автореферат диссертации по электронике, 05.27.07, диссертация на тему:Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки

РГВ ОА у

~ ' 2 2 ДЕК ?т

московским государственный институт 7

электронной техники (технический университет)

На правах р;

Сосунов Александр Геннадьевич

«теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки»

Специальность 05.27.07 « Оборудование производства электронной техники»

автореферат диссертационной работы на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва, 2000

Работа выполнена,в Московской государственном институте электронной техники (техническом университете).

Научный руководитель: Консультант: Официальные оппоненты:

Ведущее предприятие:

доктор технический наук, профессор Тимофеев В. Н.

кандидат технических наук, СажневС. В.

доктор технических наук, профессор Кузнецов O.A.

Кандидат технических наук,' Евдокимов B.JI.

ОАО НИИТМ, г. Москва

Защита диссертации состоится

2000 г. в

часов на заседании диссертационного совета Д.053.02.04 в Московском государственном институте электронной техники (техническом университете) по адресу: 103498, Москва, Зеленоград, МГИЭТ (ТУ).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МГИЭТ (ТУ).

Отзывы на. автореферат просьба отправлять по адресу: 103498, Москва, К-498, МГИЭТ (ТУ).

Автореферат разослан "_

2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета д. т. н., профессор

Погалов А. И.

Ш I6-JT- öl п

Общая характеристика работы

Актуальность работы.

Постоянное увеличение степени интеграции ИС выдвигает в настоящее время в качестве основной задачи изготовление в массовом производстве субмикронных элементов с топологической нормой 0,25-0,5 мкм. Существующие электрические печи ограничены температурно -временным циклом и слабой управляемостью средами при термической обработке, что создаёт трудности при формировании в электронных приборах переходов с глубиной залегания до 0,1 мкм. В установках быстрой термической обработки осуществляется индивидуальная обработка подложек диаметром до 200 мм в кварцевых камерах малого объёма (0,7-2,6 л.) с управляемым температурным режимом (400 - 1200 °С), высокими темпами нагрева (до 200 °С/с) и контролируемыми потоками газовых реагентов. Это позволяет применять их для отжига иошго-ииплантированных слоев, получения ФСС, формирования силицидов, а так же для тонких плёнок оксидов и нитритов.

Анализ существующего отечественного оборудования показал, что наиболее критичным с точки зрения качества получаемых структур является реакторный блок установки. Оптимизация конструктивных параметров позволяет повысить качество формируемых слоев. Результаты опытной эксплуатации отечественного оборудования БТО показали целесообразность создания подобных установок для экспресс-контроля оборудования, для технологических процессов ионной имплантации, для формирования тонких плёнок с эксплуатационными характеристиками и уровнем надёжности, соответствующими мировым стандартам.

В установках БТО наиболее критичным с точки зрения качества получаемых структур является реакторный блок установки. Оптимизация его конструктивных параметров позволит значительно повысить качество

формируемых слоев. Отсюда тема диссертации, посвященная разработке реакторного блока установок БТО, является актуальной. Цель и задачи работы.

Целью работы является анализ температурных полей в реакторе, разработка принципов конструирования нагревателей и реакторного блока установок БТО. В работе обсуждается модель создания равномерного температурного поля внутри реакторного блока с целью обеспечения изотермического процесса термообработки. Определены основные параметры, влияющие на качество формируемых структур и установлена их функциональная связь. Разработан реакторный блок установки БТО с учётом оптимизации основных конструктивных параметров. Создана программа, позволяющая оптимизировать различные конструкции реактора при заданных температурных параметрах и метод контроля температуры в зоне термообработки.

Научная новизна работы.

Новизна исследования заключается в разработке теоретических положений, необходимых при конструировании реакторного блока установок БТО, в выборе контроля температурного режима обработки. Научное и прикладное значение:

1. Разработана программа расчёта , неравномерности облучённости и геометрических параметров реактора установки БТО.

2. Разработана методика расчета мощности ламп и их распределения в реакторе установки БТО.

3. Разработан критерий выбора допустимого перепада температур по поверхности обрабатываемой пластины

4. Разработаны маршруты формирования реальных полупроводниковых структур с использованием установок БТО.

Практическая значимость.

Результаты и рекомендации, полученные в ходе выполненного исследования, могут быть использованы в процессе проектирования нового

оборудования БТО. Разработанная программа позволяет выполнять определенный этап конструкторских работ в части расчёта геометрии осветителя и реактора. На основании проведённых исследований сформулированы рекомендации по выбору технологических параметров реакторных блоков установок БТО. Достоверность результатов.

Достоверность теоретических положений и выводов подтверждается согласием их с экспериментальными результатами. Лычный вклад автора.

Автором проведён анализ представленного на рынке оборудования БТО. Автором создана универсальная программа, позволяющая оптимизировать конструкции реакторов. Автор принимал непосредственное участие в пуско-наладочных, экспериментальных работах по определению и оптимизации характеристик установок. Внедрение результатов работы.

Установки, созданные на основе разработанного реакторного блока успешно применяются в лабораторных и технологических процессах на заводе «Микрон», (г. Зеленоград) и на заводе Китайской Восточно-торговой компании по импорту и экспорту электроники. На защиту выносятся:

1. Результаты исследования температурных полей при импульсном ИК-нагреве.

2. Результаты расчёта геометрических характеристик осветителей, соответствующих минимальной неравномерности освещённости по пластине в реакторе установки БТО при ИК-нагреве.

3. Результаты разработки методики контроля температуры в реакторе установок БТО.

4. Результаты разработки реактора установки БТО.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на научных семинарах НИИТМ, на Межвузовских научно-технических

конференциях "Микроэлектроника и информатика" (г. Зеленоград, 1997-1999 г.г.).

Публикации. Основные материалы диссертационной работы опубликованы в 2-х статьях и в 3-х тезисах докладов на конференциях.

Структура и объём работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырёх разделов, общих выводов, списка литературы и приложения.

Работа изложена на 126 страницах текста, содержит 41 рисунок, 11 таблиц, список литературы включает в себя 72 наименования.

Содержание работы

Во введении обосновывается актуальность темы диссертации, цель работы, научное и прикладное значение полученных результатов, основные положения, которые выносятся на защиту, рассматривается практическая значимость диссертации.

В первом разделе дан анализ развития установок БТО, возможности и особенности проведения процессов, обсуждаются варианты реакторов и методов контроля температуры. Рассмотрены экономические аспекты применения данного вида оборудования.

Быстрая термическая обработка (БТО) полупроводниковых структур является одним из методов импульсной термообработки, характеризующейся длительностью теплового импульса от единиц до десятков секунд. Нагрев полупроводниковых пластин осуществляется мощными тепловыми потоками до равновесной температуры, определяемой тепловым балансом. Перечень операций, которые можно эффективно проводить технологией БТО, показан на рис. 1

_I_I_I I I

О 20 40 60 80 100 Время, с

Рис1. Области применения быстрой термической обработки.

1. отжиг кристаллов и структур после имплантации кислорода для формирования областей диэлектрической изоляции;

2. отжиг ионно-имплантированных слоёв.

3. оплавление стекла;

4. окисление и азотирование;

5. химическое осаждение из газовой фазы.

6. окисление и азотирование;

7. формирование омических контактов.

Исследования показали, что БТО обеспечивает высокое качество отжига ионно-легированных слоёв (ИЛС), формирование омических

контактов, получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических плёнок, оплавление плёнок фосфоросиликатного и боросиликатного стекол, рекристаллизацию аморфных и поликристаллических плёнок. Необходимым условием получения качественной обработки БТО является равномерность, стабильность поля температур в реакторе, а так же высокоточная управляемость величиной теплового потока.

В типовом процессе по 0,25-0,5 мкм - технологии в печах групповой обработки используется 10-15 операций предварительного окисления и отжига для формирования активных областей и изоляции приборов. Толщина термических окислов находится в диапазоне от 40 А для затворных окислов, до >0,5 мкм для полевых окислов в LOCOS изоляции (технология изготовления МОП ИС с толстым защитным слоем оксида кремния). Эти процессы обычно выполняются в печах групповой обработки при температурах от 600 до 1100 °С. Время отжига в диапазоне от 90 мин для разгонки карманов до 10 мин для активации истока/стока или отжига борфосфоросиликатного стекла. Учитывая последние успехи в разработке оборудования БТО печн групповой обработки не могут обеспечивать лучшие показатели по издержкам владения оборудованием или возможностям обработки в указанных временных и температурных режимах.

Тонкие окислы и оксинитриды, выращенные в установке БТО, по электрическим характеристикам эквивалентны слоям, выращенным в печах. В производстве установки БТО пока еще редко используются для затворных и туннельных окислов. Первые установки характеризовались неудовлетворительной равномерностью и воспроизводимостью обработки по сравнению с печами групповой обработки. Одной из причин низкого качества является несовершенство конструкции нагревателя в камере установки БТО. .

Наиболее привлекательная сторона быстрой термической обработки состоит в использовании рабочей камеры с холодными стенками (что

уменьшает загрязнения), индивидуальной обработке (что означает снижение риска для производства), низкой термической массе (что обеспечивает четкие характеристики отжига) и хорошем контроле среды. Успех в применении определяется прежде всего выбором источника тепла для низкой термической массы, конструкции реактора и усовершенствованном контроле и измерении температуры.

В первых установках в качестве источника тепла использовался импульсный лазер, затем электронно-лучевые, резистивные нагреватели, дуговые лампы, и наконец, галогенные лампы с несколькими нитями накала, с организацией нагрева по нескольким зонам.

Применялись три основных типа реакторов: с холодными стенками, теплыми стенками и горячими стенками. Реакторы с холодными стенками -обычно металлические камеры (из нержавеющей стали ), отполированные или покрытые золотом для повышения отражательной способности камеры, снабженные окном для источника тепла. Реакторы с теплыми стенками -кварцевые камеры, окруженные источником тепла и рефлекторами. Реакторы с горячими стенками - печи для индивидуальной обработки, состоящие из корпуса, изготовленного из кварца или карбида кремния, окруженного элементом с резистивным нагревом. Поскольку температурный профиль в системе фиксированный, пластина быстро выводится на требуемую температуру перемещением в определённую зону в камере. Все три типа реакторов используются, каждый из них имеет свои преимущества и недостатки. Несмотря почти на три десятилетия разработок низкие технологические характеристики замедлили переход БТО в основное полупроводниковое производство.

Быстрый неравновесный нагрев, связанный с неравномерностью температур по пластине и несовершенным контролем и измерением температур может в худшем случае привести к пластической деформации и короблению пластин. Отсюда контроль и измерение температур являются наиважнейшими проблемами быстрой термической обработки.

В первых установках температура измерялась с помощью либо термопар либо оптических пирометров. Термопары в контакте с пластиной использовались всякий раз, когда измерение фактической температуры пластины имело важное значение; они помещались в карбид-кремниевый, кварцевый или инконелевый кожух для предотвращения ухудшения свойств вследствие чрезмерного нагрева или коррозийных сред. Отличаясь достаточной надежностью, термопары страдают медленной ответной реакцией, а их срок службы обратно пропорционален температуре процесса. В более поздних системах использовались пирометры. Они характеризуются быстрым срабатыванием, но на измерение температуры может оказывать негативное влияние разброс излучательной способности пластины. В последних установках используется более надежный твердотельный пирометр.

Третий метод заключается в регистрации интенсивности лампы во время обработки "эталонной пластины" с последующей обработкой остальных пластин в режиме "воспроизведения" интенсивности разомкнутого контура. Этот метод, лучше подходит к процессам с малым изменением комплекта шаблонов и пленок с обратной стороны пластины.

В производстве полупроводниковых приборов прослеживается тенденция к индивидуальной обработке пластин, за исключением процессов предварительного термического окисления, отжига и процессов осаждения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD). Индивидуальная обработка пластин облегчает кластеризацию, снижает время цикла, уменьшает риск появления дефектов в операции вследствие малого количества обрабатываемых пластин, обеспечивает более чистую среду благодаря уменьшенному объему реактора, позволяет создать более совершенное управление процессом.

В течение нескольких лет установки БТО, заявляя о перечисленных преимуществах, пытались пробиться на рынок печей периодического действия. Хотя увеличение размеров пластин от 150 до 200 мм предоставило

установкам БТО возможность конкурировать с печами групповой обработки пластин, контроль температур все же оставался проблемой. В настоящее время но мере перехода промышленности к большим размерам пластин и по мере ужесточения требований, предъявляемых к термическому балансу, толщине и равномерности пленок, индивидуальная предварительная термическая обработка пластин опять привлекла к себе серьезное внимание.

Другое препятствие во внедрении в производство установок БТО заключается в широкой базе используемых печей групповой обработки. Предварительная обработка диэлектриков в установках БТО должна быть отделена от отжига истока/стока, борфосфорсиликатного стекла или отжига Т1512 для предотвращения перекрестных загрязнений. В некоторых производствах установки БТО используются только для предварительной обработки.

Исходя из изложенного выше, для перехода в производстве от печей групповой обработки к оборудованию БТО, необходимы большие капиталовложения. Это препятствие, видимо, обусловит распространение оборудования БТО только в производстве следующего поколения ( пластин диаметра 300 мм).

Во втором разделе проведено теоретические исследования тепловых полей в камере БТО. Получены зависимости изменения температуры от времени при различных условиях нагрева/охлаждения пластины. Изложены светотехнический расчёт реактора с ИК- нагревом и расчёт мощности ламп для ИК-нагрева. Кроме этого рассчитаны максимальные температурные напряжения в полупроводниковой пластине при обработке в камере БТО и выработан критерий допустимой неравномерности температурного поля.

Использование импульсных методов нагрева пластин позволяет свести к минимуму отрицательные эффекты, связанные с продолжительностью высокотемпературной обработки, а также сократить длительность технологической операции.

Наиболее качественным является нагрев пластины с двух сторон. Импульсный подогрев подложки проходит непосредственно перед облучением рабочей поверхности либо одновременно с ним .

Поглощение излучения полупроводником происходит в узкой приповерхностной зоне, где и выделяется основная тепловая энергия. По степени ее перераспределения по толщине пластины, зависящей от длительности импульса излучения х, можно выделить три основных режима импульс [гай обработки. При адиабатическом режиме (т< I О'7 с) получаемый профиль распределения температуры по пластине близок к профилю поглощённой энергии. В режиме теплового баланса (т>104 с) устанавливается равенство подводимой и отдаваемой образцом тепловой мощности. Достигнутое распределение температуры стабилизируется до окончания светового импульса и перестает зависеть от его длительности. Режим теплового потока является промежуточным между описанными двумя.

Для численного расчёта температуры в пластине, проведённого в условиях теплового баланса использовалась зависимость:

Т'+| = Г Г'+1 + м

где Г/ - температура ¡-го слоя в момент времени 1 Коэффициенты Ь и М вычисляются рекуррентным образом:

через начальные значения Ь0 5=1/(Ь-1) и М0.5=Г(/(Ь-1), где Ь = 2 + сЛг / 0Д/ /„ = (6-2)7]' + »'„Дс/е (Лх и Д1: - шаги по координате и времени соответственно). Значение ^'вычисляется из , исходя из граничных условий по соотношению

Кь-Ь^-Х)

Распределение температуры Т, по толщине пластины с1, установившееся к

моменту окончания импульса нагрева, приведено на рис.2, (кривая 1).

Т,К 1700

1695

1690

3

\

с!,мкм

380

Рис. 2 Профили температурных распределений в пластине кремния при естественном остывании. 1-0; 2-300; 3-1500; 4-3000 мкс.

Кривые 2-4 отражают кинетику процесса охлаждения до стабилизации формы профиля распределения температуры. Наблюдаемое изменение формы температурного профиля до её стабилизации (от кривой 1 до 4) происходит при весьма малом (5 °К) изменении средней температуры пластины.

В процессе охлаждения две плоскости постоянной температуры (например, температуры кристаллизации) смещаются навстречу друг другу: одна - от поверхности в глубь пластины, а другая из объема к поверхности. При этом процесс рекристаллизации в приповерхностной области будет протекать в направлении от облученной поверхности в глубь пластины. Выстраивание кристаллической решетки от аморфизованной либо даже расплавленной поверхности не может обеспечить совершенство кристаллической структуры материала. На некоторой глубине в пластине возникнет область смыкания рекристаллизованной структуры с исходной

4

0

решеткой кристалла. Нарушения кристаллической структуры могут привести к ухудшению характеристик полупроводниковых приборов, изготовленных на такой пластине. В особенности это скажется на характеристиках приборов, у которых приповерхностный слой является рабочей областью.

Ясно, что для получения совершенной приповерхностной области необходимо направить рекристаллпзадионный процесс в обратную сторону, т. е. из объема пластины к рабочей поверхности. Этого можно достичь, обеспечив достаточный теплоотвод от задней поверхности, т. е. создать необходимую разность температур между поверхностями пластины в течение всего процесса рекристаллизации.

Используя указанную выше зависимость были рассмотрены распределения температур в пластине в процессе ее охлаждения при постоянной разности температур между поверхностями.

Из анализа полученных графиков следует, что желаемое направление движения рекристаллизации может быть достигнуто только при обеспечении определенной разности температур между поверхностями в процессе охлаждения. Пороговое значение разности температур, обеспечивающее нулевой градиент, зависит от толщины пластины. Эта зависимость получена численным расчетом и в области 10-400 мкм аппроксимирована полиномиальным выражением

ДГ(, = 6,87-10"2^ + 4,33 -10"4с/2 +1,20-КГ5£р — 2,61 -КГ'й4

Для пластин кремния толщиной 380 мкм пороговое значение АТ38О=200°К.

Для проведения светотехнического расчёта реакторного блока использовалась методика, основанная на анализе опыта эксплуатации аналогичных конструкций или на расчетно-экспериментальных исследованиях отдельных, частных элементов конструкции. Данный подход состоит в следующем: выбираются излучатели и их количество, материалы отражательных стенок камеры, реактора, предварительно выбираются

основные геометрические взаимоотношения конструкции печи, шаг между лампами- излучателями, тип и размеры рефлектора и т. п. Затем для выбранной конструкции проводятся уточняющие расчеты и подтверждается логичность и целесообразность изменения конструкции предшествующего аналога.

Исходя из вышесказанного была написана программа светотехнического расчёта и оптимизации конструкторских параметров блока нагрева. Расчетная схема камеры приведена на рис 3.

I,___

_ 3

1

ь)

Рис.3 . Расчётная схема рабочей камеры

а) Продольный разрез камеры отжига по оси X,

б) Поперечный разрез камеры отжига по оси У

1-Тело накала лампы. 2-Полупроводниковая пластина. 3- Камера отжига.

Ш-высота ¿-го источника (ось Т)\ Вьрасстояние от оси симметрии пластины до источника (ось X); Сьмощность ¡-го источника; А-расстояние от оси симметрии до стенки камеры; Б-диаметр пластины; Ь-длина тела накала лампы; Р- расстояние от торца лампы до стенки камеры.

В качестве варьируемых параметров в задаче рассматривалось расстояние между источниками излучения В1, расстояние до пластины И и мощность ламп Сл.

При прочих равных условиях необходимо стремиться к минимальной величине Н, для снижения общей мощности излучения, повышения скорости нагрева и уменьшения влияния на результаты расчета вторичных излучений. Исходя из конструктивных требований, Нтш=60 мм.

Расчет камеры был произведен при следующих начальных условиях: А=135шт, Р=5тт, 11=0.8, N=6 (число источников излучения),

ВЬ==260тт(длина тела накала), НХ=5шш, НУ=5шгп,

Н1=5шш(приращения координат по пластине и лампе соответственно), 0=150шгп(диаметр пластины), Еор1=2% (неравномерность освещённости).

Исходные параметры ламп: Таблица 1

Номер источника И,мм. В1,мм. О,отн.ед.

1 115 35 6000

2 128 107 6000

3 75 115 6000

В результате трех циклов работы программы получены следующие координаты расположения источников света .

Рассчитанные координаты ламп. Таблица 2

Номер источника И,мм. В1,мм.

1 103 35

2 139 107

3 74 115

При таком расположении источников неравномерность облученности по диаметру пластины составляет Е=1,4%, что удовлетворяет техническим требованиям к осветителю. Следует отметить, что неравномерность

распределения температуры по поверхности пластины будет меньше чем неравномерность облученности, вследствие влияния двух факторов. Во-первых, выравнивание температурного поля происходит за счёт теплоотдачи материала пластины, а, во-вторых, более нагретые участки поверхности имеют меньший коэффициент поглощения лучистой энергии и, наоборот, менее нагретые - больший. Таким образом происходит некоторое выравнивание температурного поля.

Для расчёта мощности, необходимой для достижения заданной температуры, за определённое время, выведены соответствующие зависимости и построены графики. Используя полученные зависимости в программе управлякщей блоком осветителей, возможно получение необходимых температур и темпов нагрева.

Кроме вышеописанного во второй главе был проведён анализ температурных напряжений, позволяющий построить, критерий выбора допустимого перепада температур, исключающего пластическую деформацию пластин, т.е. исключающего формирование полей дислокаций. Был проведён расчет зависимостей для радиальных иги тангенциальных <тл напряжений возникающих в пластине при осесимметричном нагреве. Условие отсутствия пластических деформаций на периферии пластины определяется неравенством

а„ = 0,5 * с, = 0,5а * ЕАТе < ат

Отсюда допустимый перепад температур по диаметру будет: ДГ„ <———,

0,5 *а*Е

где ос - коэффициент термических расширений ат -предел текучести

пластины при температуре обработки. При ат =2,5 МПа, а=4* 10" К"1 Е=0,85*105МПа и температуре обработки 1100°С перепад температур не должен превышать ~14°С, т.е. пластической деформации не будет при перепаде температур по радиусу 75 мм менее 14°С.

В третьем разделе проведено экспериментальное исследование температурных полей. Предложены критерии оценки качества процессов отжига пластины:

1- коробление- отклонение от первоначальной неплоскостности не должно превышать ±2 мкм.

2- линии сдвига -рассовмешение (уход от размеров) на пластине не должно превышать 0,3 мкм; линии сдвига не должны проникать в пластину, более, чем на 0,2 мм.

3- однородность поверхностного сопротивления - неоднородность не должна превышать величины, получаемой при стандартном отжиге в печах.

Разброс поверхностного сопротивления на пластине может дать объективную информацию о неравномерности её нагрева.

Рассмотрены методики контроля и регулирования температуры в реакторе установки БТО. Предложены конкретные способы измерения температуры для исследуемого реактора - применение метода задания времени нагрева и метода измерения температуры спутников с помощью термопар.

Наиболее пригодной для применения в установке является хром-алюмелевая термопара. Положительным термоэлектродом в такой термопаре является жаростойкий хромоникелевый сплав хромель (N1+9 - 10% Сг+0,6 -1,2% Со); отрицательным термоэлектродом - сплав алюмель, приблизительный состав которого N¡+1% 51+2% А1+1 - 2,5% Мп. Эта термопара - наиболее распространенная из всех, изготовленных из неблагородных металлов и предназначенных для области высоких температур. На основе этих термопар разработана система контроля и регулирования температуры с обратной связью. Приведены методика тарировки этой системы, и её принцип действия. Указаны методики расчёта неравномерности и воспроизводимости температур по поверхности пластин.

Основываясь па расчете произведенном с помощью разработанной программы (из 2го раздела) были получены базовые конструктивные геометрические параметры блока излучателей, оптимизированы высота и положение ламп относительно центральной оси реактора. Схематическое изображение реактора приведено на рис. 4.

^ к ни

Рис.4. Схема реактора.

1- кварцевая, воздухоохлаждаемая трубка с тремя лампами типа КГ-220-2000-3. 2- Поверхность отражателя. 3- Кварцевый реактор. 4-Полупроводниковая пластина. 5- Держатель пластины. 6- Водоохлаждаемая крышка.

Наиболее оптимальным для данной конструкции является применение золочёного рефлектора, сформированного гальваническим покрытием Н3.3л9 нанесённым на подслой никеля, толщиной 3 мкм. Отражающая поверхность механически обработана с Я2<0,1 мкм.

В качестве источников излучения в установке рекомендуется использование галогенных ламп накаливания (ГЛН) типа КГ 220-2000-3.

В результате экспериментальных исследований были получены профили распределения температуры по двум сечениям (рис. 5). Данное

распределение было зафиксировано с помощью контрольных термопар, прикрепленных к полупроводниковым пластинам.

Из анализа кривых следует, что на поверхности пластины в пределах зоны обработки г<75 мм разность температур не превышает 1% или 12°С. Отсюда следует, что в пластине не будут возникать пластические деформации. Более заметные перепады температур по сечению 1-1 видимо связаны с воздействием близко расположенных стенок, поглощающих тепло.

Рис. 5. Относительное изменение температуры нагрева пластины в зоне обработки для сечений I-I и II-II рабочей камеры.

С целью анализа влияния отклонения питающих напряжений на лампах были проведены исследования кинетики нагрева и максимальной температуры в камере. Эксперименты проводились на установке ТМ-1406 при изменении напряжения от 193 до 239 В. Установлено, что при отклонении напряжения на входах ламп (от 220 в) на ±17-18 В температура изменяется в пределах ±4°С. При этом перепад температур по диаметру

94- -

92- -

юо so бо АН го о го 40 60 во мо г,т

пластины не превышает 12 °С. Это говорит о высокой стабильности температурного режима при возможных перепадах напряжения.

В четвёртом разделе проведено описание работы промышленной установки БТО, её конструктивные особенности. Также даны результаты технологических испытаний. Проведено экспериментальное исследование образцов ионнолегированных структур после операций термообработки. (БТО и изотермический отжиг в диффузионной печи)

В качестве примера описывается промышленная установка модели ТМ 1406. Она' предназначена для выполнения высокотемпературных операций быстрого термического отжига кремниевых пластин и для получения тонких плёнок при производстве СБИС.

Технологические испытания установки БТО проводились с целью проверки функционирования отдельных узлов, агрегатов и систем, а также с целью проверки соответствия основных функциональных характеристик установки требованиям КД. Общие результаты испытаний установки БТО ТМ-1406 приведены в итоговой таблице.

Экспериментальное исследование образцов ионнолегированных структур после операций термообработки проводилось с целью определения характеристик оборудования и технологического процесса БТО ионнолегированных структур Это необходимо для разработки неразрушающего экспрессного метода контроля оборудования и технологических процессов ионной имплантации при производстве СБИС.

Качество процессов активационного отжига ионнолегированных слоев (примесь- Ав), выполняемые на оборудовании для БТО и термодиффузионном оборудовании ( изотермический отжиг), характеризуются сопоставимыми значениями неравномерности поверхностного сопротивления по. пластинам (+/-1,12% и +/-1.21%, соответственно) и воспроизводимости результатов обработки.

На основании полученных результатов и с учётом сравнительных технико-экономических показателей процессов активационного отжига ионнолегированных структур, выполняемых на оборудовании для БТО и термодиффузионном оборудовании, при производстве СБИС с проектными нормами 0,8-1,2 мкм на пластинах 0150 мм целесообразно применение процесса БТО ( отжиг пластин- спутников) для экспресс контроля оборудования и технологических процессов ионной имплантации.

Общие выводы

1. Показано, что быстрая термическая обработка на данный момент является перспективным направлением в области электронных технологий. Оборудование БТО всё шире используется в технологических процессах, например в процессах обработки затворных, расходуемых окислов, окислов контактных площадок и отжига с целью уплотнения структуры. Главным достоинство данного оборудования - высокое качество обрабатываемых структур, что достигается путём создания равномерного теплового поля в реакторе и на пластине.

2. Показано, что наиболее важным узлом оборудования БТО является блок нагрева. В работе, на основе теоретических и экспериментальных исследований создана конструкция нового реактора с нагревательным блоком, обеспечивающим равномерный нагрев пластин.

3. Установлено, что применение импульсных методов нагрева приводит к структурным изменениям, связанным с градиентом температур в поверхностном слое пластины. Показано, что наиболее целесообразным является нагрев пластин тепловыми ИК-источниками с постоянным излучением.

4. Па основании анализа напряжённо-деформированного состояния пластины в реакторе предлагается критерий выбора допустимого градиента температур вдоль диаметра пластины. Показано, что в кремниевых

пластинах диаметром 150 мм во избежание пластических деформаций перепад температур не должен превышать 14 °С.

1. Предложена метрдика расчёта мощности ламп ИК- нагрева пластин. Получены зависимости, позволяющие определить скорость нарастания температуры пластины, что необходимо для анализа переходных процессов в системе регулирования мощности ламп.

2. Показано, что для эффективного контроля температуры в реакторе БТО возможно применение термопар, включённых в контур управления с обратной связью.

3. На основании теоретических и экспериментальных исследований установлено оптимальное расположение тепловых источников в осветителе. Показано, что для наиболее эффективного использования осветителей их надо располагать взаимноперпендикулярно.

4. Результаты исследований использованы при создании установки БТО модели ТМ-1406. Показана высокая эффективность работы установки, как в России, так и за рубежом. Обсуждается возможность использования установки в новых технологических процессах.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Н.В. Гревцев, C.B. Сажнев, А.Г. Сосунов. Автоматическая установка быстрой термической обработки. // Тез. докл. на Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 97". - М.: МИЭТ, 1997.-Ч. 2.

2. C.B. Сажнев, А.Г. Сосунов. Расчёт конструкции блока осветителей установки быстрой термической обработки. // Тез. докл. на Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 97". -М.: МИЭТ, 1997.-Ч. 2.

3. A.A. Слагода, А.Г. Сосунов. Оптимизация конструкции блока нагрева установки быстрой термической обработки. // Тез. докл. на Межвузовской

научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 99". -М.: МИЭТ, 1999.

4. В.Н. Тимофеев, C.B. Сажнев, А.Г. Сосунов. Оптимизация конструкторских параметров блока реактора установки быстрого термического отжига в технологии изготовления интегральных микросхем уровня интеграции 4М-16М. // Научные основы разработки новых технологий и технологического оборудования производства СБИС: Сб. научных тр. МИЭТ / Под ред. проф. П. Е. Кандыбы. - М.: МИЭТ, 1998.

5. В.Н. Тимофеев, А.Г. Сосунов. Расчёт температурных напряжений в полупроводниковой пластине, возникающих в условиях быстрой термической обработки. Сб. научных тр. МИЭТ / Под ред. проф. П. Е. Кандыбы. - М.: МИЭТ, 2000.

Введение.

1. Проблемы разработки и использования установок быстрой термической обработки.

1.1 Технологические процессы в установках БТО.

1.2 Блоки нагрева пластин в установках БТО.

1.3 Контроль быстрого термического процесса.

1.4 Оценка современных установок БТО. Выводы по 1 разделу.

2. Теоретическое исследование тепловых полей в камере БТО.

2.1 Расчёт температуры пластины в установке БТО при импульсном нагреве.

2.2 Светотехнический расчёт реактора с ИК- нагревом.

2.3 Расчёт мощности ламп для ИК-нагрева.

2.4 Температурные напряжения в полупроводниковой пластине при обработке в камере БТО.

Выводы по 2 разделу.

3. Экспериментальные исследования температурных полей в камере БТО.

3.1 Методики контроля и регулирования температуры в реакторе установки БТО.

3.2 Расположение тепловых источников в реакторе установки БТО.

3.3 Результаты измерения температуры в реакторе. Выводы по 3 разделу.

4. Установка быстрой термической обработки, конструкция и применение.

4.1 Описание работы промышленной установки, её конструктивные особенности.

4.2 Технологические испытания установки.

4.3 Экспериментальное исследование образцов ионнолегированных структур после операций термообработки.

Выводы по 4 разделу. Общие выводы. Литература.

Быстрая термическая обработка (БТО) полупроводниковых структур является одним из методов импульсной термообработки, характеризующейся длительностью теплового импульса от единиц до десятков секунд. Нагрев полупроводниковых пластин осуществляется мощными тепловыми потоками до равновесной температуры, определяемой тепловым балансом.

Технология быстрой термической обработки достигла в последнее время значительных успехов. Динамическая обратная связь, многозонный контроль и осесимметричная конструкция камеры позволили повысить технологичность и усовершенствовать управление процессом. [1-3]

Исследования показали [3], что БТО обеспечивает высокое качество отжига ионно-легированных слоев (ИЛС), формирование омических контактов, получение силицидов металлов, тонких окисных и диэлектрических плёнок, оплавление плёнок фосфоросиликатного и боросиликатного стекол, рекристаллизацию аморфных и поликристаллических плёнок. Необходимым условием получения качественной обработки БТО является равномерность, стабильность поля температур в реакторе, а так же управление величиной теплового потока. [4-6]

В производстве полупроводниковых приборов прослеживается тенденция к индивидуальной обработке пластин, за исключением процессов предварительного термического окисления, отжига и процессов осаждения слоёв из газовой фазы при пониженном давлении (LPCVD). Индивидуальная обработка пластин облегчает кластеризацию, снижает время цикла, уменьшает риск появления дефектов в операции вследствие малого количества обрабатываемых пластин, обеспечивает более чистую среду благодаря уменьшенному объему реактора, позволяет создать более совершенное управление процессом.

В течение нескольких лет установки БТО, заявляя о перечисленных преимуществах, пытались пробиться на рынок печей периодического действия. Хотя увеличение размеров пластин от 150 до 200 мм предоставила установкам БТО возможность конкурировать с печами групповой обработки пластин, контроль температур все же оставался проблемой. В настоящее время по мере перехода промышленности к большим размерам пластин и по мере ужесточения требований, предъявляемых к термическому балансу, толщине и равномерности пленок, индивидуальная предварительная термическая обработка пластин опять привлекла к себе серьезное внимание.

В типовом процессе по 0,25-0,5 мкм - технологии в печах групповой обработки используется 10-15 операций предварительного окисления и отжига для формирования активных областей и изоляции приборов [1, 2]. Толщина термических окислов находится в диапазоне от 40 А для затворных окислов, до >0,5 мкм для полевых окислов в LOCOS изоляции (технология изготовления МОП ИС с толстым защитным слоем оксида кремния). Эти процессы обычно выполняются в печах групповой обработки при температурах от 600 до 1100 °С. Время отжига находится в диапазоне от 90 мин для разгонки карманов до 10 мин для активации истока/стока или отжига борфосфоросиликатного стекла. Учитьюая последние успехи в разработке оборудования БТО печи групповой обработки не могут обеспечивать лучшие показатели по издержкам владения оборудованием или возможностям обработки в указанных временных и температурных режимах.

Тонкие окислы и оксинитриды, выращенные в установке БТО, по электрическим характеристикам эквивалентны слоям, выращенным в печах [3-8]. В производстве установки БТО пока еще редко используются для затворных и туннельных окислов. Первые установки характеризовались неудовлетворительной равномерностью и воспроизводимостью обработки по сравнению с печами групповой обработки. Одной из причин низкого качества является несовершенство конструкции нагревателя в камере установки БТО.

Другое препятствие во внедрении в производство установок БТО заключается в широкой базе используемых печей групповой обработки. Предварительная обработка диэлектриков в установках БТО должна быть отделена от отжига истока/стока, борфосфорсиликатного стекла или отжига TiSi2 для предотвращения перекрестных загрязнений. В некоторых производствах установки БТО используются только для предварительной обработки.

Исходя из изложенного выше, для перехода в производстве от печей групповой обработки к оборудованию БТО, необходимы большие капиталовложения. Это препятствие, видимо, обусловит распространение оборудования БТО только в производстве следующего поколения ( пластин диаметра 300 мм).

Результаты опытной эксплуатации отечественного оборудования БТО показали целесообразность создания подобных установок для технологии формирования тонких плёнок с эксплуатационными характеристиками и уровнем надёжности, соответствующими мировым стандартам. Анализ существующего оборудования БТО показал, что наиболее критичным с точки зрения качества получаемых структур является реакторный блок установки. Оптимизация его конструктивных параметров позволит значительно повысить качество формируемых слоёв. Отсюда тема диссертации, посвященная разработке реакторного блока установок БТО, является актуальной.

Целью работы является анализ температурных полей в реакторе, разработка принципов конструирования нагревателей и реакторного блока установок БТО. В работе обсуждается модель создания равномерного температурного поля внутри реакторного блока с целью обеспечения изотермического процесса термообработки. Определены основные параметры, влияющие на качество формируемых структур и установлена их функциональная связь. Разработан реакторный блок установки БТО с учётом оптимизации основных конструктивных параметров. Прилагается программа оптимизации конструкции реактора при заданных температурных параметрах и метод контроля температуры в зоне термообработки.

Новизна исследования заключается в разработке теоретических положений, необходимых при конструировании реакторного блока установок БТО, в выборе контроля температурного режима обработки. Научное и прикладное значение:

1. Разработана программа расчёта неравномерности облучённости и геометрических параметров реактора установки БТО.

2. Разработана методика расчета мощности ламп и их распределения в реакторе установки БТО.

3. Разработан критерий выбора допустимого перепада температур по поверхности обрабатываемой пластины

4. Разработаны маршруты формирования реальных полупроводниковых структур с использованием установок БТО.

На защиту выносятся: 1. Результаты исследования температурных полей при импульсном нагреве.

2. Результаты исследования тепловых полей в реакторе установки БТО при ИК-нагреве.

3. Результаты разработки методики контроля температуры в реакторе установок БТО.

4. Результаты разработки реактора установки БТО.

Результаты исследований изложены в диссертации в четырёх разделах и приложении.

В первом разделе дан анализ развития установок БТО, обсуждаются варианты реакторов и методов контроля температуры.

Во втором разделе изложены результаты исследования тепловых полей в реакторе при импульсном ИК-нагреве, описан метод расчета геометрии осветителя в блоке нагрева.

В третьем разделе представлены результаты экспериментальных исследований температурных полей в реакторе установки БТО при ИК-нагреве. Обсуждаются оптимальные варианты расположения тепловых источников, формируются принципы построения реактора.

Четвёртый раздел посвящен анализу работы установки БТО, рассматриваются её конструктивные особенности. Приведены результаты технологических испытаний установки, а так же результаты исследования образцов ионнолегированных структур после операции отжига.

В заключение приведены общие выводы по результатам исследования.

Результаты внедрения даны в приложениях.

Отдельные положения работы докладывались на межвузовских научно-технических конференциях «Микроэлектроника и информатика» в 1997-1999г.

По теме диссертации опубликовано 2 статьи и 3 тезисов.

Автор выражает глубокую благодарность за помощь в подготовке работы научному руководителю - профессору Тимофееву Владимиру Николаевичу, научному консультанту - к.т.н. Сажневу Сергею Викторовичу, а также сотрудникам 17 отделения НИИТМ : Сафонову Виктору Алексеевичу, Маркиянову Виктору Петровичу, Фюрсту Леониду Георгиевичу, Приваловой Ольге Владленовне.

Общие выводы.

1. Показано, что быстрая термическая обработка на данный момент является перспективным направлением в области электронных технологий. Оборудование БТО всё шире используется в технологических процессах, например в процессах обработки затворных, расходуемых окислов, окислов контактных площадок и отжига с целью уплотнения структуры. Главным достоинство данного оборудования - высокое качество обрабатываемых структур, что достигается путём создания равномерного теплового поля в реакторе и на пластине.

2. Показано, что наиболее важным узлом оборудования БТО является блок нагрева. В работе, на основе теоретических и экспериментальных исследований создана конструкция нового реактора с нагревательным блоком, обеспечивающим равномерный нагрев пластин.

3. Установлено, что применение импульсных методов нагрева приводит к структурным изменениям, связанным с градиентом температур в поверхностном слое пластины. Показано, что наиболее целесообразным является нагрев пластин тепловыми ПК-источниками с постоянным излучением.

4. На основании анализа напряжённо-деформированного состояния пластины в реакторе предлагается критерий выбора допустимого градиента температур вдоль диаметра пластины. Показано, что в кремниевых пластинах диаметром 150 мм во избежание пластических деформаций перепад температур не должен превышать 14 °С.

5. Предложена методика расчёта мощности ламп ПК- нагрева пластин. Получены зависимости, позволяющие определить скорость нарастания температуры пластины, что необходимо для анализа переходных процессов в системе регулирования мощности ламп.

6. Показано, что для эффективного контроля температуры в реакторе БТО возможно применение термопар, включённых в контур управления с обратной связью.

7. На основании теоретических и экспериментальных исследований установлено оптимальное расположение тепловых источников в осветителе. Показано, что для наиболее эффективного использования осветителей их надо располагать взаимноперпендикулярно.

1. Sedgwik Т.О (1987) Rapid Thermal processing: how well is it doing and where is it going?, MRS Symp. Proc vol92,3.12.

2. Edgar T.F. and T.Breedijk (1994), Owerview of process control issuses in Rapid thermal processing. RTP 94, Monterey, USA,266,277.

3. Iscoff R. (1994), In -situ deposition rate monitoring for thin films, Semiconductor International, August 94, 69,76.

4. Barna G.G., L.M. Loewenstein, S.A. Henck, P. Chapados, K.J. Branker R.J. Gale and others (1994), Dry etch process and sensors, Solid State Technology, January 94,47,53.

5. Moslehi M.M., C.J. Davis and others (1994), Single-wafer processing tools for agile semiconductor production, Solid State Technology, January 94, 35,45.

6. Moslehi M.M.,(1990) Noninvasive sensors for in-situ process monitoring and control in advanced microelectronics manufacturing, Rapid Thermal and Related Processing Techniques, Santa Clara, USA, Proc. SPIE, 280,294.

7. Sedgwick Т.О., R Kalish and others (1983), Short time annealing for As and В ion implanted Si using tungsten-halogen lamps, MRS Symp. Proc. Vol.23 293,298.

8. Wilson S.R.,R.B. Gregory, W.M. Paulson (1985), An owerview and comparison of rapid Thermal processing Equipment: a users viewpoint MRS Symp. Proc. Vol.52, 209,216.

9. Pettibone D.W. J.R. Suares, A. Gat (1985), The effect of thin dielectric films on the accuracy of pyrometric temperature measurement, MRS Symp. Proc. Vol.52, 209,216.

10. Wittkower A and C.Lee (1994), Surface insensitive open-loop processing with furnace RTP. RTP 94, Monterey,USA, 75,76.

11. Nenyei Z. and A. Tilmann (1993), Reaction time analisis in rapid thermal annealing, RTP 93 Conference, Scottcdale (USA), 429,436.

12. Sorell F.Y. and W.J.K.S. Yu (1994) Applied RTP Optical Modelling: an argument for model- Based Control, IEEE Trans. Semicond. Manuf., 4,7,454,458.15.0sturk M.C. (1993), Thin-film deposition, in « Rapid Thermal Processing Science and

13. Technology», R.B. Fair, Academic Press, New York, 79,122

14. Winkler E. (1989) RTP making Its way into Fab. Areas. Electronic News. Vol.35, №1786, 28-30.

15. Fair R.B., Ruggles B.A.(1990) Thermal Budget Issues for deep Submicron nLSI. Solid State Technology. Vol33,№5. 107-113.

16. Denshi Zairyo (1988) Vol 27, спецвыпуск. 67-77.

17. Lee C.K., Ku J.H., Kwong D.L.(1989) Silicon epitaxial growth by rapid thermal processing chemical vapor deposition. Applied Physic Letters. Vol.54, №18,1775-1777

18. Bader M.E., Hall R.P., Hrasser J. Integrated Processing Equipment. Solid State Technology. 1990. Vol 33, №5 P. 149-154.

19. Kermani A. Single wafer Rapid Thermal CVD for Poly Emmiter Bipolar and BiCMOS Devices. Solid State Technology. 1990. Vol 33, №7 P.41-43.

20. Rapid Thermal Processing Selection Guide. Microelectronic manufacturing and Testing. 1989. Vol. 12. №5 P. 38 -40.

21. Stultz T.J. Impact of Rapid Thermal Processing on Device Technology. Conference EMJCON/WEJT 86. Jan Mateo California. USA. 1986. P. 87-94.

22. Thakur et al., Process Simplification in Dram Manufacturing. IEEE Transactions on Electron Devices. 1998. Vol. 45. №3. P. 609.

23. Thakur, Rapid Thermal Processing and ULSi Electronics? In in Semiconductor Fabtech, 5th ed. 1996, P. 261.

24. The National Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, 1997.

25. Timans R.N. Morishige, Y. Wasserman, Emmisivity- independet Rapid Thermal Processing Using Radiation Shields. Mat. Res. Symp. Proc. 1997. Vol 470. P.57.

26. Baeri P. Laser and electron Beam interaction with Solids. Ed. Appleton B.R, Geller G.k. P.151.

27. Eaton Semiconduktor Equipiment, 1982.

28. Alard F., Jeunhomme L., Monerie M., Sansonetti P. Electron Letters. 1982 vol 18 №16, P.694.

29. Coher R.L., Williams J.S Feldman L.C. West K.W. Appl. Phys Letters. 1978. Vol 33. №8. P.751.

30. Correra L, Pedulle L. Appl. Phys Letters. 1980 Vol 37. №1. P.55.

31. Соггега L, Pedulle L. Radiat. Eff. 1982 Vol. 63. №1 P.187.

32. Benetini G. Radiat Eff. 1982 Vol. 63. №1 P. 125.

33. Kohzu H. Kuzuhara M., Takayama Y.J. Appl. Phys. 1983 Vol. 54. №9 . P4998.

34. McMchon R.a., Ahmed H. Electron Letters. 1979. Vol 15. №2 . P.45.

35. Pal R. Neri J.M., Hammer D.A., Appl. Phys Letters. 1980. Vol. 37. №5 P.187.

36. Benton J.I., Kimerling L.C., Miller G.L., et al. Laser-Solid Interactions and Laser processing. 1978 Ed. Ferris S.D. etal. 1978. P. 543.

37. Rajkahan K., Singh R., Shewchun J. Sol.St. Electronics. 1979. 1979. Vol. 22. P 793.

38. Минсар А. Теплопроводность твёрдых тел, жидкостей, газов и их композиций. М., Мир, 1968.

39. Михеев М.А., Михеева, И.М. Основы Теплопередачи. М., Энергия. 1977 г.

40. Спэрроу Э.М., Сесс Р.Д. Теплообмен излучением. Пер. с англ. Под ред. А.Г. Блоха. М., Энергия. 1971.48.3игель 3., Хауэлл Дж. Теплообмен излучением. Пер. с англ. Под ред. Б.А.

41. Хрусталёва. М., Мир. 1966. 49.Излучательные свойства твёрдых материалов. Справочник. Под ред. А.Е. Шейндлина. М., Энергия. 1974.

42. Смит Р. И др. Обнаружение и измерение инфракрасного излучения. ИЛ. 1959.

43. Мастрюков Б.С. Каиров Э.А. К вопросу лучистого теплообмена в системе твёрдых несерых тел, разделённых лучепрозрачной средой. Теплофизика высоких температур, 1969, т. 7. N 2, стр.299.

44. Беннет Х.Е., Беннет Д.М. Прецезионные измерения в оптике тонких плёнок.- В сб.: Физика тонких плёнок. Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. М., Мир. 1970.

45. Леконт Ж. Инфракрасное излучение. Госфизматгиз. 1958.54.3орин Е.И. Павлов П.В. Тетельбаум д.И. Ионное легирование полупроводников. М. Энергия. 1975.

46. Гревцев Н.В. Гриценко А.Л., Леднев М.А., Онухов H.A. Расчёт тепловых процессов при лучевой импульсной термообработке тонких плёнок. Доклад на отраслевой конференции, 1982.

47. Тимошенко С.П., Гудьер. Теория упругости. М.: Наука, 1975, 576 с.

48. Арутюнов B.C. Электрические измерительные приборы и измерения. М., Госэнергоиздат. 1968.

49. Лыков A.B. Тепломассообмен. М., Энергия. 1972.

50. Болынаков Ю.В., Кобаенкова Л.В., Заболотнов В.Ф., Головко Б.И., Кузнецова Л.В., Юдина Н.В. О возможности использования импульсных ламп для отжига ионно-имплантированных слоёв. Отраслевая конференция, 1984. Москва.

51. Иноземцев С.А., Мордкович В.Н., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С., Петровин Н.М., Способ термической обработки кремниевых пластин. Авторское свидетельство №961.500.

52. Афанасьев В.А., Гудков В.А., Духновский М.П. и др., Комплекс работ по исследованию, созданию и внедрению методов и аппаратуры импульсного отжига полупроводниковых структур источниками интенсивного некогерентного света. ИФП СО АН СССР, 1983.

53. Болынаков Ю.В., Кобаенкова Л.В., Заболотнов В.Ф., Головко Б.И., Кузнецова Л.В., Юдина Н.В. О возможности использования импульсных ламп для отжига ионно-легированных слоёв. Отраслевая конференция, 1982. Москва.

54. Двуреченский A.B., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1982, 207 с.

55. Кизель В.А. Отражение света. М.: Наука. 1973' ' -128= , , . о: / ■ .

56. Pi <LïHb i F< I. X umnx riap

57. БЬЬшй* nííV ¿O, i9vï iû:5'» VïSV*'.4 vdíRÁк list SCALEt i,ô6ô FrtööE ÍD¿ 7Уut :uir iit :

58. HL tiittrb: Ш SITES ï "ER Díñ. : iT иIA. sчлг 4915000 m«« / 5.91 130.ОО oiffl / 5.12in in1.tHN

59. STD DEv HINIiilíH iiAX IHüHonins/sqV7015 percent 7B.21 . ohms/sq SO .07 ohms /' sqrER ID. : Г ID. Ï JC. DATE Î ¡PÛKHTURE ÎniEkvhL : O.Du percent CüRREwT : AP/D7.49i»v .4290mA1. SORTING s 3.0 51БИ$• ¿r

60. PRGrii£ i i< i X ri xriap Kiaooi SUNDAY i\iuv SO, 1997 i0:4o90iF«b LAB. ¿»32iu: SCALE: 1-G.GO rftOBE ID: TYP iiff v<>> Uf << Si <> ■!} <1. OjZ1. FILE:si i tt>: ITES : L"; IA. : IA. :tva.yi 5. 12in

61. STD DEv iiiKIiiuH HAXIHLfii7557 onms/sq .7477 percent ^ 74.55 orwns/sq 77.59 onms/sqiu> «1. SATE HTURE1. UtC-iU-lYV/ooooc

62. TERVAL : 0.50 percent CURRENT : AP/D7.49mv .4515mA SORTING : 3.0 SIGH A

63. SüMöilt яр4ГЗ?ф1|¥9"7 LAB.6321. SCALE:i.ööö PROBE lös TYF i1. УЧr- it-tî1. SlitS: 49 SITES : 48

64. DIA« : 150-Oü mm / DIA. : Í3G.OO mm t5.9i 5 . J. 2ir»inntm STD DEV И INI Iii in ИАХ JHüHrti.¿£. cmms^sq .8042 percent 74.99 ohms/sq 77.90 ohms/sq1..1. DtC—ЗО—i 99 7 „OöOöC