автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов

На правах рукописи

Шангереева Бийке Алиевна

РАЗРАБОТКА ОТДЕЛЬНЫХ БАЗОВЫХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Нальчик - 2006

Работа выполнена в Дагестанском государственном техническом университете на кафедре теоретической и общей электротехники

Научный руководитель: доктор технических наук, профессор

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Мустафаев Гасан Абакарович

кандидат технических наук, доцент Паиченко Валерий Александрович

Ведущая организация ЗАО «ФЗМТ», г. Фрязино

Защита состоится « 17 » июня 2006 г. в /3 часов мин. на заседании диссертационного совета Д212.076.08. в Кабардино-Балкарском государственном университете по адресу: 360004, г. Нальчик, Чернышевского, 173, КБГУ, зал заседаний ученого совета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке КБГУ.

Автореферат разослан « /£> » мая 2006 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Кармоков А.М.

1СО&А

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Прогресс большинства областей современной электронной техники неразрывно связан с успехами силовой электроники. Активными элементами силовой электроники являются силовые полупроводниковые приборы, работающие в ключевом режиме и применяющиеся в различных видах преобразовательной техники: диоды, тиристоры, биполярные и МДП-транзисторы, транзисторы с изолированным затвором.

Важнейшей проблемой стоящей перед современной полупроводниковой электроникой является широкая и полная автоматизация производства с внедрением автоматических систем управления технологическими процессами. Задачи и вопросы повышения эффективности любого производства всегда были и будут в центре внимания всех, кто занимается его организацией. При производстве изделий микроэлектроники снижение затрат на него и повышение качества изделий особенно важны, так как они закладывают качественную и стоимостную основу будущих электронных устройств, которые сегодня во многом определяют уровень жизни общества. В то же время эти задачи далеко не просты, так как в основе производства изделий электронной техники лежит сложная технология, требующая высокого уровня ее реализации и больших затрат. Повышение эффективности этого производства путем его автоматизации также затруднено из-за сложной многооперационной технологии.

Исследования, проводимые в последние годы, в области технологии полупроводникового производства обусловлены необходимостью поиска оптимальных материалов, технологических методов и режимов обработки изделий, а также разработки специального технологического оборудования, обеспечивающего снижение разброса технологических параметров приборов.

В связи с этим комплексный подход к решению проблемных задач изготовления силовых транзисторных структур высокого качества с минимальными производственными затратами и разбросами технологических параметров является актуальнъэд^ НдцИоНАЛЬНАя"

БИБЛИОТЕКА С.-Петербург ~

ОЭ 200 Т1кт ' ^

Цель работы. Совершенствование отдельных базовых технологических процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов для улучшения параметров и повышения процента выхода годных.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

1) анализ существующих технологических методов формирования кристаллов силовых полупроводниковых приборов, особенностей планарной технологии и технологических требований, предъявляемых к производству кристаллов транзисторов;

2) разработка и оптимизация математических моделей технологических процессов очистки полупроводниковых пластин, глубокой диффузии фосфора с применением твердого пла-нарного источника и пирогенного окисления;

3) исследование технологических процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов: очистка кремниевых пластин, глубокая диффузия фосфора с введением водяных паров, пирогенное окисление.

Новизна и научная ценность. Разработан новый метод очистки поверхности силовых кремниевых структур, путем введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой, которая позволяет эффективно очистить поверхность кремниевых пластин за счет:

- эффективного смывания загрязнений с поверхности кремниевой структуры деионизованной водой, потоком направленной под определенным углом и давлением на кассету с пластинами.

- сброса деионизованной воды, исключающего повторное оседание остатков реагента, частиц на поверхность полупроводниковой пластины.

Разработан алгоритм математической модели технологического процесса очистки кремниевых пластин в стоп-ванне с душевой отмывкой, с учетом влияние входных параметров процесса (давление и угол подачи деионизованной воды, диаметр отверстий) на основе решения уравнений переноса примеси по поверхности полупроводниковой пластины и уравнений гидродинамики.

Получены зависимости сопротивления деионизованной воды от количества циклов отмывки в стоп-ванне при различных углах наклона струи, зависимость константы равновесия от времени очистки.

Разработан алгоритм математической модели технологического процесса глубокой диффузии фосфора с твердого планарного источника (ТЛИ), учитывающий граничные условия: рабочая температура, расходы газов, температура источника диффузанта, изменение концентрации диффузанта в потоке.

Разработана модель процесса пирогенного окисления, с учетом поверхностной концентрации окислителя, значения эффективного коэффициента диффузии, коэффициента диффузии кислорода.

Практическая ценность работы. Разработанный метод очистки кремниевых пластин может быть использован при изготовлении силовых транзисторов с заданными параметрами. Результаты исследований глубокой диффузии фосфора из твердотельного планарного источника при непосредственном участии автором внедрены в производство мощных транзисторов на ОАО «Эльдаг».

В целом результаты исследований могут найти практическое применение на предприятиях НПО «Интеграл», ЗАО «ФЗМТ» и т.д.

Материалы диссертационной работы также внедрены в учебный процесс Дагестанского государственного технического университета.

Результаты внедрения оформлены соответствующими актами внедрения.

На защиту выносятся:

1. Результаты исследования по очистки поверхности кремниевых пластин, за счет введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой.

2. Результаты исследования, отдельных базовых технологических процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов.

3. Результаты технологических режимов глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника.

4. Результаты исследования, технологических режимов получения окисла кремния методом пирогенного окисления и контроля качества окисных пленок.

Апробация результатов. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались:

- на научно-технической конференции преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов ДГТУ. Махачкала, 2003г.;

- на Всероссийской НТК «Современные информационные технологии в управлении» ДГТУ. Махачкала, октябрь 2003г.;

- на Всероссийской НТК «Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения» ДГТУ. Махачкала, декабрь 2003 г.;

- на Международной НТК «Измерение, контроль, информатизация», АГТУ им. И.И. Ползунова (г. Барнаул, 2004 г.).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 13 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, выводов, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 148 страниц, в том числе 22 рисунка, 9 таблиц и приложения. Список цитированной литературы включает 133 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулирована ее цель, указаны основные задачи, новизна полученных результатов и изложены защищаемые положения.

В первой главе рассмотрены конструктивно-технологические особенности силовых транзисторных структур и описаны методы их формирования.

Из условия работы силовых транзисторов вытекают требования к ряду их параметров. Во-первых, необходимо стремится к увеличению их рабочего тока. Ограничения рабочего тока возникают, если с возрастанием тока коэффициент передачи снижается настолько, что дальнейшее увеличение тока становится не целесооб-

разным и из-за возникновения необратимых изменении, которые могут привести к выходу его из строя. Необходимо снижать сопротивления транзистора не только для увеличения предельного значения тока коллектора, но и увеличения КПД транзистора в схемах усилителей и преобразователей. Так низкий КПД помимо бесполезного расходования мощности, приводит в ряде случаев к излишнему перегреву схемы. Требования высоких напряжений является необходимым, т.к. в схеме могут возникать резкие перенапряжения, которые не должны выводить приборы из строя. В ряде случаев в силовых транзисторах бывает особенно важно обеспечить высокие величины коэффициента усиления по току и малые входные сопротивления, а в некоторых случаях требуется малые обратные токи. Общими требованиями для транзисторов является меньший разброс от образца к образцу и достаточно высокая стабильность во времени параметров. Если стабильность параметров в последнее время удалось значительно повысит, то разброс многих существенных параметров мощных приборов продолжает оставаться большим. Этот разброс, хотя и связан часто с неоднородностью свойств исходного материала, что во многих случаях определяется не достаточно высоким уровнем технологии или малой точностью технологического оборудования. В связи с этим одной из основных задач, возникающих при совершенствовании технологии - уменьшение указанного разброса.

Помимо требований к основным параметрам силовых транзисторов следует отметить их особенности, связанные с происходящими в этих приборах процессами и особенностями их конструкции. Эти особенности конструкции во многом определяют специфику и дополнительные сложности, возникающие при изготовлении силовых транзисторов. Рассмотрение требований к свойствам и размерам различных областей структуры силового транзистора показывает, что почти для любой характеристики этих областей требования противоречивы. Особенно сильно проявляются противоречия между требованиями, направленными на повышении рабочего тока и требованиями на увеличения допустимого напряжения.

Вторая глава посвящена разработке моделей технологических процессов очистки поверхности кремниевых структур, диффузии фосфора с применением твердого планарного источника с введением водяных паров для формирования активных областей силовых транзисторов и пирогенного окисления.

Проведен анализ процессов очистки поверхности кремниевых пластин. Для количественного описания процессов очистки использовали физико-химический анализ с применением элементов неравновесной термодинамики, теорию фильтрации и гидродинамику с учетом характера физико-химических процессов.

Показано, что при турбулентном движении жидкости происходит более эффективная очистка поверхности и при этом эффективный коэффициент равновесия больше коэффициента равновесия.

По результатам исследования определена зависимость константа равновесия от длительности отмывки.

На основе совместного решения уравнений переноса примеси по поверхности полупроводниковой пластины и уравнений гидродинамики проанализированы данные по качеству отмывки.

Дня определения распределения примеси вглубь полупроводника используются уравнения диффузии с модифицированными граничными условиями, учитывающими особенности технологического процесса.

Рассматриваемые количественные модели находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными.

Проведен анализ существующих способов физико-аналитического описания процесса диффузии из газовой фазы с целью выявления возможности применения их для моделирования технологического процесса диффузии фосфора с твердым планарным источником.

Диффузию с твердым планарным источником проводили в две стадии: на первой стадии наблюдается перенос молекул окиси примеси в газе к поверхности кремния, где протекает реакция с образованием оксида кремния:

2Р205(г, + 581(т) = 4Р(Т) + 5БЮ2 (т) .

В результате на поверхности происходит образование фосфоро-силикатного стекла, являющегося поверхностным источником. А на второй стадии из этого поверхностного источника происходит диффузия примеси в кремний при отсутствии пластин источника.

Основной вклад в изменение величины поверхностной концентрации примеси вносит изменение температуры источника диффузанта. Заметное влияние на процесс диффузии оказывает изменение расхода газов (носителя диффузанта и окислителя), что, очевидно, приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке. Увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя — к ее увеличению.

Для создания надежных высококачественных силовых кремниевых транзисторов требуется возможность формировать высококачественный окисел. Кроме того, чтобы гарантировать надежность полупроводниковых приборов и кремневых силовых транзисторов, нужно знать зависимость электрических свойств окисла от технологических параметров процесса окисления.

Поскольку технологический процесс подвергается воздействию многочисленных факторов, степень влияния которых различна, то совместное их действие приводит к существенному разбросу электрофизических параметров изделий.

В третьей главе рассмотрена методика проведения экспериментов на оборудовании технологической линии по производству кристаллов силовых кремниевых транзисторов.

Контроль качества проведения технологической операции отмывки кремниевых пластин проводился с помощью лампы сфокусированного света. Для этого была разработана методика определения количества светящихся точек - основного показателя чистоты поверхности пластин.

Контроль диффузионных слоев проводился в основном по таким параметрам, как поверхностная концентрация атомов примеси и глубина залегания сформированного /»-«-перехода. Величину поверхностного сопротивления диффузионного слоя измеряли компенсационным методом. Метод основан на том, что поверхностное сопротивле-

ние определяется, как сопротивление диффузионного резистора, толщина которого равна глубине залегания р-п перехода х}, а длина и ширина равны друг другу и образуют квадрат со стороной 1

Для определения глубины диффузионного слоя использован метод косого шлифа. Этот метод состоит в том, что границу выявляют по окрашиванию (потемнению) р-области вследствие окисления в травителе, состоящей из 48 %-ной фтористоводородной кислоты с небольшой добавкой (до 0,05-0,1 %) 70 %-ной азотной кислоты. Рассчитаны диффузионные профили для глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника фосфора.

Контроль качества оксидных пленок проводился методом вольт -фарадных характеристик.

Четвертая глава посвящена оптимизации основных технологических операций, описаны методы очистки поверхности кремниевых пластин и контроля качества очистки.

Проведен выбор способа очистки поверхности кремниевой пластины. Эффективная очистка достигается при сочетании нескольких способов. Поэтому для качественной и эффективной очистки пластин разработаны процессы очистки, представляющие собой комбинирование различных способов очистки, выполняемых в определенной последовательности. В них основными операциями являются обезжиривание, травление, отмывка, сушка. По окончании процесса очистки пластин в жидкостном травителе структуры находятся в статическом положении (покое). Это приводит к тому, что продукты реакции, а, следовательно, отдельные загрязняющие элементы (молекулярные, ионные и атомные) не увлекаются жидкостью, а перераспределяются на поверхности пластин, так как жидкость, несмотря на ее подогрев, не уносит их от поверхности раздела фаз (жидкость - кремниевая пластина).

Проведена оптимизация технологического процесса «Очистка пластин» путем введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душем (см. рис. 1). По полученным экспериментальным данным построена зависимость количества светящихся точек от температуры раствора и времени отмывки (см. рис. 2, 3).

@ © © @ § & 1

ч \ к* ч , 1 \ 2 \ 4

® Ф Ф Ф Щ>

а)

Рис. 1. Внешний вид стоп-ванны с душем: а) вид спереди; б) вид сбоку: 1 - отверстие; 2 - уровень деионизованной воды; 3 - ванна; 4 - кассета тефлоновая; 5 - кремниевая структура

Рис. 2. Зависимость количества светящихся точек от температуры раствора и времени отмывки

Рис. 3 Зависимость количества светящихся точек от количества отмывок в растворе и от времени «жизни» раствора

На основе метода динамического равновесия и фильтрационной модели проведены исследования, по которым получены зависимости сопротивления деионизованной воды от количества циклов отмывки в стоп-ванне при различных углах наклона струи и диаметрах отверстий.^.

Для химической обработки полупроводниковых пластин перед очисткой в деионизованной воде выбран один из эффективных растворов - ПАР (перекисно-аммиачный раствор). Критерием качества очистки пластин является количество пылинок (светящихся точек под лучом сфокусированного света) на поверхности пластин.

Рис. 4. Зависимость сопротивления деионизованной воды от количества циклов отмывки в стоп-ванне при различных углах наклона струи и диаметрах отверстий

На основе полученных данных построены зависимости и определены оптимальные режимы проведения операции очистки поверхности кремниевых пластин, при которых количество пылинок на структуре не превышает 3 шт.

Проведена разработка и формирование базовых процессов активных областей силовых кремниевых транзисторов, среди которых технологический процесс диффузия фосфора с использованием твердого планарного источника. По полученным экспериментальным данным получены следующие зависимости:

- зависимость поверхностного сопротивления от времени в процессе загонки и разгонки фосфора, при различных значениях температуры (см. рис.5);

- зависимость поверхностного сопротивления от температуры процесса (при постоянных значениях расстояния между кремниевыми пластинами и времени проведения процесса).

Rs, Ом/кв 0,6

-О—1300-с

» 1260 'С

--1100 "С

-■—1150 "С

1100 "С

—0—1100 "С тавр

-О—1150 °С icip

—о—1200 °С тавр

—1—1240 "С тавр.

-1300 "С тяор.

Рис. 5. Зависимость поверхностного сопротивления от температуры и времени проведения процесса разгонки фосфора

Полученные оптимальные режимы технологии позволяют формировать необходимую пластину и толщины пленок, при которых обеспечивается стабильность выходных характеристик прибора, и высокий процент выхода годных кристаллов силовых транзисторов.

Проведен расчет технологических режимов глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника, где решены следующие две основные задачи: определение профиля распределения концентрации примеси на основании заданного технологиче-

ского режима и определение режима процесса диффузии на основании данных по конечному распределению примеси в структуре

Оптимизация технологического процесса изготовления кристаллов силовых транзисторов способствовала улучшению выходных характеристик за счет эффективной очистки поверхности кремниевых пластин перед термическими операциями и фотолитографиями. В конечном итоге это позволило уменьшить напряжение насыщения и увеличить статический коэффициент передачи тока в 1,5 раза.

Основные выводы

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы:

1. Разработан метод эффективной очистки поверхности кремниевых пластин введением в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой.

2. Разработана модель технологического процесса глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника, учитывающая влияние температуры источника диффузанта и концентрации газов носителей.

3. Определены оптимальные значения параметров расхода воды, давления и угла наклона струи воды в стоп-ванне с душевой отмывкой, при которых достигается эффективная очистка кремниевых структур после химобработки в перекисно-аммиачном растворе и снижение времени очистки в два раза.

4. Определены оптимальные технологические режимы процессов загонки и разгонки фосфора с применением твердого планарного источника для формирования диффузионных кремниевых структур с глубиной диффузионного слоя 110±20 мкм.

5. Результаты исследований технологических процессов диффузии фосфора из твердого планарного источника, пирогенного окисления и очистки пластин позволили усовершенствовать технологический маршрут изготовления структур силовых кремниевых транзисторов с улучшенными параметрами.

6. Разработана структура силового кремниевого транзистора, которая позволила получить приборы с улучшенными электрическими параметрами и повышенным процентом выхода годных за счет снижения разброса технологических параметров.

В приложении к диссертации приведены протоколы испытаний, акты внедрения результатов работы и результаты расчетов с помощью пакета прикладных программ - Pascal.

Основные результаты диссертации отражены в следующих публикациях:

1. Чернечков В.А., Алиев Ш.Д., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Автоматизация процесса расчета технологических режимов формирования диффузионных структур // Сборник тезисов Всероссийской НТК: Современные информационные технологии в управлении - Махачкала: ДГТУ, 2003. - С. 51-52.

2. Чернечков В.А., Алиев Ш.Д., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Анализ количественного описания процесса очистки поверхности полупроводниковых пластин // Сборник тезисов Всероссийской НТК: Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения. - Махачкала: ДГТУ, 2003. - С. 40.

3. Шахмаева А.Р., Мейланов Р.П., Шангереева Б.А. Метод динамического равновесия в процессе отмывки поверхности полупроводниковой пластины в деионизованной воде // Сборник тезисов Всероссийской НТК: Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения. - Махачкала: ДГТУ, 2003. - С. 42-43.

4. Чернечков В.А., Алиев Ш.Д., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Диффузия золота в рабочие области биполярного транзистора КТ-872 для снижения подвижности носителей заряда // Сборник тезисов Всероссийской НТК: Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения. - Махачкала: ДГТУ, 2003.

5. Шахмаева А.Р., Алиев Ш.Д., Шангереева Б.А. Особенности плазменной обработки поверхности полупроводниковых пластин на установке «Leybold-Z-600» // Сборник тезисов Всероссийской НТК:

Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения. - Махачкала: ДГТУ, 2003. - С. 50.

6. Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Алиев Ш.Д. Метод удаления кристаллитов с поверхности кремниевой пластины // Изв. вузов. Приборостроение. - 2004. - № 7. - Т. 47. - С. 63-65.

7. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Алиев Ш.Д., Шангереева Б.А. Технология отмывки кремниевых пластин в деионизованной воде // Вестник ДГТУ. Технические науки. Вып. 6 - Махачкала, 2004. - С. 12-16.

8. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А Контроль качества посадки кристалла на основание корпуса //Сборник трудов Международной НТК- Измерение, контроль, информатизация. — Барнаул: АГТУ им. И.И. Ползунова, 2004.

9. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Фильтрационная модель отмывки поверхности полупроводниковых пластин // Научно-тематический сборник статей: Материалы 10 научной сессии. Международная Академия информатизации. — Махачкала, 2005. - С. 95-97.

10. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Методика статистического контроля техпроцесса изготовления полупроводниковых приборов // Сборник тезисов докладов ХХУТ итоговой НТК преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов. - Махачкала-ДГТУ, 2005.

11. Шангереева Б А. Получения пленки окисла кремния (8Ю2) методом пирогенного окисления. //Проектирование и технология электронных средств. -2005. -№ 3. -С. 24-26.

12. Шангереева Б.А. Выявление дефектов упаковок на поверхности кремниевых подложек // Вестник молодых ученых Дагестана. Союз молодых ученых Дагестана. - Махачкала: Дагестанский научный центр РАН, 2005. - № 2. - С. 111-112.

13. Шангереева Б.А. Образование заряда в окисле кремния при формировании пленки -8102 //Дагестанский научный центр РАН. Региональный вестник молодых ученых. - 2005. - №6 (8). - С. 5-7.

В печать 16.05.06. Тираж 100 экз. Заказ № 4820. Типография КБ ГУ 360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173.

I >

f

/

I

i

f

I

i

4

ï

/ !

1142t

• ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННО

СТИ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

1.1. Технологические особенности изготовления мощных транзисторов

1.2. Конструктивные особенности изготовления мощных транзисторных структур

1.3. Особенность требований, предъявляемых к параметрам силовых кремниевых транзисторов

ГЛАВА 2. МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

2.1. Модель очистки поверхности кремниевых пластин 39 2.1Л. Метод динамического равновесия в процессе очистки поверхности кремниевых пластин в деионизованной воде 40 2.1.2. Фильтрационная модель очистки поверхности кремниевых пластин

2.2. Модель диффузии фосфора с применением твердого планарного источника

2.2.1. Диффузия в технологии полупроводниковых приборов

2.2.2. Моделирование диффузионного процесса

2.2.3. Расчет технологических режимов диффузии фосфора 57 2.-3. Математическая модель пирогенного окисления

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН 82 ■ 3.1. Модернизация оборудования химобработки кремниевых 4 пластин

3.2. Методы контроля очистки пластин

3.3. Определения контроля поверхностного сопротивления

3.4. Методика исследования параметров окисных пленок

ГЛАВА 4, ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ

АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 9 \

4.1. Оптимизация технологического процесса очистки пластин 91 ■ 4.2. Оптимизация технологического процесса диффузии фосфора для формирования диффузионных кремниевых структур

4.3. Оптимизация технологического процесса пирогенного окисления

Актуальность темы.

Развитие современной науки и техники немыслимо без электроники, ведущей отраслью которой является полупроводниковая и твердотельная микроэлектроника.

Прогресс большинства областей современной техники неразрывно связан с успехами силовой электроники. Активными элементами силовой электроники являются силовые полупроводниковые приборы, работающие в ключевом режиме и применяющиеся в различных видах преобразовательной техники: диоды, тиристоры, биполярные и МДП-транзисторы, транзисторы с изолированным затвором.

Важнейшей проблемой, стоящей перед современной полупроводниковой электроникой, является широкая и полная автоматизация производства с внедрением автоматических систем управления технологическими процессами. Задачи и вопросы повышения эффективности любого производства всегда были и будут в центре внимания всех, кто занимается его организацией. При производстве изделий микроэлектроники снижение затрат на него и повышение качества изделий особенно важны, так как они закладывают качественную и стоимостную основу будущих радиоэлектронных устройств, которые сегодня во многом определяют уровень жизни общества. В то же время эти задачи далеко не просты, так как в основе производства изделий электронной техники лежит сложная технология, требующая высокого уровня ее реализации и больших затрат. Повышение эффективности этого производства путем его автоматизации также затруднено из-за сложной многооперационной технологии.

Исследования, проводимые в последние годы в области технологии полупроводникового производства, обусловлены нахождением оптимальных материалов, технологических методов и режимов обработки изделий, обеспечением надежного контроля качества, разработкой специального технологического и испытательного оборудования.

В связи с этим решаемая проблема комплексного подхода к разработке технологии изготовления транзисторных структур высокого качества с минимальными производственными затратами является актуальной.

Цель этих исследований состоит в нахождении оптимальных материалов, технологических методов и режимов обработки изделий, обеспечении надежного контроля качества, разработке специального технологического и испытательного оборудования.

В данной работе решается проблема комплексного подхода к разработке отдельных базовых процессов формировании активных областей силовых кремниевых транзисторов высокого качества с минимальными производственными затратами.

Цель работы.

Совершенствование базовых технологических процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов для улучшения параметров и повышения процента выхода годных.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1) анализ существующих технологических методов формирования кристаллов силовых полупроводниковых приборов, особенностей планарной технологии и технологических требований, предъявляемых к производству кристаллов транзисторов;

2) разработка и оптимизация математических моделей технологических процессов очистки полупроводниковых пластин, глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника и пирогенного окисления; 3). исследование базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов: очистка кремниевых пластин, глубокая диффузия фосфора с введением водяных паров, пирогенное окисление. Все исследования проводились автором на Махачкалинском заводе полупроводниковых приборов - ОАО "Эльдаг" в условиях массового производства транзисторов.

Новизна и научная ценность.

Разработан новый метод очистки поверхности силовых кремниевых структур, путем введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой, которая позволяет эффективно очистить поверхность кремниевых пластин за счет:

• эффективного смывания загрязнений с поверхности кремниевой структуры потоком деионизованной воды, направленной под определенным углом и давлением на кассету с пластинами.

• сброса деионизованной воды, исключающей повторное оседание остатков реагента и сторонних частиц на поверхность полупроводниковой пластины.

Разработана математическая модель технологического процесса очистки кремниевых пластин в стоп-ванне с душевой отмывкой с учетом влияния входных параметров процесса (давление и угол подачи деионизованной воды, диаметр отверстий), базирующаяся на решениях уравнений переноса примеси по поверхности полупроводниковой пластины и уравнений гидродинамики.

Установлена связь зависимости сопротивления деионизованной воды от количества циклов отмывки в стоп-ванне при различных углах наклона струи, зависимость константы равновесия от времени очистки.

Разработан алгоритм математической модели технологического процесса глубокой диффузии фосфора с твердого планарного источника (технологический процесс), учитывающей граничные условия: рабочую температуру, расходы газов, температуру источника диффузанта, изменение концентрации диффу-занта в потоке.

• Разработана модель процесса пирогенного окисления с учетом поверхностной концентрации окислителя, значения эффективного коэффициента диффузии, а также коэффициент диффузии для кислорода.

Практическая ценность работы.

Разработанные процессы формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов могут быть успешно использованы при совершенствовании метода очистки поверхности кремниевых структур, а также изготовлении силовых транзисторов с заданными параметрами. Отдельные разработки при непосредственном участии автора внедрены в производство на ОАО «Эльдаг», в частности, для формирования активных областей кремниевого силового транзистора.

Полученные результаты исследования могут найти практическое применение на предприятиях НПО «Интеграл», «ФЗМТ» и т.д.

Основные результаты диссертационной работы внедрены на ОАО «Эльдаг», а также в учебный процесс Дагестанского государственного технического университета.

Отдельные разработки при непосредственном участии автора испытаны, внедрены в производство. Применение транзисторов полученных по новой технологии на предприятиях позволило достичь существенного экономического эффекта.

Результаты работы оформлены соответствующими актами внедрения.

На защиту выносятся:

1) очистка поверхности пластин, за счет введения в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой;

2) отдельные базовые технологические процессы формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов;

3) технологические режимы глубокой диффузии фосфора с применением

• твердого планарного источника;

4) технологические режимы получения окисла кремния методом пирогенно-го окисления и контроля качества окисных пленок.

Апробация результатов.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались:

- на научно-технической конференции преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов ДГТУ. - Махачкала, 2003г.;

- на Всероссийской НТК «Современные информационные технологии в управлении» ДГТУ. - Махачкала, октябрь 2003г.;

- на Всероссийской НТК «Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения» ДГТУ. - Махачкала, декабрь 2003 г.;

- на Международной НТК «Измерение, контроль, информатизация», АГТУ им. И.И. Ползунова. - Барнаул, 2004 г.

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 13 печатных работах.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, вывода, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 148 страниц, в нее включены 22 рисунков, 9 таблиц и приложения. Список цитированной литературы составляет 133 наименования.

Выводы:

Разработана модель технологического процесса очистки кремниевых пластин в стоп - ванне с душевой отмывкой, с учетом влияния входных параметров процесса (давление, угол подачи деионизованной воды) на основе совместного решения уравнений переноса примеси по поверхности полупроводниковой пластины и уравнений гидродинамики. Разработана модель технологического процесса глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника (ТПИ), учитывающая граничные условия:

• изменение температуры источника диффузанта;

• изменение расхода газов (носителя диффузанта и окислителя), который приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке;

• увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя - к ее увеличению.

Разработана модель технологического процесса пирогенного окисления, где учитывается поверхностная концентрация окислителя; значения эффективного коэффициента диффузии и концентрации окислителя на поверхности; коэффициент диффузии для кислорода и коэффициент диффузии паров воды.

3. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН

3.1. Модернизация оборудования химической обработки кремниевых пластин Технолргические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов, включают химические операции: очистку подложек перед выполнением технологических операций, травление на подложках примесносили-катных стекол, диэлектрических и металлических пленок, удаление фоторезиста.

Очистка пластин должна обеспечивать полное удаление с их поверхности органических и механических загрязнений. Обычно очистка начинается с обезжиривания в щелочных растворах или органических растворителях. В ряде случаев для удаления загрязнений, химически связанных с материалом подложки,, допрлнител ьно применяется травление серной и азотной кислотой, водным раствором фтористоводородной кислоты и другими реактивами. Для интенсификации обезжиривания обработка подложек может вестись в нагретых реактивах или их парах, при воздействии на реакционный объем вибраций или ультразвуковых колебаний. Применяется также обработка подложек струей или распыленным потоком реактива, дополнительное воздействие на них щетками и кистями.

Перечисленные виды химической обработки пластин предъявляют к промышленному химико-технологическому оборудованию ряд специфических требований.,

Для проведения химической обработки пластин в производстве кристаллов полупроводниковых приборов используется комплекс универсального оборудования. На линии можно проводить отмывку пластин перед окислением, диффузией, напылением и травление слоев окиси кремния, нитрида кремния, фос-форо- и боросиликатных стекол, травление металлов, удаление фоторезиста с окисленных и металлизированных подложек.

Установки включают также в состав рабочий стол, блок пылезащиты, технологические ванны и камеры, блоки гидравлической, пневматической и контрольно-измерительной аппаратуры. Установка химической обработки содержит две ванны, выполненные из фторопласта и трехкаскадную ванну из полипропилена - для каскадной отмывки пластин в деионизованной воде. В каждой ванне могут размещаться две унифицированные 25-местные кассеты

В процессе серийного производства кристаллов мощных транзисторов возникла необходимость модернизации оборудования химобработки для обеспечения качественной отмывки пластин даже при повторной обработке (около 50 светящихся точек - пылевых частиц на пластине). В таблице 3.1.1 представлены основные требования по технологии отмывки полупроводниковых пластин, возможности установки химобработки и модернизированные элементы конструкции.

Основные требования к установке химобработки

Заключение

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы: 1. Разработан метод эффективной очистки поверхности кремниевых пластин введением в состав отмывочных ванн стоп-ванны с душевой отмывкой.

2. Разработана модель технологического процесса глубокой диффузии фосфора с применением твердого планарного источника, учитывающая влияние температуры источника диффузанта и концентрации газов носителей.

3. Определены оптимальные значения параметров расхода воды, давления и угла наклона струи воды в стоп - ванне с душевой отмывкой, при которых достигается эффективная очистка кремниевых структур после химобработки в перекисно-аммиачном растворе и снижение времени очистки в два раза.

• 4. Определены оптимальные технологические режимы процессов загонки и разгонки фосфора с применением твердого планарного источника для формирования диффузионных кремниевых структур с глубиной диффузионного слоя 110±20 мкм.

5. Результаты исследований технологических процессов диффузии фосфора из твердого планарного источника, пирогенного окисления и очистки пластин позволили усовершенствовать технологический маршрут изготовления структур силовых кремниевых транзисторов с улучшенными параметрами.

6. Разработана структура силового кремниевого транзистора, которая позволила получить приборы с улучшенными электрическими параметрами и повышенным процентом выхода годных за счет снижения разброса технологических параметров.

1. Atalla М.М., Semiconductor Surfaces and Films; the SÍ-SÍO2 System, Properties of Elemental and Compound Simiconductors, Gatos H. (ed.), Interscience, -New York, 1960 vol. 5, P. 163-181.

2. Аваев H.A., Наумов Ю.Е. Элементы сверхбольших интегральных схем. -М.: Радио и связь, 1986. -168 с.

3. Аваев H.A., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. -М.: Радио и связь, 1991. -288 с.

4. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. М.: Энергия, 1974.

5. Аксенов А.И., Гребенников Г.И., Нефедов A.B., Феоктистов Ю.Ф. Технологические программы, достижения и возможности микроэлектроники //Зарубежная электронная техника. М.: 1992. -№ 1, С. 13-16.

6. Бачурин В.В., Бельков А.К., Пыхтунова А.И. « Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах «, Часть! Обзоры по электронной технике. -М.: НИИ. Электроника, 1980. -С. 68.

7. Бачурин В.В., Бельков А.К., Дьяконов В.П. «Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах « , -М.: ЦНИИ Электроника, 1981. -С. 60. •

8. Берисфорд Р. «Фирма RCA» собирается выпускать мощные МОП транзисторы «, Электроника, 1981. -№ 15, -Т. 54. -С. 6-7. Пер. с англ. -М.: Мир.

9. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. -М.: Высшая школа, 1989. -320 с.

10. William H. A., Branwar S., Khoi P. Linewidth Metrology Requirement for submicron Litography //Solid State Technology. Feb. 1992. -P. 139-144.

11. Багдановский Ю.Н., Верников M.A., Коледов JI.А., Пих B.C. Твердые планарные источники для диффузии в технологии полупроводниковых приборов и ИС /Зарубежная электронная техника, 1982, -№ 8 , -С. 60-90.

12. Бер А.Ю., Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высшая школа, 1986. -279 с.

13. Березовский Б.А., Барышников Ю.М., Борзенко В.И., Кемпнер JI.M. Математические аспекты /Многокритериальная оптимизация. -М.: Наука, 1989.-128 с.

14. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1961. -335 с.

15. Boone B.G., Moorjani К., Abita J.L., Kim B.F. Development of High-Temperature superconducting Thin Film Devices for Hybrid Microelectronics // Hybrid Circuit Technology. Jule 1989. -Vol 6. -№ 7. -P. 47-53.

16. Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. -М.: Энергия, 1968. -261 с.

17. Гаврилов Р.А., Скворцов A.M. Основы физики полупроводников. -М.: Машиностроение, 1986. -356 с.

18. Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А. Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов. -М.: Энергоатомиздат, 1988. -280 с.

19. Гаскаров Д.В., Дахнович А.А. Оптимизация технологических процессов в производстве электронных приборов. -М.: Высшая школа, 1986. -191 с.

20. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Анализ и контроль технологических процессов производства РЭА. -М.: Радио и связь, 1983. -310 с.

21. Grove A.S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, -New York, 1967.-Ch.2.

22. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь, 1991. -С. 139-145.

23. Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А. Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов. -М.: Энергоатомиздат, 1988. -280 с.

24. Jerzy Ruzyllo. Issues in Dry Cleaning of Silicon Wafers //Solid State Technology . March 1990. -P. 82-86.

25. David Rupprecht, Joseph Stach. Oxidized Boron Nitride Wafers as an In-Situ

26. Bjron Dopant for Silicon Diffusions //Solid-State Science and Technology. September 1973. -№ 9. -P 1266-1271.

27. Jerzy Ruzyllo. Issues in Dry Cleaning of Silicon Wafers //Solid State Technology . March 1990. -P. 82-86.

28. Долгов Ю.А., Шестакова T.B. Метод моделирования технологических процессов серийного производства //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Одесса. 1993. -№ 4-92. -С. 20-23.

29. Дьяков Ю.Н., Лукичев A.B., Тимофеев Б.В. Современные требования к технологическим средам и химикатам, используемым для микроэлектроники //Электронная промышленность. 1986. -№ 7, -С. 2-11.

30. Давыдов A.A. Оптимизация ТП диффузии примеси из твердых планар-ных источников (ТЛИ).- //Тез. докл. республиканской научно-практической конференции «Радиоэлектроника нар. хозяйству». — Махачкала: 1983. -С. 49-50.

31. Electronic Today International. March 1993. -P. 5-14.

32. Evans U.R., The Relationship Between Tarnishing and Corrosion, Trans. Electrochem. -Soc. 46. 247. 1924.

33. Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология микросхем. -М.: Сов. Радио, 1980. -252 с.

34. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. -М.: Высшая школа, 1987. -416 с.

35. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. -М.: Высшая школа, 1986. -464 с.

36. Завод «Эльтав» «.в технологии среди первых .» один из крупнейших в СНГ производителей электронных компонентов //Приборы и системы управления. -Москва. 1993. -№ 4, -С. 46.

37. Замалин Е.Ю., Боднарь О.Б. Некоторые задачи моделирование технологических процессов изготовления приборов микроэлектроники // Микроэлектроника. -Москва. Июль-август 1995. -№ 4, -Т. 24, -С. 309 315.

38. Замалин Е.Ю. О применении метода суперпозиции в ограниченных диффузионных задачах //Изв. ВУЗов. 1985. -№ 5, -С. 147-148.

39. Зельдович Я.Б., Мышкис А.Д. Элементы математической физики. М.: Наука, 1973.-351 с.

40. Игумнов Д.В. ДСостюнина Г.П., Громов И.С. Элементы твердотельной электроники. Издательство Саратовского университета, 1985. -328 с.

41. Исмаилов Т.А. Термоэлектрический полупроводниковый интенсифика-тор теплопередачи для элементов радиоэлектроники. //Тезисы Всесоюзной НТК: Холод.-народному хозяйству. JL: 1991.

42. Исмаилов Т.А., Гаджиева С.М. Экспериментальные исследования полупроводниковых термоэлектрических интенсификаторов теплопередачи контактного типа. //Изв. Вузов. Приборостроение. -1995, -№ 3-4, -Т. 38. -С. 51-53

43. Исмаилов Т.А., Алиев Ш.Д., Шахмаева А.Р. и Шангереева Б.А. Технология отмывки кремниевых пластин в деионизованной воде. //Вестник ДГТУ. Технические науки. Вып.6. -Махачкала, 2004г. -С. 12-16 .

44. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Алиев Ш.Д. Метод удаления кристаллитов с поверхности кремниевой пластины. //Изв. вуов. Приборостроение. -2004, -№7, -Т.47. -С. 63-65.

45. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р. и Шангереева Б.А. Фильтрационная модель отмывки поверхности полупроводниковых пластин. //Научно-тематический сборник статей: Материалы 10 научной сессии. Международная Академия информатизации. -Махачкала. 2005. -С. 95-97.

46. Кафаров В.В., Глебов М.Б. Математическое моделирование основных процессов химических производств. -М.: Высш. Шк., 1991. -400 с.

47. Климачев И.И., Литвинова Т.В., Сидоренко С.И. Исследование стабильности системы Cr-Cu-Ni-Au , со слоями, полученными электролитическим осаждением. Микроэлектроника. 1994, -Т.23. Вып. 2. -С. 91-95.

48. Коледов JI.A., Волков В.А., Докучаев Н.И. и др. Конструирование итехнология микросхем. -М.: Высшая школа, 1984. -231 с.

49. Коледов JI.A. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. -М.: Радио и связь, 1989. -400 с.

50. Коледов JI.A. Теория процессов осаждения пленок из газовой фазы в цилиндрическом проточном реакторе. Часть 1. Анализ оптимального случая. //Электронная техника. Сер. 3 Микроэлектроника. 1979, вып.1 (79), -С. 40-52.

51. Коледов JI.A. Теория процессов осаждения пленок из газовой фазы в цилиндрическом проточном реакторе, Часть 2. Анализ неоптимального случая //Электронная техника. Сер. 3 Микроэлектроника. 1979, вып. 2 (80), -С. 48-56.

52. Кремлев В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. -М.: Высшая школа, 1990. -143 с.

53. Кремниевые планарные транзисторы /Под редакцией профессора Федотова А. -М.: Советское радио, 1973. -336 с.

54. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высшая школа, 1986. -368 с.

55. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высш. шк., 1979. -367 с.

56. Кулаичев А.П. Методы и средства анализа в среде Windows. STADIA 6.0. М.: Информатика и компьютеры. 1996. -257 с.

57. Левинштейн Г.С., Симен Г.С. Барьеры. -М.: Наука, 1987. -320 с.

58. Луппова A.A. Унификация химического процесса обработки полупроводниковых пластин //Электронная промышленность. -М.: 1995, -№ 5, С. 36.

59. Law М.Е., Dutton R.W. Verification on Analitic Point Defect Models Using SUPREM-IV// IEEE Trans. Comp. 1988. -V.7. -№ 2. -P.l81-190.

60. Merckel G. Process and Divice Modeling for 1С Desing, (F. Van de Wiele, W. L. Engl., P.G. Jespers, Editors), Noordholf, Ley den, 1977. -705 p

61. Maekawa S., Oshida F. Diffusion of boron in silicon. J.Phys.Soc. of Japan, 1967. -vol.19,-№3.-235 p.

62. Мазель Е.З. Мощные транзисторы (Библиотека по радиоэлектронике, Вып. 22).-М.: Энергия, 1969. -280 с.

63. Мазель Е.З. и Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов, -М.: Энергия, 1974. -384 с.

64. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. -М.: Мир, 1989.-630 с.

65. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. -М.: Радио и связь, 1991. -341 с.

66. Мартынов В.В., Базарова Т.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.8. Литографические процессы. -М.: Высшая школа, 1990. -С. 5-61.

67. Мартынов В.В. Чистые комнаты для производства СБИС //Зарубежная электронная техника. 1986. -№ 12. -С. 3-27.

68. Математическое моделирование: Методы описания и исследования сложных систем /Под ред. A.A. Самарского, H.H. Моисеева, A.A. Петрова. -М.: Наука, 1989. -271 с.

69. Материалы конференции «Чистота и микроклимат 88». Май 1988. МИЭТ//Электронная промышленность. 1988. -№ 10.

70. Мейзда Ф. Интегральные схемы. Технология и применения. Пер. с англ. /Под ред. М.В. Гальперина. -М.: Мир, 1981. -278 с.

71. Микроэлектроника ключевая технология. Пер. с нем./А.А.Браун, В. Хайд ель, В. Хюбнер и др. М.: Экономика, 1987. -272 с.

72. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. //Сборник статей. Под редакцией A.A. Васенкова и Я.А. Федотова. Вып. 10. -М.: Радио и связь, 1989. 192 с.

73. Минайчев В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Нанесение пленок в вакууме; Кн.6. -М.: Высшая школа, 1989.-110 с.

74. Минскер Ф.Е. Организация труда в чистых модулях по производству БИС и СБИС. -М.: Высшая школа, 1989. -80 с.

75. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов /Под ред. Д. Миллера. -М.: Радио и связь. 1989. -277 с.

76. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под редакцией Антонетти П. И др. -М.: Радио и связь, 1988. -496с.

77. Моро У. Микролитография. Часть 1. -М.: Мир, 1990. -605 с.

78. Моро У. Микролитография. Часть 2. -М.: Мир, 1990. -632 с.

79. Моряков О.С. Сборка. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 9. -М.: Высшая школа, 1990. -126 с.

80. Мощные кремниевые переключательные транзисторы /Краткий спра-вочно-информационный каталог. Ульяновск, 1985. -127 с.

81. Мушик Э. Мюллер П. Методы принятия технических решений: Пер. с нем. -М.: Мир, 1990. -208 с.

82. Мягков А.Т., Корсетов Е.М. Химико-технологическая аппаратура микроэлектроники.-М.: Энергия, 1979.-312 с.

83. Nicollian E.H., Breuws J.R., MOS Physics and Technology, Willey, New • York, 1982.

84. Новиков B.B. Расчет распределения концентрации примеси при диффузии из окисного слоя в кремний. Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, 1970.-Вып.4,-С. 8-19.

85. Никифорова-Денисова С.Н. Механическая и химическая обработка. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 4, -М.: Высшая школа. 1989. -95 с.

86. Новицкий П.В. Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измере87