автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.14, диссертация на тему:Технология изготовления криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников

На правах рукописи

Филимонов Виталий Евгеньевич

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИОЭЛЕКТРОННЫХ ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ

НА ОСНОВЕ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ

Специальность 05.11.14 - Технология приборостроения

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой сте: кандидата технических наук

Ои-з

Йошкар-Ола-2009

003472842

Работа выполнена в Марийском государственном техническом университете (МарГТУ).

Научный руководитель: кандидат технических наук, профессор

Игумнов Владимир Николаевич

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Солдаткин Владимир Михайлович КГТУ им. А.Н. Туполева, г. Казань

Ведущая организация: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», г. Москва

Защита состоится 30 июня 2009г. в 14.00 часов на заседании диссертационного совета Д 212.079.03 в Казанском государственном техническом университете им. А.Н. Туполева по адресу: 420111, г. Казань, ул. Карла Маркса, д. 10.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке КГТУ им. А.Н. Туполева.

Автореферат разослан 28 мая 2009г.

кандидат физ.-мат. наук, с.н.с. Замалеев Ильсафутдин Гимазович ФГУП «ФНПЦ «Радиоэлектроника» им. В.Н. Шимко», г. Казань

Ученый секретарь диссертационного совета

Щербаков Г.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В настоящее время одним из основных направлений развития приборостроения является микроминиатюризация, позволяющая повысить надежность и технологичность аппаратуры за счет микромодульной компоновки элементов с применением интегральной и функциональной микроэлектроники. Важно развивать данное направление с использованием новых подходов в технологии изготовления информационно-измерительной аппаратуры, основываясь непосредственно на использовании физических явлений в твердом теле. Такой подход может быть реализован в криоэлектронике, основанной на взаимодействии электромагнитного поля в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) при криогенных температурах.

Основной технологической задачей при создании элементов крио-электронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников является получение сред с заданными свойствами. Эту задачу можно решить, применяя в элементах криоэлектронных приборов соответствующие ВТСП слоистые структуры.

Сегодня при изготовлении пленок ВТСП даже в идентичных технологических условиях часто их свойства оказываются существенно различными из-за сильного влияния отдельных технологических параметров. Поэтому разработка технологии формирования ВТСП пленок и ВТСП слоистых структур для криоэлектронных информационно-измерительных приборов на промышленных установках позволит решить проблему их массового изготовления. Кроме того, представляется перспективным исследование технологии формирования ВТСП слоистых структур с дополнительным (буферным, либо диэлектрическим, либо защитным, либо активным, либо промежуточным) слоем материала нитрида алюминия (A1N).

В настоящее время установлено, что ВТСП материал BbSi^CaCibOg+x обладает в сверхпроводящем состоянии большей пластичностью и проводимостью по сравнению с ВТСП материалом УВа2Сиз07_5. Однако, ВТСП материал YBa2Cu307.5 в сверхпроводящем состоянии имеет более высокий пиннинг магнитного потока, а

обладает и более высокими экранирующими свойствами, чем ВТСП материал Р^З^СаСльО^х. Поэтому разработка технологии формирования слоистых структур ВТСП материалов УВа2Сиз07_8 и Е^тЗггСаСигОз+х, позволяющей создавать элементы криоэлектронных информационно-измерительных приборов из их совокупности, становится актуальной проблемой.

Объектом исследования является технология изготовления криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников.

Предмет исследования - процессы формирования новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников с учетом свойств исходных материалов, требуемого стехиометрического состава и необходимой промежуточной обработки пленочных элементов.

Цель работы - расширение функциональных возможностей криоэлектронных информационно-измерительных приборов и повышение их универсальности за счет технологии их изготовления на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников.

Научная задача исследования - разработка научно обоснованной технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур из совокупности ВТСП материалов, решение которой проведено по следующим направлениям:

1. Разработать новую технологию формирования многокомпонентных пленок, используемых в слоистых структурах высокотемпературных сверхпроводников, с учетом свойств исходных материалов, требуемого стехиометрического состава и свойств покрытий.

2. Разработать математическую модель, позволяющую более точно управлять содержанием отдельных компонентов многокомпонентного покрытия в технологическом процессе формирования многокомпонентных пленок.

3. Разработать технологию формирования слоистых структур из совокупности ВТСП материалов УВа2Си307.5 и В128г2СаСи208+х.

4. Выработка рекомендаций по использованию в слоистых структурах ВТСП материалов УВа2Си307.5 и Б^^СаСи^« слоя материала нитрида алюминия.

5. Разработать и внедрить элементы криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе разработанных технологий формирования новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводни ков.

Методы исследования. Использованы основные положения физики твердого тела, положения физической химии, кристаллографии, микроэлектроники, технологии изготовления элементов криоэлектронных приборов, математическое моделирование на ЭВМ. Экспериментальные исследования выполнены на вакуумных установках УВН-2М-2 и УВН-71ПЗ, модернизированной под магнетронное распыление, на лабораторных установках для измерения плотности критического тока и определения терморезистивных характеристик. Исследование поверхности образцов проводилось с помощью сканирующего зондо-вого микроскопа Ntegra Prima полуконтактным методом атомно-силовой микроскопии. Содержание компонентов в многокомпонентных пленках определялось методом рентгеноспектрального микроанализа на электронном микроскопе JEM 2000 FXII с использованием энергодисперсионного рентгеновского спектрометра LINK. Фазовые анализы проводились на дифрактометре «ДРОН-ЗМ». Микрофотографирование проводилось с помощью оптического микроскопа. В экспериментальных исследованиях использованы положения теории измерений, планирования эксперимента.

Достоверность полученных результатов подтверждается применением известных фундаментальных положений, проверенных практикой, использованием неоднократно апробированных методик и математических моделей, а также сходимостью результатов аналитических исследований и математического моделирования с данными экспериментов.

Научная новизна работы состоит в следующих положениях, которые выносятся на защиту:

1. Впервые разработаны и научно обоснованы технологические процессы формирования многокомпонентных пленок, используемых в слоистых структурах высокотемпературных сверхпроводников, позволяющие обеспечивать заданную стехиометрию многокомпонентных покрытий.

2. Разработана новая математическая модель, позволяющая повысить эффективность управления содержанием отдельных компонентов многокомпонентного покрытия в технологическом процессе формирования многокомпонентных пленок методом магнетронного распыления на постоянном токе с использованием сложной мишени на 15% и более путем введения экспериментально устанавливаемой функции коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени.

3. Разработаны технологические процессы формирования слоистых структур с использованием ВТСП материалов УВа2Сиз07.5 и В^ГгСаСигОв+х, определены технологические условия, позволяющие обеспечить формирование таких структур.

4. Разр?1ботапы технологические процессы формирования слоистых структур ВТСП материалов УВа2Си307_5 и В125г2СаСи208(х с использованием слоя материала нитрида алюминия. Выявлено, что в данных слоистых структурах слой нитрида алюминия, при отжиге, взаимодействует с материалом В!25г2СаСи208+х, вследствие чего происходит изменение свойств ВТСП пленки, вплоть до подавления сверхпроводимости после охлаждения, и не взаимодействует с материалом УВа2Си307_5, вследствие чего такие структуры обладают сверхпроводимостью после охлаждения.

5. Разработаны конструкции и технологии изготовления элементов криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников. Показано, что данные элементы, защищенные девятью патентами РФ на способ их изготовления, обладают лучшими характеристиками по сравнению с известными.

Практическая значимость работы определяется прикладным характером проведенных исследований, направленных на разработку новой технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников. Разработанные технологические процессы и изготовленные с их помощью ВТСП слоистые структуры внедрены в ЦНИТИ «Техномаш», ООО «НПП Поиск», Марийском государственном техническом университете. Характеристики разработанных технологических процессов и изготовленных с их помощью элементов криоэлектронных информационно-

измерительных приборов превосходят существующие в настоящее время отечественные аналоги, что подтверждено девятью патентами РФ.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: V, VIII, IX международных научно-практических конференциях «Современные информационные и электронные технологии» (Одесса, Украина, 2005, 2007, 2008); X, XI, XII Международных научно-технических конференциях «Высокие технологии в промышленности России» и XVI, XVII Международных симпозиумах «Тонкие пленки в электронике» (Москва, ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2004, 2005, 2006); Ежегодных научных конференциях по итогам научно-исследовательских работ МарГТУ (Йошкар-Ола, 2003-2008).

По теме диссертации опубликовано 31 печатная работа, из которых: 3 статьи в журналах, рекомендованных ВАК, 9 патентов РФ, 1 статья, депонированная в ВИНИТИ, 1 учебное пособие, 11 статей в сборниках международных конференций и 6 тезисов докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Она изложена на 200 страницах машинописного текста и включает в себя 77 рисунков, 19 таблиц и список литературы из 252 источников.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

1. Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цели и задачи, описаны объекты и методы исследования. Показана научная новизна и практическая значимость работы, приведены основные положения, выносимые на защиту.

2. Первая глава посвящена анализу современного состояния технологии криоэлектронных информационно-измерительных приборов, и, в связи с этим, обобщению известных к настоящему времени данных, относящихся к фазообразованию, методам получения высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалов УВа2Сиз07_6 и B¡2Sr2CaCu208,x. Приведены обзоры используемых методов получения ВТСП толстых и тонких пленок, а также материалов подложек и буферных слоев для многослойных ВТСП и элементов криоэлектронных

информационно-измерительных приборов. Показано, что при изготовлении пленок ВТСП даже в идентичных технологических условиях часто их свойства оказываются существенно различными из-за сильного влияния отдельных технологических параметров. Теоретический анализ показывает, что представляется перспективным исследование ВТСП слоистых структур с дополнительным (буферным, либо диэлектрическим, либо защитным) слоем. Большое количество различных материалов, исследованных на предмет применения их в качестве подложек и буферных слоев для ВТСП покрытий, позволяет сделать вывод о перспективности таких исследований, так как в каждом конкретном случае имеет место свой вариант сочетания ВТСП пленка/буферный слой/подложка. Разработка технологии изготовления элементов криоэлектронных информационно-измерительных приборов с использованием ВТСП слоистых структур может дать возможность существенно повысить их предельные параметры, расширить их функциональные возможности и повысить их универсальность. Обоснована актуальность поставленных задач.

3. Вторая глава посвящена технологическим процессам формирования многокомпонентных пленок высокотемпературных сверхпроводников.

Разработаны технологические процессы формирования многокомпонентных стехиометричных тонких пленок, используемых в ВТСП слоистых структурах, с помощью магнетронного распыления как специально изготовленных мишеней сложного состава [13], многокомпонентных порошковых мишеней [2] из одного источника, так и мишеней исходных компонентов из отдельных источников [1]. Методами математического анализа для каждого технологического процесса получены формулы, связывающие конструктивно-технологические параметры процессов формирования со свойствами исходных материалов и стехиометрическими коэффициентами химической формулы или процентным содержанием компонентов материалов пленки, если химическая реакция отсутствует.

Эти технологические процессы позволяют получать практически любые многокомпонентные тонкие пленки без предварительного син-

теза исходных многокомпонентных соединений, обеспечивать заданную стехиометрию многокомпонентного покрытия, а также управлять составом пленки в процессе ее формирования.

0«гг->

0,6 1,0 1,4 1,8 2.2 2,6 Я, см

Рис. 1. Внешний вид сложной кольцевой мишени с компонентами Т1, Си, А1 а) и ее функция коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени в зависимости от радиуса кольца распыления б)

♦ экспериментальные точки; — интерполированная функция

Построена математическая модель формирования многокомпонентных тонких пленок с использованием сложной кольцевой мишени на основе экспериментально устанавливаемой функции коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени [29].

104Х2 х/х^хг}--тс!Я,

рЯ'-гЧЯ,2)2 +4хг2ХН2

21 О4 X 2 х /хК, -Н^Я;-

где К,(г) - вклад в пленку /-го компонента мишени (%); /- /-й кольцевой компонент сложной мишени; п - общее количество кольцевых компонентов мишени; К, - скорость распыления /-го компонента мишени; I - время распыления мишени;

/¡— функция коэффициента, учитывающего неравномерность

-хЮО, (1)

эрозии /-го компонента мишени; Я - расстояние от мишени до подложки; г — расстояние от элемента распыления до точки осаждения; /?, - радиус элемента распыления /-го компонента мишени. Формула (1) позволяет определить распределение вклада распыленных компонентов в пленку (%) на заданном от мишени расстоянии.

На рис. I представлена экспериментальная мишень, участвующая в технологическом процессе формирования многокомпонентного покрытия "ПСиА1, для проверки адекватности модели, и ее функция коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии.

Отличительной особенностью модели является то, что она включает функцию коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени, которая для каждого конкретного магнетрона может быть определена экспериментально. В результате введения этой функции модель значительно упрощается, так как введенная функция одновременно учитывает совокупность распределения магнитных и электрических полей магнетрона, не требуя их расчета. При этом точность расчетов повышается за счет того, что распределение магнитных и электрических полей учитывается функцией коэффициента эрозии мишени уже со всеми их погрешностями для каждого конкретного магнетрона.

4. Третья глава посвящена технологическим процессам формирования многослойных ВТСП как совокупности слоев материалов УВа2Си307.5 и Вь8г2СаСи208+х, так и с использованием дополнительного слоя А11М.

подложка

покрытие ВЬвпСаСигО^

капиллярное втягивание

Рис. 2. Микрофотография поперечного скола слоистой структуры ВЬ5г2СаС11,08+,/УВа2Си,0,.й

тк

Рис.3. Зависимости удельных сопротивлений покрытий BiiSr^OiCiiiO*..: на подложках из YBa^CuiO?^ без буферных слоев при различных температурах подплавления: 1 - 895°С, 2 - 900°С, 3 - 905°С, 4 - 910°С

Рис.4. Зависимости удельных сопротивлений покрытий В125г2СаСи;0»+« на подложках из УВа;Си107.;| с буферным слоем Ад при различных температурах подплавления: 1 - 895°С, 2 - 900°С, 3 - 905°С, 4 - 910°С

Рис.5. Зависимости удельных сопротивлений покрытий В|25г2СаСи;Оя,» на подложках из УВа,Си,07,, с буферным слоем Си при различных температурах подплавления: 1 - 895°С, 2 - 900°С, 3 - 905°С, 4 - 910°С

Экспериментально установлено, что в процессе формирования слоистой структуры ВЬ8г2СаСи208+х/УВа2Си307.5 вследствие диффузии (рис. 2) высокотемпературные сверхпроводники УВа2Си307_5 и В12Зг2СаСи208+х приобретают неоднородность критических параметров в слоях. Выявленные неоднородности, в частности, выражаются в неравномерном распределении физических свойств в ВТСП слоях.

Для предотвращения диффузии жидких фаз между слоями, между ними наносили буферный слой методом термовакуумного испарения материала, имеющего большую температуру плавления, чем температура вжигания пасты. В работе были использованы медь и серебро. После напыления металла на подложку из УВа2Сиз07.5 на него наносилась паста из Bi2Sr2CaCu208+x и проводилось вжигание (температура перитектического плавления изменялась в пределах 895-910 °С).

Наилучших параметров для образцов Bi2Sr2CaCu20g+x/Cu/ YBa2Cu307-6 удалось добиться при температуре перитектического плавления 900 °С (был получен сверхпроводящий переход (кривая 2 на рис. 5) при температуре 108 К, что указывает на присутствие сверхпроводящей фазы Bi2Sr2Ca2Cu30|o). Данный факт можно связать с взаимодействием Си при повышенных температурах с кислородом и изменением, в связи с этим, стехиометрии и кислородного индекса покрытия.

Выявлено, что в процессе формирования слоистой структуры Bi2Sr2CaCu208).x/AlN/Al203 дополнительный слой A1N, при отжиге, взаимодействует с Bi2Sr2CaCu208+x, вследствие чего происходит изменение свойств ВТСП пленки, вплоть до подавления сверхпроводимости после охлаждения, а в процессе формирования слоистой структуры YBajCu3O7.5M.lN/ А120з дополнительный слой A1N, при отжиге, не взаимодействует с YBa2Cu107.5, вследствие чего такие структуры обладают сверхпроводимостью после охлаждения.

5. Четвертая глава посвящена технологии изготовления и исследованию элементов криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе разработанных ВТСП слоистых структур. Слоистые составные ВТСП магнитные экраны. Впервые был разработан составной магнитный ВТСП экран с использованием слоев серебросодержащего клея, конструкция которого защищает не только от параллельного, но и от перпендикулярного оси поля, одновременно экранируя внутренний объем от постоянных и переменных магнитных полей [7]. Это достигается путем использования ВТСП составных шайб особой формы, которые частично накладываются друг на друга. Для реализованного экрана с плотностью критического тока составных

ВТСП шайб (УВа2Си307.5) по¿>650 А/см2 (Тс = 89 К) измеренное поле проникновения в параллельном и перпендикулярном положении в центре экрана составило 12 мТл, в то время как в обычном объемном ВТСП экране таких же размеров, изготовленного из такого же материала, поле проникновения в параллельном положении составило 8 мТл, а в перпендикулярном положении — 3 мТл. Измеренная величина коэффициента ослабления в центре экрана продольного магнитного поля составила > 104, а поперечного магнитного поля - >103.

Впервые были разработаны способ охлаждения магнитного экрана, позволяющий повысить коэффициент его ослабления за счет уменьшения остаточных («вмороженных») магнитных полей [8] и метод повышения качества магнитного ВТСП экрана с помощью введения второй, более слабой степени экранирования, и как его реализация - составной комбинированный магнитный ВТСП экран с двухступенчатым экранированием магнитного поля [11]. Плотность критического тока ВТСП пленки (УВа2Си307_8) каждого фрагмента-кольца, из которых был собран экран, составила/с>3000 А/см2 (Тс = 86 К), поле проникновения в параллельном положении в центре экрана составило 56 мТл, в перпендикулярном положении 45 мТл, коэффициент ослабления продольного магнитного поля в центре экрана составил >105, а поперечного магнитного поля - > I О4.

Слоистый двухступенчатый ВТСП токоограпичитель-выключатель. Впервые был разработан слоистый двухступенчатый ВТСП токоограничитель-выключатель с предупреждающим сигналом и повышенными скоростью и надежностью отключения рабочей цепи (подана заявка на изобретение) путем введения дополнительного реле и токоограничителя. Токоограничители выполнены в виде параллельных толстых ВТСП пленок, разделенных изолирующей пленкой. Для реализованного устройства критический ток рабочей цепи составил [кр2=50А, ток предварительного включения сигнальной цепи /^.=0,8/к/,2=40А.

Управляемый ВТСП резистор. Впервые был разработан управляемый ВТСП резистор с улучшенными параметрами, уменьшенными габаритами и сложностью, возможностью автоматического управления и применения при азотных температурах (подана заявка на изобрете-

ние). В управляемом ВТСП резисторе в качестве резистивного элемента используют тол сто плен очную ВТСП дорожку, имеющую форму периодической функции. Управляющее магнитное поле создается током, протекающим по управляющей толстопленочной ВТСП дорожке, которая располагается параллельно и симметрично оси магниторези-стивного элемента. Резистивная и управляющая дорожки находятся на изолирующей подложке и разделены изолирующей пленкой. Для реализованного устройства величина начального тока ¡о составила 26 мА; начального сопротивления ВТСП дорожки - Лй = 200 Ом; сопротивления ВТСП дорожки в нормальном состоянии Ят = 1,9 МОм; тока в ВТСП дорожке в нормальном состоянии /„ = 2 А; изменения сопротивления в ВТСП дорожке Д/? = 0,8 МОм. Показано, что зависимость ЩГ) в широком диапазоне для данного устройства является линейной.

ВТСП датчик температуры. Впервые было разработано устройство ВТСП датчика температуры с увеличенными разрешающей способностью и рабочим интервалом температур с помощью использования ВТСП пленочной дорожки, в которой температура перехода Тс является функцией расстояния х от контакта [3, 24] (подана заявка №2008121096 на изобретение).

Криоэлектроипый преобразователь импульсов. Для снижения сложности и стоимости устройства преобразователя импульсов и его регулировки впервые был разработан криоэлектронный преобразователь импульсов [9, 16] на основе использования симметричного двух-входового криотрона и способ его регулировки. Получена формула, позволяющая задавать требуемую скважность импульсов [9].

Характерное время переключения криотрона составляло 10"9-10"8с, что характеризует возможности преобразователя: диапазон рабочих частот (108 Гц) и крутизну фронта прямоугольных импульсов.

Заключение

1. Проведен анализ перспективных направлений развития приборостроения. Показано, что разработка и внедрение технологии формирования многокомпонентных пленок и изготовления новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников позволит создавать элементы криоэлектронных информационно-измерительных

приборов с расширенными функциональными возможностями и повысить их универсальность.

2. Разработанные технологические процессы формирования многокомпонентных пленок используемых в слоистых структурах высокотемпературных сверхпроводников, позволяют обеспечить заданный стехиометрический состав многокомпонентного покрытия за счет эффективного управления конструктивно-технологическими параметрами процесса формирования. Разработанная для данных процессов новая математическая модель позволяет повысить эффективность управления содержанием отдельных компонентов многокомпонентного покрытия методом магнетронного распыления на постоянном токе с использованием сложной мишени на 15% и более за счет введения экспериментально устанавливаемой функции коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени.

3. Разработанные технологические процессы формирования слоистых структур из совокупности ВТСП материалов УВа2Си307.о и Вь5г2СаСи208+х позволяют создавать данные слоистые структуры, обладающие сверхпроводящим переходом. Получены ВТСП слоистые структуры с температурами сверхпроводящего перехода от 78 до 107 К и плотностями критического тока от 1,5х103 до 1,5x106 А/см2. Выработанные рекомендации по использованию в ВТСП слоистых структурах слоя материала нитрида алюминия позволяют расширить функциональные возможности таких слоистых структур.

4. Созданы и конструктивно проработаны следующие элементы криоэлектронных информационно-измерительных приборов: составной магнитный ВТСП экран, составной слоистый комбинированный магнитный ВТСП экран с двухступенчатым экранированием, слоистый двухступенчатый ВТСП токоограничитель-выключатель, управляемый ВТСП резистор, ВТСП датчик температуры, криоэлектронный преобразователь импульсов. Показано, что элементы криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе разработанных ВТСП слоистых структур, защищенных девятью патентами РФ на способ их изготовления, обладают лучшими характеристиками по сравнению с известными, расширены их функциональные возможности и повышена их универсальность.

5. Разработанные технологические приемы (оборудование и технологии), а также полученные с их применением слоистые структуры были использованы при выполнении работ по теме НИОКР «Наномагниг» ЦНИТИ «Техномаш». Разработанная математическая модель формирования многокомпонентных пленок внедрена на ООО «НПП Поиск». Результаты работ были использованы в учебном процессе Марийского государственного технического университета.

Важность практического использования разработанных решений подтверждена выданными на них патентами и результатами НИР.

Основное содержание диссертации опубликовано в работах:

Статьи в .-журналах, рекомендованных ВАК:

1. Филимонов, В.Е. Методика формирования многокомпонентных стехиометричных тонких пленок для электронного производства / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов // Всероссийский научно-технический журнал «Проектирование и технология электронных средств». - 2005. -№2. - С.25-29.

2. Филимонов, В.Е. Принцип изготовления мозаичных мишеней для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных тонких пленок в электронном производстве / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов // Всероссийский научно-технический журнал «Проектирование и технология электронных средств». -2005. -№3. - С. 16-21.

3. Филимонов, В.Е. Сверхпроводниковый измерительный преобразователь температуры и особенности технологии его изготовления / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов, A.B. Мороз // Вестник Казанского государственного технического университета им. А.Н. Туполева. -2009. - №1. - С.36-39.

Патенты на изобретения:

4. Патент РФ №2290453. МПК7 С 23 С 14/35. Способ формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов. - №2004133018/02; Заявлено 12.11.2004; Опубл. 27.12.2006, Бюл. № 36.

5. Патент РФ №2262151. МПК7 Н 01 J 23/00, С 23 С 14/06, 14/34. Мишень для ионно-плазменного нанесения пленочных покрытий

сложного состава и способ ее изготовления / В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, В.Е. Филимонов. - №2003138023/02; Заявлено 29.12.2003; Опубл. 10.10.2005, Бюл. № 28.

6. Патент РФ №2261496. МПК7 Н 01 ] 23/00, С 23 С 14/06, 14/34. Мозаичная мишень для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий и способ ее изготовления / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов. - №2004101974/02; Заявлено 22.01.2004; Опубл.

27.09.2005, Бюл. №27.

7. Патент РФ №2253169. МПК7 Н 01 Ь 39/08. Составной магнитный ВТСП экран / В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, В.В. Иванов, В.Е. Филимонов. - №2003134210/28; Заявлено 25.11.2003; Опубл. 27.05.2005, Бюл. № 15.

8. Патент РФ №2271582. МПК7 в 12 В 17/02, Н 01 Ь 39/00. Магнитный сверхпроводниковый экран и способ его охлаждения / В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, В.В. Иванов, В.Е. Филимонов.2004119112/28; Заявлено 23.06.2004; Опубл. 10.03.2006, Бюл. № 7.

9. Патент РФ №2282281. МПК7 Н 01 Ь 39/18. Криоэлектронный преобразователь импульсов / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.Ю. Ахметханов. - №2005101439/09; Заявлено 21.01.2005; Опубл.

20.08.2006, Бюл. № 23.

10. Патент РФ №2234167. МКИ 7 Н 01 Ь 39/24. Способ изготовления подложки для ВТСП покрытий на основе М§0-керамики и серебра/ В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, Н.М. Скулкин, В.В. Иванов, В.Е. Филимонов. - №2003110635/28; Заявлено 14.04.2003; Опубл. 10.08.2004, Бюл. № 22.

11. Патент РФ №2306635. МПК7 Н 01 Ь 39/12. Составной комбинированный магнитный экран / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.П. Большаков. - №2006104083/28; Заявлено 10.02.2006; Опубл.

20.09.2007, Бюл. №26.

12. Патент РФ №2304827. МПК7 Н 01 Ь 39/24. Способ формирования высокотемпературного сверхпроводникового покрытия / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.П. Большаков, Н.М. Скулкин. -№2006110706/28; Заявлено 03.04.2006; Опубл. 20.08.2007, Бюл. № 23.

Депонированные статьи:

13. Филимонов, В.Е. Методики формирования многокомпонентных стехиометричных тонких пленок для электронного производства / В.Е. Филимонов.; Марийский государственный технический университет. - Йошкар-Ола, 2007. - 50с.: ил.-16. - Библиогр.: 61 назв. - Рус. -Деп. в ВИНИТИ 12.07.07, №719-В2007.

Учебные пособия:

14. Сушенцов, Н.И. Основы технологии микроэлектроники: Лабораторный практикум / Н.И. Сушенцов, В.Е. Филимонов. - 3-е изд., перераб. и доп. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2005. - 184с.

Публикации в материалах международных конференций:

15. Игумнов, В.Н. Получение пленок состава Bi2Sr2CaCu208 методом магнетронного распыления из многокомпонентной мишени / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов // Материалы X Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVI Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2004. - С.394-396.

16. Игумнов, В.Н. Криоэлектронный преобразователь импульсов / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов II Материалы XI Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2005. - С.330-332.

17. Филимонов, В.Е. Мозаичная мишень для магнетронного нанесения многокомпонентных тонких пленок / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов // Материалы XI Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2005. - С.443-447.

18. Филимонов, В.Е. Формирование стехиометричных тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника состава BÍ2Sr2CaCu208 / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов // Материалы XI Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2005.-С.448-451.

19. Сушенцов, Н.И. Магнетрон с компенсацией неравномерности распределения толщины пленки по подложке при ее вращении / Н.И. Сушенцов, В.Е. Филимонов И Материалы XI Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVII Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2005. - С.537-540.

20. Филимонов, В.Е. Характеристики магнетронного разряда при осаждении пленок высокотемпературного сверхпроводника состава ВЬ5г2СаСи208 / В.Е. Филимонов, Н.И. Сушенцов, В.Н. Игумнов // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006. - С.266-271.

21. Филимонов, В.Е. Методика обеспечения высокой адгезии при формировании высокотемпературного сверхпроводящего покрытия /

B.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов, А.П. Большаков // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006. - С.272-274.

22. Филимонов, В.Е. Составной комбинированный магнитный экран с двухступенчатым экранированием / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов, А.П. Большаков // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006. - С.377-378.

23. Филимонов, В.Е. Составной магнитный экран из высокотемпературного сверхпроводника / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов, А.П. Большаков // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006. - С.383-384.

24. Филимонов, В.Е. Сверхпроводниковый терморезистор / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов, А.П. Большаков // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». - М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006. -

C.385-386.

25. Игумнов, В.Н. Новый криоэлектронный преобразователь импульсов / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов II Труды пятой международ-

ной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии». - Одесса, Украина, 2005. - С.41.

26. Игумнов, В.Н. Новая методика формирования многокомпонентных стехиометричных тонких пленок / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов // Труды пятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии»,-Одесса, Украина, 2005. - С.306.

27. Игумнов, В.Н. Получение УВа2Сиз07_5 керамики из смеси прекурсоров У203, ВаО и Си / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.П. Большаков П Труды восьмой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии»,- Одесса, Украина, 2007. - С.365.

28. Игумнов, В.Н. Моделирование диффузионных процессов в системе подложка-буферный слой-ВТСП пленка / В.Н. Игумнов, А.П. Большаков, В.Е. Филимонов И Труды восьмой международной иауч-но-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии»,- Одесса, Украина, 2007. - С.366.

29. Филимонов, В.Е. Модель формирования многокомпонентных тонких пленок с использованием сложной мишени / В.Е. Филимонов II Труды девятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии»,- Одесса, Украина, 2008. - Т.2. - С.188.

Публикации в сборниках ВУЗов:

30. Филимонов, В.Е. Технологии получения высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) тонких пленок. Современное состояние проблемы / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов // Сборник статей студентов, аспирантов и докторантов по итогам научно-технических конференций МарГТУ в 2003г. - Йошкар-Ола, 2004. - С.201-205.

31. Филимонов, В.Е. Исследование процесса магнетронного распыления многокомпонентных мишеней состава У-123 / В.Е. Филимонов II Сборник тезисов докладов студентов, аспирантов, докторантов по итогам научно-технической конференции МарГТУ в 2004г. - Йошкар-Ола, 2004. - С.95-96.

Подписано в печать 14.05.2009. Бумага офсетная. Печать офсетная. Усл. п. л. 1,0. Тираж 100 экз. Заказ №. 4119

Редакционно-издательский центр Марийского государственного технического университета 424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17

ВВЕДЕНИЕ.

1. Анализ современного состояния технологии криоэлектронных информационно-измерительных приборов.

1.1. Технология химической гомогенизации прекурсоров при синтезе высокотемпературных сверхпроводников УВа2Си307.5 и В^БггСаСигОз+х

1.2. Технология выращивания кристаллов высокотемпературных сверхпроводников УВа2Си307.д и В128г2СаСи208+х.

1.3. Технология получения тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников УВа2Си307.д и В128г2СаСи208+х.

1.4. Материалы подложек и буферных слоев для многослойных высокотемпературных сверхпроводников и элементов криоэлектронных информационно-измерительных приборов.

Выводы.

2. Технологические процессы формирования многокомпонентных пленок высокотемпературных сверхпроводников.

2.1. Оптимизация технологического процесса формирования толстых В128г2СаСи208+х пленок на подложках

§0 методом планирования эксперимента.

2.2. Технологическое оборудование для формирования многокомпонентных тонких пленок.

2.3. Технологические процессы формирования многокомпонентных тонких пленок на основе магнетронного распыления на постоянном токе.

2.4. Математическая модель формирования многокомпонентных тонких пленок с использованием сложной мишени.

Выводы.

3. Технологические процессы формирования многослойных высокотемпературных сверхпроводников.

3.1. Технологический процесс формирования слоистой структуры В128г2СаСи208+х/ УВа2Си307-5.

3.2. Влияние слоя нитрида алюминия на свойства слоистых структур, использующих высокотемпературные сверхпроводники В128г2СаСи208+х и УВа2Сиз07-5.

Выводы.

4. Технология изготовления и исследование элементов криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП).

4.1. Составные слоистые ВТСП магнитные экраны.

4.2. Слоистый двухступенчатый ВТСПтокоограничитель-выключатель.

4.3. Управляемый ВТСП резистор.

4.4. ВТСП датчик температуры.

4.5. Криоэлектронный преобразователь импульсов.

Выводы.

Актуальность темы. В настоящее время одним из основных направлений развития приборостроения является микроминиатюризация, позволяющая повысить надежность и технологичность аппаратуры за счет микромодульной компоновки элементов с применением интегральной и функциональной микроэлектроники. Важно развивать данное направление с использованием новых подходов в технологии изготовления информационно-измерительной аппаратуры, основываясь непосредственно на использовании физических явлений в твердом теле. Такой подход может быть реализован в криоэлектронике, основанной на взаимодействии электромагнитного поля в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) при криогенных температурах.

Основной технологической задачей при создании элементов криоэлек-тронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников является получение сред с заданными свойствами. Эту задачу можно решить, применяя в элементах криоэлектронных приборов соответствующие ВТСП слоистые структуры.

Сегодня при изготовлении пленок ВТСП даже в идентичных технологических условиях часто их свойства оказываются существенно различными из-за сильного влияния отдельных технологических параметров. Поэтому разработка технологии формирования ВТСП пленок и ВТСП слоистых структур для криоэлектронных информационно-измерительных приборов на промышленных установках позволит решить проблему их массового изготовления. Кроме того, представляется перспективным исследование технологии формирования ВТСП слоистых структур с дополнительным (буферным, либо диэлектрическим, либо защитным, либо активным, либо промежуточным) слоем материала нитрида алюминия (A1N).

В настоящее время открыто много семейств ВТСП, однако пока только некоторые из них перспективны для использования в технике [1]. К группам наиболее вероятных кандидатов для практического применения относятся иттрийсодержащие сверхпроводники общей формулы УВа2Си307.5, в которых в 1987году была достигнута температура перехода в сверхпроводящее состояние ТС=93К [2] и открытые в 1988 году висмутсодержащие сверхпроводники общей формулы В128г2СаСи208+х с ТС=80К [3]. Следует отметить, что сверхпроводники состава УВа2Си307.5 имеют худшую структуру зерен, демонстрируют большую изотропность и меньшие интеркристаллитные транспортные токи по сравнению со сверхпроводниками состава Вь8г2СаСи208+х. Иными словами, сверхпроводники состава Вь8г2СаСи208нх обладают большей пластичностью и проводимостью по сравнению со сверхпроводниками состава УВа2Си3075. В то же время токонесущая способность сверхпроводников состава В128г2СаСи208+х ограничена высокой чувствительностью к внешнему магнитному полю, что особенно проявляется при температурах, близких к критической температуре (Тс). В этом отношении сверхпроводники состава УВа2Си3075 имеют более высокий пиннинг магнитного потока, а значит обладают и более высокими экранирующими свойствами, чем сверхпроводники состава В128г2СаСи208+х. Поэтому формирование слоистых структур на основе высокотемпературных сверхпроводников УВа2Си307.§ и В128г2СаСи208+х, позволяющее создавать элементы криоэлек-тронных информационно-измерительных приборов из совокупности этих материалов, становится актуальной проблемой.

Объектом исследования является технология изготовления криоэлек-тронных информационно-измерительных приборов на основе новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников.

Предмет исследования - процессы формирования новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников с учетом свойств исходных материалов, требуемого стехиометрического состава и необходимой промежуточной обработки пленочных элементов.

Цель работы — расширение функциональных возможностей криоэлектронных информационно-измерительных приборов и повышение их универсальности за счет технологии их изготовления на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников.

Научная задача исследования — разработка научно обоснованной технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур из совокупности ВТСП материалов, решение которой проведено по следующим направлениям:

1. Разработать новую технологию формирования многокомпонентных пленок, используемых в слоистых структурах высокотемпературных сверхпроводников, с учетом свойств исходных материалов, требуемого стехиометри-ческого состава и свойств покрытий.

2. Разработать математическую модель, позволяющую более точно управлять содержанием отдельных компонентов многокомпонентного покрытия в технологическом процессе формирования многокомпонентных пленок.

3. Разработать технологию формирования слоистых структур из совокупности ВТСП материалов УВа2Си307.5 и В128г2СаСи208+х.

4. Выработка рекомендаций по использованию в слоистых структурах ВТСП материалов УВа2Сиз07.5 и В128г2СаСи208+х слоя материала нитрида алюминия.

5. Разработать и внедрить элементы криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе разработанных технологий формирования новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников.

Методы исследования. Использованы основные положения физики твердого тела, положения физической химии, кристаллографии, микроэлектроники, технологии изготовления элементов криоэлектронных приборов, математическое моделирование на ЭВМ. Экспериментальные исследования выполнены на вакуумных установках УВН-2М-2 и УВН-71ПЗ, модернизированной под магнетронное распыление, на лабораторных установках для измерения плотности критического тока и определения терморезистивных характеристик. Исследование поверхности образцов проводилось с помощью сканирующего зондового микроскопа Ntegra Prima полуконтактным методом атомно-силовой микроскопии. Содержание компонентов в многокомпонентных пленках определялось методом рентгеноспектрального микроанализа на электронном микроскопе JEM 2000 FXII с использованием энергодисперсионного рентгеновского спектрометра LINK. Фазовые анализы проводились на дифрактометре «ДРОН-ЗМ». Микрофотографирование проводилось с помощью оптического микроскопа. В "экспериментальных исследованиях использованы положения теории измерений, планирования эксперимента.

Достоверность полученных результатов подтверждается применением известных фундаментальных положений, проверенных практикой, использованием неоднократно апробированных методик и математических моделей, а также сходимостью результатов аналитических исследований и математического моделирования с данными экспериментов.

Научная новизна работы состоит в следующих положениях, которые выносятся на защиту:

1. Впервые разработаны и научно обоснованы технологические процессы формирования многокомпонентных пленок, используемых в слоистых структурах высокотемпературных сверхпроводников, позволяющие обеспечивать заданную стехиометрию многокомпонентных покрытий.

2. Разработана новая математическая модель, позволяющая повысить эффективность управления содержанием отдельных компонентов многокомпонентного покрытия в технологическом процессе формирования многокомпонентных пленок методом магнетронного распыления на постоянном токе с использованием сложной мишени на 15% и более путем введения экспериментально устанавливаемой функции коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени.

3. Разработаны технологические процессы формирования слоистых структур с использованием ВТСП материалов YBa2Cu307.5 и Bi2Sr2CaCu208+x, определены технологические условия, позволяющие обеспечить формирование таких структур.

4. Разработаны технологические процессы формирования слоистых структур ВТСП материалов УВа2Сиз07.5 и В128г2СаСи208+х с использованием слоя материала нитрида алюминия. Выявлено, что в данных слоистых структурах слой нитрида алюминия, при отжиге, взаимодействует с материалом ВьЗггСаСиьОз+х, вследствие чего происходит изменение свойств ВТСП пленки, вплоть до подавления сверхпроводимости после охлаждения, и не взаимодействует с материалом УВа2Си307.5, вследствие чего такие структуры обладают сверхпроводимостью после охлаждения.

5. Разработаны конструкции и технологии изготовления элементов криоэлек-тронных информационно-измерительных приборов на основе новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников. Показано, что данные элементы, защищенные девятью патентами РФ на способ их изготовления, обладают лучшими характеристиками по сравнению с известными.

Практическая значимость работы:

1. Разработан способ формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия (в том числе и ВТСП покрытия) методом магнетронно-го распыления на постоянном токе из отдельных источников, позволяющий повысить качество покрытия, его стехиометрию путем правильного задания совокупности конструктивно-технологических параметров процесса формирования многокомпонентного пленочного покрытия в зависимости от свойств материалов и стехиометрических коэффициентов химической формулы. Получен патент на изобретение [4].

2. Разработана мишень для ионно-плазменного нанесения пленочных покрытий сложного состава (в том числе и ВТСП покрытий) и способ ее изготовления, позволяющие получать многокомпонентные стехиометричные покрытия из одного источника, выравнивая скорости распыления отдельных элементов мишени, а также использовать порошки любых гранулометрических составов. Получен патент на изобретение [5].

3. Разработана мозаичная мишень для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий (в том числе и ВТСП покрытий) и способ ее изготовления, позволяющие получать многокомпонентные покрытия из непрессованных порошков, увеличивая при этом скорость нанесения покрытий и снижая неравномерность распределения распыляемых компонентов по поверхности мишени. Получен патент на изобретение [6].

4. Разработан способ формирования высокотемпературного сверхпроводникового покрытия, повышающий качество ВТСП покрытий, их адгезию и критические параметры. Получен патент на изобретение [7].

5. Разработан способ изготовления подложки для ВТСП покрытий на основе 1У^О-керамики и серебра, позволяющий повысить качество ВТСП покрытий вследствие увеличения поверхностной концентрации серебра. Получен патент на изобретение [8].

6. Полученные результаты были использованы для усовершенствования параметров существующих ВТСП элементов, таких как составной магнитный ВТСП экран (патент на изобретение [9]), составной комбинированный магнитный экран (патент на изобретение [10]), криоэлектронный преобразователь импульсов (патент на изобретение [11]).

7. Разработан способ охлаждения и магнитный сверхпроводниковый экран, коэффициент ослабления которого повышен за счет уменьшения остаточных («вмороженных») магнитных полей. Получен патент на изобретение [12].

8. По результатам работ автором была написана глава «Формирование тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников» в учебном пособии с грифом УМО для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальностям 200800, 220500 и направлениям 551100, 654300 [13].

9. Разработанные автором технологические приемы (оборудование и технологии), а также полученные с их применением слоистые структуры были использованы при выполнении работ по теме НИОКР «Наномагнит» научно-исследовательским технологическим институтом «Техномаш» (Акт о внедрении №15/2-855 от 03.12.2007г.). •

10. Построенная автором модель технологического процесса формирования многокомпонентных тонких пленок методом магнетронного распыления на постоянном токе с использованием сложной мишени на основе экспериментально устанавливаемой функции коэффициента эрозии мишени была внедрена на ООО «Научно-производственное предприятие Поиск» (Акт о внедрении от 22.11.2007г.).

11. Результаты работ были использованы в учебном процессе Марийского государственного технического университета (Акт о внедрении от 21.09.2005).

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на: V, VIII, IX международных научно-практических конференциях «Современные информационные и электронные технологии» (Одесса, Украина, 2005, 2007, 2008); X, XI, XII Международных научно-технических конференциях «Высокие технологии в промышленности России» и XVI, XVII Международных симпозиумах «Тонкие пленки в электронике» (Москва, ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2004, 2005, 2006); Ежегодных научных конференциях по итогам иаучно-исследовательских работ МарГТУ (Йошкар-Ола, 2003-2008).

Публикации. По результатам исследований, выполненных в диссертации, опубликована 31 печатная работа, из которых: 3 статьи в журналах, рекомендованных ВАК, 9 патентов РФ, 1 статья, депонированная в ВИНИТИ, 1 учебное пособие, 11 статей в сборниках международных конференций и 6 тезисов докладов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Она изложена на 200 страницах машинописного текста и включает в себя 77 рисунков, 19 таблиц и список литературы из 252 источников.

Выводы

1. Впервые разработан метод изготовления и конструкция составного ВТСП магнитного экрана с использованием слоев серебросодержащего клея, позволяющий получать магнитные экраны с высоким коэффициентом ослабления магнитного поля, использовать экран при перпендикулярной ориентации его оси относительно поля, создавать экран под конкретную величину магнитного поля. Практически доказаны преимущества конструкции магнитного экрана, изготовленного по предложенной методике, по сравнению с конструкциями, применяемыми в настоящее время.

2. Впервые разработана конструкция составного слоистого комбинированного магнитного экрана с двухступенчатым экранированием, позволяющая в две ступени снижать степень экранирования и ослабить процессы, связанные с проникновением магнитного поля в экран при переходе его из сверхпроводящего состояния в нормальное. Практически подтверждено достижение технического результата - двухступенчатого экранирования магнитного поля.

3. Впервые разработана методика охлаждения и магнитный экран, коэффициент ослабления которого повышен за счет уменьшения остаточных («вмороженных») магнитных полей.

4. Разработан слоистый двухступенчатый ВТСП токоограничитель-выключатель с предупреждающим сигналом и повышенными скоростью и надежностью отключения рабочей цепи и технология его изготовления.

5. Разработан управляемый ВТСП резистор с улучшенными параметрами, уменьшенными габаритами и сложностью, возможностью автоматического управления и применения при азотных температурах и технология его изготовления.

6. Разработан ВТСП датчик температуры с увеличенными разрешающей способностью и рабочим интервалом температур и технология его изготовления.

7. Впервые разработан криоэлектронный преобразователь импульсов для снижения сложности и стоимости устройства преобразователя импульсов и его регулировки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе выполнены исследования по созданию новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников УВа2Сиз075 и В128г2СаСи208+х для использования в элементах криоэлектроп-ных информационно-измерительных приборов.

Основными научными результатами диссертационной работы являются следующие.

1. Проведен анализ перспективных направлений развития приборостроения. Показано, что разработка и внедрение технологии формирования многокомпонентных пленок и изготовления новых типов слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников позволит создавать элементы криоэлек-тронных информационно-измерительных приборов с расширенными функциональными возможностями и повысить их универсальность.

2. Разработанные технологические процессы формирования многокомпонентных пленок используемых в слоистых структурах высокотемпературных сверхпроводников, позволяют обеспечить заданный стехиометрический состав многокомпонентного покрытия за счет эффективного управления конструктивно-технологическими параметрами процесса формирования. Разработанная для данных процессов новая математическая модель позволяет повысить эффективность управления содержанием отдельных компонентов многокомпонентного покрытия методом магнетронного распыления на постоянном токе с использованием сложной мишени на 15% и более за счет введения экспериментально устанавливаемой функции коэффициента, учитывающего неравномерность эрозии мишени.

3. Разработанные технологические процессы формирования слоистых структур из совокупности ВТСП материалов ¥Ва2Сиз07.8 и В128г2СаСи208+х позволяют создавать данные слоистые структуры, обладающие сверхпроводящим переходом. Получены ВТСП слоистые структуры с температурами сверхпроводящего перехода от 78 до 107 К и плотностями критического тока от 1,5x10 до 1,5x10 А/см . Выработанные рекомендации по использованию в ВТСП слоистых структурах слоя материала нитрида алюминия позволяют расширить функциональные возможности таких слоистых структур.

4. Созданы и конструктивно проработаны следующие элементы криоэлек-тронных информационно-измерительных приборов: составной магнитный ВТСП экран, составной слоистый комбинированный магнитный ВТСП экран с двухступенчатым экранированием, слоистый двухступенчатый ВТСП то-коограничитель-выключатель, управляемый ВТСП резистор, ВТСП датчик температуры, криоэлектронный преобразователь импульсов. Показано, что элементы криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе разработанных ВТСП слоистых структур, защищенных девятью патентами РФ на способ их изготовления, обладают лучшими характеристиками по сравнению с известными, расширены их функциональные возможности и повышена их универсальность.

5. Разработанные технологические приемы (оборудование и технологии), а также полученные с их применением слоистые структуры были использованы при выполнении работ по теме НИОКР «Наномагнит» ЦНИТИ «Техно-маш». Разработанная математическая модель формирования многокомпонентных пленок внедрена на ООО «НПП Поиск». Результаты работ были использованы в учебном процессе Марийского государственного технического университета.

Важность практического использования разработанных решений подтверждена выданными на них патентами и результатами НИР.

1 1 I

1. Jin, S. Processing techniques for bulk high Tc superconductors / S. Jin // JOM. 1991. - № 3. - P.8-12.

2. Wu, M.K. Superconductivity at 93 К in a new mixed-phase Y-Ba-Cu-0 compound system at ambient pressure / M.K. Wu, J.R. Ashburn, C.J. Torng et al. // Phys. Rev. Lett. 1987. - Vol. 58, № 9. - P.908-910.

3. Maeda, H. A new high-Tc oxide superconductor without a rare earth element / H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi, T. Asano // Jpn. J. Appl. Phys. Lett. -1988. Vol. 27, № 2. - P. L209-L210.

4. Патент РФ №2290453. МПК7 С 23 С 14/35. Способ формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов. №2004133018/02; Заявлено 12.11.2004; Опубл. 27.12.2006, Бюл. №36.

5. Патент РФ №2304827. МПК7 Н 01 L 39/24. Способ формирования высокотемпературного сверхпроводникового покрытия / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.П. Большаков, Н.М. Скулкин. №2006110706/28; Заявлено 03.04.2006; Опубл. 20.08.2007, Бюл. № 23.

6. Патент РФ №2234167. МКИ 7 Н 01 L 39/24. Способ изготовления подложки для ВТСП покрытий на основе MgO-керамики и серебра/ В.Н.

7. Игумнов, А.Р. Буев, Н.М. Скул'кин, В.В. Иванов, В.Е. Филимонов. -№20031 10635/28; Заявлено 14.04.2003; Опубл. 10.08.2004, Бюл. № 22.

8. Патент РФ №2253169. МПК7 Н 01 L 39/08. Составной магнитный ВТСП экран / В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, В.В. Иванов, В.Е. Филимонов. — №2003134210/28; Заявлено 25.11.2003; Опубл. 27.05.2005, Бюл. № 15.

9. Патент РФ №2306635. МПК7 Н 01 L 39/12. Составной комбинированный магнитный экран / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.П. Большаков. -№2006104083/28; Заявлено 10.02.2006; Опубл. 20.09.2007, Бюл. № 26.

10. Патент РФ №2282281. МПК7 Н 01 L 39/18. Криоэлектронный преобразователь импульсов / В.Н. Игумнов, В.Е. Филимонов, А.Ю. Ахметханов. — №2005101439/09; Заявлено 21.01.2005; Опубл. 20.08.2006, Бюл. № 23.

11. Патент РФ №2271582. МПК7 G 12 В 17/02, Н 01 L 39/00. Магнитный сверхпроводниковый экран и способ его охлаждения / В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, В.В. Иванов, В.Е. Филимонов. №2004119112/28; Заявлено 23.06.2004; Опубл. 10.03.2006, Бюл. № 7.

12. Сушенцов, Н.И. Основы технологии микроэлектроники: Лабораторный практикум / Н.И. Сушенцов, В.Е. Филимонов. 3-е изд., перераб. и доп. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2005. - 184с.

13. High-temperature superconducting materials science and engineering: new concepts and technology / edited by Donglu Shi. University of Cincinnati, USA, 1995.-475p.

14. Можаев, А.П. Методы синтеза высокотемпературных сверхпроводников / А.П. Можаев, В.И. Першин, В.П. Шабатин // ЖВХО. 1989. - т. 34, №4. - С.504-508.

15. Rao, C.N.R. Synthesis of cuprate superconductors / C.N.R. Rao, R. Nagara-jan, R. Vijayaraghavan // Supercond. Sci. Technol. 1993. - Vol. 6. - P.1-22.

16. Metlin, Yu.G. Chemical routes for preparation of oxide high-temperature superconducting powders and precursors for superconductive ceramics, coatings and composites / Yu.G. Metlin, Yu.D. Tretyakov // J. Mater. Chem. 1994. -Vol. 4, № 11.-P.1659-1665.f

17. Gopalakrishnan, J. Chimie Douce approaches to the syntheses of metastable oxide materials / J. Gopalakrishnan // Chem. Mater. — 1995. Vol. 7, № 7. -P. 1265-1275.

18. Dou, S.X. Ag-sheathed Bi(Pb)SrCaCuO superconducting tapes / S.X. Dou, H.K. Liu// Supercond. Sci. Technol. 1993. - Vol. 6. -P.297-314.

19. Kao, C.H. A study of Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O/Ag tape prepared by the jelly-roll process / C.H. Kao, H.Y. Tang, Y.S. Shiue, S.R. Sheen, M.K. Wu, C.C. Tsuei, C.C. Chi, D.T. Shaw // Supercond. Sci. Technol. 1994. - Vol. 7. -P.470-472.

20. Tretyakov, Yu.D. Cryochemical Technology of Advanced Materials / Yu.D. Tretyakov, N.N. Oleinikov, O.A. Shlyakhtin. London, 1997. - 143p.

21. Кауль, A.P. Химические методы получения пленок и покрытий ВТСП / А.Р. Кауль // Журн. Всесоюзн. хим. общ. 1989. - Т. XXXIV, № 4. -С.492-503.

22. Ruiz, М.Т. Solution-based synthesis routes to (Bii.xPbx)2Sr2CaCu2Oio+5 / M.T. Ruiz, G.F. de la Fuente, A. Badia, J. Blanco, M. Castro, A. Sotelo, A. Sarrea, F. Lera, C. Rillo, R. Navarro // J. Mater. Res. 1993. - Vol. 8, № 6. -P.1268-1276.

23. Sun, Y.K. Preparation of high purity 110 К phase in the Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-0 superconductor using the modified citrate process / Y.K. Sun, W.Y. Lee // Physica C. 1993. - Vol. 212. -P.37-42.

24. Barboux, P. Homogeneity-related problems in solution derived powders / P.

25. Barboux, P. Griesmar, F. Ribot, L. Mazerolles // J. Solid. State Chem. 1995. -Vol. 117. -P.343-350.

26. Bhargava, A. Manufacture of specific BSCCO powder compositions by co-precipitation / A. Bhargava, T. Yamashita, I.D.R. Mackinnon // Physica C. -1995. Vol. 247. - P.385-392.

27. Bednorz, J.G. Possibility of high-temperature superconductivity in the system Ba-La-Cu-0 / J.G. Bednorz, K.A. Muller // Z. Phys. B: Condensed Matter. -1986. Vol. 64. — P.189-193.

28. Okuyama, K. Size-dependence of properties of superconducting Bi-Ca-Sr-Cu-O fine particles prepared by a spray-pyrolysis method / K. Okuyama, T. Seto, M. Shimada, N. Tohge // J. Mat. Sei. Mater. Electronics. 1994. - Vol. 5. -P.210-214.

29. Третьяков, Ю.Д. Основы криохимической технологии / Ю.Д. Третьяков, H.H. Олейников, А.П. Можаев. -М.: Высшая школа, 1987. 143с.

30. Schell, H.J. Ciystal growth problems of YBa2Cu307.x / H.J. Schell // Phys. C. 1988. - Vol.153-155. -P.44-49.

31. Roth, R.S. Phase quilibria and crystal chemistry in the system Ba-Y-Cu-0 / R.S. Roth, K.L. Davis, J.R. Dennis // Adv. Ceram. Mat. 1987. - Vol.2, №3B. - P.303-313.

32. Bykov, A.B. Crystallization of high temperature superconductors from non-stoichiometric melts / A.B. Bykov, L.N. Demiannets, J.P. Zibrov // J. Cryst. Growth. 1988. - Vol.91, № 3. - P.302-307.

33. Frase, K.G. Phase compatibilities in the system Y203-Ba0-Cu0 / K.G. Frase, D.R. Clarke // Adv. Ceram. Mat. 1987. - Vol.2, №3B. - P.295-302.

34. Frase, K.G. Phase compatibilities in the system Y203-Ba0-Cu0 at 950 °C / K.G. Frase, E.G. Liniger, D.R. Clarke // J. Am. Ceramic Soc. 1987.1. Vol.70, № 9. P.C204-C205.

35. Licci, F. Approach to growth of free crystals of YBCO / F. Licci, H.I. Scheel, T. Besagni // Phys. C. 1988. - Vol.153-155. - P.431-432.

36. Yoshida, H.K. Growth of YBa2Cu307-5 single crystals / H.K. Yoshida, Y. Okabe, T. Takanashi // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. - Vol.26, №12. - P.L2007-L2009.

37. Zhang, J. A preliminary study of the solidifaication behaviour of Y-Ba-Cu-O compounds / J. Zhang, X.P. Jiang, J.G. Huang // Supercond. Sci. Technol. -1988. Vol. 1, № 2. - P. 107-109.

38. Hazen, R.M. Crystallographic description of phases in the Y-Ba-Cu-O superconductor / R.M. Hazen, L.W. Finger, R.J. Angel // Phys. Rev. B. 1987.- Vol.35, № 13. P.7238-7241.

39. Александров, И.В. Новые данные о зависимости критической температуры от содержания кислорода в сверхпроводящем соединении YBa2Cu3Ox / И.В. Александров, А.Б. Быков, И.П. Зибров // Письма в ЖЭТФ. 1988. - Т.48, № 8. - С.449-452.

40. Анисимов, В.И. Структура энергетических полос высокотемпературных сверхпроводников La1>85Sro,i5Cu04 и YBa2Cu307 / В.И. Анисимов, В.Р. Галахов, В.А. Губанов // ФММ. 1988. - Т.66, № 1. - С.204-206.

41. Анисимов, В.И. Влияние смещения атомов кислорода в цепочках на электронную структуру YBa2Cu307 / В.И. Анисимов, М.А. Коротин, И.В. Афанасьев //ФММ. 1988. -Т.66, № 5. - С.1031-1033.

42. Endo, Н. Thermal stability of the high-Tc superconductor in the Bi-Sr-Ca-Cu-O system / H. Endo, J. Tsuchiya, N. Kijima // Jpn. J. Appl. Phys. 1988.- Vol.27, № 10. -P.L1906-L1909.

43. Strobel, P. Crystal growth and characterization of the superconducting phase in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system / P. Strobel, K. ICellehev, F. Holtzberg // Phys. C.- 1988.-Vol.156.-P.434-440.'

44. Komatsu, T. Preparation of high-Tc Bi-Ca-Sr-Cu-O superconducting ceramics by the melt quenching method / T. Komatsu, K. Imai, R. Sato // Jpn. J. Appl.

45. Phys. 1988. - Vol. 27, № 4. - P.L533-L535.

46. Skumryev, V. Physical properties of BiCaSrCu20x superconductor obtained by rapid quenching from the melt / V. Skumryev, R. Puzniak, N. Karpe // Physica C. 1988. - Vol. 152. -P.315-320.

47. Komatsu, T. Effects of annealing conditions on superconductivity of BiCaS-rCu2Ox ceramics prepared by the melt quenching method / T. Komatsu, K. Imai, R. Sato // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 10. - P.L1839-L1842.

48. Hsu, H.M. Dense Bi-Ca-Sr-Cu-O superconducting films, prepared by spray pirolysis / H.M. Hsu, I. Yee, J. Deluca // Appl. Phys. Lett. 1989. - Vol. 54, № 10. -P.957-959.

49. Бобылев, И.Б. Получение литых сверхпроводящих изделий из расплавов системы Bi(Pb)-Ca-Sr-Cu-0 / И.Б. Бобылев, Н.А. Зюзева, М.Г. Любимов // СФХТ. 1994. - Т. 7, № 2. - С.359-364.

50. Lo, W. A study of the formation processes of the 2212 phase in the Bi-based superconductor systems / W. Lo, B.A. Glowacki // Physica C. 1992. - Vol. 193. - P.253-263.

51. Bock, J. Preparation of single phase 2212 bismuth strontium calcium cuprate by melt processing / J. Bock, E. Preisler // Solid State Commun. 1989. -Vol. 72, № 5. - P.458-463.

52. Peukert, M. Melt processing and oxygen doping of bismuth superconductors / M. Peukert, W. Becker, J. Bock, H.W. Neumuller, M. Schwarz // Physica C. -1989.-Vol. 162. P.893-894.

53. Bock, J. BSCCO 2212 melt processed bulk materials with enhanced critical current densities and low resistance contacts / J. Bock, E. Preisler, S. Elschner // MSU-HTSC II. Moscow. Russia. 1991. - P.224-236.

54. Elschner, S. Influence of granularity on the critical current density in melt-cast processed Bi2Sr2CaCu208+x / S. Elschner, J. Bock, H. Bestgen // Supercond. Sci. Technol. 1993. - Vol. 6. - P.413-420.

55. Ли, С.P. Проблемы и перспективы развития методов получения ВТСПматериалов из расплавов / С.Р. Ли, Н.Н. Олейников, Е.А. Гудилин // Не-орг. Матер. 1993. - Т. 29, № 1. - С.3-17.

56. Egawa, К. Microstructure and superconducting properties of Bi-Sr-Ca-Cu-O system prepared by a melt process / K. Egawa, T. Umemura, S. Kinouchi, M. Wakata, S. Utsunomia // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. - Vol. 30, № 7a. -P.LI 160-L1162.

57. Karpinski, J. Crystallization of YBa2Cu307.x from nearly stoichiometric and nonstoichiometric melts, under oxygen pressures up to 2800 bar / J. Karpinski, C. Beeli, E. Kaldis // Phys. С. 1988. - Vol. 153.- P.830-831.

58. Jiang, X.P. The crystal growth of Y-Ba-Cu-O by laser floating zone melting / X.P. Jiang, J.G. Huang, Y. Yu // Supercond. S. Technol. 1988. - Vol. 1, №2. -P.102-106.

59. Zhang, J. A preliminary study of the solidifaication behaviour of Y-Ba-Cu-0 compounds / J. Zhang, X.P. Jiang, J.G. Huang // Supercond. Sci. Technol. -1988.-Vol. 1, № 2. P.107-109.

60. Gazit, D. Laser heated pedestal growth of high Tc Bi-Sr-Ca-Cu superconducting fibers / D. Gazit, R.S. Feigelson // J. Crystal growth. - 1988. - Vol. 91, №3.-P.318-330.

61. Brody, H.D. Highly textured and single crystal Bi2Sr2CaCu2Ox prepared by laser heated float zone crystallization / H.D. Brody, J.S. Haggerty, M.J. Cima // J. Cryst. Growth. 1989. - Vol. 96, № 2. - P.225-233.

62. Cima, M.J. Influence of growth parameters on the microstructure of direc-tionally solidified Bi2Sr2CaCu2Oy / M.J. Cima, X.P. Jiang, H.M. Chow // J. Mater Res. 1990. - Vol. 5, № 9.-P.1834-1849.

63. Goto, T. Zone melting of suspension spun Bi2Sr2CaCu2Ox filament / T. Goto, T. Aoki // Physica C. 1990. - Vol. 170. -P.427-430.

64. Heeb, B. Microstructure and properties of melt-processed Bi-2212 (Bi2Sr2CaCu20s+x) / B. Heeb, L.J. Gauckler, H. Heinrich, G. Kostorz // J. Electron. Mat. 1993.-Vol. 22, № 10.-P.l 279-1283.

65. Diez, J.C. Processing of textured BSCCO superconductors by laser-induceddirectional solidification / J.C. Diez, L.A. Angurel, H. Miao, J.M. Fernandez, G.F. De-la Fuente // Supercond. Sci. Technol. 1998. - Vol. 11. - P. 101.

66. Damento, M.Y. Preparation of single crystal of superconducting YBa2Cu307.x from CuO melts / M.Y. Damento, K.A. Gschneidner, R.W. Mc Callum // Appl. Phys. Lett. 1987.-Vol. 51, № 9. -P.690-691.

67. Dinger, T.R. Durect observation of anisotropy in single crystal YBa2Cu307.x / T.R. Dinger, T.K. Worthington, W.J. Gallagher // Phys. Rev. Lett. 1987. -Vol. 58, № 25. - P.2687-2690.

68. Wan, R.X. A method for preparing superconducting single crystals Ba2GdCu307-y / R.X. Wan, G.M. Zhao, X.M. Tang // J. Appl. Phys. 1988. -Vol. 64, № 7. - P.3754-3755.

69. Jung, J. Whiskergrowth of superconducting Bi-Sr-Ca-Cu oxide / J. Jung, J.P. Franck, D.F. Mitchell // Phys. C. 1988. - Vol. 156. - P.494-496.

70. Dou, S.X. Labile Cu3+ ions in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system and the effects of varying the composition and heat treatment / S.X. Dou, H.K. Liu, A.J. Bour-dillon // Supercond. Sci. Technol. 1988.-Vol. 1,№ 1.-P.78-82.

71. Laudise, R.A. Crystal growth of high temperature superconductors problems, successes, oportunites / R.A. Laudise, L.E. Schneemeyer, R.L. Barns // J. Crystal Growth. - 1987. - Vol. 85, № 4. - P.569-575.

72. Folkerts, T.Y. Anisotropic magnetization in single crystal ErBa2Cu307.x / T.Y. Folkerts, P. Klavins, R.N. Slelton//Phys. C. 1988.-Vol. 153.-P.417-418.

73. Kaiser, D.L. Growth and microstructure of superconducting YBa2Cu3Ox single crystals / D.L. Kaiser, F. Holtzberg, M.P. Chisholm // J. Crystal Growth. -1987. Vol. 85, № 4. - P.593-598.

74. Schell, H.J. Crystal growth problems of YBa2Cu307.x / H.J. Schell // Phys. C. 1988.-Vol. 153. — P.44-49.

75. Gupta, A. Effect of atomic substitution in high-temperature superconductors: YBa2.xMxCu307.5 (M=Na, K) and the system Bi-Ca-Sr-Cu-0 / A. Gupta, N.F. Braun // Phys. C. 1988. - Vol. 153. - P.904-905.

76. Katsui, A. Solution growth of Bi-Sr-Ca-Cu-0 compounds using alkalichorides / A. Katsui, H. Ontsuka // J. Crystal Growth. 1988. - Vol. 91, № 3. - P.261-263.

77. Morris, P.A. Melt growth of high-critical-temperature superconducting fibers / P.A. Morris, B.G. Bagley, J.M. Tarscon // J. Am. Ceram. Soc. 1988. - Vol. 71, № 5. — P.334-337.

78. Головчанский, M.E. Получение, структура и свойства монокристаллов УВа2Сиз07.5 / М.Е. Головчанский, В.А. Марченко, Р.Н. Дейкарханов // Тез. докл. VII Всес. конф. по росту кристаллов. — М., 1988. Т. II. -С.396-397.

79. Yamane, Н. Formation of bismuth strontium calcium coper oxide superconducting films by chemical vapor deposition / H. Yamane, H. Hideyuki, Y. Kurosawa // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 8. - P.L1495-L1497.

80. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JL Майссела, Р. Глэн-га. М.: Советское радио, 1977. - 768с.

81. Слепцов, В.В. Перспективные технологии XXI века: Справочник / В.В. Слепцов // Инженерный журнал. — М., 1999. -№ 10. -С.25-32.

82. Spah, R.J. Parameters for in situ growth of high Tc superconducting thin films using an oxygen plasma source / R.J. Spah, H.F. Hess, H.L. Stormer, A.E. White, K.T. Short // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 5. - P.441-443.

83. Bao, Z.L. YBaCuO superconducting thin films with zero resistance at 84 K by multilayer deposition / Z.L. Bao, F.R. Wang, Q.D. Jiang, S.Z. Wang, Z.Y. Ye, K. Wu, C.Y. Li, D.L. Yin // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 51, № 12. -P.946-947.

84. Laibowitz, R.B. Thin superconducting oxide films / R.B. Laibowitz, R.H. Koch, P. Chaudhari, R.J. Gambino // Phys. Rev. B. 1987. - Vol. 35, № 16.- P.8821-8823.

85. Kuroda, K. Preparation of new high-Tc superconducting oxide Bi-Sr-Ca-Cu-O thin film by electron beam deposition technique / K. Kuroda, M. Mukaida, S. Miyazawa // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 4. - P.L625-L627.

86. Yoshitake, T. Preparation of 107 K superconducting thin film in Bi-Sr-Ca-Cu-O system by coevaporation / T. Yoshitake, T. Satoh, Y. Kubo, H. Igarashi // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 7. - P.L1262-L1264.

87. Terashima, T. Single-crystal YBa2Cu307.x thin films by activated reactive evaporation / T. Terashima, K. Iijima, K. Yamamoto, Y. Bando, H. Mazalci // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 1. -P.L91-L93.

88. Levi, A.F.J. Epitaxial order and resistivity of high temperature superconductors growth on SrTi03 / A.F.J. Levi, J.M. Vandenberg, C.E. Rice, A.P. Ramirez, K.W. Baldwin, M. Anzlowar, A.E. White, K. Short // J. Crystal Growth.- 1988.-Vol.91.-P.386-391.

89. Roas, B. Epitaxial growth of YBa2Cu307.x thin films by a laser evaporation process / B. Roas, L. Schults, G. Endres // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 16.-P.1557-1559.

90. Frohlingsdorf, J. Direct preparation of high-Tc superconducting films by laser ablation / J. Frohlingsdorf, W. Zander, B. Stritzker // Solid-State Commun. -1988.-Vol. 67, № 10. P.965-966.

91. Chang, C.C. Smooth high Tc YBa2Cu3Ox films by laser deposition at 650 °C / C.C. Chang, X.D. Wu, A. Inam, D.M. Hwang, T. Venkatesan, P. Barboux, J.M. Tarascon // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 6. - P.517-519.

92. Migliuolo, M. Single target sputtering of superconducting YBa2Cu307x thin films on Si(100) / M. Migliuolo, A.K. Stamper, D.W. Greve, Т.Е. Schlesinger // Appl. Phys. Lett. 1989. - Vol. 54, № 9. - P.859-861.

93. Vries, J.W.C. Preparation, pattering and properties of thin YBa2Cu307.5 films / J.W.C. Vries // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 52, № 22. - P. 1904-1906.

94. Triscone, J.M. In situ thin films of YBa2Cu307 prepared by single target DC-magnetron sputtering / J.M. Triscone, M.G. Karkut, O. Brunner, L. Antog-nazza, M. Decroux, O. Fischer // Physica. C. 1989. - Vol. 159. - P.293-297.

95. Li, H.C. In situ preparation of Y-Ba-Cu-O superconducting thin films by magnetron sputtering / H.C. Li, G. Linker, F. Ratzel, R. Smithey, J. Geerk // Appl. Phys. Lett. 1988.-Vol. 52, № 13. - P.l 098-1100.

96. Setsune, K. Epitaxial Y-Ba-Cu-O thin films prepared by rf-magnetron sputtering / K. Setsune, T. Kamada, H. Adachi, K. Wasa // J. Appl. Phys. 1988. -Vol. 64, № 3. -P.1319-1322.

97. Kohiri, S. Effect of annealing in oxygen on the structure formation of Bi-Sr-Ca-Cu-O thin films / S. Kohiri, K. Hirochi, H. Adachi, K. Setsune, K. Wasa // Phys. Rev. B. 1989. - Vol. 39, № 7. - P.4695-4698.

98. Kadin, A.M. High temperature superconducting films by rf magnetron sputtering / A.M. Kadin, P.H. Ballentine, J. Argana, R.C. Rath // IEEE Trans. Magn. 1989. - Vol. 25, № 2. - P.2437-2440.

99. Гершензон, M.E. Получение in situ тонких сверхпроводящих пленок YBaCuO ВЧ-магнетронным распылением / M.E. Гершензон, Я.Э. Невельская, М.И. Фалей // Тез. докл. 2-й Всес. конф. по ВТСП. Киев, 1989.-Т. 2. - С.281-282.

100. Fudjita, J. Preferentially oriented epitaxial Y-Ba-Cu-O films prepared by ion beam sputtering method / J. Fudjita, T. Yoshitake, A. Kamijyo, T. Satoh, H.1.arashi // J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 64, № 3. - P.1292-1295.

101. Yuan, C.W. The study of critical current in YBaCuO thin films / C.W. Yuan, B.R. Zhao, Y.Z. Zhang, Y.Y. Zhao, Y. Lu, H.S. Wang, Y.H. Shi, J. Gao, L. Li // J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 64, № 8. - P.4091-4094.

102. Nastasi, M. Fabrication of oxide superconductors from multilayered metallic thin films / M. Nastasi, P.N. Arendt, J.R. Tesme // J. Mater. Res. 1987. -Vol. 2, № 6. - P.726-731.

103. Ohkubo, M. YBa2Cu3Ox superconducting thin film formation studied by Rutherford backscattering spectroscopy for the multilayer deposition method // M. Ohkubo, T. Hioki // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 4. -P.L613-L616.

104. Feenstra, R. Epitaxial superconducting thin films of YBa2Cu307.x on KTa03 single crystals / R. Feenstra, L.A. Boatner, J.D. Budai // Appl. Phys. Lett. -1989.-Vol. 54, №11. P. 1062-1065.

105. Feenstra, R. Transport critical currents in epitaxial YBa2Cu307.x thin films / R. Feenstra, L.A. Boatner, J.D. Budai // Physica C. 1989 - Vol. 162. -P.653-654.

106. Osolsky, M.S. Thin-film high Tc superconductors prepared by a simple flash evaporation technique / M.S. Osolsky, P. Lubitz, M.Z. Harford // Appl. Phys. Lett. 1988.-Vol. 53, № 17.-P.1603-1664.

107. Scholch, H.P. Production of YBa2Cu307x superconducting thin films by pulsed pseudospark electron beam evaporation / H.P. Scholch, P. Fickenscher, T. Redel // Appl. Phys. 1989. - Vol. A48. - P.397-400.

108. Nakayama, Y. In situ growth of Bi-Sr-Sr-Ca-Cu-O thin films by molecular beam epitaxy technique with pure ozone / Y. Nakayama, H. Ochimizu, A. Maeda // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 7. - P.L1217-L1219.

109. Kwo, J. In situ growth ofYBa2Cu307.x films by molecular beam epitaxy with an activated oxygen source / J. Kwo, M. Hong, D.J. Trevor // Physica C. -1989. Vol. 162. - P.623-624.

110. Zheng, J.P. Generation of high-energy atomic beam in laser-superconducting target interactions / J.P. Zheng, Z.Q. Huang, D.T. Shaw, H.S. Kwon // Appl. Phys. Lett. 1989 - Vol. 54, № 3. -P.280-282.

111. Deshmukh, S. ArF laser induced emission from high Tc superconducting 123. thin films deposited by ArF laser ablation / S. Deshmukh, E.W. Rothe, G.P. Reck // Super. Sci. Technol. 1989. - Vol. 1, № 6. -P.319-323.

112. Minamikawa, T. Preparation of YBa2Cu307.x superconducting films by laser evaporation and rapid laser annealing / T. Minamikawa, Y. Yonezawa, S. Ot-subo //Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 4. - P.L619-L921.

113. Ohya S. C-axis lattice spacing control of As-grown Bi-Sr-Ca-Cu-0 thin films by single target excimer laser ablation / S. Ohya, K. Kobayashi, Y. Hirabaya-shi // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 6. - P.L978-L980.

114. Narayan, J. Formation of thin superconducting films by the laser processing method / J. Narayan, N. Bianno, R. Singh // Appl. Phys. Lett. 1987. -Vol.51, №22.-P. 1845-1847.

115. Eryu, 0. Y-Ba-Cu oxide films formed with pulsed laser induced fragments / O. Eryu, K. Murakami, K. Takita // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, №4. - P.L628-L631.

116. Kolinsky, P.V. Substrate temperature dependence of thin films of Bi-Sr-Ca-Cu-0 deposited by the laser ablation method / P.V. Kolinsky, P. May, M.R. Harrison // Super. Sci. Technol. 1989. - Vol. 1, № 6. - P.333-335.

117. Miura, S. Structure and superconducting properties of YBa2Cu307.x films prepared by transversely excited atmospheric pressure C02 pulsed laser evaporation / S. Miura, T. Yoshitake, T. Satoh // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 52, № 12.-P.1008-1010.

118. Bauerle, D. Laser induced formation and surface processing of high temperature superconductors / D. Bauerle // Appl. Phys. 1989. - Vol. A48. - P.527-542.

119. Югай, K.H. Взаимодействие импульсного лазерного излучения с поверхностью мишени YBaCuO: время запаздывания / К.Н. Югай, А.А. Скутин // СФХТ. 1994. - Т.7, № 6. С. 1026-1032.

120. Югай, К.К., Югай К.Н., Скутин А.А., Серопян Г.М. О механизме отрыва частиц от поверхности ВТСП мишени при поглощении лазерных импульсов / К.К. Югай, К.Н. Югай, А.А. Скутин, Г. М. Серопян // Изв. вузов. Физика. 1997. - № 6. - С.73-77.

121. Югай, К.К. Поглощение лазерного импульса поверхностью ВТСП мишени: динамический хаос / К.К. Югай, К.Н. Югай // Изв. вузов. Физика.- 1997. -№ 8. С.53-56.

122. Witanachchi, S. As-deposited Y-Ba-Cu-O superconducting films on silicon at 400 °C / S. Witanachchi, S. Patel, H.S. Kwok, D.T. Shaw // Appl. Phys. Lett.- 1989. Vol. 54, № 6. - P.578-580.

123. Koren, G. Epitaxial films of УВа2Сиз07х on NbBa03, LaGaC>3 and SrTi03 substrates deposited by laser ablation / G. Koren, A. Gupta, E.A. Giess // Appl. Phys. Lett. 1989.-Vol. 54, № 11.-P.1054-1056.

124. Geohegan, D.B. Pulsed laser deposition of thin superconducting films of HoBa2Cu307.x and YBa2Cu307.x / D.B. Geohegan, D.N. Mashburn, R.J. Cul-bertson // J. Mater. Res. 1988. - Vol. 3, № 6. - P.l 169-1179.

125. Tabata, H. Formation of the high Tc phase of the superconducting BiPbSrCa-CuO thin films by the laser ablation method / H. Tabata, T. Kawai, M. Kanai // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 3. - P.L430-L433.

126. Лабунов, В.А. Получение, свойства, применение тонких пленок керамических высокотемпературных сверхпроводников / В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко, Ю.Э. Воеводов, В.В. Грибковский // Зарубежн. электрон.техника. 1989.-Вып. 3.-C.3-57.

127. Fudjita, J. Preferentially oriented epitaxial Y-Ba-Cu-O films prepared by oxygen reactive ion beam sputtering / J. Fudjita, T. Yoshitake, A. Kamijyo, T. Satoh, H. Igarashi // NEC. Res. and Develop. 1989. - Vol. 92. - P.3-7.

128. Kwasnick, R.F. Microstructure and properties of superconducting sputter deposited Y-Ba-Cu-O films / R.F. Kwasnick, F.E. Laborsky, T.L. Hall // J. Mater. Res. 1989. - Vol. 4, № 2. - P.257-266.

129. Белянин, А.Ф. Установка для осаждения тонких пленок материалов, обладающих ВТСП / А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, А.П. Семенов, В.В. Бе-соногов, А.В. Солдатенков // Техника средств связи. Сер. ТПО. Научно-технический сб. 1990. - Вып. 5. - С.42-50.

130. Белянин, А.Ф. Формирование методом магнетронного ВЧ-распыления пленок Bi-Sr-Ca-Cu-O, обладающих ВТСП / А.Ф. Белянин, П.В. Пащенко, В.Д. Житковский, А.А. Алтухов // Техника средств связи. Сер. ТПО. Научно-технический сб. 1990. - Вып. 5. - С.50-55.

131. Hl.Hohler, A. Fully textured growth of УВа2Сиз07.5 films by sputtering on LiNb03 substrates / A. Hohler, D. Gugg, H. Need, C. Heiden // Appl. Phys. Lett 1989.-Vol. 54, № 1. - P.1066-1067.

132. Matsuchima, Т. Structure and superconducting properties of Bi-Sr-Ca-Cu-O-thin films ailed of deposited at low temperature / T. Matsuchima, K. Hirochik, . H. Adachi // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 1. - P.L97-L99.

133. Takechi, K. Superconducting properties of Y-Ba-Cu-O thin films prepared by RF magnetron sputtering with a grid electrode /. K. Takechi, T. Shioto, T. Hamou // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 3. - P.L434-L436.

134. Fujino, K. Effect of indium-tin oxide buffer layers on superconducting Y-Ba-Cu-O thin films with glass substrates / K. Fujino // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 2. - P.L236-L238.

135. Michikami, O. Dependence of superconducting properties on substrate temperature in Y-Ba-Cu-O thin films prepared by magnetron sputtering / O. Michikami, M. Asachi, H. Asano // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 28, № 3. -P.L444-L451.

136. Michikami, O. As-growth Y-Ba-Cu-O superconducting thin films prepared by magnetron sputtering / O. Michikami, M. Asachi, H. Asano // Jap. J. Appl. Phys! 1989.-Vol. 28, № 1.-P.L91-L94.

137. Sagoi, M. Structural features and superconducting properties of As-growth Y-Ba-Cu-0 films / M. Sagoi, Y. Terachima, K. Kubo // Jap. J. Appl. Phys. -1989. Vol. 28, № 2. - P.L444-L447.

138. Xi, X.X. Superconducting and structural properties of Y-Ba-Cu-O thin films deposited by inverted cylindrical magnetron sputtering / X.X. Xi, G. Linker, O. Meyer // Z. Phys. B. Condensed Matter. 1989. - Vol. 74, № 1. - P. 13-19.

139. Asano, H. Low temperature growth of high-Tc BiSrCaCuO films by magnetron sputtering / H. Asano, M. Asachi, Y. Katoch, O. Michikami // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 7. -P.L1487-L1488.

140. Данилин, Б.С. Методы нанесения пленок высокотемпературных сверхпроводников / Б.С. Данилин // Итоги науки и техники. Сер. Электроника.- М.: ВИНИТИ, 1990. С.133-170.

141. Moraitakis, Е. Deposition of YBa2Cu307s thin films over large areas with a simple sputtering technique for microwave applications / E. Moraitakis, M.

142. Anagnostou, M. Pissas, V. Psyharis, D. Niarchous, G. Stratakos // Supercond. Sci. Technol.- 1998.-Vol. 11,№ 7.-P.686-691.

143. Quigley, P.G. Time dependence and spatial distribution of the deposition rate of УВа2Си307 thin films in 90° off-axis sputtering / P.G. Quigley, R.A. Rao, C.B. Eom // J. Vac. Sci. Technol. 1997. - Vol. 15, № 6. - P.2854-2858.

144. Nathan, S.S. Transport of sputtered atoms in facing targets sputtering geometry: a numerical simulation study /S.S. Nathan, G.M. Rao, S. Mohan // J. Appl. Phys.- 1998.-Vol. 84, № 1.-P.564-571.

145. Marchenko, V.A. Plasma characteristics at off-axis high pressure magnetron УВа2Си307-5 sputtering / V.A. Marchenko, A.G. Znamenskii, U. Helmersson //J. Appl. Phys. 1997.-Vol.82, №4.-P.l 882-1889.

146. Wang, L.M. Optimum sputtering conditions on the in-situ growth of superconducting YBa2Cu3Oy films with an off-axis RF sputtering configuration / L.M. Wang, H.W. Yu, H.C. Yang, H.E. Horng // Physica C. 1996. - Vol. 256, № 1. - P.57-63.

147. Chowdhury, S.P. High-pressure DC sputtering of High-Tc BPSCCO thin films with Tc(0) above 100 К / S.P. Chowdhury, V.V. Rao // J. Supercond. -1996. Vol. 9, № 2. - P.171-174.

148. Волков, С.И. Пленки высокотемпературного сверхпроводника с критической температурой выше 100 К / С.И. Волков, Ю.Е. Григорашвили, И.Л. Сотников, В.Т. Мингазин // Известия вузов. Электроника. 1998. -№ 3. - С.14-18.

149. Hung, L.S. Growth of superconducting Bi2Sr2CaCu208+x films on alumina, silicon, and fused quartz / L.S. Hung, J.A. Agostinelli, G.R. Paz-Pujalt, J.M. Mir // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 24. - P.2450-2452.

150. Cheung, C.T. Superconductor-substrate interaction of the Y-Ba-Cu oxide / C.T. Cheung, E. Ruckenstein // J. Mater. Res. 1989. - Vol. 4, № 1. - P. 1-15.

151. Nakajima, H. Interdiffusion and interfacial reaction between, an YBa2Cu3Ox thin film and substrates / H. Nakajima, S. Yamaguchi, K. Iwasaki, H. Morita, H. Fujimori, Y. Fujino // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 15. - P.1437-1439.

152. Koinuma, H. Chemical interaction between YBa2Cu307x and substrate materials in the solid state / H. Koinuma, K. Fukuda, T. Hashimoto, K. Fueki // Jap. J. Appl. Phys. 1988. - Vol. 27, № 7. - P.L1216-L1218.

153. Данилин, Б.С. Высокотемпературные сверхпроводники / Б.С. Данилин // Итоги науки и техники. Сер. Электроника. М.: ВИНИТИ. 1989. - Т. 25. - С. 124-157.

154. Samara, G.A. Dielectric properties of SrTi03 / G.A. Samara, A.A. Giardini // Phys. Rev. 1965. - Vol. 140, № 3. -P.954-957.

155. Simon, G.A. Low-loss substrate for epitaxial growth of high-temperature superconductor / G.A. Simon, C.E. Piatt, A.E. Lee, G.S. Lee, K.P. Daly, M.S. Wire, J.A. Luine, M. Urbanik // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 26. -P.2677-2679.

156. Sandstrom, R.L. Lanthanum gallate substrates for epitaxial high-temperature superconducting thin films / R.L. Sandstrom, E.A. Giess, W.J. Gallagher, A. Segmuller, E.I. Cooper, M.F. Chisholm, A. Gupta, S. Shinde, R.B. Laibowitz

157. Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol. 53, № 19. - P.1874-1876.

158. Chi en, C.L. Effect of noble metall buffer layers on superconducting YBa2Cu307 thin films / C.L. Chien, G. Xiao, F.H. Streitz, A. Gavrin, M.Z. Cieplak // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 51, № 25. - P.2155-2157.

159. Masaki, A. Electrical resistance as a limiting factor for high performance computer packaging / A. Masaki // IEEE Circuits and Devices Magazine.1989. Vol. 5, № 3. - P.22-26.

160. Kroger, H. Applications of superconductivity to packaging / H. Kroger, C. Hilbert, U. Ghoshal, D. Gibson, L. Smith//Ibid. 1989. - P. 16-21.

161. Radcliffe, W.J. Microwave cavity made from YBaCuO / W.J. Radcliffe, J.C. Gallop, C.D. Langham, M. Gee, M. Stewart // IEEE Trans. Magn. 1989. -Vol. 25, № 2. - P.990-992.

162. Valenzuela, A.A.High Q coplanar transmission line resonator of YBa2Cu307.x on MgO / A.A. Valenzuela, P. Russer // Appl. Phys. Lett. 1989. - Vol. 93, № 11.-P. 1029-1031.

163. Purpura, J.W. The fabrication and characterization of high temperature superconducting magnetic shields / J.W. Purpura, T.R. Clem // IEEE Trans. Magn. 1989.-Vol. 25, № 2. - P.2506-2511.

164. Вендик, О.Г. Приборы криогенной электроники: Высокотемпературные сверхпроводники / О.Г. Вендик, С.Г. Колесов. М.: Знание, 1990. - 64с.

165. Kozyrev, A.V. Nonlinear surface resistance and frequency mixing in superconducting films / A.V. Kozyrev, T.B. Samoilova, A.K. Dudin, S.Y. Shaf-erova // Supercond. Sci. Technol. 1994. - Vol. 7. - P.777-782.

166. Арутюнян, B.M. Исследование параметров RC—цепи на основе тонких сверхпроводящих пленок / В.М. Арутюнян, В.В. Букиатян, А.В. Саркисян, Р.А. Аветисян // Радиотехника и электроника. — 2002. Т.47, №6. — С.757-760.

167. Гершензон, М.Е. Высокотемпературные сверхпроводники и приборы на их основе / М.Е. Гершензон, М.А. Тарасов // Итоги науки и техники: Электроника. 1990. - Т.26. - С.38-75.

168. Braginski, A.I. Progress toward undestending the mechanism of optical detection by high-temperature superconductors / A.I. Braginski, M.F. Forrester, J. Talvacchio // Ibid. 1989. - P.482-488.

169. Gershenzon, M.E. Ultra fast electron bolometers using Nb and УВа2Си307.х thin films / M.E. Gershenzon, G.N. Gol'tsman, A.D. Semenov, A.V. Sergeev //Proc. of ISEC-89, Tokyo. 1989. -P.214-217.

170. Алфеев, В.Н. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках / В.Н. Алфеев, П.А. Бахтин, А.А. Васенков. М.: Радио и связь, 1985. - 232с.

171. Корнев, В.К. Высокочастотные электромагнитные взаимодействия в многоэлементных джозефсоновских структурах / В.К. Корнев, И.В. Бо-рисенко, Г.А. Овсянников // Радиотехника и электроника. 2001. - Т.46, №9.-С. 1029-1047.

172. Zimmerman, J.E. Operation of a Y-Ba-Cu-0 rf SQUID / J.E. Zimmerman, J.A. Beall, M.W. Cromar, R.H. Ono // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 51, №8. - P.617-618.

173. Daly, K.P. Characterization of a high temperature superconducting oxide thin film rf SQUID / K.P. Daly, A.H. Silver, R.W. Simon, C.E. Piatt, A.E. Lee, M.S. Wik, J.E. Zimmerman // IEEE Trans. Magn. 1989. - Vol. 25, № 2. -P.1305-1308.

174. Налимов, B.B. Статистические методы планирования экстремальных экспериментов / B.B. Налимов, Н.А. Чернова. — М.: Наука. -1965. — 275с.

175. Адлер, Ю.П. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий / Ю.П. Адлер, Е.В. Маркова, Ю.В. Грановский. — М.: Наука. — 1976.-243с.

176. Гусейнов, Ф.Г. Планирование эксперимента в задачах электроэнергетики / Ф.Г. Гусейнов, О.С. Мамедяров. М.: Энергоатомиздат. - 1988. -150с.

177. Барвинок, В.А. Управление напряженным состоянием и свойства плазменных покрытий / В.А. Барвинок. -М.: Машиностроение. -1990. 384с.

178. Гаскаров, Д.В. Оптимизация технологических процессов в производстве электронных приборов / Д.В. Гаскаров, А.А. Дахнович. — М.: Высшая школа. 1986. - 191с.

179. Глудкин, О.П. Статистические методы в технологии производства радиоэлектронной аппаратуры / О.П. Глудкин, Ю.Г. Обичкин, В.Г. Бло-хин. Под ред. В.Н. Черняева. -М.: Энергия. 1977. - 296с.

180. Зедгинидзе, И.Г. Планирование эксперимента для исследования многокомпонентных систем / И.Г. Зедгинидзе. М.: Наука. - 1976. - 242с.

181. Kadlee, S. Reaktive deposition of TiN films using an unbalanced magnetron / S. Kadlee, J. Musil // Surface and Coatings Technology. 1989. - Vol. 39. -P.487.

182. Ермолов, C.H. Особенности ионно-плазменного распыления кислородсодержащих материалов / C.H. Ермолов, А.Г. Знаменский, В.А. Марченко, В.Ж. Розенфланц // Межотраслевой научно-технический семинар. -Минск, 1990. С.39-42.

183. Рот, А. Вакуумные уплотнения / А. Рот. — М.: Энергия, 1971. 326с.

184. Pandey, R.K. Processing of single-phase ceramic 123 YBaCu-oxide superconductor by hot pressing / R.K. Pandey, G.R. Gilbert // J. Superconductivity. 1988. - Vol. 1, № 1. - P.45-52.

185. Доронина, Г.А. Свойства керамических материалов на основе оксидов иттрия, бария и меди / Г.А. Доронина, В.А. Фотиев // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1989. - Т.2, №7. — С.37-42.

186. Никоненко, В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г.Р. Кузнецова. -М.: МИСиС, 2001. -48с.

187. Окидзаки, К. Технология керамических диэлектриков / Пер. с японского.- М.: Энергия, 1976. С. 58-64.

188. Игумнов, В.Н. Получение пленок состава В128г2СаСи208 методом магне-тронного распыления из многокомпонентной мишени / В.Н. Игумнов,

189. B.Е. Филимонов II Материалы X Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVI Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2004. - С.394-396.

190. Симонов-Емельянов, И.Д. Влияние размера частиц наполнителя на некоторые характеристики полимеров / И.Д. Симонов-Емельянов, В.Н. Кулезнев, Л.З. Трофимичева// Пластические массы.-1989.-№ 5.-С.61-64.

191. Подденежный, E.H. Нитрид алюминия новый материал для электронной техники / E.H. Подденежный, Е.Б. Соколов // Зарубежная электронная техника. - Москва, 1972.-Вып. 12. — С.31-51.

192. Соколов, Е.Б. Нитрид алюминия как материал электронной техники / Е.Б. Соколов, E.H. Подденежный, В.П. Чернов, К.В. Лозиков // Зарубежная электронная техника. — Москва, 1978. — Вып. 21. С.43-64.

193. Добрынин, A.B. Нитрид алюминия в электронной технике / A.B. Добрынин, Н.П. Казаков, Г.А. Найда, E.H. Подденежный // Зарубежная электронная техника. Москва, 1989. - Вып. 4. - С.44-84.

194. Tsubouchi, R. Zero-temperature-coefficient SAW devices on AIN epitaxial films / R. Tsubouchi, N. Mikoshiba // IEEE Trans. Sonics and Ultrason. -1985. Vol. 32, № 5. - P.634-644.

195. Морозов, А.И. Пьезоэлектрические преобразователи для радиоэлектронных устройств / А.И. Морозов, В.В. Проклов, Б.А. Станковский. — М.: Радио и связь. 1981. - 183с.

196. Самсонов, Г.В. Тугоплавкие соединения: Справочник / Г.В. Самсонов, И.Н. Винницкий. — М.: Металлургия. 1976. - 506с.

197. Свойства элементов. Ч. 2. Химические свойства: Справочник / Под ред. Г.В. Самсонова. — М.: Металлургия. 1976. - 384с.

198. Белянин, А.Ф. Поликристаллические алмазные пленки в качестве звукопровода устройств на ПАВ / А.Ф. Белянин, JI.JI. Буйлов // Материалы VI Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Херсон, 1995.-Т. 1. — С.142-163.

199. Odintzov, М.А. A1N films for SAW sensors / M.A. Odintzov, N.I. Sushent-zov, T.L. Kudryavtzev // Sensors and Actuators. 1991. -A. 28. - P.203-206.

200. Белянин, А.Ф. Применение процессов анодирования и ВЧ магнетронно-го распыления для формирования тонкопленочных термопечатающих матриц / А.Ф. Белянин, В.К. Казарьян // Приборы и системы управления. 1990. - № 6. — С.33-35.

201. Nakahara, Т. From business to future dream of new diamond / T. Nakahara // Advances in New Diamond Science and Technology. — Tokyo, 1994. P.9.

202. Shikata, S. 2,5 GHz SAW bandpass filter using polycrystalline diamond / S. Shikata, H. Nakahata, K. Higaki, A. Hachigo, N. Fujimori // Advances in New Diamond Science and Technology. Tokyo, 1994. - P.697-700.

203. Абрикосов,, А.А. Основы теории металлов: Учеб. руководство / А.А. Абрикосов. — М.: Наука, Гл. ред. физ.- мат. лит. 1987. - 520с.

204. Высокотемпературная сверхпроводимость: Фундаментальные и прикладные исследования: Сб. статей / Под ред. проф. А.А. Киселева. JL: Машиностроение. Ленингр. отд-ние. - 1990. - 686с.

205. U.S.Pat. №4942379А. Superconductor for magnetic field shield background of the invention / Souichi Ogawa, Takao Sugioka, Masaru Inoue. №416712; Заявлено 3.10.88; Опубл. 17.07.90. -11c.

206. Лаппо, И.С. Технология и свойства магнитных ВТСП экранов / И.С. Лаппо // Получение, свойства и анализ высокотемпературных сверхпроводящих материалов и изделий. — Екатеринбург: УР. О АН СССР, 1991. С.94-97.

207. Жуков, A.A. Критическая плотность тока в высокотемпературных сверхпроводниках / A.A. Жуков, В.В. Мощалков // Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1991. - т. 4, №5 - С.850-887.

208. Бондаренко, С.И. Применение сверхпроводимости в магнитных измерениях / С.И. Бондаренко, В.И. Шеремет. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1982. — 132с.

209. Патент РФ №2216805. МПК7 Н 01 F 5/00, 27/28. Соленоид максимального магнитного поля / А.Р. Буев, В.Н. Игумнов, В.В. Иванов. -№2001116768/09; Заявлено 15.06.2001; Опубл. 20.11.2003, Бюл. № 32.

210. Патент РФ №2224313. МПК7 Н 01 L 39/08. Пленочный составной ВТСП магнитный экран / А.Р. Буев, В.Н. Игумнов, В.В. Иванов. Заявлено 28.02.2002; Опубл. 20.02.2004, Бюл. № 5.

211. Филимонов, В.Е. Составной комбинированный магнитный экран с двухступенчатым экранированием / В.Е. Филимонов, В.Н. Игумнов,

212. A.П. Большаков // Материалы XII Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш», 2006. - С.377-378.

213. Лыков, A.B. Теория теплопроводности / A.B. Лыков. М.: Госиздательство технико-теоретической литературы, 1952. - 392с.

214. Жданов, A.C. Электромагнитные реле тока и напряжения / A.C. Жданов,

215. B.В. Овчинников. -М.: Энергоатомиздат, 1981. -226с.

216. Патент РФ №2198458. МПК7 Н 02 Н 9/02, 3/08. Токоограничитель-выключатель / В.Н. Игумнов, А.Р. Буев, Н.М. Скулкин, H.A. Мамаев. -№2000117220/09; Заявлено 27.06.2000; Опубл. 10.02.2003, Бюл. № 4.

217. Зайцев, Ю.В. Переменные резисторы / Ю.В. Зайцев. М.: Энергия, 1974. -360с.

218. Мартюшков, К.И. Прецизионные непроволочные резисторы / К.И. Мар-тюшков, А.И. Тихонов, Ю.В. Зайцев. -М.: Энергия, 1979. 192с.

219. Кейн, В.М. Конструирование терморегуляторов / В.М. Кейн. М.: Сов. радио, 1971. - 152с.

220. Макерт, Д.Т. Редкоземельные и другие замещения в высокотемпературных оксидных сверхпроводниках / Д.Т. Макерт // Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. -М.: Мир, 1990. 544с.

221. Горошков, Б.И. Радиоэлектронные устройства / Б.И. Горошков. М.: Радио и связь. - 1984. — 426с.