение / Р. Циммерман, К. Гюнтер. М.: Металлургия, 1982. - 408 с.

27. Электрические свойства пленок хрома / Г.М. Абрамова, Н.И. Киселев, Г.С. Патрин, ГА. Петраковский // Физика твердого тела. 1999. - Т. 41. - Вып. 3. -С. 380-382.

28. Давыдов, С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов / С.Ю. Давыдов II Физика твердого тела. 1999. -Т.41.-№1.-С. 11-13.

29. Вакилов, А.Н. Адгезия металлов и полупроводников в рамках диэлектрического формализма / А.Н. Вакилов, М.В. Мамонова, В.В. Прудников // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - № 6. - С. 964-967.

30. Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф.Иона, Д. Ширане. М.: , Мир, 1965.-555 с.

31. Шварцман, В.В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Ti,Zr)03 / В.В. Шварцман, С.Е. Аксенов, ЕД. Политова II Журнал технической физики. 2000. - Т. 70. - Вып. 11. - С. 42^17.

32. Панич, А.Е. Сегнетоэлектрические морфотропные переходы / А.Е. Панич, М. Ф. Куприянов, Г.М. Константинов. Ростов-на-Дону: Изд-во Рост. гос. ун-та,1992.-245 с.

33. Исупов, В.А. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца / В.А. Исупов // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 12-С. 2166-2169.

34. Глинчук, М.Д. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков / М.Д. Глинчук, Е.А. Елисеев, В.А. Стефанович // Физика твердого тела. -2001. Т. 43. - Вып. 5. - С. 882-887.

35. Леманов, В.В. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов SrTi03 -PbTi03 I В.В. Леманов, ЕЛ. Смирнова, Е.А. Тараканов II Физика твердого тела. 1997.-Т. 39.-№ 3. - С. 714-717.

36. Вакс, В.Г. Введение в микроскопическую'"теорию сегнетоэлектриков / В.Г. Вакс. М.: Наука, 1973. - 310 с.

37. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, A.M. Ховив, О.-Б. Яценко, В.А. Логачева // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - Вып. 4. - С.745-749.

38. Дипольное упорядочение и устойчивость сегнетоэлектрического и анти-сегнетоэлектрического состояний в цирконате свинца / А.В. Лейдерман, И.Н. Леонтьев, О.Е. Фесенко, Н.Г. Леонтьев II Физика твердого тела. 1998. - Т. 40. -№7.-С. 1324-1327.

39. Левченко, В.Д. Фазовая диаграмма тонкой -ферромагнитной пленки на поверхности антиферромагнетика / В.Д. Левченко, А.И. Морозов, А. С. Сигов II Письма в ЖЭТФ. 2000. - Т. 71. - Вып. 9. - С. 544-549.

40. Гриднев, С.А. Механизм диэлектрических потерь в области размытого фазового перехода / С.А. Гриднев, Б.Н. Прасолов, О.В. Шеболдаева // Получение, исследование и применение прозрачной сегнетокерамики. Рига, 1988. -С. 206-208.

41. Тополов, В.Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердыхрастворах PbZiv/Ti/^ / В.Ю. Тополов, А.В Турик II Физика твердого тела. 2001. t

42. Т. 43.-Вып. 8. -С. 1525-1527.

43. Особенности размытия сегнетоэлектрического фазового перехода в твердых растворах ферровольфрамата-титаната свинца / И.П. Пронин, Т. Аязбаев, Н.В. Зайцева, Т.А. Шаплыгина, В.А. Исупов //Журнал технической физики. 1997. -Т. 67.-№4.-С. 140-142.

44. Рентгеноструктурные и оптические исследования монокристаллов PbZr0958Ti0042O3 в электрических полях до 4107 V/m / А.В. Лейдерман, И.Н. Леонтьев, В.Ю. Тополов, О.Е. Фесенко // Физика твердого тела. 1998. - Т. 40. -№2.-С. 327-329.

45. Жога, Л.В. Влияние электрического поля на.разрушение сегнетокерами-ки / Л.В. Жога, А.В. Шилъников, В.В. Шпейзман И Физика твердого тела. 2005. -Т. 47.-Вып. 4.-С. 628-631.

46. Дрождин, С.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерирован-ного триглицинсульфата / С.Н. Дрождин, МЛ. Куянцёв II Физика твердого тела. -1998. Т. 40. -№ 8. - С. 1542-1545.

47. Диэлектрические свойства тонких пленок PbTi03 / А.С. Сидоркин, A.M. Солодуха, Л.П. Нестеренко, С.В. Рябцев, И.А. Бочарова, ГЛ. Смирнов // Физика твердого тела.-2004.-Т. 46.-Вып. 10.-С. 1841-1844.

48. Диэлектрический отклик в системе ЦТС в области сосуществования фаз / АД. Данилов, А.В. Шшьников, А.И. Бурханов, В.Н. Нестеров, Е.Г. Надолинская, Г.М. Акбаева / Известия РАН. Сер. Физическая. 2000. - Т. 64. - № 6. -С. 1233-1238.

49. Peculiarities of ас-fields influence on dielectric properties of PZT-basedtferroceramics / A. V. Shil'nikov, I. V. Otsarev, A.I. Burkhanov, V.N. Nesterov, G.M. Ak-baeva II Ferroelectrics. 1999. - V. 235. - P. 125-130.

50. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (l-x)PMN-xPZT / А.И. Бурханов, А. В. Шильников, А. В. Сопит, А. Г. Лучанинов

51. Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - Вып. 5. - С. 910-916.

52. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлек-трического кристалла ТГС / А. С. Сидоркин, Н.Ю. Пономарева, С Д. Миловидова, А.С. Сигов//Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - Вып. 4. - С. 721-725.

53. Минчина, М.Г. Пьезоэлектрические свойства ориентированных Z'-срезовсегнетокерамики типа ЦТС / М.Г. Минчина, В.П. Дудкевич II Журнал технической физики. 1998. - Т. 68. -№ 7. - С. 75-79.

54. Диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца на подложке из поликора / А. С. Сидоркин, Л.П. Нестеренко, Г.Л. Смирнов, А.Л. Смирнов, С.В. Рябцев // Физика твердого тела. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. — С. 1118—1121.

55. Шварцман, В.В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Zr,Sn,Ti)03 / В.В. Шварцман, С.Е. Аксенов, Е.Д. Политова II Журнал технической физики. 2000. - Т. 70 - Вып. 11. - С. 42^47.

56. Гольцман, Б.М. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT / Б.М. Гольцман, В. К. Ярмаркин, В.В. Леманов // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. -Вып. 6.-С. 1083-1086.

57. The analysis of dynamic domain boundaries of TGS crystals in low and in-fralow frequencies electrical fields / A. V. ShiVnikov, A.P. Pozdnyakov, V.N. Nesterov, V.A. Fedorikhin, R.H. Uzakov II Ferroelectrics. 1999. - V. 223. - P. 149.

58. Диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок на основе PZT на низких и инфранизких частотах при различном содержании свинца / А.В. Шильников, И.В. Оцарев, А.И. Бурханов, В.Н. Нестеров, Р.А. Лалетин, А.С.

59. Сигов, К.А. Ворошилов // Девятая Международная конференция по физике диэлектриков: тез. докл. СПб., 2000. -Т. II. - С. 190-191.t

60. Особенности доменного вклада в процессы переполяризации тонких ■ сегнетоэлектрических пленок Ni/PZT/Pt в области низких и инфранизких частот

61. А.В. Шильников, И.В. Оцарев, А.И. Бурханов, В.Н. Нестеров, А.С. Сигов, К.А. Воротилов // XV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл.-Ростов-на-Дону, 1999.-С. 164. ,

62. Кукушкин, C.A. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов !'/ Физика твердого тела. -2001.-Т. 43.-Вып. 1.-С. 80-87.

63. Кукушкин, С.А. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // Физика твердого тела. 2001.- Т. 43. - Вып. 1 - С. 88-95.

64. Nanoscale domain switching mechanism in Pb(ZrTi)03 thin film / H.R. Zeng, G.R. Li, Q.R. Yin, Z.K. XUII Applied physics. 20Q3. - A76. - P. 401-404.

65. Рудяк, В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах / В.М. Рудяк. М.: Наука, 1986. - 248 с.

66. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирко-ната-титаната свинца / И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплы-гина, В.П. Афанасьев, А.В. Панкрашкин II Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. -Вып. 4.-С. 739-744.

67. Application of the X-ray combined analysis to the study of lead titanate based ferroelectric thin films / J. Ricote, D. Chateigner, M. Morales, M.L. Calzada, C. Wiemer II Thin Solid Films. 2004. -V. 450, № 1. - P. 128-133. '

68. Александров, K.C. Иерархия перовскитоподобных кристаллов / КС. Александров, Б.В. Безносиков II Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - № 5. -С. 785-808.

69. Paruch, P. Nanoscale control of ferroelectric polarization and domain size in epitaxial PbZr02Ti08O3 thin films / P. Paruch, T. Tyb'ell, J.-M. Triscone 11 Applied physics letters. 1999. - V. 79. - № 4. - P. 530-532.

70. Аномалии поляризации сегнетоэлектрического релаксора / В.В. Гладкий,

71. В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева //Письма в ЖЭТФ. 2000. -Т. 71. - Вып. 1. - С.38-41.

72. Аномалии процессов поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // Физика твердого тела. -2006. Т. 48. - Вып. 6. - С. 1042-1046.

73. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорногоtсегнетоэлектрика / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Е.С. Иванова, Л.И. Ивлева // Физика твердого тела. 2005. - Т. 47. - Вып. 2. - С. 286-292.

74. Robertson, J. Band states and shallow hole traps in Pb(ZrTi)03 ferroelectrics I J. Robertson, W. L. Warren, B. A. Tuttle 11 Journal of Applied Physics. 1995. -V. 77. -Issue 8.-P. 3975-3980.

75. Cho, C. R. Surface chemical bonding states and ferroelectricity of

76. PbZr0 52Ti0 48O3 thin films / C. R. Cho II Cryst. Res. Technol. 2000. - V. 35. - № 1. -P. 77-86.

77. Hohg ming Chen The temperature dependence of the transient current in ferroelectric Pb(ZrxTijx)03 thin film for memory devices applications / Hohg - ming Chen, Joseph Ya-min Lee II Journal of applied physics. - 1997. - V. 82. - № 7.1. P. 3478-3481.

78. Ding, T.Z. Electrical transport behavior of perovskite-type oxide LSCO / T.Z. Ding, Y.M. Wang, S.H. Shi II Journal of materials science letters. 2003. - № 22. -P. 1-3.

79. Leakage current and pyroelectric properties of compositionally graded (Pb, Ca)Ti03 films I X.G. Tang, J. Wang, Y.W. Zhang, H.L.W. Chan, C.L. Choy II Applied physics. 2004. - A78. - P. 1205-1209.

80. Юдин, П.Н. Применение метода Монте-Карло для моделирования диэлектрического отклика сегнетоэлектриков / П.Н. Юдин, М.А. Никольский, С.П. Зубко И Журнал технической физики. 2003- Т. 73- Вып. 8. - С. 56-62.

81. Соболь, ИМ. Метод Монте-Карло / И.М. Соболь. М.: Наука, 1985.80 с.

82. Cluter growth processes by direct simulation monte carlo method / H.Mizuseki, Y.Jin, Y.Kawazoe, L.T.Wille II Applied Physics. 2001. - A73.1. P. 731-735.

83. Fichthorm, K.F. A kinetic Monte-Carlo investigation of island nucleation and growth in thin-film epitaxy in the present of substrate-mediated interactions / K.F. Fichthorm, M.L. Merrik, V Scheffler II Applied Physics. 2002. - A75. -P. 17-23.

84. Махачкала, 1998. С. 206-207.

85. Shil'nikov, А. V. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribution to the dielectric properties of ferroelectrics / A.V. Shil'nikov, V.N. Nesterov, A.I. Burkhanov II Ferroelectrics. 1996. - V. 175. - P. 145-151.

86. Нестеров B.H. Моделирование процессов переключения в сегнетоэлектриках / В.Н. Нестеров, А.В. Шильников, А.И. Бурханов II XIV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл. Иваново, 1995. - С. 341.

87. Нестеров, В.Н. Механизмы движения доменных и фазовых границ и моделирование их с помощью ЭВМ / В.Н. Нестеров, А.В. Шильников, А.И. Бурханов// Релаксационные явления в твердых телах: тез. докл. Междунар. семинара. Воронеж, 1995. -Ч. 2. - С.81.

88. Nesterov, V.N. The computer analysis of domain boundery dynamics in ferroelastics-ferroelectrics / V.N. Nesterov, A. V Shil'nikov ИISFP-III. The therd international seminar on ferroelastics physics. Voronezh. - 2000. - P. 47.

89. Lopez-Otero, A. Hot wall epitaxy / A. Lopez-Otero II Thin Solid Films. -, 1978.-V. 49.-P. 3-57.

90. Duh, K. PbSe heteroepitaxy by hot wall technique / K. Duh, H. Prieer II Thin Solid Films. 1975. - V. 27 - № 2. - P. 247-250.

91. Берлага, P. Я. Изменение потенциала поверхности слоёв сернистого свинца / Р. Я. Берлага, Т. Т. Быкова II Физика твердого тела. 1962. - Т. 4. - № 9. -С. 2629-2631.

92. Кукушкин, С.А. Процессы конденсации тонких пленок / С.А. Кукушкин, А.В. Осипов II Успехи физических наук. 1998. - Т. 168. - № 10. - С. 1083-1115.

93. Пат. 2207644 РФ, МКИ7 Н01С17/00. Способ изготовления тонкопле-, ночных резисторов / В.К Смолин- № 2000106952/09; заявл. 21.03.00; опубл.2706.03. Бюл.№ 11.

94. Физика тонких пленок / Под общей ред. Г. Хасса, Р.Э.Туна. М.: Мир, 1967-Т. 2. -396 с.

95. Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства пленок Ni I Е.Е. Шалыгина, JI.B. Козловский, Н.М. Абросимова', М.А. Мукашева //Физика твердого тела. 2005. - Т. 47. - Вып. 4. - С. 660-665. '

96. Jatochowski, М. Electron tunneling in PbxSnxTe alloys / M. Jatochowski, M. Subotowicz II Thin Solid Films. 1976. - V. 36. -№ 1. - P. 122-124.

97. Yasuoka, Yoshizumi. Thermally stimulated current of vacuum deposited PbSe films / Yoshizumi Yasuoka, Masanobu Wada И Jap. Journal of applied physics. -1974.-V. 13.-№ 11.-P. 1797-1803.

98. Bode, D.E. Lead salt detectors / D.E. Bode H Physics of thin films. 1966. -' V.3.-P. 275-301.

99. Sealy, B.J. Electron microscopy of epitaxial PbTe films / B.J. Sealy II Thin solid films.- 1975.-V. 26.-№ l.-P. 131-136.

100. Brionis, J. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / J. Brionis, D. Golmajo II Thin solid films. 1981. - V. 78. - P. 385-395.

101. Poh, J. The structure and growth of epitaxial PbSe films / J. Poh, J.C. Anderson И Thin solid films. 1969. - V. 3. - P. 139-156.

102. Stiddard, M.H. A reflection high energy electron diffraction study of thin films of copper, silver and gold on PbS {111} / M.H. Stiddard II Thin solid films. -1981.-V. 82.-P. 337-341.

103. Landry, L.J. Optical and physical properties of vacuum deposited PbS films I L.J. Landry, R.A. LangleyR.A. II Thin solid films. 1979. - V. 61. № 2. - P. 171-181.

104. Interband magneto-optical studies in PbSeTe alloys / U. Smith, R. L. Ag-garwal, T. F. Tad et al II J. Nonmetals. 1970. -V. 1. - № 4. - P. 311-319.

105. Semiletov, S. A. Surface morphology and structural defects in epitaxial films / S. A. Semiletov, R. V. Kudriavctseva, E. A. Rakova II Thin Solid Films. 1976. -V. 32.-№ l.-P. 127-134.

106. Bis, R. F. Thick epitaxial films of Pb^Sn^Te / R. F. Bis, J. R. Dixon, J. R. Lowney II Journal of vacuum science and technology. 1972. - V. 9. - № 1. -P. 226-230.

107. Lopez-Otero, A. Epitaxial growth of high mobility IV-VI compound layers / A. Lopez-Otero, L. D. Haas II Thin Solid Films. 1976. - V. 32. - № 1. - P. 35-38.

108. Farinre, J. O. Preparation and properties of Pb^Sn^Te films I J. O. Farinre, J. M. Zemel II Journal of vacuum science and technology. 1970. -V.7.-№ l.-P. 121-125.

109. Кудрявцева, P. В. О микроморфологии эпитаксиальных плёнок PbS / Р. В. Кудрявцева, С. А. Семилетов II Кристаллография. 1973. - Т. 18. - Вып. 2. -С. 427-428.

110. McLane, G. Surface interaction of H and 02r on thin PbSe epitaxial films / G. McLane, J. N. Zemel II Thin Solid Films. 1971. - V, 7. - P. 229-246.

111. Kasai, J. РЬТе and Pb^Sn^Te epitaxial films on cleaved BaF2 substrates prepared by a modified hot wall technique / J. Kasai, D. W. Basset, J. Homung И Journal of applied physics. 1976. - V. 47. -№ 7. - P. 3167-3171.

112. Особенности синтеза плёнок PbSe / Д. M. Фрейк, Д. И. Бродин, В. JI. Августимов и др. // Известия АН СССР: Сер. Неоргайические материалы. 1978. -Т. 14.-№ 12.-С. 2181-2184.

113. Панич, А.Е. Физика и технология сегнетокерамики / А.Е. Панич, М.Ф. , Куприянов. Ростов-на-Дону: Изд-во Рост. гос. ун-та, 1989. - 180 с.

114. Исупов, В.А. Физические проблемы конденсаторных материалов со структурой типа пирохлора / В.А. Исупов II Журнал технической физики. 1997. -Т. 67.-№ 10. -С. 47-50.

115. Гриднев, С.А. Новые высокотемпературные пьезоэлектрические материалы на основе титаната свинца / С.А. Гриднев, С.П. Остапенко В.А. Исупов //Применение пьезоактивных материалов в промышленности. Л.: ЛДНТП, 1988. -С. 46-52.

116. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната , свинца / А.С. Сидоркин, А.С. Сигов, A.M. Ховив, С.О. Яценко, О.Б. Яценко //Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - Вып. 4. - С. 727-732.

117. Perez, J. High-quality PbZr052Ti048O3 films prepared by modified sol-gelroute at low temperature / J. Perez, P. M. Vilarinho, A. L. Kholkin II Thin Solid Films. -2004. -V. 449. № 1-2. - P. 20-24.

118. Growth of oriented Pb(ZrxTi,x)03 thin films on glass substrates by pulsedtlaser deposition / P. Verardil, M. Dinescu, F. Craciun, R. Dinu, M.F. Ciobanu II Appllied physics. 1999. - A69. - P. 837-839.

119. Brankovich, Z. PZT ceramics obtained from mechanochemically synthesized powders / Z. Brankovich, G. Brankovich, J.A. Varela //. Journal of materials science: Materials in electronics. 2003. - № 14. - P. 37-41.

120. Штернов, А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники / А.А. Штернов. М.: Радио и связь, 1981. - 248 с.

121. Лебедев, A.JI. Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе / A.JI. Лебедев, A.M. Иванов, Н.Б. Строкам II Физика и техника полупроводников. 2004. - Т. 38. - Вып. 2. - С. 129-150.

122. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / В.Р. Гитлин, С.Г. Кадменскйй, М.Н. Левин, С.С. Остроухое, А. В. Татаринцев И Вестник ВГУ: Сер. Физика, математика. 2002. - № 1. -С. 5-12.

123. Овидько, И.А. Кинетика точечных дефектов и процессы аморфизации в тонких пленках при облучении / ИА. Овидько, А.Б. Рейзис II Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. 9. - С. 1600-1602.

124. Степанов, В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах / В.А. Степанов II Журнал технической физики. 1998.- Т. 68 - № 8-С. 67-72.

125. Пешиков, Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики I Е.В. Пешиков. Ташкент: ФАН, 1972. - 134 с.

126. Барышников, В.И. Взаимодействие мощного рентгеновского излучения с кристаллами сапфира и материалами на основе кварца / В.И. Барышников, Т.А. Колесникова, С.В. Дорохов // Физика твердого тела. 1997. - Т 39. - № 2. -С. 286-289.

127. Камышева, Л.Н. Подвижность доменных стенок облученного тригли-цинсульфата / Л.Н. Камышева, О.М. Голицына, Т.Н. Подгорная // Физика твердого тела. 1998. - Т. 40. - № 7. с. 1321-1323.

128. Голицына, ОМ. Релаксация радиационных дефектов в облученном триг-лицинсульфате / ОМ. Голицына, Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин И Физика твердого тела. 1998.-Т. 40.-№ 1.-С. 116-117.

129. Шелег, А. У. Влияние у-облучения на диэлектрическую проницаемость иэлекропроводность кристаллов TlGaS2 / А. У. Шелег, К. В. Иодковская, Н.Ф. Кури-лович II Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. 1. - С. 67-70.

130. Камышева, Л.Н. Влияние малых доз рентгеновского излучения на свойства триглицинсульфата, легированного хромом / Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, О.М. Голицына // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 347-350.

131. Аверин, И.А. Управляемый синтез гетерогенных систем: получение и свойства: монография / И.А. Аверин. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2006.316 с.

132. Хирс, И.П. Испарение и конденсация / И.П.-Xupc, Г.М. Паунд. М.: Металлургия, 1963.-325 с.

133. Родин, Т. Монокристаллические пленки / Т. Родин, Д. Уолтер. М.: Мир, 1966.-427 с.

134. Палатник, Л.С. Материаловедение в микроэлектронике / Л.С. Палат-ник, В.К. Сорокин. М.: Энергия, 1977. - 280 с.

135. Крапухин, В.В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов / В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. М.: Металлургия, 1982.-352 с. . "

136. Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов /Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. -М.: Высш. шк.; 1983. 271 с.

137. Буткевич, В. Г. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца / В. Г. Буткевич, Е. Г. Глобус, Л. Н. Залевская // Прикладная физика. 1999. - № 2. - С. 52-56.

138. Пономаренко, В. П. Фотоприемники и фотоприемные модули нового поколения / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев II Прикладная физика. 2001. -№6.-С. 20-38.

139. Буткевич, В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. - № 6. - С. 66-112.

140. Stability of PbSe photodetectors mounted in hermetic gas-filled packagesunder different environmental conditions Электронный ресурс. / B.N. Drazhnikov,

141. G.A. Kazantsev, V.S. Panyayeva // XVII Международная научно-техническая конtференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения: тез. докл., Москва, 27-31 мая 2002 г.- Режим доступа: http//www.orion-ir.ru/thesis-17-e.htm, свободный.I

142. Дмитриев, Е.Г. Разработка элементной базы фотоэлектронных устtройств отображения видеоинформации / Е.Г. Дмитриев // Электроника. Наука, технология, бизнес, 2005. № 2. - С. 74-79.

143. ГНИ РФ ФГУП «НПО "Орион"» Электронный ресурс. Режим дос' тупа: http//www.vimi,ru/orion, свободный.

144. Компания «Уралсемисондактор» Электронный ресурс. Режим доступа: http//home.ural.ru, свободный.

145. Компания «Ю. Е. Интернейшнл» Электронный ресурс. Режим доступа: http//www.yeint.ru, свободный.

146. Компания Khalus Electronics Электронный ресурс. Режим доступа:http//khalus.com.ua, свободный.

147. А.с. 1445278 СССР, МКИ4 С 30 В 23/02, 29/46. Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов / И.А. Аверин, О.Ф. Луцкая. № 4249794;заявл. 26.05.87; опубл. 15.08.87. Бюл. № 46.

148. Особенности синтеза слоев твердых растворов на основе сульфида свинца/И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая, С.Л. Милославов, М.А. Николова // Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. Л.: ЛЭТИ, 1984. - Вып. 338. - С. 75-79.

149. Аверин, И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца: учеб. пособие /И.А. Аверин. Пенза: Изд-во Пенз. гос. унта, 1999. - 63 с.

150. Термодинамика и кинетика испарения и конденсации в системе сульфид свинца сера / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая, КГ. Мелик

151. Парсаданян II Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. JL: ЛЭТИ, 1983. - Вып. 322. -■ С. 36-39.

152. Аверин, И.А. Кинетические особенности роста эпитаксиальных слоев наtоснове сульфида свинца и его твердых растворов / И.А. Аверин, P.M. Печерская,

153. B.В. Пряничникова II Вакуумные технологии и оборудование. Тонкие пленки в оптике и электронике: материалы V Междунар. конф. и XIV Междунар. симп.,

154. Харьков, 22 27 апреля 2002 г. - Харьков, 2002. - С. 117-118.

155. Аверин, И.А. Кинетические особенности роста эпитаксиальных слоев на основе соединений А4В6 / И.А. Аверин, P.M. Печерская // Оптика, оптоэлектроника и технологии: тр. Междунар. конф., Ульяновск, 17-21 июня 2002 г. Ульяновск, 2002. - С. 6.

156. Two-dimensional electron transport studied by electroluminescence / LA.t

157. Averin, El. Allali, C.B. Sorensen, E. Veje II Nordic Symposium on Mesoscopic Electron Systems. Denmark: Fuglsocentret, 1993. - P. 138-147. '

158. Аверин, И.А. Исследование свойств полупроводников методом катодо-люминесценции / И.А. Аверин, А.В. Белов, P.M. Печерская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки. 2002. - №1. -С. 144-149.

159. Сорокин, В.К. Слоисто-ступенчатый механизм роста микрокристаллов в конденсатах монохалькогенидов свинца / В.К. Сорокин, О.В. Правдина II Известия• АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1985. - Т. 21. - № 1. - С. 32-36.

160. Аверин, И.А. Контролируемый синтез эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / И.А. Аверин, P.M. Печерская, В.В. Пряничникова II Восьмая Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых: сб. тез.,

161. Екатеринбург, 29 марта 4 апреля 2002 г. - Екатеринбург, 2002. - С. 546-548.

162. Аверин, И.А. Управление составом многокомпонентных систем / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки. 2006. - № 5. - С. 184-190.

163. Основные свойства твердых тел: метод, указания к лаб. работам по курсу «Физика твердого тела» / Сост. И.А. Аверин, С.П. Медведев. Пенза: Изд-во Пенз. гос. ун-та, 2003. - 53 с.

164. Аверин, И.А. Исследование свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов на основе сульфида свинца / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая II Известия ЛЭТИ: сб. науч. тр. Л.: ЛЭТИ, 1986. - Вып. 365. - С. 47-51.

165. Аверин, И.А. Термодинамическое исследование условий синтеза слоевтвердых растворов PbS^Se^ / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1988. -Т. 24. - № 2. - С. 219-222.

166. Stringfellow, G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams / G.B. Stringfellow II Cryst. Growth. 1974. - V. 24. - P. 21-34.

167. Laugier, A. Termodynamics and phase diagram calculations in II-VI and IV-VI ternary systems using an associated solution model / A. Laugier II Revue de Phu-sique Appliquee. 1973. - V. 8. - P. 259-270.

168. Уфимцев, В.Б. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов/В.Б. Уфимцев, А.А. Лобанов-М.: Металлургия, 1981.-215 с.

169. Аверин, И.А. Исследование инверсии типа электропроводности в эпи-таксиальных слоях сульфида свинца квазихимическим методом / И.А. Аверин, О.Ф. Луцкая, Д.А. Яськов II Электронная техника. Сер. Материалы. 1984. -Вып. 11(196).-С. 34-37.

170. Аверин, И.А. Применение квазихимического подхода к условиям метода «горячей стенки» при получении слоев твердых растворов / И.А. Аверин, О.Ф. Луцкая // Электронная техника. Сер. Материалы. 1986.- Вып. 10. - С. 45-49.

171. Ормонт, Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников /Б.Ф. Ормонт. М.: Высш. шк., 1982. - 528 с.

172. Глазов, В.М. Основы физической химии / В.М. Глазов М.: Высш. шк., 1981.-456 с.

173. Равдель, А.А. Краткий справочник физико-химических величин / А.А. Равдель, A.M. Пономарева. Д.: Химия, 1983. - 231 с.'

174. Томашик, 3. Ф. Термодинамический анализ взаимодействия соединений AUBV1 и AlvBvl / З.Ф. Томашик, В.Н. Томашик, В.И. Грыцив II Известия АН СССР:

175. Сер. Неорганические материалы. 1980. - Т. 16. - № 4. - С. 635-637.

176. Грувич, Л.В. Термодинамические свойства'индивидуальных веществ /

177. Л.В. Грувич, И.В. Вещ, В.А. Медведев. М.: Наука, 1979. - Т. 2. - 341 с.

178. Аверин, И.А. Кинетика процессов самодиффузии в структурах на основе твердых растворов сульфид свинца селенид свинца / И.А. Аверин, P.M. Печер-ская II Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Естественные науки.-2006.-№5.-С. 178-183.

179. Болтакс, Б.И. Диффузия в полупроводниках / Б.И. Болтакс. М.: Гос. Изд-во физико-математической литературы, 1961. - 462 с.

180. Аверин, И.А. Кинетические особенности роста металлических пленок / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 26 мая 1 июня 2003 г. - Пенза, 2003. - С. 350.

181. Давыдов, С.Ю. Расчет энергии активации поверхностной самодиффузии атомов переходных металлов / С.Ю. Давыдов // Физика твердого тела. 1999. -Т. 41.-№ 1.-С. 11-13.

182. Rhodin, T.N. Single Crystal Films / T.N. Rhodin, D. Walter, под ред. M.H. Francombe, H. Sato. New York: Pergamon Press, 1964. - 337 p.

183. Черняев, B.H. Физико-химические процессы в технологии РЭА / В.Н. Черняев. М.: Высш. шк., 1987. - 376 с.

184. Аверин, И.А. Управление качеством резистивных пленочных структур на стадии роста / И.А. Аверин, P.M. Печерская // Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 24 31 мая 2004 г. - Пенза, 2004. - С. 315-317.

185. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старое, Г.А. Филаретов. -М.: Сов. Радио, 1975. 160 с.

186. Потерин, Р.В. Расчет характеристик взаимодействия ионных кристаллов с металлами / Р.В. Потерин, В.В. Прудников II Вестник Омского ГУ, 1997. -Вып. 4.-С. 24-26.

187. Аверин, И.А. Моделирование технологических процессов при выполнении лабораторных работ / И.А. Аверин II Университетское образование: сб. материалов V Междунар. науч.-метод. конф. Пенза, 2001. - Ч. 2. - С. 28-29.

188. Рез, И.С. Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике / И С. Рез, Ю.М. Поплавко. М.: Радио и связь, 1989. - 288 с.

189. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др.; под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. Радио, 1980. - 224 с.

190. Аверин, И.А. Взаимосвязь состав свойства сегнетокерамики типа ЦТС / И.А. Аверин, P.M. Печерская IIXVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тр., Пенза, 26 июня - 01 июля 2005 г.,- Пенза, 2005. - С. 216.

191. Аверин, И.А. Управление свойствами сегнетокерамики ЦТС с различным составом / И.А. Аверин, P.M. Печерская II XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тр., Пенза, 26 июня 01 июля 2005 г. - Пенза, 2005. -С. 215.

192. Аверин, И.А. Управление свойствами твердых растворов PbTi^Zr^Ch посредством внешних воздействий / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Физика твердого тела. 2006.-Т. 48.-№ 6. - С. 1096-1098.

193. Averin, I.A. Control of the properties of P^Ti^Zr,^ )Ог solid solutions by external disturbances / I.A. Averin, R.M. Pecherskaya II Physics of the Solid State. -2006.-V. 48.-№.6.-P. 1166-1168.

194. Averin, I.A. External factors effect upon ferroelectric ceramics properties / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya, A.N. Golovyashkin И Six International Seminar on ferroelectric physics.-Voronezh, 1994.-P. 103.

195. Влияние дестабилизирующих факторов на электропроводность сегнетокерамики / И.А.Аверин, Р.М.Печерская, В.В.Коршунов, С.Е.Телъпов И Электронная техника. Сер. Материалы. 1988. - Вып. 3(289). -'С. 17-18.

196. Аверин, И.А. Влияние рентгеновского излучения на свойства сегнетокерамики на основе ЦТС / И.А. Аверин, P.M. Печерская IIXII Всесоюзная конференtция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл. Ростов-на-Дону, 1989. - Т. 3. -С. 72.

197. Averin, I.A. Degradation processes in PZT ferroelectric ceramics Interna1 tional symposium / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Domain structure of ferroelectricand related materials . Volgograd, 1989. - P. 114.348

198. Averin, I.A. Properties of irradiated ferroelectric ceramics /1.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Electronic ceramics production and properties: Proceedings of the International conference. - Riga, 1990. - P. 46.

199. Averin, I.A. Ferroelectric ceramics properties X-ray controlled handling / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II Electronic ceramics production and properties: Proceedings of the International conference. - Riga, 1990. - P. 133."

200. Аверин, И.А. Исследование стабилизации пьезоэлектрических датчиков / И.А. Аверин, P.M. Печерская, С.П. Медведев И МикроэЛектронные датчики в машиностроении: тез. докл. Всесоюз. конф. Пенза, 1990. - С. 69.

201. Цветков, В.Ф. Вероятностное моделирование: учеб. пособие для вузов / Цветков В. Ф. Рязань: РТИ, 1989. - 64 с.

202. Аверин, И.А. Управление электрофизическими свойствами сегнетоке-рамики типа ЦТС / И.А. Аверин, М.А. Балин И Десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых: тез. докл., Москва, 1 7 апреля 2004 г. - М., 2004. - С. 138-139.

203. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс; под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского -М.: Мир, 1981. 652 с.

204. Иевлев, В.М. Структурные превращения в тонких пленках / В.М. Иевлев, ЛИ. Трусов, В.А. Холмянский. М.: Наука, 1975. - 321 с.

205. Аверин, И.А. Контролируемое управление электропроводностью керамики ЦТС / И.А. Аверин, P.M. Печерская // XIII Всесрюзная конференция по физике сегнетоэлектриков: тез. докл., Тверь, 15-19 сентября 1992 г. Тверь, 1992. -С. 128.

206. Averin, I.A. Complex investigation of ferroelectric ceramics properties I LA. Averin, R.M. Petcherskaya, V.F. Tilles II International Seminar on relaxor ferroelectrics. -Dubna, 1996.-P. 35.

207. Averin, I.A. Model of X-radiated PZT-type ferroelectric ceramics conduction / I.A. Averin, A.N. Golovyashkin, R.M. Petcherskaya I I VII Международный семинар по физике сегнетоэлектриков (ISFP-7): тез. докл. Казань, 1997. - С. 92-93.

208. Averin, I.A. Peculiarities of the dynamic measurements of ferroelectrics characteristics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya, V.F. Tilles II 7-th Russia/CIS/Baltic/Japani

209. Symposium on ferroelectricity: Book of abstracts. St. Peterburg, 2002. - P. 139.

210. Averin, I.A. Electro-physical characteristics of PZT irradiated ferroelectric ceramics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya II 10th European Ferroelectricity Conference. Cambridge UK, 2003. - P. 65.

211. Averin, I.A. Electrical conductivity of PZT ceramics / I.A. Averin, R.M. Petcherskaya И The XXI International Conference on relaxation phenomena in solids (RPS-21). Voronezh, 2004. - P. 35.

212. Тареев, Б.М. Физика диэлектрических материалов: учеб. пособие для вузов / Б.М. Тареев. М.: Энергоиздат, 1982. - 320 с.

213. Печерская, P.M. Релаксационные явления в активных диэлектриках: монография / P.M. Печерская. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1994. - 72 с.

214. Аверин, И.А. Стабилизация характеристик пленочных резисторов на основе хромоникелевых соединений / И.А. Аверин, P.M. Печерская И Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Технические науки. 2006. -№6. -С. 12-19.

215. Аверин, И.А. Получение и исследование свойств пленочных резисторов со стабильными электрическими характеристиками / И.А. Аверин И Надежность и качество 2001: тр. Междунар. симп., Пенза, 21-31 мая 2001 г.- Пенза, 2001. -С. 346-348.

216. Палатник, JI.C. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / JJ.C. Палатник, В.К. Сорокин. -М.: Энергия, 1973. -296 с.

217. Real time spectroellipsometry study of the interaction of hydrogen with ZnO during ZnO/a Si(l - x)C(x)H interface formation H. An, Y. Lu, C.R. Wronski, R.W. Collins // Applied Physics Letters. - 1994. - V. 64(24).-P. 3317-3319.

218. Аверин, И.А. Контролируемое изменение эксплуатационных характери-, стик чувствительных элементов и их временной стабильности / И.А. Аверин, P.M.

219. Печерская И Нано- и микросистемная техника. 2007. - № 1. - С. 20-23.

220. Коледов, Л.А. Гибридные интегральные схемы / Л.А. Коледов, Э.М. Ильина. М.: Высш. шк., 1987. - 95 с.

221. Аверин, И.А. Элементы для первичной передачи информации / И.А. Аверин, P.M. Печерская // Перспективные технологии в. средствах передачи информации: материалы VI Междунар. науч.-техн. конф., Владимир, 20 22 апреля 2005 г. - Владимир, 2005. - С. 135.

222. Аверин, И.А. Влияние рентгеновского излучения на электрофизические свойства тонкопленочных резисторов / И.А. Аверин, РМ. Печерская // Надежность и качество: тр. Междунар. симп., Пенза, 27 мая 2 ирня 2002 г. - Пенза, 2002. -С. 376-377.

223. Милне, А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / А. Милне, Д. Фойхт. М.: Мир, 1975 - 432 с.

224. Richard, J. Device application of IV-VI compound semiconductor films / J. Richard, R.B. Schoolar I I Journal of vacuum science and technology. 1972. -V. 9.-№ 1.-P. 225-233.

225. Honke, D.K. Epitaxial PbSe Schottky barrier diodes for infrared detection / D.K. Honke, H Holloway И Appllied Physics letters. - 1974.- V. 24.- № 12-P. 633-635.

226. Schoolar, R.B. Composition tuned PbS^Se^. Schottky barrier infrared detectors / R.B. Schoolar, J.D. Jensen, G.M. Black II Appllied Physics letters. - 1977. -V. 31.-№ 9.-P. 620-622.

227. Jensen, J.D. Surface charge transport in PbS^Se^ and Pb^Sn^Se epitaxialfilms / J.D. Jensen, R.B. Schoolar II Journal of vacuum science and technology. -1976.-V. 13. -№ 4. P. 920-925.

228. A.c. 1455947 СССР, МКИ4 H 01 L 21/363. Способ получения диодных полупроводниковых структур на основе соединений AwBvl / Аверин И.А., Луцкая О.Ф. № 4271223; заявл. 29.06.87; опубл. 01.10.88. Бюл. № 4.

229. Holloway, Н. Unconventional thin films IV-VI photodiodes structures / Я Holloway II Thin solid films. 1979. - V. 58. - № 1. - P. 73-78.

230. Аскеров, Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б.М. Аскеров. Л.: Наука, 1970. - 301 с.

231. Алиев, С.А. Эффективная масса плотности состояний электронов в твердых растворах сульфида свинца / С.А. Алиев, К.Ш. Кахраманов, С.И Мячин II Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1982. - Т. 17. - № 4. -С. 549-552.

232. Зи, С.М. Физика полупроводниковых приборов / С.М. Зи. М.: Мир, 1984.-Т. 1-2.-655 с.

233. Quasi-static growth of PbS epitaxial films / V. Paic, M. Paic, K. Duh et al II Thin solid films.-1972.-V. 12.-№ 4.-P. 419-425.t

234. Адамчук, В.К. О наведенной током фотоэдс в слоях сернистого свинца /

235. B.К. Адамчук, Р.Я. Берлага // Физика твердого тела. 1962. - Т. 4. - № 9.1. C. 2382-2384.

236. Rogalski, A. PbTe photodiodes prepared by the hot wall evaporation technique / A. Rogalski, W. Kaszuba, W. Larkowski II Thin solid films. 1983. - V. 103. -№4.-P. 343-353.

237. Thermal limitations in PbSnTe detectors / L.N. Devaux, H. Kimura, M.J. Sheets II Infrared Physics. 1975. - V. 15. - № 4. - P. 271-277.

238. Пасынков, B.B. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, JI.K. Чиркин, А.Д. Шинков. М.: Высш. шк., 1984. - 431 с. '

239. Johnson, M.R. Detectivity limits for diffused junction PbSnTe detectors / M.R. Johnson, R.A, Chapman, J.S. Wrobel II Infrared Physics. 1975. - V. 15. - № 4. -P. 317-329.

240. Аверин, И.А. Исследование электрических характеристик барьеров Шоттки на основе эпитаксиальных слоев сульфид свинца селенид свинца /И.А. Аверин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Сер. Технические науки. - 2006. - № 6. - С. 5-11.

241. Родерик, Э.Х. Контакты металл полупроводник / Э.Х. Родерик. - М.: Радио и связь, 1982. - 209 с.

242. Schottky barrier formation on (Pb,Sn)Te ILS. Buchner, T.S. Sun, B.A. Beck et al 11 Journal of vacuum science and technology. 1979. - V. 16. - № 5. -P. 1171-1173.

243. Fario, M. V. Sputtering thin films of Pb^Sn^Te for infrared detectors application / M.V. Fario, W.L. Wilson II Infrared Physics. 1979. - V. 19. - № 6. -P. 609-615.

244. Федотов, Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов /Я.А. Федотов. М.: Сов. Радио, 1970. - 591 с.

245. Аверин, И.А. Оптоэлектронные приборы на основе соединений А4В6 / И.А. Аверин, P.M. Печерская II Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: тр. VI Междунар. конф., Сочи, 4-8 октября 2004 г. Ульяновск, 2004.-С. 203-204.

246. Киеса, Р.Д. Фотоприемники видимого и ИК-диапазонов / Р.Д. Киеса. -, М.: Сов. Радио, 1985. 325 с.

247. Richard, J. Epitaxial lead sulfide photovoltaic cells and photoconductive films / J. Richard, R.B. Schoolar II Applied Physics letters. 1970. - V. 16. - № 11. -p. 446-449.

248. Применение методов структурного и спектрального анализов в микроэлектронике: метод, указания к лаб. работам / Сост. И.А. Аверин, С.П. Медведев, P.M. Печерская. Пенза: Пенз. политех, ин-т, 1988. - 31 с.

249. Ковба, JI.M. Рентгенофазовый анализ / Я.М. Ковба, В.К. Трунов. М.: Изд-во МГУ, 1976.-232 с.

250. Исследование материалов и элементов микроэлектроники: метод, указания к лаб. работам / Сост. И.А. Аверин, P.M. Печерская, В.Г. Тихомиров, В.А. Щетинков. Пенза: Пенз. политех, ин-т, 1990. - 46 с.'

251. Исследование основных характеристик твердого тела: метод, указания к лаб. работам по курсу «Физико-химические основы микроэлектроники» / Сост. И.А. Аверин, С.П. Медведев', под. ред. P.M. Печерской.;- Пенза: Пенз. политех, инт, 1991.-51 с.

252. Аверин, И.А. Особенности электромагнитной обстановки в местах эксплуатации учебной техники / И.А. Аверин, А.В. Печерский II Университетское образование: сб. статей IX Междунар. науч.-метод. конф., Пенза, 14-15 апреля 2005 г. Пенза, 2005. - С. 426-428.

253. Аверин, И.А. Материалы микроэлектронньрс устройств: учеб. пособие / И.А. Аверин, С.П. Медведев, P.M. Печерская. Пенза: Пенз. полит, ин-т, 1993. -65 с.

254. Аверин, И.А. Информационные технологии при многоуровневой подготовке специалистов / И.А. Аверин, В.А. Мещеряков, P.M. Печерская И Педагогическая информатика. 2005. -№ 2. - С. 19-27.

255. Аверин, И.А. Комплекс программно-аппаратных средств для отладки микропроцессорных устройств на базе 580 серии / И.А. Аверин, P.M. Печерская И Микропроцессоры в системах контроля и управления: тез. докл. Пенза, 1991. -С. 20-21.

256. Аверин, И.А. Автоматизация исследования электропроводности сегнетоэлектриков / И.А. Аверин, P.M. Печерская И XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков: тр. конф., Пенза, 26 июня 01 июля 2005 г. - Пенза, 2005.-С. 214.

257. Автоматизированный лабораторный стенд для исследования полупроводников методом эффекта Холла с дистанционным доступом по сети Internet /г

258. И.А. Аверин, В.Б. Абрамов, Ю.М. Кузнецов, О.В. Карпанин, С.П. Медведев, P.M.I

259. Печерская, А.А. Поляков II Человеческое измерение в информационном обществе: тез. докл. Всерос. науч.-практ. конф., Москва, 29 октября 01 ноября 2003 г. - М., ' 2003.-С.121.

260. Автоматизированный лабораторный стенд для исследования твердыхгтел методом эффекта Холла Электронный ресурс. / И.А. Аверин, P.M. Печерская,г

261. С.П. Медведев, В.Б. Абрамов, О.В. Карпанин, A.M. Метальников, С.В. Мурашкин, В.А. Соловьев //Компьютерные учебные программы и инновации. 2005. - № 5. -Режим доступа: http//ofap.ru, свободный.

262. Акт об использовании результатов диссертационной работы в производстве и научно-исследовательских работах361t1. УТВЕРЖДАЮ

263. Председатель комиссии, / / узаместитель генерального директора ФГУП НИИФИпо научной работе, кандидат технических наук, доце^-^^^^^- А.В. Блинов Члены комиссии:1. Главный технолог

264. Начальник научно-исследовательского комплекса