автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.18, диссертация на тему:Математические модели термостабилизации полупроводниковых пластин газовой прослойкой для синтеза устройств в линиях фотолитографии

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ УСТРОЙСТВ ДЛЯ

ТЕРМООБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА ЭТАПЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ И ПОДХОДОВ К ИХ МОДЕЛИРОВАНИЮ

1.1 Общие тенденции развития полупроводникового производства

1.2. Обзор оборудования

1.3. Теоретические предпосылки создания устройств термообработки тонких дисков

1.4. Цели и задачи исследования

Глава 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ГИДРОДИНАМИКИ

ТЕЧЕНИЯ ГАЗА В ПРОЦЕССЕ ТЕПЛООБМЕНА ПОЛУПРОВОДНЖОВЫХ ПЛАСТРШ НА НЕСУЩЕЙ ГАЗОВОЙ ПРОСЛОЙКЕ НА ЭТАПЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ

2.1. Принципиальная схема устройств терАлостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке

2.2. Исходные данные для моделирования устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке

2.3. Математическая модель течения газа в устройствах термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке и ее исследование

Глава 3. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ТЕПЛООБМЕНА В УСТРОЙСТВАХ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНЖОВЫХ ПЛАСТИН НА НЕСУЩЕЙ ГАЗОВОЙ ПРОСЛОЙКЕ В ПРОЦЕССЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ 72 3.1. Математическая модель теплообмена в системе полупроводниковая пластина - несущая газовая прослойка

3.2 Исследование математической модели устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке при течении газа от центра к периферии

3.3. Исследование математической модели устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке при течении газа от периферии к центру 91 3.4. Определение рациональных конструктивных и функциональных параметров устройств термообработки полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке

Глава 4. МЕТОДИКА И ТЕХНЖА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО

МОДЕЛИРОВАНИЯ

4.1. Техника экспериментов

4.2. Методика экспериментов и обработки экспериментальных данных

Глава 5. ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

ИССЛЕДОВАНИЯ

5.1. Методика инженерного расчета 134 5.1.1. Методика инженерного расчета устройства устройств термостабилизации полупроводниковых пластин 134 5.1.2 Пример расчета устройства термостабилизации полупроводниковых пластин

5.2. Промышленное использование устройств термообработки u u и 1 п полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке

История развития человечества за последние десятилетия показала высокую эффективность использования электронной техники в бытовой, научной и промышленной сферах. Перекладывание части однообразных и относительно простых действий по обработке информации и управлению лабораторной установкой, стиральной машиной или самолетом на «электронику» освобождает человека для выполнения других более интересных и нужных задач. Постепенно сложность задач, решаемых человеком с использованием полупроводниковой техники, увеличивается.

Совершенствование систем управления, повышение их функциональной насыщенности с последующим переходом к системам "искусственного интеллекта" обусловливают необходимость развития и внедрения в радиоэлектронную аппаратуру нового поколения вычислительных средств -более производительных и более дешевых. Такая постоянная потребность в совершенствовании производства изделий электронной техники обеспечивает перспективы его дальнейшего роста.

Ежегодное удвоение быстродействия электронных схем, постоянное обновление номенклатуры выпускаемых изделий показывает, что микроэлектроника является одной из наиболее динамичных отраслей.

Повышение степени интеграции и снижение себестоимости полупроводниковой продукции невозможно без совершенствования оборудования полупроводниковой промышленности. Наиболее значительные продвижения в области производства полупроводниковых приборов происходят при одновременном переходе оборудования для производства электронных приборов на новый уровень.

Отечественное электронное машиностроение прошло сложный путь от создания оборудования для выполнения отдельных операций технологического процесса до разработки и серийного выпуска комплексных высокопроизводительных прецизионных установок, автоматических линий и более сложных комплексов оборудования и систем [62]. Однако отставание П' ряду направлений науки и технологии от уровня, достигнутого зарубежным] производителями изделий электронной техники (ИЭТ), обусловил( необходимость принятия Национальной программы развития электроники ] России на 1 9 9 2 - 2 0 0 2 гг. В программе нашли отражение проблемы, связанные ( выходом электронного машиностроения из сложной ситуации. В областр микроэлектроники в программе отмечается необходимость в создании г развитии базовых субмикронных технологий производства сверх больших интегральных схем (СБИС). Обп];ая стратегия развития технологии [2 9' основана на качественном переходе к формированию структур со все более малыми размерами от этапа 1,5-т-2 мкм к технологиям уровней 0,3- 0,5 мкм.

В настоящее время при производстве высокочастотных полупроводниковых приборов все большее распространение получают материалы группы АЛЛВЛ^"Л и, в частности, арсенид галлия. В силу его физических свойств приборы на его основе обладают рядом преимуществ перед кремниевыми [5 0, 3 8 ]: имея большую ширину запрещенной зоны и высокую подвижность носителей, арсенид галлиевые приборы работают на частотах 1 -10 0 ГГц, имеют хорошие оптические свойства, диапазон рабочих температур от криогенных до 3 5 0 °С. Но при этом арсенид галлия очень хрупок [38].

Основой промышленной технологии производства остается фотолитография, обладающая большей производительностью (5 0-6 0 пластин/ч) по сравнению с электронно-лучевой и рентгеновской (5-г20 пластин/ч) [41].

Актуальностьтемы. Тенденции развития современной микроэлектроники такие, как повышение степени функциональности интегральных схем, стремление к увеличению процента выхода годных определяют переход к субмикронным технологиям и увеличение диаметра полупроводниковых пластин. Это неизменно влечет за собой повышение требований к оборудованию и технологии. В частности, возрастает значение стабильности температуры пластины на различных операциях и равномерност] температурного поля. Например, переход на кремниевые пластины диаметрол 300 мм означает, что нестабильность температуры в 2 °С приведет к браку 1 процессе экспонирования. Т.к. рассовмещение в результате температурногс расширения может составить 1,56 мкм при требованиях субмикронноЕ технологии ±(0,02-Л0,04) мкм. Неравномерность температурного поля пс пластине диаметром 300 мм и при толщине пленки фоторезиста 0,6-Л0,8 мкм в пределах нескольких градусов может привести к появлению разрывов или нежелательных напряжений. Такая неравномерность может возникнуть из-за одновременного контакта в ходе термообработки с веществами, отличающимися своими тепловыми свойствами. Например, неплоскостность рабочей поверхности устройства и пластины приведет к образованию полостей заполненных воздухом. Намного более значительные перепады возникают в существующих устройствах термостабилизации во время перемещения полупроводниковой пластины, имеющей температуру порядка 100Л120 °С, на металлических штыревых держателях температурой около 20 °С, при том, что основная часть ее поверхности контактирует с воздухом, обладающим на несколько порядков меньшей теплопроводностью. Кроме этого, до момента размещения пластины на рабочей поверхности устройства, процесс теплообмена протекает бесконтрольно. Уменьшение времени перемещения приводит к негативным последствиям из-за эффекта «термоудара» приводящего даже к разрушению пластины в момент касания «холодной» рабочей поверхности устройства термостабилизации. Таким образом, существует противоречие между необходимостью выдержки пластины с целью некоторого уменьшения ее температуры и негативностью возникающего при этом перепада температур и бесконтрольности процесса охлаждения естественной конвекцией.

В связи с этим, следует признать перспективным использование

U "I "I U U U U устройств с эффектами несущей газовой прослойки, позволяющей исключить неоднородный тепловой контакт и свести к минимуму время бесконтрольного протекания процесса теплообмена. В свою очередь необходимость разработки новых устройств делает актуальным построение математических моделей адекватно описывающих протекающие в них процессы, что ставит задачу поиска эффективных математических методов позволяющих получить решения в виде аналитических зависимостей или выбора и использования необходимых численных методов моделирования. Необходимым является проведение целенаправленных исследований возможных конструктивных вариантов путем математического и экспериментального моделирования протекающих процессов и режимов работы устройств термостабилизации для последующего их эффективного проектирования и эксплуатации.

Диссертационная работа выполнена на кафедре технологии металлов и конструкционных материалов Воронежской государственной технологической академии (ВГТА) в рамках госбюджетной НИР №г.р. 01960007318 при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 01-01-00349-а); в рамках договора о научно - техническом сотрудничестве ВГТА и ОАО «Научно - исследовательский институт полупроводникового машиностроения» № 1 от 26 января 2000 г., а также в соответствии с программой работ Министерства образования Российской Федерации по теме «Теоретические основы синтеза автоматизированного оборудования с эффектами аэрогидродинамических несущих прослоек» (№ г.р. 01970001686).

Цель работы. Разработка математических моделей устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке, отвечающих требованиям субмикронной технологии фотолитографии, а также алгоритма синтеза и методики их инженерного расчета.

Для достижения поставленной цели сформулированы и решены следующие задачи:

- провести анализ современного состояния процесса термостабилизации полупроводниковых пластин на этапе фотолитографии с точки зрения требований субмикронной технологии и подходов к их моделированию;

- провести математическое моделирование процесса теплообмена изделия в виде тонкого диска на газовой прослойке;

- разработать математические модели устройств, использующих несущую газовую прослойку для стабилизации температуры полупроводниковой пластины;

- провести экспериментальную проверку адекватности полученных математических моделей;

- на базе построенных моделей разработать алгоритм синтеза устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке;

- провести моделирование и синтезировать конструкции устройств и определить их параметры;

- разработать методику инженерного расчета устройств термостабилизации;

- провести апробацию устройств в промышленных условиях.

Методы исследования. Основные задачи работы решались моделированием и анализом моделей с помощью математического аппарата теории гидродинамики течения вязкой несжимаемой жидкости и теории конвективного теплообмена.

Научная новизна.

Математическая модель течения газа в несущей воздушной прослойке в условиях произвольного диаметра, количества и радиуса расположения питающих отверстий.

Математическая модель нестационарного теплообмена полупроводниковой пластины и несущей газовой прослойки.

Алгоритм синтеза устройств термостабилизации. С использованием полученного алгоритма синтезирован ряд устройств, в которых термостабилизация полупроводниковых пластин на этапе фотолитографии осуществляется без нарушения однородности теплового контакта изделия и активного элемента устройства, новизна которых подтверждена патентами РФ.

Практическая ценность. Теоретические и экспериментальные результаты диссертационной работы в виде алгоритма и пакета прикладных программ могут быть положены в основу инструментальной среды синтеза устройств термостабилизации в субмикронной технологии формирования полупроводниковых структур в процессе фотолитографии. Разработанные методика инженерного расчета и пакет прикладных программ могут быть использованы в САПР, АСУТП и АСНИ. Расчетный экономический эффект от внедрения пакета прикладных программ составляет 89 тыс. руб.

Реализация и внедрение результатов работы. В результате проведенного моделирования было синтезировано устройство термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке производственно-технологические испытания которого проведены в ОАО «НИИПМ» (г. Воронеж). О чем имеется соответствующий акт (см. приложение 12).

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: III Всероссийской научно-технической конференции «Информационные технологии и системы» ( Воронеж, гос. технол. акад. - Воронеж, 1999); XXXVII отчетной научной конференции за 1998 год ( Воронеж, гос. технол. акад. - Воронеж), Научно-практической конференции аспирантов и соискателей ВГТА на иностранных языках «Актуальные проблемы научно-практических исследований и метод ологий»(Воронеж, 1999); Ш Всероссийской научно-практической конференции «Современные технологии в машиностроении» (Пенза, 2000 г);

XXXVIII юбилейной отчетной научной конференции за 1999 год: (Воронеж); Международной научно-практической конференции «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» ( Юж.-Рос. Гос.технич. ун-т. Новочеркасск: ЮРГТУ, 2000 г.); Международной научно-практической конференции «Компьютерные технологии в науке, производстве, социальных и экономических процессах» ( Юж.-Рос. Гос.технич. ун-т. Новочеркасск: НАБЛА, 2000 г.); Международной научно-практической конференции «Интеллектуальные электромеханические устройства. Системы и комплексы» ( Юж.-Рос. Гос.технич. ун-т. Новочеркасск: НАБЛА, 2000 г.); Международной научно-практической конференции «Методы и алгоритмы прикладной математики в технике, медицине и экономике» ( Юж.-Рос. Гос.технич. ун-т. Новочеркасск: НАБЛА, 2001); 6-ой Международной конференции «Пленки и покрятия 2001» ( Санкт-Петербургский технический университет - Санкт-Петербург, 2001)

Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, в том числе 2 патента РФ, 8 статей.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, основных выводов, списка литературы и приложения. Материал изложен на 146 страницах, содержит 83 рисунка, список литературы из 123 наименований. Приложения помещены в конце работы.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Тенденции увеличения диаметра полупроводниковых пластин и степени интеграции полупроводниковых приборов приводят к необходимости стабилизации температуры пластины на отдельных операциях с точностью до 0,1 °С, что требует новых подходов на основе моделирования процесса. Иначе, при диаметре пластины 300 мм изменение температуры на 1 °С в процессе экспонирования приведет к рассовмещению 1 мкм, которое в 3 раза превышающего минимальный размер элемента топологии для технологии 0,35 мкм.

2. Проведенное моделирование на основе разработанных математических моделей показывает, что применение газовой прослойки в качестве активного элемента в устройствах термостабилизации позволяет устранить локальные концентрации напряжений, обеспечить гарантированную равномерность температурного поля, не зависящую от величины неплоскостности пластины, в пределах 0,1-А5 °С в зависимости от материала и диаметра пластины и схемы построения устройства, обеспечить гарантированный однородный тепловой контакт в течении всего процесса обработки и минимальные механические нагрузки.

3. Моделирование процесса течения газа показало, что формирование несущей прослойки не центрально расположенными питающими отверстиями позволяет снизить расход газа, необходимого для обеспечения условия бесконтактности пластины, и сформировать необходимое преобладающее течение газа в прослойке в зависимости от условий термостабилизации.

4. Анализ математической модели показал, что термостабилизация полупроводниковой пластины с прямым течением газа позволяет обеспечить неравномерность температурного поля в пределах 3 -10 °С, длительность процесса термостабилизации 40ч-600 с, скорость охлаждения 0,24-5 °С/с. Наиболее оптимальным, с точки зрения равномерности

147 температурного поля, является использование схем построения устройств термостабилизации с обратным течением газа. При этом неравномерность температурного поля не превышает 0,1-2,3 °С, длительность процесса термостабилизации 65ч-800 с, скорость охлаждения 0,55-ь14,2 °С/с.

5. Математическое моделирование показало, что использование устройств термостабилизации полупроводниковых пластин на несущей газовой прослойке позволяет ограничить механические нагрузки на изделие величиной 800 Па, обеспечить регулирование скорости охлаждения, обеспечить однородность теплового контакта, повысить повторяемость результатов.

6. Совокупность математической модели гидродинамики и нестационарного конвективного теплообмена создает условие для синтеза структурных и функциональных параметров устройств термостабилизации. Разработанные методика инженерного расчета и пакет прикладных программ повышают эффективность проектирования предложенных устройств.

7. Расчетный экономический эффект от внедрения пакета прикладных программ составляет 89 тыс. руб.

1. Абрамов Г.В. Повышение эффективности процесса фотолитографии полупроводниковых пластин на основе адаптивных пневмовихревых устройств. Дис. канд. техн. наук: 05.13.01, 05.13.07. - Воронеж, 1991.-205 с.

2. Всероссийской научно-практической конференции.- Пенза, 2000 г. 4.1. -С. 105-107.

3. Аврус А.В Особенности конвективного теплообмена между стеклом и газовой опорой/ А.В Аврус // Стекло и керамика. 1983. - №5 - с. 10-12.

4. Автоматизация технологического оборудования микроэлектроники / А.А. Сазонов, Р.В. Корнилов, Н.П. Кохан и др.; Под ред. А.А. Сазонова. -М.: Высш. шк., 1991-334 с.

5. А.С. 664245 СССР, МКИ Н 01 Ь 21/312 Система компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов / Зигхард Ландрграф, Ульф Вебер, Мартин Венцель, Михаэль Хейне

6. А.С. 743489 СССР, МКИ Н 01 Ь 21/324, Н 01 Ь 21/477 Способ термообработки кремниевых пластин / В.П. Шаповалов

7. А.С. 1001232 СССР, МКИ Н 01 Ь 21/00 Устройство для импульсного отжига полупроводниковых структур / г.А. Крысов, В.А. Афанасьев, С.Г. Трусова

8. А.С. 1381796 СССР, МКИ В 04 В 5/00 Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины / В.К. Битюков, В.И. Кочетов, Г.В. Попов

9. А.С. 1572337 СССР, МКИ Н 01 Ь 21/312 Способ сушки слоя фоторезиста на подложке и устройство для его осуществления / П.П. Мягконосов

10. А.С. 1598770 СССР, МКИ Н 01 Г 21/312 Центрифуга для нанесения фоторезиста на пластины / Г.В. Абрамов, В.К. Битюков, В.И. Кочетов, Г.В. Попов

11. А.С. 1762339 СССР, МКИ Н 01 Ь 21/268, С 23 С 14/50 Держатель полупроводниковых пластин / В.А. Кагадей, Д.И. Проскуровский, Е.Б. Янкелевич

12. A.c. 1799196 СССР, МКИ H 01 L 21/00 Устройство для термообработки полупроводниковых пластин / А.П. Переверзев

13. Баженов В.К. Пространственное распределение термических напряжений и дислокаций в окисленных пластинах кремния / В.К. Баженов, CA. Горяинов, Н.И. Крамаренко, Ю.К. Марколенко // Электронная техника, сер. Микроэлектроника. 1987. - вып. 1(121) - С. 38-43.

14. Бахвалов Н.С. Численные методы / Бахвалов Н.С., Жидков Н.П., Кобельков Г.М. -М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000. 624 с.

15. Битюков В.К. Расчет параметров несущей прослойки при осесимметричном течении воздуха / Битюков В.К., Бахолдин A.M., Колодежнов В.Н., Кущев Б.И. // Изв. Вузов. Машиностроение. 1988. - №11. - С. 109-116.

16. Блинов И.Г. Оборудование полупроводникового производства / Блинов И.Г., Кожитов Л.В. М.: Машиностроение, 1986. - 264 с.

17. Боков Ю.С. Системный подход к созданию субмикронной технологии / Боков Ю.С, Жильцов В.И., Мартынов В.В., Самсонов Н.С. // Электронная промышленность. 1993. - № 8. - С 7-16.

18. Боли Б. Теория температурных напряжений / Боли Б., Уэйнер Дж. Пер. с англ. Сисляна Ж.С и Шорра Б.Ф.; Под ред. Григолюка Э.И. М.: Мир - 1964. -520 с.

19. ЗГБрдлик n.M. Теплообмен между осесимметричной струей и пластиной, нормально расположенной к потоку / Брдлик П.М., Савин В.К. // Инженерно-физический журнал т. VIII-№2 - С. 146-155.

20. Валиев К.А. Технология СБИС. Основные тенденции развития / Валиев К.А., Орликовский А.А. // Электроника: наука, технология, бизнес, 1996 № 5-6.-С. 3-11.

21. Васильев Г.К. Операционно-транспортные системы на газодинамической подушке для термической обработки изделий микроэлектронного производства / Васильев Г.К. // Сб. науч. тр. по проблемам микроэлектроники. 1978. - Вып. 39 - С. 138-153.

22. Введение в фотолитографию / Под ред. В.П. Лавриш;ева. М.: Энергия, 1977.-121 с.

23. Виглеб Г. Датчики / Виглеб Г.: Пер. с нем. М.: Мир, 1989. - 196 с; ил.

24. Волчкевич Л.И. Автоматизация производства электронной техники / Л.И. Волчкевич. М.: Высш. шк., 1988. - 287 с.

25. Горнев Е.С. Наша цель лидерство в российской экономике и достойное место на мировом рынке / Е.С. Горнев // Экономика и производство. - 2000. -№4/6. - С.5-7.

26. Гусева Л. Монолитные арсенидгалиевые ИС / Л. Гусева // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2000.- № 5. - С. 30-36.

27. Двайт Г.Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы / Г.Б. Двайт. М.: Наука, 1973. - 228 с.

28. Достал И. Операционные усилители / Достал И.: Пер. с англ. М.: Мир, 1982.-512 с.

29. Жильцов В.И. Базовая субмикронная технология основа дальнейшего развития микроэлектроники / Жильцов В.И., Мартынов В.В. // Электронная промышленность. - 1993. - № 11/12. - С. 15-21.

30. Запорожский В.П. Обработка полупроводниковых материалов / Запорожский В.П., Лапшинов Б.А. М.: Высшая школа, 1988. - 284 с.

31. Исаченко В.П. Струйное охлаждение / Исаченко В.П., Кушнырев В.И. -М.: Энергоатомиздат, 1984. 216 с.

32. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям / Камке Э.-М., Наука, 1976. 576 с.

33. Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел / Э.М. Карташов: Учеб. пособие. 2-е изд., доп. - М.: Высш. шк., 1985.-480 с; ил.

34. Кветный Р.Н. Вычислительные методы и применение ЭВМ / Кветный Р.Н., Маликов В.Т.: Учеб. Пособиею К: Вьща шк. Головное изд-во, 1989. - 213 с.

35. Колодежнов В.К. Гидромеханические и теплообменные процессы в системах с несуп.;ими прослойками при подаче и технологической обработке пищевых продуктов. Дис. . докт. техн. наук: 05.18.12, Москва, 1992. - 304 с.

36. Комаров A. C. Возможности и ограничения арсенидо-галлиевой технологии / Комаров A.C., Кравченко Л.Н., Кречмер A.M. // Электронная промышленность.- 1993.-№9-С. 25-29.

37. Кондратьев Г.М. Тепловые измерения / Г.М. Кондратьев. :М.: Машгиз, 1957.- 240 с.

38. Константинеску В.Н. Газовая смазка / Константинеску В.Н. // М., изд-во "Машиностроение", 1968. С. 41.

39. Концевой Ю.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. //- М.: Радио и связь, 1982.-240 с.

40. Кочетов В.И. Повышение эффективности процесса центрифугирования полупроводниковых пластин на базе устройств с вихревой газовой прослойкой. Дис. . канд. техн. наук: 05.13.07. Воронеж, 1989. - 239 с.

41. Лапшина Е.В. Современное состояние GaAs технологии / Лапшина Е.В. // Автоматизация и современные технологии.- 1992. - №6-С. 41-43.

42. ЛОИЦЯНСКИИ Л.Г. Механика жидкости и газа / Лойцянский Л.Г.: М.: Наука, 1978.-736 с.

43. Лукин О.В. Распределение температуры по поверхности кремниевой пластины в вакуумной установке при неидеальном тепловом контакте с термостатированным держателем / Лукин О.В., Магунов А.Н., Трушин О.С. // Тр. ФТИ РАН. 1995. Т.9 - С.62-67.

44. Лыков A.B. Теория теплопроводности / A. B. Лыков.- М.:,1952. 390 с.

45. Магунов А.Н. Тепловое излучение оптически тонкого монокристалла кремния / Магунов А.Н. // Письма в ЖТФ. -1994. т.20-№7. - С.44-48.

46. Мальгин С.Н. Тенденции развития электронного машиностроения / Мальгин С.Н. // Электронная промышленность. -1992. -№5 С. 2-6.

47. Марков В.П. Теплофизические параметры процесса закалки стекла на воздушной подушке / Марков В.П. // Стекло и керамика. -1974. №1 - С.7-8.

48. Масленников П.Н. Оборудование полупроводникового производства / П.Н. Масленников, К.А. Лаврентьев, А.Д. Гингис, В.И. Кононов, И.В. Кириченко,

49. В.А. Назаров, B.B. Руднев, B.B. Степанов, Г.И. Холин, B.C. Щербаков.-М.: Радио и связь, 1981.-336 с; ил.бЗ.Моро У. Микролитография / У. Моро: В 2-х ч.; Ч.1 : Пер. с англ. М.: Мир, 1990.-650 с.

50. Музыкант A.B. Совершенствование фотолитографического процесса с помощью термообработки подложки с фоторезистом контактным способом на плите / Музыкант A.B., Сотников B.C., Федоров H.H. // Электронная промышленность. 1986. - №10 - С. 58-59.

51. Мячин Ю.А. 180 аналоговых микросхем (справочник) / Ю.А. Мячин. Изд-во «Патриот», МП «Символ-Р» и редакция журнала «Радио». - 1993. - 152 с.

52. Пат. 2093921 RU, МКИ б Н 01 L 21/00. Устройство для нанесения фоторезиста на пластины / Абрамов Г.В., Битюков В.К., Попов Г.В., Рыжков В.В.

53. Пат. 2076390 RU, МКИ 6 Н 01 L 21/306 Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме / Вологиров А.Г., Григорьев И.Ю., Ивашов E.H., Кондрашов П.Е., Оринчев С.М.,Слепцов В.В., Степанчиков СВ.

54. Пат. JP 3261131 МКИ Н 01 L 21/205, С 23 С 16/46, С 23 F 4/00, Н 01 L 21/31. Wafer heater for semiconductor manufacturing device,

55. Пат. US 3723053 МКИ F 27 В 9/00; F 27 В 9/14. Heat treating process for semiconductor fabrication.

56. Пат. US 3771948, МКИ F 27 В 9/00; F 27 В 9/14. Heating devices for manufacturing semiconductor elements.

57. Пат. US 4243744, МКИ G03C 5/00: Microwave curing of photoresist films;

58. Пат, US 4282924, МКИ B23Q 003/00. Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface. / Varian Associates, Inc. (Palo Alto, CA).

59. Пат. DE 4440000 Германия, МКИ 6 Н 01 L 21/324 Устройство и способ нагрева полупроводниковых пластин / SIEMENS AG, 8033 MENCHEN, DE // РЖИСМ 1997-Вып. 104№ 19

60. Пат. US 4457359, МКИ H01L 021/283; H01L 021/22. Apparatus for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer. / Holden S.C.

61. Пат. ЕР 447155B1, МКИ Н 01 L 21/00, Н 01 L 21/68. Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating unitsusing such wafer heaters, and production of heaters.

62. Пат. US 4502094, МКИ H 01 F 13/00. Electrostatic chuck.

63. Пат. US 4508161, МКИ F28F 013/00. Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer. / Varian Associates, Inc. (Palo Alto, CA).

64. Пат. US 4527620, МКИ F28F 009/00. Apparatus for controlling thermal transfer in a cyclic vacuum processing system. / Varian Associates, Inc. (Palo Alto, C A).

65. Пат. US 4588675, МКИ G 03 F 007/26. Method for fine pattern formation on a photoresist. / Ток Yo Ohka Kogyo Co., Ltd. (Kawasaki, JP).

66. Пат. US 4665463, МКИ H 01 F 13/02. Electrostatic chuck. / U.S. Philips Corporation (New York, NY).

67. Пат. US 4645218, МКИ В 25 В 11/00. Electrostatic chuck. / Kabushiki Kaisha Tokuda Seisakusho (Zama, JP).

68. Пат. US 4671204, МКИ F28F 009/00; В05С 013/02. Low compliance seal for gas-enhanced wafer cooling in vacuum. / Varian Associates, Inc. (Palo Alto, C A).

69. Пат. US 4680061, МКИ HOIL 021/263. Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment. / Varian Associates, Inc. (Palo Alto, C A).

70. Пат. US 5131460, МКИ F28F 007/00; HOIL 021/58; C23C 014/22. Reducing particulates during semiconductor fabrication. / Applied Materials, Inc. (Santa Clara, CA).

71. Пат. US 5231690, МКИ H 01 L 21/205, F 26 В 19/00. Wafer heaters for use in semiconductor-producing apparatus and heating units using such wafer heaters.

72. Пат. US 5280156, МКИ H05B 3/20. Wafer heating apparatus and with ceramic substrate and dielectric layer having electrostatic chucking means.

73. Пат. US 5296271, МКИ В 05 D 1/32. Microwave treatment of photoresist on a substrate.

74. Пат. US 5328360, МКИ F27D 003/12. Heat-treating apparatus. / Tokyo Election Sagami Kabushiki Kaisha (Kanagawa, JP).

75. Пат. US 5339128, МКИ G03D 005/00. Resist processing method. / Tokyo Electron Limited (Tokyo, JP); Tokyo Electron Kyushu Limited (Kumamoto, JP).

76. Пат. US 5345534, МКИ HOIL 021/20. Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means.

77. Пат. US 5360336, МКИ F27D 005/00, F27D 015/02. Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus./ Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha (Kanagawa, JP).

78. Пат. US 5431700, МКИ HOIL 021/68, HOIL 023/40. Vertical multi-process bake/chill apparatus. / F SI International, Inc. (Chaska, MN).

79. Пат. US 5484011 МКИ HOIL 021/02 Method of heating and cooling a wafer during semiconductor processing.

80. Пат. US 5702624 МКИ H 05 В 1/02. Compete hot plate temperature control system for hot treatment / Taiwan Semiconductors Manfiiacturing Company, Ltd (Hsin-Chu, TW).

81. Пат. US 6100506 МКИ Н 05 В 3/68, С 23 С 16/00. Hot plate with in situ surface temperature adjustment / International Business Machines Corporation (Armonk, New York).

82. Пат. US 6207357 МКИ H 05 В 001/02. Methods of forming photoresist and apparatus for forming photoresist. / Micron Technology, Inc. (Boise, ID).

83. Пат. US 6255225 МКИ H 01 L 021/302. Method of forming a resist pattern, a method of manufacturing semiconductor device by the same method, and a device and a hot plate for forming a resist pattern. / Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha (Tokyo, JP)

84. Пожидаев В.Ф, О распределении давления газа по площади опорной поверхности перемещаемого бесконтактным устройством груза / Пожидаев В.Ф., Рабочий Г.М., Румянцев Б.П. // Известия ВУЗов. Машиностроение. -1985.-№10-С. 108-112.

85. Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники. Дне. . докт. техн. наук: 05.13.07, 05.27.07. Москва, 1994. - 397 с.

86. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии микросхем / Ф.П. Пресс. М.: Сов. Радио, 1978.-127 с.

87. Приборы, средства автоматизации и системы управления. ТС-6 «Приборы и устройства для контроля и регулирования технологических процессов». Выпуск 7. Устройства для контроля температуры выпускаемые за рубежом. -М.: Информприбор. 1987 - 14 с,

88. Приборы, средства автоматизации и системы управления. ТС-6 «Приборы и устройства для контроля и регулирования технологических процессов». Выпуск 3. Зарубежные приборы для контроля температуры и давления. М.: Информприбор. - 1990 - 16 с.

89. Приборы, средства автоматизации и системы управления. ТС-6 «Приборы и устройства для контроля и регулирования технологических процессов».

90. Выпуск 3. Современные зарубежные средства измерения и регулирования температуры. М.: Информприбор. - 1988 - 15 с.

91. ПО. Сазонов A.A. Автоматизация технологического оборудования микроэлектроники / Сазонов A.A., Корнилов Р.В., Кохан Н.П.; Под ред. Сазонова. ~М.: Высш. Шк., 1991. -334 с.

92. Самойликов В.К. Теплообмен между подложкой и подложкодержателем в условиях их теплового контакта / Самойликов В.К. // Инженерно-физический журнал, 1996. т. 69. - № 5 - С. 761-767.

93. Санжаровский А.Т. Физико-механические свойства полимерных и лакокрасочных покрытий / А.Т. Санжаровский. -М.: Химия, 1978.- с. 8-9.

94. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. Акад. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.

95. Таруи Я. Основы технологии СБИС / Таруи Я.; Пер. с японского. М.: Радио и связь, 1985. - 480 с.

96. Теоретические основы теплотехники. Теплотехнический эксперимент. Справочник. Под общей редакцией В.А. Григорьева и В.М. Зорина.- М.: Энергоатомиздат, 1988 560 с.

97. Тойберт П. Оценка точности результатов измерений / П. Тойберт: Пер. с нем. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 88 с.

98. Федотов Я.А. Вертикальная интеграция единственный реальный путь развития электроники / Я.А. Федотов // Электронная промышленность. - 1993. -№ 11/12.-С. 48-57.

99. Уонг X. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров/ X. Уонг.; Пер. с. англ.; Справочник. Атомиздат, 1979. - 216 с.

100. Чистяков A.A. Определение охлаждающей способности воздушной подушки при закалке стекла / Чистяков A.A., Чуриков В.Д., Шутов А.И. // Стекло и керамика. 1980. - №1. - с.6-8.

101. Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя / Г. Шлихтинг.; Пер. с нем. М.: Наука, 1974.-711 с.160

102. Michael Chase. The challenges of macro integration for fully automated 300mm fabs / Michael Chase, Douglas Scott, Jeff Nestel-Patt // Solid State Technology. October. - 2000. - P.21-23.

103. Russell Strehlow. Analysis improves thermal control of heated chucks for 1С processing / Russell AXxQhXovfII Solid State Technology. July. - 2000. - P. 12-14.161