автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.14, диссертация на тему:Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств

На правах рукописи

ИГОНИНА Татьяна Ивановна

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

Специальности: 05.11.14 - Технология приборостроения;

05.02.08 - Технология машиностроения

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

ПЕНЗА 2007

003059473

Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет»

Научные руководители доктор технических наук, профессор

Скрябин Владимир Александрович; кандидат технических наук, профессор Репин Анатолий Сергеевич.

Официальные оппоненты доктор технических наук, профессор

Печерская Римма Михайловна;

кандидат технических наук Черников Владислав Сергеевич.

Ведущая организация - ОАО «НИИ Контрольприбор»

Защита диссертации состоится 29 мая 2007 г, в 14 часов, на заседании диссертационного совета Д 212.186.02 в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет» по адресу 440026, г. Пенза, ул Красная, 40

С диссертацией и авторефератом можно ознакомиться в библиотеке государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет» и на сайте университета www pnzgu.ru

Автореферат разослан «¿f » cwpuJ- 2007 г

Ученый секретарь

диссертационного совета

доктор технических наук,

профессор Светлов А. В.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. Одной из ведущих тенденций промышленного производства была и остается растущая потребность в улучшении качества, повышении производительности, увеличении долговечности и надежное!и приборов и изделий, улучшение их товарного вида Современные полупроводниковые приборы, датчики информационно-измерительных устройств и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования изделий микроэлектроники, характеризуются совершенной атомной структурой и высокой геометрической точностью Известно, что технологические показатели в большей мере обеспечиваются на финишных операциях за счет управления качеством поверхности и достижения высоких эксплуатационных характеристик обрабатываемых деталей в завершающей стадии процесса обработки

Потому актуальным направлением в процессе подготовки поверхности полупроводниковых пластин для их дальнейшей обработки является совершенствование финишных операций

Создание новой эффективной технологии обработки, обеспечивающей получение требуемого качества поверхности, способного повысить производительность процесса, а также степень механизации и автоматизации, является актуальной задачей

Цель работы - обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств путем совершенствования технологии финишной абразивной обработки

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи:

1) изучить возможность применения новой схемы финишной односторонней обработки пластин полупроводниковых материалов, при которой пластинам сообщается не только вращательное, но и возвратно-поступательное движение по неподвижному притиру, а также ее технологическое обеспечение и практическую реализацию,

2) теоретически и экспериментально исследовать особенности кинематики и динамики контактного воздействия абразива на обрабатываемую поверхность детали и установить его аналитическую

взаимосвязь с технологическими режимами и условиями обработки, а также свойствами абразива,

3) провести комплексные исследования влияния технологических режимов и условий на производительность и качество обработки;

4) исследовать особенности гидродинамической очистки подложек из полупроводниковых материалов;

5) разработагь научно обоснованные практические рекомендации по выбору рациональных технологических режимов и условий обработки пластин из полупроводниковых материалов

Методы исследований. Результаты работы получены путем теоретических и экспериментальных исследований Теоретические исследования выполнены с использованием основных законов кинематики и динамики относительного движения применительно к единичной абразивной частице, законов молекулярной физики граничного трения, теории упругости и пластичности, теории вероятности и математической с гатистики, а также научных основ технологии приборостроения и машиностроения.

Экспериментальные исследования проводились в лабораторных и производственных условиях в соответствии с действующими ГОСТами, с использованием аттестованной контрольно-измерительной аппаратуры. Математическая обработка результатов экспериментов выполнялась на ПЭВМ типа IBM PC

Научная новизна работы:

1) предложена новая схема финишной односторонней обработки пластин из полупроводниковых материалов, обеспечивающая получение заданного качества поверхности,

2) впервые разработана методика определения основных технологических параметров для схемы финишной абразивной обработки полупроводниковых пластин;

3) проведена аналитическая оценка параметров контактного взаимодействия дискретного абразивного материала с обрабатываемыми поверхностями деталей и уровня производительности обработки, позволяющая определить значения кинематических режимов и напряжений, возникающих в пластинах, а также шероховатость поверхности,

4) выполнены комплексные исследования влияния технологических режимов и условий на производительность и качество обработ-

ки. что позволило обосновать пути повышения качественных показателей и интенсивности процесса шлифования и доводки полупроводниковых пластин

Практическая ценность работы заключается в создании научно обоснованных рекомендаций по применению финишной обработки полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств, позволяющих повысить качественные показатели поверхности и производительность процесса.

Реализация результатов работы.

Результаты проведенных теоретических и экспериментальных исследований финишной обработки полупроводниковых пластин внедрены в ОАО «НИИ Контрольприбор» (г Пенза) В результате обеспечен рост производительности, повышено качество финишной обработки и получен экономический эффект при внедрении разработанной технологии финишной обработки

На защиту выносятся:

1) новая схема финишной односторонней обработки пластин полупроводниковых материалов,

2) методика определения параметров финишной абразивной обработки полупроводниковых пластин,

3) комплексные исследования влияния технологических режимов и условий на производительность и качество обработки

Апробация работы Основные положения и результаты работы докладывались и обсз'ждались на I Международной научно-технической конференции «Аналитические и численные методы моделирования естественнонаучных и социальных проблем» (Пенза, 2006 г , Приволжский дом знаний), Международном симпозиуме «Надежность и качество - 2005» (Пенза, 2005 г.), научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава Пензенского государственного университета 2004-2006 гг

Публикации. Основные положения диссертации отражены в 12 печатных работах, из них три без соавторов, одна в издании, рекомендованном ВАК

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, основных выводов, списка лшературы из 121 наименования, приложения и содержит 152 страницы, в том числе 36 рисунков, 11 таблиц

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность диссертационной работы, приведены цель и задачи исследования, а также изложены основные положения, выносимые на защиту

В первой главе проведен анализ современною состояния вопроса, а также предегавлен аналитический обзор технологии обработки пластин полупроводниковых материалов

В обзоре подробно проанализированы работы по технологии обработки попу проводниковых материалов В П Запорожского, Б А. Лапшинова, А Я Нашельского и др, которые могут служит ь базой для решения разнообразных производственных задач

Для изготовления полупроводниковьгх приборов монокристаллические пластины служат основанием (подложкой), на котором выращиваются эпитаксиальные пленки (эиитаксиально-планарная технология) или в которую диффундируются легирующие примеси (диф-фузионно-планарная технология) Процессы эпитаксии и диффузии предъявляют определенные требования к качеству пластин Для обеспечения требуемых параметров разработаны различные технологические варианты изготовления пластин В зависимости ог характеристик обрабатываемого материала варианты изготовления пластин имеют свои особенности, но, как ггравило, состоят из одних и тех же базовых операций, применяемых в различных сочетаниях К базовым операциям относят предварительную обработку слитка, разделение его на пластины, шлифование пластан свободным ггли связанным абразивом, формирование фасок, химическое травление пластин, их полирование и очистку

Предварительггая обработка слитка заключается в калибровке его наружного диаметра до заданного размера, стравливании нарушенного слоя, изготовлении базовых и дополнительных срезов, подготовке торцевых поверхностей с заданной кристаллографической ориентацией. Затем разделяют слиток на пластины определенной толщины Целью последующего шлифования являются выравнивание поверхности отрезанных пластин, уменьшение разброса их толщин, формирование однородной поверхности Фаски с острых кромок пластин снимают для того, чтобы удалить сколы, образующиеся при резке и шлифовании Кроме того, острые кромки пластин являются

концентраторами напряжений и потенциальными источниками структурных, дефектов, которые могут возникнуть при перекладывании пластин и, прежде всего, при термической обработке (окислении, диффузии, эпшаксии)

Химическим травлением удаляют нарушенные приповерхностные слои, после чего полируют обе стороны пластин или ту сторону, которая предназначена для изготовления структур приборов После полирования пластины очиодают о г загрязнений, контролируют и упаковывают

В диссертационной работе обосновывается возможность применения новой схемы финишной обработки полупроводниковых пластин шлифованием и полированием, позволяющей цобиться требуемых параметров качества поверхности пластин.

Во второй главе изложены сущность и характерные особенности технологии обработки пластин из полупроводниковых материалов

Отмечено, что основными свойствами абразивных материалов являю 1ся высокая твердость, высокая абразивная способность, минимальная хрупкость. Алмазные микропорошки (АМ) и алмазные синтетические микропорошки (АСМ), рекомендованные для обработки полупроводниковых материалов, имею! зернистость от 14/10 до 1/0,15 Для полирования полупроводниковых материалов применяются микропорошки с размером зерен от 1 до 0,15 мкм

Порошок с зернистостью М14 применяют при шлифовании для выравнивания пластин по толщине и выведения клина, полученного при резке слитка на пластины Окончательную доводку проводят с использованием порошков с зернистостью М10 и М5

Отмечено, что на выходные параме тры процесса доводки - производительность q и шероховатость Ra поверхностною слоя детали -большое влияние оказывает сочетание различных факторов процесса обработки. На рисунках 1-4 приведены зависимости производительности и шероховатости от давления (рисунок 1), от размера а абразивного зерна (рисунок 2), от материала абразивных зерен алмазного синтетического микропорошка АСМ и карбида кремния КБ (рисунок 3), от времени обработки t (рисунок 4).

мг/мин

0,15 р, МПа

Рис>нок 1 - Зависимость производительности*/ (кривая Л, шероховатости ка обработанной поверхности (кривая 2) от давления р при обработке кремниевых пластин, время обработки /=15 мил

40 а, мкм

Рисунок 2 - Зависимость производительности ¿/(кривая 2) шероховатости На обработанной поверхности (кривая I) от размера а абразивного зерна при доводке, время обработки * = 15 мин, давтениер — 0,15 мПа

1> мг/мин

22 ь-

20 —

18 Ra, мкм

16 — 0,8 —

14 -0,7 Г-

12 - 0,6 —

10 8 -0,5 - 0,4

6 -0,3 1 ^

4 2 — 0,2 - 0,1 —*

0 0 "" 1 1

о

L_ 100

5,0

10,0 ACM, %

50

0

КБ, %

Рисунок 3 - Зависимость производительности q (кривая 2) и шероховатости Ra обработанной поверхности (кривая 1) при доводке кремния микропорошками зернистости М10/7 от материала абразивных зерен, время обработки /=15 мин, давление р ~ 0,15 мПа

Ra, мкм

а, мг/мин

о /

О 025

7

6 - 0,20

5

_ 0,15

4

3 - 0,10

2 —

005

1

0 ^ 0

15 мин

Рисунок 4 - Зависимость производительности q (кривая 2) шероховатости Ra обработанной поверхности (кривая 1) от времени обработки t при доводке кремния, водная суспензия на основе АСМ 10/7, давление р = 0,15мПа

Приведена методика определения производительности и шероховатости обработки

На основные показатели процесса доводки решающее влияние оказывают режимы обработки, материал притира и соотношение твердостей материалов пригира и обрабатываемой детали.

Образцы изготавливались из кремния диаметром 6,5 мм и толщиной 1 мм В качестве абразива используется алмазный порошок АСМ 5/3 Материалом притира выбран серый чугун СЧ15-32 с 120 - 140НВ

Съем металла и шероховатость обработанной поверхности для данной схемы обработки определяются уравнениями

i = f}ipVVr" ; (1)

Ra--0,2 сRaJd . (2)

где коэффициенты, зависящие от свойств обрабатываемого материала, абразива и других условий обработки cq= 0,002. срм = 0,015;

у = 0,7-1,0, 5 = 0,5 - 0,7 , т - 0,7 , т -- 0,3, v - скорость доводки, м/мин; р - давление на обрабатываемую поверхность. МПа; d -средний диаметр основной фракции абразивного микропорошка, мкм; w - концентрация абразивного порошка в жидкой фазе по массе, s - площадь контакта обрабатываемой и рабочей поьерхностсй инструмента, мм

Используя вышеуказанные математические модели процесса доводки полупроводниковых пластин, с учетом варьирования параметров, входящих в данные зависимости, можно прогнозировать производительность и качество процесса обрабогки

Проведены теоретические исследования контактного воздействия абразивного инструмента на поверхность обрабатываемой детали Положение деталей на притире в любой момент времени t может быть определено в параметрической форме: г - r(t) (f> -- 9(0, когда детали проходят через центр притира Вращательное движение деталей выражается в виде ф - со, где coj - угловая скорость вращения деталей

Возвратно-поступательное движение деталей может быть описано синусоидальным законом г - А + A sm ^t = А(1 + sin о>2/). где А -амплитуда, или полуразмах возвратно-поступательного движения поводка; (о2 - круговая частота возвратно-поступательного движе-

7ШД х

ния, определяемая по формуле &2 - ^^ , где пд х - частота двух ходов поводка

Модуль скорости относительного движения деталей по притиру определим из формупы V - yJv¡F~+Vp , где Vr = г - радиальная скорость. Vp - «р - скорость возвратно-поступательного движения

Vr - г - Ла>2 cos щt, Vp = гф = Л(] + sin ü)2¿)coi. Тогда

V = д/(Лю7соьо)2<)2 + [/íco¡ (l + sin (£>2{)]2 =

, Н 2 Л Л2 (3)

= лю | —уСОв 0У2( + (,1+ БИТ (02*/ "У СО!

Тангенциальное ускорение движения деталей по притиру найдем, продифференцировав по времени выражение скорости

(

1- —

V

t áV а --- Лщ(й2

81п2ю2?+ 2со8а>2^

dt 1 * |,.,2 U

2 j--?-cos2 (¿jt + (l + sin (02í)2

Длина траектории движения деталей по притру за один цикл с

Т 4

периодом Т, г е за один двойной ход поводка. Ь-2

_Т_ 4

Подставим полученное ранее выражение для скорости движения деталей по притиру и вычислим интеграл.

4 1,2

J\ — Ащ f ^cos2u)2t +(i+ sm(02t)2dt (4)

г V®r

После преобразований получим

т 2а( п 4а „ ...

ю2 1 и

где выполнены подстановки —— а, 1 — а = о

©!

Подставляя в это выражение значения кинематических параметров, можно рассчитать длину траектории за один цикл Ь — 27]

Благодаря тому, что абразивные зерна работают большим числом своих ребер и граней, повышается стойкость притира при одновременном росте производительности обработки, в то же время благодаря более развитой сетке рисок понижается шероховатость обработанной поверхности

В третьей главе рассмотрены особенности гидродинамической обработки подложек из полупроводниковых материалов, приведены основные гидродинамические принципы работы инструмента, дано теоретическое обоснование методики определения параметров кинематического режима, обеспечивающей зазор при гидродинамической очистке

Гидродинамическое усилие, создаваемое за счет повышения давления в рабочей жидкости между двумя наклонными пластинами единичной длины, зависит от вязкости жидкости, относительной скорости, рабочего зазора и конкретных геометрических параметров инструмента и заготовки детали

бцИВ2 фпр + Л:)__2_Л

к 2 + к

1Г = .

¿О2

I, (6)

2

где ц - динамическая вязкость технологической жидкости, Н с/см , V - скорость набег агощего потока технологической жидкости, м/с , В - ширина паза инструмента, м, Лд - величина зазора между плоскостью инструмента и пластины, м , А - относительный коэф -фициент паза инструмента, Ь - единичная длина пластины, м . После преобразований получим формулу

т г

I

2С4к - - С

2 к

0>А _ 2С,

6А:

- + 1

ЗА

-я,

2С.

1

4 к

С-

2 к

(7)

т

А=1

Данная формула позволяет при заданных значениях кинематических, геометрических и технологических параметров вычислить отношение угловых скоростей инструмента и детали I, при котором зазор между де талью и инструментом будет во время обработки неизменным

В работе теоретически показано, что выбором кинематического режима соответствующих соотношений угловых скоростей инструмента и заготовки детали можно добиться равномерного и одинакового зазора между деталью и инструментом, что обеспечит более однородные условия отмывки по площади заготовки детали

При гидродинамической очистке к заготовке приложена определенная внешняя нагрузка, которой противодействует гидродинамическая подъемная сила IV (рисунок 5) Деталь перекрывает несколь-

т

ко пазов инструмента Поэтому для т пазов 1¥т = , где к -

к=\

номер пазов

ЦТСф

т к~\

(а>1 — (»2 ) Г Я;

+

С 31п(1 + м)^-

Я

-¿Я

_____ (8)

2 + ЬЛ ЗЩ 2 + ЬЯ

В этой формуле Ь — величина проекции наклонной пластины на ось X, мм, Я и 7?0 - внешний и внутренний радиусы кольцевого фрагмента секторного паза, мм, <р - величина центрального угла, образованного пазом на поверхности инструмента, град; а - величина угла паза инструмента, 1рад; у - величина угла между внешним и

внутренним радиусами кольцевого фрагмента секторного паза, град,

Полученное выражение (8) позволяет рассчитывать величину гидродинамической силы в зависимости от кинематических, геометрических и технологических параметров Значения угловых скоростей инструмента СО] и детали со2 должны удовлетворять соотношению

Щ т

—- = I, так как только при этом условии деталь оудет параллельна (£>2

плоскости инструмента и выражение (8) будет правомерно

По результатам теоретических и экспериментальных исследований построены графики В результате исследований экспериментально доказано, что гидродинамическая очистка подложек является

бесконтактным методом очистки, что исключает образование царапин и рисок на поверхности полупроводниковых пластин и обеспечивает высокое качество очистки

В четвертой главе приводится описание установки для шлифования и полирования пластин, конструктивная схема реализации которой представлена на рисунке 6.

Рисунок 6 - Схема одностороннего шлифования пласт ин / - притир, 2 - пластины, 5 - планшайба, 4 - червячная передача 5 - винтовая передача

Работа такого устройства осуществляется следующим образом обрабатываемые пластины 2 прикрепляют к вращающейся с угловой скоростью га планшайбе 3, которая одновременно совершает возвратно-поступательное движение вместе с поводком благодаря винтовой передаче 5 со скоростью подачи V, но притиру 1, закрепленному в нижней части устройства

В результате того, что пластины совершают сложное как враща-1елыюе, так и возвратно-поступательное движение и абразивные зерна работают большим числом своих ребер и граней, повышается стойкость притира при одновременном повышении производительности обработки В то же время благодаря более развитой сетке рисок понижается шероховатость обработанной поверхности

В процессе обработки использовались алмазные АМ и алмазные синтетические АСМ микропорошки, имеющие зернистость от 14/10 до 1/0,15 Для операции полирования применялись микропорошки с размером зерен от 1 до 0,15 мкм. Давление на притир составляет от 0,8 до 1,2 МПа С увеличением давления возрастает глубина внедрения зерен в обрабатываемую поверхность. Скорость съема при этом составляет 5 ..0,15 мкм/мин

В работе приведено описание установки для газог идродинамиче-ской очистки, схема которой представлена на рисунке 7.

Ш / 8_

4 А 2_ 1

1

Ротаметр

От баллона с кислородом

О г источника

Рисунок 7 — Система очистки 1 - редуктор кислородный, 2,8- манометр, 3 - вентиль игольчаши, 4, 6— ротаметр, 5 - смеситель 7, ¡4 - вентиль, 9 - кран управления, 10 — пневмоцилиндр, И - стакан, 12 — отстойник 13 - насос вакуумный

В качестве рабочей жидкости использовали смесь деионизиро-ванной воды и кислорода

В работе были исследованы величины напряжений в поверхностном слое полупроводниковых подложек после финишной обработки.

После механической обработки в результате действия напряжений в поверхностном слое кремниевых подложек они получают прогиб Можно оценить величины этич напряжений по полученным экспериментальным данным о прогибе подложки

Обозначим через /(х,^) функцию влияния для подложки при определенных условиях ее закрепления при измерении прогиба. По своему смыслу Дх,Е) - нормальный прогиб подложки в точке с двумерной векторной координатой х, вызванный в точке единичным напряжением ст, вектор которого перпендикулярен к поверхности подложки в точке ^

При действии системы сосредоточенных напряжений а^ в точке с координатами ^ прогиб подложки имеет выражение

ч'=ч4'-ст.] Ь К • (9)

У

Предположим, что величины о^ могут принимать любые значения в диапазоне (- С}), где <з} - некоторые положительные величины Тогда максимальный абсолютный прогиб подложки при самых неблагоприятных значениях а у , обозначенный через II, будет иметь вид

¿У-тах^^х/^С, (*е5), (10)

(

где 5 - площадь подложки, п - полное число напряжений, действующих на подложку, включая напряжения от опорных реакций

После преобразований получим

И280()

и = —-7—'-шах

2пс1

с — I ||у(1,я,р,ф)(рЛр(ф приг <1,|0|<тс (11)

0-я

10 Игонина, Т И Определение показателей качества при обработке пластин из полупроводниковых материалов / 'Г И Игонина, А. С Репин // Технология машиностроения 2007 Междунар науч -техн электр интернет-конф. - Режим доступа * [1Шр // папка Ш1а/ги]

11. Игонина, Т И. Влияние основных факторов процесса доводки полупроводниковых пластин на его производительность и шероховатость /Т И Игонина. В А Скрябин, А С Репин // Техника машиностроения • журн. - М . Вираж-центр, 2007 -- № 1 - С 34-36

12 Игонина, Т И Особенности построения датчиков информационно-измерительных систем / Т И Игонина, В А Скрябин, А С Репин // Проблемы автоматизации и управления в технических системах - 2007 сб ст Междунар науч -техн конф - Пенза Инф -изд центр ПТУ, 2007 - С 89--90

Игонина Татьяна Ивановна

Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств

Специальности 05 11 14-Технология приборостроения, 05 02 08 - Технология машиностроения

Редактор О Ю Ещина Технический редактор Н А Вьялкова

Корректор С Н Сухова Компьютерная верстка М Б Жучковой

ИД № 06494 от 26 12 01 Сдано в производство 26 04 2007 Формат 60х84*/16 Бумага писчая Печать офсетная Уел печ л 1,16 Заказ № 283 Тираж 100

Издательство Пензенского государственного университета 440026, Пенза, Красная, 40

Введение.

1. Состояние вопроса и перспективы развития обработки пластин из полупроводниковых материалов.

1.1. Производительность и качество при обработке пластин из полупроводниковых материалов.

1.2. Технология обработки пластин из полупроводниковых материалов.

1.3. Выводы и задачи исследования.

2. Характерные особенности технологии обработки пластин из полупроводниковых материалов.

2.1. Характерные особенности способа обработки пластин из полупроводниковых материалов абразивным материалом.

2.1.1. Основные свойства абразивного материала.

2.1.2. Оценка характера абразивного воздействия на обрабатываемую поверхность.

2.2. Влияние основных параметров обработки на производительность и шероховатость поверхности.

2.3. Технологические показатели пластин из полупроводниковых материалов после финишной обработки.

2.3.1. Методика определения производительности и шероховатости обработки.

2.3.2. Качественные показатели пластин после финишной обработки для воспроизведения топологических структур.

2.4. Кинематические особенности при контактном взаимодействия абразивного инструмента с поверхностью обрабатываемой детали.

2.5. Выводы.

3. Гидродинамическая очистка подложек из полупроводниковых материалов.

3.1. Особенности гидродинамической очистки подложек.

3.2. Основные гидродинамические принципы работы инструмента.

3.3. Теоретическое обоснование методики определения параметров кинематического режима, обеспечивающих зазор при гидродинамической очистке.

3.4. Расчет суммарной гидродинамической силы, действующей на деталь со стороны инструмента при заданном равномерном рабочем зазоре.

3.5. Экспериментальная проверка методики определения параметров кинематического режима и расчет суммарной гидродинамической силы.

3.6. Выводы.

4. Экспериментальные исследования процесса финишной обработки пластин из полупроводниковых материалов.

4.1. Оборудование, аппаратура и методика проведения экспериментальных исследований.

4.2. Исследование производительности способа обработки деталей шлифовальным инструментом.

4.3. Исследование напряжений в поверхностном слое полупроводниковых подложек после финишной обработки.

4.4. Выводы.

Одной из ведущих тенденций промышленного производства была и остается растущая потребность в улучшении качества, повышении производительности, увеличении долговечности и надежности приборов и изделий, улучшение их товарного вида. Эти показатели, наряду с экономическими, зависящими от степени автоматизации производства и трудоемкости изготовления деталей, определяют конкурентоспособность продукции.

Современные полупроводниковые приборы, датчики информационно-измерительных систем и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых, имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических полупроводниковых пластинах с использованием фотолитографии.

Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования предметов микроэлектроники, характеризуются совершенной атомной структурой и высокой геометрической точностью. Для обеспечения этих качеств разработана оригинальная технология механической, химической и химико-механической обработки монокристаллических материалов, создано прецизионное оборудование, зачастую не имеющее аналогов в других отраслях производства.

В настоящее время известны работы по технологии обработки полупроводниковых материалов В.П. Запорожского Б.А. Лапшинова, А.Я. Нашельского др., которые могут служить базой для решения разнообразных производственных задач.

Создание новой эффективной технологии обработки, обеспечивающей повышение производительности и качества при изготовлении полупроводниковых пластин, а также повышение степени механизации и автоматизации, являются актуальными задачами.

Цель данной работы - обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств путем совершенствования технологии финишной абразивной обработки.

Возможности методов отделочной обработки не могут быть полностью реализованы без глубоких и четких представлений о физической природе взаимодействия абразива с обрабатываемым материалом. . Кроме того, требуют особого внимания вопросы интенсификации данного процесса обработки. Решение этой важной и актуальной задачи представляет не только теоретический, но и практический интерес, так как позволяет рационально использовать абразив в качестве режущего инструмента и разработать оптимальные условия его эксплуатации.

В данной работе предпринята попытка анализа процессов, происходящих при финишной обработке полупроводниковых пластин в результате воздействия частиц абразива с определенным давлением их на обрабатываемую поверхность, математического описания процессов обработки и очистки поверхности пластин, создание на этой основе научно обоснованных практических рекомендаций по проектированию технологии и оборудования и выбору эффективных режимов и условий обработки.

Автор защищает:

1. Новую схему финишной односторонней обработки пластин полупроводниковых материалов, при которой платанам, сообщается не только вращательное, но и возвратно-поступательное движение по неподвижному притиру.

2. Методику аналитической оценки параметров контактного взаимодействия уплотненного абразивного слоя с обрабатываемыми поверхностями деталей и уровня производительности обработки.

3. Комплексные исследования влияния технологических режимов и условий на производительность и качество обработки.

4. Особенности гидродинамической обработки подложек из полупроводниковых материалов.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработана новая схема финишной односторонней обработки пластин из полупроводниковых материалов, в которой пластинам, закрепленным с помощью воска на планшайбе, а также и шлифовальнику, к которому они прижаты грузом, сообщается вращательное движение.

2. Изучено влияние абразивного материала на производительность и качество финишной обработки пластин, что позволило выбрать абразивный порошок зернистостью Ml4 при шлифовании для выравнивания пластин по толщине и выведения клина и порошок зернистостью М5 и Ml0 для окончательной доводки.

3. Математически описаны особенности кинематики при контактном взаимодействии абразивного материала с поверхностью полупроводниковых пластин, что необходимо учитывать при рассматривании технологических режимов и проектировании оборудования.

4. Выполнены комплексные исследования влияния технологических режимов на производительность процесса и качество обработки. Показано, что предлагаемая схема финишной абразивной обработки дает возможность получить шероховатость поверхности в диапазоне: Ra=0,025.0,012 мкм, скорость съема материала, при этом -5.0,15 мкм/мин, размерная точность пластин составляет 3 мкм, удельное сопротивлениеRy=62,5.74 Ом.см, гг=13,7.17,5.

5. Разработана математическая модель гидродинамической очистки подложек из полупроводниковых материалов, что позволило рассчитать величину гидродинамической силы в зависимости от кинематических, геометрических и технологических параметров.

6. Экспериментально доказано, что гидродинамическая очистка подложек является бесконтактным методом очистки, что исключает образование царапин и рисок на поверхности полупроводниковых пластин и обеспечивает высокое качество очистки.

7. Разработаны средства технологического оснащения для внедрения новой технологии финишной обработки полупроводниковых пластин.

8. Получена математическая модель напряжений в полупроводниковых подложках после финишной обработки, что позволило, задаваясь величинами прогибов пластин, рассчитать максимальные напряжения в их поверхностном слое.

9. На основании выполненных теоретических и экспериментальных исследований разработаны научно-обоснованные практические рекомендации по выбору рациональных режимных параметров, обеспечивающих заданную производительность и качество обработки пластин.

10. Внедрение результатов работы на предприятиях г. Пенза позволило обеспечить стабильность работы датчиков информационно-измерительных систем и получить экономический эффект.

5. ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПЛАСТИН ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ.

5.1. Основные этапы разработки технологии

Надежная работа полупроводниковых приборов, датчиков информационно-измерительных систем и интегральных микросхем во многом зависит от качества обработки монокристаллических полупроводниковых пластин. Полупроводниковые пластины, предназначенные для формирования предметов микроэлектроники, характеризуются совершенной атомной структурой и высокой геометрической точностью.

Пригодность полупроводников для получения полупроводниковых приборов определяется возможностями образования в их объеме областей противоположного типа проводимости (электронной-п-типа или дырочной -р-типа), чувствительностью к внешним воздействиям (электрическое поле, нагрев, световое облучение и т.д.), способностью сохранять во времени стабильность приобретенных в результате технологической обработки электрофизических свойств во всем диапазоне температур работы прибора. [ М f f 5J.

Этим требованиям в наибольшей степени удовлетворяют монокристаллы элементов 4 группы периодической системы Менделеева - германий и кремний. Кроме того, в полупроводниковом приборостроении довольно широко применяют карбид кремния и ряд интерметаллических соединений.

К качеству полупроводниковых пластин предъявляются высокие требования:

1) пластины должны быть монокристаллическими с поверхностью, свободной от дефектов и загрязнений без нарушенного поверхностного слоя.

2) шероховатость поверхности должна быть не ниже Ra=0,025-0,012 мкм.

3) Диаметр пластин из кремния d=31 -75 мм, с минимальной толщиной t=200 мкм.

4) отклонение от плоскостности и отклонение от параллельности пластин должны быть в пределах ±10 мкм.

5) разориентация поверхности пластин относительно заданной плоскости не должна превышать ± 1°(для специальных устройств ± 15°).

6) отклонения по величине диаметра пластин должны быть не более ± 0,5 мм.

Обработка полупроводниковых пластин требует высокой квалификации операторов и обслуживающего персонала, обязательного поддержания особой чистоты применяемых материалов.

Заданные точность и шероховатость полупроводниковых пластин в основном достигаются путем финишной обработки. L /4J •

При операциях шлифования и полирования большое влияние на конечную шероховатость пластин оказывает выбор абразива и его зернистость. Алмазные микропорошки (AM) и алмазные синтетические микропорошки (АСМ), рекомендованные для обработки полупроводниковых материалов, имеют зернистость от 14/10 до 1/0,15. Для полирования полупроводниковых материалов применяются микропорошки с размером зерен от 1 до 0,15 мкм.

Порошок с зернистостью Ml4 применяют при шлифовке для выравнивания пластин по толщине и выведения клина, полученного при резке слитка на пластины. Окончательную доводку проводят с использованием порошков с зернистостью М10 и М5.

Режимные параметры доводки назначаются из соображений достижения заданной точности и шероховатости обработки, а также физико-механических свойств поверхности полупроводниковых пластин. Основным режимным параметром шлифования является давление. Его значение составляет от 0,8 до 1,2 МПа. С увеличением давления возрастает глубина внедрения зерен в обрабатываемую поверхность. Скорость съема кремния при этом составляет 5.0,15 мкм/мин. При доводке хрупких материалов минутный съем в малой степени зависит от времени обработки. Это связано с тем, что с увеличением времени доводки происходит затупление абразивных зерен. Повышение продолжительности процесса доводки приводит к тому, что шероховатость обработанной поверхности вначале снижается, а затем несколько возрастает в результате увеличения длительности абразивного воздействия и повышения степени пластической деформации при финишной обработке. Указанные режимные параметры являются оптимальными при разработанной схеме финишной обработки пластин из полупроводниковых материалов, так как обеспечивают необходимую шероховатость пластин.

В результате того, что пластины совершают сложное как вращательное, так и возвратно-поступательное движение и абразивные зерна работают большим числом своих ребер и граней, повышается стойкость притира при одновременном повышении производительности обработки. В то же время, благодаря более развитой сетке рисок, понижается шероховатость обработанной поверхности. [5].

5.2. Рекомендуемые области применения способа финишной обработки полупроводниковых пластин

Для реализации предлагаемой технологии финишной обработки пластин из полупроводниковых материалов выполнен комплекс работ по проектированию, изготовлению и внедрению в производство установки для реализации. Результаты проведенных теоретических и экспериментальных исследований финишной обработки полупроводниковых пластин внедрены на ОАО «НИИ Контрольприбор».

Предлагаемую схему установки для шлифования и полирования можно рекомендовать для изготовления полупроводниковых пластин, характеризуются совершенной атомной структурой и высокой геометрической точностью, используемых в полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах применяемых в радиоэлектронике, электронной вычислительной технике, технике связи и телевидении, автоматике и телемеханике, электронной медицинской аппаратуре и т.д. Результаты проведенных теоретических и экспериментальных исследований схемы финишной обработки, а также разработанные на их основе рекомендации по выбору эффективных режимов и условий обработки позволили спроектировать технологические процессы шлифования и полирования полупроводниковых пластин.

Документ, подтверждающий результаты внедрения работы приведен в приложении 1.

В таблице 5.2.1 представлены основные технико-экономические показатели, полученные при внедрении схемы установки для финишной обработки и рациональных режимных параметров на ОАО «НИИ Контрольприбор».

Производственные испытания, полупроводниковых платин по предложенной технологии, показали, что ожидаемый ресурс их работы увеличится в 1,2. .1,4 раза.

1. Скрябин В. А. Особенности обработки деталей из полупроводниковых материалов / В.А. Скрябин, Т.И. Игонина // Машиностроитель. -М.: Изд-во Вираж-центр, 2004. № Ъ.~*С Н8-50.

2. Скрябин В.А. Методика расчета гидродинамической силы при очистке полупроводниковых пластин / В.А. Скрябин, Т.И. Игонина // Надежность и качество: труды Международного симпозиума. Пенза: Изд-во, 2005 .-С,260,

3. Игонина Т.И. Особенности технологии обработки деталей из полупроводниковых материалов // Надежность и качество: труды Международного симпозиума. Пенза: Изд-во, 2005.-С- 280.

4. Скрябин В.А. Особенности методов шлифование пластин из полупроводниковых материалов / В.А. Скрябин, Т.И. Игонина, Ю.В. Рыбаков // Машиностроитель. М.: Изд-во Вираж-центр, 2005. № 1гС\9-2\.

5. Игонина Т.И. Установка для доводки деталей из полупроводниковых материалов // Вестник ДИТУД. Димитровград.: Димитровградовский институт технологии, управления и дизайна, 2006. № 1(27).-С 73-76.

6. Скрябин В.А. Определение параметров кинематического режима, обеспечивающих равномерный рабочий зазор при гидродинамической очистке полупроводниковых пластин / В.А. Скрябин, Т.И. Игонина //Машиностроитель. -М.: Изд-во Вираж-центр, 2006. № 1 rCSOS

7. Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization / Mark J. Madou. 2nd ed. - CRC Press, 2002. - 52 / p.

8. Microengineering aerospace systems / Henry Helvajian, editor El Segundo, California: The Aerospace Press, 1999.- 234p.

9. Броудай И. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. / Броудай И., Мерей Дж. М.: Мир, 1989.-4% С,

10. Ваганов В. И. Интегральные тензопреобразователи М.: Энергоатомиздат, 1983.~ 2 80 С,

11. ГОСТ 20420-75. Тензорезисторы. Термины и определения.

12. ГОСТ 21615-76. Тензорезисторы. Методы определения характеристик. -J3 С.13. 3. Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. -528 С.

13. Малер Р. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. / Малер Р., Кейминс Т. С. М.: Мир, 1989.-630 С.

14. Реньян В. Р. Технология полупроводникового кремния // М.: Изд-во Металлургия, 1969.-4/5 С.

15. Мазель Е. 3. Планарная технология кремниевых приборов /Е. 3. Мазель, Ф. П. Пресс//М.: Изд-во Энергия, 1974.- 29iс.

16. Шубников А. В. Элементарные механические явления при шлифовании и полировании // Сб. Качество поверхности деталей машин. -М.: Изд-во АН СССР, 1977. №3.-С. 51 "53.

17. Ипполитов Г. М. Абразивно-алмазная обработка // М.: Изд-во Машиностроение, 1969. ЗООс .

18. Курносов А. И. Технология производства полупроводниковых приборов /А. И. Курносов, В. В. Юдин // М.: Изд-во Высшая школа, 1974г2*12с.

19. Григорьева JI. Ф. Исследование процесса шлифовки монокристаллов германия и кремния // Вопросы радиоэлектроники. Сер. П. Вып. 2,1960.-C.2S-30.

20. Капустина Т. П. Строение поверхностного слоя шлифованных пластин кремния и германия /Т. П. Капустина, Л. В. Тарновская // Известия ВУЗов. Л.: Изд-во Приборостроение, 1974. № 7.-0.3^-35.

21. Орлов П. Н. Алмазно-абразивная доводка деталей // М.: Изд-во НИИМАШ, 1972 -I89C.

22. Технология обработки оптических деталей. Под ред. проф. Семибратова М. Н. // М.: Изд-во Машиностроение, 1975.~ / 95 С.

23. Ковалев А. А. Классификация методов обработки свободным абразивом // Сб. Современные достижения в области технологии алмазно-абразивной обработки. Тезисы докладов конференции "Алмаз в промышленность". - Л.: СЗ ЗПИ, 1971. ■- С. 3 в "3 7.

24. Хрульков В. А. Доводка керамических материалов связанным абразивом /В. А. Хрульков, А. А. Ковалев // Сб. Алмазная и абразивная обработка. -М.: МДНТП им. Дзержинского, \976.~C23~25.

25. Latzig W Lappen, Munchen, Hanser-Verlag, 1970. i42p

26. Twyman F. Prism and lens making. London, 1972. / 9p.

27. Комашико В. С. Эффект Тваймана на кремнии /В. С. Комашико, В. В. Митрофанов, Т. А. Попов // Сб. Электронное приборостроение. МЛ.: Изд-во Энергия, 1966.-С. М2-50.

28. Бочкин О. М. Механическая обработка полупроводниковых материалов /О. М. Бочкин, В. А. Брук, С. Н. Никифорова-Денисова // М.: Изд-во Высшая школа, 1973.~ С.

29. Zensen Е. W. Polishing Silicon Waters "Solid State Technology". №2, V 10,1967.-P. 60-62•

30. Орлов П. H. Влияние процесса алмазной полировки на качество эпитаксиального слоя кремния /П. Н. Орлов, К. Ф. Скворцов, А. С. Ушаков // Алмазы. М.: Изд-во НИИМАШ, 1972. №6.-2i5c

31. Файнштейн С. М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых материалов // М.: Изд-во Энергия, 1970.-392с.

32. Скворцов К. Ф. Особенности полирования кремниевых подложек для производства полупроводниковых приборов различного типа // Сб. Докл. конференции "Теория и практика алмазной и абразивной обработки деталей приборов и машин". М., 1973.- С. 62-65.

33. Орлов П. Н. Расчет стабилизированного процесса двусторонней доводки деталей /П. Н. Орлов, А. С. Чижов // Известия ВУЗов. М.: Изд-во Машиностроение, 1975. №2 . — И 2 С.

34. Орлов П. Н. Влияние динамических параметров механизма доводки на выходные параметры кварцевых элементов /П. Н. Орлов, А. А. Савелова, А. С. Чижов, И. Н. Ермакова // Отчет по НИР № 0-766. М.: МВТУ, 1971.- 98 с.

35. Дюжиков В. И. Выбор оптимальных условий полирования плоских поверхностей кварцевых элементов // Электронная техника. М.: ЦНИИ Электроника, 1972. Сер. 10, вып. 3.-/42 с.

36. Рогожкин А. Е. Аналитическое исследование траектории движения при доводке плоскостей // труды ЛВМИ6. М.: Изд-во Машиностроение, 1957. Сб. XXV. - С. 2 .

37. Электрорадиоматериалы. Под ред. Б. М. Тараева // М.: Изд-во Высшая школа, 1978.-4/5С.

38. Абразивная и алмазная обработка материалов. Под ред. А. Н. Резникова // М.: Изд-во Машиностроение, 1977. -г 2 sc.

39. N. Yasupaga, A. Obara, О. Imanaka, Mechanochemical polishing of Single crystals with soft powders, The Electrical Laboratory, MITIT, Tokyo, 188 Japan, bull. № 5,1977. Japan Soc. Precision. Eng-44. 107 (1970). -45p.

40. N. Yasupaga, 0. Imanaka: Bull. Japan Soc. Precision Eng-44. 107 (1970). ~59p.

41. W. R. Brown, N. S. Eiss, Jr and H. T. Me Adams: J. Amer. Geram. Soc. 47 4. 157 (1964).-Ll8p.

42. E. J. Duwdl and H. C. Butzke: Jappl Phyc. 3511. 3358 (1964).~56p.

43. O. Memory, I. Osamu. Hydration polishing of sapphire, a moval finishing technique using hydration phenomenon, Bull. Jap. Soc. Precis Eng., 1976.10 №4, P. 156-158. -6 ip.

44. Лурье А. И. Некоторые задачи об изгибе круглой пластинки // ПММ, 1960. Т. IV, вып. I ~91р.

45. Пугачев В. С. Теория случайных функций // Физматгиз, 196Ог^0С.

46. Пальмов В. А. тонкая пластинка под действием случайной нагрузки // Сб. Прикладная математика и механика. АН СССР, 1972. Т. 2,вып. 3.-С.3S-W.

47. Тимошенко С. П. Пластинки и оболочки // Гостехиздат, 1978riSOc.

48. А.с. 1579740 СССР, МКИ В24В 31/08. Способ абразивной обработки деталей / А.Н. Мартынов, В.А. Скрябин, В.М. Федосеев. -Опубл. 23.07.90, Бюл. № 27.

49. А.с. 1678581 СССР, МКИ В24В 31/116. Способ абразивной обработки изделий / А.Н. Мартынов, В.А. Скрябин, В.А. Лемин, В.М. Федосеев, Г.В. Бабаджан. Опубл. 23.09.91, Бюл. № 35.

50. Пат. 1803308 РФ, МКИ В24В 31/104. Способ обработки деталей / В.А. Скрябин. Опубл. 23.03.93, Бюл. №11.

51. Киселев П.Г. Гидравлика. Основы механики жидкости. М.: Энергия, 1980.-360 С.

52. Ботук Б.О. Гидравлика. М.: Высшая школа, 1962.-55/с.

53. Константинов Н.М. Гидравлика, гидрология, гидрометрия / Н.М. Константинов, Н.А. Петров, Л.И. Высоцкий. М.: Высшая школа, 1987.-304С.

54. Штеренлихт Д.В. Гидравлика. М.: Энергоатомиздат, 1984гбЧОс.

55. Рабинович Е.З. Гидравлика.-М.: Физматгиз, 1963.С.

56. Маталин А. А. Технология машиностроения. Л.: Машиностроение, 1985 -496с.

57. Беззубенко Н.К. Интенсификация процесса шлифования и динамики работы алмазных зерен / Н.К. Беззубенко, Н.Д. Узунян // В кн.: Синтетические алмазы ключ к техническому прогрессу. - Киев: Наукова думка, 1977.-№ 1-С. 40-46.

58. Богомолов Н.И. О работе трения в абразивных процессах // Труды ВНИИАШ. Л.: Машиностроение, 1965. №1 тС.60-68.

59. Богомолов Н.И. Исследование деформации металла при абразивных процессах под действием единичного зерна // Труды ВНИИАШ. Л.: Машиностроение, 1968. №7г С. 74S7.

60. Богомолов Н.И. Механизм действия поверхностно-активных веществ при тонкой абразивной обработке металлов // В кн.: Физико-химическая механика материалов. Киев: Наукова думка, 1971. - № 1тС.28'30.

61. Бронштейн И.Н. Справочник по математике / И.Н. Бронштейн, Г.А. Семендяев. -М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1986.-" 5НЧс.

62. Ваксер Д.Б. Пути повышения производительности абразивного инструмента при шлифовании. М.: Машиностроение, 1964."" ■

63. Глейзер J1.A. О сущности процесса круглого шлифования // В кн.: Вопросы точности в технологии машиностроения. -М.: Машгиз, 1959тС.29

64. ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения. М.: Изд-во стандартов, 1974.с>

65. Икрамов У.А. Расчетные методы оценки абразивного износа. -М.: Машиностроение, 1987- {88с.

66. Королев А.В. Исследование процессов образования поверхностей инструмента и детали при абразивной обработке. Саратов: Изд-во Сарат. Гос. техн. ун-та, 1995.-" i 8 8С.

67. Королев А.В. Теоретико-вероятностные основы абразивной обработки. Часть 1. Состояние рабочей поверхности абразивного инструмента / А.В. Королев, Ю.К. Новоселов. Саратов: Изд-во Сарат. Гос. техн. ун-та, 1987.- ISO С.

68. Линник Ю.В. Метод наименьших квадратов и основы теории обработки наблюдений. М.: Изд-во физ.-мат. лит. - 352 С.

69. Лурье Г.Б. Шлифование металлов. М.: Машиностроение, \969rl20c.

70. Мартынов А.Н. Характер абразивного воздействия при обработке деталей уплотненным слоем свободного абразива / А.Н.Мартынов, А.В. Тарнопольский // Абразивы: Научн. техн. реф. сб. -М.: 1978. № 6.— С. 18-ЕЪ. .

71. Маслов Е.Н. Основы теории шлифования металлов. М.: Машгиз, 1951.-27 2 С.

72. Маслов Е.Н. Теоретические основы процесса алмазной обработки материалов // В кн.: Обработка машиностроительных материалов алмазным инструментом. М.: Наука, 1966. - С. {4-2в

73. Маслов Е.Н. Теория шлифования металлов. М.: Машиностроение, 1974. - 318 С.

74. Маслов Е.Н. Основные направления в развитии теории резания абразивным, алмазным и эльборовым инструментом / Е.Н. Маслов, Н.В. Постникова. М.: Машиностроение, 1975.- с •

75. Редько С.Г. Количество абразивных зерен шлифовального круга, участвующих в резании // Станки и инструмент, 1960. №127С.2.0-2е/.

76. Редько С.Г. Процессы теплообразования при шлифовании металлов. Саратов: Изд-во: Сарат. Гос. техн. ун-та, 1962,~231с.

77. Сагарда А.А. Закономерности микрорезания единичным алмазным зерном // Синтетические алмазы, 1969. №2 -С.9-Н.

78. Скрябин В.А. Основы процесса субмикрорезания при обработке деталей незакрепленным абразивом. Пенза: Изд-во ПВАИУ,1992.-/20С.

79. Скрябин В.А. Производительность процесса обработки деталей статически уплотненным слоем абразивного микропорошка // Изв. вузов. Сер. Машиностроение. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 1994. - № 4 - бгСШОО.

80. Скрябин В.А. Новый метод финишной обработки деталей свободными мелкодисперсными средами / В.А. Скрябин, Ю.В. Рыбаков // Машиностроитель. М.: Изд-во Вираж-центр, 2000. № 2.- С.16 - 4 7.

81. Скрябин В.А. Обеспечение производительности и качества отделочно-зачистной обработки деталей В.А. Скрябин, Ю.В. Рыбаков // Машиностроитель. М.: Изд-во Вираж-центр, 2000. № 5rC. 2 Ч- 25.

82. Тимофеев И.И. Анализ геометрии абразивных зерен / И.И. Тимофеев И.И., JI.B. Худобин. Труды Ульяновского политехи, ин-та,1966.-С.6Г-7А

83. Худобин JI.B. Пути совершенствования технологии шлифования. Саратов: Приволжское книжное издательство, \969.-208c.

84. Худобин JI.B. Смазочно-охлаждающие средства, применяемые при шлифовании. -М: Машиностроение, \91\r208c.

85. Щеголев В.А. Обработка эластичными шлифовальными кругами / В. А. Щеголев, А.П. Дмитриев, Н.П. Меткин. ПДНТП, 1989г*2с

86. Ящерицын П.И. Планирование эксперимента в машиностроении / П.И. Ящерицын, Е.И. Махаринский. Минск Вышейшая школа, 1985.-2£бС.

87. Ящерицын П.И. Влияние процессов тонкого шлифования и полирования на чистоту и качество обработанных поверхностей // Вестник машиностроения, 1965. № 6."2S6c.

88. Ящерицын П.И. Влияние геометрических параметров алмазного зерна на процесс микрорезания / П.И. Ящерицын, В.А. Аканович // Синтетические алмазы, 1970. № 6.-С.69-73.

89. Ящерицын П.И. Тепловые явления при шлифовании и свойства обработанных поверхностей / П.И. Ящерицын, А.К. Цокур, H.JI. Еременко.- Минск: Наука и техника, 1973. 0.12-21

90. Ящерицын П.И. Тонкие доводочные процессы обработки деталей машин и приборов / П.И. Ящерицын, А.Г. Зайцев, А.И. Барботько.- Минск: Наука и техника, 1976. ~ С.

91. Ящерицын П.И. Финишная обработка деталей уплотненным потоком свободного абразива / П.И. Ящерицын, А.Н. Мартынов, А.Д. Гридин. Минск: Наука и техника, 1978. -Ъ28с.

92. Nancy B.F. A new look at mass finishing // American machinist, 1981-№7."P. 45-52.

93. Spenger L.F. Abrasive blasting. Metal finishing for 1975. Guide book directory. New York, 1975.

94. S. K. Hajra Choudhury, A. K. Hajra Choudhury. Elements of workshop technology. Volume II. Machine tools. Burdwan, 1991.-325/?.

95. Ермаков Ю.М. Металлорежущие станки / Ю.М. Ермаков, Б.А. Фролов. -М.: Машиностроение, 1985. ~ 320с.

96. Колев Н.С. Металлорежущие станки / Н.С. Колев, JI.B. Красниченко, Н.С. Никулин. -М.: Машиновтроение, 1980.-500с.

97. Худобин JI.B. Пути совершенствования технологии шлифования. Саратов, приволжское книжн. издательство, 1969.-208С.

98. ГОСТ 4.64 80. Полупроводниковые материалы. М.: Изд-во стандартов, 1985.-9 С

99. ГОСТ 19658 81. Кремний монокристаллический в слитках. М.: Изд-во стандартов, 1981.-5fc.

100. Резникова А.Н. Абразивная и алмазная обработка материалов // Справочник.-М.: Машиностроение, 1977.-391 с.

101. Терган B.C. Плоское шлифование. М.: Высшая школа, 1980.

102. Орлов П.Н. Алмазно-абразивная доводка деталей. М.: НИИМАШ, 1972.~19вс.

103. Лоскутов В.В. Шлифовальные автоматы и полуавтоматы. М.: Машгиз, 1959.92С.

104. Бабаев С.Г. Притирка и доводка поверхностей деталей машин / С.Г.Бабаев,П.Г. Садыгов.-М.:Машиностроение, 1976. -128с.

105. Федоров Л.П. Производство полупроводниковых приборов / Л.П. Федоров, В.М. Багров, Ю.Н. Тихонов. -М.: Энергия, 1979.- 43Zс.

106. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. - 336 с,

107. Запорожский В.П. Обработка полупроводниковых материалов / В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. М.: Высшая школа, 1988. - 18*fc.

108. Скрябин В.А. Влияние основных факторов процесса доводки полупроводниковых пластин на его производительность и шероховатость / В.А. Скрябин, Т.И. Игонина, А.С. Репин // Техника машиностроения. М.: Вираж-центр, 2007. № 1.- С. 34-36.

109. Схиртладзе А. Г. Определение величины напряжений в поверхностном слое кремниевых подложек после финишной обработки /А. Г. Схиртладзе, В.А. Скрябин, Т. И. Игонина // Технология металлов. М.: Изд-во Машиностроение, 2006. № 11. — С. 8~ / /.